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JP2007114343A - Electro-optical device and electronic apparatus - Google Patents

Electro-optical device and electronic apparatus Download PDF

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JP2007114343A
JP2007114343A JP2005304005A JP2005304005A JP2007114343A JP 2007114343 A JP2007114343 A JP 2007114343A JP 2005304005 A JP2005304005 A JP 2005304005A JP 2005304005 A JP2005304005 A JP 2005304005A JP 2007114343 A JP2007114343 A JP 2007114343A
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JP
Japan
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substrate
circuit
data line
image signal
electro
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JP2005304005A
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Inventor
Tatsuya Ishii
達也 石井
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Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Publication date
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Abstract

【課題】電気光学装置を小型化する。
【解決手段】電気光学物質を挟持する一対の第1基板及び第2基板と、第1基板上の画素領域に配列された複数の画素部と、一部が、第1基板における第2基板と対向する側に、画素領域の周辺に位置する周辺領域に形成されると共に、他の一部が、第2基板に形成されており、複数の画素部に信号を供給する周辺回路部とを備える。
【選択図】図1
An electro-optical device is reduced in size.
A pair of first and second substrates sandwiching an electro-optic material, a plurality of pixel portions arranged in a pixel region on the first substrate, and a part of the second substrate in the first substrate, On the opposite side, it is formed in a peripheral region located around the pixel region, and another part is formed on the second substrate, and includes a peripheral circuit unit that supplies signals to the plurality of pixel units. .
[Selection] Figure 1

Description

本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置及びそのような電気光学装置を具備してなる例えば液晶プロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。   The present invention relates to a technical field of an electro-optical device such as a liquid crystal device and an electronic apparatus such as a liquid crystal projector including the electro-optical device.

この種の電気光学装置は、特許文献1に開示されているように、一対の素子基板及び対向基板間に、電気光学物質として例えば液晶が挟持されてなる。素子基板上における複数の画素が配列されてなる画素領域或いは画素アレイ領域には、走査線及びデータ線の交差に対応して画素電極を含む画素部が形成されることにより、複数の画素部がマトリクス状に平面配列される。   In this type of electro-optical device, as disclosed in Patent Document 1, for example, a liquid crystal is sandwiched as an electro-optical material between a pair of element substrates and a counter substrate. In the pixel region or the pixel array region in which a plurality of pixels on the element substrate are arranged, a pixel portion including a pixel electrode corresponding to the intersection of the scanning line and the data line is formed, so that the plurality of pixel portions are They are arranged in a matrix in a plane.

また、素子基板上の画素領域の周辺に位置する周辺領域には、各走査線を駆動するための走査線駆動回路や、各データ線に画像信号をサンプリングして供給するサンプリング回路、このサンプリング回路を駆動するためのデータ線駆動回路を含む周辺回路部が内蔵されて形成される。   Further, in a peripheral region located around the pixel region on the element substrate, a scanning line driving circuit for driving each scanning line, a sampling circuit for sampling and supplying an image signal to each data line, and this sampling circuit A peripheral circuit portion including a data line driving circuit for driving the signal line is built in.

他方、対向基板側には、典型的には、その主要部として、例えば各画素部に共通に、画素電極と対向するようにベタ一面に形成された対向電極が含まれる。よって、電気光学装置のサイズは、主に平面的に見た素子基板のサイズに依存する。この素子基板のサイズは、素子基板上に平面的に見た、周辺領域における周辺回路部の設置面積に依存する。   On the other hand, the counter substrate side typically includes, for example, a counter electrode formed on a solid surface so as to face the pixel electrode in common with each pixel unit as its main part. Therefore, the size of the electro-optical device mainly depends on the size of the element substrate viewed in a plan view. The size of the element substrate depends on the installation area of the peripheral circuit portion in the peripheral region as viewed in plan on the element substrate.

特開2004−139111号公報JP 2004-139111 A

しかしながら、上述したような電気光学装置では、周辺回路部における配線や回路素子のレイアウトパターンに変更を加えて、素子基板上に平面的に見た周辺回路部の設置面積を変化させたとしても、基本的にデータ線ピッチに等しいピッチが要求されると共に、複数の薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor;以下適宜、“TFT”と称する)を通常含んでなるサンプリング回路等の周辺回路における微細化には限界がある。このため、素子基板のサイズの大幅な縮小は困難である。その結果、電気光学装置のサイズを縮小して小型化するのが困難となる問題点が生じている。   However, in the electro-optical device as described above, even if the wiring pattern in the peripheral circuit unit and the layout pattern of the circuit element are changed, even if the installation area of the peripheral circuit unit viewed in plan is changed on the element substrate, Basically, a pitch equal to the data line pitch is required, and there is a limit to miniaturization in a peripheral circuit such as a sampling circuit that normally includes a plurality of thin film transistors (hereinafter referred to as “TFT”). is there. For this reason, it is difficult to significantly reduce the size of the element substrate. As a result, there is a problem that it is difficult to reduce the size of the electro-optical device.

本発明は上述の問題点に鑑みなされたものであり、小型化に適する電気光学装置、及びこのような電気光学装置を備えてなる電子機器を提供することを解決課題とする。   SUMMARY An advantage of some aspects of the invention is to provide an electro-optical device suitable for downsizing and an electronic apparatus including such an electro-optical device.

本発明の電気光学装置は、上記課題を解決するために、一対の第1基板及び第2基板と、前記第1基板上の画素領域に配列された複数の画素部と、一部が、前記第1基板における前記画素領域の周辺に位置する周辺領域に形成されると共に、他の一部が、前記第2基板に形成されており、前記複数の画素部に信号を供給する周辺回路部とを備える。   In order to solve the above problems, an electro-optical device of the present invention includes a pair of first and second substrates, a plurality of pixel portions arranged in a pixel region on the first substrate, and a part of the first and second substrates. A peripheral circuit unit formed in a peripheral region located around the pixel region in the first substrate, and another part formed in the second substrate, and supplying a signal to the plurality of pixel units; Is provided.

本発明の電気光学装置によれば、その動作時には、例えば素子基板である、第1基板上の画素領域において、各画素部は、周辺回路部から供給される駆動信号に基づいて駆動され、画像表示を行う。例えば、電気光学物質を挟持する一対の第1基板及び第2基板間に、電気光学物質として液晶が挟持される場合には、液晶に画素部毎に駆動信号に基づいて、各画素に対して、駆動信号に対応する画像データに応じた値の印加電圧が印加されることにより、画素領域全体で画像表示が行われる。   According to the electro-optical device of the present invention, during the operation, each pixel unit is driven based on the drive signal supplied from the peripheral circuit unit in the pixel region on the first substrate, which is an element substrate, for example. Display. For example, when a liquid crystal is sandwiched between a pair of first substrate and second substrate that sandwich an electro-optical material as an electro-optical material, the liquid crystal is connected to each pixel based on a drive signal for each pixel unit. By applying an applied voltage having a value corresponding to the image data corresponding to the drive signal, image display is performed in the entire pixel region.

ここで、周辺回路部の一部は、この周辺回路の他の一部から分離して、第1基板上の周辺領域に形成されると共に、周辺回路の他の一部は、例えば対向基板である、第2基板上の周辺領域に形成される。このように分離した一部及び他の一部を含む周辺回路は、例えば、これら一部及び他の一部間で、例えば上下導通によって、電気的に接続されており、周辺回路として存在している。   Here, a part of the peripheral circuit portion is separated from the other part of the peripheral circuit and is formed in the peripheral region on the first substrate, and the other part of the peripheral circuit is, for example, a counter substrate. It is formed in a certain peripheral region on the second substrate. Peripheral circuits including a part and other parts separated in this way are electrically connected between these parts and other parts, for example, by vertical conduction, and exist as peripheral circuits. Yes.

よって、本発明の電気光学装置では、第1基板及び第2基板のいずれか一方側に、周辺回路部の全てが周辺領域に作り込まれる構成と比較して、第1基板及び第2基板のうち少なくとも一方上の周辺領域において、平面的に見て周辺回路部の設置面積を大なり、或いは小なりでも縮小することが可能となる。よって、平面的に見た、第1基板及び第2基板のうち少なくとも一方のサイズを、縮小することができる。これにより、第1基板及び第2基板が対向配置された状態で、これらの基板を平面的に見たサイズを総合的に縮小することが可能となる。この際、第1基板及び第2基板の各々の基板上の周辺領域において、平面的に見た周辺回路部の設置面積を調整することで、容易に第1基板及び第2基板のうち少なくとも一方のサイズを調整することができる。その結果、電気光学装置のサイズを容易に縮小して小型化することが可能となる。   Therefore, in the electro-optical device according to the aspect of the invention, the first substrate and the second substrate are compared with the configuration in which the entire peripheral circuit unit is formed in the peripheral region on one side of the first substrate and the second substrate. In at least one of the peripheral regions, it is possible to reduce the installation area of the peripheral circuit section in a plan view even when it is large or small. Therefore, it is possible to reduce the size of at least one of the first substrate and the second substrate in plan view. As a result, it is possible to reduce the overall size of these substrates when viewed in plan with the first substrate and the second substrate facing each other. In this case, at least one of the first substrate and the second substrate can be easily adjusted by adjusting the installation area of the peripheral circuit portion in plan view in the peripheral region on each of the first substrate and the second substrate. The size of can be adjusted. As a result, the size of the electro-optical device can be easily reduced and reduced in size.

ここで、本発明の電気光学装置は、その製造時には、例えば、第1基板を複数含むマザー基板上で、このマザー基板とは別の大型基板を分断することにより形成された第2基板を、各第1基板に対して貼り合せた後、マザー基板を一対の第1基板及び第2基板毎に個別に分断することで形成される。本発明の電気光学装置は容易に小型化することができるため、1枚のマザー基板から製造される電気光学装置の数も増やすことが可能となる。よって、本発明の電気光学装置は、製造コストを低く抑えて、製造することができる。   Here, when the electro-optical device of the present invention is manufactured, for example, a second substrate formed by dividing a large substrate different from the mother substrate on a mother substrate including a plurality of first substrates, After bonding to each first substrate, the mother substrate is divided into a pair of first substrate and second substrate individually. Since the electro-optical device of the present invention can be easily reduced in size, the number of electro-optical devices manufactured from one mother substrate can be increased. Therefore, the electro-optical device of the present invention can be manufactured at a low manufacturing cost.

本発明の電気光学装置の一態様では、前記一部は、前記第1基板における前記第2基板と対向する側に形成されており、前記他の一部は、前記第2基板における前記第1基板と対向する側に形成されている。   In one aspect of the electro-optical device according to the aspect of the invention, the part is formed on a side of the first substrate facing the second substrate, and the other part is the first part of the second substrate. It is formed on the side facing the substrate.

この態様によれば、第1基板上に形成されている周辺回路の一部と、第2基板上に形成されている周辺回路の他の一部とを、相互に向かい合わせて貼り合わせることで、周辺回路を構成すればよい。従って、例えば二枚の基板間における上下導通によってこれらの一部及び他の一部を電気的に接続することで、比較的容易にして周辺回路を二枚の基板に跨がって形成された一個の回路として構築できる。   According to this aspect, a part of the peripheral circuit formed on the first substrate and the other part of the peripheral circuit formed on the second substrate are bonded to face each other. A peripheral circuit may be configured. Therefore, for example, by electrically connecting one part and the other part by vertical conduction between two substrates, the peripheral circuit is formed across the two substrates relatively easily. It can be constructed as a single circuit.

