JP2008038215A - 基板処理方法及び基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】電気特性を劣化させることなく、高品質の配線保護膜を配線の表面に効率よく形成できるようにする。
【解決手段】絶縁膜の内部に表面を露出させた埋込み配線を形成し乾燥させた基板を用意し、基板の表面に薬液によるめっき前処理を行いめっき前処理終了後、直ちに無電解めっきを行って前記配線の露出表面に配線保護膜を選択的に形成する。
【選択図】図１９

Description

本発明は、基板処理方法及び基板処理装置に係り、特に半導体ウエハ等の基板の表面に設けた配線用の微細な凹部に銅や銀等の導電体を埋込んで構成した埋込み配線の露出表面に、配線を覆う配線保護膜を無電解めっきで形成するのに使用される基板処理方法及び基板処理装置に関する。

半導体装置の配線形成プロセスとして、配線溝及びコンタクトホールに金属（導電体）を埋込むようにしたプロセス（いわゆる、ダマシンプロセス）が使用されつつある。これは、層間絶縁膜に予め形成した配線溝やコンタクトホールに、アルミニウム、近年では銅や銀等の金属を埋込んだ後、余分な金属を化学機械的研磨（ＣＭＰ）によって除去し平坦化するプロセス技術である。

従来、この種の配線、例えば配線材料として銅を使用した銅配線にあっては、信頼性向上のため、層間絶縁膜への配線（銅）の熱的拡散を防止しかつエレクトロマイグレーション耐性を向上させるためのバリア膜を配線の底面及び側面に形成したり、その後、絶縁膜（酸化膜）を積層して多層配線構造の半導体装置を作る場合の酸化性雰囲気における配線（銅）の酸化を防止したりするため酸化防止膜を形成するなどの方法が採用されている。従来、この種のバリア膜としては、タンタル、チタンまたはタングステンなどの金属あるいはその窒化物が一般に採用されており、また酸化防止膜としては、シリコンの窒化物または炭化物などが一般に採用されていた。

これに代わるものとして、最近になってコバルト合金やニッケル合金等からなる配線保護膜で埋込み配線の露出表面を選択的に覆って、配線の熱拡散、エレクトロマイグレーション及び酸化を防止することが検討されている。この配線保護膜は、例えば無電解めっきによって得られる。

例えば、図１に示すように、半導体ウエハ等の基板Ｗの表面に堆積したＳｉＯ_２やＬｏｗ−Ｋ材等からなる絶縁膜２の内部に配線用の微細な凹部４を形成し、表面にＴａＮ等からなるバリア層６を形成し、更に、バリア層６の表面に、必要に応じてシード層７を形成する。そして、銅めっきを施して、基板Ｗの表面に銅膜を成膜して凹部４の内部に銅を埋込み、しかる後、基板Ｗの表面にＣＭＰ（化学機械的研磨）を施して平坦化することで、絶縁膜２の内部に銅からなる配線８を形成する。次に、この配線（銅）８の表面に、例えば無電解めっきによって得られる、ＣｏＷＰ合金からなる配線保護膜（蓋材）９を選択的に形成して配線８を保護する。

一般的な無電解めっきによって、このようなＣｏＷＰ合金膜からなる配線保護膜（蓋材）９を配線８の表面に選択的に形成する工程を説明する。先ず、ＣＭＰ処理を施した半導体ウエハ等の基板Ｗを、例えば常温の希硫酸または希塩酸中に１分程度浸漬させて、絶縁膜２の表面の金属酸化膜や銅等ＣＭＰ残渣等の不純物を除去する。そして、基板Ｗの表面を純水等の洗浄液で洗浄した後、例えば常温のＰｄＣｌ_２／ＨＣｌ混合溶液中に基板Ｗを１分間程度浸漬させ、これにより、配線８の表面に触媒としてのＰｄを付着させて配線８の露出表面を活性化させる。

次に、基板Ｗの表面を純水等で洗浄（リンス）した後、例えば液温が８０℃のＣｏＷＰめっき液中に基板Ｗを１２０秒程度浸漬させて、活性化させた配線８の表面に選択的な無電解めっきを施し、しかる後、基板Ｗの表面を純水等の洗浄液で洗浄する。これによって、配線８の露出表面に、ＣｏＷＰ合金膜からなる配線保護膜９を選択的に形成して配線８を保護する。

めっき前処理後、無電解めっきを開始するまでの時間が長いと、配線金属表面に金属酸化物の形成が進み、めっきの開始に阻害因子になり、これがめっきむら発生の原因となる。

また、無電解めっきによって形成されたコバルト合金またはニッケル合金等からなる配線保護膜は、洗浄液等の処理液中に僅かに溶解する。特に、配線保護膜として、触媒を付与することなく無電解めっきが可能なＣｏＷＢＰ合金を使用した時に、この現象が顕著に表れる。そして、配線保護膜が微量であっても処理液中に溶解し、溶解した配線保護膜が配線間の絶縁膜上を移動すると、特に細ピットの配線にあっては、配線間にリーク電流が生じる原因となる。

本発明は上記事情に鑑みて為されたもので、電気特性を劣化させることなく、高品質の配線保護膜を配線の表面に効率よく形成できるようにした基板処理方法及び基板処理装置を提供することを目的とする。

請求項１に記載の発明は、絶縁膜の内部に表面を露出させた埋込み配線を形成し乾燥させた基板を用意し、基板の表面に薬液によるめっき前処理を行い、めっき前処理終了後、直ちに無電解めっきを行って前記配線の露出表面に配線保護膜を選択的に形成することを特徴とする基板処理方法である。
このように、めっき前処理終了後、直ちに無電解めっきを行って配線の露出表面に配線保護膜を選択的に形成することで、蒸気となっためっき液に基板表面が接触して金属酸化膜が形成されることを極力防止して、配線の表面に無電解めっきによる配線保護膜をより均一に形成することができる。
請求項２に記載の発明は、めっき前処理終了後、無電解めっきを開始するまでの時間は、１０秒以内であることを特徴とする請求項１記載の基板処理方法である。

請求項３に記載の発明は、絶縁膜の内部に表面を露出させた埋込み配線を形成し乾燥させた基板を用意し、基板の表面に薬液によるめっき前処理を行い、めっき前処理後の基板の表面に無電解めっきを行って前記配線の露出表面に配線保護膜を選択的に形成し、無電解めっき終了後、直ちに基板を乾燥させることを特徴とする基板処理方法である。
このように、無電解めっき終了後、基板を薬液（洗浄液）で洗浄することなく、直ちに乾燥させることにより、例えばコバルト合金またはニッケル合金からなる配線保護膜が洗浄液等の処理液中へ溶解することを極力抑えて、配線間にリーク電流が生じるリスクを低減させることができる。
請求項４に記載の発明は、無電解めっき終了後、基板の乾燥を開始するまでの時間は、１０秒以内であることを特徴とする請求項３記載の基板処理方法である。

