JP2008141567A - Piezoelectric vibrator and manufacturing method thereof - Google Patents
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Abstract
【課題】製造歩留まりの向上を図ることができる圧電振動子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る圧電振動子１００の製造方法は，基板２、基板の上方に形成された第１層３、および第１層の上方に形成された第２層４を有する基体１を用意する工程と、基体の上方に駆動部２０を形成する工程と、第２層をパターニングして、支持部４０、支持部の内側を基端とし他端を支持部に接しないように設けられた振動部１０、支持部と振動部を連続させる接続部３０、および第１層を露出させる開口部を形成する工程と、開口部により露出した部分から第１層の一部をウェットエッチングにより除去して、少なくとも振動部の下方に空隙部８０を形成する工程と、空隙部を形成した後に、接続部をドライエッチングにより除去する工程と、を含み、駆動部を形成する工程は、基体の上方に第１電極２２を形成する工程と、第１電極の上方に圧電体層２４を形成する工程と、圧電体層の上方に第２電極２６を形成する工程と，を有する。
【選択図】図７A method of manufacturing a piezoelectric vibrator capable of improving the manufacturing yield is provided.
A method of manufacturing a piezoelectric vibrator according to the present invention includes a substrate having a substrate, a first layer formed above the substrate, and a second layer formed above the first layer. Preparing the drive unit 20 above the substrate, patterning the second layer, and providing the support unit 40 so that the inside of the support unit is the base end and the other end is not in contact with the support unit. Forming a portion of the first layer from a portion exposed by the opening, and a step of forming the opening portion that exposes the first layer, and the step of forming the connecting portion 30 that connects the support portion and the vibration portion The step of forming the driving portion includes a step of removing and forming the gap portion 80 at least below the vibration portion, and a step of removing the connection portion by dry etching after the gap portion is formed. Step of forming first electrode 22 above , And a step of forming the piezoelectric layer 24 above the first electrode, and forming a second electrode 26 above the piezoelectric layer.
[Selection] Figure 7
Description
本発明は、圧電振動子およびその製造方法に関する。 The present invention relates to a piezoelectric vibrator and a manufacturing method thereof.
一般に、時計やマイコンなどの情報機器では、クロックモジュールの発振器部分に圧電振動子が用いられている。圧電振動子には、圧電効果で駆動する方式が広く用いられている。最近では、シリコン基板上に、圧電体薄膜を上下の電極で挟んだ駆動部を設けた圧電振動子が開発されている（例えば特許文献１参照）。
本発明の目的は、製造歩留まりの向上を図ることができる圧電振動子の製造方法および該製造方法により得られる圧電振動子を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a piezoelectric vibrator capable of improving the manufacturing yield and a piezoelectric vibrator obtained by the manufacturing method.
本発明に係る圧電振動子の製造方法は、
基板、該基板の上方に形成された第１層、および該第１層の上方に形成された第２層を有する基体を用意する工程と、
前記基体の上方に駆動部を形成する工程と、
前記第２層をパターニングして、支持部、該支持部の内側を基端とし他端を該支持部に接しないように設けられた振動部、該支持部と該振動部を連続させる接続部、および前記第１層を露出させる開口部を形成する工程と、
前記開口部により露出した部分から前記第１層の一部をウェットエッチングにより除去して、少なくとも前記振動部の下方に空隙部を形成する工程と、
前記空隙部を形成した後に、前記接続部をドライエッチングにより除去する工程と、を含み、
前記駆動部を形成する工程は、
前記基体の上方に第１電極を形成する工程と、
前記第１電極の上方に圧電体層を形成する工程と、
前記圧電体層の上方に第２電極を形成する工程と、を有する。
A method for manufacturing a piezoelectric vibrator according to the present invention includes:
Providing a substrate having a substrate, a first layer formed above the substrate, and a second layer formed above the first layer;
Forming a drive unit above the substrate;
Patterning the second layer to provide a support part, a vibration part provided so that the inner side of the support part is the base end and the other end is not in contact with the support part, and a connection part for continuing the support part and the vibration part And forming an opening exposing the first layer;
Removing a portion of the first layer from the portion exposed by the opening by wet etching to form a void at least below the vibrating portion;
After forming the void portion, removing the connection portion by dry etching,
The step of forming the driving unit includes:
Forming a first electrode above the substrate;
Forming a piezoelectric layer above the first electrode;
Forming a second electrode above the piezoelectric layer.
本発明に係る圧電振動子の製造方法では、前記空隙部をウェットエッチングにより形成する工程において、前記振動部は前記接続部によって前記支持部に固定されている。例えば、前記振動部が固定されていない状態でウェットエッチングを行うと、前記振動部の自由端側の下面が前記空隙部の底面または前記振動部の左右のパターンに貼り付いて剥がれなくなる問題（いわゆるスティッキング）が生じる場合がある。これに対し、本発明に係る圧電振動子の製造方法によれば、前記振動部が前記接続部によって前記支持部に固定されているため、上記の問題が生じることがない。その結果、圧電振動子の製造歩留まりの向上を図ることができる。 In the method for manufacturing a piezoelectric vibrator according to the present invention, in the step of forming the gap portion by wet etching, the vibration portion is fixed to the support portion by the connection portion. For example, if wet etching is performed in a state where the vibration part is not fixed, the lower surface of the free end side of the vibration part sticks to the bottom surface of the gap part or the left and right patterns of the vibration part (so-called peeling) Sticking) may occur. On the other hand, according to the method for manufacturing a piezoelectric vibrator according to the present invention, since the vibrating part is fixed to the support part by the connecting part, the above-described problem does not occur. As a result, the manufacturing yield of the piezoelectric vibrator can be improved.
なお、本発明に係る記載では、「上方」という文言を、例えば、「特定のもの（以下「Ａ」という）の「上方」に他の特定のもの（以下「Ｂ」という）を形成する」などと用いている。本発明に係る記載では、この例のような場合に、Ａ上に直接Ｂを形成するような場合と、Ａ上に他のものを介してＢを形成するような場合とが含まれるものとして、「上方」という文言を用いている。 In the description of the present invention, the word “upper” is, for example, “forms another specific thing (hereinafter referred to as“ B ”)“ above ”a specific thing (hereinafter referred to as“ A ”)”. Etc. In the description according to the present invention, in the case of this example, the case where B is directly formed on A and the case where B is formed on A via another are included. The word “upward” is used.
本発明に係る圧電振動子の製造方法において、
前記第１層は、絶縁層であり、
前記第２層は、半導体層であることができる。
In the method for manufacturing a piezoelectric vibrator according to the present invention,
The first layer is an insulating layer;
The second layer may be a semiconductor layer.
