JP2007150044A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

【課題】アイランド上に搭載された半導体素子をリード端子に電気的に接続し、アイランドの下面が露出するように、これらをモールド樹脂にて封止してなる樹脂封止型の半導体装置において、アイランドの平面サイズの増加を抑制しつつ、アイランドの放熱面積を増加させる。
【解決手段】板材よりなるアイランド１０の上面１１に半導体素子２０を搭載し、半導体素子２０とリード端子とを電気的に接続し、これらをモールド樹脂４０にて封止し、モールド樹脂４０の下面４２からアイランド１０の下面１２が露出してなる半導体装置において、アイランド１０の周辺部は、モールド樹脂４０の側面４３から露出し、アイランド１０における上面１１が谷となり下面１２が山となるように折り曲げられている。
【選択図】図２

Description

本発明は、アイランド上に搭載された半導体素子をリード端子に電気的に接続し、アイランドの下面が露出するように、これらをモールド樹脂にて封止してなる半導体装置に関する。

従来より、この種の半導体装置としては、平板状のアイランドと、アイランドの上面に搭載された半導体素子と、半導体素子と電気的に接続されたリード端子とを備え、これらアイランド、リード端子および半導体素子をモールド樹脂にて封止するとともに、モールド樹脂の下面からアイランドの下面を露出させたものが提案されている（たとえば、特許文献１参照）。

このような半導体装置においては、モールド樹脂の下面からアイランドの下面を露出させることにより、このアイランドを介して半導体素子に発生する熱を放熱するようになっている。
特開２０００−１５０７５６号公報

上述したように、従来のものでは、アイランドは放熱部材すなわちヒートシンクの機能を持つ。ここで、ヒートシンクとして放熱機能を向上させるには、単純には、アイランドの平面サイズを大きくし、放熱面積を増加させればよい。

しかし、従来では、アイランドは平板状のものであるため、モールド樹脂の下面からみたときの半導体装置のサイズ、すなわち半導体装置全体の平面サイズも大きくなってしまう。

本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、アイランド上に搭載された半導体素子をリード端子に電気的に接続し、アイランドの下面が露出するように、これらをモールド樹脂にて封止してなる樹脂封止型の半導体装置において、アイランドの平面サイズの増加を抑制しつつ、アイランドの放熱面積を増加させることを目的とする。

本発明者らは、従来の平板状であったアイランドの周辺部を折り曲げてやれば、その分、平面サイズを大きくすることなく、アイランドの放熱面積を増加させることができると考えた。

ここで、アイランドの周辺部を、アイランドにおける上面が山となりモールド樹脂からの露出面である下面が谷となるように折り曲げると、当該折り曲げ部がモールド樹脂の下面から下方に突出し、その突出部の分だけ、装置全体の高さが増大する。

その点、アイランドの周辺部を、上記の折り曲げ方と反対にする、すなわちアイランドにおける上面が谷となり下面が山となるように折り曲げた場合には、当該折り曲げ部がモールド樹脂の上面以下の高さに収まるならば、装置全体の高さが増大することにはならない。このように、本発明は、装置の高さ方向のサイズの増大の抑制までも考慮して、創出されたものである。

すなわち、本発明は、アイランド（１０）の上面（１１）に半導体素子（２０）を搭載し、アイランド（１０）の下面（１２）をモールド樹脂（４０）の下面（４２）から露出させるようにした樹脂封止型の半導体装置において、アイランド（１０）の周辺部を、アイランド（１０）における上面（１１）が谷となり下面（１２）が山となるように折り曲げたことを、第１の特徴とする。

それによれば、アイランド（１０）の平面サイズの増加を抑制しつつ、アイランド（１０）の放熱面積を増加させることができる。

また、本発明は、上記第１の特徴を有する半導体装置において、アイランド（１０）の折り曲げられている部位（１３）を、モールド樹脂（４０）の側面（４３）から露出させるとともに、モールド樹脂（４０）の下面（４２）から側面（４３）に沿うように曲げたことを、第２の特徴とする。

それによれば、アイランド（１０）の折り曲げられている部位（１３）を、モールド樹脂（４０）の側面（４３）から露出させているため、より放熱性を向上させることができる。

また、本発明は、上記第２の特徴を有する半導体装置において、アイランド（１０）の折り曲げられている部位（１３）のうちモールド樹脂（４０）の側面（４３）に沿っている部位（１３ａ）の外面を、モールド樹脂（４０）の側面（４３）と同一平面に位置させたことを、第３の特徴とする。

