JP2008004770A - 磁気抵抗素子の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】幅が１〜５０ｎｍ程度のサイズのナノコンタクト部を効率よく形成できる磁気抵抗素子の製造方法を提供する。
【解決手段】強磁性層１６の上に第１レジスト層を形成し露光部及び非露光部の境界の少なくとも一部がＶ字形状である第１露光パターンで第１レジスト層を露光して現像し強磁性層１６をエッチングすることにより前記Ｖ字形状に相当するＶ字切欠き部２０を該強磁性層１６に形成し、該強磁性層１６の上に第２レジスト層３４を形成し露光部及び非露光部の境界３６における少なくとも一部がＶ字切欠き部２０の頂点に対向するように配置された直線形状である第２露光パターンで第２レジスト層３４を露光して現像し強磁性層１６をエッチングすることにより前記直線形状に相当する直線部を強磁性層１６に形成する。
【選択図】図１４

Description

本発明は、ナノコンタクト部を有する磁気抵抗素子の製造方法に関する。

従来、磁気記録媒体の面記録密度は逐次高められており、今後も一層の面記録密度の増加が期待されている。

一方、面記録密度が高いほど記録ビットが小さくなり、再生信号の強度が小さくなるため、磁気ヘッドの再生素子としてＭＲ比が高い磁気抵抗素子が求められている。

このようなＭＲ比が高い磁気抵抗素子として、ＴＭＲ（Ｔｕｎｎｅｌｉｎｇ Ｍａｇｎｅｔｏ Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）素子が知られている。ＴＭＲ素子は、第１の強磁性層と第２の強磁性層との間に絶縁性のスペーサ層が設けられた構成である。ＴＭＲ素子は、第２の強磁性層の磁化方向が第１の強磁性層の磁化方向と平行である場合、厚さ方向のセンス電流の抵抗値が最小となり、第２の強磁性層の磁化方向が第１の強磁性層の磁化方向と反平行である場合、厚さ方向のセンス電流の抵抗値が最大となり、高いＭＲ比が得られる。

更に近年、通電方向に垂直な方向の幅が１〜５０ｎｍ程度の強磁性のナノコンタクト部で２つの強磁性部を接合したＢＭＲ（Ｂｕｌｌｉｓｔｉｃ Ｍａｇｎｅｔｏ Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）素子に関する研究が報告されている（例えば、非特許文献１、２参照）。ＢＭＲ素子は、ＴＭＲ素子よりも高いＭＲ比が得られることが期待されている。尚、ナノコンタクト部は、通電方向に垂直な方向の幅の制御性（幅を所定の範囲に収める困難さ）を考慮すると、通電方向の長さも１〜５０ｎｍ程度であることが好ましいと考えられる。

このようなＢＭＲ素子の製造方法としては、強磁性層の上にレジスト層を形成し、露光及び現像によりレジスト層の一部を除去して強磁性層をエッチングすることにより、強磁性層の外周に２つのＶ字切欠き部をＶ字の頂点が１〜５０ｎｍの間隔を有して対向するように形成し、これら２つのＶ字切欠き部の頂点の間に幅が１〜５０ｎｍのナノコンタクト部を形成する手法が知られている（例えば、特許文献１参照）。

S.Z.Hua et.al.,Phys.Review B67,060401(R)(2003) G.Tatara et.al.,Phys.Review Letters,Vol.83,2030(1999) 特開２００５−１０９２４１号公報

しかしながら、露光及び現像でレジスト層を１〜５０ｎｍ程度の幅に加工することは実際には容易ではなく、２つのＶ字切欠き部をＶ字の頂点が１〜５０ｎｍの間隔を有して対向するように形成することは困難であった。

