JP2008153344A - 半導体発光素子及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】素子の信頼性を損なうことなく、光取り出し効率を向上できる半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１の主面とこれに対向する第２の主面とを有し、かつ発光層を含む半導体積層膜と、半導体積層膜における第２の主面に金属膜を介して貼り合わせられた支持基板とを備え、半導体積層膜における第２の主面及び支持基板における半導体積層膜に貼り合わせられる面にそれぞれ第１の凹凸及び第２の凹凸が設けられ、半導体積層膜と支持基板とは、第１及び第２の凹凸における互いの凸部と凹部とを合致させて貼り合わせられている。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体発光素子及びその製造方法に関する。

従来、半導体発光素子は、へき開やダイシングによって、例えば矩形形状に加工された後、モールド樹脂で覆われる。半導体発光素子内部で発光した光は、半導体結晶の高い屈折率と、モールド樹脂の屈折率との大きな相違により、素子外部に放出される効率が低下する問題が知られている。

従来、成長用基板上に形成した発光層を含む半導体多層膜を反射膜を介して支持基板に貼り替え、光取り出し面の反対方向に放出された光を反射膜で反射させて光取り出し面に導くようにした構造が提案されているが、さらなる光取り出し効率の向上が求められている。

例えば、特許文献１には、光取り出し効率を図らんとするべく発光層を凹凸形状に加工し、その発光層を平坦な支持基板に貼り付けた構造が開示されている。しかし、凹凸形状に加工された発光層を平坦な支持基板に貼り付けると、それら両者間に空隙が形成され、例えば樹脂モールドした際の応力などにより亀裂が生じ、素子の信頼性が低下しやすい。
特開２００５−２５９７６８号公報

本発明は、素子の信頼性を損なうことなく、光取り出し効率を向上できる半導体発光素子及びその製造方法を提供する。

本発明の一態様によれば、第１の主面とこれに対向する第２の主面とを有し、かつ発光層を含む半導体積層膜と、前記半導体積層膜における第２の主面に金属膜を介して貼り合わせられた支持基板とを備え、前記半導体積層膜における前記第２の主面及び前記支持基板における前記半導体積層膜に貼り合わせられる面にそれぞれ第１の凹凸及び第２の凹凸が設けられ、前記半導体積層膜と前記支持基板とは、前記第１及び第２の凹凸における互いの凸部と凹部とを合致させて貼り合わせられていることを特徴とする半導体発光素子が提供される。

また、本発明の他の一態様によれば、第１の主面とこれに対向する第２の主面とを有し、かつ発光層を含む半導体積層膜と、前記半導体積層膜における第２の主面に金属膜を介して貼り合わせられた支持基板とを備え、前記半導体積層膜における前記第２の主面に凹凸が設けられ、前記凹凸の凹部に絶縁膜が埋め込まれていることを特徴とする半導体発光素子が提供される。

また、本発明のさらに他の一態様によれば、基板上に形成された発光層を含む半導体積層膜の表面を加工して第１の凹凸を形成し、前記半導体積層膜と、前記半導体積層膜の第１の凹凸に対応する第２の凹凸が表面に形成された支持基板とを、金属膜を介して、前記第１及び第２の凹凸における互いの凸部と凹部とを合致させて貼り合わせ、前記基板を除去することを特徴とする半導体発光素子の製造方法が提供される。

また、本発明のさらに他の一態様によれば、基板上に形成された発光層を含む半導体積層膜の表面を加工して凹凸を形成し、その凹凸の凹部に絶縁膜を埋め込んだ後、金属膜を介して前記半導体積層膜に支持基板を貼り付け、前記基板を除去することを特徴とする半導体発光素子の製造方法が提供される。