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記第1基板は、前記画素部毎にスイッチング素子が形成された素子基板であり、前記第2基板は、前記素子基板に対向する対向基板であって、前記素子基板上において、前記画素領域に互いに交差して形成された複数の走査線及び複数のデータ線を更に備えており、前記周辺回路部は、前記複数の走査線に夫々走査信号を前記信号として供給する走査線駆動部と、前記複数のデータ線に夫々画像信号を前記信号として供給する画像信号供給部とを含み、前記走査線駆動部及び前記画像信号供給部のうち少なくとも一方について、一部が前記素子基板上に形成されると共に他の一部が前記対向基板上に形成されており、前記複数の画素部は夫々、前記走査線及び前記データ線の交差に対応して形成されている。   In another aspect of the electro-optical device of the present invention, the first substrate is an element substrate on which a switching element is formed for each pixel portion, and the second substrate is a counter substrate facing the element substrate. A plurality of scanning lines and a plurality of data lines formed on the element substrate so as to intersect with each other in the pixel region, and the peripheral circuit unit supplies scanning signals to the plurality of scanning lines, respectively. A scanning line driving unit that supplies the signal as an image signal; and an image signal supply unit that supplies an image signal as the signal to each of the plurality of data lines, and at least one of the scanning line driving unit and the image signal supply unit. A part is formed on the element substrate and another part is formed on the counter substrate, and the plurality of pixel portions are formed corresponding to the intersections of the scanning lines and the data lines, respectively. Is There.

この態様によれば、素子基板上の画素領域において、各画素部は、例えば縦横に配線された走査線及びデータ線の交差に対応して配置され、マトリクス状に配列される。各走査線は、走査線毎に、走査線駆動部より供給される走査信号に基づいて駆動されると共に、各データ線には、データ線毎に、画像信号供給部より画像信号が供給される。そして、各画素部は、走査線より供給される走査信号に基づいて選択された状態で、データ線より画像信号が供給されることにより駆動され、画像信号に基づいて画像表示を行う。即ち、所謂アクティブマトリクス駆動が行われる。   According to this aspect, in the pixel region on the element substrate, each pixel unit is arranged corresponding to, for example, the intersection of the scanning line and the data line wired vertically and horizontally, and arranged in a matrix. Each scanning line is driven for each scanning line based on a scanning signal supplied from the scanning line driving unit, and an image signal is supplied to each data line from the image signal supply unit for each data line. . Each pixel unit is driven by an image signal supplied from the data line in a state selected based on the scan signal supplied from the scan line, and displays an image based on the image signal. That is, so-called active matrix driving is performed.

この態様では、走査線駆動部及び画像信号供給部のうち少なくとも一方について、その一部が他の一部と分離して、素子基板上の周辺領域に形成されると共に、他の一部が対向基板上の周辺領域に形成される。よって、素子基板及び対向基板のうち少なくとも一方上の周辺領域において、平面的に見て走査線駆動部及び画像信号供給部のうち少なくとも一方の設置面積を、大なり、或いは小なりでも縮小することが可能となる。これにより、平面的に見た、素子基板及び対向基板のうち少なくとも一方のサイズを縮小することができる。   In this aspect, at least one of the scanning line driving unit and the image signal supply unit is partly separated from the other part and formed in the peripheral region on the element substrate, and the other part is opposed. It is formed in the peripheral region on the substrate. Therefore, in the peripheral region on at least one of the element substrate and the counter substrate, the installation area of at least one of the scanning line driving unit and the image signal supply unit in a plan view can be reduced even if it is larger or smaller. Is possible. Thereby, the size of at least one of the element substrate and the counter substrate can be reduced in plan view.

この、周辺回路部に画像信号供給部が含まれる態様では、前記画像信号供給部は、前記複数のデータ線をN(但し、Nは2以上の自然数)本の前記データ線を1群とするデータ線群毎に駆動するためにN系統のシリアル−パラレル変換された前記画像信号が供給されるN本の画像信号線と、前記複数のデータ線に対応して形成されると共に、前記画像信号線より供給される前記画像信号をサンプリング回路駆動信号に応じて前記データ線に夫々供給する複数のサンプリングスイッチを含むサンプリング回路と、前記データ線群に対応する前記サンプリングスイッチ毎に、前記サンプリング回路信号を順番に供給するデータ線駆動回路とを含み、前記N本の画像信号線及び前記サンプリング回路と、前記データ線駆動回路のうち少なくとも一部とが、互いに分離して前記素子基板と前記対向基板とに形成されているように構成してもよい。   In this aspect in which the peripheral circuit unit includes an image signal supply unit, the image signal supply unit sets the plurality of data lines to N (where N is a natural number of 2 or more) one group. N image signal lines to which the image signals that have undergone N-serial-parallel conversion for driving each data line group are supplied, and the image signals are formed corresponding to the plurality of data lines. A sampling circuit including a plurality of sampling switches for supplying the image signal supplied from a line to the data line in response to a sampling circuit driving signal, and the sampling circuit signal for each sampling switch corresponding to the data line group. A data line driving circuit for sequentially supplying at least a part of the N image signal lines and the sampling circuit, and the data line driving circuit. But it may be configured as being formed on said opposed substrate and the element substrate are separated from each other.

このように構成すれば、シリアルな画像信号を複数系列にシリアル−パラレル変換して得られた、パラレルなN系統の画像信号を、データ線群毎に、データ線群に属するN本のデータ線に夫々同時に供給することが可能となる。   According to this configuration, N image lines belonging to the data line group are converted into parallel N image signals obtained by serial-parallel conversion of the serial image signal into a plurality of series. Can be supplied simultaneously.

より具体的には、この態様では、電気光学装置の駆動時、シリアル−パラレル変換されたN系統の画像信号が、N本の画像信号線に供給され、更に、これらの画像信号線よりサンプリング回路へと供給される。ここで、シリアル−パラレル変換は、駆動周波数の上昇を抑えつつ高精細な画像表示を実現すべく、典型的には、電気光学装置の外部に設けられた外部回路によって行われる。この場合、外部回路にシリアルな画像信号が入力されると共に、外部回路によって、このシリアルな画像信号は、3相、6相、12相、24相、・・・など、複数のパラレルな画像信号に変換される。このような「シリアル−パラレル変換」とは、「シリアル−パラレル展開」或いは「相展開」とも呼ばれる。   More specifically, in this aspect, when the electro-optical device is driven, N-system image signals subjected to serial-parallel conversion are supplied to N image signal lines, and further, sampling circuits are provided from these image signal lines. Supplied to. Here, the serial-parallel conversion is typically performed by an external circuit provided outside the electro-optical device in order to realize high-definition image display while suppressing an increase in drive frequency. In this case, a serial image signal is input to the external circuit, and the serial image signal is converted into a plurality of parallel image signals such as 3-phase, 6-phase, 12-phase, 24-phase,. Is converted to Such “serial-parallel conversion” is also called “serial-parallel expansion” or “phase expansion”.

そして、N系統の画像信号のサンプリング回路への供給と並行して、データ線駆動回路によって、データ線群に対応するサンプリングスイッチ毎に、サンプリング信号(即ち、サンプリング回路駆動信号)が順次供給される。すると、サンプリング回路における各サンプリングスイッチによって、複数のデータ線には、サンプリング信号に応じてデータ線群毎にN系統の画像信号が順次供給される。これにより、同一のデータ線群に属するN本のデータ線に対しては、パラレルとされた複数の画像信号が一挙に供給されることとなる。   In parallel with the supply of the N system image signals to the sampling circuit, the data line driving circuit sequentially supplies a sampling signal (that is, a sampling circuit driving signal) to each sampling switch corresponding to the data line group. . Then, by each sampling switch in the sampling circuit, N system image signals are sequentially supplied to the plurality of data lines for each data line group in accordance with the sampling signal. Accordingly, a plurality of parallel image signals are supplied to N data lines belonging to the same data line group at a time.

本態様では、N本の画像信号線及びサンプリング回路と、データ線駆動回路のうち少なくとも一部とは互いに分離して、素子基板と対向基板とに夫々形成される。   In this aspect, the N image signal lines and the sampling circuit and at least a part of the data line driving circuit are separated from each other and formed on the element substrate and the counter substrate, respectively.

ここで、本態様では、サンプリング回路において、データ線群に対応するN個のサンプリングスイッチ毎に、これらN個のサンプリングスイッチは、共通のサンプリング信号が入力される信号線に共通に電気的に接続される。そして、サンプリング回路において、画像信号が出力される各サンプリングスイッチの信号線の数は、複数のデータ線の数に一致するのに対して、データ線群に対応するN個のサンプリングスイッチ毎に設けられ、これらN個のサンプリングスイッチが共通に電気的に接続される信号線の数を、データ線の数をNで割った値に、少なくすることができる。言い換えれば、データ線駆動回路から出力されるサンプリング信号の数を、データ線数と比較して、データ線の数をNで割った値に、少なくすることができる。   Here, in this aspect, in the sampling circuit, for every N sampling switches corresponding to the data line group, these N sampling switches are electrically connected in common to a signal line to which a common sampling signal is input. Is done. In the sampling circuit, the number of signal lines of each sampling switch from which an image signal is output corresponds to the number of data lines, whereas it is provided for each of N sampling switches corresponding to the data line group. Therefore, the number of signal lines to which these N sampling switches are electrically connected in common can be reduced to a value obtained by dividing the number of data lines by N. In other words, the number of sampling signals output from the data line driving circuit can be reduced to a value obtained by dividing the number of data lines by N as compared with the number of data lines.

そして、例えば、画像信号供給部内では、サンプリング回路における、データ線群に対応するN個のサンプリングスイッチ毎に設けられ、サンプリング信号が入力される信号線と、素子基板及び対向基板のうち、サンプリング回路と異なる基板上に設けられたデータ線駆動回路の全部若しくはその一部において、サンプリング信号が出力される信号線とが、素子基板及び対向基板との間で上下導通を行うことにより、電気的に接続される。   For example, in the image signal supply unit, the sampling circuit is provided for each of the N sampling switches corresponding to the data line group in the sampling circuit, and the sampling circuit among the signal line to which the sampling signal is input, the element substrate, and the counter substrate. In all or a part of the data line driving circuit provided on a different substrate, a signal line from which a sampling signal is output is electrically connected to the element substrate and the counter substrate by conducting vertical conduction. Connected.

このように、サンプリング回路におけるサンプリング信号が入力される信号線に対して上下導通を行うための接続点の、各々の相隣接する接続点との間隔、即ち接続点のピッチは、複数のデータ線の各々の相隣接するデータ線との間隔、即ちデータ線のピッチと比較して、このデータ線のピッチにNを乗じた値に、広くすることができる。   As described above, the interval between the connection points for conducting vertical conduction with respect to the signal line to which the sampling signal is input in the sampling circuit, and the connection points adjacent to each other, that is, the pitch of the connection points, is a plurality of data lines. Compared with the interval between the adjacent data lines, that is, the pitch of the data lines, the value obtained by multiplying the pitch of the data lines by N can be increased.

或いは、例えば、素子基板及び対向基板のうち互いに異なる基板上に分離して夫々設けられたデータ線駆動回路の一部と他の一部とは、素子基板及び対向基板との間で上下導通を行うことにより、電気的に接続される。   Alternatively, for example, a part of the data line driving circuit and the other part separately provided on the element substrate and the counter substrate which are separated from each other are vertically connected between the element substrate and the counter substrate. By doing so, they are electrically connected.

