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JP2008039953A - Liquid crystal display device - Google Patents

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Publication number
JP2008039953A
JP2008039953A JP2006211692A JP2006211692A JP2008039953A JP 2008039953 A JP2008039953 A JP 2008039953A JP 2006211692 A JP2006211692 A JP 2006211692A JP 2006211692 A JP2006211692 A JP 2006211692A JP 2008039953 A JP2008039953 A JP 2008039953A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid crystal
crystal display
substrate
display device
light detection
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2006211692A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hiroshi Sano
寛 佐野
Takashi Kunimori
隆志 國森
Masanori Yasumori
正憲 安森
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Epson Imaging Devices Corp
Original Assignee
Epson Imaging Devices Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Epson Imaging Devices Corp filed Critical Epson Imaging Devices Corp
Priority to JP2006211692A priority Critical patent/JP2008039953A/en
Publication of JP2008039953A publication Critical patent/JP2008039953A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a liquid crystal display device whose sensitivity of the sensor is improved by making an output derived from the optical sensor unaffected by peripheral circuits, in installing the optical sensor on a panel substrate. <P>SOLUTION: The liquid crystal display device is equipped with a liquid crystal display panel comprising a liquid crystal layer formed between a TFT substrate 2 and a CF substrate 10 having a common electrode 12, a color filter, and a black matrix 11 and a light detecting part LS having the TFT optical sensor. The light detecting part LS, a power supply line L to supply power to the light detecting part LS, and an output line L<SB>o</SB>to derive the output from the light detecting part LS are installed on the TFT substrate 2. A removal section S from which the common electrode 12 and the black matrix 11 are removed is formed on a section of the CF substrate 10 directly above the output line L<SB>o</SB>arranged on the active matrix substrate 2. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は液晶表示装置に係り、さらに詳しくは、外光を検知するための光センサを液晶
表示パネルに組み込んだ液晶表示装置に関するものである。
The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly to a liquid crystal display device in which an optical sensor for detecting external light is incorporated in a liquid crystal display panel.

近年、情報通信機器のみならず一般の電子機器においてもフラット型表示パネルが使用
され、この中でも特に液晶表示パネルが最も多く使用されている。この液晶表示パネルは
、液晶が非発光体であるため暗所において表示画像が見え難くなることから、バックライ
トないしはサイドライト(以下、両者を纏めて「バックライト等」という)を設け、この
バックライト等を外光が暗いときに点灯させて表示画像を照射するようにしている。とこ
ろが、手動による操作は、外光の明暗に応じてその都度バックライト等のオン/オフ操作
をしなければならないので、その操作が面倒になり、また、明るい時にもバックライト等
を点灯してしまうことがあるので、このような場合は、無駄な電力を消費することになる
ために携帯電話機等の電池の消耗を速くしてしまうことがある。
In recent years, flat display panels have been used not only in information communication equipment but also in general electronic equipment, and among them, liquid crystal display panels are most frequently used. This liquid crystal display panel is provided with a backlight or a sidelight (hereinafter collectively referred to as “backlight etc.”) because the display image is difficult to see in the dark because the liquid crystal is a non-luminous material. A light or the like is turned on when the outside light is dark to irradiate a display image. However, manual operation requires the backlight to be turned on / off each time the light is dark or dark, which is cumbersome, and the backlight is turned on even when it is bright. Therefore, in such a case, wasteful power is consumed, so that the battery such as a mobile phone may be consumed quickly.

そこで、このような不都合をなくするために、液晶表示パネルに光センサを組み込み、
この光センサによって外光の明暗を検出し、その検出結果に基づいてバックライト等のオ
ン/オフを制御する技術が開発されている(例えば、下記特許文献1〜3参照)。
Therefore, in order to eliminate such inconvenience, an optical sensor is incorporated in the liquid crystal display panel,
A technology has been developed in which the light sensor detects the contrast of external light and controls on / off of a backlight or the like based on the detection result (see, for example, Patent Documents 1 to 3 below).

例えば、下記特許文献1に記載された液晶表示装置は、光センサとして薄膜トランジス
タ(TFT:Thin Film Transistor)を用い、このTFT光センサを液晶表示パネルのス
イッチング素子として使用されるTFTと同時に作成したものであり、また、下記特許文
献2に記載された液晶表示装置は、外光照度検出センサ及びバックライト照度検出センサ
を有し、外光照度検出センサを一対のガラス基板を重ねてできた張出し部に設け、バック
ライト照度検出センサをシール枠の外側に設けたものである。さらに、下記特許文献3に
記載された液晶表示装置は、光センサを液晶の周辺駆動回路部及び外部端子から離れた箇
所に配設して、これらの駆動回路等から発生する高周波ノイズや発熱等によってセンサが
影響を受けないようにしたものである。
特開2002−131719号公報(特許請求の範囲、段落[0010]〜[0013]、図1) 特開2000−122575号公報(段落〔0013〕〜〔0016〕、図4) 特開平11−84426号公報(段落〔0019〕〜〔0022〕、図1、図2) 特開平1−143257号公報(特許請求の範囲、図3) 特開平5−95100号公報(段落〔0010〕、図1)
For example, a liquid crystal display device described in Patent Document 1 below uses a thin film transistor (TFT) as an optical sensor, and the TFT optical sensor is manufactured at the same time as a TFT used as a switching element of a liquid crystal display panel. In addition, the liquid crystal display device described in the following Patent Document 2 includes an external light illuminance detection sensor and a backlight illuminance detection sensor, and the external light illuminance detection sensor is provided in a protruding portion formed by stacking a pair of glass substrates. The backlight illuminance detection sensor is provided outside the seal frame. Further, in the liquid crystal display device described in Patent Document 3 below, an optical sensor is disposed at a location away from the peripheral drive circuit portion and external terminals of the liquid crystal, and high frequency noise and heat generated from these drive circuits and the like are provided. This prevents the sensor from being affected.
JP 2002-131719 A (claims, paragraphs [0010] to [0013], FIG. 1) JP 2000-122575 A (paragraphs [0013] to [0016], FIG. 4) JP 11-84426 A (paragraphs [0019] to [0022], FIGS. 1 and 2) JP-A-1-143257 (Claims, FIG. 3) Japanese Patent Laid-Open No. 5-95100 (paragraph [0010], FIG. 1)

TFT光センサは、光が照射されないときはゲートオフ領域において僅かな漏れ電流(
暗電流)が流れ、光が照射されるとその光の強さ(明るさ)に応じた大きさの漏れ電流(
リーク電流ともいう)が流れる特性を有している。そして、このTFT光センサは、この
リーク電流を利用して外光の明るさを検出するものであることから、このリーク電流は極
めて微弱なため光センサからの出力は外部ノイズ等の影響を受け易いものになっている。
The TFT photosensor has a small leakage current (in the gate-off region when light is not irradiated).
Dark current) flows, and when light is radiated, the leakage current (with a magnitude corresponding to the light intensity (brightness)) (
(Also referred to as a leakage current). Since this TFT photosensor detects the brightness of external light using this leak current, the leak current is extremely weak, so the output from the photosensor is affected by external noise and the like. It is easy.

