JP2008076328A - ガスセンサ - Google Patents
ガスセンサ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008076328A JP2008076328A JP2006258424A JP2006258424A JP2008076328A JP 2008076328 A JP2008076328 A JP 2008076328A JP 2006258424 A JP2006258424 A JP 2006258424A JP 2006258424 A JP2006258424 A JP 2006258424A JP 2008076328 A JP2008076328 A JP 2008076328A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- gas sensor
- groove portion
- platinum
- annular groove
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 150
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 75
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 32
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 32
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims abstract description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 16
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 claims description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 116
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 12
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 9
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 4
- 238000005549 size reduction Methods 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 45
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 10
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 9
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 6
- 238000007084 catalytic combustion reaction Methods 0.000 description 5
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 229910018503 SF6 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 238000003915 air pollution Methods 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000567 combustion gas Substances 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000002803 fossil fuel Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N sulfur hexafluoride Chemical compound FS(F)(F)(F)(F)F SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960000909 sulfur hexafluoride Drugs 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
Abstract
【解決手段】本発明のガスセンサは、ガスセンサの配線部を支持する絶縁膜に狭溝部を設ける。この狭溝部は、その上部の白金配線上部に設ける触媒金属と平面的に重なる絶縁膜に設ける。この狭溝部内部に設ける空隙により、センサを構成する配線部の熱容量が低下する。絶縁膜の強度を保ちながら熱容量を低減できるため、センサの小型化と高感度化とが図れる。
【選択図】図1
Description
一方で自動車用燃料や、家庭用発電機などの用途に水素燃料を適用した時、重要となるのがガス漏洩対策である。ガスを漏洩させないことはもとより、万が一ガスが漏洩した場合に高感度に検知し、迅速に燃料を遮断する高信頼の保安システムが望まれる。
一様な基板であるため、さほど熱容量は小さくなっていない。
仮に、この基板を薄くしすぎるとかえってセンサとしての強度が低下してしまうために、この基板部分はこれ以上薄くすることはできない。
本発明の目的とするところは、このような課題を解決し、ガスセンサとして強度を低下させずに熱容量を小さくし、検出感度を向上させるガスセンサの提供である。
絶縁膜または絶縁基板の表面に環状の溝部を設け、
環状の溝部に囲まれる領域の表面を第1の表面とし、環状の溝部に囲まれていない領域の表面を第2の表面とするとき、
第1の表面上に第1の白金膜を設け、環状の溝部によって隔てられる第2の表面上に第2の白金膜を設け、
触媒金属は、前記第1の白金膜の上部に設け、
第1の表面の触媒金属と平面的に重なる部分に狭溝部を設けることを特徴とする。
このような構成にすることで、触媒金属および配線部を支える絶縁膜または絶縁基板の熱容量を小さくすることができる。熱容量が小さいために従来よりもヒータの熱応答性が高くなり、かつ触媒燃焼時の温度に対する感度は向上する。すなわちセンサとしての感度がさらに向上する。
以下、図1、図2を用いて本発明のガスセンサを実施するための第1の実施形態におけ
る構造を説明する。図1(a)は、本発明のガスセンサを説明するために模式的に示す平面図である。図1(b)は、図1(a)に示す切断線A−A’における断面図である。さらに図2は狭溝部の平面的な位置関係を説明するための拡大図である。なお、図2は、狭溝部の状態をわかりやすく表記するため、第1の白金膜および触媒金属は透過して表している。
しかしながら、平坦化という観点から、絶縁膜21の上部に白金膜をできるだけ一様に設ける方が好ましい。したがって、第1の白金膜51,第2の白金膜52は略同じ膜厚で形成する方が好ましい。
