JP2007300009A - Laser light source device and laser display device having the same - Google Patents
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Abstract
【課題】レーザ光源の小型化・軽量化を図ることができ、最小限の温度制御素子にて温度制御が可能なレーザ光源装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るレーザ光源装置1は、赤色レーザ光を発生させる赤色レーザ光源2Rと、緑色レーザ光を発生させる緑色レーザ光源2Gと、青色レーザ光を発生させる青色レーザ光源2Bと、これら各色のレーザ光源が共通にマウントされる放熱用基板3とを備えている。このように、各色のレーザ光源を共通の放熱用基板にマウントすることにより、レーザ光源の一体化、小型・軽量化を図ることができる。また、放熱用基板3を温度制御するための温度制御素子P1を備えることにより、一つの温度制御素子で、各色のレーザ光源の温度調整を行うことができる。
【選択図】図2
Provided is a laser light source device capable of reducing the size and weight of a laser light source and enabling temperature control with a minimum temperature control element.
A laser light source apparatus according to the present invention includes a red laser light source 2R that generates red laser light, a green laser light source 2G that generates green laser light, a blue laser light source 2B that generates blue laser light, A heat radiation substrate 3 on which the laser light sources of these colors are mounted in common is provided. Thus, by mounting the laser light sources of the respective colors on a common heat dissipation substrate, the laser light sources can be integrated, reduced in size and weight. In addition, by providing the temperature control element P1 for controlling the temperature of the heat dissipation substrate 3, the temperature of each color laser light source can be adjusted with one temperature control element.
[Selection] Figure 2
Description
本発明は、適切な波長を得るために温度制御されたRGB(赤緑青)レーザ光源装置およびこれを備えたレーザディスプレイ装置に関する。 The present invention relates to an RGB (red green blue) laser light source device whose temperature is controlled to obtain an appropriate wavelength, and a laser display device including the same.
単色RGBレーザ光源には、一般的に、(1)半導体レーザ、(2)波長変換素子とその基本波を発振する固体レーザ結晶と固体レーザ結晶を励起する半導体レーザから構成されるレーザ共振器、(3)波長変換素子とその基本波を発振する半導体レーザから構成されるレーザ共振器の3つの形態が使われている。 The monochromatic RGB laser light source generally includes (1) a semiconductor laser, (2) a laser resonator composed of a wavelength conversion element, a solid-state laser crystal that oscillates its fundamental wave, and a semiconductor laser that excites the solid-state laser crystal, (3) Three types of laser resonators composed of a wavelength conversion element and a semiconductor laser that oscillates its fundamental wave are used.
特に近年、モバイルディスプレイ、ポケットディスプレイ、マイクロディスプレイなどと称される携帯型レーザディスプレイ装置の開発が進められている。これらのレーザディスプレイ装置では、小型軽量・低消費電力かつ低コストのRGBレーザ光源が求められており、赤色レーザ光源には半導体レーザが、また、緑色レーザ光源には波長変換素子とその基本波を発振する固体レーザ結晶と固体レーザを励起する半導体レーザから構成されるレーザ共振器が、そして、青色レーザ光源には半導体レーザがそれぞれ一般的に用いられている。 In particular, in recent years, development of portable laser display devices called mobile displays, pocket displays, microdisplays, and the like has been promoted. These laser display devices are required to have a small, light, low power consumption and low cost RGB laser light source. A semiconductor laser is used as a red laser light source, and a wavelength conversion element and its fundamental wave are used as a green laser light source. A laser resonator composed of a solid-state laser crystal that oscillates and a semiconductor laser that excites a solid-state laser is used, and a semiconductor laser is generally used as a blue laser light source.
なお、緑色レーザ光源には波長変換素子とその基本波を発振する半導体レーザから構成されるレーザ共振器が既に開発されているが、コスト面からまだ広く使用されていない。緑色半導体レーザの開発も進められているが、発振温度や出力の面からまだ実用化に至っていない。 As a green laser light source, a laser resonator composed of a wavelength conversion element and a semiconductor laser that oscillates its fundamental wave has already been developed, but has not yet been widely used in terms of cost. Green semiconductor lasers are being developed, but have not yet been put into practical use in terms of oscillation temperature and output.
従来のRGBレーザ光源の構成について説明する。 A configuration of a conventional RGB laser light source will be described.
図10は、下記特許文献1に記載されているレーザ光源100の構成を示しており、波長変換素子とその基本波を発振する固体レーザ結晶と固体レーザ結晶を励起する半導体レーザとから構成されている。図10において、101は固体レーザ結晶としてNd:YAG結晶、101aは固体レーザ結晶101の端面に形成したミラー、102は波長変換素子であるKNbO3結晶、103は球面のレーザミラー、104は固体レーザ結晶101を励起する半導体レーザである。
FIG. 10 shows a configuration of a
上記構成のレーザ光源100は、半導体レーザ104で固体レーザ結晶101を励起することにより、波長946nmのレーザ光を発振し、そのレーザ光の波長を波長変換素子102で1/2に変換して波長473nmの出射光(青色)105を発生させる。106は、波長変換効率を最大にする位相制御のため、波長変換素子102の温度を調整するペルチェ素子(温度制御素子)である。
The
レーザミラーの光反射波長の設定を変えることで、固体レーザ結晶で波長1064nmのレーザ光を発振し、波長変換素子で波長532nmの出射光(緑色)を発生することも可能である。例えば、図11は、下記特許文献2に記載されているレーザ光源110の構成を示している。図11において、111は波長809nmのレーザ光を発生させる半導体レーザ、112はレーザマウント、113はレーザミラーコーティング114が施された固体レーザ結晶としてのNd:YAG結晶、115は波長変換素子であるKTP結晶、116はレーザミラーコーティング117が施されたミラー、118は波長532nmの光を選択的に透過させるフィルタである。
By changing the setting of the light reflection wavelength of the laser mirror, it is also possible to oscillate laser light having a wavelength of 1064 nm with a solid-state laser crystal and generate emitted light (green) with a wavelength of 532 nm by a wavelength conversion element. For example, FIG. 11 shows a configuration of a
ここで、固体レーザ結晶113の励起効率を最大にするため、半導体レーザ111の波長は固体レーザ結晶113の吸収ピークに合致させる必要がある。このため、上記構成のレーザ光源110において、レーザマウント112は、ペルチェ素子を内蔵した温度コントロールユニット(図示略)にマウントされ、半導体レーザ111の出射光を波長809nmに保つように温度制御されている。
Here, in order to maximize the excitation efficiency of the solid-
一方、図12にレーザディスプレイシステムの構成の一例を示す(下記特許文献3参照)。このレーザディスプレイシステムは、赤色レーザ光122Rを出射する赤色レーザデバイス121Rと、緑色レーザ光122Gを出射する緑色レーザデバイス121Gと、青色レーザ光122Bを出射する青色レーザデバイス121Bとを含むRGBレーザ光源120を備えている。RGBレーザ光源120は、各色のレーザ光122R、122G、122Bをそれぞれ反射板123R、123G、123Bで反射した後結合することで、単一の光ビームを生成する。生成された単一の光ビームは、レーザ制御系124を介してスクリーン125に投射され、スクリーン125上に所定のカラー画像を表示する。