この場合も、上述したように、データ線駆動回路より出力されるサンプリング信号の数はデータ線の数をNで割った値に少なくすることができるため、データ線駆動回路の一部と他の一部とを電気的に接続させるための接続点のピッチは、データ線のピッチと比較して、このデータ線のピッチにNを乗じた値に、広くすることができる。   Also in this case, as described above, the number of sampling signals output from the data line driving circuit can be reduced to a value obtained by dividing the number of data lines by N. The pitch of connection points for electrically connecting a part can be increased to a value obtained by multiplying the pitch of the data line by N as compared with the pitch of the data line.

よって、本態様では、画像信号供給部内で、サンプリング回路におけるサンプリング信号の入力のために上下導通を図る接続点及びデータ線駆動回路内で上下導通を図る接続点に、例えばバンプや銀点のような金属皮膜の樹脂を配置することにより、容易に電気的接続を行うことが可能となる。   Therefore, in this aspect, in the image signal supply unit, the connection point for conducting vertical conduction for inputting the sampling signal in the sampling circuit and the connection point for conducting vertical conduction in the data line driving circuit, such as bumps and silver dots, are used. By arranging a resin with a simple metal film, electrical connection can be easily performed.

この、画像信号線及びサンプリング回路と、データ線駆動回路の少なくとも一部とが互いに分離して形成される態様では、前記N本の画像信号線及び前記サンプリング回路は前記素子基板上に形成されており、前記データ線駆動回路のうち少なくとも一部は、前記対向基板上に形成されているように構成してもよい。   In the aspect in which the image signal line and the sampling circuit and at least a part of the data line driving circuit are formed separately from each other, the N image signal lines and the sampling circuit are formed on the element substrate. In addition, at least a part of the data line driving circuit may be formed on the counter substrate.

このように構成すれば、画像信号供給部内では、素子基板及び対向基板間において、サンプリング回路における、データ線群に対応するN個のサンプリングスイッチ毎に設けられ、サンプリング信号が入力される信号線に対応する接続点、更にこれに加えて若しくは代えて、素子基板及び対向基板のうち互いに異なる基板上に分離して夫々設けられたデータ線駆動回路の一部と他の一部とを電気的に接続するための接続点において、上下導通が行われる。よって、このような上下導通を、各接続点にバンプ等を配置することにより、容易に行うことが可能となる。   If comprised in this way, in an image signal supply part, it will be provided for every N sampling switches corresponding to a data line group in a sampling circuit between an element substrate and a counter substrate, and it will be in a signal line to which a sampling signal is inputted. Corresponding connection points, and additionally or alternatively, a part of the data line driving circuit provided separately from the element substrate and the counter substrate on different substrates and the other part are electrically connected Vertical conduction is performed at a connection point for connection. Therefore, such vertical conduction can be easily performed by arranging bumps or the like at each connection point.

上述した画像信号供給部がデータ線駆動回路を含む態様では、前記データ線駆動回路は、転送信号を順次生成するシフトレジスタと、該シフトレジスタから順次出力される前記転送信号を夫々バッファリングして前記サンプリング回路駆動信号として出力するバッファ回路とを含み、前記シフトレジスタ及び前記バッファ回路のうち少なくとも一方が、前記素子基板及び前記対向基板のうち、前記サンプリング回路及び前記N本の画像信号線と異なる基板上に形成されているように構成してもよい。   In the aspect in which the image signal supply unit includes the data line driving circuit, the data line driving circuit buffers the shift register that sequentially generates the transfer signal and the transfer signal that is sequentially output from the shift register. A buffer circuit that outputs the sampling circuit drive signal, and at least one of the shift register and the buffer circuit is different from the sampling circuit and the N image signal lines of the element substrate and the counter substrate. You may comprise so that it may be formed on the board | substrate.

このように構成すれば、転送信号がシフトレジスタから出力されるタイミングに基づいて、バッファ回路において生成されたサンプリング信号が、データ線駆動回路より順次出力される。   With this configuration, the sampling signal generated in the buffer circuit is sequentially output from the data line driving circuit based on the timing at which the transfer signal is output from the shift register.

ここで、データ線駆動回路では、素子基板及び対向基板のうち、素子基板上に平面的に見て、シフトレジスタよりバッファ回路の設置面積のほうが大きい。また、画像信号供給部内では、素子基板上に平面的に見て、サンプリング回路の設置面積はシフトレジスタよりも大きい。よって、素子基板及び対向基板のうち、サンプリング回路とバッファ回路とは互いに分離して、異なる基板上に形成されるのが好ましい。   Here, in the data line driving circuit, the installation area of the buffer circuit is larger than that of the shift register as viewed in plan on the element substrate out of the element substrate and the counter substrate. In the image signal supply unit, the installation area of the sampling circuit is larger than that of the shift register when viewed in plan on the element substrate. Therefore, it is preferable that the sampling circuit and the buffer circuit of the element substrate and the counter substrate are separated from each other and formed on different substrates.

このように、サンプリング回路とバッファ回路とを互いに分離して異なる基板上に設けるようにすれば、素子基板及び対向基板のうち少なくとも一方上の周辺領域において、画像信号供給部の設置面積を効果的に縮小することが可能となる。   Thus, if the sampling circuit and the buffer circuit are separated from each other and provided on different substrates, the installation area of the image signal supply unit is effectively reduced in the peripheral region on at least one of the element substrate and the counter substrate. It becomes possible to reduce to.

他方、データ線駆動回路において、素子基板及び対向基板のうち、サンプリング回路と同一の基板上にバッファ回路を配置すると共に、バッファ回路と異なる他方の基板上にシフトレジスタを配置するようにしても、素子基板及び対向基板のうち少なくとも一方上の周辺領域において、画像信号供給部の設置面積を小なりとも縮小することは可能である。   On the other hand, in the data line driving circuit, the buffer circuit is arranged on the same substrate as the sampling circuit among the element substrate and the counter substrate, and the shift register is arranged on the other substrate different from the buffer circuit. In the peripheral region on at least one of the element substrate and the counter substrate, the installation area of the image signal supply unit can be reduced at least.

このデータ線駆動回路が、シフトレジスタ及びバッファ回路を含む態様では、前記データ線駆動回路において、前記シフトレジスタ及び前記バッファ回路のうち少なくとも前記バッファ回路が、前記素子基板及び前記対向基板のうち、前記サンプリング回路及び前記N本の画像信号線と異なる基板上に形成されているように構成してもよい。   In an aspect in which the data line driving circuit includes a shift register and a buffer circuit, in the data line driving circuit, at least the buffer circuit of the shift register and the buffer circuit includes, of the element substrate and the counter substrate, the The sampling circuit and the N image signal lines may be formed on a different substrate.

このように構成すれば、素子基板及び対向基板のうち少なくとも一方上の周辺領域において、画像信号供給部の設置面積を効果的に縮小することが可能となる。   With this configuration, the installation area of the image signal supply unit can be effectively reduced in the peripheral region on at least one of the element substrate and the counter substrate.

本発明の電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置(但し、その各種態様を含む)を具備する。   In order to solve the above problems, an electronic apparatus according to the present invention includes the above-described electro-optical device according to the present invention (including various aspects thereof).

本発明の電子機器は、上述した本発明の電気光学装置を具備してなるので、小型化するのに適した、投射型表示装置、テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。また、本発明の電子機器として、例えば電子ペーパなどの電気泳動装置、電子放出装置(Field Emission Display及びConduction Electron-Emitter Display)を用いた表示装置等を実現することも可能である。   Since the electronic apparatus of the present invention includes the electro-optical device of the present invention described above, it is suitable for miniaturization, such as a projection display device, a television, a mobile phone, an electronic notebook, a word processor, a viewfinder type, or a monitor. Various electronic devices such as a direct-view video tape recorder, a workstation, a videophone, a POS terminal, and a touch panel can be realized. Further, as the electronic apparatus of the present invention, for example, an electrophoretic device such as electronic paper, a display device using an electron emission device (Field Emission Display and Conduction Electron-Emitter Display), or the like can be realized.

本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施の形態から明らかにされる。   Such an operation and other advantages of the present invention will become apparent from the embodiments described below.

以下では、本発明の実施の形態について図を参照しつつ説明する。以下の実施形態は、本発明の電気光学装置を液晶装置に適用したものである。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following embodiments, the electro-optical device of the invention is applied to a liquid crystal device.

(液晶装置)
先ず、本発明の電気光学装置の一例たる液晶装置の全体構成について、図1及び図2を参照して説明する。ここに、図1(a)は、本発明に係る「第1基板」の一例であるTFTアレイ基板をその対向面上に形成された各構成要素と共に、本発明に係る「第2基板」の一例である対向基板の側から見た、概略的な平面図であり、説明の便宜上、対向基板及び対向基板上に形成された構成要素を除外して図示してある。図1(b)は、対向基板をその対向面上に形成された各構成要素と共に、TFTアレイ基板の側から見た概略的な平面図であり、説明の便宜上、TFTアレイ基板及びTFTアレイ基板上に形成された構成要素を除外して図示してある。図2は、図1のH−H'断面図であり、TFTアレイ基板及び対向基板の両者を図示してある。ここでは、駆動回路内蔵型のTFTアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。尚、図1(a)及び図1(b)、並びに図2において、各種構成要素は、図面上で認識可能な程度の大きさとするため、実際の液晶装置100における構成とは、その配置等について厳密に同一とせず、異ならせて図示してあるものもあり、これら構成要素で夫々縮尺を異ならしめてある。この点については、後述する図3以降の各図についても同様である。
(Liquid crystal device)
First, the overall configuration of a liquid crystal device as an example of the electro-optical device of the present invention will be described with reference to FIGS. Here, FIG. 1A shows a TFT array substrate which is an example of the “first substrate” according to the present invention, together with the respective components formed on the opposing surface of the “second substrate” according to the present invention. It is a schematic plan view seen from the counter substrate side as an example, and for convenience of explanation, the counter substrate and components formed on the counter substrate are excluded. FIG. 1B is a schematic plan view of the counter substrate together with the respective components formed on the counter surface as viewed from the TFT array substrate side. For convenience of explanation, the TFT array substrate and the TFT array substrate are illustrated. It is shown with the components formed above excluded. FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line HH ′ of FIG. Here, a TFT active matrix driving type liquid crystal device with a built-in driving circuit is taken as an example. 1A, FIG. 1B, and FIG. 2, the various constituent elements are sized so that they can be recognized on the drawings. Some of these components are not exactly the same, but are illustrated differently, and the scales of these components are different. This is the same for each figure after FIG. 3 described later.

図2によく示されるように、本実施形態に係る液晶装置100では、TFTアレイ基板10と対向基板20とが対向配置されている。TFTアレイ基板10と対向基板20との間には液晶層50が封入されている。図1(a)又は図1(b)において、TFTアレイ基板10と対向基板20とは、画像表示領域10aの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材52により相互に接着されている。即ち、TFTアレイ基板10及び対向基板20間の画像表示領域10aにおいて、シール材52によって囲まれた領域に液晶層50が封入される。   As well shown in FIG. 2, in the liquid crystal device 100 according to the present embodiment, the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 are arranged to face each other. A liquid crystal layer 50 is sealed between the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20. In FIG. 1A or FIG. 1B, the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 are bonded to each other by a sealing material 52 provided in a sealing region located around the image display region 10a. In other words, in the image display region 10 a between the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20, the liquid crystal layer 50 is sealed in a region surrounded by the sealing material 52.