本発明に係る圧電振動子の製造方法において、
前記振動部は、１本のビーム部から構成されるように形成され、
前記駆動部は、前記１本のビーム部に対して１つ設けられることができる。
In the method for manufacturing a piezoelectric vibrator according to the present invention,
The vibrating part is formed to be composed of one beam part,
One driving unit may be provided for the one beam unit.
本発明に係る圧電振動子の製造方法において、
前記振動部および前記接続部のそれぞれは、矩形の平面形状となるように形成され、
前記振動部および前記接続部は、一体的な矩形の平面形状となるように形成されることができる。
In the method for manufacturing a piezoelectric vibrator according to the present invention,
Each of the vibration part and the connection part is formed to have a rectangular planar shape,
The vibration part and the connection part may be formed to have an integral rectangular planar shape.
本発明に係る圧電振動子の製造方法において、
前記振動部および前記接続部のそれぞれは、矩形の平面形状となるように形成され、
前記接続部は、該接続部の前記支持部に接する端の幅が前記振動部の自由端の幅よりも狭くなるように形成されることができる。
In the method for manufacturing a piezoelectric vibrator according to the present invention,
Each of the vibration part and the connection part is formed to have a rectangular planar shape,
The connection part may be formed such that a width of an end of the connection part contacting the support part is narrower than a width of a free end of the vibration part.
本発明に係る圧電振動子の製造方法において、
前記振動部は、基部および該基部を基端とする２本のビーム部から構成される音叉形状を有するように形成され、
前記駆動部は、各前記ビーム部に対して１対ずつ設けられることができる。
In the method for manufacturing a piezoelectric vibrator according to the present invention,
The vibrating portion is formed to have a tuning fork shape including a base portion and two beam portions having the base portion as a base end,
One pair of the driving units may be provided for each of the beam units.
本発明に係る圧電振動子は、
基体と、
前記基体の一部からなる支持部と、
前記基体の一部からなり、一端を前記支持部の内側に固定し他端を自由にした振動部と、
前記振動部の屈曲振動を生成する駆動部と、を含み、
前記振動部は、１本のビーム部から構成され、
前記振動部の自由端の幅は、該振動部の固定端の幅よりも狭く、
前記駆動部は、
前記基体の上方に形成された第１電極と、
前記第１電極の上方に形成された圧電体層と、
前記圧電体層の上方に形成された第２電極と、を有する。
The piezoelectric vibrator according to the present invention is
A substrate;
A support part consisting of a part of the substrate;
A vibration part comprising a part of the base, one end fixed inside the support part and the other end being free,
A drive unit that generates bending vibration of the vibration unit,
The vibrating part is composed of one beam part,
The width of the free end of the vibration part is narrower than the width of the fixed end of the vibration part,
The drive unit is
A first electrode formed above the substrate;
A piezoelectric layer formed above the first electrode;
A second electrode formed above the piezoelectric layer.
本発明に係る圧電振動子において、
前記振動部の平面形状は、前記自由端と前記固定端とが平行な台形であることができる。
In the piezoelectric vibrator according to the present invention,
The planar shape of the vibration part may be a trapezoid in which the free end and the fixed end are parallel.
以下、本発明に好適な実施形態について、図面を参照しながら説明する。 Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
１． まず、本実施形態に係る圧電振動子１００について説明する。図１は、本実施形態に係る圧電振動子１００を概略的に示す平面図であり、図２は、圧電振動子１００を概略的に示す断面図である。なお、図２は、図１のII−II線断面図である。 1. First, the piezoelectric vibrator 100 according to this embodiment will be described. FIG. 1 is a plan view schematically showing a piezoelectric vibrator 100 according to the present embodiment, and FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing the piezoelectric vibrator 100. 2 is a cross-sectional view taken along the line II-II in FIG.
圧電振動子１００は、図１および図２に示すように、基体１と、支持部４０と、振動部１０と、駆動部２０と、を含む。 As shown in FIGS. 1 and 2, the piezoelectric vibrator 100 includes a base 1, a support part 40, a vibration part 10, and a drive part 20.
基体１は、例えば図２に示すように、基板２と、基板２上に形成された第１層３と、第１層３上に形成された第２層４と、を有する。第１層３は、例えば絶縁層であり、第２層４は、例えば半導体層である。基体１としては、例えばＳＯＩ（Silicon On Insulator）基板などを用いることができる。例えば、基板２としてシリコン基板、第１層（以下「絶縁層」ともいう）３として酸化シリコン層、第２層（以下「半導体層」ともいう）４としてシリコン層を用いることができる。半導体層４内には各種の半導体回路を作り込むことができる。半導体層４としてシリコン層を用いることが、一般的な半導体製造技術を利用できる点で有利である。絶縁層３の厚さは、例えば２μｍ〜４μｍであり、半導体層４の厚さは、例えば４μｍ〜２０μｍである。 For example, as shown in FIG. 2, the base 1 includes a substrate 2, a first layer 3 formed on the substrate 2, and a second layer 4 formed on the first layer 3. The first layer 3 is, for example, an insulating layer, and the second layer 4 is, for example, a semiconductor layer. As the substrate 1, for example, an SOI (Silicon On Insulator) substrate can be used. For example, a silicon substrate can be used as the substrate 2, a silicon oxide layer can be used as the first layer (hereinafter also referred to as “insulating layer”) 3, and a silicon layer can be used as the second layer (hereinafter also referred to as “semiconductor layer”) 4. Various semiconductor circuits can be formed in the semiconductor layer 4. The use of a silicon layer as the semiconductor layer 4 is advantageous in that a general semiconductor manufacturing technique can be used. The thickness of the insulating layer 3 is, for example, 2 μm to 4 μm, and the thickness of the semiconductor layer 4 is, for example, 4 μm to 20 μm.
支持部４０は、基体１の一部からなる。支持部４０は、例えば図示のように、半導体層４の一部からなる。支持部４０は、振動部１０を支持することができる。支持部４０は、例えば図示のような矩形の枠状に形成される。 The support part 40 is formed of a part of the base body 1. The support portion 40 is made of a part of the semiconductor layer 4 as shown in the figure, for example. The support part 40 can support the vibration part 10. The support portion 40 is formed in a rectangular frame shape as shown in the figure, for example.