それによれば、アイランド（１０）の折り曲げられている部位（１３）のうちモールド樹脂（４０）の側面（４３）に沿っている部位（１３ａ）が、モールド樹脂（４０）の側面（４３）よりも突出していないため、装置全体の平面方向へのサイズの増大を防止できる。

また、本発明は、上記第２または第３の特徴を有する半導体装置において、アイランド（１０）の折り曲げられている部位（１３）を、モールド樹脂（４０）の下面（４２）からモールド樹脂（４０）の側面（４３）に沿うとともに、さらにモールド樹脂（４０）の側面（４３）からモールド樹脂（４０）の上面（４１）に沿うように曲げられたＵ字形の曲げ形状をなすものとしたことを、第４の特徴とする。

それによれば、アイランド（１０）の折り曲げられている部位（１３）のうちモールド樹脂（４０）の上面（４１）に沿っている部位（１３ｂ）に、ケースなどの外部基材を接触させ、放熱させることが可能になる。

また、本発明は、上記第４の特徴を有する半導体装置において、アイランド（１０）の折り曲げられている部位（１３）のうちモールド樹脂（４０）の上面（４１）に沿っている部位（１３ｂ）の外面を、モールド樹脂（４０）の上面（４１）と同一平面に位置させたことを、第５の特徴とする。

それによれば、アイランド（１０）の折り曲げられている部位（１３）のうちモールド樹脂（４０）の上面（４１）に沿っている部位（１３ｂ）が、モールド樹脂（４０）の上面（４１）よりも突出していないため、装置全体の高さ方向へのサイズの増大を防止できる。

なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。

以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。

（第１実施形態）
図１は、本発明の第1実施形態に係る半導体装置１００の概略平面構成を示す図である。また、図２は、図１中のＡ−Ａ線に沿った概略断面図、図３は、図１中のＢ−Ｂ線に沿った概略断面図である。

本実施形態の半導体装置１００は、大きくは、板材よりなるアイランド１０と、アイランド１０の上面１１に搭載された半導体素子２０と、半導体素子２０と電気的に接続されたリード端子３０と、これらアイランド１０、リード端子３０および半導体素子２０を封止するモールド樹脂４０とを備えている。

本実施形態では、アイランド１０とリード端子３０とは、１枚のリードフレーム１（後述する図４参照）から分離形成されたものである。ここで、リードフレーム１は、Ｃｕや４２アロイなどの通常のリードフレーム材料からなるものであり、１枚のリードフレーム１をプレスやエッチング加工することによってアイランド１０とリード端子３０とが分離されたものである。

また、リード端子３０は、アイランド１０の周囲に配置されている。ここでは、リード端子３０は、アイランド１０の周囲に複数本設けられ、アイランド１０からその外方へ向かって延びる形状をなすものである。

そして、アイランド１０の上面１１には、Ａｇペーストや導電性接着剤などよりなる図示しないダイマウント材を介して半導体素子２０が搭載され、接着されている。この半導体素子２０は、シリコン半導体などの半導体基板を用いて半導体プロセスにより形成されたＩＣチップなどである。

そして、図３に示されるように、半導体素子２０の上面２１と各リード端子３０の上面３１とは、同一方向に面しており、これらの上面２１、３１同士は、Ａｕやアルミニウムなどからなるボンディングワイヤ５０を介して結線され電気的に接続されている。

そして、モールド樹脂４０は、エポキシ系樹脂などの通常のモールド材料を用いてトランスファーモールド法などにより形成されるもので、アイランド１０、リード端子３０、半導体素子２０およびボンディングワイヤ５０を包み込むように封止している。

ここで、図３に示されるように、モールド樹脂４０のうち、アイランド１０における半導体素子２０の搭載面である上面１１、および、リード端子３０におけるボンディングワイヤ５０との接続面である上面３１と同一方向に面する面が、モールド樹脂４０の上面４１であり、それとは反対側の面がモールド樹脂４０の下面４２であり、これら上下面４１、４２の間の面がモールド樹脂４０の側面４３となっている。

ここでは、モールド樹脂４０は矩形板状のものであり、その上面４１および下面４２を主面とし、４つの側面４３を有するものとなっている。そして、アイランド１０の上面１１とは反対側の下面１２、および、リード端子３０の上面とは反対側の下面３２が、モールド樹脂４０の下面４２から露出している。

