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JP2007121994A - Electro-optical device and electronic equipment - Google Patents

Electro-optical device and electronic equipment Download PDF

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Publication number
JP2007121994A
JP2007121994A JP2006101621A JP2006101621A JP2007121994A JP 2007121994 A JP2007121994 A JP 2007121994A JP 2006101621 A JP2006101621 A JP 2006101621A JP 2006101621 A JP2006101621 A JP 2006101621A JP 2007121994 A JP2007121994 A JP 2007121994A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
light
electro
light source
optical device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2006101621A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Katsuya Ide
勝也 井出
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Epson Imaging Devices Corp
Original Assignee
Epson Imaging Devices Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Epson Imaging Devices Corp filed Critical Epson Imaging Devices Corp
Priority to JP2006101621A priority Critical patent/JP2007121994A/en
Publication of JP2007121994A publication Critical patent/JP2007121994A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

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  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Planar Illumination Modules (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electro-optical device capable of simplifying a mounting and assembling process by reducing the number of parts and capable of reducing the luminance irregularities by improving positional precision of a light source. <P>SOLUTION: The electrooptical device 100 is provided with a first substrate 110; a second substrate 120 disposed opposite to the first substrate; an electro-optical substance held between the first substrate and the second substrate; a light guide means 140 disposed to face the surface of the side opposite to the second substrate, of the first substrate; and a light source 132 disposed on the surface of the second substrate side, of the first substrate, wherein the light emitted from the light source is transmitted by the first substrate, is made incident to the light guide means, is propagated through the light guide means, is emitted from the light guide means, again is made incident to the first substrate, and as a result, contributes to the display of the electro-optical panel. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は電気光学装置、及び、電子機器に係り、特に、表示を可能にするための光源を
備えた電気光学装置の構成に関する。
The present invention relates to an electro-optical device and an electronic apparatus, and more particularly to a configuration of an electro-optical device provided with a light source for enabling display.

一般に、各種の電子機器には、表示部として液晶表示体その他の電気光学装置が搭載さ
れる場合が多い。特に、携帯電話機、携帯型コンピュータなどの携帯型電子機器では、一
対の基板間に電気光学物質を配し、この電気光学物質に所定の電界を印加することにより
光の変調状態を制御して表示を実現するものが用いられている。
In general, various electronic devices are often equipped with a liquid crystal display or other electro-optical device as a display unit. In particular, in portable electronic devices such as mobile phones and portable computers, an electro-optic material is disposed between a pair of substrates, and a predetermined electric field is applied to the electro-optic material to control and display the light modulation state. What realizes is used.

例えば、液晶表示装置においては、一般的に、一対の基板をシール材を介して貼り合わ
せ、この基板間に液晶を封入してなる液晶パネルと、この液晶パネルの背後や前面上に光
源と導光板とを備えたバックライト若しくはフロントライトを配置し、これらのバックラ
イトやフロントライトから照射された照明光を用いて所望の表示が視認されるように構成
している。上記バックライトやフロントライト等の照明装置としては、透明部材からなる
導光板の端面上に有機EL素子等の電界発光素子を配置してなるものが知られている(例
えば、以下の特許文献1参照)。
For example, in a liquid crystal display device, in general, a pair of substrates are bonded together with a sealing material, and a liquid crystal panel is formed by sealing liquid crystal between the substrates, and a light source and a light guide are led behind or on the front surface of the liquid crystal panel. A backlight or a front light provided with a light plate is disposed, and a desired display is visually recognized using illumination light emitted from the backlight or the front light. As an illumination device such as the backlight or the front light, an illumination device in which an electroluminescent element such as an organic EL element is disposed on an end face of a light guide plate made of a transparent member is known (for example, Patent Document 1 below). reference).

また、上記の導光板の機能のうちの一部が液晶パネルを構成する一方の基板によって実
現されるように構成することにより、液晶表示装置の厚みを低減した装置構造が知られて
いる(例えば、以下の特許文献2参照)。この種の液晶表示装置では、液晶パネルを構成
する一方の基板の外面上に導光体フィルムを貼着し、一方の基板に入射した光を導光体フ
ィルムによって他方の基板側へ出射させるように構成している。
特開平10−50124号公報 特開2003−330020号公報
Further, there is known a device structure in which the thickness of the liquid crystal display device is reduced by configuring such that a part of the functions of the light guide plate is realized by one substrate constituting the liquid crystal panel (for example, The following patent document 2). In this type of liquid crystal display device, a light guide film is stuck on the outer surface of one substrate constituting the liquid crystal panel, and light incident on one substrate is emitted to the other substrate side by the light guide film. It is configured.
Japanese Patent Laid-Open No. 10-50124 JP 2003-330020 A

しかしながら、従来の液晶表示装置では、LED等の光源をFPC基板上に実装して、
導光板に隣接する位置に配置した照明装置を構成し、この照明装置を液晶パネルの背後に
配置するなど、部品点数が多くなり、組み立て作業も煩雑であるため、製造コストが上昇
するという問題点がある。また、光源と導光板との間の相対的位置関係やこれらと液晶パ
ネルとの間の相対的位置関係が微妙にずれることにより、装置毎に輝度分布がばらつき、
安定した品質の製品を製造することが困難であるという問題点もある。
However, in a conventional liquid crystal display device, a light source such as an LED is mounted on an FPC board,
Constructing an illuminating device arranged at a position adjacent to the light guide plate, and placing this illuminating device behind the liquid crystal panel increases the number of parts and the assembly work, which increases the manufacturing cost. There is. In addition, the relative positional relationship between the light source and the light guide plate and the relative positional relationship between these and the liquid crystal panel are slightly shifted, so that the luminance distribution varies from device to device,
There is also a problem that it is difficult to manufacture a product of stable quality.

また、前述の導光体フィルムを用いた液晶表示装置では、導光体フィルムを用いること
によって液晶パネルよりも厚みが増大するため、充分な薄型化を図ることができず、また
、基板と導光体フィルムとの境界面等において光の損失が生ずるので、光の利用効率も低
下するという問題点がある。
In addition, in the liquid crystal display device using the light guide film described above, the use of the light guide film increases the thickness as compared with the liquid crystal panel. Since light loss occurs at the interface with the optical film, etc., there is a problem that the light utilization efficiency is also lowered.

そこで、本発明は上記問題点を解決するものであり、その課題は、部品点数の削減等に
よって実装・組み立て工程を簡素化することのできる電気光学装置を提供することにある
。また、別の課題は、光源の位置精度を向上させることにより輝度ばらつきを低減できる
電気光学装置を提供することにある。
Accordingly, the present invention solves the above-described problems, and an object thereof is to provide an electro-optical device that can simplify the mounting / assembling process by reducing the number of components. Another object is to provide an electro-optical device that can reduce variations in luminance by improving the positional accuracy of the light source.

斯かる実情に鑑み、本発明の電気光学装置は、第1基板と、前記第1基板に対向してな
る第2基板と、前記第1基板と前記第2基板に挟持されてなる電気光学物質と、前記第1
基板の前記第2基板とは反対側の面に対向してなる導光手段と、前記第1基板の前記第2
基板側の面に設けられた光源と、を具備し、前記光源から出射された光は、前記第1基板
を透過して前記導光手段に入射し、前記導光手段を伝播して前記導光手段から出射され、
再び前記第1基板に入射して前記電気光学パネルの表示に寄与することを特徴とする。
In view of such circumstances, the electro-optical device of the present invention includes a first substrate, a second substrate facing the first substrate, and an electro-optical material sandwiched between the first substrate and the second substrate. And the first
A light guide means facing a surface of the substrate opposite to the second substrate, and the second substrate of the first substrate.
A light source provided on a surface on the substrate side, and the light emitted from the light source passes through the first substrate and enters the light guide unit, propagates through the light guide unit and transmits the light. Emitted from the light means,
It is incident on the first substrate again and contributes to the display of the electro-optical panel.

この発明によれば、光源を第1基板の第2基板側の面に設けることにより、FPC基板
等を用いる従来構造よりも部品点数を削減することができ、実装・組み立て工程も簡素化
できるため、製造コストを低減できる。また、装置内の第1基板に対する光源の位置精度
を高めることが可能になるので、光源位置のばらつきに起因する輝度のばらつきを抑制す
ることができる。
According to the present invention, by providing the light source on the surface of the first substrate on the second substrate side, the number of components can be reduced as compared with the conventional structure using an FPC substrate or the like, and the mounting / assembling process can be simplified. Manufacturing cost can be reduced. Moreover, since it becomes possible to improve the positional accuracy of the light source with respect to the first substrate in the apparatus, it is possible to suppress variations in luminance due to variations in the position of the light source.

また、本発明の別の電気光学装置は、第1基板と、前記第1基板に対向してなる第2基
板と、前記第1基板と前記第2基板に挟持されてなる電気光学物質と、前記第1基板の前
記第2基板側の面に設けられた光源と、を具備し、前記光源から出射された光は、前記第
1基板に入射し、前記第1基板を伝播して前記第1基板の前記第2基板側の面から出射さ
れ、前記電気光学物質に入射して表示に寄与することを特徴とする。
Another electro-optical device of the present invention includes a first substrate, a second substrate facing the first substrate, an electro-optical material sandwiched between the first substrate and the second substrate, A light source provided on a surface of the first substrate on the second substrate side, and light emitted from the light source is incident on the first substrate and propagates through the first substrate to transmit the first substrate. The light is emitted from a surface of the first substrate on the second substrate side, is incident on the electro-optic material, and contributes to display.

この発明によれば、前述の効果に加えて、第1基板を導光体として用いることで、部品
点数の削減や薄型化を図ることができる。また、第1基板に向けて光源が光を放出し、導
光手段が第1基板内に入射した光を配置領域に導くようにすることによって、光源の光放
出面を第1基板によって保護することができるため、光放出経路への塵埃の混入や汚染を
防止することができる。
According to this invention, in addition to the above-described effects, the number of parts can be reduced and the thickness can be reduced by using the first substrate as the light guide. Further, the light source emits light toward the first substrate, and the light guide means guides the light incident on the first substrate to the arrangement region, thereby protecting the light emission surface of the light source by the first substrate. Therefore, it is possible to prevent dust from being mixed into the light emission path and contamination.

本発明において、前記光源は、前記電気光学物質が配置される領域から外れた領域に設
けられていることが好ましい。これによれば、上記電気光学物質が配置される領域から外
れた領域に光源を設けることにより、電気光学物質が配置される領域内の構造に影響を与
えずに光源を構成することができる。
In the present invention, it is preferable that the light source is provided in a region deviating from a region where the electro-optic material is disposed. According to this, the light source can be configured without affecting the structure in the region where the electro-optical material is disposed by providing the light source in a region outside the region where the electro-optical material is disposed.

本発明において、前記光源は、前記第1基板における前記第2基板の外形よりも外側へ
張り出した基板張出部に設けられていることが好ましい。これによれば、基板張出部に光
源が設けられていることにより、光源を容易に形成したり実装したりすることができる。
In the present invention, it is preferable that the light source is provided in a substrate protruding portion of the first substrate that protrudes outward from the outer shape of the second substrate. According to this, the light source can be easily formed or mounted by providing the light source on the substrate extension portion.

本発明において、前記第1基板は、薄膜積層構造によって構成されたスイッチング素子
と、前記スイッチング素子に接続されてなり、前記電気光学物質に電圧を印加するための
電極と、を有し、前記光源は、前記スイッチング素子の薄膜積層構造の少なくとも一部と
同じ薄膜積層構造を有することが好ましい。これによれば、スイッチング素子の少なくと
も一部の薄膜構成と同じ構造を光源に用いることができるため、製造工程を簡略化でき、
製造コストを抑制できる。
In the present invention, the first substrate includes a switching element configured by a thin film laminated structure, and an electrode connected to the switching element for applying a voltage to the electro-optic material, and the light source Preferably has the same thin film laminated structure as at least a part of the thin film laminated structure of the switching element. According to this, since the same structure as the thin film configuration of at least a part of the switching element can be used for the light source, the manufacturing process can be simplified,
Manufacturing costs can be reduced.

