JP2007158264A - 半導体実装回路テープ用スペーサテープ - Google Patents
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Abstract
【課題】回路テープの製造や保管のための共巻き用に使用されるスペーサテープであって、回路テープを損傷することがなく、製造が容易で生産性に優れ、軽量で耐久性に優れるスペーサテープを提供する。
【解決手段】半導体実装回路テープ用スペーサテープ1おいては、プラスチックフィルムの少なくとも片側の面aに、外側の凸部2aと内側の凹部2bとからなる、少なくとも2列の突起2が長さ方向に形成され、凹部2bに樹脂3が充填されている。
【選択図】図1
【解決手段】半導体実装回路テープ用スペーサテープ1おいては、プラスチックフィルムの少なくとも片側の面aに、外側の凸部2aと内側の凹部2bとからなる、少なくとも2列の突起2が長さ方向に形成され、凹部2bに樹脂3が充填されている。
【選択図】図1
Description
本発明は、半導体実装回路テープの製造や保管の際に共巻き用として用いられる、スペーサテープ及びその製造方法に関するものである。
近年、パソコンやテレビなどのディスプレイには、省スペース化等の観点から薄型化が要求されている。そのため、液晶ディスプレイパネル(LCD)等のフラットパネルディスプレイに対する需要が高まっている。これらのフラットパネルディスプレイを駆動させるためには、通常駆動用の半導体が用いられ、このような駆動用の半導体の多くは、TAB(Tape Automated Bonding)もしくはCOF(Chip on Flex Circuit)と呼ばれる半導体実装回路テープ(以下、単に「回路テープ」とも記す。)に実装される。
これらの回路テープの製造は、通常次の方法により行われる。
まず、ポリイミド樹脂などのプラスチックフィルムテープにエポキシ樹脂等の接着剤を塗布し、デバイスホールと呼ばれる開口部をパンチングにより形成し、これに銅箔をホットローラ等で熱接合してテープ状銅張積層板とし、更に両端部にスプロケットホールと呼ばれる搬送用の連続穴を形成する。次に、銅エッチング用感光性レジストの塗布、露光、現像、銅エッチング、レジスト剥離等により回路を形成し、その回路を保護するための保護用レジスト層を形成することにより、回路テープを製造する。
まず、ポリイミド樹脂などのプラスチックフィルムテープにエポキシ樹脂等の接着剤を塗布し、デバイスホールと呼ばれる開口部をパンチングにより形成し、これに銅箔をホットローラ等で熱接合してテープ状銅張積層板とし、更に両端部にスプロケットホールと呼ばれる搬送用の連続穴を形成する。次に、銅エッチング用感光性レジストの塗布、露光、現像、銅エッチング、レジスト剥離等により回路を形成し、その回路を保護するための保護用レジスト層を形成することにより、回路テープを製造する。
なお、回路テープの製造は、次の方法によっても行われる。
ポリイミドなどの耐熱性フィルム上にスパッタリングやメッキ等の方法により銅層を形成した銅張積層板や、圧延銅箔又は電解銅箔にポリイミドワニスを塗布しポリイミド層を形成させた銅張積層板などのいわゆる無接着剤銅張積層板を原材料として用い、これらをスリットしてテープ状とし、これに上記と同様にスプロケットホールの形成、回路の形成、更に保護用レジスト層を形成することにより、回路テープを製造する。
ポリイミドなどの耐熱性フィルム上にスパッタリングやメッキ等の方法により銅層を形成した銅張積層板や、圧延銅箔又は電解銅箔にポリイミドワニスを塗布しポリイミド層を形成させた銅張積層板などのいわゆる無接着剤銅張積層板を原材料として用い、これらをスリットしてテープ状とし、これに上記と同様にスプロケットホールの形成、回路の形成、更に保護用レジスト層を形成することにより、回路テープを製造する。
これらの回路テープの製造には、通常、アルミニウムやプラスチック等で作られたリールを用いる、リールtoリールと呼ばれる方式が採用され、各工程の巻き出し及び巻き取りが連続的に行われる。
リールtoリール方式においては、回路テープをリールに巻き取るときに、回路テープ同士が接触し、その表面にダメージが発生する可能性がある。そこで、回路テープにダメージを与えないために、スペーサテープが用いられる。スペーサテープは、ポリエチレンテレフタレートやポリイミド等のプラスチックフィルムからなり、その両端にエンボス加工を施すことにより凸部が規則的に設けられているものである。従って、スペーサテープを回路テープと共巻きすれば、回路テープ同士が接触することがないので、回路テープの表面が保護される。
このように回路テープと共巻きして用いられるスペーサテープ6は、一般的に図7(a)(b)に示されるように、プラスチックテープ8の両端部にエンボス加工により、突起7を形成することにより製造される。そのため、プラスチックテープの片側の面では突起7が形成される一方で、反対側の面では凹部7bが形成される。このように凹部のあるスペーサテープ6と、回路テープとを共巻きすると、突起7と凹部7bの位置が重なり合った際に、突起7が回路テープと共に凹部7bに入り込んでしまい、その結果、回路テープの端面で波うちが発生し、回路テープ表面の損傷や、テストパッド、インナーリード、アウターリード等のボンディング部にダメージが発生し易いという問題が発生する。
