JP2008052167A - Method of manufacturing electro-optical device, electro-optical device, and electronic equipment - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、2枚の基板が貼り合わされた電気光学装置の製造方法、電気光学装置、およ
び電子機器に関するものである。
The present invention relates to a method for manufacturing an electro-optical device in which two substrates are bonded together, an electro-optical device, and an electronic apparatus.
各種の電気光学装置のうち、例えば、アクティブマトリクス型の液晶装置は、素子基板
と対向基板とを貼り合せたパネル構造を有しており、素子基板と対向基板との間に液晶が
保持されている。ここで、素子基板および対向基板を各々、1枚ずつ製作したのでは生産
性が低いので、単品サイズの素子基板を多数取りできる第1の大型基板と、単品サイズの
対向基板を多数取りできる第2の大型基板とを貼り合わせて大型のパネル構造体を形成し
た後、パネル構造体を単品サイズのパネルに分断する。
Among various electro-optical devices, for example, an active matrix type liquid crystal device has a panel structure in which an element substrate and a counter substrate are bonded together, and liquid crystal is held between the element substrate and the counter substrate. Yes. Here, since each of the element substrate and the counter substrate is manufactured one by one, the productivity is low. Therefore, the first large substrate capable of obtaining a large number of single-size element substrates and the number of single-size counter substrates capable of being obtained. After the two large substrates are bonded together to form a large panel structure, the panel structure is divided into single-size panels.
かかる分断を行う際、例えば、第1の大型基板の方を分断する際には、図12に示すよ
うに、パネル構造体300をステージ550上に載置した状態で、第1の大型基板100
に対する分断予定線の端部からスクライブ刃500を進入させて、第1の大型基板100
の外側表面にスクライブ溝を形成した後、パネル構造体300をステージ550から剥離
する。次に、裏面側の第2の大型基板200の側から押圧して第1の大型基板100を撓
ませ、その曲げ応力により、第1の大型基板100を割断する。第2の大型基板200を
分断する場合も同様である(例えば、特許文献1参照)。
The
After forming a scribe groove on the outer surface of the panel, the
しかしながら、大型基板100、200(素子基板および対向基板)において、基材と
して用いられるガラス基板は、静電気が帯電しやすいため、スクライブ溝を形成した後、
パネル構造体300をステージ550から剥離させようとした際、剥離帯電が起こりやす
い。このため、素子基板に形成した薄膜トランジスタや配線の静電破壊が発生しやすく、
場合によっては基板自身に静電破壊が発生するという問題点がある。
However, in the
When the
In some cases, there is a problem that electrostatic breakdown occurs in the substrate itself.
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、スクライブ溝形成用のステージからパネル構
造体を剥離する際の剥離帯電を防止することのできる電気光学装置の製造方法、電気光学
装置、および電子機器を提供することにある。
In view of the above problems, an object of the present invention is to provide an electro-optical device manufacturing method, an electro-optical device, and an electronic device capable of preventing peeling electrification when peeling a panel structure from a stage for forming a scribe groove. To provide equipment.
上記課題を解決するために、本発明に係る電気光学装置の製造方法においては、第1の
基板と第2の基板とを貼り合わせてパネル構造体を形成する貼り合わせ工程と、前記パネ
ル構造体をステージ上に載置した状態で分断予定線に沿ってスクライブ溝を形成し、前記
パネル構造体を、画素領域に複数の画素を備えた単品サイズのパネルに分断する分断工程
と、を有し、前記分断工程では、前記パネル構造体側および前記ステージ側の少なくとも
一方に形成された複数の突起により、前記パネル構造体の下面と前記ステージの上面との
間に空間を形成して前記パネル構造体を前記ステージ上に載置することを特徴とする。
In order to solve the above-described problem, in the method for manufacturing an electro-optical device according to the present invention, a bonding step of bonding a first substrate and a second substrate to form a panel structure, and the panel structure Forming a scribe groove along a planned dividing line in a state of being placed on the stage, and dividing the panel structure into a single-size panel having a plurality of pixels in the pixel region, In the dividing step, a space is formed between the lower surface of the panel structure and the upper surface of the stage by a plurality of protrusions formed on at least one of the panel structure side and the stage side. Is placed on the stage.
本発明においては、分断工程を行う際、パネル構造体をステージ上に載置した状態で、
パネル構造体の下面とステージの上面との間には突起が介在する。このため、パネル構造
体の下面は、ステージの上面から突起の高さ寸法分だけ浮いた状態にあるので、パネル構
造体とステージとの接触面積が狭い。それ故、パネル構造体をステージ上から剥離する際
、剥離帯電がほとんど発生しないので、剥離帯電に起因する不具合、例えば、スイッチン
グ素子の静電破壊、配線の静電破壊、さらには基板自身の静電破壊の発生を防止すること
ができる。
In the present invention, when performing the dividing step, with the panel structure placed on the stage,
A protrusion is interposed between the lower surface of the panel structure and the upper surface of the stage. For this reason, the lower surface of the panel structure is in a state of being lifted from the upper surface of the stage by the height of the protrusion, so that the contact area between the panel structure and the stage is narrow. Therefore, when the panel structure is peeled off from the stage, almost no peeling charge is generated. Therefore, defects caused by the peeling charge such as electrostatic breakdown of the switching element, electrostatic breakdown of the wiring, and static electricity of the substrate itself. The occurrence of electric breakdown can be prevented.
