JP2007228011A

JP2007228011A - 弾性表面波素子、弾性表面波装置および電子機器

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Publication number: JP2007228011A
Application number: JP2006043477A
Authority: JP
Inventors: Masahiro Oshio; 政宏押尾
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2006-02-21
Filing date: 2006-02-21
Publication date: 2007-09-06

Abstract

【課題】水晶基板などの圧電基板と収納容器の接続部分に生じる応力集中を抑制し、外部から加わる衝撃などに耐える、所謂耐衝撃性を向上させた弾性表面波素子、弾性表面波装置および、それらを用いた電子機器を提供する。
【解決手段】弾性表面波素子１０は、圧電基板としての水晶基板１と、この水晶基板１の表面１ａ上に形成されたＩＤＴ電極２および反射器電極３ａ、３ｂと、水晶基板１の裏面１ｂ上に形成された反射部としてのダイヤモンド層５とを備えている。ダイヤモンド層５は、伝播した擬似縦波型漏洩弾性表面波を反射する機能を有している。
【選択図】図１

Description

本発明は、擬似縦波型漏洩弾性表面波を利用した弾性表面波素子、弾性表面波装置および、その弾性表面波装置を用いた電子機器に関する。

弾性表面波装置は、共振子、フィルタ等の回路素子として通信機器などに使用されている。弾性表面波装置に用いられる弾性表面波の例としては、レイリー波（Ｒａｙｌｅｉｇｈｗａｖｅ）、漏洩弾性表面波（Ｌｅａｋｙｗａｖｅ）などがある。
レイリー波は、弾性体の表面を伝搬する表面波であり、そのエネルギーは圧電基板内部に放射することなく伝搬する。圧電基板中には、「遅い横波」、「速い横波」、「縦波」の３種類の体積波（バルク波）が存在するが、このレイリー波は「遅い横波」よりもさらに遅い位相速度で伝搬する。
漏洩弾性表面波は、弾性体（圧電体）の深さ方向にエネルギーを放射しながら伝搬する弾性表面波であり、圧電基板の特定の切り出し角および伝搬方向での利用が可能である。この漏洩弾性表面波は、「遅い横波」と「速い横波」の間の位相速度で伝搬する。

弾性表面波装置の特性は、圧電基板を伝搬する弾性表面波の伝搬特性に依存しており、弾性表面波装置の高周波化に対応するために位相速度の速い弾性表面波の利用が求められている。近年、漏洩弾性表面波の理論を発展させて、基板表面での変位の殆どが縦波成分で構成され、体積波として２つの横波成分を圧電基板内部に放射しながら「速い横波」と「縦波」の間の速い位相速度で伝搬する擬似縦波型漏洩弾性表面波の弾性表面波装置への利用が開示されている（特許文献１参照）。

擬似縦波型漏洩弾性表面波を用いた従来の弾性表面波装置を図９に沿って説明する。図９は、従来の弾性表面波装置を示す正断面図である。弾性表面波装置１００は、ＩＤＴ電極１０３などが形成された圧電基板の一例としての水晶基板１０２が、ＩＤＴ電極１０３が収納容器１０６の開口部に向くように（図９では上向き）して、接着剤１０７を介して収納容器１０６内に接続されている。水晶基板１０２上の電極（図示せず）は、ボンディングワイヤ１０４を介して収納容器１０６の電極（図示せず）と接続されている。この擬似縦波型漏洩弾性表面波を用いる水晶基板１０２は、特性を向上させるために厚さを薄くする必要がある。例えば、レイリー波を用いる場合では、厚さ４００μｍ程度であった２ＧＨｚの水晶基板１０２を、高速な擬似縦波型漏洩弾性表面波を用いて実現させるためには水晶基板１０２の厚さは、５０μｍ程度となる。

