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JP2007158081A - Mounting substrate and semiconductor device - Google Patents

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JP2007158081A
JP2007158081A JP2005351981A JP2005351981A JP2007158081A JP 2007158081 A JP2007158081 A JP 2007158081A JP 2005351981 A JP2005351981 A JP 2005351981A JP 2005351981 A JP2005351981 A JP 2005351981A JP 2007158081 A JP2007158081 A JP 2007158081A
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underfill
connection pad
semiconductor chip
insulating layer
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Haruo Tanmachi
東夫 反町
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Shinko Electric Industries Co Ltd
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Shinko Electric Industries Co Ltd
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Abstract

【課題】半導体チップをフリップチップ実装する場合の実装の信頼性が良好である実装基板と、当該実装基板に半導体チップが実装されてなる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体チップがリップチップ実装され、当該半導体チップの下にアンダーフィルが浸透される実装基板100であって、第1の絶縁層101に形成される、前記半導体チップと接続される接続パッド103と、前記第1の絶縁層上に形成される、前記接続パッドが露出される開口部104を有する第2の絶縁層と102、を有し、前記接続パッドは、前記半導体チップの周縁部に対応して略四角形に配列される第1の接続パッド103Aと、前記第1の接続パッドに囲まれるように設置される第2の接続パッド103Bとを含み、前記第2の接続パッドが露出する前記開口部104Bは、前記アンダーフィルが導入されるためのアンダーフィル導入部104Cを有することを特徴とする実装基板。
【選択図】図4
A mounting substrate having good mounting reliability when flip-chip mounting a semiconductor chip and a semiconductor device in which the semiconductor chip is mounted on the mounting substrate are provided.
A mounting substrate 100 in which a semiconductor chip is mounted on a lip chip and underfill penetrates under the semiconductor chip, and is formed on a first insulating layer 101 and connected to the semiconductor chip. A pad 103 and a second insulating layer 102 formed on the first insulating layer and having an opening 104 through which the connection pad is exposed; and the connection pad is a peripheral edge of the semiconductor chip. A first connection pad 103A arranged in a substantially square shape corresponding to a portion, and a second connection pad 103B installed so as to be surrounded by the first connection pad, wherein the second connection pad is The exposed opening 104B has an underfill introduction part 104C for introducing the underfill.
[Selection] Figure 4

Description

本発明は、半導体チップをフリップチップ実装する実装基板、および半導体チップが実装基板にフリップチップ実装されてなる半導体装置に関する。   The present invention relates to a mounting substrate on which a semiconductor chip is flip-chip mounted, and a semiconductor device in which the semiconductor chip is flip-chip mounted on the mounting substrate.

半導体チップを実装する方法については様々なタイプの方法が提案されているが、例えば半導体チップをフリップチップ実装する方法は、パッケージを小型化・薄型化することが容易である特徴を有している。   Various types of methods for mounting a semiconductor chip have been proposed. For example, a method for flip-chip mounting a semiconductor chip has a feature that it is easy to reduce the size and thickness of a package. .

図1は、半導体チップをフリップチップ実装するための実装基板の構成の一例を示す平面図である。   FIG. 1 is a plan view showing an example of a configuration of a mounting substrate for flip-chip mounting a semiconductor chip.

図1を参照するに、本図に示す実装基板10は、絶縁層11に、半導体チップに接続されるための接続パッド13が形成された構造を有している。前記絶縁層11上には、前記接続パッド13を露出させる開口部14を有するソルダーレジスト層12が形成されている。前記ソルダーレジスト層12は、該開口部14を挟んで形成されるソルダーレジスト層12A,12Bより構成されている。この場合、前記接続パッド13の両端は、それぞれソルダーレジスト層12A,12Bで覆われた構造となっている。   Referring to FIG. 1, a mounting substrate 10 shown in this drawing has a structure in which connection pads 13 for connection to a semiconductor chip are formed on an insulating layer 11. A solder resist layer 12 having an opening 14 exposing the connection pad 13 is formed on the insulating layer 11. The solder resist layer 12 is composed of solder resist layers 12A and 12B formed with the opening 14 interposed therebetween. In this case, both ends of the connection pad 13 are covered with solder resist layers 12A and 12B, respectively.

前記実装基板10に実装される半導体チップ15(図示の都合上、見やすいように点線で概略のみ表示)は、該半導体チップ15の電極に形成された半田バンプなどの接続部(図示せず)が、前記接続パッド13に電気的に接続されるようにして実装される。   The semiconductor chip 15 mounted on the mounting substrate 10 (for the sake of illustration, only an outline is indicated by a dotted line for easy viewing) has a connection portion (not shown) such as a solder bump formed on an electrode of the semiconductor chip 15. And is mounted so as to be electrically connected to the connection pad 13.

また、前記半導体チップ15と前記実装基板10の間には、アンダーフィルと呼ばれる樹脂が浸透され、隣接する接続部(接続パッド)の絶縁が図られる。
特開平11−186322号公報 特開2000−77471号公報 特開2002−329744号公報
Further, a resin called underfill is infiltrated between the semiconductor chip 15 and the mounting substrate 10 to insulate adjacent connection portions (connection pads).
JP-A-11-186322 JP 2000-77471 A JP 2002-329744 A

しかし、近年の半導体チップでは接続部が、半導体チップの4辺に対応した周縁部に形成されるだけでなく、さらに半導体チップの中心部にも形成されるものがある。図2は、実装基板との接続部が、周縁部に加えて中心部にも形成されたタイプの半導体チップに対応した実装基板の一例を示した図である。   However, in some recent semiconductor chips, the connection portion is formed not only at the peripheral portion corresponding to the four sides of the semiconductor chip but also at the center portion of the semiconductor chip. FIG. 2 is a diagram showing an example of a mounting substrate corresponding to a semiconductor chip of a type in which a connection portion with the mounting substrate is formed not only at the peripheral portion but also at the central portion.

