JP2008026281A

JP2008026281A - マイクロプローブ

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Publication number: JP2008026281A
Application number: JP2006202474A
Authority: JP
Inventors: Yoshiki Nishibayashi; 良樹西林; Natsuo Tatsumi; 夏生辰巳; Takahiro Imai; 貴浩今井
Original assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Current assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date: 2006-07-25
Filing date: 2006-07-25
Publication date: 2008-02-07

Abstract

【課題】先鋭な先端を有しており強度が向上されたマイクロプローブを提供すること。
【解決手段】基体４と、基体４上に設けられた中間層６と、中間層６上に設けられておりダイヤモンドから成る探針８とを備え、探針８は、中間層６に接続されている基端１０と尖鋭な先端１２とを有しており、探針８の先端径Ｄは、０．５μｍ以下であり、探針８の先端１２から所定位置にある探針８の断面の幅Ｌ２を先端１２からこの断面までの長さＬ１で割った第１アスペクト比Ｔ１は、０．３以上であり、探針８の基端１０の幅Ｌ４をこの探針８の先端１２から基端１０までの長さＬ３で割った第２アスペクト比Ｔ２は、０．３６以上である。
【選択図】図１

Description

本発明は、マイクロプローブに関する。

下記特許文献１に開示されたマイクロチップ（マイクロプローブ）は、比較的硬度の高いセラミックから成る中心部（本体）と、この本体表面を覆う硬質グラファイト等とを含む。下記特許文献２に開示されたマイクロプローブは、シリコン基板と、シリコン基板上に設けられたダイヤモンド探針とを有する。下記特許文献３に開示されたマイクロプローブは、シリコンから成るモールド表面にダイヤモンドを成長させることにより形成された探針を有する。
特開平０６−０１１３３５号公報特開平１０−２５９０９２号公報特開２００２−９８６２２号公報

特許文献１に記載のマイクロプローブの強度は、硬質グラファイトによりコーティングされているが、コーティングの材料の強度ではなく、プローブを形成する本体の強度に依存すると考えられる。このため、硬質ではない材料により形成されている本体の強度不足が懸念される。特許文献２に記載のマイクロプローブのダイヤモンド探針の先端は、ダイヤモンドの結晶形状に依存するので、結晶形状を用いた先端よりも先鋭な先端を形成するのが困難であり、微細領域に対する作業が困難である。特許文献３に記載のマイクロプローブの先端は、モールドを用いて形成されたダイヤモンドから成るが、このようなモールドを用いて先鋭な先端を形成するのは特殊な技術を要するので一般的には困難である。

そこで、本発明は、先鋭な先端を有しており強度が向上されたマイクロプローブの提供を目的とする。

本発明は、基体と、前記基体上に設けられた中間層と、前記中間層上に設けられておりダイヤモンドから成る一又は複数の探針とを備え、前記中間層は、金属材料又は樹脂材料から成り、前記探針は、先端と前記中間層に接続されている基端とを有しており、前記探針の先端径は、０．５μｍ以下であり、前記先端から該先端近傍の所定位置にある前記探針の断面の幅を該先端から該断面までの長さで割った第１アスペクト比は、０．３以上であり、前記基端の幅を前記先端から該基端までの長さで割った第２アスペクト比は、０．３６以上であることを特徴とする。更に、本発明において、前記先端は導電性を有しているのが好ましい。

また、本発明は、基体と、前記基体上に設けられた中間層と、前記中間層上に設けられておりダイヤモンドから成る探針とを備え、前記中間層は、金属材料又は樹脂材料から成り、前記探針は、前記中間層に接続されている基板領域と、該基板領域上に設けられた一又は複数の突起領域とを有し、前記突起領域の先端径は、０．５μｍ以下であり、前記突起領域の先端から該先端近傍の所定位置にある該突起領域の断面の幅を該先端から該断面までの長さで割った第１アスペクト比は、０．３以上０．７１以下であり、前記中間層に接続している前記基板領域の接続面の幅を前記突起領域の前記先端から該接続面までの長さで割った第２アスペクト比は、０．３６以上であることを特徴とする。更に、本発明において、前記先端は導電性を有しているのが好ましい。

また、本発明は、基体と、前記基体上に設けられたダイヤモンドから成る探針とを備え、前記探針は、前記基体に接続されている基板領域と、該基板領域上に設けられた一又は複数の突起領域とを有し、前記突起領域の先端径は、０．５μｍ以下であり、前記突起領域の先端から該先端近傍の所定位置にある該突起領域の断面の幅を該先端から該断面までの長さで割った第１アスペクト比は、０．７１以下であり、前記基体に接続している前記基板領域の接続面の幅を前記突起領域の前記先端から該接続面までの長さで割った第２アスペクト比は、１．１以上であることを特徴とする。更に、本発明において、前記先端は導電性を有しているのが好ましい。

また、本発明は、基体と、前記基体上に設けられたダイヤモンドから成る探針とを備え、前記探針は、前記基体に接続さている基板領域と、該基板領域上に設けられた一又は複数の突起領域とを有し、前記突起領域の先端径は、０．５μｍ以下であり、前記突起領域の先端から該先端近傍の所定位置にある該突起領域の断面の幅を該先端から該断面までの長さで割った第１アスペクト比は、０．３以上０．７１以下であり、前記基体に接続している前記基板領域の接続面の幅を前記突起領域の前記先端から該接続面までの長さで割った第２アスペクト比は、１．１以上であることを特徴とする。更に、本発明において、前記先端は導電性を有しているのが好ましい。

また、本発明は、基体と、前記基体上に設けられたダイヤモンドから成る探針とを備え、前記探針は、前記基体に接続されているメサ形状の基板領域と、該基板領域上に設けられた一又は複数の突起領域とを有し、前記突起領域の先端径は、０．５μｍ以下であり、前記突起領域の先端から該先端近傍の所定位置にある該突起領域の断面の幅を該先端から該断面までの長さで割った第１アスペクト比は、０．３以上であり、前記基体に接続している前記基板領域の接続面の幅を前記突起領域の前記先端から該接続面までの長さで割った第２アスペクト比は、１．１以上であることを特徴とする。更に、本発明において、前記先端は導電性を有しているのが好ましい。

このように、本発明者は、鋭意研究の結果、先端径が０．５μｍ以下であり、金属層又は樹脂材料層を有する場合には第１アスペクト比が０．３以上であるか又は０．３以上０．７１以下であり第２アスペクト比が０．３６以上の探針を用い、金属層及び樹脂材料層を有さない場合には第１アスペクト比が０．３以上であるか、０．７１以下であるか又は０．３以上０．７１以下であり第２アスペクト比が１．１以上の探針を用いた場合に、微細部分の作業に好適な先鋭性と高強度のマイクロプローブが実現できることを見出した。