水晶基板１０２には、その裏面側の外周部に沿って補強部１０８が設けられており、この補強部１０８により水晶基板１０２の裏面側に凹部１０５が形成されている。水晶基板１０２は、この補強部１０８が接着剤１０７を介して収納容器１０６と接続される（特許文献２参照）。この凹部１０５は、少なくとも水晶基板１０２上のＩＤＴ電極１０３の形成範囲に対応するように形成されている。これによって、水晶基板１０２の裏面側に伝播する擬似縦波型漏洩弾性表面波は、凹部１０５内に収まることになり、擬似縦波型漏洩弾性表面波の漏洩なく補強部１０８での収納容器１０６との接続を行うことができる。

特開２００４−２１５２２７号公報特開２００４−２１５２２６号公報

しかしながら、水晶基板１０２と収納容器１０６との接合が、補強部１０８の部分のみで行なわれることから接続面積が小さくなり、外部から弾性表面波装置１００に加えられる衝撃などによる応力の集中が、この接続部分に生じ易くなる。特に、前述のように、擬似縦波型漏洩弾性表面波を用いた水晶基板１０２は、厚さを薄くすることが必要なため強度が弱く、水晶基板１０２がこの接続部分から破損してしまう恐れがあるという課題を有していた。

本発明は、上述の課題を解決するためになされたもので、水晶基板などの圧電基板と収納容器の接続部分に生じる応力集中を抑制し、外部から加わる衝撃などに耐える、所謂耐衝撃性を向上させた弾性表面波素子、弾性表面波装置および、それらを用いた電子機器を提供することにある。

本発明の弾性表面波素子は、圧電基板と、前記圧電基板上に形成された擬似縦波型漏洩弾性表面波を励振させるＩＤＴ電極を備えた弾性表面波素子であって、前記ＩＤＴ電極が形成された面と表裏の関係にある前記圧電基板の裏面上に、前記圧電基板の有する音響インピーダンスと異なる音響インピーダンスを有する反射部が形成されていることを特徴とする。

本発明の弾性表面波素子によれば、擬似縦波型漏洩弾性表面波の伝播とともに圧電基板の裏面側へ漏洩する漏洩波が反射部によって反射されるため、圧電基板外へのエネルギーの漏洩を防止することが可能となる。これにより、反射部全面を用いた圧電基板の支持を行うことが可能となり、支持のための接続面積を大きくすることができる。つまり、この支持部分の応力集中が生じ難くなることから、圧電基板の破損を防止することが可能となり、所謂耐衝撃性を向上させることができる。

また、前記反射部の音響インピーダンスが、前記圧電基板の音響インピーダンスより大きいことが望ましい。

このようにすれば、擬似縦波型漏洩弾性表面波の伝播とともに生じた漏洩波の反射効率がより高くなり、保持部へのエネルギーの漏洩を減少させることができる。これにより、擬似縦波型漏洩弾性表面波の伝播とともに生じる漏洩波による弾性表面波素子のＱ値等の特性劣化を抑制することが可能となる。

また、前記圧電基板と前記反射部との境界が、陽極接合または直接接合によって接合されていることが望ましい。

このようにすれば、擬似縦波型漏洩弾性表面波の伝播とともに生じた漏洩波の反射を確実に行うことが可能となる。これにより、擬似縦波型漏洩弾性表面波の伝播とともに生じる漏洩波による弾性表面波素子のＱ値等の特性劣化を抑制することが可能となる。

また、前記反射部が、薄膜で形成されていることが望ましい。

また、前記反射部は、前記圧電基板の平面と同一形状、または前記圧電基板の平面積以上の平面積を有していることを特徴とする。

このようにすれば、反射部と保持部との接続面積を大きく、確実に確保することが可能となる。

また、本発明の弾性表面波装置は、圧電基板と、前記圧電基板上に形成された擬似縦波型漏洩弾性表面波を励振させるＩＤＴ電極を備えた弾性表面波装置であって、前記ＩＤＴ電極が形成された面と表裏の関係にある前記圧電基板の裏面上に、前記圧電基板の有する音響インピーダンスと異なる音響インピーダンスを有し形成された反射部と、前記反射部に接するように形成された保持部とを有することを特徴とする。