図2を参照するに、本図に示す実装基板20は、絶縁層21に、半導体チップに接続されるための接続パッド23が形成された構造を有し、前記接続パッド23は、接続パッド23A,23Bを含む構成となっている。前記接続パッド23Aは、実装される半導体チップ25の周縁部に対応して略四角形に配列されている。一方、前記接続パッド23Bは、配列された前記接続パッド23Aに囲まれるように、半導体チップの中心付近に対応して設置されている。   Referring to FIG. 2, the mounting substrate 20 shown in the figure has a structure in which a connection pad 23 for connection to a semiconductor chip is formed on an insulating layer 21, and the connection pad 23 is a connection pad 23A. , 23B. The connection pads 23A are arranged in a substantially square shape corresponding to the peripheral edge of the semiconductor chip 25 to be mounted. On the other hand, the connection pad 23B is installed corresponding to the vicinity of the center of the semiconductor chip so as to be surrounded by the arranged connection pads 23A.

前記絶縁層21上には、前記接続パッド23を露出させる開口部24を有するソルダーレジスト層22が形成されている。前記開口部24は、前記接続パッド23Aを露出するために、該接続パッド23Aに対応して略四角形状に形成された開口部24Aと、前記接続パッド23Bを個別に露出させるように形成された開口部24Bを含む構成となっている。前記ソルダーレジスト層22は、前記開口部24Aを挟んで、2つのソルダーレジスト層22A,22Bに分割された構造となっている。この場合、前記接続パッド23Aの両端は、それぞれソルダーレジスト層22A,22Bで覆われ、前記接続パッド23Bの両端はソルダーレジスト層22Bで覆われた構造となっている。   A solder resist layer 22 having an opening 24 for exposing the connection pad 23 is formed on the insulating layer 21. In order to expose the connection pad 23A, the opening 24 is formed to expose the connection pad 23B and the opening 24A formed in a substantially square shape corresponding to the connection pad 23A. The opening 24B is included. The solder resist layer 22 is divided into two solder resist layers 22A and 22B across the opening 24A. In this case, both ends of the connection pad 23A are covered with solder resist layers 22A and 22B, respectively, and both ends of the connection pad 23B are covered with a solder resist layer 22B.

前記実装基板20に実装される半導体チップ25(図示の都合上、見やすいように点線で概略のみ表示)は、該半導体チップ25の電極に形成された半田バンプなどの接続部(図示せず)が、前記接続パッド23A,23Bにそれぞれ電気的に接続されるようにして実装される。   A semiconductor chip 25 mounted on the mounting substrate 20 (for the sake of illustration, only an outline is indicated by a dotted line for easy viewing) has a connection portion (not shown) such as a solder bump formed on an electrode of the semiconductor chip 25. These are mounted so as to be electrically connected to the connection pads 23A and 23B, respectively.

また、前記半導体チップ25と前記実装基板20の間には、アンダーフィルと呼ばれる樹脂が浸透され、隣接する接続部(接続パッド)の絶縁が図られる。   Further, a resin called underfill is infiltrated between the semiconductor chip 25 and the mounting substrate 20 to insulate adjacent connection portions (connection pads).

しかし、上記の実装基板20においては、半導体チップ25との間のアンダーフィルの浸透に問題が生じる場合があった。例えば、前記開口部24Bでは、アンダーフィルの浸透が困難であり、ボイドとよばれる空間が発生する問題が生じる場合があった。このため、接続部の絶縁の信頼性が低下し、半導体チップの実装の信頼性が低下してしまう問題が生じていた。   However, in the mounting substrate 20 described above, there may be a problem with the penetration of the underfill between the semiconductor chip 25. For example, in the opening 24B, it is difficult to penetrate the underfill, and there may be a problem that a space called a void is generated. For this reason, the reliability of the insulation of a connection part fell, and the problem that the reliability of mounting of a semiconductor chip fell has arisen.

図3Aは、上記の実装基板20の前記開口部24B付近の一部拡大図であり、前記半導体チップ25と前記実装基板20の間に、アンダーフィル30が浸透する状態を模式的に示した図である。ただし図中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。   FIG. 3A is a partially enlarged view of the mounting substrate 20 in the vicinity of the opening 24B, and schematically shows a state in which the underfill 30 penetrates between the semiconductor chip 25 and the mounting substrate 20. It is. However, in the figure, the same reference numerals are given to the parts described above, and the description will be omitted.

図3Aを参照するに、本図に示す場合、アンダーフィルは半導体チップ25と実装基板20の狭い隙間を浸透するが、当該開口部24B内に浸透することが困難になっており、当該開口部24Bがアンダーフィルで十分に満たされない(ボイドが発生した)状態となってしまう場合がある。その理由を、上記の図3Aの断面図である図3Bを用いて説明する。ただし図中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。   Referring to FIG. 3A, in the case shown in the figure, the underfill penetrates through a narrow gap between the semiconductor chip 25 and the mounting substrate 20, but it is difficult to penetrate into the opening 24B. There is a case where 24B is not sufficiently filled with underfill (a void is generated). The reason will be described with reference to FIG. 3B which is a cross-sectional view of FIG. 3A. However, in the figure, the same reference numerals are given to the parts described above, and the description will be omitted.

図3Bを参照するに、アンダーフィル30は、前記開口部24Bの段差を流れ落ちるためには、その表面積を短時間のうちに急激に増大させる必要がある。通常、アンダーフィルには表面積の増大を抑える力(表面張力)が働いているので、このように急激な段差を流れ落ちて開口部をアンダーフィルで満たすことが困難になっていた。   Referring to FIG. 3B, in order for the underfill 30 to flow down the step of the opening 24B, it is necessary to rapidly increase its surface area within a short time. Normally, the underfill has a force (surface tension) that suppresses the increase of the surface area, and thus it has been difficult to fill the opening with the underfill by flowing down such a steep step.

