JP2007240880A - 光学デバイス - Google Patents
光学デバイス Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007240880A JP2007240880A JP2006063228A JP2006063228A JP2007240880A JP 2007240880 A JP2007240880 A JP 2007240880A JP 2006063228 A JP2006063228 A JP 2006063228A JP 2006063228 A JP2006063228 A JP 2006063228A JP 2007240880 A JP2007240880 A JP 2007240880A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical device
- movable
- temperature
- housing
- movable part
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 86
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 35
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 25
- 239000002826 coolant Substances 0.000 claims description 20
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 17
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 9
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 8
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 64
- 239000002585 base Substances 0.000 description 52
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 description 15
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 12
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 12
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 12
- 230000008859 change Effects 0.000 description 11
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 11
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 8
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 6
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 6
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 6
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 6
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 6
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 2
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001200 Ferrotitanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000005549 size reduction Methods 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007751 thermal spraying Methods 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Mechanical Optical Scanning Systems (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
Abstract
【課題】安定した駆動を行うことができる光学デバイスを提供すること。
【解決手段】光反射部260を有し、回動可能に設けられた可動部211と、可動部211を駆動する駆動手段とを有し、前記駆動手段が可動部211を回動させることにより、光反射部260で反射した光を対象物に走査する光学デバイス100であって、可動部211の周辺の雰囲気温度を設定温度範囲内とするように温調する温調手段300を有する。温調手段300は、可動部211を収容するハウジング310を有する。ハウジング310は、その内部が気密空間となっている。
【選択図】図1
【解決手段】光反射部260を有し、回動可能に設けられた可動部211と、可動部211を駆動する駆動手段とを有し、前記駆動手段が可動部211を回動させることにより、光反射部260で反射した光を対象物に走査する光学デバイス100であって、可動部211の周辺の雰囲気温度を設定温度範囲内とするように温調する温調手段300を有する。温調手段300は、可動部211を収容するハウジング310を有する。ハウジング310は、その内部が気密空間となっている。
【選択図】図1
Description
本発明は、光学デバイスに関するものである。
レーザープリンタ等に用いられ、光走査により描画を行う光学デバイスとしては、小型化を図ることなどの目的から、ねじり振動子を用いるものが知られている(例えば、特許文献1参照。)。
例えば、特許文献1にかかる光学デバイスは、シリコンで構成された板状の可動部上に、アルミニウムで構成された光反射部を直接設けたものを、その両側で1対のねじりバネによって回動可能に支持してなる。そして、1対のねじりバネをねじれ変形させながら、可動部を回動(振動)させることにより、光走査を行う。その際、光反射部では、照射された光のほとんどが反射する。
例えば、特許文献1にかかる光学デバイスは、シリコンで構成された板状の可動部上に、アルミニウムで構成された光反射部を直接設けたものを、その両側で1対のねじりバネによって回動可能に支持してなる。そして、1対のねじりバネをねじれ変形させながら、可動部を回動(振動)させることにより、光走査を行う。その際、光反射部では、照射された光のほとんどが反射する。
しかしながら、光反射部での光反射率を完全に100%とすることはできないため、このような光学デバイスにあっては、光反射部に照射された光の一部が熱となり、可動部を昇温させてしまう。
そのため、かかる光学デバイスを長時間使用すると、可動部の形状や光反射部の材質等によっては、熱により可動部に反りなどの変形が生じて、光反射部の平面性が損なわれるおそれがある。また、可動部からの熱によりねじりバネの材料物性が変化して、ねじりバネのバネ定数が変化してしまうおそれがある。
光反射部の平面性が損なわれたり、ねじりバネのバネ定数が変化したりすると、安定した駆動(描画)を行うことが難しい。
そのため、かかる光学デバイスを長時間使用すると、可動部の形状や光反射部の材質等によっては、熱により可動部に反りなどの変形が生じて、光反射部の平面性が損なわれるおそれがある。また、可動部からの熱によりねじりバネの材料物性が変化して、ねじりバネのバネ定数が変化してしまうおそれがある。
光反射部の平面性が損なわれたり、ねじりバネのバネ定数が変化したりすると、安定した駆動(描画)を行うことが難しい。
本発明の目的は、安定した駆動を行うことができる光学デバイスを提供することにある。
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の光学デバイスは、光反射部を有し、回動可能に設けられた可動部と、
前記可動部を駆動する駆動手段とを有し、
前記駆動手段が前記可動部を回動させることにより、前記光反射部で反射した光を対象物に走査する光学デバイスであって、
前記可動部の周辺の雰囲気温度を設定温度範囲内とするように温調する温調手段を有することを特徴とする。
これにより、可動部の周辺の雰囲気温度を設定温度範囲内に保つことができる。その結果、駆動特性の変化を防止し、安定した駆動を行うことができる。
本発明の光学デバイスは、光反射部を有し、回動可能に設けられた可動部と、
前記可動部を駆動する駆動手段とを有し、
前記駆動手段が前記可動部を回動させることにより、前記光反射部で反射した光を対象物に走査する光学デバイスであって、
前記可動部の周辺の雰囲気温度を設定温度範囲内とするように温調する温調手段を有することを特徴とする。
これにより、可動部の周辺の雰囲気温度を設定温度範囲内に保つことができる。その結果、駆動特性の変化を防止し、安定した駆動を行うことができる。
本発明の光学デバイスでは、前記温調手段は、前記可動部を収容するハウジングを有することが好ましい。
これにより、光学デバイス周辺を取り囲むことができ、可動部の周囲の雰囲気温度を効率的に調整することができる。
本発明の光学デバイスでは、前記ハウジングは、その内部が気密空間となっていることが好ましい。
これにより、光学デバイス周辺を気密状態とすることができ、可動部の周囲の雰囲気温度をより効率的に調整することができる。
これにより、光学デバイス周辺を取り囲むことができ、可動部の周囲の雰囲気温度を効率的に調整することができる。
本発明の光学デバイスでは、前記ハウジングは、その内部が気密空間となっていることが好ましい。
これにより、光学デバイス周辺を気密状態とすることができ、可動部の周囲の雰囲気温度をより効率的に調整することができる。