従って、本発明によれば、先鋭な先端を有しており強度が向上されたマイクロプローブの提供が可能となる。

以下、図面を参照して、本発明に係る好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明においては同一要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する場合がある。図１（Ａ）は、実施形態に係るマイクロプローブ２の構成を示す断面図である。以下、図１（Ａ）に基づいてマイクロプローブ２の構成を説明する。マイクロプローブ２は、ＡＦＭ（Atomic Force Microscope）やＳＴＭ（Scanning Tunneling Microscope）等のように原子オーダーからミクロンサイズエリアにおける表面の凹凸、抵抗値若しくは硬度の分析用のプローブとして、又は、原子オーダーやミクロンオーダーの表面層に対する加工用のプローブとして用いられる。マイクロプローブ２は、基体４と、基体４上に設けられた中間層６と、中間層６上に設けられておりダイヤモンドから成る探針８とを備える。基体４は、ＡＦＭやＳＴＭ等において微細な動作をする部材であり、ダイヤモンドとは異なる例えばシリコンや、Ｃｕ又はＳｉＯ_２等の材料から成る。基体４の形状は細長い棒状であっても、薄い板状であってもよい。中間層６は基体４と探針８を接合するために設けられており、中間層６を設けない場合に比較して基体４と探針８との接合強度は大きい。中間層６は、金属材料又は樹脂材料によって成る。中間層６は、金属材料から成る場合、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆの何れかの金属材料から成るか、又は、このような金属材料から成る複数の膜が積層されて成る。探針８は、中間層６に接続された基端１０と、基端１０から軸Ｊ１に沿って離隔した尖鋭な先端１２とを有している。探針８の形状は、角錐又は円錐の何れでもよい。

先端１２の先端径は、０．５μｍ以下である。このような小さな先端径を用いれば、微細な部分を調べることができる。先端径とは、先端内に仮想的に設けられる球の直径に相当する。また、先端１２の近傍にあり軸Ｊ１を横切る探針８の断面の幅Ｌ２（１μｍであり、以下同様。）を、先端１２からこの断面までの長さＬ１で割った第１アスペクト比Ｔ１（Ｌ２／Ｌ１の値であり、以下同様。）は、０．３以上であり、基端１０の幅Ｌ４を、基端１０と先端１２とを結ぶ線分（軸Ｊ１に含まれる線分）の長さＬ３で割った第２アスペクト比Ｔ２（Ｌ４／Ｌ３の値であり、以下同様。）は、０．３６以上である。なお、中間層６を用いずに接着剤（樹脂系の接着剤、はんだ等であり、以下同様。）を用いることも可能である。また、先端１２は、Ｂ（ボロン）又はＰ（リン）がドープされていてもよく、この場合、先端１２は導電性を有する。

なお、本発明に係る実施形態は、図１（Ｂ）に示すマイクロプローブ１４であってもよい。以下、図１（Ｂ）に基づいてマイクロプローブ１４の構成を説明する。マイクロプローブ１４は、探針１６を除けばマイクロプローブ２と同様の構成を有する。マイクロプローブ１４は、基体４と、基体４上に設けられた中間層６と、中間層６上に設けられておりダイヤモンドから成る探針１６とを備える。探針１６は、中間層６に接続されている基板領域１８と、基板領域１８上に設けられた突起２０とを有している。基板領域１８と突起２０とは一体に構成されていてもよいし、個別に形成された後に接合されていてもよい。探針１６は、基端２２と先端２４とを有している。基端２２は、探針１６と中間層６との接続面であり、先端２４は、突起２０の先端に相当している。先端２４の先端径Ｄは、０．５μｍ以下である。先端２４の近傍にあり軸Ｊ１を横切る突起２０の断面の幅Ｌ２を、先端２４からこの断面までの長さＬ１で割った第１アスペクト比Ｔ１は、０．３以上０．７１以下であり、基端２２の幅Ｌ４を、先端２４と基端２２とを結ぶ所定線分（軸Ｊ１に含まれる線分）の長さＬ３で割った第２アスペクト比Ｔ２は、０．３６以上である。なお、中間層６を用いずに樹脂などの接着剤を用いることも可能である。この場合、第１アスペクト比Ｔ１が０．７１以下であり第２アスペクト比Ｔ２が１．１以上であるか、又は、第１アスペクト比Ｔ１が０．３以上０．７１以下であり第２アスペクト比Ｔ２が１．１以上である。また、先端２４は、Ｂ（ボロン）又はＰ（リン）がドープされていてもよく、この場合、先端２４は導電性を有する。

また、本発明に係る実施形態は、図２（Ａ）に示すマイクロプローブ２６であってもよい。以下、図２（Ａ）に基づいてマイクロプローブ２６の構成を説明する。マイクロプローブ２６は、探針２８を除けばマイクロプローブ２と同様の構成を有する。探針２８は、突起３０と基板領域３２とから成り、基板領域３２上に突起３０が形成されている。突起３０と基板領域３２とは一体に構成されている。探針２８の先端３４は突起３０の先端に相当し、探針２８の基端３６は基板領域３２の底面に相当する。突起３０と基板領域３２との接合面は基板領域３２の底面（基端３６）よりも小さい。

先端３４の先端径は、０．５μｍ以下である。また、先端３４の近傍にあり軸Ｊ１を横切る探針２８（突起３０）の断面の幅Ｌ２を、先端３４からこの断面までの長さＬ１で割った第１アスペクト比Ｔ１は、０．３以上０．７１以下であり、基端３６の幅Ｌ４を、基端３６と先端３４とを結ぶ線分（軸Ｊ１に含まれる線分）の長さＬ３で割った第２アスペクト比Ｔ２は、０．３６以上である。なお、中間層６を用いずに樹脂などの接着剤を用いることも可能である。この場合、第１アスペクト比Ｔ１が０．７１以下であり第２アスペクト比Ｔ２が１．１以上であるか、又は、第１アスペクト比Ｔ１が０．３以上０．７１以下であり第２アスペクト比Ｔ２が１．１以上である。また、先端３４は、Ｂ（ボロン）又はＰ（リン）がドープされていてもよく、この場合、先端３４は導電性を有する。

また、本発明に係る実施形態は、図２（Ｂ）に示すマイクロプローブ３８であってもよい。以下、図２（Ｂ）に基づいてマイクロプローブ３８の構成を説明する。マイクロプローブ３８は、基体４０を除けばマイクロプローブ２と同様の構成を有する。基体４０は、第１基体領域４２と第２基体領域４４とを有しており、基体４と同様の機能を有する。第２基体領域４４上には第１基体領域４２が設けられており、第１基体領域４２上には中間層６が設けられており、中間層６上には探針８が設けられている。第１基体領域４２は例えばシリコンから成る。

