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JP2008014849A5 - - Google Patents

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Claims (22)

  1. 被検査物体を移動させ、
    前記被検査物体の照明スポットに光を照射し、
    前記照明スポットからの光を検出して電気信号に変換し、
    前記電気信号をデジタルデータに変換し、
    前記変換されたデジタルデータに対応する時刻に被検査物体上の位置を検査座標データとして検出し、
    前記電気信号または前記デジタルデータから被検査物体上に存在する異物や欠陥の存在を判定し、
    前記デジタルデータから前記判定された異物や欠陥の大きさを算出し、
    前記検査座標データに基づいて前記異物や欠陥の被検査物体上における位置座標を算出することを特徴とする異物・欠陥検出方法。
  2. 請求項1に記載の異物・欠陥検出方法において、
    時間間隔で連続的に前記電気信号をサンプリングし、
    複数の前記デジタルデータをデジタルデータテーブルに保存し、
    前記被検査物体上の前記照明スポット内の照明光の、二次元直交座標系における相対照度分布を、二次元マトリックスデータとして記憶・保存する照明スポット照度分布データテーブルに保存し、
    前記デジタルデータテーブルと前記照明スポット照度分布データテーブルを比較した結果を用いて前記判定された異物や欠陥の、位置座標を算出することを特徴とする異物・欠陥検出方法。
  3. 請求項2記載の異物・欠陥検出方法において、
    前記デジタルデータテーブルと前記照明スポット照度分布データテーブルを比較した結果を用いて、前記異物や欠陥の大きさを算出することを特徴とする異物・欠陥検出方法。
  4. 請求項2記載の異物・欠陥検出方法において、
    前記電気信号をしきい値と比較することによって前記異物や欠陥の存在の判定を行うことを特徴とする異物・欠陥検出方法。
  5. 請求項2記載の異物・欠陥検出方法において、
    前記異物・欠陥判定手段は前記A/D変換手段からのデジタルデータまたは前記デジタルデータテーブルに記憶されたデジタルデータを用いて前記異物や欠陥の存在の判定を行うことを特徴とする異物・欠陥検出方法。
  6. 請求項2記載の異物・欠陥検出方法において、
    前記電気信号をしきい値と比較し、
    前記電気信号が前記しきい値を超えた場合に異物または欠陥が検出されたと判定することを特徴とする異物・欠陥検出方法。
  7. 請求項2記載の異物・欠陥検出方法において、
    前記A/D変換したデジタルデータをしきい値と比較し、
    前記デジタルデータが前記しきい値を超えた場合に異物または欠陥が検出されたと判定することを特徴とする異物・欠陥検出方法。
  8. 請求項2記載の異物・欠陥検出方法において、
    前記デジタルデータテーブルに記憶・保存されるデータは、
    前記しきい値を超えたと判断された時刻に対応するデジタルデータの少なくとも1サンプリング間隔以上前から少なくとも1サンプリング間隔以上後までのデジタルデータと、
    前記デジタルデータに対応する前記検査座標データとを含むものであることを特徴とする異物・欠陥検出方法。
  9. 被検査物体移動ステージと、
    光源と、
    光源からの光を被検査物体上の照明スポットに照射する照明光学系と、
    前記照明スポットからの光を検出して電気信号に変換する光検出系と、
    前記電気信号をデジタルデータに変換するA/D変換器と、
    前記変換されたデジタルデータに対応する時刻に検査中の被検査物体表面上の位置を検査座標データとして検出する検査座標検出機構と、
    前記電気信号または前記デジタルデータから異物や欠陥の存在を判定する異物・欠陥判定機構と、
    前記デジタルデータから前記判定された異物や欠陥の大きさを算出する粒径算出機構と、
    検査座標検出手段からの情報に基づいて前記異物や欠陥の被検査物体上における位置座標値を算出する異物・欠陥座標算出機構と、
    前記A/D変換器は時間間隔で連続的に前記電気信号をサンプリングし、複数の前記デジタルデータを記憶・保存するデジタルデータテーブルと、
    前記被検査物体表面上の前記照明スポット内の照明光の、二次元直交座標系における相対照度分布を、二次元マトリックスデータとして記憶・保存する照明スポット照度分布データテーブルと有し、
    前記異物・欠陥座標算出機構は、前記デジタルデータテーブルと前記照明スポット照度分布データテーブルを比較した結果を用いて前記判定された異物や欠陥の、位置座標を算出することを特徴とする異物・欠陥検査装置。
  10. 請求項9記載の異物・欠陥検査装置において、
    前記粒径算出機構は、前記デジタルデータテーブルと前記照明スポット照度分布データテーブルを比較した結果を用いて、前記異物や欠陥の大きさを算出することを特徴とする異物・欠陥検査装置。
  11. 請求項9記載の異物・欠陥検査装置において、