本発明において、前記第1基板は、前記電気光学物質を電気的に制御するための電極を
含む画素構造を有し、前記光源は、前記画素構造の少なくとも一部と同じ構成部分を有す
ることが好ましい。これによれば、光源が画素構造の少なくとも一部と同じ構成部分を有
することによって、製造工程を簡略化でき、製造コストを抑制できる。
In the present invention, the first substrate has a pixel structure including an electrode for electrically controlling the electro-optic material, and the light source has the same component as at least a part of the pixel structure. preferable. According to this, since the light source has the same component as at least a part of the pixel structure, the manufacturing process can be simplified and the manufacturing cost can be suppressed.

本発明において、光源は有機エレクトロルミネッセンス素子等の電界発光素子や発光ダ
イオード素子等の各種発光素子で構成することができる。特に、これらを薄膜積層構造に
よって構成することにより、コンパクトに構成することが可能になる。例えば、電界発光
素子や発光ダイオード素子等の発光素子は、1又は複数の発光層、反射層、電極層などを
表面部分上に直接に積層することによって容易に形成することができる。
In the present invention, the light source can be composed of various light emitting elements such as an electroluminescence element such as an organic electroluminescence element and a light emitting diode element. In particular, by configuring them with a thin film laminated structure, it becomes possible to configure them in a compact manner. For example, a light-emitting element such as an electroluminescent element or a light-emitting diode element can be easily formed by directly laminating one or a plurality of light-emitting layers, a reflective layer, an electrode layer, and the like on the surface portion.

本発明において、前記第1基板は、内部に入射した光を偏向させ、前記第2基板側の面
から出射させる光偏向用斜面が前記第2基板とは反対側の面に設けられてなることが好ま
しい。これによれば、簡易な構造で第1基板内を伝播する光を確実に第2基板側に偏向し
、出射させることができる。
In the present invention, the first substrate is provided with a light deflection inclined surface for deflecting light incident on the first substrate and emitting the light from the surface on the second substrate side on the surface opposite to the second substrate. Is preferred. According to this, light propagating in the first substrate with a simple structure can be reliably deflected to the second substrate side and emitted.

本発明において、複数の画素を備え、前記光偏向用斜面が前記画素に対応した位置にそ
れぞれ設けられていることが好ましい。第1基板に設けられた複数の光偏向用斜面が画素
にそれぞれ対応した位置に設けられることにより、光偏向用斜面と画素との平面的な位置
関係を一定に構成することができるので、光偏向用斜面に基づく照明光の照度ムラに起因
するモアレ縞の発生を防止することができるとともに、例えば、光偏向用斜面に基づく照
明光の照度の高い領域を画素内に一致させるなどの方法で照明光を効率的に画素内に導く
ことが可能になるため、光の利用効率を高めることができる。
In the present invention, it is preferable that a plurality of pixels are provided, and the light deflection inclined surface is provided at a position corresponding to the pixel. Since the plurality of light deflection inclined surfaces provided on the first substrate are provided at positions corresponding to the pixels, the planar positional relationship between the light deflection inclined surfaces and the pixels can be configured to be constant. It is possible to prevent the occurrence of moire fringes due to illumination unevenness of illumination light based on the deflection slope, and, for example, by matching a high illumination area of illumination light based on the light deflection slope within the pixel. Since the illumination light can be efficiently guided into the pixel, the light use efficiency can be increased.

また、複数の画素が周期的に配列され、複数の前記光偏向用斜面が前記画素の配列周期
に一致する周期で形成されていることが好ましい。これによれば、複数の画素の配列周期
と一致する周期で複数の光偏向用斜面が形成されていることにより、光偏向用斜面の形成
周期に起因するモアレ縞の発生を防止することができるとともに、例えば、光偏向用斜面
に基づく照明光の照度の高い領域を画素内に一致させるなどの方法で照明光を効率的に画
素内に導くことが可能になるため、光の利用効率を高めることができる。
In addition, it is preferable that a plurality of pixels are periodically arranged, and the plurality of light deflection inclined surfaces are formed in a cycle that coincides with the pixel arrangement cycle. According to this, since the plurality of light deflection slopes are formed at a period that coincides with the arrangement period of the plurality of pixels, it is possible to prevent the occurrence of moire fringes due to the formation period of the light deflection slopes. At the same time, for example, it is possible to efficiently guide the illumination light into the pixel by matching a high illumination area of the illumination light based on the light deflecting slope into the pixel, thereby increasing the light use efficiency. be able to.

本発明において、前記第1基板の前記第2基板側の面上に、偏光子又は検光子を構成す
る内面偏光層が形成されていることが好ましい。TN型液晶やSTN型液晶等のように偏
光子や検光子を必要とする電気光学物質を用いる場合においては、第1基板の第2基板側
の面上に内面偏光層を形成することにより、第1基板から出射される照明光に基づく表示
を実現可能とすることができる。
In the present invention, it is preferable that an inner surface polarizing layer constituting a polarizer or an analyzer is formed on the surface of the first substrate on the second substrate side. In the case of using an electro-optical material that requires a polarizer or an analyzer such as a TN type liquid crystal or an STN type liquid crystal, by forming an inner surface polarizing layer on the second substrate side surface of the first substrate, It is possible to realize display based on illumination light emitted from the first substrate.

次に、本発明の電子機器は、上記のいずれかに記載の電気光学装置を表示部として備え
ていることを特徴とする。電子機器としては特に限定されないが、携帯電話機、携帯型コ
ンピュータ、電子時計等の携帯型電子機器であることが特に望ましい。
Next, an electronic apparatus according to the invention includes any one of the above electro-optical devices as a display unit. Although it does not specifically limit as an electronic device, It is especially desirable that it is portable electronic devices, such as a mobile telephone, a portable computer, and an electronic timepiece.

[第1実施形態]
次に、添付図面を参照して本発明の実施形態について詳細に説明する。図1は本実施形
態の電気光学装置100を示す概略縦断面図、図2は同装置100の概略平面図、図3は
同装置100の概略底面図である。なお、各図面中において、配線や素子構造などの細部
については適宜に省略して示してある。
[First Embodiment]
Next, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a schematic longitudinal sectional view showing an electro-optical device 100 of the present embodiment, FIG. 2 is a schematic plan view of the device 100, and FIG. 3 is a schematic bottom view of the device 100. In the drawings, details such as wiring and element structure are omitted as appropriate.

電気光学装置100は、ガラスやプラスチック等で構成された透明基板からなる第1基
板110と、同様の透明基板からなる第2基板120とを有し、第1基板110と第2基
板120とがシール材130を介して3〜10μm程度の所定間隔で貼り合わせられ、両
基板間に電気光学物質である液晶131が封入された液晶パネルを構成している。
The electro-optical device 100 includes a first substrate 110 made of a transparent substrate made of glass, plastic, or the like, and a second substrate 120 made of the same transparent substrate, and the first substrate 110 and the second substrate 120 are A liquid crystal panel is formed in which liquid crystal 131 which is an electro-optical material is sealed between both substrates, which are bonded to each other at a predetermined interval of about 3 to 10 μm through a sealing material 130.

第1基板110及び第2基板120はそれぞれ矩形状の平面形状を有し、第1基板11
0には第2基板120の外形よりも外側に張り出してなる基板張出部110E、110F
が設けられている。本発明においては特に限定されるものではないが、基板張出部110
Eと110Fは液晶131が配置された液晶配置領域Lの両側に設けられている。
Each of the first substrate 110 and the second substrate 120 has a rectangular planar shape, and the first substrate 11
In 0, the substrate overhanging portions 110E and 110F are formed to project outward from the outer shape of the second substrate 120.
Is provided. Although not particularly limited in the present invention, the substrate overhanging portion 110 is used.
E and 110F are provided on both sides of the liquid crystal arrangement region L in which the liquid crystal 131 is arranged.

本実施形態では、第1基板110の内面(第2基板120に向いた面)上に、絶縁膜等
からなる下地層111、配線、素子、絶縁層等が適宜に形成された配線素子構造112、
絶縁層113、第1電極114などが順次に形成されている。また、第2基板120の内
面(第1基板110に向いた面)上に、絶縁膜等からなる下地層121、カラーフィルタ
122、保護膜123、第2電極124などが順次に形成されている。なお、上記の構造
は特に限定されるものではなく、電気光学物質である液晶131に対して画素ごとにそれ
ぞれ制御された電界を付与できる構造を備えていればよい。
In the present embodiment, a wiring element structure 112 in which an underlayer 111 made of an insulating film or the like, a wiring, an element, an insulating layer, and the like are appropriately formed on the inner surface of the first substrate 110 (the surface facing the second substrate 120). ,
An insulating layer 113, a first electrode 114, and the like are sequentially formed. A base layer 121 made of an insulating film, a color filter 122, a protective film 123, a second electrode 124, and the like are sequentially formed on the inner surface of the second substrate 120 (the surface facing the first substrate 110). . Note that the above-described structure is not particularly limited, and it is only necessary to have a structure capable of applying a controlled electric field for each pixel to the liquid crystal 131 which is an electro-optical material.

第1基板110及び第2基板120の外面上には、必要に応じて偏光板117,127
が配置される。典型的には、偏光板117,127は基板外面上に貼着される。また、上
記の基板張出部110Eには上記第1電極114及び第2電極124に直接若しくは間接
的に接続された入力端子(図示せず)が設けられ、基板張出部110Eに実装された配線
基板135の配線が上記入力端子に導電接続されている。
Polarizing plates 117 and 127 are formed on the outer surfaces of the first substrate 110 and the second substrate 120 as necessary.
Is placed. Typically, the polarizing plates 117 and 127 are attached on the outer surface of the substrate. In addition, the board extension 110E is provided with an input terminal (not shown) directly or indirectly connected to the first electrode 114 and the second electrode 124, and is mounted on the board extension 110E. The wiring of the wiring board 135 is conductively connected to the input terminal.

図13及び図14は、本実施形態の上記構成を反射半透過型の液晶表示体に適用してな
る構成例の画素構造を示す拡大平面配置図及び拡大縦断面図である。ここで、上記構成に
対応する部分には同一符合を付してある。上記の第1基板110上に設けられる配線素子
構造112は、多結晶シリコン等で構成された半導体層112aと、この半導体層112
a上に形成されたゲート絶縁膜112bと、ゲート絶縁膜112bを介して半導体層11
2aに対向配置されるゲート電極112cとを備えたスイッチング素子(TFT;薄膜ト
ランジスタ)を含んでいる。半導体層112aは、ゲート電極112cに対向配置される
チャネル領域と、セルフアライメントで不純物が導入されてなるソース領域及びドレイン
領域とを有し、当該ソース領域はデータ線112dに導電接続され、上記ドレイン領域は
接続部112eを介して後述する反射膜115及び画素電極114に導電接続される。ま
た、ゲート電極112cは走査線112gに導電接続されている。
13 and 14 are an enlarged plan layout view and an enlarged vertical sectional view showing a pixel structure of a configuration example in which the above-described configuration of the present embodiment is applied to a reflective transflective liquid crystal display. Here, the same reference numerals are given to portions corresponding to the above-described configuration. The wiring element structure 112 provided on the first substrate 110 includes a semiconductor layer 112a made of polycrystalline silicon or the like, and the semiconductor layer 112.
a gate insulating film 112b formed on a, and the semiconductor layer 11 via the gate insulating film 112b
The switching element (TFT; thin film transistor) provided with the gate electrode 112c opposingly arranged to 2a is included. The semiconductor layer 112a has a channel region disposed opposite to the gate electrode 112c, and a source region and a drain region into which impurities are introduced by self-alignment. The source region is conductively connected to the data line 112d, and the drain The region is conductively connected to a reflective film 115 and a pixel electrode 114, which will be described later, through a connection portion 112e. The gate electrode 112c is conductively connected to the scanning line 112g.