本発明において、前記分断工程の前に、前記パネル構造体の外側の面のうち、前記複数
の突起を形成すべき位置をマスクで覆うマスキング工程と、前記パネル構造体に前記マス
クを形成した状態で前記パネル構造体の外側の面をエッチングするエッチング工程とを行
い、前記パネル構造体において前記マスクで覆われた領域に前記複数の突起を形成すると
ともに前記第1の基板および前記第2の基板を薄板化することが好ましい。このように構
成すると、複数の突起の形成と、第1の基板および第2の基板の薄板化とを同時に行うこ
とができる。それ故、必要最小限の工程数で、剥離帯電に起因する不具合の発生を防止で
きるとともに、電気光学装置の薄型化を図ることができる。
In the present invention, before the dividing step, a masking step of covering the positions where the plurality of protrusions are to be formed with a mask among the outer surfaces of the panel structure, and a state in which the mask is formed on the panel structure And etching the outer surface of the panel structure to form the plurality of protrusions in the area covered with the mask in the panel structure and the first substrate and the second substrate. Is preferably made thin. If comprised in this way, formation of a some protrusion and thinning of a 1st board | substrate and a 2nd board | substrate can be performed simultaneously. Therefore, with the minimum number of steps, it is possible to prevent the occurrence of problems due to peeling charging and to reduce the thickness of the electro-optical device.
本発明において、前記マスキング工程では、前記パネル構造体の外側の面のうち、前記
分断予定線、および前記画素領域を避けた領域に前記マスクを形成することが好ましい。
このように構成すると、分断予定線上に突起が形成されないので、スクライブ溝の形成工
程を妨げることがない。また、画素領域を避けた領域に突起を形成できるので、突起の存
在によって、画素領域で表示される画素の品位を低下させるなどの問題が発生しない。ま
た、画像領域に対して偏光板や位相差板などの光学部材を重ねて配置する場合でも、これ
らの光学部材の配置を突起が妨げることがない。
In the present invention, it is preferable that in the masking step, the mask is formed in an area outside the panel structure body and avoiding the parting line and the pixel area.
If comprised in this way, since a processus | protrusion is not formed on a parting planned line, the formation process of a scribe groove | channel will not be prevented. In addition, since the protrusion can be formed in an area avoiding the pixel area, the presence of the protrusion does not cause a problem such as deterioration of the quality of the pixel displayed in the pixel area. Further, even when optical members such as a polarizing plate and a phase difference plate are arranged so as to overlap with the image area, the projections do not prevent the arrangement of these optical members.
本発明において、前記マスキング工程では、前記パネル構造体のうち、前記単品サイズ
のパネルとして分断される領域を避けた領域に前記マスクを形成することが好ましい。こ
のように構成すると、単品のパネルに突起が残ることがないので、突起の存在によって、
電気光学装置の薄型化が妨げられることもない。
In the present invention, in the masking step, it is preferable that the mask is formed in a region of the panel structure that avoids a region divided as the single-size panel. With this configuration, no protrusions remain on a single panel, so the presence of protrusions
It is not hindered to reduce the thickness of the electro-optical device.
本発明において、前記エッチング工程では、前記第1の基板および前記第2の基板を0
.5mm以下の厚さまで薄板化することが好ましい。
In the present invention, in the etching step, the first substrate and the second substrate are set to 0.
. It is preferable to reduce the thickness to 5 mm or less.
本発明において、前記ステージの上面に前記複数の突起を形成する構成を採用してもよ
い。このように構成すると、パネル構造体の構成を変更しなくても、パネル構造体とステ
ージとの接触面積が狭いので、ステージからパネル構造体を剥離する際の剥離帯電量が少
ない。それ故、剥離帯電に起因する不具合の発生を防止することができる。
In the present invention, a configuration in which the plurality of protrusions are formed on the upper surface of the stage may be employed. If comprised in this way, even if it does not change the structure of a panel structure, since the contact area of a panel structure and a stage is narrow, there is little peeling charge amount at the time of peeling a panel structure from a stage. Therefore, it is possible to prevent the occurrence of defects due to peeling charging.
本発明に係る電気光学装置は、モバイルコンピュータおよび携帯電話機などといった電
子機器に用いることができる。
The electro-optical device according to the present invention can be used in electronic devices such as mobile computers and mobile phones.
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明に用いた各
図では、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に
縮尺を相違させてある。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In the drawings used for the following description, the scales are different for each layer and each member in order to make each layer and each member large enough to be recognized on the drawing.
[実施の形態1]
(液晶装置の全体構成)
図1(a)、(b)は各々、本発明の実施の形態1に係る液晶装置(電気光学装置)を
その上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのH−H′
断面図である。
[Embodiment 1]
(Overall configuration of liquid crystal device)
1A and 1B are plan views of the liquid crystal device (electro-optical device) according to
It is sectional drawing.
