JP2007122030A - 液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】点滅輝点の発生を抑制する。
【解決手段】液晶表示装置は一対の基板ＡＲ，ＣＴ間に液晶層ＬＱを挟持したＯＣＢモードの液晶表示パネルＤＰと、転移期間において液晶分子をスプレイ配向からベンド配向に転移させる交番転移電圧を液晶層ＬＱに印加する転移電圧印加回路ＤＲとを備える。転移電圧印加回路ＤＲは中心レベルを離れる交番転移電圧の遷移を遅らせる鈍り制御部２，３を含む。
【選択図】 図１

Description

本発明は、画像を表示するためにＯＣＢ（Optically Compensated Bend）モードの液晶表示パネルを用いる液晶表示装置に関する。

ＯＣＢモードの液晶表示パネルは、複数の画素電極が配向膜で覆われてマトリクス状に配置されるアレイ基板、対向電極が配向膜で覆われて複数の画素電極に対向するように配置される対向基板、および各配向膜に隣接してアレイ基板および対向基板基板間に挟持される液晶層を含み、さらに一対の偏光板を光学位相差板を介してアレイ基板および対向基板に貼り付けた構造を有する（例えば特許文献１を参照）。

この液晶表示パネルがアクティブマトリクス型である場合、アレイ基板はさらに複数の画素電極の行に沿って配置される複数のゲート線、複数の画素電極の列に沿って配置される複数のソース線、複数のゲート線および複数のソース線の交差位置近傍に配置される複数のスイッチング素子を有する。複数のゲート線はこれらゲート線を駆動するゲートドライバに接続され、複数のソース線はこれらソース線を駆動するソースドライバに接続され、ゲートドライバおよびソースドライバはコントローラによって制御される。各スイッチング素子は例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）からなり、対応ゲート線がゲートドライバによって駆動されたときに導通して対応ソース線にソースドライバによって設定された画素電圧を対応画素電極に印加する。対向基板は、さらに赤、緑、および青に着色された複数の画素電極の列にそれぞれ対向するように並べられるストライプ状の着色層からなるカラーフィルタ等を有する。一対の画素電極および対向電極はこれら電極間に位置する液晶層の一部である画素領域と共に液晶画素を構成する。画素の駆動電圧は画素電極に印加される画素電圧と対向電極に印加される共通電圧との差であり、スイッチング素子が非導通になった後も画素電極および対向電極間に保持される。画素領域内の液晶分子配列はこの駆動電圧に対応した電界により設定され、画素の透過率を制御する。駆動電圧の極性反転は例えば画素電圧を共通電圧に対して周期的に逆極性にすることにより行われ、液晶層内で液晶分子の偏在化を阻止するように電界の方向を反転させる。
特開平９−１８５０３２号公報

ところで、ＯＣＢモードの液晶表示パネルでは、図２１に示すように液晶分子の配向状態を予めスプレイ配向から表示動作可能なベンド配向に転移させる必要がある。液晶分子の配向状態は一般に電源投入直後の初期化処理でベンド配向に初期化される。この初期化処理では、表示時の駆動電圧に比べて大きな転移電圧が液晶層に印加され、これにより液晶分子の配向状態をスプレイ配向からベンド配向に転移させる。この転移電圧は、例えば図２２に示すように共通電圧の波形を変化させることにより得ることができる。

しかしながら、上述のようなＯＣＢモードの液晶表示パネルには、従来において上記パネル搭載製品の製造工程において電源投入時に点滅輝点が多発するという問題があった。この点滅輝点は表示画面の不特定箇所で発生する輝点であり、かつ表示画面を叩くと消滅するようなものである。

本発明はこのような問題点に鑑みてなされたものであり、点滅輝点の発生を抑制できる液晶表示装置を提供することを目的とする。

本発明によれば、一対の基板間に液晶層を挟持したＯＣＢモードの液晶表示パネルと、転移期間において液晶分子をスプレイ配向からベンド配向に転移させる交番転移電圧を液晶層に印加する転移電圧印加回路とを備え、転移電圧印加回路は中心レベルを離れる交番転移電圧の遷移を遅らせる鈍り制御部を含む液晶表示装置が提供される。