本発明の光学デバイスでは、前記ハウジングは、外部から光を前記光反射部に入射させ、該光反射部による反射光を外部へ射出させる光透過部を有することが好ましい。
これにより、光学デバイスとしての駆動を妨害することなく、可動部の周囲の雰囲気温度を設定温度範囲内に調整することができる。
本発明の光学デバイスでは、前記光透過部の少なくとも一方の面には、反射防止膜が形成されていることが好ましい。
これにより、外部からの光または光反射部から反射された光が光透過部を通過する際にその光が反射するのを防止することができる。これにより、光学デバイスは、安定的に駆動することができる。
これにより、光学デバイスとしての駆動を妨害することなく、可動部の周囲の雰囲気温度を設定温度範囲内に調整することができる。
本発明の光学デバイスでは、前記光透過部の少なくとも一方の面には、反射防止膜が形成されていることが好ましい。
これにより、外部からの光または光反射部から反射された光が光透過部を通過する際にその光が反射するのを防止することができる。これにより、光学デバイスは、安定的に駆動することができる。
本発明の光学デバイスでは、前記ハウジングの少なくとも一部は、高熱伝導材料を主材料として構成されることが好ましい。
これにより、ハウジングの外部面に温調手段を設けることが可能となり、光学デバイスのコンパクト化を図ることができる。
本発明の光学デバイスでは、前記ハウジングの少なくとも一部は、断熱材料で構成されていることが好ましい。
これにより、ハウジング内部の温度が、ハウジング外部の温度により受ける影響を少なくすることができる。その結果、可動部の周辺の雰囲気温度を効率的に調整することができる。
これにより、ハウジングの外部面に温調手段を設けることが可能となり、光学デバイスのコンパクト化を図ることができる。
本発明の光学デバイスでは、前記ハウジングの少なくとも一部は、断熱材料で構成されていることが好ましい。
これにより、ハウジング内部の温度が、ハウジング外部の温度により受ける影響を少なくすることができる。その結果、可動部の周辺の雰囲気温度を効率的に調整することができる。
本発明の光学デバイスでは、前記ハウジングの少なくとも一部は、内層と外層とからなる二重構造を有し、該内層と該外層との間に空間が設けられていることが好ましい。
これにより、ハウジング内部の温度が、ハウジング外部の温度により受ける影響をより少なくすることができる。その結果、可動部の周辺の雰囲気温度をより効率的に調整することができる。
これにより、ハウジング内部の温度が、ハウジング外部の温度により受ける影響をより少なくすることができる。その結果、可動部の周辺の雰囲気温度をより効率的に調整することができる。
本発明の光学デバイスでは、前記空間は、減圧となっていることが好ましい。
これにより、ハウジング内部の温度が、ハウジング外部の温度により受ける影響をより少なくすることができる。その結果、可動部の周辺の雰囲気温度をより効率的に調整することができる。
本発明の光学デバイスでは、前記温調手段は、前記可動部の周囲の雰囲気温度を加熱する加熱手段を有することが好ましい。
これにより、可動部の周辺の雰囲気温度が、設定温度範囲に対し低い場合には、加熱手段を用いることにより、可動部の周辺の雰囲気温度を設定温度範囲にすることができる。
これにより、ハウジング内部の温度が、ハウジング外部の温度により受ける影響をより少なくすることができる。その結果、可動部の周辺の雰囲気温度をより効率的に調整することができる。
本発明の光学デバイスでは、前記温調手段は、前記可動部の周囲の雰囲気温度を加熱する加熱手段を有することが好ましい。
これにより、可動部の周辺の雰囲気温度が、設定温度範囲に対し低い場合には、加熱手段を用いることにより、可動部の周辺の雰囲気温度を設定温度範囲にすることができる。
本発明の光学デバイスでは、前記温調手段は、前記可動部の周囲の雰囲気温度を冷却する冷却手段を有することが好ましい。
これにより、可動部の周辺の雰囲気温度が、設定温度範囲に対し高い場合には、冷却手段を用いることにより、可動部の周辺の雰囲気温度を設定温度範囲にすることができる。
本発明の光学デバイスでは、前記可動部を冷却する冷却手段を有し、該冷却手段は、冷却媒体と、少なくとも前記可動部内を通過する流路と、供給手段とを備え、前記供給手段を用いて前記流路に冷却媒体を供給することにより、前記可動部を冷却することが好ましい。
これにより、可動部の周辺の雰囲気温度を設定温度範囲内に調整しつつ、可動部について別の冷却手段により可動部を冷却することが可能となる。その結果、光学デバイスは、より安定した駆動を行うことができる。
これにより、可動部の周辺の雰囲気温度が、設定温度範囲に対し高い場合には、冷却手段を用いることにより、可動部の周辺の雰囲気温度を設定温度範囲にすることができる。
本発明の光学デバイスでは、前記可動部を冷却する冷却手段を有し、該冷却手段は、冷却媒体と、少なくとも前記可動部内を通過する流路と、供給手段とを備え、前記供給手段を用いて前記流路に冷却媒体を供給することにより、前記可動部を冷却することが好ましい。
これにより、可動部の周辺の雰囲気温度を設定温度範囲内に調整しつつ、可動部について別の冷却手段により可動部を冷却することが可能となる。その結果、光学デバイスは、より安定した駆動を行うことができる。
本発明の光学デバイスでは、前記可動部またはその近傍の温度を検知する検知手段と、該検知手段の検知結果に基づいて前記温調手段の駆動を制御する制御手段を有することが好ましい。
これにより、可動部の周辺の雰囲気温度をより確実に設定温度範囲内に保つことができる。
これにより、可動部の周辺の雰囲気温度をより確実に設定温度範囲内に保つことができる。
以下、本発明の光学デバイスの好適な実施形態について、添付図面を参照しつつ説明する。
<第1実施形態>
本発明の第1実施形態を、図1ないし図7に基づいて説明する。
図1は、本発明の光学デバイスの第1実施形態を示す断面図、図2は、図1中のアクチュエータの斜視図、図3は、図1中A−A断面図、図4は、図1中B−B断面図、図5は、図4中の基体の詳細図、図6は、制御手段のフローチャート図、図7〜9は、光学デバイスの製造方法を示した図である。
なお、以下では、説明の便宜上、図2および図5中の紙面手前側を「上」、紙面奥側を「下」、右側を「右」、左側を「左」、と言い、図1および図3、図4中の上側を「上」、下側を「下」、右側を「右」、左側を「左」と言う。
<第1実施形態>
本発明の第1実施形態を、図1ないし図7に基づいて説明する。
図1は、本発明の光学デバイスの第1実施形態を示す断面図、図2は、図1中のアクチュエータの斜視図、図3は、図1中A−A断面図、図4は、図1中B−B断面図、図5は、図4中の基体の詳細図、図6は、制御手段のフローチャート図、図7〜9は、光学デバイスの製造方法を示した図である。
なお、以下では、説明の便宜上、図2および図5中の紙面手前側を「上」、紙面奥側を「下」、右側を「右」、左側を「左」、と言い、図1および図3、図4中の上側を「上」、下側を「下」、右側を「右」、左側を「左」と言う。
光学デバイス100は、アクチュエータ200と、アクチュエータ200周辺の雰囲気温度を設定温度範囲内に温調する温調手段300とを備えている。
アクチュエータ200は、1自由度振動系を有する基体210と、基体210を下方から支持する支持部材230と、1自由度振動系を駆動する駆動手段240と、1自由度振動系を冷却する冷却手段250とを備えている。
アクチュエータ200は、1自由度振動系を有する基体210と、基体210を下方から支持する支持部材230と、1自由度振動系を駆動する駆動手段240と、1自由度振動系を冷却する冷却手段250とを備えている。
基体210は、図2に示すように、光反射部260が設けられた可動部211と、可動部211を囲むように形成された支持部212と、支持部212に対し可動部211を回動可能とするように可動部211と支持部212とを連結する1対の弾性連結部213、214とを備えている。
また、図5に示すように、基体210は、第1の層270と第1の層270と接合する第2の層280とからなる。
また、図5に示すように、基体210は、第1の層270と第1の層270と接合する第2の層280とからなる。
第1の層270の上面には、後述する流路251を形成する凹部257が形成されている。
第2の層280は、凹部257を覆うように、第1の層270に接合される。これにより、流路251を可動部211内部に形成することができる。流路251は、可動部211を冷却するために、後述する供給手段254を用いて後述する冷却媒体255を流通させる流路である。
また、本実施形態では、第1の層270に凹部257を形成しているが、可動部を通過する流路を形成することができれば、これに限定されず、例えば、第2の層280の下面に凹部が形成されていてもよく、第1の層270の上面および第2の層280の下面とのそれぞれに凹部が形成されていてもよい。
第2の層280は、凹部257を覆うように、第1の層270に接合される。これにより、流路251を可動部211内部に形成することができる。流路251は、可動部211を冷却するために、後述する供給手段254を用いて後述する冷却媒体255を流通させる流路である。
また、本実施形態では、第1の層270に凹部257を形成しているが、可動部を通過する流路を形成することができれば、これに限定されず、例えば、第2の層280の下面に凹部が形成されていてもよく、第1の層270の上面および第2の層280の下面とのそれぞれに凹部が形成されていてもよい。
第1の層270の構成材料としては、例えば、シリコンが好適に用いられる。
第2の層280の構成材料としては、凹部257を覆うことができれば特に限定されず、各種有機材料、無機材料などを用いることができる。
この中でも特に、シリコン、ホウケイ酸ガラス等のアルカリ金属含有ガラス、高熱伝導材料、シリコンゴム等の高分子材料などが好ましい。
第2の層280の構成材料としては、凹部257を覆うことができれば特に限定されず、各種有機材料、無機材料などを用いることができる。
この中でも特に、シリコン、ホウケイ酸ガラス等のアルカリ金属含有ガラス、高熱伝導材料、シリコンゴム等の高分子材料などが好ましい。