このため、上述のような光センサを液晶表示パネルに組み込むと、一方の基板(アクテ
ィブマトリクス基板)には液晶を駆動する周辺駆動回路及び外部端子等が配設されている
ので、これらの回路等からの発熱及び高周波信号等により光センサが影響を受けることが
ある。この点、上記特許文献3の液晶表示装置は、光センサを高周波信号や発熱を発生す
る周辺回路及び端子部から離した箇所に配設して、このようなノイズの影響を受けないよ
うにしている。しかしながら、光センサからは少なくともTFT光センサのドレイン電極
に接続された電源線及び出力線が引出され、これらの引出し配線が表示部の周辺に引回さ
れるので、この引出し配線のうち、特に出力線が外部ノイズに晒されると光検出感度に影
響を与えることになる。例えば、液晶表示パネルの対向基板のコモン電極に矩形波からな
るVCOM電圧が印加されていると、このコモン電極と出力線との間に寄生容量が発生し
、この寄生容量によって出力信号が影響を受ける恐れがある。なお、この種の光センサは
、外部ノイズの影響を受け易いことから、パネル基板に静電遮蔽膜を設けて外部ノイズを
遮蔽する技術が知られている(例えば、上記特許文献4、5参照)。しかし、これらの文
献に記載されているセンサは、基板とゲート配線との間に静電遮蔽用の導電膜及び絶縁膜
を設けるもので、このような導電膜を設けるとなると、特別な製造工程が必要となり、全
体のコストを高騰させることになる。
For this reason, when the optical sensor as described above is incorporated in a liquid crystal display panel, a peripheral drive circuit for driving liquid crystal and external terminals are disposed on one substrate (active matrix substrate). The optical sensor may be affected by heat generated from the light and high-frequency signals. In this regard, in the liquid crystal display device of Patent Document 3, the optical sensor is disposed in a location away from the peripheral circuit and the terminal portion that generate high-frequency signals and heat generation so as not to be affected by such noise. Yes. However, since at least a power supply line and an output line connected to the drain electrode of the TFT photosensor are drawn out from the photosensor, and these leadout wirings are routed around the display portion. If the line is exposed to external noise, it will affect the light detection sensitivity. For example, when a rectangular VCOM voltage is applied to the common electrode of the counter substrate of the liquid crystal display panel, a parasitic capacitance is generated between the common electrode and the output line, and the output signal is affected by the parasitic capacitance. There is a risk of receiving. In addition, since this type of optical sensor is easily affected by external noise, a technique for shielding an external noise by providing an electrostatic shielding film on a panel substrate is known (see, for example, Patent Documents 4 and 5 above). ). However, the sensors described in these documents are provided with a conductive film and an insulating film for electrostatic shielding between the substrate and the gate wiring. When such a conductive film is provided, a special manufacturing process is provided. Will increase the overall cost.

そこで、本発明は、このような不都合を解消するためになされたものであって、本発明
の目的は、光センサをパネル基板に組み込む際に、光センサから導出される出力が周辺回
路の影響を受けないようにしてセンサ感度をよくした液晶表示装置を提供することにある
Accordingly, the present invention has been made to eliminate such inconveniences, and the object of the present invention is to influence the output derived from the optical sensor from the influence of peripheral circuits when the optical sensor is incorporated into a panel substrate. It is an object of the present invention to provide a liquid crystal display device with improved sensor sensitivity so as not to be affected.

本発明の他の目的は、液晶表示パネルの製造工程を増やすことなく簡単に上記目的を達
すことができるようにした液晶表示装置を提供することにある。
Another object of the present invention is to provide a liquid crystal display device which can easily achieve the above object without increasing the manufacturing process of the liquid crystal display panel.

本発明の上記目的は以下の構成により達成し得る。すなわち、請求項1に記載の液晶表
示装置の発明は、各種配線が形成されたアクティブマトリクス基板と共通電極及びカラー
フィルタ並びにブラックマトリクスを有するカラーフィルタ基板との間に液晶層が形成さ
れた液晶表示パネルと、光センサを有する光検知部と、前記光検知部の出力により制御さ
れる照光手段とを備え、前記アクティブマトリクス基板上に、前記光検知部、該光検知部
へ電源を供給する電源線及び該光検知部からの出力を導出する出力線が設けられた液晶表
示装置において、
前記カラーフィルタ基板は、前記アクティブマトリクス基板に配設された前記出力線の
真上部分に前記共通電極及び前記ブラックマトリクスが除去された除去領域が形成されて
いることを特徴とする。
The above object of the present invention can be achieved by the following configurations. That is, the invention of the liquid crystal display device according to claim 1 is a liquid crystal display in which a liquid crystal layer is formed between an active matrix substrate on which various wirings are formed and a color filter substrate having a common electrode, a color filter, and a black matrix. A power source for supplying power to the light detection unit and the light detection unit on the active matrix substrate, comprising: a panel; a light detection unit having a light sensor; and an illumination unit controlled by an output of the light detection unit. In a liquid crystal display device provided with an output line for deriving an output from the line and the light detection unit,
The color filter substrate is characterized in that a removal region from which the common electrode and the black matrix are removed is formed immediately above the output line disposed on the active matrix substrate.

請求項2に記載の液晶表示装置の発明は、各種配線が形成されたアクティブマトリクス
基板と共通電極及びカラーフィルタ並びにブラックマトリクスを有するカラーフィルタ基
板との間に液晶層が形成された液晶表示パネルと、光センサを有する光検知部と、前記光
検知部の出力により制御される照光手段とを備え、前記アクティブマトリクス基板上に、
前記光検知部、該光検知部へ電源を供給する電源線及び該光検知部からの出力を導出する
出力線が設けられた液晶表示装置において、
前記カラーフィルタ基板は、前記ブラックマトリクスが非導電性の樹脂材料で形成され
、前記アクティブマトリクス基板に配設された前記出力線の真上部分に前記共通電極が除
去された除去領域が形成されていることを特徴とする。
The invention of a liquid crystal display device according to claim 2 is a liquid crystal display panel in which a liquid crystal layer is formed between an active matrix substrate on which various wirings are formed and a color filter substrate having a common electrode, a color filter, and a black matrix. A light detection unit having a light sensor, and illumination means controlled by the output of the light detection unit, on the active matrix substrate,
In the liquid crystal display device provided with the light detection unit, a power supply line for supplying power to the light detection unit, and an output line for deriving an output from the light detection unit,
In the color filter substrate, the black matrix is formed of a non-conductive resin material, and a removal region in which the common electrode is removed is formed immediately above the output line disposed on the active matrix substrate. It is characterized by being.

