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JP2008153597A - Dicing-tape sticking method and device for semiconductor wafer - Google Patents

Dicing-tape sticking method and device for semiconductor wafer Download PDF

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JP2008153597A JP2006342867A JP2006342867A JP2008153597A JP 2008153597 A JP2008153597 A JP 2008153597A JP 2006342867 A JP2006342867 A JP 2006342867A JP 2006342867 A JP2006342867 A JP 2006342867A JP 2008153597 A JP2008153597 A JP 2008153597A
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勇 清水
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公一 斎藤
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a new dicing-tape sticking method and device for a semiconductor wafer that correspond to thinning of a semiconductor wafer such as a silicon wafer. <P>SOLUTION: When sticking a dicing tape 2 onto one face of a silicon wafer 1 in a step before dicing the silicon wafer 1, either of the dicing tape and the silicon wafer is pushed against the other in the state of stretching the dicing tape 2 and in vacuum. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、半導体ウエハのダイシング前工程においてダイシングテープを半導体ウエハの一面に貼り付ける方法及び装置に関する。   The present invention relates to a method and apparatus for attaching a dicing tape to one surface of a semiconductor wafer in a pre-dicing process of a semiconductor wafer.

半導体ウエハの製造工程では、例えばシリコンウエハに露光−拡散−エッチングなどの前工程処理を施した後に、シリコンウエハ１をチップサイズにダイシングする。その具体例を、図２の（１）、（２）、（３）、（４）、（５）の工程を模式的に示す。   In a semiconductor wafer manufacturing process, for example, a silicon wafer 1 is diced to a chip size after a pre-process such as exposure-diffusion-etching is performed on the silicon wafer. Specific examples thereof are schematically shown in steps (1), (2), (3), (4), and (5) of FIG.

通常、半導体ウエハとして用いられるシリコンウエハ１は、投入時の初期の厚みｔ１が７００〜２００μｍであり、前工程（回路形成）終了まで、その厚みで処理される（図２（１））。これは、前工程処理が酸化膜形成−露光−熱拡散−エッチングなどの回路形成工程を何回も繰り返すため、温度履歴や表面処理履歴の影響でシリコンウエハに変形を発生させない厚みを保つ必要があるためである。   Normally, a silicon wafer 1 used as a semiconductor wafer has an initial thickness t1 of 700 to 200 μm at the time of loading, and is processed with that thickness until the end of the previous process (circuit formation) (FIG. 2 (1)). This is because the pre-process treatment repeats the circuit formation process such as oxide film formation-exposure-thermal diffusion-etching many times, so it is necessary to maintain a thickness that does not cause deformation of the silicon wafer due to the influence of temperature history and surface treatment history. Because there is.

次いで、前工程が終了したシリコンウエハ１を、回路形成面を保護テープ４で覆う（図２（２））。保護テープ４は、ウエハの薄型化に伴って製造過程で生じる反りを防止するために使用される。通常のＩＣチップの厚みは、３５０μｍ程度であり、投入時の厚みをそのまま使用して、ダイシングを行っていたが、近年、ＩＣチップはフラッシュメモリ用などに対応するため、例えば５０μｍの厚みにするなど、その薄型化が図られている。このような薄型にする場合には、グラインダでシリコンウエハ１の裏面から所定の肉厚部分１´までを削っている（図２（２））。   Next, the silicon wafer 1 that has been subjected to the previous process is covered with a protective tape 4 on the circuit forming surface (FIG. 2B). The protective tape 4 is used to prevent warpage that occurs in the manufacturing process as the wafer becomes thinner. The thickness of a normal IC chip is about 350 μm, and dicing is performed using the thickness at the time of insertion as it is. However, in recent years, the IC chip is made to have a thickness of, for example, 50 μm in order to cope with flash memory and the like. For example, the thickness is reduced. In the case of such a thin shape, a grinder grinds from the back surface of the silicon wafer 1 to a predetermined thick portion 1 ′ (FIG. 2 (2)).

