JP2007300118A

JP2007300118A - Substrate etching apparatus and substrate etching method using the same

Info

Publication number: JP2007300118A
Application number: JP2007119098A
Authority: JP
Inventors: Kyong Man Kim; 景満金
Original assignee: Samsung Electronics Co Ltd
Current assignee: Samsung Electronics Co Ltd
Priority date: 2006-04-27
Filing date: 2007-04-27
Publication date: 2007-11-15
Anticipated expiration: 2027-04-27
Also published as: CN101062837B; KR20070105699A; CN101062837A; JP4980783B2; TW200741850A; TWI397120B

Abstract

【課題】ガラス基板のエッチングを均一にすることができる基板エッチング装置及びそれを用いた基板エッチング方法を提供する。
【解決手段】基板エッチング装置は、エッチング容器、気泡噴射器及びガス供給器を含む。エッチング容器は、底に垂直かつ互いに平行に配置された複数のガラス基板を収容する。気泡噴射器は、それぞれのガラス基板を間に介在してガラス基板に気泡を噴射する。ガス供給器は、エッチング容器の外部に配置され気泡噴射器にガスを供給する。従って、気泡をガラス基板に均一に噴射してガラス基板のエッチングを均一にすることができる。
【選択図】図１A substrate etching apparatus and a substrate etching method using the same that can uniformly etch a glass substrate are provided.
A substrate etching apparatus includes an etching container, a bubble injector, and a gas supply device. The etching container accommodates a plurality of glass substrates arranged perpendicular to the bottom and parallel to each other. The bubble ejector ejects bubbles onto the glass substrate with each glass substrate interposed therebetween. The gas supplier is disposed outside the etching container and supplies gas to the bubble injector. Therefore, it is possible to make the etching of the glass substrate uniform by uniformly injecting bubbles onto the glass substrate.
[Selection] Figure 1

Description

本発明は、基板エッチング装置及びそれを用いた基板エッチング方法に関する。さらに詳細には、ガラス基板のエッチングを均一にすることができる基板エッチング装置及びそれを用いたエッチング方法に関する。 The present invention relates to a substrate etching apparatus and a substrate etching method using the same. More specifically, the present invention relates to a substrate etching apparatus capable of uniform etching of a glass substrate and an etching method using the same.

液晶表示装置は、一般的に、薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴ）基板、ＴＦＴ基板と向き合うカラーフィルタ基板及びＴＦＴ基板とカラーフィルタ基板との間に形成された液晶層を有する液晶表示パネルを含む。
最近、液晶表示装置は移動通信端末機、マルチメディアプレーヤ及びノートブックのような携帯用電子機器用としてその需要が急増しており、軽量化された製品を選好する傾向にある。 The liquid crystal display device generally includes a liquid crystal display panel having a thin film transistor (hereinafter referred to as TFT) substrate, a color filter substrate facing the TFT substrate, and a liquid crystal layer formed between the TFT substrate and the color filter substrate.
Recently, the demand for liquid crystal display devices for portable electronic devices such as mobile communication terminals, multimedia players, and notebooks has increased rapidly, and there is a tendency to prefer lighter products.

このような傾向に応じて、液晶表示装置の最も大きい比重を占めるＴＦＴ基板とカラーフィルタ基板、即ち、基板エッチング装置を通じてガラス基板の厚さを薄くして全体的な重量を減少させている。
しかし、従来の基板エッチング装置は基板をエッチングするとき、発生する不純物に起因してガラス基板が不均一にエッチングされるという問題点があった。 In response to this trend, the overall weight is reduced by reducing the thickness of the glass substrate through the TFT substrate and the color filter substrate that occupy the largest specific gravity of the liquid crystal display device, that is, the substrate etching apparatus.
However, the conventional substrate etching apparatus has a problem in that when the substrate is etched, the glass substrate is etched unevenly due to the generated impurities.

本発明の目的は、ガラス基板に気泡を均一に噴射してエッチングを均一にすることができる基板エッチング装置を提供することにある。
本発明の他の目的は、前記基板エッチング装置を用いた基板エッチング方法を提供することにある。 The objective of this invention is providing the board | substrate etching apparatus which can inject a bubble uniformly to a glass substrate and can make etching uniform.
Another object of the present invention is to provide a substrate etching method using the substrate etching apparatus.

前記課題を解決するために、本発明１は、下記の構成要素を含む基板エッチング装置を含む。
・複数のガラス基板を底部に垂直にかつ互いに平行に配置し収容するエッチング容器と、
・前記エッチング容器に収容されたガラス基板に、それぞれの前記ガラス基板の間に介在して気泡を噴射する気泡噴射器と、
・前記エッチング容器の外部に配置され前記気泡噴射器にガスを供給するガス供給器。 In order to solve the above problems, the present invention 1 includes a substrate etching apparatus including the following components.
An etching container that accommodates a plurality of glass substrates that are arranged perpendicular to the bottom and parallel to each other;
A bubble injector for injecting bubbles on the glass substrate accommodated in the etching container, interposed between the glass substrates;
A gas supply device that is arranged outside the etching container and supplies gas to the bubble injector.

本発明２は、前記発明１において、前記気泡噴射器は、内部にガス通路部が形成されている噴射板と、前記噴射板の前記ガラス基板と向き合う面に形成され、前記ガス通路部と連結されている複数の噴射ノズルと、基板エッチング装置を提供する。
本発明３は、前記発明２において、前記噴射ノズルは、前記噴射板に格子構造に形成されている、基板エッチング装置を提供する。 Invention 2 is the invention 1, wherein the bubble injector is formed on an injection plate in which a gas passage portion is formed and a surface of the injection plate facing the glass substrate, and is connected to the gas passage portion. A plurality of spray nozzles and a substrate etching apparatus are provided.
A third aspect of the present invention provides the substrate etching apparatus according to the second aspect, wherein the spray nozzle is formed in a lattice structure on the spray plate.

本発明４は、前記発明２において、前記エッチング容器の内部に配置され、前記ガラス基板を固定する固定クリップが形成されている固定板をさらに含む、基板エッチング装置を提供する。
本発明５は、前記発明４において、前記固定板は、前記ガス供給器と、前記気泡噴射器の前記ガス通路部とを連結しているガス印加ホールと、を有する基板エッチング装置を提供する。 A fourth aspect of the present invention provides the substrate etching apparatus according to the second aspect of the present invention, further comprising a fixing plate disposed inside the etching container and having a fixing clip for fixing the glass substrate.
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided the substrate etching apparatus according to the fourth aspect, wherein the fixing plate includes the gas supply unit and a gas application hole connecting the gas passage portion of the bubble injector.

本発明６は、前記発明１において、前記気泡噴射器は、中央に開口部が形成されているフレームと、前記フレームの内部に配置され、前記ガス供給器と連結されている第１チューブと、一定の間隔で前記第１チューブと垂直に連結され前記開口部を縦断していて、前記それぞれのガラス基板と向き合う面に対応して形成されている複数の噴射口を備える第２チューブと、を有する、基板エッチング装置を提供する。 A sixth aspect of the present invention relates to the first aspect, wherein the bubble ejector includes a frame having an opening formed at a center thereof, a first tube disposed inside the frame and connected to the gas supply unit, A second tube that is vertically connected to the first tube at a constant interval and vertically cuts through the opening, and includes a plurality of injection ports formed corresponding to the surfaces facing the respective glass substrates; A substrate etching apparatus is provided.

本発明７は、前記発明６において、前記噴射口は、前記第２チューブに一定の間隔で形成されている、基板エッチング装置を提供する。
本発明８は、前記発明７において、前記気泡噴射器は、ポリ塩化ビニルからなる、基板エッチング装置を提供する。
本発明９は、以下の段階を含む基板エッチング方法を提供する。
・互いに平行に配置された複数のガラス基板をエッチング容器の底板に垂直に配置する段階と、
・それぞれの前記ガラス基板の間に介在されるように気泡噴射器を配置する段階と、
・前記エッチング容器外部に配置されたガス供給器から前記気泡噴射器にガスを供給する段階と、
・前記気泡噴射器が前記ガラス基板に気泡を噴射して不純物を除去する段階。 A seventh aspect of the present invention provides the substrate etching apparatus according to the sixth aspect, wherein the injection ports are formed in the second tube at regular intervals.
The present invention 8 provides the substrate etching apparatus according to the seventh invention, wherein the bubble injector is made of polyvinyl chloride.
The present invention 9 provides a substrate etching method including the following steps.
Arranging a plurality of glass substrates arranged parallel to each other perpendicularly to the bottom plate of the etching vessel;
-Disposing a bubble injector to be interposed between each said glass substrate;
Supplying gas from the gas supply device disposed outside the etching container to the bubble injector;
The bubble ejector ejects bubbles onto the glass substrate to remove impurities;

本発明１０は、前記発明９において、前記気泡噴射器は、内部に前記ガス供給器と連結されたガス通路部を有する噴射板の前記ガラス基板と向き合う面に形成された複数の噴射ノズルを通じて気泡を噴射する、基板エッチング方法を提供する。
本発明１１は、前記発明９において、前記気泡噴射器は、前記ガス供給器と連結された第１チューブと垂直に連結された複数の第２チューブに形成され、前記ガラス基板と向き合う面に対応して形成された複数の噴射口を通じて気泡を噴射する、基板エッチング方法を提供する。 According to a tenth aspect of the present invention, in the ninth aspect of the present invention, the bubble injector is configured such that the bubble injectors are formed through a plurality of injection nozzles formed on a surface of the injection plate facing the glass substrate having a gas passage portion connected to the gas supply unit. A method for etching a substrate is provided.
Invention 11 corresponds to the surface of the invention 9, wherein the bubble injector is formed in a plurality of second tubes connected perpendicularly to the first tube connected to the gas supply device, and faces the glass substrate. There is provided a substrate etching method in which bubbles are ejected through a plurality of ejection ports formed in this manner.