シリコンを用いた場合には、第1の層270と同一材料とすることができ、第1の層270と第2の層280とを直接接合により強固に接合させることができる。その結果、基体210の耐久性を向上させることができる。
アルカリ金属含有ガラスを用いた場合には、第1の層270と第2の層280とを陽極接合により強固に接合することができ、基体210の耐久性を向上させることができる。さらに、接合したガラスを通して基体210の内部を観察することができるため、流路251からの冷却媒体255の流出などの不具合を製造工程において容易に検査することができる。
アルカリ金属含有ガラスを用いた場合には、第1の層270と第2の層280とを陽極接合により強固に接合することができ、基体210の耐久性を向上させることができる。さらに、接合したガラスを通して基体210の内部を観察することができるため、流路251からの冷却媒体255の流出などの不具合を製造工程において容易に検査することができる。
シリコンゴム等の高分子材料を用いた場合には、その粘着性により凹部257を覆うことができる。
高熱伝導材料を用いた場合には、可動部211で発生した熱を、その高熱伝導材料を通じて外部へ放出することができる。これにより、可動部211をより効果的に冷却することができる。
高熱伝導材料を用いた場合には、可動部211で発生した熱を、その高熱伝導材料を通じて外部へ放出することができる。これにより、可動部211をより効果的に冷却することができる。
このような高熱伝導材料としては、特に限定されないが、例えば、Li、Be、B、Na、Mg、Al、K、Ca、Sc、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Rb、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Cd、In、Sn、Sb、Cs、Ba、La、Hf、Ta、W、Tl、Pb、Bi、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Ag、Au、Pt、Pdのような金属(金属単体)、これらの金属を含む合金、これらの金属を含む酸化物や窒化物等が挙げられる。
これらの中でも、高熱伝導性材料としては、アルミニウム、銅、チタン、ステンレス鋼のような金属材料、窒化アルミニウム、窒化ケイ素等のセラミックス材料が好ましい。
また、本実施形態では、第2の層280は、第1の層270の上面(凹部257が形成されている面)全域と接合するよう構成されているが、流路251を形成するために凹部257を覆うことができればこれに限定されず、例えば、第2の層280は、第1の層270の一部と接合するものであってもよい。
また、本実施形態では、第2の層280は、第1の層270の上面(凹部257が形成されている面)全域と接合するよう構成されているが、流路251を形成するために凹部257を覆うことができればこれに限定されず、例えば、第2の層280は、第1の層270の一部と接合するものであってもよい。
このような、基体210は、可動部211と、支持部212と、1対の弾性連結部213、214とが一体的に形成されている。言い換えすれば、基体210に異形孔が形成されることにより、可動部211と、支持部212と、1対の弾性連結部213、214とが形成されている。これにより、(1)製造工程が少なくてすむので安価となる。(2)一体型なので亀裂などの故障を回避することができる。(3)弾性体としての設計が容易となる。
可動部211は、板状をなし、その上面には、光反射部260が設けられている。なお、可動部211は略板状をなしていればよい。
可動部211の平均厚さは、1〜1500μmであるのが好ましく、10〜300μmであるのがより好ましい。
支持部212は、可動部211を囲むように形成された枠状をなしている。
支持部212は、枠状に限定されず、例えば、弾性連結部213に接続される部分と、弾性連結部214に接続される部分とに分割されていてもよい。
可動部211の平均厚さは、1〜1500μmであるのが好ましく、10〜300μmであるのがより好ましい。
支持部212は、可動部211を囲むように形成された枠状をなしている。
支持部212は、枠状に限定されず、例えば、弾性連結部213に接続される部分と、弾性連結部214に接続される部分とに分割されていてもよい。
1対の弾性連結部213、214は、互いに同軸的に設けられており、これらを回動中心軸(回動軸線)219として、可動部211が支持部212に対して回動可能となっている。弾性連結部213、214の横断面は、それぞれ、可動部211の板厚方向を長手とする形状をなしている。
弾性連結部213、214のばね定数k1は、それぞれ、1×10−4〜1×104Nm/radであるのが好ましく、1×10−2〜1×103Nm/radであるのがより好ましく、1×10−1〜1×102Nm/radであるのがさらに好ましい。これにより、後述する電圧素子241、242、243、244の駆動電圧の低減化を図りつつ、可動部211の回転角度(振れ角)をより大きくすることができる。
弾性連結部213、214のばね定数k1は、それぞれ、1×10−4〜1×104Nm/radであるのが好ましく、1×10−2〜1×103Nm/radであるのがより好ましく、1×10−1〜1×102Nm/radであるのがさらに好ましい。これにより、後述する電圧素子241、242、243、244の駆動電圧の低減化を図りつつ、可動部211の回転角度(振れ角)をより大きくすることができる。
支持部材230は、接合層220を介して基体210に接合している。
接合層220の構成材料としては、基体210と支持部材230とを接合することができるものであれば特に限定されないが、例えば、基体210および支持部材230がともにシリコンを主材料として構成されている場合には、SiO2が好適に用いられる。また、基体210と支持部材230とを接合層220を介さずに直接、接合させてもよい。
支持部材230は、例えば、各種ガラスやシリコン等を主材料として構成されている。
支持部材230には、図3および図4に示すように、可動部211の回動を許容するように開口部231が形成されている。
接合層220の構成材料としては、基体210と支持部材230とを接合することができるものであれば特に限定されないが、例えば、基体210および支持部材230がともにシリコンを主材料として構成されている場合には、SiO2が好適に用いられる。また、基体210と支持部材230とを接合層220を介さずに直接、接合させてもよい。
支持部材230は、例えば、各種ガラスやシリコン等を主材料として構成されている。
支持部材230には、図3および図4に示すように、可動部211の回動を許容するように開口部231が形成されている。
このようなアクチュエータ200は、次のようにして駆動する。
駆動手段240は、可動部211と弾性連結部213、214とからなる振動部を駆動させるために、図2中矢印方向に伸縮する電圧素子241、242、243、244が支持部212に支持されているとともに、圧電素子241、242が弾性連結部213に接続され、圧電素子243、244が弾性連結部214に接続されている。
駆動手段240は、可動部211と弾性連結部213、214とからなる振動部を駆動させるために、図2中矢印方向に伸縮する電圧素子241、242、243、244が支持部212に支持されているとともに、圧電素子241、242が弾性連結部213に接続され、圧電素子243、244が弾性連結部214に接続されている。
なお、圧電素子241、242、243、244の伸縮方向での一端部は、支持部212に直接接続されていなくても、支持部212に対して固定的に設けられた部分に接続されていればよい。
このような圧電素子241、242、243、244は、それぞれ、図示しない駆動手段に接続されており、この駆動手段から電圧の供給を受けて駆動する。
このような圧電素子241、242、243、244は、それぞれ、図示しない駆動手段に接続されており、この駆動手段から電圧の供給を受けて駆動する。
具体的には、圧電素子241、242を伸張状態とするとともに、圧電素子243、244を収縮状態とする状態と、圧電素子241、242を収縮状態とするとともに、圧電素子243、244を伸張状態とする状態とを交互に繰り返す。これにより、弾性連結部213、214が回動中心軸219を中心に捩れて、可動部211が支持部212に対し回動中心軸219まわりに回動する。
冷却手段250は、流路251と、冷却媒体255と、供給手段254とを備え、供給手段254を用いて冷却媒体255を流路251に流通させることで可動部211を直接冷却することができる。
流路251には、図4に示すように、冷却媒体255の導入口252と、排出口253とが設けられている。
流路251には、図4に示すように、冷却媒体255の導入口252と、排出口253とが設けられている。
流路251は、図3および図4に示すように、可動部211の内部に形成されている。これにより、可動部211を直接冷却することができる。また、簡単な工程で可動部211に流路251を形成することができる。なお、可動部211を冷却することができるものであればこれに限定されず、例えば、流路の形成された部材を別途作成し、その部材を可動部211に取り付ける等してもよい。この場合、可動部211は積層体でなく単層で構成されていてもよい。
流路251は、図3ないし図5に示すように、板状からなる可動部211の面に沿ってパターニングされている。これにより、可動部211のほぼ全面に流路251を形成することで、可動部211の内部を通る流路の全長を長くすることができる。その結果、可動部211を効果的に冷却することができる。
流路251は、図3ないし図5に示すように、導入口252から弾性連結部214を通じて可動部211に流通し、可動部211から弾性連結部213を通じて排出口253より排出されるように、可動部211または弾性連結部213、214などの内部に形成されている。これにより、弾性連結部213、214を直接冷却し、弾性連結部213、214の昇温を防ぐことができる。その結果、弾性連結部213、214の振動特性の変化を防止しつつ、可動部211をより効果的に冷却することができ、アクチュエータ200は、安定した駆動を行うことができる。
