JP2008090992A

JP2008090992A - メモリーの動作電圧に基づいてスイッチモジュールを制御する装置及び関連方法

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Publication number: JP2008090992A
Application number: JP2007000519A
Authority: JP
Inventors: Wen-Chang Cheng; 文昌鄭
Original assignee: Nanya Technology Corp
Current assignee: Nanya Technology Corp
Priority date: 2006-09-29
Filing date: 2007-01-05
Publication date: 2008-04-17
Anticipated expiration: 2027-01-05
Also published as: US7417906B2; US20080080270A1; JP4653122B2; DE102007007858A1; KR100820897B1; TWI305653B; DE102007007858B4; TW200816225A; KR20080029718A

Abstract

【課題】メモリーの動作電圧に基づいてパルス幅を調整し、これによってスイッチモジュールを制御する制御信号を生成する装置及び関連方法を提供する
【解決手段】制御装置は、入力指令信号を受信し、選択的に第一パルス幅調整量に基づいてそのパルス幅を調整して出力する第一パルス幅調整ユニットと、入力アドレス信号と調整済み入力指令信号を受信し、制御信号を生成してスイッチモジュールの導通時間を制御するデコーダーと、制御信号を受信し、選択的に第二パルス幅調整量に基づいてそのパルス幅を調整して出力する第二パルス幅調整ユニットと、メモリーにおける入力信号の電気的特性を検出し、これに基づいて第一パルス幅調整ユニットと第二パルス幅調整ユニットをそれぞれ制御し、第一パルス幅調整量と第二パルス幅調整量を設定する検知器とを含む。
【選択図】図２

Description

この発明はメモリーのアクセス制御手段に関し、特にメモリーの動作電圧を検出し、これによりパルス幅を調整し、メモリーのデータ伝送経路におけるスイッチモジュールの制御信号を生成する装置及び関連方法に関する。

マイクロプロセッサーがメモリー（例えばＤＲＡＭ）のデータにアクセスしようとするときは、入力指令信号（データ読み出し指令またはデータ書き込み指令）をメモリーに発しデータアクセス動作をメモリーに通報するとともに、所要のデータに対応する入力アドレス信号を発し、入力アドレス信号に基づいてメモリーがデータにアクセスするのが一般である。データにアクセスする前、まずは入力アドレス信号と入力指令信号をデコーダーで一組の制御信号として復号化して出力し、これに基づいてスイッチモジュールの導通時間を制御し、スイッチモジュールを介してメモリーデータにアクセスする（例えば、導通したスイッチモジュールを介し、メモリーにおける複数のメモリーバンクのうち特定のもののメモリーセルにアクセスする）。入力指令信号と入力データ信号は、一般に複数の電圧信号としてメモリーに入力され、メモリーにも電圧信号を受信するに相応のピンが設けられている。例えば、１０個の電圧信号を入力アドレス信号とする場合、メモリーは個々の電圧信号を受信する１０本のピンを備える。入力指令信号の場合もまた入力アドレス信号の場合と同様である。この電圧信号は、高電圧レベル（例えば５Ｖ）と低電圧レベル（例えば０Ｖ）を有する信号である。メモリーは、その動作クロック（すなわちメモリークロック）に基づいて各電圧信号の電圧レベルを判断し、電圧信号からなる入力アドレス信号を受信し、データアクセスを実行する。

しかし、メモリーの動作電圧が高レベルにあるとき、入力指令信号のパルス幅が短くなり、それによってスイッチモジュールの導通時間が短縮され、メモリーのデータアクセス時間が影響される。それに反し、メモリーの動作電圧が低レベルにあるとき、入力指令信号のパルス幅が長くなった結果、メモリーの中、スイッチモジュールに対応するデコーダーではエラーが起こりうる。図１を参照する。図１は従来のメモリーにおいて、スイッチモジュール制御に基づいたデータアクセスのタイミング図である。スイッチモジュールの導通状態と導通時間は信号ＣＴＲＬによって決められ、図１において、信号ＣＬＫはメモリーの動作クロックであり、信号ＡＤＤＲは入力アドレス信号のうち一電圧信号であり、信号ＣＯＭ_１は通常電圧レベルでの入力指令信号（例えばデータ読み出し指令またはデータ書き込み指令）である。パルス幅ＰＷ_１を有する信号ＣＯＭ_１が高電圧レベルになると、データ読み出しまたはデータ書き込みが行われる。そのほか、信号ＣＯＭ_２は動作電圧が高レベルにあるときの入力指令信号の一例を示し、信号ＣＯＭ_３は動作電圧が低レベルにあるときの入力指令信号の一例を示している。図１に示すように、動作電圧が高レベルになると、制御信号のパルス幅は入力指令信号ＣＯＭ_２のパルス幅ＰＷ_２の影響を受け、通常レベルのときの制御信号ＣＴＲＬのパルス幅ＰＷ_ＣＴＲＬより短くなり、それによってスイッチモジュールの導通時間が短縮され、メモリーのデータアクセス時間が短縮される。一方、動作電圧が低レベルになると、入力指令信号ＣＯＭ_３のパルス幅ＰＷ_３はデコーダーの動作エラーを起こしうる。なぜなら、広くなったパルス幅ＰＷ_３は、入力アドレス信号ＡＤＤＲのパルス幅ＰＷ_ＡＤＤＲの立ち上がりエッジまたは立ち下りエッジを超えることがありうるからである。