尚、発明者は本発明に想到する過程で当初、２つのＶ字切欠き部を２回に分けて形成する手法を試みた。具体的には、まず強磁性層の上に第１レジスト層を形成し露光部及び非露光部の境界の少なくとも一部がＶ字形状である第１露光パターンで第１レジスト層を露光して現像し強磁性層をエッチングすることによりＶ字形状に相当する１つ目のＶ字切欠き部を強磁性層に形成し、更に該強磁性層の上に第２レジスト層を形成し露光部及び非露光部の境界の少なくとも一部が１つ目のＶ字切欠き部の頂点と頂点が１〜５０ｎｍ程度の間隔を有して対向するＶ字形状である第２露光パターンで第２レジスト層を露光して現像し強磁性層をエッチングすることにより２つ目のＶ字切欠き部を強磁性層に形成し、１つ目のＶ字切欠き部の頂点と２つ目のＶ字切欠き部の頂点との間にナノコンタクト部を形成することを試みた。

このようにすれば、１つ目のＶ字切欠き部を形成するための第１レジスト層、２つ目のＶ字切欠き部を形成するための第２レジスト層のいずれも１〜５０ｎｍ程度の微小なサイズに加工することなく、１つ目のＶ字切欠き部と２つ目のＶ字切欠き部との間に幅が１〜５０ｎｍ程度のナノコンタクト部を形成できるためである。

しかしながら、１つ目のＶ字切欠き部、２つ目のＶ字切欠き部それぞれをほぼ所望の形状で形成することはできても、現状の露光器では一般的に（３σで）１０ｎｍ以上の誤差が生じうるため、２つ目のＶ字切欠き部の形成のための露光に際し、２つ目のＶ字切欠き部に相当するＶ字形状が１つ目のＶ字切欠き部に対してずれて露光されることがある。

従って、例えば、２つのＶ字切欠き部がこれらの隙間の方向にずれた配置で形成されることで、ナノコンタクト部の幅が目標値に対してずれてしまうことがある。

又、２つのＶ字切欠き部がこれらの頂点の隙間の方向にずれていなくても、図２２に示されるように、１つ目のＶ字切欠き部１０２の頂点と２つ目のＶ字切欠き部１０４の頂点とが対向する対称的な配置でこれらを形成することは困難である。従って、図２３に示されるように、１つ目のＶ字切欠き部１０２と２つ目のＶ字切欠き部１０４とがこれらの頂点が対向する方向に垂直な方向にずれることで、ナノコンタクト部の幅が目標値に対してずれてしまうこともある。

このように、２つのＶ字切欠き部を２回に分けて形成する手法は、幅が１〜５０ｎｍ程度のサイズのナノコンタクト部を形成できたとしても歩留まりが低いという問題があった。

本発明は、以上の問題に鑑みてなされたものであって、幅が１〜５０ｎｍ程度のサイズのナノコンタクト部を効率よく形成できる磁気抵抗素子の製造方法を提供することを目的とする。

本発明は、強磁性層の上に第１レジスト層を形成し露光部及び非露光部の境界の少なくとも一部がＶ字形状である第１露光パターンで第１レジスト層を露光して現像し強磁性層をエッチングすることにより前記Ｖ字形状に相当するＶ字切欠き部を強磁性層に形成し、該強磁性層の上に第２レジスト層を形成し露光部及び非露光部の境界における少なくとも一部が前記Ｖ字切欠き部の頂点に対向するように配置された直線形状である第２露光パターンで第２レジスト層を露光して現像し強磁性層をエッチングすることにより前記直線形状に相当する直線部を強磁性層に形成することにより上記目的を達成する。

又、本発明は、強磁性層の上に第１レジスト層を形成し露光部及び非露光部の境界の少なくとも一部が直線形状である第１露光パターンで第１レジスト層を露光して現像し強磁性層をエッチングすることにより直線形状に相当する直線部を強磁性層に形成し、該強磁性層の上に第２レジスト層を形成し露光部及び非露光部の境界の少なくとも一部が強磁性層の直線部に向かって頂点が対向するように配置されたＶ字形状である第２露光パターンで第２レジスト層を露光して現像し強磁性層をエッチングすることにより前記Ｖ字形状に相当するＶ字切欠き部を強磁性層に形成することにより上記目的を達成する。