このように、本実施形態の半導体装置１００は、ＳＯＰ（Ｓｍａｌｌ Ｏｕｔｌｉｎｅ Ｐａｃｋａｇｅ）、ＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）などに設けられているガルウイング形状のアウターリード部を無くし、リード端子３０の下面３２を外部と接続する面として、モールド樹脂４０から露出させた構造となっている。

このような構造は、ＱＦＮ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｎｏｎ−Ｌｅａｄｅｄ Ｐａｃｋａｇｅ）といわれており、このＱＦＮは、電子機器の小型化要求に対応した小型のモールドパッケージとし有効なものである。

本実施形態の半導体装置１００は、プリント基板（ＰＣＢ）などの外部基板などに搭載され、本例では、リード端子３０の下面３２およびアイランド１０の下面１２にてはんだなどにより接続されることで実装される。そして、リード端子３０と外部との間で電気的な信号のやりとりが行われ、アイランド１０からは半導体素子２０の熱が外部へ放熱されるようになっている。

それにより、半導体装置１００における放熱が図られているが、本実施形態では、さらに、このようなアイランド１０による放熱機能の向上させるために、アイランド１０の構成に改良を加えている。

すなわち、本実施形態では、図１、図２に示されるように、板材よりなるアイランド１０の周辺部を、アイランド１０における上面１１が谷となり下面１２が山となるように折り曲げており、これを折り曲げ部１３として構成している。

ここでは、アイランド１０の折り曲げられている部位１３すなわち折り曲げ部１３は、モールド樹脂４０の側面４３から突出して露出している。本例では、図１、図２に示されるように、矩形板状をなすモールド樹脂４０における対向する２つの側面４３から、折り曲げ部１３が露出している。

また、本例のアイランド１０の折り曲げ部１３は、モールド樹脂４０の外部にて、モールド樹脂４０における下面４２から側面４３に沿って上面４１まで回り込んだ曲げ形状となっている。

つまり、このアイランドの折り曲げ部１３は、モールド樹脂４０の下面４２からモールド樹脂４０の側面４３に沿うとともに、さらにモールド樹脂４０の側面４３からモールド樹脂４０の上面４１に沿うように曲げられたＵ字形の曲げ形状をなす。

また、本例では、アイランド１０の折り曲げ部１３のうちモールド樹脂４０の側面４３に沿っている部位１３ａは、モールド樹脂４０の側面４３よりも突出しており、当該側面４３とは離れている。また、折り曲げ部１３のうちモールド樹脂４０の上面４１に沿っている部位１３ｂは、モールド樹脂４０の上面４１とは離れており、当該上面４１よりも上方に位置している。

また、本実施形態では、アイランド１０の周辺部を、アイランド１０における上面１１が谷となり下面１２が山となるように折り曲げており、この折り曲げ部１３による半導体装置１００の高さ方向（図２中の上下方向）のサイズの増大は、折り曲げ部１３がモールド樹脂４０の上面４１より上方に突き出ている分にとどまっている。

図４は、本実施形態に用いる上記リードフレーム１の平面構成を示す図であり、このリードフレーム１により、本実施形態におけるアイランド１０およびリード端子３０が形成される。

なお、図４には、便宜上、リードフレーム１の表面にハッチングを施して識別を容易としており、半導体素子２０の外形およびモールド樹脂４０の外形を一点鎖線にて示してある。さらに、リードフレーム１のうち、折り曲げ部１３を含むアイランド１０やリード端子３０などの半導体装置１００の各部に対応する部位には、それぞれ当該各部と同一の符号を付してある。

上述したように、このリードフレーム１は、プレスやエッチング加工することによってアイランド１０、リード端子３０が分離されたものである。ここでは、各部は、最外周に位置する枠状のガイドフレーム２に連結されて、一体化している。

図４に示されるように、アイランド１０の周辺部となる折り曲げ部１３は、リード端子３０の間を通って、リード端子３０よりも外側に設けられており、アイランド１０は、この折り曲げ部１３にてガイドフレーム２に一体に連結されている。

そして、この折り曲げ部１３に対して、その近傍に位置するリード端子３０が一体に連結されている。また、折り曲げ部１３に連結されていないリード端子３０は、直接ガイドフレーム２に一体に連結されている。

このようなリードフレーム１を用いて、本半導体装置１００は製造される。すなわち、まず、リードフレーム１におけるアイランド１０の上面に、半導体素子２０を搭載する。そして、ワイヤボンディングを行い、半導体素子２０の上面２１とリード端子３０の上面３１とを、上記図３に示されるように、ボンディングワイヤ５０により結線する。