なお、図7(a)は、従来のスペーサテープの平面図、同(b)はVII−VII線に沿う縦断面図である。
なお、図7(a)は、従来のスペーサテープの平面図、同(b)はVII−VII線に沿う縦断面図である。
このような問題点を解決するための発明が、特許文献1や特許文献2に開示されている。
特許文献1には、片面または両面に突起が形成されたチップスペーサが提案されている。特許文献1に開示されているチップスペーサは、ポリプロピレン、ポリアセタール、ポリエチレン等の合成樹脂製の個片からなるスペーサ用突起と、ポリエチレンテレフタレート等の合成樹脂ベース材とを別々に製作してから、合成樹脂ベース材にスペーサ用突起を、接着剤による接着、超音波接着あるいは溶着等の方法により凸部が形成されたものである。
特許文献1には、片面または両面に突起が形成されたチップスペーサが提案されている。特許文献1に開示されているチップスペーサは、ポリプロピレン、ポリアセタール、ポリエチレン等の合成樹脂製の個片からなるスペーサ用突起と、ポリエチレンテレフタレート等の合成樹脂ベース材とを別々に製作してから、合成樹脂ベース材にスペーサ用突起を、接着剤による接着、超音波接着あるいは溶着等の方法により凸部が形成されたものである。
しかしながら、特許文献1に開示されたチップスペーサは、別途作製された突起をベース材に固着する方法により製造されたものなので、生産性が悪い上に、スペーサ重量が重く、突起がベース材から脱落しやすいなど、取り扱いや耐久性に問題があるものであった。
また、特許文献2には、テープの両面に、該テープの左右両端に沿って一定の間隔で光硬化型樹脂を塗布及び乾燥させて成る突起が形成されているスペーサテープが開示されている。このスペーサテープは、製造が容易で生産性には優れている。
しかしながら、特許文献2に開示されたスペーサテープは、光硬化型樹脂からなる突起が樹脂製のテープに固着しているだけなのでテープから脱落しやすく、取り扱いや耐久性に問題があるものであった。
しかしながら、特許文献2に開示されたスペーサテープは、光硬化型樹脂からなる突起が樹脂製のテープに固着しているだけなのでテープから脱落しやすく、取り扱いや耐久性に問題があるものであった。
このような状況下、製造が容易で、生産性に優れ、軽量で耐久性に優れるスペーサテープの開発が待ち望まれてきた。
本発明の目的は、回路テープの製造や保管のための共巻き用に使用されるスペーサテープであって、回路テープを損傷することがなく、製造が容易で生産性に優れ、軽量で耐久性に優れるスペーサテープを提供することにある。
本発明によれば、以下に示す半導体実装回路テープ用スペーサテープ及びその製造方法が提供される。
〔1〕プラスチックフィルムの少なくとも片側の面に、外側の凸部と内側の凹部とからなる、少なくとも2列の突起が長さ方向に形成され、該凹部に樹脂が充填されていることを特徴とする半導体実装回路テープ用スペーサテープ。
〔2〕該凹部に充填されている樹脂が、硬化後のガラス転移温度が100℃以上の熱硬化性樹脂であることを特徴とする前記〔1〕に記載の半導体実装回路テープ用スペーサテープ。
〔3〕該凹部に充填されている樹脂が、エポキシ樹脂であることを特徴とする前記〔1〕又は〔2〕に記載の半導体実装回路テープ用スペーサテープ。
〔4〕該凸部の高さが0.3〜3mmであることを特徴とする前記〔1〕〜〔3〕のいずれかに記載の半導体実装回路テープ用スペーサテープ。
〔5〕該プラスチックフィルムのガラス転移温度が100℃以上であることを特徴とする前記〔1〕〜〔4〕のいずれかに記載の半導体実装回路テープ用スペーサテープ。
〔6〕該プラスチックフィルムの材質が、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリスルフォン、ポリエーテルスルフォン、ポリエチレンナフタレートの群から選択されたものであることを特徴とする前記〔1〕〜〔5〕のいずれかに記載の半導体実装回路テープ用スペーサテープ。
〔7〕該プラスチックフィルムの厚みが50〜500μmであることを特徴とする前記〔1〕〜〔6〕のいずれかに記載の半導体実装回路テープ用スペーサテープ。
〔8〕テープ幅が10〜350mmであることを特徴とする前記〔1〕〜〔7〕のいずれかに記載の半導体実装回路テープ用スペーサテープ。
〔9〕該凸部の形状が半球形、ナベ形、角形のうちの何れかであることを特徴とする前記〔1〕〜〔8〕のいずれかに記載の半導体実装回路テープ用スペーサテープ。
〔10〕プラスチックフィルムの少なくとも片側の面に、外側の凸部と内側の凹部とからなる突起を、長さ方向に少なくとも2列形成する工程と、該凹部に樹脂を充填する工程とを有することを特徴とする半導体実装回路テープ用スペーサテープの製造方法。
〔1〕プラスチックフィルムの少なくとも片側の面に、外側の凸部と内側の凹部とからなる、少なくとも2列の突起が長さ方向に形成され、該凹部に樹脂が充填されていることを特徴とする半導体実装回路テープ用スペーサテープ。