この構成例では、各画素Pにおいて反射表示領域Prと透過表示領域Ptとがそれぞれ
設けられ、反射表示領域Prでは上記スイッチング素子にも用いられる層間絶縁膜113
Aが微細な凹凸状(図示例の場合には離散的)に形成され、上記の層間絶縁膜113A上
に層間絶縁膜113Bが積層され、これによって層間絶縁膜113Bの表面は下層の層間
絶縁膜113Aの形状を反映して表面が微細な凹凸状に形成される。この層間絶縁膜11
3B上にはアルミニウム等の金属薄膜で反射膜115が形成され、これにより、反射膜1
15の表面は微細な凹凸構造を備えた散乱性反射面とされている。一方、透過表示領域P
tでは層間絶縁膜113A及び層間絶縁膜113Bが形成されていない。
In this configuration example, each pixel P is provided with a reflective display region Pr and a transmissive display region Pt. In the reflective display region Pr, the interlayer insulating film 113 also used for the switching element.
A is formed in a fine uneven shape (discrete in the illustrated example), and an interlayer insulating film 113B is laminated on the interlayer insulating film 113A, whereby the surface of the interlayer insulating film 113B is a lower interlayer insulating film. Reflecting the shape of 113A, the surface is formed into fine irregularities. This interlayer insulating film 11
On 3B, a reflective film 115 is formed of a metal thin film such as aluminum, whereby the reflective film 1
The surface 15 is a scattering reflecting surface having a fine concavo-convex structure. On the other hand, the transparent display area P
At t, the interlayer insulating film 113A and the interlayer insulating film 113B are not formed.

反射膜115上にはITO等の透明導電体によって画素電極(上記の第1電極)114
が形成される。この画素電極114は反射表示領域Pr及び透過表示領域Ptの双方に形
成される。また、画素電極114上にはポリイミド樹脂等からなる配向膜116が形成さ
れる。
On the reflective film 115, a pixel electrode (the first electrode) 114 is formed of a transparent conductor such as ITO.
Is formed. The pixel electrode 114 is formed in both the reflective display area Pr and the transmissive display area Pt. An alignment film 116 made of polyimide resin or the like is formed on the pixel electrode 114.

一方、第2基板上においては、画素Pの境界域に遮光膜126が形成される。図示例の
場合、遮光膜126は上記カラーフィルタ122と同層に形成され、例えば、複数のカラ
ーフィルタ層を積層した構造、黒色樹脂等からなるブラックマトリクスなどで構成される
。また、Cr等の金属層で遮光膜126を構成することも可能である。
On the other hand, on the second substrate, the light shielding film 126 is formed in the boundary region of the pixel P. In the case of the illustrated example, the light shielding film 126 is formed in the same layer as the color filter 122, and includes, for example, a structure in which a plurality of color filter layers are stacked, a black matrix made of black resin, or the like. It is also possible to form the light shielding film 126 with a metal layer such as Cr.

本実施形態では、上記層間絶縁膜113A、113Bの有無によって設けられた段差に
より、反射表示領域Prでは液晶131の厚みは透過表示領域Ptにおける厚みより小さ
く(例えばほぼ半分程度に)なっている。これによって、反射表示領域Prにおいて往復
2回液晶層を通過する反射光(反射表示を構成する光)と、透過表示領域Ptにおいて1
回のみ液晶層を通過する透過光(透過表示を構成する光)とに対する液晶131のリタデ
ーションの差を低減することができる。なお、図示例では層間絶縁膜の有無によって反射
表示領域Prと透過表示領域Ptの液晶131の厚みを変えているが、層間絶縁膜の厚み
を異ならしめることによって両領域間の液晶131の厚みを変えてもよく、或いは、第2
基板120上に形成された段差によって液晶の厚みを変えても構わない。
In the present embodiment, the thickness of the liquid crystal 131 in the reflective display region Pr is smaller than the thickness in the transmissive display region Pt (for example, approximately half) due to the steps provided depending on the presence or absence of the interlayer insulating films 113A and 113B. As a result, reflected light (light constituting the reflective display) that passes through the liquid crystal layer twice in the reflective display area Pr and 1 in the transmissive display area Pt.
The difference in retardation of the liquid crystal 131 with respect to transmitted light that passes through the liquid crystal layer only once (light constituting the transmissive display) can be reduced. In the illustrated example, the thickness of the liquid crystal 131 in the reflective display region Pr and the transmissive display region Pt is changed depending on the presence or absence of the interlayer insulating film. However, by changing the thickness of the interlayer insulating film, the thickness of the liquid crystal 131 between the two regions is changed. Or you may change
The thickness of the liquid crystal may be changed depending on the level difference formed on the substrate 120.

再び図1に戻って説明を続ける。第1基板110の基板張出部110Fには光源132
が固定されている。この光源132は、LED(発光ダイオード)やLD(レーザーダイ
オード)等の半導体素子、或いは、有機エレクトロルミネッセンス素子(以下、単に「有
機EL素子」という。)等の電界発光素子などの各種の発光素子で構成することができる
Returning to FIG. 1 again, the description will be continued. A light source 132 is provided on the substrate extension 110F of the first substrate 110.
Is fixed. The light source 132 is a light emitting element such as a semiconductor element such as an LED (light emitting diode) or LD (laser diode), or an electroluminescent element such as an organic electroluminescence element (hereinafter simply referred to as “organic EL element”). Can be configured.

図示例の場合には、第1基板110の液晶131側の面である内面上に光源132が形
成されている。すなわち、光源132は基板張出部110Fの上面に直接に被着された薄
膜積層構造によって構成されている。そして、光源132の光放出面132xは第1基板
110の上面に密接した状態となっている。
In the case of the illustrated example, the light source 132 is formed on the inner surface which is the surface on the liquid crystal 131 side of the first substrate 110. That is, the light source 132 has a thin film laminated structure that is directly attached to the upper surface of the substrate overhanging portion 110F. The light emission surface 132 x of the light source 132 is in close contact with the upper surface of the first substrate 110.

図示例の光源132は有機EL素子であり、基板張出部110Fの上面に、ITO等の
透明導電体で構成された下電極132a、好ましくは遮光材料で構成されるバンク132
b、発光構造132c、好ましくは金属等の反射性材料で構成される上電極132d及び
封止層132eを順次に形成してなる薄膜積層構造を有する。ここで、発光構造132c
は、実際には、有機正孔輸送層、有機発光膜、有機電子輸送層などの複数の層を積層した
構造となっている。下電極132aと上電極132dとの間に所定の電圧を印加すると、
電界が印加されることにより発光構造132cが発光し、光放出面132xから光が放出
される。
The light source 132 in the illustrated example is an organic EL element, and the lower electrode 132a made of a transparent conductor such as ITO, preferably a bank 132 made of a light shielding material, is provided on the upper surface of the substrate extension 110F.
b, a light emitting structure 132c, preferably a thin film laminated structure formed by sequentially forming an upper electrode 132d and a sealing layer 132e made of a reflective material such as metal. Here, the light emitting structure 132c
In reality, the structure has a structure in which a plurality of layers such as an organic hole transport layer, an organic light emitting film, and an organic electron transport layer are laminated. When a predetermined voltage is applied between the lower electrode 132a and the upper electrode 132d,
When the electric field is applied, the light emitting structure 132c emits light, and light is emitted from the light emitting surface 132x.

また、光源132を発光ダイオードとしたときには、第1基板110の表面上に透明導
電体よりなる下電極、np接合構造を備えた半導体構造、上電極を積層し、下電極と上電
極との間に電圧を印加することによって正孔・電子の再結合による発光が生ずるように構
成すればよい。
When the light source 132 is a light emitting diode, a lower electrode made of a transparent conductor, a semiconductor structure with an np junction structure, and an upper electrode are stacked on the surface of the first substrate 110, and the gap between the lower electrode and the upper electrode is stacked. What is necessary is just to comprise so that light emission by recombination of a hole and an electron may arise by applying a voltage to.

なお、上記の光源132を構成する発光素子としては、チップ状、或いは、パッケージ
状に構成された有機EL素子やLED素子等の発光素子を用いることもできるが、この場
合には、発光素子を直接に第1基板110の表面上に密着させた状態で封止樹脂等により
固定することが好ましい。また、この場合においても、光源132の光放出面132xを
基板表面に直接密着させることが好ましい。
In addition, as a light emitting element which comprises said light source 132, light emitting elements, such as an organic EL element and LED element comprised in the shape of a chip | tip or a package, can also be used, In this case, a light emitting element is used. It is preferable to fix with a sealing resin or the like in a state of being in direct contact with the surface of the first substrate 110. Also in this case, it is preferable that the light emission surface 132x of the light source 132 is directly adhered to the substrate surface.

光源132は、その構造内に光放出面132x以外の部分からの光漏れを防止する構造
(遮光構造若しくは反射構造)を有することが好ましいが、必要に応じて、図示例のよう
に反射板134を設けることができる。
The light source 132 preferably has a structure (a light shielding structure or a reflective structure) for preventing light leakage from a part other than the light emitting surface 132x in the structure, but if necessary, a reflecting plate 134 as shown in the illustrated example. Can be provided.

図15は、上記光源132の構成例を示す拡大縦断面図である。第1基板110上には
、上述の下電極132a、バンク132b、発光構造132c、上電極132d、封止層
132eが積層されているが、このようにして設けられた発光部分は、併設されたスイッ
チング素子1322の動作によってオンオフ制御(必要に応じて階調制御)が可能となる
ように構成されている。第1基板110上にはSiO等の絶縁膜で構成される下地層1
321が形成され、この上に、半導体層1322a、ゲート絶縁膜1322b及びゲート
電極1322cよりなる上記スイッチング素子1322が設けられている。半導体層13
22aには上記ゲート電極1322cに対向配置されるチャネル領域の両側にソース領域
及びドレイン領域が設けられ、当該ソース領域にはデータ線1322dが導電接続され、
前記ドレイン領域には接続部1322eを介して下電極132aが導電接続されている。
なお、層間絶縁膜1323A、1323B、1323Cはそれぞれスイッチング素子13
22やEL構造の各導電層間の絶縁を確保している。
FIG. 15 is an enlarged vertical sectional view showing a configuration example of the light source 132. On the first substrate 110, the lower electrode 132a, the bank 132b, the light emitting structure 132c, the upper electrode 132d, and the sealing layer 132e are stacked. The light emitting portion thus provided is provided side by side. On-off control (gray scale control as necessary) is enabled by the operation of the switching element 1322. On the first substrate 110, an underlayer 1 made of an insulating film such as SiO 2 is used.
The switching element 1322 including the semiconductor layer 1322a, the gate insulating film 1322b, and the gate electrode 1322c is provided thereover. Semiconductor layer 13
22a is provided with a source region and a drain region on both sides of a channel region disposed opposite to the gate electrode 1322c, and a data line 1322d is conductively connected to the source region,
A lower electrode 132a is conductively connected to the drain region via a connection portion 1322e.
Note that the interlayer insulating films 1323A, 1323B, and 1323C are the switching elements 13 respectively.
Insulation between the conductive layers 22 and the EL structure is ensured.