請求項５に記載の発明は、基板の乾燥を、回転する基板に揮発性の高い液体と純水を供給して液成分を基板から除去する方法、及び回転する基板にＮ原子を含む環状有機化合物を添加した純水を供給して液成分を基板から除去する方法の少なくとも一つで行うことを特徴とする請求項３または４記載の基板処理方法である。

このように、回転する基板に揮発性の高い液体と純水を供給し液成分を基板から除去して基板を乾燥することで、基板の表面に残っためっき液を除去しながら、乾燥時間そのものをより短縮化することができる。この揮発性の高い液体としては、例えばＩＰＡ（イソプロピルアルコール）、エタノールが挙げられる。また、回転する基板にＮ原子を含む環状有機化合物を添加した純水を供給し液成分を基板から除去して基板を乾燥することで、基板の表面に残っためっき液を除去しながら、配線保護膜の表面を腐食から防止することができる。このＮ原子を含む環状有機化合物としては、例えばＢＴＡ（ベンゾトリアゾール）、キナルジン、およびグリシン等の防食剤が挙げられる。

請求項６に記載の発明は、無電解めっき後に乾燥させた基板に改質処理を施して配線保護膜またはその表面を改質し、しかる後、基板のめっき後処理を行って基板を再度乾燥させることを特徴とする請求項３乃至５のいずれかに記載の基板処理方法である。
これにより、例えば洗浄液（薬液）、または超純水を使用しためっき後処理（洗浄）中に、配線保護膜が洗浄液中に溶解することを抑制することができる。

請求項７に記載の発明は、前記改質処理は、アニール処理またはプラズマ処理であることを特徴とする請求項６記載の基板処理方法である。
例えば、Ｈ_２とＮ_２の混合ガスを使用したプラズマ処理を施して、配線保護膜の表面に金属の窒化物を形成することで、例えば洗浄液（薬液）を使用しためっき後処理（洗浄）中に、配線保護膜が洗浄液中に溶解することを抑制することができる。

請求項８に記載の発明は、絶縁膜の内部に表面を露出させた埋込み配線を形成し乾燥させた基板の表面に薬液によるめっき前処理を行う前処理ユニットと、めっき前処理の基板の表面に無電解めっきを行って前記配線の露出表面に配線保護膜を選択的に形成し、しかる後、基板を乾燥させる無電解めっきユニットを有することを特徴とする基板処理装置である。

請求項９に記載の発明は、前記前処理ユニットと前記無電解めきユニットは、内部雰囲気が制御可能な筺体の内部に配置されていることを特徴とする請求項８記載の基板処理装置である。
これにより、筺体内の酸素濃度を調整することで、配線保護膜を形成する一連の処理中での配線保護膜の液中への溶解を更に抑制することができる。

請求項１０に記載の発明は、配線保護膜またはその表面を改質する改質ユニットと、配線保護膜またはその表面を改質した基板のめっき後処理を行う後処理ユニットを更に有することを特徴とする請求項８または９記載の基板処理装置である。

本発明によれば、絶縁膜の内部に表面を露出させて形成した配線の表面を、配線間にリーク電流が生じるリスクを低減させながら、より均一な膜厚の配線保護膜で確実に覆って配線を保護することができる。

以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。なお、以下の例では、図１に示す配線８の露出表面を、還元剤としてＤＭＡＢ（ジメチルアミンボラン）を含むめっき液を使用することで、配線８の露出表面に触媒を付与することなく、無電解めっきで成膜が可能なＣｏＷＢＰ合金からなる配線保護膜（蓋材）９で選択的に覆って、配線８を配線保護膜９で保護するようにした例を示す。

図２は、本発明の実施の形態の配線形成装置の平面配置図を示す。図２に示すように、この配線形成装置は、矩形状の装置フレーム２０と、装置フレーム２０に外付けされるロード・アンロードユニット２２を有し、装置フレーム２０の外壁には、制御ユニット２４が取付けられている。装置フレーム２０の内部には、排気系統を備え、内部の雰囲気を装置全体と独立に調整できる機能を有する密閉可能な筺体２６が格納され、この筺体２６の四隅に、基板の薬液によるめっき前処理を行う第１前処理ユニット２８及び第２前処理ユニット３０、基板の表面に無電解めっきを行い、無電解めっき終了後に基板を乾燥させる無電解めっきユニット３２、及びめっき後処理（後洗浄）を行う後処理ユニット３４が配置されている。

なお、この例では、第１前処理ユニット２８及び第２前処理ユニット３０で、触媒付与処理を含まない２段のめっき前処理を行うようにした例を示しているが、例えば、従来例で示すように、ＣｏＷＰ合金からなる配線保護膜で配線を被覆して保護する場合には、一方の前処理ユニット３０を触媒付与ユニットとして使用することができる。また、一方の前処理ユニット３０を省略して、めっき前処理を１段で行うようにしても良い。

装置フレーム２０の内部には、筺体２６の外部に位置して、配線保護膜を形成した基板に改質処理を施して配線保護膜またはその表面を改質する改質ユニット３６と、めっき後処理後の基板をリンス洗浄し乾燥させる乾燥ユニット３８が配置されている。更に、改質ユニット３６と乾燥ユニット３８に挟まれた位置に第１基板搬送ロボット４０が、筺体２６の内部の第１前処理ユニット２８、第２前処理ユニット３０、無電解めっきユニット３２及び後処理ユニット３４に囲まれた位置に第２基板搬送ロボット４２が配置されている。

次に、図２に示す基板処理装置に備えられている各ユニットの詳細を以下に説明する。第１前処理ユニット２８と第２前処理ユニット３０は、使用する処理液が異なるだけで同じ構成であり、異なる液体の混入を防ぐ２液分離方式を採用し、フェースダウンで搬送された基板Ｗの表面（被処理面）である下面の周縁部をシールし、裏面側を押圧して基板Ｗを固定するようにしている。以下、第１前処理ユニット２８について説明する。