このように直線部とＶ字切欠き部とを別々の工程で形成することで、直線部及びＶ字切欠き部の一方を形成するための第１レジスト層、他方を形成するための第２レジスト層のいずれも１〜５０ｎｍ程度の微小なサイズに加工することなく、直線部及びＶ字切欠き部を形成し、これらの間に幅が１〜５０ｎｍ程度のナノコンタクト部を形成できる。

又、ナノコンタクト部は、直線部と該直線部に頂点が対向するＶ字切欠き部との間に形成されるので、第２露光パターンがずれて露光されても、直線部とＶ字切欠き部との隙間に垂直な方向のずれはナノコンタクト部の幅のずれにはならない。従って、２つのＶ字切欠き部の間にナノコンタクト部を形成する場合に対し、第２露光パターンの露光のずれによるナノコンタクト部の幅のばらつきが抑制され、歩留まりが向上する。

即ち、以下の発明により上記目的は達成される。

（１）強磁性層の上に第１レジスト層を形成し露光部及び非露光部の境界の少なくとも一部がＶ字形状である第１露光パターンで該第１レジスト層を露光して現像し前記強磁性層をエッチングすることにより前記Ｖ字形状に相当するＶ字切欠き部を該強磁性層に形成するＶ字切欠き部形成工程と、該強磁性層の上に第２レジスト層を形成し露光部及び非露光部の境界における少なくとも一部が前記Ｖ字切欠き部の頂点に対向するように配置された直線形状である第２露光パターンで前記第２レジスト層を露光して現像し前記強磁性層をエッチングすることにより前記直線形状に相当する直線部を該強磁性層に形成する直線部形成工程と、を含むことを特徴とする磁気抵抗素子の製造方法。

（２）強磁性層の上に第１レジスト層を形成し露光部及び非露光部の境界の少なくとも一部が直線形状である第１露光パターンで該第１レジスト層を露光して現像し前記強磁性層をエッチングすることにより前記直線形状に相当する直線部を該強磁性層に形成する直線部形成工程と、該強磁性層の上に第２レジスト層を形成し露光部及び非露光部の境界の少なくとも一部が前記強磁性層の直線部に向かって頂点が対向するように配置されたＶ字形状である第２露光パターンで前記第２レジスト層を露光して現像し前記強磁性層をエッチングすることにより前記Ｖ字形状に相当するＶ字切欠き部を該強磁性層に形成するＶ字切欠き部形成工程と、を含むことを特徴とする磁気抵抗素子の製造方法。

（３） （１）又は（２）において、前記Ｖ字切欠き部の頂点と前記直線部との間隔が１〜５０ｎｍであるように前記強磁性層を加工することを特徴とする磁気抵抗素子の製造方法。

（４） （１）乃至（３）のいずれかにおいて、前記Ｖ字切欠き部形成工程において、前記露光部と非露光部との境界の形状に相当する輪郭を有し、且つ、前記Ｖ字形状の頂点に相当する部分が略矩形で前記Ｖ字形状の頂点近傍の部分よりも前記頂点が突出する方向と垂直な方向の隙間が大きいマスクを用いて露光を行うことを特徴とする磁気抵抗素子の製造方法。

本発明によれば、１〜５０ｎｍ程度のサイズのナノコンタクト部を効率良く形成することができる。

以下、本発明の好ましい実施形態について図面を参照して詳細に説明する。

本発明の第１実施形態は、図１に示されるような磁気抵抗素子１０の製造方法に関し、強磁性層１６の形成方法に特徴を有している。

本第１実施形態の理解のため、まず磁気抵抗素子１０の構造について簡単に説明する。

磁気抵抗素子１０は、基板１２と、バッファー層１４と、強磁性層１６と、を有している。

基板１２の材料としては、ガラス、Ｓｉ、Ｓｉの酸化物、Ａｌの酸化物、ＡｌＴｉＣ等を用いることができる。

バッファー層１４は、抵抗が強磁性層１６の抵抗の１０倍以上である。バッファー層１４は、絶縁性であることが好ましい。バッファー層１４の具体的な材料としては、例えば、Ｓｉ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｍｇ、Ｔｉ等の酸化物を用いることができる。尚、バッファー層１４は、絶縁性に加え、強磁性層１６を構成する強磁性材料の結晶性を高める効果も併せ持つ事が好ましい。