この発明は前述の問題を解決するため、メモリーの動作電圧に基づいてパルス幅を調整し、これによってスイッチモジュールを制御する制御信号を生成する装置及び関連方法を提供することを課題とする。

この発明はメモリーにおけるスイッチモジュールを制御する装置を提供する。該装置は、入力指令信号を受信し、選択的に第一パルス幅調整量に基づいて入力指令信号のパルス幅を調整し、調整済みの入力指令信号として出力する第一パルス幅調整ユニットと、第一パルス幅調整ユニットに結合され、入力アドレス信号と調整済み入力指令信号を受信し、制御信号を生成してスイッチモジュールの導通時間を制御し、スイッチモジュールを介してメモリーデータにアクセスすることを可能にするデコーダーと、デコーダーに結合され、デコーダーに出力された制御信号を受信し、選択的に第二パルス幅調整量に基づいて制御信号のパルス幅を調整し、調整済みの制御信号として出力する第二パルス幅調整ユニットと、第一パルス幅調整ユニットと第二パルス幅調整ユニットに結合され、メモリーにおける入力信号の電気的特性を検出し、これに基づいて第一パルス幅調整ユニットと第二パルス幅調整ユニットをそれぞれ制御し、第一パルス幅調整量と第二パルス幅調整量を設定する検知器とを含む。

この発明は更にメモリーにおけるスイッチモジュールを制御する方法を提供する。該方法は、入力指令信号を受信し、選択的に第一パルス幅調整量に基づいて入力指令信号のパルス幅を調整し、調整済みの入力指令信号として出力し、入力アドレス信号と調整済み入力指令信号を受信し、制御信号を生成してスイッチモジュールの導通時間を制御し、スイッチモジュールを介してメモリーデータにアクセスすることを可能にし、制御信号を受信し、選択的に第二パルス幅調整量に基づいて制御信号のパルス幅を調整し、調整済みの制御信号として出力し、メモリーにおける入力信号の電気的特性を検出し、これに基づいて第一パルス幅調整量と第二パルス幅調整量をそれぞれ設定するステップからなる。

この発明はメモリーの動作電圧を検出し、これに基づいて入力指令信号と制御信号のパルス幅を適切に調整することで、入力指令信号のパルス幅が長すぎるときの動作エラーと、制御信号のパルス幅が短すぎるときのアクセス時間の不十分という従来の問題を一挙に解決する。