また、請求項3に記載の発明は、請求項1又は2に記載の液晶表示装置において、前記
除去領域は、前記出力線の真上に位置する1個又は複数個の窓開口で形成されていること
を特徴とする。
According to a third aspect of the present invention, in the liquid crystal display device according to the first or second aspect, the removal region is formed by one or a plurality of window openings positioned immediately above the output line. It is characterized by being.

また、請求項4に記載の発明は、請求項1又は2に記載の液晶表示装置において、前記
光センサは薄膜トランジスタからなり、前記液晶表示パネルの製造工程においてスイッチ
ング素子としての薄膜トランジスタと同時に形成されていることを特徴とする。
According to a fourth aspect of the present invention, in the liquid crystal display device according to the first or second aspect, the optical sensor comprises a thin film transistor, and is formed simultaneously with the thin film transistor as a switching element in the manufacturing process of the liquid crystal display panel. It is characterized by being.

また、請求項5に記載の発明は、請求項4に記載の液晶表示装置において、前記出力線
は、前記光センサとしての薄膜トランジスタのソース電極又はドレイン電極と同じ材料で
形成されていることを特徴とする。
According to a fifth aspect of the present invention, in the liquid crystal display device according to the fourth aspect, the output line is formed of the same material as a source electrode or a drain electrode of a thin film transistor as the photosensor. And

また、請求項6に記載の発明は、請求項1又は2に記載の液晶表示装置において、前記
電源線には一定の直流電圧が印加され、前記共通電極には所定の矩形波電圧が印加されて
いることを特徴とする。
According to a sixth aspect of the present invention, in the liquid crystal display device according to the first or second aspect, a constant DC voltage is applied to the power line, and a predetermined rectangular wave voltage is applied to the common electrode. It is characterized by.

本発明は上記構成を備えることにより、以下に示すような優れた効果を奏する。すなわ
ち、請求項1の発明によれば、カラーフィルタ基板は、アクティブマトリクス基板に配設
された出力線の真上部分の共通電極及びブラックマトリクスが除去されているので、従来
技術のように出力線の真上に共通電極等が存在するものと比べて、液晶表示パネルの駆動
時に出力線と共通電極との間に形成される寄生容量が低減される。その結果、出力線に流
れる光検知部からの出力信号への悪影響、例えば出力波形の乱れが少なくなり、高感度の
光検出が可能になる。
By providing the above configuration, the present invention has the following excellent effects. That is, according to the first aspect of the present invention, since the common electrode and the black matrix are removed from the color filter substrate immediately above the output line disposed on the active matrix substrate, the output line as in the prior art is removed. The parasitic capacitance formed between the output line and the common electrode when the liquid crystal display panel is driven is reduced as compared with the case where the common electrode or the like is present immediately above. As a result, the adverse effect on the output signal from the light detection unit flowing in the output line, for example, the disturbance of the output waveform is reduced, and highly sensitive light detection is possible.

また、請求項2の発明によれば、カラーフィルタ基板は、ブラックマトリクスが非導電
性材料で形成されているとともにアクティブマトリクス基板に配設された前記出力線の真
上部分の共通電極が除去されているので、従来技術のように出力線の真上に共通電極等が
存在するものと比べて、液晶表示パネルの駆動時に出力線と共通電極との間に形成される
寄生容量が低減される。その結果、出力線に流れる光検知部からの出力信号への悪影響、
例えば出力波形の乱れが少なくなり、高感度の光検出が可能になる。また、ブラックマト
リクスを非導電性材料で形成することにより、ブラックマトリクスの形成が容易になると
ともに、アクティブマトリクス基板上の配線がブラックマトリクスで隠されて見えなくな
り表示品質が向上する。
According to the invention of claim 2, in the color filter substrate, the black matrix is formed of a non-conductive material and the common electrode directly above the output line disposed on the active matrix substrate is removed. Therefore, the parasitic capacitance formed between the output line and the common electrode during driving of the liquid crystal display panel is reduced as compared with the conventional technique in which a common electrode or the like exists directly above the output line. . As a result, adverse effects on the output signal from the light detection unit flowing in the output line,
For example, the output waveform is less disturbed, and highly sensitive light detection is possible. Further, by forming the black matrix from a non-conductive material, the black matrix can be easily formed, and the wiring on the active matrix substrate is hidden by the black matrix so that it cannot be seen, and the display quality is improved.

また、請求項3の発明によれば、除去領域を1個の窓開口で形成すれば、除去領域が広
くなり共通電極と出力線との間の寄生容量がより低減される、また、窓開口を1個にする
ことにより開口の形成が容易になる。また、除去領域を複数個の窓開口で形成すれば、各
窓開口間に共通電極を除去しないブリッジ(橋渡し)領域が形成されるので、共通電極の
電気的接続が良好になる。
According to the invention of claim 3, if the removal region is formed by one window opening, the removal region is widened and the parasitic capacitance between the common electrode and the output line is further reduced. By making one, the opening can be easily formed. Further, if the removal region is formed by a plurality of window openings, a bridge region in which the common electrode is not removed is formed between the window openings, so that the electrical connection of the common electrode is improved.

また、請求項4の発明によれば、薄膜トランジスタからなる光センサを液晶表示パネル
のスイッチング素子として用いる薄膜トランジスタ(TFT)の作成と同時に形成できる
ので、光センサを形成するために特に製造工数を増やす必要がなくなる。
In addition, according to the invention of claim 4, since it is possible to simultaneously form a thin film transistor (TFT) that uses a thin film transistor as a switching element of a liquid crystal display panel, it is necessary to particularly increase the number of manufacturing steps in order to form the optical sensor. Disappears.

また、請求項5の発明によれば、出力線及び電源線を薄膜トランジスタからなる光セン
サと同時に形成できるので、出力線及び電源線を形成するために特に製造工数を増加させ
る必要がなくなる。
According to the invention of claim 5, since the output line and the power supply line can be formed simultaneously with the photosensor comprising the thin film transistor, it is not necessary to particularly increase the number of manufacturing steps for forming the output line and the power supply line.

また、請求項6の発明によれば、電源線を一定直流電圧源に接続することにより、VC
OM電圧の影響を受けない安定した出力電圧を得ることができる。
According to the invention of claim 6, VC is obtained by connecting the power line to a constant DC voltage source.
A stable output voltage that is not affected by the OM voltage can be obtained.