〔2〕該凹部に充填されている樹脂が、硬化後のガラス転移温度が100℃以上の熱硬化性樹脂であることを特徴とする前記〔1〕に記載の半導体実装回路テープ用スペーサテープ。
〔3〕該凹部に充填されている樹脂が、エポキシ樹脂であることを特徴とする前記〔1〕又は〔2〕に記載の半導体実装回路テープ用スペーサテープ。
〔4〕該凸部の高さが0.3〜3mmであることを特徴とする前記〔1〕〜〔3〕のいずれかに記載の半導体実装回路テープ用スペーサテープ。
〔5〕該プラスチックフィルムのガラス転移温度が100℃以上であることを特徴とする前記〔1〕〜〔4〕のいずれかに記載の半導体実装回路テープ用スペーサテープ。
〔6〕該プラスチックフィルムの材質が、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリスルフォン、ポリエーテルスルフォン、ポリエチレンナフタレートの群から選択されたものであることを特徴とする前記〔1〕〜〔5〕のいずれかに記載の半導体実装回路テープ用スペーサテープ。
〔7〕該プラスチックフィルムの厚みが50〜500μmであることを特徴とする前記〔1〕〜〔6〕のいずれかに記載の半導体実装回路テープ用スペーサテープ。
〔8〕テープ幅が10〜350mmであることを特徴とする前記〔1〕〜〔7〕のいずれかに記載の半導体実装回路テープ用スペーサテープ。
〔9〕該凸部の形状が半球形、ナベ形、角形のうちの何れかであることを特徴とする前記〔1〕〜〔8〕のいずれかに記載の半導体実装回路テープ用スペーサテープ。
〔10〕プラスチックフィルムの少なくとも片側の面に、外側の凸部と内側の凹部とからなる突起を、長さ方向に少なくとも2列形成する工程と、該凹部に樹脂を充填する工程とを有することを特徴とする半導体実装回路テープ用スペーサテープの製造方法。
本発明の半導体実装回路テープ用スペーサテープ(以下、単に「スペーサテープ」とも記す。)は、スペーサテープに凹部と凸部からなる突起が形成され、該凹部に樹脂が充填されている為、回路テープの製造時に回路テープと共巻きする際に、スペーサテープの凸部が突起の内側(裏側)の凹部に入り込むことがないので、回路テープエッジでの波打ち等の不具合の発生を防止することができる。
本発明のスペーサテープは、前記凹部に充填する樹脂が、硬化後のガラス転移温度が100℃以上の熱硬化性樹脂であることにより、回路テープや半導体にダメージを与えることがないものである。
本発明のスペーサテープは、凹部を充填する樹脂にエポキシ樹脂を使用することにより、フィルムとの接着性が良く、耐磨耗性に優れるものである。
本発明のスペーサテープは、特定の高さの突起を有することにより、回路テープにダメージを与えることがなく、回路テープの生産性に優れるものである。
本発明のスペーサテープは、プラスチックフィルムのガラス転移温度が100℃以上であることにより、回路テープ上に塗布したレジストの硬化を、回路テープと共巻きされた状態で行っても熱変形することがないので、回路テープや半導体にダメージを与えることがないものである。
本発明のスペーサテープは、特定の材質からなることにより、回路テープ上に塗布したレジストの硬化を、回路テープと共巻きされた状態で行っても熱変形することがないので、回路テープや半導体にダメージを与えることがないものである。
本発明のスペーサテープは、特定の厚みのプラスチックフィルムを用いることにより、適度な剛性を有し、突起が回路テープと共に凹部に入り込むことを防止するものである。
本発明のスペーサテープは、特定の幅を有することにより、作業性に優れるものである。
本発明のスペーサテープは、突起の形状が半球形、ナベ形、角形のうちの何れかであることにより、製造が容易なものである。
本発明のスペーサテープの製造方法によれば、長さ方向に少なくとも2列の特定の突起を形成する工程と、該突起の凹部に樹脂を充填する工程を有することにより、本発明のスペーサテープを効率良く生産することができる。
本発明のスペーサテープは、前記凹部に充填する樹脂が、硬化後のガラス転移温度が100℃以上の熱硬化性樹脂であることにより、回路テープや半導体にダメージを与えることがないものである。
本発明のスペーサテープは、凹部を充填する樹脂にエポキシ樹脂を使用することにより、フィルムとの接着性が良く、耐磨耗性に優れるものである。
本発明のスペーサテープは、特定の高さの突起を有することにより、回路テープにダメージを与えることがなく、回路テープの生産性に優れるものである。
本発明のスペーサテープは、プラスチックフィルムのガラス転移温度が100℃以上であることにより、回路テープ上に塗布したレジストの硬化を、回路テープと共巻きされた状態で行っても熱変形することがないので、回路テープや半導体にダメージを与えることがないものである。
本発明のスペーサテープは、特定の材質からなることにより、回路テープ上に塗布したレジストの硬化を、回路テープと共巻きされた状態で行っても熱変形することがないので、回路テープや半導体にダメージを与えることがないものである。
