JP2007199181A - 電気光学装置、電子機器および電気光学装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】素子基板において下層側の層構成が異なる領域の各々に遮光層を形成した場合で
も、各々の領域を適正に遮光可能な電気光学装置、およびこの電気光学装置を備えた電子
機器を提供すること。
【解決手段】液晶装置１において、素子基板１０には、画素電極２ａの間に重なる第１の
遮光層５１と、薄膜トランジスタ１ｃに対してその上層側で重なる第２の遮光層５２とを
同層位置に形成する。また、対向基板２０には、第２の遮光層５２と重なる位置に第３の
遮光層５３を形成する。第１の遮光層５１および第２の遮光層５２をスピンコート法によ
り塗布した遮光性樹脂により同時形成するにあたって、遮光性樹脂の膜厚は、第２の遮光
層５２に要求される光学濃度に基づいて設定する。
【選択図】図４

Description

本発明は、画素電極の間およびスイッチング素子と重なるように遮光層が形成された電
気光学装置、この電気光学装置を備えた電子機器、および当該電気光学装置の製造方法に
関するものである。

アクティブマトリクス型の液晶装置（電気光学装置）では、図１２（ａ）、（ｂ）に示
すように、対向基板２０との間に液晶１ｆを保持する素子基板１０上に薄膜トランジスタ
１ｃ、およびこの薄膜トランジスタ１ｃを介してソース線６ａおよびゲート線３ａに電気
的に接続された画素電極２ａが形成されており、ゲート線３ａから供給されるゲート信号
による制御の下、ソース線６ａから薄膜トランジスタ１ｃを介して画素電極２ａに印加さ
れた画像信号により液晶分子の配向を画素１ｂごとに制御する。なお、ゲート線３ａに対
しては、保持容量を形成するための容量線３ｂが並列している。

このような構成の液晶装置では、隣接する画素電極２ａの間から光が漏れると表示した
画像の品位が低下する。また、バックライトから出射された光が素子基板１０の側から入
射した後、迷光となって薄膜トランジスタ１ｃに入射した場合や、対向基板２０の側から
入射した外光が薄膜トランジスタ１ｃに入射した場合には、光電流によってオフリーク電
流の増大などが発生し、コントラスト低下やクロストーク発生の原因となる。

そこで、対向基板２０に対してブラックマトリクスと称せられる遮光層５３ｘを形成し
た構造が広く採用されている。ここで、遮光層５３ｘは、隣接する画素電極２ａの間と重
なる領域に形成されているとともに、薄膜トランジスタ１ｃと重なる位置にも形成されて
いる。

しかしながら、対向基板２０に遮光層５３ｘを形成した場合には、素子基板１０と対向
基板２０とを対向配置する際のアライメントずれを考慮して、隣接する画素電極２ａの間
隔や薄膜トランジスタ１ｃの形成領域に比較して遮光層５３ｘを十分、広く形成する必要
があるため、画素開口率が低下するという問題点がある。そこで、遮光層については、素
子基板の方に形成することが提案されている（例えば、特許文献１、２参照）。

このような構成は、例えば、図１３（ａ）、（ｂ）に示すように表わされ、素子基板１
０において、隣接する画素電極２ａの間には遮光層５１ｘが形成されるとともに、薄膜ト
ランジスタ１ｃの上層側で薄膜トランジスタ１ｃと重なる領域には遮光層５２ｘが形成さ
れている。このような遮光層５１ｘ、５２ｘを形成するには、素子基板１０に薄膜トラン
ジスタ１ｃおよびパッシベーション膜８を形成した後、スピンコート法などにより素子基
板１０全体に遮光性樹脂を塗布し、この遮光性樹脂に露光、現像を行って、遮光性樹脂か
らなる遮光層５１ｘ、５２ｘを同時形成する。
特開平９−１０５９５３号公報 特開平１０−２０２９８号公報

しかしながら、素子基板１０のように場所によって層構成が大きく相違する基板上に遮
光性樹脂によって遮光層５１ｘ、５２ｘを形成した場合には、遮光膜５１ｘ、５２ｘを最
適な光学濃度に形成できないため、以下のような問題点が発生する。

例えば、図１３（ａ）、（ｂ）に示す構成の場合、薄膜トランジスタ１ｃと重なる領域
に形成された遮光層５２ｘの下層側には、ゲート電極（ゲート線３ａ）、半導体層７ａ、
ソース線６ａ（あるいはドレイン電極６ｂ）などが形成されているのに対して、画素電極
２ａの間に形成された遮光層５１ｘの下層側には、ゲート電極（ゲート線３ａ）、半導体
層７ａ、ソース線６ａ（あるいはドレイン電極６ｂ）のうち、ソース線６ａあるいはゲー
ト線３ａのみが形成されているだけであるため、薄膜トランジスタ１ｃと重なる領域に形
成された遮光層５２ｘは、画素電極２ａの間に形成された遮光層５１ｘと比較して膜厚が
薄くなる。

従って、膜厚が厚い方の遮光膜５１ｘに求められる遮光性（光学濃度）を基準にスピン
コート法などにより塗布する遮光性樹脂の膜厚を設定すると、遮光膜５２ｘの遮光性が不
十分になってしまうという問題点がある。これに対して、膜厚が薄い方の遮光膜５２ｘに
求められる遮光性（光学濃度）を基準にスピンコート法などにより塗布する遮光性樹脂の
膜厚を設定すると、遮光層５１ｘの膜厚がかなり厚いものとなってしまい、大きな段差が
発生する。その結果、遮光層５１ｘの上層側に平坦化膜９を厚く形成しても、遮光層５１
ｘの膜厚に起因する段差は平坦化膜９によって吸収されず、液晶層１ｆの層厚のばらつき
やラビングのばらつきが発生し、コントラストが低下するという新たな問題点が発生する
。

以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、素子基板において下層側の層構成が異なる領
域の各々に遮光層を形成した場合でも、各々の領域を適正に遮光可能な電気光学装置、お
よびこの電気光学装置を備えた電子機器を提供することにある。

上記課題を解決するために、本発明では、複数のデータ線と複数の走査線との交差に対
応してスイッチング素子および画素電極が設けられた素子基板と、該素子基板に対向配置
された対向基板と、該対向基板と前記素子基板との間に保持された液晶層とを有する電気
光学装置において、前記素子基板には、隣接する前記画素電極の間と重なる遮光性樹脂膜
からなる第１の遮光層と、前記スイッチング素子の上層側で当該スイッチング素子と重な
る遮光性樹脂膜からなる第２の遮光層とが同一の層間に形成され、前記対向基板には、前
記第２の遮光層と重なる第３の遮光層が形成されていることを特徴とする。