以下、本発明を実施するための最良の形態を図面を用いて詳細に説明するが、以下に述
べる実施例は、本発明の技術思想を具体化するための液晶表示装置を例示するものであっ
て、本発明をこの実施例に特定することを意図するものではなく、本発明は特許請求の範
囲に示した技術思想を逸脱することなく種々の変更を行ったものにも均しく適用し得るも
のである。
Hereinafter, the best mode for carrying out the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The embodiments described below are examples of liquid crystal display devices for embodying the technical idea of the present invention. Therefore, the present invention is not intended to be specified in this embodiment, and the present invention can be equally applied to various modifications without departing from the technical idea shown in the claims. Is.

図1は本発明の実施例1に係る液晶表示パネルのカラーフィルタ基板を透視して表した
TFT基板を模式的に示した平面図、図2は図1のカラーフィルタ基板を模式的に示した
裏面図である。
液晶表示パネル1は、図1に示すように、互いに対向配置される矩形状の透明材料、例
えばガラス板からなる一対のアクティブマトリクス基板(以下、TFT基板という)2及
びカラーフィルタ基板(以下、CF基板という)10を有し、TFT基板2は、CF基板
10と対向配置させたときに所定スペースの張出し部2Aが形成されるようにCF基板1
0よりサイズが大きいものが使用され、これらTFT基板2及びCF基板10の外周囲に
シール材(図示省略)が貼付されて、内部に液晶及びスペーサが封入された構成となって
いる。
1 is a plan view schematically showing a TFT substrate as seen through a color filter substrate of a liquid crystal display panel according to Embodiment 1 of the present invention, and FIG. 2 schematically shows the color filter substrate of FIG. It is a back view.
As shown in FIG. 1, a liquid crystal display panel 1 includes a pair of active matrix substrates (hereinafter referred to as TFT substrates) 2 and a color filter substrate (hereinafter referred to as CF substrates) made of rectangular transparent materials arranged opposite to each other, such as glass plates. (Referred to as a substrate) 10 and the TFT substrate 2 is formed so that a protruding portion 2A having a predetermined space is formed when the TFT substrate 2 is disposed opposite to the CF substrate 10.
A material having a size larger than 0 is used, and a sealing material (not shown) is attached to the outer periphery of the TFT substrate 2 and the CF substrate 10, and liquid crystal and spacers are enclosed inside.

TFT基板2及びCF基板10の対向面側には種々の配線等が形成されている。このう
ち、CF基板10には、TFT基板2の表示領域DA内の画素領域に合わせてマトリクス
状に設けられた金属クロム等からなるブラックマトリクス11(図5参照)と、このブラ
ックマトリクス11で囲まれた領域に設けた例えば赤(R)、緑(G)、青(B)からな
るカラーフィルタ(図示省略)と、TFT基板2側の電極に電気的に接続されCF基板1
0の対向面を覆うように設けられた共通(コモン)電極12(図5参照)とが設けられて
いる。共通電極12は、例えば酸化インジウム、酸化スズ等の透明材料で形成されている
。これらカラーフィルタ、ブラックマトリクス11及び共通電極12の具体的な構成は図
示しないが、これらはTFT基板2に形成された光検知部LS及び光検知部LSから導出
される各種引出し配線L、Lと対向する箇所まで延設されている。また、TFT基板2
の背面には照光手段としてのバックライト(図示省略)が設けられている。このバックラ
イトは光検知部LSの出力によって制御される。
Various wirings and the like are formed on the opposing surfaces of the TFT substrate 2 and the CF substrate 10. Among them, the CF substrate 10 is surrounded by a black matrix 11 (see FIG. 5) made of metal chromium or the like provided in a matrix in accordance with the pixel area in the display area DA of the TFT substrate 2, and the black matrix 11. For example, a color filter (not shown) made of, for example, red (R), green (G), and blue (B) provided in the region, and an electrode on the TFT substrate 2 side are electrically connected to the CF substrate 1
A common electrode 12 (see FIG. 5) is provided so as to cover the 0 facing surface. The common electrode 12 is made of a transparent material such as indium oxide or tin oxide. Although the specific configurations of the color filter, the black matrix 11 and the common electrode 12 are not shown in the drawing, these are the light detection unit LS formed on the TFT substrate 2 and various lead lines L and L 0 derived from the light detection unit LS. It is extended to the place facing. TFT substrate 2
A backlight (not shown) as an illuminating means is provided on the back surface of the lens. This backlight is controlled by the output of the light detection unit LS.

TFT基板2は、それぞれ対向する短辺2a、2b及び長辺2c、2dを有し、一方の
短辺2b側が張出し部2Aとなっており、この張出し部2Aにソースドライバ及びゲート
ドライバ用の半導体チップDrが搭載され、他方の短辺2a側に光検知部LSが配設され
ている。
The TFT substrate 2 has short sides 2a and 2b and long sides 2c and 2d which are opposed to each other, and one short side 2b side is an overhang portion 2A. A semiconductor for a source driver and a gate driver is provided in the overhang portion 2A. The chip Dr is mounted, and the light detection unit LS is disposed on the other short side 2a side.

このTFT基板2は、その対向面、すなわち液晶と接触する面に、図1の行方向(横方
向)に所定間隔をあけて配列された複数本のゲート線GW〜GW(n=2、3、4、
…)と、これらのゲート線と絶縁されて列方向(縦方向)に配列された複数本のソース線
SW〜SW(m=2、3、4、…)とを有し、これらのソース線SW〜SWとゲ
ート線GW〜GWとがマトリクス状に配線され、互いに交差するゲート線GW〜G
とソース線SW〜SWとで囲まれる各領域に、ゲート線GW〜GWからの走
査信号によってオン状態となるスイッチング素子(図示省略)及びソース線SW〜SW
からの映像信号がスイッチング素子を介して供給される画素電極6(図4参照)が形成
されている。
The TFT substrate 2 has a plurality of gate lines GW 1 to GW n (n = 2) arranged at predetermined intervals in the row direction (lateral direction) in FIG. 3, 4,
And a plurality of source lines SW 1 to SW m (m = 2, 3, 4,...) Insulated from these gate lines and arranged in the column direction (vertical direction). The source lines SW 1 to SW m and the gate lines GW 1 to GW n are wired in a matrix, and the gate lines GW 1 to G that intersect with each other.
In each region surrounded by W n and source lines SW 1 to SW m , switching elements (not shown) that are turned on by scanning signals from the gate lines GW 1 to GW n and source lines SW 1 to SW m
A pixel electrode 6 (see FIG. 4) to which a video signal from m is supplied via a switching element is formed.