この、薄くした後のシリコンウエハ１の一面（回路形成面と反対側）に、ダイシングテープ２をローラ加圧方式機構５により貼り付け（図２（４））、その後に保護テープ４を剥がしダイシングカッター（レジンに砥石を混ぜたブレード）６を用いてダイシング工程が行われる（図２（５））。   A dicing tape 2 is attached to one surface (opposite side of the circuit formation surface) of the thinned silicon wafer 1 by a roller pressurizing mechanism 5 (FIG. 2 (4)), and then the protective tape 4 is peeled off and dicing is performed. A dicing process is performed using a cutter (blade in which a grindstone is mixed with a resin) 6 (FIG. 2 (5)).

ダイシングテープ２は、ダイシング作業で半導体チップが散乱するのを防止し、チップの現状の位置に保持してそのまま次の工程へまとめてチップを搬送するために使用される。そのためにダイシングカッターは半導体ウエハのダイシングの際にダイシングテープの肉厚の途中までしか及ばないようにして、ダイシングテープは切断されないようにしてある。   The dicing tape 2 is used to prevent the semiconductor chips from being scattered during the dicing operation, hold the chips at their current positions, and transport the chips as they are to the next process. For this purpose, the dicing cutter only reaches the middle of the thickness of the dicing tape when dicing the semiconductor wafer, so that the dicing tape is not cut.

ここで、シリコンウエハ１へのダイシングテープ２貼り付けの従来の方法を説明する。まず、下準備として、図２（４）に示すように、張力を与えた状態で円環状のダイシングフレーム３に貼り付けられたダイシングテープ２（円形状にカットされている）が用意される。このようにしてダイシングフレームで張力を保持されたダイシングテープ２の一面（接着面）に真空チャック１１aなどで保持されたシリコンウエハの一面をあてがって、ダイシングテープをローラ加圧機構５により加圧する。ローラ加圧により、ダイシングテープ２・シリコンウエハ１間に気泡の混在をなくしてダイシングテープを均一にならした状態で、ダイシングテープにシリコンウエハが貼り付けられる。このようなローラ加圧を経て、ダイシングテープで保持されたシリコンウエハがダイシング装置に供給される。図３は、ダイシング後の半導体チップがダイシングテープ２に接着されている状態を半導体チップの回路形成面側から見た平面模式図である。   Here, a conventional method of attaching the dicing tape 2 to the silicon wafer 1 will be described. First, as a preliminary preparation, as shown in FIG. 2 (4), a dicing tape 2 (cut into a circular shape) attached to an annular dicing frame 3 in a tensioned state is prepared. The surface of the silicon wafer held by the vacuum chuck 11 a or the like is applied to one surface (adhesion surface) of the dicing tape 2 held in tension by the dicing frame in this way, and the dicing tape is pressed by the roller pressing mechanism 5. The silicon wafer is affixed to the dicing tape in a state where the dicing tape is made uniform by eliminating pressure between the dicing tape 2 and the silicon wafer 1 by the roller pressure. Through such roller pressurization, the silicon wafer held by the dicing tape is supplied to the dicing apparatus. FIG. 3 is a schematic plan view of the semiconductor chip after dicing bonded to the dicing tape 2 as viewed from the circuit forming surface side of the semiconductor chip.

現在、５０μｍの厚みのシリコンウエハは、今後益々薄くなる傾向にある。それに伴い、ダイシングテープに対するシリコンウエハのローラ加圧方式貼り付け方法によれば、シリコンウエハにダメージを与えることが予想される。   Currently, silicon wafers with a thickness of 50 μm tend to become thinner and thinner in the future. Along with this, it is expected that the silicon wafer will be damaged according to the roller pressing method of the silicon wafer to the dicing tape.

本発明は、以上の点に鑑みてなされ、その目的は、半導体ウエハ（例えばシリコンウエハ）の薄型化に対応できる新方式の半導体ウエハのダイシングテープ貼り付け方法及び装置を提供することにある。   The present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to provide a new method and apparatus for attaching a dicing tape to a semiconductor wafer that can cope with the thinning of a semiconductor wafer (for example, a silicon wafer).

本発明は、半導体ウエハのダイシング前工程においてダイシングテープを半導体ウエハの一面に貼り付ける方法において、
前記ダイシングテープに張力を与えた状態で且つ真空中で、前記ダイシングテープ及び半導体ウエハの一方を他方に押し付けることで、前記ダイシングテープの接着面を前記半導体ウエハの一面に貼り付けることを特徴とする。 The present invention is a method for attaching a dicing tape to one surface of a semiconductor wafer in a pre-dicing process of a semiconductor wafer,
The adhesive surface of the dicing tape is attached to one surface of the semiconductor wafer by pressing one of the dicing tape and the semiconductor wafer against the other in a vacuum with the dicing tape in tension. .