On the other hand, FIG. 12 shows an example of the configuration of a laser display system (see
上述のように、従来のRGB各色のレーザ光源には、半導体レーザ、固体レーザ結晶、波長変換素子が使われている。赤色半導体レーザや青色半導体レーザは最適な色域を得るために、また、固体レーザ結晶の励起用半導体レーザは励起効率を最大にするために、各半導体レーザは発振波長が適正な範囲に保たれるように温度を調整する必要がある。
一方、固体レーザ結晶は吸収効率に、また、波長変換素子は変換効率にそれぞれ温度依存性が存在し、最大の効率を得るためには温度を最適に制御する必要がある。
As described above, semiconductor lasers, solid-state laser crystals, and wavelength conversion elements are used for conventional RGB laser light sources. In order to obtain the optimum color gamut for the red and blue semiconductor lasers, and to maximize the pumping efficiency of the semiconductor laser for pumping the solid-state laser crystal, each semiconductor laser was kept within the proper range. It is necessary to adjust the temperature so that
On the other hand, the solid laser crystal has a temperature dependency in the absorption efficiency and the wavelength conversion element has a temperature dependency in the conversion efficiency, and the temperature needs to be optimally controlled to obtain the maximum efficiency.
例えば、赤色レーザ光源には半導体レーザを、また、緑色レーザ光源には波長変換素子とその基本波を発振する固体レーザ結晶と固体レーザを励起する半導体レーザからなるレーザ共振器を、そして、青色レーザ光源には半導体レーザをそれぞれ使用するディスプレイ用レーザ光源装置としては、少なくとも、RGB各色の半導体レーザ用の温度制御素子と、固体レーザ結晶および波長変換素子に対して共通に用いられる温度制御素子の計4つの温度制御素子が必要となる。 For example, a red laser light source includes a semiconductor laser, a green laser light source includes a wavelength conversion element, a solid-state laser crystal that oscillates its fundamental wave, a laser resonator that includes a semiconductor laser that excites the solid-state laser, and a blue laser. As a display laser light source device using a semiconductor laser as a light source, at least a temperature control element for semiconductor lasers of RGB colors and a temperature control element commonly used for a solid-state laser crystal and a wavelength conversion element are used. Four temperature control elements are required.
そのため、RGBレーザ光源は、温度制御機能を備えた複雑で大きなものとなり、従来各色ごとに単色レーザデバイスとして個別に製造され、それを組み合わせることにより、ディスプレイ用のレーザ光源として使用されている。よって、レーザ光源全体としては、非常に大きくかつ複雑で高価なものとなり、また多数の温度制御素子を使用することで消費電力が大きいという問題があった。 Therefore, the RGB laser light source is complicated and large with a temperature control function, and is conventionally manufactured as a single-color laser device for each color, and is used as a laser light source for a display by combining them. Therefore, the laser light source as a whole has a problem that it is very large, complicated and expensive, and uses a large number of temperature control elements, resulting in high power consumption.
本発明は上述の問題に鑑みてなされ、レーザ光源の小型化・軽量化を図ることができ、最小限の温度制御素子にて温度制御が可能なレーザ光源装置およびこれを備えたレーザディスプレイ装置を提供することを課題とする。 The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and can provide a laser light source device capable of reducing the size and weight of a laser light source and capable of temperature control with a minimum temperature control element, and a laser display device including the same. The issue is to provide.
以上の課題を解決するに当たり、本発明のレーザ光源装置は、赤色レーザ光を発生させる赤色レーザ光源と、緑色レーザ光を発生させる緑色レーザ光源と、青色レーザ光を発生させる青色レーザ光源と、これら各色のレーザ光源が共通にマウントされる放熱用基板とを備えている。このように、各色のレーザ光源を共通の放熱用基板にマウントすることにより、レーザ光源の一体化、小型・軽量化を図ることができる。 In solving the above problems, a laser light source device of the present invention includes a red laser light source that generates red laser light, a green laser light source that generates green laser light, a blue laser light source that generates blue laser light, and these And a heat dissipation substrate on which the laser light sources of the respective colors are mounted in common. Thus, by mounting the laser light sources of the respective colors on a common heat dissipation substrate, the laser light sources can be integrated, reduced in size and weight.
また、本発明のレーザ光源装置は、放熱用基板を温度制御するための温度制御素子を備えることにより、一つの温度制御素子で、各色のレーザ光源の温度調整を行うことができる。 In addition, the laser light source device of the present invention includes a temperature control element for controlling the temperature of the heat dissipation substrate, so that the temperature of each color laser light source can be adjusted with one temperature control element.
また、赤色レーザ光源および青色レーザ光源は単一の半導体レーザで構成することができ、緑色レーザ光源は波長変換素子とその基本波を発振する固体レーザ結晶とこの固体レーザ結晶を励起する半導体レーザとを含むレーザ共振器で構成することができる。この場合、放熱用基板の温度制御には、上記温度制御素子を第1の温度制御素子として用いるとともに、第1の温度制御素子と異なる第2の温度制御素子によって、緑色レーザ光源の波長変換素子および固体レーザ結晶の温度制御を行うようにする。これにより、各色のレーザ光源を構成する半導体レーザの発振波長の最適化と、固体レーザ結晶の吸収効率および波長変換素子の変換効率の最適化とを2つの温度制御素子のみによって実現することができる。 The red laser light source and the blue laser light source can be composed of a single semiconductor laser. The green laser light source includes a wavelength conversion element, a solid-state laser crystal that oscillates its fundamental wave, and a semiconductor laser that excites the solid-state laser crystal. It can comprise with the laser resonator containing. In this case, the temperature control element is used as the first temperature control element for temperature control of the heat dissipation substrate, and the wavelength conversion element of the green laser light source is provided by a second temperature control element different from the first temperature control element. The temperature of the solid laser crystal is controlled. Thereby, the optimization of the oscillation wavelength of the semiconductor laser constituting the laser light source of each color and the optimization of the absorption efficiency of the solid laser crystal and the conversion efficiency of the wavelength conversion element can be realized by only two temperature control elements. .