これらのゲート線GW〜GWとソース線SW〜SWとで囲まれる各領域は、い
わゆる画素を構成し、これらの画素が形成されたエリアが表示領域DA、すなわち画像表
示部となっている。スイッチング素子には例えば薄膜トランジスタ(TFT)が使用され
る。
Each region surrounded by the gate lines GW 1 to GW n and the source lines SW 1 to SW m constitutes a so-called pixel, and an area in which these pixels are formed becomes a display region DA, that is, an image display unit. ing. For example, a thin film transistor (TFT) is used as the switching element.

各ゲート線GW〜GW及び各ソース線SW〜SWは、表示領域DAの外へ延出
されて表示領域外の外周辺の領域に引回されてソースドライバ及びゲートドライバ用半導
体チップDrに接続されている。また、TFT基板2は、一方の長辺2d側に光検知部L
Sの光センサから導出された引出し配線L、Lが配線されて外部制御回路が接続される
端子T、Tに接続されている。
Each of the gate lines GW 1 to GW n and each of the source lines SW 1 to SW m is extended outside the display area DA and is routed to an outer peripheral area outside the display area to be a source driver and a gate driver semiconductor chip. Connected to Dr. Further, the TFT substrate 2 has a light detection portion L on one long side 2d side.
The lead-out lines L 0 and L derived from the S optical sensor are connected to terminals T 1 and T 2 to which an external control circuit is connected.

次に、図1〜図5を参照して光検知部及び引出し配線の構造を説明する。なお、図3は
光検知部を示し、図3(a)は等価回路図、図3(b)は共通電極に印加されるVCOM
電圧とセンサ出力との関係を説明する波形図、図4は光検知部の断面図、図5は図1のA
−A断面図である。
Next, the structure of the light detection unit and the lead-out wiring will be described with reference to FIGS. 3 shows the light detection unit, FIG. 3A is an equivalent circuit diagram, and FIG. 3B is a VCOM applied to the common electrode.
FIG. 4 is a cross-sectional view of the light detection unit, and FIG. 5 is a cross-sectional view of FIG.
It is -A sectional drawing.

光検知部LSは、図3に示すように、TFT光センサのドレイン電極Dとソース電極
との間にコンデンサCが並列接続された構成を有している。この光検知部LSは、ソ
ース電極SとコンデンサCの一方の端子がスイッチ素子SWを介して基準電圧源V
接続され、ドレイン電極DとコンデンサCの他方の端子が直流基準電圧源Vrefに接
続されている。この光検知部LSは、図4に示すように、TFT基板2上にTFT光セン
サのゲート電極G、コンデンサCの一方の端子Cが形成され、これらの表面を覆うよ
うにして窒化シリコンや酸化シリコンなどからなるゲート絶縁膜3が積層されている。T
FT光センサのゲート電極Gの上にはゲート絶縁膜3を介して非晶質シリコンや多結晶
シリコンなどからなる半導体層4が形成され、次いでゲート絶縁膜3上にアルミニウムや
モリブデン等の金属からなるTFT光センサのソース電極S及びドレイン電極Dが、
その一端部が半導体層4と接触するように設けられている。このうち、TFT光センサの
ソース電極Sは延長されてコンデンサCの他方の端子Cを形成している。更に、TF
T光センサ及びコンデンサCの表面を覆うようにして例えば無機絶縁材料からなる保護絶
縁膜5が積層されており、さらに、その上に透明材料からなる画素電極6が形成されてい
る。この光検知部LSは、液晶表示パネルの製造工程において液晶駆動用のスイッチング
素子としてのTFTと同時に形成される。これにより、光検知部LSを設けるために特に
製造工数を増加させる必要がなくなる。また、TFT光センサは、1個でなく複数個用い
、これらを短辺2aに沿って一列に設けてもよい。このように複数個のTFT光センサを
一列に配設することにより、使用者が不注意に指等で一部のTFT光センサを遮るような
ことがあっても、全てのTFT光センサが同時に遮られることは少ないことから、遮光さ
れていないTFT光センサで光検出が可能になる。
Light detecting section LS as shown in FIG. 3, has a configuration in which the capacitor C is connected in parallel between the drain electrode D L and the source electrode S L of the TFT ambient light photosensor. In the light detection unit LS, the source electrode S L and one terminal of the capacitor C are connected to the reference voltage source V S via the switch element SW, and the drain electrode DL and the other terminal of the capacitor C are connected to the DC reference voltage source. Connected to Vref. As shown in FIG. 4, the light detection unit LS includes a gate electrode G L of the TFT optical sensor and one terminal C 1 of the capacitor C formed on the TFT substrate 2 and is covered with silicon nitride so as to cover the surface thereof. A gate insulating film 3 made of silicon oxide or the like is laminated. T
On the gate electrode G L of the FT photosensor is a semiconductor layer 4 is formed made of amorphous silicon or polycrystalline silicon through a gate insulating film 3, and then aluminum and metal such as molybdenum on the gate insulating film 3 A source electrode S L and a drain electrode D L of a TFT photosensor consisting of
One end thereof is provided in contact with the semiconductor layer 4. Of these, the source electrode S L of the TFT ambient light photosensor is extended to form the other terminal C 2 of the capacitor C. Furthermore, TF
A protective insulating film 5 made of, for example, an inorganic insulating material is laminated so as to cover the surfaces of the T photosensor and the capacitor C, and a pixel electrode 6 made of a transparent material is further formed thereon. The light detection unit LS is formed simultaneously with the TFT as a switching element for driving the liquid crystal in the manufacturing process of the liquid crystal display panel. This eliminates the need to increase the number of manufacturing steps in particular in order to provide the light detection unit LS. Further, a plurality of TFT photosensors may be used instead of one, and these may be provided in a row along the short side 2a. By arranging a plurality of TFT photosensors in a row in this way, even if the user inadvertently blocks some TFT photosensors with a finger or the like, all the TFT photosensors are simultaneously Since it is rarely blocked, light detection is possible with a TFT light sensor that is not shielded.

この光検知部LSからは、引出し配線としてドレイン電極Dに接続された電源線L及
びソース電極Sに接続された出力線Lがそれぞれ引出される(図1参照)。なお、こ
の光検知部LSからはゲート電極Gに接続された引出し線も引出されるが、この引出し
線は液晶表示パネルを駆動する回路に接続されており、図示は省略する。
The from the light sensing section LS has a drain electrode D connected to the power line L L and the source electrode S output line L 0 connected to L are drawn respectively as lead wiring (see FIG. 1). Note that a lead line connected to the gate electrode GL is also drawn from the light detection unit LS, but this lead line is connected to a circuit for driving the liquid crystal display panel, and is not shown.