また、そのような方法を実現する装置として、
半導体ウエハを保持して直線的に往復移動可能な移動機構と、
前記移動機構上の前記半導体ウエハに対面する位置でダイシングテープを保持するダイシンテープ保持部と、
前記移動機構が前記半導体ウエハを前記ダイシングテープの対向面に押し付けた時のウエハからの押し付け力を受けるウエハ受け部と、
前記半導体ウエハの移動空間及びそれに対向するダイシングテープの接着面の周囲を真空状態にする真空室と、
を備えたダイシングテープ貼り付け装置を提案する。 In addition, as an apparatus for realizing such a method,
A moving mechanism capable of linearly reciprocating while holding a semiconductor wafer;
A dicing tape holding portion for holding a dicing tape at a position facing the semiconductor wafer on the moving mechanism;
A wafer receiving portion for receiving a pressing force from the wafer when the moving mechanism presses the semiconductor wafer against the opposing surface of the dicing tape;
A vacuum chamber for making a vacuum around the moving space of the semiconductor wafer and the adhesive surface of the dicing tape facing the moving space;
We propose a dicing tape affixing device equipped with

上記構成によれば、ダイシングの前工程において、薄型化する半導体ウエハにダメージを与えることなくダイシングテープをシリコンウエハなような半導体ウエハに貼り付けることができ、シリコンウエハの歩留まりを向上させることができる。   According to the above configuration, the dicing tape can be attached to a semiconductor wafer such as a silicon wafer without damaging the thinned semiconductor wafer in the pre-dicing step, and the yield of the silicon wafer can be improved. .

以下、本発明の実施例を、図面を用いて説明する。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

図２の（１）（２）（３）（４´）（５）の工程が、本発明のダイシングテープ貼り付け方式を取り入れた半導体製造工程を示すものである。図２の（１）、（２）、（３）、（５）の工程は、既述した従来方式と同様であり、説明は省略する。図２の（４´）のダイシングテープ貼り付け工程が従来例と異なるものである。   The steps (1), (2), (3), (4 ′), and (5) in FIG. 2 show a semiconductor manufacturing process that incorporates the dicing tape attaching method of the present invention. The steps (1), (2), (3), and (5) in FIG. 2 are the same as those in the conventional method described above, and a description thereof will be omitted. The dicing tape attaching process of (4 ′) in FIG. 2 is different from the conventional example.

図２（４´）では、シリコンウエハのダイシング前工程において、予めダイシングフレーム３にダイシングテープ２を張った状態（張力を充分に与えた状態）で、シリコンウエハ１の被接着面とダイシングテープ２の接着面とを対面させて、真空中で、移動機構を介してシリコンウエハ１をダイシングテープ２の接着面に向けて直線的に相対的に移動させて、シリコンウエハ１をダイシングテープ２に押し付ける。このようにすれば、移動機構の加圧力がシリコンウエハ１の一面に均一に作用して、シリコンウエハ１がダイシングテープ２に押し付けられ、しかも真空中でダイシングテープとシリコンウエハとを面接着するので、低荷重の加圧力でダイシングテープの貼り付け作業を実行することができる。したがって、薄型化する半導体ウエハにダメージを与えることなく、且つダイシングテープをシリコンウエハなような半導体ウエハに気泡が入ることなく貼り付けることができる。   In FIG. 2 (4 ′), in the pre-dicing process of the silicon wafer, the surface to be bonded and the dicing tape 2 of the silicon wafer 1 in a state where the dicing tape 2 is stretched on the dicing frame 3 in advance (a state where the tension is sufficiently applied). The silicon wafer 1 is linearly moved relatively toward the bonding surface of the dicing tape 2 via a moving mechanism in a vacuum, and the silicon wafer 1 is pressed against the dicing tape 2 in a vacuum. . In this way, the pressing force of the moving mechanism acts uniformly on one surface of the silicon wafer 1, the silicon wafer 1 is pressed against the dicing tape 2, and the dicing tape and the silicon wafer are bonded to each other in a vacuum. The dicing tape attaching operation can be executed with a low load pressure. Therefore, the dicing tape can be attached to a semiconductor wafer such as a silicon wafer without causing air bubbles without damaging the thinned semiconductor wafer.

