JP2007036121A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 露光装置において基板に付着した液体による動作不良および処理不良が防止された基板処理装置を提供する。
【解決手段】 基板処理装置５００は、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４、洗浄／乾燥処理ブロック１５およびインターフェースブロック１６を含む。基板処理装置５００のインターフェースブロック１６に隣接するように露光装置１７が配置される。露光装置１７においては、液浸法により基板Ｗの露光処理が行われる。インターフェースブロック１６は、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＤＰＡＳＳ２を含む。基板Ｗの搬送時においては、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＤＰＡＳＳ２に基板Ｗが載置される。基板載置部ＤＰＡＳＳ１，ＤＰＡＳＳ２は、載置された基板Ｗの乾燥処理を行う。
【選択図】 図１

Description

本発明は、基板の処理を行う基板処理装置に関する。

半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等の各種基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。

このような基板処理装置では、一般に、一枚の基板に対して複数の異なる処理が連続的に行われる。特許文献１に記載された基板処理装置は、インデクサブロック、反射防止膜用処理ブロック、レジスト膜用処理ブロック、現像処理ブロックおよびインターフェイスブロックにより構成される。インターフェイスブロックに隣接するように、基板処理装置とは別体の外部装置である露光装置が配置される。

上記の基板処理装置においては、インデクサブロックから搬入される基板は、反射防止膜用処理ブロックおよびレジスト膜用処理ブロックにおいて反射防止膜の形成およびレジスト膜の塗布処理が行われた後、インターフェイスブロックを介して露光装置へと搬送される。露光装置において基板上のレジスト膜に露光処理が行われた後、基板はインターフェイスブロックを介して現像処理ブロックへ搬送される。現像処理ブロックにおいて基板上のレジスト膜に現像処理が行われることによりレジストパターンが形成された後、基板はインデクサブロックへと搬送される。

近年、デバイスの高密度化および高集積化に伴い、レジストパターンの微細化が重要な課題となっている。従来の一般的な露光装置においては、レクチルのパターンを投影レンズを介して基板上に縮小投影することによって露光処理が行われていた。しかし、このような従来の露光装置においては、露光パターンの線幅は露光装置の光源の波長によって決まるため、レジストパターンの微細化に限界があった。

そこで、露光パターンのさらなる微細化を可能にする投影露光方法として、液浸法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。特許文献２の投影露光装置においては、投影光学系と基板との間に液体が満たされており、基板表面における露光光を短波長化することができる。それにより、露光パターンのさらなる微細化が可能となる。
特開２００３−３２４１３９号公報 国際公開第９９／４９５０４号パンフレット

上記特許文献２の投影露光装置においては、基板と液体とが接触した状態で露光処理が行われるので、基板は、液体が付着した状態で露光装置から搬出される。そのため、上記特許文献１の基板処理装置に上記特許文献２に記載されているような液浸法を用いた露光装置を外部装置として設ける場合、露光装置から搬出された基板に付着している液体が基板処理装置内に落下し、基板処理装置の電気系統の異常等の動作不良が発生するおそれがある。

また、露光処理後の基板に液体が付着していると、その基板に塵埃等が付着するおそれもある。基板に塵埃等が付着すると、基板の処理不良が発生するおそれがある。

本発明の目的は、露光装置において基板に付着した液体による動作不良および処理不良が防止された基板処理装置を提供することである。

（１）
本発明に係る基板処理装置は、露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、基板に処理を行う処理部と、処理部の一端部に隣接するように設けられ、処理部と露光装置との間で基板の受け渡しを行う受け渡し部と、受け渡し部に設けられ、処理部と露光装置との間で基板を搬送する基板搬送機構とを備え、基板搬送機構は、基板の乾燥処理を行う基板乾燥手段を含むものである。

本発明に係る基板処理装置は露光装置に隣接するように配置される。この基板処理装置においては、処理部により基板に所定の処理が行われ、処理部の一端部に隣接するように設けられた受け渡し部により、処理部と露光装置との間で基板の受け渡しが行われる。受け渡し部においては、基板乾燥手段により、処理部と露光装置との間で搬送される基板に乾燥処理が行われる。

この基板処理装置によれば、処理部または露光装置から取り出された基板に液体が付着した場合でも、基板乾燥手段により処理部と露光装置との間で搬送される基板に乾燥処理が行われるので、液体が基板処理装置内に落下し、基板処理装置の電気系統の異常等の動作不良が防止される。

また、基板に乾燥処理が行われることにより、液体が付着した基板に塵埃等が付着することがないので、基板の処理不良が防止される。

（２）
基板乾燥手段は、露光装置による露光処理後の基板の乾燥処理を行ってもよい。この場合、露光装置による露光処理後の基板が基板乾燥手段により乾燥処理される。

露光装置から基板処理装置に搬送される露光処理後の基板には、液体が付着する場合があるが、基板乾燥手段により、露光装置による露光処理後の基板に乾燥処理が行われるので、露光処理後の基板に付着した液体に起因する基板処理装置の動作不良および基板の処理不良が防止される。

（３）
基板乾燥手段は、露光装置による露光処理前の基板の乾燥処理を行ってもよい。この場合、露光装置による露光処理前の基板が基板乾燥手段により乾燥処理される。

これにより、露光処理前の基板の裏面側に液体が付着している場合でも、基板乾燥手段により基板が乾燥処理されるので、液体が付着した基板が露光装置に搬送されることが防止される。

その結果、露光処理前の基板に塵埃等の汚染物質が付着することが防止され、基板の汚染に起因する露光装置内の汚染が防止できる。また、露光装置による基板の露光処理時に、基板に付着した液体に起因する処理不良が防止できる。さらに、露光処理前の基板に付着した液体に起因する基板処理装置の動作不良および基板の処理不良も防止される。

（４）
基板搬送機構は、基板を保持しつつ搬送する第１の搬送装置を含み、第１の搬送装置は、処理部から露光装置に搬送する際に露光処理前の基板を保持する第１の保持手段と、露光装置から処理部に搬送する際に露光処理後の基板を保持する第２の保持手段とを含んでもよい。

この場合、受け渡し部においては、第１の搬送装置の第１の保持手段により、露光処理前の基板が露光装置から処理部に搬送される。また、第１の搬送装置の第２の保持手段により、露光処理後の基板が露光装置から処理部に搬送される。

したがって、基板乾燥手段が露光処理前の基板の乾燥処理を行う場合に、露光処理後の基板に液体が付着しても、露光処理前と露光処理後とで基板を保持する保持手段が異なるので、露光処理後の基板に付着した液体が第１の搬送装置を介して露光処理前の基板に付着することが防止される。

同様に、基板乾燥手段が露光処理後の基板の乾燥処理を行う場合に、露光処理前の基板に液体が付着しても、露光処理前と露光処理後とで基板を保持する保持手段が異なるので、露光処理前の基板に付着した液体が第１の搬送装置を介して露光処理後の基板に付着することが防止される。

（５）
基板搬送機構は、基板を一時的に載置する基板載置部を含み、基板載置部は、基板乾燥手段を含んでもよい。この場合、受け渡し部において、基板が一時的に基板載置部に載置される。そこで、基板載置部に載置された基板が基板乾燥手段により乾燥処理される。

これにより、受け渡し部内に基板の乾燥処理を行う新たなユニットを設ける必要がないので基板処理装置の小型化を実現できる。また、そのようなユニットに基板を搬送する必要もないので、露光処理前の基板を迅速に露光装置内へ搬送することができ、露光処理後の基板を迅速に処理部内へ搬送することができる。

それにより、基板の乾燥処理が効率的に行われるので、スループットが向上し、露光処理前および露光処理後の基板の処理を効果的に行うことができる。

（６）
基板載置部は、受け渡し部において、露光装置に隣接するように配置されてもよい。この場合、液体の付着した露光処理後の基板が、露光装置に隣接するように配置された基板載置部に載置されることにより乾燥処理される。したがって、露光装置による露光処理後の基板に液体が付着した場合でも、露光装置から基板処理装置への基板の搬送時に、迅速に基板が乾燥されるので、基板に乾燥しみが発生することを防止することができる。