シール材52は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてTFTアレイ基板10上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。また、シール材52中には、TFTアレイ基板10と対向基板20との間隔(基板間ギャップ)を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材(図1及び図2中には図示を省略)が散布されている。   The sealing material 52 is made of, for example, an ultraviolet curable resin, a thermosetting resin, or the like for bonding the two substrates, and is applied on the TFT array substrate 10 in the manufacturing process and then cured by ultraviolet irradiation, heating, or the like. It is. Further, in the sealing material 52, a gap material (such as glass fiber or glass beads) for setting the distance between the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 (inter-substrate gap) to a predetermined value (in FIGS. 1 and 2). Is omitted).

シール材52が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域10aの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜53が、対向基板20側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜53の一部又は全部は、TFTアレイ基板10側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。   A light-shielding frame light-shielding film 53 that defines the frame area of the image display area 10a is provided on the counter substrate 20 side in parallel with the inside of the seal area where the sealing material 52 is disposed. However, part or all of the frame light shielding film 53 may be provided as a built-in light shielding film on the TFT array substrate 10 side.

図1(a)において、TFTアレイ基板10側の対向基板20に対する対向面上には、画像表示領域10aの周辺に位置する周辺領域のうち、シール材52が配置されたシール領域より内側に、シール領域の一辺に沿ってサンプリング回路200が額縁遮光膜53に覆われるようにして設けられている。また、このシール領域の一辺に沿って、シール領域より外側に第1上下導通端子103aが設けられている。更に、シール領域より外側に位置する領域において、第1上下導通端子103aの配列に沿って、並列に、外部回路接続端子102a及び102baが設けられている。外部回路接続端子102aのうち一部の端子102baに、外部回路より入力される信号は対向基板20側に供給される。加えて、TFTアレイ基板10の4つのコーナー部には、第2上下導通端子106aが配置されている。   In FIG. 1A, on the surface facing the counter substrate 20 on the TFT array substrate 10 side, out of the peripheral region located in the periphery of the image display region 10a, inside the seal region where the sealing material 52 is disposed, A sampling circuit 200 is provided along one side of the seal region so as to be covered with the frame light shielding film 53. A first vertical conduction terminal 103a is provided on the outer side of the seal region along one side of the seal region. Furthermore, external circuit connection terminals 102a and 102ba are provided in parallel along the arrangement of the first vertical conduction terminals 103a in a region located outside the seal region. Signals input from an external circuit to some terminals 102ba of the external circuit connection terminals 102a are supplied to the counter substrate 20 side. In addition, second vertical conduction terminals 106 a are arranged at the four corners of the TFT array substrate 10.

また、走査線駆動回路104は、外部回路接続端子102a及び102baが設けられた、TFTアレイ基板10の一辺に隣接する2辺に沿ったシール領域の内側に、額縁遮光膜53に覆われるようにして設けられている。そして、このように画像表示領域10aの両側に設けられた2つの走査線駆動回路104間を電気的に接続させるため、TFTアレイ基板10の残る一辺に沿い、且つ額縁遮光膜53に覆われるようにして複数の配線105が設けられている。尚、走査線駆動回路104は、この一辺に隣接する2辺のいずれかに沿い、且つ、前記額縁遮光膜53に覆われるようにして設けられてもよい。   Further, the scanning line driving circuit 104 is covered with the frame light shielding film 53 on the inner side of the seal region along two sides adjacent to one side of the TFT array substrate 10 provided with the external circuit connection terminals 102a and 102ba. Is provided. Then, in order to electrically connect the two scanning line driving circuits 104 provided on both sides of the image display region 10a in this way, the TFT array substrate 10 is covered with the frame light shielding film 53 along the remaining side. A plurality of wirings 105 are provided. The scanning line driving circuit 104 may be provided along one of the two sides adjacent to the one side and covered with the frame light shielding film 53.

他方、図1(b)において、対向基板20側のTFTアレイ基板10に対する対向面上には、周辺領域のうちシール領域より内側に、TFTアレイ基板10側に設けられたサンプリング回路200の配置に対応させて、シール領域の一辺に沿ってデータ線駆動回路101が額縁遮光膜53に覆われるようにして設けられている。また、このシール領域の一辺に沿って、シール領域より外側に第1上下導通端子103aとの間で上下導通を行うための第1上下導通材103bが設けられている。更に、対向基板20のコーナー部には、TFTアレイ基板10側の第2上下導通端子106aに対応させて、これら第2上下導通端子106aとの間で上下導通を行うための第2上下導通材106bが設けられている。加えて、第1上下導通材103bの配列の端に、第3上下導通材102bbが配列されており、第3上下導通材102bbを介してデータ線駆動回路101には、外部回路接続端子102aのうち一部の端子102baより、このデータ線駆動回101を駆動するための各種信号が供給される。   On the other hand, in FIG. 1B, on the surface facing the TFT array substrate 10 on the counter substrate 20 side, the sampling circuit 200 provided on the TFT array substrate 10 side inside the seal region in the peripheral region is arranged. Correspondingly, the data line driving circuit 101 is provided so as to be covered with the frame light shielding film 53 along one side of the seal region. A first vertical conduction member 103b for conducting vertical conduction with the first vertical conduction terminal 103a is provided outside the seal area along one side of the seal area. Further, a second vertical conductive material for conducting vertical conduction with the second vertical conduction terminal 106a corresponding to the second vertical conduction terminal 106a on the TFT array substrate 10 side is provided at a corner portion of the counter substrate 20. 106b is provided. In addition, a third vertical conduction member 102bb is arranged at the end of the arrangement of the first vertical conduction member 103b, and the data line driving circuit 101 is connected to the external circuit connection terminal 102a via the third vertical conduction member 102bb. Among them, various signals for driving the data line driving circuit 101 are supplied from some terminals 102ba.

図2において、TFTアレイ基板10の対向面上には、図1及び図2中には図示しない画素スイッチング用のTFTや走査線、データ線等の配線が形成された後の画素電極9a上に、配向膜(図1及び図2において図示を省略)が形成されている。他方、対向基板20の対向面上には、対向電極21の他、格子状又はストライプ状の遮光膜23、更には最上層部分に配向膜(図1及び図2において図示を省略)が形成されている。また、液晶層50は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。   In FIG. 2, on the opposing surface of the TFT array substrate 10, on the pixel electrode 9a after formation of pixel switching TFTs, scanning lines, data lines and the like (not shown in FIGS. 1 and 2). An alignment film (not shown in FIGS. 1 and 2) is formed. On the other hand, on the opposing surface of the opposing substrate 20, in addition to the opposing electrode 21, a lattice-shaped or striped light-shielding film 23 and an alignment film (not shown in FIGS. 1 and 2) are formed in the uppermost layer portion. ing. Further, the liquid crystal layer 50 is made of, for example, a liquid crystal in which one or several types of nematic liquid crystals are mixed, and takes a predetermined alignment state between the pair of alignment films.

なお、図1及び図2には図示しないが、TFTアレイ基板10又は対向基板20上には、データ線駆動回路101や走査線駆動回路104等に加えて、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。   Although not shown in FIGS. 1 and 2, on the TFT array substrate 10 or the counter substrate 20, in addition to the data line driving circuit 101, the scanning line driving circuit 104, etc., a plurality of data lines have a predetermined voltage level. A precharge circuit that supplies a precharge signal prior to the image signal, an inspection circuit for inspecting quality, defects, and the like of the electro-optical device during manufacture or at the time of shipment may be formed.

次に、液晶装置100の構成を図3から図6を参照して更に詳細に説明する。ここに、図3は、液晶装置に各種信号を供給する外部回路の構成を示すブロック図であり、図4は、TFTアレイ基板側のより詳細な構成を示すブロック図であり、図5は、対向基板側のより詳細な構成を示すブロック図である。更に、図6は、データ線駆動回路の詳細な構成示す回路図である。   Next, the configuration of the liquid crystal device 100 will be described in more detail with reference to FIGS. FIG. 3 is a block diagram showing a configuration of an external circuit that supplies various signals to the liquid crystal device, FIG. 4 is a block diagram showing a more detailed configuration on the TFT array substrate side, and FIG. It is a block diagram which shows the more detailed structure by the opposite board | substrate side. FIG. 6 is a circuit diagram showing a detailed configuration of the data line driving circuit.

図3に示すように、例えば、液晶装置100には、外部回路が外部回路接続端子102a及び102baに電気的に接続されて実装される。外部回路は、例えば、FPC(Flexible Printed Circuit)として、フレキシブル基板を含む配線基材に実装されて形成される。外部回路には、画像信号供給回路300、タイミング制御回路400、及び電源回路700が含まれる。   As shown in FIG. 3, for example, in the liquid crystal device 100, an external circuit is mounted by being electrically connected to the external circuit connection terminals 102a and 102ba. The external circuit is formed, for example, as an FPC (Flexible Printed Circuit) by being mounted on a wiring substrate including a flexible substrate. The external circuit includes an image signal supply circuit 300, a timing control circuit 400, and a power supply circuit 700.

タイミング制御回路400は、液晶装置100を駆動するための各種タイミング信号を出力するように構成されている。タイミング制御回路400の一部であるタイミング信号出力手段により、最小単位のクロックであり各画素を走査するためのドットクロックが作成され、このドットクロックに基づいて、Yクロック信号CLY、反転Yクロック信号CLYinv、Xクロック信号CLX、反転Xクロック信号CLXinv、YスタートパルスDY、及び2種のXスタートパルスDXR及びDXLが生成される。更に、タイミング制御回路400は、第1イネーブル信号ENB1及び第2イネーブル信号ENB2を生成して出力する。   The timing control circuit 400 is configured to output various timing signals for driving the liquid crystal device 100. A timing signal output means that is a part of the timing control circuit 400 generates a dot clock that is a minimum unit clock and scans each pixel. Based on this dot clock, a Y clock signal CLY and an inverted Y clock signal are generated. CLYinv, X clock signal CLX, inverted X clock signal CLXinv, Y start pulse DY, and two types of X start pulses DXR and DXL are generated. Further, the timing control circuit 400 generates and outputs a first enable signal ENB1 and a second enable signal ENB2.

画像信号供給回路300には、外部から1系統の入力画像データVIDが入力される。画像信号供給回路300は、1系統の入力画像データVIDをシリアル−パラレル変換(即ち、相展開或いはシリアル−パラレル展開)して、N相、本実施形態では12相(N=12)の画像信号VID1〜VID12を生成する。更に、画像信号供給回路300において、画像信号VID1〜VID12の各々の電圧が、所定の基準電位に対して正極性及び負極性に反転され、このように極性反転された画像信号VID1〜VID12が出力されるようにしてもよい。   One line of input image data VID is input to the image signal supply circuit 300 from the outside. The image signal supply circuit 300 performs serial-parallel conversion (that is, phase expansion or serial-parallel expansion) on one system of input image data VID to generate an N-phase image signal in this embodiment (N = 12). VID1 to VID12 are generated. Further, in the image signal supply circuit 300, the voltages of the image signals VID1 to VID12 are inverted to a positive polarity and a negative polarity with respect to a predetermined reference potential, and the image signals VID1 to VID12 whose polarities are thus inverted are output. You may be made to do.

また、電源回路700は、図2に示す対向電極21に供給される所定の共通電位LCCの共通電源を生成すると共に、データ線駆動回路101を駆動するための2種の電源VSSX及びVDDXを生成する。   The power supply circuit 700 generates a common power supply of a predetermined common potential LCC supplied to the counter electrode 21 shown in FIG. 2 and generates two types of power supplies VSSX and VDDX for driving the data line driving circuit 101. To do.