かかる装置及び方法の特徴を詳述するために、具体的な実施例を挙げ、図を参照にして以下に説明する。

図２を参照する。図２はこの発明によるスイッチモジュール２１０を制御する装置２００を表す説明図である。本実施例による装置２００とスイッチモジュール２１０は、いずれもメモリー（非表示）の中に設けられている。図２に示すように、装置２００は第一パルス幅調整ユニット２０２と、デコーダー２０４と、第二パルス幅調整ユニット２０６と、検知器２０８とを含む。そのうち第一パルス幅調整ユニット２０２は、第一パルス幅調整量に基づいて入力指令信号ＣＯＭのパルス幅を調整し、調整済み入力指令信号ＣＯＭ’として出力する装置であり、デコーダー２０４は、入力アドレス信号ＡＤＤＲと調整済み入力指令信号ＣＯＭ’を受信して制御信号ＣＴＲＬ’を生成し、これに基づいてスイッチモジュール２１０を制御する装置であり、第二パルス幅調整ユニット２０６は、デコーダー２０４から制御信号ＣＴＲＬ’を受信し、第二パルス幅調整量に基づいて制御信号ＣＴＲＬ’のパルス幅を調整し、調整済み制御信号ＣＴＲＬ’’として出力してスイッチモジュール２１０の導通状態を制御する装置である。再び図２を参照する。スイッチモジュール２１０は制御端Ｃと複数のデータ端Ａ、Ｂを備える。制御端Ｃにおける調整済み制御信号ＣＴＲＬ’’の受信により、スイッチモジュール２１０のデータ端Ａ、Ｂ間の電気的接続が確立されると、データ端Ａより受信した書き込みデータを、データ端ＢとデータラインＤＬを介してメモリー中の特定メモリーバンクにあるメモリーセルに書き込むことや、データ端ＢとデータラインＤＬを介して、メモリー中の特定メモリーバンクにあるメモリーセルに保存されるデータを、データ端Ａで読み出すことが可能となる。一方、検知器２０８はメモリー動作電圧のレベルに基づき、第一パルス幅調整ユニット２０２を制御して第一パルス幅調整量を設定するとともに、第二パルス幅調整ユニット２０６を制御して第二パルス幅調整量を設定する。注意すべきは、本実施例は第一パルス幅調整ユニット２０２と第二パルス幅調整ユニット２０６として制御可能な遅延ユニットを利用し、別々の遅延量を生成してパルス幅を拡縮する。第一パルス幅調整量と第二パルス幅調整量は、それぞれ第一パルス幅調整ユニット２０２と第二パルス幅調整ユニット２０６が加える遅延量である。もっとも、これは本発明を限定するものでなく、パルス幅を調整できるいかなる手段は、いずれも第一パルス幅調整ユニット２０２と第二パルス幅調整ユニット２０６に適する。なお、本実施例では、検知器２０８はメモリー動作電圧のレベルを検出する装置とされる。それに代わって、抵抗ユニットを検知器として利用し、抵抗ユニットを流れる電流を測定することで動作電圧レベルの検出することも、別の実施例として成立できる。すなわち、メモリーにおける特定信号の電気的特性（例えばメモリーに動作電圧を与える入力信号Ｓ_ｉｎの電気的特性（つまり電圧または電流））を検出することで、第一パルス幅調整ユニット２０２と第二パルス幅調整ユニット２０６を制御する手段は、いずれも本発明の範囲に属する。

次に第一パルス幅調整ユニット２０２の動作について説明する。入力信号Ｓ_ｉｎが第一電圧レベルＶ_１に対応し、それに応じて入力指令信号ＣＯＭのパルス幅が第一幅Ｗ_１に対応するようになったときには、検知器２０８は第一パルス幅調整ユニット２０２を制御して第一遅延量Ｄ_１を第一パルス幅調整量として設定し、これに基づいて第一幅Ｗ_１を短縮させる。入力信号Ｓ_ｉｎが第一電圧レベルＶ_１より高い第二電圧レベルＶ_２に対応し、それに応じて入力指令信号ＣＯＭのパルス幅が第一幅Ｗ_１より短い第二幅Ｗ_２に対応するようになったときには、検知器２０８は第一パルス幅調整ユニット２０２を制御して第一遅延量Ｄ_１より小さい第二遅延量Ｄ_２を第一パルス幅調整量として設定し、これに基づいて第二幅Ｗ_２を短縮させる。言い換えれば、入力信号Ｓ_ｉｎが比較的に低い電圧レベル（すなわち第一電圧レベルＶ_１）に対応するようになると、低電圧レベルによりパルス幅が広くなるため、デコーダー２０４の復号化動作への影響を避けるように、検知器２０８は第一パルス幅調整ユニット２０２を制御してより大きい遅延量（第一遅延量Ｄ_１）を設定し、これに基づいてパルス幅を短縮させる。それに反し、入力信号Ｓ_ｉｎが比較的に高い電圧レベル（すなわち第二電圧レベルＶ_２）に対応するときは、第一パルス幅調整ユニット２０２でより小さい遅延量（第二遅延量Ｄ_２）を設定し、これに基づいてパルス幅を短縮させる。注意すべきは、前記第一電圧レベルＶ_１と第二電圧レベルＶ_２がいずれも閾値電圧レベルＶ_ｔｈ１（低閾値電圧レベル）より低く、すなわち、第一電圧レベルＶ_１と第二電圧レベルＶ_２がいずれも通常電圧レベルより低く、それにより第一幅Ｗ_１と第二幅Ｗ_２が通常パルス幅より広くなっているため、デコーダー２０４の復号化動作への影響を避けるように、第一幅Ｗ_１と第二幅Ｗ_２を短縮しなければならない。そのほか、第二電圧レベルＶ_２が前記閾値電圧レベルＶ_ｔｈ１より高いが、閾値電圧レベルＶ_ｔｈ２（高閾値電圧レベル。閾値電圧レベルＶ_ｔｈ２は閾値電圧レベルＶ_ｔｈ１より高い）まで達していない場合では、検知器２０８は第一パルス幅調整ユニット２０２を制御して入力指令信号ＣＯＭのパルス幅を保持する。それに反し、閾値電圧レベルＶ_ｔｈ１より低い第一電圧レベルＶ_１に対しては、検知器２０８は第一パルス幅調整ユニット２０２を制御して所要の遅延量を設定し、これに基づき第一電圧レベルＶ_１に対応するパルス幅を短縮させる。言い換えれば、入力信号Ｓ_ｉｎに対応する電圧レベルが閾値電圧レベルＶ_ｔｈ１より高いが、閾値電圧レベルＶ_ｔｈ２まで達していない場合では、復号化動作が影響されないので、パルス幅は本来のままにすればよい。