本発明では、素子基板に対して、隣接する前記画素電極の間と重なる第１の遮光層と、
前記スイッチング素子の上層側で当該スイッチング素子と重なる第２の遮光層とが形成さ
れているため、素子基板と対向基板とを対向配置する際に多少のアライメントずれが発生
しても、画素電極の間およびスイッチング素子の形成領域を遮光層で覆うことができる。
それ故、遮光層を幅広に形成する必要がないので、高い画素開口率を確保することができ
る。また、スピンコート法などにより素子基板全体に塗布した遮光性樹脂を部分的に残し
て第１の遮光層および第２の遮光層を形成する際、遮光性樹脂の膜厚は、スイッチング素
子の形成領域では、下層側の層構成の影響を受けて画素電極の間よりも薄くなる傾向にあ
って第２の遮光層で光学濃度が低すぎるおそれがあるが、対向基板において第２の遮光層
と重なる領域には第３の遮光層が形成されているため、全体としては、スイッチング素子
に対する遮光を確実に行うことができる。それ故、素子基板に遮光性樹脂を塗布する際の
厚さについては、第１の遮光層に要求される光学濃度を満たす範囲で可能な限り薄くする
ことができるので、素子基板の側に遮光層を形成した場合でも、上層側に大きな段差を発
生させることがない。

本発明は、前記第２の遮光層において膜厚が最も薄い部分における膜厚が、前記第１の
遮光層において膜厚が最も薄い部分における膜厚よりも薄い場合に適用すると効果的であ
る。すなわち、第１の遮光層および第２の遮光層を形成する際、スピンコート法により素
子基板に遮光性樹脂を塗布すると、第２の遮光層において膜厚が最も薄い部分における膜
厚が、第１の遮光層において膜厚が最も薄い部分における膜厚よりも薄くなる傾向にある
が、かかる場合でも、本発明によれば、スイッチング素子に対する遮光を確実に行うこと
ができる。

本発明において、前記第１の遮光層と前記第２の遮光層は、同一の樹脂材料により形成
されていることが好ましい。

本発明において、前記第１の遮光層と前記第２の遮光層は各々、同一の厚さにおける光
学濃度が相違する樹脂材料により形成されている構成を採用してもよい。

本発明において、前記第１の遮光層は、例えば、光学濃度が３．０以上であるように構
成される。このように構成すると、画素電極間の遮光については、素子基板に形成した第
１の遮光性のみで十分である。

本発明において、前記スイッチング素子は、薄膜トランジスタである構成を採用するこ
とができる。

本発明は、前記薄膜トランジスタが、アモルファスシリコン膜からなる能動層と、該能
動層の下層側に形成されたゲート電極とを備えている構成を採用した場合に適用すると特
に効果的である。このようなボトムゲート構造の薄膜トランジスタの場合、製造工程が少
ないなどの利点がある一方、トップゲート構造の薄膜トランジスタと違って、ゲート電極
にソース電極およびドレイン電極が部分的に必然的に重なった構造になるため、薄膜トラ
ンジスタの形成領域が他の領域よりも高くなり、第１の遮光層および第２の遮光層を形成
する際、スピンコート法により素子基板に遮光性樹脂を塗布すると、薄膜トランジスタの
形成領域で遮光性樹脂が薄くなりやすい。このような場合でも、本発明を適用すれば、第
２の遮光層による遮光を第３の遮光層が補ってくれるので、スイッチング素子に対する遮
光を確実に行うことができる。

本発明において、前記第２の遮光層と前記第３の遮光層とは、前記走査線の延在する方
向および前記データ線の延在する方向のうちの少なくとも一方における寸法が同一である
ことが好ましい。このように第３の遮光層の形成面積を狭くすると、高い画素開口率を確
保できる。

本発明において、前記第３の遮光層と、前記薄膜トランジスタにおいて能動層を構成す
る半導体層とは、前記走査線の延在する方向および前記データ線の延在する方向のうちの
少なくとも一方における寸法が同一であることが好ましい。このように第３の遮光層の形
成面積を狭くすると、高い画素開口率を確保できる。

本発明に係る電気光学装置は、例えば、モバイルコンピュータや携帯電話機などの電子
機器に用いられる。

本発明では、複数のデータ線と複数の走査線との交差に対応するようにスイッチング素
子および画素電極が設けられた素子基板と、該素子基板に対向配置された対向基板と、該
対向基板と前記素子基板との間に保持された液晶層とを有する電気光学装置の製造方法に
おいて、前記データ線および前記走査線のうちの少なくとも一方の配線と前記スイッチン
グ素子とを前記素子基板に形成した後、当該素子基板に対して、隣接する前記画素電極の
間と重なる第１の遮光層と、前記スイッチング素子の上層側で当該スイッチング素子と重
なる第２の遮光層とを同時あるいは連続して形成する素子基板側遮光層形成工程と、前記
対向基板に対して、前記第２の遮光層と重なる位置に第３の遮光層を形成する対向基板側
遮光層形成工程と、前記素子基板と前記対向基板とを所定の間隔を介して貼り合せる貼り
合せ工程とを有し、前記素子基板側遮光層形成工程では、前記配線および前記スイッチン
グ素子の上層側に遮光性樹脂をスピンコート法により塗布した後、当該遮光性樹脂を部分
的に残して前記第１の遮光層および前記第２の遮光層を形成することを特徴とする。

本発明において、前記素子基板側遮光層形成工程では、前記第１の遮光層と前記第２の
遮光層とを同時形成することが好ましい。

本発明において、前記素子基板側遮光層形成工程で塗布する前記遮光性樹脂の厚さを、
前記第１の遮光層に求められる光学濃度を満たすように設定することが好ましい。

以下に図面を参照して、本発明を適用した電気光学装置、およびこの電気光学装置を備
えた電子機器について説明する。なお、以下の説明において用いる各図面は、各層や各部
材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材ごとに縮尺を相違させて
ある。

［実施の形態１］
（液晶装置の全体構成）
図１（ａ）、（ｂ）は、それぞれ、本発明を適用した結晶装置（電気光学装置）をその
上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのＨ―Ｈ´線に
沿って切断した様子を模式的に示す断面図である。