次に、このものを樹脂成形用の金型にセットして、モールド樹脂４０による封止を行う。続いて、リードフレーム１に対して、図４に示される破線の部分をカットする。その後、折り曲げ部１３を図１〜図３に示されるように、折り曲げることにより、本実施形態の半導体装置１００ができあがる。

このように、本実施形態の半導体装置１００においては、アイランド１０の周辺部をアイランド１０における上面１１が谷となり下面１２が山となるように折り曲げているため、放熱面積を大きくすべく折り曲げ前のアイランドの平面サイズを大きくしたとしても、アイランド１０の平面サイズの増加を抑制しつつ放熱面積を増加させることができる。

また、本実施形態では、アイランド１０の折り曲げ部１３を、モールド樹脂４０の側面４３からモールド樹脂４０の外部へ露出させているため、より放熱性を向上させることができる。

また、本実施形態の半導体装置１００は外部基板に搭載された状態で、アイランド１０の下面１２から当該外部基板への放熱が可能であるが、さらに、アイランド１０の折り曲げ部１３のうちモールド樹脂４０の上面４１に沿っている部位１３ｂに、ケースなどの外部基材を接触させ、放熱させることも可能である。

（第２実施形態）
図５は、本発明の第２実施形態に係る半導体装置１１０の概略断面構成を示す図であり、図６は、この半導体装置１１０に対してケース２００を接触させつつプリント基板３００にはんだ３１０を介して実装した状態を示す概略断面図である。

上記第１実施形態（図２参照）では、アイランド１０の折り曲げ部１３のうちモールド樹脂４０の上面４１に沿っている部位１３ｂは、モールド樹脂４０の上面４１と平行であった。

それに対して、本実施形態の半導体装置１１０では、図５に示されるように、アイランド１０の折り曲げ部１３のうちモールド樹脂４０の上面４１に沿っている部位１３ｂは、モールド樹脂４０の上面４１に対して傾斜している。具体的には、当該部位１３ｂは、当該部位１３ｂにおけるモールド樹脂４０の側面４３側を起点として斜め上方へ向かって傾斜している。

すなわち、当該部位１３ｂは、当該部位１３ｂにおけるモールド樹脂４０の側面４３側の端部よりもそれとは反対側の端部の方が、モールド樹脂４０の上面４１から離れていくように、傾斜している。

この半導体装置１１０は、図６に示されるように、モールド樹脂４０の下面４２側にてアイランド１０の下面１２および図示しないリード端子の下面を、はんだ３１０によりプリント基板３００に接合することで実装される。

さらに、図６に示されるように、この折り曲げ部１３のうちモールド樹脂４０の上面４１に沿っている部位１３ｂにおける上方端側の部位に、ケース２００などの外部基材を押しつけてやれば、当該部位１３ｂのバネ性によって当該部位１３ｂをたわませた形でケース２００が接触する。

この場合、ケース２００と折り曲げ部１３の上記部位１３ｂとは、直接接触していてもよいし、熱伝導性の良いグリスなどの部材を介在させた状態で接触していてもよい。それにより、モールド樹脂４０の上面４１からケース２００を介して放熱を行うことが可能となる。

上記第１実施形態においても、モールド樹脂４０の上面４１からケースを介した放熱を行うことが可能であったが、ケース２００の組み付け公差により、ケース２００と折り曲げ部１３の上記部位１３ｂとの接触が不十分になる可能性がある。その点、本実施形態によれば、上記部位１３ｂのバネ性を活かして、これら両者の接触を確実に行うことができる。

（第３実施形態）
図７は、本発明の第２実施形態に係る半導体装置１２０の概略断面構成を示す図である。

上記第１実施形態では、アイランド１０の折り曲げ部１３のうちモールド樹脂４０の側面４３に沿っている部位１３ａ、および、モールド樹脂４０の上面４１に沿っている部位１３ｂの外面は、それぞれ、モールド樹脂４０の側面４３および上面４１から突出していた。

それに対して、本実施形態の半導体装置１２０では、図７に示されるように、アイランド１０の折り曲げ部１３のうちモールド樹脂４０の側面４３に沿っている部位１３ａの外面、および、モールド樹脂４０の上面４１に沿っている部位１３ｂの外面を、それぞれ、モールド樹脂４０の側面４３および上面４１と同一平面に位置させている。

