JP2008064759A - 基板の表面エラーを光学的に検出する装置および方法 - Google Patents

Abstract

【課題】微細な引掻き傷のより簡単な検出を可能にする装置を提供する。
【解決手段】本発明は、基板１０の表面エラー、特に微細な引掻き傷、を光学的に検出する装置に関するものであって、基板１０表面の検出領域を照らす照明１５と、検出領域へ向けられた、照明から放射される光を検出する検出器１８とを有し、照明１５と検出器１８が互いに対して次のように、すなわち、検出領域内にある表面エラーで散乱された、照明の光２０’が少なくとも部分的に検出器１８へ達し、かつ基板表面のエラーのない検出領域内で散乱された、照明の光２０”は検出器１８へ達しないように、配置されている。
【選択図】図１

Description

本発明は、基板の表面エラー、特に微細な引掻き傷、を光学的に検出する装置に関する。

一般的には表面エラー、詳細には引掻き傷、の検出は、特に、フラットディスプレイ、特にＴＦＴ技術に基づくフラットディスプレイを形成するためのガラス基板の製造において、重要である。というのは、ここでは、ガラス基板の表面性質の品質に対して特に高い要請が課されるからである。

ＴＦＴフラットディスプレイを形成するために使用されるガラス基板は、今日では典型的に、０．４ｍｍから１．１ｍｍの厚みにおいて約２０００ｍｍ×２０００ｍｍの大きさを有している。このガラス基板を製造する場合に、基板の表面が研磨される。その場合に、基板の表面に、たとえば引掻き傷のような、小さいエラーが生じ、あるいはその前にすでに生じている表面エラーが研磨によっては完全には除去されない、ということが生じる。

ガラス製造からもたらされるガラスエラー、たとえば局所的変形または気泡、の検出を可能にする、表面検査システムが存在する。しかし、比較的小さい表面エラー、特に微細な引掻き傷の検出は、これまで問題であることが、明らかにされている。ここで、微細な引掻き傷というのは、任意の長さにおいてナノメートル領域の深さと数１０ｎｍから数１００ｎｍの領域の幅とを有する引掻き傷である。

従来、ガラス基板の引掻き傷の検出は、人による観察を用いて行われている。検出結果は、引掻き傷の形成が実質的に二次元であるために、著しい程度において光入射に依存するので、引掻き傷検出を依頼された人は、検査すべきガラス基板を光源に対して傾けることができなければならない。しかしこれは、数平方メートルの領域の大きさを有する、薄い基板においては、困難である。

明視野配置内で散乱光を用いてガラス基板上の引掻き傷を検出することも、知られている。しかし、回折限定に基づいて、この方法によっては、比較的大きな引掻き傷しか検出できず、上述した寸法を有する微細な引掻き傷は検出できない。さらに、検査すべきガラス基板は、引掻き傷が実質的に二次元で形成されているために、上述したように、照明に対して、かつ／または検出装置の感光検出器に対して回動され、ないしは傾けられなければならないので、この種の検出装置は、連続プロセスにおいて使用するには適していない。

本発明の課題は、微細な引掻き傷のより簡単な検出を可能にする装置を提供することである。

この課題を解決するために、請求項１の特徴を有する装置が設けられている。

本発明に基づく装置は、基板表面の検出領域を照らす照明と、検出領域へ向けられた、照明から放射される光を検出する検出器とを有している。

照明と検出器は、互いに対して次のように、すなわち、検出領域内にある表面エラーで散乱された、照明の光が少なくとも部分的に検出器へ達し、かつ基板表面のエラーのない検出領域内で散乱された、照明の光は検出器へ達しないように、配置されている。従って換言すると、照明と検出器の本発明に基づく配置は、明視野配置に比較してずっと小さい構造の検出を可能にする、暗視野配置である。すなわち、本発明に基づく装置によって、たとえば、１０ｎｍの領域の深さと１００ｎｍの領域の幅とを有する、微細な引掻き傷が検出される。

本発明に基づく装置は、さらに、光学的なアパーチャ拡大手段を有しており、そのアパーチャ拡大手段は照明と基板表面との間に配置されており、かつそのアパーチャ拡大手段によって、照明から出射する光のアパーチャが拡大可能である。アパーチャ拡大手段は、照明から放射された光ビームが基板表面への投影内で見て引掻き傷へ当接する角度の領域を最大にするために、用いられる。アパーチャ拡大手段を適切に形成し、かつアパーチャ拡大手段を基板表面に対して適切に配置することによって、たとえば、基板表面への投影内で、ほぼ１８０°の光ビームの角度領域を達成することが、可能である。

