JP2008060445A

JP2008060445A - 発光素子

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Publication number: JP2008060445A
Application number: JP2006237388A
Authority: JP
Inventors: Takeshi Takeuchi; 剛竹内; Hiroyuki Yamazaki; 裕幸山崎
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 2006-09-01
Filing date: 2006-09-01
Publication date: 2008-03-13
Also published as: US20080056311A1; US7602823B2

Abstract

【課題】光の吸収損失がなく、発振特性が安定で、製造コストの低い発光素子を提供する。
【解決手段】位相制御領域を持たない半導体光増幅器（ＳＯＡ）４と、リング共振器型波長可変フィルター部５とを備える。リング共振器型波長可変フィルター部５は、光路長のわずかに異なる複数のリング共振器６及びリング共振器の温度を制御するヒーター電極７などから構成されている。また、リング共振器型波長可変フィルター部５の接続導波路８の上に、押さえ治具３を用いて固定された圧電素子１を新たに備える。圧電素子１が接続導波路８に応力を印加し、印加された応力により、接続導波路８の屈折率及び物理長を変化させる。
【選択図】図１

Description

本発明は、例えばＷＤＭ伝送システム用光源としての波長可変光源として使用される、光の位相を制御する機能を備えた発光素子に関するものである。

１つの光源で複数の波長の発振が可能な波長可変光源は、ＷＤＭ（Wavelength Division Multiplexing：波長分割多重）伝送システム用光源として、システム再構成が容易となる点、また、バックアップ光源の在庫を低減できるという点で極めて有用であり、近年活発に研究開発が進められている（特許文献１，２、及び非特許文献１参照）。このような特徴を備えた従来の波長可変光源として、例えば、図１１及び図１２に示すものがある。図１１は平面図、図１２は図１１中に示す半導体光増幅器１０１の断面図である。この波長可変光源は、位相制御領域つき半導体光増幅器（ＳＯＡ）１０１と、リング共振器型波長フィルター１０２とから構成される。リング共振器型波長フィルター１０２は、光路長のわずかに異なる複数のリング共振器１０３及びリング共振器の温度を制御するヒーター１０４などから構成されている。

この波長可変光源では、リング共振器型波長フィルター１０２が、位相制御領域つきＳＯＡ１０１から入射された光のうち、特定の波長の光のみ位相制御領域つきＳＯＡ１０１へ戻す機能を有する光回路であり、「特定の波長」は、ヒーター１０４により制御可能とされている。なお、リング共振器型波長フィルター１０２の、詳細については、例えば非特許文献１などに示されているので、ここでは詳細な説明を省略する。

位相制御領域つきＳＯＡ１０１は、図１２に示すように、ゲイン領域１０７と位相制御領域１０８とを備えている。ゲイン領域１０７は、活性層１１２を備え、ここに電流を注入することで発振のためのゲインを得る。また、位相制御領域１０８は、コア層１１３に電流を注入することで屈折率を変化させ、最も良好な発振特性が得られるように光の位相を制御する。ここで、位相制御領域１０８のコア層１１３は、発振波長に対して低損失となるよう、ゲイン領域１０７の活性層１１２とは異なる組成（より短波長組成）の半導体層で形成されている。また、活性層１１２とコア層１１３とは、エッチングプロセスと再成長プロセスによる、所謂バットジョイント構造１１４により接続されている。位相制御領域１０８側の端面からの出射光はリング共振器型波長フィルター１０２の接続導波路１０５へ入射され、ゲイン領域１０７側端面からの出射光は、波長可変光源の出力光として外部に取り出される。

特開平２−１６５１１６号公報特公平０７−０８２１３１号公報山崎裕幸他著、２００５年電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ大会予稿集、予稿Ｎｏ．Ｃ−３−８９

しかしながら、上述した従来の技術による波長可変光源には、以下に示すような問題があった。先ず、第１の問題点は、位相制御領域１０８のコア層１１３において光の吸収損失が生じ、波長可変光源の出力光パワーが低下することである。また、第２の問題点は、位相制御領域つきＳＯＡ１０１のバットジョイント１１４の部分において、光の反射が生じ、生じた反射光がゲイン領域１０７へ戻ることにより発振特性が不安定となることである。また、第３の問題点は、位相制御領域つきＳＯＡ１０１のバットジョイント１１４の部分は、素子の製造上、歩留まりが悪く、素子製造コスト上昇を招く点である。