本発明１２は、以下の構成を含む基板エッチング装置を提供する。
・複数のガラス基板を底板に垂直にかつ互いに平行に配置し収容するエッチング容器と、
・前記エッチング容器に収容されたガラス基板の配置方向とその長手方向が一致するように配置され前記ガラス基板に気泡を噴射する気泡噴射管と、
・前記エッチング容器の外部に配置され前記気泡噴射管にガスを供給するガス供給器。 The present invention 12 provides a substrate etching apparatus including the following configuration.
An etching container that houses a plurality of glass substrates arranged in parallel to each other and parallel to the bottom plate;
A bubble injection tube that is arranged so that the arrangement direction of the glass substrate accommodated in the etching container and the longitudinal direction thereof coincide with each other and injects bubbles to the glass substrate;
A gas supply device that is disposed outside the etching container and supplies gas to the bubble jet tube.

本発明１３は、前記発明１２において、前記気泡噴射管は、前記ガラス基板を挟んで一対をなして配置され前記ガラス基板に気泡を噴射する、基板エッチング装置を提供する。
本発明１４は、前記発明１２において、前記気泡噴射管は、前記ガラス基板に気泡を噴射する位置に一定の間隔で形成された複数の噴射口を有する、基板エッチング装置を提供する。 A thirteenth aspect of the present invention provides the substrate etching apparatus according to the twelfth aspect, wherein the bubble injection tubes are arranged in a pair with the glass substrate interposed therebetween and inject bubbles into the glass substrate.
A fourteenth aspect of the present invention provides the substrate etching apparatus according to the twelfth aspect, wherein the bubble injection tube has a plurality of injection ports formed at regular intervals at positions where bubbles are injected onto the glass substrate.

本発明１５、前記発明１４において、前記ガラス基板の配置方向と交差する方向に前記気泡噴射管を移動させる移動装置をさらに含む、基板エッチング装置を提供する。
本発明１６は、前記発明１５において、前記移動装置は、前記エッチング容器の外側面に配置されているシリンダと、前記シリンダに結合され前記ガラス基板の配置方向と交差する方向に移動可能なシリンダロッドと、前記シリンダロッドと前記気泡噴射管とを連結させている連結部と、前記連結部の一部をカバーしながら前記気泡噴射管の移動をガイドするガイド部と、を有する基板エッチング装置を提供する。 In the present invention 15 and the invention 14, a substrate etching apparatus is provided, further comprising a moving device for moving the bubble jet tube in a direction intersecting with the arrangement direction of the glass substrate.
According to a sixteenth aspect of the present invention, in the fifteenth aspect, the moving device includes a cylinder disposed on an outer surface of the etching container, and a cylinder rod coupled to the cylinder and movable in a direction intersecting with the arrangement direction of the glass substrate. And a guide portion for connecting the cylinder rod and the bubble injection tube, and a guide portion for guiding the movement of the bubble injection tube while covering a part of the connection portion. To do.

本発明１７は、前記発明１６において、前記シリンダは、空圧及び油圧のうち少なくともいずれか一つの方式によって駆動される、基板エッチング装置を提供する。
本発明１８は、前記発明１２において、それぞれの前記ガラス基板の間に介在して前記ガラス基板に気泡を噴射する気泡噴射器をさらに含む、基板エッチング装置を提供する。
本発明１９は、以下の段階を含む基板エッチング方法を提供する。
・互いに平行に配置された複数のガラス基板をエッチング容器の底に垂直に配置する段階と、
・前記ガラス基板を挟んで２つの気泡噴射管を配置する段階と、
・前記気泡噴射管を前記ガラス基板の配置方向と交差する方向に移動させながら前記ガラス基板に気泡を噴射して不純物を除去する段階。 A seventeenth aspect of the present invention provides the substrate etching apparatus according to the sixteenth aspect, wherein the cylinder is driven by at least one of air pressure and hydraulic pressure.
The present invention 18 provides the substrate etching apparatus according to the twelfth aspect of the present invention, further comprising a bubble injector interposed between the glass substrates to inject bubbles onto the glass substrate.
The present invention 19 provides a substrate etching method including the following steps.
Arranging a plurality of glass substrates arranged parallel to each other perpendicular to the bottom of the etching vessel;
-Placing two bubble jet tubes across the glass substrate;
A step of removing impurities by ejecting air bubbles onto the glass substrate while moving the air bubble ejecting tube in a direction crossing the direction of arrangement of the glass substrate;

本発明２０は、前記発明１９において、前記気泡噴射管は、同一の速度で移動する基板エッチング方法を提供する。 The present invention 20 provides the substrate etching method according to the nineteenth aspect, wherein the bubble jet tube moves at the same speed.

このような基板エッチング装置及びそれを用いた基板エッチング方法によると、気泡噴射器をそれぞれのガラス基板の間に介在するように配置してガラス基板に気泡を均一に噴射することで、ガラス基板がエッチングされながら生成される不純物がガラス基板に再度付着することを防止し、既に付着している不純物を除去することができる。よって、ガラス基板を均一にエッチングすることができる。 According to such a substrate etching apparatus and a substrate etching method using the substrate etching apparatus, the bubble injector is arranged so as to be interposed between the respective glass substrates, and the bubbles are uniformly jetted onto the glass substrate. Impurities generated while being etched can be prevented from adhering to the glass substrate again, and impurities already adhering can be removed. Therefore, the glass substrate can be etched uniformly.

以下、添付図面を参照して、本発明の好ましい実施形態をより詳細に説明する。
図１は、本発明の第１実施例による基板エッチング装置を概略的に示した正面図である。図２は、図１に示されたガラス基板、気泡噴射器及び固定板を分解した斜視図である。
図１及び図２を参照すると、本発明の第１実施例による基板エッチング装置１００は、エッチング容器１１０、気泡噴射器１２０及びガス供給部１５０を含む。 Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 is a front view schematically showing a substrate etching apparatus according to a first embodiment of the present invention. FIG. 2 is an exploded perspective view of the glass substrate, the bubble injector, and the fixing plate shown in FIG.
Referring to FIGS. 1 and 2, the substrate etching apparatus 100 according to the first embodiment of the present invention includes an etching container 110, a bubble injector 120, and a gas supply unit 150.

エッチング容器１１０は、底１１２及び底１１２の端部位から垂直に延長された側壁１１４を含み、内部にエッチング液１０が満たされる。エッチング液１０は、一例としてフッ酸ＨＦを含む。エッチング液１０は、蒸留水ＤＩに一定比率のフッ酸を添加して製造される。
フッ酸は、一般的に、弱酸性物質として分類され、特に、ガラスや石英を腐食させる特徴を有する。即ち、エッチング容器１１０は、フッ酸から腐食されることを防止するために樹脂材質からなる。 The etching container 110 includes a bottom 112 and a side wall 114 extending vertically from an end portion of the bottom 112, and the etching liquid 10 is filled therein. The etchant 10 contains hydrofluoric acid HF as an example. The etching solution 10 is manufactured by adding a certain ratio of hydrofluoric acid to distilled water DI.
Hydrofluoric acid is generally classified as a weakly acidic substance, and particularly has a feature of corroding glass or quartz. That is, the etching container 110 is made of a resin material to prevent it from being corroded by hydrofluoric acid.

フッ酸は、人体の皮膚と粘膜を激しく侵害するので、取り扱いの際に外部に露出されることを防止するため、基板エッチング装置１００は、エッチング容器１１０を収納する外部容器（図示せず）をさらに含むことができる。
エッチング容器１１０の底１１２には、底１１２と垂直するように複数のガラス基板２００が互いに平行に配置される。ここで、ガラス基板２００は、一例として液晶表示装置で画像を表示する液晶表示パネルの必須構成要素であるＴＦＴ基板とカラーフィルタ基板であることができ、ＴＦＴ基板、カラーフィルタ基板及びＴＦＴ基板とカラーフィルタ基板との間に介在された液晶層で構成された液晶表示パネルであることもできる。ＴＦＴ基板とカラーフィルタ基板は、液晶表示装置の全体重量において最も大きい比重を占めるので、本発明の基板エッチング装置１００を用いて厚さを減少させると、液晶表示装置の全体重量を著しく減少させることができる。 Since hydrofluoric acid violates the human skin and mucous membranes, the substrate etching apparatus 100 has an external container (not shown) for storing the etching container 110 in order to prevent exposure to the outside during handling. Further can be included.
A plurality of glass substrates 200 are arranged in parallel to each other at the bottom 112 of the etching container 110 so as to be perpendicular to the bottom 112. Here, as an example, the glass substrate 200 can be a TFT substrate and a color filter substrate that are essential components of a liquid crystal display panel that displays an image on a liquid crystal display device. The TFT substrate, the color filter substrate, the TFT substrate, and the color It can also be a liquid crystal display panel composed of a liquid crystal layer interposed between the filter substrate and the filter substrate. Since the TFT substrate and the color filter substrate occupy the largest specific gravity in the total weight of the liquid crystal display device, if the thickness is reduced by using the substrate etching apparatus 100 of the present invention, the total weight of the liquid crystal display device is remarkably reduced. Can do.