照明から放射された光のこの拡大によって、本発明に基づくエラー検出が、引掻き傷の位置ないし方位に実質的に依存しなくなる。このようにして、検査すべき基板を照明ないし検出器に対して回動および／または傾斜させることなしでも、微細な引掻き傷の確実な検出が可能である。それによって本発明によれば、引掻き傷検出は、著しく簡略化されるだけでなく、連続プロセスにおいても実施可能である。

なお、本発明に基づく装置は、ここでは特に微細な引掻き傷の検出を用いて説明されるが、微細な引掻き傷の検出に限定されるものではなく、原則的に他の、たとえば三次元の、表面エラーの検出にも、適している。

さらに、本発明に基づく装置は、ガラス基板の検査に限定されず、同様に、たとえばシリコンウェファなどのような、半導体基板の表面検査にも、使用される。

本発明の好ましい形成が、従属請求項、明細書および図面から明らかにされる。

ある実施形態によれば、照明と検出器は、基板表面の同一の側に配置されている。この種の配置は、反射光−暗視野配置とも称される。これは、基板が透明であるか否か、すなわち照明から放射される光を透過するか否か、に関係なく、表面エラーの検出を可能にする。

他の実施形態によれば、照明は、線形照明である。線形照明から放射される光は、走査平面を定め、その走査平面は基板表面へ当接した場合に、細長い、特に少なくともほぼ線形の検出領域をもたらす。これが、大面積の基板の迅速かつ正確な走査を可能にする。

好ましくは、照明は、基板の送り方向に対して横方向かつ特に直角に方位付けされている。これが、照明を通過して移動する基板の特に効果的な検査を可能にする。照明は、検出領域が基板の幅全体にわたって延びるように、寸法設計することができる。代替的に、この目的のために、複数の並べて配置された照明を設けることができる。両方の場合において、検出器がそれ相応に形成されている場合に、基板を検出装置を１回通過させれば、基板表面の検査にとって十分である。従って、この検出装置は、連続プロセスにおいて表面エラーを検出するのに特に適している。

好ましくは、アパーチャ拡大手段は、少なくともほぼ、照明の長手方向の広がりの方向、すなわち光の走査平面内でのみ、有効である。このようにして、検出領域の線形性が、アパーチャ拡大手段によって損なわれないことが、保証される。

他の実施形態によれば、アパーチャ拡大手段はビームスプリッタと、光伝播方向に見て特にビームスプリッタの後段に配置された、レンチキュラーレンズとを有している。ビームスプリッタとレンチキュラーレンズのこの種の配置は、照明から放射された光の特に大きい拡幅、すなわちアパーチャの特に有意な拡大をもたらす。さらに、この種のアパーチャ拡大手段によって、角度領域全体にわたって、微細な引掻き傷の検出にとって十分に高い光強度が得られる。

ビームスプリッタは、（照明の長手方向の広がりの方向に見て）相前後して配置された複数のプリズムを有することができる。同様に、レンチキュラーレンズも、（照明の長手方向の広がりの方向に見て）相前後して配置された複数の円柱レンズを有することができる。従ってビームスプリッタも、レンチキュラーレンズも、フレネル光学構成部品である。

他の実施形態によれば、照明は、横断面変換器を有しており、その横断面変換器によって照明の光源から放射された光の横断面が、少なくともほぼ線形の横断面に変換可能である。横断面変換器によって、たとえばハロゲンランプ、アークランプまたはハロゲン金属蒸着ランプのような、冷光源を、線形の検出領域を発生させるために使用することが、可能である。

簡単な形式の横断面変換器は、たとえば、複数の光を案内する繊維を有しており、それらの繊維は光源の領域内では束ねられており、かつ照明の光出射開口部の方向へ互いに離れるように延びている。

他の実施形態によれば、検出器の方向に散乱されない、照明の光を捕捉するために、少なくとも１つのビームトラップが設けられている。検出器の方向に散乱されない光は、たとえば、エラーのない基板表面で反射された光、または基板を透過した光である。ビームトラップ内にこの光を捕捉することが、光が望ましくないように検出器へ達して、検出結果を歪曲しかねないことを、防止する。

