JP2007501764A - 方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、放射性標識化合物の製造方法に関する。さらに特別には、本発明は、放射性標識化合物の製造方法であって、放射性カルボニル基を前駆体に取り込み、ついで、放射性標識化合物の製造に用いることを含む方法に関する。これらの放射性標識化合物は、インビボでのイメージング技術、例えば陽電子放出断層撮影を含む多くの使用を有する。
陽電子放出断層撮影(PET)は、高空間および時間分解能を示し、組織におけるトレーサー濃度の定量を可能にする、断層イメージング技術である。この技術は、陽電子放出性放射性核種で標識化した放射性トレーサーの使用を含み、種々の生体組織の生理学または生物学に関するパラメータの測定を可能にする。
したがって、第1の態様において、本発明は、放射性標識H3B.COの製造方法であって、適当な溶媒中、H3Bを一酸化炭素および適当な塩基と接触させることを含み、該一酸化炭素を放射性標識化することを特徴とする方法を提供する。
第4の態様において、本発明は、本発明の第2の態様に従ってカルボニル化することにより製造された放射性標識化合物を提供する。
さらに、本発明を下記実施例に記載する:
略号リスト:
THF:テトラヒドロフラン
TEA:トリエチルアミン
DBU:1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデク−7−エン
TMP:テトラメチルピペリジン
DMF:ジメチルホルムアミド
DIPEA:N,N−ジ−イソプロピル−エチルアミン
MDBA:N−メチルジブチルアミン
N−MTMP:M−メチル−2,2,6,6−テトラメチルピペリジン
反応バイアルの調製
二酢酸パラジウム(II)(0.5mg、0.0022mmol)およびトリフェニルホスフィン(2.9mg、0.011mmol)を、700μLのTHF(数分間N2を通気して脱気した)中に溶解した。ついで、300μLのTHF中に溶解したヨウドベンゼン(1.5mg、0.00735mmol)およびベンジルアミン(1.2mg、0.011mmol)(数分間N2を通気して脱気した)を、パラジウム複合体の溶液に加えた。TEA(1.6μL、0.0088mmol)を加え、反応バイアルを、−78℃の浴中の反応機構に置いた。
[11C]二酸化炭素を、窒素ガスターゲット(1%の酸素を含有する)を用いて、150psiの加圧下、General Electric Medical Systems PETtrace 200サイクロトロンを用いて16MeVプロトンを衝突させて、14N(p,α)11C核反応により製造した。典型的には、照射時間は、40μAビーム電流を用いて30分である。照射後、[11C]二酸化炭素を、4Åモレキュラーシーブで捕捉し、濃縮した。捕捉した[11C]CO2をモレキュラーシーブから、窒素(30mL/分)流を用いて、350℃に加熱することにより解放させた。[11C]CO2は、稼働中に、400℃に加熱された亜鉛粒で満たされた石英管を通り抜けた後、[11C]一酸化炭素に還元される。生成した[11C]一酸化炭素を、30mL/分で反応系に移し、そこで、−196℃で4Åモレキュラーシーブで凝縮した。[11C]COをデリバリーし、捕捉して6分後、ついで、放射性ガスを、室温にて窒素(6mL/分)流で解放して、BH3.THF溶液(1.5mLの1.0M溶液)に通気して、[11C]BH3.CO複合体を形成した。この複合体を窒素流で−60℃に冷却した空のバイアルに移して、THFを除去し、最終的に、−78℃に冷却した反応物を含有する反応バイアルに移した(上記反応バイアルの調製を参照のこと)。捕捉工程は約6分間を要した(反応バイアルにおいて測定した放射性レベルが最大に到達した時点)。ついで、デリバリー管を除去し、反応バイアルをオーブンで、110℃で10分間加熱した。粗生成物を0.45μmフィルターで濾過し、分析ラジオHPLCを用いて分析した。