この液晶表示装置では、鈍り制御部が中心レベルを離れる交番転移電圧の遷移を遅らせる。発明者の考察によれば、点滅輝点の発生箇所に導電性異物が存在することが判明した。この導電性異物が製造過程において図２２に示す電極および配向膜間に混入することを完全になくすことは困難である。

導電性異物の存在する箇所を導電性異物部とすると、転移電圧印加時にこの導電性異物部で電界の集中が生じ、正極性および負極性のイオンがそれぞれ一方電極基板と液晶層との界面近傍および他方の電極基板と液晶層との界面近傍で均一に分布せず、多数のイオンが導電性異物部に対応した局所に濃縮される。また、この濃縮は浮遊性異物でも生じる。この状態では、外部からの転移電圧による電界方向と内部のイオンによる電界の方向が逆になるが、いずれの電界も導電性異物部に対応する局所において強力なものになる。さらに転移電圧の極性が反転されると、これら電界の方向が同じになり、これらを合わせた強い電界になる。このため、電極上の配向膜を突き抜けることなく液晶層中の正極性イオンと負極性イオンが短絡し、これにより生じる光抜けによって輝点となる。正極性イオンと負極性イオンとの短絡状態は表示画面を叩くことで乱れるため、この乱れの結果として光抜けが無くなると輝点が消滅する。ＯＣＢモードの液晶表示パネルでは、通常表示のための駆動電圧よりも大きな転移電圧がベンド配向を得るために液晶層に印加されるため、液晶層が耐圧においてＴＮ（Twisted Nematic）モードの液晶表示パネルのように十分なマージンを確保できない。しかしながら、上述のように中心レベルを離れる交番転移電圧の遷移を遅らせると、正極性および負極性イオン間の短絡要因が間引かれることになる。この結果、これらイオンが残りの短絡要因だけで短絡することが困難になって、点滅輝点の発生を抑制できる。

以下、本発明の一実施形態に係る液晶表示装置について添付図面を参照して説明する。

図１はこの液晶表示装置１００の回路構成を概略的に示す。この液晶表示装置１００は例えばＴＶセットや携帯電話等において外部信号源となる画像情報処理ユニットＳＧに接続される。画像情報処理ユニットＳＧは画像情報処理を行って同期信号および表示信号を液晶表示装置１００に供給する。

液晶表示装置１００は略マトリクス状に配置される複数のＯＣＢ液晶画素ＰＸを有する液晶表示パネルＤＰ、液晶表示パネルＤＰを照明するバックライトＢＬ、および液晶表示パネルＤＰおよびバックライトＢＬを駆動する駆動回路ＤＲを備える。液晶表示パネルＤＰはアレイ基板ＡＲ、対向基板ＣＴ、および液晶層ＬＱを含む。アレイ基板ＡＲはガラス板等からなる透明絶縁基板上に形成される複数の画素電極ＰＥ、およびこれら画素電極ＰＥを覆う配向膜を含む。対向基板ＣＴはガラス板等からなる透明絶縁基板上に形成されるカラーフィルタ層、このカラーフィルタ層上に形成される対向電極ＣＥ、およびこの対向電極ＣＥを覆う配向膜を含む。液晶層ＬＱは対向基板ＣＴとアレイ基板ＡＲの間隙に液晶を充填することにより得られる。カラーフィルタ層は赤画素用の赤着色層、緑画素用の緑着色層、青画素用の青着色層、およびブラックマトリクス用の黒着色（遮光）層を含む。また、液晶表示パネルＤＰはアレイ基板ＡＲおよび対向基板ＣＴの外側に配置される一対の位相差板、およびこれら位相差板の外側に配置される一対の偏光板を備える。バックライトＢＬは、光源としてアレイ基板ＡＲ側の偏光板の外側に配置される。アレイ基板ＡＲ側の配向膜および対向基板ＣＴ側の配向膜は互いに平行にラビング処理される。