そこで、本発明では上記の問題を解決した、新規で有用な実装基板と、半導体チップが実装基板に実装されてなる半導体装置を提供することを統括的課題としている。   In view of this, the present invention has a general object to provide a new and useful mounting substrate that solves the above-described problems and a semiconductor device in which a semiconductor chip is mounted on the mounting substrate.

本発明の具体的な課題は、半導体チップをフリップチップ実装する場合の実装の信頼性が良好である実装基板と、当該実装基板に半導体チップが実装されてなる半導体装置を提供することである。   A specific problem of the present invention is to provide a mounting substrate with good mounting reliability when flip-chip mounting a semiconductor chip, and a semiconductor device in which the semiconductor chip is mounted on the mounting substrate.

本発明の第1の観点では、上記の課題を、半導体チップがリップチップ実装され、当該半導体チップとの間にアンダーフィルが浸透される実装基板であって、第1の絶縁層に形成される、前記半導体チップと接続される接続パッドと、前記第1の絶縁層上に形成される、前記接続パッドが露出される開口部を有する第2の絶縁層と、を有し、前記接続パッドは、前記半導体チップの周縁部に対応して略四角形に配列される第1の接続パッドと、前記第1の接続パッドに囲まれるように設置される第2の接続パッドとを含み、前記第2の接続パッドが露出する前記開口部は、前記アンダーフィルが導入されるためのアンダーフィル導入部を有することを特徴とする実装基板により、解決する。   In a first aspect of the present invention, the above-described problem is solved by forming a semiconductor chip on a first insulating layer, wherein the semiconductor chip is mounted on a lip chip and underfill is infiltrated between the semiconductor chip and the semiconductor chip. A connection pad connected to the semiconductor chip, and a second insulating layer formed on the first insulating layer and having an opening through which the connection pad is exposed. The first connection pads arranged in a substantially square shape corresponding to the peripheral edge of the semiconductor chip, and the second connection pads installed so as to be surrounded by the first connection pads, The opening in which the connection pad is exposed has an underfill introducing portion for introducing the underfill, which is solved by the mounting substrate.

本発明によれば、半導体チップをフリップチップ実装する場合の実装の信頼性が良好である実装基板を提供することが可能となる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, it becomes possible to provide the mounting board | substrate with favorable mounting reliability in the case of flip-chip mounting a semiconductor chip.

また、前記第2の絶縁層はソルダーレジスト層よりなると、半導体チップの実装の信頼性が良好となる。   Further, when the second insulating layer is made of a solder resist layer, the reliability of mounting the semiconductor chip is improved.

また、前記アンダーフィル導入部は、前記アンダーフィルを前記開口部に導入する場合の当該アンダーフィルの表面積の増大を制御する構造を有すると、アンダーフィルの表面張力の増大を抑制して、アンダーフィルのボイドの発生を抑制することが可能となる。   In addition, the underfill introduction portion has a structure for controlling an increase in the surface area of the underfill when the underfill is introduced into the opening, thereby suppressing an increase in the surface tension of the underfill. It is possible to suppress the generation of voids.

また、前記アンダーフィル導入部は、平面視した場合に実質的に鋭角となる部分を有すると、アンダーフィルが前記開口部に導入される場合の表面積の増大の速度を抑制することが可能となり、アンダーフィルのボイドの発生を抑制することが可能となる。   Further, when the underfill introduction portion has a portion that is substantially acute when viewed in plan, it becomes possible to suppress the rate of increase in surface area when the underfill is introduced into the opening, Generation of underfill voids can be suppressed.

また、前記アンダーフィル導入部は、前記第2の絶縁層の表面側から該第2の絶縁層の前記第1の絶縁層に面する側にかけて、該第2の絶縁層が斜めに開口された構造を含むことを特徴とすると、アンダーフィルが前記開口部に導入される場合の表面積の増大の速度を抑制することが可能となり、アンダーフィルのボイドの発生を抑制することが可能となる。   In addition, the underfill introduction portion has the second insulating layer opened obliquely from the surface side of the second insulating layer to the side of the second insulating layer facing the first insulating layer. If the structure is included, it is possible to suppress the increase in the surface area when the underfill is introduced into the opening, and it is possible to suppress the generation of voids in the underfill.

また、前記第2の接続パッドは、前記半導体チップの電源ラインまたは接地ラインに接続されると、低電圧対応の半導体チップを実装することが可能となる。   Further, when the second connection pad is connected to a power supply line or a ground line of the semiconductor chip, it is possible to mount a low-voltage compatible semiconductor chip.

また、本発明の第2の観点では、上記の課題を、半導体チップが実装基板にフリップチップ実装され、当該半導体チップと当該実装基板との間にアンダーフィルが浸透されてなる半導体装置であって、前記実装基板は、第1の絶縁層に形成される、前記半導体チップと接続される接続パッドと、前記第1の絶縁層上に形成される、前記接続パッドが露出される開口部を有する第2の絶縁層と、を有し、前記接続パッドは、前記半導体チップの周縁部に対応して略四角形に配列される第1の接続パッドと、前記第1の接続パッドに囲まれるように設置される第2の接続パッドとを含み、前記第2の接続パッドが露出する前記開口部は、前記アンダーフィルが導入されるためのアンダーフィル導入部を有することを特徴とする半導体装置により、解決する。   According to a second aspect of the present invention, there is provided a semiconductor device in which a semiconductor chip is flip-chip mounted on a mounting substrate, and an underfill is infiltrated between the semiconductor chip and the mounting substrate. The mounting substrate has a connection pad connected to the semiconductor chip formed in a first insulating layer, and an opening formed on the first insulating layer and exposing the connection pad. A second insulating layer, and the connection pad is surrounded by a first connection pad arranged in a substantially square shape corresponding to a peripheral edge of the semiconductor chip, and the first connection pad. A second connection pad to be installed, wherein the opening from which the second connection pad is exposed has an underfill introduction portion for introducing the underfill, It is decided.