第１前処理ユニット２８（第２前処理ユニット３０）は、図３乃至図５に示すように、フレーム５０の上部に取付けた固定枠５２と、この固定枠５２に対して相対的に上下動する移動枠５４を備えており、図６に示すように、この移動枠５４に、下方に開口した有底円筒状のハウジング部５６と基板ホルダ５８とを有する処理ヘッド６０が懸架支持されている。つまり、移動枠５４には、ヘッド回転用サーボモータ６２が取付けられ、このサーボモータ６２の下方に延びる出力軸（中空軸）６４の下端に処理ヘッド６０のハウジング部５６が連結されている。

この出力軸６４の内部には、図６に示すように、スプライン６６を介して該出力軸６４と一体に回転する鉛直軸６８が挿着され、この鉛直軸６８の下端に、ボールジョイント７０を介して処理ヘッド６０の基板ホルダ５８が連結されている。基板ホルダ５８は、ハウジング部５６の内部に位置している。また鉛直軸６８の上端は、軸受７２及びブラケットを介して、移動枠５４に固定した固定リング昇降用シリンダ７４に連結されている。これにより、この昇降用シリンダ７４の作動に伴って、鉛直軸６８が出力軸６４とは独立に上下動する。

図３乃至図５に示すように、固定枠５２には、上下方向に延びて移動枠５４の昇降の案内となるリニアガイド７６が取付けられ、ヘッド昇降用シリンダ（図示せず）の作動に伴って、移動枠５４がリニアガイド７６を案内として昇降する。

図６に示すように、処理ヘッド６０のハウジング部５６の周壁には、この内部に基板Ｗを挿入する基板挿入窓５６ａが設けられている。また、処理ヘッド６０のハウジング部５６の下部には、図７及び図８に示すように、例えばポリエーテルエーテルケトン製のメインフレーム８０とガイドフレーム８２との間に周縁部を挟持されてシールリング８４が配置されている。このシールリング８４は、基板Ｗの下面の周縁部に当接し、ここをシールするためのものである。

基板ホルダ５８の下面周縁部には、基板固定リング８６が固着され、この基板ホルダ５８の基板固定リング８６の内部に配置したスプリング８８の弾性力を介して、円柱状のプッシャ９０が基板固定リング８６の下面から下方に突出する。更に、基板ホルダ５８の上面とハウジング部５６の上壁部との間には、内部を気密的にシールする、例えばテフロン（登録商標）製で屈曲自在な円筒状の蛇腹板９２が配置されている。更に、基板ホルダ５８には、この基板ホルダ５８で保持した基板の上面を覆う被覆板９４が備えられている。

これにより、基板ホルダ５８を上昇させた状態で、基板Ｗを基板挿入窓５６ａからハウジング部５６の内部に挿入する。すると、この基板Ｗは、ガイドフレーム８２の内周面に設けたテーパ面８２ａに案内され、位置決めされてシールリング８４の上面の所定位置に載置される。この状態で、基板ホルダ５８を下降させ、この基板固定リング８６のプッシャ９０を基板Ｗの上面に接触させる。そして、基板ホルダ５８を更に下降させることで、基板Ｗをスプリング８８の弾性力で下方に押圧し、これによって、基板Ｗの表面（下面）の周縁部にシールリング８４で圧接させて、ここをシールしつつ、基板Ｗをハウジング部５６と基板ホルダ５８との間で挟持して保持する。

このように、基板Ｗを基板ホルダ５８で保持した状態で、ヘッド回転用サーボモータ６２を駆動すると、この出力軸６４と該出力軸６４の内部に挿着した鉛直軸６８がスプライン６６を介して一体に回転し、これによって、ハウジング部５６と基板ホルダ５８も一体に回転する。

処理ヘッド６０の下方に位置して、該処理ヘッド６０の外径よりもやや大きい内径を有する上方に開口した、外槽１００ａと内槽１００ｂを有する処理槽１００（図９参照）が備えられている。内槽１００ｂの外周部には、蓋体１０２に取付けた一対の脚部１０４が回転自在に支承されている。更に、図３乃至図５に示すように、脚部１０４には、クランク１０６が一体に連結され、このクランク１０６の自由端は、蓋体移動用シリンダ１０８のロッド１１０に回転自在に連結されている。これにより、蓋体移動用シリンダ１０８の作動に伴って、蓋体１０２は、内槽１００ｂの上端開口部を覆う処理位置と、側方の待避位置との間を移動するように構成されている。この蓋体１０２の表面（上面）には、例えば純水を外方（上方）に向けて噴射する多数の噴射ノズル１１２ａを有するノズル板１１２が備えられている。

更に、図９に示すように、処理槽１００の内槽１００ｂの内部には、第１処理液タンク１２０から第１処理液ポンプ１２２の駆動に伴って供給された第１処理液を上方に向けて噴射する複数の噴射ノズル１２４ａを有するノズル板１２４が、該噴射ノズル１２４ａが内槽１００ｂの横断面の全面に亘ってより均等に分布した状態で配置されている。この内槽１００ｂの底面には、第１処理液（排液）を外部に排出する排水管１２６が接続されている。この排水管１２６の途中には、三方弁１２８が介装され、この三方弁１２８の一つの出口ポートに接続された戻り管１３０を介して、必要に応じて、この第１処理液（排液）を第１処理液タンク１２０に戻して再利用できるようになっている。

蓋体１０２の表面（上面）に設けられたノズル板１１２は、第２処理液供給源１３２に接続されている。これによって、第２処理液が噴射ノズル１１２ａから基板の表面に向けて噴射される。また、外槽１００ａの底面にも、排水管１２７が接続されている。

これにより、基板を保持した処理ヘッド６０を下降させて、処理槽１００の内槽１００ｂの上端開口部を処理ヘッド６０で塞ぐように覆い、この状態で、処理槽１００の内槽１００ｂの内部に配置したノズル板１２４の噴射ノズル１２４ａから第１処理液を、基板Ｗに向けて噴射することで、基板Ｗの下面（処理面）の全面に亘って第１処理液を均一に噴射し、しかも第１処理液の外部への飛散を防止しつつ第１処理液を排水管１２６から外部に排出する。

更に、処理ヘッド６０を上昇させ、処理槽１００の内槽１００ｂの上端開口部を蓋体１０２で閉塞した状態で、処理ヘッド６０で保持した基板Ｗに向けて、蓋体１０２の上面に配置したノズル板１１２の噴射ノズル１１２ａから第２処理液を噴射することで、基板Ｗの下面（処理面）の全面に亘って第２処理液を均一に噴射する。この第２処理液は、外槽１００ａと内槽１００ｂの間を通って、排水管１２７を介して排出されるので、内槽１００ｂの内部に流入することが防止されて、第１処理液に混ざることが防止される。