本発明は、以上のような問題点を解消するためになされたものであり、光の吸収損失がなく、発振特性が安定で、製造コストの低い発光素子を提供することを目的とする。

本発明に係る発光素子は、光を増幅する機能を有する光増幅部及び外部共振器の内部に配置された平面型光導波路を少なくとも備えるレーザからなる発光素子であって、平面型光導波路の少なくとも一部領域に、直接あるいは間接的に応力を印加する応力印加手段を備えるようにしたものである。応力印加手段により応力が印加されると、応力が印加された領域の平面型導波路は、屈折率及び物理長が変化する。

上記発光素子において、応力印加手段は、圧電材料から構成されたものであるとよい。また、上記発光素子において、平面型光導波路を含む光回路部をさらに備え、応力印加手段は、光回路部の全体あるいは一部領域に、直接あるいは間接的に応力を印加するものであればよい。なお、光回路部は、光増幅部から発せられた光を光増幅部へ戻す反射機能を有し、また、反射機能は、特定の波長の光を光増幅部へ戻すようにしたものである。また、特定の光波長を制御する波長制御手段を備える。

また、上記発光素子において、応力印加手段により平面型光導波路に印加される印加応力の大きさを制御する応力制御手段を備える。例えば、発光素子の発光状態を計測する発光状態モニターをさらに備え、応力制御手段は、発光状態モニターからの情報に基づき印加応力を制御する。例えば、発光状態モニターは、発光素子の発光パワーを計測する発光パワーモニターである。応力制御手段は、発光素子の発光パワーが最大となるよう印加応力の大きさを制御する。

上記発光素子において、光回路部が形成された基板と共通の基板の上に、光増幅部を実装する領域が形成されているようにしてもよい。また、光増幅部は、光増幅部が備える活性層が形成された側の面を光増幅部を実装する領域の側に向けて実装してもよい。また、平面型光導波路と応力印加手段とは、モノリシックに集積化されているとよい。また、平面型光導波路は、応力印加手段が配置される領域を複数回通過する屈曲した導波路の部分を備え、この屈曲した導波路の部分に応力印加手段により応力が印加されるようにしてもよい。

以上説明したように、本発明によれば、外部共振器の内部に配置された平面型光導波の少なくとも一部領域に、直接あるいは間接的に応力を印加する応力印加手段を備え、応力印加手段により印加された応力により、平面型導波路の屈折率及び物理長を変化させるようにしたので、光の吸収損失がなく、発振特性が安定で、製造コストの低い発光素子が提供できるようになるという優れた効果が得られる。

以下、本発明の実施の形態について図を参照して説明する。図１〜図３は、本発明の実施の形態における発光素子の構成例を示す構成図である。図１は素子全体の平面視の状態を模式的に示し、図２は、図１中のＡＡ’線の断面を模式的に示し、図３は、図１中のＢＢ’線の断面を模式的に示している。図１に示す発光素子は、先ず、半導体光増幅器（ＳＯＡ）４と、リング共振器型波長可変フィルター部５とを備える。リング共振器型波長可変フィルター部５は、光路長のわずかに異なる複数のリング共振器６及びリング共振器の温度を制御するヒーター電極（波長制御手段）７などから構成されている。リング共振器型波長可変フィルター部５は、ＳＯＡ４から入射された光のうち、特定の波長の光のみＳＯＡ４へ戻す機能を有する光回路であり、「特定の波長」は、ヒーター電極７により制御（選択）可能とされている。

この発光素子が、図１１及び図１２に示した従来例と特に異なる点は、先ず、従来では位相制御領域つきＳＯＡ１０１を用いていたのに対し、図１〜図３に示す発光素子では、位相制御領域を持たないＳＯＡ４を使用している点がある。また、図１〜図３に示す発光素子では、接続導波路（平面型導波路）８上に、押さえ治具３を用いて固定された圧電素子（応力印加手段）１を新たに備えるようにした点が、従来の技術とは大きく異なっている。図１に示す発光素子では、圧電素子１が接続導波路８に応力を印加する。

なお、ＳＯＡ４について説明すると、図３に示すように、先ず、例えばｎ型とされたＩｎＰ基板２０の上に、ｎ型とされたＩｎＰよりなる下部クラッド層１９，ノンドープのｉ形とされたＩｎＧａＡｓＰからなる活性層１８，及びｐ型とされたＩｎＰよりなる上部クラッド層１７を備える。下部クラッド層１９，活性層１８，及び上部クラッド層１７は、リッジ状に形成され、図示していない埋め込み層により電流狭窄構造とされている。また、上部クラッド層１７の上には、ｐ側電極１６を備え、ＩｎＰ基板２０の裏面にはｎ側電極２１を備えている。これらで、ＳＯＡ４のゲイン領域１５が構成されている。