スイッチング素子1322は、ゲート電極1322cに導電接続された図示しない制御
線の電位によってオンオフ制御され、オン状態ではデータ線1322dに供給された電位
を下電極132aに供給する。すると、当該電位と上記上電極132dの電位の差よりな
る電圧が発光構造132cに印加されることとなるため、当該電圧に応じて発光構造13
2cが発光する。ここで、下電極132aはITO等の透明導電体よりなり、上電極13
2dはアルミニウム等の金属導電体よりなるため、光は下方へ出射して第1基板110内
に入射する。
The switching element 1322 is on / off controlled by a potential of a control line (not shown) that is conductively connected to the gate electrode 1322c. In the on state, the switching element 1322 supplies the potential supplied to the data line 1322d to the lower electrode 132a. Then, a voltage formed by a difference between the potential and the potential of the upper electrode 132d is applied to the light emitting structure 132c.
2c emits light. Here, the lower electrode 132a is made of a transparent conductor such as ITO, and the upper electrode 13
Since 2d is made of a metal conductor such as aluminum, the light exits downward and enters the first substrate 110.

上記のように構成された液晶パネルの背後には、アクリル樹脂等の透明素材によって構
成された導光板140が配置される。この導光板140は、本発明の導光手段を構成する
ものであり、上記液晶パネルの液晶配置領域Lに重なる本体部140Dと、上記第1基板
110の基板張出部110Fと対向配置される延長部140Fとを有し、これらの本体部
140Dと延長部140Fとが一体に構成されている。図示例では、導光板140は本体
部140Dと延長部140Fが連続した一体の板形状となっている。
A light guide plate 140 made of a transparent material such as acrylic resin is disposed behind the liquid crystal panel configured as described above. The light guide plate 140 constitutes the light guide means of the present invention, and is disposed opposite to the main body portion 140D that overlaps the liquid crystal arrangement region L of the liquid crystal panel and the substrate extension portion 110F of the first substrate 110. The main body portion 140D and the extension portion 140F are integrally formed. In the illustrated example, the light guide plate 140 has an integral plate shape in which the main body portion 140D and the extension portion 140F are continuous.

導光板140では、上記光源132から放出された光が第1基板110の基板張出部1
10Fを透過した後に入射するように構成された光取り込み面140aが延長部140F
の上面部分として設けられ、また、この光取り込み面140aに入射した後の内部伝播光
を偏向させる光偏向手段140x及び140yが設けられ、さらに、これらの光偏向手段
140x及び140yによって偏向され、分散された光を出射する光出射面140bが設
けられている。図示例の場合、光取り込み面140aと光出射面140bは導光板140
の連続した上面で構成されている。
In the light guide plate 140, the light emitted from the light source 132 is the substrate overhanging portion 1 of the first substrate 110.
The light capturing surface 140a configured to enter after passing through 10F has an extension portion 140F.
Also provided are light deflecting means 140x and 140y for deflecting the internally propagating light after entering the light capturing surface 140a. Further, the light deflecting means 140x and 140y are deflected and dispersed by the light deflecting means 140x and 140y. A light emitting surface 140b for emitting the emitted light is provided. In the illustrated example, the light capturing surface 140a and the light emitting surface 140b are formed of the light guide plate 140.
It is composed of a continuous upper surface.

光偏向手段は、上記延長部140Fにおいて光取り込み面140aの反対側の面(下面
)に設けられた複数の光偏向用斜面140xと、上記本体部140Dにおいて光出射面1
40bの反対側の面(下面)に設けられた複数の光偏向用斜面140yとを有する。光偏
向用斜面140xは、光取り込み面140aに入射した光を本体部140D側へ反射させ
ることにより偏向・分散させる。また、光偏向用斜面140yは、延長部140Fから進
入した内部伝播光を光出射面140bに向けて反射させることにより偏向・分散させる。
光偏向用斜面140xと140yは相互に反対側に向いた面となっている。これらの光偏
向用斜面140x、140yによって、光は光出射面140bから液晶配置領域L内にほ
ぼ均等な照度で出射される。
The light deflection means includes a plurality of light deflection inclined surfaces 140x provided on the surface (lower surface) opposite to the light capturing surface 140a in the extension portion 140F, and the light emitting surface 1 in the main body portion 140D.
A plurality of light deflection inclined surfaces 140y provided on the surface (lower surface) opposite to 40b. The light deflection inclined surface 140x deflects and disperses the light incident on the light capturing surface 140a by reflecting the light toward the main body 140D. The light deflection inclined surface 140y deflects and disperses the internal propagation light that has entered from the extension portion 140F by reflecting it toward the light exit surface 140b.
The light deflection inclined surfaces 140x and 140y are surfaces facing to opposite sides. By these light deflection inclined surfaces 140x and 140y, light is emitted from the light emitting surface 140b into the liquid crystal arrangement region L with substantially uniform illuminance.

なお、導光板140の本体部140Dの背後には、金属や樹脂等からなる反射板141
を配置することが好ましい。また、必要に応じて、光偏向用斜面140xによる光反射率
を高めるために、光偏向用斜面140xの面上若しくはその先に反射層或いは反射板を配
置してもよい。
In addition, behind the main body 140D of the light guide plate 140, a reflective plate 141 made of metal, resin, or the like.
Is preferably arranged. Further, if necessary, a reflection layer or a reflection plate may be arranged on the surface of the light deflection inclined surface 140x or in front of it in order to increase the light reflectance by the light deflection inclined surface 140x.

導光板140の本体部140Dと液晶パネルの第1基板110との間には、集光シート
や光拡散シート等の光学層142,143,144が適宜に配置されることが好ましい。
なお、これらの光学層の代わりに、第1基板110の延長部110Fの下面、光取り込み
面140a、光出射面140b等にプリズム加工、ブラスト加工等を施して光拡散作用を
持たせてもよい。
It is preferable that optical layers 142, 143, and 144 such as a light collecting sheet and a light diffusion sheet are appropriately disposed between the main body 140D of the light guide plate 140 and the first substrate 110 of the liquid crystal panel.
Instead of these optical layers, the lower surface of the extension 110F of the first substrate 110, the light capturing surface 140a, the light emitting surface 140b, etc. may be subjected to prism processing, blast processing, etc. to have a light diffusing action. .

本実施形態では、光源132から放出された光は第1基板110の内部を通過して導光
板140の光取り込み面140aに入射し、光偏向用斜面140x及び140yで偏向・
分散されることにより、光出射面140bから出射し、液晶パネルの液晶配置領域Lを照
明する。この照明光は液晶パネルを通過して第2基板120の外側から視認される所定の
表示を構成する。
In the present embodiment, the light emitted from the light source 132 passes through the inside of the first substrate 110 and is incident on the light capturing surface 140a of the light guide plate 140, and is deflected by the light deflection inclined surfaces 140x and 140y.
By being dispersed, the light exits from the light exit surface 140b and illuminates the liquid crystal arrangement region L of the liquid crystal panel. This illumination light constitutes a predetermined display that is visible from the outside of the second substrate 120 through the liquid crystal panel.

本実施形態によれば、光源132を、液晶パネルを構成する一方の基板である第1基板
110に固定したことにより、従来構造のように光源を配線基板上に実装したり、配線基
板を固定したりする必要がなくなるので、実装・組み立て工程を簡素化することができ、
製造コストを低減できる。特に、光源132を第1基板上に形成された薄膜積層構造で構
成する場合には、光源132をさらに薄型化することができる。
According to the present embodiment, the light source 132 is fixed to the first substrate 110 that is one substrate constituting the liquid crystal panel, so that the light source is mounted on the wiring substrate as in the conventional structure, or the wiring substrate is fixed. So that the mounting and assembly process can be simplified.
Manufacturing cost can be reduced. In particular, when the light source 132 is configured by a thin film laminated structure formed on the first substrate, the light source 132 can be further reduced in thickness.

また、本実施形態では、光源132が第1基板110に直接固定されているため、液晶
パネルに対する光源の位置精度が向上し、これによって、装置の輝度のばらつきを低減す
ることができる。特に、第1基板110上に薄膜積層構造を有する光源132を形成する
ことで、第1基板110の電極構造等の内面構造とほぼ同様のパターニング精度で光源1
32を位置決めできるため、光源の位置精度をさらに高めることができる。
Further, in the present embodiment, since the light source 132 is directly fixed to the first substrate 110, the positional accuracy of the light source with respect to the liquid crystal panel is improved, thereby reducing variations in luminance of the device. In particular, by forming the light source 132 having a thin film laminated structure on the first substrate 110, the light source 1 can be obtained with almost the same patterning accuracy as the inner surface structure such as the electrode structure of the first substrate 110.
Since 32 can be positioned, the positional accuracy of the light source can be further increased.

さらに、光源132の光放出面132xが第1基板110の表面に密接していることに
より、光放出面132xを保護することができ、塵埃等が光路に介在して光の通過を妨げ
たり、光放出面132xが汚染されたりする可能性を低減することができる。
Furthermore, since the light emission surface 132x of the light source 132 is in close contact with the surface of the first substrate 110, the light emission surface 132x can be protected, and dust or the like is interposed in the optical path to prevent the passage of light, The possibility that the light emitting surface 132x is contaminated can be reduced.

光源132の下電極132a、バンク132b、上電極132d、封止層132e等は
、第1基板110の製造プロセスと同時に行っても構わない。例えば、下電極132aを
ITO等の透明導電体で第1電極(画素電極)114と同時に形成したり、バンク132
bを第1基板110上の絶縁層と同時に形成したりといった具合である。このようにする
と、光源132の位置精度を第1基板110のパターニング精度と同等の精度とすること
ができるとともに、製造工程数を削減することができるため、製造コストの低減を図るこ
とが可能になる。
The lower electrode 132a, the bank 132b, the upper electrode 132d, the sealing layer 132e, and the like of the light source 132 may be performed simultaneously with the manufacturing process of the first substrate 110. For example, the lower electrode 132a is formed of a transparent conductor such as ITO simultaneously with the first electrode (pixel electrode) 114, or the bank 132
For example, b may be formed simultaneously with the insulating layer on the first substrate 110. In this way, the position accuracy of the light source 132 can be made equal to the patterning accuracy of the first substrate 110, and the number of manufacturing steps can be reduced, so that the manufacturing cost can be reduced. Become.

図16乃至図26は光源132の製造工程の一例(図15に示す光源132の構成例に
対応する製造工程)を示す概略工程図である。最初に、図16に示すように第1基板11
0上にSiO等の絶縁体よりなる下地層1321をスパッタリング法等により形成する
。この下地層1321は、図13及び図14に示す構成例の下地層111と同工程で形成
できる。その後、下地層1321上に多結晶シリコン等で構成される半導体層1322a
を形成し、これを図17に示すようにエッチング処理等によってパターニングする。ここ
で、半導体層1322aは図13及び図14に示す構成例の半導体層112aと同工程で
形成できる。その後、半導体層1322a上にゲート絶縁膜1322bを形成する。この
ゲート絶縁膜1322bは図13及び図14に示す構成例のゲート絶縁膜112bと同工
程で形成できる。
16 to 26 are schematic process diagrams showing an example of a manufacturing process of the light source 132 (a manufacturing process corresponding to the configuration example of the light source 132 shown in FIG. 15). First, as shown in FIG. 16, the first substrate 11
A base layer 1321 made of an insulator such as SiO 2 is formed on 0 by a sputtering method or the like. This base layer 1321 can be formed in the same process as the base layer 111 of the configuration example shown in FIGS. Thereafter, a semiconductor layer 1322a formed of polycrystalline silicon or the like over the base layer 1321.
And is patterned by etching or the like as shown in FIG. Here, the semiconductor layer 1322a can be formed in the same step as the semiconductor layer 112a having the structure example shown in FIGS. After that, a gate insulating film 1322b is formed over the semiconductor layer 1322a. This gate insulating film 1322b can be formed in the same process as the gate insulating film 112b of the structural example shown in FIGS.