本発明によれば、素子の信頼性を損なうことなく、光取り出し効率を向上できる半導体発光素子及びその製造方法が提供される。

以下、図面を参照し、本発明の実施形態について説明する。

［第１の実施形態］
図１は、本発明の第１の実施形態に係る半導体発光素子の要部断面構造を表す模式断面図である。図２は、同半導体発光素子の上面を表す模式平面図である。図１は、図２においてボンディングパッド１３が設けられていない部分の一部拡大断面を表す。

本実施形態に係る半導体発光素子は、第１の主面１０とこれに対向する第２の主面とを有し且つ発光層を含む半導体積層膜５と、半導体積層膜５における第２の主面に金属膜６、９を介して貼り合わせられた支持基板２とを備える。

半導体積層膜５は、発光層（活性層）をクラッド層で挟んだ積層構造を有する。発光層は、これよりもバンドギャップの大きいクラッド層で挟まれ、クラッド層のうち一方は第１導電型、他方は第２導電型の半導体からなる。

例えば、クラッド層としてＩｎＡｌＰ、ＩｎＧａＡｌＰ、発光層としてＩｎＧａＰ／ＩｎＧａＡｌＰの多重量子井戸構造を用いることができる。あるいは、クラッド層としてＡｌＧａＮ、発光層としてＡｌＧａＮ／ＡｌＩｎＧａＮの多重量子井戸構造を用いることもできる。もちろん、各層の材料は上記で挙げたものに限定されるものではなく、他の半導体材料を用いてもよい。

半導体積層膜５の第１の主面（光を主に取り出す側の面）１０に対向する第２の主面には第１の凹凸が設けられ、半導体積層膜５は逆メサ形状の多数の微小発光要素５ａに分割されている。なお、半導体積層膜５を完全に分割することに限らず、図１において下側（ｐ電極側）のクラッド層のみに第１の凹凸を形成して、発光層及び第１の主面１０側（ｎ電極側）のクラッド層は面方向につながっていてもよい。いずれにしても、半導体積層膜５の側面を傾斜させることで第１の主面１０からの光取り出し効率を向上させることができる。

半導体積層膜５において、第１の主面１０に対向する第２の主面の一部および側面を絶縁膜７が覆っている。さらに、その絶縁膜７を覆うように金属膜９が形成されている。金属膜９は、絶縁膜７に形成された開口を介して、半導体積層膜５における第２の主面に接している。

支持基板２において、半導体積層膜５と貼り合わせられる側の第１の主面上には金属膜６が形成され、その金属膜６と前述した金属膜９との接合により、半導体積層膜５と支持基板２とが貼り合わせられている。金属膜６、９は、例えばＡｕを含む金属材料（合金も含み、例えば具体的な材料としてＡｕＧｅ、ＡｕＺｎ、Ｇｅ、Ｎｉ、Ｚｎが挙げられる。）からなる。金属膜６、９は、発光層から第１の主面１０の反対面（第２の主面）側に放出された光を第１の主面１０側に反射させる反射膜として機能する。

支持基板２において半導体積層膜５と貼り合わせられる側の第１の主面には、半導体積層膜５に設けられた第１の凹凸に対応した第２の凹凸が設けられ、半導体積層膜５と支持基板２とは、第１及び第２の凹凸における互いの凸部と凹部とを合致させて貼り合わせられている。すなわち、半導体積層膜５の凹部に支持基板２の凸部が対向して入り込み、半導体積層膜５の凸部は支持基板２の凹部に対向してその凹部に入り込んでいる。

半導体積層膜５の第１の主面１０の上には、テーパ面を備え表面側に微小凹凸が設けられ断面台形状のテーパ構造層（窓層と呼ばれることもある）３が形成されている。そのテーパ構造層３を覆うようにして透明電極（ｎ側電極）１１が形成されている。ここで、テーパ構造層３の微小要素の一部分と透明電極１１との間にはＧａＡｓなどのコンタクト層があってもよい。テーパ構造層３は、発光層から放出される光に対する光透過性を有する。さらに、テーパ構造層３は、導電性も有し、透明電極１１を介して供給される電流を半導体積層膜５に拡散させる電流拡散層としても機能する。また、本実施形態を含む各実施形態において、テーパ構造層３の上表面（テーパ面も含む）を半導体発光素子の光取り出し面と呼ぶことにする。