    前記異物・欠陥判定機構は前記電気信号をしきい値と比較することによって前記異物や欠陥の存在の判定を行うことを特徴とする異物・欠陥検査装置。
  12. 請求項9記載の異物・欠陥検査装置において、
    前記異物・欠陥判定機構は前記A/D変換器からのデジタルデータまたは前記デジタルデータテーブルに記憶されたデジタルデータを用いて前記異物や欠陥の存在の判定を行うことを特徴とする異物・欠陥検査装置。
  13. 被検査物体移動ステージと、
    光源と、
    光源からの光を被検査物体上の照明スポットに照射する照明光学系と、
    前記照明スポットからの光を検出して電気信号に変換する光検出系と、
    前記電気信号をデジタルデータに変換するA/D変換器と、
    前記変換されたデジタルデータに対応する時刻に検査中の被検査物体上の位置を検査座標データとして検出する検査座標検出機構と、
    前記電気信号または前記デジタルデータから異物や欠陥の存在を判定する異物・欠陥判定機構と、
    前記デジタルデータから前記判定された異物や欠陥の大きさを算出する粒径算出機構と、
    検査座標検出手段からの情報に基づいて前記異物や欠陥の被検査物体上における位置座標値を算出する異物・欠陥座標算出機構と、
    前記A/D変換器は時間間隔で連続的に前記電気信号をサンプリングし、 複数の前記デジタルデータのうち、前記異物・欠陥判定手段からの情報に基づいて抽出した部分データを記憶・保存するデジタルデータテーブルと、
    前記被検査物体上の前記照明スポット内の照明光の、二次元直交座標系における相対照度分布を、二次元マトリックスデータとして記憶・保存する照明スポット照度分布データテーブルと、
    前記異物・欠陥座標算出機構は、前記デジタルデータテーブルと前記照明スポット照度分布データテーブルを比較した結果を用いて前記判定された異物や欠陥の、位置座標を算出することを特徴とする異物・欠陥検査装置。
  14. 請求項13記載の異物・欠陥検査装置において、
    前記粒径算出機構は、前記デジタルデータテーブルと前記照明スポット照度分布データテーブルを比較した結果を用いて、前記異物や欠陥の大きさを算出することを特徴とする異物・欠陥検査装置。
  15. 請求項13または14記載の異物・欠陥検査装置において、
    前記異物・欠陥判定機構は前記電気信号をしきい値と比較する比較回路を備え、
    前記電気信号が前記しきい値を超えた場合に異物または欠陥が検出されたと判定し、
    前記デジタルデータテーブルに記憶・保存される前記部分データは、
    前記異物・欠陥判定機構において前記しきい値を超えたと判断された時刻に対応するデジタルデータの少なくとも1サンプリング間隔以上前から少なくとも1サンプリング間隔以上後までのデジタルデータと前記デジタルデータに対応する前記検査座標データを含むものであることを特徴とする異物・欠陥検査装置。
  16. 請求項13または14記載の異物・欠陥検査装置において、
    前記異物・欠陥判定機構は、
    前記A/D変換器からのデジタルデータをしきい値と比較する機構を備え、
    前記デジタルデータが前記しきい値を超えた場合に異物または欠陥が検出されたと判定するように構成され、
    前記デジタルデータテーブルに記憶・保存される前記部分データは、
    前記異物・欠陥判定機構において前記しきい値を超えたと判断された前記デジタルデータに対応する時刻の少なくとも1サンプリング間隔以上前から少なくとも1サンプリング間隔以上後までのデジタルデータと前記デジタルデータに対応する前記検査座標データを含むものであることを特徴とする異物・欠陥検査装置。
  17. 光源からの光を被検査物体表面上の照明スポットに照射し、前記照明スポットにおいて
    前記照射光が散乱された光、回折された光及び反射された光のうちの少なくとも一つの光
    を検出して電気信号に変換し、前記電気信号をデジタルデータに変換し、前記変換された
    デジタルデータに対応する被検査物体表面上の位置を検査座標データとして検出し、前記
    電気信号または前記デジタルデータに基づいて被検査物体表面上または表面近傍内部に存
    在する検出対象の存在を判定し、前記デジタルデータに基づいて前記判定された検出対象
    の大きさを算出し、検査座標データに基づいて前記検出対象の被検査物体表面上における
    位置座標値を算出し、
    前記位置座標値は、前記デジタルデータと前記照明スポット内の照度分布データとに基
    づいて算出することを特徴とする検出方法。
  18. 請求項17において、前記照明スポット内の照度分布データは、検出対象の検査中又は
    検査前又は検査後に測定することを特徴とする検出方法。
  19. 請求項17又は18において、前記検出対象が、異物又は欠陥であることを特徴とする
    検出方法。
  20. 被検査物体を移動する被検査物体移動ステージと、光源と、光源からの光を被検査物体
    表面上へ照明スポットとして照射する照明光学系と、前記照明スポットにおいて前記照射