第1,第2の温度制御素子は特に限定されないが、電気的に温度制御が可能な素子、例えば、ペルチェ素子が好適である。なおこの場合、第1の温度制御素子は放熱用基板を吸熱状態で温度制御するとともに、第2の温度制御素子は上記波長変換素子および固体レーザ結晶を発熱状態で温度制御することにより、温度制御に要する消費電力の低減を図ることができる。 The first and second temperature control elements are not particularly limited, but elements that can be electrically controlled, such as Peltier elements, are suitable. In this case, the first temperature control element controls the temperature of the heat dissipation substrate in an endothermic state, and the second temperature control element controls the temperature of the wavelength conversion element and the solid-state laser crystal in a heat generation state, thereby controlling the temperature. It is possible to reduce the power consumption required.
以上のような構成の本発明に係るレーザ光源装置は、各色のレーザ光を変調および走査するレーザ制御系を備えたレーザディスプレイのレーザ光源に用いることができる。なおこれ以外にも、RGB各色のレーザ光を使用する各種レーザ装置、例えば、生化学解析装置等にも本発明は適用可能である。 The laser light source device according to the present invention configured as described above can be used as a laser light source of a laser display provided with a laser control system that modulates and scans laser light of each color. In addition, the present invention can be applied to various laser apparatuses that use laser beams of RGB colors, such as biochemical analysis apparatuses.
以上述べたように、本発明によれば、RGBレーザ光源の小型・軽量化を図ることができるとともに、最小限の温度制御素子で温度制御を行うことができる。 As described above, according to the present invention, the RGB laser light source can be reduced in size and weight, and temperature control can be performed with a minimum temperature control element.
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
図1〜図4は本発明の実施形態によるRGBレーザ光源装置1の構成を示しており、図1は平面図、図2は側面図、図3は全体斜視図、図4は要部の分解斜視図である。なお、図において、RGB各色のレーザ光軸と平行な方向をX軸、各色のレーザ光軸の配列方向をY軸、そして、これらX軸およびY軸に対して垂直な方向(高さ方向)をZ軸としている。
1 to 4 show the configuration of an RGB laser
本実施形態のRGBレーザ光源装置1は、赤色レーザ光源2Rと、緑色レーザ光源2Gと、青色レーザ光源2Bと、これら各色のレーザ光源2R,2G,2Bが共通にマウントされる放熱用基板(共通基板)3とを備えている。
The RGB laser
放熱用基板3は、ヒートシンクとして構成される金属製基板からなる。放熱用基板3の上面は、各色のレーザ光源2R,2G,2Bがマウントされる平坦なマウント面3aとされている。放熱用基板3の下面には第1の温度制御素子P1が取り付けられており、この第1の温度制御素子P1によって放熱用基板3の温度制御がなされる。
The
第1の温度制御素子P1は、各色のレーザ光源2R,2G,2Bに搭載された半導体レーザ4R,4G,4Bで発生されるレーザ光がそれぞれ適正な範囲の発振波長を得ることができる温度に放熱用基板3を温度制御する。なお、第1の温度制御素子P1はペルチェ素子で構成されている。
The first temperature control element P1 is set to a temperature at which the laser light generated by the
放熱用基板3は、断熱プレート25の上に配置されている。断熱プレート25には、第1の温度制御素子P1を収容するための開口25aが形成されている。断熱プレート25の前端部には前壁25bが立設されており、この前壁25bの内面側に放熱用基板3の前面を合致させることによって、断熱プレート25に対する放熱用基板3の相対位置が決定される。断熱プレート25は、ヒートシンクとして機能する金属製のベース基板26の上に設置される。放熱用基板3、断熱プレート25およびベース基板26は、それぞれの四隅位置において4本のボルト部材20によって一体結合されている。
The
赤色レーザ光源2Rは、波長約635nmの赤色レーザ光を発生させる半導体レーザ4Rと、半導体レーザ4Rで発生した赤色レーザ光を平行光とするコリメータレンズ10Rと、ビーム出射位置を調整するプリズム11Rとを有している。
The red laser
青色レーザ光源2Bは、波長約445nmの青色レーザ光を発生させる半導体レーザ4Bと、半導体レーザ4Bで発生した青色レーザ光を平行光とするコリメータレンズ10Bと、ビーム出射位置を調整するプリズム11Bとを有している。
The blue
緑色レーザ光源2Gは、例えばKTP結晶からなる波長変換素子5と、その基本波を発振する例えばNd:YVO4 からなる固体レーザ結晶6と、固体レーザ結晶6を励起する半導体レーザ4Gとからなるレーザ共振器を有している。励起用半導体レーザ4Gは、発振波長が29℃で808.6nm(25℃では807.4nm)であり、固体レーザ結晶6で励起された波長1064nmの光は共振器内で増幅され、波長変換素子5で周波数2倍化されて波長532nmの緑色レーザ光を生成する。生成した緑色レーザ光は、ビームエキスパンダ12によりビームサイズが拡大されるとともにコリメート光に変換される。そして、1/2波長板14により偏光角が調整される。なお、共振器から漏れた波長1064nmの光はIR(赤外線)カットフィルタ13でカットされる。
The green laser
波長変換素子5および固体レーザ結晶6は接着剤を介して接合一体化されたコンビネーション結晶からなり、その両端面には所定のレーザミラーコーティングが施されている。即ち、励起用半導体レーザ14Gと対向するコンビネーション結晶の一端面は、波長808.6nm(807.4nm)の光は透過し波長1064nmの光は反射するレーザミラーコーティングが施されており、他端面は、波長532nmの光は透過し波長1064nmの光は反射するレーザミラーコーティングが施されている。
The
そして、この波長変換素子5と固体レーザ結晶6とからなるコンビネーション結晶は、第2の温度制御素子P2の上にサーミスタがマウントされた基板15を介して配置されており、この第2の温度制御素子P2によって当該コンビネーション結晶の温度制御(本例では29℃または25℃)がなされる。第2の温度制御素子P2は、固体レーザ結晶6の吸収効率および波長変換素子5の変換効率を最大にチューニングすることが可能な温度に、これらを温度制御する。第2の温度制御素子はペルチェ素子で構成されている。
The combination crystal composed of the