本発明の弾性表面波装置によれば、擬似縦波型漏洩弾性表面波の伝播とともに圧電基板の裏面側へ漏洩する漏洩波が反射部によって反射されるため、保持部へのエネルギーの漏洩を防止することが可能となる。従って、圧電基板は反射部全面で保持部と接続することが可能となり、その接続面積を大きくすることができる。つまり、弾性表面波装置に外部から衝撃が加わっても、応力集中が生じ難くなり、圧電基板の破損を防止することが可能となる。これらにより、所謂耐衝撃性を向上させた弾性表面波装置を提供することができる。

このようにすれば、伝播した擬似縦波型漏洩弾性表面波の伝播とともに生じた漏洩波の反射効率がより高くなり、保持部へのエネルギーの漏洩を減少させることができる。これにより、擬似縦波型漏洩弾性表面波の伝播とともに生じる漏洩波による弾性表面波装置のＱ値等の特性劣化を抑制することが可能となる。

また、本発明の電子機器は、圧電基板と、前記圧電基板上に形成された擬似縦波型漏洩弾性表面波を励振させるためのＩＤＴ電極を備えた弾性表面波装置であって、前記ＩＤＴ電極が形成された面と表裏の関係にある前記圧電基板の裏面上に、前記圧電基板の有する音響インピーダンスと異なる音響インピーダンスを有する反射部が形成されている弾性表面波装置を備えていることを特徴とする。

本発明の電子機器によれば、耐衝撃性を向上した弾性表面波装置を用いているため、電子機器に加わる衝撃などにも耐え得る電子機器を提供することが可能となる。

以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
（第一実施形態）

図１は、本実施形態に係る弾性表面波素子の概略構成を示し、図１（ａ）は、斜視図、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ断面図である。

図１に示すように、弾性表面波素子１０は、圧電基板としての水晶基板１と、この水晶基板１の表面１ａ上に形成されたＩＤＴ電極２および反射器電極３ａ、３ｂと、水晶基板１の裏面１ｂ上に形成された反射部としてのダイヤモンド層５とを備えている。図１において、ｔは水晶基板１の厚み、ＰはＩＤＴ電極２のピッチ、λはＩＤＴ波長、ｈはＩＤＴ電極２および反射器電極３ａ、３ｂの厚みである。水晶基板１は、擬似縦波型漏洩弾性表面波が励振されるように、それぞれの圧電材料に応じた切り出し角で切り出され、また、厚みｔは所定の厚さに調整されている。

ＩＤＴ電極２および反射器電極３ａ、３ｂは、アルミニウムを主成分とする金属からなり、水晶基板１の表面１ａに形成されている。このＩＤＴ電極２は、駆動電圧の供給により擬似縦波型漏洩弾性表面波を励振し、所定の周波数の振動を出力する機能を有している。反射器電極３ａ、３ｂは、ＩＤＴ電極２を挟むように形成され、ＩＤＴ電極２により励振された擬似縦波型漏洩弾性表面波が、外周部に向かって伝搬するのを反射し、ＩＤＴ電極２に表面波エネルギーを閉じ込める機能を有している。

ダイヤモンド層５は、水晶基板１の裏面１ｂ上に熱フィラメントＣＶＤ法などにより形成されたダイヤモンドを主成分とする層である。ダイヤモンド層５は、ＩＤＴ電極２により励振され、水晶基板１の裏面１ｂの方向に伝播する擬似縦波型漏洩弾性表面波を反射し、水晶基板１の裏面１ｂからの擬似縦波型漏洩弾性表面波の漏洩を防ぐ機能を有している。

ここで、この機能について説明する。隣接する界面（本例では、水晶とダイヤモンド）に対し、入射側の音響インピーダンスをＺ１、出射側の音響インピーダンスをＺ２とした場合に、この界面の音響反射比（入射波と反射波の音圧の比）は、Ｒ＝（Ｚ２−Ｚ１）／（Ｚ２＋Ｚ１）で表される。Ｚ１＜Ｚ２であればＲは正となり、反射波の位相は正転し、Ｚ１＞Ｚ２であればＲは負となり、反射波の位相は反転する。なお、音響インピーダンスは、密度と音速の積で表されるものである。このように、圧電基板と反射部の音響インピーダンスが異なるようにすれば、界面で擬似縦波型漏洩弾性表面波の伝播とともに漏洩した漏洩波が反射される。即ち、水晶基板１の裏面１ｂに音響インピーダンスの異なるダイヤモンド層５を形成することにより漏洩波が反射され、ダイヤモンド層５の裏面１ｃにおいて振動変位がなくなり、この部分で保持してもエネルギーの漏洩を防止することができる。