半導体発光素子における透明電極１１上の中央には、図２に表すボンディングパッド１３が設けられている。ボンディングパッド１３には、図示しない外部回路と接続するためのワイヤが接続される。支持基板２の裏面には、ｐ側電極として機能する電極４が形成されている。

支持基板２は、両電極１１、４間の導通を確保するため、導電性を有する。例えば、支持基板２として、安価で加工も容易なシリコン基板を用いることができる。ここで、他の代替可能な基板材料として、Ｇｅ、ＩｎＰ、ＧａＰ、ＧａＡｓなどが挙げられる。

ボンディングパッド１３及び電極４を介して、発光層に電流を注入すると発光層から光が放出される。発光層から、第１の主面１０に向けて放出された光は第１の主面１０からテーパ構造層３を介して素子外部に取り出される。発光層から、第１の主面１０の反対側の面（第２の主面）に向けて放出された光は金属膜９、６で反射され、その反射光の一部は第１の主面１０に向かい、第１の主面１０から素子外部に取り出される。

次に、図３〜５を参照して、本実施形態に係る半導体発光素子の製造方法の一例について説明する。

まず、図３（ａ）に表すように、基板１上に、テーパ構造層３及び半導体積層膜５を順にエピタキシャル成長させる。基板１は、上記各層の良好なエピタキシャル成長に適したものが用いられ、例えば、ＩｎＧａＡｌＰ系発光素子の場合には、ＧａＡｓを用いることができ、ＧａＮ系発光素子の場合には、サファイアやＳｉＣを用いることができる。

次に、図示しないレジストマスクを半導体積層膜５上に選択的に形成した後、例えばＲＩＥ（Reactive Ion Etching）法にて、半導体積層膜５を選択的にエッチングする。これにより、図３（ｂ）に表すように、半導体積層膜５に第１の凹凸が形成される。

次に、図３（ｃ）に表すように、半導体積層膜５を覆うように絶縁膜７を形成する。絶縁膜７は、例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法にて形成されたシリコン酸化膜である。ここで、他の代替可能な絶縁膜材料として、窒化シリコン（ＳｉＮ）、窒化酸化シリコン（ＳｉＯＮ）などが挙げられる。

次に、図３（ｄ）に表すように、絶縁膜７の一部を開口して半導体積層膜５上面の一部を露出させた後、絶縁膜７を覆うように金属膜９（具体的な材料として、例えばＡｕ、Ｇｅ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｖ、ＴｉＰｔＡｕなどが挙げられる。）を形成する。金属膜９は、例えば蒸着法により形成される。金属膜９は、絶縁膜７にあけられた開口を介して半導体積層膜５の表面に接する。このようにして得られた発光層を含む積層体に対して、支持基板２が貼り合わせられる。支持基板２を貼り合わせるにあたっては、予め図４に表すように支持基板２にも第２の凹凸を形成しておく。

その第２の凹凸の形成は、まず図４（ａ）に表すように、支持基板２の主面上にレジストマスク３０を選択的に形成した後、例えばＲＩＥ法にて支持基板２の主面側を選択的にエッチングする。これにより、図４（ｂ）に表すように、支持基板２の主面に第２の凹凸が形成される。次に、図４（ｃ）に表すように、第２の凹凸が形成された主面を覆うように金属膜６を形成し、さらに、支持基板２の裏面に電極４を形成する。金属膜６及び電極４（具体的な材料として、例えばＡｕＺｎ、ＮｉＡｕ、Ａｌなどが挙げられる。）は、例えば蒸着法により形成される。