    光が散乱された光、回折された光及び反射された光のうちの少なくとも一つの光を検出し
    て電気信号に変換する光検出系と、前記電気信号をデジタルデータに変換する変換器と、
    前記変換されたデジタルデータに対応する被検査物体表面上の位置を検査座標データとし
    て検出する検査座標検出機構と、前記電気信号または前記デジタルデータから検出対象の
    存在を判定する検出対象判定機構と、前記デジタルデータから前記判定された検出対象の
    大きさを算出する粒径算出機構と、検査座標検出手段からの情報に基づいて前記検出対象
    の被検査物体表面上における位置座標値を算出する検出対象座標算出機構とを備え、
    前記変換器は前記電気信号をサンプリングして得られる前記デジタルデータと、前記被
    検査物体表面上の前記照明スポット内の照明光の照度分布データとを記憶するメモリを有
    し、前記検出対象座標算出機構は、前記デジタルデータと前記照度分布データとに基づい
    て検出対象の位置座標を算出することを特徴とする検査装置。
  21. 請求項20において、前記メモリは、検出対象検査中又は検査前に測定された前記照明
    スポット内の照度分布データを記憶することを特徴とする検査装置。
  22. 請求項20又21において、前記検出対象が、異物又は欠陥であることを特徴とする検
    査装置。
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US12/266,079 US7619729B2 (en) 2006-07-07 2008-11-06 Method for detecting particles and defects and inspection equipment thereof
US12/574,185 US8094298B2 (en) 2006-07-07 2009-10-06 Method for detecting particles and defects and inspection equipment thereof
US13/743,245 USRE44840E1 (en) 2006-07-07 2013-01-16 Method for detecting particles and defects and inspection equipment thereof
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Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4699891B2 (ja) * 2005-12-14 2011-06-15 シャープ株式会社 半導体装置及び半導体装置の外観検査方法
JP4959225B2 (ja) * 2006-05-17 2012-06-20 株式会社日立ハイテクノロジーズ 光学式検査方法及び光学式検査装置
JP5279992B2 (ja) 2006-07-13 2013-09-04 株式会社日立ハイテクノロジーズ 表面検査方法及び装置
JP2008032582A (ja) * 2006-07-31 2008-02-14 Hitachi High-Technologies Corp 異物・欠陥検査装置および異物欠陥・検査方法
JP5156413B2 (ja) * 2008-02-01 2013-03-06 株式会社日立ハイテクノロジーズ 欠陥検査方法及び欠陥検査装置
JP2009194107A (ja) * 2008-02-13 2009-08-27 Canon Inc 有効光源形状のデータベースの生成方法、光学像の算出方法、プログラム、露光方法及びデバイス製造方法
JP2009236791A (ja) * 2008-03-28 2009-10-15 Hitachi High-Technologies Corp 欠陥検査方法及び欠陥検査装置
JP5406677B2 (ja) * 2009-01-26 2014-02-05 株式会社日立ハイテクノロジーズ 暗視野欠陥検査方法及び暗視野欠陥検査装置
JP5331586B2 (ja) * 2009-06-18 2013-10-30 株式会社日立ハイテクノロジーズ 欠陥検査装置および検査方法
US8767069B2 (en) * 2010-06-30 2014-07-01 Luminex Corporation Apparatus, system, and method for increasing measurement accuracy in a particle imaging device using light distribution
JP5637841B2 (ja) 2010-12-27 2014-12-10 株式会社日立ハイテクノロジーズ 検査装置
JP2012137350A (ja) 2010-12-27 2012-07-19 Hitachi High-Technologies Corp 欠陥検査方法および欠陥検査装置
CN102642155B (zh) * 2012-05-02 2013-12-11 哈尔滨工业大学 一种基于图像辅助的微小零件回转调心方法