出力線L付近の断面構造は、図5に示すように、TFT基板2上に設けたゲート絶縁
膜3の上に出力線Lが配設され、この出力線Lが保護絶縁膜5で覆われた構成となっ
ている。また、電源線Lも同様の構成を有しており、これらの出力線L及び電源線Lは
、TFT光センサのソース電極材料及びドレイン電極材料を用いて形成されている。これ
により、出力線L及び電源線Lを設けるために特に製造工数を増加させる必要がなくな
る。
Sectional structure in the vicinity of the output line L 0 is as shown in FIG. 5, the output line L 0 on the gate insulating film 3 provided on the TFT substrate 2 is provided, the output line L 0 is the protective insulating film 5 It is the structure covered with. The power line L may have the same configuration, these output lines L 0 and the power supply line L is formed with a source electrode material and a drain electrode materials of the TFT ambient light photosensor. This eliminates the need to particularly increase the number of manufacturing processes in order to provide the output line L 0 and the power supply line L.

また、CF基板10は、表示領域DAにブラックマトリクス11、カラーフィルタ及び
共通(コモン)電極12が形成され、これらのブラックマトリクス11、カラーフィルタ
及び共通電極12のうち、ブラックマトリクス11及び共通電極12はTFT基板2に配
設された光検知部LS及びこの光検知部LSから導出された引出し配線L、Lと対向す
る箇所まで延設されている。そして、この延設されたブラックマトリクス11及び共通電
極12は、TFT基板2に配設された出力線Lの真上部分が除去されて除去領域Sが形
成されている。すなわち、図5に示すように、TFT基板2のゲート絶縁3上に出力線L
が配設され、このTFT基板2と対向するCF基板10は、出力線Lの真上部分の共
通電極12及びブラックマトリクス11が除去されて隙間13が形成されている。
The CF substrate 10 has a black matrix 11, a color filter and a common (common) electrode 12 formed in the display area DA. Among the black matrix 11, the color filter and the common electrode 12, the black matrix 11 and the common electrode 12 are provided. It is extended to a point facing the lead wiring L, L 0 derived from the optical detection unit LS and the light detecting portion LS is disposed on the TFT substrate 2. The extended black matrix 11 and the common electrode 12 have a removal region S formed by removing a portion directly above the output line L 0 provided on the TFT substrate 2. That is, as shown in FIG. 5, the output line L is formed on the gate insulation 3 of the TFT substrate 2.
In the CF substrate 10 on which 0 is disposed and opposed to the TFT substrate 2, the common electrode 12 and the black matrix 11 immediately above the output line L 0 are removed to form a gap 13.

この共通電極12及びブラックマトリクス11が除去される除去領域Sの範囲は、図2
に示すように、横幅をa、長さをbとすると、a×bの面積は出力線Lを覆う面積と同
じ或いは若干大きくなっている。そして、このように出力線Lの真上部分の共通電極1
2及びブラックマトリクス11を除去すると、出力線Lと共通電極12との間に形成さ
れる容量が無視できる程度まで極めて小さくなり、共通電極12に印加されるVCOM電
圧によって生じる出力線に流れる出力信号への影響を低減できる。すなわち、本実施例の
液晶表示パネル1はその駆動時に出力線Lと共通電極12との間に寄生容量CVCOM
がほとんど発生しないので、その結果、従来技術のように出力線Lの真上に共通電極が
存在するものと比べて、出力線Lを流れる出力信号への悪影響、例えば出力波形の乱れ
が少なくなり、高感度の光検出が可能になる。
The range of the removal region S from which the common electrode 12 and the black matrix 11 are removed is as shown in FIG.
As shown, when the width a, the length is b, an area of a × b is larger same or slightly the area covering the output line L 0. In this way, the common electrode 1 directly above the output line L 0
2 and the black matrix 11 are removed, the capacitance formed between the output line L 0 and the common electrode 12 becomes extremely small to a negligible level, and the output flowing through the output line caused by the VCOM voltage applied to the common electrode 12 The influence on the signal can be reduced. That is, the liquid crystal display panel 1 of the present embodiment has a parasitic capacitance C VCOM between the output line L 0 and the common electrode 12 when driven.
As a result, there is an adverse effect on the output signal flowing through the output line L 0 , for example, disturbance of the output waveform, as compared with the case where a common electrode is present directly above the output line L 0 as in the prior art. It becomes less and light detection with high sensitivity becomes possible.

次に図3を参照して、この光検知部LSの動作を説明する。
直流基準電圧源Vrefからドレイン電極Dに一定の直流電圧(例えば、0V)を印
加するとともに、共通電極12に、図3(b)の(1)に示すような所定の振幅を有する
矩形波からなるVCOM電圧を印加しておき、TFT光センサのゲート電極Gに一定の
逆バイアス電圧(例えば−10V)を印加したのち、スイッチ素子SWを所定時間(例え
ば図3(b)の(2)参照)オン状態として、基準電圧VsをコンデンサCに印加してコ
ンデンサCに直流基準電圧源Vrefからの直流電圧と基準電圧Vsとの差電圧Vaを充
電する。この状態において、TFT光センサに外光が照射されると、TFT光センサにリ
ーク電流が流れてコンデンサCの充電電圧の一部が放電し、この放電量は周囲の明るさに
応じて時間とともに増加するので、この放電した分の電圧を差し引いたコンデンサCの充
電電圧、すなわち、出力電圧Vs'は、図3(b)の(3)に示すように(なお、図では
簡易的に直線的に示しているが)放電カーブを描いて低下した後の電圧となる。この出力
電圧Vs'は、不図示の出力読取部で読み取られて、バックライトの制御がなされる。
Next, the operation of the light detection unit LS will be described with reference to FIG.
DC reference voltage source drain from Vref electrode D L to a constant DC voltage (e.g., 0V) is applied with a common electrode 12, a rectangular wave having a predetermined amplitude as shown in (1) shown in FIG. 3 (b) from consisting VCOM voltage advance by applying, after applying a constant reverse bias voltage (e.g. -10 V) to the gate electrode G L of the TFT ambient light photosensor, a switching element SW predetermined time (e.g., FIG. 3 (b) (2 ) Reference) In the ON state, the reference voltage Vs is applied to the capacitor C, and the capacitor C is charged with the difference voltage Va between the DC voltage from the DC reference voltage source Vref and the reference voltage Vs. In this state, when the TFT light sensor is exposed to external light, a leakage current flows through the TFT light sensor, and a part of the charging voltage of the capacitor C is discharged. The amount of discharge increases with time according to the ambient brightness. Therefore, the charging voltage of the capacitor C obtained by subtracting the discharged voltage, that is, the output voltage Vs ′ is, as shown in (3) of FIG. This is the voltage after the voltage drops after drawing a discharge curve. The output voltage Vs ′ is read by an output reading unit (not shown), and the backlight is controlled.