図1(a)、(b)において、本形態の液晶装置1は、TN(Twisted Nem
atic)モード、ECB(Electrically Controlled Bir
efringence)モード、あるいはVAN(Vertical Aligned
Nematic)モードの透過型のアクティブマトリクス型の液晶装置である。この液晶
装置1では、矩形の素子基板10(第1の基板)と矩形の対向基板20(第2の基板)と
がシール材22を介して貼り合わされたパネル30を有しており、パネル30では、素子
基板10と対向基板20との間に液晶1fが保持されている。素子基板10の基材は、厚
さが0.5mm以下、さらには0.25mm以下まで薄板化されたガラス基板11であり
、対向基板20の基材も、厚さが0.5mm以下、さらには0.25mm以下まで薄板化
されたガラス基板21である。本形態では、ガラス基板11、21として無アルカリガラ
ス基板が用いられている。
1A and 1B, the
atic) mode, ECB (Electrically Controlled Bir)
efficiency) mode, or VAN (Vertical Aligned)
This is a transmissive active matrix liquid crystal device in a (Nematic) mode. The
シール材22は、素子基板10と対向基板20とをそれらの周辺で貼り合わせるための
光硬化樹脂や熱硬化性樹脂などからなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするた
めのグラスファイバー、あるいはガラスビーズ等のギャップ材が配合されている。シール
材22には、その途切れ部分によって液晶注入口25が形成され、液晶1fを注入した後
、封止材250により封止されている。
The sealing
素子基板10において、シール材22で囲まれた領域内には、画素トランジスタ1cや
画素電極2aがマトリクス状に形成され、その表面に配向膜19が形成されている。対向
基板20には、シール材22の内側領域に遮光性材料からなる額縁26(図1(b)では
図示を省略)が形成され、その内側が画像表示領域1a(画素領域)になっている。対向
基板20には、図示を省略するが、各画素の縦横の境界領域と対向する領域にブラックマ
トリクス、あるいはブラックストライプなどと称せられる遮光膜が形成され、その上層側
には、対向電極28および配向膜29が形成されている。また、対向基板20において、
素子基板10の各画素に対向する領域には、RGBのカラーフィルタ(図示せず)がその
保護膜とともに形成され、それにより、液晶装置1をモバイルコンピュータ、携帯電話機
、液晶テレビなどといった電子機器のカラー表示装置として用いることができる。なお、
図1(a)に模式的に示すように、素子基板10と対向基板20との間では、シール材2
2に配合された基板間導通用の導電材23などにより、素子基板10に形成された共通配
線と対向基板20の対向電極28とが電気的に接続されている。
In the
In a region facing each pixel of the
As schematically shown in FIG. 1A, a sealing material 2 is provided between the
The common wiring formed on the
素子基板10は対向基板20よりも大きく、素子基板10は、シール材22の外側で対
向基板20の基板縁から張り出した張り出し領域15を備えている。張り出し領域15に
は、IC実装領域1sが形成されており、このIC実装領域1sには、ゲート線駆動回路
66およびソース線駆動回路67を内蔵の駆動用IC60がCOG(Chip On G
lass)実装されている。また、素子基板10の張り出し領域15には、IC実装領域
1sより外周縁側に基板接続領域1tが形成されており、この基板接続領域1tにはフレ
キシブル配線基板70が接続されている。従って、素子基板10において、画像表示領域
1aからIC実装領域1sに向けては、画像表示領域1aの外側領域1bを通って引き回
し配線1x、1yが延びているとともに、IC実装領域1sと基板接続領域1tとの間に
は配線(図示せず)が形成されている。
The
lass). Further, a
(液晶装置1の製造方法)
図2は、図1に示す液晶装置を製造する際の貼り合わせ工程までの説明図であり、図2
(a)、(b)、(c)の各々には、液晶装置の製造に用いた第1の大型基板(第1の基
板)、第2の大型基板(第2の基板)、および第1の大型基板と第2の大型基板とを貼り
合わせた大型のパネル構造体を示してある。図3は、図1に示す液晶装置を製造する際の
マスキング工程の説明図であり、図3(a)、(b)の各々には、パネル構造体に対して
マスクを形成した様子、および第1の大型基板に形成したマスクを拡大した様子を示して
ある。図4は、図1に示す液晶装置を製造する際のエッチング工程の説明図であり、図4
(a)、(b)の各々には、パネル構造体に対してエッチング工程を行った後の様子、お
よび第1の大型基板に形成した複数の突起を拡大した様子を示してある。図5は、図1に
示す液晶装置を製造する際の分断工程の説明図であり、図5(a)、(b)、(c)の各
々には、大型のパネル構造体を短冊状に分断した後の様子、短冊状のパネル構造体を単品
サイズのパネルに分断した後の様子、および単品サイズのパネルに張り出し領域を形成し
た後の様子を示してある。図6は、図1に示す液晶装置を製造する際、分断工程において
スクライブ溝を形成する様子の説明図である。なお、図2、図3、図4および図5には、
大型基板やパネル構造体などを上面側(表示光が出射される側)からみた様子と、矢印T
で示すように表裏反転させて下面側(表示光が出射される側とは反対側)からみた様子と
を示してある。
(Manufacturing method of the liquid crystal device 1)
FIG. 2 is an explanatory view up to a bonding step in manufacturing the liquid crystal device shown in FIG.
Each of (a), (b), and (c) includes a first large substrate (first substrate), a second large substrate (second substrate), and a first substrate used for manufacturing the liquid crystal device. The large-sized panel structure which bonded together the large sized board | substrate and the 2nd large sized board | substrate is shown. FIG. 3 is an explanatory diagram of a masking process in manufacturing the liquid crystal device shown in FIG. 1, and in each of FIGS. 3A and 3B, a state in which a mask is formed on the panel structure, and A state in which the mask formed on the first large substrate is enlarged is shown. FIG. 4 is an explanatory diagram of an etching process in manufacturing the liquid crystal device shown in FIG.
Each of (a) and (b) shows a state after the etching process is performed on the panel structure and a state in which a plurality of protrusions formed on the first large substrate are enlarged. FIG. 5 is an explanatory diagram of a dividing process when the liquid crystal device shown in FIG. 1 is manufactured. In each of FIGS. 5A, 5B, and 5C, a large panel structure is formed in a strip shape. It shows a state after dividing, a state after a strip-shaped panel structure is divided into single-size panels, and a state after an overhang region is formed on a single-size panel. FIG. 6 is an explanatory diagram showing how scribe grooves are formed in the dividing step when the liquid crystal device shown in FIG. 1 is manufactured. 2, 3, 4 and 5,
A state where a large substrate or a panel structure is viewed from the upper surface side (the side from which the display light is emitted) and an arrow T
As shown in FIG. 2, the state is reversed and viewed from the lower surface side (the side opposite to the side from which the display light is emitted).
本形態の液晶装置1において、素子基板10および対向基板20はいずれも、基板厚が
0.5mm以下、さらには0.25mm以下である。但し、最初から薄い基板を用いると
、半導体プロセスを利用して画素トランジスタ1c、画素電極2a、対向電極28などを
形成する際に基板が割れてしまうおそれがある。また、素子基板10および対向基板20
を各々、1枚ずつ製作したのでは生産性が低い。
In the
If each is manufactured one by one, productivity is low.