この第１前処理ユニット２８（第２前処理ユニット３０）によれば、図３に示すように、処理ヘッド６０を上昇させた状態で、この内部に基板Ｗを挿入して保持し、しかる後、図４に示すように、処理ヘッド６０を下降させて処理槽１００の内槽１００ｂの上端開口部を覆う位置に位置させる。そして、処理ヘッド６０を回転させて、処理ヘッド６０で保持した基板Ｗを回転させながら、図９に示すように、内槽１００ｂの内部に配置したノズル板１２４の噴射ノズル１２４ａから、第１処理液を基板Ｗに向けて噴射することで、基板Ｗの全面に亘って第１処理液を均一に噴射する。そして、処理ヘッド６０を上昇させて所定位置で停止させ、図５に示すように、待避位置にあった蓋体１０２を処理槽１００の内槽１００ｂの上端開口部を覆う位置まで移動させる。そして、この状態で、処理ヘッド６０で保持して回転させた基板Ｗに向けて、蓋体１０２の上面に配置したノズル板１１２の噴射ノズル１１２ａから第２処理液を噴射する。これにより、基板Ｗの第１処理液と第２処理液による処理を、２つの液体が混ざらないようにしながら行うことができる。

無電解めっきユニット３２を図１０乃至図１６に示す。この無電解めっきユニット３２は、めっき槽２００（図１４及び図１６参照）と、このめっき槽２００の上方に配置されて基板Ｗを着脱自在に保持する基板ヘッド２０４と、めっき槽２００の側方に配置された乾燥槽２０２（図１５参照）を有している。

基板ヘッド２０４は、図１０に詳細に示すように、ハウジング部２３０とヘッド部２３２とを有し、ヘッド部２３２は、吸着ヘッド２３４と該吸着ヘッド２３４の周囲を囲繞する基板受け２３６から主に構成されている。そして、ハウジング部２３０の内部には、基板回転用モータ２３８と基板受け駆動用シリンダ２４０が収納され、この基板回転用モータ２３８の出力軸（中空軸）２４２の上端はロータリジョイント２４４に、下端はヘッド部２３２の吸着ヘッド２３４にそれぞれ連結され、基板受け駆動用シリンダ２４０のロッドは、ヘッド部２３２の基板受け２３６に連結されている。ハウジング部２３０の内部には、基板受け２３６の上昇を機械的に規制するストッパ２４６が設けられている。

ここで、吸着ヘッド２３４と基板受け２３６との間には、スプライン構造が採用され、基板受け駆動用シリンダ２４０の作動に伴って基板受け２３６は吸着ヘッド２３４と相対的に上下動するが、基板回転用モータ２３８の駆動によって出力軸２４２が回転すると、この出力軸２４２の回転に伴って、吸着ヘッド２３４と基板受け２３６が一体に回転するように構成されている。

吸着ヘッド２３４の下面周縁部には、図１１乃至図１３に詳細に示すように、下面をシール面として基板Ｗを吸着保持する吸着リング２５０が押えリング２５１を介して取付けられ、この吸着リング２５０の下面に円周方向に連続させて設けた凹状部２５０ａと吸着ヘッド２３４内を延びる真空ライン２５２とが吸着リング２５０に設けた連通孔２５０ｂを介して互いに連通するようになっている。これにより、凹状部２５０ａ内を真空引きすることで、基板Ｗを吸着保持するのであり、このように、小さな幅（径方向）で円周状に真空引きして基板Ｗを保持することで、真空による基板Ｗへの影響（たわみ等）を最小限に抑え、しかも吸着リング２５０を無電解めっき液中に浸すことで、基板Ｗの表面（下面）のみならず、エッジについても、全て無電解めっき液に浸すことが可能となる。基板Ｗのリリースは、真空ライン２５２にＮ_２を供給して行う。

一方、基板受け２３６は、下方に開口した有底円筒状に形成され、その周壁には、基板Ｗを内部に挿入する基板挿入窓２３６ａが設けられ、下端には、内方に突出する円板状の爪部２５４が設けられている。更に、この爪部２５４の上部には、基板Ｗの案内となるテーパ面２５６ａを内周面に有する突起片２５６が備えられている。

これにより、図１１に示すように、基板受け２３６を下降させた状態で、基板Ｗを基板挿入窓２３６ａから基板受け２３６の内部に挿入する。すると、この基板Ｗは、突起片２５６のテーパ面２５６ａに案内され、位置決めされて爪部２５４の上面の所定位置に載置保持される。この状態で、基板受け２３６を上昇させ、図１２に示すように、この基板受け２３６の爪部２５４上に載置保持した基板Ｗの上面を吸着ヘッド２３４の吸着リング２５０に当接させる。次に、真空ライン２５２を通して吸着リング２５０の凹状部２５０ａを真空引きすることで、基板Ｗの上面の周縁部を該吸着リング２５０の下面にシールしながら基板Ｗを吸着保持する。そして、無電解めっき処理を行う際には、図１３に示すように、基板受け２３６を数ｍｍ下降させ、基板Ｗを爪部２５４から離して、吸着リング２５０のみで吸着保持した状態となす。これにより、基板Ｗの表面（下面）の周縁部が、爪部２５４の存在によってめっきされなくなることを防止することができる。

図１４は、めっき槽２００の詳細を示す。このめっき槽２００は、底部において、めっき液供給管３０８（図１６参照）に接続され、周壁部にめっき液回収溝２６０が設けられている。めっき槽２００の内部には、ここを上方に向かって流れる無電解めっき液の流れを安定させる２枚の整流板２６２，２６４が配置され、更に底部には、めっき槽２００の内部に導入される無電解めっき液の液温を測定する温度測定器２６６が設置されている。また、めっき槽２００の周壁外周面のめっき槽２００で保持した無電解めっき液の液面よりやや上方に位置して、直径方向のやや斜め上方に向けてめっき槽２００の内部に、ｐＨが６〜７．５の中性液からなる停止液、例えば純水を噴射する噴射ノズル２６８が設置されている。これにより、無電解めっき終了後、ヘッド部２３２で保持した基板Ｗを無電解めっき液の液面よりやや上方まで引き上げて一旦停止させ、この状態で、基板Ｗに向けて噴射ノズル２６８から純水（停止液）を噴射して基板Ｗを直ちに冷却し、これによって、基板Ｗに残った無電解めっき液によって無電解めっきが進行してしまうことを防止することができる。