分析HPLCにより、実施例1の所望の放射性標識化[11C]N−ベンジルベンズアミドの形成における収率は、約1.7%であることが示された。
[11C]N−ベンジル−ベンズアミドの合成を、二酢酸パラジウム(II)(0.5mg、0.0022mmol)およびトリフェニルホスフィン(2.9mg、0.011mmol)を、700μLのTHF:H2O、4:1溶液(N2を数分間通気して脱気した)に溶解し、ヨウドベンゼン(1.5mg、0.00735mmol)およびベンジルアミン(1.2mg、0.011mmol)を、300μLのTHF:H2O、4:1の溶液(N2を数分間通気して脱気した)に溶解すること以外は、実施例1に記載のように行った。反応バイアルを、0℃で浴中の反応機構に置き、[11C]BH3.COの捕捉後、反応バイアルを、120℃で8分間加熱し、濾過し、放射性含有量を分析した。HPLCクロマトグラムの分析は、所望の[11C]N−ベンジルベンズアミドが約7%収率で形成したことを示した。
[11C]N−ベンジル−ベンズアミドの合成を、二酢酸パラジウム(II)(0.5mg、0.0022mmol)およびトリフェニルホスフィン(2.9mg、0.011mmol)を、700μLのTHF+2%H2O溶液(N2を数分間通気して脱気した)に溶解させ、ヨウドベンゼン(1.5mg、0.00735mmol)およびベンジルアミン(1.2mg、0.011mmol)を、300μLのTHF+2%H2O溶液(N2を数分間通気して脱気した)に溶解し、ついで、[11C]BH3.COを捕捉した後、反応バイアルを、120℃で8分間加熱し、濾過し、放射性含有量を分析すること以外は実施例1に記載のように行った。HPLCクロマトグラムの分析は、所望の[11C]N−ベンジルベンズアミドが約30%の収率で形成したことを示した。
[11C]N−ベンジル−ベンズアミドの具尾性を、二酢酸パラジウム(II)(0.5mg、0.0022mmol)およびトリフェニルホスフィン(2.9mg、0.011mmol)を、700μLのTHF+1%H2O溶液(N2を数分間通気して脱気した)に溶解し、ヨウドベンゼン(1.5mg、0.00735mmol)およびベンジルアミン(1.2mg、0.011mmol)を、300μLのTHF+1%H2O溶液(N2を数分間通気して脱気した)に溶解し、[11C]BH3.COの捕捉後、反応バイアルを50℃で8分間加熱し、濾過し、放射性含有量を分析すること以外は実施例1に記載のように行った。HPLCクロマトグラムの分析は、所望の[11C]N−ベンジルベンズアミドが約17%の収率で形成したことを示した。
[11C]N−ベンジル−ベンズアミドの合成を、[11C]BH3.COを捕捉した後、反応バイアルを70℃で8分間加熱し、濾過し、放射性含有量を分析すること以外は実施例4に記載のように行った。HPLCクロマトグラムの分析は、所望の[11C]N−ベンジルベンズアミドが約47%の収率で形成したことを示した。
[11C]N−ベンジル−ベンズアミドの合成を、[11C]BH3.COを捕捉した後、反応バイアルを85℃で8分間加熱し、濾過し、放射性含有量を分析すること以外は、実施例4に記載のように行った。HPLCクロマトグラムの分析は、所望の[11C]N−ベンジルベンズアミドが約47%の収率で形成したことを示した。
[11C]N−ベンジル−ベンズアミドの合成を、[11C]BH3.COを捕捉した後、反応バイアルを120℃で8分間加熱し、濾過し、放射性含有量を分析すること以外は、実施例4に記載のように行った。HPLCクロマトグラムの分析は、所望の[11C]N−ベンジルベンズアミドが約47%の収率で形成したことを示した。
[11C]N−ベンジル−ベンズアミドの合成を、[11C]BH3.COを捕捉した後、反応バイアルを140℃で8分間加熱し、濾過し、放射性含有量を分析すること以外は、実施例4に記載のように行った。HPLCクロマトグラムの分析は、所望の[11C]N−ベンジルベンズアミドが約28%の収率で形成したことを示した。