一方、赤色半導体レーザ4R、青色半導体レーザ4Bおよび励起用半導体レーザ4Gはそれぞれ、第1の温度制御素子P1によって温度制御された放熱用基板3の上で共通の温度に制御されている。放熱用基板3の設定温度は、これらの半導体レーザの発振効率あるいは励起効率を考慮して設定される。本例では29℃または25℃とされている。なお、第1の温度制御素子P1による制御温度は、励起用半導体レーザ4Gに近接配置されたサーミスタによってモニタリングされている。
On the other hand, the
さて、各色のレーザ光源2R,2G,2Bは、それぞれ専用の伝熱性のレーザベース8R,8G,8Bの上にマウントされており、これらレーザベース8R,8G,8Bを介して放熱用基板3の上面(マウント面)にマウントされている。
The
赤色レーザベース8Rには、半導体レーザ4Rを支持するレーザマウント9Rが設けられているとともに、コリメータレンズ10R、プリズム11Rといった光学素子が所定の支持部材を介してマウントされている。赤色レーザ光(R)は、レーザベース8R上において、コリメータレンズ10Rとプリズム11Rの光軸調整によりビーム光軸の傾斜角、発散角が調整されている。
The
青色レーザベース8Bには、半導体レーザ4Bを支持するレーザマウント9Bが設けられているとともに、コリメータレンズ10B、プリズム11Bといった光学素子が所定の支持部材を介してマウントされている。青色レーザ光(B)は、レーザベース8B上において、コリメータレンズ10Bとプリズム11Bの光軸調整によりビーム光軸の傾斜角、発散角が高精度に調整されている。
The
緑色レーザベース8Gには、励起用半導体レーザ4G、波長変換素子5、固体レーザ結晶6が、エキスパンダレンズ12やIR(赤外線)カットフィルタ13、1/2波長板14といった光学素子とともに、所定の支持部材を介してマウントされている。緑色レーザ光(G)は、レーザベース8G上において、ビームエキスパンダ12の光軸調整によりビーム光軸の傾斜角、発散角が高精度に調整されている。
The
なお、各RGBレーザ光のコリメーション調整と光軸角度調整は、ビームプロファイラを光学レール上で移動させ、光源からの各距離でのビームサイズおよび光軸位置を測定しながら行われる。 The collimation adjustment and the optical axis angle adjustment of each RGB laser light are performed while moving the beam profiler on the optical rail and measuring the beam size and optical axis position at each distance from the light source.
赤色レーザベース8R、緑色レーザベース8Gおよび青色レーザベース8Bは、スペーサ7R,7G,7Bを介して、放熱用基板3のマウント面3aの所定領域にそれぞれマウントされる。赤色レーザベース8Rおよび青色レーザベース8Bは、2本のネジ部材16によってマウント面3aにそれぞれ一体的に固定され、緑色レーザベース8Gは、4本のネジ部材16によってマウント面3aに一体的に固定されている。
The
なお、スペーサ7R,7G,7Bは、後述するように、マウント面3aに対する各色のレーザ光軸の高さを規定する一定厚の金属板材で構成されている。
The
本実施形態によれば、赤色半導体レーザ光源2R、緑色レーザ光源2Gおよび青色レーザ光源2Bをヒートシンクとなる共通の放熱用基板3にマウントすることで、RGB各色のレーザ光源一体化を図ることができ、レーザ光源装置1の小型軽量化を図ることができる。また、放熱用基板3を第1の温度制御素子P1にて適切な温度制御を実現することができる。これにより、各色のレーザ光源の半導体レーザ4R,4G,4Bの発振波長を適正な範囲に保つことができる。
According to the present embodiment, by mounting the red semiconductor
一方、緑色レーザ光の生成のための固体レーザ結晶6と波長変換素子5からなるレーザ共振器は、放熱用基板3の上側に配置した第2の温度制御素子P2で制御することで、固体レーザ結晶6の高い吸収効率と波長変換素子5の高い変換効率とを同時に得ることができる。特に、ペルチェ素子からなる第2の温度制御素子P2で固体レーザ結晶6および波長変換素子5を発熱状態(加熱状態)にて温度制御することで、放熱用基板3に対しては冷却効果をもたせることができ、これにより、半導体レーザの発熱で温度上昇する放熱用基板3を冷却する第1の温度制御素子P1の消費電力を低減させることができる。
On the other hand, the laser resonator composed of the solid-
また、赤色レーザ光源に半導体レーザ、緑色レーザ光源に波長変換素子とその基本波を発振する固体レーザ結晶と固体レーザ結晶を励起する半導体レーザとから構成されるレーザ共振器、青色レーザ光源に半導体レーザを使用したRGBレーザ光源は、従来、個別のモジュールとして供給され、最適な温度制御を行うには少なくとも4つの温度制御素子を必要としていた。これに対して本実施形態のRGBレーザ光源装置1は、固体レーザ結晶励起用半導体レーザ4G、赤色半導体レーザ4Rおよび青色半導体レーザ4Bの温度を共通の温度に制御する第1の温度制御素子P1と、固体レーザ結晶6と波長変換素子5の温度を共通の温度に制御する第2の温度制御素子P2の2つの温度制御素子にて最適な温度制御が可能となり、赤色と青色の最適な色域、半導体レーザによる固体レーザ結晶の最大の励起効率、固体レーザ結晶の最大の吸収効率および波長変換素子の最大の変換効率を得ることができる。
Also, a semiconductor laser as a red laser light source, a laser resonator comprising a wavelength laser as a green laser light source, a solid-state laser crystal that oscillates its fundamental wave, and a semiconductor laser that excites the solid-state laser crystal, and a semiconductor laser as a blue laser light source Conventionally, RGB laser light sources using the above are supplied as individual modules, and at least four temperature control elements are required for optimal temperature control. On the other hand, the RGB laser
更に、各色のレーザ光源を一体化するとともに温度制御素子を最小限に抑えることで、RGBレーザ光源装置の部品コストの削減、温度制御電力の低減および小型軽量化を図ることができ、モバイルディスプレイ、ポケットディスプレイ、マイクロディスプレイ等と称される携帯用レーザディスプレイ装置のRGBレーザ光源に用いて極めて有効であり、同様なRGBレーザ光源を用いる生化学解析装置にも適用することが可能である。 Furthermore, by integrating the laser light source of each color and minimizing the temperature control element, the component cost of the RGB laser light source device can be reduced, the temperature control power can be reduced, and the size and weight can be reduced. It is extremely effective when used for an RGB laser light source of a portable laser display device called a pocket display, a micro display or the like, and can also be applied to a biochemical analysis device using a similar RGB laser light source.