また、両方とも閾値電圧レベルＶ_ｔｈ２（高閾値電圧レベル）より高い第一電圧レベルＶ_１’と第二電圧レベルＶ_２’が与えられた場合では（第二電圧レベルＶ_２’は第一電圧レベルＶ_１’より低いとする）、第一電圧レベルＶ_１’と第二電圧レベルＶ_２’がいずれも短いパルス幅に対応し、復号化動作に影響しうるので、検知器２０８は第一パルス幅調整ユニット２０２を制御して別々の遅延量を設定し、これに基づいて第一電圧レベルＶ_１’と第二電圧レベルＶ_２’に対応するパルス幅をそれぞれ拡大する。この場合の動作は下記のとおりである。入力信号Ｓ_ｉｎが第一電圧レベルＶ_１’に対応し、それに応じて入力指令信号ＣＯＭのパルス幅が第一幅Ｗ_１’に対応するようになったときには、検知器２０８は第一パルス幅調整ユニット２０２を制御して第一遅延量Ｄ_１’を第一パルス幅調整量として設定し、これに基づいて第一幅Ｗ_１’を拡大する。入力信号Ｓ_ｉｎが第一電圧レベルＶ_１’より低い第二電圧レベルＶ_２’に対応し、それに応じて入力指令信号ＣＯＭのパルス幅が第一幅Ｗ_１’より広い第二幅Ｗ_２’に対応するようになったときには、検知器２０８は第一パルス幅調整ユニット２０２を制御して第一遅延量Ｄ_１’より小さい第二遅延量Ｄ_２’を第一パルス幅調整量として設定し、これに基づいて第二幅Ｗ_２’を拡大する。そのほか、第二電圧レベルＶ_２’が閾値電圧レベルＶ_ｔｈ２より低いが、閾値電圧レベルＶ_ｔｈ１より低くなっていない場合では、検知器２０８は第一パルス幅調整ユニット２０２を制御して入力指令信号ＣＯＭのパルス幅を保持する。それに反し、閾値電圧レベルＶ_ｔｈ２より高い第一電圧レベルＶ_１’に対しては、検知器２０８は第一パルス幅調整ユニット２０２を制御して所要の遅延量を設定し、これに基づき第一電圧レベルＶ_１’に対応するパルス幅を拡大する。言い換えれば、入力信号Ｓ_ｉｎに対応する電圧レベルが閾値電圧レベルＶ_ｔｈ２より低いが、閾値電圧レベルＶ_ｔｈ１より低くなっていない場合では、復号化動作が影響されないので、パルス幅は本来のままにすればよい。最後に、第一電圧と第二電圧がいずれも閾値電圧レベルＶ_ｔｈ１と閾値電圧レベルＶ_ｔｈ２の間にある場合では、復号化動作が影響されないので、検知器２０８は第一パルス幅調整ユニット２０２を制御して、第一電圧と第二電圧に対応する入力指令信号ＣＯＭのパルス幅を保持する。注意すべきは、閾値電圧レベルＶ_ｔｈ１、Ｖ_ｔｈ２の値は設計上の要求に応じて変更することができ、本発明は特定の値を要求しない。