流路251は、図3ないし図5に示すように、導入口252から弾性連結部214を通じて可動部211に流通し、可動部211から弾性連結部213を通じて排出口253より排出されるように、可動部211または弾性連結部213、214などの内部に形成されている。これにより、弾性連結部213、214を直接冷却し、弾性連結部213、214の昇温を防ぐことができる。その結果、弾性連結部213、214の振動特性の変化を防止しつつ、可動部211をより効果的に冷却することができ、アクチュエータ200は、安定した駆動を行うことができる。
流路251は、図3ないし図5に示すように、可動部211と弾性連結部213との接続部と、可動部211と弾性連結部214との接続部とのうち、一方の接続部から可動部211の回動中心軸219に対して直角方向で、かつ、可動部211の板厚方向に対して直角方向に往復しながら他方の接続部へ向かうように規則的に形成されている。これにより、可動部211の容積に対して流路251の容積が占める割合を大きくすることができる。その結果、可動部211の内部を流れる冷却媒体255の容量を増やすことができ、可動部211をより効果的に冷却することができる。なお、流路251は、本実施形態に限定されず、例えば前記連結部の一方から他方へ最短距離で向かうよう形成された流路でもよいし、不規則に蛇行するように形成された流路でもよい。また、流路は一本である必要はなく、例えば、可動部21の内部で複数の流路に分岐するように形成された流路であってもよい。
流路251は、可動部211の重心と、可動部211の回動中心とが一致するよう形成されており、可動部211は回動中心で釣合うこととなる。これにより、アクチュエータ200は、安定した駆動を行うことができる。なお、流路251は、アクチュエータ200が安定した駆動を行うことが可能であれば、可動部211の重心と可動部211の回動中心とが一致するよう形成されていなくてもよい。
また、可動部211の重心と可動部211の回動中心とを一致させる場合であっても、流路251の形状、長さ、配置などの形態は、本実施形態に限定されない。
流路251は、流路全長において横断面積が均一となるよう形成されている。これにより、流路251内に後述する冷却媒体255をよりスムーズに流通させることができ、可動部211の冷却をより効率的に行うことができる。ただし、冷却媒体を流通させることができれば、本実施形態に限定されない。
冷却媒体255としては、特に限定されないが、例えば、液体、気体などの流体を用いることができる。この中でも特に、フロリナート、液体ヘリウム、液体窒素などが好適に用いられる。これにより、冷却効果をより優れたものとすることができる。
流路251は、流路全長において横断面積が均一となるよう形成されている。これにより、流路251内に後述する冷却媒体255をよりスムーズに流通させることができ、可動部211の冷却をより効率的に行うことができる。ただし、冷却媒体を流通させることができれば、本実施形態に限定されない。
冷却媒体255としては、特に限定されないが、例えば、液体、気体などの流体を用いることができる。この中でも特に、フロリナート、液体ヘリウム、液体窒素などが好適に用いられる。これにより、冷却効果をより優れたものとすることができる。
供給手段254としては、流路251に冷却媒体255を供給することができれば特に限定されないが、スクリュポンプなどを好適に用いることができる。
供給手段254は、後述する制御手段400に接続されている。
また、本実施形態では、図2に示すように、導入口252および排出口253は、それぞれ管路256を介して供給手段254に接続されており、冷却媒体255が流路251を循環している。これにより、可動部211をより効果的に冷却することができる。ただし、本実施形態に限定されず、例えば、管路256を介さずに導入口252および排出口253を直接接続させてもよい。また、可動部211を冷却することができれば冷却媒体255を流路251に循環させなくてもよく、例えば、供給手段254を駆動させて冷却媒体255を導入口252から供給し、排出口253から排出させるものであってもよい。
供給手段254は、後述する制御手段400に接続されている。
また、本実施形態では、図2に示すように、導入口252および排出口253は、それぞれ管路256を介して供給手段254に接続されており、冷却媒体255が流路251を循環している。これにより、可動部211をより効果的に冷却することができる。ただし、本実施形態に限定されず、例えば、管路256を介さずに導入口252および排出口253を直接接続させてもよい。また、可動部211を冷却することができれば冷却媒体255を流路251に循環させなくてもよく、例えば、供給手段254を駆動させて冷却媒体255を導入口252から供給し、排出口253から排出させるものであってもよい。
次に、温調手段300について詳述する。
温調手段300は、アクチュエータ200を収容するハウジング310と、加熱手段320と、冷却手段330とを備えている。
温調手段300は、加熱手段320および冷却手段330を駆動させ、その駆動を後述する制御手段400により制御することでハウジング310内の温度を設定温度範囲内とすることができる。その結果、アクチュエータ200の振動特性の変化を防止することができ、光学デバイス100は、安定した駆動を行うことができる。
温調手段300は、アクチュエータ200を収容するハウジング310と、加熱手段320と、冷却手段330とを備えている。
温調手段300は、加熱手段320および冷却手段330を駆動させ、その駆動を後述する制御手段400により制御することでハウジング310内の温度を設定温度範囲内とすることができる。その結果、アクチュエータ200の振動特性の変化を防止することができ、光学デバイス100は、安定した駆動を行うことができる。
以下、ハウジング310、加熱手段320、冷却手段330について、順次説明する。
ハウジング310は、図1に示すように、光透過部311と、光透過部311を下方から支持する基台313とから構成される。ハウジング310は、光透過部311と基台313により、これらの間に空間316を区画形成されている。また、この空間316にアクチュエータ200が収容されている。
ハウジング310は、図1に示すように、光透過部311と、光透過部311を下方から支持する基台313とから構成される。ハウジング310は、光透過部311と基台313により、これらの間に空間316を区画形成されている。また、この空間316にアクチュエータ200が収容されている。
基台313は、基台313上面(光透過部311側の面)に可動部211の振動し得るスペースを確保するための凹部317が形成され、箱状をなしている。
なお、本実施形態では、基台313は箱状をなしているが、可動部211の振動し得るスペースを確保することができれば特に限定されない。
基台313には、後述する加熱手段320および冷却手段330が設けられている。
なお、本実施形態では、基台313は箱状をなしているが、可動部211の振動し得るスペースを確保することができれば特に限定されない。
基台313には、後述する加熱手段320および冷却手段330が設けられている。
凹部317の底面には、アクチュエータ200と、後述する温度センサ410とが載置されている。
基台313には、基台313の外面と内面とにそれぞれ露出するように端子318が取り付けられている。各圧電素子241、242、243、244は、端子318を介して前述した図示しない駆動手段に接続されている。
基台313には、基台313の外面と内面とにそれぞれ露出するように端子318が取り付けられている。各圧電素子241、242、243、244は、端子318を介して前述した図示しない駆動手段に接続されている。
基台313には、基台313の外面と内面とにそれぞれ露出するように端子319が取り付けられている。温度センサ410は、端子319を介して後述する制御手段400に接続されている。
基台313の構成材料としては、特に限定されないが、例えば、断熱材料、高熱伝導材料、シリコン、各種ガラスなどが好適に用いられる。
基台313の構成材料としては、特に限定されないが、例えば、断熱材料、高熱伝導材料、シリコン、各種ガラスなどが好適に用いられる。
断熱材料を用いた場合には、空間316の温度がハウジング310外部の温度により受ける影響を少なくすることができる。これにより、加熱手段320および冷却手段330を効率的に駆動することができる。
高熱伝導材料を用いた場合には、その熱伝導性により加熱手段320および冷却手段330を基台313外部に設けることができる。これにより、ハウジング310の小型化を図ることができる。
高熱伝導材料を用いた場合には、その熱伝導性により加熱手段320および冷却手段330を基台313外部に設けることができる。これにより、ハウジング310の小型化を図ることができる。
シリコンを用いた場合には、例えば、後述する光透過部311をガラスで構成すると、陽極接合により、基台313と光透過部311とを強固に接合することができ、光学デバイス100の耐久性が向上する。また、この場合には、支持部材230をシリコンで構成すると、直接接合により、アクチュエータ200と基台313とを強固に接合することができ、光学デバイス100の耐久性が向上する。
各種ガラスを用いた場合には、例えば、後述する光透過部311をガラスで構成すると、陽極接合により、基台313と光透過部311とを強固に接合することができ、光学デバイス100の耐久性が向上する。また、この場合には、支持部材230をシリコンで構成すると、陽極接合により、アクチュエータ200と基台313とを強固に接合することができ、光学デバイス100の耐久性が向上する。さらに、そのガラスからハウジング310内部を観察することが可能となり、製造段階において、光学デバイス100の不具合などの確認を容易に行うことができる。
このような基台313の凹部317を覆うように、光透過部311が基台313と接合している。光透過部311と基台313との接合方法としては、光透過部311と基台313とを接合することが可能であれば限定されず、直接的に接合するもの、接着材や化合物などを介して接合するもの等であってもよい。