アレイ基板ＡＲでは、複数の画素電極ＰＥが透明絶縁基板上において略マトリクス状に配置される。また、複数のゲート線Ｙ（Ｙ１〜Ｙｍ）が複数の画素電極ＰＥの行に沿って配置され、複数のソース線Ｘ（Ｘ１〜Ｘｎ）が複数の画素電極ＰＥの列に沿って配置される。これらゲート線Ｙおよびソース線Ｘの交差位置近傍には、複数の画素スイッチング素子Ｗが配置される。各画素スイッチング素子Ｗは、例えばゲート線Ｙに接続されるゲート２８およびソース線Ｘおよび画素電極ＰＥ間に接続されるソース−ドレインパスを有する薄膜トランジスタからなり、対応ゲート線Ｙを介して駆動されたときに対応ソース線Ｘおよび対応画素電極ＰＥ間で導通する。

複数の液晶画素ＰＸの各々は、画素電極ＰＥ、対向電極ＣＥ、および画素電極ＰＥと対向電極ＣＥとの間に挟持される液晶層ＬＱとによって構成される液晶容量Ｃlcを有する。複数の補助容量線Ｃst（Ｃ１〜Ｃｍ）の各々は対応行の液晶画素ＰＸの画素電極ＰＥに容量結合して補助容量Ｃｓを構成する。

駆動回路ＤＲはアレイ基板ＡＲおよび対向基板ＣＴから液晶層ＬＱに印加される液晶駆動電圧により液晶表示パネルＤＰの透過率を制御するように構成される。各ＯＣＢ液晶画素ＰＸは、それぞれ画素電極ＰＥの領域に対応して画素を構成する。このようなＯＣＢ液晶画素ＰＸでは、通常の駆動電圧とは異なる、例えば高い転移電圧を印加することにより液晶分子の配向状態をスプレイ配向から画像を表示可能なベンド配向へ転移させる必要がある。このため、駆動回路ＤＲは電源投入毎に転移電圧を液晶駆動電圧として液晶層ＬＱに印加することにより液晶分子の配向状態をスプレイ配向からベンド配向へ転移させる初期化を行うように構成されている。本明細書において「ＯＣＢ」とは、ベンド配向した状態を意味し、例えば一方向の複屈折率を光学的に自己補償可能な状態に配列していることを意味する。光学的な複屈折率の補償は、ベント配向のみによって達成されるものであっても、また更に光学フィルム等を組み合わせたものであっても良い。「ＯＣＢ液晶画素」とは、ベント配向した液晶を用いて画像を表示する液晶表示素子を構成する表示画素を意味する。

駆動回路ＤＲは、具体例として、複数のスイッチング素子Ｗを行単位に導通させるように複数のゲート線Ｙを順次駆動するゲートドライバＹＤ、各行のスイッチング素子Ｗが対応ゲート線Ｙの駆動によって導通する期間において画素電圧Ｖsを複数のソース線Ｘにそれぞれ出力するソースドライバＸＤ、液晶表示パネルＤＰの対向電極ＣＥを駆動する対向電極ドライバ３、バックライトＢＬを駆動するバックライト駆動部ＢＤ、ゲートドライバＹＤ、ソースドライバＸＤ、およびバックライト駆動部ＢＤを制御するコントローラ１を備える。