本発明によれば、半導体チップが実装基板にフリップチップ実装されてなる、実装の信頼性が良好である半導体装置を提供することが可能となる。   According to the present invention, it is possible to provide a semiconductor device in which the semiconductor chip is flip-chip mounted on the mounting substrate and the mounting reliability is good.

また、前記アンダーフィル導入部は、前記アンダーフィルを前記開口部に導入する場合の当該アンダーフィルの表面積の増大を制御する構造を有すると、アンダーフィルの表面張力の増大を抑制して、アンダーフィルのボイドの発生を抑制することが可能となる。   In addition, the underfill introduction portion has a structure for controlling an increase in the surface area of the underfill when the underfill is introduced into the opening, thereby suppressing an increase in the surface tension of the underfill. It is possible to suppress the generation of voids.

また、前記アンダーフィル導入部は、平面視した場合に実質的に鋭角となる部分を有すると、アンダーフィルが前記開口部に導入される場合の表面積の増大の速度を抑制することが可能となり、アンダーフィルのボイドの発生を抑制することが可能となる。   Further, when the underfill introduction portion has a portion that is substantially acute when viewed in plan, it becomes possible to suppress the rate of increase in surface area when the underfill is introduced into the opening, Generation of underfill voids can be suppressed.

また、前記アンダーフィル導入部は、前記第2の絶縁層の表面側から該第2の絶縁層の前記第1の絶縁層に面する側にかけて、該第2の絶縁層が斜めに開口された構造を含むことを特徴とすると、アンダーフィルが前記開口部に導入される場合の表面積の増大の速度を抑制することが可能となり、アンダーフィルのボイドの発生を抑制することが可能となる。   In addition, the underfill introduction portion has the second insulating layer opened obliquely from the surface side of the second insulating layer to the side of the second insulating layer facing the first insulating layer. If the structure is included, it is possible to suppress the increase in the surface area when the underfill is introduced into the opening, and it is possible to suppress the generation of voids in the underfill.

本発明によれば、半導体チップをフリップチップ実装する場合の実装の信頼性が良好である実装基板と、当該実装基板に半導体チップが実装されてなる半導体装置を提供することが可能となる。   According to the present invention, it is possible to provide a mounting substrate having good mounting reliability when flip-chip mounting a semiconductor chip, and a semiconductor device in which the semiconductor chip is mounted on the mounting substrate.

次に、本発明の実施の形態に関して図面に基づき、以下に説明する。   Next, embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

図4は、本発明の実施例1による実装基板100を模式的に示した平面図である。図4を参照するに、本図に示す実装基板100は、絶縁層101に、半導体チップに接続されるための接続パッド103が形成された構造を有し、前記接続パッド103は、接続パッド103A,103Bを含む構成となっている。前記接続パッド103Aは、実装される半導体チップ200の周縁部に対応して略四角形または略枠状に配列されている。一方、前記接続パッド103Bは、配列された前記接続パッド103Aに囲まれるように、半導体チップ200の中心付近に対応して設置されている。   FIG. 4 is a plan view schematically showing the mounting substrate 100 according to the first embodiment of the present invention. Referring to FIG. 4, a mounting substrate 100 shown in this drawing has a structure in which a connection pad 103 for connection to a semiconductor chip is formed on an insulating layer 101. The connection pad 103 is connected to a connection pad 103A. , 103B. The connection pads 103A are arranged in a substantially square shape or a substantially frame shape corresponding to the peripheral edge of the semiconductor chip 200 to be mounted. On the other hand, the connection pads 103B are installed in the vicinity of the center of the semiconductor chip 200 so as to be surrounded by the arranged connection pads 103A.

前記絶縁層101上には、前記接続パッド103を露出させる開口部104を有するソルダーレジスト層(絶縁層)102が形成されている。前記開口部104は、前記接続パッド103Aを露出するために、該接続パッド103Aに対応して略四角形状に形成された開口部104Aと、前記接続パッド103Bを個別に露出させるように形成された開口部104Bを含む構成となっている。   A solder resist layer (insulating layer) 102 having an opening 104 for exposing the connection pad 103 is formed on the insulating layer 101. In order to expose the connection pad 103A, the opening 104 is formed so as to individually expose the opening 104A formed in a substantially square shape corresponding to the connection pad 103A and the connection pad 103B. The opening 104B is included.

前記ソルダーレジスト層102は、前記開口部104Aを挟んで、2つのソルダーレジスト層(絶縁層)102A,102Bに分割された構造となっている。この場合、前記接続パッド103Aの両端は、それぞれソルダーレジスト層102A,102Bで覆われ、前記接続パッド103Bの両端はソルダーレジスト層102Bで覆われた構造となっている。   The solder resist layer 102 is divided into two solder resist layers (insulating layers) 102A and 102B across the opening 104A. In this case, both ends of the connection pad 103A are covered with solder resist layers 102A and 102B, respectively, and both ends of the connection pad 103B are covered with a solder resist layer 102B.

この場合、例えば、前記接続パッド103Bは、実装される半導体チップの電源ラインまたは接地ラインに接続される。近年の半導体チップでは、特に省電力化(低電圧対応)の要求があり、低電圧対応のためには、電源系のライン(電源ラインまたは接地ライン)が、半導体チップのデバイスが形成された中心部近傍に形成されていることが好ましい。このため、近年の低電圧対応の半導体チップでは、電源系ラインの強化のために電源系のラインを半導体チップの中心近傍に増設する構成とされる場合がある。   In this case, for example, the connection pad 103B is connected to a power supply line or a ground line of a semiconductor chip to be mounted. In recent semiconductor chips, there is a demand for power saving (low voltage support) in particular. For low voltage support, the power supply line (power supply line or ground line) is the center where the semiconductor chip device is formed. It is preferably formed in the vicinity of the part. For this reason, a recent low-voltage compatible semiconductor chip may be configured to add a power supply line near the center of the semiconductor chip in order to strengthen the power supply line.