次に、図18に示すように、ゲート電極1322cを好ましくは図示しない制御線とと
もに形成する。このゲート電極1322cは図13及び図14に示す構成例のゲート電極
112c(及び走査線112g)と同工程で形成できる。その後、このゲート電極132
2cをマスクとしてセルフアライメントで半導体層1322a内に不純物をイオン注入法
等で注入し、ソース領域及びドレイン領域を形成する。これらの不純物領域は図13及び
図14に示す構成例の不純物領域の形成工程で形成できる。
Next, as shown in FIG. 18, the gate electrode 1322c is preferably formed together with a control line (not shown). This gate electrode 1322c can be formed in the same process as the gate electrode 112c (and the scanning line 112g) of the structural example shown in FIGS. Thereafter, the gate electrode 132
Impurities are implanted into the semiconductor layer 1322a by self-alignment using 2c as a mask by an ion implantation method or the like to form a source region and a drain region. These impurity regions can be formed in the impurity region forming step of the configuration example shown in FIGS.

次に、図19に示すように、SiO等よりなる層間絶縁膜1323AをCVD法等に
よって形成し、さらに、層間絶縁膜1323A及びゲート絶縁膜1322bにコンタクト
ホールを形成することによって、半導体層1322aのソース領域及びドレイン領域が一
部露出するように構成する。これらの処理は、図13及び図14に示す構成例の層間絶縁
膜113A及びそのパターニングを行う工程で実施できる。
Next, as shown in FIG. 19, an interlayer insulating film 1323A made of SiO 2 or the like is formed by a CVD method or the like, and contact holes are formed in the interlayer insulating film 1323A and the gate insulating film 1322b, thereby forming the semiconductor layer 1322a. The source region and the drain region are partially exposed. These processes can be performed in the step of patterning the interlayer insulating film 113A in the configuration example shown in FIGS.

その後、図20に示すように、データ線1322d及び接続部1322eを金属等の蒸
着やスパッタリング法並びにパターニングによって形成する。これらの処理は、図13及
び図14に示す構成例のデータ線112d及び接続部112eを形成する工程で実施でき
る。さらに、この上には層間絶縁膜1323B(パシベーション膜)を形成する。この層
間絶縁膜1323Bは、例えば、図13及び図14に示す構成例の層間絶縁膜113Bを
形成する工程で形成できる。
Thereafter, as shown in FIG. 20, the data line 1322d and the connection portion 1322e are formed by vapor deposition of metal or the like, sputtering, and patterning. These processes can be performed in the process of forming the data line 112d and the connecting portion 112e of the configuration example shown in FIGS. Further, an interlayer insulating film 1323B (passivation film) is formed thereon. This interlayer insulating film 1323B can be formed, for example, in the step of forming the interlayer insulating film 113B having the configuration example shown in FIGS.

次に、図21に示すように、層間絶縁膜1323B上にITO等の透明導電体で下電極
132aを形成する。この下電極132aは、上記第1電極114(図13及び図14に
示す構成例の画素電極114)を形成する工程で形成することができる。
Next, as shown in FIG. 21, the lower electrode 132a is formed of a transparent conductor such as ITO on the interlayer insulating film 1323B. The lower electrode 132a can be formed in the step of forming the first electrode 114 (the pixel electrode 114 having the configuration example shown in FIGS. 13 and 14).

その後、図22に示すように、CVD法などによってSiOやSiN等からなる層間
絶縁膜1323Cを形成し、パターニングすることによって下電極132aの既定部分を
露出させる。そして、図23に示すように、下電極132aの露出部分を除く領域上に樹
脂材料等からなるバンク132bを形成する。このバンク132bは好ましくは遮光材料
で形成され、光が周囲に漏れないように構成される。バンク132bは例えばポリイミド
樹脂等で構成できる。
Thereafter, as shown in FIG. 22, an interlayer insulating film 1323C made of SiO 2 , SiN or the like is formed by a CVD method or the like, and a predetermined portion of the lower electrode 132a is exposed by patterning. Then, as shown in FIG. 23, a bank 132b made of a resin material or the like is formed on a region excluding the exposed portion of the lower electrode 132a. The bank 132b is preferably formed of a light shielding material and is configured so that light does not leak to the surroundings. The bank 132b can be made of, for example, a polyimide resin.

しかる後に、図24に示すように、バンク132bで囲まれ、底部に下電極132bが
露出した領域に発光構造132cを形成する。この発光構造132cは、例えば、チオフ
ェン系ポリマーとスチレンポリマーによりなるバッファー層(PEDT/PSS)と発光ポリマー
(LEP)からなる積層構造、ポリパラフェニレンビニレン等の有機半導体層などで構成でき
る。また、これら各層は、例えば、それぞれの構成材料を含む未硬化の液滴が上記領域に
インクジェットヘッド等の吐出ヘッドから滴下され、その後、バンク132b内にて乾燥
、硬化されるといった方法でそれぞれ形成することができる。
Thereafter, as shown in FIG. 24, the light emitting structure 132c is formed in the region surrounded by the bank 132b and exposing the lower electrode 132b at the bottom. The light emitting structure 132c includes, for example, a buffer layer (PEDT / PSS) made of a thiophene polymer and a styrene polymer and a light emitting polymer.
It can be composed of a laminated structure made of (LEP), an organic semiconductor layer such as polyparaphenylene vinylene. Each of these layers is formed by, for example, a method in which an uncured droplet containing each constituent material is dropped from the ejection head such as an ink jet head onto the region, and then dried and cured in the bank 132b. can do.

次に、図25に示すように、上記発光構造132c上に蒸着法等によってアルミニウム
等の反射性材料により上電極132dを形成する。この工程は、図13及び図14に示す
構成例の反射膜115を形成する工程などで同時に形成することができる。ただし、上述
のように画素電極114と同時に下電極132aを形成する場合には、工程の前後関係に
より上電極132dを反射膜115の形成工程で形成することはできない。その後、図2
6に示すように、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂等の封止剤132eを塗布してシールを
行う。
Next, as shown in FIG. 25, an upper electrode 132d is formed of a reflective material such as aluminum on the light emitting structure 132c by vapor deposition or the like. This step can be formed simultaneously with the step of forming the reflective film 115 having the configuration example shown in FIGS. However, when the lower electrode 132a is formed at the same time as the pixel electrode 114 as described above, the upper electrode 132d cannot be formed in the reflective film 115 formation process due to the order of the process. Then, FIG.
As shown in FIG. 6, sealing is performed by applying a sealing agent 132e such as epoxy resin or silicone resin.

以上説明したように、本実施形態では、光源132の構造と、図13及び図14に示す
画素P内の構造(特にスイッチング素子の構造)とを同じ工程で実現することによって、
工程数の増加を抑制して製造コストを低減することができる。なお、以上のような光源1
32の構造や製法は、以下の他の実施形態においても同様に適用することが可能である。
特に、本実施形態では、画素構造内に設けられたスイッチング素子と同じ構造を有する発
光制御用のスイッチング素子1322が光源132内に設けられているため、光源132
の形成工程の多くを画素構造の形成工程と共通化することができる。
As described above, in the present embodiment, the structure of the light source 132 and the structure in the pixel P shown in FIGS. 13 and 14 (particularly the structure of the switching element) are realized in the same process.
The increase in the number of processes can be suppressed and the manufacturing cost can be reduced. The light source 1 as described above
The structure and manufacturing method of 32 can be similarly applied to the other embodiments described below.
In particular, in the present embodiment, since the switching element 1322 for light emission control having the same structure as the switching element provided in the pixel structure is provided in the light source 132, the light source 132 is provided.
Many of the formation processes can be shared with the formation process of the pixel structure.

[第2実施形態]
次に、図4を参照して、本発明に係る第2実施形態の電気光学装置について説明する。
この実施形態は、上記第1実施形態と基本的に同様の構成を有するため、同一部分には同
一符号を付し、それらの説明は省略する。
[Second Embodiment]
Next, an electro-optical device according to a second embodiment of the invention will be described with reference to FIG.
Since this embodiment has basically the same configuration as that of the first embodiment, the same parts are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.

本実施形態では、導光板140′の延長部140F′を研磨加工等により楔状に構成し
、光取り込み面140aに入射した光を本体部140D側へ偏向させるための光偏向用斜
面140x′を形成している。この光偏向用斜面140x′の外面上には反射層140z
を配置し、光取り込み面140aに入射した光が反射層140zによって効率的に本体部
140Dへ導かれるように構成している。これによって、光偏向用斜面140x′及び反
射層140zによる偏向時の光の伝播効率を高めることができる。
In this embodiment, the extended portion 140F ′ of the light guide plate 140 ′ is formed in a wedge shape by polishing or the like, and a light deflection inclined surface 140x ′ for deflecting light incident on the light capturing surface 140a toward the main body portion 140D is formed. is doing. On the outer surface of the light deflection inclined surface 140x ′, there is a reflective layer 140z.
The light incident on the light capturing surface 140a is efficiently guided to the main body 140D by the reflective layer 140z. As a result, the light propagation efficiency at the time of deflection by the light deflection slope 140x ′ and the reflection layer 140z can be increased.

[第3実施形態]
次に、図5を参照して、本発明に係る第3実施形態の電気光学装置について説明する。
この実施形態は、上記第1実施形態と基本的に同様の構成を有するため、同一部分には同
一符号を付し、それらの説明は省略する。
[Third Embodiment]
Next, an electro-optical device according to a third embodiment of the invention will be described with reference to FIG.
Since this embodiment has basically the same configuration as that of the first embodiment, the same parts are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.

本実施形態では、導光板140″の延長部140F″を本体部140Dの光出射面14
0bよりも第1基板110側に突出させ、光取り込み面140a″を光源132に近づけ
た位置に形成している。これによって、光源132から放出された光は、より早い段階で
導光板140″の内部に入射し、その内部を伝播していくため、導光板140″内への光
の取り込み効率を高めることができる。
In the present embodiment, the extended portion 140F ″ of the light guide plate 140 ″ is used as the light emitting surface 14 of the main body portion 140D.
The light capturing surface 140a ″ is formed at a position close to the light source 132 by projecting toward the first substrate 110 with respect to 0b. Thereby, the light emitted from the light source 132 is introduced at an earlier stage in the light guide plate 140 ″. Since the light is incident on the light and propagates through the light, the efficiency of taking light into the light guide plate 140 ″ can be increased.

この場合、延長部140F″の突出部分の側面には、適宜に反射層140v等を形成し
て光漏れを防止することが好ましい。また、光取り込み面140a″と第1基板110と
の間には光拡散板140w等を配置してもよい。
In this case, it is preferable to appropriately form a reflective layer 140v or the like on the side surface of the protruding portion of the extension 140F ″ to prevent light leakage. Further, between the light capturing surface 140a ″ and the first substrate 110. May be provided with a light diffusion plate 140w or the like.

なお、上記の反射層140vや光拡散板140wは上記第1実施形態や第2実施形態に
も適用することができる。また、第2実施形態の反射層140zを第1実施形態の光偏向
斜面140xや本実施形態の光偏向用斜面140xに適用しても構わない。
The reflective layer 140v and the light diffusing plate 140w can also be applied to the first and second embodiments. Further, the reflective layer 140z of the second embodiment may be applied to the light deflection inclined surface 140x of the first embodiment or the light deflection inclined surface 140x of the present embodiment.

[第4実施形態]
次に、図6乃至図8を参照して、本発明に係る第3実施形態の電気光学装置について説
明する。図6は本実施形態の概略縦断面図、図7は本実施形態の概略平面図、図8は本実
施形態の概略底面図である。本実施形態において、上記第1実施形態と同様の構成を有す
る同一部分には同一符号を付し、それらの説明は省略する。
[Fourth Embodiment]
Next, an electro-optical device according to a third embodiment of the invention will be described with reference to FIGS. 6 is a schematic longitudinal sectional view of the present embodiment, FIG. 7 is a schematic plan view of the present embodiment, and FIG. 8 is a schematic bottom view of the present embodiment. In the present embodiment, the same parts having the same configurations as those of the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.