ダイシング後の半導体チップは、ダイシングテープに保持されてそのままの状態で次工程の作業位置に送られる。   The semiconductor chip after dicing is held on a dicing tape and sent to the work position of the next process as it is.

ここで、上記ダイシングテープ貼り付け方法を具現化するための具体例を、図１に基づき装置を含めて説明する。   Here, a specific example for realizing the above-described dicing tape attaching method will be described with reference to FIG.

図１は、本発明に係るダイシングテープ貼り付け装置の縦断面図である。   FIG. 1 is a longitudinal sectional view of a dicing tape attaching apparatus according to the present invention.

図１の装置は、基本的には、シリコンウエハ１を真空チャック１１ａにより保持して直線的に往復移動可能な移動機構１１と、移動機構１１上のシリコンウエハ１に対面する位置でダイシングテープ２を保持するダイシングテープホルダ（ダイシングテープ保持部）２０と、移動機構１１がシリコンウエハ１をダイシングテープ２の対向面に押し付けた時のウエハからの押し付け力を受けるウエハ受け部２１と、シリコンウエハ１の移動空間及びそれに対向するダイシングテープ２の接着面の周囲を真空状態にする真空室１２とを備える。   The apparatus shown in FIG. 1 basically has a moving mechanism 11 that can hold a silicon wafer 1 by a vacuum chuck 11a and linearly reciprocate, and a dicing tape 2 at a position facing the silicon wafer 1 on the moving mechanism 11. A dicing tape holder (dicing tape holding portion) 20 for holding the wafer, a wafer receiving portion 21 for receiving a pressing force from the wafer when the moving mechanism 11 presses the silicon wafer 1 against the opposing surface of the dicing tape 2, and the silicon wafer 1 And a vacuum chamber 12 that evacuates the periphery of the bonding surface of the dicing tape 2 facing the moving space.

ダイシングテープホルダ２０は、真空室１２のハウジング本体（固定壁）となるべきものであり、環状体により形成される。ダイシングテープホルダ２０の上面部にホルダ２０の内周に沿ってダイシングフレーム３を着脱自在に嵌め込める環状溝２２が形成されている。この環状溝２２にダイシングフレーム３をセットすることで、ダイシングテープ２が真空チャック１１ａ上の半導体ウエハ１に対面するようにセット可能にしてある。   The dicing tape holder 20 is to be a housing body (fixed wall) of the vacuum chamber 12 and is formed of an annular body. An annular groove 22 into which the dicing frame 3 is detachably fitted along the inner periphery of the holder 20 is formed on the upper surface of the dicing tape holder 20. By setting the dicing frame 3 in the annular groove 22, the dicing tape 2 can be set so as to face the semiconductor wafer 1 on the vacuum chuck 11a.

ウエハ受け部２０は、真空室１２の蓋１３の内面に固定され、蓋１３の内面とダイシングテープ２の間に介在する。本実施例では、ウエハ受け部２０は、蓋１３に内面に取り付けられているが、着脱自在方式とすることも可能である。ウエハ受け２０として、例えばゴム板、鏡面ＳＵＳ板などが用いられる。   The wafer receiver 20 is fixed to the inner surface of the lid 13 of the vacuum chamber 12 and is interposed between the inner surface of the lid 13 and the dicing tape 2. In this embodiment, the wafer receiving portion 20 is attached to the inner surface of the lid 13, but it can also be a detachable method. As the wafer receiver 20, for example, a rubber plate, a mirror surface SUS plate, or the like is used.

蓋１３は、ダイシングテープホルダ２０の上面にシールリング（例えばＯリング）２３を介して着脱可能に取り付けられる。   The lid 13 is detachably attached to the upper surface of the dicing tape holder 20 via a seal ring (for example, an O-ring) 23.