つまり、本例では、折り曲げ部１３を含むアイランド１０全体の外面を、モールド樹脂４０の外面と同一平面とする、いわゆる面一（つらいち）の関係としている。そのため、本例では、アイランド１０の折り曲げ部１３が、モールド樹脂４０の側面４３および上面４１よりも突出していないため、装置全体の体格が平面方向および高さ方向へ増大するのを防止できる。

このような構成は、上記図４に示されるリードフレーム１を用いて製造が可能である。たとえば、図４において、モールド樹脂４０による封止を行う前にリードフレーム１のカットを行って折り曲げ部１３を形成するとともに、カットにより分離された各部は粘着テープなどにより一体化しておき、その後、これらをモールド樹脂４０にて封止する。それにより、本実施形態の半導体装置１２０を形成できる。

なお、図７に示される例では、折り曲げ部１３のうちモールド樹脂４０の側面４３に沿っている部位１３ｂの外面および上面４１に沿っている部位１３ｂの外面の両方を、それぞれ、モールド樹脂４０の側面４３および上面４１と同一平面に位置させているが、どちらか一方のみに、このような同一平面の位置関係を適用してもよい。

つまり、アイランド１０の折り曲げ部１３のうちモールド樹脂４０の側面４３に沿っている部位１３ａの外面を、モールド樹脂４０の側面４３と同一平面に位置させ、折り曲げ部１３のうちモールド樹脂４０の上面４１に沿っている部位１３ｂは、モールド樹脂４０の上面４１から突出していてもよい。

一方、アイランド１０の折り曲げ部１３のうちモールド樹脂４０の上面４１に沿っている部位１３ｂの外面を、モールド樹脂４０の上面４１と同一平面に位置させ、折り曲げ部１３のうちモールド樹脂４０の側面４３に沿っている部位１３ａは、モールド樹脂４０の側面４３から突出していてもよい。

また、折り曲げ部１３のうちモールド樹脂４０の側面４３に沿っている部位１３ｂの外面および上面４１に沿っている部位１３ｂの外面の少なくとも一方に対して、上記同一平面の位置関係を適用することにより、当該関係が適用された部位はモールド樹脂４０に指示された状態となり、機械的な強度の向上にもつながる。

（他の実施形態）
図８、図９、図１０は、それぞれ本発明の他の実施形態に係る半導体装置１３０、１４０、１５０を示す図である。

上記各実施形態では、アイランド１０の折り曲げ部１３はモールド樹脂４０から露出していたが、図８に示される半導体装置１３０のように、当該折り曲げ部１３がモールド樹脂４０内部に封止されていてもよい。この場合、折り曲げ部１３が半導体素子２０の近傍まで配置されるため、過渡的な放熱性に優れたものとなる。

また、上記各実施形態では、アイランド１０の折り曲げ部１３は、モールド樹脂４０における下面４２から側面４３に沿って上面４１まで回り込んだＵ字型の曲げ形状となっているが、図９に示される半導体装置１４０のように、折り曲げ部１３は、モールド樹脂４０の下面４２から側面４３に沿うように曲げられるにとどめ、さらにモールド樹脂４０の上面４１まで回り込んでいないものでもよい。

なお、この図９に示される半導体装置１４０においても、モールド樹脂４０の側面４３に沿っているアイランド１０の折り曲げ部１３の外面を、モールド樹脂４０の側面４３と同一平面に位置させるようにしてもよい。

また、上記図１に示される例では、矩形板状をなすモールド樹脂４０における対向する２つの側面４３から、折り曲げ部１３を露出させたが、図１０に示される半導体装置１５０のように、折り曲げ部１３を、このモールド樹脂４０における４つの側面４３のすべてから露出させてもよい。

それによれば、折り曲げ部１３による放熱経路が、実質的に、モールド樹脂４０の側面の全周に形成された形となり、放熱性のさらなる向上が期待される。なお、この図１０に示される形態は、上記した各実施形態に適用が可能である。

また、上記図１および図１０に示されるような矩形板状のモールド樹脂４０において、アイランド１０の折り曲げ部１３は、複数箇所の側面４３から露出されたものでなくてもよく、１カ所の側面４３のみにて露出するものであってもよい。

また、折り曲げ部１３には、エッチングやプレスどにより凹凸を設けることにより、その放熱面積を増加させるようにしてもよい。また、このような凹凸加工を行うこと以外にも、たとえば別体のフィンなどを、折り曲げ部１３に接着や溶接などにより取り付けて、放熱性のさらなる向上を図ってもよい。