先端１２の先端径は、０．５μｍ以下である。また、先端１２の近傍にあり軸Ｊ１を横切る探針８の断面の幅Ｌ２を、先端１２からこの断面までの長さＬ１で割った第１アスペクト比Ｔ１は、０．３以上０．７１以下であり、基端１０の幅Ｌ４を、基端１０と先端１２とを結ぶ線分（軸Ｊ１に含まれる線分）の長さＬ３で割った第２アスペクト比Ｔ２は、０．３６以上である。なお、中間層６を用いずに樹脂などの接着剤を用いることも可能である。この場合、第１アスペクト比Ｔ１が０．７１以下であり第２アスペクト比Ｔ２が１．１以上であるか、又は、第１アスペクト比Ｔ１が０．３以上０．７１以下であり第２アスペクト比Ｔ２が１．１以上である。また、先端１２は、Ｂ（ボロン）又はＰ（リン）がドープされていてもよく、この場合、先端１２は導電性を有する。

また、本発明に係る実施形態は、図３（Ａ）に示すマイクロプローブ４６であってもよい。以下、図３（Ａ）に基づいてマイクロプローブ４６の構成を説明する。マイクロプローブ４６は、基体４８と、基体４８上に設けられておりダイヤモンドから成る探針５０とを備える。探針５０は、基体４８に接続されている基端５２と、基端５２から軸Ｊ１に沿って離隔した尖鋭な先端５４とを有している。探針５０は、基体４８に接続されているメサ状の基板領域５６と、基板領域５６上に設けられた突起５８とを有する。基板領域５６の表面（基端５２とは反対側にある表面）には突起５８を境に段差が設けられている。この段差は突起５８の周囲にわたって同じ高さであってもよいし（基板領域５６の表面のうち突起５８の左右で若干高さが異なり段差が生じているが、この段差は大きなものであってもよいし、段差がほとんど無くてもよい。）、突起５８の左右前後で異なる高さであってもよい。この段差の違いは後述するマイクロプローブの製造方法（図９を参照）に由来しており、図９に示すピラミッド形状の突起１５０の四つの側面の各々がエッチングされることにより形成される。基体４８は、第１基体領域６０と第２基体領域６２とを有しており、基体４と同様の機能を有する。第２基体領域６２上には第１基体領域６０が設けられており、第１基体領域６０上には探針５０が設けられている。第１基体領域６０は例えばＩｒやＰｔ等の金属から成る。探針５０はダイヤモンドの結晶成長により形成される形状を用いるのが好ましい。すなわち、ダイヤモンドは結晶成長させると正六面体、正八面体又は六八面体の何れかの形状を成すことが知られているが、この形状の頂点を先端５４とし、この先端５４近傍をＦＩＢ（Focused Ion Beam）等を用いて加工することにより図３（Ａ）に示す探針５０の形状が形成可能である。

先端５４の先端径は、０．５μｍ以下である。また、先端５４の近傍にあり軸Ｊ１を横切る探針５０（突起５８）の断面の幅Ｌ２を、先端５４からこの断面までの長さＬ１で割った第１アスペクト比Ｔ１は、０．３以上である。基端５２の幅Ｌ４を、基端５２と先端５４とを結ぶ線分（軸Ｊ１に含まれる線分）の長さＬ３で割った第２アスペクト比Ｔ２は、１．１以上が好ましいが、ダイヤモンド結晶の正六面体、正八面体、六八面体などの頂点を先端５４に利用できるので、正八面体の場合の０．７から正六面体の場合の２までが有効である。なお、先端５４は、Ｂ（ボロン）又はＰ（リン）がドープされていてもよく、この場合、先端５４は導電性を有する。

また、本発明に係る実施形態は、図３（Ｂ）に示すマイクロプローブ６４であってもよい。以下、図３（Ｂ）に基づいてマイクロプローブ６４の構成を説明する。マイクロプローブ６４は、基体４８と、基体４８上に設けられておりダイヤモンドから成る探針６６とを備える。探針６６は、基体４８に接続されている基端６８と、基端６８から軸Ｊ１に沿って離隔した尖鋭な先端７０とを有している。探針６６は、基体４８に接続されているメサ状の基板領域７２と、基板領域７２上に設けられた突起７４とを有する。基板領域７２から突出している突起７４の稜線は基板領域７２の表面に対して略直角になっていてもよい。また、突起７４は、基板領域７２の表面から緩やかにカーブしつつ突出した形状であってもよく、この場合、突起７４の強度は向上される。また、後述のマイクロプローブの製造方法の説明において言及するが、突起７４は、基板領域７２の表面から部分的に又は全体的に緩やかなカーブを描きつつ突出している形状であってもよい。

先端７０の先端径は、０．５μｍ以下である。また、先端７０の近傍にあり軸Ｊ１を横切る探針６６（突起７４）の断面の幅Ｌ２を、先端７０からこの断面までの長さＬ１で割った第１アスペクト比Ｔ１は、０．３以上である。基端６８の幅Ｌ４を、基端６８と先端７０とを結ぶ線分（軸Ｊ１に含まれる線分）の長さＬ３で割った第２アスペクト比Ｔ２は、１．１以上が好ましいが、ダイヤモンド結晶の正六面体、正八面体、六八面体などの頂点を先端５４に利用できるので、正八面体の場合の０．７から正六面体の場合の２までが有効である。なお、先端７０は、Ｂ（ボロン）又はＰ（リン）がドープされていてもよく、この場合、先端７０は導電性を有する。

また、本発明に係る実施形態は、図３（Ｃ）に示すマイクロプローブ７６であってもよい。以下、図３（Ｃ）に基づいてマイクロプローブ７６の構成を説明する。マイクロプローブ７６は、基体４と、基体４上に設けられた中間層６と、中間層６上に設けられておりダイヤモンドから成る探針７８とを備える。探針７８は、中間層６に接続されたメサ形状の基板領域８０と、基板領域８０上に設けられた複数（実施形態では四つ）の突起８２とを有している。基板領域８０と突起８２とは一体に構成されていてもよいし、個別に形成された後に接合されていてもよい。基板領域８０は、中間層６に接続している接続面８４（探針７８の基端）と、接続面８４の反対側に位置する表面８６とを有する。突起８２は、先端８８から表面８６に延びる導電部９０を有する。導電部９０は、突起８２毎に設けられており、相互に電気的に絶縁されている。先端８８の先端径Ｄは、０．５μｍ以下である。先端８８の近傍にあり軸Ｊ１を横切る突起８２の断面の幅Ｌ２を、先端８８からこの断面までの長さＬ１で割った第１アスペクト比Ｔ１は、０．３以上０．７１以下であり、中間層６に接続している基板領域８０の接続面８４の幅Ｌ４を、突起８２の先端８８と接続面８４とを結ぶ所定線分（軸Ｊ１に含まれる線分）の長さＬ３で割った第２アスペクト比Ｔ２は、ダイヤモンド結晶の正六面体、正八面体、六八面体などの頂点を先端８８に利用できるので、正八面体の場合の０．７から正六面体の場合の２までが有効である。