この実施例1によると、出力線Lの真上の共通電極12及び導電性材料からなるブラ
ックマトリクス11が除去されることにより、図3(a)に示すような共通電極12(あ
るいはこの共通電極12に電気的に接続されたブラックマトリクス11)と出力線L
の間に生じる寄生容量CVCOMが極めて小さくなりコンデンサCからの出力信号に影響
を与えることがなくなる。
According to this first embodiment, by a black matrix 11 composed of the common electrode 12 and the conductive material directly over the output line L 0 is removed, the common electrode 12 as shown in FIG. 3 (a) (or the common parasitic capacitance C VCOM generated between the black matrix 11) which is electrically connected to the electrode 12 and the output line L 0 that eliminates influence the very small output signal of the capacitor C.

さらに、直流基準電圧源Vrefから供給される電圧を一定の直流電圧(例えば、0V
)にすることにより、VCOM電圧の影響を受けない安定した出力電圧Vs'を得ること
ができる。なお、直流基準電圧源Vrefから印加される電圧を一定の直流電圧に代えて
、例えば、矩形波からなるVCOM電圧(図3(b)参照)にすると、その出力電圧は、
図3(b)の(4)に示したように、このVCOM電圧に同期して低下するものとなり安
定性に欠け、読取部の読み取りが難しくなる。
Further, the voltage supplied from the DC reference voltage source Vref is changed to a constant DC voltage (for example, 0V
), A stable output voltage Vs ′ that is not affected by the VCOM voltage can be obtained. When the voltage applied from the DC reference voltage source Vref is replaced with a constant DC voltage, for example, a VCOM voltage composed of a rectangular wave (see FIG. 3B), the output voltage is
As shown in (4) of FIG. 3B, the voltage drops in synchronization with the VCOM voltage, lacks stability, and makes it difficult for the reading unit to read.

図6は本発明の実施例2に係る液晶表示パネルのカラーフィルタ基板を透視して表した
TFT基板を模式的に示した平面図、図7は図6のカラーフィルタ基板を模式的に示した
裏面図である。この液晶表示装置1Aは、実施例1の液晶表示装置1に比すると、CF基
板10Aにおける共通電極12及びブラックマトリクス11の除去領域(S〜S)が
異なっている。そこで、実施例1と共通する構成には同じ符号を付して重複説明を省略し
、異なる構成についてのみ説明する。
6 is a plan view schematically showing a TFT substrate seen through a color filter substrate of a liquid crystal display panel according to Embodiment 2 of the present invention, and FIG. 7 schematically shows the color filter substrate of FIG. It is a back view. This liquid crystal display device 1A differs from the liquid crystal display device 1 of the first embodiment in the removal regions (S 1 to S 3 ) of the common electrode 12 and the black matrix 11 in the CF substrate 10A. Therefore, the same reference numerals are given to the same components as those in the first embodiment, and the duplicate description will be omitted, and only different components will be described.

CF基板10Aにおける共通電極12及びブラックマトリクス11の除去領域は、図6
、図7に示すように、所定の面積を有する大きさの複数個の窓開口S〜Sで形成され
ている。
The removal region of the common electrode 12 and the black matrix 11 in the CF substrate 10A is shown in FIG.
As shown in FIG. 7, a plurality of window openings S 1 to S 3 having a predetermined area are formed.

この構成により、本実施例2の液晶表示装置1Aは実施例1の液晶表示装置1で示した
ものと同じ作用効果を奏することができることに加え、除去領域を複数個の窓開口S
で形成することにより、各窓開口S〜S間に共通電極12及びブラックマトリク
ス11を除去しないブリッジ(橋渡し)領域が形成されるので、共通電極12の電気的接
続が良好になる。
With this configuration, the liquid crystal display device 1A of the second embodiment can achieve the same effects as those shown in the liquid crystal display device 1 of the first embodiment, and in addition, the removal region has a plurality of window openings S 1 to S 1 .
By forming in S 3 , a bridge region that does not remove the common electrode 12 and the black matrix 11 is formed between the window openings S 1 to S 3 , so that the electrical connection of the common electrode 12 is improved. .

図8は本発明の実施例3に係る液晶表示パネルのカラーフィルタ基板を透視して表した
TFT基板を模式的に示した平面図、図9は図8のB−B線の断面図である。この液晶表
示装置1Bは、実施例1、2の液晶表示装置1と比すると、CF基板10Bにおけるブラ
ックマトリクスの材質等が異なっている。そこで、実施例1、2と共通する構成には同じ
符号を付して重複説明を省略し、異なる構成についてのみ説明する。
8 is a plan view schematically showing a TFT substrate seen through a color filter substrate of a liquid crystal display panel according to Embodiment 3 of the present invention, and FIG. 9 is a cross-sectional view taken along line BB in FIG. . This liquid crystal display device 1B is different from the liquid crystal display devices 1 of the first and second embodiments in the material of the black matrix in the CF substrate 10B. Therefore, the same reference numerals are given to the configurations common to the first and second embodiments, and the duplicate description will be omitted, and only different configurations will be described.

実施例3の液晶表示装置1BのCF基板の対向面には、非導電性の合成樹脂からなるブ
ラックマトリクス11aと、カラーフィルタと、導電性部材からなる共通電極12が形成
されており、このうち共通電極12には、実施例1又は実施例2と同様に、出力線L
真上の領域に隙間13aからなる除去領域が形成されている。なお、ブラックマトリクス
11aには除去領域は形成されていない。そして、CF基板10Bにおけるブラックマト
リクス11aは、非導電性の合成樹脂材で形成され、この非導電性の合成樹脂材としては
、例えばUV硬化型の透明樹脂に少量のカーボンを加えた黒いレジストを使用する。
A black matrix 11a made of a non-conductive synthetic resin, a color filter, and a common electrode 12 made of a conductive member are formed on the opposite surface of the CF substrate of the liquid crystal display device 1B according to the third embodiment. the common electrode 12, in the same manner as in example 1 or example 2, removal area consisting of a gap 13a in the area just above the output line L 0 is formed. Note that no removal region is formed in the black matrix 11a. The black matrix 11a in the CF substrate 10B is formed of a non-conductive synthetic resin material. As the non-conductive synthetic resin material, for example, a black resist obtained by adding a small amount of carbon to a UV curable transparent resin is used. use.

この構成により、本実施例3の液晶表示装置1Bは、実施例1、2の液晶表示装置1、
1Aと同じ作用効果を奏することができることに加え、CF基板10Bのブラックマトリ
クス11aを非導電性の樹脂材料で形成することにより、実施例1、2のようにブラック
マトリクス11に隙間を形成する必要がないのでその形成が容易になり、またTFT基板
2上の各種配線がブラックマトリクス11aで全て隠されて見えなくなるので表示品質が
向上する。
With this configuration, the liquid crystal display device 1B of the third embodiment is the same as the liquid crystal display device 1 of the first and second embodiments,
In addition to having the same effect as 1A, it is necessary to form a gap in the black matrix 11 as in the first and second embodiments by forming the black matrix 11a of the CF substrate 10B from a non-conductive resin material. Therefore, the formation thereof is facilitated, and various wirings on the TFT substrate 2 are all hidden by the black matrix 11a and cannot be seen, so that the display quality is improved.