このような基台313の凹部317を覆うように、光透過部311が基台313と接合している。光透過部311と基台313との接合方法としては、光透過部311と基台313とを接合することが可能であれば限定されず、直接的に接合するもの、接着材や化合物などを介して接合するもの等であってもよい。
光透過部311の構成材料としては、光透過性を有していれば特に限定されず、例えば、各種ガラス、シリコンなどが好適に用いられる。
光透過部の両面には、反射防止膜312が形成されている。なお、反射防止膜312は、省略してもよい。
反射防止膜312は、必要な光学特性が得られれば特に限定されないが、誘電体多層膜で形成されているものが好ましい。すなわち、反射防止膜312は、高屈折率層と低屈折率層とが交互に複数積層されてなるものであるのが好ましい。これにより、光の損失を防止して、光学特性を向上することができる。
光透過部の両面には、反射防止膜312が形成されている。なお、反射防止膜312は、省略してもよい。
反射防止膜312は、必要な光学特性が得られれば特に限定されないが、誘電体多層膜で形成されているものが好ましい。すなわち、反射防止膜312は、高屈折率層と低屈折率層とが交互に複数積層されてなるものであるのが好ましい。これにより、光の損失を防止して、光学特性を向上することができる。
高屈折率層を構成する材料としては、反射防止膜312に必要な光学特性を得ることができるものであれば特に限定されないが、可視光領域や赤外光領域で用いる場合には、Ti2O、Ta2O5、酸化ニオブなどが挙げられ、また、紫外光領域で用いる場合には、Al2O3、HfO2、ZrO2、ThO2などが挙げられる。
低屈折率層を構成する材料としては、反射防止膜312に必要な光学特性を得ることができるものであれば特に限定されないが、例えば、MgF2、SiO2などが挙げられる。特に、低屈折率層の構成材料としては、SiO2を主材料とするものが好適に用いられる。
低屈折率層を構成する材料としては、反射防止膜312に必要な光学特性を得ることができるものであれば特に限定されないが、例えば、MgF2、SiO2などが挙げられる。特に、低屈折率層の構成材料としては、SiO2を主材料とするものが好適に用いられる。
反射防止膜312を構成する高屈折率層および低屈折率層の層数、厚さは、必要とする光学特性に応じて設定される。一般に、多層膜により反射防止膜を構成する場合、その光学特性に必要な層数は4層程度である。
光透過部311と基台313とで形成される空間316は、気密的であるのが好ましい。これにより、効率的に空間316の雰囲気温度(可動部の周辺の雰囲気温度、以下同じ)を設定温度範囲内にすることができる。
光透過部311と基台313とで形成される空間316は、気密的であるのが好ましい。これにより、効率的に空間316の雰囲気温度(可動部の周辺の雰囲気温度、以下同じ)を設定温度範囲内にすることができる。
また、空間316は、減圧状態、不活性ガス充填状態であるのが好ましい。これにより、可動部211が振動するときの空気抵抗が軽減され、より大きい振幅(振れ角)とすることができ、光学デバイス100の信頼性が向上する。
加熱手段320は、設定温度範囲に対して空間316の雰囲気温度が低い場合に、空間316の雰囲気温度を上昇させ、設定温度範囲内とすることでアクチュエータ200の振動特性の変化を防止することができる。これにより、アクチュエータ200(光学デバイス100)は、安定した駆動を行うことができる。
加熱手段320は、設定温度範囲に対して空間316の雰囲気温度が低い場合に、空間316の雰囲気温度を上昇させ、設定温度範囲内とすることでアクチュエータ200の振動特性の変化を防止することができる。これにより、アクチュエータ200(光学デバイス100)は、安定した駆動を行うことができる。
加熱手段320としては、空間316の雰囲気温度を上昇させることができれば特に限定されないが、例えば、通電により発熱する発熱体を用いたもの、化学反応を用いたものなどを好適に用いることができる。
加熱手段320は、後述する制御手段400に接続されている。
加熱手段320の取り付け位置について、本実施形態では、基台313側壁内部に設置しているものについて説明しているが、空間316の雰囲気温度を上昇させることができれば特に限定されず、例えば、基台313の底部に設置してもよいし、前述したように基台313が高熱伝導材料から構成されている場合などには基台313の外周側面に設置してもよい。
加熱手段320は、後述する制御手段400に接続されている。
加熱手段320の取り付け位置について、本実施形態では、基台313側壁内部に設置しているものについて説明しているが、空間316の雰囲気温度を上昇させることができれば特に限定されず、例えば、基台313の底部に設置してもよいし、前述したように基台313が高熱伝導材料から構成されている場合などには基台313の外周側面に設置してもよい。
冷却手段330は、設定温度範囲に対して空間316の雰囲気温度が高い場合に、空間316の雰囲気温度を冷却し、設定温度範囲内とすることでアクチュエータ200の振動特性の変化を防止することができる。これにより、アクチュエータ200は、安定した駆動を行うことができる。
冷却手段330としては、空間316の雰囲気温度を冷却することができれば特に限定されないが、例えば、ペルチェ素子を用いた素子、ハウジング310内部に冷却媒体を流通させる流路、化学反応を用いたものなどを好適に用いることができる。
冷却手段330としては、空間316の雰囲気温度を冷却することができれば特に限定されないが、例えば、ペルチェ素子を用いた素子、ハウジング310内部に冷却媒体を流通させる流路、化学反応を用いたものなどを好適に用いることができる。
冷却手段330は、後述する制御手段400に接続されている。
冷却手段330の取り付け位置について、本実施形態では、基台313側面内部に設置しているが、空間316の温度を冷却することができれば特に限定されず、例えば、基台313の底面に設置してもよいし、前述したペルチェ素子を用いた場合などには基台313の外周側面に設置してもよい。
冷却手段330の取り付け位置について、本実施形態では、基台313側面内部に設置しているが、空間316の温度を冷却することができれば特に限定されず、例えば、基台313の底面に設置してもよいし、前述したペルチェ素子を用いた場合などには基台313の外周側面に設置してもよい。
このような、加熱手段320および冷却手段330を組み合わせて用いることで空間316の温度をより確実に設定温度範囲内にすることができる。すなわち、加熱手段320および冷却手段330のそれぞれを適時駆動させることにより、空間316の雰囲気温度の変動を小さくすることができる。
これにより、ハウジング310外部の温度変化による可動部211の振動特性の変化を防止することができる。その結果、光学デバイス100は、安定した駆動を行うことができる。
これにより、ハウジング310外部の温度変化による可動部211の振動特性の変化を防止することができる。その結果、光学デバイス100は、安定した駆動を行うことができる。
本実施形態では、加熱手段320と冷却手段330を組み合わせて用いたものについて説明したが、空間316の温度を設定温度範囲内に温調することができれば特に限定されず、例えば、加熱手段320または冷却手段330のどちらか一方のみを用いてもよい。
また、本実施形態では、基台313に加熱手段320および冷却手段330を設けたものについて説明したが、空間316の温度を設定温度範囲内に温調することができればこれに限定されず、例えば、板状の発熱体と板状の冷却体とで基台313を構成するものであってもよい。すなわち、基台313自体が、加熱手段320と冷却手段330を兼ねていてもよい。
また、本実施形態では、基台313に加熱手段320および冷却手段330を設けたものについて説明したが、空間316の温度を設定温度範囲内に温調することができればこれに限定されず、例えば、板状の発熱体と板状の冷却体とで基台313を構成するものであってもよい。すなわち、基台313自体が、加熱手段320と冷却手段330を兼ねていてもよい。
制御手段400は、図6に示すように、温度センサ410、加熱手段320、冷却手段330、供給手段254のそれぞれと接続されている。
温度センサ410は、可動部211の温度または可動部211の近傍の温度と、空間316の雰囲気温度とを検知することができる。
温度センサ410は、可動部211の温度または可動部211の近傍の温度と、空間316の雰囲気温度とを検知することができれば特に限定されないが、例えば、サーミスタなどを好適に用いることができる。また、温度センサは、1つであることに限定されず、例えば、可動部211の温度または可動部211の近傍の温度を検知する温度センサと、空間316の雰囲気温度を検知する温度センサを別途設けてもよい。
温度センサ410は、可動部211の温度または可動部211の近傍の温度と、空間316の雰囲気温度とを検知することができる。
温度センサ410は、可動部211の温度または可動部211の近傍の温度と、空間316の雰囲気温度とを検知することができれば特に限定されないが、例えば、サーミスタなどを好適に用いることができる。また、温度センサは、1つであることに限定されず、例えば、可動部211の温度または可動部211の近傍の温度を検知する温度センサと、空間316の雰囲気温度を検知する温度センサを別途設けてもよい。
制御手段400は、温度センサ410の検知結果に基づいて、可動部211の温度はたは可動部211の近傍の温度を設定温度範囲内にするように供給手段254の駆動を制御することができる。これにより、可動部211の温度を設定温度範囲内にすることで、アクチュエータ200の振動特性の変化を防止することができる。その結果、アクチュエータ200は、安定した駆動を行うことができる。この制御には、例えば、流路251を流通する冷却媒体255の流速などを変化させる方法などが挙げられる。
