JP2007298362A - Capacitive liquid level sensor - Google Patents
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Abstract
【課題】誘電率の異なる液体に対しても安定した液面レベル検知が可能な静電容量式液面レベルセンサを提供すること。
【解決手段】静電容量式液面レベルセンサ10は、各々が液面レベルに対応して変化する静電容量を有し、静電容量の比も液面レベルに対応して変化する第1および第2のセンサ素子12,13を備えている。それにより、静電容量の比に基づいて、誘電率の異なる液体に対しても、誘電率に影響を受けずに安定した液面レベル検出を行うことができる。
【選択図】図1A capacitive liquid level sensor capable of detecting a stable liquid level even for liquids having different dielectric constants.
A capacitance type liquid level sensor has a capacitance that changes in accordance with the liquid level, and a ratio of the capacitance also changes in accordance with the liquid level. And second sensor elements 12 and 13. Accordingly, it is possible to perform stable liquid level detection without being influenced by the dielectric constant even for liquids having different dielectric constants based on the capacitance ratio.
[Selection] Figure 1
Description
本発明は、静電容量式液面レベルセンサに関する。 The present invention relates to a capacitance type liquid level sensor.
図13は、従来の静電容量式液面レベルセンサの構成例を示す斜視図である。静電容量式液面レベルセンサ1は、絶縁性基板2と、基板2の主面に配置された一対の電極3a,3bとを備えている。一対の電極3a,3bは、それぞれターミナル部4と検出部5とを有している。検出部5は、ターミナル部4から延びる本体部6と、本体部6に等間隔にかつ直交して設けられた複数の直交部7とを有している。液面レベルの上昇に伴い、電極間静電容量が増加し、その値をターミナル部4から検出することで液面レベルを出力する。このセンサの特徴として、電極3a,3bに複数の直交部7を持つことがあげられる。液面が各直交部7に到達すると、電極3a,3b間の静電容量が大きく変化するので、液面検出が容易である(特許文献1参照)。
上述の構成を有する静電容量式液面レベルセンサは、同一平面に配置されたパターン間の容量を検出するセンサであり、実質的に対向する極板面積は小さく、液面レベルに対するセンサ容量変化も小さい。よって、誘電率が低い溶液などの液面レベル検出は困難である。したがって、誘電率の異なる液体の液面レベル検出を考慮した場合、誘電率が低い液体の液面レベル検出時には、センサが接続される検出回路部分での補正が必要とされる。 The capacitive liquid level sensor having the above-described configuration is a sensor that detects the capacitance between patterns arranged on the same plane, and the electrode plate area that is substantially opposed is small, and the sensor capacitance changes with respect to the liquid level. Is also small. Therefore, it is difficult to detect the liquid level of a solution having a low dielectric constant. Therefore, when liquid level detection of liquids having different dielectric constants is taken into consideration, correction at the detection circuit portion to which the sensor is connected is required when detecting the liquid level of liquids having low dielectric constants.
また、この静電容量式液面レベルセンサは、リファレンスセンサ部を持っていないため、検出した値そのままが液面レベルとなる問題がある。この場合、溶液の誘電率、電極の状態など外的要因により測定値は変化するため、常に信頼性のある容量検出をすることが難しい。 Moreover, since this electrostatic capacitance type liquid level sensor does not have a reference sensor part, there is a problem that the detected value becomes the liquid level. In this case, since the measured value varies depending on external factors such as the dielectric constant of the solution and the state of the electrode, it is difficult to always reliably detect the capacitance.
そこで、本発明は、上記の課題に鑑み、誘電率の異なる液体に対しても安定した液面レベル検知が可能な静電容量式液面レベルセンサを提供することを課題とする。 In view of the above problems, an object of the present invention is to provide a capacitance type liquid level sensor capable of stable liquid level detection even for liquids having different dielectric constants.
上記課題を解決するためになされた請求項1記載の発明は、静電容量により液体の液面レベルを検出する静電容量式液面レベルセンサであって、各々が前記液面レベルに対応して変化する静電容量を有し、前記静電容量の比も前記液面レベルに対応して変化する第1および第2のセンサ素子を備えていることを特徴とする静電容量式液面レベルセンサに存する。
The invention according to
請求項1記載の発明においては、静電容量式液面レベルセンサは、各々が液面レベルに対応して変化する静電容量を有し、静電容量の比も液面レベルに対応して変化する第1および第2のセンサ素子を備えている。それにより、静電容量の比に基づいて、誘電率の異なる液体に対しても、誘電率に影響を受けずに安定した液面レベル検出を行うことができる。 In the first aspect of the present invention, each of the capacitance type liquid level sensors has a capacitance that changes corresponding to the liquid level, and the ratio of the capacitance also corresponds to the liquid level. First and second sensor elements that change are provided. Accordingly, it is possible to perform stable liquid level detection without being influenced by the dielectric constant even for liquids having different dielectric constants based on the capacitance ratio.
上記課題を解決するためになされた請求項2記載の発明は、請求項1記載の静電容量式液面レベルセンサにおいて、前記第1および第2のセンサ素子は、それぞれ、前記液面レベルに対応して異なる変化率で増加すると共に、検出可能な最大液面レベルで一致する静電容量を有することを特徴とする静電容量式液面レベルセンサに存する。 According to a second aspect of the present invention, there is provided a capacitive liquid level sensor according to the first aspect, wherein each of the first and second sensor elements is at the liquid level. Correspondingly, the capacitance level sensor has a capacitance that increases at different rates of change and has a matching capacitance at the maximum detectable liquid level.