そこで、本形態では、図2(a)、(b)に示すように、単品サイズの素子基板10を
多数取りできる厚いガラス製の第1の大型基板100と、単品サイズの対向基板20を多
数取りできる厚いガラス製の第2の大型基板200とを準備して、これらの大型基板10
0、200に対して、半導体プロセスなどを利用して、図1(a)、(b)を参照して説
明した画素トランジスタ1c、画素電極2a、および対向電極28などの各構成要素を複
数の基板分を形成する。
Therefore, in this embodiment, as shown in FIGS. 2A and 2B, a large number of first large-
With respect to 0 and 200, a plurality of components such as the
次に、貼り合わせ工程では、第1の大型基板100あるいは第2の大型基板200に対
して、素子基板10あるいは対向基板20として切り出される領域の各々に対してシール
材22(図1(a)、(b)参照)を塗布、あるいは印刷した後、図2(b)に示すよう
に、大型基板100、200同士をシール材22によって貼り合わせ、大型のパネル構造
体300を形成する。
Next, in the bonding step, the sealing material 22 (FIG. 1A) is applied to each of the regions cut out as the
ここで、第1の大型基板100および第2の大型基板200は、後述する分断工程にお
いて分断されるので、図2〜図5には、分断の際、スクライブ溝が形成される分断予定線
を一点鎖線で示してある。本形態において、分断予定線は、パネル構造体300の両側の
外側表面(第1の大型基板100の外側表面および第2の大型基板200の外側表面)の
重なる位置において一方方向に延びた複数本の第1の分断予定線301、302と、パネ
ル構造体300の両側の外側表面(第1の大型基板100の外側表面および第2の大型基
板200の外側表面)の重なる位置において第1の分断予定線301、302に対して交
差する方向に延びた複数本の第2の分断予定線303、304と、パネル構造体300の
一方の外側表面(第2の大型基板200の外側表面)で第1の分断予定線301、302
に並行して延びた複数本の第3の分断予定線305とを含んでいる。
Here, since the first large-
And a plurality of
次に、マスキング工程では、図3(a)、(b)に示すように、フォトリソグラフィ技
術を用いて、パネル構造体300の両面のうち、図4を参照して説明する複数の突起33
0を形成すべき位置を感光性樹脂からなるマスク340で覆う。本形態では、パネル構造
体300の両面のうち、単品サイズのパネル30が切り出される領域(図3(a)におい
て斜線を付した領域)を避けた位置にマスク340が形成されている。このため、マスク
340は、分断予定線301〜305と重なる位置を避け、かつ、画像表示領域1a(画
素領域)を避けた領域に形成されていることになる。また、本形態において、パネル30
は、パネル構造体300において1本の切断予定線301〜304を挟んで隣接する位置
から切り出されるため、マスク340は、パネル構造体300の外周縁に沿う枠状領域に
形成されており、枠状領域は、パネル構造体300を分断した際に除去される除材領域で
ある。
Next, in the masking step, as shown in FIGS. 3A and 3B, a plurality of protrusions 33 described with reference to FIG. 4 out of both surfaces of the
A position where 0 is to be formed is covered with a
Is cut out from a position adjacent to the
次に、エッチング工程(薄板化工程)では、パネル構造体300の外周縁で開口する大
型基板100、200の隙間をエポキシ樹脂やピッチ系塗料などの被覆材で塞いだ状態で
フッ酸を含むエッチング液にパネル構造体300を浸漬し、パネル構造体300の外側表
面(大型基板100、200の外側表面)をエッチングし、図4(a)に示すように、大
型基板100、200を0.5mm以下、さらには0.25mm以下にまで薄板化する。
Next, in the etching process (thinning process), the etching including hydrofluoric acid is performed in a state where the gap between the
次に、マスク340を除去した後、パネル構造体300を洗浄する。なお、被覆材とし
て用いたエポキシ樹脂やピッチ系塗料については溶剤などにより除去してもよいが、以下
に説明する分断工程により、被覆材が付着している部分を除去することが好ましい。また
、基板に対するエッチングとしては、ウエットエッチングの他、ドライエッチングを採用
してもよい。
Next, after removing the
このようにしてエッチング工程を行うと、図4(a)、(b)に示すように、大型基板
100、200を薄板化することができるとともに、パネル構造体300の両面には、マ
スク340で覆われていた複数の領域の各々に突起330を形成することができる。また
、突起330は、パネル構造体300においてパネル30が切り出される領域(図3(b
)において斜線を付した領域)を避けた領域に形成される。
When the etching process is performed in this manner, the
) In the region avoiding the hatched region).