続いて、上述した構成のRGBレーザ光源装置1における光軸調整機構について説明する。
Next, an optical axis adjustment mechanism in the RGB laser
レーザ光源装置1は、各色のレーザ光源2R,2G,2Bを放熱用基板3に対して相対移動させることで、レーザ光軸をマウント面3aに対して調整できる光軸調整機構を備えている。この光軸調整機構は、RGB各色のレーザ光軸を互いに平行かつ同一高さ位置で出射させるためのものであり、各レーザベース8R,8G,8B単位で高精度に光軸制御されたレーザ光源2R,2G,2Bを放熱用基板3上でYおよびZ軸方向に高精度にアライメントする機構を備えている。
The laser
図5Aはレーザベース8R,8G,8Bの底部の構成を上面側から見た断面図である。図5Bは、放熱用基板3のマウント面3aの構成をスペーサ7R,7G,7Bとともに示す平面図である。
FIG. 5A is a cross-sectional view of the bottom structure of the
放熱用基板3のマウント面3aには、一対の基準ピン18R,18G,18Bがレーザ光源2R,2G,2Bのマウント位置に対応してそれぞれ立設されている(図4)。これら各色の一対の基準ピン18R,18G,18Bは、Y軸方向に互いに対向して配置されている。
A pair of
一方、各色のレーザベース8R,8G,8Bの底部には、これらの基準ピン18R,18G,18Bに嵌合するガイド溝17R,17G,17Bがそれぞれ形成されており、これらガイド軸17R,17G,17Bと基準ピン18R,18G,18Bとの嵌合作用によって、レーザベース8R,8G,8Bがそれぞれマウント面3aに対してY軸方向に相対移動可能に構成されている。
On the other hand, guide
また、レーザベース8R,8G,8Bには、これらレーザベース8R,8G,8Bをマウント面3aに沿ってY軸方向に動かす際に用いられる偏芯ドライバの挿入孔19R,19G,19Bがそれぞれ形成されている。一方、マウント面3aには、これらレーザベース8R,8G,8Bの挿入孔19R,19G,19Bの形成位置に対応して、上記偏芯ドライバの回転軸心と係合する係合孔21R,21G,21Bが、それぞれ形成されている(図4)。
The laser bases 8R, 8G, and 8B are formed with
図6A,Bは、マウント面3aに対するレーザベース8(8R,8G,8B)の相対位置調整工程を示している。図示するように、偏芯ドライバ30はレーザベース8の挿入孔19(19R,19G,19B)に挿入され、偏芯ドライバ30先端の突起31が係合孔21に係合される。そして、突起31を回転中心として偏芯ドライバ30を回転させることで、偏芯ドライバ30外周と挿入孔19内壁とが当接し、ガイド溝17R,17G,17Bと基準ピン18R,18G,18Bとで構成される直線ガイド機構によって、偏芯ドライバ30の回転方向に応じてレーザベース8がa方向またはb方向に移動される。従って、偏芯ドライバ30の回転量を調整することでレーザベース8の直線移動量を調整することができる。
6A and 6B show a relative position adjustment process of the laser base 8 (8R, 8G, 8B) with respect to the
なお、本実施形態では、各色のレーザベース8R,8G,8Bにおいて、放熱用基板3との結合用ネジ部材16が挿入されるネジ孔22は、当該レーザベースの移動調整を許容するためにやや長孔状に形成されているが、一定の遊度をもたせれば真円でも構わない。
In the present embodiment, in the
また、レーザベース8R,8G,8Bとマウント面3aとの間に介装されるスペーサ7R,7G,7Bは、マウント面3aに対して各色の光軸高さを調整するために所定の板厚で形成されている。スペーサ7R,7G,7Bには、マウント面3aに形成された係合孔21と、ネジ部材16と螺合するネジ孔23R,23G,23Bを露出させるための開口および、基準ピン18R,18G,18Bを挿通させるための開口がそれぞれ形成されている。
Further, the
次に、RGB各色のレーザ光源2R,2G,2Bの光軸調整方法について説明する。
Next, a method for adjusting the optical axes of the
まず、赤色レーザ光源2R、緑色レーザ光源2Gおよび青色レーザ光源2Bをそれぞれ放熱用基板3のマウント面3aの所定領域にそれぞれマウントする。このとき、所定の光軸高さを調整するために、スペーサ7R,7G,7Bが介装される。これらスペーサの厚さは勿論、各色ごとに異なっていてもよいし、複数枚重ねて用いてもよい。これにより、各レーザ光源の光軸がマウント面3aに対して垂直方向に調整され、RGB各色の光軸が図2においてLHで示す所定の光軸高さに合致される。
First, the red laser light source 2 </ b> R, the green laser light source 2 </ b> G, and the blue laser light source 2 </ b> B are respectively mounted on predetermined regions of the
各色のレーザ光源2R,2G,2Bは、マウント面3a上において、ネジ部材16によって仮止めされる。その後、各レーザ光源の光軸間隔の調整が行われる。この調整は、図6を参照して説明した偏芯ドライバ30を用いて、レーザベース8R,8G,8BをY軸方向に平行移動することで行われる。これにより、各レーザ光源の光軸がマウント面3aに対して平行方向に調整され、所定の光軸間隔に合致される。光軸調整後、ネジ部材16の締結により、各レーザ光源2R,2G,2Bがマウント面3a上に一体固定される。
The
なお、この光軸間隔調整は、例えば緑色レーザ光の光軸を基準として、赤色および青色の光軸位置を調整するようにしてもよい。この場合、緑色レーザ光軸は、当初、放熱用基板3の一側面に設けた基準面S(図1〜図3参照)から適正範囲に入るように位置調整が行われる。
The optical axis interval adjustment may be performed by adjusting the red and blue optical axis positions with reference to the optical axis of the green laser beam, for example. In this case, the position of the green laser optical axis is initially adjusted so as to fall within an appropriate range from a reference surface S (see FIGS. 1 to 3) provided on one side surface of the
以上のようにして、RGB各色のレーザ光源2R,2G,2Bがマウント面3a上で光軸の微細調整が行われる。本実施形態によれば、共通の放熱用基板3上においてRGB各色の光軸の平行移動を容易に行うことができるので、各色間における光軸調整を高精度に行うことが可能となる。また、この光軸調整に偏芯ドライバ30を用いることによって、光軸位置を高い分解能をもって調整することが可能となる。
As described above, fine adjustment of the optical axis of the
特に、ディスプレイ装置や生化学分析装置では、きわめて高い精度のレーザの光軸位置と光軸角度の調整が要求される。従来では、RGBレーザ光源は個別の独立した装置を組み合わせたものを使用し、各RGBレーザ間の光軸位置の調整をミラーやプリズム等の光学部品にて行っていたため作業性が悪く、また、作業の複雑化、高コスト化が問題となっていた。これに対して本実施形態によれば、RGBレーザ光線の光軸を高精度にアライメントした一体型のRGBレーザ光源装置1として供給することが実現できるので、ディスプレイ装置や生化学解析装置のRGBレーザ光源に用いて極めて有効である。
In particular, in display devices and biochemical analyzers, it is required to adjust the optical axis position and optical axis angle of a laser with extremely high accuracy. Conventionally, the RGB laser light source uses a combination of individual independent devices, and adjustment of the optical axis position between the RGB lasers is performed by optical parts such as mirrors and prisms, so that workability is poor. Complicated work and high cost were problems. On the other hand, according to the present embodiment, it is possible to supply the RGB laser