他の実施形態によれば、検出器は、少なくとも１つのカメラを有している。このカメラは、たとえば、ＣＣＤカメラである。

好ましくは、検出器は、（照明の長手方向の広がりの方向に見て）相前後して配置された複数のカメラを有している。好ましくは、カメラの数は、検出領域の長さに適合されている。複数のカメラの使用が、大面積の基板の迅速な検査を支援する。

１つまたは各カメラは、特に、細長い、好ましくは少なくともほぼ線形の検出領域に対して平行に方位付けされた、ラインカメラであることができる。たとえば、連続プロセスにおいて大面積の基板の効率的な検査を可能にするために、１つまたは各ラインカメラはライン状の検出領域に応じて、基板の送り方向に対して横方向に方位付けすることができる。

好ましくは、１つまたは各カメラは、複数行の感光素子を有するＴＤＩカメラ（ＴＤＩ "time delay and integration"）であって、その場合に行は、（基板の送り方向に見て）相前後して配置されている。この種のＴＤＩカメラにおいては、カメラ信号が基板の送りのクロックで積分され、それによって特に高い感度が達成され、それが暗視野内での微細な引掻き傷の信頼できる検出に寄与する。

本発明の他の対象は、さらに、請求項１８の特徴を有する方法である。本発明に基づく方法を用いて、同様に上述した利点が達成される。

以下、添付の図面を参照しながら、純粋に例として好ましい実施形態を用いて、本発明を説明する。

図１には、基板１０の表面エラー、特に微細な引掻き傷、を光学的に検出するための、本発明に基づく装置が示されている。この実施例において、基板１０は、ＴＦＴフラットディスプレイ内で使用するために設けられている、０．４ｍｍから１．１ｍｍの範囲の厚みを有するガラス基板である。しかし原則的に、基板１０は、ガラス基板に限定されず、たとえば、シリコンウェファのような、半導体基板であってもよい。

基板１０は、連続プロセスにおけるエラー検出を可能にするために、図示されていない移送装置上に保持されており、かつこの移送装置によって検出装置に対して送り方向１２へ移動可能である。

検出装置は、基板１０の検出領域１６を隈無く照らすための、横断面変換器１５を有する照明と、検出領域１６へ向けられた、照明から放射される光２０を検出するための検出器１８とを有している。

横断面変換器１５を有する照明と検出器１８は、基板１０の同じ側に互いに対して次のように、すなわち、検出領域１６内にある微細な引掻き傷で散乱された、照明の光２０’が少なくとも部分的に検出器１８へ達し、基板表面のエラーのない検出領域１６内で散乱された、横断面変換器１５を有する照明の光２０”は検出器１８へ達することができないように、配置されている。従って、横断面変換器１５を有する照明と検出器１８の配置は、換言すると、反射光−暗視野配置である。

検出器１８の光学軸は、基板１０の表面に対して直角に方位付けされている。最適かつ、検出すべき微細な引掻き傷の方位にできるだけ依存しない検出結果を得るために、検出領域１６の照射は、以下で詳細に説明するように、できるだけ急峻な角度で行われるべきである。この実施例において、横断面変換器１５を有する照明の光学軸は、検出器１８の光学軸と約９°の角度を形成する。

照明は、冷光源、たとえばハロゲンランプ、アークランプまたはハロゲン−金属蒸着ランプを有し、光伝播方向に見てその後段に横断面変換器１５が接続されている。

横断面変換器１５は、複数の光を案内する繊維を有しており、それらの繊維は、横断面変換器１５の光出射側で点光線を形成するために、横断面変換器１５の光源を向いた側で実質的に円い光束にまとめられており、かつ、光伝播方向に見て平面、いわゆる放射された光の走査平面内に、互いに扇形に広がるように延びている。

光伝播方向に見て、横断面変換器１５の後段に、円柱レンズ２２が接続されており、その円柱レンズの長手軸は走査平面内にあって、基板１０の表面に対して平行かつ送り方向１２に対して直角に、従って図１において図面平面に対して直角に延びている。円筒レンズ２２が、横断面変換器１５から出射した光２０を、検出領域１６が少なくともほぼ、送り方向１２に対して直角に、従って図１において図面平面に対して垂直に延びるラインの形状を有するように、合焦させる。従って照明は、最終的に、線照明である。

光伝播方向に見て、円柱レンズ２２の後段に、アパーチャ拡大手段２４が接続されており、そのアパーチャ拡大手段は、横断面変換器１５を有する照明から出射する光２０のアパーチャを走査平面内でできるだけ拡大するために、用いられる。