本実施形態では、光源132を第1基板110′内に入射させる点では先の各実施形態
と同様であるが、この光を第1基板110′から出射させずに、そのまま第1基板110
′内で光偏向手段110x、110yによって偏向・分散させ、第1基板110′の液晶
配置領域L内の内面110bから照明光を出射させる点で異なる。
The present embodiment is the same as the previous embodiments in that the light source 132 is incident on the first substrate 110 ′. However, this light is not emitted from the first substrate 110 ′, and the first substrate 110 is used as it is.
'Is deflected and dispersed by the light deflecting means 110x and 110y, and the illumination light is emitted from the inner surface 110b in the liquid crystal arrangement region L of the first substrate 110'.

本実施形態では、第1基板110′の外面上に光偏向手段となる光偏向用斜面110x
、110yが設けられている。光偏向用斜面110xは、光源132が形成された表面部
分である光取り込み面110aの反対側の面(外面)に形成され、光源132から入射し
た光を液晶配置領域L側へ偏向・分散させるものである。また、光偏向用斜面110yは
第1基板110′の液晶配置領域L内の外面上に形成され、内部伝播光を偏向・分散させ
て第1基板110′の内面110bから光を出射させるためのものである。ここで、光偏
向用斜面110xと110yは相互に逆向きの斜面となっている。
In the present embodiment, a light deflection inclined surface 110x that serves as a light deflection unit on the outer surface of the first substrate 110 ′.
110y are provided. The light deflection inclined surface 110x is formed on the surface (outer surface) opposite to the light capturing surface 110a, which is the surface portion on which the light source 132 is formed, and deflects and disperses light incident from the light source 132 toward the liquid crystal arrangement region L. Is. The light deflection inclined surface 110y is formed on the outer surface in the liquid crystal arrangement region L of the first substrate 110 ′, and deflects and disperses the internally propagated light to emit light from the inner surface 110b of the first substrate 110 ′. Is. Here, the light deflection inclined surfaces 110x and 110y are inclined in opposite directions.

本実施形態では第1基板110′を導光手段として用いるため、液晶パネルの構造も先
の各実施形態とは若干異ならせてある。例えば、第1基板110′の内面上には、第1基
板110′よりも屈折率の低い透明材料で構成された、例えばフッ化マグネシウム等の低
屈折率層111′が形成される。このように低屈折率層111′を形成すると、第1基板
110′に入射した光はやや大きな入射角の光であっても、第1基板110′と低屈折率
層111′の界面で反射しながら第1基板110′内を進行するので、第1基板110′
から電気光学物質(液晶)131へ向けて出射される照明光の照度を向上させ、或いは、
均一にすることができる。この低屈折率層111′は蒸着法などで形成することができる
In the present embodiment, since the first substrate 110 ′ is used as the light guiding means, the structure of the liquid crystal panel is also slightly different from the previous embodiments. For example, on the inner surface of the first substrate 110 ′, a low refractive index layer 111 ′ made of a transparent material having a lower refractive index than that of the first substrate 110 ′, such as magnesium fluoride, is formed. When the low refractive index layer 111 ′ is formed in this way, even if the light incident on the first substrate 110 ′ is light having a slightly large incident angle, it is reflected at the interface between the first substrate 110 ′ and the low refractive index layer 111 ′. The first substrate 110 ′ travels in the first substrate 110 ′.
To improve the illuminance of illumination light emitted from the electro-optic material (liquid crystal) 131 from
It can be made uniform. This low refractive index layer 111 ′ can be formed by vapor deposition or the like.

低屈折率層111′上には内面偏光層117′が形成されている。この内面偏光層11
7′は、水溶性のリオトロピック液晶染料材料、或いは、二色染料を含有するサーモトロ
ピック高分子液晶材料で構成することができる。また、内面偏光層117′としてワイヤ
グリッド構造を採用することもできる。このワイヤグリッド構造は、多数の平行導体線を
光の波長よりも短いピッチで配列したものである。ワイヤグリッドは、入射光に対しては
、平行導体線の方向と一致した偏光面を有する偏光成分を反射し、平行導体線の方向に対
して直交する偏光面を有する偏光成分を透過させる。この構造では、平行導体線の幅をa
、ピッチをdとしたとき、a/dが約0.6であることが好ましい。また、光の波長をλ
としたとき、λ/d≧5であることが好ましい。さらに、導体線の下側の層を反射率の高
い膜で構成し、上側の層を反射率の低い膜で構成してもよい。反射率の高い膜としてはA
g,Au,Alなどで構成されたものが挙げられ、反射率の低い膜としてはCr,Tiで
構成されたものが挙げられる。低コストの観点、或いは、スパッタリング法で成膜できる
という観点では、Alを材料とすることが望ましい。
An internal polarizing layer 117 ′ is formed on the low refractive index layer 111 ′. This inner surface polarizing layer 11
7 'can be composed of a water-soluble lyotropic liquid crystal dye material or a thermotropic polymer liquid crystal material containing a dichroic dye. Also, a wire grid structure can be adopted as the inner polarizing layer 117 ′. This wire grid structure has a large number of parallel conductor lines arranged at a pitch shorter than the wavelength of light. For incident light, the wire grid reflects a polarization component having a polarization plane coinciding with the direction of the parallel conductor lines, and transmits a polarization component having a polarization plane orthogonal to the direction of the parallel conductor lines. In this structure, the width of the parallel conductor wire is set to a
When the pitch is d, a / d is preferably about 0.6. The wavelength of light is λ
Λ / d ≧ 5 is preferable. Furthermore, the lower layer of the conductor wire may be composed of a film having a high reflectance, and the upper layer may be composed of a film having a low reflectance. A film with high reflectivity is A.
Examples thereof include those composed of g, Au, Al, etc., and examples of the film having low reflectivity include those composed of Cr, Ti. From the viewpoint of low cost or from the viewpoint that the film can be formed by sputtering, it is desirable to use Al as a material.

なお、上記低屈折率層111′は、第1基板110′の液晶配置領域Lだけでなく、光
源132が固定されている基板張出部110F上にも形成されていることが好ましい。こ
のようにすると、基板張出部110F′内の光に対しても第1基板110′内への閉じ込
め効果を得ることができる。
The low refractive index layer 111 ′ is preferably formed not only on the liquid crystal arrangement region L of the first substrate 110 ′ but also on the substrate extension 110 F to which the light source 132 is fixed. In this way, it is possible to obtain a confinement effect in the first substrate 110 ′ even for the light in the substrate overhanging portion 110F ′.

また、上記第1基板110′の外面上には、上記光偏向用斜面110x、110yを形
成する凹溝内に充填されるとともに、当該外面上に連続する補強層119が形成されるこ
とが好ましい。この補強層119は、凹溝が形成されることによる第1基板110′の剛
性不足を補うものである。この補強層119は、上記光偏向用斜面110x、110yの
全反射特性を阻害しないように、低屈折率素材、例えばフッ化マグネシウム等で構成され
ることが好ましい。この補強膜119は蒸着法などで形成することができる。補強膜11
9の表面は図示例のように平坦に構成することが好ましい。このようにすると、洗浄やふ
き取り等のような表面の清浄化処理が容易になる。
Further, it is preferable that a reinforcing layer 119 is formed on the outer surface of the first substrate 110 ′ so as to fill the concave grooves forming the light deflection inclined surfaces 110x and 110y and to be continuous on the outer surface. . The reinforcing layer 119 compensates for the lack of rigidity of the first substrate 110 ′ due to the formation of the concave grooves. The reinforcing layer 119 is preferably made of a low refractive index material such as magnesium fluoride so as not to disturb the total reflection characteristics of the light deflection inclined surfaces 110x and 110y. The reinforcing film 119 can be formed by a vapor deposition method or the like. Reinforcing membrane 11
It is preferable that the surface 9 is flat as shown in the illustrated example. If it does in this way, the cleaning process of surfaces, such as washing | cleaning and wiping off, will become easy.

一方、図示例では、第2基板120の内面上にも、上記と同様の内面偏光層127′が
形成されている。しかしながら、この第2基板120に関しては、内面偏光層127′を
設ける代わりに、先の実施形態と同様に第2基板120の外面上に偏光板を配置しても構
わない。
On the other hand, in the illustrated example, an inner surface polarizing layer 127 ′ similar to the above is also formed on the inner surface of the second substrate 120. However, with respect to the second substrate 120, a polarizing plate may be disposed on the outer surface of the second substrate 120 instead of providing the inner polarizing layer 127 ′.

さらに、第1基板110′の端面には光反射層136が形成されている。すなわち、図
示例の場合、第1基板110′の矩形の平面形状で構成された4辺に各々端面部が設けら
れ、これらの端面部のうちの光源132及び反射板134が配置されている側の一辺の端
面部(光取り込み面110aの設けられている側の端面)を除いた、残りの3辺の端面部
上に全て光反射層136が形成されている。この光反射層136は、具体的には、アルミ
ニウムや白色樹脂などの反射性素材を上記端面部に被着させたものである。なお、反射板
134′が配置されない場合には、第1基板110′の端面全て(すなわち全周)に光反
射層136を形成してもよい。
Further, a light reflection layer 136 is formed on the end surface of the first substrate 110 '. That is, in the case of the illustrated example, end surfaces are provided on each of the four sides of the first substrate 110 ′ having a rectangular planar shape, and the side on which the light source 132 and the reflecting plate 134 are disposed is located among these end surfaces. The light reflecting layer 136 is formed on all of the remaining three side end surfaces except for the end surface of one side (the end surface on the side where the light capturing surface 110a is provided). Specifically, the light reflecting layer 136 is formed by depositing a reflective material such as aluminum or white resin on the end face portion. In the case where the reflecting plate 134 ′ is not disposed, the light reflecting layer 136 may be formed on the entire end surface (that is, the entire circumference) of the first substrate 110 ′.

本実施形態では、第1基板110′を導光体として用いることによって、他の導光体を
重ねて配置する必要がなくなるので、全体として大幅な薄型化を図ることができる。また
、光源132から放射されて直接に第1基板110′に取り込まれた光はそのままパネル
内にとどまって表示光として出射されるので、全体として光の利用効率を高めることがで
きる。
In the present embodiment, by using the first substrate 110 ′ as a light guide, it is not necessary to arrange other light guides in an overlapping manner, so that the overall thickness can be significantly reduced. Further, since the light emitted from the light source 132 and directly taken into the first substrate 110 'remains in the panel as it is and is emitted as display light, the light use efficiency can be improved as a whole.

なお、本実施形態では、光源132から放出された光の第1基板110′内の伝播方向
に沿った画素の配列態様に整合するように、光偏向用斜面110xが形成されていること
が好ましい。特に、上記伝播方向に沿った一つの画素に必ず一つの光偏向用斜面110x
が配置されるように構成されることが望ましい。このようにすると、照明光の照度分布と
画素の配列態様との関係で生ずるモアレ縞の発生を防止することができる。また、画素が
上記伝播方向に一定の配列周期で配列されている場合には、光偏向用斜面110xもまた
、上記伝播方向に同じ周期で形成されることが好ましい。
In the present embodiment, it is preferable that the light deflection inclined surface 110x is formed so as to match the arrangement of the pixels along the propagation direction of the light emitted from the light source 132 in the first substrate 110 ′. . In particular, one light deflection slope 110x is necessarily provided for one pixel along the propagation direction.
Are preferably arranged to be arranged. In this way, it is possible to prevent the occurrence of moire fringes caused by the relationship between the illuminance distribution of the illumination light and the pixel arrangement. In addition, when the pixels are arranged in the propagation direction at a constant arrangement period, it is preferable that the light deflection inclined surface 110x is also formed at the same period in the propagation direction.

