JP2007208990A - 負荷を整合するための方法および装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】可変の負荷のインピーダンスをHF発生器の出力抵抗に整合する方法において、第1の周波数で第1の負荷インピーダンスに対して第1の整合を行い、第2の周波数で第2の負荷インピーダンスに対して第2の整合を行う。
【選択図】図1
Description
a.第1の周波数において第1の負荷インピーダンスの第1のインピーダンス整合を行うための第1の整合ネットワークを求める。
本発明はさらに、HF発生器と、負荷と、該HF発生器と負荷との間に配置された前記の整合装置とを備えたプラズマ処理励起回路にも関する。
2 HF発生器
3 ドライバ段
4,10 ケーブル
5 管出力段
6 出力回路
7 出力端
8 負荷
9 整合装置
11,12 整合ネットワーク
13 最小構造
Claims (15)
- 可変の負荷(8)のインピーダンスをHF発生器(2)の出力抵抗に整合する方法であって、
第1の負荷インピーダンス(8a)に対して第1の整合を行い、第2の負荷インピーダンス(8b)に対して第2の整合を行う形式の方法において、
該第1の整合を第1の周波数において行い、該第2の整合を第2の周波数において行うことを特徴とする方法。 - 2つの周波数において2つの異なる負荷インピーダンス(8a,8b)に対して構成され固定的に調整された可変でない整合装置(9)を使用して、両負荷インピーダンス(8a,8b)に対してインピーダンス整合を行う、請求項1記載の方法。
- 前記第1の周波数および第2の周波数を、前記HF発生器(2)の周波数スペクトルから選択する、請求項1または2記載の方法。
- 第1の周波数として基本周波数を選択し、第2の周波数として高調波を選択する、請求項1から3までのいずれか1項記載の方法。
- インピーダンス整合を行うために整合装置(9)を使用し、
該整合装置(9)の構成を求めるために、
a.第1の周波数において第1の負荷インピーダンス(8a)の第1のインピーダンス整合を行うための第1の整合ネットワーク(11)を求め、
b.第2の周波数において第2の負荷インピーダンス(8b)の第2のインピーダンス整合を行うための第2の整合ネットワーク(12)を求め、
c.両整合ネットワーク(11,12)を含む最小構造(13)を求め、
d.該最小構造(13)の個々の構成要素(C1,C2,L3)を、両周波数に関してそれぞれ所望のL値またはC値を表す直列LC回路および/または並列LC回路(14,15,16)に置き換える、請求項1から4までのいずれか1項記載の方法。 - 前記第1の負荷インピーダンス(8a)および第2の負荷インピーダンス(8b)を設定する、請求項1から5までのいずれか1項記載の方法。
- 前記第1の負荷インピーダンス(8a)を、点灯されたプラズマのインピーダンスの領域内で選択する、請求項1から6までのいずれか1項記載の方法。
- 前記第2の負荷インピーダンス(8b)を、未点灯の放電区間のインピーダンスの領域内で選択する、請求項1から7までのいずれか1項記載の方法。
- 可変の負荷(8)のインピーダンスをHF発生器(2)の出力抵抗に整合するための整合装置(9)において、
第1の周波数において第1の負荷インピーダンス(8a)のインピーダンス整合を行い、かつ第2の周波数において第2の負荷インピーダンス(8b)のインピーダンス整合を行うために構成されていることを特徴とする整合装置。 - 前記第1の周波数は前記HF発生器(2)の基本周波数であり、前記第2の周波数は該基本周波数の高調波である、請求項9記載の整合装置。
- 第1の負荷インピーダンス(8a)および第2の負荷インピーダンス(8b)を整合するために固定的に調整されている、請求項9または10記載の整合装置。
- 可変の構成要素および/またはスイッチング素子を有さない、請求項9から11までのいずれか1項記載の整合装置。
- 複数の受動素子から成る直列回路および/または並列回路として構成され、
該整合装置(9)の整合特性が2つの所定の周波数に対して異なるように構成され、
前記複数の受動素子は、たとえばコイルおよび/またはコンデンサである、請求項9から12までのいずれか1項記載の整合装置。 - プラズマ処理励起回路(1)において、
HF発生器(2)と負荷(8)とを有し、
該HF発生器(2)と負荷(8)との間に、請求項9から13までのいずれか1項記載の整合装置(9)が配置されていることを特徴とする、プラズマ処理励起回路。 - 電力制御部(15)によって設定可能なキーイング比で、パルス波形で電力を供給するように構成されており、
前記HF発生器(2)の出力回路(6)は低い品質Qを有し、たとえば品質Q<3を有する、請求項14記載のプラズマ処理励起回路。
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012074361A (ja) * | 2010-09-29 | 2012-04-12 | Advanced Micro-Fabrication Equipment Inc (Asia) | マルチ周波数マッチングのための単一マッチングネットワーク、その構築方法及び当該マッチングネットワークを使用するrfパワーサプライヤーシステム |
| KR101140602B1 (ko) | 2011-06-07 | 2012-05-02 | 엘아이지넥스원 주식회사 | 고전압 펄스 전원장치를 위한 동축 정합 부하기 |
| CN107079576A (zh) * | 2014-08-15 | 2017-08-18 | 应用材料公司 | 用于等离子体处理系统的紧凑型可配置式模块化射频匹配网络组件 |
| WO2021205703A1 (ja) * | 2020-04-09 | 2021-10-14 | 東京計器株式会社 | 高周波生成装置 |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100362619C (zh) * | 2005-08-05 | 2008-01-16 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 真空反应室的射频匹配耦合网络及其配置方法 |
| CN105137643A (zh) * | 2008-03-11 | 2015-12-09 | 希毕克斯影像有限公司 | 用于反射型显示器的辉度增强结构 |
| WO2009146439A1 (en) * | 2008-05-30 | 2009-12-03 | Colorado State University Research Foundation | System, method and apparatus for generating plasma |