図１（ａ）、（ｂ）において、本形態の液晶装置１は、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍ
ａｔｉｃ）モード、ＥＣＢ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ Ｂｉｒ
ｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、あるいはＶＡＮ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｅｄ
Ｎｅｍａｔｉｃ）モードの透過型のアクティブマトリクス型の液晶装置であり、シール材
２２を介して素子基板１０と対向基板２０とが貼り合わされ、その間に液晶１ｆが保持さ
れている。素子基板１０において、シール材２２の外側に位置する端部領域には、信号線
駆動用ＩＣ６０、および走査線駆動用ＩＣ３０が実装されているとともに、基板辺に沿っ
て実装端子１２が形成されている。シール材２２は、素子基板１０と対向基板２０とをそ
れらの周辺で貼り合せるための光硬化樹脂や熱硬化樹脂などからなる接着剤であり、両基
板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー、あるいはガラスビーズ等のギャップ
材が配合されている。なお、シール材２２には、その途切れ部分によって液晶注入口２５
が形成され、液晶１ｆを注入した後、封止材２６により封止されている。ここで、液晶装
置１に対して素子基板１０の側、および対向基板２０の側には位相差板や偏向板が配置さ
れるが、本発明とは直接、関係しないので、それらの図示および説明を省略する。

素子基板１０には、スイッチング素子としての薄膜トランジスタ１ｃや画素電極２ａが
マトリクス状に形成され、その表面に配向膜１９が形成されている。これに対して、対向
基板２０には、シール材２２の内側領域に遮光性材料からなる額縁２４（図１（ｂ）では
図示を省略）が形成され、その内側が画像表示領域１ａになっている。また、素子基板１
０および対向基板２０には、詳しくは後述するが、各画素の縦横の境界領域と対向する領
域上、および薄膜トランジスタ１ｃと対向する領域にブラックマトリクスなどと称させる
遮光層（図１では図示を省略）が形成されている。また、対向基板２０には、対向電極２
８および配向膜２９が形成され、さらに、図１では図示を省略するが、対向基板２０にお
いて、素子基板１０の各画素に対向する領域には、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）
のカラーフィルタがその保護膜などとともに形成され、それにより液晶装置１をモバイル
コンピュータ、携帯電話機、液晶テレビなどといった電子機器のカラー表示装置として用
いることができる。

（素子基板１０の構成）
図２は、図１に示す液晶装置の素子基板の電気的な構成を示す説明図である。図２に示
すように、素子基板１０には、画像表示領域１ａに相当する領域に複数のソース線６ａ（
データ線）および複数のゲート線３ａ（走査線）が互いに交差する方向に形成され、これ
らの配線の交差部分に対応する位置に画素１ｂ（画素領域）が構成されている。ゲート線
３ａは走査線駆動用ＩＣ３０から延びており、ソース線６ａは信号線駆動用ＩＣ６０から
延びている。また、素子基板１０には、液晶１ｆの駆動を制御するための画素スイッチン
グ用の薄膜トランジスタ１ｃが各画素１ｂに形成され、薄膜トランジスタ１ｃのソースに
はソース線６ａが電気的に接続され、薄膜トランジスタ１ｃのゲートにはゲート線３ａが
電気的に接続されている。

さらに、素子基板１０には、ゲート線３ａと並行して容量線３ｂが形成されている。本
形態では、薄膜トランジスタ１ｃに対して、対向基板２０との間に構成された液晶容量１
ｇが直列に接続されているとともに、液晶容量１ｇに対して並列に保持容量１ｈが接続さ
れている。ここで、容量線３ｂは、走査線駆動用ＩＣ３０に接続されているが、定電位に
保持されている。

このように構成した液晶装置１では、薄膜トランジスタ１ｃを一定期間だけそのオン状
態とすることにより、ソース線６ａから供給される画像信号を各画素１ｂの液晶容量１ｇ
に所定のタイミングで書き込む。このようにして液晶容量１ｇに書き込まれた所定レベル
の画像信号は、液晶容量１ｇで一定期間保持されるとともに、保持容量１ｈは、液晶容量
１ｇに保持された画像信号がリークするのを防止している。

（各画素の構成）
図３は、本発明の実施の形態１に係る素子基板の画素１つ分を遮光層の図示を省略して
示す平面図である。図４は、本発明の実施の形態１に係る液晶装置を図３のＡ―Ｂ−Ｃ線
に沿って切断したときの断面図である。なお、図３において、走査線および容量線につい
ては実線で示し、データ線およびドレイン電極については一点鎖線で示し、画素電極につ
いては長い点線で示し、半導体膜について短い点線で示してある。

図３に示すように、素子基板１０では、ゲート線３ａとソース線６ａで囲まれた領域が
画素１ｂとして構成され、ゲート線３ａおよびソース線６ａは、隣接する画素電極２ａの
間（隣接する画素２ｂの境界領域）に沿って延びている。画素１ｂには、ボトムゲート型
の薄膜トランジスタ１ｃの能動層を構成するアモルファスシリコン膜からなる半導体層７
ａが形成されている。半導体層７ａのうち、ソース側の端部には、ソース線６ａがソース
電極として重なっており、ドレイン側の端部にはドレイン電極６ｂが重なっている。また
、ゲート線３ａの一部によってゲート電極が形成されており、ゲート線３ａと並列して容
量線３ｂが形成されている。

また、画素１ｂには、容量線３ｂの一部を下電極３ｃとし、ドレイン電極６ｂからの延
設部分を上電極６ｃとする保持容量１ｈが形成されている。また、上電極６ｃに対しては
、コンタクトホール８１、９１を介して、ＩＴＯ膜からなる画素電極２ａが電気的に接続
されている。

このように構成した素子基板１０のＡ−Ｂ−Ｃ断面は、図４に示すように表される。ま
ず、ガラス基板や石英基板からなる透光性の絶縁基板１１上には、アルミニウム膜やタン
タル膜などからなるゲート線３ａ（ゲート電極）および容量線３ｂが形成されているとと
もに、容量線３ｂの一部によって保持容量１ｈの下電極３ｃが形成されている。ゲート線
３ａの上層側には、ゲート線３ａを覆うようにシリコン酸化膜やシリコン窒化膜からなる
ゲート絶縁層４が形成されている。ゲート絶縁層４の表面のうち、ゲート線３ａの上層側
には、薄膜トランジスタ１ｃの能動層を構成するアモルファスシリコンからなる半導体層
７ａが形成されている。半導体層７ａのうち、ソース領域の上層には、ドープトシリコン
膜からなるオーミックコンタクト層７ｂ、およびアルミニウム膜やクロム膜などからなる
ソース線６ａが形成され、ドレイン領域の上層には、ドープトシリコン膜からなるオーミ
ックコンタクト層７ｃ、およびアルミニウム膜やクロム膜などからなるドレイン電極６ｂ
が形成され、薄膜トランジスタ１ｃが構成されている。また、ドレイン電極６ｂの延設部
分によってアルミニウム膜やクロム膜などからなる保持容量１ｈの上電極６ｃが形成され
ている。また、薄膜トランジスタ１ｃおよび保持容量１ｈの上層側には、シリコン酸化膜
やシリコン窒化膜などからなるパッシベーション膜８が形成されている。