基板エッチング装置１００は、ガラス基板２００を固定するための固定板１４０をさらに含む。固定板１４０は、エッチング容器１１０の底１１２とガラス基板２００との間に配置される。また、固定板１４０は、エッチング液１０に含まれたフッ酸からの腐食を防止するためにエッチング容器１１０と同一の材質からなる。
固定板１４０には、ガラス基板２００を固定するために固定板１４０と接するガラス基板２００の両端部に対応して固定クリップ１４２が形成される。固定クリップ１４２は、ガラス基板２００の厚さと同一であるか所定の差異で大きく形成された固定溝１４３を有する。即ち、ガラス基板２００は、両端部が固定溝１４３に挿入されることで固定される。固定クリップ１４２は、固定板１４０に一体型に形成されるか、別途に製作されて固定板１４０に付着される。 The substrate etching apparatus 100 further includes a fixing plate 140 for fixing the glass substrate 200. The fixing plate 140 is disposed between the bottom 112 of the etching container 110 and the glass substrate 200. The fixing plate 140 is made of the same material as the etching container 110 in order to prevent corrosion from hydrofluoric acid contained in the etching solution 10.
Fixing clips 142 are formed on the fixing plate 140 so as to correspond to both ends of the glass substrate 200 in contact with the fixing plate 140 in order to fix the glass substrate 200. The fixing clip 142 has a fixing groove 143 that is the same as the thickness of the glass substrate 200 or is formed with a predetermined difference. That is, the glass substrate 200 is fixed by inserting both end portions into the fixing groove 143. The fixing clip 142 is formed integrally with the fixing plate 140 or is separately manufactured and attached to the fixing plate 140.

前記のように、エッチング容器１１０内にエッチング液を満たし、ここにガラス基板２００を配置させることで、ガラス基板２００はエッチングされる。ガラス基板２００は、フッ酸の濃度及びエッチング液１０に配置される時間に影響を受けながらエッチングされる。それにより、ガラス基板２００のエッチング程度は使用者の目的によってフッ酸の濃度及びエッチング液１０に配置される時間を制御することで、任意に調節することができる。 As described above, the glass substrate 200 is etched by filling the etching container 110 with the etching solution and disposing the glass substrate 200 therein. The glass substrate 200 is etched while being affected by the concentration of hydrofluoric acid and the time for which the glass substrate 200 is placed in the etching solution 10. Thereby, the etching degree of the glass substrate 200 can be arbitrarily adjusted by controlling the concentration of hydrofluoric acid and the time of being placed in the etching solution 10 according to the purpose of the user.

ガラス基板２００がエッチングされる際、自然に不純物が生成される。このような不純物は、従来技術で言及したようにガラス基板２００に再度付着されガラス基板２００が凸凹状にエッチングされる原因となる。
万一、ガラス基板２００が前記で言及した液晶表示パネルのＴＦＴ基板またはカラーフィルタ基板であると、不純物によって表面が凸凹状になって表示品質が低下される致命的な問題点が誘発される。従って、このような不純物がガラス基板２００に再度付着することを防止するために、基板エッチング装置１００は別途の気泡噴射器１２０を必要とする。 When the glass substrate 200 is etched, impurities are naturally generated. Such impurities are attached again to the glass substrate 200 as mentioned in the prior art, and cause the glass substrate 200 to be etched unevenly.
If the glass substrate 200 is a TFT substrate or a color filter substrate of the liquid crystal display panel mentioned above, a fatal problem that the display quality is deteriorated due to the uneven surface due to impurities is induced. Therefore, in order to prevent such impurities from re-adhering to the glass substrate 200, the substrate etching apparatus 100 requires a separate bubble injector 120.

気泡噴射器１２０は、それぞれのガラス基板２００の間に介在されてガラス基板２００に気泡２０を噴射する。即ち、気泡噴射器１２０は気泡を噴射して不純物が基板に再度付着してしまうことを防止し、複数のガラス基板２００に同時に気泡を噴射して作業時間を短縮させることもできる。
気泡噴射器１２０は、固定板１４０に配置される。ここで、固定板１４０は、気泡噴射器１２０と接する面に気泡噴射器１２０とガス供給器１５０とを連結する複数の第１ガス印加ホール１４４を含む。 The bubble injector 120 is interposed between the glass substrates 200 and injects the bubbles 20 onto the glass substrate 200. That is, the bubble ejector 120 can eject bubbles and prevent impurities from re-adhering to the substrate, and can simultaneously eject bubbles on the plurality of glass substrates 200 to shorten the working time.
The bubble injector 120 is disposed on the fixed plate 140. Here, the fixing plate 140 includes a plurality of first gas application holes 144 that connect the bubble injector 120 and the gas supply device 150 to a surface in contact with the bubble injector 120.

ここで、固定板１４０は、ガラス基板２００が配置された部分と気泡噴射器１２０が配置された部分とを別々に製作して組立することができる。これにより、ガラス基板２００の個数が変更されても、その変更に合わせて気泡噴射器１２０を結合させることができ、変更された個数のガラス基板２００を処理することができる。
これとは異なり、気泡噴射器１２０は固定板１４０と別途に配置され、直接的にエアホースを介してガス供給器１５０に連結されることができる。この場合には、固定板１４０が気泡噴射器１２０とは別にガラス基板２００に伴って移動することができ、ガラス基板２００のサイズの変化によって柔軟に対応することができる。具体的に、ガラス基板２００のサイズが気泡噴射器１２０より大きい場合、ガラス基板２００が固定された固定板１４０を上下左右で移動させ気泡２０がガラス基板２００に均一に噴射できるようにする。 Here, the fixing plate 140 can be manufactured and assembled separately from a portion where the glass substrate 200 is disposed and a portion where the bubble injector 120 is disposed. Thereby, even if the number of the glass substrates 200 is changed, the bubble injectors 120 can be combined in accordance with the change, and the changed number of glass substrates 200 can be processed.
In contrast, the bubble injector 120 is disposed separately from the fixing plate 140 and can be directly connected to the gas supply device 150 via an air hose. In this case, the fixed plate 140 can be moved along with the glass substrate 200 separately from the bubble injector 120, and can be flexibly dealt with by a change in the size of the glass substrate 200. Specifically, when the size of the glass substrate 200 is larger than the bubble injector 120, the fixing plate 140 to which the glass substrate 200 is fixed is moved vertically and horizontally so that the bubbles 20 can be uniformly injected onto the glass substrate 200.

気泡噴射器１２０は、フッ酸からの腐食を防止するためにエッチング容器１１０と同一の材質からなる。特に、気泡噴射器１２０はポリ塩化ビニルＰＣＶからなる。
ガス供給器１５０は、エッチング容器１１０の外部に配置され気泡噴射器１２０にガス３０を供給する。ガス供給器１５０にはガス３０が圧縮されており、一定水準のガス圧が形成される。即ち、ガス供給器１５０は、前記のガス圧を用いてガス３０を固定板１４０に供給して、結果的に、気泡噴射器１２０に供給する。 The bubble injector 120 is made of the same material as the etching container 110 in order to prevent corrosion from hydrofluoric acid. In particular, the bubble injector 120 is made of polyvinyl chloride PCV.
The gas supply unit 150 is disposed outside the etching container 110 and supplies the gas 30 to the bubble injector 120. The gas 30 is compressed in the gas supplier 150, and a certain level of gas pressure is formed. That is, the gas supply unit 150 supplies the gas 30 to the fixed plate 140 using the gas pressure, and as a result, supplies it to the bubble injector 120.

ガス供給器１５０は、ガス３０を適定水準のガス圧で固定板１４０に供給するためにレギュレータ（図示せず）を含む。レギュレータはガス圧を肉眼で確認することができるゲージが含まれ、ガス圧を定量的に調節することができる。
従って、ガス供給器１５０は、適定水準のガス圧でガス３０を固定板１４０と第１ガス印加ホール１４４を通じて気泡噴射器１２０に供給することで、気泡噴射器１２０で気泡２０を噴射できるようにする。ここで、ガス３０は、窒素Ｎ_２ガスであるか、大気中の空気であることができる。 The gas supply unit 150 includes a regulator (not shown) for supplying the gas 30 to the fixed plate 140 at a gas pressure of a predetermined level. The regulator includes a gauge that allows the gas pressure to be checked with the naked eye, and can adjust the gas pressure quantitatively.
Therefore, the gas supply device 150 can inject the bubbles 20 with the bubble injector 120 by supplying the gas 30 to the bubble injector 120 through the fixed plate 140 and the first gas application hole 144 with a gas pressure of a predetermined level. To. Here, the gas 30 may be nitrogen N ₂ gas or air in the atmosphere.