なお、中間層６を用いずに樹脂などの接着剤を用いることも可能である。この場合、第１アスペクト比Ｔ１は、０．３以上である。基端５２の幅Ｌ４を、基端５２と先端５４とを結ぶ線分（軸Ｊ１に含まれる線分）の長さＬ３で割った第２アスペクト比Ｔ２は、１．１以上が好ましいが、ダイヤモンド結晶の正六面体、正八面体、六八面体などの頂点を先端５４に利用できるので、正八面体の場合の０．７から正六面体の場合の２までが有効である。また、先端８８は、Ｂ（ボロン）又はＰ（リン）がドープされていてもよく、この場合、先端８８は導電性を有する。

また、本発明に係る実施形態は、図４（Ａ）及び図４（Ｂ）に示すマイクロプローブ９２であってもよい。図４（Ａ）は平面図であり、図４（Ｂ）は側面図である。マイクロプローブ９２は、ビッカース硬度評価用のマイクロプローブである。マイクロプローブ９２は、基体４と、基体４上に設けられた中間層６と、中間層６上に設けられておりダイヤモンドから成る二つの探針８とを備える。なお、中間層６を用いずに樹脂などの接着剤を用いることも可能である。

また、本発明に係る実施形態は、図４（Ｃ）及び図４（Ｄ）に示すマイクロプローブ９４であってもよい。図４（Ｃ）は平面図であり、図４（Ｄ）は側面図である。以下、図４（Ｃ）及び図４（Ｄ）に基づいてマイクロプローブ９４の構成を説明する。マイクロプローブ９４は、四端子測定用のマイクロプローブである。マイクロプローブ９４は、基体４と、基体４上に設けられた中間層６と、中間層６上に設けられておりダイヤモンドから成る探針９６とを備える。探針９６は、中間層６に接続している基板領域９８と、基板領域９８上に設けられた導電性の四つの突起１００とを有しており、四つの突起１００は、相互に絶縁されている。基板領域９８と四つの突起１００とは一体に構成されていてもよいし、個別に形成された後に接合されていてもよい。基板領域９８は、中間層６に接続している接続面１０２（探針９６の基端）と、接続面１０２の反対側に位置する表面１０４とを有する。表面１０４には、四つの導電部１０６が形成されている。各導電部１０６は、突起１００の各々に電気的に接続されているが、相互に電気的に絶縁されている。

また、各導電部１０６は、導電ワイヤ１０７に電気的に接続されている。突起１００は、Ｂ（ボロン）又はＰ（リン）がドープされたダイヤモンドであり、導電部１０６は、Ｂドープ等されたダイヤモンド領域か又は金属膜である。導電部１０６のドーピング濃度は高濃度であるほど低抵抗となり望ましい。先端１０８の先端径Ｄは、０．５μｍ以下である。先端１０８の近傍にあり軸Ｊ１を横切る突起１００の断面の幅Ｌ２を、先端１０８からこの断面までの長さＬ１で割った第１アスペクト比Ｔ１は、０．３以上０．７１以下であり、中間層６に接続している基板領域９８の接続面１０２の幅Ｌ４を、突起１００の先端１０８と接続面１０２とを結ぶ所定線分（軸Ｊ１に含まれる線分）の長さＬ３で割った第２アスペクト比Ｔ２は、０．３６以上０．５２以下である。なお、中間層６を用いずに樹脂などの接着剤を用いることも可能である。

次に、図５を参照して、実施形態に係るマイクロプローブの製造方法を説明する。図５に示す製造方法によってマイクロプローブ３８が製造される。まず、シリコン層１１０と、シリコン層１１０上に設けられたダイヤモンド層１１２とを用意する（図５（Ａ））。ダイヤモンド層１１２は研磨済みダイヤモンドである。この後、フォトリソグラフによってダイヤモンド層１１２上に等間隔（ドットサイズ径が１μｍ〜４μｍ程度）にマスク１１４を設ける（図５（Ｂ））。マスク１１４は、例えばＳｉＯ_２から成り、１μｍ〜２μｍ程度の厚みを有する。マスク１１４は、ＣＦ_４系のガスを用いたドライエッチングにより形成される。この後、ダイヤモンド層１１２を、ＣＦ_４／Ｏ_２系ガスを用いてＲＩＥ（Reactive Ion Etching）によりエッチングし、凸部１１６を形成する（図５（Ｃ））。凸部１１６は、探針８に対応する。この後、凸部１１６を保護するレジスト１１８（例えばアルコールで除去可能な樹脂等）をシリコン層１１０上に形成し、このレジスト１１８上に支持板１２０を設ける（図５（Ｄ））。この後、シリコン層１１０をレジスト１１８上から除去した後、このレジスト１１８上に中間層１２２を設ける（図５（Ｅ））。

この中間層１２２は、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ等の何れかの金属材料によって成るか、又は、このような金属材料から成る複数の膜が積層されて成るのが好ましい。この後、中間層１２２上にシリコン層１２４を設けた後、このシリコン層１２４に対し凸部１１６の周囲に溝１２６を凸部１１６毎に設ける（図５（Ｆ））。この後、シリコン層１２４上に基体１２８を、接着剤（樹脂系の接着剤、はんだ等であり、以下同様。）を用いて貼り付ける（図５（Ｇ））。基体１２８は、平面視で凸部１１６に重なるようにシリコン層１２４に貼り付けられる。複数の基体１２８を一括してシリコン層１２４に貼り付けてもよいし、基体１２８を一つずつ貼り付けてもよい。この後、ダイシング処理を行う等した後にレジスト１１８を除去すると、マイクロプローブ３８が得られる（図５（Ｈ））。また、シリコン層１２４を設けずにＮｉやＡｕ等の金属を中間層１２２に蒸着してもよいし、メッキしてもよい。この場合、凸部１１６（突起）の配置に合わせてパターニングしておけば、後にダイシングを行う必要が無くなり、効率的である。なお、シリコン層１２４や、Ｎｉ又はＡｕ等の蒸着やメッキにより形成された層を設けずに、基体１２８を中間層１２２上に直接貼り付けてもよい。この場合、マイクロプローブ２やマイクロプローブ２６が得られる。なお、中間層１２２を用いずに樹脂などの接着剤を用いることも可能である。