コントローラ１は、画像情報処理ユニットＳＧから入力される同期信号に基づいて発生される垂直タイミング制御信号をゲートドライバＹＤに出力し、画像情報処理ユニットＳＧから入力される同期信号および表示信号に基づいて発生される水平タイミング制御信号および１水平ライン分の画素データをソースドライバＸＤに出力し、さらにバックライト駆動部ＢＤに点灯制御信号を出力する。ゲートドライバＹＤは垂直タイミング制御信号の制御により１フレーム期間において順次複数のゲート線Ｙを選択し、各行の画素スイッチング素子Ｗを１水平走査期間Ｈだけ導通させるゲート駆動電圧を選択ゲート線Ｙに出力する。ソースドライバＸＤは水平タイミング制御信号の制御によりゲート駆動電圧が選択ゲート線Ｙに出力される１水平走査期間Ｈに１水平ライン分の画素データを画素電圧Ｖsにそれぞれ変換して複数のソース線Ｘに並列的に出力する。

画素電圧Ｖsは対向電極ドライバ３から対向電極ＣＥに出力されるコモン電圧Ｖcomを基準として画素電極ＰＥに印加される電圧であり、コモン電圧Ｖcomに対して所定の周期で極性反転される。例えばフレーム反転駆動では1フレーム期間毎にコモン電圧Ｖcomに対して極性反転され、ライン反転駆動では１又は複数の水平画素ライン毎にコモン電圧Ｖcomに対して極性反転される。また、ゲートドライバＹＤは１行分のスイッチング素子Ｗが非導通となるときにこれらスイッチング素子Ｗに接続されるゲート線Ｙに対応した補助容量線Ｃstに補償電圧を印加し、これらスイッチング素子Ｗの寄生容量の影響によって生じる画素電圧Ｖsの変動を水平画素ライン毎に補償する。

この液晶表示装置１００では、駆動回路ＤＲが電源投入直後の初期化処理において液晶分子の配向状態をスプレイ配向からベンド配向へ転移させる交番転移電圧を設定する転移電圧設定部２を備える。転移電圧設定部２はこの交番転移電圧を得るために例えば＋３０Ｖの正極性電圧ＶＤＤＨおよび−２０Ｖの負極性電圧ＶＳＳＤを発生して第１および第２出力端から対向電極ドライバ３に出力する。対向電極ドライバ３には、コントローラ１から表示動作用に供給されるコモン電圧Ｖcom、転移電圧設定部２の第１出力端から供給される正極性電圧ＶＤＤＨ、および転移電圧設定部２の第２出力端から供給される負極性電圧ＶＳＳＤを切換えるスイッチＳ、および転移電圧設定部２の第１出力端およびスイッチＳ間並びに転移電圧設定部２の第２出力端およびスイッチＳ間にそれぞれ接続される一対の抵抗Ｒが設けられている。転移電圧設定部２は初期化処理においてスイッチＳを制御してコモン電圧Ｖcomを交番転移電圧に一時的に変更するように構成されている。ここでは、転移電圧設定部２および対向電極ドライバ３が、液晶分子をスプレイ配向からベンド配向に転移させる交番転移電圧を液晶層ＬＱに印加する転移電圧印加回路を構成し、スイッチＳおよび一対の抵抗Ｒが中心レベルを離れる交番転移電圧の遷移を遅らせて、一対のアレイ基板ＡＲと液晶層ＬＱとの界面近傍、および対向基板ＣＴと液晶層ＬＱとの界面近傍において導電性異物部に対応して局所的に濃縮される正極性および負極性イオン間の短絡要因を間引く鈍り制御部を構成する。