（７）
基板乾燥手段は、基板の裏面周縁部の乾燥処理を行ってもよい。この場合、基板の裏面周縁部が基板乾燥手段により乾燥処理される。

露光装置による露光処理後には、基板の裏面周縁部に液体が付着する。したがって、基板乾燥手段が基板の裏面周縁部を乾燥処理することにより、露光処理後の基板に付着した液体を効率的に除去することができる。

（８）
基板乾燥手段は、基板を支持する支持手段と、支持手段により支持された基板の裏面に不活性ガスを噴射することにより基板の乾燥処理を行う不活性ガス供給手段とを備えてもよい。

この場合、基板が支持手段により支持され、支持手段により支持された基板の裏面に不活性ガス供給手段により不活性ガスが噴射される。これにより、基板の裏面に付着する液体が、不活性ガス供給手段から噴射された不活性ガスにより外方に飛散される。それにより、基板の裏面が十分に乾燥処理される。

（９）
基板乾燥手段は、基板の搬送経路に設けられ、不活性ガスを噴射するスリット状開口を有する不活性ガス噴出装置を含み、不活性ガス噴出装置は、搬送中の基板の裏面に不活性ガスを噴射することにより基板の乾燥処理を行ってもよい。

この場合、受け渡し部において、搬送される基板の裏面に不活性ガス噴出装置のスリット状開口から不活性ガスが噴射される。これにより、基板の裏面に付着する液体が、不活性ガス噴出装置により噴射された不活性ガスにより外方に飛散される。それにより、基板の裏面が十分に乾燥処理される。

また、不活性ガス噴出装置は既存の基板処理装置に容易に追加することができるので、低コストで基板に付着した液体に起因する処理不良が防止できる。

（１０）
処理部は、基板に所定の処理を行う処理ユニットと、複数の処理ユニット間で基板を搬送する搬送ユニットとを含み、処理ユニットは、露光装置による露光処理後に基板の乾燥処理を行う乾燥処理ユニットを含んでもよい。

この場合、処理部においては、処理ユニットにより基板に所定の処理が行われる。処理ユニットに含まれる乾燥処理ユニットにおいては、基板の乾燥処理が行われる。複数の処理ユニット間では、基板が搬送ユニットにより搬送される。

これにより、露光処理後の基板が処理部の乾燥処理ユニットに搬入される際に、基板に液体が付着している場合でも、当該基板が乾燥処理ユニットにより確実に乾燥処理される。それにより、基板処理装置内に落下することが確実に防止される。その結果、基板処理装置の電気系統の異常等の動作不良を確実に防止することができる。

また、露光処理後の基板の乾燥処理を確実に行うことにより、露光処理後の基板に雰囲気中の塵埃等が付着することが確実に防止されるので、基板の汚染を確実に防止することができる。

また、基板処理装置内を液体が付着した基板が搬送されることを確実に防止することができるので、露光処理時に基板に付着した液体が基板処理装置内の雰囲気に影響を与えることを確実に防止することができる。それにより、基板処理装置内の温湿度調整が十分に容易になる。

また、露光処理時に基板に付着した液体が基板処理装置内において露光処理前の他の基板に付着することを確実に防止することができる。したがって、露光処理前の他の基板に雰囲気中の塵埃等が付着することが十分に防止されるので、露光処理時の解像性能の劣化を十分に防止することができるとともに露光装置内の汚染を確実に防止することができる。

これらの結果、基板の処理不良を確実に防止することができる。

（１１）
搬送ユニットは、受け渡し部に隣接するようにかつ乾燥処理ユニットに隣接するように設けられる第２の搬送装置を有し、第２の搬送装置は、基板を保持しつつ搬送するための第３の保持手段および第４の保持手段を有し、第３の保持手段は、露光装置による露光処理前の基板を受け渡し部へ搬送する際、および乾燥処理ユニットによる乾燥処理後の基板を他の処理ユニットへ搬送する際に基板を保持し、第４の保持手段は、露光装置による露光処理後の基板を乾燥処理ユニットへ搬送する際に基板を保持してもよい。

この場合、処理部においては、露光処理前の基板が第２の搬送装置の第３の保持手段により保持され、受け渡し部へ搬送される。また、露光処理後の基板が第２の搬送装置の第４の保持手段により保持され、受け渡し部から乾燥処理ユニットへ搬送される。

さらに、乾燥処理ユニットにより乾燥処理された基板が第２の搬送装置の第３の保持手段により保持され、他の処理ユニットへ搬送される。

すなわち、露光処理により液体が付着している基板の搬送には第４の保持手段が用いられ、露光処理前の基板、および乾燥処理ユニットによる乾燥処理後の液体が付着していない基板の搬送には第３の保持手段が用いられる。したがって、第３の保持手段に液体が付着することが防止される。

それにより、露光処理前の基板、および乾燥処理ユニットによる乾燥処理後の基板に液体が付着することを防止することができる。その結果、露光処理後の基板、および乾燥処理ユニットによる乾燥処理後の基板に雰囲気中の塵埃等が付着することを確実に防止することができる。

（１２）
第４の保持手段は、第３の保持手段よりも下方に設けられてもよい。この場合、第４の保持手段およびそれが保持する基板から液体が落下しても、第３の保持手段およびそれが保持する基板に液体が付着することが防止される。

それにより、露光処理前の基板に塵埃等が付着することをより確実に防止することができる。その結果、露光処理前の基板の汚染をより確実に防止することができる。

（１３）
処理ユニットは、露光装置による露光処理後の基板に所定の熱処理を行う熱処理ユニットをさらに含んでもよい。この場合、露光処理後の基板に熱処理ユニットにより所定の熱処理が行われる。

受け渡し部においては、基板乾燥手段により処理部と露光装置との間で搬送される基板に乾燥処理が行われるので、基板に付着した液体が熱処理ユニット内に落下し、熱処理ユニットの電気系統の異常等の動作不良が防止される。

また、基板に乾燥処理が行われることにより、液体が付着した基板に塵埃等が付着することがないので、基板の熱処理不良が確実に防止される。

（１４）
処理ユニットは、基板に感光性材料からなる感光性膜を形成する感光性膜形成ユニットをさらに含んでもよい。この場合、露光処理前の基板に感光性材料からなる感光性膜を感光性膜形成ユニットにより形成することができる。

受け渡し部においては、基板乾燥手段により処理部と露光装置との間で搬送される基板に乾燥処理が行われるので、基板に付着した液体が感光性膜形成ユニット内に落下し、感光性膜形成ユニットの電気系統の異常等の動作不良が防止される。

また、基板に乾燥処理が行われることにより、液体が付着した基板に塵埃等が付着することがないので、基板の汚染に起因する感光性膜の形成不良が防止でき、露光パターンの寸法不良および形状不良の発生を防止することができる。

（１５）
処理ユニットは、感光性膜を保護する保護膜を形成する保護膜形成ユニットをさらに含んでもよい。この場合、感光性膜上に保護膜が形成されるので、露光装置において基板が液体と接触した状態で露光処理が行われても、感光性膜の成分が液体中に溶出することが防止される。それにより、露光装置内の汚染を確実に防止することができる。

（１６）
処理ユニットは、露光装置による露光処理後に保護膜を除去する除去ユニットをさらに含んでもよい。この場合、感光性膜上に形成された保護膜を確実に除去することができる。

（１７）
処理ユニットは、感光性膜形成ユニットによる感光性膜の形成前に基板に反射防止膜を形成する反射防止膜形成ユニットをさらに含んでもよい。この場合、基板上に反射防止膜が形成されるので、露光処理時に発生する定在波およびハレーションを低減させることができる。

（１８）
処理ユニットは、基板の現像処理を行う現像処理ユニットをさらに含んでもよい。この場合、現像処理ユニットにより基板の現像処理が行われる。このように、１つの基板処理装置内において、基板の乾燥処理を行うとともに、基板の現像処理を行うことができるので、フットプリントを低減することができる。