前記実装基板100に実装される半導体チップ200(図示の都合上、見やすいように点線で概略のみ表示)は、該半導体チップ200の電極に形成された半田バンプなどの接続部(図示せず)が、前記接続パッド103A,103Bにそれぞれ電気的に接続されるようにして実装される。また、前記半導体チップ200と前記実装基板100の間には、アンダーフィルと呼ばれる樹脂が浸透され、隣接する接続部(接続パッド)の絶縁が図られる。   The semiconductor chip 200 mounted on the mounting substrate 100 (for the sake of illustration, only an outline is indicated by a dotted line for easy viewing) has a connection portion (not shown) such as a solder bump formed on an electrode of the semiconductor chip 200. These are mounted so as to be electrically connected to the connection pads 103A and 103B. Further, a resin called underfill is infiltrated between the semiconductor chip 200 and the mounting substrate 100 to insulate adjacent connection portions (connection pads).

上記の構造において、従来の半導体装置では、中央部に孤立して形成される前記開口部104Bに、アンダーフィルを浸透させることが困難となる場合が生じていた。そこで、本実施例による実装基板100では、前記開口部104Bが、アンダーフィルが導入されるためのアンダーフィル導入部104Cを有することを特徴としている。このため、前記開口部104Bにアンダーフィルが流入することが容易となり、当該開口部104Bでアンダーフィルのボイドの発生が抑制される効果を奏する。   In the above structure, in the conventional semiconductor device, it may be difficult to permeate the underfill into the opening 104 </ b> B formed isolated in the center. Therefore, the mounting substrate 100 according to the present embodiment is characterized in that the opening 104B has an underfill introduction portion 104C for introducing underfill. For this reason, it becomes easy for an underfill to flow into the opening 104B, and an effect of suppressing the occurrence of an underfill void in the opening 104B is achieved.

例えば、前記開口部104Bは、平面視した場合に略長方形状の開口部本体104Dに加えて、平面視した場合に鋭角となる部分を含む、アンダーフィル導入部104Cを有するように構成されている。   For example, the opening 104B is configured to have an underfill introduction portion 104C including a portion having an acute angle when viewed in plan, in addition to the substantially rectangular opening main body 104D when viewed in plan. .

図5は、上記の開口部104B周辺を拡大した斜視図である。ただし図中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。図5を参照するに、前記アンダーフィル導入部104Cは、前記ソルダーレジスト層102Bの表面側から該第ソルダーレジスト層102Bの前記絶縁層101に面する側にかけて、該ソルダーレジスト層102Bが斜めに開口された構造を有している。   FIG. 5 is an enlarged perspective view of the periphery of the opening 104B. However, in the figure, the same reference numerals are given to the parts described above, and the description will be omitted. Referring to FIG. 5, the underfill introducing portion 104C is formed so that the solder resist layer 102B opens obliquely from the surface side of the solder resist layer 102B to the side of the first solder resist layer 102B facing the insulating layer 101. Has a structured.

すなわち、前記アンダーフィル導入部104Cは、前記ソルダーレジスト層102Bが、その表面側の一端(開口の先端)から、前記絶縁層101の側に向かってその開口が広がるように(開口の方向に従って開口面の面積が増大するように)斜めに開口された構造を有している。この場合、平面視すると、当該一端からの開口部は、実質的な鋭角となるように形成されることが好ましい。しかし、実際には加工状の問題(露光・現像の精度の問題)があるため、厳密な意味では鋭角とはならず、上記の「鋭角」は、厳密には先端の丸みを含むものであり、実質的な意味での鋭角を意味している。   In other words, the underfill introducing portion 104C is formed so that the opening of the solder resist layer 102B is widened from one end (front end of the opening) to the insulating layer 101 side (opening according to the opening direction). It has a structure opened obliquely (so that the surface area increases). In this case, it is preferable that the opening from the one end is formed to have a substantially acute angle when viewed in plan. However, since there is actually a problem of processing conditions (problem of exposure / development accuracy), it is not an acute angle in the strict sense, and the above “acute angle” strictly includes the roundness of the tip. Means an acute angle in a substantial sense.

例えば、平面視した場合に鋭角部を有するマスクを用いて、感光性の前記ソルダーレジスト層102Bに対して露光・現像を行うことにより、上記の開口部104Cの形状を形成することができる。この場合、前記ソルダーレジスト層102Bの開口の先端(マスクの鋭角の先端に対応する部分)は精密に露光・現像することが困難なため、開口部の底に現像後の樹脂が残る。このため、開口の先端から前記絶縁層101の側に向かってその開口が扇状に広がるように(開口の方向に従って開口面の面積が増大するように)斜めに開口された前記開口部104Cを形成することができる。   For example, the shape of the opening 104C can be formed by exposing and developing the photosensitive solder resist layer 102B using a mask having an acute angle portion when viewed in plan. In this case, since the tip of the opening of the solder resist layer 102B (the portion corresponding to the acute angle tip of the mask) is difficult to precisely expose and develop, the developed resin remains on the bottom of the opening. Therefore, the opening 104C is formed obliquely so that the opening expands in a fan shape from the tip of the opening toward the insulating layer 101 (so that the area of the opening increases in accordance with the direction of the opening). can do.

上記の実装基板100に半導体チップを実装する場合、アンダーフィルを、前記アンダーフィル導入部104Cの側から前記開口部本体104Dの側に向かう方向に導入することにより、アンダーフィルは、当該アンダーフィル導入部104Cから前記開口部本体104Dに導入(流入)されることになる。   When a semiconductor chip is mounted on the mounting substrate 100, the underfill is introduced by introducing the underfill in a direction from the underfill introduction portion 104C toward the opening body 104D. The portion 104C is introduced (inflowed) into the opening main body 104D.