なお、このダイヤモンド層５の厚みは、図２の擬似縦波型漏洩弾性表面波の変位分布に示すように、１λ（λ（ＩＤＴ波長）＝Ｖ（音速）／ｆ（発振周波数）・・・（１））の厚さがあればよく、伝播した擬似縦波型漏洩弾性表面波を十分に反射する機能を有する。例えば、水晶基板（音速Ｖ＝５７００ｍ／秒）を用い、発振周波数（ｆ）が２ＧＨｚ（ギガヘルツ）の場合では、式（１）から、λ＝２．８５μｍとなることから、ダイヤモンド層５の厚みは、２．８５μｍあればよいことになる。

ここで図２に示すグラフは、ダイヤモンド層５の厚みが１λの場合の擬似縦波型漏洩弾性表面波の変位分布を示し、図３に示すグラフは、ダイヤモンド層５の厚みが１０λの場合の擬似縦波型漏洩弾性表面波の変位分布を示している。図４に示すグラフは、比較例としての、ダイヤモンド層５が形成されていない場合の擬似縦波型漏洩弾性表面波の変位分布を示している。ここで、図２〜図４で示す縦軸は、擬似縦波型漏洩弾性表面波の変位を表し、横軸は、水晶基板１の深さ（厚さ）を、ｎ×λで表している。例えば、横軸で示す２０とは、２０×λ（ＩＤＴ波長）の深さである。また、図２〜図４で示すｕ１は、縦波成分（Ｘ軸方向の変位）、ｕ２は、深さ方向成分（Ｚ軸方向の変位）、ｕ３は、横波成分（Ｙ軸方向の変位）を示している。

図２は、２０λの厚さの水晶基板１の裏面に、厚みが１λのダイヤモンド層５を形成した場合の擬似縦波型漏洩弾性表面波の変位分布を示している。この場合は、図２に示すように、２０λ以上の部分では、擬似縦波型漏洩弾性表面波の変位が殆んどみられない。即ち、厚みが１λのダイヤモンド層５によって擬似縦波型漏洩弾性表面波の伝播とともに生じた漏洩波が反射されて、ダイヤモンド層５より外側には、エネルギーの漏洩が起きていないことが分かる。

図３は、２０λの厚さの水晶基板１の裏面に、厚みが１０λのダイヤモンド層５を形成した場合の擬似縦波型漏洩弾性表面波の変位分布を示している。この場合も図２に示す１λの場合と同様に、２０λ以上の部分では、擬似縦波型漏洩弾性表面波の変位が殆んどみられない。即ち、厚みが１０λのダイヤモンド層５を形成することによっても擬似縦波型漏洩弾性表面波の伝播とともに生じた漏洩波が反射されて、ダイヤモンド層５より外側には、エネルギーの漏洩が起きていないことが分かる。

図４は、比較例として、水晶基板１の裏面に、ダイヤモンド層５が形成されていない場合の擬似縦波型漏洩弾性表面波の変位分布を示している。この場合は、図４に示すように、擬似縦波型漏洩弾性表面波の減衰が殆んど見られず、水晶基板１の裏面も振動変位を有している。

図２および図３に示すように、水晶基板１に隣接する反射部としてのダイヤモンド層５の厚みが１λより大きければ、擬似縦波型漏洩弾性表面波の漏洩波が反射されて、ダイヤモンド層５より外側には、エネルギーの漏洩を生じない。従って、ダイヤモンド層５の裏面１ｃ全面に保持部としての接着剤等が付着されても、漏洩による特性の劣化がなく、ダイヤモンド層５の裏面１ｃ全面による水晶基板１の支持が可能となる。