ウエハのための移動機構１１は、真空チャック１１ａ、それを支持する可動ベース１１ｂ、一端が可動ベース１１bに接続され他端が図示されないウォームギアに噛み合うボールスクリュウ機構１１ｃ、可動ベース１１ｂの直線的往復移動（図１では上下移動）を案内するリニアガイドロッド１１ｄよりなる。   The wafer moving mechanism 11 includes a vacuum chuck 11a, a movable base 11b that supports the vacuum chuck 11a, a ball screw mechanism 11c having one end connected to the movable base 11b and meshing with a worm gear (not shown), and a linear reciprocating movement of the movable base 11b. It consists of a linear guide rod 11d for guiding (vertical movement in FIG. 1).

ダイシングテープホルダ２０は、支柱２４を介して固定ベース２５に支持されている。ボールスクリュウ１１ｃ、リニアガイドロッド１１ｄは、固定ベース２５に貫通状態で保持されている。   The dicing tape holder 20 is supported on the fixed base 25 via the support column 24. The ball screw 11c and the linear guide rod 11d are held by the fixed base 25 in a penetrating state.

真空チャック１１ａのために真空引きをする真空パイプ２６は、可動ベース１１ｂを貫通して真空チャック室と外部真空駆動源（図示せず）とに連結している。真空チャック１１ａは、ポーラスな部材により形成されている。   A vacuum pipe 26 for evacuating the vacuum chuck 11a passes through the movable base 11b and is connected to a vacuum chuck chamber and an external vacuum drive source (not shown). The vacuum chuck 11a is formed of a porous member.

真空室１２は、蓋１３、ダイシングテープホルダ２０、ベローズ（例えば金属ベローズ）２７により囲まれる空間により形成され、その内部にダイシングテープ２と真空チャック１１ａ，可動ベース１１ｂとが配置される。   The vacuum chamber 12 is formed by a space surrounded by a lid 13, a dicing tape holder 20, and a bellows (for example, a metal bellows) 27, and the dicing tape 2, the vacuum chuck 11a, and the movable base 11b are disposed therein.

ベローズ２７の一端は、移動機構１１の可動部である可動ベース１１ｂの外壁面にパッキン２８を介して接続され、他端が真空室の一部となる固定壁（例えばダイシングテープホルダ２０）の外壁にパッキン２９を介して接続されている。ダイヤフラムを使用した場合には、移動機構１１の可動部を気密性を高めて囲む真空室を形成することができる。   One end of the bellows 27 is connected to the outer wall surface of the movable base 11b which is a movable part of the moving mechanism 11 via a packing 28, and the other wall of the fixed wall (for example, the dicing tape holder 20) whose other end is a part of the vacuum chamber. Are connected via a packing 29. When a diaphragm is used, it is possible to form a vacuum chamber that surrounds the movable part of the moving mechanism 11 with improved airtightness.

真空室１２は、ダイシングテープホルダ２０に設けた真空パイプ３０を介して外部真空源（図示せず）と接続される。   The vacuum chamber 12 is connected to an external vacuum source (not shown) through a vacuum pipe 30 provided in the dicing tape holder 20.

真空室１２と真空チャック１１ａの真空系統は、互いに独立しており、真空チャックの機能を維持するために、真空室１２の真空度を真空チャック１１ａの真空度よりも低真空に設定してある。なお、真空室１２の真空度は、真空チャック１１ａの真空度よりも低真空であれば特に条件を限定されない。   The vacuum systems of the vacuum chamber 12 and the vacuum chuck 11a are independent from each other, and the vacuum degree of the vacuum chamber 12 is set to be lower than the vacuum degree of the vacuum chuck 11a in order to maintain the function of the vacuum chuck. . The vacuum chamber 12 is not particularly limited in terms of the degree of vacuum as long as the degree of vacuum is lower than that of the vacuum chuck 11a.

上記構成の装置において、シリコンウエハ１とダイシングテープ２とは、蓋１３を開けてそれぞれの所定位置にセットされる。セット後、蓋１３が閉まって真空室１２が気密状態になる。このとき、シリコンウエハ１１は、初期状態として、ダイシングテープ２から離れた位置にある。ダイシングテープ２の接着面となる一面は、シリコンウエハ１と対面するようにセットされる。   In the apparatus having the above configuration, the silicon wafer 1 and the dicing tape 2 are set at their predetermined positions by opening the lid 13. After the setting, the lid 13 is closed and the vacuum chamber 12 is airtight. At this time, the silicon wafer 11 is in a position away from the dicing tape 2 as an initial state. One surface that serves as an adhesive surface of the dicing tape 2 is set so as to face the silicon wafer 1.