そして、発光層を含む積層体と、支持基板２とを、図５（ａ）に表すように、第１及び第２の凹凸における互いの凸部と凹部とを合致させて貼り合わせる。具体的には、金属膜９、６どうしを圧接させた状態で加熱して圧着接合させる。

次に、発光層を含む半導体積層膜５のエピタキシャル成長に用いた基板１を、例えばウェットエッチングにより除去し、これにより、図５（ｂ）に表すようにテーパ構造層３が露出する。本実施形態のようにＩｎＧａＡｌＰなど四元系の場合は、通常、発光層を含む半導体積層膜のエピタキシャル成長に好適な基板は、発光層から放出される光に対しての光透過性に優れず、そのような基板が第１の主面側から除去されることで、素子外部への光取り出し効率が向上する。

その露出したテーパ構造層３に対して、図示しないレジストマスクを用いて、例えばＲＩＥ法により選択的にエッチング行い、図５（ｃ）に表すように、テーパ構造層３に微小凹凸を形成する。従来、平滑な光取り出し面において光の全反射の影響により光取り出し効率が低下していた。これに対して、本実施形態では、このテーパ構造層３を更に設けることで、発光層からテーパ構造層３側に出射される光をテーパ構造層３におけるテーパ面も含む上表面（光取り出し面）から素子外部へ効率良く取り出すことができる。

そして、テーパ構造層３の表面（側面のテーパ面も含む）を覆うように、図１に表す透明電極１１を形成し、さらに透明電極１１上に図２に表すボンディングパッド１３を形成して、本実施形態に係る半導体発光素子が得られる。

光取り出し効率を向上させるべく、発光層を含む半導体積層膜５を例えばテーパ形状に加工した場合には、その半導体積層膜５に対して貼り合わせられる支持基板２との間に、図１２に表す比較例のように空隙１５が形成され、例えば樹脂モールドの際のストレスなどに対して十分な強度が得られなくなることがある。

しかし、本実施形態に係る半導体発光素子は、光取り出し効率を向上させるべく、発光層を含む半導体積層膜５を例えばテーパ形状に加工して第１の凹凸が形成されても、その半導体積層膜５に対して貼り合わせられる支持基板２にも貼り合わせ面側に第１の凹凸に対応する第２の凹凸を形成し、第１及び第２の凹凸における互いの凸部と凹部とを合致させて両者が貼り合わせられた構造としたため、貼り合わせ部分に図１２の比較例のような空隙１５が形成されず、貼り合わせ部分における密着面積を大きくして素子の機械的強度を高めることができる。この結果、素子の信頼性を損なうことなく、光取り出し効率の向上による高輝度化が図れる。

以下、本発明の他の実施形態について説明する。なお、前述したものと同様の要素については、同一の符号を付して詳細な説明は省略する。

［第２の実施形態］
図６は、本発明の第２の実施形態に係る半導体発光素子の要部断面構造を表す模式断面図である。

本実施形態に係る半導体発光素子も、上記第１の実施形態と同様、第１の主面１０とこれに対向する第２の主面とを有しかつ発光層を含む半導体積層膜５と、半導体積層膜５における第２の主面に金属膜６、９を介して貼り合わせられた支持基板２とを備える。

発光層を含む半導体積層膜５の第１の主面１０に対向する第２の主面には凹凸が設けられ、半導体積層膜５は逆メサ形状の多数の微小発光要素５ａに分割されている。半導体積層膜５において、第２の主面の一部および側面を絶縁膜７が覆っている。さらに、本実施形態では、絶縁膜７で覆われた微小発光要素５ａ間の凹部に、絶縁膜２１が埋め込まれている。

絶縁膜７、２１を覆うように金属膜９が形成され、金属膜９は、絶縁膜７に形成された開口を介して、半導体積層膜５における第１の主面１０の反対面（第２の主面）に接している。