図1は本発明の実施例1に係る液晶表示パネルのカラーフィルタ基板を透視して表したTFT基板を模式的に示した平面図である。FIG. 1 is a plan view schematically showing a TFT substrate seen through a color filter substrate of a liquid crystal display panel according to Embodiment 1 of the present invention. 図2は図1のカラーフィルタ基板を模式的に示した裏面図である。FIG. 2 is a back view schematically showing the color filter substrate of FIG. 図3は光検知部を示し、図3(a)は等価回路図、図3(b)は共通電極に印加されるVCOM電圧とセンサ出力との関係を説明する波形図である。FIG. 3 shows a light detection unit, FIG. 3A is an equivalent circuit diagram, and FIG. 3B is a waveform diagram for explaining the relationship between the VCOM voltage applied to the common electrode and the sensor output. 図4は光検知部の断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view of the light detection unit. 図5は図1のA−A断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. 図6は本発明の実施例2に係る液晶表示パネルのカラーフィルタ基板を透視して表したTFT基板を模式的に示した平面図である。FIG. 6 is a plan view schematically showing a TFT substrate seen through a color filter substrate of a liquid crystal display panel according to Embodiment 2 of the present invention. 図7は図6のカラーフィルタ基板を模式的に示した裏面図である。FIG. 7 is a back view schematically showing the color filter substrate of FIG. 図8は本発明の実施例3に係る液晶表示パネルのカラーフィルタ基板を透視して表したTFT基板を模式的に示した平面図である。FIG. 8 is a plan view schematically showing a TFT substrate seen through a color filter substrate of a liquid crystal display panel according to Embodiment 3 of the present invention. 図9は図8のB−B線の断面図である。FIG. 9 is a sectional view taken along line BB in FIG.

符号の説明Explanation of symbols

1、1A、1B 液晶表示装置
2 TFT基板
2A 張出し部
3 ゲート絶縁膜
5 保護絶縁膜
10、10A、10B CF基板
11、11a ブラックマトリクス
12 共通電極
LS 光検知部
L 電源線(引出し配線)
出力線(引出し配線)
S、S〜S 除去領域(窓開口)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1, 1A, 1B Liquid crystal display device 2 TFT substrate 2A Overhang | projection part 3 Gate insulating film 5 Protective insulating film 10, 10A, 10B CF board | substrate 11, 11a Black matrix 12 Common electrode LS Photodetection part L Power supply line (drawer wiring)
L 0 output line (drawer wiring)
S, S 1 to S 3 removal region (window opening)

Claims (6)

各種配線が形成されたアクティブマトリクス基板と共通電極及びカラーフィルタ並びに
ブラックマトリクスを有するカラーフィルタ基板との間に液晶層が形成された液晶表示パ
ネルと、光センサを有する光検知部と、前記光検知部の出力により制御される照光手段と
を備え、前記アクティブマトリクス基板上に、前記光検知部、該光検知部へ電源を供給す
る電源線及び該光検知部からの出力を導出する出力線が設けられた液晶表示装置において

前記カラーフィルタ基板は、前記アクティブマトリクス基板に配設された前記出力線の
真上部分に前記共通電極及び前記ブラックマトリクスが除去された除去領域が形成されて
いることを特徴とする液晶表示装置。
A liquid crystal display panel in which a liquid crystal layer is formed between an active matrix substrate on which various wirings are formed and a color filter substrate having a common electrode, a color filter, and a black matrix, a light detection unit having a light sensor, and the light detection Illuminating means controlled by the output of the unit, and on the active matrix substrate, the light detection unit, a power line for supplying power to the light detection unit, and an output line for deriving an output from the light detection unit In the provided liquid crystal display device,
2. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the color filter substrate is formed with a removal region from which the common electrode and the black matrix are removed immediately above the output line disposed on the active matrix substrate.
各種配線が形成されたアクティブマトリクス基板と共通電極及びカラーフィルタ並びに
ブラックマトリクスを有するカラーフィルタ基板との間に液晶層が形成された液晶表示パ
ネルと、光センサを有する光検知部と、前記光検知部の出力により制御される照光手段と
を備え、前記アクティブマトリクス基板上に、前記光検知部、該光検知部へ電源を供給す
る電源線及び該光検知部からの出力を導出する出力線が設けられた液晶表示装置において

前記カラーフィルタ基板は、前記ブラックマトリクスが非導電性の樹脂材料で形成され
、前記アクティブマトリクス基板に配設された前記出力線の真上部分に前記共通電極が除
去された除去領域が形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
A liquid crystal display panel in which a liquid crystal layer is formed between an active matrix substrate on which various wirings are formed and a color filter substrate having a common electrode, a color filter, and a black matrix, a light detection unit having a light sensor, and the light detection Illuminating means controlled by the output of the unit, and on the active matrix substrate, the light detection unit, a power line for supplying power to the light detection unit, and an output line for deriving an output from the light detection unit In the provided liquid crystal display device,
In the color filter substrate, the black matrix is formed of a non-conductive resin material, and a removal region in which the common electrode is removed is formed immediately above the output line disposed on the active matrix substrate. A liquid crystal display device.
前記除去領域は、前記出力線の真上に位置する1個又は複数個の窓開口で形成されてい
ることを特徴とする請求項1又は2に記載の液晶表示装置。
3. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the removal region is formed by one or a plurality of window openings positioned immediately above the output line. 4.
前記光センサは薄膜トランジスタからなり、前記液晶表示パネルの製造工程においてス
イッチング素子としての薄膜トランジスタと同時に形成されていることを特徴とする請求
項1又は2に記載の液晶表示装置。
3. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the photosensor includes a thin film transistor, and is formed simultaneously with the thin film transistor as a switching element in a manufacturing process of the liquid crystal display panel.
前記出力線及び電源線は、前記光センサとしての薄膜トランジスタのソース電極又はド
レイン電極と同じ材料で形成されていることを特徴とする請求項4に記載の液晶表示装置
The liquid crystal display device according to claim 4, wherein the output line and the power line are formed of the same material as a source electrode or a drain electrode of a thin film transistor serving as the photosensor.
前記電源線には一定の直流電圧が印加され、前記共通電極には所定の矩形波電圧が印加
されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の液晶表示装置。
3. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein a constant DC voltage is applied to the power supply line, and a predetermined rectangular wave voltage is applied to the common electrode.
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