このように、水晶基板１の支持のための面積を大きくすることができることから、応力集中を生じ難くさせることができ、水晶基板１の破損を防止することが可能となる。また、ダイヤモンド層５が、水晶基板１の補強層としての機能を果たすことも併せ、所謂耐衝撃性を向上させた弾性表面波素子を提供することが可能となる。

なお、前述では反射部としてダイヤモンド層５を一例として説明したが、反射部はこれに限らない。例えば、サファイヤ、モリブデン、タングステンなどの圧電基板の音響インピーダンスと異なる音響インピーダンスを有する材質であっても良い。さらに、圧電基板の音響インピーダンスよりも大きな音響インピーダンスを有している材質の方が反射効率を高めるためには好適である。

また、前述ではダイヤモンド層５の形成に熱フィラメントＣＶＤ法を用いることで説明したが、これに限らず、水晶基板１とダイヤモンド層５の接合が分子レベル或いは原子レベルの接合であればよく、界面での擬似縦波型漏洩弾性表面波の漏洩波を反射することができる。他の接合方法としては、例えば、陽極接合法、共晶法、直接接合法などを用いてもよい。
（第二実施形態）

次に、本実施形態に係る弾性表面波装置について図５を用いて説明する。図５は、前述の第一実施形態で説明した弾性表面波素子を収納容器に収容した弾性表面波装置の概略を示す正断面図である。

図５に示すように、弾性表面波装置２０は、収納容器２８と弾性表面波素子３０と蓋体２９とを備えている。セラミックスなどで形成された収納容器２８は、一面が開放されて底面２６および底面２７を有する凹部が設けられている。この凹部に、圧電基板としての水晶基板２１からなる弾性表面波素子３０をＩＤＴ電極２２が上（凹部の開放側）を向くように収納されている。水晶基板２１は、ＩＤＴ電極２２の形成面と反対面（裏面）に熱フィラメントＣＶＤ法などによって形成された反射部としてのダイヤモンド層２３の一面を、保持部としての接着剤層２４などを用いることによって凹部の底面２７に接続されている。このダイヤモンド層２３については、前述した第一実施形態と同様であるので、ここでの説明は省略する。水晶基板２１は、ＩＤＴ電極２２の形成面の図示しない電極と凹部の底面２６の図示しない配線電極などとワイヤー配線２５などで電気的に接続されている。そして、収納容器２８の上面には蓋体２９が、内部を真空雰囲気あるいは不活性ガス雰囲気に保持して封止され、パッケージされた弾性表面波装置２０が形成される。

上述のように、本実施形態の弾性表面波装置２０は、擬似縦波型漏洩弾性表面波の漏洩波の反射部としてのダイヤモンド層２３を介して収納容器２８の底面２７に弾性表面波素子３０が接続されている。このダイヤモンド層２３が擬似縦波型漏洩弾性表面波の漏洩波を反射し、ダイヤモンド層２３より外側、即ち、接着剤層２４および底面２７には、エネルギーが漏洩しないため、ダイヤモンド層２３全面での接続を行うことができる。このように、弾性表面波素子３０の接続面積を大きくすることができるため、応力集中を生じ難くさせることができ、水晶基板２１の破損を防止することが可能となり、所謂耐衝撃性を向上させた弾性表面波装置２０を提供することが可能となる。
（第三実施形態）

次に、本実施形態に係る弾性表面波装置について図６を用いて説明する。図６は、前述の第一実施形態で説明した弾性表面波素子を収納容器に収容した弾性表面波装置の概略を示す正断面図である。

図６に示すように、弾性表面波装置５０は、収納容器５５と弾性表面波素子６０とを備えている。セラミックスなどで形成された収納容器５５は、一面が開放された凹部が設けられている。この収納容器５５の凹部内に、圧電基板としての水晶基板５１と反射部としてのダイヤモンド層５３とからなる弾性表面波素子６０を、ＩＤＴ電極５２を下（凹部の底面側）向きにし、金バンプ５４を介してマウントさせ、電気的接続と機械的接続を同時に果たしている。そして、収納容器５５内には、樹脂などによる保持部としての充填剤５６が、ＩＤＴ電極５２の形成面を除き充填され、弾性表面波素子６０を保護し、パッケージされた弾性表面波装置５０となる。