次に、図１及び図２に示す発光素子の構成について、製造方法例とともに説明する。最初にリング共振器型波長可変フィルター部５の製造方法例について説明する。先ず、例えば、単結晶シリコンからなる基板１４を用意し、この上に例えばＣＶＤ法により厚さ１０μｍのＳｉＯ₂よりなる下部クラッド層１３及び厚さ２μｍのＳｉＯＮ層１２を順次に堆積することで成膜し、公知のフォトリソグラフィ工程とドライエッチング工程によりＳｉＯＮ層１２を加工し、下部クラッド層１０３の上にリング共振器６（リング共振器６を構成するコア）及び接続導波路８（接続導波路８を構成するコア）を形成する。

続いて、下部クラッド層１０３の上に接続導波路８を覆うように厚さ１０μｍのＳｉＯ₂を堆積成膜し、上部クラッド層１１を形成する。これらのことにより、平面型導波路構造の各導波路が形成される。次に、ＳｉＯ₂上部クラッド層１１の上にスパッタリングによりＴｉ／Ｐｔ膜を成膜し、公知のフォトリソグラフィ工程とエッチング工程により加工してヒーター電極７を形成する。続いて、共振器の反射端となる側面部分に、スパッタリングにより高反射膜９を成膜し、リング共振器型波長可変フィルター部５を完成させる。次に、図１及び図２に示すように、圧電素子１の両側を２つの押さえ治具３により挾み、これら２つの押さえ治具を接着剤により、接続導波路８の上に固定する。圧電素子１は、ＳＯＡ４からの光が導入される接続導波路８の上に配置する。これらの後、リング共振器型波長可変フィルター部５に、ＳＯＡ４及び光パワーモニター１０を組み合わせることで、図１，２に示す発光素子が完成する。

次に、図１及び図２に示した発光素子の動作及び効果について説明する。図１１、図１２の従来例では、位相制御領域つきＳＯＡ１０１の位相制御領域１０８に電流を注入することで屈折率を変化させ、最も良好な発振特性が得られるように光の位相を制御していた。これに対し、図１及び図２に示す発光素子では、圧電素子１を用いて接続導波路８に応力を印加することで接続導波路８の屈折率及び物理長を変化させ、最も良好な発振特性が得られるよう、光の位相を制御する。さらに具体的には、高反射膜９の後方の光パワーモニター１０により検出される光パワーが最大となるように、圧電素子１に電極線２を介して印加する電圧を図示しない制御部（応力制御手段）により制御する。このように構成した図１及び図２に示す発光素子によれば、ＳＯＡの位相制御領域が不要となり、従来技術では問題となっていた位相制御領域における光の吸収損失、バットジョイント部における光の反射による発振特性の不安定性、及びバットジョイント部の製造歩留まりが悪いことによる製造コスト上昇の問題が解決するという効果が得られる。

次に、本発明の実施の形態における他の発光素子について、図４〜図８を用いて説明する。図４は素子全体の平面視の状態を模式的に示し、図５は、図４中の領域Ｃを拡大した部分を示し、図６は、図５において、ＳＯＡ４を実装する前の状態を示し、図７は、図５中のＤＤ’線の断面を模式的に示し、図８は、図５中のＥＥ’線の断面を模式的に示している。

図４に示す発光素子は、リング共振器型波長可変フィルター部５の一部領域にＳＯＡ実装部２２を備え、ここにＳＯＡ４が実装されるようにしたものである。なお、他の部分は、図１〜３を用いて説明した発光素子の構成と同様である。以下、ＳＯＡ実装部２２の構成について説明する。ＳＯＡ実装部２２には、図６及び図７に示すように、ＳｉＯ₂膜などから構成された台座２６が、基板１４の上に絶縁膜２８を介して形成されている。台座２６は、台座２６の上にＳＯＡ４を押し当てた（実装した）ときに、ＳＯＡ４の活性層１８と接続導波路８のコア層１２の高さが一致する高さとされている（図７、図８）。また、基板１４の上に設けられたＳＯＡ実装部２２は、実装されるＳＯＡ４に接続される基板側ｐ電極配線２３及び基板側ｎ電極配線２４を備える。また、図６に示すように、ＳＯＡ実装部２２には、金属膜で形成されたアラインメントマーカー２７が形成されており、さらに、ＳＯＡ４の表面にも金属膜パターンによるアラインメントマーカー（図示せず）が形成されている。