強磁性層１６の材料としては、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉ、ＣｏＦｅ、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅＮｉ、ＣｒＯ_２、Ｆｅ_３Ｏ_４、ＣｏＦｅＢ、ＣｏＮｉ、ＣｏＭｎＡｌ、ＮｉＭｎＳｂ、Ｃｏ_２Ｃｒ_０．６Ｆｅ_０．４Ａｌのような実質的にＣｏ、Ｃｒ、Ｆｅ及びＡｌからなる材料、Ｃｏ_２Ｃｒ_０．６Ａｌのような実質的にＣｏ、Ｃｒ及びＡｌからなる材料、Ｃｏ_２ＭｎＡｌのような実質的にＣｏ、Ｍｎ及びＡｌからなる材料、Ｃｏ_２ＦｅＡｌのような実質的にＣｏ、Ｆｅ及びＡｌからなる材料、Ｃｏ_２ＭｎＧｅのような実質的にＣｏ、Ｍｎ及びＧｅからなる材料、Ｃｏ_２ＭｎＳｉのような実質的にＣｏ、Ｍｎ及びＳｉからなる材料等を用いることができる。

強磁性層１６は、図２に示されるように、外周に直線部１８と、厚さ方向から見て頂点が直線部１８に対向するように配置されたＶ字切欠き部２０とを有している。

この強磁性層１６は、第１強磁性部２２とナノコンタクト部２４と第２強磁性部２６とを有し、ナノコンタクト部２４は、直線部１８とＶ字切欠き部２０との間の部分に形成されている。尚、図１はナノコンタクト部２４を直線部１８とＶ字切欠き部２０とが対向する方向に沿って厚さ方向に切断した断面である。

第１強磁性部２２は、ナノコンタクト部２４に向かって幅が狭くなる形状であり、磁気記録媒体の再生磁界に応じて磁化方向が変化するフリー層として機能する。第１強磁性部２２の磁化容易軸の方向は再生磁界の方向に対して垂直、且つ、再生磁界の回転軸方向に対して垂直な方向に規制しておくことが好ましい。第１強磁性部２２に隣接して永久磁石層やインスタックバイアス層を設けることで、第１強磁性部２２の磁化容易軸の方向を規制することができる。

ナノコンタクト部２４の（直線部１８とＶ字切欠き部２０の頂点とが対向する方向の）幅は１〜１００ｎｍであることが好ましく、１〜２０ｎｍ以下であればより好ましい。又、ナノコンタクト部２４の（第１強磁性部２２と第２強磁性部２６との隙間の方向の）長さも１〜１００ｎｍであることが好ましい。又、ナノコンタクト部２４を含む強磁性層１６の厚さは、０．１〜５０ｎｍであることが好ましい。

第２強磁性部２６は、第１強磁性部２２と同様にナノコンタクト部２４に向かって幅が狭くなる形状であり、磁気記録媒体の再生磁界の方向に平行な方向に磁化方向が固定され、ピン層として機能する。第２強磁性部２６に隣接して永久磁石層やインスタックバイアス層を設けたり、或いは形状的に磁気異方性を付与することで、第２強磁性部２６の磁化方向を固定することができる。

次に、図３のフローチャートに沿って磁気抵抗素子１０の製造方法について説明する。

まず、図４に示されるように、スパッタリング等により基板１２の上にバッファー層１４を形成する（Ｓ１０２）。尚、図５に示されるように、基板１２には露光のための基準点１２Ａ、１２Ｂが設けられている。図５は基準点１２Ａ、１２Ｂを模式的に示したものであり、基準点１２Ａ、１２Ｂの大きさ、配置は図５に示されたものに限定されない。

次に、スパッタリング等により、図６に示されるように、バッファー層１４の上に強磁性層１６を形成する（Ｓ１０４）。

次に、強磁性層１６にＶ字切欠き部２０を形成する（Ｓ１０６）。

具体的には、まず、図７に示されるように、スピンコート等により強磁性層１６の上に第１レジスト層２８を形成する（Ｓ１０６Ａ）。尚、第１レジスト層２８はポジ型でもよいしネガ型でもよい。