[11C]N−ベンジル−ベンズアミドの合成を、DBU(1.3μL、0.0016mmol)をTEAの代わりに用いること以外は、実施例5に記載のように行った。HPLCクロマトグラムの分析は、所望の[11C]N−ベンジルベンズアミドが微量に形成したことを示した。
[11C]N−ベンジル−ベンズアミドの合成を、2,2,6,6−TMP(1.7μL、0.009mmol)をTEAの代わりに用いること以外は、実施例5に記載のように行った。HPLCクロマトグラムの分析は、所望の[11C]N−ベンジルベンズアミドが約8%の収率で形成したことを示した。
[11C]N−ベンジル−ベンズアミドの合成を、ピリジン(0.7μL、0.0088mmol)をトリエチルアミンの代わりに用い、反応バイアルを40〜80℃で15分間加熱し、濾過し、放射性含有量を分析すること以外は、実施例5に記載のように行った。HPLCクロマトグラムの分析は、所望の[11C]N−ベンジルベンズアミドが約28%の収率で形成したことを示した。
[11C]N−ベンジル−ベンズアミドの合成を、ベンジルアミン(3.6mg、0.034mmol)をTEAの代わりに用い、反応バイアルを90℃で8分間加熱し、濾過し、放射性含有量を分析すること以外は、実施例5に記載のように行った。HPLCクロマトグラムの分析は、所望の[11C]N−ベンジルベンズアミドが約20%の収率で形成したことを示した。
[11C]N−ベンジル−ベンズアミドの合成を、ベンジルアミン(3.6mg、0.034mmol)をTEAの代わりに用い、二酢酸パラジウム(II)、トリフェニルホスフィン、ヨウドベンゼンおよびベンジルアミンベンジルアミンをDMF中に溶解し、TEAを加えた後、反応バイアルを−50℃で浴中の反応機構に置くこと以外は、実施例4に記載のように行った。[11C]BH3.COを捕捉した後、反応バイアルを900℃で8分間加熱し、濾過し、放射性含有量を分析した。HPLCクロマトグラムの分析は、所望の[11C]N−ベンジルベンズアミドが約23%の収率で形成したことを示した。
[11C]N−ベンジル−ベンズアミドの合成を、ベンジルアミン(3.6mg、0.034mmol)をTEAの代わりに用い、二酢酸パラジウム(II)、トリフェニルホスフィン、ヨウドベンゼンおよびベンジルアミンベンジルアミンを1,2−ジクロロエタン中に溶解し、TEAを加え、反応バイアルを−20℃で浴中の反応機構に置くこと以外は、実施例4に記載のように行った。[11C]BH3.COを捕捉した後、反応バイアルを110℃で8分間加熱し、濾過し、放射性含有量を分析した。HPLCクロマトグラムの分析は、所望の[11C]N−ベンジルベンズアミドが約12%の収率で形成したことを示した。
反応バイアルの調製
反応バイアルの調製を、二酢酸パラジウム(II)(0.5mg、0.0022mmol)およびトリフェニルホスフィン(2.9mg、0.11mmol)を、1%H2Oを補足した700μLのTHF中に溶解し、ヨウドベンゼン(1.5mg、0.00735mmol)およびベンジルアミン(1.2mg、0.011mmol)を、1%H2Oを補足した300μLの脱気したTHF中に溶解すること以外は実施例1に記載のように行った。
[11C]N−ベンジル−ベンズアミドの合成を、生成した[11C]COを、トラップ(12−インコイルの1/16”ステンレススチール管、0.040”i.d.、carbonex1000を充填、45/60メッシュ(Supelco)からなる)で、−196℃で凝縮すること以外は、実施例1に記載のように行った。[11C]COをデリバリーし、捕捉してから6分後、放射性ガスを室温で解放し、窒素(6mL/分)流で空のバイアルに通して反応器にBH3.THF溶液(1.5mLのTHF中1.0M溶液)を充填し、[11C]BH3.CO複合体を形成した。ついで、複合体を、窒素流で−78℃に冷却した空のバイアルに移し、最終的に、−78℃で冷却した反応物を含有する反応バイアルに移した。[11C]BH3.CO複合体をデリバリーして6分後、管を除去し、反応バイアルを95℃で10分間オーブンで加熱した。粗生成物を、0.45μmのフィルターを通して濾過し、放射性含有量を分析した。HPLCクロマトグラムの分析は、所望の[11C]N−ベンジルベンズアミドが約47%の収率で形成したことを示した。