次に、分断工程を行う。この分断工程では、まず、図4(a)に示す第1の分断予定線
301、302に沿ってパネル構造体300(第1の大型基板100および第2の大型基
板200)を分断して、図5(a)に示す短冊状のパネル構造体350を得る。
Next, a dividing step is performed. In this dividing step, first, the panel structure 300 (the first
かかる分断工程において、例えば、第1の大型基板100を分断するには、まず、図6
に示すように、第2の大型基板200を下向きにして、パネル構造体300をステージ5
50上に載置した後、第1の大型基板100に対して、第1の分断予定線301の端部か
らスクライブ刃500を進入させて、第1の分断予定線301に沿ってスクライブ溝を形
成する。次に、パネル構造体300をステージ550上から剥離して表裏反転させた後、
第2の大型基板200の側からブレークバーやブレークローラなどによって押圧して第1
の大型基板100を撓ませ、その曲げ応力により、第1の大型基板100を割断する。第
2の大型基板200を割断する際も同様な方法を用いる。
In the dividing step, for example, to divide the first
As shown in FIG. 2, the
50, the
The first
The
このような分断工程を行う際、第1の大型基板100および第2の大型基板200の外
側表面には複数の突起330が形成されているため、パネル構造体300をステージ55
0上に載置した状態で、パネル構造体300の下面とステージ550の上面との間には突
起330が介在する。このため、パネル構造体300の下面とステージ550の上面との
間には、突起330の高さ寸法に相当する空間が形成され、パネル構造体300の下面は
、ステージ550の上面から突起330の高さ寸法分だけ浮いた状態にある。従って、パ
ネル構造体300とステージ550との接触面積が狭いので、パネル構造体300をステ
ージ550上から剥離する際、剥離帯電がほとんど発生しない。
When performing such a dividing step, since the plurality of
The
このようにして、大型のパネル構造体300を短冊状のパネル構造体350に分断する
と、図1に示すシール材22の途切れ部分が液晶注入口25として、短冊状のパネル構造
体350の外周縁で開口するので、液晶注入口25から液晶をパネル内に注入した後、液
晶注入口25を封止材250により封止する。
In this way, when the
次に、図5(a)に示す第2の分断予定線303、304に沿って短冊状のパネル構造
体350を分断して、図5(b)に示すように、単品サイズのパネル30を得る。かかる
分断を行う際も、図6に示すように、第1の大型基板100を分断するには、第2の大型
基板200を下向きにして、パネル構造体350をステージ550上に載置した後、第1
の大型基板100に対して、スクライブ刃500によって、第2の分断予定線303に沿
ってスクライブ溝を形成する。次に、パネル構造体350をステージ550上から剥離し
て表裏反転させた後、第2の大型基板200の側からブレークバーやブレークローラなど
によって押圧して第1の大型基板100を撓ませ、その曲げ応力により、第1の大型基板
100を割断する。第2の大型基板200を割断する際も同様な方法を用いる。
Next, the strip-shaped panel structure 350 is divided along the second
A scribe groove is formed in the
このような分断工程を行う際も、短冊状のパネル構造体350の両面には、その両端部
に突起330が形成されているため、パネル構造体350をステージ550上に載置した
状態で、パネル構造体350の下面とステージ550の上面との間には突起330が介在
する。このため、パネル構造体350の下面は、ステージ550の上面から突起330の
高さ寸法分だけ浮いた状態にある。従って、パネル構造体350とステージ550との接
触面積が狭いので、パネル構造体350をステージ550上から剥離する際、剥離帯電が
ほとんど発生しない。
Even when performing such a dividing step, since the
次に、図5(b)に示す第3の分断予定線305に沿って対向基板20を分断して、図
5(c)に示すように、対向基板20のうち、素子基板10の張り出し領域15に被さる
部分を除去し、張り出し領域15に形成されているIC実装領域1sや基板接続領域1t
の上方を開放する。かかる分断を行う際も、素子基板10を下向きにして、パネル30を
ステージ550上に載置した後、対向基板20に対して、スクライブ刃500によって、
第3の分断予定線305に沿ってスクライブ溝を形成する。次に、パネル30をステージ
550上から剥離して表裏反転させた後、ブレーク処理として、素子基板10の側からブ
レークバーやブレークローラなどによって押圧して対向基板20を撓ませ、その曲げ応力
により、対向基板20を割断する。このような分断工程を行う際、パネル30には、既に
突起330がないので、パネル30の下面とステージ550の上面とは密着するが、パネ
ル構造体300、350の場合と違って、パネル30自身の面積が狭いので、パネル30
とステージ550との接触面積が狭い。それ故、パネル30をステージ550上から剥離
する際、剥離帯電がほとんど発生しない。
Next, the
Open the top of. Also when performing such division, after placing the
A scribe groove is formed along the third
And the contact area between the
(本形態の主な効果)
以上説明したように、本形態の液晶装置1の製造方法では、分断工程を行う際、パネル
構造体300、350をステージ550上に載置した状態で、パネル構造体300、35
0の下面とステージ550の上面との間には突起330が介在する。このため、パネル構
造体300、350の下面は、ステージ550の上面から突起の高さ寸法分だけ浮いた状
態にあるので、パネル構造体300、350とステージ550との接触面積が狭い。それ
故、パネル構造体300、350をステージ550上から剥離する際、剥離帯電がほとん
ど発生しないので、剥離帯電に起因する不具合、例えば、画素スイッチング素子の静電破
壊、配線の静電破壊、さらには基板自身の静電破壊の発生を防止することができる。
(Main effects of this form)
As described above, in the method for manufacturing the
A
また、本形態では、パネル構造体300にマスク340を形成した状態でパネル構造体
300の両面をエッチングするので、大型基板100、200を薄板化することができる
とともに、パネル構造体300の両面においてマスク340で覆われた領域に突起330
を形成することができる。それ故、必要最小限の工程数で、剥離帯電に起因する不具合の
発生を防止できるとともに、液晶装置1の薄型化を図ることができる。
Further, in this embodiment, both surfaces of the
Can be formed. Therefore, with the minimum number of steps, it is possible to prevent the occurrence of defects due to peeling electrification and to reduce the thickness of the
また、マスキング工程では、パネル構造体300のうち、単品サイズのパネル30とし
て分断される領域を避けた領域にマスク340を形成したので、単品のパネル30に突起
330が残らない。それ故、突起330の存在によって、液晶装置1の薄型化が妨げられ
ることがない。また、分断予定線301〜305上を避けた位置に突起330を形成した
ので、スクライブ溝の形成が妨げられることがない。さらに、画像表示領域1aを避けた
領域に突起330を形成したので、突起330の存在によって、画素表示領域1aで表示
される画素の品位を低下させるなどの問題が発生しない。さらにまた、画素表示領域1a
に対して偏光板や位相差板などの光学部材を重ねて配置する場合でも、これらの光学部材
の配置を突起330が妨げることがない。
Further, in the masking process, the
However, even when optical members such as a polarizing plate and a phase difference plate are arranged so as to overlap each other, the
さらに、本形態では、エッチング工程では、ウエットエッチングを採用したため、ドラ
イエッチングに比して、多数のパネル構造体300を一括処理できるなどの利点がある。
Further, in the present embodiment, since wet etching is employed in the etching process, there are advantages such that a large number of
[実施の形態2]
図7は、本発明の実施の形態2に係る液晶装置の製造方法を示す説明図であり、図7(
a)、(b)の各々には、パネル構造体に対してマスクキング工程を行った後の様子、お
よびエッチング工程を行った後の様子を示してある。図8は、本発明の実施の形態2に係
る液晶装置を製造する際、分断工程においてスクライブ溝を形成する様子の説明図である
。なお、本形態および後述する実施の形態3、4は、基本的な構成が実施の形態1と同様
であるため、共通する部分には同一の符号を付して図示し、それらの説明を省略する。
[Embodiment 2]
FIG. 7 is an explanatory view showing a method for manufacturing a liquid crystal device according to Embodiment 2 of the present invention.