具体的には、図２の下段に示す波形の交番転移電圧が初期化処理において対向電極ドライバ３から出力される。対向電極ドライバ３では、スイッチＳが最初に負極性電圧ＶＳＳＤを５００ｍｓ（常温時）程度の期間だけ選択し、続いて正極性電圧ＶＤＤＨを同様に５００ｍｓ（常温時）程度の期間だけ選択する。これにより、転移電圧は正極性電圧ＶＤＤＨおよび負極性電圧ＶＳＳＤの電圧差ＡＶＤＤの中心レベル（ＡＶＤＤ／２）である＋５Ｖから−２０Ｖに遷移し、続いて＋３０Ｖに遷移する。もし一対の抵抗Ｒが存在しない場合には、交番転移電圧は図２の上段に示すように遷移する。この場合、転移電圧の立下り時間（＋５Ｖから−２０Ｖへの遷移時間）並びに立上り時間（＋５Ｖから＋３０Ｖへの遷移時間）は１０〜２０ｍｓ程度である。一対の抵抗Ｒはこれらの遷移時間をそれぞれ増大させる抵抗値にあり、転移電圧の波形を緩やかな立下りおよび立上りにする。これは、正極性および負極性イオンの局所的な濃縮を緩和して、正極性および負極性イオン間の短絡要因を間引くことになる。

図３は抵抗Ｒの抵抗値と交番転移電圧の遷移時間との関係を示す。この関係は転移期間＝１秒（リセット時間を含まず）、室温＝２５℃、ＶＤＤＨ＝＋３０Ｖ、ＶＳＳＤ＝−２０Ｖという条件で様々な抵抗Ｒの抵抗値に対して行った図４〜図１３に示す実験の結果から求められたものである。この実験結果によれば、遷移時間は抵抗Ｒの抵抗値に比例すること、立上り遷移時間が立下り遷移時間よりも平均１．３８倍長くなること、および最大振幅レベル（−２０Ｖまたは＋３０Ｖ）付近で生じる交番転移電圧の揺らぎが抵抗Ｒの抵抗値の増大に伴なって大きくなることが判る。いずれの場合も正極性および負極性イオン間の短絡要因を間引きつつ、スプレイ配向からベント配向へと転移させることができたが、交番転移電圧の揺らぎが大きい場合、安定した回路動作が得られず、環境温度によっては転移が不十分となる恐れがある。

このような実験結果から、負極性への立下り遷移の遅れ（遷移時間）を転移期間のうちの負極性が維持される期間に対して、３％から３０％、望ましくは１０％から２０％の範囲に設定されることが望ましい。同様に、正極性への立上がり遷移の遅れ（遷移時間）を転移期間のうちの正極性が維持される期間に対して、３％から３０％、望ましくは１０％から２０％の範囲に設定されることが望ましい。これにより、正極性および負極性イオン間の短絡を回避しかつ交番転移電圧の揺らぎを許容範囲内に納めるために有効である。尚、転移時間の増大を防止するため、立下り遷移の遅れ（遷移時間）、及び立上がり遷移の遅れ（遷移時間）は、それぞれ１５０ｍｓ以下、好ましくは１００ｍｓ以下であることが望ましい。

上述の条件において一対の抵抗Ｒを例えば４．７ｋΩの抵抗値にすると、１秒の転移期間に対して負極性への立下り遷移の遅れが６０ｍｓ（１２％）、正極性への立上がり遷移の遅れが８４ｍｓ（１７％）に設定されるため、期待通りの結果を得ることができる。

ちなみに、この交番転移電圧は共通電圧Ｖcomとして対向電極ＣＥに印加されるため、実際の液晶層ＬＱに印加される駆動電圧に各画素電極ＰＥに印加される画素電圧Ｖｓも関与する。各画素電極ＰＥの画素電圧Ｖｓは液晶分子の配向状態をスプレイ配向からベンド配向にする交番転移電圧を印加する転移期間において一定値にして維持してもよいが、この転移期間を短縮するために各画素電極ＰＥの画素電圧Ｖｓを積極的に利用することが好ましい。具体的には、例えば図１４に示す櫛歯状の端部を列方向において各画素電極ＰＥに設け、図１５に示すような転移期間に互いに相補的な関係の画素電圧Ｖs1，Ｖs2を列方向において２つの隣接画素電極ＰＥに印加する。ここでは、画素電圧Ｖs1，Ｖs2が逆相で０Ｖおよび１０Ｖに周期的に変化するパルスとしてこれら隣接画素電極ＰＥに印加される。これにより、横電界がこれら隣接画素電極ＰＥの櫛歯状端部から液晶層ＬＱに印加されると、液晶分子のスプレイ配向が部分的にツイスト配向に変化する。液晶分子は各画素電極ＰＥおよび対向電極ＣＥから液晶層ＬＱに印加される縦電界によりツイスト配向から容易にベンド配向に変化する。従って、図１４に示す画素電極ＰＥの上側櫛歯状端部および下側櫛歯状端部はベンド配向への転移核となる。この転移核付近でベンド配向が発生すると、図１６に示すようにこれが画素ＰＸの中心に向って速やかに成長する。この場合、合計の転移期間の長さを１秒から６００ｍｓ程度に短くすることが可能になる。