本発明のスペーサテープは、特定の厚みのプラスチックフィルムを用いることにより、適度な剛性を有し、突起が回路テープと共に凹部に入り込むことを防止するものである。
本発明のスペーサテープは、特定の幅を有することにより、作業性に優れるものである。
本発明のスペーサテープは、突起の形状が半球形、ナベ形、角形のうちの何れかであることにより、製造が容易なものである。
本発明のスペーサテープの製造方法によれば、長さ方向に少なくとも2列の特定の突起を形成する工程と、該突起の凹部に樹脂を充填する工程を有することにより、本発明のスペーサテープを効率良く生産することができる。
以下、本発明の半導体実装回路テープ用スペーサテープについて、図面を用いて詳細に説明する。
本発明の半導体実装回路テープ用スペーサテープはプラスチックフィルムからなり、その少なくとも片側の面に、外側(表側)の凸部と内側(裏側)の凹部とからなる突起が、長さ方向(長尺方向)に少なくとも2列形成されている。かかるスペーサテープは従来公知のものであるが、本発明の特徴は、該凹部に樹脂が充填されていることにあり、凹部に樹脂が充填されているスペーサテープは、従来用いられたことがなく開示されたこともないものである。
本発明の半導体実装回路テープ用スペーサテープはプラスチックフィルムからなり、その少なくとも片側の面に、外側(表側)の凸部と内側(裏側)の凹部とからなる突起が、長さ方向(長尺方向)に少なくとも2列形成されている。かかるスペーサテープは従来公知のものであるが、本発明の特徴は、該凹部に樹脂が充填されていることにあり、凹部に樹脂が充填されているスペーサテープは、従来用いられたことがなく開示されたこともないものである。
図1、図2に、本発明のスペーサテープの例を示す。図1(a)は、2列の連続した突起2が設けられている本発明スペーサテープの一例を示す平面図、図1(b)は同(a)のI−I線に沿う縦断面図である。そして、図2は、3列の突起2が設けられているスペーサテープの一例を示す平面図である。
なお、図1、図2において、1はスペーサテープを、2は凸部と凹部とからなる突起を、2aは突起の外側(表側)の凸部を、2bは突起の内側(裏側)の凹部を、3は充填された樹脂を、4は突起2が形成されたプラスチックフィルムをそれぞれ示す。
本発明のスペーサテープには、2列以上の連続した突起2が設けられているので、図3に示すように、回路テープ5と共巻きする際に、回路テープ同士が接触することがないので、回路テープ5の表面にダメージを与えることがない。更に、突起2の内側の凹部2bが樹脂で埋められているので、スペーサテープ1と回路テープ5とを共巻きする際に、突起2(凸部2a)と凹部2bの位置が重なり合っても、突起2(凸部2a)が回路テープ5と共に凹部2bに入り込むことがないので、回路テープ5がダメージを受けることが防止される。
なお、図3は本発明のスペーサテープ1と回路テープ5が共巻きされた状態の一例を示す説明図である。
なお、図3は本発明のスペーサテープ1と回路テープ5が共巻きされた状態の一例を示す説明図である。
尚、図1(a)に示すスペーサテープの場合、2列(列A、列B)の連続した突起2が設けられているので、列Aと列Bの間に1条の回路テープを挿入した状態で、回路テープとスペーサテープが共巻きされる。また、図2に示すスペーサテープの場合、3列(列A、列B、列C)の連続した突起2が設けられているので、列Aと列Bの間、列Bと列Cの間に2条取りした回路テープの各々を挿入した状態で、回路テープとスペーサテープが共巻きされる。但し、本発明は、2列、3列の突起に制限されるものではない。
本発明においては、凹部と凸部からなる突起が長さ方向(長尺方向)に規則的に連続して設けられていることが好ましい。
具体的には、図1(b)に示すように、突起2がスペーサテープの長さ方向に間隔d(mm)で規則的に設けられていることが好ましく、dは3〜15mmが好ましく、3〜10mmがより好ましく、3〜6mmが更に好ましい。突起2の設けられている間隔dが15mm以下であれば、回路テープを保護するという目的を確実に達成することができる。一方、該間隔dが3mm以上であれば、フィルムの成形が容易で、得られるスペーサテープの突起2の頂点部と回路テープの接触面積を十分に確保できる為、回路テープを傷つける虞がない。
但し、回路テープを保護することさえできれば、厳密な意味で規則的に設けられている必要はなく、多少不連続な部分があってもかまわない。また、隣り合う突起どうしの間隔が異なっていても、全体として規則的に設けられていてもよい。
具体的には、図1(b)に示すように、突起2がスペーサテープの長さ方向に間隔d(mm)で規則的に設けられていることが好ましく、dは3〜15mmが好ましく、3〜10mmがより好ましく、3〜6mmが更に好ましい。突起2の設けられている間隔dが15mm以下であれば、回路テープを保護するという目的を確実に達成することができる。一方、該間隔dが3mm以上であれば、フィルムの成形が容易で、得られるスペーサテープの突起2の頂点部と回路テープの接触面積を十分に確保できる為、回路テープを傷つける虞がない。