図7は、上述のレーザ光源装置1を光源として有するレーザディスプレイ装置の概略構成を示している。ここでは、レーザディスプレイ装置40として、一次元反射型ディスプレイデバイスであるGLV(Grating Light Valve)を用いた画像表示システムを例に挙げて説明する。
FIG. 7 shows a schematic configuration of a laser display device having the above-described laser
図7に示すように、レーザディスプレイ装置40は、RGBレーザ光源装置1と、レーザ光源装置41からの出射光を平板状の光に変換する照明レンズ42と、GLVデバイスでなる光変調(回折)素子43と、光変調素子43による回折光だけを通すフィルタを内蔵した投射レンズ44と、投射レンズ44を通過した光をスクリーン46に投影する走査ミラー45とを備えている。光変調素子43は、RGB各色のレーザ光に対してそれぞれ別に設けられ、そのレーザ光を照射された時のマイクロリボンの位置関係に基づいて光の変調を行うことにより、色および映像の投影がなされる。
As shown in FIG. 7, the
(実施例1)
上述した実施形態のように第1,第2の2つの温度制御素子P1,P2を備えた本発明に係るレーザ光源装置1の温度制御に要する消費電力と、4つの温度制御素子を用いてRGBレーザユニットを個別に温度制御した従来構造のレーザ光源装置の温度制御に要する消費電力とを比較した。その結果を図8に示す。
Example 1
As in the above-described embodiment, the power consumption required for temperature control of the laser
なお、温度制御素子はペルチェ素子とし、本実施例では、RGBレーザベース用の第1の温度制御素子P1は、フェローテック社製ペルチェ素子(型番9500/035/040、Qcmax:10W)とし、固体レーザ結晶及び波長変換素子用の第2の温度制御素子P2は、フェローテック社製ペルチェ素子(型番9500/007/012、Qcmax:0.63W)とした。
また、比較例として示す従来構造のレーザ光源装置において、赤色レーザベースおよび青色レーザベース用のペルチェ素子は、フェローテック社製ペルチェ素子(型番9501/017/040、Qcmax:5.1W)とし、緑色レーザベース(励起用レーザ)用のペルチェ素子は、フェローテック社製ペルチェ素子(型番9500/035/040、Qcmax:10W)とし、固体レーザ結晶及び波長変換素子用のペルチェ素子は、フェローテック社製ペルチェ素子(型番9500/007/012、Qcmax:0.63W)とした。
The temperature control element is a Peltier element. In the present embodiment, the first temperature control element P1 for RGB laser base is a Peltier element (model number 9500/035/040, Qcmax: 10 W) manufactured by Ferrotec Corporation, which is solid. The second temperature control element P2 for the laser crystal and the wavelength conversion element was a Peltier element (model number 9500/007/012, Qcmax: 0.63 W) manufactured by Ferrotec.
Further, in the laser light source device having a conventional structure shown as a comparative example, the Peltier element for the red laser base and the blue laser base is a Peltier element manufactured by Ferrotec Corporation (model number 9501/017/040, Qcmax: 5.1 W) and green. The Peltier device for laser base (excitation laser) is a Peltier device manufactured by Ferrotec (model number 9500/035/040, Qcmax: 10 W), and the Peltier device for solid laser crystal and wavelength conversion device is manufactured by Ferrotech. A Peltier element (model number 9500/007/012, Qcmax: 0.63 W) was used.
本実施例において、固体レーザ結晶及び波長変換素子を25℃に温度制御するのに必要な電力は0.026W、RGBレーザベースを25℃に制御するのに必要な電力は2.117W、固体レーザ結晶、波長変換素子、励起用半導体レーザ、青色半導体レーザ及び赤色半導体レーザを適正な温度に制御するのに必要な総電力は2.143Wであった。 In this embodiment, the power required to control the temperature of the solid-state laser crystal and the wavelength conversion element to 25 ° C. is 0.026 W, the power required to control the RGB laser base to 25 ° C. is 2.117 W, and the solid-state laser The total power required to control the crystal, the wavelength conversion element, the pumping semiconductor laser, the blue semiconductor laser, and the red semiconductor laser to an appropriate temperature was 2.143 W.
一方、比較例に係る従来構造の各半導体レーザのベースを各々専用のペルチェ素子で温度制御した場合、赤色半導体レーザ2を25℃に温度制御するのに必要な電力が0.31W、励起用半導体レーザを25℃に温度制御するのに必要な電力が1.809W、青色半導体レーザを25℃に温度制御するのに必要な電力が1.056W、これらの電力と固体レーザ結晶及び波長変換素子の温度制御電力を合わせた総消費電力は3.201Wであった。 On the other hand, when the temperature of the base of each semiconductor laser having the conventional structure according to the comparative example is controlled by a dedicated Peltier element, the power required for temperature control of the red semiconductor laser 2 to 25 ° C. is 0.31 W, and the pumping semiconductor The power required to control the temperature of the laser to 25 ° C. is 1.809 W, the power required to control the temperature of the blue semiconductor laser to 25 ° C. is 1.056 W, these power and the solid-state laser crystal and the wavelength conversion element The total power consumption including the temperature control power was 3.201 W.