上記したようにスプレイ配向からベント配向への転移を短時間で行うためには、液晶分子のスプレイ配向を部分的にツイスト配向に変化させることが有効である。そして、このために上記の横電界や斜め電界を印加することが有効である。特に上記のように櫛歯状の電極間で電界を印加するように構成することが望ましい。これは、液晶分子の配向方向に対して一方向ではなく様々な方向の電界を印加できるためと考えられる。

図１７は転移電圧印加回路の第１変形例で得られる動作を示す。この変形例では、液晶表示パネルＤＰの周囲温度が温度検出器１０の検出結果から例えば−２０℃程度にあることを確認した場合に、転移電圧設定部１が転移期間を確実なスプレイ配向からベンド配向への転移が可能な５秒程度に設定し、正極性電圧ＶＤＤＨを＋３０Ｖから＋２５Ｖに変化させ、負極性電圧ＶＳＳＤを−２０Ｖから−１５Ｖに変化させる。このように低温時に転移電圧の電圧振幅を小さく制限すると、液晶層ＬＱに印加される電界を緩和され、正極性および負極性イオン間の短絡要因を間引くことになる。

図１８は転移電圧印加回路の第２変形例で得られる動作を示す。この変形例では、転移電圧設定部２が−２０Ｖの負極性電圧ＶＳＳＤのみを転移電圧として出力させるように対向電極ドライバ３を制御する。このようにして転移電圧を極性反転させないようにすると、液晶層ＬＱの外部からの転移電圧による電界方向と液晶層ＬＱの内部のイオンによる電界の方向が常に同じになり、正極性および負極性イオン間の短絡要因を間引くことになる。但し、この場合、電源投入が繰返されるうちに液晶層ＬＱ内の液晶分子を偏在化させてしまうおそれがあるため、例えば電源投入毎に転移電圧の極性を逆にするような方式をとることが好ましい。

図１９は転移電圧印加回路の第３変形例で得られる動作を示す。この変形例では、図１４に示す櫛歯状端部構造等を利用した上で、転移電圧設定部２が転移期間を１秒よりも短い例えば０．７秒程度に設定する。これは、局所的に濃縮される正極性および負極性イオンの量を低減して、正極性および負極性イオン間の短絡要因を間引くことになる。

図２０は転移電圧印加回路の第４変形例で得られる動作を示す。この変形例では、転移電圧設定部２が正極性電圧ＶＤＤＨおよび負極性電圧ＶＳＳＤを転移期間において交互に複数回出力するように対向電極ドライバ３を制御する。これは、各基板界面の近傍で濃縮される正極性および負極性イオンの偏在化を抑制して、正極性および負極性イオン間の短絡要因を間引くことになる。

尚、転移電圧印加回路の第１〜第４変形例はいずれも図２を用いて説明したように転移電圧の遷移を遅らせる方式と組み合わせて利用される。

本実施形態によれば、転移電圧が上述したように正極性および負極性イオン間の短絡要因を間引く波形にされると、これらイオンが残りの短絡要因だけで短絡することが困難になって、点滅輝点の発生を抑制できる。