制御手段400は、温度センサ410の検知結果に基づいて、空間316の雰囲気温度を設定温度範囲内にするように加熱手段320および冷却手段330の駆動を制御することができる。これにより、ハウジング310外部の温度変化による可動部211の振動特性の変化を防止し、アクチュエータ200は、安定した駆動を行うことができる。
これにより、制御手段400による前述した2つの制御を組み合わせて用いることで、光学デバイス100は、より安定した駆動を行うことができる。
これにより、制御手段400による前述した2つの制御を組み合わせて用いることで、光学デバイス100は、より安定した駆動を行うことができる。
このような光学デバイス100は、例えば、次のようにして製造することができる。
図7ないし図10は、それぞれ、第1実施形態の光学デバイスの製造方法を説明するための図(縦断面図)である。なお、以下では、説明の便宜上、図7ないし図10中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
[A1]
まず、図7(a)に示すように、Si層501、SiO2層502、Si層503が順次積層された基板(SOI基板)500を用意する。なお、基板500のうち、Si層501は、第1の層270を構成し、Si層503は、支持部材230を構成するものである。
図7ないし図10は、それぞれ、第1実施形態の光学デバイスの製造方法を説明するための図(縦断面図)である。なお、以下では、説明の便宜上、図7ないし図10中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
[A1]
まず、図7(a)に示すように、Si層501、SiO2層502、Si層503が順次積層された基板(SOI基板)500を用意する。なお、基板500のうち、Si層501は、第1の層270を構成し、Si層503は、支持部材230を構成するものである。
そして、基板500の上面(Si層501側の面)に、フォトレジストを塗布し、露光、現像を行う。これにより、流路を形成する凹部257の形状に対応するように、図7(b)に示すようなレジストマスク600を形成する。なお、レジストマスク600に代えて、凹部257の形状に対応する形状をなす金属マスク、SiO2マスク、SiNマスクを用いることもできる。
[A2]
さらに、このレジストマスク600を介して、基板500の前記上面を表面層の途中までエッチングを行う。これにより、図7(c)に示すように、凹部257が形成される。その後、レジストマスク600を除去する。
[A2]
さらに、このレジストマスク600を介して、基板500の前記上面を表面層の途中までエッチングを行う。これにより、図7(c)に示すように、凹部257が形成される。その後、レジストマスク600を除去する。
[A3]
一方、第2の層280となるべき基板510を用意する。
そして、工程[A2]で得られた凹部257を覆うように、基板500と基板510とを接合する。これにより、流路251が形成される。
なお、基板510にシリコンを用いた場合には、直接接合により接合することができる。また、基板510にホウケイ酸ガラス等のアルカリ金属含有ガラスを用いた場合には、陽極接合により接合することができる。
次に、図7(e)の示すように、基板510の厚さを調整(薄肉化)し、基板520を得る。
一方、第2の層280となるべき基板510を用意する。
そして、工程[A2]で得られた凹部257を覆うように、基板500と基板510とを接合する。これにより、流路251が形成される。
なお、基板510にシリコンを用いた場合には、直接接合により接合することができる。また、基板510にホウケイ酸ガラス等のアルカリ金属含有ガラスを用いた場合には、陽極接合により接合することができる。
次に、図7(e)の示すように、基板510の厚さを調整(薄肉化)し、基板520を得る。
[A4]
工程[A3]で得られた基板520の上面(基板510側の面)に、フォトレジストを塗布し、露光、現像を行う。これにより、導入口252、排出口253の形状に対応するようにレジストマスクを形成する(図示せず)。
さらに、このレジストマスクを介して、基板520の前記上面を表面層の途中までエッチングを行う。これにより、導入口252、排出口253が形成される。その後、レジストマスクを除去する(図示せず)。
工程[A3]で得られた基板520の上面(基板510側の面)に、フォトレジストを塗布し、露光、現像を行う。これにより、導入口252、排出口253の形状に対応するようにレジストマスクを形成する(図示せず)。
さらに、このレジストマスクを介して、基板520の前記上面を表面層の途中までエッチングを行う。これにより、導入口252、排出口253が形成される。その後、レジストマスクを除去する(図示せず)。
[A5]
次に、基板520の上面(基板510側の面)に、フォトレジストを塗布し、露光、現像を行う。これにより、可動部211、支持部212、弾性連結部213、214の形状に対応するように、図8(a)に示すようなレジストマスク601を形成する。なお、レジストマスク601に代えて、可動部211、支持部212、弾性連結部213、214の形状に対応する形状をなす金属マスク、SiO2マスク、SiNマスクを用いることもできる。
次に、基板520の上面(基板510側の面)に、フォトレジストを塗布し、露光、現像を行う。これにより、可動部211、支持部212、弾性連結部213、214の形状に対応するように、図8(a)に示すようなレジストマスク601を形成する。なお、レジストマスク601に代えて、可動部211、支持部212、弾性連結部213、214の形状に対応する形状をなす金属マスク、SiO2マスク、SiNマスクを用いることもできる。
[A6]
次に、このレジストマスク601を介して、基板520の前記上面をエッチングする。これにより、図8(b)に示すように、可動部211、支持部212、弾性連結部213、214が形成される。このとき、SiO2層502は前記エッチングのストップ層としても機能する。
エッチング方法としては、例えば、プラズマエッチング、リアクティブイオンエッチング、ビームエッチング、光アシストエッチング等の物理的エッチング法、ウェットエッチング等の化学的エッチング法等のうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。なお、以下の各工程におけるエッチングにおいても、同様の方法を用いることができる。
次に、このレジストマスク601を介して、基板520の前記上面をエッチングする。これにより、図8(b)に示すように、可動部211、支持部212、弾性連結部213、214が形成される。このとき、SiO2層502は前記エッチングのストップ層としても機能する。
エッチング方法としては、例えば、プラズマエッチング、リアクティブイオンエッチング、ビームエッチング、光アシストエッチング等の物理的エッチング法、ウェットエッチング等の化学的エッチング法等のうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。なお、以下の各工程におけるエッチングにおいても、同様の方法を用いることができる。
[A7]
一方、基板520の下面(Si層503側の面)に、フォトレジストを塗布し、露光、現像を行う。これにより、支持部材230の形状に対応するように、図8(c)に示すようなレジストマスク602を形成する。
次に、このレジストマスク602を介して、基板520の前記下面をエッチングした後、レジストマスク602を除去する。これにより、図8(d)に示すように、支持部材230および、開口部231が形成させる。
一方、基板520の下面(Si層503側の面)に、フォトレジストを塗布し、露光、現像を行う。これにより、支持部材230の形状に対応するように、図8(c)に示すようなレジストマスク602を形成する。
次に、このレジストマスク602を介して、基板520の前記下面をエッチングした後、レジストマスク602を除去する。これにより、図8(d)に示すように、支持部材230および、開口部231が形成させる。
[A8]
次に、SiO2層502のうち、開口部231に対応する部分をエッチングにより除去する。これにより、図8(e)に示すように、可動部211、弾性連結部213、214が回動可能にリリースされる。
[A9]
次に、レジストマスク602を除去した後、可動部211上に金属膜を成膜し、光反射部260を形成する。
次に、SiO2層502のうち、開口部231に対応する部分をエッチングにより除去する。これにより、図8(e)に示すように、可動部211、弾性連結部213、214が回動可能にリリースされる。
[A9]
次に、レジストマスク602を除去した後、可動部211上に金属膜を成膜し、光反射部260を形成する。
金属膜の成膜方法としては、真空蒸着、スパッタリング(低温スパッタリング)、イオンプレーティング等の乾式メッキ法、電解メッキ、無電解メッキ等の湿式メッキ法、溶射法、金属箔の接合等が挙げられる。なお、以下の各工程における金属膜の成膜においても、同様の方法を用いることができる。
なお、前述の工程[A5]にてレジストマスク601に代えて金属マスクを使用した場合、前述の工程[A8]にて、金属マクスの一部を除去せずに光反射部260としてもよい。
なお、前述の工程[A5]にてレジストマスク601に代えて金属マスクを使用した場合、前述の工程[A8]にて、金属マクスの一部を除去せずに光反射部260としてもよい。
[A10]
さらに、図8(f)に示すように、圧電素子241、242、243、244を取り付けて、アクチュエータ200を得る。
[A11]
図9(a)に示すように、基台313となるべき基板530を用意する。
次に、基板530の上面に、フォトレジストを塗布し、露光、現像を行う。これにより、凹部317の形状に対応するように、図9(b)に示すようなレジストマスク603を形成する。なお、レジストマスク603に代えて、凹部317の形状に対応する形状をなす金属マスク、SiO2マスク、SiNマスクを用いることもできる。
さらに、図8(f)に示すように、圧電素子241、242、243、244を取り付けて、アクチュエータ200を得る。
[A11]
図9(a)に示すように、基台313となるべき基板530を用意する。