請求項2記載の発明においては、第1および第2のセンサ素子は、それぞれ、液面レベルに対応して異なる変化率で増加すると共に、検出可能な最大液面レベルで一致する静電容量を有する。それにより、検出可能な最大液面レベルまで静電容量の比が液面レベルに対応して変化し、液面レベルを感度良く検出することができる。
In the invention described in
上記課題を解決するためになされた請求項3記載の発明は、請求項1または2記載の静電容量式液面レベルセンサにおいて、前記静電容量式液面レベルセンサは、支持基板と、前記支持基板の一方の面に配置された前記第1のセンサ素子と、前記支持基板の他方の面に配置された前記第2のセンサ素子とを有し、前記第1および第2のセンサ素子は、それぞれ、平板状に形成された信号電極および接地電極と、前記信号電極および接地電極の極板間にセンサ長手方向の一端から他端に向かう方向に次第に幅が狭くなる空隙を生じるように配置された誘電体とからなる積層構造を有し、前記第2のセンサ素子の前記空隙は、前記第1のセンサ素子の前記空隙と逆方向に次第に幅が狭くなっていることを特徴とする静電容量式液面レベルセンサに存する。
In order to solve the above-mentioned problem, the invention according to
請求項3記載の発明においては、静電容量式液面レベルセンサは、支持基板と、支持基板の一方の面に配置された第1のセンサ素子と、支持基板の他方の面に配置された第2のセンサ素子とを有し、第1および第2のセンサ素子は、それぞれ、平板状に形成された信号電極および接地電極と、信号電極および接地電極の極板間にセンサ長手方向の一端から他端に向かう方向に次第に幅が狭くなる空隙を生じるように配置された誘電体とからなる積層構造を有し、第2のセンサ素子の前記空隙は、第1のセンサ素子の前記空隙と逆方向に次第に幅が狭くなっている。それにより、第1および第2のセンサ素子の静電容量の比を大きくすることができ、液面レベルの検出精度を高めることができる。 According to a third aspect of the present invention, the capacitive liquid level sensor is disposed on the support substrate, the first sensor element disposed on one surface of the support substrate, and the other surface of the support substrate. Each of the first and second sensor elements includes a signal electrode and a ground electrode formed in a flat plate shape, and one end in the sensor longitudinal direction between the electrode plates of the signal electrode and the ground electrode. And a dielectric layer disposed so as to generate a gap whose width gradually decreases in the direction from the other end to the other end, and the gap of the second sensor element is the same as the gap of the first sensor element. The width gradually decreases in the opposite direction. Thereby, the capacitance ratio of the first and second sensor elements can be increased, and the detection accuracy of the liquid level can be increased.
上記課題を解決するためになされた請求項4記載の発明は、請求項3記載の静電容量式液面レベルセンサにおいて、前記誘電体は、センサ長手方向に対して90°以外の角度を有してセンサ幅を横切る一定幅の空隙が間隔をおいて複数生じるように配置され、前記複数の空隙は、その一定幅がセンサ長手方向の一端から他端に向かう方向に次第に狭くなるように設定されていることを特徴とする静電容量式液面レベルセンサに存する。 According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a capacitive liquid level sensor according to the third aspect, wherein the dielectric has an angle other than 90 ° with respect to the sensor longitudinal direction. Are arranged so that a plurality of gaps having a constant width across the sensor width are formed at intervals, and the plurality of gaps are set so that the constant width gradually becomes narrower in a direction from one end to the other end in the sensor longitudinal direction. It exists in the electrostatic capacitance type liquid level sensor characterized by the above-mentioned.
請求項4記載の発明においては、誘電体は、センサ長手方向に対して90°以外の角度を有してセンサ幅を横切る一定幅の空隙が間隔をおいて複数生じるように配置され、複数の空隙は、その一定幅がセンサ長手方向の一端から他端に向かう方向に次第に狭くなるように設定されている。それにより、第1および第2の静電容量変化と静電容量の比とを液面レベルの関数にすることができる。
In the invention according to
上記課題を解決するためになされた請求項5記載の発明は、請求項3記載の静電容量式液面レベルセンサにおいて、前記誘電体は、センサ長手方向の一端から他端にかけて対角線を引くように次第に幅が狭くなる空隙を生じるように配置されていることを特徴とする静電容量式液面レベルセンサに存する。
In order to solve the above-mentioned problem, the invention according to
請求項5記載の発明においては、誘電体は、センサ長手方向の一端から他端にかけて対角線を引くように次第に幅が狭くなる空隙を生じるように配置されている。それにより、第1および第2の静電容量変化と静電容量の比とを液面レベルの関数にすることができる。
In the invention described in
上記課題を解決するためになされた請求項6記載の発明は、請求項1から5のいずれか1項に記載の静電容量式液面レベルセンサにおいて、前記第1および第2のセンサ素子は、それぞれ支持基板の表裏に配置されていることを特徴とする静電容量式液面レベルセンサに存する。
In order to solve the above-mentioned problem, the invention according to
請求項6記載の発明においては、第1および第2のセンサ素子は、それぞれ支持基板の表裏に配置されている。それにより、静電容量式液面レベルセンサ全体の幅が小さくなり省スペースでコンパクトなセンサが実現できる。
In the invention described in
上記課題を解決するためになされた請求項7記載の発明は、請求項1から5のいずれか1項に記載の静電容量式液面レベルセンサにおいて、前記第1および第2のセンサ素子は、それぞれ、支持基板の同一面に配置されていることを特徴とする静電容量式液面レベルセンサに存する。
In order to solve the above-mentioned problem, the invention according to
請求項7記載の発明においては、第1および第2のセンサ素子は、それぞれ、支持基板の同一面に配置されている。それにより、静電容量式液面レベルセンサの厚みが薄くなり、センサの厚みが問題となる取り付け環境の場合に好適なセンサが実現できる。
In the invention according to
請求項1記載の発明によれば、静電容量により液体の液面レベルを検出する静電容量式液面レベルセンサであって、各々が液面レベルに対応して変化する静電容量を有し、静電容量の比も液面レベルに対応して変化する第1および第2のセンサ素子を備えているので、静電容量の比に基づいて、誘電率の異なる液体に対しても、誘電率に影響を受けずに安定した液面レベル検出を行うことができる。 According to the first aspect of the present invention, there is provided a capacitance type liquid level sensor that detects the liquid level of the liquid based on the capacitance, each having a capacitance that changes in accordance with the liquid level. In addition, since the capacitance ratio is provided with the first and second sensor elements that change in accordance with the liquid surface level, based on the capacitance ratio, even for liquids having different dielectric constants, Stable liquid level detection can be performed without being affected by the dielectric constant.