尚、上述の転移電圧印加回路は、第１〜第４変形例で述べた制御を選択的に組合わせて行うように構成されてもよい。

また、上述の実施形態では、スイッチＳおよび一対の抵抗Ｒが中心レベルを離れる交番転移電圧の遷移を遅らせる鈍り制御部として用いられている。このため、交番転移電圧は中心レベルＡＤＶＶ／２（＋５Ｖ）からＶＤＤＨ（＝＋３０Ｖ）またはＶＳＳＤ（＝−２０Ｖ）に向って滑らかに遷移する。しかしながら、スイッチＳおよび転移電圧設定部２が中心レベルを離れる交番転移電圧の遷移を遅らせる鈍り制御部として用いられてもよい。この場合、転移電圧設定部２がＡＤＶＶ／２（＋５Ｖ）から絶対値として段階的に増大してＶＤＤＨ（＝＋３０Ｖ）またはＶＳＳＤ（＝−２０Ｖ）に到達するような正極性および負極性電圧を出力し、スイッチＳが正極性および負極性電圧を切換える。負極性への立下り遷移時間は転移期間の６〜７％に設定され、正極性への立上がり遷移時間は転移期間の８〜１０％に設定され、負極性への立下り遷移時間、正極性への立上がり遷移時間、並びに正極性および負極性電圧はそれぞれ均等に分割されることが好ましい。分割数は２分割あるいは３分割程度で十分である。例えば転移期間＝１秒として、立下りおよび立上り遷移時間、並びに正極性および負極性電圧をそれぞれ２等分する場合には、負極性電圧および正極性が例えば１２．５Ｖ（絶対値）の増分でそれぞれ約３０msおよび４０msずつ出力される。

本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の回路構成を概略的に示す図である。 図１に示す転移電圧設定部および対向電極ドライバにより構成される転移電圧制御回路の動作を示す波形図である。 図１に示す抵抗の抵抗値と交番転移電圧の遷移時間との関係を示すグラフである。 図１に示す抵抗が４７０Ωの抵抗値に設定されたときに得られる交番転移電圧の波形を示すグラフである。 図１に示す抵抗が２．４ｋΩの抵抗値に設定されたときに得られる交番転移電圧の波形を示すグラフである。 図１に示す抵抗が４．７ｋΩの抵抗値に設定されたときに得られる交番転移電圧の波形を示すグラフである。 図１に示す抵抗が５．１ｋΩの抵抗値に設定されたときに得られる交番転移電圧の波形を示すグラフである。 図１に示す抵抗が５．６ｋΩの抵抗値に設定されたときに得られる交番転移電圧の波形を示すグラフである。 図１に示す抵抗が６．２ｋΩの抵抗値に設定されたときに得られる交番転移電圧の波形を示すグラフである。 図１に示す抵抗が６．８ｋΩの抵抗値に設定されたときに得られる交番転移電圧の波形を示すグラフである。 図１に示す抵抗が７．５ｋΩの抵抗値に設定されたときに得られる交番転移電圧の波形を示すグラフである。 図１に示す抵抗が８．２ｋΩの抵抗値に設定されたときに得られる交番転移電圧の波形を示すグラフである。 図１に示す抵抗が８．８ｋΩの抵抗値に設定されたときに得られる交番転移電圧の波形を示すグラフである。 図１に示す画素電極に設けられる櫛歯状端部を示す平面図である。 図１に示す液晶層に印加される横電界および縦電界を電極電圧と共に示す図である。 図３に示す転移核を設けて図４に示すように画素電極および対向電極を駆動した場合に得られるベンド配向の成長を示す図である。 図１に示す転移電圧印加回路の第１変形例で得られる動作を示す波形図である。 図１に示す転移電圧印加回路の第２変形例で得られる動作を示す波形図である。 図１に示す転移電圧印加回路の第３変形例で得られる動作を示す波形図である。 図１に示す転移電圧印加回路の第４変形例で得られる動作を示す波形図である。 ＯＣＢモードの液晶表示パネルの初期化処理を説明するための図である。 ＯＣＢモードの液晶表示パネルにおいて発生する点滅輝点の発生理由を説明するための図である。