支持基板２において、半導体積層膜５と貼り合わせられる側の第１の主面上には金属膜６が形成され、その金属膜６と前述した金属膜９との接合により、半導体積層膜５と支持基板２とが貼り合わせられている。金属膜６、９は、発光層から第１の主面１０の反対面側に放出された光を第１の主面１０側に反射させる反射膜として機能する。

半導体積層膜５の第１の主面１０の上には、テーパ面を備え表面側に微小凹凸が設けられ断面台形状のテーパ構造層３が形成されている。そのテーパ構造層３を覆うようにして透明電極（ｎ側電極）１１が形成されている。テーパ構造層３は、発光層から放出される光に対する光透過性を有する。さらに、テーパ構造層３は、導電性も有し、透明電極１１を介して供給される電流を半導体積層膜５に拡散させる電流拡散層としても機能する。半導体発光素子における透明電極１１上の中央には、図２に表すボンディングパッド１３が設けられ、そのボンディングパッド１３には、図示しない外部回路と接続するためのワイヤが接続される。支持基板２の裏面には、ｐ側電極として機能する電極４が形成されている。

支持基板２は、両電極１１、４間の導通を確保するため、導電性を有する。例えば、支持基板２として、安価で加工も容易なシリコン基板を用いることができる。

ボンディングパッド１３及び電極４を介して、発光層に電流を注入すると発光層から光が放出される。発光層から、第１の主面１０に向けて放出された光は第１の主面１０からテーパ構造層３を介して素子外部に取り出される。発光層から、第１の主面１０の反対側の面（第２の主面）に向けて放出された光は金属膜９、６で反射され、その反射光の一部は第１の主面１０に向かい、第１の主面１０から素子外部に取り出される。

本実施形態に係る半導体発光素子を得るにあたっては、前述した第１の実施形態における図３（ｃ）に表す工程の後、図７（ａ）に表すように、絶縁膜７を覆うように例えばポリイミドからなる絶縁膜２１を塗布する。

次に、その絶縁膜２１を平坦化した後、例えばＲＩＥ法にてエッチバックして、図７（ｂ）に表すように、絶縁膜７の一部（半導体積層膜５における第１の主面１０の反対面を覆っている部分）を露出させる。

次に、図７（ｃ）に表すように、露出された絶縁膜７の一部を開口して半導体積層膜５上面の一部を露出させた後、絶縁膜７、２１を覆うように金属膜９を形成する。金属膜９は、絶縁膜７にあけられた開口を介して半導体積層膜５の表面に接する。このようにして得られた発光層を含む積層体に対して、図８（ａ）に表すように、支持基板２が貼り合わせられる。支持基板２においてその貼り合わせ面側には、上記第１の実施形態のような第２の凹凸は形成されず、平坦になっている。発光層を含む積層体と、支持基板２とは、金属膜９、６どうしを圧接させた状態で加熱して圧着接合される。

次に、発光層を含む半導体積層膜５のエピタキシャル成長に用いた基板１を、例えばウェットエッチングにより除去し、これにより、図８（ｂ）に表すようにテーパ構造層３が露出する。そして、以降は第１の実施形態と同様に、露出したテーパ構造層３を微小凹凸形状に加工し、そのテーパ構造層３の表面（側面のテーパ面も含む）を覆うように透明電極１１を形成し、さらに透明電極１１上に図２に表すボンディングパッド１３を形成して、本実施形態に係る半導体発光素子が得られる。

本実施形態に係る半導体発光素子においても、光取り出し効率を向上させるべく、発光層を含む半導体積層膜５を例えばテーパ形状に加工している。本実施形態では、半導体発光素子５の凹部に絶縁膜２１を埋め込んで支持基板２に貼り合わせられる面側を略平坦にした状態で、支持基板２に対して半導体積層膜５が貼り合わせられるので、支持基板２に凹凸を設けなくても、貼り合わせ部分に図１２の比較例のような空隙１５が形成されず、貼り合わせ部分における密着面積を大きくして素子の機械的強度を高めることができる。この結果、素子の信頼性を損なうことなく、光取り出し効率の向上による高輝度化が図れる。