上述のように、本実施形態の弾性表面波装置５０は、弾性表面波素子６０が擬似縦波型漏洩弾性表面波の漏洩波を反射する反射部としてのダイヤモンド層５３を介して保持部としての充填剤５６に覆われている。このダイヤモンド層５３が擬似縦波型漏洩弾性表面波の漏洩波を反射し、ダイヤモンド層５３より外側、即ち、充填剤５６には、エネルギーが漏洩しないため、ダイヤモンド層５３全面を充填剤５６で覆うことが可能となる。このように、弾性表面波素子６０の裏面側を充填剤５６で覆うため接続面積が大きくなり、応力集中を生じ難くさせることができる。これにより、水晶基板５１の破損を防止することが可能となり、所謂耐衝撃性を向上させた弾性表面波装置５０を提供することが可能となる。
（第四実施形態）

次に、本実施形態に係る弾性表面波装置について図７を用いて説明する。図７は、第四実施形態の弾性表面波装置の概略を示す正断面図である。

図７に示すように、弾性表面波装置７０は、セラミックなどで形成された基板７５上に弾性表面波素子７７が接続されており、それらの周囲を覆うように保持部としてのモールド樹脂７６が設けられた、所謂ＣＳＰ形態で構成されている。
弾性表面波素子７７は、圧電基板としての水晶基板７１、反射部としてのダイヤモンド層７３および水晶基板７１の表面に形成されたＩＤＴ電極７２などから構成されている。
弾性表面波素子７７は、ＩＤＴ電極７２が基板７５に向かう状態で金バンプ７４を介してマウントされ、電気的接続と機械的接続を同時に果たしている。
そして、エポキシ樹脂などによるモールド樹脂７６が、ＩＤＴ電極７２の形成面を除いた状態で設けられて弾性表面波素子７７を保護し、パッケージされた弾性表面波装置７０となる。

本実施形態の弾性表面波装置７０は、弾性表面波素子７７が擬似縦波型漏洩弾性表面波の漏洩波を反射する反射部としてのダイヤモンド層７３を介してモールド樹脂７６に覆われている。このダイヤモンド層７３が擬似縦波型漏洩弾性表面波の漏洩波を反射し、ダイヤモンド層７３より外側、即ち、モールド樹脂７６には、エネルギーが漏洩しないため、ダイヤモンド層７３全面をモールド樹脂７６で覆うことが可能となる。このように、弾性表面波素子７７の裏面側をモールド樹脂７６で覆うため接続面積が大きくなり、応力集中を生じ難くさせることができる。これにより、水晶基板７１の破損を防止することが可能となる。加えて、収納容器が不要となるため小型化することも可能となる。これらにより、耐衝撃性を向上させた小型の弾性表面波装置７０を提供することが可能となる。
（第五実施形態）

次に第五実施形態として本発明の電子機器の実施形態について説明する。図８は、電子機器の構成を示す構成図である。電子機器８０には、上述の第一実施形態から第四実施形態で説明したような弾性表面波装置９０（図５、図６および図７に示した弾性表面波装置２０，５０，７０）を備えている。この実施形態に係る電子機器としては、例えば、携帯電話やキーレスエントリーシステムなどが挙げられる。携帯電話の場合には、弾性表面波装置９０を携帯電話の周波数選別フィルタとして用いるようにした。また、キーレスエントリーシステムの場合には、弾性表面波装置９０を、発振器の共振子として用いるようにした。

このように、この実施形態の電子機器８０は、擬似縦波型漏洩弾性表面波を利用した弾性表面波装置９０をフィルタや共振子、あるいは発振器として含んだものである。このような構成からなる電子機器８０は、耐衝撃性が向上した弾性表面波装置９０を備えており、外部からの衝撃にも耐え得る良好な性能を持った電子機器８０を提供できる。

なお、前述の実施形態では、圧電基板の一例として水晶基板を用いて説明したがこれに限らない。例えば、タンタル酸リチウム基板、ニオブ酸リチウム基板または四ホウ酸リチウム基板などの圧電性を有する基板を用いてもよく、その効果は同様である。