また、基板エッチング装置１００は、エッチング液１０を浄化及び再供給するためにフィルタ１６０、貯蔵タンク１７０及びパンプ１８０をさらに含む。
前記の構成要素によってエッチング液１０が浄化及び再供給される過程を簡単に説明する。まず、エッチング容器１１０において不純物が含まれたエッチング液１０は、フィルタ１６０で不純物が分離され貯蔵タンク１７０に供給される。以後、貯蔵タンク１７０に貯蔵されたエッチング液１０は、パンプ１８０の作動に起因してエッチング容器１１０に再供給される。この際、パンプ１８０は使用者又はエッチング容器１１０に配置され得る水位調節センサーによって作動されることができる。また、エッチング液１０は、貯蔵タンク１７０で蒸留水及びフッ酸の混合比率を適定水準に調節するために、蒸留水またはフッ酸をさらに添加することもできる。 In addition, the substrate etching apparatus 100 further includes a filter 160, a storage tank 170, and a pump 180 for purifying and re-supplying the etching solution 10.
A process in which the etching solution 10 is purified and supplied again by the above-described components will be briefly described. First, the etching solution 10 containing impurities in the etching container 110 is separated by the filter 160 and supplied to the storage tank 170. Thereafter, the etching solution 10 stored in the storage tank 170 is supplied again to the etching container 110 due to the operation of the pump 180. In this case, the pump 180 may be activated by a user or a water level adjustment sensor that may be disposed in the etching vessel 110. Etching solution 10 may further contain distilled water or hydrofluoric acid in order to adjust the mixing ratio of distilled water and hydrofluoric acid to a predetermined level in storage tank 170.

図３は、図２に示された気泡噴射器の一実施例を示した斜視図である。図４は、図３に示された気泡噴射器の平面図である。
図１乃至図４を参照すると、気泡噴射器１２０は、噴射板１２２及び噴射板１２２においてガラス基板２００と向き合う面に形成された複数の噴射ノズル１２４を含む。
噴射板１２２は四角板形状を有する。噴射板１２２は、内部にガス通路部１２６が形成される。また、噴射板１２２は、固定板１４０と接する噴射板１２２の一側面に形成されガス通路部１２６と第１ガス印加ホール１４４とを連結する第２ガス印加ホール１２８をさらに含む。 FIG. 3 is a perspective view showing an embodiment of the bubble injector shown in FIG. 4 is a plan view of the bubble injector shown in FIG.
1 to 4, the bubble injector 120 includes an injection plate 122 and a plurality of injection nozzles 124 formed on the surface of the injection plate 122 facing the glass substrate 200.
The ejection plate 122 has a square plate shape. The injection plate 122 has a gas passage 126 formed therein. In addition, the injection plate 122 further includes a second gas application hole 128 that is formed on one side surface of the injection plate 122 that is in contact with the fixed plate 140 and connects the gas passage portion 126 and the first gas application hole 144.

噴射ノズル１２４は、ガス通路部１２６と連結される。噴射ノズル１２４は、ガラス基板２００に均一に気泡２０を噴射させるために、噴射板１２２に一定の格子構造に形成される。これにより、ガス通路部１２６も第２ガス印加ホール１２８から一直線で形成される。
このようなガス通路部１２６は、一例として、噴射板１２２の第２ガス印加ホール１２８からの掘削作業によって形成されることができる。しかし、掘削作業では、穴の幅に対する深さの比率として定義されるアスペクト比（ａｓｐｅｃｔｒａｔｉｏ）が重要な要素であるので、噴射板１２２の幅が過度に小さいか、深さが過度に深くて加工の可能なアスペクト比を超える場合、ガス通路部１２６を掘削作業によって形成することは不可能である。この場合、ガス通路部１２６は噴射板１２２を平面方向に２つ以上に分離して穴を加工するか、アスペクト比の優れた特殊可能器や精密加工器を使用することができる。 The injection nozzle 124 is connected to the gas passage portion 126. The spray nozzle 124 is formed in a fixed lattice structure on the spray plate 122 in order to spray the bubbles 20 uniformly on the glass substrate 200. Thereby, the gas passage part 126 is also formed in a straight line from the second gas application hole 128.
As an example, such a gas passage portion 126 can be formed by excavation work from the second gas application hole 128 of the injection plate 122. However, since the aspect ratio defined as the ratio of the depth to the hole width is an important factor in excavation operations, the width of the injection plate 122 is excessively small or the depth is excessively deep. When the aspect ratio that can be processed is exceeded, it is impossible to form the gas passage 126 by excavation work. In this case, the gas passage 126 can be divided into two or more injection plates 122 in the plane direction to process holes, or a special capable device or precision processing device having an excellent aspect ratio can be used.

これとは異なり、ガス通路部１２６は、各噴射ノズル１２４にガス３０を供給する際、多様な構造を有することができる。また、噴射ノズル１２４が隣接した他の噴射ノズル１２４と同一の距離を有する場合、噴射ノズル１２４は格子構造以外の他の構造に形成されることができる。
噴射ノズル１２４は、一般的に、噴射角を任意で調節するタイプか、既に噴射角が設定されたタイプの２種類に分けられる。これらのうち、本発明の噴射ノズル１２４としては、ガラス基板２００に気泡２０を均一に噴射するために既に噴射角が設定されていることが望ましい。しかし、噴射板１２２の位置によって噴射角の調節が必要であると判断される場合には、噴射角の調節が可能な噴射ノズル１２４を使用することもできる。 In contrast, the gas passage portion 126 may have various structures when the gas 30 is supplied to each injection nozzle 124. Further, when the injection nozzle 124 has the same distance as the other adjacent injection nozzles 124, the injection nozzle 124 can be formed in a structure other than the lattice structure.
The injection nozzles 124 are generally classified into two types, a type in which the injection angle is arbitrarily adjusted, and a type in which the injection angle is already set. Among these, as the injection nozzle 124 of the present invention, it is desirable that an injection angle is already set in order to uniformly inject the bubbles 20 onto the glass substrate 200. However, when it is determined that the adjustment of the injection angle is necessary depending on the position of the injection plate 122, the injection nozzle 124 capable of adjusting the injection angle can be used.

このように、気泡噴射器１２０の噴射板１２２においてガラス基板２００と向き合う面にそれぞれ一定の間隔を有する格子構造に噴射ノズル１２４が形成されることで、ガラス基板２００の位置によって均一に気泡２０を噴射させることができる。従って、不純物がガラス基板２００に再度付着することを防止し、既に付着している不純物は除去することで、ガラス基板２００のエッチングを均一にすることができる。 As described above, the injection nozzles 124 are formed in a lattice structure having a predetermined interval on the surface of the injection plate 122 of the bubble injector 120 facing the glass substrate 200, so that the bubbles 20 are uniformly distributed depending on the position of the glass substrate 200. Can be injected. Therefore, it is possible to make the etching of the glass substrate 200 uniform by preventing the impurities from adhering to the glass substrate 200 again and removing the already adhering impurities.

図５は、図２に示された気泡噴射器の他の実施例を示した斜視図である。図６は、図５に示された気泡噴射器の平面図である。
本実施例の気泡噴射器は、図１の気泡噴射器１２０と同一の位置に配置されるが、その構造及び形状が異なるので、気泡噴射器１３０とする。
図１、図５及び図６を参照すると、気泡噴射器１３０は、フレーム１３２、フレーム１３２の内部に配置された第１チューブ１３４、第１チューブ１３４と垂直に連結された第２チューブ１３８を含む。 FIG. 5 is a perspective view showing another embodiment of the bubble injector shown in FIG. 6 is a plan view of the bubble injector shown in FIG.
The bubble injector of the present embodiment is disposed at the same position as the bubble injector 120 of FIG. 1, but the structure and shape thereof are different, so that the bubble injector 130 is used.
Referring to FIGS. 1, 5, and 6, the bubble injector 130 includes a frame 132, a first tube 134 disposed inside the frame 132, and a second tube 138 that is vertically connected to the first tube 134. .

フレーム１３２は、中央に開口部１３３が形成される。フレーム１３２は四角形状を有する。フレーム１３２は、一対の四角棒が互いに平行に配置された形状を有することができる。
第１チューブ１３４は、ガス供給器１５０と連結される。第１チューブ１３４は、ガラス基板２００と平行に配置される。第１チューブ１３４は、少なくとも一つの端部が外部に露出され、露出された端部はガス供給器１５０からガス３０が印加される第２ガス印加ホール１３５になる。第２ガス印加ホール１３５に印加されたガス３０は、再度第２チューブ１３８に印加される。 The frame 132 has an opening 133 at the center. The frame 132 has a quadrangular shape. The frame 132 may have a shape in which a pair of square bars are arranged in parallel to each other.
The first tube 134 is connected to the gas supplier 150. The first tube 134 is disposed in parallel with the glass substrate 200. At least one end of the first tube 134 is exposed to the outside, and the exposed end becomes a second gas application hole 135 to which the gas 30 is applied from the gas supply unit 150. The gas 30 applied to the second gas application hole 135 is applied to the second tube 138 again.