以上の結果から、本実施例では、従来構造の33.1%の温度制御電力の低減となる。従来構造のRGBレーザ光源は、個別の装置を組み合わせたものであり、個別の装置の構成サイズは発明の実施例の各RGBレーザユニットより大きなものとなるため、実際の従来のRGBレーザ光源に要する温度制御電力は更に大きな値となる。 From the above results, in this embodiment, the temperature control power is reduced by 33.1% of the conventional structure. An RGB laser light source having a conventional structure is a combination of individual devices, and the configuration size of each individual device is larger than that of each RGB laser unit of the embodiment of the invention, so that it is necessary for an actual conventional RGB laser light source. The temperature control power becomes a larger value.
(実施例2)
次に、上述した実施形態における第1,第2の温度制御素子P1,P2の設定温度を変えて行った実験結果に基づいて温度制御に要した消費電力を比較した。その結果を図9に示す。
(Example 2)
Next, the power consumption required for temperature control was compared based on the results of experiments performed by changing the set temperatures of the first and second temperature control elements P1 and P2 in the above-described embodiment. The result is shown in FIG.
実験に用いた温度制御素子はいずれもペルチェ素子で、RGBレーザベース用の第1の温度制御素子P1は、フェローテック社製ペルチェ素子(型番9500/035/040、Qcmax:10W)とし、固体レーザ結晶及び波長変換素子用の第2の温度制御素子P2は、フェローテック社製ペルチェ素子(型番9500/007/012、Qcmax:0.63W)とした。 The temperature control elements used in the experiment are all Peltier elements, and the first temperature control element P1 for RGB laser base is a Peltier element (model number 9500/035/040, Qcmax: 10 W) manufactured by Ferrotec Co., Ltd. The second temperature control element P2 for the crystal and wavelength conversion element was a Peltier element (model number 9500/007/012, Qcmax: 0.63 W) manufactured by Ferrotec.
室温25℃において励起レーザ出力500mW、青色レーザ出力100mW、赤色レーザ出力100mWにて点灯したときに、固体レーザ結晶及び波長変換素子を29℃に温度制御するのに必要な電力は0.018W(加熱)、RGBレーザベースを29℃に制御するのに必要な電力は0.296Wであった。また、固体レーザ結晶、波長変換素子、励起用半導体レーザ、青色半導体レーザ及び赤色半導体レーザを適正な温度に制御するのに必要な総電力は0.314Wであった。 The power required to control the temperature of the solid-state laser crystal and the wavelength conversion element to 29 ° C. is 0.018 W (heating) when lighted at a room temperature of 25 ° C. with an excitation laser output of 500 mW, a blue laser output of 100 mW, and a red laser output of 100 mW. ), The power required to control the RGB laser base to 29 ° C. was 0.296 W. The total power required to control the solid-state laser crystal, the wavelength conversion element, the pumping semiconductor laser, the blue semiconductor laser, and the red semiconductor laser to an appropriate temperature was 0.314 W.
従来、一般的に、固体レーザ結晶、波長変換素子、励起用半導体レーザ、単色半導体レーザの温度依存性は、それぞれ吸収効率、変換効率、励起効率、発振波長が室温に近い約25℃で最適になるように設計されている。本実施例では固体レーザ結晶及び波長変換素子を温度制御する場合に熱交換条件において、冷却状態(吸熱状態)から加熱状態(発熱状態)に切り替わる29℃に温度依存性の設計を合わせた。 Conventionally, in general, the temperature dependence of a solid-state laser crystal, a wavelength conversion element, an excitation semiconductor laser, and a monochromatic semiconductor laser is optimal at about 25 ° C. where absorption efficiency, conversion efficiency, excitation efficiency, and oscillation wavelength are close to room temperature, respectively. Designed to be In this example, when the temperature of the solid-state laser crystal and the wavelength conversion element is controlled, the temperature-dependent design is adjusted to 29 ° C., which switches from the cooling state (endothermic state) to the heating state (heat generation state) in the heat exchange condition.
一方、固体レーザ結晶及び波長変換素子を25℃に温度制御するのに必要な電力は0.026W、RGBレーザベースを25℃に温度制御するのに必要な電力は2.117Wであり、総電力は2.143Wであった(実験例1)。また、固体レーザ結晶及び波長変換素子を29℃に温度制御するのに必要な電力は0.028W、RGBレーザベースを25℃に温度制御するのに必要な電力は1.997Wであり、総電力は2.025Wであった(実験例2)。更に、固体レーザ結晶及び波長変換素子を25℃に温度制御するのに必要な電力は0.120W、RGBレーザベースを29℃に温度制御するのに必要な電力は0.391Wであり、総電力は0.511Wであった(実験例3)。 On the other hand, the power required to control the temperature of the solid-state laser crystal and the wavelength conversion element to 25 ° C. is 0.026 W, and the power required to control the temperature of the RGB laser base to 25 ° C. is 2.117 W. Was 2.143 W (Experimental Example 1). The power required to control the temperature of the solid-state laser crystal and the wavelength conversion element to 29 ° C. is 0.028 W, and the power required to control the temperature of the RGB laser base to 25 ° C. is 1.997 W. Was 2.025 W (Experimental Example 2). Furthermore, the power required to control the temperature of the solid-state laser crystal and the wavelength conversion element to 25 ° C. is 0.120 W, and the power required to control the temperature of the RGB laser base to 29 ° C. is 0.391 W. Was 0.511 W (Experimental Example 3).
以上のように、RGBレーザベースを高温で温度制御することで飛躍的に温度制御電力を低減できる。しかし、半導体レーザを高温で駆動させると出力劣化までの寿命が短くなることが知られており、その寿命品質の保証から駆動温度の上限が制限される。ところが、固体レーザ結晶及び波長変換素子の駆動温度を60℃程度で設計しても、特に問題が発生しないので、実施例は29℃であるが、更に高温で設計し共通基板を冷却することで、総電力の最小化を図ることができる。 As described above, the temperature control power can be drastically reduced by controlling the temperature of the RGB laser base at a high temperature. However, it is known that when a semiconductor laser is driven at a high temperature, the lifetime until output degradation is shortened, and the upper limit of the driving temperature is limited from the guarantee of the lifetime quality. However, even if the driving temperature of the solid-state laser crystal and the wavelength conversion element is designed at about 60 ° C., no particular problem occurs, so the example is 29 ° C. However, by designing at a higher temperature and cooling the common substrate, The total power can be minimized.