図4及び図5に示すように、液晶装置100には、TFTアレイ基板10及び対向基板20の各々の対向面上において、周辺領域には、本発明に係る「走査線駆動部」の一例たる走査線駆動回路104が形成されると共に、本発明に係る「画像信号供給部」に含まれるデータ線駆動回路101、サンプリング回路200、及び画像信号線171が形成される。そして、本発明に係る「周辺回路部」には、走査線駆動回路104、データ線駆動回路101、サンプリング回路200、及び画像信号線171が含まれる。   As shown in FIGS. 4 and 5, the liquid crystal device 100 is an example of the “scanning line driving unit” according to the present invention in the peripheral region on the opposing surfaces of the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20. The scanning line driving circuit 104 is formed, and the data line driving circuit 101, the sampling circuit 200, and the image signal line 171 included in the “image signal supply unit” according to the present invention are formed. The “peripheral circuit portion” according to the present invention includes the scanning line driving circuit 104, the data line driving circuit 101, the sampling circuit 200, and the image signal line 171.

尚、図3を参照して説明した画像信号供給回路300、タイミング制御回路400、及び電源回路700の少なくとも一部が、本発明に係る「周辺回路部」の一部として、TFTアレイ基板10又は対向基板20上の周辺領域に、走査線駆動回路104やデータ線駆動回路101等と共に、作り込まれるようにしてもよい。   Note that at least a part of the image signal supply circuit 300, the timing control circuit 400, and the power supply circuit 700 described with reference to FIG. 3 is a part of the “peripheral circuit unit” according to the present invention. It may be formed in the peripheral area on the counter substrate 20 together with the scanning line driving circuit 104, the data line driving circuit 101, and the like.

図4には、TFTアレイ基板10側の、対向基板20に対する対向面における構成を示してある。   FIG. 4 shows a configuration on the surface facing the counter substrate 20 on the TFT array substrate 10 side.

図4において、走査線駆動回路104には、Yクロック信号CLY、反転Yクロック信号CLYinv、及びYスタートパルスDYが供給される。走査線駆動回路104は、YスタートパルスDYが入力されると、Yクロック信号CLY及び反転Yクロック信号CLYinvに基づくタイミングで、走査信号Y1、・・・、Ymを順次生成して出力する。   In FIG. 4, the scanning line driving circuit 104 is supplied with a Y clock signal CLY, an inverted Y clock signal CLYinv, and a Y start pulse DY. When the Y start pulse DY is input, the scanning line driving circuit 104 sequentially generates and outputs the scanning signals Y1,..., Ym at a timing based on the Y clock signal CLY and the inverted Y clock signal CLYinv.

また、サンプリング回路200は、Pチャネル型又はNチャネル型の片チャネル型TFT、若しくは相補型のTFTから構成されたサンプリングスイッチ202を複数備える。   In addition, the sampling circuit 200 includes a plurality of sampling switches 202 configured from P-channel or N-channel single-channel TFTs or complementary TFTs.

更に、本実施形態では、12相にシリアル−パラレル展開された画像信号VID1〜VID12をサンプリング回路200に供給する、12本の画像信号線171が、TFTアレイ基板10上の周辺領域に配線されている。   Further, in the present embodiment, 12 image signal lines 171 that supply image signals VID1 to VID12 that are serial-parallel developed in 12 phases to the sampling circuit 200 are wired in a peripheral region on the TFT array substrate 10. Yes.

加えて、TFTアレイ基板10上の中央を占める画像表示領域10aには、縦横にデータ線114及び走査線112が配線され、それらの交点に対応する各画素部70に、マトリクス状に配列された液晶素子118の画素電極9a、及び画素電極9aをスイッチング制御するためのTFT116を備える。画素スイッチング素子はTFTのほか、各種トランジスタ或いはTFD等により構成されてもよい。尚、本実施形態では特に、走査線112の総本数をm本(但し、mは2以上の自然数)とし、データ線114の総本数をn×12本(但し、nは2以上の自然数)として説明する。   In addition, in the image display area 10a occupying the center on the TFT array substrate 10, data lines 114 and scanning lines 112 are wired vertically and horizontally, and are arranged in a matrix in each pixel unit 70 corresponding to the intersection thereof. A pixel electrode 9a of the liquid crystal element 118 and a TFT 116 for controlling switching of the pixel electrode 9a are provided. The pixel switching element may be composed of various transistors or TFDs in addition to TFTs. In the present embodiment, in particular, the total number of scanning lines 112 is m (where m is a natural number of 2 or more), and the total number of data lines 114 is n × 12 (where n is a natural number of 2 or more). Will be described.

また、図5には、対向基板20側の、TFTアレイ基板10に対する対向面における構成を示してある。   Further, FIG. 5 shows a configuration on the surface facing the TFT array substrate 10 on the counter substrate 20 side.

図5において、対向基板20上の画像表示領域10aには、例えば、この画像表示領域10aの概ね全体にベタ一面に、即ちベタ状に対向電極21が形成される。この対向電極21には、第2上下導通端子106a及び第2上下導通材106bを介して共通電源LCCが供給される。   In FIG. 5, in the image display area 10a on the counter substrate 20, for example, the counter electrode 21 is formed on the entire surface of the image display area 10a, that is, in a solid shape. A common power supply LCC is supplied to the counter electrode 21 via the second vertical conduction terminal 106a and the second vertical conduction material 106b.

また、データ線駆動回路101には、シフトレジスタ70及びバッファ回路80が含まれる。   Further, the data line driving circuit 101 includes a shift register 70 and a buffer circuit 80.

シフトレジスタ70には、2種の電源VSSX及びVDDXに加えて、Xクロック信号CLX、反転Xクロック信号CLXinv、及び2種のXスタートパルスDXR及びDXLの4種の信号が供給される。ここで、図6に示すように、これら4種の信号に基づいて駆動される4つのクロックドインバータ71が、シフトレジスタ70の第1段〜第n段までの各段に含まれている。   In addition to the two types of power supplies VSSX and VDDX, the shift register 70 is supplied with four types of signals: an X clock signal CLX, an inverted X clock signal CLXinv, and two types of X start pulses DXR and DXL. Here, as shown in FIG. 6, four clocked inverters 71 driven based on these four types of signals are included in each stage of the shift register 70 from the first stage to the n-th stage.

シフトレジスタ70は、TFTアレイ基板10上の画像表示領域10aに形成されたデータ線114を、その配列方向(図4中、走査線112の延在する方向、或いは行方向、X方向)に沿う双方向から順次駆動可能なように構成されている。シフトレジスタ70において、2種のXスタートパルスDXR及びDXLのうち一方のXスタートパルスDXRが入力される場合には、反転方向指示信号Dinvがハイレベルとなり、Xクロック信号CLX及び反転Xクロック信号XCLXinvに基づくタイミングで、図6中右から左へ(即ち同図中、X方向と同一方向に)順次シフトされて、各段から転送信号SR1、SR2、SR3、・・・、SRnが出力される。以下では、このように、シフトレジスタ70の各段から転送信号SR1、SR2、SR3、・・・、SRnが、図6中右から左へ順次出力されるものとする。   The shift register 70 aligns the data lines 114 formed in the image display area 10a on the TFT array substrate 10 along the arrangement direction (the direction in which the scanning lines 112 extend, the row direction, or the X direction in FIG. 4). It is configured so that it can be sequentially driven from both directions. In the shift register 70, when one X start pulse DXR of the two types of X start pulses DXR and DXL is input, the inversion direction instruction signal Dinv becomes high level, and the X clock signal CLX and the inverted X clock signal XCLXinv. 6 is sequentially shifted from right to left in FIG. 6 (that is, in the same direction as the X direction in FIG. 6), and transfer signals SR1, SR2, SR3,..., SRn are output from each stage. . In the following, it is assumed that transfer signals SR1, SR2, SR3,..., SRn are sequentially output from right to left in FIG.

尚、シフトレジスタ70において、2種のXスタートパルスDXR及びDXLのうち他方のXスタートパルスDXLが入力される場合には、方向指示信号Dがハイレベルとなり、一方のXスタートパルスDXRが入力される場合と同様に、図6中右から左へ(即ち同図中、X方向と逆方向に)順次シフトされることになる。   In the shift register 70, when the other X start pulse DXL of the two types of X start pulses DXR and DXL is input, the direction indicating signal D becomes high level, and one X start pulse DXR is input. As in the case of FIG. 6, the shift is sequentially performed from right to left in FIG. 6 (that is, in the direction opposite to the X direction in FIG. 6).

また、図6において、バッファ回路80の各段には、シフトレジスタ70の各段に対応して形成されたNAND回路81及びインバータ82が含まれる。また、各段のNAND回路81及びインバータ82を駆動するために、第1イネーブル信号ENB1及び第2イネーブル信号ENB2がバッファ回路80に供給される。   In FIG. 6, each stage of the buffer circuit 80 includes a NAND circuit 81 and an inverter 82 formed corresponding to each stage of the shift register 70. Further, the first enable signal ENB 1 and the second enable signal ENB 2 are supplied to the buffer circuit 80 in order to drive the NAND circuit 81 and the inverter 82 in each stage.

そして、バッファ回路80の各段では、シフトレジスタ70から出力された転送信号SRi(i=1、2、・・・・、n)と、第1及び第2イネーブル信号ENB1及びENB2のいずれかとの論理積がNAND回路81によってとられた後、その結果がインバータ82により反転されることによりバッファリングが行われる。このようなバッファリングにより、転送信号SRiのパルス幅は、第1及び第2イネーブル信号ENB1及びENB2のいずれかのパルス幅に制限されて、サンプリング信号Siとして順次出力される。   In each stage of the buffer circuit 80, the transfer signal SRi (i = 1, 2,..., N) output from the shift register 70 and one of the first and second enable signals ENB1 and ENB2 After the logical product is obtained by the NAND circuit 81, the result is inverted by the inverter 82, so that buffering is performed. By such buffering, the pulse width of the transfer signal SRi is limited to one of the first and second enable signals ENB1 and ENB2, and sequentially output as the sampling signal Si.

尚、データ線駆動回路101は、図5及び図6に示す構成に限定されず、例えばシフトレジスタ70、バッファ回路80に加えてレベルシフタ回路等が設けられてもよい。また、バッファ回路80には、2種のイネーブル信号ENB1及びENB2を供給する例について説明したが、1種或いは3種以上のイネーブル信号ENB信号に基づいてサンプリング信号を出力するようにしてもよい。   The data line driving circuit 101 is not limited to the configuration shown in FIGS. 5 and 6, and for example, a level shifter circuit or the like may be provided in addition to the shift register 70 and the buffer circuit 80. Further, although an example in which two types of enable signals ENB1 and ENB2 are supplied to the buffer circuit 80 has been described, a sampling signal may be output based on one or more types of enable signals ENB.

図5又は図6において、対向基板20側で、データ線駆動回路101から順次出力されたサンプリング信号Siは、第1上下導通材103bを介して第1上下導通端子103aに供給される。そして、TFTアレイ基板10上において、画像表示領域10aに配線されたデータ線114は、以下に説明するように、サンプリング信号Siに基づいて、12本のデータ線114を1群とするデータ線群毎に順次駆動される。   5 or 6, the sampling signal Si sequentially output from the data line driving circuit 101 on the counter substrate 20 side is supplied to the first vertical conduction terminal 103a through the first vertical conduction member 103b. Then, on the TFT array substrate 10, the data lines 114 wired to the image display area 10a are, as will be described below, a data line group including 12 data lines 114 as a group based on a sampling signal Si. It is driven sequentially every time.