アパーチャ拡大手段２４は、光伝播方向に相前後して配置された、ビームスプリッタ２６とレンチキュラーレンズ２８（図２）を有している。ビームスプリッタ２６とレンチキュラーレンズ２８は、それぞれ棒状の基本形状を有しており、かつそれぞれ円筒レンズ２２に対して平行に、従って図１において図面平面に対して垂直に、延びている。

図２ａに示すように、ビームスプリッタ２６は、ビームスプリッタ２６の長手方向の広がりの方向に並べて配置された多数のプリズム３０を有しており、それらのプリズムは、ビームスプリッタ２６上へ当接する光ビーム２０を走査平面内で互いに離れるように延びる２つの光ビーム２０ａと２０ｂに分割するために、走査平面内でそれぞれ三角形の横断面を有している。

図２ｂから明らかなように、レンチキュラーレンズ２８は、レンチキュラーレンズ２８の長手方向の広がりの方向に並べて配置された多数の円柱レンズ３２を有しており、それらの円柱レンズは、レンチキュラーレンズ２８へ入射する視準された光ビーム２０を走査平面の内部で発散する光ビーム２０ｃに変換するために、走査平面内でそれぞれ部分円形の横断面を有している。

図３には、ビームスプリッタ２６とレンチキュラーレンズ２８の作用が、これらを通過する光の強度を用いて走査平面内の角度に従って示されている。その場合に記載されている光強度は、横断面変換器１５を有する照明から出射して、ビームスプリッタ２６またはレンチキュラーレンズ２８によって影響を受けていない初期光ビームの、主放射方向に、すなわち０°の放射角度で測定された、最大の強度に関して規格化されている。

横断面変換器１５を有する照明から出射して、ビームスプリッタ２６またはレンチキュラーレンズ２８によって影響を受けていない初期光ビームの強度分布が、実線のカーブ（ａ）で示されている。カーブ（ａ）から明らかなように、横断面変換器１５を有する照明から出射した光は、比較的わずかな発散を有している。もっと正確に言うと、初期光ビームは、約−４０°から約＋４０°の領域内でのみ、測定可能な強度を有しており、その場合に規格化された強度は、−２０°から＋２０°の角度領域内で初めて、０．２より大きい値をとる。

点線のカーブ（ｂ）は、ビームスプリッタ２６を通過した後の光の強度分布を示している。このカーブから明らかなように、約−２５°と約＋２５°の放射角度の元で、それぞれ約０．５５の規格化された強度を有する強度最大が形成され、それに対して強度は主放射方向に、すなわち約０°の放射角度の元で、約０．１５に下降する。従ってビームスプリッタ２６は、図２ａを用いてすでに説明したように、入射する光ビーム２０を２つの部分ビーム２０ａと２０ｂに分割する。

破線のカーブ（ｃ）は、レンチキュラーレンズ２８を通過した後の光の光強度を示している。カーブ（ｃ）から明らかなように、レンチキュラーレンズ２８は、実線のカーブ（ａ）で示されるような、初期光ビームの強度分布に比較して、強度分布の明白な拡幅をもたらす。換言すると、レンチキュラーレンズ２８は、入射する光ビームの拡幅をもたらす（これについて図２ｂも参照）。

一点鎖線のカーブ（ｄ）は、ビームスプリッタ２６とレンチキュラーレンズ２８の組合せを通過した光の強度分布を表している。カーブ（ｄ）から明らかなように、ビームスプリッタ２６とレンチキュラーレンズ２８の組合せは、この組合せを通過する光ビームが、−６０°から＋６０°より多い角度領域にわたって有意の強度を有することを、もたらす。

従って換言すると、ビームスプリッタ２６とレンチキュラーレンズ２８の組合せは、レンチキュラーレンズ２８によってそれ自体考えて得られるビーム拡幅よりもずっと大きいビーム拡幅をもたらす。さらに、ビームスプリッタ２６とレンチキュラーレンズ２８の組合せが、ビームスプリッタ２６またはレンチキュラーレンズ２８によってそれぞれそれ自体考えて達成できるよりも、ずっと均質な、−６０°から＋６０°の角度領域にわたる強度分布を形成する。従ってビームスプリッタ２６とレンチキュラーレンズ２８の組合せは、１２０°より大きいアパーチャを有する検出領域１６の均質な照明を可能にする。