次に、図６を参照して、実施形態に係るマイクロプローブの他の製造方法を説明する。図６に示す製造方法によって、マイクロプローブ１４が製造される。まず、シリコン層１１０と、シリコン層１１０上に設けられたダイヤモンド層１１２とを用意する（図６（Ａ））。ダイヤモンド層１１２は研磨済みダイヤモンドである。この後、フォトリソグラフによってダイヤモンド層１１２上に等間隔（ドットサイズ径が３μｍ程度）にマスク１１４を設ける（図６（Ｂ））。この後、ダイヤモンド層１１２を、ＣＦ_４／Ｏ_２系ガスを用いてＲＩＥによりエッチングし、ダイヤモンド層１３０を形成する（図６（Ｃ））。ダイヤモンド層１３０は、表面に突起１３２が形成されている。突起１３２の位置は、マスク１１４が設けられていた箇所に対応する。この後、個々の突起１３２を覆うように、突起１３２毎にマスク１３４（例えば、ＳｉＯ_２やＡｌ等の材料を用いる。）を設ける（図６（Ｄ））。マスク１３４は、酸性溶液やアルカリ性溶液などを用いたウェットエッチング、又はＣF_４系（ＳｉＯ_２に対して）やＣｌ_２系（Ａｌに対して）のガスを用いたドライエッチングにより形成される。

この後、ダイヤモンド層１３０を、ＣＦ_４／Ｏ_２系ガスを用いてＲＩＥによりエッチングし、凸部１３６を形成する（図６（Ｅ））。凸部１３６は、突起２０と基板領域１８とを有するマイクロプローブ１４の探針１６に対応する。この後、凸部１３６を保護するレジスト１１８をシリコン層１１０上に形成する（図６（Ｆ））。この後、シリコン層１１０をレジスト１１８上から除去した後に、このレジスト１１８上に中間層１２２を設ける（図６（Ｇ））。この後、中間層１２２上に基体１２８を、樹脂などの接着剤を用いて貼り付ける（図６（Ｈ））。複数の基体１２８を一括して中間層１２２に貼り付けてもよいし、基体１２８を一つずつ貼り付けてもよい。この後、ダイシング処理を行う等した後にレジスト１１８を除去すると、マイクロプローブ１４が得られる（図６（Ｉ））。なお、中間層１２２を用いずに樹脂などの接着剤を用いることも可能である。

次に、図７を参照して、実施形態に係るマイクロプローブの他の製造方法を説明する。図７に示す製造方法によって、マイクロプローブ１４が製造される。まず、シリコン層１１０と、シリコン層１１０上に設けられたダイヤモンド層１１２とを用意する（図７（Ａ））。ダイヤモンド層１１２は研磨済みダイヤモンドである。この後、フォトリソグラフによってダイヤモンド層１１２上に等間隔（ドットサイズ径が１μｍ〜４μｍ程度）にマスク１１４を設け、その後、個々のマスク１１４を覆うように、マスク１１４毎にマスク１３８を設ける（例えば、ＳｉＯ_２或いはＡｌ等の材料を用いる。）（図７（Ｂ））。マスク１３８は、酸性溶液やアルカリ性溶液などを用いたウェットエッチング、又はＣＦ_４系（ＳｉＯ_２に対して）やＣｌ_２系（Ａｌに対して）のガスを用いたドライエッチングにより形成される。この後、ダイヤモンド層１１２を、ＣＦ_４／Ｏ_２系ガスを用いてＲＩＥによりエッチングし、ダイヤモンド領域１４０を形成する（図７（Ｃ））。この後、マスク１３８を除去した後に（図７（Ｄ））、ダイヤモンド領域１４０を、ＣＦ_４／Ｏ_２系ガスを用いてＲＩＥによりエッチングし、凸部１３６を形成する（図７（Ｅ））。この後、凸部１３６を保護するレジスト１１８をシリコン層１１０上に形成する（図７（Ｆ））。

この後、シリコン層１１０をレジスト１１８上から除去した後に、このレジスト１１８上に中間層１２２を設ける（図７（Ｇ））。この後、中間層１２２上に基体１２８を、樹脂などの接着剤を用いて貼り付ける（図７（Ｈ））。複数の基体１２８を一括して中間層１２２に貼り付けてもよいし、基体１２８を一つずつ貼り付けてもよい。この後、ダイシング処理を行う等した後にレジスト１１８を除去すると、マイクロプローブ１４が得られる（図７（Ｉ））。なお、中間層１２２を用いずに樹脂などの接着剤を用いることも可能である。また、図７（Ｇ）に示す工程においてシリコン層１１０をレジスト１１８上から除去せずにダイシングにより凸部１３６を含む領域を切り出して使用することも可能である（図５（Ｆ）〜図５（Ｈ）に示す各工程を参照。）。この場合、凸部１３６と基体１２８との間に中間層１２２は存在しないが、凸部１３６と基体１２８との接合面を比較的大きく確保できるので、凸部１３６の突起の細さを維持しつつ、凸部１３６の突起の強度を十分に保つことができる。更に、製造工程を短くできるので効率的である。

次に、図８を参照して、実施形態に係るマイクロプローブの他の製造方法を説明する。図８に示す製造方法によって、マイクロプローブ１４が製造される。まず、ダイヤモンド層１１２を用意する。ダイヤモンド層１１２は研磨済みダイヤモンドである。この後、フォトリソグラフによってダイヤモンド層１１２上に等間隔（ドットサイズ径が１μｍ〜４μｍ程度）にマスク１１４を設け、その後、個々のマスク１１４を覆うように、マスク１１４毎にマスク１３８を設ける（図８（Ｂ））。この後、ダイヤモンド層１１２を、ＣＦ_４／Ｏ_２系ガスを用いてＲＩＥによりエッチングし、ダイヤモンド領域１４０を形成する（図８（Ｃ））。ダイヤモンド領域１４０の位置は、マスク１３８が設けられていた箇所に対応する。この後、マスク１３８を除去した後に（図８（Ｄ））、ダイヤモンド領域１４０を、ＣＦ_４／Ｏ_２系ガスを用いてＲＩＥによりエッチングし、凸部１３６を形成する（図８（Ｅ））。この後、凸部１３６を覆うように、ダイヤモンド層１４２上にレジスト１１８を形成し、このレジスト１１８上に支持板１２０を形成する（図８（Ｆ））。この後、ダイヤモンド層１４２を、ＣＦ_４／Ｏ_２系ガスを用いてダイヤモンド層１１２をＲＩＥによりエッチングして凸部１３６を残し、この凸部１３６の底面を含むレジスト１１８上に中間層１２２を設ける（図８（Ｇ））。