なお、ＳＯＡ４について説明すると、図７に示すように、ｎ側電極２１が形成されている側が、基板１４からみて情報となるように配置されている。また、台座２６は、電流狭窄構造とするための埋め込み層２９の領域に配置されている。また、基板１４の側に配置されたｐ側電極１６は、導電性を有する融着剤３０を介して基板側ｐ電極配線２３に接続し、ｎ側電極２１は、ボンディングワイヤ２５により基板側ｎ電極配線２４に接続している。なお、他の構成は、図３に示すＳＯＡ４と同様である。

次に、図４〜図６に例示する発光素子の構成について、特にＳＯＡ４をＳＯＡ実装部２２にアラインメント固定する製造方法例とともに説明する。先ずＳＯＡ４をＳＯＡ実装部２２上に載置する。このとき、ＳＯＡ４の導波路延長線と、ＳＯＡ４からの光が導入される接続導波路８とが一致する向きに、ＳＯＡ４を載置する。この時点ではＳＯＡ４は、ＳＯＡ実装部２２に固定されていなく、互いの位置関係を調節できる状態にある。

次にこの状態で、図４，５，６の紙面法線方向の赤外透過像をモニターし、ＳＯＡ実装部２２に形成されたアラインメントマーク２７とＳＯＡ４に形成された図示しないアライメントマークとを用い、ＳＯＡ４及びＳＯＡ実装部２２の間の水平面内方向の光軸合わせを行う。例えば、透過している赤外線画像において、映し出されているアライメントマーク２７とＳＯＡ４のアライメントマークとの位置が重なるように、ＳＯＡ４の位置合わせ（光軸合わせ）を行えばよい。ＳＯＡ４に設けられているアライメントマークをアライメントマーク２７に重ねるように配置すれば、ＳＯＡ４の光軸が合わせられるように、各々のアライメントマークを配置しておけば、上述したことにより容易に光軸合わせが行える。

次に、上述の水平面内の光軸合わせが完了した後、光軸が合わされた状態でＳＯＡ４をＳＯＡ実装部２２の側に押圧し、同時にＳＯＡ実装部２２を融着材３０の融点以上に加熱し、この後で融点以下に冷却する。このことにより、ＳＯＡ４が、ＳＯＡ実装部２２に光軸が合わされた状態で固定される。なお、他の製造については、前述した図１，２に示す発光素子の場合と同様である。

次に、図４に示した発光素子の動作及び効果について説明する。図１に示した発光素子においては、ＳＯＡ４とリング共振器型波長可変フィルター部５を組み合わせて固定する際に、ＳＯＡ４を発光させた状態で、例えば光パワーモニター１０の検出信号をモニターすることで光軸合わせを行い、光軸固定をする必要があった。言い換えると、図１に示す発光素子では、所謂アクティブアラインメントにより、光軸を合わせて光軸固定を行う必要があった。したがって、製造工程が複雑で、自動化が容易ではなく、製造コストが上昇するという問題があった。

これに対し図４に示す発光素子によれば、ＳＯＡ４をアラインメント固定する際に、ＳＯＡ４を発光させる必要がない。言い換えると、図４に示す発光素子では、所謂パッシブアラインメントにより、光軸を合わせて光軸固定を行うことが可能である。この結果、製造工程が簡略化されるため工程の自動化が容易となり、製造コストが低減するという効果が得られる。なお、図４に示す発光素子においても、図１に示す発光素子と同様の効果が得られることはいうまでもない。

次に、本発明の実施の形態における他の発光素子について、図９を用いて説明する。図９は、本発光素子の一部の断面を示し、図１に示した発光素子における圧電素子１の他の構成例を示す模式的な断面図である。図９に一部を示す発光素子では、ＳｉＯ₂上部クラッド層１１の上に接触して圧電材料膜（応力印加手段）３１を配置している。また、導波方向の両端の圧電材料膜３１の上には、各々電極３２が形成されている。これら２つの電極３２の間に電圧を印加することで、図１に示した発光素子と同様に、下部クラッド層１３，コア層１２，及び上部クラッド層より構成された接続導波路８に応力を印加することが可能とされている。このことにより、図１に示した発光素子と同様に、接続導波路８の屈折率及び物理長を変化させ、最も良好な発振特性が得られるよう、光の位相を制御することができるようになる。