反対に、第１チューブ１３４の露出されていない端部には、ガス３０が漏洩されないように蓋１３６が結合される。この際、蓋１３６の周囲をシーリングできるようにシリコンを塗布することが望ましい。
第２チューブ１３８は、第１チューブ１３４と垂直に一定の間隔で連結される。また、第２チューブ１３８は、ガラス基板２００に気泡２０を噴射するためにフレーム１３２の開口部１３３を縦断する。第２チューブ１３８は、ガラス基板２００と向き合う面に対応して形成された複数の噴射口１３９を含む。 Conversely, a lid 136 is coupled to the unexposed end of the first tube 134 so that the gas 30 does not leak. At this time, it is desirable to apply silicon so that the periphery of the lid 136 can be sealed.
The second tube 138 is connected to the first tube 134 perpendicularly at regular intervals. Further, the second tube 138 cuts through the opening 133 of the frame 132 in order to inject the bubbles 20 onto the glass substrate 200. The second tube 138 includes a plurality of injection ports 139 formed corresponding to the surface facing the glass substrate 200.

一例として、２つの第１チューブ１３４を第２チューブ１３８の両端部分に配置して、第２チューブ１３８は、その両端部分において２つの第１チューブ１３４に垂直に連結される。ここで、２つの第１チューブ１３４は、互いに反対方向の端部が露出されて第２ガス印加ホール１３５が形成される。
ここで、第１チューブ１３４が２つ配置される理由は、ガス供給器１５０から印加されたガス圧が第１チューブ１３４と第２チューブ１３８を経て顕著に低下され、それにより、噴射口１３８の位置によってガス圧の差異が生じることがあるからである。即ち、気泡２０がガラス基板２００に均一に噴射されなく、結果的に、ガラス基板２００のエッチングが不均一になることがある。しかし、ガラス基板２００のサイズが小さい場合には、噴射口１３９においてのガス圧の差異がそれほど大きくないので、第１チューブ１３４をフレーム１３２の一側部のみに配置させてもよい。 As an example, two first tubes 134 are disposed at both ends of the second tube 138, and the second tubes 138 are vertically connected to the two first tubes 134 at both ends. Here, the ends of the two first tubes 134 in the opposite directions are exposed to form a second gas application hole 135.
Here, the reason why the two first tubes 134 are arranged is that the gas pressure applied from the gas supply device 150 is remarkably reduced through the first tube 134 and the second tube 138, thereby This is because a difference in gas pressure may occur depending on the position. That is, the bubbles 20 are not uniformly ejected onto the glass substrate 200, and as a result, the etching of the glass substrate 200 may be non-uniform. However, when the size of the glass substrate 200 is small, the difference in gas pressure at the injection port 139 is not so large, so the first tube 134 may be disposed only on one side of the frame 132.

噴射口１３９は、各第２チューブ１３８に一定の間隔で形成される。また、噴射口１３９は、その大きさによって噴射圧及び気泡２０の大きさが決定される。即ち、噴射口１３９は、ガラス基板２００の大きさ、厚さ及びエッチング程度によって多様な大きさを有することができる。
このように気泡噴射器１３０は、噴射口１３９を第２チューブ１３８に一定の間隔で形成することで、気泡２０がガラス基板２００に均一に噴射されるようにすることができる。また、気泡噴射器１３０は、図２及び図３の気泡噴射器１２０と異なり、ガス３０が移動する経路である第１チューブ１３４と第２チューブ１３８が容易に分離されることで、気泡噴射器１３０の不良の際、整備が容易で、補修費用も節減することができるという長所がある。 The injection ports 139 are formed in the second tubes 138 at regular intervals. Further, the injection port 139 determines the injection pressure and the size of the bubbles 20 according to the size thereof. That is, the injection port 139 may have various sizes depending on the size, thickness, and etching degree of the glass substrate 200.
As described above, the bubble injector 130 can uniformly inject the bubbles 20 onto the glass substrate 200 by forming the injection ports 139 in the second tube 138 at regular intervals. Further, unlike the bubble injector 120 of FIGS. 2 and 3, the bubble injector 130 is easily separated from the first tube 134 and the second tube 138, which are paths through which the gas 30 moves. In the case of 130 defects, there are advantages that maintenance is easy and repair costs can be reduced.

図７は、本発明の第１実施例による基板エッチング装置を用いてガラス基板をエッチングする過程を示した順序図である。
図１乃至図７を参照すると、本発明の第１実施例による基板エッチング装置１００を用いたエッチングは、まず、エッチングしようとする複数のガラス基板２００をエッチング液１０が満たされたエッチング容器１１０に配置する（Ｓ１）。この際、ガラス基板２００は互いに平行に配置される。また、ガラス基板２００は、エッチング容器１１０の底１１２と垂直に配置される。 FIG. 7 is a flowchart illustrating a process of etching a glass substrate using the substrate etching apparatus according to the first embodiment of the present invention.
Referring to FIGS. 1 to 7, in the etching using the substrate etching apparatus 100 according to the first embodiment of the present invention, first, a plurality of glass substrates 200 to be etched are placed in an etching container 110 filled with an etching solution 10. Arrange (S1). At this time, the glass substrates 200 are arranged in parallel to each other. Further, the glass substrate 200 is disposed perpendicular to the bottom 112 of the etching container 110.

次に、それぞれのガラス基板２００の間に介在されるように気泡噴射器１２０、１３０を配置する（Ｓ２）。
そして、前記エッチング容器１１０外部に配置されたガス供給器１５０で気泡噴射器１２０、１３０にガスを供給する（Ｓ３）。
最後に、前記気泡噴射器１２０、１３０がガラス基板２００に気泡２０を噴射して不純物を除去する（Ｓ４）。 Next, the bubble injectors 120 and 130 are disposed so as to be interposed between the glass substrates 200 (S2).
Then, gas is supplied to the bubble injectors 120 and 130 by the gas supplier 150 disposed outside the etching container 110 (S3).
Finally, the bubble injectors 120 and 130 inject bubbles 20 onto the glass substrate 200 to remove impurities (S4).

ここで、気泡噴射器が図３及び図４で説明した一実施例であって気泡噴射器１２０である場合は、気泡噴射器１２０は、内部にガス供給器１５０と連結されたガス通路部１２６を有する噴射板１２２においてガラス基板２００と向き合う面に形成された複数の噴射ノズル１２４を通じて気泡２０を噴射する。
これとは異なり、気泡噴射器が図５及び図６で説明した他の実施例であって気泡噴射器１３０である場合は、気泡噴射器１３０はガス供給器１５０と連結された第１チューブ１３４と垂直に連結された複数の第２チューブ１３８においてガラス基板２００と向き合う面に対応して形成された複数の噴射口１３９を通じて気泡２０を噴射する。 Here, when the bubble injector is the bubble injector 120 according to the embodiment described with reference to FIGS. 3 and 4, the bubble injector 120 is connected to the gas supply unit 150. The bubbles 20 are ejected through a plurality of ejection nozzles 124 formed on the surface of the ejection plate 122 having a surface facing the glass substrate 200.
In contrast, when the bubble injector is the bubble injector 130 according to another embodiment described with reference to FIGS. 5 and 6, the bubble injector 130 is connected to the gas supply unit 150. The bubbles 20 are ejected through a plurality of ejection ports 139 formed corresponding to surfaces facing the glass substrate 200 in the plurality of second tubes 138 that are vertically connected to each other.

図８は、本発明の第２実施例による基板エッチング装置を概略的に示した正面図である。図９は、図８に示された気泡噴射器とガラス基板の斜視図である。図１０は、図９の気泡噴射管の噴射口を具体的に示した側面図である。
本実施例において、基板エッチング装置はガラス基板に気泡を噴射する構造を除いては、図１〜図６に説明した構造と同一であるので、同一の符号を使用し、その重複される詳細な説明は省略する。 FIG. 8 is a front view schematically showing a substrate etching apparatus according to a second embodiment of the present invention. FIG. 9 is a perspective view of the bubble injector and the glass substrate shown in FIG. FIG. 10 is a side view specifically showing the injection port of the bubble injection tube of FIG.
In the present embodiment, the substrate etching apparatus is the same as the structure described in FIGS. 1 to 6 except for the structure for injecting bubbles onto the glass substrate. Description is omitted.