次に、基板530の上面に、フォトレジストを塗布し、露光、現像を行う。これにより、凹部317の形状に対応するように、図9(b)に示すようなレジストマスク603を形成する。なお、レジストマスク603に代えて、凹部317の形状に対応する形状をなす金属マスク、SiO2マスク、SiNマスクを用いることもできる。
さらに、このレジストマスク603を介して、基板530の前記上面を表面層の途中までエッチングを行う。これにより、図9(c)に示すように、凹部317が形成される。その後、レジストマスク603を除去する。
次に、基板530の下面(凹部317と反対の面)に、フォトレジストを塗布し、露光、現像を行う。これにより、端子318、端子319に対応するように、図9(d)に示すようなレジストマスク604を形成する。
さらに、このレジストマスク604を介して、基板530の前記下面のエッチングを行う。これにより、図9(e)に示すように、端子318、端子319が形成される。その後、レジストマスク604を除去する。これにより、基台313が得られる。
次に、基板530の下面(凹部317と反対の面)に、フォトレジストを塗布し、露光、現像を行う。これにより、端子318、端子319に対応するように、図9(d)に示すようなレジストマスク604を形成する。
さらに、このレジストマスク604を介して、基板530の前記下面のエッチングを行う。これにより、図9(e)に示すように、端子318、端子319が形成される。その後、レジストマスク604を除去する。これにより、基台313が得られる。
[A12]
工程[A11]で得られた基台313に、図10(a)に示すように、アクチュエータ200、加熱手段320、冷却手段330、端子318、端子319をそれぞれ所定位置に取り付ける。さらに、圧電素子241、242、243、244を端子318に接続し、温度センサ410を端子319に接続する。
工程[A11]で得られた基台313に、図10(a)に示すように、アクチュエータ200、加熱手段320、冷却手段330、端子318、端子319をそれぞれ所定位置に取り付ける。さらに、圧電素子241、242、243、244を端子318に接続し、温度センサ410を端子319に接続する。
[A13]
一方、図10(b)に示すように、光透過部311となるべき基板540を用意し、基板540の光透過面の各面に、反射防止膜312を形成する。より具体的には、基板540の光透過面に、前述したような高屈折率層と低屈折率層とを交互に積層することにより、反射防止膜312を形成する。
一方、図10(b)に示すように、光透過部311となるべき基板540を用意し、基板540の光透過面の各面に、反射防止膜312を形成する。より具体的には、基板540の光透過面に、前述したような高屈折率層と低屈折率層とを交互に積層することにより、反射防止膜312を形成する。
[A14]
工程[A12]で得られた光透過部311と基台313とを、図10(d)に示すように、凹部317を覆うように気密的に接合する。これにより、光学デバイス100が得られる。
以上のようにして、第1実施形態の光学デバイス100が製造される。
工程[A12]で得られた光透過部311と基台313とを、図10(d)に示すように、凹部317を覆うように気密的に接合する。これにより、光学デバイス100が得られる。
以上のようにして、第1実施形態の光学デバイス100が製造される。
≪第2実施形態≫
次に、本発明の第2実施形態について説明する。
図11は、本発明の光学デバイスの第3実施形態を示す断面図である。
なお、以下では、説明の便宜上、図11中の上側を「上」、下側を「下」、右側を「右」、左側を「左」と言う。
次に、本発明の第2実施形態について説明する。
図11は、本発明の光学デバイスの第3実施形態を示す断面図である。
なお、以下では、説明の便宜上、図11中の上側を「上」、下側を「下」、右側を「右」、左側を「左」と言う。
以下、第2実施形態の光学デバイスについて、前記第1実施形態の光学デバイスとの相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
第2実施形態の光学デバイス100Aは、ハウジング310Aの構成が異なり、それ以外は、前記第1の実施形態と同様である。
本実施形態においては、基台313Aは、図11に示すように、内層314Aと外層と315Aからなる二重構造を有し、内層314Aと外層315Aとの間に空間340Aが設けられている。このような第2実施形態の光学デバイス100Aによっても、前記第1実施形態の光学デバイス100と同様の作用・効果が得られる。特に、本実施形態によれば、空間316Aは、ハウジング310A外部の温度変化の影響を受けにくくなる。これにより、温調手段300Aを効率的に駆動することができる。さらに、空間340Aが減圧または真空状態とされている場合には、空間316Aは、ハウジング310A外部の温度変化の影響をより受けにくくなり、温調手段300Aをより効率的に駆動することができる。
第2実施形態の光学デバイス100Aは、ハウジング310Aの構成が異なり、それ以外は、前記第1の実施形態と同様である。
本実施形態においては、基台313Aは、図11に示すように、内層314Aと外層と315Aからなる二重構造を有し、内層314Aと外層315Aとの間に空間340Aが設けられている。このような第2実施形態の光学デバイス100Aによっても、前記第1実施形態の光学デバイス100と同様の作用・効果が得られる。特に、本実施形態によれば、空間316Aは、ハウジング310A外部の温度変化の影響を受けにくくなる。これにより、温調手段300Aを効率的に駆動することができる。さらに、空間340Aが減圧または真空状態とされている場合には、空間316Aは、ハウジング310A外部の温度変化の影響をより受けにくくなり、温調手段300Aをより効率的に駆動することができる。
なお、本実施形態では、内層314Aと外層315Aとの間に空間340Aが形成されている基台313Aについて説明したが、これに限定されず、例えば、空間340Aの代わりに、中間層として低熱伝導材料を用いる等してもよい。
また、光透過部311Aが、例えば、基台313Aのような内層と外層からなる二重構造を有していてもよい。
また、光透過部311Aが、例えば、基台313Aのような内層と外層からなる二重構造を有していてもよい。
以上、本発明の光学デバイスについて、図示の各実施形態について説明したが、本発明は、これらに限定されるものではない。
また、本発明の光学デバイスでは、各部の構成は、同様の機能を発揮する任意のものに置換することができ、また、任意の構成を付加することもできる。
また、前述した実施形態では、圧電駆動を用いたものを説明したが、駆動手段としてはこれに限定されず、静電駆動など他の駆動方式のものを採用することもできる。
また、本発明の光学デバイスでは、各部の構成は、同様の機能を発揮する任意のものに置換することができ、また、任意の構成を付加することもできる。
また、前述した実施形態では、圧電駆動を用いたものを説明したが、駆動手段としてはこれに限定されず、静電駆動など他の駆動方式のものを採用することもできる。
また、前述した実施形態では、基台と光透過部とで形成される空間が気密空間である場合について説明したが、可動部の周辺の雰囲気温度を設定温度範囲内にすることができればこれに限定されず、例えば、基台と光透過部とが気密空間を形成しておらず、通気部を有しているものなどであってもよい。
また、前述した実施形態では、1自由度振動系アクチュエータについて説明したが、これに限定されず、例えば、2自由度振動系アクチュエータであってもよい。
また、前述した実施形態では、1自由度振動系アクチュエータについて説明したが、これに限定されず、例えば、2自由度振動系アクチュエータであってもよい。
100、100A……光学デバイス 200……アクチュエータ 210……基体 211……可動部 212……支持部 213、214……弾性連結部 219……回動中心軸 220……接合層 230……支持部材 231……開口部 240……駆動手段 241、242、243、244……圧電素子 250……冷却手段 251……流路 252……導入口 253……排出口 254……供給手段 255……冷却媒体 256……管路 257……凹部 260……光反射部 300、300A……温調手段 310、310A……ハウジング 311、311A……光透過部 312……反射防止膜 313、313A……基台 314A……内層 315A……外層 316、316A、340A……空間 317……凹部 318、319……端子 320……加熱手段 330……冷却手段 400……制御手段 410……温度センサ 500、510、520、530、540……基板 501、503……Si層 502……SiO2層 600、601、602、603、604……レジストマスク
Claims (13)
- 光反射部を有し、回動可能に設けられた可動部と、
前記可動部を駆動する駆動手段とを有し、
前記駆動手段が前記可動部を回動させることにより、前記光反射部で反射した光を対象物に走査する光学デバイスであって、
前記可動部の周辺の雰囲気温度を設定温度範囲内とするように温調する温調手段を有することを特徴とする光学デバイス。 - 前記温調手段は、前記可動部を収容するハウジングを有する請求項1に記載の光学デバイス。
- 前記ハウジングは、その内部が気密空間となっている請求項2に記載の光学デバイス。
- 前記ハウジングは、外部から光を前記光反射部に入射させ、該光反射部による反射光を外部へ射出させる光透過部を有する請求項2または3に記載の光学デバイス。
- 前記光透過部の少なくとも一方の面には、反射防止膜が形成されている請求項4に記載の光学デバイス。
- 前記ハウジングの少なくとも一部は、高熱伝導材料を主材料として構成される請求項2ないし5のいずれかに記載の光学デバイス。
- 前記ハウジングの少なくとも一部は、断熱材料で構成されている請求項2ないし5のいずれかに記載の光学デバイス。
- 前記ハウジングの少なくとも一部は、内層と外層とからなる二重構造を有し、該内層と該外層との間に空間が設けられている請求項2ないし5のいずれかに記載の光学デバイス。
- 前記空間は、減圧となっている請求項8に記載の光学デバイス。