次に、図９に一部を示す発光素子の製造方法について説明する。先ず、上部クラッド層１１を形成した後、この上に、圧電材料膜３１として例えばチタン酸ジルコン酸鉛膜（ＰＺＴ膜）をエアロゾルデポジション法などにより形成する。この後、公知のフォトリソグラフィ工程，エッチング工程，及び電極形成工程により電極３２が形成された状態とすればよい。他の部分の製造については、図１に示した発光素子と同様である。

このように構成された発光素子によれば、圧電材料膜３１がリング共振器型波長可変フィルター部５にモノリシックに集積化されている。したがって、図１に示す発光素子のように、リング共振器型波長可変フィルター部５と、これとは別の部品である圧電素子１を個別に組み立てる必要がなく、製造コストを低減できるという効果がある。

次に、本発明の実施の形態におけるさらに他の発光素子について、図１０を用いて説明する。図１０は、本発明の実施の形態における発光素子の構成例を示す構成図である。図１０は素子全体の平面視の状態を模式的に示している。図１０に示す発光素子では、ＳＯＡ４からの光が導入される接続導波路８の領域Ｆに、圧電素子１が配置される領域を複数回通過する屈曲した導波路の部分からなる渦巻き状導波路３３を備え、渦巻き状導波路３３の上に圧電素子１が配置されるようにしたものである。図１０に示す発光素子は、渦巻き状導波路３３を用いる点以外は、図１に示す発光素子と同様である。

このように構成された図１０に示す発光素子によれば、圧電素子１により応力が印加される導波路長が、図１に示す発光素子に比較してより長くなる。図１に示す発光素子では、圧電素子１により応力が印加される接続導波路８の長さは、圧電素子１の伸縮方向の長さと等しいものとされている。これに対し、図１０に示す発光素子によれば、圧電素子１の下部を通る領域Ｆの接続導波路８が、渦巻き状導波路３３とされているため、圧電素子１により応力が印加される導波路長が、より長くなっている。この結果、図１０に示す発光素子によれば、圧電素子１による同じ応力の印加により、より大きな光の位相変化を得ることができ、より高い効率で位相の変化が行えるようになる。

なお、上述した本発明の実施の形態における発光素子では、応力を印加する導波路として、ＳｉＯ₂をクラッド層とし、ＳｉＯＮをコア層とした導波路を用いる例を示したが、これに限らず、例えば高分子材料系などの他の材料系による導波路を用いた場合にも同様の効果が得られる。上述では、応力を印加する手段として圧電効果を用いる例を示したが、これに限らず、例えば印加する磁界により応力が変化する磁歪材料などによる他の原理による応力印加手段を用いて応力を印加してもよく、また、他の機械的手段などにより応力を印加した場合でも同様の効果が得られる。

また、上述では、ＳＯＡ４に最も近い部分の接続導波路に応力を印加する例を示したが、これに限らず、他の領域の接続導波路、あるいは接続導波路に限らず、リング共振器部分に応力を印加した場合にも同様の効果が得られる。

また、図１０に示す発光素子においては、ＳＯＡ４に最も近い部分の接続導波路を渦巻き状導波路とし、ここに応力を印加する例を示したが、これに限らず、他の部分の接続導波路を渦巻き状導波路とし、ここに応力を印加した場合にも同様の効果が得られる。

また、上述では、応力を印加する手段である圧電素子が固定されている部位、あるいは圧電材料膜が形成されている部位が１箇所のみである場合を示したが、これに限らず、複数個所、あるいはリング共振器型波長可変フィルター部の全体に応力を印加する手段を備えた場合でも同様の効果が得られる。

また、上述では、接続導波路あるいは渦巻き状導波路の直上部に、圧電素子あるいは圧電材料膜が配置される例を示したが、これに限らず、接続導波路あるいは渦巻き状導波路からずれた位置に圧電素子あるいは圧電材料膜を配置し、間接的に応力を印加した場合でも同様の効果が得られる。さらに、圧電素子あるいは圧電材料膜を配置する位置として、リング共振器型波長可変フィルター部の上面に限らず、側面、あるいは裏面に配置した場合でも同様の効果が得られる。