Each of a) and (b) shows a state after the masking process is performed on the panel structure and a state after the etching process is performed. FIG. 8 is an explanatory diagram showing how scribe grooves are formed in the dividing step when the liquid crystal device according to the second embodiment of the present invention is manufactured. Since the basic configuration of the present embodiment and later-described third and fourth embodiments is the same as that of the first embodiment, common portions are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted. To do.
本形態でも、図7(a)に示すように、第1の大型基板100および第2の大型基板2
00に対して、半導体プロセスなどを利用して、図1(a)、(b)を参照して説明した
画素トランジスタ1c、画素電極2a、および対向電極28などの各構成要素を複数の基
板分を形成した後、貼り合わせ工程において、大型基板100、200同士をシール材2
2(図1(a)、(b)参照)によって貼り合わせ、大型のパネル構造体300を形成す
る。
Also in this embodiment, as shown in FIG. 7A, the first
00, each component such as the
2 (see FIGS. 1A and 1B) to form a
ここで、大型のパネル構造体300に対する分断予定線は、実施の形態1と同様、パネ
ル構造体300の両側の外側表面(第1の大型基板100の外側表面および第2の大型基
板200の外側表面)の重なる位置において一方方向に延びた複数本の第1の分断予定線
301、302と、パネル構造体300の両側の外側表面(第1の大型基板100の外側
表面および第2の大型基板200の外側表面)の重なる位置において第1の分断予定線3
01、302に対して交差する方向に延びた複数本の第2の分断予定線303、304と
、パネル構造体300の一方の外側表面(第2の大型基板200の外側表面)で第1の分
断予定線301、302に並行して延びた複数本の第3の分断予定線305とを含んでい
る。
Here, as in the first embodiment, the planned dividing line for the
A plurality of
但し、本形態では、パネル30として切り出される領域(図7(a)において斜線を付
した領域)の境界部分には、第1の分断予定線301、302、および第2の分断予定線
303、304が各々、2本ずつ設定されている。このため、パネル構造体300では、
外周縁に沿う枠状領域、2本の第1の分断予定線301、302で挟まれた領域、および
2本の第2の分断予定線303、304で挟まれた領域が、パネル構造体300を分断す
るときに除去される除材領域である。
However, in the present embodiment, the
A frame-shaped region along the outer peripheral edge, a region sandwiched between the two first scheduled
次に、マスキング工程では、フォトリソグラフィ技術を用いて、パネル構造体300の
両面のうち、図7(b)を参照して説明する複数の突起330を形成すべき位置を感光性
樹脂からなるマスク340で覆う。本形態では、パネル構造体300の両面のうち、パネ
ル構造体300の外周縁に沿う枠状領域、および2本の第2の分断予定線303、304
で挟まれた領域(パネル30が切り出される領域の間)に対して、マスク340を形成す
る。
Next, in the masking process, the position where the plurality of
A
次に、エッチング工程(薄板化工程)では、パネル構造体300の外周縁で開口する大
型基板100、200の隙間をエポキシ樹脂やピッチ系塗料などの被覆材で塞いだ状態で
フッ酸を含むエッチング液にパネル構造体300を浸漬し、パネル構造体300の外側表
面(大型基板100、200の外側表面)をエッチングする。
Next, in the etching process (thinning process), etching including hydrofluoric acid in a state where the gap between the
その結果、大型基板100、200を0.5mm以下、さらには0.25mm以下にま
で薄板化することができるとともに、図7(b)に示すように、パネル構造体300の両
面に複数の突起330を形成することができる。また、突起330は、パネル構造体30
0においてパネル30が切り出される領域(図7(b)において斜線を付した領域)を避
けた領域に形成される。より具体的には、パネル構造体300の外周縁に沿う枠状領域、
および2本の第2の分断予定線303、304で挟まれた領域(パネル30が切り出され
る領域の間)に対して突起330が形成される。
As a result, the
It is formed in a region avoiding the region where the
And the
次に、実施の形態1と同様、分断工程を行い、単品サイズのパネル30を得る。かかる
分断工程を行う際、図8に示すように、パネル構造体300、350をステージ550上
に載置するが、パネル構造体300、350の下面とステージ550の上面との間には突
起330が介在することになる。このため、パネル構造体300、350の下面は、ステ
ージ550の上面から突起の高さ寸法分だけ浮いた状態にあるので、パネル構造体300
、350とステージ550との接触面積が狭い。それ故、パネル構造体300、350を
ステージ550上から剥離する際、剥離帯電がほとんど発生しないので、剥離帯電に起因
する不具合、例えば、画素スイッチング素子の静電破壊、配線の静電破壊、さらには基板
自身の静電破壊の発生を防止することができるなど、実施の形態1と同様な効果を奏する
。
Next, as in the first embodiment, a cutting process is performed to obtain a single-
, 350 and the
また、本形態では、パネル構造体300の外周縁に沿う枠状領域、および2本の第2の
分断予定線303、304で挟まれた領域(パネル30が切り出される領域の間)に対し
て突起330を形成したため、図8に示すように、パネル構造体300をステージ550
上に載置した状態で、パネル構造体300の下面とステージ550の上面との間には、そ
の端部に加えて、内側領域にも突起330が介在する。このため、パネル構造体300に
は、多くの突起330で支持されるので、内側に撓みが発生しない。それ故、パネル構造
体350にスクライブ溝を精度よく形成することができる。
Moreover, in this embodiment, with respect to the frame-shaped region along the outer peripheral edge of the
In the state of being placed on top, the
特に、第1の分断予定線301、302に沿ってパネル構造体300を分断して短冊状
のパネル構造体350を形成した状態において、短冊状のパネル構造体350では、実施
の形態1と違って、その両端部だけでなく、長さ方向の途中部分にも突起330が存在す