本発明に係る基板処理装置は露光装置に隣接するように配置される。この基板処理装置においては、処理部により基板に所定の処理が行われ、処理部の一端部に隣接するように設けられた受け渡し部により、処理部と露光装置との間で基板の受け渡しが行われる。受け渡し部においては、基板乾燥手段により、処理部と露光装置との間で搬送される基板に乾燥処理が行われる。

この基板処理装置によれば、処理部または露光装置から取り出された基板に液体が付着した場合でも、基板乾燥手段により処理部と露光装置との間で搬送される基板に乾燥処理が行われるので、液体が基板処理装置内に落下し、基板処理装置の電気系統の異常等の動作不良が防止される。

また、基板に乾燥処理が行われることにより、液体が付着した基板に塵埃等が付着することがないので、基板の処理不良が防止される。

以下、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置について図面を用いて説明する。以下の説明において、基板とは、半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等をいう。

また、以下の図面には、位置関係を明確にするために互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を示す矢印を付している。Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交し、Ｚ方向は鉛直方向に相当する。なお、各方向において矢印が向かう方向を＋方向、その反対の方向を−方向とする。また、Ｚ方向を中心とする回転方向をθ方向としている。

Ａ 第１の実施の形態
（１） 基板処理装置の構成
以下、第１の実施の形態に係る基板処理装置について図面を参照しながら説明する。

図１は、第１の実施の形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。

図１に示すように、基板処理装置５００は、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４、洗浄／乾燥処理ブロック１５およびインターフェースブロック１６を含む。基板処理装置５００においては、これらのブロックが上記の順で並設される。

基板処理装置５００のインターフェースブロック１６に隣接するように露光装置１７が配置される。露光装置１７においては、液浸法により基板Ｗの露光処理が行われる。

インデクサブロック９は、各ブロックの動作を制御するメインコントローラ（制御部）９１、複数のキャリア載置台９２およびインデクサロボットＩＲを含む。インデクサロボットＩＲには、基板Ｗを受け渡すためのハンドＩＲＨ１，ＩＲＨ２が上下に設けられる。

反射防止膜用処理ブロック１０は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１、反射防止膜用塗布処理部３０および第１のセンターロボットＣＲ１を含む。反射防止膜用塗布処理部３０は、第１のセンターロボットＣＲ１を挟んで反射防止膜用熱処理部１００，１０１に対向して設けられる。第１のセンターロボットＣＲ１には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ１，ＣＲＨ２が上下に設けられる。

インデクサブロック９と反射防止膜用処理ブロック１０との間には、雰囲気遮断用の隔壁２０が設けられる。この隔壁２０には、インデクサブロック９と反射防止膜用処理ブロック１０との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ１は、基板Ｗをインデクサブロック９から反射防止膜用処理ブロック１０へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ２は、基板Ｗを反射防止膜用処理ブロック１０からインデクサブロック９へ搬送する際に用いられる。

また、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサ（図示せず）が設けられている。それにより、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２において基板Ｗが載置されているか否かの判定を行うことが可能となる。また、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２には、固定設置された複数本の支持ピンが設けられている。なお、上記の光学式のセンサおよび支持ピンは、後述する基板載置部ＰＡＳＳ３〜ＰＡＳＳ１６，ＤＰＡＳＳ１，ＤＰＡＳＳ２にも同様に設けられる。

レジスト膜用処理ブロック１１は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１、レジスト膜用塗布処理部４０および第２のセンターロボットＣＲ２を含む。レジスト膜用塗布処理部４０は、第２のセンターロボットＣＲ２を挟んでレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に対向して設けられる。第２のセンターロボットＣＲ２には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ３，ＣＲＨ４が上下に設けられる。

反射防止膜用処理ブロック１０とレジスト膜用処理ブロック１１との間には、雰囲気遮断用の隔壁２１が設けられる。この隔壁２１には、反射防止膜用処理ブロック１０とレジスト膜用処理ブロック１１との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ３は、基板Ｗを反射防止膜用処理ブロック１０からレジスト膜用処理ブロック１１へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ４は、基板Ｗをレジスト膜用処理ブロック１１から反射防止膜用処理ブロック１０へ搬送する際に用いられる。

現像処理ブロック１２は、現像用熱処理部１２０，１２１、現像処理部５０および第３のセンターロボットＣＲ３を含む。現像処理部５０は、第３のセンターロボットＣＲ３を挟んで現像用熱処理部１２０，１２１に対向して設けられる。第３のセンターロボットＣＲ３には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ５，ＣＲＨ６が上下に設けられる。

レジスト膜用処理ブロック１１と現像処理ブロック１２との間には、雰囲気遮断用の隔壁２２が設けられる。この隔壁２２には、レジスト膜用処理ブロック１１と現像処理ブロック１２との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ５は、基板Ｗをレジスト膜用処理ブロック１１から現像処理ブロック１２へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ６は、基板Ｗを現像処理ブロック１２からレジスト膜用処理ブロック１１へ搬送する際に用いられる。

レジストカバー膜用処理ブロック１３は、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１、レジストカバー膜用塗布処理部６０および第４のセンターロボットＣＲ４を含む。レジストカバー膜用塗布処理部６０は、第４のセンターロボットＣＲ４を挟んでレジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１に対向して設けられる。第４のセンターロボットＣＲ４には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ７，ＣＲＨ８が上下に設けられる。

現像処理ブロック１２とレジストカバー膜用処理ブロック１３との間には、雰囲気遮断用の隔壁２３が設けられる。この隔壁２３には、現像処理ブロック１２とレジストカバー膜用処理ブロック１３との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ７は、基板Ｗを現像処理ブロック１２からレジストカバー膜用処理ブロック１３へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ８は、基板Ｗをレジストカバー膜用処理ブロック１３から現像処理ブロック１２へ搬送する際に用いられる。

レジストカバー膜除去ブロック１４は、レジストカバー膜除去用処理部７０ａ，７０ｂおよび第５のセンターロボットＣＲ５を含む。レジストカバー膜除去用処理部７０ａ，７０ｂは、第５のセンターロボットＣＲ５を挟んで互いに対向して設けられる。第５のセンターロボットＣＲ５には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ９，ＣＲＨ１０が上下に設けられる。

レジストカバー膜用処理ブロック１３とレジストカバー膜除去ブロック１４との間には、雰囲気遮断用の隔壁２４が設けられる。この隔壁２４には、レジストカバー膜用処理ブロック１３とレジストカバー膜除去ブロック１４との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ９は、基板Ｗをレジストカバー膜用処理ブロック１３からレジストカバー膜除去ブロック１４へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ１０は、基板Ｗをレジストカバー膜除去ブロック１４からレジストカバー膜用処理ブロック１３へ搬送する際に用いられる。

洗浄／乾燥処理ブロック１５は、露光後ベーク用熱処理部１５０，１５１、洗浄／乾燥処理部８０および第６のセンターロボットＣＲ６を含む。露光後ベーク用熱処理部１５１はインターフェースブロック１６に隣接し、後述するように、基板載置部ＰＡＳＳ１３，ＰＡＳＳ１４を備える。洗浄／乾燥処理部８０は、第６のセンターロボットＣＲ６を挟んで露光後ベーク用熱処理部１５０，１５１に対向して設けられる。第６のセンターロボットＣＲ６には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ１１，ＣＲＨ１２が上下に設けられる。

レジストカバー膜除去ブロック１４と洗浄／乾燥処理ブロック１５との間には、雰囲気遮断用の隔壁２５が設けられる。この隔壁２５には、レジストカバー膜除去ブロック１４と洗浄／乾燥処理ブロック１５との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ１１，ＰＡＳＳ１２が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ１１は、基板Ｗをレジストカバー膜除去ブロック１４から洗浄／乾燥処理ブロック１５へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ１２は、基板Ｗを洗浄／乾燥処理ブロック１５からレジストカバー膜除去ブロック１４へ搬送する際に用いられる。

インターフェースブロック１６は、第７のセンターロボットＣＲ７、送りバッファ部ＳＢＦ、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ、エッジ露光部ＥＥＷおよび基板載置部ＰＡＳＳ１，ＤＰＡＳＳ２を含む。また、エッジ露光部ＥＥＷの下側に、後述する基板載置部ＰＡＳＳ１５，ＰＡＳＳ１６および戻りバッファ部ＲＢＦが設けられている。第７のセンターロボットＣＲ７には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ１３，ＣＲＨ１４が上下に設けられ、インターフェース用搬送機構ＩＦＲには、基板Ｗを受け渡すためのハンドＨ１，Ｈ２が上下に設けられる。