詳しくは後述するが、パッシベーション膜８の上層側のうち、隣接する画素電極２ａの
間には第１の遮光膜５１が形成され、薄膜トランジスタ１ｃの上層側には第２の遮光層５
２が形成されている。これらの遮光層５１、５２およびパッシベーション膜８の上層側に
は、感光性樹脂層からなる平坦化膜９が形成されており、パッシベーション膜８および平
坦化膜９は、層間絶縁膜としての機能も兼ね備えている。平坦化膜９の表面に形成された
画素電極２ａは、平坦化膜９に形成されたコンタクトホール９１、およびパッシベーショ
ン膜８に形成されたコンタクトホール８１を介して上電極６ｃに電気的に接続し、上電極
６ｃおよびドレイン電極６ｂを介して薄膜トランジスタ１ｃのドレイン領域に電気的に接
続している。また、画素電極２ａの表面には配向膜１９が形成されている。

なお、図３および図４に示す素子基板１０では、画素電極２ａの端部がソース線６ａお
よびゲート線３ａに重なっていない構造になっているが、画素電極２ａの端部がソース線
６ａおよびゲート線３ａの少なくとも一方と重なっている構造を採用する場合がある。こ
のような構造を採用した場合でも本発明を適用することができる。

このように構成された素子基板１０に対向するように対向基板２０が配置され、素子基
板１０と対向基板２０との間には、液晶層１ｆが保持されている。対向基板２０には、赤
色（Ｒ）、青色（Ｂ）、緑色（Ｇ）に対応するカラーフィルタ２７、対向電極２８および
配向膜２９が形成されており、画素電極２ａと対向電極２８との間に、図２に示す液晶容
量１ｇが構成される。対向基板２０には、詳しくは後述するが、カラーフィルタ２７の下
層側のうち、第２の遮光層５２と対向する領域に第３の遮光層５３が形成されている。

なお、対向基板２０にも、カラーフィルタ２７や第３の遮光層５３に起因する段差を平
坦化するための平坦化膜が形成される場合があり、また、対応する色が相違する画素２ｂ
では、カラーフィルタ２７の端部同士を部分的に重ねて形成する場合がある。このような
構造を採用した場合でも本発明を適用することができる。

（遮光層の構成）
図５は、本発明の実施の形態１に係る液晶装置の各画素に形成した遮光層の平面的な配
置を示す説明図である。なお、図５においても、図３と同様、走査線および容量線につい
ては実線で示し、データ線およびドレイン電極については一点鎖線で示し、画素電極につ
いては長い点線で示し、半導体膜について短い点線で示してある。また、図５において、
素子基板に対する第１の遮光層および第２の遮光層の形成領域については右上がりの斜線
を付してあり、対向基板に対する第３の遮光層の形成領域については右下がりの斜線を付
してある。

図４および図５に示すように、本形態の液晶装置１においては、まず、素子基板１０に
対しては、パッシベーション膜８の上層のうち、隣接する画素電極２ａの間と重なる領域
に遮光性樹脂からなる第１の遮光層５１が形成されており、第１の遮光層５１は、ソース
線６ａおよびゲート線３ａを完全に覆っている。また、第１の遮光層５１は、画素電極２
ａの端部とも重なっている。

また、本形態では、素子基板１０に対しては、パッシベーション膜８の上層のうち、薄
膜トランジシタ１ｃの形成領域と重なる領域に遮光性樹脂からなる第２の遮光層５２が形
成されており、第２の遮光層５２は、アモルファスシリコン膜からなる半導体層７ａを完
全に覆っている。また、第２の遮光層５２は、ソース線６ａのうち、ソース電極として機
能する部分の全体を覆っているとともに、ドレイン電極６ｂのうち、コンタクトホール８
１、９１が形成されている領域まで覆っている。

ここで、第１の遮光層５１と第２の遮光層５２はいずれも、パッシベーション膜８の上
層、すなわち同一の層間に一体に形成されており、隣接する画素電極２ａの間のうち、薄
膜トランジシタ１ｃの形成領域（半導体層７ａ、ソース電極およびドレイン電極６ｂ）以
外の領域に形成された部分を第１の遮光層５１と称する。また、薄膜トランジシタ１ｃの
形成領域（半導体層７ａ、ソース電極およびドレイン電極６ｂ）と重なっている領域を第
２の遮光層５２と称する。

さらに、本形態では、対向基板２０に対しては、素子基板１０に形成した第２の遮光層
５２と重なる領域に、遮光性樹脂あるいは遮光性金属からなる第３の遮光層５３が形成さ
れている。ここで、第３の遮光層５３は、第２の遮光層５２よりも形成面積が広く、薄膜
トランジシタ１ｃの形成領域（半導体層７ａ、ソース電極およびドレイン電極６ｂ）を完
全に覆った状態にある。例えば、第３の遮光層５３については、第２の遮光層５２の外周
縁よりも２〜５μｍ張り出している。

このように構成した液晶装置１において、素子基板１０に形成した第１の遮光層５１お
よび第２の遮光層５２は、後述するように、パッシベーション膜８を形成した後、その上
にスピンコート法により塗布した遮光性樹脂を露光、現像することにより同時形成したも
のであり、同一の遮光性樹脂材料から構成されている。ここで、スピンコート法により塗
布する遮光性樹脂の厚さは、第１の遮光層５１に求められる遮光性（光学濃度）を基準に
設定される。

このように構成した素子基板１０において、第１の遮光層５１の下層側には、ゲート絶
縁層４、ソース線６ａ（あるいはゲート線３ａ）、およびパッシベーション膜８のみが形
成されているのに対して、第２の遮光層５２の下層側には、ゲート電極（ゲート線３ａ）
、ゲート絶縁層４、半導体層７ａ、コンタクト層７ｂ、７ｃ、ソース電極（ソース線６ａ
）、ドレイン電極６ｂ、およびパッシベーション膜８が形成されている。このため、パッ
シベーション膜８を形成し終えた時点において、薄膜トランジスタ１ｃの形成領域は、画
素電極２ａの間に相当する領域より高い位置にある。従って、パッシベーション膜８の上
にスピンコート法により遮光性樹脂を塗布した際、薄膜トランジシタ１ｃの形成領域では
遮光性樹脂が薄く塗布され、画素電極２ａの間には遮光性樹脂が厚く塗布されるので、第
１の遮光層５１と第２の遮光層５２とを膜厚が最も薄い部分同士を比較すると、第２の遮
光層５２は、第１の遮光層５１よりも薄い。例えば、第１の遮光層５１の膜厚は最も薄い
部分で約１１００〜１５００ｎｍであるのに対して、第２の遮光層５２の膜厚は最も薄い
部分で約７００ｎｍである。