振動部１０は、基体１の一部からなる。振動部１０は、例えば図示のように、半導体層４の一部からなる。振動部１０の一端は、支持部４０の内側に固定されており、他端は自由にされている。振動部１０は、例えば図示のように、１本のビーム部から構成されている。振動部１０の平面形状は、例えば矩形（長方形および正方形）であり、図示の例では長方形である。振動部１０は、図２に示すように、基体１の絶縁層３の一部を除去して形成された空隙部８０上に形成されている。空隙部８０の平面形状は、例えば矩形であり、図示の例では長方形であり、その長手方向は、振動部１０の長手方向と同じ方向（Ｘ方向）である。振動部１０の周りには、振動部１０の振動を許容する開口部４２が形成されている。開口部４２および振動部１０は、平面視（図１）において一体的に見ると、例えば空隙部８０に一致している。 The vibration unit 10 is composed of a part of the base 1. The vibration unit 10 is made of a part of the semiconductor layer 4 as shown in the figure, for example. One end of the vibration part 10 is fixed inside the support part 40, and the other end is free. The vibration part 10 is comprised from one beam part, for example like illustration. The planar shape of the vibration unit 10 is, for example, a rectangle (rectangle and square), and is a rectangle in the illustrated example. As shown in FIG. 2, the vibration part 10 is formed on a gap 80 formed by removing a part of the insulating layer 3 of the base 1. The planar shape of the gap 80 is, for example, a rectangle, and is a rectangle in the illustrated example, and the longitudinal direction thereof is the same direction (X direction) as the longitudinal direction of the vibration unit 10. An opening 42 that allows vibration of the vibration unit 10 is formed around the vibration unit 10. The opening 42 and the vibrating portion 10 coincide with, for example, the gap 80 when viewed integrally in a plan view (FIG. 1).
駆動部２０は、振動部１０の屈曲振動を生成する。駆動部２０は、図１に示すように、１本のビーム部に対して１つ設けられている。駆動部２０の平面形状は、例えば矩形であり、図示の例では長方形であり、その長手方向は、振動部１０の長手方向と同じ方向（Ｘ方向）である。駆動部２０は、図２に示すように、基体１（より具体的には半導体層４）の上方に形成された第１電極２２と、第１電極２２上に形成された圧電体層２４と、圧電体層２４上に形成された第２電極２６と、を有する。駆動部２０は、さらに、半導体層４と第１電極２２との間に形成された下地層５を有することができる。駆動部２０の主要部は、例えば図１および図２に示すように、振動部１０の固定端側の上に形成されており、駆動部２０の一部（より具体的には下地層５および第１電極２２）は、例えば支持部４０の上にも形成されている。 The drive unit 20 generates bending vibration of the vibration unit 10. As shown in FIG. 1, one driving unit 20 is provided for one beam unit. The planar shape of the drive unit 20 is, for example, a rectangle, which is a rectangle in the illustrated example, and the longitudinal direction thereof is the same direction (X direction) as the longitudinal direction of the vibration unit 10. As shown in FIG. 2, the drive unit 20 includes a first electrode 22 formed above the base 1 (more specifically, the semiconductor layer 4), a piezoelectric layer 24 formed on the first electrode 22, and And a second electrode 26 formed on the piezoelectric layer 24. The driving unit 20 can further include a base layer 5 formed between the semiconductor layer 4 and the first electrode 22. The main part of the drive unit 20 is formed on the fixed end side of the vibration unit 10 as shown in FIGS. 1 and 2, for example, and a part of the drive unit 20 (more specifically, the underlayer 5 and The first electrode 22) is also formed on the support 40, for example.
下地層５は、酸化シリコン（ＳｉＯ２）層、窒化シリコン（Ｓｉ３Ｎ４）層等の絶縁層である。下地層５は、例えば２層以上の複合層で構成されていても良い。下地層５の厚さは、例えば１μｍである。 The underlayer 5 is an insulating layer such as a silicon oxide (SiO 2 ) layer or a silicon nitride (Si 3 N 4 ) layer. The underlayer 5 may be composed of two or more composite layers, for example. The thickness of the foundation layer 5 is 1 μm, for example.
第１電極２２は、例えばＰｔなどの電極材料からなることができる。第１電極２２の厚さは、十分に低い電気抵抗値が得られる厚さであれば良く、例えば１０ｎｍ以上５μｍ以下とすることができる。 The first electrode 22 can be made of an electrode material such as Pt, for example. The thickness of the 1st electrode 22 should just be the thickness from which a sufficiently low electrical resistance value is acquired, for example, can be 10 nm or more and 5 micrometers or less.
圧電体層２４は、例えばチタン酸ジルコン酸鉛（Ｐｂ(Ｚｒ，Ｔｉ)Ｏ３：ＰＺＴ）、ニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛（Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ，Ｎｂ）Ｏ３：ＰＺＴＮ）などの圧電材料からなることができる。圧電体層２４の厚さは、例えば０．１μｍ〜２０μｍとすることができる。 The piezoelectric layer 24 is made of a piezoelectric material such as lead zirconate titanate (Pb (Zr, Ti) O 3 : PZT) or lead zirconate titanate niobate (Pb (Zr, Ti, Nb) O 3 : PZTN). Can consist of The thickness of the piezoelectric layer 24 can be, for example, 0.1 μm to 20 μm.
第２電極２６は、例えばＰｔなどの電極材料からなることができる。第２電極２６の厚さは、十分に低い電気抵抗値が得られる厚さであれば良く、例えば１０ｎｍ以上５μｍ以下とすることができる。 The second electrode 26 can be made of an electrode material such as Pt, for example. The thickness of the second electrode 26 may be any thickness that provides a sufficiently low electrical resistance value, and may be, for example, 10 nm or more and 5 μm or less.
なお、図示の例では、駆動部２０において、第１電極２２と第２電極２６の間には圧電体層２４のみが存在するが、両電極２２，２６間に圧電体層２４以外の層を有していても良い。圧電体層２４の膜厚は、共振条件に応じて適宜変更することができる。 In the illustrated example, in the drive unit 20, only the piezoelectric layer 24 exists between the first electrode 22 and the second electrode 26, but a layer other than the piezoelectric layer 24 is provided between the electrodes 22 and 26. You may have. The film thickness of the piezoelectric layer 24 can be appropriately changed according to the resonance condition.
本実施形態に係る圧電振動子１００では、駆動部２０に交互に逆向きの電界を印加することにより、振動部１０を上下方向（Ｚ方向）に屈曲振動させることができる。 In the piezoelectric vibrator 100 according to the present embodiment, the vibration unit 10 can be flexibly vibrated in the vertical direction (Z direction) by alternately applying a reverse electric field to the drive unit 20.