サンプリング回路200において、データ線群に対応するサンプリングスイッチ202毎に、サンプリング信号Siが、第1上下導通端子103aより順次供給され、サンプリング信号Siに応じて各サンプリングスイッチ202はオン状態となる。そして、12本の画像信号線171から画像信号VID1〜VID12が、オン状態となったサンプリングスイッチ202を介して、データ線群に属するデータ線114に同時に、且つデータ線群毎に順次供給される。よって、データ線群に属するデータ線114は互いに同時に駆動されることとなる。従って、本実施形態では、各データ線114をデータ線群毎に駆動するため、駆動周波数が抑えられる。   In the sampling circuit 200, the sampling signal Si is sequentially supplied from the first vertical conduction terminal 103a for each sampling switch 202 corresponding to the data line group, and each sampling switch 202 is turned on in accordance with the sampling signal Si. Then, the image signals VID1 to VID12 are supplied from the twelve image signal lines 171 to the data lines 114 belonging to the data line group simultaneously and sequentially for each data line group through the sampling switch 202 that is turned on. . Therefore, the data lines 114 belonging to the data line group are driven simultaneously. Therefore, in this embodiment, since each data line 114 is driven for each data line group, the driving frequency can be suppressed.

図4中、一つの画素部70の構成に着目すれば、TFT116のソース電極には、画像信号VIDk(但し、k=1、2、3、・・・、12)が供給されるデータ線114が電気的に接続されている一方、TFT116のゲート電極には、走査信号Yj(但し、j=1、2、3、・・・、m)が供給される走査線112が電気的に接続されるとともに、TFT116のドレイン電極には、液晶素子118の画素電極9aが接続されている。ここで、各画素部70において、液晶素子118は、画素電極9aと対向電極21との間に液晶を挟持してなる。従って、各画素部70は、走査線112とデータ線114との各交点に対応して、マトリクス状に配列されることになる。   In FIG. 4, focusing on the configuration of one pixel portion 70, the data line 114 to which the image signal VIDk (where k = 1, 2, 3,..., 12) is supplied to the source electrode of the TFT 116. Is electrically connected to the gate electrode of the TFT 116, and a scanning line 112 to which a scanning signal Yj (j = 1, 2, 3,..., M) is supplied is electrically connected. In addition, the pixel electrode 9 a of the liquid crystal element 118 is connected to the drain electrode of the TFT 116. Here, in each pixel portion 70, the liquid crystal element 118 has a liquid crystal sandwiched between the pixel electrode 9 a and the counter electrode 21. Accordingly, each pixel unit 70 is arranged in a matrix corresponding to each intersection of the scanning line 112 and the data line 114.

走査線駆動回路104から出力される走査信号Y1、・・・、Ymによって、各走査線112は線順次に選択される。選択された走査線112に対応する画素部70において、TFT116に走査信号Yjが供給されると、TFT116はオン状態となり、当該画素部70は選択状態となる。液晶素子118の画素電極9aには、TFT116を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線114より画像信号VIDkが所定のタイミングで供給される。これにより、液晶素子118には、画素電極9a及び対向電極21の各々の電位によって規定される印加電圧が印加される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として液晶装置100からは画像信号VID1〜VID12に応じたコントラストをもつ光が出射する。   Each scanning line 112 is selected line-sequentially by the scanning signals Y1,..., Ym output from the scanning line driving circuit 104. In the pixel portion 70 corresponding to the selected scanning line 112, when the scanning signal Yj is supplied to the TFT 116, the TFT 116 is turned on, and the pixel portion 70 is in a selected state. An image signal VIDk is supplied to the pixel electrode 9a of the liquid crystal element 118 from the data line 114 at a predetermined timing by closing the switch of the TFT 116 for a certain period. As a result, an applied voltage defined by the potentials of the pixel electrode 9 a and the counter electrode 21 is applied to the liquid crystal element 118. The liquid crystal modulates light and enables gradation display by changing the orientation and order of the molecular assembly depending on the applied voltage level. In the normally white mode, the transmittance for incident light is reduced according to the voltage applied in units of each pixel, and in the normally black mode, the light is incident according to the voltage applied in units of each pixel. The light transmittance is increased, and light having a contrast corresponding to the image signals VID1 to VID12 is emitted from the liquid crystal device 100 as a whole.

ここで、保持された画像信号がリークするのを防ぐために、蓄積容量119が、液晶素子118と並列に付加されている。例えば、画素電極9aの電圧は、ソース電圧が印加された時間よりも3桁も長い時間だけ蓄積容量119により保持されるので、保持特性が改善される結果、高コントラスト比が実現されることとなる。   Here, a storage capacitor 119 is added in parallel with the liquid crystal element 118 in order to prevent the held image signal from leaking. For example, the voltage of the pixel electrode 9a is held by the storage capacitor 119 for a time that is three orders of magnitude longer than the time when the source voltage is applied, so that the holding characteristics are improved, and as a result, a high contrast ratio is realized. Become.

よって、本実施形態では、液晶装置100において、TFTアレイ基板10側のサンプリング回路200と、対向基板20側のデータ線駆動回路101との間は、第1上下導通端子103a及び第1上下導通材103bとの間の上下導通により、電気的に接続されている。ここで、サンプリング回路200において、データ線群に対応する12個のサンプリングスイッチ202毎に、これら12個のサンプリングスイッチ202は、共通の信号線を介して第1上下導通端子103aよりサンプリング信号Siが入力される。そして、サンプリング回路200において、画像信号VIDkが出力される各サンプリングスイッチ202の信号線の数は、データ線114の数と同一のn×12本であるのに対して、第1上下導通端子103aよりサンプリング信号Siが入力される信号線の数は、n本に少なくなっている。即ち、第1上下導通端子103aの数は、データ線114の数と比較して、n個に少なくなっている。   Therefore, in the present embodiment, in the liquid crystal device 100, the first vertical conduction terminal 103a and the first vertical conduction member are provided between the sampling circuit 200 on the TFT array substrate 10 side and the data line driving circuit 101 on the counter substrate 20 side. Electrical connection is established by the vertical conduction with 103b. Here, in the sampling circuit 200, for each of the twelve sampling switches 202 corresponding to the data line group, the twelve sampling switches 202 receive the sampling signal Si from the first vertical conduction terminal 103a via a common signal line. Entered. In the sampling circuit 200, the number of signal lines of each sampling switch 202 to which the image signal VIDk is output is n × 12, which is the same as the number of data lines 114, whereas the first vertical conduction terminal 103a. Further, the number of signal lines to which the sampling signal Si is input is reduced to n. That is, the number of first vertical conduction terminals 103a is reduced to n as compared with the number of data lines 114.

また、この第1上下導通端子103aの数に対応して、対向基板20側では、データ線駆動回路101において、シフトレジスタ70の、転送信号SRiが出力される信号線の数、及びバッファ回路80の、サンプリング信号Siが出力される信号線の数も、データ線114の数より少ないn本となっている。よって、バッファ回路80の、サンプリング信号Siが出力される信号線に電気的に接続された第1上下導通材103bの数も、データ線114の数と比較して、n個に少なくなっている。   Corresponding to the number of first vertical conduction terminals 103a, on the counter substrate 20 side, in the data line driving circuit 101, the number of signal lines of the shift register 70 to which the transfer signal SRi is output, and the buffer circuit 80. The number of signal lines to which the sampling signal Si is output is n, which is smaller than the number of data lines 114. Therefore, the number of first vertical conductive members 103b electrically connected to the signal line from which the sampling signal Si is output in the buffer circuit 80 is also reduced to n as compared with the number of data lines 114. .

従って、対向基板20側において、第1上下導通材103bのピッチdsは、TFTアレイ基板10側におけるデータ線114のピッチdpと比較して、このピッチdpの値にN=12を乗じた値に広くすることができる。また、第1上下導通材103bのピッチdsに対応させて、TFTアレイ基板10側の第1上下導通端子103aのピッチも、データ線114のピッチdpを12倍した値に広くすることができる。   Therefore, on the counter substrate 20 side, the pitch ds of the first vertical conductive member 103b is a value obtained by multiplying the value of the pitch dp by N = 12, compared with the pitch dp of the data lines 114 on the TFT array substrate 10 side. Can be wide. Further, in correspondence with the pitch ds of the first vertical conduction member 103b, the pitch of the first vertical conduction terminal 103a on the TFT array substrate 10 side can be increased to a value obtained by multiplying the pitch dp of the data lines 114 by 12.

よって、本実施形態では、第1上下導通端子103a又は第1上下導通材103bを、例えばバンプや銀点のような金属皮膜の樹脂により形成することが可能となり、その結果容易にこれら第1上下導通端子103a及び第1上下導通材103b間で上下導通を行うことが可能となる。   Therefore, in the present embodiment, the first vertical conduction terminal 103a or the first vertical conduction material 103b can be formed of a resin of a metal film such as a bump or a silver dot, and as a result, the first vertical conduction terminal 103a or the first vertical conduction material 103b can be easily formed. It becomes possible to conduct vertical conduction between the conduction terminal 103a and the first vertical conduction member 103b.

以上説明したような液晶装置100は、その製造時、例えば以下のようにマザー基板上で形成される。図7は、本実施形態の液晶装置が、マザー基板上で製造されることを説明するための部分平面図である。   The liquid crystal device 100 as described above is formed on a mother substrate at the time of manufacture, for example, as follows. FIG. 7 is a partial plan view for explaining that the liquid crystal device of this embodiment is manufactured on a mother substrate.

図7において、マザー基板Sの上において、液晶装置100が縦横それぞれにマトリクス状に配列されるように形成され、各液晶装置100においては、それぞれ、図1から図6を参照して説明したような各種の構成要素(TFTや走査線112、データ線114等、或いは走査線駆動回路104やデータ線駆動回路101等々)が形成されることになるのである。   In FIG. 7, the liquid crystal device 100 is formed on the mother substrate S so as to be arranged in a matrix in the vertical and horizontal directions, and each liquid crystal device 100 has been described with reference to FIGS. 1 to 6. Various constituent elements (TFT, scanning line 112, data line 114, etc., scanning line driving circuit 104, data line driving circuit 101, etc.) are formed.

ちなみに、図7において示されるマザー基板Sは、図1(a)及び図2、図4に示されるTFTアレイ基板10を複数含んでなる。即ち、図7に示すマザー基板S上には、TFTアレイ基板10の側における各種の構成要素が形成され、これとは別に、図7には図示しないガラス基板の上に、対向電極21、配向膜等々が形成されて、対向基板20が複数形成され、各対向基板20は個別に分断される。そして、マザー基板Sに形成されたTFTアレイ基板10の各々に、対向基板20を個別に対向させて、一対のTFTアレイ基板10及び対向基板20について、個別に、シール材52によって貼り合せた後、TFTアレイ基板10及び対向基板20間に液晶を封入する。その後、マザー基板Sを分断することによって、例えば図1及び図2に示したような各個別の液晶装置100が製造されることになる。   Incidentally, the mother substrate S shown in FIG. 7 includes a plurality of TFT array substrates 10 shown in FIG. 1A, FIG. 2, and FIG. That is, on the mother substrate S shown in FIG. 7, various components on the TFT array substrate 10 side are formed. Separately, the counter electrode 21 and the orientation are arranged on a glass substrate (not shown in FIG. 7). A plurality of counter substrates 20 are formed by forming a film and the like, and each counter substrate 20 is divided individually. Then, the counter substrate 20 is individually opposed to each of the TFT array substrates 10 formed on the mother substrate S, and the pair of TFT array substrates 10 and the counter substrate 20 are individually bonded together by the sealing material 52. The liquid crystal is sealed between the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20. Thereafter, by dividing the mother substrate S, for example, individual liquid crystal devices 100 as shown in FIGS. 1 and 2 are manufactured.