ここで、前記開口部104Bにアンダーフィルが導入(流入)される場合のアンダーフィルの表面積の増大の速度が抑制され、アンダーフィルが前記開口部104Bに充填される場合のボイドの発生が抑制される。すなわち、前記アンダーフィル導入部104Cは、アンダーフィルを前記開口部104Bに導入する場合に当該アンダーフィルの表面積の急激な増大を制御する構造であり、このためにアンダーフィルの表面積の急激な増大による表面張力の急激な増大が抑制されている。   Here, the speed of increase of the surface area of the underfill when the underfill is introduced (inflow) into the opening 104B is suppressed, and the generation of voids when the underfill is filled in the opening 104B is suppressed. The That is, the underfill introduction portion 104C has a structure that controls a rapid increase in the surface area of the underfill when introducing the underfill into the opening portion 104B. A sudden increase in surface tension is suppressed.

上記の構造を有しているため、本実施例による実装基板100では、半導体チップを実装した場合のアンダーフィルのボイドの発生が抑制され、半導体チップをフリップチップ実装する場合の実装の信頼性が良好である特徴を有している。   Since the mounting substrate 100 according to the present embodiment has the above structure, generation of underfill voids when a semiconductor chip is mounted is suppressed, and mounting reliability when the semiconductor chip is flip-chip mounted is reduced. It has the characteristics of being good.

また、前記開口部104B(前記アンダーフィル導入部104C)は、上記の形状に限定されず、様々に変形・変更することが可能である。   Further, the opening 104B (the underfill introducing portion 104C) is not limited to the shape described above, and can be variously modified and changed.

例えば図6Aは、上記の開口部104Bの変形例である。ただし図中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。   For example, FIG. 6A is a modification of the opening 104B. However, in the figure, the same reference numerals are given to the parts described above, and the description will be omitted.

図6Aを参照するに、本図に示す場合、前記接続パッド103Bが露出する開口部204Bは、アンダーフィル導入部204Cと開口部本体204D(前記アンダーフィル導入部104Cと前記開口部本体104Dにそれぞれ相当)を有している。この場合、前記開口部204Bが、前記開口部104Bより大きく、またそれに対応して前記アンダーフィル導入部204Cと前記開口部本体204Dが大きく形成されている。   Referring to FIG. 6A, in the case shown in FIG. 6A, the opening portion 204B from which the connection pad 103B is exposed has an underfill introduction portion 204C and an opening portion main body 204D (the underfill introduction portion 104C and the opening portion main body 104D, respectively). Equivalent). In this case, the opening 204B is larger than the opening 104B, and the underfill introducing portion 204C and the opening main body 204D are formed correspondingly.

このため、前記開口部204Bから露出する前記接続部103Bが2個(前記開口部104Bの場合は1個)となっている。この場合であっても、前記アンダーフィル導入部204Cは、先に説明したアンダーフィル導入部104Cと同様の効果を奏し、アンダーフィルのボイドの発生を抑制する効果を奏する。   For this reason, there are two connecting portions 103B exposed from the opening 204B (one in the case of the opening 104B). Even in this case, the underfill introduction section 204C has the same effect as the above-described underfill introduction section 104C, and has the effect of suppressing the occurrence of underfill voids.

また、図6Bは、上記の開口部104Bの別の変形例である。ただし図中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。   FIG. 6B shows another modification of the opening 104B. However, in the figure, the same reference numerals are given to the parts described above, and the description will be omitted.

図6Bを参照するに、本図に示す場合、前記接続パッド103Bが露出する開口部304Bは、アンダーフィル導入部304Cと開口部本体304D(前記アンダーフィル導入部104Cと前記開口部本体104Dにそれぞれ相当)を有している。本図に示す場合、前記アンダーフィル導入部304Cは、平面視した場合に略長方形となる前記開口部本体304Dの長手側に形成されている。このように、アンダーフィル導入部は、開口部本体に対して様々な位置に形成することが可能である。なお、この場合、アンダーフィルは、前記アンダーフィル導入部304C側から導入されることが好ましいことは、先に説明した場合と同様である。   Referring to FIG. 6B, in the case shown in FIG. 6B, the opening portion 304B from which the connection pad 103B is exposed has an underfill introduction portion 304C and an opening portion main body 304D (the underfill introduction portion 104C and the opening portion main body 104D, respectively). Equivalent). In the case shown in the figure, the underfill introducing portion 304C is formed on the longitudinal side of the opening main body 304D that is substantially rectangular when viewed from above. As described above, the underfill introduction portion can be formed at various positions with respect to the opening portion main body. In this case, the underfill is preferably introduced from the underfill introduction portion 304C side as in the case described above.

また、図7は、本発明の実施例2による半導体装置300を模式的に示す平面図である。ただし図中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。   FIG. 7 is a plan view schematically showing a semiconductor device 300 according to the second embodiment of the present invention. However, in the figure, the same reference numerals are given to the parts described above, and the description will be omitted.

図7を参照するに、本実施例による半導体装置300は、実施例1で先に説明した実装基板100に、半導体チップ200が実装された構造を有している。また、前記半導体チップ200と前記実装基板100の間には、アンダーフィルUFが浸透されている。本実施例による半導体装置300は、先に実施例1で説明した場合と同様の効果を有し、例えば、当該アンダーフィルUFにボイドが発生することが抑制され、半導体チップの実装の信頼性が良好となっている。   Referring to FIG. 7, the semiconductor device 300 according to the present embodiment has a structure in which the semiconductor chip 200 is mounted on the mounting substrate 100 described in the first embodiment. An underfill UF is permeated between the semiconductor chip 200 and the mounting substrate 100. The semiconductor device 300 according to the present embodiment has the same effects as those described in the first embodiment. For example, the generation of voids in the underfill UF is suppressed, and the reliability of mounting a semiconductor chip is improved. It is good.