る。このため、短冊状のパネル構造体350をステージ550上に載置した状態で、パネ
ル構造体350の下面とステージ550の上面との間は、両端部だけではなく、長さ方向
の途中部分にも突起330が介在するので、パネル構造体350は、長さ方向の途中部分
に撓みが発生しない。それ故、パネル構造体350にスクライブ溝を精度よく形成するこ
とができる。
In particular, the strip-shaped panel structure 350 is different from the first embodiment in the state where the panel-shaped panel structure 350 is formed by dividing the
[実施の形態3]
図9は、本発明の実施の形態3に係る液晶装置の製造方法を示す説明図であり、パネル
構造体に対して突起を形成した様子を示してある。
[Embodiment 3]
FIG. 9 is an explanatory view showing a method of manufacturing a liquid crystal device according to Embodiment 3 of the present invention, and shows a state in which protrusions are formed on the panel structure.
実施の形態1、2では、パネル構造体300を分断するときに除去される除材領域にマ
スク340(突起330)を形成した例であったが、図9に示すように、パネル30とし
て切り出される領域のうち、画像表示領域1を避けた領域に突起330を形成してもよい
。例えば、第1の大型基板100の外側表面のうち、図1(a)、(b)を参照して説明
した張り出し領域15に相当する領域や、第2の大型基板200の外側表面のうち、図1
(a)、(b)を参照して説明した張り出し領域15と重なる領域(第1の分断予定線3
02と第3の分断予定線305との間の領域)に突起330を形成してもよい。
In the first and second embodiments, the mask 340 (protrusions 330) is formed in the material removal region that is removed when the
A region overlapping with the
The
また、第1の大型基板100および第2の大型基板200の外側表面のうち、図1(a
)、(b)を参照して説明した張り出し領域15と反対側の端部に相当する領域に突起3
30を形成してもよい。
Further, among the outer surfaces of the first
), Protrusion 3 in the region corresponding to the end opposite to the
30 may be formed.
[実施の形態4]
図10は、本発明の実施の形態4に係る液晶装置の製造方法を示す説明図であり、分断
工程においてスクライブ溝を形成する様子の説明図である。
[Embodiment 4]
FIG. 10 is an explanatory view showing a method of manufacturing a liquid crystal device according to Embodiment 4 of the present invention, and is an explanatory view showing a state in which a scribe groove is formed in the dividing step.
実施の形態1〜3では、分断工程においてパネル構造体300、350をステージ55
0上に載置した状態で、パネル構造体300、350の下面をステージ550の上面から
浮かせるにあたって、パネル構造体300、350に突起を形成したが、図10に示すよ
うに、本形態では、パネル構造体300、350に突起を形成しない代わりに、ステージ
550の上面に複数の突起560を形成してある。
In the first to third embodiments, the
When the lower surfaces of the
このように構成した場合も、パネル構造体300、350の下面は、ステージ550の
上面から突起の高さ寸法分だけ浮いた状態にあるので、パネル構造体300、350とス
テージ550との接触面積が狭い。それ故、パネル構造体300、350をステージ55
0上から剥離する際、剥離帯電がほとんど発生しないので、剥離帯電に起因する不具合、
例えば、画素スイッチング素子の静電破壊、配線の静電破壊、さらには基板自身の静電破
壊の発生を防止することができる。
Even in such a configuration, the lower surfaces of the
When peeling from 0, almost no peeling charge is generated.
For example, it is possible to prevent electrostatic breakdown of the pixel switching element, electrostatic breakdown of the wiring, and further electrostatic breakdown of the substrate itself.
[その他の実施の形態]
上記形態では、分断工程として、スクライブ溝形成工程の後、ブレーク処理を行ったが
、例えば、基板に予め撓みを与えた上でスクライブ溝を形成し、スクライブ溝の形成と同
時に真空吸引などで撓みを強めて基板を分断するなどの方法を採用した場合に本発明を適
用してもよい。
[Other embodiments]
In the above embodiment, the break process is performed after the scribe groove forming process as the dividing process. For example, the substrate is bent in advance, and then the scribe groove is formed. The present invention may be applied in the case where a method such as dividing the substrate by strengthening is adopted.
また、上記実施の形態では、TNモード、ECBモード、VANモードのアクティブマ
トリクス型の液晶装置を例に説明したが、IPS(In−Plane Switchin
g)モードの液晶装置(電気光学装置)に本発明を適用してもよい。
In the above embodiment, the TN mode, ECB mode, and VAN mode active matrix liquid crystal devices have been described as examples. However, IPS (In-Plane Switchin) has been described.
g) The present invention may be applied to a mode liquid crystal device (electro-optical device).
さらに、電気光学装置として液晶装置に限らず、例えば、有機EL(エレクトロルミネ
ッセンス)装置、さらにはその他の電気光学装置に対して本発明を適用してもよい。
Furthermore, the present invention may be applied not only to a liquid crystal device as an electro-optical device, but also to, for example, an organic EL (electroluminescence) device, and other electro-optical devices.