本実施の形態において、上述のハンドＩＲＨ１，ＩＲＨ２，ＣＲＨ１〜ＣＲＨ１４，Ｈ１，Ｈ２は、それぞれ基板Ｗの裏面周縁部または端面と接触することにより、基板Ｗを保持する構造を有する。

図２は、図１の基板処理装置５００を＋Ｘ方向から見た側面図である。

反射防止膜用処理ブロック１０の反射防止膜用塗布処理部３０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＢＡＲＣが上下に積層配置される。各塗布ユニットＢＡＲＣは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック３１およびスピンチャック３１上に保持された基板Ｗに反射防止膜の塗布液を供給する供給ノズル３２を備える。

レジスト膜用処理ブロック１１のレジスト膜用塗布処理部４０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＲＥＳが上下に積層配置される。各塗布ユニットＲＥＳは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック４１およびスピンチャック４１上に保持された基板Ｗにレジスト膜の塗布液を供給する供給ノズル４２を備える。

現像処理ブロック１２の現像処理部５０（図１参照）には、５個の現像処理ユニットＤＥＶが上下に積層配置される。各現像処理ユニットＤＥＶは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック５１およびスピンチャック５１上に保持された基板Ｗに現像液を供給する供給ノズル５２を備える。

レジストカバー膜用処理ブロック１３のレジストカバー膜用塗布処理部６０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＣＯＶが上下に積層配置される。各塗布ユニットＣＯＶは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック６１およびスピンチャック６１上に保持された基板Ｗにレジストカバー膜の塗布液を供給する供給ノズル６２を備える。レジストカバー膜の塗布液としては、レジストおよび水との親和力が低い材料（レジストおよび水との反応性が低い材料）を用いることができる。例えば、フッ素樹脂である。塗布ユニットＣＯＶは、基板Ｗを回転させながら基板Ｗ上に塗布液を塗布することにより、基板Ｗ上に形成されたレジスト膜上にレジストカバー膜を形成する。

レジストカバー膜除去ブロック１４のレジストカバー膜除去用処理部７０ｂ（図１参照）には、３個の除去ユニットＲＥＭが上下に積層配置される。各除去ユニットＲＥＭは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック７１およびスピンチャック７１上に保持された基板Ｗに剥離液（例えばフッ素樹脂）を供給する供給ノズル７２を備える。除去ユニットＲＥＭは、基板Ｗを回転させながら基板Ｗ上に剥離液を塗布することにより、基板Ｗ上に形成されたレジストカバー膜を除去する。

なお、除去ユニットＲＥＭにおけるレジストカバー膜の除去方法は上記の例に限定されない。例えば、基板Ｗの上方においてスリットノズルを移動させつつ基板Ｗ上に剥離液を供給することによりレジストカバー膜を除去してもよい。

洗浄／乾燥処理ブロック１５の洗浄／乾燥処理部８０（図１参照）には、３個の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤが上下に積層配置される。洗浄／乾燥処理ユニットＳＤの詳細は後述する。

インターフェースブロック１６には、２個のエッジ露光部ＥＥＷ、基板載置部ＰＡＳＳ１５，ＰＡＳＳ１６および戻りバッファ部ＲＢＦが上下に積層配置されるとともに、基板載置部ＤＰＡＳＳ１，ＤＰＡＳＳ２（図１参照）、第７のセンターロボットＣＲ７（図１参照）およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲが配置される。

基板載置部ＤＰＡＳＳ１，ＤＰＡＳＳ２は露光装置１７に隣接するように配置されている（図１および図２参照）。基板載置部ＤＰＡＳＳ１，ＤＰＡＳＳ２の構造の詳細は後述する。

各エッジ露光部ＥＥＷは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック９８およびスピンチャック９８上に保持された基板Ｗの周縁を露光する光照射器９９を備える。

図３は、図１の基板処理装置５００を−Ｘ方向から見た側面図である。

反射防止膜用処理ブロック１０の反射防止膜用熱処理部１００には、２個の加熱ユニット（ホットプレート）ＨＰおよび２個の冷却ユニット（クーリングプレート）ＣＰが積層配置され、反射防止膜用熱処理部１０１には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置される。また、反射防止膜用熱処理部１００，１０１には、最上部に冷却ユニットＣＰおよび加熱ユニットＨＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。

レジスト膜用処理ブロック１１のレジスト膜用熱処理部１１０には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置され、レジスト膜用熱処理部１１１には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置される。また、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１には、最上部に冷却ユニットＣＰおよび加熱ユニットＨＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。

現像処理ブロック１２の現像用熱処理部１２０には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置され、現像用熱処理部１２１には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置される。また、現像用熱処理部１２０，１２１には、最上部に冷却ユニットＣＰおよび加熱ユニットＨＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。

レジストカバー膜用処理ブロック１３のレジストカバー膜用熱処理部１３０には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置され、レジストカバー膜用熱処理部１３１には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置される。また、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１には、最上部に冷却ユニットＣＰおよび加熱ユニットＨＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。

レジストカバー膜除去ブロック１４のレジストカバー膜除去用処理部７０ａには、３個の除去ユニットＲＥＭが上下に積層配置される。

洗浄／乾燥処理ブロック１５の露光後ベーク用熱処理部１５０には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置され、露光後ベーク用熱処理部１５１には２個の加熱ユニットＨＰ、２個の冷却ユニットＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ１３，１４が上下に積層配置される。また、露光後ベーク用熱処理部１５０，１５１には、最上部に冷却ユニットＣＰおよび加熱ユニットＨＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。

なお、塗布ユニットＢＡＲＣ，ＲＥＳ，ＣＯＶ、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ、除去ユニットＲＥＭ、現像処理ユニットＤＥＶ、エッジ露光部ＥＥＷ、加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの個数は、各ブロックの処理速度に応じて適宜変更してよい。

（２） 基板処理装置の動作
次に、本実施の形態に係る基板処理装置５００の動作について図１〜図３を参照しながら説明する。

インデクサブロック９のキャリア載置台９２の上には、複数枚の基板Ｗを多段に収納するキャリアＣが搬入される。インデクサロボットＩＲは、上側のハンドＩＲＨ１を用いてキャリアＣ内に収納された未処理の基板Ｗを取り出す。その後、インデクサロボットＩＲは±Ｘ方向に移動しつつ±θ方向に回転移動し、未処理の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１に載置する。

本実施の形態においては、キャリアＣとしてＦＯＵＰ（front opening unified pod）を採用しているが、これに限定されず、ＳＭＩＦ（Standard Mechanical Inter Face）ポッドや収納基板Ｗを外気に曝すＯＣ（open cassette）等を用いてもよい。さらに、インデクサロボットＩＲ、第１〜第７のセンターロボットＣＲ１〜ＣＲ７ならびにインターフェース用搬送機構ＩＦＲには、それぞれ基板Ｗに対して直線的にスライドさせてハンドの進退動作を行う直動型搬送ロボットを用いているが、これに限定されず、関節を動かすことにより直線的にハンドの進退動作を行う多関節型搬送ロボットを用いてもよい。

基板載置部ＰＡＳＳ１に載置された未処理の基板Ｗは、反射防止膜用処理ブロック１０の第１のセンターロボットＣＲ１により受け取られる。第１のセンターロボットＣＲ１は、その基板Ｗを反射防止膜用熱処理部１００，１０１に搬入する。その後、第１のセンターロボットＣＲ１は反射防止膜用熱処理部１００，１０１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを反射防止膜用塗布処理部３０に搬入する。この反射防止膜用塗布処理部３０では、露光処理時に発生する定在波やハレーションを減少させるために、塗布ユニットＢＡＲＣにより基板Ｗ上に反射防止膜が塗布形成される。

その後、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用塗布処理部３０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを反射防止膜用熱処理部１００，１０１に搬入する。次に、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ３に載置する。