（液晶装置１の製造方法）
次に、図４、図５および図６（ａ）〜（ｃ）を参照して液晶装置１の製造方法を説明す
る。なお、以下の工程は、素子基板２０および対向基板３０を多数取りできる大型の元基
板の状態で行われるが、以下の説明では、単品サイズおよび大型の元基板については区別
せず、素子基板１０および対向基板２０と称する。

図６（ａ）〜（ｃ）は、本形態の液晶装置１の製造工程のうち、素子基板１０に対して
第１の遮光層５１および第２の遮光層５２を形成する工程の断面図であり、図４と同様、
図３におけるＡ−Ｂ−Ｃ断面に相当する。本形態の液晶装置１を製造するにあたって、素
子基板１０に薄膜トランジスタ１ｃおよびパッシベーション膜８を形成するまでの工程は
、従来と略同様であるため、図６（ａ）を参照して簡単に説明する。まず、大型のガラス
基板あるいは石英基板などの絶縁基板１１の表面に厚さが例えば１３０ｎｍのアルミニウ
ム膜やタンタル膜などの金属膜を形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いて金属膜を
パターニングし、ゲート線３ａ（ゲート電極）、容量線３ｂおよび下電極３ｃを形成する
。次に、プラズマＣＶＤ法により、厚さが例えば４００ｎｍのシリコン窒化膜からなるゲ
ート絶縁層４を形成する。次に、プラズマＣＶＤ法により、厚さが例えば３００ｎｍの真
性のアモルファスシリコン膜からなる半導体膜、および厚さが例えば５０ｎｍのｎ型シリ
コン膜からなるオーミックコンタクト層を順次、形成した後、フォトリソグラフィ技術を
用いてパターニングし、オーミックコンタクト層および半導体層７ａを同時成形する。次
に、厚さが例えば１３０ｎｍのアルミニウム膜やクロム膜などの金属膜を形成した後、フ
ォトリソグラフィ技術を用いて金属膜をパターニングし、ソース線６ａ、ドレイン電極６
ｂ、および上電極６ｃを形成する。次に、ソース線６ａおよびドレイン電極６ｂをマスク
として用いて、ソース線６ａとドレイン電極６ｂとの間のオーミックコンタクト層をエッ
チングにより除去し、ソース・ドレインの分離を行う。その結果、ソース線６ａおよびド
レイン電極６ｂが形成されていない領域からオーミックコンタクト層が除去されてオーミ
ックコンタクト層７ｂ、７ｃが形成される。その際、半導体層７ａの表面の一部がエッチ
ングされる。このようにして、ボトムゲート型の画素スイッチング用の薄膜トランジスタ
１ｃ、および保持容量１ｈが形成される。次に、プラズマＣＶＤ法により、厚さが例えば
２００ｎｍのシリコン窒化膜からなるパッシベーション膜８を形成する。

次に、素子基板１０に対して第１の遮光層５１および第２の遮光層５２を同時形成する
素子基板側遮光層形成工程を行う。それには、まず、図６（ｂ）に示すように、パッシベ
ーション膜８の上層側に対してスピンコート法により、感光性の遮光性樹脂５０を素子基
板１０全体に塗布する。この際、遮光性樹脂５０の膜厚については、遮光性樹脂５０の単
位厚さ当たりの光学濃度、および第１の遮光層５１に求められる遮光性（光学濃度）に応
じて設定する。本形態では、第１の遮光層５１の膜厚が約１１００〜１５００ｎｍとなる
ように遮光性樹脂５０の膜厚を設定する。

次に、遮光性樹脂５０を露光、現像して、図５および図６（ｃ）に示すように、第１の
遮光層５１および第２の遮光層５２を同時形成する。

それ以降の工程は、従来と略同様であるため、図４を参照して簡単に説明する。まず、
スピンコート法により、感光性の透光性樹脂を塗布した後、露光、現像して、コンタクト
ホール９１を備えた平坦化膜９を形成する。次に、フォトリソグラフィ技術を用いてパッ
シベーション膜８に対してエッチングを行い、コンタクトホール９１と重なる位置にコン
タクトホール８１を形成する。次に、スパッタ法により、膜厚が例えば５０ｎｍのＩＴＯ
膜を形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングし、画素電極２ａを形成
する。次に、配向膜１９を形成するためのポリイミド膜を形成した後、ラビング処理を施
す。

一方、対向基板２０の製造方法は、従来と略同様であるため、図４を参照して簡単に説
明する。まず、大型の対向基板２０に対して、素子基板１０の第２の遮光層５２と重なる
位置に第３の遮光層５３を形成する対向基板側遮光層形成工程を行う。ここで、第３の遮
光層５３を遮光性樹脂により形成する場合には、スピンコート法により、感光性の遮光性
樹脂を対向基板２０全体に塗布した後、露光、現像し、第３の遮光層５３を形成する。こ
れに対して、第３の遮光層５３をクロムなどの遮光性金属膜により形成する場合には、ス
パッタ法により遮光性金属膜を形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニン
グし、第３の遮光層５３を形成する。なお、第３の遮光層５３について、次に行うカラー
フィルタ形成工程において、複数色のカラーフィルタを重ねることにより形成してもよく
、このような構成を採用した場合には、製造工程数の削減を図ることができる。

次に、第３の遮光層５３の上層側に各色の感光性樹脂にＲＧＢのカラーフィルタ２７を
順次、形成する。次に、スパッタ法によりＩＴＯ膜を形成した後、フォトリソグラフィ技
術を用いてパターニングし、対向電極２８を形成する。次に、配向膜２９を形成するため
のポリイミド膜を形成した後、ラビング処理を施す。

このようにして形成された大型の素子基板１０および対向基板２０を、貼り合わせ工程
においてシール材２２で貼り合わせた後、所定のサイズに切断する。これにより、液晶注
入口２５が開口するので、液晶注入口２５から素子基板１０と対向基板２０との間に液晶
１ｆを注入した後、液晶注入口２５を封止材２６により封止する。

（本形態の主な効果）
このように構成した液晶装置１では、素子基板１０の側にバックライトが配置され、こ
のバックライトからの出射光を画素毎に光変調して対向基板２０の側から出射し、透過モ
ードで画像を表示する。その際、素子基板１０において画素電極２ａの間と重なる領域に
第１の遮光層５１が形成されているため、画素電極２ａの間から光が漏れることがない。
また、素子基板１０には、薄膜トランジスタ１ｃの形成領域と重なる領域に第２の遮光層
５２が形成されているため、バックライトから入射した光の迷光や外光が薄膜トランジス
タ１ｃに入射することを防止できる。従って、光電流に起因するオフリーク電流の増大な
どを防止できるので、本形態の液晶装置１によれば、コントラストの低下やクロストーク
が発生しない。このように本形態では、素子基板１０に対して、隣接する画素電極２ａの
間と重なる第１の遮光層５１と、薄膜トランジスタ１ｃの上層側で薄膜トランジスタ１ｃ
と重なる第２の遮光層５２とが形成されているため、素子基板１０と対向基板２０とを対
向配置する際に多少のアライメントずれが発生しても、画素電極２ａおよび薄膜トランジ
スタ１ｃの形成領域を遮光層５１、５２で確実に覆うことができる。それ故、遮光層５１
、５２を幅広に形成する必要がないので、高い画素開口率を確保することができる。