次に、図8を参照して、液晶装置100の比較例について、本実施形態と異なる点についてのみ説明する。図8は、比較例における、TFTアレイ基板側の構成を示すブロック図である。   Next, with reference to FIG. 8, only a difference from the present embodiment will be described regarding a comparative example of the liquid crystal device 100. FIG. 8 is a block diagram showing a configuration on the TFT array substrate side in the comparative example.

図8において、TFTアレイ基板10上の周辺領域には、走査線駆動回路104やサンプリング回路200等に加えて、シフトレジスタ70及びバッファ回路80が作り込まれることによりデータ線駆動回路101が形成されている。ここで、TFTアレイ基板10上に平面的に見て、シフトレジスタ70の設置面積に比較して、バッファ回路80やサンプリング回路200の各々の設置面積は、例えば4倍程度の大きさを要することがある。よって、比較例では、サンプリング回路200や画像信号線171に加えて、データ線駆動回路101を設置するための面積を確保するために、これら各種の回路を含む画像信号供給部の設置面積を縮小するのには限界があり、TFTアレイ基板10の平面的なサイズを大幅に縮小するのは困難となる。その結果、液晶装置100のサイズも縮小するのが困難である。   In FIG. 8, a data line driving circuit 101 is formed in the peripheral region on the TFT array substrate 10 by forming a shift register 70 and a buffer circuit 80 in addition to the scanning line driving circuit 104, the sampling circuit 200, and the like. ing. Here, as viewed in plan on the TFT array substrate 10, the installation area of each of the buffer circuit 80 and the sampling circuit 200 needs to be about four times larger than the installation area of the shift register 70, for example. There is. Therefore, in the comparative example, in order to secure an area for installing the data line driving circuit 101 in addition to the sampling circuit 200 and the image signal line 171, the installation area of the image signal supply unit including these various circuits is reduced. This is limited, and it is difficult to significantly reduce the planar size of the TFT array substrate 10. As a result, it is difficult to reduce the size of the liquid crystal device 100.

これに対して本実施形態では、サンプリング回路200及び画像信号線171と、データ線駆動回路101とを互いに分離して、データ線駆動回路101は対向基板20側に配置される。よって、比較的大きい設置面積を要するサンプリング回路200とバッファ回路80とは互いに分離して、TFTアレイ基板10及び対向基板20のうち異なる基板に夫々形成されるため、比較例の構成と比較して、効果的にTFTアレイ基板10側、又はTFTアレイ基板10側に加えて対向基板20側においても、画像信号供給部の設置面積を効果的に縮小することが可能となる。よって、平面的に見た、TFTアレイ基板10及び対向基板20のうち少なくとも一方のサイズを、縮小することができる。これにより、TFTアレイ基板10及び対向基板20が対向配置された状態で、これらの基板を平面的に見たサイズを総合的に縮小することが可能となる。その結果、液晶装置100のサイズを縮小して小型化することができる。   On the other hand, in this embodiment, the sampling circuit 200 and the image signal line 171 and the data line driving circuit 101 are separated from each other, and the data line driving circuit 101 is disposed on the counter substrate 20 side. Therefore, the sampling circuit 200 and the buffer circuit 80 that require a relatively large installation area are separated from each other and are formed on different substrates of the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20, respectively. It is possible to effectively reduce the installation area of the image signal supply unit on the TFT array substrate 10 side or on the counter substrate 20 side in addition to the TFT array substrate 10 side. Therefore, the size of at least one of the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 in plan view can be reduced. As a result, in a state where the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 are arranged to face each other, it is possible to comprehensively reduce the size of these substrates when viewed in plan. As a result, the size of the liquid crystal device 100 can be reduced and downsized.

これにより、液晶装置100の製造時、図7において説明したような1枚のマザー基板Sから製造される液晶装置100の数も増やすことが可能となる。よって、本実施形態では、製造コストを低く抑えて、液晶装置100を製造することができる。   Accordingly, when the liquid crystal device 100 is manufactured, the number of liquid crystal devices 100 manufactured from one mother substrate S as described in FIG. 7 can be increased. Therefore, in the present embodiment, the liquid crystal device 100 can be manufactured at a low manufacturing cost.

本実施形態の液晶装置100は、以上説明したような構成に限られず、例えば以下に説明するように構成してもよい。   The liquid crystal device 100 of the present embodiment is not limited to the configuration described above, and may be configured as described below, for example.

図9は、変形例に係るTFTアレイ基板側の構成を示すブロック図であり、図10は、変形例に係る対向基板側の構成を示すブロック図である。   FIG. 9 is a block diagram showing a configuration on the TFT array substrate side according to the modification, and FIG. 10 is a block diagram showing a configuration on the counter substrate side according to the modification.

図9及び図10において、TFTアレイ基板10上の周辺領域には、走査線駆動回路104やサンプリング回路200等に加えて、バッファ回路80が形成されると共に、対向基板20側の周辺領域に、シフトレジスタ70が形成される。そして、TFTアレイ基板10側に形成されたバッファ回路80、及び対向基板20側に形成されたシフトレジスタ70を含み、データ線駆動回路が形成される。   9 and 10, a buffer circuit 80 is formed in the peripheral region on the TFT array substrate 10 in addition to the scanning line driving circuit 104, the sampling circuit 200, and the like, and in the peripheral region on the counter substrate 20 side, A shift register 70 is formed. A data line driving circuit is formed including a buffer circuit 80 formed on the TFT array substrate 10 side and a shift register 70 formed on the counter substrate 20 side.

この場合、シフトレジスタ70から出力された転送信号SRiは、第1上下導通材103bを介して第1上下導通端子103aに供給される。シフトレジスタ70の転送信号SRiが出力される第1上下導通材103bの数、及びバッファ回路80に対して転送信号SRiが入力される第1上下導通端子103aの数は、夫々n個とすることができる。よって、第1上下導通端子103a又は第1上下導通材103bを、例えばバンプや銀点のような金属皮膜の樹脂により形成することが可能となり、容易にこれら第1上下導通端子103a及び第1上下導通材103b間で上下導通を行うことが可能となる。   In this case, the transfer signal SRi output from the shift register 70 is supplied to the first vertical conduction terminal 103a via the first vertical conduction member 103b. The number of first vertical conduction members 103b to which the transfer signal SRi of the shift register 70 is output and the number of first vertical conduction terminals 103a to which the transfer signal SRi is input to the buffer circuit 80 are n. Can do. Therefore, the first vertical conduction terminal 103a or the first vertical conduction member 103b can be formed of a resin of a metal film such as a bump or a silver dot, and the first vertical conduction terminal 103a and the first vertical conduction terminal 103a can be easily formed. It becomes possible to conduct vertical conduction between the conductive members 103b.

尚、この場合にも、TFTアレイ基板10側、又はTFTアレイ基板10側に加えて対向基板20側においても、画像信号供給部の設置面積を、例えば図4及び図5を参照して説明した構成と比較してその程度は小さくなると考えられるが、縮小することは可能である。   In this case as well, the installation area of the image signal supply unit has been described with reference to FIGS. 4 and 5, for example, on the TFT array substrate 10 side or on the counter substrate 20 side in addition to the TFT array substrate 10 side. Although it is thought that the degree will be smaller than the configuration, it can be reduced.

また、図4及び図5、或いは図9及び図10を参照して説明した構成に加えて、若しくは代えて、走査線駆動回路104についても、画像信号供給部と同様に、その一部を他の一部より分離して、互いにTFTアレイ基板10及び対向基板20のうち異なる基板上に夫々形成されるようにしてもよい。更に、例えば各データ線とサンプリング回路との電気的接続を容易に行うことが可能ならば、画像信号供給部において、サンプリング回路及び画像信号線を対向基板側に配置して、データ線駆動回路の少なくとも一部をTFTアレイ基板側に配置する、というように、サンプリング回路及び画像信号線と、データ線駆動回路の少なくとも一部とを分離して、TFTアレイ基板及び対向基板のうち互いに異なる基板上に形成する構成としてもよい。   Further, in addition to or instead of the configuration described with reference to FIGS. 4 and 5 or 9 and 10, a part of the scanning line driving circuit 104 is also provided in the same manner as the image signal supply unit. The TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 may be formed on different substrates separately from each other. Further, for example, if the electrical connection between each data line and the sampling circuit can be easily performed, in the image signal supply unit, the sampling circuit and the image signal line are arranged on the counter substrate side, and the data line driving circuit The sampling circuit and the image signal line are separated from at least a part of the data line driving circuit so that at least a part is arranged on the TFT array substrate side, and the TFT array substrate and the counter substrate are different from each other. It is good also as a structure formed in.

このように、液晶装置100においては、TFTアレイ基板10及び対向基板20の各々の基板上の周辺領域において、走査線駆動回路104やデータ線駆動回路101等の各々の設置面積を調整することで、容易にTFTアレイ基板10及び対向基板20のうち少なくとも一方のサイズを調整することができる。   As described above, in the liquid crystal device 100, the installation area of each of the scanning line driving circuit 104, the data line driving circuit 101, and the like is adjusted in the peripheral regions on the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20, respectively. The size of at least one of the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 can be easily adjusted.

(電子機器)
次に、上述した液晶装置100を各種の電子機器に適用する場合について説明する。
(Electronics)
Next, a case where the above-described liquid crystal device 100 is applied to various electronic devices will be described.

まず、この液晶装置100をライトバルブとして用いたプロジェクタについて説明する。図11は、プロジェクタの構成例を示す平面配置図である。この図に示されるように、プロジェクタ1100内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット1102が設けられている。このランプユニット1102から射出された投射光は、ライトガイド1104内に配置された4枚のミラー1106および2枚のダイクロイックミラー1108によってRGBの3原色に分離され、各原色に対応するライトバルブ1110R、1110Bおよび1110Gに入射される。これら3つのライトバルブ1110R、1110Bおよび1110Gは夫々液晶装置100を含む液晶モジュールを用いて構成されている。   First, a projector using the liquid crystal device 100 as a light valve will be described. FIG. 11 is a plan layout diagram illustrating a configuration example of a projector. As shown in this figure, a lamp unit 1102 including a white light source such as a halogen lamp is provided inside the projector 1100. The projection light emitted from the lamp unit 1102 is separated into three primary colors of RGB by four mirrors 1106 and two dichroic mirrors 1108 disposed in the light guide 1104, and light valves 1110R corresponding to the respective primary colors. Incident on 1110B and 1110G. These three light valves 1110R, 1110B and 1110G are each configured by using a liquid crystal module including the liquid crystal device 100.

ライトバルブ1110R、1110Bおよび1110Gにおいて液晶装置100は、画像信号供給回路300から供給されるR、G、Bの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶装置100によって変調された光は、ダイクロイックプリズム1112に3方向から入射される。このダイクロイックプリズム1112においては、RおよびBの光が90度に屈折する一方、Gの光が直進する。したがって、各色の画像が合成される結果、投射レンズ1114を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。   In the light valves 1110R, 1110B, and 1110G, the liquid crystal device 100 is driven by R, G, and B primary color signals supplied from the image signal supply circuit 300, respectively. The light modulated by these liquid crystal devices 100 enters the dichroic prism 1112 from three directions. In this dichroic prism 1112, R and B light is refracted at 90 degrees, while G light travels straight. Accordingly, as a result of the synthesis of the images of the respective colors, a color image is projected onto the screen or the like via the projection lens 1114.