また、図8は、図7の半導体装置300において、前記半導体チップ200と前記実装基板100の位置関係がわかりやすいように、便宜的に当該半導体チップ200を透過して実装基板をみた形で記載したものである。ただし図中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。   Further, FIG. 8 is illustrated in the semiconductor device 300 of FIG. 7 in a form in which the mounting substrate is seen through the semiconductor chip 200 for the sake of convenience so that the positional relationship between the semiconductor chip 200 and the mounting substrate 100 can be easily understood. Is. However, in the figure, the same reference numerals are given to the parts described above, and the description will be omitted.

図8を参照するに、前記半導体チップ200は、チップ本体201と、当該チップ本体201に形成された、前記接続パッド104に接続されるための複数の接続部202を有している。前記接続部202は、例えば電極パッドに半田バンプ(ともに図示せず)が形成されてなる構造を有している。また、前記接続部202は、前記チップ本体201の周縁部に対応して略四角形に配列される接続部202Aと、配列された前記接続部202Aに囲まれるように設置される接続部202Bを含むように構成されている。   Referring to FIG. 8, the semiconductor chip 200 includes a chip body 201 and a plurality of connection portions 202 formed on the chip body 201 and connected to the connection pads 104. The connecting portion 202 has a structure in which, for example, solder bumps (both not shown) are formed on electrode pads. The connection part 202 includes a connection part 202A arranged in a substantially square shape corresponding to the peripheral part of the chip body 201 and a connection part 202B installed so as to be surrounded by the arranged connection parts 202A. It is configured as follows.

この場合、例えば、前記接続部202Bは、半導体チップの電源ラインまたは接地ラインに対応している。先に説明したように、近年の半導体チップでは、特に省電力化(低電圧対応)の要求があり、低電圧対応のために電源系のラインを半導体チップの中心近傍に増設する構成とされる場合がある。上記の構造において、前記接続部202Aと前記接続パッド103Aが、また前記接続部202Bと前記接続パッド103Bが、それぞれ接続される。すなわち、本実施例による半導体装置300は、低電圧化に対応が可能であるとともに、実装の信頼性が良好である特徴を有している。   In this case, for example, the connecting portion 202B corresponds to a power supply line or a ground line of the semiconductor chip. As described above, in recent semiconductor chips, there is a demand for power saving (low voltage support) in particular, and power supply lines are added near the center of the semiconductor chip for low voltage support. There is a case. In the above structure, the connection portion 202A and the connection pad 103A are connected, and the connection portion 202B and the connection pad 103B are connected. That is, the semiconductor device 300 according to the present embodiment has characteristics that it can cope with a low voltage and has good mounting reliability.

また、近年の半導体装置では薄型化の要求が有り、半導体チップと実装基板の間隔が小さくなってアンダーフィルの浸透が困難になっているが、本発明はこのような半導体装置の薄型化に対応する有効な技術である。   In recent years, there is a demand for thinning semiconductor devices, and it is difficult to penetrate the underfill by reducing the distance between the semiconductor chip and the mounting substrate. It is an effective technology to do.

また、上記の実施例1、実施例2に示した構造は本発明の実施の形態の一例であり、本発明は上記の特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した要旨内において様々な変形・変更が可能である。   In addition, the structures shown in the above-described Examples 1 and 2 are examples of the embodiment of the present invention, and the present invention is not limited to the specific examples described above, and is described in the claims. Various modifications and changes can be made within the gist.

本発明によれば、半導体チップをフリップチップ実装する場合の実装の信頼性が良好である実装基板と、当該実装基板に半導体チップが実装されてなる半導体装置を提供することが可能となる。   According to the present invention, it is possible to provide a mounting substrate having good mounting reliability when flip-chip mounting a semiconductor chip, and a semiconductor device in which the semiconductor chip is mounted on the mounting substrate.

実装基板の構成例を示す図(その1)である。It is FIG. (1) which shows the structural example of a mounting board | substrate. 実装基板の構成例を示す図(その2)である。It is FIG. (2) which shows the structural example of a mounting board | substrate. 図2の実装基板にアンダーフィルが浸透する状態を示す図(その1)である。FIG. 3 is a diagram (part 1) illustrating a state in which an underfill penetrates into the mounting substrate of FIG. 2; 図2の実装基板にアンダーフィルが浸透する状態を示す図(その2)である。FIG. 3 is a diagram (part 2) illustrating a state in which an underfill penetrates into the mounting substrate of FIG. 2. 実施例1による実装基板の構成例を示す図である。FIG. 3 is a diagram illustrating a configuration example of a mounting board according to the first embodiment. 図4の実装基板の一部を拡大した斜視図である。FIG. 5 is an enlarged perspective view of a part of the mounting substrate of FIG. 4. 図4の実装基板の変形例を示す図(その1)である。FIG. 6 is a diagram (part 1) illustrating a modification of the mounting substrate of FIG. 4; 図4の実装基板の変形例を示す図(その2)である。FIG. 10 is a second diagram illustrating a modification of the mounting substrate in FIG. 4. 実施例2による半導体装置を示す図(その1)である。FIG. 6 is a first diagram illustrating a semiconductor device according to a second embodiment; 実施例2による半導体装置を示す図(その2)である。FIG. 6 is a second diagram illustrating the semiconductor device according to the second embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