従って、アパーチャ拡大手段２４を適切に形成することによって、すなわち、ビームスプリッタ２６とレンチキュラーレンズ２８を適切に形成して配置することによって、最終的に、検出領域１６を均質かつ、走査平面内での放射される光２０の次のような大きさのアパーチャで、すなわち、放射される光２０が基板表面への投影において見て、たとえば微細な引掻き傷のような表面エラー上に約１８０°の角度領域で当接する大きさのアパーチャで、照射することが、可能になる。

その場合に基板表面への投影において達成可能な角度領域は、光入射の急峻性に比例的に依存し、すなわち角度領域は、横断面変換器１５を有する照明の光学軸ないし走査平面が基板表面と形成する角度が大きくなるほど、それだけ大きくなる。従って、すでに説明したように、横断検出器１５を有する照明の光学軸が検出器１８の光学軸と形成する角度は、できる限り小さくするべきであり、従って、照明と検出器の暗視野配置内でまさに実現されるように、小さくすべきである。

基板表面上へ当接する光２０の角度領域ないしアパーチャが実質的に、すなわち基板表面への投影において、ほぼ１８０°であることによって、そのほぼ二次元の形成を特徴とする引掻き傷、特に微細な引掻き傷も、その方位にほぼ関係なく検出することが可能である。特に、送り方向１２に対して横方向に延びる微細な引掻き傷だけでなく、ほぼ送り方向１２に方位付けされている微細な引掻き傷も、確実に検出することができる。

すでに説明したように、検出器１８の光学軸は基板１０の表面に対して直角に方位付けされているので、照明の光２０’は、それが基板の表面エラー、たとえば微細な引掻き傷で散乱された場合にだけ、検出器１８へ達することができる。

それ自体知られているように、光伝播方向に見て検出器１８の前段に、マスク３４と対物レンズ３６が設けられている。

検出器１８自体は、それぞれ検出領域１６に対して平行に、従って図１において図面平面に対して垂直に方位付けされた、複数のＣＣＤリニアカメラを有している。リニアカメラは、送り方向１２に対して横方向に見て相前後して配置されており、その場合にリニアカメラの長さと数は、検出領域の全長が監視できるように、選択されている。カメラは、たとえばそれぞれ１００ｍｍのスキャン長さを有し、かつ１つの照明にそれぞれ５つのカメラを対応づけることができる。

リニアカメラは、それぞれ複数列の感光素子を有する、いわゆるＴＤＩカメラ（ＴＤＩ" time delay and integration"）であって、その場合に送り方向１２に見て行が相前後して配置されている。各カメラの個々の行の信号が、基板１０の送りのクロックで積分されて、それによってカメラの高められた感度が得られる。

カメラの高められた感度と、微細な引掻き傷の散乱光信号の強度が小さいことに基づいて、微細な引掻き傷の検出のために十分な、背景に対するコントラストが得られるようにするためには、検出装置は周囲光と散乱光に対してシールされなければならない。この目的のために、検出装置は、基板１０の表面で反射された光２０”を除去する、第１のビームトラップ３８と、基板１０を透過した光２０”を除去する、第２のビームトラップ４０を有している。従って、ビームトラップ３８、４０によって、基板表面で反射された光２０’も、基板１０を透過した光２０”も散乱光として結像光学系内へ、従って検出器１８へ達することができない。

本発明に基づく装置を模式的に示した構成説明図である。 図１の装置のビームスプリッタの機能（ａ）とレンチキュラーレンズの機能（ｂ）を示す説明図である。 図１の装置の照明から放射される光の強度を、照明から出射する際の放射角度（ａ）、ビームスプリッタを通過した後の放射角度（ｂ）、レンチキュラーレンズを通過した後の放射角度（ｃ）およびビームスプリッタとレンチキュラーレンズの組合せを通過した後の放射角度（ｄ）、として示した特性図である。

符号の説明

１０ 基板
１２ 送り方向
１５ 横断面変換器
１６ 検出領域
１８ 検出器
２０ 光
２２ 円柱レンズ
２４ アパーチャ拡大手段
２６ ビームスプリッタ
２８ レンチキュラーレンズ
３０ プリズム
３２ 円柱レンズ
３４ マスク
３６ 対物レンズ
３８ ビームトラップ
４０ ビームトラップ

Claims (18)