次に、図８に示されるように、基板１２の基準点１２Ａ、１２Ｂを基準として電子ビーム等を照射することにより、露光部及び非露光部の境界３０の少なくとも一部が（Ｖ字切欠き部２０に相当する）Ｖ字形状３０Ａである第１露光パターンで第１レジスト層２８を露光する（Ｓ１０６Ｂ）。尚、第１レジスト層２８がポジ型の場合は、境界３０におけるＶ字形状３０Ａの頂点が突出する側と反対側を露光する。又、第１レジスト層２８がネガ型の場合は、境界３０におけるＶ字形状３０Ａの頂点が突出する側を露光する。

次に、図９に示されるように、現像により第１レジスト層２８における境界３０よりもＶ字形状３０Ａの頂点が突出する側と反対側の部分を除去する（Ｓ１０６Ｃ）。

次に、図１０及び１１に示されるように、イオンビームエッチング等により強磁性層１６における第１レジスト層２８から露出した部分を除去する（Ｓ１０６Ｄ）。これによりＶ字形状３０Ａに相当するＶ字切欠き部２０が強磁性層１６に形成される。尚、強磁性層１６と共にバッファー層１４も除去してもよい。

次に、図１２に示されるように、酸素を反応ガスとする反応性イオンビームエッチング等により強磁性層１６の上に残存する第１レジスト層２８を除去する（Ｓ１０６Ｅ）。尚、溶剤等により強磁性層１６の上に残存する第１レジスト層２８を除去してもよい。

次に、強磁性層１６に直線部１８を形成する（Ｓ１０８）。

具体的には、まず、図１３に示されるように、スピンコート等により強磁性層１６及び強磁性層１６から露出したバッファー層１４（又は基板１２）の上に第２レジスト層３４を形成する（Ｓ１０８Ａ）。第２レジスト層３４はポジ型でもよいしネガ型でもよい。

次に、図１４に示されるように、基板１２の基準点１２Ａ、１２Ｂを基準として電子ビーム等を照射し、露光部及び非露光部の境界３６における少なくとも一部が強磁性層１６のＶ字切欠き部２０の頂点に対向する直線形状３６Ａである第２露光パターンで第２レジスト層３４を露光する（Ｓ１０８Ｂ）。この際、基板１２の基準点１２Ａ、１２Ｂに対するＶ字切欠き部２０の設計的な位置及び姿勢とＶ字切欠き部２０の実際の位置及び姿勢との誤差を補正し、第２露光パターンの露光位置を決める。尚、第２レジスト層３４がポジ型の場合は、境界３６におけるＶ字切欠き部２０と反対側を露光する。又、第２レジスト層３４がネガ型の場合は、境界３６におけるＶ字切欠き部２０側を露光する。

次に、図１５に示されるように、現像により、第２レジスト層３４における境界３６よりもＶ字切欠き部２０と反対側の部分を除去する（Ｓ１０８Ｃ）。

次に、図１６及び１７に示されるように、イオンビームエッチング等により強磁性層１６における第２レジスト層３４から露出した部分を除去する（Ｓ１０８Ｄ）。尚、強磁性層１６と共にバッファー層１４も除去してもよい。これにより直線形状３６Ａに相当する直線部１８が強磁性層１６に形成される。

次に、酸素を反応ガスとする反応性イオンビームエッチング等により強磁性層１６の上に残存する第２レジスト層３４を除去する（Ｓ１０８Ｅ）。尚、溶剤等により強磁性層１６の上に残存する第２レジスト層３４を除去してもよい。これにより、前記図１及び図２に示される磁気抵抗素子１０が完成する。

このように、直線部１８とＶ字切欠き部２０とを別々の工程で形成するので、直線部１８を形成するための第１レジスト層２８、Ｖ字切欠き部２０を形成するための第２レジスト層３４のいずれも１〜５０ｎｍ程度の微小なサイズに加工することなく、直線部１８及びＶ字切欠き部２０を形成し、これらの間に幅が１〜５０ｎｍ程度のナノコンタクト部２４を形成できる。