基板載置部ＰＡＳＳ３に載置された基板Ｗは、レジスト膜用処理ブロック１１の第２のセンターロボットＣＲ２により受け取られる。第２のセンターロボットＣＲ２は、その基板Ｗをレジスト膜用塗布処理部４０に搬入する。このレジスト膜用塗布処理部４０では、塗布ユニットＲＥＳにより、反射防止膜が塗布形成された基板Ｗ上にレジスト膜が塗布形成される。

その後、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用塗布処理部４０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に搬入する。次に、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ５に載置する。

基板載置部ＰＡＳＳ５に載置された基板Ｗは、現像処理ブロック１２の第３のセンターロボットＣＲ３により受け取られる。第３のセンターロボットＣＲ３は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ７に載置する。

基板載置部ＰＡＳＳ７に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜用処理ブロック１３の第４のセンターロボットＣＲ４により受け取られる。第４のセンターロボットＣＲ４は、その基板Ｗをレジストカバー膜用塗布処理部６０に搬入する。このレジストカバー膜用塗布処理部６０では、上述したように塗布ユニットＣＯＶによりレジスト膜上にレジストカバー膜が塗布形成される。

その後、第４のセンターロボットＣＲ４は、レジストカバー膜用塗布処理部６０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１に搬入する。次に、第４のセンターロボットＣＲ４は、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１から熱処理後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ９に載置する。

基板載置部ＰＡＳＳ９に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜除去ブロック１４の第５のセンターロボットＣＲ５により受け取られる。第５のセンターロボットＣＲ５は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置する。

基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置された基板Ｗは、洗浄／乾燥処理ブロック１５の第６のセンターロボットＣＲ６により受け取られる。第６のセンターロボットＣＲ６は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１３に載置する。

基板載置部ＰＡＳＳ１３に載置された基板Ｗは、インターフェースブロック１６の第７のセンターロボットＣＲ７により受け取られる。第７のセンターロボットＣＲ７は、その基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷに搬入する。このエッジ露光部ＥＥＷにおいては、基板Ｗの周縁部に露光処理が施される。

次に、第７のセンターロボットＣＲ７は、エッジ露光部ＥＥＷからエッジ露光処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１５に載置する。

基板載置部ＰＡＳＳ１５に載置された基板Ｗは、インターフェース用搬送機構ＩＦＲにより受け取られる。インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、その基板Ｗを基板載置部ＤＰＡＳＳ１（図１参照）に載置する。基板載置部ＤＰＡＳＳ１においては、露光処理前の基板Ｗに乾燥処理が施される。詳細は後述する。

基板載置部ＤＰＡＳＳ１に載置された基板Ｗは、露光装置１７が備える図示しない搬送機構により受け取られ、露光装置１７内に搬入される。

なお、露光装置１７が基板Ｗの受け入れをできない場合は、基板Ｗは送りバッファ部ＳＢＦに一時的に収納保管される。

露光装置１７において、露光処理が施された基板Ｗは露光装置１７の図示しない搬送機構によりインターフェースブロック１６内に搬入され、インターフェースブロック１６の基板載置部ＤＰＡＳＳ２（図１参照）に載置される。基板載置部ＤＰＡＳＳ２においては、露光処理後の基板Ｗに乾燥処理が施される。詳細は後述する。

基板載置部ＤＰＡＳＳ２に載置された基板Ｗは、インターフェース用搬送機構ＩＦＲにより受け取られる。インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１６に載置する。

基板載置部ＰＡＳＳ１６に載置された基板Ｗは、第７のセンターロボットＣＲ７により受け取られる。第７のセンターロボットＣＲ７は、その基板Ｗを洗浄／乾燥処理ブロック１５の基板載置部ＰＡＳＳ１４に載置する。

基板載置部ＰＡＳＳ１４に載置された基板Ｗは、洗浄／乾燥処理ブロック１５の第６のセンターロボットＣＲ６により受け取られる。

第６のセンターロボットＣＲ６は、基板Ｗを洗浄／乾燥処理ブロック１５の洗浄／乾燥処理部８０に搬入する。洗浄／乾燥処理部８０の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤにおいては、露光処理後の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。詳細は後述する。

なお、故障等により洗浄／乾燥処理部８０において一時的に洗浄および乾燥処理ができないときは、基板Ｗの洗浄／乾燥処理ブロック１５への搬入前に、インターフェースブロック１６の戻りバッファ部ＲＢＦに露光処理後の基板Ｗを一時的に収納保管することができる。

洗浄／乾燥処理部８０において、露光処理後の基板Ｗに洗浄および乾燥処理が施された後、第６のセンターロボットＣＲ６は基板Ｗを洗浄／乾燥処理部８０から取り出し、その基板Ｗを洗浄／乾燥処理ブロック１５の露光後ベーク用熱処理部１５１に搬入する。露光後ベーク用熱処理部１５１においては、基板Ｗに対して露光後ベーク（ＰＥＢ）が行われる。その後、第６のセンターロボットＣＲ６は、露光後ベーク用熱処理部１５１から基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１２に載置する。

なお、本実施の形態においては露光後ベーク用熱処理部１５１により露光後ベークを行っているが、露光後ベーク用熱処理部１５０により露光後ベークを行ってもよい。

洗浄／乾燥処理ブロック１５における第６のセンターロボットＣＲ６の動作の詳細は後述する。

基板載置部ＰＡＳＳ１２に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜除去ブロック１４の第５のセンターロボットＣＲ５により受け取られる。第５のセンターロボットＣＲ５は、その基板Ｗをレジストカバー膜除去用処理部７０ａまたはレジストカバー膜除去用処理部７０ｂに搬入する。レジストカバー膜除去用処理部７０ａ，７０ｂにおいては、除去ユニットＲＥＭにより、基板Ｗ上のレジストカバー膜が除去される。

その後、第５のセンターロボットＣＲ５は、レジストカバー膜除去用処理部７０ａまたはレジストカバー膜除去用処理部７０ｂから処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置する。

基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜用処理ブロック１３の第４のセンターロボットＣＲ４により受け取られる。第４のセンターロボットＣＲ４は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ８に載置する。

基板載置部ＰＡＳＳ８に載置された基板Ｗは、現像処理ブロック１２の第３のセンターロボットＣＲ３により受け取られる。第３のセンターロボットＣＲ３は、その基板Ｗを現像処理部５０に搬入する。現像処理部５０においては、現像処理ユニットＤＥＶにより、基板Ｗの現像処理が行われる。

その後、第３のセンターロボットＣＲ３は、現像処理部５０から現像処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを現像用熱処理部１２０，１２１に搬入する。

次に、第３のセンターロボットＣＲ３は、現像用熱処理部１２０，１２１から熱処理後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ６に載置する。

基板載置部ＰＡＳＳ６に載置された基板Ｗは、レジスト膜用処理ブロック１１の第２のセンターロボットＣＲ２により受け取られる。第２のセンターロボットＣＲ２は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ４に載置する。

基板載置部ＰＡＳＳ４に載置された基板Ｗは、反射防止膜用処理ブロック１０の第１のセンターロボットＣＲ１により受け取られる。第１のセンターロボットＣＲ１は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２に載置する。

基板載置部ＰＡＳＳ２に載置された基板Ｗは、インデクサブロック９のインデクサロボットＩＲによりキャリアＣ内に収納される。

（３） 乾燥処理機能を有する基板載置部について
ここで、図１〜図３の基板載置部ＤＰＡＳＳ１，ＤＰＡＳＳ２について図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に説明する基板載置部ＤＰＡＳＳ２の各構成要素の動作は、図１のメインコントロ−ラ（制御部）９１により制御される。

（３−ａ） 乾燥処理機能を有する基板載置部の構成
基板載置部ＤＰＡＳＳ１，ＤＰＡＳＳ２は、上述のように基板Ｗの乾燥処理を行う。

図４は図１の基板載置部ＤＰＡＳＳ１，ＤＰＡＳＳ２の構成を説明するための図である。図４に示すように、基板載置部ＤＰＡＳＳ１，ＤＰＡＳＳ２は、基板Ｗを水平に保持するとともに基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸の周りで基板Ｗを回転させるためのスピンチャック２０１を備える。