ここで、第２の遮光層５２は、第１の遮光層５１に比して厚さが薄いにもかかわらず、
第１の遮光層５１および第２の遮光層５２を形成するために素子基板１０にスピンコート
法により塗布した遮光性樹脂５０の厚さは、第１の遮光層５１に求められる遮光性（光学
濃度）を基準に設定されており、第２の遮光層５２に求められる遮光性（光学濃度）につ
いては考慮されていない。例えば、素子基板１０にスピンコート法により塗布した遮光性
樹脂５０の厚さは、第１の遮光層５１の光学濃度が３．０以上になるように設定されてい
るが、第２の遮光層５２に求められる光学濃度については考慮されていない。それ故、第
２の遮光層５２のみでは、バックライトから入射した光の迷光や外光が薄膜トランジスタ
１ｃに入射することを確実に防止することはできないが、本形態では、対向基板２０にお
いて第２の遮光層５２と重なる領域には第３の遮光層５３が形成されている。従って、全
体としては、薄膜トランジスタ１ｃに対する遮光を確実に行うことができる。それ故、本
形態によれば、素子基板１０に遮光性樹脂を塗布する際の厚さについては、第１の遮光層
５１に要求される光学濃度を満たす範囲で可能な限り薄くすることができるので、素子基
板１０の側に遮光層５１、５２を形成した場合でも、平坦化膜９の上層側に大きな段差を
発生させることがない。それ故、液晶層１ｆの層厚のばらつきやラビングのばらつきが発
生しないので、コントラストなどの向上を図ることができる。

また、本形態では、半導体層７ａがアモルファスシリコン膜からなり、かつ、能動層の
下層側にゲート電極（ゲート線３ａ）を備えたボトムゲート構造の薄膜トランジスタ１ｃ
に本発明を適用したため、製造工程が少ないなどの利点がある。また、ボトムゲート構造
の薄膜トランジスタ１ｃでは、トップゲート構造の薄膜トランジスタと違って、ゲート線
３ａにソース線６ａおよびドレイン電極６ｂが部分的に必然的に重なった構造になるため
、薄膜トランジスタ１ｃの形成領域が他の領域よりも高くなり、第１の遮光層５１および
第２の遮光層５２を形成する際、スピンコート法により素子基板１０に遮光性樹脂５０を
塗布すると、薄膜トランジスタ１ｃの形成領域で遮光性樹脂５０が薄くなりやすい。この
ような場合でも、本形態によれば、第２の遮光層５１による遮光を第３の遮光層５３が補
ってくれるので、薄膜トランジスタ１ｃに対する遮光を確実に行うことができる。

［実施の形態２］
図７は、本発明の実施の形態２に係る液晶装置を図３のＡ―Ｂ−Ｃ線に相当する位置で
切断したときの断面図である。図８は、本発明の実施の形態２に係る液晶装置の各画素に
形成した遮光層の平面的な配置を示す説明図である。図８においても、図３および図５と
同様、走査線および容量線については実線で示し、データ線およびドレイン電極について
は一点鎖線で示し、画素電極については長い点線で示し、半導体膜について短い点線で示
してある。また、図８において、素子基板に対する第１の遮光層および第２の遮光層の形
成領域については右上がりの斜線を付してあり、対向基板に対する第３の遮光層の形成領
域については右下がりの斜線を付してある。なお、本形態は、基本的な構成が実施の形態
１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。

図７および図８に示すように、本形態の液晶装置１においても、素子基板１０に対して
は、隣接する画素電極２ａの間と重なる領域に遮光性樹脂からなる第１の遮光層５１が形
成されており、第１の遮光層５１は、ソース線６ａおよびゲート線３ａを完全に覆ってい
る。また、第１の遮光層５１は、画素電極２ａの端部とも重なっている。素子基板１０に
対しては、薄膜トランジシタ１ｃの形成領域と重なる領域にも遮光性樹脂からなる第２の
遮光層５２が形成されており、第２の遮光層５２は、アモルファスシリコン膜からなる半
導体層７ａを完全に覆っている。但し、第２の遮光層５２は、実施の形態１と比較して形
成面積が狭く、ソース線６ａのうち、ソース電極として機能する部分、およびドレイン電
極６ｂのうち、半導体層７ａと重なる部分をやや広めに覆っている程度である。

また、対向基板２０に対しては、素子基板１０に形成した第２の遮光層５２と重なる領
域に、遮光性樹脂あるいは遮光性金属からなる第３の遮光層５３が形成されている。ここ
で、第３の遮光層５３は、実施の形態１と比較して形成面積が狭く、第３の遮光層５３は
、第２の遮光層５２とソース線６ａの延在する方向における寸法が略同一である。その他
の構成は実施の形態１であるため、説明を省略する。

このように構成した場合も、素子基板１０には画素電極２ａの間と重なる領域に第１の
遮光層５１が形成されているため、画素電極２ａの間から光が漏れることがない。また、
素子基板１０には、薄膜トランジスタ１ｃの形成領域と重なる領域に第２の遮光層５２が
形成されているため、バックライトから入射した光の迷光や外光が薄膜トランジスタ１ｃ
に入射することを防止できる。しかも、対向基板２０において第２の遮光層５２と重なる
領域には第３の遮光層５３が形成されているため、第２の遮光層５２の膜厚が薄い場合で
も、全体としては、薄膜トランジスタ１ｃに対する遮光を確実に行うことができる。それ
故、本形態によれば、素子基板１０に遮光性樹脂を塗布する際の厚さについては、第１の
遮光層５１に要求される光学濃度を満たす範囲で可能な限り薄くすることができる。それ
故、素子基板１０の側に遮光層５１、５２を形成した場合でも、平坦化膜９の上層側に大
きな段差を発生させることがないので、液晶層１ｆの層厚のばらつきやラビングのばらつ
きが発生しないので、コントラストなどの向上を図ることができるなど、実施の形態１と
同様な効果を奏する。