又、ナノコンタクト部２４は、直線部１８と該直線部１８に頂点が対向するＶ字切欠き部２０との間に形成されるので、第２露光パターンがずれて露光されても、直線部１８とＶ字切欠き部２０との隙間に垂直な方向のずれはナノコンタクト部２４の幅のずれにはならない。従って、２つのＶ字切欠き部の間にナノコンタクト部を形成する場合に対し、第２露光パターンの露光のずれによるナノコンタクト部２４の幅のばらつきが抑制され、歩留まりが高い。

次に、本発明の第２実施形態について説明する。

本第２実施形態は、前記第１実施形態に対し、Ｖ字切欠き部形成工程（Ｓ１０６）の第１レジスト層露光工程（Ｓ１０６Ｂ）において、図１８に示されるような、露光部と非露光部との境界３０の形状に相当する輪郭を有し、Ｖ字形状３０Ａの頂点に相当する部分が略矩形でＶ字形状３０Ａの頂点近傍の部分よりも該頂点が突出する方向と垂直な方向の隙間が大きいマスク５０を用いて露光を行うことを特徴としている。

このようにマスク５０を用いることで効率良く露光を行うことができる。

又、Ｖ字形状の頂点近傍のような鋭角形状をマスクで露光しようとする場合、光学近接効果により鋭角の部分が露光されないことがあり、図１９に示されるような目標とするＶ字形状３０Ａと等しい輪郭の比較例のマスク２００を用いて露光すると、第１レジスト層２８は、図２０に示されるように、Ｖ字形状３０Ａの頂点に相当する部分が丸みを帯びた露光パターンで露光されてしまうことがある。これにより、ナノコンタクト部は設計値に対して幅が大きくなると共に（第１強磁性部と第２強磁性部との隙間の方向の）長さも過度に長くなってしまうことがある。

これに対し、マスク５０は、Ｖ字形状３０Ａの頂点に相当する部分が略矩形でＶ字形状の頂点近傍の部分よりも該頂点が突出する方向と垂直な方向の隙間が大きいので、第１レジスト層２８は、図２１に示されるように目標とするＶ字形状３０Ａに近い形状で露光される。従って、ナノコンタクト部の幅や（第１強磁性部と第２強磁性部との隙間の方向の）長さを設計値に近づけることができる。

尚、上記第１及び第２実施形態において、Ｖ字切欠き部２０を形成してから直線部１８を形成しているが、直線部１８を形成してからＶ字切欠き部２０を形成してもよい。

又、上記第１及び第２実施形態において、第１強磁性部２２、第２強磁性部２６に隣接して永久磁石層やインスタックバイアス層を設ける工程を省略して説明しているが、これらの層は、上述の強磁性層１６の形成及び加工と同様、スパッタリング等の成膜手法とリソグラフィ等による加工手法を用いて所望の形状に形成できる。

本発明は、ナノコンタクト部を有する磁気抵抗素子の製造に利用することができる。

本発明の第１実施形態に係る磁気抵抗素子の構造を模式的に示す断面図 同平面図 同磁気抵抗素子の製造方法の概略を示すフローチャート 同磁気抵抗素子の製造工程において基板の上にバッファー層が形成された状態を模式的に示す断面図 同基板の平面図 同バッファー層の上に強磁性層が形成された状態を模式的に示す断面図 同強磁性層の上に第１レジスト層が形成された状態を模式的に示す断面図 同第１レジスト層の第１露光パターンを模式的に示す平面図 同第１レジスト層が現像された状態を模式的に示す断面図 前記強磁性層がエッチングされてＶ字切欠き部が形成された状態を模式的に示す断面図 同平面図 残存する第１レジスト層が除去された状態を模式的に示す断面図 前記強磁性層の上に第２レジスト層が形成された状態を模式的に示す断面図 同第２レジスト層の第２露光パターンを模式的に示す平面図 同第２レジスト層が現像された状態を模式的に示す断面図 前記強磁性層がエッチングされて直線部が形成された状態を模式的に示す断面図 同平面図 本発明の第２実施形態に係る露光用のマスクの構造を模式的に示す平面図 比較例に係る露光用のマスクの構造を模式的に示す平面図 同比較例に係る露光用のマスクによる露光パターンを模式的に示す平面図 上記第２実施形態に係る露光用のマスクによる露光パターンを模式的に示す平面図 ２つのＶ字切欠き部の理想的な配置を模式的に示す平面図 ２つのＶ字切欠き部の不適切な配置の例を模式的に示す平面図