白金膜は、その形成過程で狭溝部32の上部を覆ってしまう。これは、狭溝部32の開口幅W1,その深さL2が、環状の溝部31の開口幅W1,その深さL1に比べて小さいため、その内部にまで白金膜が形成できないからである。
したがって、白金膜の形成過程において、狭溝部32の上端部では、第1の表面41と水平方向に白金膜が徐々に成長し、やがてピンチオフして連続膜となる。結果、狭溝部32内部には空隙70が形成されるのである。
とができる。
これらの選択は、形成する白金膜の膜厚や形成装置の性能や機種が予めわかっているために、簡単に選択できる。例えば、環状の溝部31上に形成する図示しない白金膜(第1の白金膜51または第1の白金膜51になる膜)の膜厚をT1とすると、環状の溝部31の溝の深さL1は、上方に形成する白金膜の膜厚T1の約1倍以上とし、上端面の開口幅W1は、同じく膜厚T1より小さくなるよう設定する。
これらの選択は、形成する白金膜の膜厚や形成装置の性能や機種が予めわかっているために、簡単に選択できる。例えば、狭溝部32上に形成する図示しない白金膜(第1の白金膜51になる膜)の膜厚をT2とすると、狭溝部32の溝の深さL2は、上方に形成する白金膜の膜厚T2の約2倍以上とする。狭溝部32の上端面の開口幅W2は、同じく膜厚T2より小さくなるよう設定する方が好ましい。
本発明のガスセンサの構造は、すでに説明する構成に限定されない。図3は、絶縁膜21の膜厚によって深い溝が形成できない場合や、成膜装置の特性によって溝側面の被覆率が高い場合における構造を示す断面図である。図3において、33はオーバーハング形状を有する環状の溝部、34はオーバーハング形状の狭溝部である。すでに説明した同一の構成には同一の番号を付与している。
本発明のガスセンサの構造は、すでに説明した構成に限定されない。図4は、センサの熱容量を最小限に抑えながらセンサ部全体の強度を保持できる構造を示すものであって、環状の溝部31で分割された第1の表面41と第2の表面42との部分を拡大する平面図である。
触媒金属60を積層する配線部下部と触媒金属60が積層されない配線部下部とで、開口幅を変化させた狭溝部を説明するものである。図4において、35はそのような形状を有する狭溝部であって、35aは狭溝部35における幅広部、35bは同じく幅狭部である。図4において、触媒金属60は見やすいように点線で示している。すでに説明した同一の構成には同一の番号を付与している。
本発明のガスセンサの構造において、狭溝部の形状は自由に選択することができる。図5は、同一形状で独立した狭溝部を複数並べる例を説明するものであって、環状の溝部31で分割された第1の表面41と第2の表面42との部分を拡大する平面図である。なお、狭溝部の状態をわかりやすく表記するため、第1の白金膜51および触媒金属60は透過して表している。図5において、36は、円形状の狭溝部である。すでに説明した同一の構成には同一の番号を付与している。
円形状の狭溝部36は、その底部を絶縁膜21またはこの絶縁膜21が乗る図示しない基板などの裏面まで貫通させて形成してもよい。溝部の底部をそれら裏面にまで貫通させることで、さらに熱容量を低減することができる。
次に、本発明のガスセンサの製造方法を図6から図8を用いて説明する。なお、シリコン基板上に絶縁膜としてシリコン窒化膜を設け、フォトリソグラフィにより環状の溝部31および狭溝部32を設け、第1の表面41および第2の表面42を形成し、白金膜をスパッタし、第1の白金膜51および第2の白金膜52を形成する場合を説明する。すでに説明した構成には同一の番号を付与している。
次に、図7に示すように、反応ガスに六フッ化硫黄を用いるドライエッチングにより絶縁膜21をエッチングし、環状の溝部31および狭溝部32を形成する。その後、レジストパターンはアッシングにより除去する。
このエッチング処理により、絶縁膜21の表面は、環状の溝部31によって分割され、環状の溝部31の内周に接する表面に第1の表面41、環状の溝部31の外周に接する面に第2の表面42が形成される。同時に、環状の溝部31の内周に接する表面に第1の表面41上に狭溝部32が形成される。
21 絶縁膜
31 絶縁膜21上面に形成する環状の溝部
32 狭溝部
33 オーバーハング形状を有する環状の溝部
34 オーバーハング形状を有する狭溝部
35 開口幅を変化させた狭溝部
36 円形状を有する狭溝部
41 環状の溝部31の内周に接する絶縁膜21の第1の表面
42 環状の溝部31の外周に接する絶縁膜21の第2の表面
50 環状の溝部31の底部に堆積した白金膜
51 第1の表面41上に形成する第1の白金膜
52 第2の表面42上に形成する第2の白金膜
60 触媒金属
70 空隙
Claims (4)
- 触媒金属を有するガスセンサであって、
絶縁膜または絶縁基板の表面に環状の溝部を設け、
前記環状の溝部に囲まれる領域の表面を第1の表面とし、前記環状の溝部に囲まれていない領域の表面を第2の表面とするとき、
前記第1の表面上に第1の白金膜を設け、前記環状の溝部によって隔てられて前記第2の表面上に第2の白金膜を設け、
前記触媒金属は、前記第1の白金膜の上部に設け、
前記第1の表面の該触媒金属と平面的に重なる部分に狭溝部を設けることを特徴とするガスセンサ。 - 前記環状の溝部は、溝の深さ距離を溝の開口距離で割った比率値が1以上の数値を有しているとともに、前記開口距離の値は前記白金配線の膜厚の値よりも小さいことを特徴とする請求項1に記載のガスセンサ。
- 前記狭溝部は、溝の深さ距離を溝の開口距離で割った比率値が2以上の数値を有していることを特徴とする請求項1または2のいずれか1つに記載のガスセンサ。
- 前記環状の溝部または前記狭溝部は、その断面形状がオーバーハング形状をなしていることを特徴とする請求項1から3のいずれか1つに記載のガスセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006258424A JP4866191B2 (ja) | 2006-09-25 | 2006-09-25 | ガスセンサ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006258424A JP4866191B2 (ja) | 2006-09-25 | 2006-09-25 | ガスセンサ及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2008076328A true JP2008076328A (ja) | 2008-04-03 |
| JP4866191B2 JP4866191B2 (ja) | 2012-02-01 |
Family
ID=39348540
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006258424A Expired - Fee Related JP4866191B2 (ja) | 2006-09-25 | 2006-09-25 | ガスセンサ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4866191B2 (ja) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5618381A (en) * | 1979-07-25 | 1981-02-21 | Ricoh Kk | Electric heater |