次に第二パルス幅調整ユニット２０６の動作について説明する。入力信号Ｓ_ｉｎが第三電圧レベルＶ_３に対応し、それに応じて制御信号ＣＴＲＬ’のパルス幅が第三幅Ｗ_３に対応するようになったときには、検知器２０８は第二パルス幅調整ユニット２０６を制御して第三遅延量Ｄ_３を第二パルス幅調整量として設定し、これに基づいて第三幅Ｗ_３を拡大する。入力信号Ｓ_ｉｎが第三電圧レベルＶ_３より低い第四電圧レベルＶ_４に対応し、それに応じて制御信号ＣＴＲＬ’のパルス幅が第三幅Ｗ_３より広い第四幅Ｗ_４に対応するようになったときには、検知器２０８は第二パルス幅調整ユニット２０６を制御して第三遅延量Ｄ_３より小さい第四遅延量Ｄ_４を第二パルス幅調整量として設定し、これに基づいて第四幅Ｗ_４を拡大する。前記第三電圧レベルＶ_３と第四電圧レベルＶ_４がいずれも閾値電圧レベルＶ_ｔｈ２より高い場合では、閾値電圧レベルＶ_ｔｈ２より高い電圧レベルに対応するパルス幅はまず前記第一パルス幅調整ユニット２０２によって拡大されるとはいえ、第一パルス幅調整ユニット２０２に調整された制御信号ＣＴＲＬ’のパルス幅を更に第二パルス幅調整ユニット２０６で拡大し、これに基づきスイッチモジュール２１０の導通時間を制御することも必要である。同じく、第四電圧レベルＶ_４が閾値電圧レベルＶ_ｔｈ２より低いが、閾値電圧レベルＶ_ｔｈ１より低くなっていない場合では、検知器２０８は第二パルス幅調整ユニット２０６を制御して制御信号ＣＴＲＬ’のパルス幅を保持する。それに反し、閾値電圧レベルＶ_ｔｈ２より高い第三電圧レベルＶ_３に対して、検知器２０８は第二パルス幅調整ユニット２０６を制御して所要の遅延量を設定し、これに基づき第三電圧レベルＶ_３に対応するパルス幅を拡大する。そのほか、両方とも閾値電圧レベルＶ_ｔｈ１（低閾値電圧レベル）より低い第三電圧レベルＶ_３’と第四電圧レベルＶ_４’が与えられた場合では（第四電圧レベルＶ_４’は第三電圧レベルＶ_３’より低いとする）、第三電圧レベルＶ_３’と第四電圧レベルＶ_４’にそれぞれ対応するパルス幅が第一パルス幅調整ユニット２０２によって短縮され、それに応じて制御信号ＣＴＲＬ’のパルス幅も短くなっているので、第二パルス幅調整ユニット２０６で制御信号ＣＴＲＬ’のパルス幅を拡大し、これに基づきスイッチモジュール２１０の導通時間を制御することが必要となる。この場合の動作は下記のとおりである。入力信号Ｓ_ｉｎが第三電圧レベルＶ_３’に対応し、それに応じて制御信号ＣＴＲＬ’のパルス幅が第三幅Ｗ_３’に対応するようになったときには、検知器２０８は第二パルス幅調整ユニット２０６を制御して第三遅延量Ｄ_３’を第二パルス幅調整量として設定し、これに基づいて第三幅Ｗ_３’を拡大する。入力信号Ｓ_ｉｎが第三電圧レベルＶ_３’より低い第四電圧レベルＶ_４’に対応し、それに応じて制御信号ＣＴＲＬ’のパルス幅が第三幅Ｗ_３’より広い第四幅Ｗ_４’に対応するようになったときには、検知器２０８は第二パルス幅調整ユニット２０６を制御して第三遅延量Ｄ_３’より小さい第四遅延量Ｄ_４’を第二パルス幅調整量として設定し、これに基づいて第四幅Ｗ_４’を拡大する。同じく、第四電圧レベルＶ_４’が閾値電圧レベルＶ_ｔｈ１より高いが、閾値電圧レベルＶ_ｔｈ２に達していない場合では、検知器２０８は第二パルス幅調整ユニット２０６を制御して制御信号ＣＴＲＬ’のパルス幅を保持する。それに反し、閾値電圧レベルＶ_ｔｈ１より低い第三電圧レベルＶ_３’に対しては、検知器２０８は第二パルス幅調整ユニット２０６を制御して所要の遅延量を設定し、これに基づき第三電圧レベルＶ_３’に対応する制御信号ＣＴＲＬ’のパルス幅を拡大する。最後に、前記第三電圧と第四電圧がいずれも閾値電圧レベルＶ_ｔｈ１と閾値電圧レベルＶ_ｔｈ２の間にある場合では、復号化動作が影響されないので、検知器２０８は第二パルス幅調整ユニット２０６を制御して、第三電圧と第四電圧に対応する制御信号ＣＴＲＬ’のパルス幅を保持する。注意すべきは、本実施例による第二パルス幅調整ユニット２０６に用いられる高／低閾値電圧レベル（Ｖ_ｔｈ１／Ｖ_ｔｈ２）の値は第一パルス幅調整ユニット２０２のそれと同じである。もっとも別の実施例として、第一パルス幅調整ユニット２０２と第二パルス幅調整ユニット２０６に別々の高／低閾値電圧レベルを設定しても可能である。