２． 次に、本実施形態に係る圧電振動子１００の製造方法の一例について図面を参照しながら説明する。図３は、本実施形態の圧電振動子１００の一製造工程を概略的に示す断面図であり、図４は、圧電振動子１００の一製造工程を概略的に示す平面図であり、図５〜図８は、圧電振動子１００の一製造工程を概略的に示す断面図である。なお、図３、図７、および図８は、図２に示す断面図に対応しており、図５は、図４のＶ−Ｖ線断面図であり、図６は、図４のVI−VI線断面図である。 2. Next, an example of a method for manufacturing the piezoelectric vibrator 100 according to the present embodiment will be described with reference to the drawings. FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing one manufacturing process of the piezoelectric vibrator 100 of the present embodiment, and FIG. 4 is a plan view schematically showing one manufacturing process of the piezoelectric vibrator 100. FIG. 8 is a cross-sectional view schematically showing one manufacturing process of the piezoelectric vibrator 100. 3, 7, and 8 correspond to the cross-sectional view shown in FIG. 2, FIG. 5 is a cross-sectional view taken along the line VV in FIG. 4, and FIG. It is VI sectional drawing.
（１）まず、図３に示すように、基板２上に絶縁層３および半導体層４がこの順に配置された基体１を用意する。 (1) First, as shown in FIG. 3, a base 1 in which an insulating layer 3 and a semiconductor layer 4 are arranged in this order on a substrate 2 is prepared.
（２）次に、基体１上に、駆動部２０を形成する。具体的には、基体１上に駆動部２０を構成する下地層５、第１電極２２、圧電体層２４、および第２電極２６を順次形成する。 (2) Next, the drive unit 20 is formed on the substrate 1. Specifically, the base layer 5, the first electrode 22, the piezoelectric layer 24, and the second electrode 26 constituting the driving unit 20 are sequentially formed on the base 1.
下地層５は、熱酸化法、ＣＶＤ法、スパッタ法などにより形成される。下地層５は、例えば、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いてパターニングされ、所望の形状に形成されることができる。 The underlayer 5 is formed by a thermal oxidation method, a CVD method, a sputtering method, or the like. The underlayer 5 can be formed into a desired shape by patterning using, for example, a photolithography technique and an etching technique.
第１電極２２は、蒸着法、スパッタ法、めっき法などにより形成される。第１電極２２は、例えば、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いてパターニングされ、所望の形状に形成されることができる。 The first electrode 22 is formed by vapor deposition, sputtering, plating, or the like. The first electrode 22 can be formed into a desired shape by patterning using, for example, a photolithography technique and an etching technique.
圧電体層２４は、レーザーアブレーション法、蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法、溶液法（ゾルゲル法）などにより形成される。例えば、レーザーアブレーション法を用いてチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）からなる圧電体層２４を形成する場合には、レーザー光をＰＺＴ用ターゲット、例えばＰｂ１．０５Ｚｒ０．５２Ｔｉ０．４８ＮｂＯ３のターゲットに照射する。そして、このターゲットから鉛原子、ジルコニウム原子、チタン原子、および酸素原子をアブレーションによって放出させ、レーザーエネルギーによってプルームを発生させ、このプルームを基体１に向けて照射する。これにより、第１電極２２上にＰＺＴからなる圧電体層２４が成膜される。圧電体層２４は、例えば、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いてパターニングされ、所望の形状に形成される。 The piezoelectric layer 24 is formed by a laser ablation method, a vapor deposition method, a sputtering method, a CVD (Chemical Vapor Deposition) method, a solution method (sol-gel method), or the like. For example, when the piezoelectric layer 24 made of lead zirconate titanate (PZT) is formed by laser ablation, laser light is used as a target for PZT, for example, Pb 1.05 Zr 0.52 Ti 0.48 NbO. 3 target is irradiated. Then, lead atoms, zirconium atoms, titanium atoms, and oxygen atoms are released from the target by ablation, a plume is generated by laser energy, and the plume is irradiated toward the substrate 1. Thereby, the piezoelectric layer 24 made of PZT is formed on the first electrode 22. The piezoelectric layer 24 is patterned using a photolithography technique and an etching technique, for example, and formed into a desired shape.
第２電極２６は、蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法などにより形成される。第２電極２６は、例えば、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いてパターニングされ、所望の形状に形成される。 The second electrode 26 is formed by vapor deposition, sputtering, CVD, or the like. The second electrode 26 is patterned into a desired shape by using, for example, a photolithography technique and an etching technique.
（３）次に、図４〜図６に示すように、基体１の半導体層４を所望の形状にパターニングして、支持部４０、振動部１０、接続部３０、および第１開口部４４を形成する。支持部４０、振動部１０、および接続部３０は、半導体層４を刳り貫いて絶縁層３を露出させる第１開口部４４を形成することにより得られる。振動部１０は、支持部４０の内側を基端として、振動部１０のその他の端が支持部４０に接しないように設けられる。接続部３０は、支持部４０と振動部１０を連続させ、かつ、後述する絶縁層３のウェットエッチング工程において、空隙部８０が所望の位置に形成されるように設けられれば良い。具体的には、例えば図４および図５に示すように、接続部３０は、振動部１０の自由端１０ａと支持部４０とをＸ方向に沿って連続させるように設けられる。振動部１０および接続部３０は、例えば図４に示すような一体的な矩形の平面形状となるように形成される。振動部１０の幅（短手方向の長さ）と接続部３０の幅（短手方向の長さ）は、例えば図４に示すように、同じである。 (3) Next, as shown in FIGS. 4 to 6, the semiconductor layer 4 of the base 1 is patterned into a desired shape, and the support portion 40, the vibration portion 10, the connection portion 30, and the first opening 44 are formed. Form. The support part 40, the vibration part 10, and the connection part 30 are obtained by forming the first opening 44 that penetrates the semiconductor layer 4 and exposes the insulating layer 3. The vibration part 10 is provided so that the other end of the vibration part 10 does not contact the support part 40 with the inner side of the support part 40 as a base end. The connection portion 30 may be provided so that the support portion 40 and the vibration portion 10 are continuous and the gap portion 80 is formed at a desired position in a wet etching process of the insulating layer 3 described later. Specifically, for example, as illustrated in FIGS. 4 and 5, the connection portion 30 is provided so that the free end 10 a of the vibration portion 10 and the support portion 40 are continuous along the X direction. The vibration part 10 and the connection part 30 are formed so as to have an integral rectangular planar shape as shown in FIG. 4, for example. The width (length in the short direction) of the vibration part 10 and the width (length in the short direction) of the connection part 30 are the same as shown in FIG. 4, for example.