請求項2記載の発明によれば、前記第1および第2のセンサ素子は、それぞれ、前記液面レベルに対応して異なる変化率で増加すると共に、検出可能な最大液面レベルで一致する静電容量を有するので、検出可能な最大液面レベルまで静電容量の比が液面レベルに対応して変化し、液面レベルを感度良く検出することができる。 According to a second aspect of the present invention, each of the first and second sensor elements increases at a different rate of change corresponding to the liquid level, and is static at the maximum detectable liquid level. Since it has electric capacity, the ratio of the electrostatic capacity changes corresponding to the liquid level up to the maximum detectable liquid level, and the liquid level can be detected with high sensitivity.
請求項3記載の発明によれば、静電容量式液面レベルセンサは、支持基板と、支持基板の一方の面に配置された第1のセンサ素子と、支持基板の他方の面に配置された前記第2のセンサ素子とを有し、第1および第2のセンサ素子は、それぞれ、平板状に形成された信号電極および接地電極と、信号電極および接地電極の極板間にセンサ長手方向の一端から他端に向かう方向に次第に幅が狭くなる空隙を生じるように配置された誘電体とからなる積層構造を有し、第2のセンサ素子の空隙は、第1のセンサ素子の空隙と逆方向に次第に幅が狭くなっているので、第1および第2のセンサ素子の静電容量の比を大きくすることができ、液面レベルの検出精度を高めることができる。 According to the third aspect of the present invention, the capacitance type liquid level sensor is disposed on the support substrate, the first sensor element disposed on one surface of the support substrate, and the other surface of the support substrate. The first sensor element and the second sensor element have a signal electrode and a ground electrode formed in a flat plate shape, and a sensor longitudinal direction between electrode plates of the signal electrode and the ground electrode, respectively. A gap between the first sensor element and the first sensor element. The gap between the first sensor element and the first sensor element is a gap between the first sensor element and the first sensor element. Since the width is gradually narrowed in the reverse direction, the ratio of the capacitances of the first and second sensor elements can be increased, and the detection accuracy of the liquid level can be increased.
請求項4記載の発明によれば、誘電体は、センサ長手方向に対して90°以外の角度を有してセンサ幅を横切る一定幅の空隙が間隔をおいて複数生じるように配置され、複数の空隙は、その一定幅がセンサ長手方向の一端から他端に向かう方向に次第に狭くなるように設定されているので、第1および第2の静電容量変化と静電容量の比とを液面レベルの関数にすることができる。 According to the fourth aspect of the present invention, the dielectric is arranged such that a plurality of gaps having a constant width across the width of the sensor are formed with an angle other than 90 ° with respect to the sensor longitudinal direction. The gap is set so that the constant width gradually becomes narrower in the direction from one end of the sensor in the longitudinal direction to the other end, so that the ratio between the first and second capacitance changes and the capacitance can be determined. It can be a surface level function.
請求項5記載の発明によれば、誘電体は、センサ長手方向の一端から他端にかけて対角線を引くように次第に幅が狭くなる空隙を生じるように配置されているので、第1および第2の静電容量変化と静電容量の比とを液面レベルの関数にすることができる。 According to the fifth aspect of the present invention, the dielectric is arranged so as to generate a gap that gradually narrows so as to draw a diagonal line from one end to the other end in the longitudinal direction of the sensor. Capacitance change and capacitance ratio can be a function of liquid level.
請求項6記載の発明によれば、第1および第2のセンサ素子は、それぞれ支持基板の表裏に配置されているので、静電容量式液面レベルセンサ全体の幅が小さくなり省スペースでコンパクトなセンサが実現できる。 According to the sixth aspect of the present invention, since the first and second sensor elements are respectively disposed on the front and back of the support substrate, the entire capacitance type liquid level sensor is reduced in size and space-saving and compact. Sensor can be realized.
請求項7記載の発明によれば、第1および第2のセンサ素子は、それぞれ、支持基板の同一面に配置されているので、静電容量式液面レベルセンサの厚みが薄くなり、センサの厚みが問題となる取り付け環境の場合に好適なセンサが実現できる。 According to the seventh aspect of the present invention, since the first and second sensor elements are arranged on the same surface of the support substrate, the thickness of the capacitive liquid level sensor is reduced, and the sensor A sensor suitable for an installation environment where thickness is a problem can be realized.
以下、本発明の実施の形態にかかる静電容量式液面レベルセンサについて図面を参照して説明する。 Hereinafter, a capacitance type liquid level sensor according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
(第1の実施形態)図1は、本発明に係る静電容量式液面レベルセンサの第1の実施形態を示し、(A)は斜視図、(B)は主センサの斜視図、(C)はリファレンスセンサの斜視図である。 (First Embodiment) FIG. 1 shows a first embodiment of a capacitive liquid level sensor according to the present invention, (A) is a perspective view, (B) is a perspective view of a main sensor, C) is a perspective view of a reference sensor.