[電子機器の実施形態]
図11は、本発明に係る液晶装置を各種の電子機器の表示装置として用いる場合の一実
施形態を示している。ここに示す電子機器は、パーソナルコンピュータや携帯電話機など
であり、表示情報出力源170、表示情報処理回路171、電源回路172、タイミング
ジェネレータ173、そして液晶装置1を有する。また、液晶装置1は、パネル175お
よび駆動回路176を有しており、前述した液晶装置1を用いることができる。表示情報
出力源170は、ROM(Read Only Memory)、RAM(Random
Access Memory)等といったメモリ、各種ディスク等といったストレージ
ユニット、デジタル画像信号を同調出力する同調回路等を備え、タイミングジェネレータ
173によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号
等といった表示情報を表示情報処理回路171に供給する。表示情報処理回路171は、
シリアル−パラレル変換回路や、増幅・反転回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路
、クランプ回路等といった周知の各種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、
その画像信号をクロック信号CLKと共に駆動回路176へ供給する。電源回路172は
、各構成要素に所定の電圧を供給する。
[Embodiment of Electronic Device]
FIG. 11 shows an embodiment in which the liquid crystal device according to the present invention is used as a display device of various electronic devices. The electronic device shown here is a personal computer, a mobile phone, or the like, and includes a display
A memory unit such as an access memory), a storage unit such as various disks, a tuning circuit that tunes and outputs a digital image signal, and a display such as an image signal of a predetermined format based on various clock signals generated by the
It is equipped with various known circuits such as a serial-parallel conversion circuit, an amplification / inversion circuit, a rotation circuit, a gamma correction circuit, a clamp circuit, etc., and executes processing of input display information,
The image signal is supplied to the
1・・液晶装置、10・・素子基板(第1の基板)、20・・対向基板(第2の基板)、
30・・単品サイズのパネル、100・・第1の大型基板(第1の基板)、200・・第
2の大型基板(第2の基板)、300、350・・パネル構造体、301、302・・第
1の分断予定線、303、304・・第2の分断予定線、305・・第3の分断予定線、
330・・パネル構造体の突起、340・・マスク、500・・スクライブ刃、550・
・ステージ、560・・ステージの突起
1 .... Liquid crystal device, 10 .... Element substrate (first substrate), 20 .... Counter substrate (second substrate),
30 .. Panel of single size, 100 .. First large substrate (first substrate), 200 .. Second large substrate (second substrate), 300, 350 .. Panel structure, 301, 302 ..
330 .. Projection of panel structure, 340 .. Mask, 500 .. Scribe blade, 550.
.Stage, 560, ... Stage protrusion
Claims (8)
第1の基板と第2の基板とを貼り合わせてパネル構造体を形成する貼り合わせ工程と、
前記パネル構造体をステージ上に載置した状態で分断予定線に沿ってスクライブ溝を形
成し、前記パネル構造体を、画素領域に複数の画素を備えた単品サイズのパネルに分断す
る分断工程と、を有し、
前記分断工程では、前記パネル構造体側および前記ステージ側の少なくとも一方に形成
された複数の突起により、前記パネル構造体の下面と前記ステージの上面との間に空間を
形成して前記パネル構造体を前記ステージ上に載置することを特徴とする電気光学装置の
製造方法。 In the method of manufacturing the electro-optical device,
A bonding step of bonding a first substrate and a second substrate to form a panel structure;
A dividing step of forming a scribe groove along a planned dividing line in a state where the panel structure is placed on a stage, and dividing the panel structure into a single-size panel having a plurality of pixels in a pixel region; Have
In the dividing step, a plurality of protrusions formed on at least one of the panel structure side and the stage side form a space between the lower surface of the panel structure body and the upper surface of the stage to thereby form the panel structure body. A method of manufacturing an electro-optical device, which is mounted on the stage.
き位置をマスクで覆うマスキング工程と、前記パネル構造体に前記マスクを形成した状態
で前記パネル構造体の外側の面をエッチングするエッチング工程とを行い、
前記パネル構造体において前記マスクで覆われた領域に前記複数の突起を形成するとと
もに前記第1の基板および前記第2の基板を薄板化することを特徴とする請求項1に記載
の電気光学装置の製造方法。 Before the dividing step, a masking step of covering the positions on the outer surface of the panel structure body where the plurality of protrusions are to be formed with a mask, and the panel structure with the mask formed on the panel structure body And an etching process for etching the outer surface of the body,
2. The electro-optical device according to claim 1, wherein the plurality of protrusions are formed in an area covered with the mask in the panel structure and the first substrate and the second substrate are thinned. Manufacturing method.
び前記画素領域を避けた領域に前記マスクを形成することを特徴とする請求項2に記載の
電気光学装置の製造方法。 3. The electro-optical device according to claim 2, wherein, in the masking step, the mask is formed in an area outside the panel structure body in a region avoiding the parting line and the pixel region. Production method.
断される領域を避けた領域に前記マスクを形成することを特徴とする請求項3に記載の電
気光学装置の製造方法。 4. The method of manufacturing an electro-optical device according to claim 3, wherein, in the masking step, the mask is formed in a region of the panel structure that avoids a region divided as the single-size panel.
さまで薄板化することを特徴とする請求項2乃至4の何れか一項に記載の電気光学装置の
製造方法。 5. The electro-optical device manufacturing method according to claim 2, wherein in the etching step, the first substrate and the second substrate are thinned to a thickness of 0.5 mm or less. 6. Method.
の電気光学装置の製造方法。 The method of manufacturing an electro-optical device according to claim 1, wherein the plurality of protrusions are formed on an upper surface of the stage.
。 An electro-optical device manufactured by the method according to claim 1.
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