また、図１２に表す比較例に係る半導体発光素子の場合、テーパ構造層３を凹凸形状に加工する際、絶縁膜７がオーバーエッチングされ、そのエッチング後に形成される透明電極１１が金属膜９と短絡してしまうことが起こり得る。こうなると、より抵抗の小さい透明電極１１、金属膜９、６間を電流が流れ、半導体積層膜５への電流注入効率が低下し、発光効率が低下してしまう。

これに対して、本実施形態では、図６に表すように、絶縁膜７の下に、この絶縁膜７よりも厚い絶縁膜２１が設けられているため、テーパ構造層３を凹凸形状に加工する際、絶縁膜７がオーバーエッチングされても、そのエッチング後に形成される透明電極１１が金属膜９と短絡することを回避できる。

図９は、第２の実施形態に係る半導体発光素子の他の製造方法の具体例を表す要部工程断面図である。

図９（ａ）に表すように、絶縁膜７を覆うように絶縁膜２１を塗布した後、絶縁膜７を露出させずに、図９（ｂ）に表すように、絶縁膜２１を例えばＲＩＥ法にて選択的にエッチングし、その後絶縁膜７の一部を開口して半導体積層膜５上面の一部を露出させてもよい。この場合、例えば酸化シリコンからなる絶縁膜７に対してエッチング選択比が比較的低いガラス質のＳＯＧ（spin on glass）を絶縁膜２１として用いることもできる。

前述した図７（ｃ）に表す具体例では、半導体積層膜５の凹凸形状に合わせて形成された絶縁膜７の凹凸が金属膜９に反映されやすいが、本具体例では平坦化された絶縁膜２１（半導体積層膜５とのコンタクト用の開口は、絶縁膜２１の平坦面に比べて非常に小さい）の上に金属膜９を形成することで、金属膜９に凹凸を反映させにくい。したがって、貼り合わせ面の平坦性を上げ、密着面積を増大させて、より強度を高めることができる。

その後、図９（ｃ）に表すように、絶縁膜２１を覆うように金属膜９を形成し、その金属膜９は、絶縁膜２１及び絶縁膜７にあけられた開口を介して半導体積層膜５の表面に接する。

［第３の実施形態］
次に、本発明の第３の実施形態として、前述した半導体発光素子を搭載した半導体発光装置について説明する。すなわち、前述した実施形態で説明した半導体発光素子（それら半導体発光素子を以下の説明ではまとめて符号１０１で表す）を、リードフレームや基板などの実装部材に実装することにより、高輝度且つ信頼性の高い半導体発光装置が得られる。

図１０は、その半導体発光装置の一具体例を表す模式断面図である。本具体例の半導体発光装置１００は、「砲弾型」などと呼ばれる樹脂封止型の半導体発光装置である。

リード１０２の上部にはカップ部１０６が設けられ、半導体発光素子１０１はカップ部１０６の底面に導電性ペーストなどによりマウントされている。半導体発光素子１０１の上面側の電極（ボンディングパッド）と、もう一方のリード１０３とはワイヤ１０４により電気的に接続されている。カップ部１０６の内壁面１０６ａは、光反射面を構成し、半導体発光素子１０１から放出された光を反射して上方に取り出すことができる。

カップ部１０６は、光透過性の樹脂１０５により封止されている。樹脂１０５の光取り出し面１０５ａは集光曲面を形成し、半導体発光素子１０１から放出される光を適宜集光させて所定の配光分布が得られるようにすることができる。