1. 基板（１０）の表面エラー、特に微細な引掻き傷、を光学的に検出する装置であって、
   基板表面の検出領域（１６）を照らすための照明と、
   照明から放射される光（２０）を検出するための、検出領域（１６）へ向けられた検出器（１８）と、
   を有し、
   照明と検出器（１８）が互いに対して次のように、すなわち、検出領域内にある表面エラーで散乱された、照明の光（２０’）が少なくとも部分的に検出器（１８）へ達し、そして基板のエラーのない検出領域内で散乱された、照明の光（２０”）が検出器（１８）へ達しないように、配置されており、かつ
   照明と基板表面との間に光学的なアパーチャ拡大手段（２４）が配置されており、前記アパーチャ拡大手段によって、照明から出射する光（２０）のアパーチャが拡大可能である、
   基板の表面エラー、特に微細な引掻き傷、を光学的に検出する装置。
2. 照明と検出器（１８）が、基板（１０）の同一の側に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の装置。
3. 照明が、線形照明であることを特徴とする請求項１または２に記載の装置。
4. 照明が、基板（１０）の送り方向（１２）に対して横方向かつ、特に直角に方位付けされていることを特徴とする請求項３に記載の装置。
5. アパーチャ拡大手段（２４）が、少なくともほぼ、照明の長手方向の広がりの方向にのみ、有効であることを特徴とする請求項１から４の少なくとも１項に記載の装置。
6. アパーチャ拡大手段（２４）が、少なくとも１つのビームスプリッタ（２６）を有していることを特徴とする請求項１から５の少なくとも１項に記載の装置。
7. アパーチャ拡大手段（２４）が、少なくとも１つのレンチキュラーレンズ（２８）を有していることを特徴とする請求項１から６の少なくとも１項に記載の装置。
8. アパーチャ拡大手段（２４）が、ビームスプリッタ（２６）と、光伝播方向に見てビームスプリッタ（２６）の、特に後段に配置された、レンチキュラーレンズ（２８）と、を有していることを特徴とする請求項１から７の少なくとも１項に記載の装置。
9. ビームスプリッタ（２６）が、照明の長手方向の広がりの方向に見て、相前後して配置された複数のプリズム（３０）を有していることを特徴とする請求項６または８に記載の装置。
10. レンチキュラーレンズ（２８）が、照明の長手方向の広がりの方向に見て、相前後して配置された複数の円柱レンズ（３２）を有していることを特徴とする請求項７または８に記載の装置。
11. 照明が、横断面変換器（１５）を有しており、前記横断面変換器によって、照明の光源から放射された光の横断面が、少なくともほぼ線形の横断面に変換可能であることを特徴とする請求項１から１０の少なくとも１項に記載の装置。
12. 横断面変換器（１５）が、光を案内する複数の繊維を有しており、前記繊維が光源の領域内では束ねられており、かつ照明の光出射開口部の方向へ互いに離れるように延びていることを特徴とする請求項１１に記載の装置。
13. 検出器（１８）の方向へ散乱されない、照明の光（２０’）を捕捉するために、少なくとも１つのビームトラップ（３８、４０）が設けられていることを特徴とする請求項１から１２の少なくとも１項に記載の装置。
14. 検出器（１８）が、少なくとも１つのカメラを有していることを特徴とする請求項１から１３の少なくとも１項に記載の装置。
15. 検出器（１８）が、照明の長手方向の延びの方向に見て、相前後して配置された複数のカメラを有していることを特徴とする請求項１から１４の少なくとも１項に記載の装置。
16. １つのカメラ、または各カメラが、特に細長い検出領域（１６）に対して平行に方位付けされた、リニアカメラであることを特徴とする請求項１４または１５に記載の装置。
17. １つまたは各カメラが、複数行の感光素子を有するＴＤＩカメラであって、その行が、基板（１０）の送り方向（１２）に見て、相前後して配置されていることを特徴とする請求項１４から１６のいずれか１項に記載の装置。
18. 基板（１０）の表面エラー、特に微細な引掻き傷、を光学的に検出する方法であって、同方法において、
    照明を用いて基板表面の検出領域（１６）が照らされ、かつ
    検出領域（１６）へ向けられた検出器（１８）を用いて、照明から放射される光（２０）が検出され、
    照明と検出器（１８）が互いに対して次のように、すなわち、検出領域（１６）内にある表面エラーで散乱された、照明の光（２０）が、少なくとも部分的に検出器（１８）へ達し、かつ基板表面のエラーのない検出領域（１６）内で散乱された、照明の光（２０”）は検出器（１８）へ達しないように、配置されており、かつ
    照明と基板表面との間に光学的なアパーチャ拡大手段（２４）が配置されており、前記アパーチャ拡大手段によって、照明から出射した光（２０）のアパーチャが拡大される、
    基板の表面エラーを光学的に検出する方法。

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