第一実施形態の弾性表面波素子の概略構成を示し、（ａ）は、斜視図、（ｂ）は、（ａ）のＡ−Ａ断面図。第一実施形態の一例の擬似縦波型漏洩弾性表面波の変位分布を示すグラフ。第一実施形態の一例の擬似縦波型漏洩弾性表面波の変位分布を示すグラフ。比較例としての擬似縦波型漏洩弾性表面波の変位分布を示すグラフ。第二実施形態の弾性表面波装置の概略を示す正断面図。第三実施形態の弾性表面波装置の概略を示す正断面図。第四実施形態の弾性表面波装置の概略を示す正断面図。第五実施形態の電子機器の概略を示す構成図。従来の弾性表面波装置を示す正断面図。

符号の説明

１…圧電基板としての水晶基板、１ａ…水晶基板の表面、１ｂ…水晶基板の裏面、１ｃ…ダイヤモンド層の裏面、２…ＩＤＴ電極、３ａ、３ｂ…反射器電極、１０，３０，６０，７７…弾性表面波素子、５…反射部としてのダイヤモンド層、２０，５０，７０…弾性表面波装置、８０…電子機器、ｔ…圧電基板の厚み、ｈ…電極の厚み、λ…ＩＤＴ波長、Ｐ…ＩＤＴ電極のピッチ。

Claims

圧電基板と、前記圧電基板上に形成された擬似縦波型漏洩弾性表面波を励振させるＩＤＴ電極を備えた弾性表面波素子であって、
前記ＩＤＴ電極が形成された面と表裏の関係にある前記圧電基板の裏面上に、前記圧電基板の有する音響インピーダンスと異なる音響インピーダンスを有する反射部が形成されていることを特徴とする弾性表面波素子。
請求項１に記載の弾性表面波素子において、
前記反射部の音響インピーダンスが、前記圧電基板の音響インピーダンスより大きいことを特徴とする弾性表面波素子。
請求項１または請求項２に記載の弾性表面波素子において、
前記圧電基板と前記反射部との境界が、陽極接合または直接接合によって接合されていることを特徴とする弾性表面波素子。
請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の弾性表面波素子において、
前記反射部が、薄膜で形成されていることを特徴とする弾性表面波素子。
請求項１ないし請求項４のいずれか一項に記載の弾性表面波素子において、
前記反射部は、前記圧電基板の平面と同一形状、または前記圧電基板の平面積以上の平面積を有していることを特徴とする弾性表面波素子。
圧電基板と、前記圧電基板上に形成された擬似縦波型漏洩弾性表面波を励振させるＩＤＴ電極を備えた弾性表面波装置であって、
前記ＩＤＴ電極が形成された面と表裏の関係にある前記圧電基板の裏面上に、前記圧電基板の有する音響インピーダンスと異なる音響インピーダンスを有し形成された反射部と、
前記反射部に接するように形成された保持部とを有することを特徴とする弾性表面波装置。
請求項６に記載の弾性表面波装置において、
前記反射部の音響インピーダンスが、前記圧電基板の音響インピーダンスより大きいことを特徴とする弾性表面波装置。
請求項６または請求項７に記載の弾性表面波装置において、
前記圧電基板と前記反射部との境界が、陽極接合または直接接合によって接合されていることを特徴とする弾性表面波装置。
請求項６ないし請求項８のいずれか一項に記載の弾性表面波装置において、
前記反射部が、薄膜で形成されていることを特徴とする弾性表面波装置。
請求項６ないし請求項９のいずれか一項に記載の弾性表面波装置において、
前記反射部は、前記圧電基板の平面と同一形状、または前記圧電基板の平面積以上の平面積を有していることを特徴とする弾性表面波装置。
圧電基板と、前記圧電基板上に形成された擬似縦波型漏洩弾性表面波を励振させるためのＩＤＴ電極を備えた弾性表面波装置であって、前記ＩＤＴ電極が形成された面と表裏の関係にある前記圧電基板の裏面上に、前記圧電基板の有する音響インピーダンスと異なる音響インピーダンスを有する反射部が形成されている弾性表面波装置を備えていることを特徴とする電子機器。