この後、中間層１２２上に基体１２８を、樹脂などの接着剤を用いて貼り付ける（図８（Ｈ））。複数の基体１２８を一括して中間層１２２に貼り付けてもよいし、基体１２８を一つずつ貼り付けてもよい。この後、ダイシング処理を行う等した後にレジスト１１８を除去すると、マイクロプローブ１４が得られる（図８（Ｉ））。なお、中間層１２２を用いずに、樹脂などの接着剤を用いることも可能である。また、図８（Ｇ）に示す工程においてダイヤモンド層１４２を除去せずに、レーザー加工により凸部１３６を含む領域を切り出して使用することも可能である。この場合、凸部１３６と基体１２８との間に中間層１２２は存在しないが、凸部１３６と基体とが一体に形成されているので、凸部１３６の突起の細さを維持しつつ、凸部１３６の突起の強度も十分に保つことができる。更に、製造工程を短くできるので効率的である。

次に、図９を参照して、実施形態に係るマイクロプローブの他の製造方法を説明する。図９に示す製造方法によって、マイクロプローブ４６（又はマイクロプローブ６４）が製造される。まず、例えばＩｒやＰｔ等の基板１４４を用意し、基板１４４の表面１４６に以下のような処理（以下、ダイヤモンド種付け処理という。）を施す（図９（Ａ））。このダイヤモンド種付け処理とは、ダイヤモンドを基板１４４の表面１４６に所定の配向に成長させるための処理である。例えば、ダイヤモンド粉末を表面１４６に擦りつける、ダイヤモンドの粉末で表面１４６に傷を付ける、或いは、ダイヤモンドの粉末を表面１４６に付着させる等、表面１４６においてダイヤモンドを成長させるための処理や、又は、水素ガス又はメタンガスのプラズマ中において表面１４６に正バイアスを印加する等、ダイヤモンドを所定の配向に成長させるための処理等を意味する。この後、マスク１４８を表面１４６上に設ける（図９（Ｂ））。そして、表面１４６のうち、マスク１４８によって覆われていない領域に対して、上記のダイヤモンド種付け処理の効果を打ち消す処理を施す（図９（Ｃ））。

この後、マスク１４８を除去した後に、マスク１４８により覆われていた領域において成長パラメータ制御によりダイヤモンドを成長させることにより、基板１４４上に突起１５０を形成する（図９（Ｄ））。この場合、（１００）方向に速く成長する条件の下では正八面体の頂点を有するピラミッド形状にダイヤモンドが成長し、（１１１）方向に速く成長する条件の下では正六面体の頂点を有するピラミッド形状にダイヤモンドが成長し、（１１０）方向に速く成長する条件の下では六八面体の頂点を有するピラミッド形状にダイヤモンドが成長する。この後、基板１４４の表面（突起１５０が形成されている面）に対して溝１５２を設ける。溝１５２は、突起１５０の周囲に突起１５０毎に設けられる。そして、ＦＩＢにより突起１５０をエッチングして探針５０（又は探針６６）を形成する（図９（Ｅ））。この後、探針５０を覆うようにして、基板１４４上にレジスト１１８を設ける（図９（Ｆ））。この後、溝１５２が露出するまで基板１４４をエッチングする（図９（Ｇ））。このエッチングにより基板１４４は基板１５４となる。この後、基板１５４に基体１２８を、樹脂などの接着剤を用いて貼り付ける（図９（Ｈ））。基体１２８は、平面視で探針５０に重なるように基板１５４に貼り付けられる。複数の基体１２８を一括して基板１５４に貼り付けてもよいし、基体１２８を一つずつ貼り付けてもよい。この後、レジスト１１８を除去すると、マイクロプローブ４６（又はマイクロプローブ６４）が得られる（図９（Ｉ））。なお、ＦＩＢを用いて先端を加工する工程は、図９（Ｅ）に示す工程ではなく、図９（Ｉ）に示す工程の後に行うこともできる。

次に、図１０を参照して、実施形態に係るマイクロプローブの製造方法を説明する。図１０に示す製造方法によって、マイクロプローブ７６の探針７８が製造される。まず、四角錐（ピラミッド型）形状のダイヤモンド部材１５６を用意する（図１０（Ａ））。この後、ダイヤモンド部材１５６の四つの側面に対しＦＩＢを用いてエッチングし、突起１５８を形成する（図１０（Ｂ）〜図１０（Ｄ））。突起１５８は、メサ形状の基板領域８０の略中央に突出している。この後、突起１５８に対し、ＦＩＢを用いてエッチングし、四つの突起１００を形成する（図１０（Ｅ）及び図１０（Ｆ））。そして、導電部９０の形成が予定されている領域以外をマスクで覆い、その後、水素プラズマ処理を施す。ＦＩＢが施された表面には導電層が形成されるが、水素プラズマ処理により、マスクで覆われた領域を除いて導電層が除去され、マスクで覆われた領域のみに導電層が残る。従って、この後マスクを除去すると、導電部９０が形成されている（図１０（Ｇ））。なお、図１０（Ｇ）に示すＩ−Ｉ線に沿ってとられた探針７８の断面を図１０（Ｈ）に示す。

次に、図１１を参照して、他のマイクロプローブの製造方法を説明する。図１１に示す製造方法によって、マイクロプローブ１６０が製造される。このマイクロプローブ１６０は、中間層を介さずに探針１６が基体４０に接続されている。この接続界面に中間層は存在しないが、図１（Ｂ）に示す幅Ｌ２及び幅Ｌ８に比較して大きな幅Ｌ４（図１参照）が得られるので、探針１６が基体４から外れるおそれは極めて低い。まず、シリコン層１１０と、シリコン層１１０上に設けられたダイヤモンド層１１２とを用意する（図１１（Ａ））。ダイヤモンド層１１２は研磨済みダイヤモンドである。この後、フォトリソグラフによってダイヤモンド層１１２上に等間隔（ドットサイズ径が３μｍ程度）にマスク１１４を設ける（図１１（Ｂ））。この後、ＣＦ_４／Ｏ_２系ガスを用いてダイヤモンド層１１２をＲＩＥによりエッチングし、ダイヤモンド層１３０を形成する（図１１（Ｃ））。ダイヤモンド層１３０は、表面に突起１３２が形成されている。突起１３２の位置は、マスク１１４が設けられていた箇所に対応する。この後、個々の突起１３２を覆うように、突起１３２毎にマスク１３４を設ける（図１１（Ｄ））。この後、ダイヤモンド層１３０を、ＣＦ_４／Ｏ_２系ガスを用いてＲＩＥによりエッチングし、凸部１３６を形成する（図１１（Ｅ））。凸部１３６は、探針１６に対応する。