JP5686394B1 (ja) * 2014-04-11 2015-03-18 レーザーテック株式会社 ペリクル検査装置
US10339666B2 (en) * 2015-03-06 2019-07-02 Fuji Corporation Recognition device and recognition method
CN105203383B (zh) * 2015-09-08 2018-08-28 西宁特殊钢股份有限公司 一种简单可行的发蓝断口检验方法
DE102020102419A1 (de) * 2020-01-31 2021-08-05 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Partikelanalyse mit Lichtmikroskop und Mehrpixelpolarisationsfilter
US11544838B2 (en) * 2020-03-21 2023-01-03 Kla Corporation Systems and methods of high-resolution review for semiconductor inspection in backend and wafer level packaging
DE102021205001B4 (de) * 2021-05-18 2023-07-27 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Verfahren zum Positionieren von Objekten in einem Teilchenstrahlmikroskop mithilfe einer flexiblen Teilchenstrahlschranke sowie Computerprogrammprodukt
KR102804207B1 (ko) * 2022-10-04 2025-05-09 세메스 주식회사 기판 검사 장치 및 방법

Family Cites Families (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2129547B (en) * 1982-11-02 1986-05-21 Cambridge Instr Ltd Reticle inspection
DE3475566D1 (en) * 1984-05-14 1989-01-12 Ibm Deutschland Method and device for the inspection of surfaces
US4902131A (en) * 1985-03-28 1990-02-20 Kabushiki Kaisha Toshiba Surface inspection method and apparatus therefor
JPS62266444A (ja) * 1986-05-15 1987-11-19 Toshiba Corp 表面検査装置
US4952058A (en) * 1987-04-27 1990-08-28 Hitach, Ltd. Method and apparatus for detecting abnormal patterns
JPH0820371B2 (ja) * 1988-01-21 1996-03-04 株式会社ニコン 欠陥検査装置及び欠陥検査方法
US5249216B1 (en) * 1989-10-19 1996-11-05 Sumitomo Electric Industries Total reflection x-ray fluorescence apparatus
JP2757545B2 (ja) * 1990-07-27 1998-05-25 大日本スクリーン製造 株式会社 複数の画像読取りシステム相互の位置誤差補償方法
US5327252A (en) * 1990-09-21 1994-07-05 Canon Kabushiki Kaisha Print evaluation apparatus
JPH04177111A (ja) * 1990-11-13 1992-06-24 Mitsubishi Electric Corp 位相シフトマスク検査装置
JP2671241B2 (ja) * 1990-12-27 1997-10-29 日立電子エンジニアリング株式会社 ガラス板の異物検出装置
US5410400A (en) * 1991-06-26 1995-04-25 Hitachi, Ltd. Foreign particle inspection apparatus
US5377001A (en) * 1991-07-20 1994-12-27 Tet Techno Trust Investment Settlement Apparatus for surface inspection
CH685650A5 (de) * 1991-07-20 1995-08-31 Tencor Instruments Einrichtung für Oberflächeninspektionen.