| DE102011076404B4 (de) * | 2011-05-24 | 2014-06-26 | TRUMPF Hüttinger GmbH + Co. KG | Verfahren zur Impedanzanpassung der Ausgangsimpedanz einer Hochfrequenzleistungsversorgungsanordnung an die Impedanz einer Plasmalast und Hochfrequenzleistungsversorgungsanordnung |
| EP2675064B1 (en) * | 2012-06-15 | 2020-02-12 | Ecole Polytechnique | Electrical circuit to impedance match a source and a load at multiple frequencies, method to design such a circuit |
| CN105789836B (zh) * | 2014-12-24 | 2019-06-25 | 联想(北京)有限公司 | 天线系统和移动终端 |
| DE102018204587B4 (de) | 2018-03-26 | 2019-10-24 | TRUMPF Hüttinger GmbH + Co. KG | Verfahren zur Zündung eines Plasmas in einer Plasmakammer und Zündschaltung |
| US20250239435A1 (en) * | 2024-01-19 | 2025-07-24 | Applied Materials, Inc. | Switching circuit for multilevel plasma impedance matching |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06252791A (ja) * | 1993-02-26 | 1994-09-09 | Nec Corp | アンテナ用二周波整合回路 |
| JP2000077964A (ja) * | 1998-08-28 | 2000-03-14 | Mitsubishi Electric Corp | 2周波整合回路 |
| JP2001156051A (ja) * | 1999-09-13 | 2001-06-08 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置 |
| JP2005500684A (ja) * | 2001-08-16 | 2005-01-06 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 調整可能な2つの周波数電圧の分配を備えたプラズマリアクタ |
| WO2005119734A1 (en) * | 2004-05-28 | 2005-12-15 | Lam Research Corporation | Plasma processor with electrode responsive to multiple rf frequencies |
Family Cites Families (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3805921A1 (de) * | 1988-02-25 | 1989-09-07 | Flachenecker Gerhard | Hochfrequenz-leistungsgenerator |
| US5135628A (en) * | 1989-05-05 | 1992-08-04 | Isco, Inc. | Pulsed field gel electrophoresis of large DNA |
| JPH02298024A (ja) * | 1989-05-12 | 1990-12-10 | Tadahiro Omi | リアクティブイオンエッチング装置 |
| US5288971A (en) * | 1991-08-09 | 1994-02-22 | Advanced Energy Industries, Inc. | System for igniting a plasma for thin film processing |
| JPH07191764A (ja) * | 1993-12-27 | 1995-07-28 | Fujitsu Ltd | 高周波電源装置及びプラズマ発生装置 |
| US5556549A (en) * | 1994-05-02 | 1996-09-17 | Lsi Logic Corporation | Power control and delivery in plasma processing equipment |
| US5793162A (en) * | 1995-12-29 | 1998-08-11 | Lam Research Corporation | Apparatus for controlling matching network of a vacuum plasma processor and memory for same |
| US5982099A (en) | 1996-03-29 | 1999-11-09 | Lam Research Corporation | Method of and apparatus for igniting a plasma in an r.f. plasma processor |
| DE19717127A1 (de) * | 1996-04-23 | 1998-10-29 | Fraunhofer Ges Forschung | Anregen elektrischer Entladungen mit Kurzzeit-Spannungspulsen |
| US6136388A (en) * | 1997-12-01 | 2000-10-24 | Applied Materials, Inc. | Substrate processing chamber with tunable impedance |
| US6098568A (en) * | 1997-12-01 | 2000-08-08 | Applied Materials, Inc. | Mixed frequency CVD apparatus |
| JP4286404B2 (ja) * | 1999-10-15 | 2009-07-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 整合器およびプラズマ処理装置 |