半導体層４は、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いてパターニングされる。エッチング技術としては、ドライエッチング法やウェットエッチング法を用いることができる。本パターニング工程においては、基体１の絶縁層３をエッチングストッパ層として用いることができる。即ち、半導体層４をエッチングする際には、絶縁層（第１層）３のエッチング速度は、半導体層（第２層）４のエッチング速度よりも遅い。 The semiconductor layer 4 is patterned using a photolithography technique and an etching technique. As an etching technique, a dry etching method or a wet etching method can be used. In this patterning step, the insulating layer 3 of the substrate 1 can be used as an etching stopper layer. That is, when etching the semiconductor layer 4, the etching rate of the insulating layer (first layer) 3 is slower than the etching rate of the semiconductor layer (second layer) 4.
（４）次に、第１開口部４４により露出した部分から基体１の絶縁層３をウェットエッチングして、図７に示すように、少なくとも振動部１０の下に空隙部８０を形成する。空隙部８０は、接続部３０を除去した状態（接続部３０の除去については後述する）で振動部１０が屈曲振動できるように形成される。空隙部８０は、例えば、振動部１０、接続部３０、および第１開口部４４の下に形成される。絶縁層３が酸化シリコンからなる場合には、例えばフッ化水素酸を用いて絶縁層３をウェットエッチングすることができる。本工程では、例えば、基板２および半導体層４をエッチングストッパ層として用いることにより、フォトリソグラフィ技術を用いることなく絶縁層３をウェットエッチングすることができる。即ち、絶縁層３をエッチングする際には、半導体層（第２層）４のエッチング速度は、絶縁層（第１層）３のエッチング速度よりも遅い。 (4) Next, the insulating layer 3 of the base 1 is wet-etched from the portion exposed by the first opening 44 to form at least a gap 80 below the vibrating portion 10 as shown in FIG. The gap 80 is formed so that the vibrating part 10 can bend and vibrate in a state where the connecting part 30 is removed (removal of the connecting part 30 will be described later). The gap 80 is formed, for example, below the vibration unit 10, the connection unit 30, and the first opening 44. When the insulating layer 3 is made of silicon oxide, the insulating layer 3 can be wet etched using, for example, hydrofluoric acid. In this step, for example, by using the substrate 2 and the semiconductor layer 4 as an etching stopper layer, the insulating layer 3 can be wet etched without using a photolithography technique. That is, when etching the insulating layer 3, the etching rate of the semiconductor layer (second layer) 4 is slower than the etching rate of the insulating layer (first layer) 3.
（５）次に、接続部３０をドライエッチングにより除去する。まず、基体１上の全面にレジストを塗布した後、フォトリソグラフィ法により該レジストをパターニングすることにより、図８に示すように、接続部３０以外の領域を覆うレジスト層９０を形成する。接続部３０上には、レジストに開けられたレジスト開口部９２が形成される。レジスト層９０は、例えば空隙部８０および第１開口部４４を埋め込むことができる。次に、レジスト層９０をマスクとして、ドライエッチングにより接続部３０を除去する。その後、レジスト層９０をアッシングにより除去する。 (5) Next, the connecting portion 30 is removed by dry etching. First, after applying a resist on the entire surface of the substrate 1, the resist is patterned by a photolithography method, thereby forming a resist layer 90 that covers a region other than the connection portion 30 as shown in FIG. A resist opening 92 opened in the resist is formed on the connection portion 30. The resist layer 90 can bury the gap 80 and the first opening 44, for example. Next, the connecting portion 30 is removed by dry etching using the resist layer 90 as a mask. Thereafter, the resist layer 90 is removed by ashing.
本工程において、接続部３０を除去することにより、振動部１０の自由端１０ａに対する機械的拘束力が無くなり、振動部１０が十分に振動できるようになる。また、本工程により、図１および図２に示すように、開口部（第２開口部）８０が形成される。 In this step, by removing the connection part 30, the mechanical restraining force with respect to the free end 10a of the vibration part 10 is lost, and the vibration part 10 can sufficiently vibrate. Further, by this step, as shown in FIGS. 1 and 2, an opening (second opening) 80 is formed.
（６）以上の工程により、図１および図２に示すように、本実施形態の圧電振動子１００が形成される。 (6) Through the above steps, the piezoelectric vibrator 100 of the present embodiment is formed as shown in FIGS.
３． 本実施形態の圧電振動子１００の製造方法では、空隙部８０をウェットエッチングにより形成する工程において、振動部１０は接続部３０によって支持部４０に固定されている。例えば、振動部１０が固定されていない状態でウェットエッチングを行うと、振動部１０の自由端１０ａ側の下面が空隙部８０の底面（基板２の上面）または振動部１０の左右のパターンに貼り付いて剥がれなくなる問題（いわゆるスティッキング）が生じる場合がある。これに対し、本実施形態の圧電振動子１００の製造方法によれば、振動部１０が接続部３０によって支持部４０に固定されているため、上記の問題が生じることがない。その結果、圧電振動子１００の製造歩留まりの向上を図ることができる。 3. In the method of manufacturing the piezoelectric vibrator 100 according to the present embodiment, the vibration part 10 is fixed to the support part 40 by the connection part 30 in the step of forming the gap 80 by wet etching. For example, when wet etching is performed in a state where the vibration unit 10 is not fixed, the lower surface of the vibration unit 10 on the free end 10a side is attached to the bottom surface of the gap 80 (the upper surface of the substrate 2) or the left and right patterns of the vibration unit 10. There may be a problem (so-called sticking) that does not peel off. On the other hand, according to the method of manufacturing the piezoelectric vibrator 100 of the present embodiment, since the vibration part 10 is fixed to the support part 40 by the connection part 30, the above problem does not occur. As a result, the manufacturing yield of the piezoelectric vibrator 100 can be improved.
また、本実施形態の圧電振動子１００の製造方法によれば、接続部３０の長手方向（Ｘ方向）の長さを適宜変更することにより、振動部１０の長さを変更することができる。即ち、接続部３０をドライエッチングにより除去する工程において、レジスト開口部９２の長手方向の長さを変更することにより、振動部１０の長さを自由に変更することができる。振動部１０の長さを変更することにより、圧電振動子１００の屈曲振動の共振周波数を変更することができる。従って、本実施形態の圧電振動子１００の製造方法によれば、空隙部８０を形成するウェットエッチング工程までを共通のプロセスとして、その後のドライエッチング工程のレジストパターンを変えるだけで、任意の共振周波数に対応する圧電振動子１００を容易に提供することができる。 Further, according to the method for manufacturing the piezoelectric vibrator 100 of the present embodiment, the length of the vibration part 10 can be changed by appropriately changing the length of the connection part 30 in the longitudinal direction (X direction). That is, in the process of removing the connection portion 30 by dry etching, the length of the vibration portion 10 can be freely changed by changing the length of the resist opening 92 in the longitudinal direction. By changing the length of the vibration unit 10, the resonance frequency of the bending vibration of the piezoelectric vibrator 100 can be changed. Therefore, according to the method for manufacturing the piezoelectric vibrator 100 of the present embodiment, the process up to the wet etching process for forming the gap 80 is a common process, and the resist pattern in the subsequent dry etching process is changed, and an arbitrary resonance frequency is obtained. The piezoelectric vibrator 100 corresponding to can be easily provided.