更に、めっき槽２００の上端開口部には、アイドリング時等のめっき処理の行われていない時に、めっき槽２００の上端開口部を閉じて該めっき槽２００内のめっき液の無駄な蒸発と放熱を防止するめっき槽カバー２７０が開閉自在に設置されている。

このめっき槽２００は、図１６に示すように、底部において、めっき液貯槽３０２から延び、途中にめっき液供給ポンプ３０４、フィルタ３０５及び三方弁３０６を介装しためっき液供給管３０８に接続されている。更に、めっき槽２００のめっき液回収溝２６０は、めっき液貯槽３０２から延びるめっき液回収管に接続されている。これにより、めっき処理中にあっては、めっき槽２００の内部に、この底部から無電解めっき液を供給し、めっき槽２００を溢れる無電解めっき液をめっき液回収溝２６０からめっき液貯槽３０２へ回収することで、無電解めっき液が循環できるようになっている。また、三方弁３０６の一つの出口ポートには、めっき液貯槽３０２に戻るめっき液戻り管３１２が接続されている。これにより、めっき待機時にあっても、無電解めっき液を循環させることができるようになっている。

特に、この例では、めっき液供給ポンプ３０４を制御することで、めっき待機時及びめっき処理時に循環する無電解めっき液の流量を個別に設定できるようになっている。すなわち、めっき待機時の無電解めっき液の循環流量は、例えば２〜２０Ｌ／ｍｉｎで、めっき処理時の無電解めっき液の循環流量は、例えば０〜１０Ｌ／ｍｉｎに設定される。これにより、めっき待機時に無電解めっき液の大きな循環流量を確保して、セル内のめっき浴の液温を一定に維持し、めっき処理時には、無電解めっき液の循環流量を小さくして、より均一な膜厚の配線保護膜（めっき膜）を成膜することができる。

めっき槽２００の底部付近には、めっき槽２００の内部に導入される無電解めっき液の液温を測定して、この測定結果を元に、下記のヒータ３１６及び流量計３１８を制御する温度測定器２６６が設けられている。

この例では、別置きのヒータ３１６を使用して昇温させ、流量計３１８を通過させた水を熱媒体に使用し、熱交換器３２０をめっき液貯槽３０２内の無電解めっき液中に設置して該めっき液を間接的に加熱する加熱装置３２２と、めっき液貯槽３０２内の無電解めっき液を循環させて攪拌する攪拌ポンプ３２４が備えられている。これは、無電解めっきにあっては、無電解めっき液を高温（約８０℃程度）にして使用することがあり、これと対応するためであり、この方法によれば、インライン・ヒーティング方式に比べ、非常にデリケートな無電解めっき液に不要物等が混入するのを防止することができる。

この例によれば、無電解めっき液は、基板Ｗと接触してめっきを行うときに、基板Ｗの温度が７０〜９０℃となるように液温が設定され、液温のばらつき範囲が±２℃以内となるように制御される。

無電解めっきユニット３２には、めっき液貯槽３０２内の無電解めっき液を抽出するめっき液抽出部３３０と、この抽出された無電解めっきユニット３２が保有するめっき液の組成を、例えば吸光光度法、滴定法、電気化学的測定などで分析するめっき液組成分析部３３２が備えられている。このめっき液組成分析部３３２は、例えばコバルトイオン濃度をめっき液の吸光度分析、イオンクロマトグラフ分析、キャピラリー電気泳動分析またはキレート滴定分析により測定する。

無電解めっき液の液温は、高くなるほどめっき速度が速くなり、低すぎるとめっき反応が起こらないことから、一般的には６０〜９５℃で、６５〜８５℃であることが好ましく、７０〜７５℃であることがより好ましい。基本的には、めっきを実際に行っているか否かに関わらず、一度温度を上げたら下げないことが望ましく、５５℃以上にしておくことが望まれる。

図１８は、めっき槽２００の側方に付設されている乾燥槽２０２の詳細を示す。この乾燥槽２０２の底部には、純水等のリンス液を上方に向けて噴射する複数の噴射ノズル２８０がノズル板２８２に取付けられて配置され、このノズル板２８２は、ノズル上下軸２８４の上端に連結されている。更に、このノズル上下軸２８４は、ノズル位置調整用ねじ２８７と該ねじ２８７と螺合するナット２８８との螺合位置を変えることで上下動し、これによって、噴射ノズル２８０と該噴射ノズル２８０の上方に配置される基板Ｗとの距離を最適に調整できるようになっている。

この乾燥槽２０２にあっては、基板ヘッド２０４のヘッド部２３２で保持した基板Ｗを乾燥２０２内の所定の位置に配置し、例えば５００ｒｐｍ程度の比較的高速で回転させながら、噴射ノズル２８０から純水等のリンス液を噴射して、基板Ｗの表面に残っためっき液を純水等のリンス液に置換してリンスしながら、該リンス液を基板から除去して基板を乾燥させるためのものである。この時、ヘッドリンスノズル２８６から純水等のリンス液を同時に噴射して、基板ヘッド２０４のヘッド部２３２の、少なくとも無電解めっき液に接液する部分を該リンス液でリンスすることで、無電解めっき液に浸された部分に析出物が蓄積してしまうことを防止することができる。

このリンス液として、揮発性の高い液体と純水との混合液を使用しても良い。これにより、基板の表面に残っためっき液をリンス液で除去（置換）しながら、乾燥時間そのものをより短縮化することができる。また、リンス液として、Ｎ原子を含む環状有機化合物を添加した純水を使用しても良い。これにより、基板の表面に残っためっき液をリンス液で除去（置換）しながら、配線合金保護膜の表面を腐食から防止することができる。このN原子を含む環状有機化合物としては、例えばＢＴＡ（ベンゾトリアゾール）等の防食剤が挙げられる。

この無電解めっきユニット３２にあっては、基板ヘッド２０４を上昇させた位置で、前述のようにして、基板ヘッド２０４のヘッド部２３２で基板Ｗを吸着保持し、めっき槽２００の無電解めっき液を循環させておく。
そして、めっき処理を行うときには、めっき槽２００のめっき槽カバー２７０を開き、基板ヘッド２０４を回転させながら下降させ、ヘッド部２３２で保持した基板Ｗをめっき槽２００内の無電解めっき液に浸漬させる。