但し、回路テープを保護することさえできれば、厳密な意味で規則的に設けられている必要はなく、多少不連続な部分があってもかまわない。また、隣り合う突起どうしの間隔が異なっていても、全体として規則的に設けられていてもよい。
2列の突起2が設けられる場合、図1(a)に示すように、突起2はスペーサテープ1の両端部近傍に設けられることが好ましく、図4(a)(b)に示すように、スペーサテープ1の両端部を含むように設けられることも好ましい。また、3列以上の突起2が設けられる場合、2列は両端部近傍(両端部を含む)に設けられ、他の列は幅方向の間隔が等しくなるように中央に設けられることが好ましい。3列以上の突起2が設けられているスペーサテープを用いると、多条の回路テープと共巻きして使用することができるので、回路テープの生産性が向上するので好ましい(図2)。
尚、図4(a)は突起がスペーサテープの両端部を含むように設けられている一例を示す平面図、同(b)はその側面図である。
尚、図4(a)は突起がスペーサテープの両端部を含むように設けられている一例を示す平面図、同(b)はその側面図である。
凸部と凹部とからなる突起2の形状に制限はなく、任意の形状を選択することが可能であるが、製造が容易で耐久性に優れていることから、突起の下底が円形であって側面が曲面であり上面が平面であるナベ形(図5(b))や、半球形(図6(b))や、突起の下底が四角形である角形(図2、図3(b))が好ましく、回路テープとの接触面積が広いため、回路テープにダメージを与えにくいことから、特に好ましくはナベ型の突起(図5(b))である。
また、突起2(凸部2a)の高さhは、0.3〜3.0mmが好ましく、0.5〜2mmがより好ましい。突起2(凸部2a)の高さが0.3mm以上であれば、スペーサテープが回路テープの中心部と接触することがないので、回路テープに形成された導体回路等にダメージを与える虞がない。一方、突起2(凸部2a)の高さが3.0mm以下であれば、リールに巻いた際の全体の巻径が大きくなりすぎることがないので、一度にリールに巻くことができる長さに制約がなくなり、回路テープの生産性に優れるものとなる。
本発明のスペーサテープに用いられるプラスチックフィルムとしては任意の種類のプラスチックフィルムを用いることができる。例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、液晶ポリエステル、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリスルフォン、ポリエーテルスルフォン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリアミド等が挙げられる。
前記プラスチックフィルムの中でも、本発明で用いられるプラスチックフィルムは、ガラス転移温度が100℃以上のものが好ましく、120℃以上のものがより好ましい。
即ち、本発明のスペーサテープは回路テープと共巻きして用いられ、共巻きされた状態で、回路テープ上に塗布したレジストの硬化が行われる。レジストの硬化は、100℃以上の温度で行うことが一般的である。従って、ガラス転移温度100℃以上のプラスチックフィルムからなるスペーサテープは、回路テープにレジスト硬化のような高温処理を行っても熱変形することがないので、回路テープの変形や半導体がダメージを受けるといった不具合の発生を防止することができる。
即ち、本発明のスペーサテープは回路テープと共巻きして用いられ、共巻きされた状態で、回路テープ上に塗布したレジストの硬化が行われる。レジストの硬化は、100℃以上の温度で行うことが一般的である。従って、ガラス転移温度100℃以上のプラスチックフィルムからなるスペーサテープは、回路テープにレジスト硬化のような高温処理を行っても熱変形することがないので、回路テープの変形や半導体がダメージを受けるといった不具合の発生を防止することができる。
ガラス転移温度が100℃以上のプラスチックフィルムの材質としては、ポリエチレンナフタレート、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリスルフォン、ポリエーテルスルフォン等が挙げられるが、本発明で用いられるプラスチックフィルムは、ポリイミド、ポリエーテルイミドがより好ましい。
なお、ガラス転移温度の測定は、示差走査熱量分析計(DSC)により行うことができる。
また、本発明で用いられるプラスチックフィルムには、フィルム強度の向上や滑り性の向上等を目的に、フィラー等の添加剤を添加しても良い。更に、プラスチックフィルム表面への帯電防止や接着性の向上などを目的に、導電性高分子、カーボン、金属等を含有する導電性膜の形成やプラズマ処理等の表面処理を施すこともできる。
本発明に用いるプラスチックフィルムの厚みは、50〜500μmであることが好ましく、100〜250μmであることがより好ましい。スペーサテープの厚みが500μm以下であれば、剛性が高くなりすぎることがないので、回路テープとの共巻きを容易に行うことができる。また、該厚みが50μm以上であれば、剛性が低くなりすぎることがないので、スペーサテープの幅方向に撓みが生じることがなく、スペーサテープと回路テープとが接触することを防ぐことができる。