100 実装基板
101 絶縁層
102,102A,102B 絶縁層(ソルダーレジスト層)
103,103A,103B 接続パッド
104,104A,104B,204,204A,204B,304,304A,304B 開口部
104C,204C,304C ソルダーレジスト導入部
104D,204D,304D 開口部本体
200 半導体チップ
201 チップ本体
202,202A,202B 接続部
300 半導体装置
100 mounting substrate 101 insulating layer 102, 102A, 102B insulating layer (solder resist layer)
103, 103A, 103B Connection pad 104, 104A, 104B, 204, 204A, 204B, 304, 304A, 304B Opening 104C, 204C, 304C Solder resist introduction part 104D, 204D, 304D Opening body 200 Semiconductor chip 201 Chip body 202 , 202A, 202B Connection unit 300 Semiconductor device

Claims (10)

半導体チップがリップチップ実装され、当該半導体チップとの間にアンダーフィルが浸透される実装基板であって、
第1の絶縁層に形成される、前記半導体チップと接続される接続パッドと、
前記第1の絶縁層上に形成される、前記接続パッドが露出される開口部を有する第2の絶縁層と、を有し、
前記接続パッドは、前記半導体チップの周縁部に対応して略四角形に配列される第1の接続パッドと、前記第1の接続パッドに囲まれるように設置される第2の接続パッドとを含み、
前記第2の接続パッドが露出する前記開口部は、前記アンダーフィルが導入されるためのアンダーフィル導入部を有することを特徴とする実装基板。
A mounting chip in which a semiconductor chip is mounted on a lip chip and an underfill penetrates between the semiconductor chip,
A connection pad formed on the first insulating layer and connected to the semiconductor chip;
A second insulating layer formed on the first insulating layer and having an opening through which the connection pad is exposed;
The connection pad includes a first connection pad arranged in a substantially square shape corresponding to a peripheral edge of the semiconductor chip, and a second connection pad installed so as to be surrounded by the first connection pad. ,
The mounting substrate, wherein the opening from which the second connection pad is exposed has an underfill introduction portion for introducing the underfill.
前記第2の絶縁層はソルダーレジスト層よりなることを特徴とする請求項1記載の実装基板。   The mounting substrate according to claim 1, wherein the second insulating layer is made of a solder resist layer. 前記アンダーフィル導入部は、前記アンダーフィルを前記開口部に導入する場合の当該アンダーフィルの表面積の増大を制御する構造を有することを特徴とする請求項1または2記載の実装基板。   The mounting substrate according to claim 1, wherein the underfill introduction portion has a structure that controls an increase in a surface area of the underfill when the underfill is introduced into the opening. 前記アンダーフィル導入部は、平面視した場合に実質的に鋭角となる部分を有することを特徴とする請求項1乃至3のうち、いずれか1項記載の実装基板。   4. The mounting substrate according to claim 1, wherein the underfill introduction portion has a portion that is substantially acute when viewed in plan. 5. 前記アンダーフィル導入部は、前記第2の絶縁層の表面側から該第2の絶縁層の前記第1の絶縁層に面する側にかけて、該第2の絶縁層が斜めに開口された構造を含むことを特徴とする請求項1乃至4のうち、いずれか1項記載の実装基板。   The underfill introduction portion has a structure in which the second insulating layer is opened obliquely from the surface side of the second insulating layer to the side of the second insulating layer facing the first insulating layer. The mounting board according to claim 1, wherein the mounting board is included. 前記第2の接続パッドは、前記半導体チップの電源ラインまたは接地ラインに接続されることを特徴とする請求項1乃至5のうち、いずれか1項記載の実装基板。   6. The mounting board according to claim 1, wherein the second connection pad is connected to a power supply line or a ground line of the semiconductor chip. 半導体チップが実装基板にフリップチップ実装され、当該半導体チップと当該実装基板との間にアンダーフィルが浸透されてなる半導体装置であって、
前記実装基板は、
第1の絶縁層に形成される、前記半導体チップと接続される接続パッドと、
前記第1の絶縁層上に形成される、前記接続パッドが露出される開口部を有する第2の絶縁層と、を有し、
前記接続パッドは、前記半導体チップの周縁部に対応して略四角形に配列される第1の接続パッドと、前記第1の接続パッドに囲まれるように設置される第2の接続パッドとを含み、
前記第2の接続パッドが露出する前記開口部は、前記アンダーフィルが導入されるためのアンダーフィル導入部を有することを特徴とする半導体装置。
A semiconductor device in which a semiconductor chip is flip-chip mounted on a mounting substrate, and an underfill is infiltrated between the semiconductor chip and the mounting substrate,
The mounting substrate is
A connection pad formed on the first insulating layer and connected to the semiconductor chip;
A second insulating layer formed on the first insulating layer and having an opening through which the connection pad is exposed;
The connection pad includes a first connection pad arranged in a substantially square shape corresponding to a peripheral edge of the semiconductor chip, and a second connection pad installed so as to be surrounded by the first connection pad. ,
The semiconductor device according to claim 1, wherein the opening from which the second connection pad is exposed has an underfill introducing portion for introducing the underfill.
前記アンダーフィル導入部は、前記アンダーフィルを前記開口部に導入する場合の当該アンダーフィルの表面積の増大を制御する構造を有することを特徴とする請求項7記載の半導体装置。   The semiconductor device according to claim 7, wherein the underfill introduction portion has a structure for controlling an increase in a surface area of the underfill when the underfill is introduced into the opening. 前記アンダーフィル導入部は、平面視した場合に実質的に鋭角となる部分を有することを特徴とする請求項7または8記載の半導体装置。   9. The semiconductor device according to claim 7, wherein the underfill introduction portion has a portion that is substantially acute when viewed in plan. 前記アンダーフィル導入部は、前記第2の絶縁層の表面側から該第2の絶縁層の前記第1の絶縁層に面する側にかけて、該第2の絶縁層が斜めに開口された構造を含むことを特徴とする請求項7乃至9のうち、いずれか1項記載の半導体装置。   The underfill introduction portion has a structure in which the second insulating layer is opened obliquely from the surface side of the second insulating layer to the side of the second insulating layer facing the first insulating layer. The semiconductor device according to claim 7, wherein the semiconductor device is included.
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