静電容量式液面レベルセンサ10は、絶縁体からなる支持基板11と、この支持基板11の一面に配置された主センサ12と、他面に配置されたリファレンスセンサ13とから構成される。主センサ12は、請求項における第1のセンサ素子に相当し、リファレンスセンサ13は、請求項における第2のセンサ素子に相当する。
The capacitive
主センサ12は、信号電極121と接地電極123間に誘電体122を配置した積層構造を有する。すなわち、主センサ12は、細長い板状の導電体からなる信号電極121と、信号電極121と同一形状および同一寸法の導電体からなる接地電極123と、信号電極121および接地電極123間に配置された複数の誘電体片1221 〜122n (図1では、たとえばn=8個)からなる誘電体122とが積層された構造を有する。誘電体122は、その誘電率が液面レベルを測定する液体の誘電率よりも比較的小さな材料(好適には、十分小さな材料)を用いる。なお、図1(B)では、信号電極121が省略されている。
The
複数の誘電体片1221 〜122n は、両端の誘電体片1221 および122n を除いてほぼ平行四辺形(上面から見た場合)の形状とされており、それぞれの間に、センサの長手方向に対してある角度(90°を除く)を有してセンサ幅を横切る一定幅の空隙1241 〜124n-1 が生じるように配置されている。また、複数の空隙1241 〜124n-1 は、その一定幅がセンサ長手方向の一端(図1(B)の左側端部)から他端(同図の右側端部)に向かう方向に次第に広くなるように設定されている。さらに、複数の誘電体片1221 〜122n は、それらの配置後の全体外形が、ほぼ信号電極121および接地電極123の外形とほぼ同一にされている。
A plurality of
リファレンスセンサ13は、主センサ12と同様の積層構造を有する。すなわち、リファレンスセンサ13は、信号電極131と接地電極133間に誘電体132を配置した積層構造を有する。リファレンスセンサ13は、細長い板状の導電体からなる信号電極131と、信号電極131と同一形状および同一寸法の導電体からなる接地電極133と、信号電極131および接地電極133間に配置された複数の誘電体片1321 〜132n からなる誘電体132とが積層された構造を有する。誘電体132は、誘電体122と同じ材料を用いる。なお、図1(C)では、信号電極131が省略されている。
The
複数の誘電体片1321 〜132n は、両端の誘電体片1321 および132n を除いてほぼ平行四辺形(上面から見た場合)の形状とされており、それぞれの間に、センサの長手方向に対して上述の空隙1241 〜124n-1 と同じ角度を有してセンサ幅を横切る一定幅の空隙1341 〜134n-1 が生じるように配置されている。また、複数の空隙1341 〜134n-1 は、その一定幅がセンサ長手方向の一端(図1(C)の左側端部)から他端(同図の右側端部)に向かう方向に次第に広くなるように設定されている。さらに、また、複数の誘電体片1321 〜132n は、それらの配置後の全体外形が、ほぼ信号電極131および接地電極133の外形とほぼ同一にされている。
A plurality of
主センサ12とリファレンスセンサ13は、主センサ12における誘電体片1221 およびリファレンスセンサ13の誘電体片1321 が、支持基板11の一方の端部の表側および裏側で同一位置となり、誘電体片122n および誘電体片132n が、支持基板11の他方の表側および裏側で同一位置となるように、支持基板11上に配置されている。また、主センサ12の空隙1241 〜124n-1 とリファレンスセンサ13の空隙1341 〜134n-1 は、それぞれ、次第に広くなる度合いと次第に狭くなる度合いがちょうど逆の関係で同一になっている。
In the
図1の静電容量式液面レベルセンサ11は、上から121、122、123、11、133、132および131の7層を有する積層構造となり、導電体および誘電体の形状を加工して、導電体121、123、131および133の4つの導電体層を有する4層基板として作成するか、または、同様に導電体および誘電体の形状を加工して、導電体123および133と誘電体11を有する両面プリント基板と、誘電体122および導電体121を有する片面プリント基板と、誘電体132および導電体131を有する片面プリント基板との3枚の基板を接着剤等で貼り合わせて作成することができる。
1 has a laminated structure having seven
主センサ12およびリファレンスセンサ13は、上述の構造により、液面レベル検出回路に用いられた場合、たとえば、液面レベルを検出すべき液体が充填されたタンク内において静電容量式液面レベルセンサ10の一方の端部(誘電体片1221 が配置されている側の端部)がタンク底部に接して、ほぼ垂直になるように立設される。主センサ12は、極板間、すなわち空隙1241 〜124n-1 に満たされる液体により、静電容量Cpが液面レベルによって変化するセンサとして働く。また、リファレンスセンサ13は、同様に、板間、すなわち空隙1341 〜134n-1 に満たされる液体により、静電容量Crが液面レベルによって変化するセンサとして働く。
When the
図2は、液面レベルに対する、主センサ12およびリファレンスセンサ13の静電容量CpおよびCrに対応する出力電圧V12およびV13の関係を示す特性図である。図2から分かるように、主センサ12の出力電圧V12は、液面レベルの増加にしたがって急激に増加して次第に緩やかに変化する特性となる。また、リファレンスセンサ13の出力電圧V13は、液面レベルの増加にしたがって緩やかに増加して次第に急激に変化する特性となる。すなわち、主センサ12とリファレンスセンサ13は、液面レベルの変化に対する出力電圧の変化(言い換えると、静電容量の変化)が互いに逆関数となる特性を有するセンサである。そして、同じ液面レベルに対する主センサ12の出力電圧V12とリファレンスセンサ13の出力電圧V13の比(すなわち、静電容量CpとCrの比)も、液面レベルの関数となる値になる。
FIG. 2 is a characteristic diagram showing the relationship between the output voltages V12 and V13 corresponding to the capacitances Cp and Cr of the
図2から分かるように、主センサ12とリファレンスセンサ13は、それぞれ、液面レベルに対応して異なる変化率で増加すると共に、検出可能な最大液面レベルで一致する静電容量を有する。それにより、検出可能な最大液面レベルまで静電容量の比が液面レベルに対応して変化し、液面レベルを感度良く検出することができる。
As can be seen from FIG. 2, each of the
次に、図3は、図1の静電容量式液面レベルセンサ10を用いた液面レベル検出回路の構成例を示す図である。この例では、液面レベルの変化を、主センサ12およびリファレンスセンサ13の静電容量変化に基づく発振器の発振周波数の変化として検出している。
Next, FIG. 3 is a diagram showing a configuration example of a liquid level detection circuit using the capacitance type
図3において、液面レベル検出回路20は、発振器21および22と、積分回路23および24と、ダイオード25および26と、演算処理部27と、メモリ28と、表示部29とから構成される。発振器21は、主センサ12の静電容量Cpの変化によりその発振周波数が変化するCR発振器である。また、発振器22は、リファレンスセンサ13の静電容量Crの変化によりその発振周波数が変化するCR発振器である。演算処理部27は、たとえばマイコンからなる。