本発明のスペーサテープにおいては、このような2列以上の突起2が形成されたプラスチックフィルムの凹部2bに樹脂が充填されている。
凹部2bに充填される樹脂は、上述したレジスト硬化等のプロセスにかかる温度が通常100℃以上であることから、硬化後のガラス転移温度が100℃以上の熱硬化性樹脂であることが好ましい。熱硬化性樹脂としては、例えば、ポリエステル樹脂、ユリア樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ポリイミド樹脂、ジアリルフタレート樹脂等が挙げられる。その中でも、プラスチックフィルムとの接着性や耐熱性に優れており、硬化前に無溶剤でも液状となり、凹部への充填を行いやすいことからエポキシ樹脂であることが望ましい。
本発明のスペーサテープの幅は10〜350mmが好ましく、35〜350mmがより好ましい。幅が10mm以上あれば、狭すぎて回路テープの製造に使用することができないという虞がない。一方、幅が350mm以下であれば、回路テープと共巻きする際の作業性を悪くすることがない。
本発明のスペーサテープは、プラスチックフィルムの少なくとも片側の面に、外側の凸部と内側の凹部とからなる突起を、長さ方向に少なくとも2列形成する工程と、該凹部に樹脂を充填する工程とにより製造することができる。
プラスチックフィルムに凹部と凸部からなる突起を形成する工程においては、凹凸を有した金型を使用する熱プレス、真空成形、等任意の方法を採用可能であるが、簡便さや形状が良好で規則性の良い突起を容易に得ることができることから、送り装置を備えた熱プレスによる連続成形(エンボス成形)が好ましい。
凹部に樹脂を充填する工程においては、任意の方法が可能であるが、突起(凸部)の山高さによって凹部に充填する樹脂の量を変化させなければならない為、定量吐出が可能なディスペンサを用いて、樹脂を凹部に充填する方法が好ましい。
また、凹部に充填する樹脂としてエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を用いる場合、その樹脂の硬化は、熱風硬化炉、遠赤外線硬化炉等任意の硬化炉を用いて、通常60℃以上の温度で10秒以上加熱硬化することで行うことが好ましい。特に、本発明のスペーサテープは連続的に形成された突起に樹脂が充填されていることから、送り装置を兼ね備えた硬化炉を用いて、連続的に硬化させることが好ましい。その場合、生産性の観点から、樹脂の硬化は5分以内で行うことが好ましく、1分以内で行うことがより好ましい。
本発明のスペーサテープは、凸部と凹部とからなる突起を連続成形し、次に該凹部に連続して樹脂を充填するという製造の容易さから、プラスチックフィルムの片側の面のみに突起が設けられていることが好ましいが、両側の面に突起が設けられていてもよい。
本発明のスペーサテープは、回路テープの製造時に回路テープとの共巻きテープとして使用しても、従来問題となっていた、スペーサテープの凸部が凹部に入り込むことによる、回路テープエッジでの波打ち等の不具合を防止できる。更に、本発明のスペーサテープは凹部にエポキシ系樹脂等の樹脂を充填しているため、耐熱性や機械強度にも優れている。従って、本発明のスペーサテープは、回路テープの不良品を著しく低減することができ、従来のスペーサテープより耐久性が向上したものである。
以下、実施例に基づき、本発明を具体的に説明する。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。
〔実施例1〕
厚さ125μmのポリイミドフィルム(宇部興産株式会社製ユーピレックスRN、ガラス転移温度285℃)を156mm幅にスリットして、ポリイミドからなるプラスチックテープを準備した。次に送り装置と、突起形成のための金型プレスを用いて、図5(a)(b)に示される高さh=2mm、下底が直径D=5mmのナベ形状の突起を図5(a)に示されるように間隔d=12mmで規則的に全長に亘って形成した。その後、突起の凹部にエポキシ系樹脂(サンユレック株式会社製サンユレジンGRS817、硬化後のガラス転移温度112℃)を充填し、160℃に設定された硬化炉に1分間投入し、樹脂を硬化させて図1(a)(b)に示すスペーサテープを得た。
厚さ125μmのポリイミドフィルム(宇部興産株式会社製ユーピレックスRN、ガラス転移温度285℃)を156mm幅にスリットして、ポリイミドからなるプラスチックテープを準備した。次に送り装置と、突起形成のための金型プレスを用いて、図5(a)(b)に示される高さh=2mm、下底が直径D=5mmのナベ形状の突起を図5(a)に示されるように間隔d=12mmで規則的に全長に亘って形成した。その後、突起の凹部にエポキシ系樹脂(サンユレック株式会社製サンユレジンGRS817、硬化後のガラス転移温度112℃)を充填し、160℃に設定された硬化炉に1分間投入し、樹脂を硬化させて図1(a)(b)に示すスペーサテープを得た。
次に、図3に示すようにスペーサテープと厚み46μm幅156mmの回路テープ(住友金属鉱山株式会社製、エスパーフレックス)を交互に3重にかさね、上部から200gの加重を2時間かけ続けた後、回路テープを確認したところ、端部の波うちやエンボスの跡(突起凸部の跡)といった不具合の発生は認められなかった。