図８乃至図１０を参照すると、本発明の第２実施例による基板エッチング装置３００は、底３１２に垂直であって互いに平行に配置された複数のガラス基板４００を収容するエッチング容器３１０、ガラス基板４００の配置方向とその長手方向が一致するように長く形成された気泡噴射管３２０及びエッチング容器３１０の外部に配置され気泡噴射管３２０にガス３０を供給するガス供給器１５０を含む。ここで、エッチング容器３１０には、ガラス基板４００をエッチングするためのエッチング液１０が満たされる。 8 to 10, a substrate etching apparatus 300 according to a second embodiment of the present invention includes an etching container 310 that accommodates a plurality of glass substrates 400 that are perpendicular to the bottom 312 and arranged in parallel with each other, and a glass substrate. A bubble jet tube 320 formed long so that the arrangement direction of 400 coincides with the longitudinal direction thereof, and a gas supply unit 150 that is arranged outside the etching container 310 and supplies the gas 30 to the bubble jet tube 320 are included. Here, the etching container 310 is filled with an etching solution 10 for etching the glass substrate 400.

気泡噴射管３２０は、ガラス基板４００の一側面に配置方向に沿ってその長手方向が一致するように配置され、ガラス基板４００に気泡２０を噴射する。これとは異なり、気泡噴射管３２０は本実施例のように、ガラス基板４００を挟んで一対をなして配置されることができる。気泡噴射器３２０は、その断面が円形チューブ形状であってもよく、また四角形状を有するチューブ形状であってもよい。気泡噴射管３２０は、互いに平行に配置されたガラス基板４００の間に向かって気泡２０を噴射する。 The bubble injection tube 320 is arranged on one side surface of the glass substrate 400 so that the longitudinal direction thereof coincides with the arrangement direction, and injects the bubbles 20 onto the glass substrate 400. In contrast to this, the bubble jet tubes 320 may be arranged in a pair with the glass substrate 400 interposed therebetween as in the present embodiment. The bubble injector 320 may have a circular tube shape in cross section or a tube shape having a square shape. The bubble injection tube 320 injects the bubbles 20 between the glass substrates 400 arranged in parallel to each other.

この様に、気泡噴射管３２０は、気泡２０をガラス基板４００の表面と平行な方向に噴射させることで、表面に不純物が再度付着することを防止し、すでに付着された不純物を掻いて除去する。また、気泡噴射管３２０は、エッチング液１０に含まれたフッ酸からの腐食を防止するためにポリ塩化ビニルからなる。
気泡噴射管３２０は、複数の噴射口３３４を含む。噴射口３３４は、気泡噴射管３２０に一定の間隔で形成される。このような噴射口３３４の代わりに、気泡噴射管３２０は噴射角を有している複数の噴射ノズルを含むこともできる。 In this manner, the bubble jet tube 320 ejects the bubbles 20 in a direction parallel to the surface of the glass substrate 400 to prevent the impurities from adhering to the surface again, and scrapes and removes the impurities already attached. . The bubble injection tube 320 is made of polyvinyl chloride in order to prevent corrosion from hydrofluoric acid contained in the etching solution 10.
The bubble injection tube 320 includes a plurality of injection ports 334. The injection ports 334 are formed in the bubble injection tube 320 at regular intervals. Instead of the injection port 334, the bubble injection tube 320 may include a plurality of injection nozzles having an injection angle.

気泡噴射管３２０には、ガス供給器１５０からガス３０の供給を受けるためにガス印加ライン３３２が連結される。ガス印加ライン３３２は、ガス供給器１５０から印加されたガス供給ライン１５２と別途のクランプ３３０によって結合される。これは、気泡噴射管３２０とガス供給器１５０とを互いに分離できるようにして、後で発生され得るガス３０の供給不良問題を容易に解決するためである。ここで、クランプ３３０は、一般的に、リング形状を有するものを使用するが、作業の便宜性のために掛け金形状（ｌａｔｃｈｓｈａｐｅ）のクランプ３３０を使用することもできる。 A gas application line 332 is connected to the bubble injection tube 320 in order to receive the supply of the gas 30 from the gas supplier 150. The gas application line 332 is coupled to the gas supply line 152 applied from the gas supplier 150 by a separate clamp 330. This is because the bubble jet tube 320 and the gas supply device 150 can be separated from each other, and the problem of poor supply of the gas 30 that can be generated later is easily solved. Here, the clamp 330 generally has a ring shape, but a latch shape clamp 330 may be used for convenience of work.

これとは異なり、ガス印加ライン３３２とガス供給ライン１５２は、クイックカップリングの推・雌結合方式によってワンタッチで結合されることもできる。この際、クイックカップリングは、クランプ３３０方式に比べてガス圧が非常に高い場合、分離されることがあるので、クイックカップリングを適用の際には必ず、ガス供給器１５０に別の安全装置を設置しなければならない。例えば、ガス供給器１５０には、一定水準以上のガス圧が形成されると自動的に内部のガスを放出する安全弁が設置されることができる。 In contrast, the gas application line 332 and the gas supply line 152 may be coupled with one touch by a quick coupling thrust / female coupling method. At this time, the quick coupling may be separated when the gas pressure is very high as compared with the clamp 330 system. Therefore, when applying the quick coupling, the gas supply device 150 is always provided with another safety device. Must be installed. For example, the gas supply unit 150 may be provided with a safety valve that automatically discharges internal gas when a gas pressure higher than a certain level is formed.

また、基板エッチング装置３００は、気泡噴射管３２０をガラス基板４００の側面に沿って移動させる移動装置３４０をさらに含む。ここで、ガラス基板４００の側面に沿って移動する方向を第１方向４０に定義する。
移動装置３４０は、エッチング容器３１０の外側面に配置されたシリンダ３４２、シリンダ３４２によって第１方向４０に沿って移動するシリンダロッド３４４、シリンダロッド３４４と気泡噴射管３２０とを連結させる連結部３４６、及び連結部３４６の一部をカバーしながら気泡噴射管３２０が第１方向４０に沿って移動することをガイドするガイド部３４８を含む。 The substrate etching apparatus 300 further includes a moving device 340 that moves the bubble jet tube 320 along the side surface of the glass substrate 400. Here, the direction of movement along the side surface of the glass substrate 400 is defined as the first direction 40.
The moving device 340 includes a cylinder 342 disposed on the outer surface of the etching container 310, a cylinder rod 344 that moves along the first direction 40 by the cylinder 342, a connecting portion 346 that connects the cylinder rod 344 and the bubble jet tube 320, And a guide part 348 for guiding the bubble injection tube 320 to move along the first direction 40 while covering a part of the connecting part 346.

シリンダ３４２は、ピストン運動によって直線運動を誘導する。シリンダ３４２は、一般的に、油圧方式と空圧方式のどちらも使用することができるが、本発明のようにシリンダ３４２が第１方向４０に沿って低い速度で移動する場合には、空圧方式を使用することが望ましい。このようなシリンダ３４２の油圧または空圧を形成するためのオイルまたはエアの印加方向は、使用者によってプログラム化された別途の印刷回路基板によって制御できる。また、移動装置３４０は、シリンダ３４２に供給されるオイル量またはエア量を調節して、結果的に気泡噴射管３２０の速度を制御することができるレギュレータをさらに含むことができる。 The cylinder 342 induces linear motion by piston motion. In general, the cylinder 342 can use either a hydraulic system or a pneumatic system. However, when the cylinder 342 moves at a low speed along the first direction 40 as in the present invention, the pneumatic system is used. It is desirable to use the method. The application direction of oil or air for forming the hydraulic pressure or pneumatic pressure of the cylinder 342 can be controlled by a separate printed circuit board programmed by the user. In addition, the moving device 340 may further include a regulator that can adjust the amount of oil or air supplied to the cylinder 342 and consequently control the speed of the bubble injection tube 320.

一方、本実施例においてシリンダ３４２は、エッチング容器３１０の向き合う両側部に対応して２つが配置されるが、実際には、気泡噴射管３２０を移動させるにそれほど大きい力が必要でないので、エッチング容器３１０の一側部のみに配置される。
シリンダロッド３４４は、シリンダ３４２と同時に製作され、シリンダ３４２の直線運動を外部に印加する役割をする。連結部３４６は、一端がシリンダロッド３４４に結合され、他端は気泡噴射管３２０の端部に結合される。この際、連結部３４６は、シリンダロッド３４４及び気泡噴射管３２０とボルト結合されることができる。また、連結部３４６は実質的に、エッチング液１０に浸されるので、フッ酸による腐食を防止するために樹脂材質からなる。ガイド部３４８は、気泡噴射管３２０の直径と同一であるか所定の差異で大きい幅を有するガイド溝（図示せず）を含む。それにより、ガイド部３４８は、気泡噴射菅３２０の直線運動を保持して気泡噴射菅３２０から連結部３４６が分離させ、気泡噴射管３２０がガラス基板４００を破損させるなどの問題点を防止することができる。また、ガイド部３４８は連結部３４６と同様に、エッチング液１０に浸されているので、連結部３４６と同一の材質からなる。 On the other hand, in the present embodiment, two cylinders 342 are arranged corresponding to the opposite side portions of the etching container 310, but in reality, a large force is not required to move the bubble jet tube 320. It is arranged only on one side of 310.
The cylinder rod 344 is manufactured at the same time as the cylinder 342 and serves to apply the linear motion of the cylinder 342 to the outside. One end of the connecting portion 346 is coupled to the cylinder rod 344, and the other end is coupled to the end portion of the bubble jet tube 320. At this time, the connecting portion 346 may be bolted to the cylinder rod 344 and the bubble injection tube 320. Further, since the connecting portion 346 is substantially immersed in the etching solution 10, it is made of a resin material in order to prevent corrosion due to hydrofluoric acid. The guide part 348 includes a guide groove (not shown) having the same width as the diameter of the bubble jet tube 320 or a large width with a predetermined difference. As a result, the guide unit 348 prevents the problems such as maintaining the linear motion of the bubble jet rod 320 and separating the connecting portion 346 from the bubble jet rod 320 and causing the bubble jet tube 320 to break the glass substrate 400. Can do. Further, the guide portion 348 is made of the same material as that of the connecting portion 346 because it is immersed in the etching solution 10 like the connecting portion 346.