この後、シリコン層１１０の表面（凸部１３６が設けられている面）に対し、フォトリソグラフを用いて凸部１３６の周囲に溝１２６を凸部１３６毎に設ける（図１１（Ｆ））。この後、凸部１３６を保護するレジスト１１８をシリコン層１１０上に形成し、そして、シリコン層１１０を溝１２６が露出するまで裏面よりエッチングする（図１１（Ｇ））。このエッチングによりシリコン層１１０がシリコン層１２４となる。この後、シリコン層１２４上に基体１２８を、樹脂などの接着剤を用いて貼り付ける（図１１（Ｈ））。基体１２８は、平面視で凸部１３６に重なるようにシリコン層１２４に貼り付けられる。複数の基体１２８を一括してシリコン層１２４に貼り付けてもよいし、基体１２８を一つずつ貼り付けてもよい。この後、レジスト１１８を除去すると、マイクロプローブ１６０が得られる（図１１（Ｉ））。なお、シリコン層１１０に厚く溝を形成すれば、図１１（Ｈ）に示す工程において基体１２８を取り付けなくとも、凸部１３６を含む領域（マイクロプローブ１６０）を取り出すことができる。この場合、基体１２８とシリコン層１２４とは一体に形成されたものとなるので、接着剤も不要となり、工程も簡便となる。

以下、実施例及び比較例を挙げて、本発明についてより具体的に説明する。ただし、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。まず、図１２に基づいて説明する。図１２は、探針Ｐ１〜探針Ｐ７を用いて実際に作業を行って得られた「微細部の作業の可否」、「先端の状況」及び「探針の状況」の各項目に対する検証結果を、探針Ｐ１〜探針Ｐ７毎に示す表である。探針Ｐ１〜探針Ｐ６は、探針８又は探針２８と同様の形状であり、マイクロプローブ２及びマイクロプローブ２６と同様に中間層６を介して第１基体領域４２に接続された構成を有する（図１（Ａ）及び図２（Ａ）を参照。）。中間層６は、Ｔｉや、Ｔｉを含むＣｕ等を第１基体領域４２に蒸着して形成した。Ｔｉを含まないＡｌやＣｕ等の単独の金属を用いた場合、Ｔｉを含む金属に比べて耐久性に劣っていたが、本検証結果は良好であった。探針Ｐ７は、探針８又は探針２８と同様の形状であるが、中間層６を介さずに基体４に直接接続された構成を有する。探針Ｐ１、Ｐ２及びＰ４は、先端径Ｄが０．５μｍ以下、第１アスペクト比Ｔ１が０．３以上０．７１以下、及び、第２アスペクト比Ｔ２が０．３６以上０．５２以下となっている実施例であり、それ以外の探針Ｐ３，Ｐ５〜Ｐ７は比較例である。実施例の探針Ｐ１、Ｐ２及びＰ４のみが、「微細部の作業の可否」について「可」であり、「先端の状況」について「折れず」であり、「探針の状況」について「折れず」であった。従って、実施例の探針Ｐ１、Ｐ２及びＰ４は、微細部の作業が可能な先鋭な先端を有しており、強度が向上されたマイクロプローブであることがわかる。また、探針Ｐ４と同様の構成であるが中間層に換えて接着剤により基体に接合された探針Ｐ８の検証も行い、図１２に示す全ての評価項目（「微細部の作業の可否」、「先端の状況」及び「探針の状況」の各項目）において探針Ｐ４と同様の結果を得た。この探針Ｐ８は、高温（摂氏２００度以上）における耐久性の点で探針Ｐ４に劣るが、室温での性能は探針Ｐ４と同様に十分良好であった。また、探針８及び探針２８の構造は異種材料（ダイヤモンドとは異なる材料であることを意味しており、以下同様。）から成る基体４との接合面（幅Ｌ４）が比較的小さいので、バッファとなる中間層がない場合には容易に探針が取れ、不良となった。

次に、図１３に基づいて説明する。図１３（Ａ）及び図１３（Ｂ）は、探針Ｒ１〜探針Ｒ７を用いて実際に作業を行って得られた「微細部の作業の可否」及び「探針の状況」の各項目に対する検証結果を、探針Ｒ１〜探針Ｒ７毎に示す表である。図１３（Ａ）に示す探針Ｒ１〜Ｒ４は、図１１（Ｉ）に示す探針１６（凸部１３６）と同様の形状である。図１１（Ｉ）に示す探針１６（凸部１３６）は、金属等によって成る中間層を介さずに第２基体領域４４（シリコン層１２４）上に接合しているので、このような中間層を用いた構造よりも第２基体領域４４（シリコン層１２４）との接合強度は比較的小さい。しかし、図１１（Ｉ）に示す探針１６（凸部１３６）は、第２基体領域４４（シリコン層１２４）との接合面が比較的大きいので、第２基体領域４４（シリコン層１２４）との接合強度は結果的に大きい。図１３（Ｂ）に示す探針Ｒ５〜探針Ｒ７は、探針１６と同様の形状であり、マイクロプローブ１４と同様に中間層６を介して基体４に接続された構成を有する（以下、図１３（Ｂ）に示す探針Ｒ５〜探針Ｒ７の説明に、図１（Ｂ）に示す符号を用いる。）

探針Ｒ１〜探針Ｒ７の先端径Ｄは、０．１μｍより小さく、長さＬ１は、２μｍ以上２．５μｍ以下であり、第１アスペクト比Ｔ１は、０．３以上０．７１以下の範囲内にあった。すなわち、探針Ｒ１〜探針Ｒ７の各先端は、実施例１と同様に良好であった。一方、探針Ｒ１〜探針Ｒ７は、第２アスペクト比Ｔ２が０．１７以上０．３８以下であった。特に、探針Ｒ６は、第２アスペクト比Ｔ２が０．２４であり、折れなかった。これに対し、実施例１の探針Ｐ５は、第２アスペクト比Ｔ２が０．２４であったが折れ、探針Ｒ７は、第２アスペクト比Ｔ２が０．１７であったが、折れた。探針Ｒ６は、基板領域１８と突起２０とが一体に構成されたダイヤモンドから成り、突起２０と基板領域１８との接合強度は探針Ｐ５及び探針Ｒ７に比較して大きいことが一因と考えられる。さらに、実施例１の探針Ｐ１は、第２アスペクト比Ｔ２が０．３６以上であっても先端や探針は折れなかったが、探針Ｒ１及び探針Ｒ２は、第３アスペクト比Ｔ３が０．４７や０．７８でも基体から外れた。これは、探針Ｒ１及び探針Ｒ２が金属等によって成る中間層を介して基体に接合されていないことが一因と考えられる。しかし、探針Ｒ３及び探針Ｒ４のように、１．１以上の第３アスペクト比Ｔ３を確保すれば、基体から外れないことが確認できた。すなわち、探針Ｒ３及び探針Ｒ４のように、第３アスペクト比Ｔ３を１．１に確保することにより、ダイヤモンドから成る探針Ｒ３及び探針Ｒ４と異種材料から成る第２基体領域４４（シリコン層１２４）との接合強度を保てることがわかった。もちろん、探針Ｒ５及び探針Ｒ６のように第３アスペクト比Ｔ３が０．４７であっても、金属等によって成る中間層が用いられており実施例１と同様に０．３６以上の第２アスペクト比Ｔ２を有していれば、ダイヤモンドから成る探針（探針Ｒ５及び探針Ｒ６）が異種材料から成る基体（基体４）から外れることはなかった。