そして、基板Ｗを所定時間めっき液中に浸漬させた後、基板ヘッド２０４を上昇させて、基板Ｗをめっき槽２００内の無電解めっき液から引き上げ、必要に応じて、前述のように、基板Ｗに向けて噴射ノズル２６８から純水（停止液）を噴射して基板Ｗを直ちに冷却し、更に基板ヘッド２０４を上昇させて基板Ｗをめっき槽２００の上方位置まで引き上げて、基板ヘッド２０４の回転を停止させる。

次に、基板ヘッド２０４のヘッド部２３２で基板Ｗを吸着保持したまま、基板ヘッド２０４を乾燥槽２０２の直上方位置に移動させる。そして、基板ヘッド２０４を比較的高速で回転させながら乾燥槽２０２内の所定の位置まで下降させ、噴射ノズル２８０から純水、揮発性の高い液体と純水との混合液、またはＮ原子を含む環状有機化合物を添加した純水等のリンス液を噴射して基板Ｗをリンスしながら乾燥させる。同時に、ヘッドリンスノズル２８６から純水等のリンス液を噴射して、基板ヘッド２０４のヘッド部２３２の、少なくとも無電解めっき液に接液する部分を該リンス液でリンスする。

この基板Ｗの洗浄が終了した後、基板ヘッド２０４の回転を停止させ、基板ヘッド２０４を上昇させて基板Ｗを乾燥槽２０２の上方位置まで引き上げ、更に基板ヘッド２０４を第２基板搬送ロボット４２との受渡し位置まで移動させ、この第２基板搬送ロボット４２に基板Ｗを受渡して次工程に搬送する。

改質ユニット３６は、例えばアニール処理を行うアニールユニット、またはプラズマ処理を行うプラズマ処理ユニットからなる。改質ユニット３６として、例えば、平行平板のプラズマチャンバーを有し、Ｈ_２とＮ_２の混合ガスを使用してプラズマ処理を行うプラズマ処理ユニットを使用することで、配線保護膜の表面に金属の窒化物を形成して、基板を再度湿式処理する際に配線保護膜が処理液中へ溶解することを抑制することができる。

図１７は、後処理ユニット３４を示す。後処理ユニット３４は、基板Ｗ上のパーティクルや不要物をロール状ブラシで強制的に取り除くようにしたユニットで、基板Ｗの外周部を挟み込んで基板Ｗを保持する複数のローラ４１０と、ローラ４１０で保持した基板Ｗの表面に薬液（２系統）を供給する薬液用ノズル４１２と、基板Ｗの裏面に純水（１系統）を供給する純水用ノズル（図示せず）がそれぞれ備えられている。

これにより、基板Ｗをローラ４１０で保持し、ローラ駆動モータを駆動してローラ４１０を回転させて基板Ｗを回転させ、同時に薬液用ノズル４１２及び純水ノズルから基板Ｗの表裏面に所定の薬液を供給し、図示しない上下ロールスポンジ（ロール状ブラシ）で基板Ｗを上下から適度な圧力で挟み込んで洗浄する。なお、ロールスポンジを単独にて回転させることにより、洗浄効果を増大させることもできる。

更に、後処理ユニット３４は、基板Ｗのエッジ（外周部）に当接しながら回転するスポンジ４１９が備えられ、このスポンジ４１９を基板Ｗのエッジに当てて、ここをスクラブ洗浄するようになっている。

図１８は、乾燥ユニット３８を示す。この乾燥ユニット３８は、先ず化学洗浄及び純水洗浄を行い、しかる後、スピンドル回転により洗浄後の基板Ｗを完全乾燥させるようにしたユニットで、基板Ｗのエッジ部を把持するクランプ機構４２０を備えた基板ステージ４２２と、このクランプ機構４２０の開閉を行う基板着脱用昇降プレート４２４を有している。この基板ステージ４２２は、スピンドル回転用モータ４２６の駆動に伴って高速回転するスピンドル４２８の上端に連結されている。

更に、クランプ機構４２０で把持した基板Ｗの上面側に位置して、超音波発振器により特殊ノズルを通過する際に超音波を伝達して洗浄効果を高めた純水を供給するメガジェットノズル４３０と、回転可能なペンシル型洗浄スポンジ４３２が、旋回アーム４３４の自由端側に取付けられて配置されている。これにより、基板Ｗをクランプ機構４２０で把持して回転させ、旋回アーム４３４を旋回させながら、メガジェットノズル４３０から純水を洗浄スポンジ４３２に向けて供給しつつ、基板Ｗの表面に洗浄スポンジ４３２を擦り付けることで、基板Ｗの表面を洗浄する。なお、基板Ｗの裏面側にも、純水を供給する洗浄ノズル（図示せず）が備えられ、この洗浄ノズルから噴射される純水で基板Ｗの裏面も同時に洗浄される。
そして、このようにして洗浄した基板Ｗは、スピンドル４２８を高速回転させることでスピン乾燥させられる。

また、クランプ機構４２０で把持した基板Ｗの周囲を囲繞して処理液の飛散を防止する洗浄カップ４３６が備えられ、この洗浄カップ４３６は、洗浄カップ昇降用シリンダ４３８の作動に伴って昇降するようになっている。
また、乾燥ユニット内乾燥処理する際、被処理表面に不活性ガス、例えばＮ_２、Ａｒガスなどを供給することで、乾燥効率を向上させる。それと同時に、乾燥ユニットに不活性ガスの充満により、成膜した金属表面の酸化を最大限に抑える。
なお、この乾燥ユニット３８にキャビテーションを利用したキャビジェット機能も搭載するようにしてもよい。

次に、この基板処理装置による一連の基板処理（配線形成処理）について、図１９を参照して説明する。
先ず、表面に配線８を形成した基板Ｗを該基板Ｗの表面を上向き（フェースアップ）で収納してロード・アンロードユニット２２に搭載した基板カセットから、１枚の基板Ｗを第１基板搬送ロボット４０で取出し、第１前処理ユニット２８に搬送する。

この第１前処理ユニット２８では、この第１前処理ユニット２８の基板ホルダ５８で基板Ｗをフェースダウンで保持し、基板の表面に洗浄液（薬液）による第１前洗浄（第１めっき前処理）を行って、例えばＢＴＡ（ベンゾトリアゾール）などの有機化合物からなる防食剤を酸化分解させて基板の表面から除去する。つまり、図３に示すように、内槽１００ｂの上端開口部を覆う位置に処理ヘッド６０を位置させ、内槽１００ｂ内に配置したノズル板１１２の噴射ノズル１１２ａから第１処理液タンク１２０内の第１処理液を基板Ｗに向けて噴出する。この第１処理液として、例えば濃度が１０ｐｐｍ以上のオゾン水を用いる。ここで課題となるのが、銅等の配線自体にダメージを与えないことである。銅等の配線は非常に酸化（腐食）しやすいので、酸性液のオゾン水を使用することは好ましくなく、オゾン水自体はどちらかというとアルカリ性して用いることが好ましい。これにより、銅等を腐食させることなく、有機物を分解できる。また、超音波をかけてしまうとオゾンガスが抜けやすくなるので好ましくない。