また注意すべきは、第一パルス幅調整ユニット２０２と第二パルス幅調整ユニット２０６を同時に利用することが望ましいが、別の実施例として、第一パルス幅調整ユニット２０２または第二パルス幅調整ユニット２０６のいずれかのみ利用することも可能である。この場合、デコーダー２０４の復号化動作への影響と、データアクセス時間の不十分という問題を同時に解決できないが、そのいずれかを緩和する効果は依然として認められる。

以上はこの発明に好ましい実施例であって、この発明の実施の範囲を限定するものではない。よって、当業者のなし得る修正、もしくは変更であって、この発明の精神の下においてなされ、この発明に対して均等の効果を有するものは、いずれもこの発明の特許請求の範囲に属するものとする。

本発明の利用する素子はいずれも当業者に周知されているもので、当然実施可能である。

従来のメモリーにおいて、スイッチモジュール制御に基づいたデータアクセスのタイミング図である。この発明によるスイッチモジュールを制御する装置を表す説明図である。

符号の説明

２００装置
２０２第一パルス幅調整ユニット
２０４デコーダー
２０６第二パルス幅調整ユニット
２０８検知器
２１０スイッチモジュール

Claims

メモリーにおけるスイッチモジュールを制御する装置であって、
入力指令信号を受信し、選択的に第一パルス幅調整量に基づいて入力指令信号のパルス幅を調整し、調整済みの入力指令信号として出力する第一パルス幅調整ユニットと、
第一パルス幅調整ユニットに結合され、入力アドレス信号と調整済み入力指令信号を受信し、制御信号を生成してスイッチモジュールの導通時間を制御し、スイッチモジュールを介してメモリーデータにアクセスすることを可能にするデコーダーと、
デコーダーに結合され、デコーダーから出力された制御信号を受信し、選択的に第二パルス幅調整量に基づいて制御信号のパルス幅を調整し、調整済みの制御信号として出力する第二パルス幅調整ユニットと、
第一パルス幅調整ユニットと第二パルス幅調整ユニットに結合され、メモリーにおける入力信号の電気的特性を検出し、これに基づいて第一パルス幅調整ユニットと第二パルス幅調整ユニットをそれぞれ制御し、第一パルス幅調整量と第二パルス幅調整量を設定する検知器とを含むことを特徴とするメモリーのスイッチモジュール制御装置。
前記入力信号はメモリーに動作電圧を与え、前記検知器は該動作電圧のレベルを検出して第一パルス幅調整ユニットを制御することを特徴とする請求項１記載のメモリーのスイッチモジュール制御装置。
前記第一パルス幅調整ユニットは制御可能な遅延ユニットであり、前記入力信号が第一電圧レベルに対応し、且つ前記入力指令信号のパルス幅が第一幅に対応するときには、検知器が第一パルス幅調整ユニットを制御して第一遅延量を第一パルス幅調整量として設定し、これに基づき第一幅を短縮させ、前記入力信号が第一電圧レベルより高い第二電圧レベルに対応し、且つ前記入力指令信号のパルス幅が第一幅より短い第二幅に対応するときには、検知器が第一パルス幅調整ユニットを制御して第一遅延量より小さい第二遅延量を第一パルス幅調整量として設定し、これに基づき第二幅を短縮させることを特徴とする請求項２記載のメモリーのスイッチモジュール制御装置。
前記第二電圧レベルが閾値電圧レベルに達すると、検知器は第一パルス幅調整ユニットを制御して入力指令信号のパルス幅を保持することを特徴とする請求項３記載のメモリーのスイッチモジュール制御装置。
前記第二パルス幅調整ユニットは制御可能な遅延ユニットであり、前記入力信号が第三電圧レベルに対応し、且つ前記制御信号のパルス幅が第三幅に対応するときには、検知器が第二パルス幅調整ユニットを制御して第三遅延量を第二パルス幅調整量として設定し、これに基づき第三幅を拡大し、前記入力信号が第三電圧レベルより低い第四電圧レベルに対応し、且つ前記制御信号のパルス幅が第三幅より広い第四幅に対応するときには、検知器が第二パルス幅調整ユニットを制御して第三遅延量より小さい第四遅延量を第二パルス幅調整量として設定し、これに基づき第四幅を拡大することを特徴とする請求項３記載のメモリーのスイッチモジュール制御装置。