ただし、光偏向用斜面110xによる照明光の照度分布は一般的には第1基板110′
の法線方向にピークを有するとは限らず、例えば、法線方向に対してやや伝播方向へ傾斜
した方向にピークを有することが多いので、光偏向用斜面110xから見て照度分布のピ
ーク方向に画素(の中央部)が存在するように、光偏向用斜面110xと画素との位置関
係を設定することが好ましい。このようにすると、照明光を効率的に表示に寄与する光と
なるように用いることが可能になるので、光の利用効率を高めることができる。
However, the illuminance distribution of the illumination light by the light deflection inclined surface 110x is generally the first substrate 110 ′.
However, the peak direction of the illuminance distribution is often seen from the light deflection inclined surface 110x because the peak is often in a direction slightly inclined in the propagation direction with respect to the normal direction. It is preferable to set the positional relationship between the light deflection inclined surface 110x and the pixel so that the pixel (the center portion thereof) exists in the pixel. If it does in this way, since it becomes possible to use illumination light so that it may become the light which contributes to a display efficiently, the utilization efficiency of light can be improved.

なお、光偏向用斜面110x、110yは、レジスト等からなる適宜のパターンのマス
クを設けた上で、フッ化水素酸等を含有するウエットエッチング等を施すことによって容
易に形成することができる。
The light deflection slopes 110x and 110y can be easily formed by providing a mask having an appropriate pattern made of a resist or the like and then performing wet etching or the like containing hydrofluoric acid or the like.

製造工程としては、複数の液晶パネル分を包含するマザー基板(多数個取り基板)を用
いる場合、個々の液晶パネルを分離して完成させてから第1基板110′の外面にエッチ
ング加工等によって光偏向用斜面110x、110yを形成してもよく、或いは、マザー
基板において最初に光偏向用斜面110x、110yを形成してもよいが、外面の損傷や
汚染を防止するためには前者である方が好ましい。また、当然のことながら、マザー基板
を用いずに個々に液晶パネルを形成することもでき、この場合でも工程順については上記
と同様である。
As a manufacturing process, when using a mother substrate (multiple substrate) including a plurality of liquid crystal panels, the individual liquid crystal panels are separated and completed, and then light is etched on the outer surface of the first substrate 110 ′. The deflection slopes 110x and 110y may be formed, or the light deflection slopes 110x and 110y may be formed first on the mother substrate, but the former one is to prevent damage and contamination of the outer surface. Is preferred. As a matter of course, liquid crystal panels can be individually formed without using the mother substrate. In this case as well, the order of the processes is the same as described above.

また、光源132の形成については、第1実施形態と同様に、第1基板の内面構造と同
じプロセスで光源132の薄膜のうちの一部、例えば、下電極、バンク、上電極、封止層
などを形成してもよい。
As for the formation of the light source 132, as in the first embodiment, a part of the thin film of the light source 132, for example, the lower electrode, the bank, the upper electrode, and the sealing layer, in the same process as the inner surface structure of the first substrate. Etc. may be formed.

[第5実施形態]
次に、図9を参照して、本発明に係る第2実施形態の電気光学装置について説明する。
この実施形態は、上記第4実施形態と基本的に同様の構成を有するため、同一部分には同
一符号を付し、それらの説明は省略する。
[Fifth Embodiment]
Next, an electro-optical device according to a second embodiment of the invention will be described with reference to FIG.
Since this embodiment has basically the same configuration as that of the fourth embodiment, the same reference numerals are given to the same portions, and descriptions thereof are omitted.

本実施形態では、第1基板110″の基板張出部110F″を楔状に構成し、光取り込
み面110aに入射した内部伝播光を液晶配置領域L側へ偏向させるための光偏向用斜面
110x″を形成している。この光偏向用斜面110x″の外面上には反射層110zを
配置し、光取り込み面110aに入射した光が反射層110zによって効率的に第1基板
110″の液晶配置領域Lと重なる領域へ導かれるように構成している。これによって、
光偏向用斜面110x″及び反射層110zによる偏向時の光の伝播効率を高めることが
できる。
In the present embodiment, the substrate overhanging portion 110F ″ of the first substrate 110 ″ is formed in a wedge shape, and the light deflection inclined surface 110x ″ for deflecting the internally propagating light incident on the light capturing surface 110a to the liquid crystal arrangement region L side. The reflective layer 110z is disposed on the outer surface of the light deflection inclined surface 110x ″, and the light incident on the light capturing surface 110a is efficiently disposed on the liquid crystal placement region of the first substrate 110 ″ by the reflective layer 110z. It is configured to be guided to a region overlapping with L. By this,
It is possible to increase the light propagation efficiency during the deflection by the light deflection slope 110x ″ and the reflective layer 110z.

[第6実施形態]
次に、図10を参照して、本発明に係る第6実施形態について説明する。図10は、本
実施形態の電気光学装置の概略平面図である。本実施形態の構造は、上記第1乃至第5実
施形態のいずれの実施形態でも同様の構成を採ることができるものである。ここで、本実
施形態においては第1基板上の構造のみが上記実施形態と異なるので、当該構造について
のみ説明する。
[Sixth Embodiment]
Next, a sixth embodiment according to the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 10 is a schematic plan view of the electro-optical device according to the present embodiment. The structure of this embodiment can adopt the same configuration in any of the first to fifth embodiments. Here, in the present embodiment, only the structure on the first substrate is different from the above-described embodiment, and therefore only the structure will be described.

本実施形態では、第1基板210と第2基板220との間の液晶配置領域Lに図示しな
い電気光学物質である液晶が配置され、液晶配置領域Lの外側、具体的には、第1基板2
10に設けられた基板張出部210E上に光源232が固定されている。また、この基板
張出部210E上には配線基板235も実装されており、配線基板235の図示しない配
線は、基板張出部210E上に引き出された配線238,239と導電接続されている。
In the present embodiment, a liquid crystal, which is an electro-optical material (not shown), is arranged in the liquid crystal arrangement region L between the first substrate 210 and the second substrate 220, and the outside of the liquid crystal arrangement region L, specifically, the first substrate. 2
A light source 232 is fixed on the substrate overhanging portion 210E provided in FIG. A wiring board 235 is also mounted on the board overhanging portion 210E. Wirings (not shown) of the wiring board 235 are conductively connected to the wirings 238 and 239 drawn out on the board overhanging portion 210E.

基板張出部210E上に形成された配線238は、液晶配置領域L内に形成される図示
しない第1電極及び第2電極に対して直接若しくは間接的に接続されている。また、光源
232は基板張出部210E上に形成された配線239に導電接続され、この配線219
を介して配線基板235から電力を供給されるように構成されている。
The wiring 238 formed on the substrate extension 210E is directly or indirectly connected to a first electrode and a second electrode (not shown) formed in the liquid crystal arrangement region L. The light source 232 is conductively connected to the wiring 239 formed on the substrate overhanging portion 210E.
The power is supplied from the wiring board 235 via the wiring.

本実施形態では、基板張出部210Eの幅方向に複数の光源232が間隔を有して配列
されており、配線238は、光源232の配置されていない領域を通過して液晶配置領域
L内に延在している。
In the present embodiment, a plurality of light sources 232 are arranged at intervals in the width direction of the substrate extension portion 210E, and the wiring 238 passes through a region where the light sources 232 are not arranged and enters the liquid crystal arrangement region L. It extends to.

[第7実施形態]
次に、図11を参照して、本発明に係る第7実施形態について説明する。図11は、本
実施形態の電気光学装置の概略平面図である。本実施形態の構造についても、上記第1乃
至第5実施形態のいずれの実施形態でも同様の構成を採ることができるものである。本実
施形態においても第1基板上の構造のみが上記実施形態と異なるので、当該構造について
のみ説明する。
[Seventh Embodiment]
Next, a seventh embodiment according to the invention will be described with reference to FIG. FIG. 11 is a schematic plan view of the electro-optical device according to the present embodiment. Regarding the structure of this embodiment, the same configuration can be adopted in any of the first to fifth embodiments. Also in this embodiment, only the structure on the first substrate is different from the above-described embodiment, and therefore only the structure will be described.

本実施形態では、第1基板210′と第2基板220′との間の液晶配置領域Lに図示
しない電気光学物質である液晶が配置され、液晶配置領域Lの外側、具体的には、第1基
板210′に設けられた基板張出部210E′上に、液晶配置領域L内に形成された第1
電極及び第2電極に直接若しくは間接的に接続された配線238′が引き出され、その先
端に入力端子238x′が設けられている。また、第1基板210′にはもう一つの基板
張出部210F′が設けられ、この基板張出部210F′上に光源232′が固定されて
いる。本実施形態の光源232は、液晶配置領域Lの幅に対応する範囲に亘って延在する
形状に構成された延長形状の光放出面を有する光源(基本的には線状光源)となっている
。なお、このような延長形状の光源は上記のいずれの実施形態でも採用できる。
In the present embodiment, a liquid crystal, which is an electro-optic material (not shown), is disposed in the liquid crystal arrangement region L between the first substrate 210 ′ and the second substrate 220 ′. The first liquid crystal arrangement region L is formed on the substrate overhanging portion 210E ′ provided on one substrate 210 ′.
A wiring 238 ′ directly or indirectly connected to the electrode and the second electrode is drawn out, and an input terminal 238x ′ is provided at the tip thereof. The first substrate 210 ′ is provided with another substrate overhanging portion 210F ′, and a light source 232 ′ is fixed on the substrate overhanging portion 210F ′. The light source 232 according to the present embodiment is a light source (basically a linear light source) having an extended light emission surface configured to extend over a range corresponding to the width of the liquid crystal arrangement region L. Yes. Such an extended light source can be used in any of the above embodiments.

また、基板張出部210E′と210F′の合流部(第1基板210の角部)には光源
232′に接続される配線239′に設けられた入力端子239x′が形成されている。
In addition, an input terminal 239x ′ provided in a wiring 239 ′ connected to the light source 232 ′ is formed at a junction (a corner portion of the first substrate 210) of the substrate overhanging portions 210E ′ and 210F ′.

本実施形態の場合、基板張出部210E′は矩形の第1基板210′の一つの辺に沿っ
て設けられ、基板張出部210F′は、当該一つの辺に隣接する他の辺に沿って設けられ
ている。上記入力端子238x′及び239x′は、基板張出部210E′上に実装され
る図示しない配線基板等に導電接続される。
In the case of the present embodiment, the substrate extension 210E ′ is provided along one side of the rectangular first substrate 210 ′, and the substrate extension 210F ′ is along another side adjacent to the one side. Is provided. The input terminals 238x 'and 239x' are conductively connected to a wiring board or the like (not shown) mounted on the board extension 210E '.

[第8実施形態]
最後に、上記各実施形態の電気光学装置100を搭載した電子機器の実施形態について
説明する。図12は、本実施形態の電子機器の一例としての携帯電話機300を示してい
る。ここに示す携帯電話機300は、複数の操作ボタン301a,301b及び送話口な
どを備えた操作部301と、表示画面302aや受話口などを備えた表示部302とを有
し、表示部302の内部に上記の電気光学装置100が組み込まれてなる。
[Eighth Embodiment]
Finally, an embodiment of an electronic apparatus in which the electro-optical device 100 of each of the above embodiments is mounted will be described. FIG. 12 shows a mobile phone 300 as an example of the electronic apparatus of the present embodiment. A cellular phone 300 shown here includes an operation unit 301 including a plurality of operation buttons 301a and 301b and a mouthpiece, and a display unit 302 including a display screen 302a and a mouthpiece. The electro-optical device 100 is incorporated inside.