| JP4514911B2 (ja) * | 2000-07-19 | 2010-07-28 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| TW529085B (en) | 2000-09-22 | 2003-04-21 | Alps Electric Co Ltd | Method for evaluating performance of plasma treatment apparatus or performance confirming system of plasma treatment system |
| US6631693B2 (en) * | 2001-01-30 | 2003-10-14 | Novellus Systems, Inc. | Absorptive filter for semiconductor processing systems |
| US6537421B2 (en) * | 2001-07-24 | 2003-03-25 | Tokyo Electron Limited | RF bias control in plasma deposition and etch systems with multiple RF power sources |
| JP2003179045A (ja) * | 2001-12-13 | 2003-06-27 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置及びその制御方法 |
| JP4024053B2 (ja) * | 2002-02-08 | 2007-12-19 | キヤノンアネルバ株式会社 | 高周波プラズマ処理方法及び高周波プラズマ処理装置 |
| US7480571B2 (en) * | 2002-03-08 | 2009-01-20 | Lam Research Corporation | Apparatus and methods for improving the stability of RF power delivery to a plasma load |
| KR100500852B1 (ko) * | 2002-10-10 | 2005-07-12 | 최대규 | 원격 플라즈마 발생기 |
| US6822396B2 (en) | 2003-01-31 | 2004-11-23 | Advanced Energy Industries, Inc. | Transformer ignition circuit for a transformer coupled plasma source |
| US7326872B2 (en) * | 2004-04-28 | 2008-02-05 | Applied Materials, Inc. | Multi-frequency dynamic dummy load and method for testing plasma reactor multi-frequency impedance match networks |
-
2006
- 2006-02-04 DE DE102006005128A patent/DE102006005128B4/de not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-02-02 US US11/670,637 patent/US7692389B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-02-02 JP JP2007024521A patent/JP4681568B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06252791A (ja) * | 1993-02-26 | 1994-09-09 | Nec Corp | アンテナ用二周波整合回路 |
| JP2000077964A (ja) * | 1998-08-28 | 2000-03-14 | Mitsubishi Electric Corp | 2周波整合回路 |
| JP2001156051A (ja) * | 1999-09-13 | 2001-06-08 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置 |
| JP2005500684A (ja) * | 2001-08-16 | 2005-01-06 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 調整可能な2つの周波数電圧の分配を備えたプラズマリアクタ |
| WO2005119734A1 (en) * | 2004-05-28 | 2005-12-15 | Lam Research Corporation | Plasma processor with electrode responsive to multiple rf frequencies |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012074361A (ja) * | 2010-09-29 | 2012-04-12 | Advanced Micro-Fabrication Equipment Inc (Asia) | マルチ周波数マッチングのための単一マッチングネットワーク、その構築方法及び当該マッチングネットワークを使用するrfパワーサプライヤーシステム |
| KR101140602B1 (ko) | 2011-06-07 | 2012-05-02 | 엘아이지넥스원 주식회사 | 고전압 펄스 전원장치를 위한 동축 정합 부하기 |
| CN107079576A (zh) * | 2014-08-15 | 2017-08-18 | 应用材料公司 | 用于等离子体处理系统的紧凑型可配置式模块化射频匹配网络组件 |
| TWI672724B (zh) * | 2014-08-15 | 2019-09-21 | 美商應用材料股份有限公司 | 用於電漿處理系統的小型可配置式模組化射頻匹配網路組件 |
| CN107079576B (zh) * | 2014-08-15 | 2020-01-21 | 应用材料公司 | 用于等离子体处理系统的紧凑型可配置式模块化射频匹配网络组件 |
| WO2021205703A1 (ja) * | 2020-04-09 | 2021-10-14 | 東京計器株式会社 | 高周波生成装置 |
| JP2021168231A (ja) * | 2020-04-09 | 2021-10-21 | 東京計器株式会社 | 高周波生成装置 |
| CN115336397A (zh) * | 2020-04-09 | 2022-11-11 | 东京计器株式会社 | 高频生成装置 |
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| Publication number | Publication date |
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