スピンチャック２０１は、チャック回転駆動機構２０４によって回転される回転軸２０３の上端に固定されている。また、スピンチャック２０１には吸気路（図示せず）が形成されており、スピンチャック２０１上に基板Ｗを載置した状態で吸気路内を排気することにより、基板Ｗの下面をスピンチャック２０１に真空吸着し、基板Ｗを水平姿勢で保持することができる。

スピンチャック２０１を取り囲むように、複数（例えば３本）の支持ピン２１１が配置されている。これら複数の支持ピン２１１は鉛直方向に延びるとともに、その下端部が連結部材２１２に連結されている。連結部材２１２は、複数の支持ピン２１１を連結するとともに、ピン昇降駆動機構２１３に接続されている。

ピン昇降駆動機構２１３は、矢印Ｇで示すように、連結部材２１２を上下動作させる。それにより、複数の支持ピン２１１が上下動作する。

例えば、複数の支持ピン２１１は、基板載置部ＤＰＡＳＳ１，ＤＰＡＳＳ２に基板Ｗが載置される際、および基板載置部ＤＰＡＳＳ１，ＤＰＡＳＳ２から基板Ｗが取り出される際に、上昇および下降して、その上端部で基板Ｗを支持する。

スピンチャック２０１の側方には、スピンチャック２０１に保持された基板Ｗの裏面側でかつ基板Ｗの周縁部（以下、裏面周縁部と呼ぶ。）に近接するように、気流形成管２２０が設けられている。気流形成管２２０は、不活性ガス供給管２２１と排気管２２２とが一体形成された構造を有する。

気流形成管２２０の上端部においては、不活性ガス供給管２２１の不活性ガス供給口２２１ａと排気管２２２の排気口２２２ａとが隣接している。

不活性ガス供給管２２１は不活性ガス供給部２３１に接続されており、排気管２２２は吸気部２３２に接続されている。

これにより、不活性ガス供給部２３１は、図示しない不活性ガス供給系から供給された不活性ガスを不活性ガス供給管２２１および不活性ガス供給口２２１ａを通じて基板Ｗの裏面周縁部に噴射する。

吸気部２３２は、排気口２２２ａおよび排気管２２２を通じて、基板Ｗの裏面周縁部に噴射された不活性ガスを吸引し、図示しない排気系を通じて排気する。それにより、気流形成管２２０の上端部近傍においては、矢印で示すように、不活性ガス供給口２２１ａから排気口２２２ａへと気流が形成される。

図５（ａ）は基板載置部ＤＰＡＳＳ１，ＤＰＡＳＳ２の縦断面図であり、図５（ｂ）は基板載置部ＤＰＡＳＳ１，ＤＰＡＳＳ２の上面図である。

図５（ａ）および図５（ｂ）に示すように、インターフェースブロック１６および露光装置１７間での基板Ｗの搬送時に、基板Ｗが基板載置部ＤＰＡＳＳ１，ＤＰＡＳＳ２に載置されると、基板Ｗがスピンチャック２０１により吸着保持され、チャック回転駆動機構２０４（図４参照）により回転される。

図５の矢印ＲＦで示すように、基板Ｗが回転する際には、気流形成管２２０の不活性ガス供給管２２１に不活性ガスが供給され、排気口２２２ａ周辺の雰囲気が排気管２２２を通じて吸引される。

具体的には、不活性ガス供給管２２１の不活性ガス供給口２２１ａは、図５（ａ）に示すように、基板Ｗの周縁部中央側から基板Ｗの端部側へ傾斜するように形成されている。これにより、不活性ガス供給部２３１（図４参照）から不活性ガス供給管２２１に供給される不活性ガスは、基板Ｗの内側から基板Ｗの外側に流れるように噴射される。

また、排気管２２２の排気口２２２ａは、図５（ａ）に示すように、基板Ｗの端部よりも上部の領域を覆うように開口している。これにより、上記のように基板Ｗの裏面周縁部を流れる不活性ガスは、図５（ａ）および図５（ｂ）の太い矢印で示すように、基板の上方に漏れ出すことなく、排気口２２２ａに確実に吸い込まれる。

上記構成により、基板載置部ＤＰＡＳＳ１，ＤＰＡＳＳ２においては、基板Ｗの裏面周縁部に付着した液体ＬＱが遠心力により基板Ｗの端部近傍へ移動する。そして、基板Ｗの端部近傍に移動した液体ＬＱが不活性ガス供給管２２１から噴射される不活性ガスにより外方に飛散され、排気管２２２に吸引される。

それにより、基板Ｗの裏面周縁部近傍に付着する液体ＬＱが排気管２２２を通じて図４の吸気部２３２から排出される。その結果、基板Ｗの裏面周縁部が乾燥する。

不活性ガス供給管２２１から基板Ｗに供給される不活性ガスとしては、例えば窒素ガス（Ｎ₂ ）、アルゴンガスまたはヘリウムガス等を用いることができる。

（３−ｂ） 乾燥処理機能を有する基板載置部の他の構成例
図１の基板載置部ＤＰＡＳＳ１，ＤＰＡＳＳ２は、以下の構成を有してもよい。図６は、図１の基板載置部ＤＰＡＳＳ１，ＤＰＡＳＳ２の他の構成例を説明するための図である。図６（ａ）は基板載置部ＤＰＡＳＳ１，ＤＰＡＳＳ２の縦断面図であり、図６（ｂ）は基板載置部ＤＰＡＳＳ１，ＤＰＡＳＳ２の上面図である。

図６の基板載置部ＤＰＡＳＳ１，ＤＰＡＳＳ２について、図４の基板載置部ＤＰＡＳＳ１，ＤＰＡＳＳ２と異なる点を説明する。

図６（ａ）に示すように、本例の基板載置部ＤＰＡＳＳ１，ＤＰＡＳＳ２は、基板Ｗを水平に保持するための逆円錐状部材３１０を備える。逆円錐状部材３１０の上面の直径は、基板Ｗの直径よりもやや小さい。

逆円錐状部材３１０の上面には、複数（例えば３個）の半球状の基板載置片３１１が互いに等間隔となるように配置されている。この基板載置片３１１上に基板Ｗが載置される。

逆円錐状部材３１０の下側には、所定間隔をおいて漏斗状部材３２０が配置されている。漏斗状部材３２０は、下方に向かって順次径小となるように形成されており、その内面が逆円錐状部材３１０の表面と対向している。

逆円錐状部材３１０と漏斗状部材３２０との間に形成される空間が、基板Ｗの裏面周縁部に不活性ガスを供給するための不活性ガス供給路ＳＵの一部を形成する。

逆円錐状部材３１０に複数の貫通孔３１０ｈが形成され、漏斗状部材３２０に複数の貫通孔３２０ｈが形成されている。

複数の（例えば３本）の支持ピン２１１が、上記複数の貫通孔３１０ｈ，３２０ｈに挿入されるように配置されている。これら複数の支持ピン２１１は、図４の基板載置部ＤＰＡＳＳ１，ＤＰＡＳＳ２と同様に、鉛直方向に延びるとともに、その下端部が連結部材２１２に連結されている。連結部材２１２は、複数の支持ピン２１１を連結するとともに、ピン昇降駆動機構２１３に接続されている。

ピン昇降駆動機構２１３は、矢印Ｇで示すように、連結部材２１２を上下動作させる。それにより、複数の支持ピン２１１が上下動作する。

本例においても、複数の支持ピン２１１は、例えば基板載置部ＤＰＡＳＳ１，ＤＰＡＳＳ２に基板Ｗが載置される際、および基板載置部ＤＰＡＳＳ１，ＤＰＡＳＳ２から基板Ｗが取り出される際に、上昇および下降して、その上端部で基板Ｗを支持する。

漏斗状部材３２０の下端部に、上述の不活性ガス供給路ＳＵの一部を形成する不活性ガス供給管３３０が接続されている。不活性ガス供給管３３０は、不活性ガス供給部３３１に接続されている。これにより、不活性ガス供給部３３１は、図示しない不活性ガス供給系から供給された不活性ガスを不活性ガス供給管３３０を通じて漏斗状部材３２０と逆円錐状部材３１０との間の空間に供給する。