４． 次に、本実施形態の圧電振動子およびその製造方法の変形例について、図面を参照しながら説明する。なお、上述した圧電振動子１００およびその製造方法（以下「圧電振動子１００の例」という）と異なる点について説明し、同様の点については説明を省略する。 4). Next, a modification of the piezoelectric vibrator and the manufacturing method thereof according to the present embodiment will be described with reference to the drawings. Differences from the above-described piezoelectric vibrator 100 and its manufacturing method (hereinafter referred to as “example of the piezoelectric vibrator 100”) will be described, and description of similar points will be omitted.
（１）まず、第１の変形例について説明する。図９は、本変形例の圧電振動子の一製造工程を概略的に示す平面図である。 (1) First, a first modification will be described. FIG. 9 is a plan view schematically showing one manufacturing process of the piezoelectric vibrator of the present modification.
本変形例では、接続部３０の支持部４０に接する端の幅が振動部１０の自由端１０ａの幅よりも狭くなるように形成されることができる。例えば図９に示すように、振動部１０および接続部３０は、共に矩形（より具体的には長方形）の平面形状となるように形成され、接続部３０の幅（短手方向の長さ）が、振動部１０の幅（短手方向の長さ）よりも狭くなるように形成されることができる。接続部３０は、振動部１０の自由端１０ａと支持部４０とをＸ方向に沿って連続させている。 In this modified example, the width of the end of the connection portion 30 that contacts the support portion 40 can be formed to be narrower than the width of the free end 10 a of the vibration portion 10. For example, as shown in FIG. 9, the vibration unit 10 and the connection unit 30 are both formed to have a rectangular (more specifically, rectangular) planar shape, and the width of the connection unit 30 (the length in the short direction). However, it can be formed to be narrower than the width (length in the short direction) of the vibration part 10. The connection part 30 continues the free end 10a of the vibration part 10 and the support part 40 along the X direction.
本変形例によれば、平面視における接続部３０の面積が、圧電振動子１００の例などに比べて小さくなり、ドライエッチングにより除去する領域を少なくすることができる。これにより、ドライエッチングによる圧電振動子へのダメージを抑制することができる。 According to this modification, the area of the connection portion 30 in plan view is smaller than that of the piezoelectric vibrator 100 or the like, and the area to be removed by dry etching can be reduced. Thereby, damage to the piezoelectric vibrator due to dry etching can be suppressed.
（２）次に、第２の変形例について説明する。図１０は、本変形例の圧電振動子３００を概略的に示す平面図である。なお、図１０では、便宜上、除去された接続部３３０の領域を斜線で示してある。 (2) Next, a second modification will be described. FIG. 10 is a plan view schematically showing a piezoelectric vibrator 300 of the present modification. In FIG. 10, for convenience, the removed region of the connecting portion 330 is indicated by hatching.
本変形例では、第１の変形例と同様、接続部３０の支持部４０に接する端の幅が振動部１０の自由端１０ａの幅よりも狭くなるように形成されることができる。例えば図１０に示すように、接続部３３０の平面形状は、支持部４０に接する端３３０ａと振動部１０に接する端３３０ｂとが平行であって、支持部４０に接する端３３０ａの幅（短手方向の長さ）が、振動部１０に接する端３３０ｂの幅よりも狭い台形であることができる。図示の例では、振動部３１０の平面形状も、自由端３１０ａと固定端３１０ｂとが平行であって、自由端３１０ａの幅（短手方向の長さ）が、固定端３１０ｂの幅よりも狭い台形である。また、振動部３１０の幅は、固定端３１０ｂから自由端３１０ａに向かって徐々に狭くなっている。また、接続部３３０の振動部１０に接する端３３０ｂの幅と振動部３１０の自由端３１０ａの幅は同じである。また、接続部３３０および振動部３１０は、一体的な台形の平面形状を構成している。 In the present modification, similarly to the first modification, the width of the end in contact with the support portion 40 of the connection portion 30 can be formed to be narrower than the width of the free end 10a of the vibration portion 10. For example, as shown in FIG. 10, the planar shape of the connection portion 330 is such that the end 330 a in contact with the support portion 40 and the end 330 b in contact with the vibration portion 10 are parallel, and the width (short side) of the end 330 a in contact with the support portion 40. The length in the direction) can be a trapezoid that is narrower than the width of the end 330b in contact with the vibrating portion 10. In the illustrated example, the planar shape of the vibration part 310 is such that the free end 310a and the fixed end 310b are parallel, and the width of the free end 310a (the length in the short direction) is narrower than the width of the fixed end 310b. It is a trapezoid. Moreover, the width of the vibration part 310 is gradually narrowed from the fixed end 310b toward the free end 310a. In addition, the width of the end 330 b of the connecting portion 330 that contacts the vibrating portion 10 is the same as the width of the free end 310 a of the vibrating portion 310. Moreover, the connection part 330 and the vibration part 310 comprise the integral trapezoid planar shape.
本変形例によれば、第１の変形例と同様、平面視における接続部３３０の面積が、圧電振動子１００の例などに比べて小さくなり、ドライエッチングにより除去する領域を少なくすることができる。これにより、ドライエッチングによる圧電振動子へのダメージを抑制することができる。 According to this modification, as in the first modification, the area of the connection portion 330 in plan view is smaller than that of the piezoelectric vibrator 100 and the like, and the area to be removed by dry etching can be reduced. . Thereby, damage to the piezoelectric vibrator due to dry etching can be suppressed.