従って、気泡噴射管３２０は、ガラス基板４００を挟んで一対をなして配置され、移動装置３４０によって第１方向４０に沿って移動しながら気泡２０をガラス基板４００の位置に沿って均一に噴射することで、不純物がガラス基板４００に再度付着することを防止し、既に付着された不純物を効果的に除去することができる。
また、気泡噴射管３２０が気泡２０を噴射する際、ガラス基板４００を挟んで配置された二つの気泡噴射管３２０が互いに反対方向に往復運動することで、気泡２０がガラス基板４００により均一に噴射されるようにすることができる。 Accordingly, the bubble injection tubes 320 are arranged in a pair with the glass substrate 400 interposed therebetween, and the bubbles 20 are uniformly injected along the position of the glass substrate 400 while moving along the first direction 40 by the moving device 340. As a result, it is possible to prevent the impurities from adhering again to the glass substrate 400 and to effectively remove the impurities already adhering.
Further, when the bubble injection tube 320 injects the bubbles 20, the two bubble injection tubes 320 arranged with the glass substrate 400 sandwiched between them reciprocate in opposite directions, so that the bubbles 20 are uniformly injected by the glass substrate 400. Can be done.

それとは異なり、移動装置３４０は、速度、時間及び回転方向の制御を容易とするサーボモータ（servo motor）を用いて気泡噴射管３２０を第１方向４０に沿って移動させることができる。即ち、移動装置３４０は、サーボモータの回転力を平歯車を通じてラックギアに印加して円運動を直線運動に転換することで、気泡噴射管３２０を移動させることができる。 In contrast, the moving device 340 can move the bubble jet tube 320 along the first direction 40 using a servo motor that facilitates control of speed, time, and rotation direction. That is, the moving device 340 can move the bubble jet tube 320 by applying the rotational force of the servo motor to the rack gear through the spur gear to convert the circular motion into a linear motion.

一方、基板エッチング装置３００は、ガラス基板２００の両側面に対応して配置された本実施例の気泡噴射管３２０の代わりに、図１乃至図６で説明した気泡噴射器１２０、１３０を配置することもできる。
図１１は、本発明の第３実施例による基板エッチング装置を概略的に示した正面図である。 On the other hand, the substrate etching apparatus 300 includes the bubble injectors 120 and 130 described with reference to FIGS. 1 to 6 in place of the bubble injection tube 320 of the present embodiment disposed corresponding to both side surfaces of the glass substrate 200. You can also.
FIG. 11 is a front view schematically showing a substrate etching apparatus according to a third embodiment of the present invention.

本実施例には、図１乃至図６及び図８乃至図１０に示された本発明の第１及び第２実施例を全部適用したもので、同一の参照番号を使用し、その重複される詳細な説明は省略する。
図１１を参照すると、本発明の第３実施例による基板エッチング装置５００は、内部にエッチング液１０が満たされ、底３１２に垂直であって互いに平行に配置された複数のガラス基板２００を収容するエッチング容器３１０、それぞれのガラス基板２００を間に介在して配置された気泡噴射器１２０及びガラス基板２００を挟んで一対をなして配置された気泡噴射管３２０を含む。 In this embodiment, all of the first and second embodiments of the present invention shown in FIGS. 1 to 6 and FIGS. 8 to 10 are applied, and the same reference numerals are used and are duplicated. Detailed description is omitted.
Referring to FIG. 11, a substrate etching apparatus 500 according to a third embodiment of the present invention contains a plurality of glass substrates 200 that are filled with an etching solution 10 and that are perpendicular to a bottom 312 and arranged parallel to each other. It includes an etching container 310, a bubble injector 120 disposed with each glass substrate 200 interposed therebetween, and a bubble injection tube 320 disposed in a pair with the glass substrate 200 interposed therebetween.

従って、気泡噴射器１２０と気泡噴射管３２０は同時にガス供給器１５０からガス３０の供給を受け気泡２０をガラス基板２００により均一に噴射して不純物がガラス基板２００に再度付着することを全面的に遮断し、既に付着した不純物を除去することで、エッチングをより均一にすることができる。
図１２は、本発明の第２実施例による基板エッチング装置を用いてガラス基板をエッチングする過程を示した順序図である。 Accordingly, the bubble injector 120 and the bubble injection tube 320 are supplied with the gas 30 from the gas supply unit 150 at the same time, uniformly injecting the bubbles 20 onto the glass substrate 200, and the impurities are attached to the glass substrate 200 again. The etching can be made more uniform by blocking and removing the already attached impurities.
FIG. 12 is a flowchart illustrating a process of etching a glass substrate using the substrate etching apparatus according to the second embodiment of the present invention.

図８乃至図１０及び図１２を参照すると、本発明の第２実施例による基板エッチング装置３００を用いたエッチングは、まず、エッチングしようとする複数のガラス基板２００をエッチング液１０が満たされたエッチング容器３１０に配置する（Ｓ１０）。この際、ガラス基板２００は互いに平行に配置される。また、ガラス基板２００はエッチング容器３１０の底３１２と垂直に配置される。 Referring to FIGS. 8 to 10 and 12, the etching using the substrate etching apparatus 300 according to the second embodiment of the present invention is performed by first etching a plurality of glass substrates 200 to be etched with the etching solution 10. It arrange | positions to the container 310 (S10). At this time, the glass substrates 200 are arranged in parallel to each other. The glass substrate 200 is disposed perpendicular to the bottom 312 of the etching container 310.

次に、ガラス基板２００の両側面に対応して２つの気泡噴射管３２０を配置する（Ｓ２０）。最後に、気泡噴射管３２０をガラス基板２００の側面に沿って、即ち、第１方向４０に沿って移動させながらガラス基板２００に気泡２０を噴射して不純物を除去する（Ｓ３０）。
この際、気泡噴射管３２０は同一の速度で移動させる。具体的に、気泡噴射管３２０は、ガラス基板２００の下端で同時に出発して上端に同一の速度で移動しながら不純物を除去する。 Next, two bubble injection tubes 320 are arranged corresponding to both side surfaces of the glass substrate 200 (S20). Finally, the bubbles 20 are ejected onto the glass substrate 200 while moving the bubble ejection tube 320 along the side surface of the glass substrate 200, that is, along the first direction 40, thereby removing impurities (S30).
At this time, the bubble jet tube 320 is moved at the same speed. Specifically, the bubble jet tube 320 simultaneously starts at the lower end of the glass substrate 200 and removes impurities while moving to the upper end at the same speed.

これとは異なり、気泡噴射管３２０は、互いに噴射された気泡２０の干渉を最小にするために所定の時間差を置いて移動することができる。具体的に、一つの気泡噴射管３２０が移動した後、所定の時間を置いて反対側にある他の気泡噴射管３２０を移動させることができる。また、気泡噴射管３２０は互いに反対方向に移動させることもできる。ここで、不純物はエッチング容器３１０にガラス基板２００を配置し始めながらガラス基板２００がエッチングされ生成されたのである。 In contrast to this, the bubble jet tube 320 can move at a predetermined time difference in order to minimize the interference of the bubbles 20 jetted to each other. Specifically, after one bubble jet tube 320 moves, another bubble jet tube 320 on the opposite side can be moved after a predetermined time. Further, the bubble ejection tubes 320 can be moved in directions opposite to each other. Here, the impurities are generated by etching the glass substrate 200 while starting to place the glass substrate 200 in the etching container 310.

従って、本発明の第２実施例による基板エッチング装置３００を用いたエッチング方法は、気泡噴射管３２０の長さのみ変更して多用な大きさの基板に適用することができるので、ガラス基板２００の大きさが大きくても、基板エッチング装置の製造費用を減少させエッチング均一性をより向上させることができる。
以後、エッチングが完了されたガラス基板２００は表面に残留したエッチング液１０を蒸留水を用いて洗浄した後、乾燥する。このような、基板エッチング装置３００は、ガラス基板２００が液晶表示パネルのＴＦＴ基板またはカラーフィルタ基板の場合、液晶表示装置の製造工程に適用して使用されることができる。 Therefore, the etching method using the substrate etching apparatus 300 according to the second embodiment of the present invention can be applied to a substrate of various sizes by changing only the length of the bubble jet tube 320. Even if the size is large, the manufacturing cost of the substrate etching apparatus can be reduced and the etching uniformity can be further improved.
Thereafter, the glass substrate 200 that has been etched is dried after the etching solution 10 remaining on the surface is washed with distilled water. Such a substrate etching apparatus 300 can be used by being applied to a manufacturing process of a liquid crystal display device when the glass substrate 200 is a TFT substrate or a color filter substrate of a liquid crystal display panel.