[11C]N−ベンジル−ベンズアミドの合成を、TEAの代わりにDIPEA(1.53μL、0.0088mmol)を用い、[11C]BH3.CO複合体を含有する反応バイアルを[11C]を、90℃で10分間加熱し、濾過し、放射性含有量を分析すること以外は、実施例5に記載のように行った。HPLCクロマトグラムの分析は、所望の[11C]N−ベンジルベンズアミドが約91%の収率で形成したことを示した。
テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)(1.1mg、0.95μmol)を、H2O溶液(N2を数分間通気して脱気した)中に溶解した。ついで、2−ブロモベンジルアルコール(1.1mg、0.006mmol)およびK2CO3(5mg、0.036mmol)の混合物を、300μLのTHF+1%H2O溶液(N2を数分間通気して脱気した)に加え、パラジウム複合体の溶液に加えた。反応バイアルを、−78℃で浴中の反応機構においた。実施例1に記載のように[11C]BH3.COを捕捉した後、反応を100℃で4分間加熱し、濾過し、放射性含有量を分析した。HPLCクロマトグラムの分析は、所望の[11C]N−ベンジルベンズアミドが約91%の収率で形成したことを示した。HPLCクロマトグラムの分析は、所望の[11C]フタリドが微量に形成したことを示した。
二酢酸パラジウム(II)(0.8mg、0.0035mmol)およびトリフェニルホスフィン(5mg、0.020mmol)を、700μLのTHF+1%H2O溶液(N2を数分間通気して脱気した)に溶解した。ついで、2−ブロモベンジルアルコール(2.2mg、0.012mmol)およびK2CO3(5mg、0.036mmol)の混合物を、300μLのTHF+1%H2O溶液(N2を数分間通気して脱気した)に溶解し、パラジウム複合体の溶液に加えた。反応バイアルを−78℃の浴中の反応機構中に置いた。実施例1に記載のように[11C]BH3.COを捕捉した後、反応を120℃で5分間加熱し、濾過し、放射性含有量を分析した。HPLCクロマトグラムの分析は、所望の[11C]フタリドが微量に形成したことを示した。
二酢酸パラジウム(II)(0.8mg、0.0035mmol)およびトリフェニルホスフィン(5mg、0.020mmol)を、700μLのTHF溶液(N2を数分間通気して脱気した)に溶解した。ついで、2−ブロモベンジルアルコール(2.2mg、0.012mmol)およびDBU(2.0μL、0.014mmol)の混合物を、300μLのTHF溶液(N2を数分間通気して脱気した)に溶解し、パラジウム複合体の溶液に加えた。反応バイアルを−78℃の浴中の反応機構に置いた。実施例1に記載のように[11C]BH3.COを捕捉した後、反応を110℃で5分間加熱し、濾過し、放射性含有量を分析した。HPLCクロマトグラムの分析は、所望の[11C]フタリドが微量に形成したことを示した。
二酢酸パラジウム(II)(0.8mg、0.0035mmol)およびトリフェニルホスフィン(5mg、0.020mmol)を、700μLのTHF溶液(N2を数分間通気して脱気した)に溶解した。ついで、300μLのTHF中の2−ブロモベンジルアルコール(2.2mg、0.012mmol)の溶液(N2を数分間通気して脱気した)を、パラジウム複合体の溶液に加えた。反応バイアルを、−78℃で浴中の反応機構に置いた。実施例1に記載のように[11C]BH3.COを捕捉した後、反応を120℃で5分間加熱し、濾過し、放射性含有量を分析した。HPLCクロマトグラムの分析は、所望の[11C]フタリドが約40%の収率で形成したことを示した。