また、図１１は、本変形例に係る圧電振動子３００の動作時における振動部３１０の歪みエネルギーのシミュレーション結果を示す図である。図１１に示すように、圧電振動子３００の動作時には、振動部３１０の歪みエネルギーは、固定端３１０ｂ付近のうちの中央部において高くなることが分かる（図１１に示すＡ部）。例えば図１２に示すように、振動部１０の幅が長手方向に均一である場合には、振動部１０の歪みエネルギーは、固定端付近のうちの両端部において高くなることが分かる（図１２に示すＢ部）。なお、図１２は、この場合の振動部１０の歪みエネルギーのシミュレーション結果を示す図である。 FIG. 11 is a diagram illustrating a simulation result of strain energy of the vibration unit 310 during the operation of the piezoelectric vibrator 300 according to the present modification. As shown in FIG. 11, it can be seen that during the operation of the piezoelectric vibrator 300, the strain energy of the vibration part 310 becomes higher in the central part in the vicinity of the fixed end 310b (A part shown in FIG. 11). For example, as shown in FIG. 12, when the width of the vibration part 10 is uniform in the longitudinal direction, it can be seen that the strain energy of the vibration part 10 becomes higher at both ends near the fixed end (see FIG. 12). B section). In addition, FIG. 12 is a figure which shows the simulation result of the distortion energy of the vibration part 10 in this case.
本変形例によれば、振動部３１０の歪みエネルギーが固定端付近の中央部に集中するため、両端部に集中する場合に比べ、振動部３１０が固定端付近から折れる問題を生じにくくすることができる。 According to this modification, since the strain energy of the vibration part 310 is concentrated in the central part near the fixed end, the problem that the vibration part 310 is broken from the vicinity of the fixed end is less likely to occur than in the case where the vibration part 310 is concentrated at both ends. it can.
（３）次に、第３の変形例について説明する。図１３は、本変形例の圧電振動子の一製造工程を概略的に示す平面図である。 (3) Next, a third modification will be described. FIG. 13 is a plan view schematically showing one manufacturing process of the piezoelectric vibrator of the present modification.
本変形例では、接続部３０を複数設けることができる。例えば図１３に示すように、接続部３０は２つ設けられる。また、本変形例では、例えば図１３に示すように、２つの接続部３０は、振動部１０のＸ方向に沿う両端１０ｃ，１０ｄの一部（例えば振動部１０の自由端１０ａ側）と支持部４０とをＹ方向に沿って連続させるように設けられる。 In this modification, a plurality of connection portions 30 can be provided. For example, as shown in FIG. 13, two connection portions 30 are provided. Further, in the present modification, for example, as shown in FIG. 13, the two connecting portions 30 support a part of both ends 10 c and 10 d (for example, the free end 10 a side of the vibrating portion 10) along the X direction of the vibrating portion 10. It is provided so that the part 40 may be continued along the Y direction.
（４）次に、第４の変形例について説明する。図１４は、本変形例の圧電振動子５００を概略的に示す平面図である。なお、図１４では、便宜上、除去された接続部５３０の領域を斜線で示してある。 (4) Next, a fourth modification will be described. FIG. 14 is a plan view schematically showing a piezoelectric vibrator 500 of this modification. In FIG. 14, the removed region of the connecting portion 530 is indicated by hatching for convenience.
本変形例では、振動部５１０が、基部５１２および基部５１２を基端とする２本のビーム部５１４，５１６から構成される音叉形状を有するように形成されている。基部５１２は、支持部４０とビーム部５１４，５１６とを接続している。基部５１２の平面形状は、例えば図１４に示すような矩形である。２本のビーム部５１４，５１６は、長手方向（Ｘ方向）に平行に所定間隔（基部５１２のＹ方向の長さ）をおいて配置されている。ビーム部５１４，５１６の平面形状は、例えば図１４に示すような矩形である。 In this modification, the vibration part 510 is formed to have a tuning fork shape composed of a base part 512 and two beam parts 514 and 516 having the base part 512 as a base end. The base 512 connects the support unit 40 and the beam units 514 and 516. The planar shape of the base 512 is, for example, a rectangle as shown in FIG. The two beam portions 514 and 516 are arranged at a predetermined interval (the length of the base portion 512 in the Y direction) parallel to the longitudinal direction (X direction). The planar shape of the beam portions 514 and 516 is, for example, a rectangle as shown in FIG.
駆動部５２０は、各ビーム部５１４，５１６に対して１対ずつ設けられる。第１ビーム部５１４上には、第１駆動部５２０ａと第２駆動部５２０ｂとが、第１ビーム部５１４の長手方向に沿って、互いに平行に形成されている。同様に、第２ビーム部５１６上には、第３駆動部５２０ｃと第４駆動部５２０ｄとが、第２ビーム部５１６の長手方向に沿って、互いに平行に形成されている。第１ビーム部５１４の外側に配置された第１駆動部５２０ａと、第２ビーム部５１６の外側に配置された第３駆動部５２０ｃとは、配線（図示せず）により電気的に接続されている。第１ビーム部５１４の内側に配置された第２駆動部５２０ｂと、第２ビーム部５１６の内側に配置された第４駆動部５２０ｄとは、配線（図示せず）により電気的に接続されている。 One pair of driving units 520 is provided for each beam unit 514, 516. On the first beam unit 514, a first driving unit 520a and a second driving unit 520b are formed in parallel to each other along the longitudinal direction of the first beam unit 514. Similarly, on the second beam unit 516, a third driving unit 520c and a fourth driving unit 520d are formed in parallel to each other along the longitudinal direction of the second beam unit 516. The first driving unit 520a disposed outside the first beam unit 514 and the third driving unit 520c disposed outside the second beam unit 516 are electrically connected by wiring (not shown). Yes. The second driving unit 520b arranged inside the first beam unit 514 and the fourth driving unit 520d arranged inside the second beam unit 516 are electrically connected by wiring (not shown). Yes.
本変形例によれば、駆動部５２０が空隙部８０の外縁から離れて設けられているため、空隙部８０を形成する工程において、ウェットエッチングによるサイドエッチングの影響を駆動部５２０が受けるのを防ぐことができる。 According to this modification, since the drive unit 520 is provided apart from the outer edge of the gap 80, the drive unit 520 is prevented from being affected by side etching due to wet etching in the step of forming the gap 80. be able to.
（５）なお、上述した変形例は一例であって、これらに限定されるわけではない。例えば、各変形例を適宜組み合わせることも可能である。 (5) Note that the above-described modifications are merely examples, and the present invention is not limited to these. For example, it is possible to appropriately combine the modified examples.
５． 上記のように、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の新規事項および効果から実体的に逸脱しない多くの変形が可能であることは当業者には容易に理解できよう。従って、このような変形例はすべて本発明の範囲に含まれるものとする。 5. Although the embodiments of the present invention have been described in detail as described above, those skilled in the art will readily understand that many modifications are possible without substantially departing from the novel matters and effects of the present invention. Accordingly, all such modifications are intended to be included in the scope of the present invention.