このような基板エッチング装置及びそれを用いた基板エッチング方法によると、気泡噴射器をそれぞれのガラス基板の間に介在するように配置してガラス基板に気泡を均一に噴射させることで、ガラス基板がエッチングされて生成される不純物がガラス基板に再度付着することを防止し、すでに付着している不純物を除去することができる。従って、ガラス基板のエッチングを均一にすることができる。 According to such a substrate etching apparatus and a substrate etching method using the same, the glass substrate is formed by arranging the bubble injector so as to be interposed between the glass substrates and uniformly injecting the bubbles onto the glass substrate. Impurities generated by etching can be prevented from re-adhering to the glass substrate, and impurities already attached can be removed. Therefore, the etching of the glass substrate can be made uniform.

以上、本発明の実施例によって詳細に説明したが、本発明はこれに限定されず、本発明が属する技術分野において通常の知識を有するものであれば本発明の思想と精神を離脱することなく、本発明を修正または変更できる。 As described above, the embodiments of the present invention have been described in detail. However, the present invention is not limited to these embodiments, and any person who has ordinary knowledge in the technical field to which the present invention belongs can be used without departing from the spirit and spirit of the present invention. The present invention can be modified or changed.

本発明の第１実施例による基板エッチング装置を概略的に示す正面図である。1 is a front view schematically showing a substrate etching apparatus according to a first embodiment of the present invention. 図１に示されたガラス基板、気泡噴射器及び固定板を分解した斜視図である。It is the perspective view which decomposed | disassembled the glass substrate shown by FIG. 1, a bubble ejector, and a fixed plate. 図２に示された気泡噴射器の一実施例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows one Example of the bubble injector shown by FIG. 図３に示された気泡噴射器の平面図である。FIG. 4 is a plan view of the bubble injector shown in FIG. 3. 図２に示された気泡噴射器の他の実施例を示した斜視図である。It is the perspective view which showed the other Example of the bubble injector shown by FIG. 図５に示された気泡噴射器の平面図である。FIG. 6 is a plan view of the bubble injector shown in FIG. 5. 本発明の第１実施例による基板エッチング装置を用いてガラス基板をエッチングする過程を示した順序図である。FIG. 3 is a flowchart illustrating a process of etching a glass substrate using the substrate etching apparatus according to the first embodiment of the present invention. 本発明の第２実施例による基板エッチング装置を概略的に示した正面図である。FIG. 6 is a front view schematically showing a substrate etching apparatus according to a second embodiment of the present invention. 図８に示された気泡噴射管とガラス基板の斜視図である。It is a perspective view of the bubble jet tube and glass substrate which were shown by FIG. 図９の気泡噴射管の噴射口を具体的に示した側面図である。FIG. 10 is a side view specifically showing an injection port of the bubble injection tube of FIG. 9. 本発明の第３実施例による基板エッチング装置を概略的に示した正面図である。FIG. 6 is a front view schematically showing a substrate etching apparatus according to a third embodiment of the present invention. 本発明の第２実施例によるエッチング装置を用いてガラス基板をエッチングする過程を示した順序図である。FIG. 5 is a flow chart illustrating a process of etching a glass substrate using an etching apparatus according to a second embodiment of the present invention.

Explanation of symbols

１０エッチング液
２０気泡
３０ガス
４０第１方向
１００、３００、５００基板エッチング装置
１１０、３１０エッチング容器
１２０、１３０気泡噴射器
１２２噴射板
１２４噴射ノズル
１２６ガス通路部
１３２フレーム
１３３開口部
１３４第１チューブ
１３８第２チューブ
１３９噴射口
１４０固定板
１４２固定クリップ
１５０ガス供給器
１６０フィルタ
１７０貯蔵タンク
１８０パンプ
２００、４００ガラス基板
３２０気泡噴射管
３３０クランプ
３４０移動装置
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Etching liquid 20 Bubble 30 Gas 40 1st direction 100, 300, 500 Substrate etching apparatus 110, 310 Etching container 120, 130 Bubble injector 122 Injection plate 124 Injection nozzle 126 Gas passage part 132 Frame 133 Opening part 134 First tube 138 Second tube 139 Injection port 140 Fixing plate 142 Fixing clip 150 Gas supply device 160 Filter 170 Storage tank 180 Pump 200, 400 Glass substrate 320 Bubble injection tube 330 Clamp 340 Moving device

Claims

An etching container for accommodating a plurality of glass substrates arranged in parallel to each other perpendicular to the bottom, and
A bubble injector for injecting bubbles between the glass substrates on the glass substrate accommodated in the etching container,
A gas supplier that is arranged outside the etching container and supplies gas to the bubble injector;
A substrate etching apparatus including:

The bubble injector
An injection plate having a gas passage formed therein;
A plurality of injection nozzles formed on a surface of the injection plate facing the glass substrate and connected to the gas passage portion;
The substrate etching apparatus according to claim 1, comprising:

The substrate etching apparatus according to claim 2, wherein the spray nozzle is formed in a lattice structure on the spray plate.

The substrate etching apparatus according to claim 2, further comprising a fixing plate disposed inside the etching container and formed with a fixing clip for fixing the glass substrate.

The said fixing plate is a board | substrate etching apparatus of Claim 4 which has the said gas supply device and the gas application hole which has connected the said gas channel part of the said bubble injector.

The bubble injector
A frame having an opening in the center;
A first tube disposed within the frame and connected to the gas supply;
A second tube that is connected to the first tube at a constant interval and vertically cuts through the opening, and includes a plurality of injection ports formed corresponding to surfaces facing the respective glass substrates;
The substrate etching apparatus according to claim 1, comprising:

The substrate etching apparatus according to claim 6, wherein the injection ports are formed in the second tube at regular intervals.

The substrate etching apparatus according to claim 7, wherein the bubble injector is made of polyvinyl chloride.

Arranging a plurality of glass substrates arranged parallel to each other perpendicular to the bottom plate of the etching vessel;
Placing a bubble injector to be interposed between each of the glass substrates;
Supplying gas from the gas supply device disposed outside the etching container to the bubble injector;
The bubble injector ejects bubbles onto the glass substrate to remove impurities;
A substrate etching method comprising:

10. The bubble injection device according to claim 9, wherein the bubble injector injects bubbles through a plurality of injection nozzles formed on a surface of the injection plate having a gas passage portion connected to the gas supply unit and facing the glass substrate. Substrate etching method.

The bubble injector is formed in a plurality of second tubes connected to a first tube connected to the gas supply device, and bubbles are introduced through a plurality of injection ports formed corresponding to surfaces facing the glass substrate. The substrate etching method according to claim 9, wherein spraying is performed.

An etching container that accommodates a plurality of glass substrates arranged perpendicular to the bottom plate and parallel to each other;
A bubble injection tube that is arranged so that the arrangement direction of the glass substrate accommodated in the etching container and the longitudinal direction thereof coincide with each other and injects bubbles to the glass substrate,
A gas supply device that is arranged outside the etching container and supplies gas to the bubble jet tube;
A substrate etching apparatus including:

The substrate etching apparatus according to claim 12, wherein the bubble injection tubes are arranged in a pair with the glass substrate interposed therebetween, and inject bubbles into the glass substrate.

13. The substrate etching apparatus according to claim 12, wherein the bubble injection tube has a plurality of injection ports formed at regular intervals at positions where bubbles are injected onto the glass substrate.

The substrate etching apparatus according to claim 14, further comprising a moving device that moves the bubble jet tube in a direction that intersects a direction in which the glass substrate is arranged.

The mobile device is
A cylinder disposed on an outer surface of the etching container;
A cylinder rod coupled to the cylinder and movable in a direction intersecting with the direction of arrangement of the glass substrate;
A connecting part for connecting the cylinder rod and the bubble jet pipe;
A guide part that guides the movement of the bubble jet tube while covering a part of the connecting part;
The substrate etching apparatus according to claim 15, comprising:

The substrate etching apparatus according to claim 16, wherein the cylinder is driven by at least one of air pressure and hydraulic pressure.

The substrate etching apparatus according to claim 12, further comprising a bubble injector interposed between the glass substrates to inject bubbles onto the glass substrate.

Arranging a plurality of glass substrates arranged parallel to each other perpendicularly to the bottom of the etching vessel;
Placing two bubble jet tubes across the glass substrate;
Removing bubbles by spraying bubbles on the glass substrate while moving the bubble injection tube in a direction intersecting the direction of arrangement of the glass substrate;
A substrate etching method comprising:

The substrate etching method according to claim 19, wherein the bubble injection tubes move at the same speed.