前記第四電圧レベルが閾値電圧レベルに達すると、検知器は第二パルス幅調整ユニットを制御して制御信号のパルス幅を保持することを特徴とする請求項５記載のメモリーのスイッチモジュール制御装置。
前記第一パルス幅調整ユニットは制御可能な遅延ユニットであり、前記入力信号が第一電圧レベルに対応し、且つ前記入力指令信号のパルス幅が第一幅に対応するときには、検知器が第一パルス幅調整ユニットを制御して第一遅延量を第一パルス幅調整量として設定し、これに基づき第一幅を拡大し、前記入力信号が第一電圧レベルより低い第二電圧レベルに対応し、且つ前記入力指令信号のパルス幅が第一幅より広い第二幅に対応するときには、検知器が第一パルス幅調整ユニットを制御して第一遅延量より小さい第二遅延量を第一パルス幅調整量として設定し、これに基づき第二幅を拡大することを特徴とする請求項２記載のメモリーのスイッチモジュール制御装置。
前記第二電圧レベルが閾値電圧レベルに達すると、検知器は第一パルス幅調整ユニットを制御して入力指令信号のパルス幅を保持することを特徴とする請求項７記載のメモリーのスイッチモジュール制御装置。
前記第二パルス幅調整ユニットは制御可能な遅延ユニットであり、前記入力信号が第三電圧レベルに対応し、且つ前記制御信号のパルス幅が第三幅に対応するときには、検知器が第二パルス幅調整ユニットを制御して第三遅延量を第二パルス幅調整量として設定し、これに基づき第三幅を拡大し、前記入力信号が第三電圧レベルより低い第四電圧レベルに対応し、且つ前記制御信号のパルス幅が第三幅より広い第四幅に対応するときには、検知器が第二パルス幅調整ユニットを制御して第三遅延量より小さい第四遅延量を第二パルス幅調整量として設定し、これに基づき第四幅を拡大することを特徴とする請求項７記載のメモリーのスイッチモジュール制御装置。
前記第四電圧レベルが別の閾値電圧レベルに達すると、検知器は第二パルス幅調整ユニットを制御して制御信号のパルス幅を保持することを特徴とする請求項９記載のメモリーのスイッチモジュール制御装置。
前記第二パルス幅調整ユニットは制御可能な遅延ユニットであり、前記入力信号が第一電圧レベルに対応し、且つ前記制御信号のパルス幅が第一幅に対応するときには、検知器が第二パルス幅調整ユニットを制御して第一遅延量を第二パルス幅調整量として設定し、これに基づき第一幅を拡大し、前記入力信号が第一電圧レベルより低い第二電圧レベルに対応し、且つ前記制御信号のパルス幅が第一幅より広い第二幅に対応するときには、検知器が第二パルス幅調整ユニットを制御して第一遅延量より小さい第二遅延量を第二パルス幅調整量として設定し、これに基づき第二幅を拡大することを特徴とする請求項２記載のメモリーのスイッチモジュール制御装置。
前記第二電圧レベルが閾値電圧レベルに達すると、検知器は第二パルス幅調整ユニットを制御して制御信号のパルス幅を保持することを特徴とする請求項１１記載のメモリーのスイッチモジュール制御装置。
メモリーにおけるスイッチモジュールを制御する方法であって、
入力指令信号を受信し、選択的に第一パルス幅調整量に基づいて入力指令信号のパルス幅を調整し、調整済みの入力指令信号として出力し、
入力アドレス信号と調整済み入力指令信号を受信し、制御信号を生成してスイッチモジュールの導通時間を制御し、スイッチモジュールを介してメモリーデータにアクセスすることを可能にし、
制御信号を受信し、選択的に第二パルス幅調整量に基づいて制御信号のパルス幅を調整し、調整済みの制御信号として出力し、
メモリーにおける入力信号の電気的特性を検出し、これに基づいて第一パルス幅調整量と第二パルス幅調整量をそれぞれ設定するステップからなることを特徴とするメモリーのスイッチモジュール制御方法。