図１１は、半導体発光装置の他の具体例を表す模式断面図である。本具体例の半導体発光装置１１０は、「表面実装型」などと称されるものであり、半導体発光素子１０１は、リード１１２の上に導電性ペーストなどを介してマウントされ、半導体発光素子１０１の上面側の電極（ボンディングパッド）は、もうひとつのリード１１３にワイヤ１０４により電気的に接続されている。これらリード１１２、１１３は、第１の樹脂１１６にモールドされており、半導体発光素子１０１は、透光性を有する第２の樹脂１１５により封止されている。第１の樹脂１１６は、例えば、酸化チタンの微粒子などを分散させることにより、光反射性が高められている。そして、その内壁面１１６ａが光反射面として作用し、半導体発光素子１０１から放出された光を外部に導く。

以上、具体例を参照しつつ本発明の実施形態について説明した。しかし、本発明は、それらに限定されるものではなく、本発明の技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。

支持基板２は導電性を有していなくてもよく、この場合、支持基板２の主面上に金属膜６と接続されるボンディングパッドが設けられる。また、テーパ構造層３を凹凸形状に加工せず、単に電流拡散層として用いてもよい。

本発明の第１の実施形態に係る半導体発光素子の要部断面構造を表す模式断面図である。 同半導体発光素子の上面を表す模式平面図である。 同半導体発光素子の製造工程の要部を例示する工程断面図である。 同半導体発光素子の製造工程の要部を例示する工程断面図である。 同半導体発光素子の製造工程の要部を例示する工程断面図である。 本発明の第２の実施形態に係る半導体発光素子の要部断面構造を表す模式断面図である。 同半導体発光素子の製造工程の要部を例示する工程断面図である。 同半導体発光素子の製造工程の要部を例示する工程断面図である。 同半導体発光素子の他の具体例による製造工程の要部を例示する工程断面図である。 本発明の実施形態に係る半導体発光素子を搭載した半導体発光装置の模式断面図である。 本発明の実施形態に係る半導体発光素子を搭載した半導体発光装置の他の具体例を表す模式断面図である。 比較例に係る半導体発光素子の要部断面構造を表す模式断面図である。

符号の説明

１…基板、２…支持基板、３…テーパ構造層、４…電極、５…半導体積層膜、６…金属膜、７…絶縁膜、９…金属膜、１１…透明電極、１３…ボンディングパッド、２１…絶縁膜

Claims (5)

1. 第１の主面とこれに対向する第２の主面とを有し、かつ発光層を含む半導体積層膜と、前記半導体積層膜における第２の主面に金属膜を介して貼り合わせられた支持基板とを備え、
   前記半導体積層膜における前記第２の主面及び前記支持基板における前記半導体積層膜に貼り合わせられる面にそれぞれ第１の凹凸及び第２の凹凸が設けられ、前記半導体積層膜と前記支持基板とは、前記第１及び第２の凹凸における互いの凸部と凹部とを合致させて貼り合わせられていることを特徴とする半導体発光素子。
2. 第１の主面とこれに対向する第２の主面とを有し、かつ発光層を含む半導体積層膜と、前記半導体積層膜における第２の主面に金属膜を介して貼り合わせられた支持基板とを備え、
   前記半導体積層膜における前記第２の主面に凹凸が設けられ、前記凹凸の凹部に絶縁膜が埋め込まれていることを特徴とする半導体発光素子。
3. 前記半導体積層膜における前記第１の主面の上に、テーパ面を備えた微小凹凸形状のテーパ構造層が設けられたことを特徴とする請求項１または２に記載の半導体発光素子。
4. 基板上に形成された発光層を含む半導体積層膜の表面を加工して第１の凹凸を形成し、前記半導体積層膜と、前記半導体積層膜の第１の凹凸に対応する第２の凹凸が表面に形成された支持基板とを、金属膜を介して、前記第１及び第２の凹凸における互いの凸部と凹部とを合致させて貼り合わせ、前記基板を除去することを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
5. 基板上に形成された発光層を含む半導体積層膜の表面を加工して凹凸を形成し、その凹凸の凹部に絶縁膜を埋め込んだ後、金属膜を介して前記半導体積層膜に支持基板を貼り付け、前記基板を除去することを特徴とする半導体発光素子の製造方法。

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