１ 基体、２ 基板、３ 第１層、４ 第２層、５ 下地層、１０ 振動部、２０ 駆動部、２２ 第１電極、２４ 圧電体層、２６ 第２電極、３０ 接続部、４０ 支持部、４２ 開口部、４４ 第１開口部、８０ 空隙部、９０ レジスト層、９２ レジスト開口部、１００ 圧電振動子、３００ 圧電振動子、３１０ 振動部、３３０ 接続部、５００ 圧電振動子、５１０ 振動部、５１２ 基部、５１４ 第１ビーム部、５１６ 第２ビーム部、５２０ 駆動部，５３０ 接続部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Base | substrate, 2 Substrate, 3 1st layer, 4 2nd layer, 5 Underlayer, 10 Vibration part, 20 Drive part, 22 1st electrode, 24 Piezoelectric layer, 26 2nd electrode, 30 Connection part, 40 Support part , 42 opening, 44 first opening, 80 gap, 90 resist layer, 92 resist opening, 100 piezoelectric vibrator, 300 piezoelectric vibrator, 310 vibration section, 330 connection section, 500 piezoelectric vibrator, 510 vibration section 512 Base, 514 First beam portion, 516 Second beam portion, 520 Drive portion, 530 Connection portion
Claims (8)
前記基体の上方に駆動部を形成する工程と、
前記第２層をパターニングして、支持部、該支持部の内側を基端とし他端を該支持部に接しないように設けられた振動部、該支持部と該振動部を連続させる接続部、および前記第１層を露出させる開口部を形成する工程と、
前記開口部により露出した部分から前記第１層の一部をウェットエッチングにより除去して、少なくとも前記振動部の下方に空隙部を形成する工程と、
前記空隙部を形成した後に、前記接続部をドライエッチングにより除去する工程と、を含み、
前記駆動部を形成する工程は、
前記基体の上方に第１電極を形成する工程と、
前記第１電極の上方に圧電体層を形成する工程と、
前記圧電体層の上方に第２電極を形成する工程と、を有する、圧電振動子の製造方法。 Providing a substrate having a substrate, a first layer formed above the substrate, and a second layer formed above the first layer;
Forming a drive unit above the substrate;
Patterning the second layer to provide a support part, a vibration part provided so that the inner side of the support part is the base end and the other end is not in contact with the support part, and a connection part for continuing the support part and the vibration part And forming an opening exposing the first layer;
Removing a portion of the first layer from the portion exposed by the opening by wet etching to form a void at least below the vibrating portion;
After forming the void portion, removing the connection portion by dry etching,
The step of forming the driving unit includes:
Forming a first electrode above the substrate;
Forming a piezoelectric layer above the first electrode;
Forming a second electrode above the piezoelectric layer. A method of manufacturing a piezoelectric vibrator.
前記第１層は、絶縁層であり、
前記第２層は、半導体層である、圧電振動子の製造方法。 In claim 1,
The first layer is an insulating layer;
The method for manufacturing a piezoelectric vibrator, wherein the second layer is a semiconductor layer.
前記振動部は、１本のビーム部から構成されるように形成され、
前記駆動部は、前記１本のビーム部に対して１つ設けられる、圧電振動子の製造方法。 In claim 1 or 2,
The vibrating part is formed to be composed of one beam part,
A method of manufacturing a piezoelectric vibrator, wherein one drive unit is provided for the one beam unit.
前記振動部および前記接続部のそれぞれは、矩形の平面形状となるように形成され、
前記振動部および前記接続部は、一体的な矩形の平面形状となるように形成される、圧電振動子の製造方法。 In any one of Claims 1 thru | or 3,
Each of the vibration part and the connection part is formed to have a rectangular planar shape,
The method for manufacturing a piezoelectric vibrator, wherein the vibration part and the connection part are formed to have an integral rectangular planar shape.
前記振動部および前記接続部のそれぞれは、矩形の平面形状となるように形成され、
前記接続部は、該接続部の前記支持部に接する端の幅が前記振動部の自由端の幅よりも狭くなるように形成される、圧電振動子の製造方法。 In any one of Claims 1 thru | or 3,
Each of the vibration part and the connection part is formed to have a rectangular planar shape,
The method of manufacturing a piezoelectric vibrator, wherein the connection portion is formed such that a width of an end of the connection portion contacting the support portion is narrower than a width of a free end of the vibration portion.
前記振動部は、基部および該基部を基端とする２本のビーム部から構成される音叉形状を有するように形成され、
前記駆動部は、各前記ビーム部に対して１対ずつ設けられる、圧電振動子の製造方法。 In any one of Claims 1 thru | or 3,
The vibrating portion is formed to have a tuning fork shape including a base portion and two beam portions having the base portion as a base end,
A method of manufacturing a piezoelectric vibrator, wherein the drive unit is provided in a pair for each beam unit.
前記基体の一部からなる支持部と、
前記基体の一部からなり、一端を前記支持部の内側に固定し他端を自由にした振動部と、
前記振動部の屈曲振動を生成する駆動部と、を含み、
前記振動部は、１本のビーム部から構成され、
前記振動部の自由端の幅は、該振動部の固定端の幅よりも狭く、
前記駆動部は、
前記基体の上方に形成された第１電極と、
前記第１電極の上方に形成された圧電体層と、
前記圧電体層の上方に形成された第２電極と、を有する、圧電振動子。 A substrate;
A support part consisting of a part of the substrate;
A vibration part comprising a part of the base, one end fixed inside the support part and the other end being free,
A drive unit that generates bending vibration of the vibration unit,
The vibrating part is composed of one beam part,
The width of the free end of the vibration part is narrower than the width of the fixed end of the vibration part,
The drive unit is
A first electrode formed above the substrate;
A piezoelectric layer formed above the first electrode;
And a second electrode formed above the piezoelectric layer.
前記振動部の平面形状は、前記自由端と前記固定端とが平行な台形である、圧電振動子。 In claim 7,
A planar shape of the vibration part is a piezoelectric vibrator in which the free end and the fixed end are a trapezoid.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006326748A JP2008141567A (en) | 2006-12-04 | 2006-12-04 | Piezoelectric vibrator and manufacturing method thereof |
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| JP2008141567A true JP2008141567A (en) | 2008-06-19 |
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| JP (1) | JP2008141567A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113016196A (en) * | 2018-12-10 | 2021-06-22 | 株式会社村田制作所 | Piezoelectric transducer |
-
2006
- 2006-12-04 JP JP2006326748A patent/JP2008141567A/en not_active Withdrawn
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