また、本形態において、第３の遮光層５３は、実施の形態１と比較して形成面積が狭い
ため、素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせる際にアライメントずれが発生した場
合でも画素開口率が低下することがない。ここで、第３の遮光層５３は、実施の形態１と
比較して形成面積が狭いが、少なくも素子基板１０には薄膜トランジスタ１ｃの形成領域
と重なる領域に第２の遮光層５２が形成されているため、素子基板１０と対向基板２０と
を貼り合わせる際にアライメントずれが発生した場合でも、バックライトから入射した光
の迷光や外光が薄膜トランジスタ１ｃに強い光量をもって入射することを防止できる。

なお、本形態では、第２の遮光層５２と第３の遮光層５３は、ソース線６ａの延在する
方向における寸法が略同一であったが、ゲート線３ａの延在する方向における寸法が略同
一の構成、あるいはソース線６ａの延在する方向およびゲート線３ａの延在する方向にお
ける寸法が各々、略同一の構成を採用してもよい。

［実施の形態３］
図９は、本発明の実施の形態３に係る液晶装置を図３のＡ―Ｂ−Ｃ線に相当する位置で
切断したときの断面図である。図１０は、本発明の実施の形態２に係る液晶装置の各画素
に形成した遮光層の平面的な配置を示す説明図である。図１０においても、図３および図
５と同様、走査線および容量線については実線で示し、データ線およびドレイン電極につ
いては一点鎖線で示し、画素電極については長い点線で示し、半導体膜について短い点線
で示してある。また、図１０において、素子基板に対する第１の遮光層および第２の遮光
層の形成領域については右上がりの斜線を付してあり、対向基板に対する第３の遮光層の
形成領域については右下がりの斜線を付してある。なお、本形態は、基本的な構成が実施
の形態１、２と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省
略する。

図９および図１０に示すように、本形態の液晶装置においても、素子基板１０に対して
は、隣接する画素電極２ａの間と重なる領域に遮光性樹脂からなる第１の遮光層５１が形
成されており、第１の遮光層５１は、ソース線６ａおよびゲート線３ａを完全に覆ってい
る。また、第１の遮光層５１は、画素電極２ａの端部とも重なっている。素子基板１０に
対しては、薄膜トランジシタ１ｃの形成領域と重なる領域にも遮光性樹脂からなる第２の
遮光層５２が形成されており、第２の遮光層５２は、アモルファスシリコン膜からなる半
導体層７ａを完全に覆っている。但し、第２の遮光層５２は、実施の形態１と比較して形
成面積が狭く、ソース線６ａのうち、ソース電極として機能する部分、およびドレイン電
極６ｂのうち、半導体層７ａと重なる部分をやや広めに覆っている程度である。

また、対向基板２０に対しては、素子基板１０に形成した第２の遮光層５２と重なる領
域に、遮光性樹脂あるいは遮光性金属からなる第３の遮光層５３が形成されている。ここ
で、第３の遮光層５３は、実施の形態１、２と比較して形成面積が狭く、第３の遮光層５
３は、能動層を構成する半導体層７ａとソース線６ａの延在する方向における寸法が略同
一である。その他の構成は実施の形態１であるため、説明を省略する。

このように構成した場合も、素子基板１０には画素電極２ａの間と重なる領域に第１の
遮光層５１が形成されているため、画素電極２ａの間から光が漏れることがない。また、
素子基板１０には、薄膜トランジスタ１ｃの形成領域と重なる領域に第２の遮光層５２が
形成されているため、バックライトから入射した光の迷光や外光が薄膜トランジスタ１ｃ
に入射することを防止できる。しかも、対向基板２０において第２の遮光層５２と重なる
領域には第３の遮光層５３が形成されているため、第２の遮光層５２の膜厚が薄い場合で
も、全体としては、薄膜トランジスタ１ｃに対する遮光を確実に行うことができる。それ
故、本形態によれば、素子基板１０に遮光性樹脂を塗布する際の厚さについては、第１の
遮光層５１に要求される光学濃度を満たす範囲で可能な限り薄くすることができる。それ
故、素子基板１０の側に遮光層５１、５２を形成した場合でも、平坦化膜９の上層側に大
きな段差を発生させることがないので、液晶層１ｆの層厚のばらつきやラビングのばらつ
きが発生しないので、コントラストなどの向上を図ることができるなど、実施の形態１と
同様な効果を奏する。

また、本形態では、第３の遮光層５３は、実施の形態１と比較して形成面積が狭いため
、素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせる際にアライメントずれが発生した場合で
も画素開口率が低下することがない。ここで、第３の遮光層５３は、実施の形態１、２と
比較して形成面積が狭いが、少なくも素子基板１０には薄膜トランジスタ１ｃの形成領域
と重なる領域に第２の遮光層５２が形成されているため、素子基板１０と対向基板２０と
を貼り合わせる際にアライメントずれが発生した場合でも、バックライトから入射した光
の迷光や外光が薄膜トランジスタ１ｃに強い光量をもって入射することを防止できる。

なお、本形態では、第３の遮光層５２と半導体層７ａはソース線６ａの延在する方向に
おける寸法が略同一であったが、ゲート線３ａの延在する方向における寸法が略同一の構
成、あるいはソース線６ａの延在する方向およびゲート線３ａの延在する方向における寸
法が各々、略同一の構成を採用してもよい。

［その他の実施の形態］
上記形態では、第１の遮光層５１および第２の遮光層５２を同一の遮光性樹脂を用いて
同時形成したが、第１の遮光層５１および第２の遮光層５２を同一厚さにおける光学濃度
が相違する樹脂材料により形成してもよい。この場合には、第２の遮光層５２を構成する
遮光性樹脂としては、第１の遮光層５１を構成する遮光性樹脂よりも同一の厚さにおける
光学濃度が高い樹脂材料を用いることが好ましい。このような構成を採用した場合には、
遮光性樹脂の塗布、露光、現像を２回行って、第１の遮光層５１および第２の遮光層５２
を順次形成することになる。但し、このような樹脂材料を用いて第１の遮光層５１および
第２の遮光層５２を形成する場合も、第２の遮光層５２は、下層側の層構成の影響を受け
て膜厚が薄くなりやく、光学濃度が不足しやすいので、それを補うように、対向基板２０
に第３の遮光層５３を形成すればよい。

また、上記形態では、ＴＮモード、ＥＣＢモード、あるいはＶＡＮモードのアクティブ
マトリクス型の液晶装置を例に説明したが、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ Ｓｗｉｔｃｈｉ
ｎｇ）モードの液晶装置（電気光学装置）に本発明を適用してもよい。