二酢酸パラジウム(II)(0.5mg、0.0022mmol)およびトリフェニルホスフィン(2.9mg、0.011mmol)を、700μLのTHF+1%H2O溶液(N2を数分間通気して脱気した)に溶解した。ついで、2−ブロモベンジルアルコール(2.2mg、0.012mmol)およびTEA(1.9μL、0.014mmol)の混合物を、300μLのTHF+1%H2O溶液(N2を数分間通気して脱気した)に溶解し、パラジウム複合体の溶液に加えた。反応バイアルを、−78℃で浴中の反応機構に置いた。実施例1に記載のように[11C]BH3.COを捕捉した後、反応を90℃で8分間加熱し、濾過し、放射性含有量を分析した。HPLCクロマトグラムの分析は、所望の[11C]フタリドが約26%の収率で形成したことを示した。
二酢酸パラジウム(II)(1.0mg、0.0044mmol)およびトリフェニルホスフィン(6mg、0.022mmol)を、700μLのTHF+1%H2O溶液(N2を数分間通気して脱気した)に溶解した。ついで、2−ブロモベンジルアルコール(2.2mg、0.012mmol)およびTEA(1.9μL、0.014mmol)を、300μLのTHF+1%H2O溶液(N2を数分間通気して脱気した)に溶解し、パラジウム複合体の溶液に加えた。反応バイアルを、−78℃で浴中の反応機構に置いた。実施例1に記載のように[11C]BH3.COを捕捉した後、反応を90℃で8分間加熱し、濾過し、放射性含有量を分析した。HPLCクロマトグラムの分析は、所望の[11C]フタリドが約20%の収率で形成したことを示した。
二酢酸パラジウム(II)(0.5mg、0.0022mmol)およびトリフェニルホスフィン(2.9mg、0.011mmol)を、1%H2Oを補足した700μLのTHF溶液(N2を数分間通気して脱気した)に溶解した。ついで、2−ブロモベンジルアルコール(1.37mg、0.0073mmol)およびDIPEA(1.53μL、0.0088mmol)の混合物を、1%H2Oを補足した300μLのTHF(N2を数分間通気して脱気した)に溶解し、パラジウム複合体の溶液に加えた。反応バイアルを、−78℃で浴中の反応機構に置いた。[11C]BH3.COの捕捉を実施例15に記載のように行い、反応を95℃で10分間加熱し、濾過し、放射性含有量を分析した。HPLCクロマトグラムの分析は、所望の[11C]フタリドが約40%の収率で形成したことを示した。
[11C]フタリドの合成を、反応を95℃で8分間加熱し、濾過し、放射性含有量を分析すること以外は、実施例23に記載のように行った。HPLCクロマトグラムの分析は、所望の[11C]フタリドが約89%の収率で形成したことを示した。
二酢酸パラジウム(II)(0.5mg、0.0022mmol)およびトリフェニルホスフィン(2.9mg、0.011mmol)を、1%H2Oを補足した400μLのTHF(N2を5分間通気することにより脱気した)に溶解した。ついで、3−ヨウドピリジン(1.5mg、0.0073mmol)およびDIPEA(1.53μL、0.0088mmol)の混合物を、THF中の600μLのメチルアミン(2.0M)溶液に溶解し、ついで、パラジウム複合体の溶液に加えた。反応バイアルを、−78℃で浴中の反応機構に置いた。実施例15に記載のように[11C]BH3.COを捕捉した後、反応を140℃で8分間加熱し、濾過し、放射性含有量を分析した。HPLCクロマトグラムの分析は、所望の[11C]N−メチルニコチンアミドが約95%の収率で形成したことを示した。