〔実施例2〕
厚さ188μmのポリエーテルイミドフィルム(住友ベークライト株式会社製スミライトFS1450、ガラス転移温度227℃)を125mm幅にスリットして、ポリエーテルイミドからなるプラスチックテープを準備した。次に送り装置と、突起形成のための金型プレスを用いて、図5(a)(b)に示される高さh=1mm、下底が直径D=5mmのナベ形状の突起を図5(a)に示されるように間隔d=12mmで規則的に全長に亘って形成した。その後、突起の凹部にエポキシ系樹脂(サンユレック株式会社製サンユレジンGRS817、硬化後のガラス転移温度112℃)を充填し、160℃に設定された硬化炉に1分間投入し、樹脂を硬化させて図1(a)(b)に示すスペーサテープを得た。
厚さ188μmのポリエーテルイミドフィルム(住友ベークライト株式会社製スミライトFS1450、ガラス転移温度227℃)を125mm幅にスリットして、ポリエーテルイミドからなるプラスチックテープを準備した。次に送り装置と、突起形成のための金型プレスを用いて、図5(a)(b)に示される高さh=1mm、下底が直径D=5mmのナベ形状の突起を図5(a)に示されるように間隔d=12mmで規則的に全長に亘って形成した。その後、突起の凹部にエポキシ系樹脂(サンユレック株式会社製サンユレジンGRS817、硬化後のガラス転移温度112℃)を充填し、160℃に設定された硬化炉に1分間投入し、樹脂を硬化させて図1(a)(b)に示すスペーサテープを得た。
次に、実施例1と同様に回路テープと重ね合わせて、200gの加重をかけたが、端部の波うちやエンボスの跡(突起凸部の跡)といった不具合の発生は認められなかった。
〔実施例3〕
厚さ200μmのフィラー添加ポリエーテルイミドフィルム(住友ベークライト株式会社製スミライトFS1550、ガラス転移温度200℃)を158mm幅にスリットして、ポリエーテルイミドからなるプラスチックテープを準備した。次に送り装置と、突起形成のための金型プレスを用いて、図5(a)(b)に示される高さh=1.5mm、下底が直径D=5mmのナベ形状の突起を図5(a)に示されるように間隔d=12mmで規則的に全長に亘って形成した。その後、突起の凹部にエポキシ系樹脂(サンユレック株式会社製サンユレジンGRS817、硬化後のガラス転移温度112℃)を充填し、160℃に設定された硬化炉に1分間投入し、樹脂を硬化させて図1(a)(b)に示すスペーサテープを得た。
厚さ200μmのフィラー添加ポリエーテルイミドフィルム(住友ベークライト株式会社製スミライトFS1550、ガラス転移温度200℃)を158mm幅にスリットして、ポリエーテルイミドからなるプラスチックテープを準備した。次に送り装置と、突起形成のための金型プレスを用いて、図5(a)(b)に示される高さh=1.5mm、下底が直径D=5mmのナベ形状の突起を図5(a)に示されるように間隔d=12mmで規則的に全長に亘って形成した。その後、突起の凹部にエポキシ系樹脂(サンユレック株式会社製サンユレジンGRS817、硬化後のガラス転移温度112℃)を充填し、160℃に設定された硬化炉に1分間投入し、樹脂を硬化させて図1(a)(b)に示すスペーサテープを得た。
次に、実施例1と同様に回路テープと重ね合わせて、200gの加重をかけたが、端部の波うちやエンボスの跡(突起凸部の跡)といった不具合の発生は認められなかった。
〔比較例1〕
厚さ125μmのポリイミドフィルム(宇部興産株式会社製ユーピレックスRN、ガラス転移温度285℃)を156mm幅にスリットして、ポリイミドのテープを準備した。次に送り装置と、突起形成のための金型プレス装置を用いて、ポリイミドのテープに図6(a)に示される高さh=2mm、下底が直径D=5mmの半球形の突起を、図6(a)に示されるように間隔d=12mmで全長に亘って形成しスペーサテープを得た。
厚さ125μmのポリイミドフィルム(宇部興産株式会社製ユーピレックスRN、ガラス転移温度285℃)を156mm幅にスリットして、ポリイミドのテープを準備した。次に送り装置と、突起形成のための金型プレス装置を用いて、ポリイミドのテープに図6(a)に示される高さh=2mm、下底が直径D=5mmの半球形の突起を、図6(a)に示されるように間隔d=12mmで全長に亘って形成しスペーサテープを得た。
次に実施例1と同様に、得られたスペーサテープと回路テープを重ね合わせて、200gの加重をかけたところ、スペーサテープの凸部が凹部に入り込んだ事が原因と思われる回路テープエッジでの波打ちが発生した。
1 本発明のスペーサテープ
2 突起
2a 凸部
2b 凹部
3 充填された樹脂
4 プラスチックフィルム
5 回路テープ
6 従来のスペーサテープ
7 突起
7b 凹部
8 プラスチックフィルム
A、B、C 突起の列
a 連続した突起が長さ方向に設けられている面
b 連続した突起が長さ方向に設けられていない面
2 突起
2a 凸部
2b 凹部
3 充填された樹脂
4 プラスチックフィルム
5 回路テープ
