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JP2008151963A5 - - Google Patents

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Claims (14)

  1. 信号線、容量線、第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、保持容量、及び負荷を少なくとも含む画素を有し、
    前記第１のトランジスタは、第１の電極が前記信号線に電気的に接続され、第２の電極が前記負荷に電気的に接続され、
    前記第２のトランジスタは、前記第１のトランジスタの第２の電極とゲート電極とを電気的に接続するスイッチとしての機能を有し、
    前記保持容量は、第１の電極が前記第１のトランジスタのゲート電極に電気的に接続され、第２の電極が前記容量線に電気的に接続され、
    前記信号線に印加されるビデオ信号電圧及び前記第１のトランジスタの閾値電圧に基づく電圧が前記保持容量に保持され、当該電圧が前記第１のトランジスタのゲート電極に印加されることにより、前記負荷に電流が供給されることを特徴とする半導体装置。
  2. 信号線、容量線、電源線、第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、第３のトランジスタ、第４のトランジスタ、保持容量、及び負荷を少なくとも含む画素を有し、
    前記第１のトランジスタは、前記負荷に電流を供給する機能を有し、
    前記第２のトランジスタは、前記第１のトランジスタの第１の電極と前記信号線とを電気的に接続するスイッチとしての機能を有し、
    前記第３のトランジスタは、前記第１のトランジスタの第１の電極と前記電源線とを電気的に接続するスイッチとしての機能を有し、
    前記第４のトランジスタは、前記第１のトランジスタの第２の電極とゲート電極とを電気的に接続するスイッチとしての機能を有し、
    前記保持容量は、第１の電極が前記第１のトランジスタのゲート電極に電気的に接続され、第２の電極が前記容量線に電気的に接続され、
    前記信号線に印加されるビデオ信号電圧及び前記第１のトランジスタの閾値電圧に基づく電圧が前記保持容量に保持され、当該電圧が前記第１のトランジスタのゲート電極に印加されることにより、前記負荷に電流が供給されることを特徴とする半導体装置。
  3. 信号線、容量線、電源線、第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、第３のトランジスタ、第４のトランジスタ、第５のトランジスタ、保持容量、及び負荷を少なくとも含む画素を有し、
    前記第１のトランジスタは、前記負荷に電流を供給する機能を有し、
    前記第２のトランジスタは、前記第１のトランジスタの第１の電極と前記信号線とを電気的に接続するスイッチとしての機能を有し、
    前記第３のトランジスタは、前記第１のトランジスタの第１の電極と前記電源線とを電気的に接続するスイッチとしての機能を有し、
    前記第４のトランジスタは、前記第１のトランジスタの第２の電極とゲート電極とを電気的に接続するスイッチとしての機能を有し、
    前記第５のトランジスタは、前記第１のトランジスタの第２の電極と前記負荷とを電気的に接続するスイッチとしての機能を有し、
    前記保持容量は、第１の電極が前記第１のトランジスタのゲート電極に電気的に接続され、第２の電極が前記容量線に電気的に接続され、
    前記信号線に印加されるビデオ信号電圧及び前記第１のトランジスタの閾値電圧に基づく電圧が前記保持容量に保持され、当該電圧が前記第１のトランジスタのゲート電極に印加されることにより、前記負荷に電流が供給されることを特徴とする半導体装置。
  4. 請求項２または請求項３において、
    前記画素は、さらに第６のトランジスタを有し、
    前記第６のトランジスタを介して前記第１のトランジスタの第２の電極に初期電位が印加されることを特徴とする半導体装置。
  5. 請求項４において、
    前記第１のトランジスタの第２の電極は前記第６のトランジスタを介して前記画素が有する配線に電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
  6. 請求項４において、
    前記画素は、前記第６のトランジスタを介して前記第１のトランジスタの第２の電極に電気的に接続される初期化線を有することを特徴とする半導体装置。
  7. 請求項２乃至請求項６のいずれか一項において、
    前記容量線には、前記画素が隣接する画素が有する複数の走査線のいずれか一つが用いられることを特徴とする半導体装置。
  8. 請求項２乃至請求項７のいずれか一項において、
    前記画素に含まれるそれぞれのトランジスタが有するチャネル長Ｌとチャネル幅Ｗの比Ｗ／Ｌの値の中で、前記第１のトランジスタが有するＷ／Ｌの値が最大となることを特徴とする半導体装置。
  9. 請求項２乃至請求項８のいずれか一項において、
    前記第２のトランジスタと、前記第３のトランジスタとは、互いに異なる導電形式であることを特徴とする半導体装置。
  10. 請求項２乃至請求項９のいずれか一項において、
    前記画素は、さらに複数の走査線を有し、
    前記画素が有する少なくとも２つのトランジスタのゲート電極が、同一の走査線に電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
  11. 請求項２乃至請求項９のいずれか一項において、
    前記画素は、さらに複数の走査線を有し、
    前記画素が有する複数のトランジスタが有するゲート電極の各々は、それぞれ異なる前記走査線に電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
  12. 請求項２乃至請求項１１のいずれか一項において、
    前記第４のトランジスタは、Ｎチャネル型であることを特徴とする半導体装置。
  13. 請求項１乃至請求項１２のいずれか一項において、
    前記負荷は発光素子であることを特徴とする半導体装置。
  14. 請求項１乃至請求項１３のいずれか一項に記載の半導体装置を有する電子機器。
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