第１前処理ユニット２８で、第１前洗浄を行った基板の表面を純水で洗浄（リンス）する。つまり、基板Ｗを保持した基板ホルダ５８を内槽１００ｂの上方まで上昇させ、内槽１００ｂの上部を蓋体１０２で覆った後、蓋体１０２に設けたノズル板１１２の噴射ノズル１１２ａから第２処理液を基板Ｗに向けて噴出する。この第２処理液として、好ましくは脱気させた純水を使用し、これによって、基板Ｗの表面を純水で洗浄（リンス）する。

次に、第１前洗浄後の基板Ｗを第２前処理ユニット３０に搬送し、この第２前処理ユニット３０の基板ホルダ５８で基板Ｗをフェースダウンで保持し、基板の表面に洗浄液（薬液）による第２前洗浄（第２めっき前処理）を行って、例えば配線表面に形成された酸化膜を基板の表面から除去する。つまり、図３に示すように、内槽１００ｂの上端開口部を覆う位置に処理ヘッド６０を位置させ、内槽１００ｂ内に配置したノズル板１１２の噴射ノズル１１２ａから第１処理液タンク１２０内の第１処理液を基板Ｗに向けて噴出する。この第１処理液として、配線材料の酸化物を除去できる有機酸溶液またはフッ素化合物を含む無機酸溶液を使用する。

第２前処理ユニット３０で、第２前洗浄を行った基板の表面を純水で洗浄（リンス）する。つまり、基板Ｗを保持した基板ホルダ５８を内槽１００ｂの上方まで上昇させ、内槽１００ｂの上部を蓋体１０２で覆った後、蓋体１０２に設けたノズル板１１２の噴射ノズル１１２ａから第２処理液を基板Ｗに向けて噴出する。この第２処理液として、好ましくは脱気させた純水を使用し、これによって、基板Ｗの表面を純水で洗浄（リンス）する。

次に、基板を無電解めっきユニット３２に搬送する。無電解めっきユニット３２では、基板Ｗをフェースダウンで保持した基板ヘッド２０４を下降させて、基板Ｗをめっき槽２００内の無電解めっき液に浸漬させ、これによって、配線８の表面に選択的な無電解めっき（無電解ＣｏＷＢＰ蓋めっき）を施す。

そして、所定時間経過後、基板Ｗをめっき液の液面から引き上げ、噴射ノズル２６８から基板Ｗに向けて純水等のめっき停止液を噴出し、これによって、基板Ｗの表面のめっき液を停止液に置換させて無電解めっきを停止させる。次に、基板Ｗを保持した基板ヘッド２０４を乾燥槽２０２内の所定の位置に位置させ、基板ヘッド２０４を、例えば５００ｒｐｍ程度の比較的高速で回転させながら、乾燥槽２０２内のノズル板２８２の噴射ノズル２８０から、純水、揮発性の高い液体と純水との混合液、またはＮ原子を含む環状有機化合物を添加した純水等のリンス液を噴射して基板Ｗの表面に残っためっき液をリンス液でリンス（置換）し、乾燥させる。同時にヘッドリンスノズル２８６から純水等のリンス液をヘッド部２３２に噴出してヘッド部２３２をリンスする。これによって、配線８の表面に、ＣｏＷＢＰ合金膜からなる配線保護膜９を選択的に形成して配線８を保護する。

ここで、めっき前処理終了後、直ちに、例えば１０秒以内に無電解めっきを行って配線８の露出表面に配線保護膜９を選択的に形成することが好ましい。このように、めっき前処理終了後、直ちに無電解めっきを行って配線８の露出表面に配線保護膜９を選択的に形成することで、蒸気となっためっき液に基板表面が接触してめっきが進行してしまうことを極力防止して、配線８の表面に無電解めっきによる配線保護膜９をより均一に形成することができる。

また、無電解めっき終了後、直ちに、例えば１０秒以内に基板を乾燥させることが好ましい。このように、無電解めっき終了後、基板を薬液（洗浄液）で洗浄することなく、直ちに乾燥させることにより、例えばコバルト合金またはニッケル合金からなる配線保護膜９が洗浄液等の処理液中へ溶解することを極力抑えて、配線８間にリーク電流が生じるリスクを低減させることができる。

次に、この乾燥後の基板を改質ユニット３６に搬送し、ここで、基板の表面に、アニール処理またはプラズマ処理等の改質処理を施して、配線保護膜９またはその表面を改質する。例えば、Ｈ_２とＮ_２の混合ガスを使用したプラズマ処理で配線保護膜９の表面に金属の窒化物を形成する。これによって、例えば洗浄液（薬液）を使用しためっき後処理（後洗浄）中に、配線保護膜９が洗浄液中に溶解することを抑制する。

この改質後、基板Ｗを後処理ユニット３４に搬送し、ここで、基板Ｗの表面に形成された配線保護膜９の選択性を向上させて歩留りを高めるためのめっき後処理（後洗浄）を施す。つまり、基板Ｗの表面に、例えばロールスクラブ洗浄やペンシル洗浄による物理的な力を加えつつ、めっき後処理液（薬液）を基板Ｗの表面に供給し、これにより、絶縁膜２上に残っている金属微粒子等のめっき残留物を完全に除去して、めっきの選択性を向上させる。この処理液としては、例えば、配線保護膜９に対するエッチングレートが１〜１０ｎｍ／ｍｉｎの範囲で調合されたエッチング力を持つ有機酸溶液またはフッ素化合物を含む無機酸溶液が使用される。これにより、配線間の絶縁膜上に残留する合金成分や不純物等を効率よく除去して、配線保護膜９の選択性を一層増強させることができる。

そして、このめっき後処理後の基板Ｗを乾燥ユニット３８に搬送し、ここで必要に応じてリンス処理を行い、しかる後、基板Ｗを高速で回転させてスピン乾燥させる。
このスピン乾燥後の基板Ｗを、第１基板搬送ロボット４０でロード・アンロードユニット２２に搭載された基板カセットに戻す。