また、固体レーザ結晶、波長変換素子及びRGBレーザベースを29℃に温度制御した場合、実験例1に比べて85%の温度制御電力の低減効果が得られる。従来構造のRGBレーザ光源は、個別の装置を組み合わせたものであり、個別の装置の構成サイズは発明の実施例の各RGBレーザユニットより大きなものとなるため、実際の従来のRGBレーザ光源に要する温度制御電力は更に大きな値となる。 In addition, when the temperature of the solid laser crystal, the wavelength conversion element, and the RGB laser base is controlled to 29 ° C., an effect of reducing the temperature control power by 85% as compared with Experimental Example 1 can be obtained. An RGB laser light source having a conventional structure is a combination of individual devices, and the configuration size of each individual device is larger than that of each RGB laser unit of the embodiment of the invention, so that it is necessary for an actual conventional RGB laser light source. The temperature control power becomes a larger value.
以上のように、赤色レーザ光源、緑色レーザ光源、青色レーザ光源が一体小型化された本発明に係るRGBレーザ光源装置によれば、部品コスト、温度制御電力、サイズ重量を従来のものに比べて大幅に改善できるという効果が得られる。従って、本発明は、特に、小型軽量・低消費電力かつ低コストを要求される携帯用レーザディスプレイ装置のRGBレーザ光源に用いて極めて有効である。 As described above, according to the RGB laser light source device according to the present invention in which the red laser light source, the green laser light source, and the blue laser light source are integrated and miniaturized, the component cost, the temperature control power, and the size weight are compared with the conventional one. The effect that it can improve significantly is acquired. Accordingly, the present invention is particularly effective when used for an RGB laser light source of a portable laser display device that is required to be small, light, low power consumption and low cost.
以上、本発明の実施の形態について説明したが、勿論、本発明はこれに限定されることなく、本発明の技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。 The embodiment of the present invention has been described above. Of course, the present invention is not limited to this, and various modifications can be made based on the technical idea of the present invention.
例えば以上の実施形態では、RGB各色のレーザ光源2R,2G,2Bのすべてについて光軸調整機構を設けることで、各色単独での光軸位置調整を可能としたが、RGBのうち少なくとも2つのレーザ光源に上記光軸調整機構を設けることで、一方の光軸を基準とし、他方の2つの光軸の位置調整を行うことが可能である。
For example, in the above embodiments, the optical axis adjustment mechanism is provided for all of the RGB
1…レーザ光源装置、2R,2G,2B…レーザ光源、3…放熱用基板(共通基板)、4R,4G,4B…半導体レーザ、5…波長変換素子、6…固体レーザ結晶、7R,7G,7B…スペーサ、8R,8G,8B…レーザベース、17R,17G,17B…ガイド溝、18R,18G,18B…基準ピン、19R,19G,19B…偏芯ドライバ挿入孔、21R,21G,21B…係合孔、25…断熱プレート、26…ベース基板、P1…第1の温度制御素子(ペルチェ素子)、P2…第2の温度制御素子(ペルチェ素子)
DESCRIPTION OF
Claims (8)
緑色レーザ光を発生させる緑色レーザ光源と、
青色レーザ光を発生させる青色レーザ光源と、
前記各色のレーザ光源が共通にマウントされる放熱用基板とを備えた
ことを特徴とするレーザ光源装置。 A red laser light source for generating red laser light;
A green laser light source for generating green laser light;
A blue laser light source for generating blue laser light;
A laser light source device comprising: a heat dissipation substrate on which the laser light sources of the respective colors are mounted in common.
ことを特徴とする請求項1に記載のレーザ光源装置。 The laser light source device according to claim 1, further comprising a temperature control element for controlling the temperature of the heat dissipation substrate.
前記緑色レーザ光源は、波長変換素子とその基本波を発振する固体レーザ結晶と前記固体レーザ結晶を励起する半導体レーザとを含むレーザ共振器からなるとともに、
前記放熱用基板は、当該放熱用基板を温度制御するための第1の温度制御素子を有しており、
前記緑色レーザ光源は、前記波長変換素子および前記固体レーザ結晶を共通に温度制御するための第2の温度制御素子を有している
ことを特徴とする請求項1に記載のレーザ光源装置。 The red laser light source and the blue laser light source are composed of a single semiconductor laser,
The green laser light source comprises a laser resonator including a wavelength conversion element, a solid-state laser crystal that oscillates its fundamental wave, and a semiconductor laser that excites the solid-state laser crystal,
The heat dissipation substrate has a first temperature control element for controlling the temperature of the heat dissipation substrate,
The laser light source device according to claim 1, wherein the green laser light source includes a second temperature control element for commonly controlling the temperature of the wavelength conversion element and the solid-state laser crystal.
ことを特徴とする請求項3に記載のレーザ光源装置。 The laser light source device according to claim 3, wherein each of the first and second temperature control elements is a Peltier element.
前記第1の温度制御素子は、前記放熱用基板を吸熱状態で温度制御し、
前記第2の温度制御素子は、前記波長変換素子および前記固体レーザ結晶を発熱状態で温度制御する
ことを特徴とする請求項3に記載のレーザ光源装置。 The first and second temperature control elements are each Peltier elements,
The first temperature control element controls the temperature of the heat dissipation substrate in an endothermic state,
The laser light source device according to claim 3, wherein the second temperature control element controls the temperature of the wavelength conversion element and the solid-state laser crystal in a heat generation state.
ことを特徴とする請求項1に記載のレーザ光源装置。 The laser light source device according to claim 1, wherein the laser light sources of the respective colors are mounted on the heat dissipation substrate via dedicated heat conductive laser bases.
ことを特徴とする請求項6に記載のレーザ光源装置。 The laser light source apparatus according to claim 6, wherein an optical element for controlling laser light generated by the laser light source is mounted on the laser base.
前記各色のレーザ光を変調、走査するレーザ制御系とを備えたレーザディスプレイ装置において、
前記レーザ光源装置は、赤色レーザ光を発生させる赤色レーザ光源と、緑色レーザ光を発生させる緑色レーザ光源と、青色レーザ光を発生させる青色レーザ光源とが、共通の放熱用基板にマウントされてなる
ことを特徴とするレーザディスプレイ装置。
A laser light source device for generating red, green and blue laser beams;
In a laser display device comprising a laser control system that modulates and scans the laser light of each color,
In the laser light source device, a red laser light source that generates red laser light, a green laser light source that generates green laser light, and a blue laser light source that generates blue laser light are mounted on a common heat dissipation substrate. A laser display device characterized by the above.
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20071028 |