以上、好適な実施の形態において本発明の原理を図示し説明してきたが、本発明は、そのような原理から逸脱することなく配置および詳細において変更され得ることは、当業者によって認識される。本発明は、本実施の形態に開示された特定の構成に限定されるものではない。したがって、特許請求の範囲およびその精神の範囲から来る全ての修正および変更に権利を請求する。例えば、図１１（Ｉ）に示すマイクロプローブの場合、シリコン層１２４を厚く設け、基体１２８を設けない構成であってもよい。この場合、シリコン層１２４から成る基体は十分作業性のある基体となるので、シリコン層１２４に基体１２８を貼り付ける必要が無くなる。よって、ダイヤモンドから成る探針の強度を良好に維持しつつ製造工程を容易にできる。

実施形態に係るマイクロプローブの構成を示す断面図である。実施形態に係るマイクロプローブの構成を示す断面図である。実施形態に係るマイクロプローブの構成を示す断面図である。実施形態に係るマイクロプローブの構成を示す断面図である。実施形態に係るマイクロプローブの製造方法を説明するための図である。実施形態に係るマイクロプローブの製造方法を説明するための図である。実施形態に係るマイクロプローブの製造方法を説明するための図である。実施形態に係るマイクロプローブの製造方法を説明するための図である。実施形態に係るマイクロプローブの製造方法を説明するための図である。実施形態に係るマイクロプローブの製造方法を説明するための図である。実施形態に係るマイクロプローブの製造方法を説明するための図である。実施例の内容を示す図である。他の実施例の内容を示す図である。

符号の説明

２，１４，２６，３８，４６，６４，７６，９２，９４，１６０…マイクロプローブ、４，４０，４８，１２８…基体、６，１２２…中間層、８，１６，２８，５０，６６，７８，９６…探針、１０，２２，３６，５２，６８…基端、１２，２４，３４，５４，７０，８８，１０８…先端、１８，３２，５６，７２，８０，９８…基板領域、２０，３０，５８，７４，８２，１３２，１００，１５０，１５８…突起、４２，６０…第１基体領域、４４，６２…第２基体領域、８４，１０２…接続面、８６，１０４，１４６…表面、９０，１０６…導電部、１０７…導電ワイヤ、１１６，１３６…凸部、１１０，１２４…シリコン層、１１２，１３０，１４２…ダイヤモンド層、１１４，１３４，１３８，１４８…マスク、１１８…レジスト、１２０…支持板、１２６，１５２…溝、１４０…ダイヤモンド領域、１４４，１５４…基板、１５６…ダイヤモンド部材、Ｊ１…軸。

Claims

基体と、
前記基体上に設けられた中間層と、
前記中間層上に設けられておりダイヤモンドから成る一又は複数の探針と
を備え、
前記中間層は、金属材料又は樹脂材料から成り、
前記探針は、先端と前記中間層に接続されている基端とを有しており、
前記探針の先端径は、０．５μｍ以下であり、
前記先端から該先端近傍の所定位置にある前記探針の断面の幅を該先端から該断面までの長さで割った第１アスペクト比は、０．３以上であり、
前記基端の幅を前記先端から該基端までの長さで割った第２アスペクト比は、０．３６以上である
ことを特徴とするマイクロプローブ。
基体と、
前記基体上に設けられた中間層と、
前記中間層上に設けられておりダイヤモンドから成る探針と
を備え、
前記中間層は、金属材料又は樹脂材料から成り、
前記探針は、前記中間層に接続されている基板領域と、該基板領域上に設けられた一又は複数の突起領域とを有し、
前記突起領域の先端径は、０．５μｍ以下であり、
前記突起領域の先端から該先端近傍の所定位置にある該突起領域の断面の幅を該先端から該断面までの長さで割った第１アスペクト比は、０．３以上０．７１以下であり、
前記中間層に接続している前記基板領域の接続面の幅を前記突起領域の前記先端から該接続面までの長さで割った第２アスペクト比は、０．３６以上である
ことを特徴とするマイクロプローブ。
基体と、
前記基体上に設けられたダイヤモンドから成る探針と
を備え、
前記探針は、前記基体に接続されている基板領域と、該基板領域上に設けられた一又は複数の突起領域とを有し、
前記突起領域の先端径は、０．５μｍ以下であり、
前記突起領域の先端から該先端近傍の所定位置にある該突起領域の断面の幅を該先端から該断面までの長さで割った第１アスペクト比は、０．７１以下であり、
前記基体に接続している前記基板領域の接続面の幅を前記突起領域の前記先端から該接続面までの長さで割った第２アスペクト比は、１．１以上である
ことを特徴とするマイクロプローブ。
基体と、
前記基体上に設けられたダイヤモンドから成る探針と
を備え、
前記探針は、前記基体に接続さている基板領域と、該基板領域上に設けられた一又は複数の突起領域とを有し、
前記突起領域の先端径は、０．５μｍ以下であり、
前記突起領域の先端から該先端近傍の所定位置にある該突起領域の断面の幅を該先端から該断面までの長さで割った第１アスペクト比は、０．３以上０．７１以下であり、
前記基体に接続している前記基板領域の接続面の幅を前記突起領域の前記先端から該接続面までの長さで割った第２アスペクト比は、１．１以上である
ことを特徴とするマイクロプローブ。
基体と、
前記基体上に設けられたダイヤモンドから成る探針と
を備え、
前記探針は、前記基体に接続されているメサ形状の基板領域と、該基板領域上に設けられた一又は複数の突起領域とを有し、
前記突起領域の先端径は、０．５μｍ以下であり、
前記突起領域の先端から該先端近傍の所定位置にある該突起領域の断面の幅を該先端から該断面までの長さで割った第１アスペクト比は、０．３以上であり、
前記基体に接続している前記基板領域の接続面の幅を前記突起領域の前記先端から該接続面までの長さで割った第２アスペクト比は、１．１以上である
ことを特徴とするマイクロプローブ。
前記先端は導電性を有している、ことを特徴とする請求項１〜５の何れか一項に記載のマイクロプローブ。