シリコンウエハ１に対するダイシングテープの貼り付けは、真空室１２と真空チャック１１ａとを真空引きした後、可動ベース１１ｂが上方向（ダイシングテープの向けた方向）に所定量だけ移動するようにボールスクリュー１１ｃを駆動させる。これにより、シリコンウエハ１は、ダイシングテープ２の対向面に押し付けられ、その時のウエハからの押し付け力をウエハ受け部２１が受ける。   The dicing tape is applied to the silicon wafer 1 after the vacuum chamber 12 and the vacuum chuck 11a are evacuated, and then the ball screw 11c so that the movable base 11b moves upward by a predetermined amount (direction directed to the dicing tape). Drive. As a result, the silicon wafer 1 is pressed against the opposing surface of the dicing tape 2, and the wafer receiving portion 21 receives the pressing force from the wafer at that time.

それにより、ダイシングテープ２を張った状態で且つ真空中で、ダイシングテープの一面（接着面）をシリコンウエハ１の一面に貼り付けることができる。   Thereby, one surface (adhesion surface) of the dicing tape can be attached to one surface of the silicon wafer 1 in a state where the dicing tape 2 is stretched and in a vacuum.

なお、移動機構１１は、ボールスクリュウのほかに油圧制御方式を採用することも考えられ、ボールスクリュウに限定するものではない。ボールスクリュウ方式の場合には、シリコンウエハ１の位置精度、換言すればダイシングテープへのシリコンウエハの接着動作をデジタル管理することができる。したがって、シリコンウエハ１のダイシングテープ２への微妙な押し付け力コントロールを最も精度良く確保し、かつウエハ受け部２１により、シリコンウエハ１のダイシングテープ２への押し付け圧力の荷重を受けるときの衝撃を緩和できる。   The moving mechanism 11 may adopt a hydraulic control system in addition to the ball screw, and is not limited to the ball screw. In the case of the ball screw system, the positional accuracy of the silicon wafer 1, in other words, the operation of bonding the silicon wafer to the dicing tape can be digitally managed. Accordingly, the subtle pressing force control of the silicon wafer 1 to the dicing tape 2 is ensured with the highest accuracy, and the impact when the load of the pressing pressure of the silicon wafer 1 against the dicing tape 2 is received by the wafer receiving portion 21 is mitigated. it can.

本実施例によれば、薄型化するシリコンウエハに、ダメージを与えることなく、且つダイシングテープとシリコンウエハ間の接合面間に気泡が入ることなく貼り付けることができる。   According to this embodiment, the silicon wafer to be thinned can be attached without causing damage and without causing bubbles between the bonding surfaces between the dicing tape and the silicon wafer.

本発明の一実施例に係るダイシングテープ貼り付け装置の縦断面図。The longitudinal cross-sectional view of the dicing tape sticking apparatus which concerns on one Example of this invention. シリコンウエハに対するダイシングテープの貼り付け方式を従来例と本発明方式とを比較して示す半導体製造工程図。The semiconductor manufacturing process figure which shows the pasting method of the dicing tape with respect to a silicon wafer by comparing with a conventional example and this invention system. ダイシングカット後の半導体ウエハの平面図である。It is a top view of the semiconductor wafer after a dicing cut.

符号の説明Explanation of symbols

１…半導体ウエハ、２…ダイシングテープ、３…ダイシングフレーム、１１…移動機構、１１…真空チャック、１２…真空室、２０…ダイシングテープホルダ、２１…ウエハ受け部、２７…金属ベローズ。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Semiconductor wafer, 2 ... Dicing tape, 3 ... Dicing frame, 11 ... Moving mechanism, 11 ... Vacuum chuck, 12 ... Vacuum chamber, 20 ... Dicing tape holder, 21 ... Wafer receiving part, 27 ... Metal bellows.