そして表示部302の表示画面302aにおいて電気光学装置100により形成された
表示画像を視認することができるようになっている。この場合、携帯電話機300の内部
には、上記電気光学装置100を制御する表示制御回路が設けられる。この表示制御回路
は、電気光学装置100に対して映像信号その他の入力データや所定の制御信号を送り、
その動作態様を決定するように構成されている。
The display image formed by the electro-optical device 100 can be viewed on the display screen 302a of the display unit 302. In this case, a display control circuit that controls the electro-optical device 100 is provided inside the mobile phone 300. The display control circuit sends a video signal and other input data and a predetermined control signal to the electro-optical device 100,
The mode of operation is determined.

尚、本発明の電気光学装置は、上述の図示例にのみ限定されるものではなく、本発明の
要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。例えば、上記各
実施形態では電気光学装置として液晶を用いた液晶装置を例として説明したが、本発明は
、電気泳動表示装置等の他の電気光学装置にも適用可能である。また、上記実施形態では
図1乃至図11に示す例では透過型液晶装置として、図13及び図13に示す例では半透
過反射型液晶装置として説明したが、フロントライト型の反射型液晶装置等の他の形式の
装置にも適用することができる。
Note that the electro-optical device of the present invention is not limited to the above-described illustrated examples, and various modifications can be made without departing from the scope of the present invention. For example, in each of the above embodiments, a liquid crystal device using liquid crystal as an electro-optical device has been described as an example. However, the present invention can also be applied to other electro-optical devices such as an electrophoretic display device. In the above embodiment, the transmissive liquid crystal device has been described in the examples shown in FIGS. 1 to 11 and the transflective liquid crystal device in the examples shown in FIGS. It can be applied to other types of devices.

第1実施形態の概略縦断面図。The schematic longitudinal cross-sectional view of 1st Embodiment. 第1実施形態の概略平面図。1 is a schematic plan view of a first embodiment. 第1実施形態の概略底面図。The schematic bottom view of a 1st embodiment. 第2実施形態の概略縦断面図。The schematic longitudinal cross-sectional view of 2nd Embodiment. 第3実施形態の概略縦断面図。The schematic longitudinal cross-sectional view of 3rd Embodiment. 第4実施形態の概略縦断面図。The schematic longitudinal cross-sectional view of 4th Embodiment. 第4実施形態の概略平面図。The schematic plan view of 4th Embodiment. 第4実施形態の概略底面図。The schematic bottom view of 4th Embodiment. 第5実施形態の概略縦断面図。The schematic longitudinal cross-sectional view of 5th Embodiment. 第6実施形態の概略縦断面図。The schematic longitudinal cross-sectional view of 6th Embodiment. 第7実施形態の概略縦断面図。The schematic longitudinal cross-sectional view of 7th Embodiment. 電子機器の一例(第8実施形態)を示す概略斜視図。The schematic perspective view which shows an example (8th Embodiment) of an electronic device. 第1実施形態の他の構成例の画素構造を示す拡大平面図。The enlarged plan view which shows the pixel structure of the other structural example of 1st Embodiment. 第1実施形態の他の構成例の画素構造を示す拡大縦断面図。FIG. 6 is an enlarged longitudinal sectional view showing a pixel structure of another configuration example of the first embodiment. 第1実施形態の光源の構成例を示す拡大縦断面図。FIG. 3 is an enlarged longitudinal sectional view showing a configuration example of a light source according to the first embodiment. 第1実施形態の光源の製造工程を示す概略工程図。The schematic process drawing which shows the manufacturing process of the light source of 1st Embodiment. 第1実施形態の光源の製造工程を示す概略工程図。The schematic process drawing which shows the manufacturing process of the light source of 1st Embodiment. 第1実施形態の光源の製造工程を示す概略工程図。The schematic process drawing which shows the manufacturing process of the light source of 1st Embodiment. 第1実施形態の光源の製造工程を示す概略工程図。The schematic process drawing which shows the manufacturing process of the light source of 1st Embodiment. 第1実施形態の光源の製造工程を示す概略工程図。The schematic process drawing which shows the manufacturing process of the light source of 1st Embodiment. 第1実施形態の光源の製造工程を示す概略工程図。The schematic process drawing which shows the manufacturing process of the light source of 1st Embodiment. 第1実施形態の光源の製造工程を示す概略工程図。The schematic process drawing which shows the manufacturing process of the light source of 1st Embodiment. 第1実施形態の光源の製造工程を示す概略工程図。The schematic process drawing which shows the manufacturing process of the light source of 1st Embodiment. 第1実施形態の光源の製造工程を示す概略工程図。The schematic process drawing which shows the manufacturing process of the light source of 1st Embodiment. 第1実施形態の光源の製造工程を示す概略工程図。The schematic process drawing which shows the manufacturing process of the light source of 1st Embodiment. 第1実施形態の光源の製造工程を示す概略工程図。The schematic process drawing which shows the manufacturing process of the light source of 1st Embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

100…電気光学装置、110…第1基板、122…配線素子構造、122a…半導体層
、122b…ゲート絶縁膜、122c…ゲート電極、122d…データ線、122g…走
査線、123A,123B…層間絶縁膜、120…第2基板、131…液晶、132…光
源、132x…光放出面、132a…下電極、132b…バンク、132c…発光構造、
132d…上電極、1322…スイッチング素子、1322a…半導体層、1322b…
ゲート絶縁膜、1322c…ゲート電極、1322d…データ線、1323A,1323
B、1323C…層間絶縁膜、140…導光板、140a…光取り込み面、140b…光
出射面、140x、140y…光偏向用斜面
DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 ... Electro-optical apparatus, 110 ... 1st board | substrate, 122 ... Wiring element structure, 122a ... Semiconductor layer, 122b ... Gate insulating film, 122c ... Gate electrode, 122d ... Data line, 122g ... Scanning line, 123A, 123B ... Interlayer insulation Membrane, 120 ... second substrate, 131 ... liquid crystal, 132 ... light source, 132x ... light emitting surface, 132a ... lower electrode, 132b ... bank, 132c ... light emitting structure,
132d ... Upper electrode, 1322 ... Switching element, 1322a ... Semiconductor layer, 1322b ...
Gate insulating film, 1322c ... gate electrode, 1322d ... data line, 1323A, 1323
B, 1323C ... interlayer insulating film, 140 ... light guide plate, 140a ... light capturing surface, 140b ... light emitting surface, 140x, 140y ... slope for deflecting light

Claims (13)

第1基板と、
前記第1基板に対向してなる第2基板と、
前記第1基板と前記第2基板に挟持されてなる電気光学物質と、
前記第1基板の前記第2基板とは反対側の面に対向してなる導光手段と、
前記第1基板の前記第2基板側の面に設けられた光源と、を具備し、
前記光源から出射された光は、前記第1基板を透過して前記導光手段に入射し、前記導
光手段を伝播して前記導光手段から出射され、再び前記第1基板に入射して前記電気光学
パネルの表示に寄与することを特徴とする電気光学装置。
A first substrate;
A second substrate facing the first substrate;
An electro-optic material sandwiched between the first substrate and the second substrate;
A light guide means facing the surface of the first substrate opposite to the second substrate;
A light source provided on a surface of the first substrate on the second substrate side,
The light emitted from the light source passes through the first substrate and enters the light guide unit, propagates through the light guide unit, exits from the light guide unit, and enters the first substrate again. An electro-optical device that contributes to display of the electro-optical panel.
第1基板と、
前記第1基板に対向してなる第2基板と、
前記第1基板と前記第2基板に挟持されてなる電気光学物質と、
前記第1基板の前記第2基板側の面に設けられた光源と、を具備し、
前記光源から出射された光は、前記第1基板に入射し、前記第1基板を伝播して前記第
1基板の前記第2基板側の面から出射され、前記電気光学物質に入射して表示に寄与する
ことを特徴とする電気光学装置。
A first substrate;
A second substrate facing the first substrate;
An electro-optic material sandwiched between the first substrate and the second substrate;
A light source provided on a surface of the first substrate on the second substrate side,
Light emitted from the light source is incident on the first substrate, propagates through the first substrate, is emitted from the surface of the first substrate on the second substrate side, is incident on the electro-optic material, and is displayed. An electro-optical device that contributes to the above.
前記光源は、前記電気光学物質が配置される領域から外れた領域に設けられていること
を特徴とする請求項1又は2に記載の電気光学装置。
3. The electro-optical device according to claim 1, wherein the light source is provided in a region outside the region where the electro-optical material is disposed.
前記光源は、前記第1基板における前記第2基板の外形よりも外側へ張り出した基板張
出部に設けられていることを特徴とする請求項3に記載の電気光学装置。
4. The electro-optical device according to claim 3, wherein the light source is provided in a substrate protruding portion of the first substrate that extends outward from the outer shape of the second substrate.
前記第1基板は、薄膜積層構造によって構成されたスイッチング素子と、前記スイッチ
ング素子に接続されてなり、前記電気光学物質に電圧を印加するための電極と、を有し、
前記光源は、前記スイッチング素子の薄膜積層構造の少なくとも一部と同じ薄膜積層構
造を有することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の電気光学装置。
The first substrate has a switching element configured by a thin film laminated structure, and an electrode connected to the switching element and for applying a voltage to the electro-optic material,
5. The electro-optical device according to claim 1, wherein the light source has the same thin film laminated structure as at least a part of the thin film laminated structure of the switching element.
前記第1基板は、前記電気光学物質を電気的に制御するための電極を含む画素構造を有
し、前記光源は、前記画素構造の少なくとも一部と同じ構成部分を有することを特徴とす
る請求項1乃至4のいずれか一項に記載の電気光学装置。
The first substrate has a pixel structure including an electrode for electrically controlling the electro-optic material, and the light source has the same component as at least a part of the pixel structure. Item 5. The electro-optical device according to any one of Items 1 to 4.
前記光源は、有機エレクトロルミネッセンス素子であることを特徴とする請求項1乃至
6のいずれか一項に記載の電気光学装置。
The electro-optical device according to claim 1, wherein the light source is an organic electroluminescence element.
前記光源は、発光ダイオード素子であることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一
項に記載の電気光学装置。
The electro-optical device according to claim 1, wherein the light source is a light emitting diode element.
前記第1基板には、内部に入射した光を偏向させ、前記第2基板側の面から出射させる
光偏向用斜面が前記第2基板とは反対側の面に設けられてなることを特徴とする請求項2
に記載の電気光学装置。
The first substrate is provided with a light deflection inclined surface on the surface opposite to the second substrate for deflecting light incident on the first substrate and emitting it from the surface on the second substrate side. Claim 2
The electro-optical device according to 1.
複数の画素を備え、
前記光偏向用斜面は、前記画素に対応した位置にそれぞれ設けられていることを特徴と
する請求項9に記載の電気光学装置。
With multiple pixels,
The electro-optical device according to claim 9, wherein the light deflection inclined surface is provided at a position corresponding to the pixel.
複数の画素が周期的に配列され、
複数の前記光偏向用斜面は、前記画素の配列周期に一致する周期で形成されていること
を特徴とする請求項9に記載の電気光学装置。
A plurality of pixels are periodically arranged,
The electro-optical device according to claim 9, wherein the plurality of light deflection inclined surfaces are formed with a period that coincides with an array period of the pixels.
前記第1基板の前記第2基板側の面上に、偏光子又は検光子を構成する内面偏光層が形
成されていることを特徴とする請求項9乃至11のいずれか一項に記載の電気光学装置。
12. The electricity according to claim 9, wherein an inner surface polarizing layer constituting a polarizer or an analyzer is formed on a surface of the first substrate on the second substrate side. Optical device.
請求項1乃至12のいずれか一項に記載の電気光学装置を表示部として備えていること
を特徴とする電子機器。
An electronic apparatus comprising the electro-optical device according to claim 1 as a display unit.
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