- 前記温調手段は、前記可動部の周囲の雰囲気温度を加熱する加熱手段を有する請求項1ないし9のいずれかに記載の光学デバイス。
- 前記温調手段は、前記可動部の周囲の雰囲気温度を冷却する冷却手段を有する請求項1ないし10のいずれかに記載の光学デバイス。
- 前記可動部を冷却する冷却手段を有し、該冷却手段は、冷却媒体と、少なくとも前記可動部内を通過する流路と、供給手段とを備え、前記供給手段を用いて前記流路に冷却媒体を供給することにより、前記可動部を冷却する請求項1ないし11のいずれかに記載の光学デバイス。
- 前記可動部またはその近傍の温度を検知する検知手段と、該検知手段の検知結果に基づいて前記温調手段の駆動を制御する制御手段を有する請求項1ないし12のいずれかに記載の光学デバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006063228A JP2007240880A (ja) | 2006-03-08 | 2006-03-08 | 光学デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006063228A JP2007240880A (ja) | 2006-03-08 | 2006-03-08 | 光学デバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2007240880A true JP2007240880A (ja) | 2007-09-20 |
Family
ID=38586487
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006063228A Pending JP2007240880A (ja) | 2006-03-08 | 2006-03-08 | 光学デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2007240880A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7855819B2 (en) | 2007-09-12 | 2010-12-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Swing member device, and optical deflector and image-forming apparatus employing the swing member device |
| JP2011191625A (ja) * | 2010-03-16 | 2011-09-29 | Stanley Electric Co Ltd | 光偏向器パッケージ |
| JP2013076727A (ja) * | 2011-09-29 | 2013-04-25 | Seiko Epson Corp | 波長可変干渉フィルター、光学フィルターデバイス、光学モジュール、及び電子機器 |
| JP2014095796A (ja) * | 2012-11-09 | 2014-05-22 | Ricoh Co Ltd | 光偏向装置及び画像投影装置 |
| WO2016093066A1 (ja) * | 2014-12-08 | 2016-06-16 | 株式会社リコー | 光偏向器、画像表示装置及び物体装置 |
| JP2017015750A (ja) * | 2015-06-26 | 2017-01-19 | 株式会社リコー | 回動装置、光走査装置、画像表示装置及び回動装置の製造方法 |
| EP3593038B1 (de) * | 2017-03-09 | 2023-08-23 | Bayerische Motoren Werke Aktiengesellschaft | Beleuchtungsvorrichtung für ein kraftfahrzeug |
-
2006
- 2006-03-08 JP JP2006063228A patent/JP2007240880A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7855819B2 (en) | 2007-09-12 | 2010-12-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Swing member device, and optical deflector and image-forming apparatus employing the swing member device |
| JP2011191625A (ja) * | 2010-03-16 | 2011-09-29 | Stanley Electric Co Ltd | 光偏向器パッケージ |
| JP2013076727A (ja) * | 2011-09-29 | 2013-04-25 | Seiko Epson Corp | 波長可変干渉フィルター、光学フィルターデバイス、光学モジュール、及び電子機器 |
| JP2014095796A (ja) * | 2012-11-09 | 2014-05-22 | Ricoh Co Ltd | 光偏向装置及び画像投影装置 |
| WO2016093066A1 (ja) * | 2014-12-08 | 2016-06-16 | 株式会社リコー | 光偏向器、画像表示装置及び物体装置 |
| JPWO2016093066A1 (ja) * | 2014-12-08 | 2017-10-12 | 株式会社リコー | 光偏向器、画像表示装置及び物体装置 |
| US10459218B2 (en) | 2014-12-08 | 2019-10-29 | Ricoh Company, Ltd. | Optical deflector, image displaying apparatus, and object apparatus |
| JP2017015750A (ja) * | 2015-06-26 | 2017-01-19 | 株式会社リコー | 回動装置、光走査装置、画像表示装置及び回動装置の製造方法 |
| EP3593038B1 (de) * | 2017-03-09 | 2023-08-23 | Bayerische Motoren Werke Aktiengesellschaft | Beleuchtungsvorrichtung für ein kraftfahrzeug |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7449773B2 (en) | Microelectromechanical device packages with integral heaters | |
| US6975442B2 (en) | Resonance scanner | |
| US20080225419A1 (en) | Varifocal mirror and camera module comprising the same | |
| WO2003007050A1 (en) | Optical multilayer structure and its production method, optical switching device, and image display | |
| WO2017148434A1 (zh) | 用于镜筒定位的微机电系统装置 | |
| CN101004477A (zh) | 光学设备、波长可变滤波器、波长可变滤波器模块及光谱分析器 | |
| JP2010014798A (ja) | マイクロミラーデバイス及び光照射装置 | |
| FR3015699A1 (fr) | Dispositif optique pour stabilisation d'images | |
| US20180307039A1 (en) | High Power Handling Optical Spatial Light Modulator | |
| JP2010286609A (ja) | ミラー構造体 | |
| JP2007240880A (ja) | 光学デバイス | |
| JPH10239601A (ja) | 薄膜型光路調節装置及びその製造方法 | |
| US7655553B2 (en) | Microstructure sealing tool and methods of using the same | |
| WO2011152215A1 (ja) | 光走査素子およびそれを用いた画像表示装置 | |
| US6840642B2 (en) | Thermally actuated micro mirror and electronic device | |
| JP2010002776A (ja) | マイクロミラーデバイス、光走査装置及び画像形成装置 | |
| US20060250927A1 (en) | Variably focusing mirror driven by electromagnetic force and operating method thereof | |
| JP6893462B2 (ja) | 電子部品 | |
| CN1836324A (zh) | 具有整体式加热器的微机电器件封装件 | |
| JP2007240546A (ja) | 光学デバイス | |
| JP2004037717A (ja) | 熱駆動マイクロミラーおよび電子機器 | |
| JP2010210782A (ja) | マイクロミラー装置 | |
| WO2018168659A1 (ja) | 変位拡大機構及びそれを用いた光学装置 | |
| JP2008083612A (ja) | 形状可変ミラー及び光ピックアップ装置 | |
| Sandner et al. | Highly reflective optical coatings for high-power applications of micro scanning mirrors in the UV-VIS-NIR spectral region |