ここで、各ライトバルブ1110R、1110Bおよび1110Gによる表示像について着目すると、ライトバルブ1110Gによる表示像は、ライトバルブ1110R、1110Bによる表示像に対して左右反転することが必要となる。   Here, paying attention to the display images by the light valves 1110R, 1110B, and 1110G, the display image by the light valves 1110G needs to be horizontally reversed with respect to the display images by the light valves 1110R and 1110B.

なお、ライトバルブ1110R、1110Bおよび1110Gには、ダイクロイックミラー1108によって、R、G、Bの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設ける必要はない。   Since light corresponding to the primary colors R, G, and B is incident on the light valves 1110R, 1110B, and 1110G by the dichroic mirror 1108, it is not necessary to provide a color filter.

次に、液晶装置100を、モバイル型のパーソナルコンピュータに適用した例について説明する。図12は、このパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。図において、コンピュータ1200は、キーボード1202を備えた本体部1204と、液晶表示ユニット1206とから構成されている。この液晶表示ユニット1206は、先に述べた液晶装置1005の背面にバックライトを付加することにより構成されている。   Next, an example in which the liquid crystal device 100 is applied to a mobile personal computer will be described. FIG. 12 is a perspective view showing the configuration of this personal computer. In the figure, a computer 1200 includes a main body 1204 having a keyboard 1202 and a liquid crystal display unit 1206. The liquid crystal display unit 1206 is configured by adding a backlight to the back surface of the liquid crystal device 1005 described above.

さらに、液晶装置100を、携帯電話に適用した例について説明する。図13は、この携帯電話の構成を示す斜視図である。図において、携帯電話1300は、複数の操作ボタン1302とともに、反射型の液晶装置1005を備えるものである。この反射型の液晶装置1005にあっては、必要に応じてその前面にフロントライトが設けられる。   Further, an example in which the liquid crystal device 100 is applied to a mobile phone will be described. FIG. 13 is a perspective view showing the configuration of this mobile phone. In the figure, a mobile phone 1300 includes a reflective liquid crystal device 1005 together with a plurality of operation buttons 1302. In the reflective liquid crystal device 1005, a front light is provided on the front surface thereof as necessary.

尚、図11から図13を参照して説明した電子機器の他にも、液晶テレビや、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、タッチパネルを備えた装置等などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。   In addition to the electronic devices described with reference to FIGS. 11 to 13, a liquid crystal television, a viewfinder type, a monitor direct-view type video tape recorder, a car navigation device, a pager, an electronic notebook, a calculator, a word processor, a work Stations, videophones, POS terminals, devices equipped with touch panels, etc. Needless to say, the present invention can be applied to these various electronic devices.

本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置及び該電気光学装置を備えてなる電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。   The present invention is not limited to the above-described embodiments, and can be appropriately changed without departing from the spirit or concept of the invention that can be read from the claims and the entire specification. An electronic apparatus including the electro-optical device is also included in the technical scope of the present invention.

図1(a)は、TFTアレイ基板側の構成を、対向基板の側から見た概略的な平面図であり、図1(b)は、対向基板側の構成を、TFTアレイ基板の側から見た概略的な平面図である。FIG. 1A is a schematic plan view of the configuration on the TFT array substrate side as viewed from the counter substrate side. FIG. 1B shows the configuration on the counter substrate side from the TFT array substrate side. FIG. 図1のH−H'断面図である。It is HH 'sectional drawing of FIG. 液晶装置に各種信号を供給する外部回路の構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structure of the external circuit which supplies various signals to a liquid crystal device. TFTアレイ基板側のより詳細な構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the more detailed structure by the side of a TFT array substrate. 対向基板側のより詳細な構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the more detailed structure by the opposite board | substrate side. データ線駆動回路の詳細な構成示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the detailed structure of a data line drive circuit. 本実施形態の液晶装置が、マザー基板上で製造されることを説明するための部分平面図である。It is a fragmentary top view for demonstrating that the liquid crystal device of this embodiment is manufactured on a mother board | substrate. 比較例における、TFTアレイ基板側の構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structure by the side of the TFT array substrate in a comparative example. 変形例に係るTFTアレイ基板側の構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structure by the side of the TFT array substrate which concerns on a modification. 変形例に係る対向基板側の構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structure by the side of the opposing substrate which concerns on a modification. 液晶装置を適用した電子機器の一例たるプロジェクタの構成を示す平面図である。It is a top view which shows the structure of the projector which is an example of the electronic device to which a liquid crystal device is applied. 液晶装置を適用した電子機器の一例たるパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the structure of the personal computer which is an example of the electronic device to which the liquid crystal device is applied. 液晶装置を適用した電子機器の一例たる携帯電話の構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the structure of the mobile telephone which is an example of the electronic device to which a liquid crystal device is applied.

符号の説明Explanation of symbols

10…TFTアレイ基板、10a…画像表示領域、20…対向基板、70…画素部、101…データ線駆動回路、104…走査線駆動回路、112…走査線、114…データ線、171…画像信号線、200…サンプリング回路   DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... TFT array substrate, 10a ... Image display area, 20 ... Counter substrate, 70 ... Pixel part, 101 ... Data line drive circuit, 104 ... Scan line drive circuit, 112 ... Scan line, 114 ... Data line, 171 ... Image signal Line, 200 ... Sampling circuit

Claims (8)

一対の第1基板及び第2基板と、
前記第1基板上の画素領域に配列された複数の画素部と、
一部が、前記第1基板における前記画素領域の周辺に位置する周辺領域に形成されると共に、他の一部が、前記第2基板に形成されており、前記複数の画素部に信号を供給する周辺回路部と
を備えること特徴とする電気光学装置。
A pair of first and second substrates;
A plurality of pixel portions arranged in a pixel region on the first substrate;
A part is formed in a peripheral region located around the pixel region in the first substrate, and another part is formed in the second substrate, and supplies signals to the plurality of pixel units. An electro-optical device comprising: a peripheral circuit unit that performs:
前記一部は、前記第1基板における前記第2基板と対向する側に形成されており、
前記他の一部は、前記第1基板における前記第2基板と対向する側に形成されている
ことを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。
The part is formed on a side of the first substrate facing the second substrate;
The electro-optical device according to claim 1, wherein the other part is formed on a side of the first substrate facing the second substrate.
前記第1基板は、前記画素部毎にスイッチング素子が形成された素子基板であり、前記第2基板は、前記素子基板に対向する対向基板であって、
前記素子基板上において、前記画素領域に互いに交差して形成された複数の走査線及び複数のデータ線を更に備えており、
前記周辺回路部は、前記複数の走査線に夫々走査信号を前記信号として供給する走査線駆動部と、前記複数のデータ線に夫々画像信号を前記信号として供給する画像信号供給部とを含み、前記走査線駆動部及び前記画像信号供給部のうち少なくとも一方について、一部が前記素子基板上に形成されると共に他の一部が前記対向基板上に形成されており、
前記複数の画素部は夫々、前記走査線及び前記データ線の交差に対応して形成されていること
を特徴とする請求項1又は2に記載の電気光学装置。
The first substrate is an element substrate in which a switching element is formed for each pixel unit, and the second substrate is a counter substrate facing the element substrate,
The device substrate further includes a plurality of scanning lines and a plurality of data lines formed to intersect with each other in the pixel region,
The peripheral circuit unit includes a scanning line driving unit that supplies a scanning signal to the plurality of scanning lines as the signal, and an image signal supply unit that supplies an image signal to the plurality of data lines as the signal, respectively. About at least one of the scanning line driving unit and the image signal supply unit, a part is formed on the element substrate and the other part is formed on the counter substrate,
The electro-optical device according to claim 1, wherein each of the plurality of pixel portions is formed corresponding to an intersection of the scanning line and the data line.
前記画像信号供給部は、
前記複数のデータ線をN(但し、Nは2以上の自然数)本の前記データ線を1群とするデータ線群毎に駆動するためにN系統のシリアル−パラレル変換された前記画像信号が供給されるN本の画像信号線と、
前記複数のデータ線に対応して形成されると共に、前記画像信号線より供給される前記画像信号をサンプリング回路駆動信号に応じて前記データ線に夫々供給する複数のサンプリングスイッチを含むサンプリング回路と、
前記データ線群に対応する前記サンプリングスイッチ毎に、前記サンプリング回路信号を順番に供給するデータ線駆動回路とを含み、
前記N本の画像信号線及び前記サンプリング回路と、前記データ線駆動回路のうち少なくとも一部とが、互いに分離して前記素子基板と前記対向基板とに形成されていること
を特徴とする請求項3に記載の電気光学装置。
The image signal supply unit
In order to drive the plurality of data lines for each data line group including N (where N is a natural number of 2 or more) data lines, N systems of serial-parallel converted image signals are supplied. N image signal lines to be
A sampling circuit formed corresponding to the plurality of data lines and including a plurality of sampling switches for supplying the image signals supplied from the image signal lines to the data lines in response to a sampling circuit drive signal;
A data line driving circuit that sequentially supplies the sampling circuit signal for each sampling switch corresponding to the data line group;
The N image signal lines, the sampling circuit, and at least a part of the data line driving circuit are formed on the element substrate and the counter substrate separately from each other. 4. The electro-optical device according to 3.
前記N本の画像信号線及び前記サンプリング回路は前記素子基板上に形成されており、
前記データ線駆動回路のうち少なくとも一部は、前記対向基板上に形成されていること
を特徴とする請求項4に記載の電気光学装置。
The N image signal lines and the sampling circuit are formed on the element substrate,
The electro-optical device according to claim 4, wherein at least a part of the data line driving circuit is formed on the counter substrate.
前記データ線駆動回路は、
転送信号を順次生成するシフトレジスタと、
該シフトレジスタから順次出力される前記転送信号を夫々バッファリングして前記サンプリング回路駆動信号として出力するバッファ回路と
を含み、
前記シフトレジスタ及び前記バッファ回路のうち少なくとも一方が、前記素子基板及び前記対向基板のうち、前記サンプリング回路及び前記N本の画像信号線と異なる基板上に形成されていること
を特徴とする請求項4又は5に記載の電気光学装置。
The data line driving circuit includes:
A shift register that sequentially generates transfer signals;
A buffer circuit for buffering the transfer signals sequentially output from the shift register and outputting them as the sampling circuit drive signals,
The at least one of the shift register and the buffer circuit is formed on a substrate different from the sampling circuit and the N image signal lines among the element substrate and the counter substrate. The electro-optical device according to 4 or 5.
前記データ線駆動回路において、前記シフトレジスタ及び前記バッファ回路のうち少なくとも前記バッファ回路が、前記素子基板及び前記対向基板のうち、前記サンプリング回路及び前記N本の画像信号線と異なる基板上に形成されていること
を特徴とする請求項6に記載の電気光学装置。
In the data line driving circuit, at least the buffer circuit of the shift register and the buffer circuit is formed on a substrate different from the sampling circuit and the N image signal lines among the element substrate and the counter substrate. The electro-optical device according to claim 6.
請求項1から7のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。
An electronic apparatus comprising the electro-optical device according to claim 1.
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