US5377002A (en) * 1991-07-20 1994-12-27 Tet Techno Trust Investment Settlement Apparatus for surface inspections
US5436464A (en) * 1992-04-13 1995-07-25 Nikon Corporation Foreign particle inspecting method and apparatus with correction for pellicle transmittance
US5486919A (en) * 1992-04-27 1996-01-23 Canon Kabushiki Kaisha Inspection method and apparatus for inspecting a particle, if any, on a substrate having a pattern
JPH06242012A (ja) * 1993-02-16 1994-09-02 Toshiba Corp 異物検査装置
JP3137160B2 (ja) * 1994-04-01 2001-02-19 日立電子エンジニアリング株式会社 ウエハの位置ズレ補正方法
JPH08201308A (ja) * 1995-01-31 1996-08-09 Toyota Motor Corp 製品の表面欠陥検出方法およびその装置
JPH08234413A (ja) * 1995-02-24 1996-09-13 Mitsubishi Electric Corp フォトマスクパターン欠陥検査装置及びフォトマスクパターン欠陥検査方法
US5903342A (en) * 1995-04-10 1999-05-11 Hitachi Electronics Engineering, Co., Ltd. Inspection method and device of wafer surface
JP3545517B2 (ja) * 1995-10-11 2004-07-21 コニカミノルタホールディングス株式会社 放射線画像情報読取装置
US5798829A (en) 1996-03-05 1998-08-25 Kla-Tencor Corporation Single laser bright field and dark field system for detecting anomalies of a sample
WO1997046865A1 (en) * 1996-06-04 1997-12-11 Tencor Instruments Optical scanning system for surface inspection
US5883714A (en) * 1996-10-07 1999-03-16 Phase Metrics Method and apparatus for detecting defects on a disk using interferometric analysis on reflected light
US5963726A (en) * 1998-03-20 1999-10-05 National Instruments Corporation Instrumentation system and method including an improved driver software architecture
JP4089798B2 (ja) 1998-04-13 2008-05-28 株式会社トプコン 表面検査装置
US6618136B1 (en) * 1998-09-07 2003-09-09 Minolta Co., Ltd. Method and apparatus for visually inspecting transparent body and translucent body
US6122047A (en) * 1999-01-14 2000-09-19 Ade Optical Systems Corporation Methods and apparatus for identifying the material of a particle occurring on the surface of a substrate
US6529270B1 (en) * 1999-03-31 2003-03-04 Ade Optical Systems Corporation Apparatus and method for detecting defects in the surface of a workpiece
JP2001004347A (ja) * 1999-06-22 2001-01-12 Mitsubishi Electric Corp 欠陥検査装置
US6590645B1 (en) * 2000-05-04 2003-07-08 Kla-Tencor Corporation System and methods for classifying anomalies of sample surfaces
JP3671822B2 (ja) * 2000-07-26 2005-07-13 株式会社日立製作所 欠陥検査方法および欠陥検査システム
JP2003098111A (ja) * 2000-09-21 2003-04-03 Hitachi Ltd 欠陥検査方法およびその装置
JP2002098645A (ja) * 2000-09-26 2002-04-05 Hitachi Electronics Eng Co Ltd 基板の表面検査装置及び表面検査方法
JP2002181725A (ja) * 2000-12-11 2002-06-26 Mitsubishi Electric Corp 微小異物解析方法、分析装置、半導体装置の製造方法および液晶表示装置の製造方法
JP3881530B2 (ja) * 2000-12-27 2007-02-14 株式会社日立ハイテクノロジーズ 表面欠陥検査装置
JP2002228596A (ja) * 2001-01-31 2002-08-14 Shin Etsu Handotai Co Ltd 半導体ウェーハの測定方法及び半導体ウェーハの製造方法
JP2002228428A (ja) * 2001-02-02 2002-08-14 Nikon Corp 異物検出装置及び露光装置
JP2004271421A (ja) * 2003-03-11 2004-09-30 Nikon Corp 異物検査装置及び方法並びに露光装置
US7068363B2 (en) * 2003-06-06 2006-06-27 Kla-Tencor Technologies Corp. Systems for inspection of patterned or unpatterned wafers and other specimen
US7433031B2 (en) * 2003-10-29 2008-10-07 Core Tech Optical, Inc. Defect review system with 2D scanning and a ring detector
JP4908925B2 (ja) * 2006-02-08 2012-04-04 株式会社日立ハイテクノロジーズ ウェハ表面欠陥検査装置およびその方法
JP5147202B2 (ja) * 2006-06-30 2013-02-20 株式会社日立ハイテクノロジーズ 光学式欠陥検査装置
JP4755054B2 (ja) * 2006-09-01 2011-08-24 株式会社日立ハイテクノロジーズ 表面検査方法、及び表面検査装置

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