また、半導体素子２０とリード端子３０との電気的な接続方法は、上記のボンディングワイヤ５０を介した結線によるもの以外にも、その他の配線部材などを用いたものであってもよい。

また、本発明は、上記ＱＦＮパッケージ構造に限定されるものではない。たとえば、ＱＦＮパッケージのようにリード端子の下面が外部接続面となっているもの以外にも、ＳＯＰやＱＦＰのように、リード端子の一部が、モールド樹脂の側面から突出しているアウターリードを有するものでもよい。

本発明の第1実施形態に係る半導体装置の概略平面図である。 図１中のＡ−Ａ概略断面図である。 図１中のＢ−Ｂ概略断面図である。 上記第１実施形態に用いるリードフレームの概略平面図である。 本発明の第２実施形態に係る半導体装置の概略断面図である。 上記図５に示される半導体装置に対してケースを接触させた状態を示す概略断面図である。 本発明の第３実施形態に係る半導体装置の概略断面図である。 本発明の他の実施形態に係る半導体装置の概略断面図である。 本発明の他の実施形態に係る半導体装置の概略断面図である。 本発明の他の実施形態に係る半導体装置の概略平面図である。

符号の説明

１０…アイランド、１１…アイランドの上面、１２…アイランドの下面、
１３…アイランドの折り曲げ部、
１３ａ…折り曲げ部のうちモールド樹脂の側面に沿っている部位、
１３ｂ…折り曲げ部のうちモールド樹脂の上面に沿っている部位、
２０…半導体素子、３０…リード端子、４０…モールド樹脂、
４１…モールド樹脂の上面、４２…モールド樹脂の下面、４３…モールド樹脂の側面。

Claims (7)

1. 板材よりなるアイランド（１０）と、前記アイランド（１０）の上面（１１）に搭載された半導体素子（２０）と、前記半導体素子（２０）と電気的に接続されたリード端子（３０）とを備え、
   前記アイランド（１０）、前記リード端子（３０）および前記半導体素子（２０）がモールド樹脂（４０）にて封止されるとともに、前記モールド樹脂（４０）の下面（４２）から前記アイランド（１０）の下面（１２）が露出してなる半導体装置において、
   前記アイランド（１０）の周辺部は、前記アイランド（１０）における前記上面（１１）が谷となり前記下面（１２）が山となるように折り曲げられていることを特徴とする半導体装置。
2. 前記アイランド（１０）の前記折り曲げられている部位（１３）は、前記モールド樹脂（４０）の側面（４３）から露出するとともに、前記モールド樹脂（４０）の前記下面（４２）から前記側面（４３）に沿うように曲げられていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
3. 前記アイランド（１０）の前記折り曲げられている部位（１３）のうち前記モールド樹脂（４０）の前記側面（４３）に沿っている部位（１３ａ）の外面は、前記モールド樹脂（４０）の前記側面（４３）と同一平面に位置していることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
4. 前記アイランド（１０）の前記折り曲げられている部位（１３）は、前記モールド樹脂（４０）の前記下面（４２）から前記モールド樹脂（４０）の前記側面（４３）に沿うとともに、さらに前記モールド樹脂（４０）の前記側面（４３）から前記モールド樹脂（４０）の上面（４１）に沿うように曲げられたＵ字形の曲げ形状をなすものであることを特徴とする請求項２または３に記載の半導体装置。
5. 前記アイランド（１０）の前記折り曲げられている部位（１３）のうち前記モールド樹脂（４０）の前記上面（４１）に沿っている部位（１３ｂ）の外面は、前記モールド樹脂（４０）の前記上面（４１）と同一平面に位置していることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
6. 前記アイランド（１０）の前記折り曲げられている部位（１３）のうち前記モールド樹脂（４０）の前記上面（４１）に沿っている部位（１３ｂ）は、当該部位（１３ｂ）における前記モールド樹脂（４０）の前記側面（４３）側を起点として斜め上方へ向かって傾斜していることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
7. 前記モールド樹脂（４０）は、前記下面（４２）を主面とし、前記側面（４３）を４つ有する矩形板状のものであり、
   前記アイランド（１０）の前記折り曲げられている部位（１３）は、前記モールド樹脂（４０）における４つの側面（４３）のすべてから露出していることを特徴とする請求項２ないし６のいずれか１つに記載の半導体装置。

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