符号の説明

ＡＲ…アレイ基板、ＣＴ…対向基板、ＬＱ…液晶層、ＤＰ…液晶表示パネル、ＤＲ…駆動回路、１…コントローラ、２…転移電圧設定部、３…対向電極ドライバ、ＹＤ…ゲートドライバ、ＸＤ…ソースドライバ、ＢＤ…バックライト駆動部、ＢＬ…バックライト、ＰＸ…液晶画素、ＰＥ…画素電極、ＣＥ…対向電極、Ｗ…画素スイッチング素子、Ｙ…ゲート線、Ｘ…ソース線。

Claims (11)

1. 一対の基板間に液晶層を挟持したＯＣＢモードの液晶表示パネルと、転移期間において液晶分子をスプレイ配向からベンド配向に転移させる交番転移電圧を前記液晶層に印加する転移電圧印加回路とを備え、前記転移電圧印加回路は中心レベルを離れる交番転移電圧の遷移を遅らせる鈍り制御部を含むことを特徴とする液晶表示装置。
2. 前記鈍り制御部は前記転移期間において前記交番転移電圧として切換えて出力される負極性電圧および正極性電圧の出力用に設けられる抵抗手段を含むことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
3. 前記抵抗手段は前記負極性電圧の出力経路および正極性電圧の出力経路にそれぞれ挿入された一対の抵抗であることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
4. 前記一対の抵抗は前記負極性電圧への切換えに伴う前記交番転移電圧の遷移時間を前記転移期間のうち負極性が維持される期間に対して３〜３０％に設定し前記正極性電圧への切換えに伴う前記交番転移電圧の遷移時間を前記転移期間のうち正極性が維持される期間に対して３〜３０％に設定する抵抗値に設定されることを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置。
5. 前記鈍り制御部は前記転移期間において前記交番転移電圧として切換えて出力される負極性電圧および正極性電圧を絶対値として段階的に増大させる電圧設定部を含むことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
6. 前記電圧設定部は前記負極性電圧への切換えに伴う前記交番転移電圧の遷移時間を前記転移期間のうち負極性が維持される期間に対して３〜３０％に設定し前記正極性電圧への切換えに伴う前記交番転移電圧の遷移時間を前記転移期間のうち正極性が維持される期間に対して３〜３０％に設定するように構成されることを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置。
7. 前記電圧設定部は前記負極性電圧への切換えに伴う前記交番転移電圧の遷移時間において前記負極性電圧の増分および前記正極性電圧への切換えに伴う前記交番転移電圧の遷移時間において正極性電圧の増分を均等にするように構成されることを特徴とする請求項６に記載の液晶表示装置。
8. 複数の画素電極がマトリクス状に配置されたアレイ基板、対向電極を備えた対向基板、および前記アレイ基板と前記対向基板との間に挟持された液晶層とを備えたＯＣＢモードの液晶表示パネルと、
   転移期間において前記液晶層の液晶分子をスプレイ配向からベンド配向に転移させる交番転移電圧を前記対向電極に印加する転移電圧印加回路とを備え、
   前記転移電圧印加回路は、中心レベルを離れる交番転移電圧の遷移を遅らせる鈍り制御部を含むことを特徴とする液晶表示装置。
9. 前記アレイ基板は、前記転移期間において前記液晶層の液晶分子に対して基板面に対して平行又は斜め電界を印加する電界印加部を含むことを特徴とする請求項８に記載の液晶表示装置。
10. 前記電界印加部は、隣接する画素電極によって構成されることを特徴とする請求項９に記載の液晶表示装置。
11. 前記電界印加部を構成する隣接する画素電極は、互いに嵌合する櫛歯状の端部を含むことを特徴とする請求項１０に記載の液晶表示装置。

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