符号の説明

１０…磁気抵抗素子
１２…基板
１４…バッファー層
１６…強磁性層
１８…直線部
２０…Ｖ字切欠き部
２２…第１強磁性部
２４…ナノコンタクト部
２６…第２強磁性部
２８…第１レジスト層
３０、３６…境界
３０Ａ…Ｖ字形状
３４…第２レジスト層
３６Ａ…直線形状
５０、２００…マスク
Ｓ１０２…バッファー層形成工程
Ｓ１０４…強磁性層形成工程
Ｓ１０６…Ｖ字切欠き部形成工程
Ｓ１０６Ａ…第１レジスト層形成工程
Ｓ１０６Ｂ…第１レジスト層露光工程
Ｓ１０６Ｃ…第１レジスト層現像工程
Ｓ１０６Ｄ…強磁性層エッチング工程
Ｓ１０６Ｅ…第１レジスト層除去工程
Ｓ１０８…直線部形成工程
Ｓ１０８Ａ…第２レジスト層形成工程
Ｓ１０８Ｂ…第２レジスト層露光工程
Ｓ１０８Ｃ…第２レジスト層現像工程
Ｓ１０８Ｄ…強磁性層エッチング工程
Ｓ１０８Ｅ…第２レジスト層除去工程

Claims (4)

1. 強磁性層の上に第１レジスト層を形成し露光部及び非露光部の境界の少なくとも一部がＶ字形状である第１露光パターンで該第１レジスト層を露光して現像し前記強磁性層をエッチングすることにより前記Ｖ字形状に相当するＶ字切欠き部を該強磁性層に形成するＶ字切欠き部形成工程と、該強磁性層の上に第２レジスト層を形成し露光部及び非露光部の境界における少なくとも一部が前記Ｖ字切欠き部の頂点に対向するように配置された直線形状である第２露光パターンで前記第２レジスト層を露光して現像し前記強磁性層をエッチングすることにより前記直線形状に相当する直線部を該強磁性層に形成する直線部形成工程と、を含むことを特徴とする磁気抵抗素子の製造方法。
2. 強磁性層の上に第１レジスト層を形成し露光部及び非露光部の境界の少なくとも一部が直線形状である第１露光パターンで該第１レジスト層を露光して現像し前記強磁性層をエッチングすることにより前記直線形状に相当する直線部を該強磁性層に形成する直線部形成工程と、該強磁性層の上に第２レジスト層を形成し露光部及び非露光部の境界の少なくとも一部が前記強磁性層の直線部に向かって頂点が対向するように配置されたＶ字形状である第２露光パターンで前記第２レジスト層を露光して現像し前記強磁性層をエッチングすることにより前記Ｖ字形状に相当するＶ字切欠き部を該強磁性層に形成するＶ字切欠き部形成工程と、を含むことを特徴とする磁気抵抗素子の製造方法。
3. 請求項１又は２において、
   前記Ｖ字切欠き部の頂点と前記直線部との間隔が１〜５０ｎｍであるように前記強磁性層を加工することを特徴とする磁気抵抗素子の製造方法。
4. 請求項１乃至３のいずれかにおいて、
   前記Ｖ字切欠き部形成工程において、前記露光部と非露光部との境界の形状に相当する輪郭を有し、且つ、前記Ｖ字形状の頂点に相当する部分が略矩形で前記Ｖ字形状の頂点近傍の部分よりも前記頂点が突出する方向と垂直な方向の隙間が大きいマスクを用いて露光を行うことを特徴とする磁気抵抗素子の製造方法。

Images