すなわち、不活性ガス供給部３３１に供給される不活性ガスは、不活性ガス供給路ＳＵを通じて基板Ｗの裏面周縁部に噴射される。

漏斗状部材３２０の上端部から下方に延びるように円筒状の内周壁３４０が接続されている。内周壁３４０の外側には、図６（ｂ）に示すように所定の間隔をおいて円筒状の外周壁３５０が配置されている。外周壁３５０の上端部は、逆円錐状部材３１０上に載置された基板Ｗの端部よりも上方まで延びている。

内周壁３４０と外周壁３５０との間に形成される空間が、基板Ｗの裏面周縁部に供給された不活性ガスを排気する排気路ＡＳを形成する。この排気路ＡＳは排気管３４５を介して吸気部３４１に接続されている。

吸気部３４１は、基板Ｗの裏面周縁部に噴射された不活性ガスを排気路ＡＳおよび排気管３４５を通じて吸引し、図示しない排気系を通じて排気する。それにより、基板Ｗの裏面周縁部の近傍では、不活性ガス供給路ＳＵから排気路ＡＳへと気流が形成される。

図７（ａ）は基板載置部ＤＰＡＳＳ１，ＤＰＡＳＳ２による基板Ｗの乾燥処理を説明するための縦断面図であり、図７（ｂ）は基板載置部ＤＰＡＳＳ１，ＤＰＡＳＳ２による基板Ｗの乾燥処理を説明するための上面図である。

図７（ａ）および図７（ｂ）に示すように、インターフェースブロック１６および露光装置１７間での基板Ｗの搬送時には、基板Ｗが基板載置部ＤＰＡＳＳ１，ＤＰＡＳＳ２に載置される。

この状態で、不活性ガス供給部３３１（図６参照）から不活性ガス供給路ＳＵを通じて基板Ｗの裏面周縁部に不活性ガスが供給される。不活性ガス供給部３３１（図６参照）から不活性ガス供給路ＳＵに供給される不活性ガスは、基板Ｗの内側から基板Ｗの外側に流れるように噴射される。

また、排気路ＡＳを形成する外周壁３５０は、図７（ａ）に示すように、基板Ｗの端部よりも上方まで延びている。これにより、基板Ｗの裏面周縁部を流れる不活性ガスは、図７（ａ）および図７（ｂ）の太い矢印で示すように、排気路ＡＳに吸い込まれる。

上記構成により、基板載置部ＤＰＡＳＳ１，ＤＰＡＳＳ２においては、基板Ｗの裏面周縁部に付着した液体ＬＱが不活性ガス供給路ＳＵから噴射される不活性ガスにより外方に飛散され、排気路ＡＳに吸引される。これにより、基板Ｗの裏面周縁部近傍に付着する液体ＬＱが排気路ＡＳに吸引され、図６の吸気部３４１から排出される。その結果、基板Ｗの裏面周縁部が乾燥する。

不活性ガス供給管３３０から基板Ｗに供給される不活性ガスとしては、例えば窒素ガス（Ｎ₂ ）、アルゴンガスまたはヘリウムガス等を用いることができる。

（４） インターフェースブロックのインターフェース用搬送機構について
インターフェース用搬送機構ＩＦＲについて説明する。図８はインターフェース用搬送機構ＩＦＲの構成および動作を説明するための図である。

まず、インターフェース用搬送機構ＩＦＲの構成について説明する。図８に示すように、インターフェース用搬送機構ＩＦＲの可動台１８１は螺軸１８２に螺合される。螺軸１８２は、Ｘ方向に延びるように支持台１８３によって回転可能に支持される。螺軸１８２の一端部にはモータＭ１が設けられ、このモータＭ１により螺軸１８２が回転し、可動台１８１が±Ｘ方向に水平移動する。

また、可動台１８１にはハンド支持台１８４が±θ方向に回転可能でかつ±Ｚ方向に昇降可能に搭載される。ハンド支持台１８４は、回転軸１８５を介して可動台１８１内のモータＭ２に連結しており、このモータＭ２によりハンド支持台１８４が回転する。ハンド支持台１８４には、基板Ｗを水平姿勢で保持する２個のハンドＨ１，Ｈ２が進退可能に上下に設けられる。

次に、インターフェース用搬送機構ＩＦＲの動作について説明する。インターフェース用搬送機構ＩＦＲの動作は、図１のメインコントローラ（制御部）８１により制御される。

インターフェースブロック１６から露光装置１７への基板Ｗの搬送時において、インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、図８の位置Ａでハンド支持台１８４を回転させるとともに＋Ｚ方向に上昇させ、上側のハンドＨ１を基板載置部ＰＡＳＳ１５に進入させる。基板載置部ＰＡＳＳ１５においてハンドＨ１が基板Ｗを受け取ると、インターフェース用搬送機構ＩＦＲはハンドＨ１を基板載置部ＰＡＳＳ１５から後退させ、ハンド支持台１８４を−Ｚ方向に下降させる。

次に、インターフェース用搬送機構ＩＦＲは−Ｘ方向に移動し、位置Ｂにおいてハンド支持台１８４を回転させるとともにハンドＨ１を基板載置部ＤＰＡＳＳ１（図１参照）に進入させる。これにより、基板Ｗを基板載置部ＤＰＡＳＳ１に載置した後、インターフェース用搬送機構ＩＦＲはハンドＨ１を基板載置部ＤＰＡＳＳ１から後退させる。

一方、露光装置１７からインターフェースブロック１６への基板Ｗの搬送時において、インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、図８の位置Ａで下側のハンドＨ２を基板載置部ＤＰＡＳＳ２（図１参照）に進入させる。

ここで、上述のように、露光装置１７からインターフェースブロック１６への基板Ｗの搬送時には、基板Ｗが基板載置部ＤＰＡＳＳ２上に載置されている。

これにより、基板載置部ＤＰＡＳＳ２においてハンドＨ２が露光処理後の基板Ｗを受け取ると、インターフェース用搬送機構ＩＦＲはハンドＨ２を基板載置部ＤＰＡＳＳ２から後退させる。

その後、インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、位置Ａにおいて、ハンド支持台１８４を回転させるとともに＋Ｚ方向に上昇させ、下側のハンドＨ２を基板載置部ＰＡＳＳ１６に進入させる。このように、インターフェース用搬送機構ＩＦＲが動作することにより、インターフェースブロック１６および露光装置１７間での基板Ｗの搬送が行われる。

なお、上述のように露光装置１７が基板Ｗの受け入れをできない場合は、基板Ｗは送りバッファ部ＳＢＦに一時的に収納保管される。また、図２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤにおいて一時的に洗浄および乾燥処理ができない場合は、露光処理後の基板Ｗはインターフェースブロック１６の戻りバッファ部ＲＢＦに一時的に収納保管される。

本実施の形態においては、１台のインターフェース用搬送機構ＩＦＲによって、インターフェースブロック１６から露光装置１７への搬送および露光装置１７から洗浄／乾燥処理ユニットＳＤへの搬送を行っているが、複数のインターフェース用搬送機構ＩＦＲを用いて基板Ｗの搬送を行ってもよい。

（５） 第６のセンターロボットについて
洗浄／乾燥処理ユニットＳＤを備える洗浄／乾燥処理ブロック１５の第６のセンターロボットＣＲ６の動作を説明する。図９は、図１の洗浄／乾燥処理ブロック１５を−Ｙ方向から見た図である。

図９に示すように、第６のセンターロボットＣＲ６の固定台１９１にはハンド支持台１９２が±θ方向に回転可能でかつ±Ｚ方向に昇降可能に搭載される。ハンド支持台１９２は、回転軸１９３を介して固定台１９１内のモータＭ３に連結しており、このモータＭ３によりハンド支持台１９２が回転する。ハンド支持台１９２には、基板Ｗを水平姿勢で保持する２個のハンドＣＲＨ１１，ＣＲＨ１２が進退可能に上下に設けられる。