これらの処理中に、第１前処理ユニット２８、第２前処理ユニット３０、無電解めっきユニット３２及び後処理ユニット３４を内部に配置した筺体２６内の酸素濃度を所定の値以下に調整する。これにより、前処理ユニット２８による基板の第１前洗浄（第１めっき前処理）、第２前処理ユニット３０による基板の第２前洗浄（第２めっき前処理）、無電解めっきユニット３２による配線保護膜９の形成及び基板の乾燥処理、及び後処理ユニット３４による基板の後洗浄（めっき後処理）を、酸素濃度を所定の値以下に調整した筺体２６内で行うことで、配線保護膜９を形成する一連の処理中での配線保護膜９の液中への溶解を更に抑制することができる。

上記の例では、配線８の表面に、触媒を付与することなく無電解めっきで成膜が可能なＣｏＷＢＰ合金膜からなる配線保護膜９を選択的に形成した例を示しているが、配線保護膜９として、ＣｏＷＰ、ＣｏＷＢ、ＣｏＰまたはＣｏＢ等の他のコバルト系合金、ＮｉＷＰ、ＮｉＷＢ、ＮｉＰまたはＮｉＢ等のニッケル系合金からなる膜を使用してもよい。例えば、配線保護膜９として、ＣｏＷＰ合金を使用した場合、無電解めっきに先立って、配線８の表面にＰｄ等の触媒を付与する必要があるが、この触媒付与処理は、例えば第２枚前処理ユニット３０における第１処理液として触媒付与処理液を使用することで、配線８の表面にＰｄ等の触媒を付与することができる。

これまで本発明の一実施例について説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されず、その技術的思想の範囲内において種々異なる形態にて実施されてよいことは言うまでもない。

無電解めっきによって配線を保護する配線保護膜を形成した状態を示す断面図である。 本発明の実施の形態の基板処理装置を示す平面配置図である。 図２に示す前処理ユニットの基板受渡し時における外槽を省略した正面図である。 図２に示す前処理ユニットの第１処理液による処理時における外槽を省略した正面図である。 図２に示す前処理ユニットの第２処理液による処理時における外槽を省略した正面図である。 図２に示す前処理ユニットの基板受渡し時における処理ヘッドを示す断面図である。 図６のＡ部拡大図である。 図２に示す前処理ユニットの基板固定時における図６相当図である。 図２に示す前処理ユニットの系統図である。 図２に示す無電解めっきユニットの基板受渡し時における基板ヘッドを示す断面図である。 図１０のＢ部拡大図である。 図２に示す無電解めっきユニットの基板固定時における基板ヘッドを示す図１１相当図である。 図２に示す無電解めっきユニットのめっき処理時における基板ヘッドを示す図１１相当図である。 図２に示す無電解めっきユニットのめっき槽カバーを閉じた時のめっき槽を示す一部切断の正面図である。 図２に示す無電解めっきユニットの乾燥槽を示す断面図である。 図２に示す無電解めっきユニットの系統図である。 図２に示す後処理ユニットの平面図である。 図２に示す乾燥ユニットの縦断正面図である。 図２に示す基板処理装置の基板処理（配線保護膜形成）例を示すフローチャートである。

符号の説明

４ 凹部
８ 配線
９ 配線保護膜
２０ 装置フレーム
２２ ロード・アンロードユニット
２４ 制御ユニット
２６ 筺体
２８，３０ 前処理ユニット
３２ 無電解めっきユニット
３４ 後処理ユニット
３６ 改質ユニット
３８ 乾燥ユニット
５８ 基板ホルダ
６０ 処理ヘッド
８４ シールリング
８６ 基板固定リング
９２ 蛇腹板
１００ 処理槽
１０２ 蓋体
１２０ 第１処理液タンク
１３２ 第２処理液供給源
２００ めっき槽
２０２ 乾燥槽
２０４ 基板ヘッド
２３０ ハウジング部
２３２ ヘッド部
２３４ 吸着ヘッド

Claims (10)

1. 絶縁膜の内部に表面を露出させた埋込み配線を形成し乾燥させた基板を用意し、
   基板の表面に薬液によるめっき前処理を行い、
   めっき前処理終了後、直ちに無電解めっきを行って前記配線の露出表面に配線保護膜を選択的に形成することを特徴とする基板処理方法。
2. めっき前処理終了後、無電解めっきを開始するまでの時間は、１０秒以内であることを特徴とする請求項１記載の基板処理方法。
3. 絶縁膜の内部に表面を露出させた埋込み配線を形成し乾燥させた基板を用意し、
   基板の表面に薬液によるめっき前処理を行い、
   めっき前処理後の基板の表面に無電解めっきを行って前記配線の露出表面に配線保護膜を選択的に形成し、
   無電解めっき終了後、直ちに基板を乾燥させることを特徴とする基板処理方法。
4. 無電解めっき終了後、基板の乾燥を開始するまでの時間は、１０秒以内であることを特徴とする請求項３記載の基板処理方法。
5. 基板の乾燥を、回転する基板に揮発性の高い液体と純水を供給して液成分を基板から除去する方法、及び回転する基板にＮ原子を含む環状有機化合物を添加した純水を供給して液成分を基板から除去する方法の少なくとも一つで行うことを特徴とする請求項３または４記載の基板処理方法。
6. 無電解めっき後に乾燥させた基板に改質処理を施して配線保護膜またはその表面を改質し、しかる後、
   基板のめっき後処理を行って基板を再度乾燥させることを特徴とする請求項３乃至５のいずれかに記載の基板処理方法。
7. 前記改質処理は、アニール処理またはプラズマ処理であることを特徴とする請求項６記載の基板処理方法。
8. 絶縁膜の内部に表面を露出させた埋込み配線を形成し乾燥させた基板の表面に薬液によるめっき前処理を行う前処理ユニットと、
   めっき前処理後の基板の表面に無電解めっきを行って前記配線の露出表面に配線保護膜を選択的に形成し、しかる後、基板を乾燥させる無電解めっきユニットを有することを特徴とする基板処理装置。
9. 前記前処理ユニットと前記無電解めっきユニットは、内部雰囲気が制御可能な筺体の内部に配置されていることを特徴とする請求項８記載の基板処理装置。
10. 配線保護膜またはその表面を改質する改質ユニットと、
    配線保護膜またはその表面を改質した基板のめっき後処理を行う後処理ユニットを更に有することを特徴とする請求項８または９記載の基板処理装置。