二酢酸パラジウム(II)(0.5mg、0.0022mmol)およびトリフェニルホスフィン(2.9mg、0.011mmol)を、1%H2Oを補足した700μLのTHF溶液(N2を5分間通気することにより脱気した)に溶解した。ついで、3−シクロブチル−7−[(5−ヨウド−2−ピリジニル)オキシ]−2,3,4,5−テトラヒドロ−1H−3−ベンズアゼピン(3.1mg、0.0073mmol)、DIPEA(1.53μL、0.0088mmol)およびメチルアミン2.0M(0.011mmol、5.48μLのTHF溶液)の混合物を、1%H2Oを補足した300μLのTHF溶液(N2を5分間通気することにより脱気した)に溶解し、パラジウム複合体の溶液に加えた。反応バイアルを、−78℃で浴中の反応機構に置いた。実施例15に記載のように[11C]BH3.COを捕捉した後、反応を100℃で8分間加熱し、濾過し、放射性含有量を分析した。HPLCクロマトグラムの分析は、所望の[11C]6−[(3−シクロブチル−2,3,4,5−テトラヒドロ−1H−3−ベンズアゼピン−7−イル)オキシ]−N−メチルニコチンアミドが約6.5%の収率で形成したことを示した。
二酢酸パラジウム(II)(0.5mg、0.0022mmol)およびトリフェニルホスフィン(2.9mg、0.011mmol)を、1%H2Oを補足した400μLのTHF溶液(N2を数分間通気して脱気した)に溶解した。ついで、3−シクロブチル−7−[(5−ヨウド−2−ピリジニル)オキシ]−2,3,4,5−テトラヒドロ−1H−3−ベンズアゼピン(1.6mg、0.00365mmol)、DIPEA(1.53μL、0.0088mmol)およびメチルアミン2.0M(0.011mmol、5.48μLのTHF中溶液)の混合物を、1%H2Oを補足した300μLのTHF溶液(N2を5分間通気することにより脱気した)に溶解し、パラジウム複合体の溶液に加えた。反応バイアルを、−78℃で浴中の反応機構に置いた。実施例15に記載のように[11C]BH3.COを捕捉した後、反応を140℃で8分間加熱し、濾過し、放射性含有量を分析した。HPLCクロマトグラムの分析は、所望の[11C]6−[(3−シクロブチル−2,3,4,5−テトラヒドロ−1H−3−ベンズアゼピン−7−イル)オキシ]−N−メチルニコチンアミドが約44.4%の収率で形成したことを示した。
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Claims (17)
- 放射性標識化H3BCOの製造方法であって、H3Bを適当な溶媒中で一酸化炭素と接触させることを含み、該一酸化炭素が放射性標識化されていることを特徴とする方法。
- 適当な塩基の存在下で行われる、請求項1記載の方法。
- 混合物からフリー溶媒を除去することにより、放射性標識H3BCOの生産を促進する、請求項1または2記載の方法。
- 混合物からのフリー溶媒の除去を、凝縮により促進する、請求項3記載の方法。
- 溶媒がいずれのエーテルまたはテトラヒドロフランを含む、請求項1〜4いずれか1項記載の方法。
- 溶媒が、ジエチルエーテル、ジオキサンまたはテトラヒドロフランを含む、請求項1〜5いずれか1項記載の方法。
- 溶媒がテトラヒドロフランである、請求項1〜6いずれか1項記載の方法。
- 塩基が、トリエチルアミン、N−メチルジブチルアミン、M−メチル−2,2,6,6−テトラメチルピペリジンまたはN,N−ジ−イソプロピル−エチルアミン(DIPEA)である、請求項1〜7いずれか1項記載の方法。
- 一酸化炭素が、11C、13C、14C15Oまたは18Oで放射線標識化された、請求項1〜8いずれか1項記載の方法。
- 放射線標識が11Cである、請求項9記載の方法。
- 放射線標識化一酸化炭素のドナーとしての、請求項1〜10いずれか1項記載の方法に従って製造される放射性標識化H3BCOを用いるカルボニル化による、放射性標識化合物の製造方法。
- 請求項11記載の方法を用いて製造した、放射性標識化合物。
- イメージング技術における、請求項12記載の放射性標識化合物の使用。
- イメージング技術が、陽電子放出断層撮影、単一光子放出断層撮影またはオートラジオグラフィーから選択される請求項13記載の使用。
- イメージング技術が、陽電子放出断層撮影から選択される、請求項14記載の使用。
- 請求項1〜11いずれか1項記載の方法の生成物。
- 請求項12記載の放射性標識化合物を含む組成物。
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