In FIG. 3, the liquid
次に、図3の液面レベル検出回路の動作を図4のフローチャートを参照して説明する。まず、主センサ12およびリファレンスセンサ13の液面レベルに対応する静電容量CpおよびCrの測定が開始される(ステップS1)。すなわち、発振器21および22は、主センサ12およびリファレンスセンサ13の静電容量CpおよびCrに対応した発振周波数で発振し、静電容量−周波数変換を行なう。
Next, the operation of the liquid level detection circuit of FIG. 3 will be described with reference to the flowchart of FIG. First, measurement of the capacitances Cp and Cr corresponding to the liquid level of the
次に、積分回路23および24で、発振器21および22の発振出力を積分し、それぞれの発振周波数に対応した直流電圧に変換(周波数−電圧変換)する(ステップS2)。変換された直流電圧は、それぞれ、ダイオード25および26を介して演算処理部27に供給される。
Next, the
次に、演算処理部27で、供給された直流電圧を液面レベル値に変換して出力する(ステップS3)。このステップS3の処理は、以下のステップS31〜33で行われる。まず、供給された直流電圧を測定し、測定電圧より、空気中における主センサ12およびリファレンスセンサ13のセンサ電圧値の差をそれぞれ出力する(ステップS31)。すなわち、主センサ12およびリファレンスセンサ13は、液体に浸されていない状態でもある静電容量値を持っている。そこで、静電容量変化分から液面レベルを検出するため、予めメモリ28に格納されている、センサ自体の上記静電容量値による電圧値と測定電圧の差分を求め、センサの静電容量変化分による電圧のみを算出する。
Next, the
次に、ステップS31で求めた主センサ12における差分電圧とリファレンスセンサ13における差分電圧の比を計算する(ステップS32)。計算された比は、実際の液面レベルに対応して変化する値となる。この値は、比であるが故に、液面レベルを検出すべき液体の誘電率が変わってもその誘電率の影響を受けずに液面レベルを表す値である。
Next, the ratio of the differential voltage in the
次に、ステップS32で計算された比と、メモリ28に予め格納されている比と液面レベルの換算式を用いて液面レベルを算出して出力する(ステップS33)。 Next, the liquid level is calculated and output using the ratio calculated in step S32 and the conversion formula between the ratio and the liquid level stored in advance in the memory 28 (step S33).
次に、上記ステップS3で算出された液面レベル値を表示部29で表示する(ステップS4)。上記ステップS1〜S4を繰り返し、液面レベル変化に対応した表示を行う。 Next, the liquid level value calculated in step S3 is displayed on the display unit 29 (step S4). The above steps S1 to S4 are repeated, and display corresponding to the change in the liquid level is performed.
以上説明した本発明の第1の実施形態の特徴は以下の通りである。
(1)主センサ12とリファレンスセンサ13における空隙は、それぞれのセンサにおいて幅が小から大、大から小と逆の配列となることを特徴とする。検出する静電容量は、主センサ12およびリファレンスセンサ13のそれぞれの空隙の大小で変化する。誘電体122,132の空隙形状を変化させることで、空隙小の場合と大の場合の容量比を大きくし、比による液面レベル検出を容易にしている。比による液面レベル検出であるため、液面レベル検出をする溶液の誘電率には依存しないという利点がある。主センサ12とリファレンスセンサ13の静電容量比は、極板間の空隙幅で決定され、静電容量比と液面レベルの関係が明らかならば、あらゆる誘電率の液体の液面レベル検出が可能である。
(2)支持基板11の表側に主センサ12、裏側にリファレンスセンサ13を配置し、主センサ12とリファレンスセンサ13が一体化しているため、主センサ12のサイズのままで、リファレンスセンサ13を含むセンサであり、小型で省スペースなセンサである。
The characteristics of the first embodiment of the present invention described above are as follows.
(1) The gaps between the
(2) Since the
次に、主センサ12およびリファレンスセンサ13のおける空隙の具体的設計例について説明する。
Next, a specific design example of the air gap in the
上述の比をKとし、主センサ12の静電容量をCp、リファレンスセンサ13の静電容量をCr、主センサ12の検出電圧(図3の検出回路における積分回路23からダイオード25を介して演算処理部27に入力される電圧)をVp、リファレンスセンサ13の検出電圧(図3の検出回路における積分回路24からダイオード26を介して演算処理部27に入力される電圧)をVrとすれば、
K=Vp/Vr=Cp/Cr・・・(1)
で表される。
The above-mentioned ratio is K, the capacitance of the
K = Vp / Vr = Cp / Cr (1)
It is represented by
静電容量式液面レベルセンサ10自体の形状を含め、溶液が満たされる空間の誘電体片の平行四辺形の角度、間隔(空隙)、底辺長などのパラメータで静電容量の変化状態が異なり、定式化するのは実測からでないと困難である。そこで、何らかの試験用の溶液(液体)を使用してセンサ液面位置と比Kの関係を実測で記録する。記録した実測値から比液面レベルの換算式を定式化し、メモリ28に格納する。
The state of change in capacitance varies depending on parameters such as the parallelogram angle, spacing (gap), and base length of the dielectric pieces in the space filled with the solution, including the shape of the capacitive
たとえば、図5に示すように、リファレンスセンサ13の空隙1341 〜132n-1 を右上がりの角度を持たせると共に、図の水平方向から見て下の空隙(たとえば、1341 )の右端がその上の次の空隙(たとえば、1342 )の左端と一致するかまたは下の空隙(たとえば、1341 )の右端付近がその上の次の空隙(たとえば、1342 )の左端付近とオーバーラップするようにし、また、空隙1341 の幅を基準1とし、1342 の幅を1341 の2倍、1343 の幅を1341 の3倍、134n-1 の幅を1341 の(n−1)倍のように設定する。
For example, as shown in FIG. 5, the