また、ＳＯＡとリング共振器型波長可変フィルター部との間に結合特性改善のためのゲル剤を注入してもよい。また、上述では、ＳＯＡとリング共振器型波長可変フィルター部とを光学的に直接結合する例を示したが、これに限らず、両者間に１つ、あるいは複数個の光学レンズを挿入した場合でも同様の効果が得られる。また、上述では、波長フィルターとしてリング共振器型波長可変フィルターを用いた例を示したが、これに限らず、他の原理による波長フィルターを用いた場合にも同様の効果が得られる。

本発明の実施の形態における発光素子の構成例を示す構成図である。本発明の実施の形態における発光素子の一部構成例を示す構成図である。本発明の実施の形態における発光素子の一部構成例を示す構成図である。本発明の実施の形態における他の発光素子の構成例を示す構成図である。本発明の実施の形態における他の発光素子の一部構成例を示す構成図である。本発明の実施の形態における他の発光素子の一部構成例を示す構成図である。本発明の実施の形態における他の発光素子の一部構成例を示す構成図である。本発明の実施の形態における他の発光素子の一部構成例を示す構成図である。本発明の実施の形態における他の発光素子の一部構成例を示す構成図である。本発明の実施の形態における他の発光素子の構成例を示す構成図である。従来よりある発光素子の構成を示す構成図である。従来よりある発光素子の一部構成を示す構成図である。

符号の説明

１…圧電素子、２…電極線、３…押さえ治具、４…半導体光増幅器（ＳＯＡ）、５…リング共振器型波長可変フィルター部、６…リング共振器、７…ヒーター電極、８…接続導波路、９…高反射膜、１０…光パワーモニター。

Claims

光を増幅する機能を有する光増幅部及び外部共振器の内部に配置された平面型光導波路を少なくとも備えるレーザからなる発光素子であって、
前記平面型光導波路の少なくとも一部領域に、直接あるいは間接的に応力を印加する応力印加手段を備える
ことを特徴とする発光素子。
請求項１に記載の発光素子において、
前記応力印加手段は、圧電材料から構成されたものである
ことを特徴とする発光素子。
請求項１または２に記載の発光素子において、
前記平面型光導波路を含む光回路部をさらに備え、
前記応力印加手段は、前記光回路部の全体あるいは一部領域に、直接あるいは間接的に応力を印加するものである
ことを特徴とする発光素子。
請求項１〜３のいずれか１項に記載の発光素子において、
前記光回路部は、前記光増幅部から発せられた光を前記光増幅部へ戻す反射機能を有する
ことを特徴とする発光素子。
請求項４記載の発光素子において、
前記反射機能は、特定の波長の光を前記光増幅部へ戻す
ことを特徴とする発光素子。
請求項５記載の発光素子において、
前記特定の光波長を制御する波長制御手段を備える
ことを特徴とする発光素子。
請求項１〜６のいずれか１項に記載の発光素子において、
前記応力印加手段により前記平面型光導波路に印加される印加応力の大きさを制御する応力制御手段を備える
ことを特徴とする発光素子。
請求項７に記載の発光素子において、
発光素子の発光状態を計測する発光状態モニターをさらに備え、
前記応力制御手段は、前記発光状態モニターからの情報に基づき前記印加応力を制御する
ことを特徴とする発光素子。
請求項８に記載の発光素子において、
前記発光状態モニターは、発光素子の発光パワーを計測する発光パワーモニターであることを特徴とする発光素子。
請求項９に記載の発光素子において、
前記応力制御手段は、発光素子の発光パワーが最大となるよう前記印加応力の大きさを制御することを特徴とする発光素子。
請求項３〜１０のいずれか１項に記載の発光素子において、
前記光回路部が形成された基板と共通の基板の上に、前記光増幅部を実装する領域が形成されていることを特徴とする発光素子。
請求項１１に記載の発光素子において、
前記光増幅部は、前記光増幅部が備える活性層が形成された側の面を前記光増幅部を実装する領域の側に向けて実装することを特徴とする発光素子。
請求項１〜１２のいずれか１項に記載の発光素子において、
前記平面型光導波路と前記応力印加手段とは、モノリシックに集積化されていることを特徴とする発光素子。
請求項１〜１３のいずれか１項に記載の発光素子において、
前記平面型光導波路は、前記応力印加手段が配置される領域を複数回通過する屈曲した導波路の部分を備え、
この屈曲した導波路の部分に前記応力印加手段により応力が印加される
ことを特徴とする発光素子。