Claims (6)

半導体ウエハのダイシング前工程においてダイシングテープを半導体ウエハの一面に貼り付ける方法において、
前記ダイシングテープに張力を与えた状態で且つ真空中で、前記ダイシングテープ及び半導体ウエハの一方を他方に押し付けることで、前記ダイシングテープの接着面を前記半導体ウエハの一面に貼り付けることを特徴とする半導体ウエハのダイシングテープ貼り付け方法。 In the method of attaching a dicing tape to one surface of the semiconductor wafer in the pre-dicing process of the semiconductor wafer,
The adhesive surface of the dicing tape is attached to one surface of the semiconductor wafer by pressing one of the dicing tape and the semiconductor wafer against the other in a vacuum with the dicing tape in tension. A method for attaching a dicing tape to a semiconductor wafer. 請求項１において、前記半導体ウエハに対する前記ダイシングテープの貼り付けは、前記半導体ウエハの被接着面と前記ダイシングテープの接着面とを対面させて、真空中で、移動機構を介して前記半導体ウエハをダイシングテープの接着面に向けて相対的に移動させて前記半導体ウエハを前記ダイシングテープに押し付けることで行うことを特徴とする半導体ウエハのダイシングテープ貼り付け方法。   2. The bonding of the dicing tape to the semiconductor wafer according to claim 1, wherein the bonding surface of the semiconductor wafer and the bonding surface of the dicing tape face each other, and the semiconductor wafer is bonded via a moving mechanism in a vacuum. A method for attaching a dicing tape to a semiconductor wafer, wherein the dicing tape is moved relative to an adhesive surface of the dicing tape and pressed against the dicing tape. 請求項２において、前記移動機構は、前記半導体ウエハを保持する真空チャックを介して半導体ウエハをダイシングテープに向けて直線的に移動させる移動機構よりなり、前記半導体ウエハの移動空間及びそれに対向するダイシングテープの接着面の周囲を、前記真空チャックの真空度よりも低真空にして、前記半導体ウエハを前記ダイシングテープに押し付けることを特徴とする半導体ウエハのダイシングテープ貼り付け方法。   3. The moving mechanism according to claim 2, wherein the moving mechanism includes a moving mechanism that linearly moves the semiconductor wafer toward a dicing tape via a vacuum chuck that holds the semiconductor wafer, and the dicing that opposes the moving space of the semiconductor wafer. A method of attaching a dicing tape to a semiconductor wafer, wherein the periphery of the adhesive surface of the tape is set to a vacuum lower than the degree of vacuum of the vacuum chuck, and the semiconductor wafer is pressed against the dicing tape. 半導体ウエハを保持して直線的に往復移動可能な移動機構と、
前記移動機構上の前記半導体ウエハに対面する位置でダイシングテープを保持するダイシンテープ保持部と、
前記移動機構が前記半導体ウエハを前記ダイシングテープの対向面に押し付けた時のウエハからの押し付け力を受けるウエハ受け部と、
前記半導体ウエハの移動空間及びそれに対向するダイシングテープの接着面の周囲を真空状態にする真空室と、
を備えたことを特徴とする半導体ウエハのダイシングテープ貼り付け装置。 A moving mechanism capable of linearly reciprocating while holding a semiconductor wafer;
A dicing tape holding portion for holding a dicing tape at a position facing the semiconductor wafer on the moving mechanism;
A wafer receiving portion for receiving a pressing force from the wafer when the moving mechanism presses the semiconductor wafer against the opposing surface of the dicing tape;
A vacuum chamber for making a vacuum around the moving space of the semiconductor wafer and the adhesive surface of the dicing tape facing the moving space;
A dicing tape attaching device for a semiconductor wafer, comprising: 請求項４において、
前記移動機構は、前記半導体ウエハを保持するための真空チャックを有し、
前記真空室を前記真空チャックの真空度よりも低真空に設定することを特徴とする半導体ウエハのダイシングテープ貼り付け装置。 In claim 4,
The moving mechanism has a vacuum chuck for holding the semiconductor wafer,
A dicing tape attaching apparatus for a semiconductor wafer, wherein the vacuum chamber is set to a vacuum lower than the degree of vacuum of the vacuum chuck. 前記真空室は、その一部がベローズにより形成されて、前記ベローズの一端が前記移動機構の可動部に接続され、他端が前記真空室の一部となる固定壁に接続されている半導体ウエハのダイシングテープ貼り付け装置。   A semiconductor wafer in which a part of the vacuum chamber is formed of a bellows, one end of the bellows is connected to a movable portion of the moving mechanism, and the other end is connected to a fixed wall that is a part of the vacuum chamber. Dicing tape pasting device.
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