6 従来のスペーサテープ
7 突起
7b 凹部
8 プラスチックフィルム
A、B、C 突起の列
a 連続した突起が長さ方向に設けられている面
b 連続した突起が長さ方向に設けられていない面
Claims (10)
- プラスチックフィルムの少なくとも片側の面に、少なくとも2列の突起が長さ方向に形成され、該突起が外側の凸部と内側の凹部とからなり、該凹部に樹脂が充填されていることを特徴とする半導体実装回路テープ用スペーサテープ。
- 該凹部に充填されている樹脂が、硬化後のガラス転移温度が100℃以上の熱硬化性樹脂であることを特徴とする請求項1に記載の半導体実装回路テープ用エンボススペーサテープ。
- 該凹部に充填されている樹脂が、エポキシ樹脂であることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体実装回路テープ用スペーサテープ。
- 該凸部の高さが0.3〜3mmであることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の半導体実装回路テープ用スペーサテープ。
- 該プラスチックフィルムのガラス転移温度が100℃以上であることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の半導体実装回路テープ用スペーサテープ。
- 該プラスチックフィルムの材質が、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリスルフォン、ポリエーテルスルフォン、ポリエチレンナフタレートの群から選択されたものであることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の半導体実装回路テープ用スペーサテープ。
- 該プラスチックフィルムの厚みが50〜500μmであることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の半導体実装回路テープ用スペーサテープ。
- テープ幅が10〜350mmであることを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載の半導体実装回路テープ用スペーサテープ。
- 該凸部の形状が半球形、ナベ形、角形のうちの何れかであることを特徴とする請求項1〜8のいずれかに記載の半導体実装回路テープ用スペーサテープ。
- プラスチックフィルムの少なくとも片側の面に、外側の凸部と内側の凹部とからなる突起を、長さ方向に少なくとも2列形成する工程と、該凹部に樹脂を充填する工程とを有することを特徴とする半導体実装回路テープ用スペーサテープの製造方法。
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| JP2005355317A JP2007158264A (ja) | 2005-12-08 | 2005-12-08 | 半導体実装回路テープ用スペーサテープ |
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|---|---|
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| Country | Link |
|---|---|
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009130268A (ja) * | 2007-11-27 | 2009-06-11 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | エンボススペーサーとその製造方法 |
| JP2010089841A (ja) * | 2007-11-09 | 2010-04-22 | Sharp Corp | エンボステープ |
-
2005
- 2005-12-08 JP JP2005355317A patent/JP2007158264A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US8390104B2 (en) | 2007-11-09 | 2013-03-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor apparatus packaging structure having embossed tape over tab tape, the embossed tape and method of forming the semiconductor apparatus packaging structure |
| JP2009130268A (ja) * | 2007-11-27 | 2009-06-11 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | エンボススペーサーとその製造方法 |
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