同様に、主センサ12の空隙1241 〜122n-1 をリファレンスセンサ13の同一角度で右上がりとすると共に、図の水平方向から見て下の空隙(たとえば、1241 )の右端がその上の次の空隙(たとえば、1242 )の左端と一致するかまたは下の空隙(たとえば、1241 )の右端付近がその上の次の空隙(たとえば、1242 )の左端付近とオーバーラップするようにし、また、空隙1241 の幅を空隙1341 と同じ幅の基準1とし、1242 の幅を1241 の1/2倍、1243 の幅を1241 の1/3倍、124n-1 の幅を1241 の1/(n−1)倍のように設定する。
Similarly, the
このように設定した場合は、リファレンスセンサ13の空隙に、液体が1341 、1342 の順に満たされていくと、静電容量Crの変化は、図6(A)の直線(太い実線で表す)に示すように、空隙1341 による変化量に対して、空隙1342 、1343 による変化がそれぞれ、2倍、3倍の変化量となる。たとえば、空隙1341 による静電容量Crの変化量yが液面レベルxの関数、y=x/2で表される場合、空隙1342 による変化量はy=xで表され、空隙1343 による変化量はy=3x/2で表される。
In this case, when the liquid is filled in the gap of the
同様に、空隙1341 の幅を空隙1241 と同じ幅の基準1とし、1342 の幅を1341 の2倍、1343 の幅を1341 の4倍のように、上の空隙の幅を下の空隙の2倍になるように設定した場合は、リファレンスセンサ13の静電容量Crの変化は、図6(B)に示すように、空隙1341 による変化量に対して、空隙1342 、1343 による変化がそれぞれ、2倍、4倍の変化量となる。すなわち、空隙1341 による静電容量Crの変化量yが液面レベルxの関数、y=x/2で表される場合、空隙1342 による変化量はy=xで表され、空隙1343 による変化量はy=2xで表される。
Similarly, the width of the
これに対して、主センサ12の静電容量Cpの変化量は、リファレンスセンサ13の関数式の逆関数で表されることになる。たとえば、図6(A)の場合は、空隙1241 による静電容量Cpの変化量はy=2xで表され、空隙1242 による変化量はy=xで表され、空隙1343 による変化量はy=2x/3で表される。
On the other hand, the amount of change in the capacitance Cp of the
したがって、リファレンスセンサ13の静電容量の変化量が、たとえば、当初y=x/2のグラフのような緩やかな容量変化をするような関数を基準にして、空隙寸法を設計するとと共に、その逆関数で表されるように主センサ12を設計すれば、上記の比Kは大きな値となり検出精度を高めることができる。
Accordingly, the gap dimension is designed based on a function in which the amount of change in the capacitance of the
また、図6(A)および(B)の直線(3本の太い実線で表す)に示される静電容量Crの変化は、たとえば図6(A)および(B)の曲線(細い実線で表す)に示すように、y=axn の高次関数式で近似して定式化することもできる。この場合、主センサ12の静電容量Cpの変化は、y=axn の高次関数式の逆関数で近似して定式化される。
Further, the change in the capacitance Cr shown in the straight lines (represented by three thick solid lines) in FIGS. 6A and 6B is represented by, for example, the curves in FIGS. 6A and 6B (thin solid lines). ), It can be formulated by approximating it with a high-order function expression of y = ax n . In this case, change of the capacitance Cp of the
空隙1個の高さhがセンサ全長Lに対して小さい場合は、測定容量変化において、空隙1個は、おおよそ測定上の1ポイントとしてとらえることができ、空隙底辺ライン寸法を、求める面積に合わせて変化させる。たとえば、リファレンスセンサ13の静電容量Crの変化が、空隙1341 、1342 および1343 を通じてy=x2 の関数式で近似できる場合、図7に示すようにセンサ13の長手方向に対する空隙の角度をθとすれば、リファレンスセンサ13の静電容量Crは、
Cr=y=x2 tanθ×h・・・(2)
で表される。
When the height h of one air gap is smaller than the total length L of the sensor, one air gap can be roughly regarded as one point in measurement in the change in measurement capacity, and the bottom line size of the air gap is adjusted to the required area. Change. For example, when the change in the capacitance Cr of the
Cr = y = x 2 tan θ × h (2)
It is represented by
また、空隙1個の高さhがセンサ全長Lに対して大きくなる場合(図6(B)のような場合)は、図8に示すように、それぞれの空隙1341 、1342 および1343 における高さを、それぞれ、h1,h2,h3とすれば、リファレンスセンサ13の静電容量Crは、それぞれの空隙における直線の容量変化を捉えることになる。この場合、空隙底辺は、y=x2 を微分したy′=2xの傾き変化に合わせる。
When the height h of one gap is larger than the total length L of the sensor (as shown in FIG. 6B), as shown in FIG. 8, the
そして、溶液の高さxがそれぞれの空隙における空隙1341 にある(x<h1)ときのリファレンスセンサ13の静電容量Crは、
Cr=t×tanθ×x=C1・・・(3)
となる。ここで、tは空隙1341 の幅である。
Then, the capacitance Cr of the
Cr = t × tan θ × x = C1 (3)
It becomes. Here, t is the width of the
また、溶液の高さxが空隙1342 にある(h1<x<h1+h2)ときのリファレンスセンサ13の静電容量Crは、
Cr=2t×tanθ×(x−h1)+C1=C2・・・(4)
となる。
Further, the capacitance Cr of the height x of the solution is in the gap 134 2 (h1 <x <h1 + h2)
Cr = 2t × tan θ × (x−h1) + C1 = C2 (4)
It becomes.
また、溶液の高さxが空隙1343 にある(h1+h2<x)ときのリファレンスセンサ13の静電容量Crは、
Cr=4t×tanθ×(x−h1−h2)+C1+C2=C3・・・(5)
となる。
Further, the capacitance Cr of the
Cr = 4t × tan θ × (x−h1−h2) + C1 + C2 = C3 (5)
It becomes.