［電子機器の実施の形態］
図１１は、本発明に係る液晶装置を各種の電子機器の表示装置として用いる場合の一実
施形態を示している。ここに示す電子機器は、パーソナルコンピュータや携帯電話機など
であり、表示情報出力源１７０、表示情報処理回路１７１、電源回路１７２、タイミング
ジェネレータ１７３、そして液晶装置１を有する。また、液晶装置１は、パネル１７５お
よび駆動回路１７６を有しており、前述した液晶装置１に用いることができる。表示情報
出力源１７０は、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ
Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）等といったメモリ、各種ディスク等といったストレージ
ユニット、デジタル画像信号を同調出力する同調回路等を備え、タイミングジェネレータ
１７３によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号
等といった表示情報を表示情報処理回路１７１に供給する。表示情報処理回路１７１は、
シリアル−パラレル変換回路や、増幅・反転回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路
、クランプ回路等といった周知の各種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、
その画像信号をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路１７６へ供給する。電源回路１７２は
、各構成要素に所定の電圧を供給する。

（ａ）、（ｂ）は、それぞれ、本発明を適用した結晶装置（電気光学装置）をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのＨ―Ｈ´線に沿って切断した様子を模式的に示す断面図である。 図１に示す液晶装置の素子基板の電気的な構成を示す説明図である。 本発明の実施の形態１に係る素子基板の画素１つ分を遮光層の図示を省略して示す平面図である。 本発明の実施の形態１に係る液晶装置を図３のＡ―Ｂ−Ｃ線に沿って切断したときの断面図である。 本発明の実施の形態１に係る液晶装置の各画素に形成した遮光層の平面的な配置を示す説明図である。 （ａ）〜（ｃ）は、本形態の液晶装置の製造工程のうち、素子基板に対して遮光層を形成する工程の断面図である。 本発明の実施の形態２に係る液晶装置を図３のＡ―Ｂ−Ｃ線に相当する位置で切断したときの断面図である。 本発明の実施の形態２に係る液晶装置の各画素に形成した遮光層の平面的な配置を示す説明図である。 本発明の実施の形態３に係る液晶装置を図３のＡ―Ｂ−Ｃ線に相当する位置で切断したときの断面図である。 本発明の実施の形態３に係る液晶装置の各画素に形成した遮光層の平面的な配置を示す説明図である。 本発明に係る液晶装置を各種の電子機器の表示装置として用いた場合の構成を示す説明図である。 （ａ）、（ｂ）はそれぞれ、従来の液晶装置の各画素に形成した遮光層の平面的な配置を示す説明図、およびその断面図である。 （ａ）、（ｂ）はそれぞれ、従来の別の液晶装置の各画素に形成した遮光層の平面的な配置を示す説明図、およびその断面図である。

符号の説明

１・・液晶装置、１ｃ・・薄膜トランジスタ、３ａ・・ゲート線（走査線）、６ａ・・ソ
ース線（データ線）、９・・平坦化膜、１０・・素子基板、２０・・対向基板、２７・・
カラーフィルタ、５１・・第１の遮光層、５２・・第２の遮光層、５３・・第３の遮光層

Claims (13)

1. 複数のデータ線と複数の走査線との交差に対応してスイッチング素子および画素電極が
   設けられた素子基板と、該素子基板に対向配置された対向基板と、該対向基板と前記素子
   基板との間に保持された液晶層とを有する電気光学装置において、
   前記素子基板には、隣接する前記画素電極の間と重なる遮光性樹脂膜からなる第１の遮
   光層と、前記スイッチング素子の上層側で当該スイッチング素子と重なる遮光性樹脂膜か
   らなる第２の遮光層とが同一の層間に形成され、
   前記対向基板には、前記第２の遮光層と重なる第３の遮光層が形成されていることを特
   徴とする電気光学装置。
2. 前記第２の遮光層において膜厚が最も薄い部分における膜厚が、前記第１の遮光層にお
   いて膜厚が最も薄い部分における膜厚よりも薄いことを特徴とする請求項１に記載の電気
   光学装置。
3. 前記第１の遮光層と前記第２の遮光層は、同一の樹脂材料により形成されていることを
   特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置。
4. 前記第１の遮光層と前記第２の遮光層は各々、同一の厚さにおける光学濃度が相違する
   樹脂材料により形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置
   。
5. 前記第１の遮光層は、光学濃度が３．０以上であることを特徴とする請求項１乃至４の
   何れか一項に記載の電気光学装置。
6. 前記スイッチング素子は、薄膜トランジスタであることを特徴とする請求項１乃至５の
   何れか一項に記載の電気光学装置。
7. 前記薄膜トランジスタは、アモルファスシリコン膜からなる能動層と、該能動層の下層
   側に形成されたゲート電極とを備えていることを特徴とする請求項６に記載の電気光学装
   置。
8. 前記第２の遮光層と前記第３の遮光層とは、前記走査線の延在する方向および前記デー
   タ線の延在する方向のうちの少なくとも一方における寸法が同一であることを特徴とする
   請求項６または７に記載の電気光学装置。
9. 前記第３の遮光層と、前記薄膜トランジスタにおいて能動層を構成する半導体層とは、
   前記走査線の延在する方向および前記データ線の延在する方向のうちの少なくとも一方に
   おける寸法が同一であることを特徴とする請求項６または７に記載の電気光学装置。
10. 請求項１乃至９の何れか一項に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする電子
    機器。
11. 複数のデータ線と複数の走査線との交差に対応するようにスイッチング素子および画素
    電極が設けられた素子基板と、該素子基板に対向配置された対向基板と、該対向基板と前
    記素子基板との間に保持された液晶層とを有する電気光学装置の製造方法において、
    前記データ線および前記走査線のうちの少なくとも一方の配線と前記スイッチング素子
    とを前記素子基板に形成した後、当該素子基板に対して、隣接する前記画素電極の間と重
    なる第１の遮光層と、前記スイッチング素子の上層側で当該スイッチング素子と重なる第
    ２の遮光層とを同時あるいは連続して形成する素子基板側遮光層形成工程と、
    前記対向基板に対して、前記第２の遮光層と重なる位置に第３の遮光層を形成する対向
    基板側遮光層形成工程と、
    前記素子基板と前記対向基板とを所定の間隔を介して貼り合せる貼り合せ工程と、を有
    し、
    前記素子基板側遮光層形成工程では、前記配線および前記スイッチング素子の上層側に
    遮光性樹脂をスピンコート法により塗布した後、当該遮光性樹脂を部分的に残して前記第
    １の遮光層および前記第２の遮光層を形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法
    。
12. 前記素子基板側遮光層形成工程では、前記第１の遮光層と前記第２の遮光層とを同時形
    成することを特徴とする請求項１１に記載の電気光学装置の製造方法。
13. 前記素子基板側遮光層形成工程で塗布する前記遮光性樹脂の厚さを、前記第１の遮光層
    に求められる光学濃度を満たすように設定することを特徴とする請求項１２に記載の電気
    光学装置の製造方法。

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