前記入力信号はメモリーに動作電圧を与え、前記メモリーにおける入力信号の電気的特性を検出して第一パルス幅調整量を設定するステップは、該動作電圧のレベルを検出し、これに基づき第一パルス幅調整量を設定することを特徴とする請求項１３記載のメモリーのスイッチモジュール制御方法。
前記動作電圧のレベルを検出して第一パルス幅調整量を設定するステップは、入力信号が第一電圧レベルに対応し、且つ前記入力指令信号のパルス幅が第一幅に対応するときには、第一遅延量を第一パルス幅調整量として設定し、これに基づき第一幅を短縮させ、入力信号が第一電圧レベルより高い第二電圧レベルに対応し、且つ前記入力指令信号のパルス幅が第一幅より短い第二幅に対応するときには、第一遅延量より小さい第二遅延量を第一パルス幅調整量として設定し、これに基づき第二幅を短縮させることを特徴とする請求項１４記載のメモリーのスイッチモジュール制御方法。
前記第二電圧レベルが閾値電圧レベルに達すると、入力指令信号のパルス幅を保持することを特徴とする請求項１５記載のメモリーのスイッチモジュール制御方法。
前記入力信号に基づいて第二パルス幅調整量を設定するステップは、入力信号が第三電圧レベルに対応し、且つ前記制御信号のパルス幅が第三幅に対応するときには、第三遅延量を第二パルス幅調整量として設定し、これに基づき第三幅を拡大し、入力信号が第三電圧レベルより低い第四電圧レベルに対応し、且つ前記制御信号のパルス幅が第三幅より広い第四幅に対応するときには、第三遅延量より小さい第四遅延量を第二パルス幅調整量として設定し、これに基づき第四幅を拡大することを特徴とする請求項１５記載のメモリーのスイッチモジュール制御方法。
前記第四電圧レベルが閾値電圧レベルに達すると、制御信号のパルス幅を保持することを特徴とする請求項１７記載のメモリーのスイッチモジュール制御方法。
前記動作電圧のレベルを検出して第一パルス幅調整量を設定するステップは、入力信号が第一電圧レベルに対応し、且つ前記入力指令信号のパルス幅が第一幅に対応するときには、第一遅延量を第一パルス幅調整量として設定し、これに基づき第一幅を拡大し、入力信号が第一電圧レベルより低い第二電圧レベルに対応し、且つ前記入力指令信号のパルス幅が第一幅より広い第二幅に対応するときには、第一遅延量より小さい第二遅延量を第一パルス幅調整量として設定し、これに基づき第二幅を拡大することを特徴とする請求項１４記載のメモリーのスイッチモジュール制御方法。
前記第二電圧レベルが閾値電圧レベルに達すると、入力指令信号のパルス幅を保持することを特徴とする請求項１９記載のメモリーのスイッチモジュール制御方法。
前記入力信号に基づいて第二パルス幅調整量を設定するステップは、入力信号が第三電圧レベルに対応し、且つ前記制御信号のパルス幅が第三幅に対応するときには、第三遅延量を第二パルス幅調整量として設定し、これに基づき第三幅を拡大し、入力信号が第三電圧レベルより低い第四電圧レベルに対応し、且つ前記制御信号のパルス幅が第三幅より広い第四幅に対応するときには、第三遅延量より小さい第四遅延量を第二パルス幅調整量として設定し、これに基づき第四幅を拡大することを特徴とする請求項１９記載のメモリーのスイッチモジュール制御方法。
前記第四電圧レベルが閾値電圧レベルに達すると、制御信号のパルス幅を保持することを特徴とする請求項２１記載のメモリーのスイッチモジュール制御方法。
前記入力信号に基づいて第二パルス幅調整量を設定するステップは、入力信号が第一電圧レベルに対応し、且つ前記制御信号のパルス幅が第一幅に対応するときには、第一遅延量を第二パルス幅調整量として設定し、これに基づき第一幅を拡大し、入力信号が第一電圧レベルより低い第二電圧レベルに対応し、且つ前記制御信号のパルス幅が第一幅より広い第二幅に対応するときには、第一遅延量より小さい第二遅延量を第二パルス幅調整量として設定し、これに基づき第二幅を拡大することを特徴とする請求項１４記載のメモリーのスイッチモジュール制御方法。
前記第二電圧レベルが閾値電圧レベルに達すると、制御信号のパルス幅を保持することを特徴とする請求項２３記載のメモリーのスイッチモジュール制御方法。