(第2の実施形態)
次に図9は、本発明に係る静電容量式液面レベルセンサの第2の実施形態を示し、(A)は表側の斜視図、(B)は裏側の斜視図である。静電容量式液面レベルセンサ10は、図1に示す第1の実施形態とほぼ同一の構成を有し、誘電体122および132の形状が異なるのが相違点である。なお、図9(A)では、信号電極121が省略され、図9(B)では、信号電極131が省略されている。
(Second Embodiment)
Next, FIG. 9 shows a second embodiment of a capacitive liquid level sensor according to the present invention, wherein (A) is a front perspective view and (B) is a rear perspective view. The capacitive
主センサ12の誘電体122は、センサの長手方向の一方の端部(図示の左側端部)から他方の端部(図示の右側端部)にかけて次第に幅が直線的に狭くなる形状を有する。それにより、接地電極123と図示していない信号電極121の極板間に、センサ長手方向の一端(図示の右側端部)から他端(図示の左側端部)にかけて対角線を引くように次第に幅が狭くなる空隙124が生じる。
The dielectric 122 of the
また、リファレンスセンサ13の誘電体132は、センサの長手方向の一方の端部(図示の右側端部)から他方の端部(図示の左側端部)にかけて次第に幅が直線的に狭くなり、主センサ12の誘電体122と同じ割合だが逆方向に幅が減少する形状を有する。それにより、接地電極133と図示していない信号電極131の極板間に、センサ長手方向の一端(図示の左側端部)から他端(図示の右側端部)にかけて対角線を引くように次第に幅が狭くなる空隙134が生じる。
The dielectric 132 of the
主センサ12およびリファレンスセンサ13は、上述の構造により、液面レベル検出回路20に用いられた場合、たとえば、液面レベルを検出すべき液体が充填されたタンク内において静電容量式液面レベルセンサ10の一方の端部(図9における下端)がタンク底部に接して、ほぼ垂直になるように立設される。主センサ12は、接地電極123と信号電極121の極板間の空隙124に満たされる液体により、その静電容量Cpが液面レベルによって変化するセンサとして働く。また、リファレンスセンサ13は、同様に、接地電極133と信号電極131の極板間の空隙134に満たされる液体により、その静電容量Crが液面レベルによって変化するセンサとして働く。
When the
図9に示す第2の実施形態の静電容量式液面レベルセンサ1は、図1に示す第1の実施形態と同様に加工して、4層基板として作成するか、または1枚の両面プリント基板と2枚の片面プリント基板との3枚の基板を接着剤等で貼り合わせて作成することができる。
The capacitive
図10は、液面レベルに対する主センサ12およびリファレンスセンサ13の静電容量に対応する出力電圧の関係を示す特性図である。
FIG. 10 is a characteristic diagram showing the relationship of the output voltage corresponding to the electrostatic capacities of the
図10と図2を比較すれば分かるように、この第2の実施形態に係る静電容量式レベルセンサ10は、図1に示す第1の実施形態のセンサよりも感度は低下するが、製作が簡単であり、誘電率の高い液体の液面レベル検出に好適である。
As can be seen by comparing FIG. 10 and FIG. 2, the
次に、第2の実施形態の静電容量式液面レベルセンサの静電容量CpおよびCrとこれらの比Kの導出例について説明する。 Next, an example of deriving the capacitances Cp and Cr and the ratio K of the capacitance type liquid level sensor of the second embodiment will be described.
図11に示すように、主センサ12の幅をa、長さをb、液面レベルをxとし、誘電体122および132がセンサの一方の端部から他方の端部にかけて対角線を引くようにその幅が減少する形状とした場合、主センサ12の測定容量C12は、
C12=ε0 εr ×(1/d)×{a+(a−ax/b)}x/2)+C0 ・・・(6)
で表される。ここで、dは信号電極121と接地電極123の極板間距離、ε0 は主センサ12における気中(液体に浸っていない部分)の静電容量、εr は液体の比誘電率である。同様に、リファレンスセンサ13の測定容量C13は、
C13=ε0 εr ×(1/d)×(ax2 /2b)+C0 ・・・(7)
で表される。
As shown in FIG. 11, the width of the
C 12 = ε 0 ε r × (1 / d) × {a + (a−ax / b)} x / 2) + C 0 (6)
It is represented by Here, d is the distance between the electrode plates of the
C 13 = ε 0 ε r × (1 / d) × (ax 2 / 2b) + C 0 (7)
It is represented by
したがって、主センサ12の静電容量Cpおよびリファレンスセンサ13の静電容量Crは、上記(6)および(7)式から
Cp=C12−C0 ・・・(8)
Cr=C13−C0 ・・・(9)
のように求められる。
Therefore, the electrostatic capacity Cp of the
Cr = C 13 −C 0 (9)
It is required as follows.
そこで、上記(8)および(9)式を上記(1)式に代入することにより比Kを求めることができる。 Therefore, the ratio K can be obtained by substituting the above equations (8) and (9) into the above equation (1).
(第3の実施形態)次に図12は、本発明に係る静電容量式液面レベルセンサの第3の実施形態を示す斜視図である。図1に示す第1の実施形態では支持基板11の両面に主センサ12およびリファレンスセンサ13を配置した構造であるが、この第3の実施形態の静電容量式液面レベルセンサ10は、支持基板11の一方の面に主センサ12およびリファレンスセンサ13を配置した構造を有する。なお、なお、図12では、信号電極121および131が省略されている。
(Third Embodiment) FIG. 12 is a perspective view showing a third embodiment of the capacitive liquid level sensor according to the present invention. In the first embodiment shown in FIG. 1, the
図12に示す第3の実施形態の静電容量式液面レベルセンサ10は、支持基板11と、主センサ12を構成する片面プリント基板と、リファレンスセンサ13を構成する片面プリント基板の3枚の基板を接着剤等で貼り合わせて作成することができる。
A capacitive
この第3の実施形態に係る静電容量式レベルセンサ10は、支持基板11の同一面上に主センサ12およびリファレンスセンサ13を有するので、第1および第2の実施形態のように支持基板11の裏面にリファレンスセンサ13を有する形態よりも全体の厚みが薄くなり、取り付け位置次第では支持基板11裏面を使用できない可能性がある場合に好適である。
Since the capacitance
以上説明したように、本発明によれば、以下の利点がある。
(1)液面レベルを主センサ12とリファレンスセンサ13の静電容量比で検出するため、液体の誘電率の影響を受けない。したがって、誘電率の異なる液体、または、温度や劣化といった静電容量変化に関わる外的要因に対しても、安定した液面レベル検出が可能である。
(2)図13の従来例よりも、実質的に対向する極板面積を大きくすることができ、液面レベルに対する静電容量の変化量を大きくすることができるので、誘電率の小さい液体の液面レベル検出に好適である。
(3)液面レベルに対する静電容量の変化量が大きいので、センサの劣化、またはセンサの固体差による容量検出値の微少な影響も無視できる。
As described above, the present invention has the following advantages.