| JPH07218464A (ja) * | 1994-02-04 | 1995-08-18 | Fuji Electric Co Ltd | ガスセンサ |
| JPH1151893A (ja) * | 1997-08-07 | 1999-02-26 | Yazaki Corp | 接触燃焼式ガスセンサ |
| JP2003098012A (ja) * | 2001-09-26 | 2003-04-03 | Mitsuteru Kimura | 温度測定装置およびこれ用いたガス濃度測定装置 |
| JP2008076260A (ja) * | 2006-09-22 | 2008-04-03 | Citizen Holdings Co Ltd | ガスセンサ |
-
2006
- 2006-09-25 JP JP2006258424A patent/JP4866191B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5618381A (en) * | 1979-07-25 | 1981-02-21 | Ricoh Kk | Electric heater |
| JPH07218464A (ja) * | 1994-02-04 | 1995-08-18 | Fuji Electric Co Ltd | ガスセンサ |
| JPH1151893A (ja) * | 1997-08-07 | 1999-02-26 | Yazaki Corp | 接触燃焼式ガスセンサ |
| JP2003098012A (ja) * | 2001-09-26 | 2003-04-03 | Mitsuteru Kimura | 温度測定装置およびこれ用いたガス濃度測定装置 |
| JP2008076260A (ja) * | 2006-09-22 | 2008-04-03 | Citizen Holdings Co Ltd | ガスセンサ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4866191B2 (ja) | 2012-02-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9944516B2 (en) | High aspect ratio etch without upper widening | |
| JP2010098518A (ja) | Memsセンサの製造方法およびmemsセンサ | |
| JP2009538238A (ja) | マイクロマシン構成素子及びその製法 | |
| KR20140077501A (ko) | 저항변화 메모리 소자 및 그 제조 방법 | |
| US10241067B2 (en) | Semiconductor gas sensor and method of manufacturing the same | |
| US6220164B1 (en) | Semiconductor igniter | |
| CN111370368B (zh) | 一种半导体芯片密封环及其制造方法 | |
| JP4866191B2 (ja) | ガスセンサ及びその製造方法 | |
| EP3234589A2 (en) | A mems gas chromatograph and method of forming a separator column for a mems gas chromatograph | |
| TW201705262A (zh) | 包括界定空隙之材料之電子裝置及其形成程序 | |
| JP2008076260A (ja) | ガスセンサ | |
| KR20090060629A (ko) | 반도체 소자 및 그 제조 방법 | |
| JP2009229187A (ja) | 薄膜型ガスセンサ | |
| JP6447441B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US10370240B2 (en) | Layer structure and method of manufacturing a layer structure | |
| JP7240289B2 (ja) | Mems素子 | |
| KR20110065179A (ko) | 이미지 센서의 실링 및 이미지 센서의 실링 제조 방법 | |
| WO2007020538A3 (en) | Integrated device having a semiconductor device and a temperature sensing element and corresponding manufacturing method | |
| KR20090002424A (ko) | 가스 센서 및 그의 제조 방법 | |
| US12441606B2 (en) | MEMS device including coil structure with corrugated polymer film | |
| TWI306310B (ja) | ||
| JP2008241331A (ja) | 薄膜型ガスセンサ | |
| CN115420777A (zh) | 一种阵列式fet加热的插指气敏传感器及其加工方法 | |
| JP5297112B2 (ja) | 薄膜ガスセンサ | |
| JP2008283192A (ja) | 半導体素子及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090512 |
|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20090512 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110808 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110816 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111005 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20111101 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20111111 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141118 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4866191 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |