JP2007199341A - 電気光学装置及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】シール材を樹脂膜を介してガラス基板上に接着しても十分大きな密着力を確保できるようにする。シール材を樹脂膜の表面に接着することにより、表示領域周辺の液晶層厚に不均一が生じることを防止し、且つ表示領域とシール材との間の間隔を小さくする。
【解決手段】互いに対向する一対の基板７ａ，８ａと、一方の基板８ａに設けられた樹脂膜４３と、樹脂膜４３を介して一対の基板７ａ，８ａを貼り合わせるシール材６と、基板７ａ，８ａの間であってシール材６によって囲まれた領域に設けられた液晶層１２とを有する電気光学装置である。樹脂膜４３のうちシール材６が接触する領域内には基板８ａを露出させる開口３６が設けられ、開口３６の幅Ｗ０はシール材６の幅Ｗ１よりも狭い。シール材６は樹脂膜４３の表面に接着されると共に、開口３６に入り込んで基板８ａの表面に接着される。
【選択図】図６

Description

本発明は、液晶表示装置等といった電気光学装置に関する。また、本発明は、電気光学装置を用いて構成される電子機器に関する。

現在、携帯電話機、携帯情報端末機、カーナビゲーション装置等といった電子機器に液晶表示装置等といった電気光学装置が広く用いられている。例えば、情報を画像として表示するための表示装置として電気光学装置が用いられている。この電気光学装置では、液晶等の電気光学物質の電気光学的特性を利用して画像が表示される。

電気光学装置として、従来、図１８に示す構造を有するものが知られている。この電気光学装置は、シール材２０１によって貼り合わされた一対の基板２０２ａ及び２０２ｂを有する。これらの基板間に電気光学物質である液晶の層２０５が設けられている。一方の基板２０２ａ上にはカラーフィルタを構成する複数の着色膜２０３が設けられ、それらの着色膜２０３の上に樹脂膜としてオーバーコート膜２０４が設けられている。

オーバーコート膜２０４は基板２０２ａの全域には設けられておらず、具体的には、シール材２０１が設けられる領域には設けられていない。従って、シール材２０１は基板２０２ａに直接に接着している。シール材２０１を基板２０２ａに接着させるのは、シール材２０１をオーバーコート膜２０４に接着させると十分な密着力が確保できないが、シール材２０１を基板２０２ａに接着すると十分に大きい密着力を確保できるからである。

上記の従来装置の他に、基板表面の広い領域に絶縁膜を設けると共に、シール材を設ける領域の絶縁膜を除去する技術が知られている（例えば、特許文献１参照）。この従来技術では、絶縁膜を除去した領域においてシール材が基板に直接に接着されるので、シール材を除去する領域の幅がシール材の幅よりも広くなっていた。

また、従来装置として、シール材の材質を特定することにより、シール材と基板との間の接着強度を高めるという技術が知られている（例えば、特許文献２参照）。

特開２００１−１７４８２８号公報（第１０頁、図６） 特開２０００−２５８７８０号公報（第１１頁、図２）

図１８に示した従来の電気光学装置においては、オーバーコート膜２０４を設けた領域とそれを設けない領域とでセルギャップの間隔、すなわち液晶層２０５の層厚にバラツキが生じ、表示ムラが発生するおそれがあった。また、シール材２０１がオーバーコート膜２０４の上に乗り上げる状態を避けるために設計段階でシール材２０１とオーバーコート膜２０４の端部との間に間隔Ｗを設ける必要があり、そのために電気光学装置の外形が大きくなることから、１つのマザー基板から取り出すことができる電気光学装置の数が少なくなるという問題があった。

また、特許文献１に開示された従来技術においては、図１８に示した従来技術の場合と同様に、液晶層厚のバラツキに起因して表示ムラが出易い、及び電気光学装置の外形が大きくなるという問題があった。さらに、特許文献２に開示された従来技術においては、使用できるシール材の種類が特定のものに限定されてしまい、汎用性に欠けるという問題があった。

本発明は、従来の電気光学装置に見られる上記の問題に鑑みて成されたものであって、シール材を樹脂膜の表面に接着しても十分大きな密着力を確保できるようにすること、及びシール材を樹脂膜の表面に接着することにより、図１８におけるシール材２０１とオーバーコート膜２０４との間隔Ｗを不要として、電気光学装置の周辺部分に表示ムラが発生することを防止し、さらに電気光学装置の外形を小さくすることを目的とする。

本発明に係る電気光学装置は、互いに対向する一対の基板と、該一対の基板の少なくとも一方に設けられた樹脂膜と、該樹脂膜を介して前記一対の基板を貼り合わせるシール材と、前記一対の基板間であって前記シール材によって囲まれた領域に設けられた電気光学物質とを有し、前記樹脂膜のうち前記シール材が接触する領域内には前記基板を露出させる開口が設けられ、該開口の幅は前記シール材の幅よりも狭いことを特徴とする。

この電気光学装置によれば、シール材が全体的には樹脂膜の表面に接着されるが、樹脂膜のうち開口が設けられた部分では、その開口を通して基板の一部が樹脂膜の外部へ露出し、その露出した基板にシール材が接着する。このため、シール材を単に樹脂膜の表面に接着させる場合に比べて、高い密着力を確保できる。

また、本発明によれば、シール材と樹脂膜との間に液晶層厚が変動する余分な間隔（例えば、図１８の間隔Ｗ）を設ける必要がないので、電気光学装置の周辺部分に表示ムラが発生することを防止でき、さらに電気光学装置の外形を小型にすることができる。また、電気光学装置の外形を小型にできることにより、電気光学装置を大面積のマザー基板を用いて多数個取りの手法で製造する場合に、１つのマザー基板から製造できる電気光学装置の個数を多くすることができる。

次に、本発明に係る電気光学装置において、前記開口は前記樹脂膜のうち前記シール材が接触する領域内に部分的に複数設けられることが望ましい。この構成によれば、樹脂膜の表面に何らかの要素を形成しようとする場合に、その要素の形成場所には開口を設けないことにすることにより、その要素の形成処理が開口の存在によって邪魔されることを防止できる。

例えば、電気光学装置の種類によっては、樹脂膜の表面にシール材と交差する状態で配線を形成する必要がある場合がある。この種の電気光学装置において、配線が形成された部分の樹脂膜に開口が形成されていると、シール材に導通材が含まれる場合においては、不用箇所における上下基板間の短絡が発生してしまう。従って、このような配線を用いる構成の電気光学装置に関しては、配線が形成される個所を避けて開口を部分的に設けることにより、不用箇所での上下基板間の短絡の発生を防ぐことができる。

次に、本発明に係る電気光学装置において、前記開口は前記基板側から前記シール材側へ向けてすぼまる形状であることが望ましい。つまり、開口を形成している樹脂膜の端面は、開口が基板側からシール材側へ向けてすぼまるような傾斜を有することが望ましい。この構成によれば、シール材を樹脂膜の表面に所定の形状、例えば環状に形成、例えばスクリーン印刷の手法を用いて形成したときに、開口の内部に入り込んで基板の表面に直接に接着したシール材が開口の端面の傾斜によって開口から抜け難くなること（いわゆるアンカー効果を得ること）から、より一層確実な密着力を確保できる。

次に、本発明に係る電気光学装置は、一対の基板の一方に所定の配列で設けられた複数の着色膜を有することができる。この着色膜はカラーフィルタを構成する要素であり、例えば、Ｂ（青）、Ｇ（緑）、Ｒ（赤）の３色によってその着色膜を構成できる。また、Ｃ（シアン）、Ｍ（マゼンタ）、Ｙ（イエロー）の３色によって着色膜を形成することもできる。さらに、Ｂ、Ｇ、Ｒの３色にＣ、Ｍ、Ｙのいずれか１色を付加させた４色によって着色膜を形成することもできる。

このような着色膜を有する電気光学装置に関して本発明を適用する場合には、着色膜を覆うオーバーコート膜を本発明における前記樹脂膜と考えて、そのオーバーコート膜の上にシール材を形成することが望ましい。この構成によれば、シール材とオーバーコート膜との間に余分な間隔（例えば、図１８の間隔Ｗ）を設ける必要がないので、電気光学装置の外形を小型にすることができる。そしてそのため、電気光学装置を大面積のマザー基板を用いて多数個取りの手法で製造する場合に、１つのマザー基板から製造できる電気光学装置の個数を多くすることができる。

また、シール材をオーバーコート膜の表面に接着させる場合は、シール材を基板の表面に接着させる場合に比べて密着力が低下することが考えられるが、本発明のようにオーバーコート膜に開口を設けてシール材に対して基板を露出させれば、シール材に関して高い密着力を確保できる。

次に、本発明に係る電気光学装置は、一対の基板の一方に設けられたスイッチング素子と、該スイッチング素子を覆う層間絶縁膜と、該層間絶縁膜の表面に設けられた電極と、前記層間絶縁膜内に設けられた前記スイッチング素子と前記電極とを電気的に接続させるスルーホールとをさらに有することができる。このような構成の電気光学装置に関して本発明を適用する場合には、層間絶縁膜を本発明における前記樹脂膜と考えて、その層間絶縁膜の上にシール材を形成することが望ましい。

この構成によれば、シール材と層間絶縁膜との間に余分な間隔（例えば、図１８の間隔Ｗ）を設ける必要がないので、電気光学装置の外形を小型にすることができる。そしてそのため、電気光学装置を大面積のマザー基板を用いて多数個取りの手法で製造する場合に、１つのマザー基板から製造できる電気光学装置の個数を多くすることができる。

シール材を層間絶縁膜の表面に接着させる場合は、シール材を基板の表面に接着させる場合に比べて密着力が低下することが考えられるが、本発明のように層間絶縁膜に開口を設けてシール材に対して基板を露出させれば、より高い密着力を確保できる。

次に、本発明に係る電子機器は、以上に説明した構成の電気光学装置を有することを特徴とする。このような電子機器としては、例えば、携帯電話機、携帯情報端末機、ＩＣレコーダ、カーナビゲーション装置等が考えられる。

本発明に係る電気光学装置によれば、シール材の基板に対する密着力を高めることにより不良品の発生を防止できるので、この電気光学装置を用いて構成された本発明に係る電子機器においても、シール材の密着力不足に起因する不良品の発生を防止できる。また、本発明に係る電気光学装置によれば、シール材を樹脂膜の表面に形成することにより電気光学装置の外形を小型にできるので、この電気光学装置を用いて構成された本発明に係る電子機器においては、電気光学装置の周辺に空間的な余裕ができ、電子機器の設計の自由度が高くなる。

（電気光学装置の第１実施形態）
以下、本発明に係る電気光学装置を実施形態に基づいて説明する。本実施形態では電気光学装置の一例である液晶表示装置を例示する。また、本実施形態では、ＴＦＤ（Thin Film Diode）駆動方式、ＥＣＢ（Electrically Controlled Birefringence:電界制御複屈折）モード、半透過反射型、カラー表示が可能な液晶表示装置に本発明を適用するものとする。なお、本発明がその実施形態に限定されるものでないことは、もちろんである。また、これからの説明では必要に応じて図面を参照するが、この図面では、複数の構成要素から成る構造のうち重要な構成要素をわかり易く示すため、各要素を実際とは異なった相対的な寸法で示す場合がある。

図１は、本発明に係る電気光学装置の一実施形態である液晶表示装置の側面断面構造を示している。図２は、その液晶表示装置の平面断面構造を示している。図３は、図１の矢印Ｚ１で示す部分を拡大した図である。図４は、図３の矢印Ａに従った平面断面図である。図１及び図３は、図４のＺ３−Ｚ３線に従った断面図に相当する。

図１において、液晶表示装置１は、電気光学パネルとしての液晶パネル２と、この液晶パネル２に付設された照明装置３とを有する。この液晶表示装置１に関しては矢印Ａが描かれた側が観察側であり、上記の照明装置３は液晶パネル２に関して観察側と反対側に配置されてバックライトとして機能する。

液晶パネル２は、シール材６によって互いに貼り合わされた一対の基板７及び８を有する。基板７はスイッチング素子が形成される素子基板である。基板８はカラーフィルタが形成されるカラーフィルタ基板である。シール材６は素子基板７とカラーフィルタ基板８との間に間隙、いわゆるセルギャップＧを形成する。シール材６は図２に示すように、長方形の環状に設けられ、その一部に液晶注入口６ａを有する。なお、図２に示す液晶表示装置１に関しては、一方の基板であるカラーフィルタ基板８を構成する透光性基板（後述する）の図示が省略されており、シール材６が実線で示されている。

シール材６の液晶注入口６ａを介して素子基板７とカラーフィルタ基板８との間に電気光学物質としての液晶、例えば正の誘電異方性を有するネマチック液晶が注入される。注入された液晶は図１に示すようにセルギャップＧ内で液晶層１２を形成する。図２の液晶注入口６ａは液晶の注入が完了した後に樹脂によって封止される。なお、液晶の注入方法としては、上記液晶注入口６ａを通して行う方法以外に、液晶注入口を持たない連続する環状のシール材６によって囲まれる領域内に液晶滴を滴下する方法も採用できる。

図１において、セルギャップＧの間隔（液晶層１２の層厚）は、セルギャップＧ内に設けられる複数のスペーサ（図示せず）によって一定に維持される。このスペーサは、複数の球状の樹脂部材を素子基板７又はカラーフィルタ基板８の表面上にランダム（無秩序）に置くことによって形成できる。また、スペーサは、フォトリソグラフィ処理によって所定の位置に柱状に形成することもできる。

照明装置３は、光源としてＬＥＤ（Light Emitting Diode）１３と、導光体１４とを有する。光源は、ＬＥＤ等の点状光源以外に、冷陰極管のような線状光源を用いることもできる。導光体１４は、例えば、透光性樹脂材料の成形加工によって形成され、ＬＥＤ１３に対向する側面が光入射面１４ａであり、液晶パネル２に対向する面が光出射面１４ｂである。矢印Ａで示す観察側から見て導光体１４の背面には、必要に応じて、光反射層１６が設けられ、導光体１４の光出射面１４ｂには、光拡散層１７が設けられる。

素子基板７は、矢印Ａで示す観察側から見て長方形又は正方形の第１の透光性基板７ａを有する。この第１透光性基板７ａは、例えば、透光性のガラス、プラスチック等によって形成される。この第１透光性基板７ａの外側表面には偏光板１８ａが貼着されている。必要に応じて、偏光板１８ａ以外の光学要素、例えば位相差板を付加的に設けることもできる。

他方、第１透光性基板７ａの内側表面には、図３にも示すように、配線としてのデータ線１９が列方向Ｙに延びて形成されている。そして、アクティブ素子として機能するスイッチング素子であるＴＦＤ（Thin Film Diode）素子３１がデータ線１９に接続して形成されている。データ線１９は図２に示すように複数本が互いに平行に設けられている。データ線１９は、例えばＣｒ、Ｍｏ（モリブデン）等によって形成される。ＴＦＤ素子３１は複数個が各データ線１９に沿って等間隔に設けられている。

図３において、ＴＦＤ素子３１及びデータ線１９の上に、それらを覆うように層間絶縁膜２２、光反射膜２３、画素電極２４、配向膜２６ａの順に形成されている。層間絶縁膜２２は、例えば、透光性、感光性、及び絶縁性を有する樹脂、例えばアクリル樹脂、ポリイミド樹脂等をフォトリソグラフィ処理してパターニングすることによって形成される。また、光反射膜２３は、Ａｌ又はＡｌ合金をフォトエッチング処理してパターニングすることによって形成されている。画素電極２４は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide：インジウムスズ酸化物）等の金属酸化物をフォトエッチング処理してパターニングすることによって形成されている。配向膜２６ａは、例えばポリイミドをローラ転写法によって塗布して形成されている。

光反射膜２３及びそれに重なる画素電極２４は、図２に示すように、素子基板７上に行方向Ｘ及び列方向Ｙにわたってドットマトリクス状に複数形成されている。これらの光反射膜２３及び画素電極２４は、個々のＴＦＤ素子３１に接続されて各データ線１９に沿って設けられている。図３の配向膜２６ａは図２において素子基板７の表面であってシール材６で囲まれた領域内の略全域に形成される。そして、この配向膜２６ａに配向処理、例えばラビング処理が施されることにより素子基板７近傍の液晶分子の配向が決められる。

図５は図４のＺ２−Ｚ２線に従ってＴＦＤ素子３１の断面構造を示している。図５において、ＴＦＤ素子３１は、互いに電気的に直列につながれた一対のＴＦＤ要素３１ａ及び３１ｂによって形成されている。第１のＴＦＤ要素３１ａは、第１素子電極３２、絶縁膜３３、第２素子電極３４ａをその順で重ねることによって形成されている。また、第２のＴＦＤ要素３１ｂは、第１素子電極３２、絶縁膜３３、第２素子電極３４ｂをその順で重ねることによって形成されている。第１素子電極３２は、例えば、Ｔａ（タンタル）又はＴａ合金によって形成される。Ｔａ合金としては、例えば、ＴａＷ（タンタル・タングステン）を用いることができる。絶縁膜３３は、例えば、陽極酸化処理によって形成される。第２素子電極３４ａ，３４ｂは、例えばＣｒによって形成される。

第１ＴＦＤ要素３１ａ内の第２素子電極３４ａは図４に示すようにデータ線１９から延びている。また、第２ＴＦＤ要素３１ｂ内の第２素子電極３４ｂは画素電極２４に接続されている。データ線１９から画素電極２４へ信号が伝送されるとき、第１ＴＦＤ要素３１ａと第２ＴＦＤ要素３１ｂは電気的に逆極性である２つのＴＦＤ要素が直列に接続されることになる。この構造はバック・ツー・バック（Back-to-Back）構造と呼ばれることがある。本実施形態では、このようにバック・ツー・バック構造のＴＦＤ素子を用いたが、単一のＴＦＤ要素によってＴＦＤ素子を形成しても良い。

第２ＴＦＤ要素３１ｂは画素電極２４に導電接続される要素であるが、この第２ＴＦＤ要素３１ｂの第２素子電極３４ｂは、導電膜２５によって画素電極２４と導電接続されている。導電膜２５は、第２素子電極３４ｂから導出されており、その先端には面積の広い平面部分２５ａが形成されている。この平面部分２５ａは、図５に示すように、その一部が層間絶縁膜２２に覆われ、他の一部が層間絶縁膜２２の１つの端部Ｅから外部に露出している。画素電極２４は、導電膜２５の平面部分２５ａのうち層間絶縁膜２２の端部Ｅから露出する部分に接触している。これにより、ＴＦＤ素子３１と画素電極２４との間の電気的な接続が行われている。

図３に示すように、画素電極２４の下に設けられた層間絶縁膜２２は、画素電極２４の層とＴＦＴ素子３１の層とを別の層に分けている。この構造は、画素電極２４とＴＦＤ素子３１とを同じ層に形成する構造に比べて、次のような利点をもたらす。

まず、画素電極２４とＴＦＤ素子３１の間及び画素電極２４とデータ線１９との間に層間絶縁膜２２を介在させたことにより、画素電極２４とＴＦＤ素子３１との間及び／又は画素電極２４とデータ線１９との間の寄生容量を低減することができ、クロストークの発生が防止されて鮮明な表示が達成される。次に、層間絶縁膜２２を介して画素電極２４とＴＦＤ素子３１及び／又はデータ線１９とを積層構造にて形成しているため、画素電極２４をＴＦＤ素子３１及び／又はデータ線１９を覆う状態で形成することができ、その結果、画素電極２４をＴＦＤ素子３１及び／又はデータ線１９と同一平面上に形成する場合に比べて、画素電極２４を広い面積で形成でき、ひいては有効画素領域を大きくとることができるので、開口率の大きい視認性に優れた表示を達成できる。

次に、図１において、素子基板７に対向するカラーフィルタ基板８は、矢印Ａで示す観察側から見て長方形又は正方形の第２の透光性基板８ａを有する。この第２透光性基板８ａは、例えば、透光性のガラス、プラスチック等によって形成される。この第２透光性基板８ａの外側表面には偏光板１８ｂが貼着されている。必要に応じて、偏光板１８ｂ以外の光学要素、例えば位相差板を付加的に設けることもできる。なお、素子基板７側の偏光板１８ａとカラーフィルタ基板８側の偏光板１８ｂはクロスニコル配置でノーマリーホワイトの表示、あるいは、パラレルニコル配置でノーマリーブラックの表示を行うものであっても良い。

第２透光性基板８ａの内側表面には、図３にも示すように、着色膜４１が形成され、その周囲に遮光膜４２が形成され、着色膜４１及び遮光膜４２の上にオーバーコート膜４３、帯状電極４４、配向膜２６ｂの順に形成されている。帯状電極４４は、図３の紙面垂直方向（すなわち、行方向Ｘ）に延びている。オーバーコート膜４３は本発明の樹脂膜として作用する。配向膜２６ｂは図２においてカラーフィルタ基板８の表面であってシール材６で囲まれた領域内の略全域に形成される。

配向膜２６ｂに配向処理、例えばラビング処理が施されることにより、カラーフィルタ基板８の近傍における液晶分子の配向が決められる。本実施形態では、素子基板７上の配向膜２６ａとカラーフィルタ基板８上の配向膜２６ｂとの間で、例えば、正の誘電異方性を有するネマチック液晶が水平配向にセットされる。

着色膜４１は矢印Ａ方向から見て長方形又は正方形のドット状に形成されている。また、着色膜４１は複数個が矢印Ａ方向から見て図３の紙面垂直方向（行方向Ｘ）及び左右方向（列方向Ｙ）にわたってマトリクス状に配列されている。遮光膜４２はそれらの着色膜４１を囲む格子状に形成されている。着色膜４１の個々はＢ（青）、Ｇ（緑）、Ｒ（赤）の１つを通過させる光学的特性に設定され、それらＢ，Ｇ，Ｒの着色膜４１が矢印Ａ方向から見て所定の配列、例えばストライプ配列に並べられている。ストライプ配列とは、列方向ＹにＢ，Ｇ，Ｒの同色が並び、行方向ＸにＢ，Ｇ，Ｒが交互に順番に並ぶ配列である。

なお、着色膜４１の配列はストライプ配列以外の任意の配列とすることができ、例えば、モザイク配列、デルタ配列等とすることもできる。また、着色膜４１の光学的特性はＢ，Ｇ，Ｒの３原色に限られず、Ｃ（シアン）、Ｍ（マゼンタ）、Ｙ（イエロー）の３原色を通過させる特性とすることもできる。また、着色膜４１の色の種類は３色に限られず、３色のうちのいずれか１色の補色を加えた４色とすることもできる。

遮光膜４２は、Ｂ，Ｇ，Ｒの３原色のうちのいずれか２色を重ねることによって形成されている。しかしながら、遮光膜４２は、Ｂ，Ｇ，Ｒの３色を重ねて形成することもできるし、所定の材料をフォトリソグラフィ処理してパターニングすることによって形成することもできる。この場合の所定の材料としては、例えば、Ｃｒ、Ｍｏ等といった遮光性の材料が考えられる。

着色膜４１及び遮光膜４２の上に形成されたオーバーコート膜４３は、主に、着色膜４１及び遮光膜４２の表面を平坦化するものである。オーバーコート膜４３は、例えば有機材料、例えばネガ型の感光性材料であるアクリル系樹脂を材料としてスクリーン印刷によって図１に示すようにシール材６と基板８ａとの間を通って基板８ａの全面にわたって設けられている。つまり、シール材６はオーバーコート膜４３を介して基板８ａに接着されている。

帯状電極４４はオーバーコート膜４３の上に形成されている。帯状電極４４は、例えばＩＴＯ等といった金属酸化物をフォトエッチング処理してパターニングすることによって形成されている。帯状電極４４は、図２において鎖線で示すカラーフィルタ基板８上に複数本が互いに平行に並ぶように設けられている。個々の帯状電極４４は行方向Ｘに延びている。

図１において、素子基板７上に設けられた複数の画素電極２４は矢印Ａ方向から平面的に見て、行方向Ｘ及び列方向Ｙにわたってマトリクス状に並んでいる。一方、カラーフィルタ基板８上に設けられた複数の帯状電極４４は、行方向Ｘに並ぶ複数の画素電極２４と矢印Ａ方向から平面的に見て重なるようにストライプ状に並んでいる。このように画素電極２４と帯状電極４４とは矢印Ａ方向から見て重なり合っており、その重なり合った領域が表示の最小単位であるサブ画素Ｄを形成している。そして、複数のサブ画素Ｄが行方向Ｘ及び列方向Ｙにマトリクス状に並ぶことにより図２の有効表示領域Ｖが形成され、この有効表示領域Ｖに文字、数字、図形等といった像が表示される。

本実施形態のように、Ｂ，Ｇ，Ｒの３色から成る着色膜４１を用いてカラー表示を行う場合は、Ｂ，Ｇ，Ｒの３色に対応する３つの着色膜４１に対応する３つのサブ画素Ｄによって１つの画素が形成される。他方、白黒又は任意の２色でモノカラー表示を行う場合は、１つのサブ画素Ｄによって１つの画素が形成される。１つの画素部分を平面的に示す図面である図４に示すように、サブ画素Ｄは長方形状に形成されている。

図３において、光反射膜２３は、例えばフォトエチング処理によって形成される。この光反射膜２３はサブ画素Ｄのうちの一部の領域Ｒに設けられており、残りの領域Ｔには設けられていない。領域Ｔは図４に示すようにサブ画素Ｄ内の一部の長方形状の領域である。一方、領域Ｒはサブ画素Ｄ内の残りの領域であって、本実施形態では領域Ｔをコ字状に囲む領域である。

個々のサブ画素Ｄの中で光反射膜２３が存在する領域が反射表示領域Ｒであり、光反射膜２３が存在しない領域Ｔが透過表示領域である。図３において矢印Ａで示す観察側から入射した外部光Ｌ０は反射表示領域Ｒ内の光反射膜２３で反射する。一方、図１の照明装置３の導光体１４から出射した図３の光Ｌ１は、透過表示領域Ｔを透過する。反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとの境界部には、層間絶縁膜２２の端部Ｅが設けられている。

層間絶縁膜２２表面の個々のサブ画素Ｄ内の反射表示領域Ｒに対応する部分には凸部又は凹部が形成されて凹凸パターンが形成されている。この凹凸パターンは矢印Ａ方向から見てランダム（無秩序）なパターンとなっている。光反射膜２３は、凹凸パターンが形成されている層間絶縁膜２２の上に形成されていて、それ自身も同じ凹凸パターンを有している。このように光反射膜２３に凹凸パターンを形成することにより、光反射膜２３で反射する光Ｌ０を、鏡面反射ではなくて、散乱光や指向性を持った光とすることができる。

層間絶縁膜２２は反射表示領域Ｒに設けられており、透過表示領域Ｔには設けられていない。このため、反射表示領域Ｒ内の液晶層１２の層厚ｔ０は、透過表示領域Ｔ内の液晶層１２の層厚ｔ１よりも薄くなっている。望ましくはｔ０＝（ｔ１）／２になっている。このような液晶層１２の層厚の調整は、反射表示領域Ｒ内で光Ｌ０が液晶層１２を２回通過する反射表示の場合と、透過表示領域Ｔ内で光Ｌ１が液晶層１２を１回しか通過しない透過表示の場合とで、液晶層１２を通過する光の光路長を均一にすることにより、透過表示と反射表示とで表示色を均一にするためのものである。

次に、図１において、素子基板７を構成する第１透光性基板７ａはカラーフィルタ基板８の外側へ張り出す張出し部４６を有している。張出し部４６の表面には、配線４７がフォトエチング処理等によって形成されている。配線４７は矢印Ａ方向から見て複数本形成されており、それらの複数本が紙面垂直方向（すなわち、行方向Ｘ）へ互いに間隔をおいて並べられている。また、張出し部４６の辺端には複数の外部接続用端子４８が紙面垂直方向へ互いに間隔をおいて並ぶように形成されている。外部接続用端子４８が設けられた基板７ａの辺端部に図示しないＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）基板が接続される。

図２において、複数の配線４７の中央の一部４７ａは、シール材６によって囲まれた領域内に向けて列方向Ｙに延びてデータ線１９に繋がっている。また、複数の配線４７の両側の一部４７ｂ，４７ｂは、シール材６によって囲まれる領域内に入って列方向Ｙへ延びた後に外側へ折れ曲がり、シール材６の中に含まれる導通材４９（図１参照）を介してカラーフィルタ基板８上の各帯状電極４４の配線部分に導通している。

張出し部４６の表面には、ＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film：異方性導電膜）５１を用いたＣＯＧ（Chip On Glass）技術によって、半導体チップとしての駆動用ＩＣ５２が実装されている。駆動用ＩＣ５２は複数、例えば３個実装されている。中央の１つの駆動用ＩＣ５２は、データ線１９へデータ信号を伝送する。他方、両側の駆動用ＩＣ５２，５２は、帯状電極４４へ走査信号を伝送する。

以上のように構成された液晶表示装置１によれば、図１において、液晶表示装置１が明るい室外や明るい室内に置かれる場合は、太陽光や室内光等の外部光を用いて反射型の表示が行われる。一方、液晶表示装置１が暗い室外や暗い室内に置かれる場合は、照明装置３をバックライトとして用いて透過型の表示が行われる。

上記の反射型表示を行う場合、図３において、観察側である矢印Ａの方向からカラーフィルタ基板８を通して液晶パネル２内へ入射した外部光Ｌ０は、液晶層１２を通過して素子基板７内へ入った後、反射表示領域Ｒにおいて光反射膜２３で反射して再び液晶層１２へ供給される。他方、上記の透過型表示を行う場合、図２の照明装置３の光源１３が点灯し、それからの光が導光体１４の光入射面１４ａから導光体１４へ導入され、さらに、光出射面１４ｂから面状の光として出射する。この出射光は、図３の符号Ｌ１で示すように透過表示領域Ｔにおいて光反射膜２３が存在しない領域を通って液晶層１２へ供給される。

以上のようにして液晶層１２へ光が供給される間、素子基板７側の画素電極２４とカラーフィルタ基板８側の帯状電極４４との間には、走査信号およびデータ信号によって特定される所定の電圧が印加され、これにより、液晶層１２内の液晶分子の配向がサブ画素Ｄごとに制御され、この結果、液晶層１２に供給された光がサブ画素Ｄごとに変調される。この変調された光が、カラーフィルタ基板８側の偏光板１８ｂ（図１参照）を通過するとき、その偏光板１８ｂの偏光特性に従ってサブ画素Ｄごとに通過を規制され、これにより、カラーフィルタ基板８の表面に文字、数字、図形等といった像が表示されることにより、矢印Ａ方向から視認される。

本実施形態では、図１に示すように、樹脂膜であるオーバーコート膜４３が基板８ａの表面の全域に設けられており、シール材６はそのオーバーコート膜４３の表面に接着されている。この構成により、シール材６とオーバーコート膜４３の端部との間に液晶層１２の層厚が変動する余分な間隔（例えば、図１８の間隔Ｗ）を設ける必要がなくなり、表示領域Ｖの周辺部分に表示ムラが発生することを防止でき、さらに液晶表示装置１の外形を小型にすることができる。また、液晶表示装置１の外形を小型にできることにより、液晶表示装置１を大面積のマザー基板を用いて多数個取りの手法で製造する場合に、１つのマザー基板から製造できる液晶表示装置１の個数を多くすることができる。

また、液晶表示装置１においては、シール材６が図１に示すように全体的にはオーバーコート膜４３の表面に接着されるが、オーバーコート膜４３には図２においてシール材６に接触する環状領域内に部分的に複数の開口３６が設けられている。Ｚ４−Ｚ４線に従った断面図である図６（ａ）に示すように、開口３６の断面形状は、基板８ａ側からシール材６側へ向けてすぼまる形状となっている。つまり、開口３６を形成するオーバーコート膜４３の端面は、開口３６が基板８ａ側からシール材６側へ向けてすぼまるように、傾いている。図６（ａ）の実施形態では、開口３６を形成するオーバーコート膜４３の端面は、湾曲状態の傾斜面となっている。なお、開口３６は、ネガ型の感光性樹脂であるオーバーコート膜４３をフォトリソグラフィ処理によってパターニングすることによって形成される。この際、開口３６をすぼまり形状に形成するためには、開口３６の開口部分と底面部分とで露光量を変えること、具体的には、基板８ａに近い底面部分の露光量を少な目にすれば良い。

オーバーコート膜４３の適所に開口３６を設けたことにより、オーバーコート膜４３のうち開口３６が設けられた部分では、その開口３６を通して基板８ａの一部がオーバーコート膜４３の外部へ露出し、その露出した基板８ａにシール材６が接着する。このため、シール材６を単にオーバーコート膜４３の表面に接着させる場合に比べて、高い密着力を確保できるので、シール材６がオーバーコート膜４３や基板８ａから剥離するという不良の発生を防止できる。

開口３６の幅Ｗ０はシール材６の幅Ｗ１よりも狭くなっているので、開口３６がシール材６の外側へはみ出すことを防いでいる。開口３６がシール材６の外側へはみ出すと、シール材６を形成すべき面に段差ができてシール材６を正常に印刷できないおそれがある。これに対し、開口３６がシール材６の外側にはみ出さないようにした本実施形態では、そのようなシール材６の印刷不良は発生しない。

次に、図２において、カラーフィルタ基板８に設けられた帯状電極４４の端部の配線部分と、素子基板７に設けられた配線４７ｂの先端端子部分とは、液晶表示装置１の左右両側においてシール材６の中に分散された導通材（図示せず）によって互いに導電接続している。この接続部分に対応して開口３６が設けられると、帯状電極４４の配線部分と配線４７ｂの端子部分との導電接続に不良（不用な短絡）が生じるおそれがある。そこで本実施形態では、帯状電極４４の配線部分がシール材６と交差する部分を避けて開口３６を設けている。これにより、配線に接続不良が発生することを防止している。

なお、配線４７は張出し部４６に近い部分のシール材６（以下、ＩＣ側シール材という）を横切って列方向Ｙに延びている。しかしながら、ＩＣ側シール材６に対応してオーバーコート膜４３に設けられる開口３６は、配線４７がＩＣ側シール材６を横切る面と反対側のＩＣ側シール材６の面に対向して設けられるので、この部分の開口３６と配線４７とが直接に交差することはない。従って、ＩＣ側シール材６に対応する部分のオーバーコート膜４３に設けられる開口３６は、配線４７と重なる位置に設けても差し支えない。

図６（ａ）に示す実施形態では、開口３６を形成するオーバーコート膜４３の側端面を湾曲形状とした。しかしながら、これに代えて、開口３６を形成するオーバーコート膜４３の側端面を図６（ｂ）に示すように、直線状の傾斜面とすることもできる。この場合でも、開口３６は基板８ａ側からシール材６側へ向けてすぼまる形状になるので、シール材６の基板８ａに対する密着力を高く維持できる。

（電気光学装置の第２実施形態）
次に、本発明に係る電気光学装置の他の実施形態を説明する。本実施形態では、チャネルエッチ型でシングルゲート構造のアモルファスシリコンＴＦＴ（Thin Film Diode）素子をスイッチング素子として用いたアクティブマトリクス方式、ＥＣＢモード、半透過反射型、カラー表示が可能な液晶表示装置に本発明を適用するものとする。なお、本発明がその実施形態に限定されるものでないことは、もちろんである。また、これからの説明で用いる図面においても、複数の構成要素間で寸法比率を実際の比率と異ならせる場合がある。

図７は、本実施形態に係る液晶表示装置の全体の側面断面構造を示している。図８は、その液晶表示装置の全体の平面断面構造を示している。図９は、図７の矢印Ｚ５で示す部分を拡大して示す図である。図１０〜図１３は素子基板上に形成される各種要素の形成過程を示している。なお、これ以降の説明で、図１〜図６に示した先の実施形態と同じ説明は適宜に省略するものとする。

図７において、電気光学装置としての液晶表示装置６１は、液晶パネル６２と、この液晶パネル６２に付設された照明装置３とを有する。照明装置３の構成は図１に示した実施形態と同じであり、同じ構成要素は同じ符号を付して示すことにして説明は省略する。この液晶表示装置６１に関しても矢印Ａが描かれた側が観察面であり、照明装置３は液晶パネル６２に関して観察面の反対側に配置されてバックライトとして機能する。

液晶パネル６２は、図８に示すように長方形で環状のシール材６６によって貼り合わされた一対の基板６７及び６８を有する。なお、図８では、一方の基板であるカラーフィルタ基板６８を構成する透光性基板（後述する）の図示が省略されており、シール材６６が実線で示されている。図７において、基板６７はスイッチング素子が形成される素子基板であり、基板６８はカラーフィルタが形成されるカラーフィルタ基板である。基板６７と基板６８との間のセルギャップＧ間であってシール材６６によって囲まれる領域内には、液晶注入用開口６６ａ（図８参照）を通して液晶が注入され、図７に示す液晶層１２が形成されている。液晶としては、例えば正の誘電異方性を有するネマチック液晶が用いられる。

素子基板６７は、第１の透光性基板６７ａを有する。この第１透光性基板６７ａは、例えば、透光性のガラスやプラスチック等によって形成される。この第１透光性基板６７ａの外側表面には偏光板７８ａが貼り付けられている。必要に応じて、偏光板７８ａ以外の光学要素、例えば位相差板を付加的に設けることもできる。

図７において矢印Ｚ５で示すサブ画素Ｄ部分の拡大図である図９にも示すように、第１透光性基板６７ａの表面に列方向Ｙに延びるソース線７９が設けられている。また、ゲート絶縁膜９２を介してソース線７９と交差するゲート線８０が行方向Ｘに延びている。ゲート線８０は行方向Ｘに延びる走査線であり、ソース線７９は列方向Ｙに延びるデータ線である。そして、スイッチング素子であるＴＦＴ素子８１が、ソース線７９とゲート線８０との交差部分の近傍に設けられている。３端子素子であるＴＦＴ素子８１のうちの１つの端子がソース線７９に接続し、他の１つの端子がゲート線８０に接続する。

ＴＦＴ素子８１、ソース線７９及びゲート線８０の上に、それらを覆う保護膜８２が形成されている。保護膜８の上には凹凸樹脂膜８３、光反射膜８４、画素電極８５、配向膜８６ａがその順番に形成されている。凹凸樹脂膜８３の表面の適所には凹部又は凸部がランダム（無秩序）に形成されることにより凹凸パターンが形成されている。光反射膜８４及び画素電極８５はその凹凸パターンと同じ凹凸パターンを呈している。光反射膜８４に凹凸パターンを設けることにより、その光反射膜８４で反射する光に適度の散乱性及び適切な指向性を持たせることができる。配向膜８６ａには配向処理、例えばラビング処理が施され、これにより素子基板６７の近傍における液晶分子の配向が決められる。保護膜８２と凹凸樹脂膜８３との積層膜は層間絶縁膜として機能し、この層間絶縁膜が本発明の樹脂膜として作用する。

保護膜８２は、通常、透光性及び絶縁性を有する窒化膜（例えば、ＳｉＮ）や二酸化ケイ素（例えば、ＳｉＯ２）によって形成される。また、凹凸樹脂膜８３は、透光性や感光性、絶縁性を有する樹脂、例えばアクリル樹脂、ポリイミド樹脂等をフォトリソグラフィ処理してパターニングすることによって形成されている。光反射膜８４は、例えば、Ａｌ（アルミニウム）、Ａｌ合金等といった光反射性材料をフォトエッチング処理してパターニングすることによって形成される。

画素電極８５は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の金属酸化物をフォトエッチング処理してパターニングすることによって形成されている。また、配向膜８６ａは、例えばポリイミドをローラ転写法によって塗布することによって形成されている。画素電極８５は、矢印Ａ方向から見て素子基板６７上に行方向Ｘ及び列方向Ｙの両方向に沿ってマトリクス状に複数形成される。

保護膜８２及び凹凸樹脂膜８３には、画素電極８５とＴＦＴ素子８１の１つの端子とを電気的に接続するための開口部としての貫通穴であるコンタクトホール８７が形成されている。このコンタクトホール８７は、矢印Ａ方向から平面的に見てＴＦＴ素子８１の素子本体部分に重ならない位置であって、画素電極８５と重なる位置に形成される。

サブ画素Ｄのうち符号Ｒで示す領域は光反射膜８４が設けられた領域であり、その光反射膜８４で反射する光Ｌ０によって表示が行われる反射表示領域である。また、符号Ｔで示す領域はサブ画素Ｄのうち光反射膜８４が設けられていない領域であり、素子基板６７を透過する光Ｌ１によって表示が行われる透過表示領域である。

図１０は図９の矢印Ａに従って第１透光性基板６７ａの表面を示した平面図であり、特に、第１透光性基板６７ａ上にＴＦＴ素子８１、ソース線７９、及びゲート線８０を形成した状態を示している。なお、図１０では、ＴＦＴ素子８１と同時に形成される保持容量７０も示されている。

図１１は、図１０に示したＴＦＴ素子８１等の上に図９の保護膜８２及び凹凸樹脂膜８３を形成した状態を平面的に示している。凹凸樹脂膜８３の表面に設けられた凹凸パターンはサブ画素Ｄの領域内であって透過表示領域Ｔ以外の領域に形成されている。また、保護膜８２と凹凸樹脂膜８３とから成る樹脂膜は、図７及び図８に示すように、基板６７ａの表面の広い範囲にわたって一様な厚さで設けられており、その外周縁はシール材６６の外側まで延びている。つまり、本実施形態では、シール材６６は樹脂膜８２，８３を介して基板６７ａに接着されている。

図１２は、図１１の凹凸樹脂膜８３上に光反射膜８４を形成した状態を平面的に示している。光反射膜８４は、サブ画素Ｄの範囲内であって透過表示領域ＴとＴＦＴ素子８１の上部領域とを除いた領域内に形成されている。この光反射膜８４が存在する領域によって反射表示領域Ｒが規定され、光反射膜８４が無い領域によって透過表示領域Ｔが規定されることは既述の通りである。図１３は、図１２の光反射膜８４上に画素電極８５を形成した状態を平面的に示している。画素電極８５はサブ画素Ｄの領域を規定するものであり、画素電極８５は反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔの両方にわたって形成されている。

図１３において、ＴＦＴ素子８１及び保持容量７０を通るＺ６−Ｚ６線に沿った断面図が図１４である。図１４において、ＴＦＴ素子８１は、ゲート電極９１、ゲート絶縁膜９２、ａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）によって形成された半導体膜９３、Ｎ＋−Ｓｉ膜９４ａ，９４ｂ、ソース電極９５、そしてドレイン電極９６を有する。本実施形態のＴＦＴ素子８１は、ボトムゲート構造及びシングルゲート構造のチャネルエッチ型のＴＦＴ素子として構成されている、

ＴＦＴ素子８１から少し離れて保持容量７０が設けられている。この保持容量７０は、画素電極８５に付随する容量が小さくなり過ぎることを防止するために設けられるものである。この保持容量７０は、ゲート電極９１と同じ層内に同じ材料によって形成された第１電極９１ａと、ゲート絶縁膜９２と同じ層内に同じ材料によって形成されていて第１電極９１ａを覆う絶縁膜９２ａと、ドレイン電極９６と同じ層内に形成されていて絶縁膜９２ａを覆う第２電極９６ａとによって構成されている。図１０に示すように、保持容量７０の第１電極９１ａは、ゲート線８０に平行で、ソース線７９に交差して延びている。また、第２電極９６ａは面積の広い長方形状に形成されている。

図１４において、ドレイン電極９６は、その一端がＮ＋−Ｓｉ膜９４ｂを介して半導体膜９３に接続し、その他端が保持容量７０の第２電極９６ａとなる所まで延びている。また、ドレイン電極９６は、コンタクトホール８７を介して画素電極８５に電気的に接続している。ソース電極９５は、図１０に示すように、ソース線７９から分岐して形成されている。また、ゲート電極９１は、ソース線７９に対して直角の方向に延びるゲート線８０から分岐して延びている。

図１４において、保護膜８２と凹凸樹脂８３とから成る樹脂膜を画素電極８５の下に層間絶縁膜として設けることにより、画素電極８５の層とＴＦＴ素子８１の層は上下の別々の層に分けられている。これにより、画素電極８５とＴＦＴ素子８１とを同じ層内に形成する構造に比べて、素子基板６７の表面を有効に活用できることになっている。例えば、画素電極８５の層とＴＦＴ素子８１の層とを別層にすることにより、図１３に示すように、画素電極８５の面積をＴＦＴ素子８１によって阻害されることなく大きくすることができ、そのため、液晶表示装置において鮮明な表示を可能としている。

次に、図７において、素子基板６７に対向するカラーフィルタ基板６８は、矢印Ａ方向から見て長方形又は正方形の第２の透光性基板６８ａを有する。この第２透光性基板６８ａは、例えば、透光性のガラス、プラスチック等によって形成される。この第２透光性基板６８ａの外側表面には偏光板７８ｂが貼り付けられている。必要に応じて、偏光板７８ｂ以外の光学要素、例えば位相差板を付加的に設けることもできる。なお、素子基板６７側の偏光板７８ａとカラーフィルタ基板６８側の偏光板７８ｂはクロスニコル配置でノーマリーホワイトの表示、あるいは、パラレルニコル配置でノーマリーブラックの表示を行うものであっても良い。

第２透光性基板６８ａの内側表面には、図９にも示すように、カラーフィルタを構成する着色膜７１が形成され、その周囲に遮光膜７２が形成され、着色膜７１及び遮光膜７２の上にはオーバーコート膜７３、共通電極７４、配向膜８６ｂが順番に形成されている。配向膜８６ｂは、例えばポリイミドをローラ転写法によって塗布することによって形成される。着色膜７１は、図３に示した実施形態における着色膜４１と同じ材料によって同じ配列パターンで形成されている。

図７において、共通電極７４は、カラーフィルタ基板６８の表面の表示領域Ｖ内の略全域に設けられている。一方、素子基板６７上に設けられた複数の画素電極８５は矢印Ａ方向から平面的に見て、行方向Ｘ及び列方向Ｙに沿ってマトリクス状に並んでいる。これらの画素電極８５とカラーフィルタ基板６８上に設けられた共通電極７４とは、矢印Ａ方向から平面的に見て複数のドット状の領域で重なっている。このように重なり合った領域がサブ画素Ｄの領域となっている。そして、複数のサブ画素Ｄが行方向Ｘ及び列方向Ｙにマトリクス状に並ぶことにより、矢印Ａ方向から見て長方形状又は正方形状の表示領域Ｖが形成され、この表示領域Ｖ内に文字、数字、図形等といった像が表示される。

本実施形態においても、Ｂ，Ｇ，Ｒの３色から成る着色膜７１を用いてカラー表示を行う場合、Ｂ，Ｇ，Ｒの３色に対応する３つの着色膜７１に対応する３つのサブ画素Ｄによって１つの画素が形成される。他方、白黒又は任意の２色でモノカラー表示を行う場合、１つのサブ画素Ｄによって１つの画素が形成される。

次に、図９において、カラーフィルタ基板６８上のオーバーコート膜７３は反射表示領域Ｒ内に設けられており、透過表示領域Ｔ内には設けられていない。このため、反射表示領域Ｒ内の液晶層１２の層厚ｔ０は、透過表示領域Ｔ内の液晶層１２の層厚ｔ１よりも薄くなっている。望ましくはｔ０＝（ｔ１）／２になっている。このような液晶層１２の層厚調整は、図３に示した先の実施形態の場合と同様に、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとの間で液晶層１２を通る光の光路長を近づけることにより、表示色を均一にするために行われるものである。

次に、図７において、素子基板６７の構成要素である第１透光性基板６７ａはカラーフィルタ基板６８の外側へ張り出す張出し部５６を有している。この張出し部５６の表面には、配線５７がフォトエッチング処理等によって形成されている。配線５７は図８に示すように矢印Ａ方向から見て複数本形成されており、それらの複数本が互いに間隔をおいて並べられている。また、張出し部５６の辺端には複数本の外部接続用端子４８が互いに間隔をおいて並ぶように形成されている。これらの外部接続端子４８が設けられた張出し部５６の辺端に、例えばＦＰＣ基板（図示せず）が接続される。

複数の配線５７の中央の一部５７ａは、シール材６６に囲まれた領域内に向けて列方向Ｙに延びる状態で形成され、素子基板６７上のソース線７９（図９参照）に直接につながってデータ線として機能する。また、複数の配線５７の両側の一部５７ｂ，５７ｂは、シール材６６によって囲まれた領域内において素子基板６７の側辺に沿って列方向Ｙに延びた後、行方向Ｘへ折れ曲がる状態に形成されている。これらの曲がり形状を有する配線５７ａは、素子基板６７上のゲート線８０（図９参照）に直接につながって走査線として機能する。

張出し部５６の表面には、ＡＣＦ５１を用いたＣＯＧ技術によって、３つの駆動用ＩＣ５２が実装されている。中央の駆動用ＩＣ５２はソース線７９へデータ信号を伝送し、両脇の駆動用ＩＣ５２はゲート線２０へ走査信号を伝送する。本実施形態では３つの駆動用ＩＣを用いて駆動回路を構成したが、１つの駆動用ＩＣによって駆動用ＩＣを構成しても良い。

以上のように構成された液晶表示装置６１においても、図３に示した先の実施形態の場合と同様にして、図９において光反射膜８４で反射する外部光Ｌ０によって反射型の表示が行われ、他方、透過表示領域Ｔを透過する光Ｌ１によって透過型の表示が行われ、それらの表示が矢印Ａ方向から視認される。

本実施形態では、図７に示すように、ＴＦＴ素子８１を覆う層間絶縁膜８２，８３が基板６７ａの表面のシール材６６の外側までに至る広い範囲に設けられており、シール材６６はその層間絶縁膜８２，８３の表面に接着されている。この構成により、シール材６６と層間絶縁膜８２，８３の端部との間に液晶層１２の層厚が変動する余分な間隔（例えば、図１８の間隔Ｗ）を設ける必要がなくなり、表示領域Ｖの周辺部分に表示ムラが発生することを防止でき、さらに液晶表示装置６１の外形を小型にすることができる。また、液晶表示装置６１の外形を小型にできることにより、液晶表示装置６１を大面積のマザー基板を用いて多数個取りの手法で製造する場合に、１つのマザー基板から製造できる液晶表示装置１の個数を多くすることができる。

また、本実施形態の液晶表示装置６１においては、シール材６６が図７に示すように全体的には層間絶縁膜８２，８３の表面に接着されるが、層間絶縁膜８２，８３には図８においてシール材６６に接触する環状領域内に部分的に複数の開口７６が設けられている。Ｚ７−Ｚ７線に従った断面図である図１５（ａ）に示すように、それらの開口７６の断面形状は、基板６７ａ側からシール材６６側へ向けてすぼまる形状となっている。つまり、開口７６を形成する層間絶縁膜８２，８３の端面は、開口７６が基板６７ａ側からシール材６６側へ向けてすぼまるように、傾いている。図１５（ａ）の実施形態では、開口７６を形成する層間絶縁膜８２，８３の端面は、湾曲する傾斜面となっている。

層間絶縁膜８２，８３の適所に開口７６を設けたことにより、層間絶縁膜８２，８３のうち開口７６が設けられた部分では、その開口７６を通して基板６７ａの一部が層間絶縁膜８２，８３の外部へ露出し、その露出した基板６７ａにシール材６６が接着する。このため、シール材６６を単に層間絶縁膜８２，８３の表面に接着させる場合に比べて、高い密着力を確保できるので、シール材６６が層間絶縁膜８２，８３や基板６７ａから剥離するという不良の発生を防止できる。

開口７６の幅Ｗ０はシール材６６の幅Ｗ１よりも狭くなっている。これにより、開口７６がシール材６６の外側へはみ出すことを防いでいる。開口７６がシール材６６の外側へはみ出すと、シール材６６を形成すべき面に段差ができてシール材６６を正常に印刷できない。これに対し、開口７６がシール材６６の外側にはみ出さないようにした本実施形態では、シール材６６の印刷不良が無くなる。

図８において、配線５７は張出し部５６に近い部分のＩＣ側シール材６６を横切って、すなわち交差して、列方向Ｙに延びている。このように配線５７とシール材６６とが交差する部分に対応して開口７６が設けられると、配線５７が断線するおそれがある。そこで本実施形態では、ＩＣ側にあるシール材６６に対応する層間絶縁膜８２，８３の所では、配線５７とシール材６６とが交差する部分を避けて開口７６を設けている。これにより、配線５７に断線が発生することを防止している。

図１５（ａ）に示す実施形態では、開口７６を形成する層間絶縁膜８２，８３の側端面を湾曲形状とした。しかしながら、これに代えて、開口７６を形成する層間絶縁膜８２，８３の側端面を図１５（ｂ）に示すように、直線状の傾斜面とすることもできる。この場合でも、開口７６は基板６７ａ側からシール材６６側へ向けてすぼまる形状になるので、シール材６６の基板６７ａに対する密着力を高く維持できる。

（その他の実施形態）
以上、好ましい実施形態を挙げて本発明を説明したが、本発明はその実施形態に限定されるものでなく、請求の範囲に記載した発明の範囲内で種々に改変できる。

例えば、図１に示した実施形態では、カラーフィルタ基板８上に形成されるオーバーコート膜４３をシール材６の外側まで延在させ、このオーバーコート膜４３のうちシール材６と接触する領域の一部分に開口３６（図２及び図６参照）を設けて、シール材６の基板８ａに対する密着力を高くした。

また、図７に示した実施形態では、素子基板６７上に形成される層間絶縁膜８２，８３をシール材６６の外側まで延在させ、この層間絶縁膜８２，８３のうちシール材６６と接触する領域の一部分に開口７６（図８及び図１５参照）を設けて、シール材６６の基板６７ａに対する密着力を高くした。

しかしながら、シール材の外側まで延在させるべき樹脂膜は、オーバーコート膜や層間絶縁膜以外の任意の樹脂膜とすることができる。また、シール材の外側まで延在させるべき樹脂膜は、カラーフィルタ基板及び素子基板のいずれか一方に設けられる樹脂膜に限られるものではなく、カラーフィルタ基板上に設けられる何等かの樹脂膜及び素子基板上に設けられる何等かの樹脂膜の両方をシール材の外側まで延在させ、さらにそれら両方の樹脂膜の所定位置に基板表面を露出させるための開口を設けても良い。

また、図２及び図８のそれぞれに示した実施形態ではシール材６，６６の一部分に対応して開口３６，７６を設けたが、これに代えて、シール材６，６６の全域に対応して開口を設けることもできる。

また、以上の説明では、ＥＣＢモードの液晶表示装置に本発明を適用したが、本発明はその他の任意の液晶表示モードの液晶表示装置、例えばＶＡ（Vertically Aligned：垂直配向）モードの液晶表示装置にも適用できる。また、本発明は、スイッチング素子を用いない単純マトリクス方式の液晶表示装置にも、適用できる。さらに、本発明は液晶表示装置以外の電気光学装置、例えば有機ＥＬ（Electro Luminescence）装置、無機ＥＬ装置、プラズマディスプレイ装置にも適用できる。

（電子機器の実施形態）
以下、本発明に係る電子機器を実施形態を挙げて説明する。なお、この実施形態は本発明の一例を示すものであり、本発明はこの実施形態に限定されるものではない。

図１６は、本発明に係る電子機器の一実施形態を示している。ここに示す電子機器は、液晶表示装置１０１と、これを制御する制御回路１０２とを有する。液晶表示装置１０１は液晶パネル１０３及び駆動回路１０４を有する。制御回路１０２は、表示情報出力源１０５、表示情報処理回路１０６、電源回路１０７及びタイミングジェネレータ１０８によって構成される。

表示情報出力源１０５は、ＲＡＭ(Random Access Memory)等といったメモリや、各種ディスク等といったストレージユニットや、ディジタル画像信号を同調出力する同調回路等を備え、タイミングジェネレータ１０８により生成される各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等といった表示情報を表示情報処理回路１０６に供給する。

表示情報処理回路１０６は、増幅・反転回路や、ローテーション回路や、ガンマ補正回路や、クランプ回路等といった周知の回路を多数備え、入力した表示情報の処理を実行して、画像信号をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路１０４へ供給する。ここで、駆動回路１０４は、走査線駆動回路やデータ線駆動回路と共に、検査回路等を総称したものである。また、電源回路１０７は、上記の各構成要素に所定の電源電圧を供給する。

液晶表示装置１０１は、例えば図１に示した液晶表示装置１や図７に示した液晶表示装置６１を用いて構成できる。これらの液晶表示装置１，６１においては、シール材と樹脂膜との間に液晶層厚が変動する余分な間隔（例えば、図１８の間隔Ｗ）を設ける必要がないので、電気光学装置の周辺部分に表示ムラが発生することを防止でき、さらに電気光学装置の平面形状を小型にすることができる。従って、この液晶表示装置を用いた本実施形態の電子機器においても、高品質の表示を行うことができ、さらに、液晶表示装置の周辺にスペース的な余裕を持つことができる。

さらに、液晶表示装置１，６１においては、シール材に対応する領域の樹脂膜の一部分又は全部に開口を設けることによりシール材の基板に対する密着力を高めたので、シール材によって貼り合わされた一対の基板が剥がれることがなくなり、長期間にわたって安定した表示を行うことができる。従って、この液晶表示装置を用いた本実施形態の電子機器においても、長期間にわたって安定した表示を行うことができる。

図１７は、本発明に係る電子機器の他の実施形態である携帯電話機を示している。ここに示す携帯電話機１１０は、本体部１１１と、これに開閉可能に設けられた表示体部１１２とを有する。液晶表示装置等といった電気光学装置によって構成された表示装置１１３は、表示体部１１２の内部に配置され、電話通信に関する各種表示は、表示体部１１２において表示画面１１４によって視認できる。本体部１１１には操作ボタン１１５が配列されている。

表示体部１１２の一端部にはアンテナ１１６が伸縮自在に取付けられている。表示体部１１２の上部に設けられた受話部１１７の内部には、図示しないスピーカが配置される。また、本体部１１１の下端部に設けられた送話部１１８の内部には図示しないマイクが内蔵されている。表示装置１１３の動作を制御するための制御部は、携帯電話機の全体の制御を司る制御部の一部として、又はその制御部とは別に、本体部１１１又は表示体部１１２の内部に格納される。

表示装置１１３は、例えば図１に示した液晶表示装置１や図７に示した液晶表示装置６１を用いて構成できる。これらの液晶表示装置１，６１においては、シール材と樹脂膜との間に液晶層厚が変動する余分な間隔（例えば、図１８の間隔Ｗ）を設ける必要がないので、電気光学装置の周辺部分に表示ムラが発生することを防止でき、さらに電気光学装置の平面形状を小型にすることができる。従って、この液晶表示装置を用いた本実施形態の携帯電話機においても、高品質の表示を行うことができ、さらに、液晶表示装置の周辺にスペース的な余裕を持つことができる。

さらに、液晶表示装置１，６１においては、シール材に対応する領域の樹脂膜の一部分又は全部に開口を設けることによりシール材の基板に対する密着力を高めたので、シール材によって貼り合わされた一対の基板が剥がれることがなくなり、長期間にわたって安定した表示を行うことができることになった。従って、この液晶表示装置を用いた本実施形態の携帯電話機においても、長期間にわたって安定した表示を行うことができる。

なお、電子機器としては、以上に説明した携帯電話機等の他にも、パーソナルコンピュータ、液晶テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話機、ＰＯＳ端末器等が挙げられる。

本発明に係る電気光学装置の一実施形態である液晶表示装置の側面断面図。 図１の液晶表示装置の平面断面図。 図１の矢印Ｚ１に示す部分の拡大図。 図３の矢印Ａに従った平面図。 図４のＺ２−Ｚ２線に従ってＴＦＤ素子の断面構造を示す断面図。 図２のＺ４−Ｚ４線に従って開口の断面構造を示す断面図であり、（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ異なった実施形態を示している。 本発明に係る電気光学装置の他の実施形態である液晶表示装置の側面断面図。 図７の液晶表示装置の平面断面図。 図７の矢印Ｚ５に示す部分の拡大図。 ＴＦＴ素子の形成過程を示す平面図。 樹脂膜の形成過程を示す平面図。 光反射膜の形成過程を示す平面図。 画素電極の形成過程を示す平面図。 図１３のＺ６−Ｚ６線に従ってＴＦＴ素子の断面構造を示す断面図である。 図８のＺ７−Ｚ７線に従って開口の断面構造を示す断面図であり、（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ異なった実施形態を示している。 本発明に係る電子機器の一実施形態を示すブロック図。 本発明に係る電子機器の他の実施形態である携帯電話機を示す斜視図。 従来の電気光学装置の要部を示す断面図。

符号の説明

１，６１．液晶表示装置（電気光学装置）、 ２，６２．液晶パネル、 ３．照明装置、
６，６６．シール材、 ７，６７．素子基板、 ７ａ，６７ａ．第１透光性基板、
８，６８．カラーフィルタ基板、 ８ａ，６８ａ．第２透光性基板、 １３．ＬＥＤ、
１４．導光体、 １８ａ，１８ｂ．偏光板、 １９．データ線、 ２２．層間絶縁膜、
２３．光反射膜、 ２４．画素電極、 ２５．導電膜、 ２５ａ．平面部分、
２６ａ，２６ｂ．配向膜、 ３１．ＴＦＤ素子（スイッチング素子）、
３１ａ．第１ＴＦＤ要素、 ３１ｂ．第２ＴＦＤ要素、 ３２．第１素子電極、
３３．絶縁膜、 ３４ａ，３４ｂ．第２素子電極、 ３６，７６．開口、
４１，７１．着色膜、 ４２，７２．遮光膜、 ４３．オーバーコート膜（樹脂膜）、
４４．帯状電極、 ４６，５６．張出し部、 ４７，５７．配線、 ７０．保持容量、
７３．オーバーコート膜、 ７４．共通電極、 ７８ａ，７８ｂ．偏光板、
７９．ソース線、 ８０．ゲート線、 ８１．ＴＦＴ素子、
８２．保護膜（層間絶縁膜）、 ８３．凹凸樹脂膜（層間絶縁膜）、 ８４．光反射膜、
８５．画素電極、 ８６ａ，８６ｂ．配向膜、 ８７．コンタクトホール、
９１．ゲート電極、 ９１ａ．保持容量第１電極、 ９２．ゲート絶縁膜、
９２ａ．保持容量絶縁膜、 ９３．半導体膜、 ９４ａ，９４ｂ．Ｎ＋−Ｓｉ膜、
９５．ソース電極、 ９６．ドレイン電極、 ９６ａ．保持容量第２電極、
１０１．液晶表示装置（電気光学装置）、 １０２．制御回路、 １０３．液晶パネル、
１０４．駆動回路、 １１０．携帯電話機（電子機器）、 Ｄ．サブ画素、
Ｅ．層間絶縁膜の端部、 Ｇ．セルギャップ、 Ｌ０，Ｌ１．光、 Ｒ．反射表示領域、
Ｔ．透過表示領域、 Ｖ．表示領域、 Ｗ．幅

Claims (7)

1. 互いに対向する一対の基板と、該一対の基板の少なくとも一方に設けられた樹脂膜と、該樹脂膜を介して前記一対の基板を貼り合わせるシール材と、前記一対の基板間であって前記シール材によって囲まれた領域に設けられた電気光学物質とを有する電気光学装置において、前記樹脂膜のうち前記シール材が接触する領域内には前記基板を露出させる開口が設けられ、該開口の幅は前記シール材の幅よりも狭いことを特徴とする電気光学装置。
2. 請求項１記載の電気光学装置において、前記開口は前記樹脂膜のうち前記シール材が接触する領域内に部分的に複数設けられることを特徴とする電気光学装置。
3. 請求項１又は請求項２記載の電気光学装置において、前記開口は前記基板側から前記シール材側へ向けてすぼまる形状であることを特徴とする電気光学装置。
4. 請求項１から請求項３のいずれか１つに記載の電気光学装置において、前記一対の基板の少なくとも一方には前記シール材と交差する状態の配線が設けられ、該配線が前記シール材と交差する部分の前記樹脂膜には前記開口は設けられないことを特徴とする電気光学装置。
5. 請求項１から請求項４のいずれか１つに記載の電気光学装置において、前記一対の基板の一方に所定の配列で設けられた複数の着色膜を有し、前記樹脂膜は前記着色膜を覆うオーバーコート膜であることを特徴とする電気光学装置。
6. 請求項１から請求項４のいずれか１つに記載の電気光学装置において、前記一対の基板の一方に設けられたスイッチング素子と、該スイッチング素子を覆う層間絶縁膜と、該層間絶縁膜の表面に設けられた電極と、前記層間絶縁膜内に設けられ前記スイッチング素子と前記電極とを電気的に接続させるスルーホールとを有し、前記樹脂膜は前記層間絶縁膜であることを特徴とする電気光学装置。
7. 請求項１から請求項６のいずれか１つに記載の電気光学装置を有することを特徴とする電子機器。
   

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