(1) Since the liquid level is detected by the capacitance ratio of the
(2) Compared to the conventional example of FIG. 13, the area of the opposing electrodes can be substantially increased, and the amount of change in capacitance with respect to the liquid level can be increased. Suitable for liquid level detection.
(3) Since the change amount of the electrostatic capacitance with respect to the liquid level is large, the slight influence of the capacitance detection value due to the sensor deterioration or the individual difference of the sensor can be ignored.
以上の通り、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこれに限らず、種々の変形、応用が可能である。 As mentioned above, although embodiment of this invention was described, this invention is not limited to this, A various deformation | transformation and application are possible.
たとえば、上述の第1の実施形態においては、複数の誘電体片にてその間に空隙を生じるように配置されているが、これに代えて、電極と同じ板状の誘電体に上記空隙と同様の溝を形成するように構成しても良い。 For example, in the above-described first embodiment, the plurality of dielectric pieces are arranged so as to generate a gap between them, but instead, the same plate-like dielectric as the electrode has the same gap as the gap. Alternatively, the groove may be formed.
また、上述の実施形態では、空隙の幅が直線的に変化するように構成されているが、これに代えて曲線的に変化するように構成しても良い。 Further, in the above-described embodiment, the gap width is configured to change linearly, but instead, it may be configured to change in a curved manner.
10 静電容量式レベルセンサ
11 支持基板
12 主センサ(第1のセンサ素子)
121 信号電極
122 誘電体
1221 〜122n 誘電体片
123 接地電極
1241 〜124n 空隙
13 リファレンスセンサ(第2のセンサ素子)
131 信号電極
132 誘電体
1321 〜132n 誘電体片
133 接地電極
1341 〜134n 空隙
10 Capacitance
121
131
Claims (7)
各々が前記液面レベルに対応して変化する静電容量を有し、前記静電容量の比も前記液面レベルに対応して変化する第1および第2のセンサ素子を備えている
ことを特徴とする静電容量式液面レベルセンサ。 A capacitance type liquid level sensor that detects a liquid level by a capacitance,
Each has an electrostatic capacity that changes in accordance with the liquid level, and the ratio of the electrostatic capacity includes first and second sensor elements that change in accordance with the liquid level. Capacitance type liquid level sensor.
前記第1および第2のセンサ素子は、それぞれ、前記液面レベルに対応して異なる変化率で増加すると共に、検出可能な最大液面レベルで一致する静電容量を有することを特徴とする静電容量式液面レベルセンサ。 The capacitance type liquid level sensor according to claim 1,
Each of the first and second sensor elements increases at different rates corresponding to the liquid level, and has a capacitance that matches the maximum detectable liquid level. Capacitive liquid level sensor.
前記静電容量式液面レベルセンサは、支持基板と、前記支持基板の一方の面に配置された前記第1のセンサ素子と、前記支持基板の他方の面に配置された前記第2のセンサ素子とを有し、
前記第1および第2のセンサ素子は、それぞれ、平板状に形成された信号電極および接地電極と、前記信号電極および接地電極の極板間にセンサ長手方向の一端から他端に向かう方向に次第に幅が狭くなる空隙を生じるように配置された誘電体とからなる積層構造を有し、
前記第2のセンサ素子の前記空隙は、前記第1のセンサ素子の前記空隙と逆方向に次第に幅が狭くなっている
ことを特徴とする静電容量式液面レベルセンサ。 The capacitance type liquid level sensor according to claim 2,
The capacitive liquid level sensor includes a support substrate, the first sensor element disposed on one surface of the support substrate, and the second sensor disposed on the other surface of the support substrate. Having an element,
The first and second sensor elements are gradually formed in a direction from one end of the sensor longitudinal direction to the other end between the signal electrode and the ground electrode formed in a flat plate shape, and the electrode plates of the signal electrode and the ground electrode, respectively. It has a laminated structure composed of dielectrics arranged so as to generate gaps whose width becomes narrower,
The capacitance type liquid level sensor, wherein the gap of the second sensor element is gradually narrowed in a direction opposite to the gap of the first sensor element.
前記誘電体は、センサ長手方向に対して90°以外の角度を有してセンサ幅を横切る一定幅の空隙が間隔をおいて複数生じるように配置され、
前記複数の空隙は、その一定幅がセンサ長手方向の一端から他端に向かう方向に次第に狭くなるように設定されている
ことを特徴とする静電容量式液面レベルセンサ。 The capacitive liquid level sensor according to claim 3,
The dielectric is arranged such that a plurality of gaps having a constant width across the width of the sensor having an angle other than 90 ° with respect to the sensor longitudinal direction are generated at intervals.
The capacitance type liquid level sensor, wherein the plurality of gaps are set so that a constant width thereof gradually decreases in a direction from one end to the other end in the sensor longitudinal direction.
前記誘電体は、センサ長手方向の一端から他端にかけて対角線を引くように次第に幅が狭くなる空隙を生じるように配置されていることを特徴とする静電容量式液面レベルセンサ。 The capacitive liquid level sensor according to claim 3,
The capacitance type liquid level sensor, wherein the dielectric is disposed so as to generate a gap that gradually decreases in width so as to draw a diagonal line from one end to the other end in the sensor longitudinal direction.
前記第1および第2のセンサ素子は、それぞれ支持基板の表裏に配置されていることを特徴とする静電容量式液面レベルセンサ。 The capacitance type liquid level sensor according to any one of claims 1 to 5,
The capacitance type liquid level sensor, wherein the first and second sensor elements are respectively disposed on the front and back sides of a support substrate.
前記第1および第2のセンサ素子は、それぞれ、支持基板の同一面に配置されていることを特徴とする静電容量式液面レベルセンサ。 The capacitance type liquid level sensor according to any one of claims 1 to 5,
The capacitance type liquid level sensor, wherein the first and second sensor elements are respectively disposed on the same surface of the support substrate.
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20090707 |