図１の第５のセンターロボットＣＲ５により基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置された露光処理前の基板Ｗは、第６のセンターロボットＣＲ６の上側のハンドＣＲＨ１１により受け取られる。その後、第６のセンターロボットＣＲ６は、ハンド支持台１９２を回転させるとともに±Ｚ方向に上昇または下降させ、ハンドＣＲＨ１１により基板Ｗを露光後ベーク用熱処理部１５１の基板載置部ＰＡＳＳ１３に搬入する。これにより、露光処理前の基板Ｗのインターフェースブロック１６への搬送が行われる。

一方、図１の第７のセンターロボットＣＲ７により基板載置部ＰＡＳＳ１４に載置された露光処理後の基板Ｗは、第６のセンターロボットＣＲ６の下側のハンドＣＲＨ１２により受け取られる。その後、第６のセンターロボットＣＲ６は、ハンド支持台１９２を回転させるとともに±Ｚ方向に上昇または下降させ、ハンドＣＲＨ１２により基板Ｗを洗浄／乾燥処理部８０の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤに搬入する。これにより、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤにより露光処理後の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。

次に、第６のセンターロボットＣＲ６は、上側のハンドＣＲＨ１１により洗浄／乾燥処理部８０の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤから洗浄および乾燥処理済みの基板Ｗを受け取る。

続いて、第６のセンターロボットＣＲ６は、ハンド支持台１９２を回転させるとともに±Ｚ方向に上昇または下降させ、ハンドＣＲＨ１１により基板Ｗを露光後ベーク用熱処理部１５１の加熱ユニットＨＰまたは冷却ユニットＣＰに搬入する。これにより、加熱ユニットＨＰまたは冷却ユニットＣＰにより、基板Ｗが加熱処理または冷却処理される。

その後、第６のセンターロボットＣＲ６は、上側のハンドＣＲＨ１１により露光後ベーク用熱処理部１５１の加熱ユニットＨＰまたは冷却ユニットＣＰから加熱処理済みまたは冷却処理済みの基板Ｗを受け取る。第６のセンターロボットＣＲ６は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１２に載置する。

（６） 洗浄／乾燥処理ユニットについて
ここで、上記の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤについて図面を用いて詳細に説明する。

（６−ａ） 洗浄／乾燥処理ユニットの構成
洗浄／乾燥処理ユニットＳＤの構成について説明する。図１０は、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤの構成を説明するための図である。

図１０に示すように、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤは、基板Ｗを水平に保持するとともに基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸の周りで基板Ｗを回転させるためのスピンチャック６２１を備える。

スピンチャック６２１は、チャック回転駆動機構６３６によって回転される回転軸６２５の上端に固定されている。また、スピンチャック６２１には吸気路（図示せず）が形成されており、スピンチャック６２１上に基板Ｗを載置した状態で吸気路内を排気することにより、基板Ｗの下面をスピンチャック６２１に真空吸着し、基板Ｗを水平姿勢で保持することができる。

スピンチャック６２１の外方には、第１のモータ６６０が設けられている。第１のモータ６６０には、第１の回動軸６６１が接続されている。また、第１の回動軸６６１には、第１のアーム６６２が水平方向に延びるように連結され、第１のアーム６６２の先端に洗浄処理用ノズル６５０が設けられている。

第１のモータ６６０により第１の回動軸６６１が回転するとともに第１のアーム６６２が回動し、洗浄処理用ノズル６５０がスピンチャック６２１により保持された基板Ｗの上方に移動する。

第１のモータ６６０、第１の回動軸６６１および第１のアーム６６２の内部を通るように洗浄処理用供給管６６３が設けられている。洗浄処理用供給管６６３は、バルブＶａおよびバルブＶｂを介して洗浄液供給源Ｒ１およびリンス液供給源Ｒ２に接続されている。このバルブＶａ，Ｖｂの開閉を制御することにより、洗浄処理用供給管６６３に供給する処理液の選択および供給量の調整を行うことができる。図１０の構成においては、バルブＶａを開くことにより、洗浄処理用供給管６６３に洗浄液を供給することができ、バルブＶｂを開くことにより、洗浄処理用供給管６６３にリンス液を供給することができる。

洗浄処理用ノズル６５０には、洗浄液またはリンス液が、洗浄処理用供給管６６３を通して洗浄液供給源Ｒ１またはリンス液供給源Ｒ２から供給される。それにより、基板Ｗの表面へ洗浄液またはリンス液を供給することができる。洗浄液としては、例えば、純水、純水に錯体（イオン化したもの）を溶かした液またはフッ素系薬液などが用いられる。リンス液としては、例えば、純水、炭酸水、水素水および電解イオン水ＨＦＥ（ハイドロフルオロエーテル）のいずれかが用いられる。

スピンチャック６２１の外方には、第２のモータ６７１が設けられている。第２のモータ６７１には、第２の回動軸６７２が接続されている。また、第２の回動軸６７２には、第２のアーム６７３が水平方向に延びるように連結され、第２のアーム６７３の先端に乾燥処理用ノズル６７０が設けられている。

第２のモータ６７１により第２の回動軸６７２が回転するとともに第２のアーム６７３が回動し、乾燥処理用ノズル６７０がスピンチャック２１により保持された基板Ｗの上方に移動する。

第２のモータ６７１、第２の回動軸６７２および第２のアーム６７３の内部を通るように乾燥処理用供給管６７４が設けられている。乾燥処理用供給管６７４は、バルブＶｃを介して不活性ガス供給源Ｒ３に接続されている。このバルブＶｃの開閉を制御することにより、乾燥処理用供給管６７４に供給する不活性ガスの供給量を調整することができる。

乾燥処理用ノズル６７０には、不活性ガスが、乾燥処理用供給管６７４を通して不活性ガス供給源Ｒ３から供給される。それにより、基板Ｗの表面へ不活性ガスを供給することができる。不活性ガスとしては、例えば、窒素ガス（Ｎ_２ ）が用いられる。

基板Ｗの表面へ洗浄液またはリンス液を供給する際には、洗浄処理用ノズル６５０は基板の上方に位置し、基板Ｗの表面へ不活性ガスを供給する際には、洗浄処理用ノズル６５０は所定の位置に退避される。

また、基板Ｗの表面へ洗浄液またはリンス液を供給する際には、乾燥処理用ノズル６７０は所定の位置に退避され、基板Ｗの表面へ不活性ガスを供給する際には、乾燥処理用ノズル６７０は基板Ｗの上方に位置する。

スピンチャック６２１に保持された基板Ｗは、処理カップ６２３内に収容される。処理カップ６２３の内側には、筒状の仕切壁６３３が設けられている。また、スピンチャック６２１の周囲を取り囲むように、基板Ｗの処理に用いられた処理液（洗浄液またはリンス液）を排液するための排液空間６３１が形成されている。さらに、排液空間６３１を取り囲むように、処理カップ６２３と仕切壁６３３の間に基板Ｗの処理に用いられた処理液を回収するための回収液空間６３２が形成されている。

排液空間６３１には、排液処理装置（図示せず）へ処理液を導くための排液管６３４が接続され、回収液空間６３２には、回収処理装置（図示せず）へ処理液を導くための回収管６３５が接続されている。

処理カップ６２３の上方には、基板Ｗからの処理液が外方へ飛散することを防止するためのガード６２４が設けられている。このガード６２４は、回転軸６２５に対して回転対称な形状からなっている。ガード６２４の上端部の内面には、断面く字状の排液案内溝６４１が環状に形成されている。

また、ガード６２４の下端部の内面には、外側下方に傾斜する傾斜面からなる回収液案内部６４２が形成されている。回収液案内部６４２の上端付近には、処理カップ６２３の仕切壁６３３を受け入れるための仕切壁収納溝６４３が形成されている。

このガード６２４には、ボールねじ機構等で構成されたガード昇降駆動機構（図示せず）が設けられている。ガード昇降駆動機構は、ガード６２４を、回収液案内部６４２がスピンチャック６２１に保持された基板Ｗの外周端面に対向する回収位置と、排液案内溝６４１がスピンチャック６２１に保持された基板Ｗの外周端面に対向する排液位置との間で上下動させる。ガード６２４が回収位置（図１０に示すガードの位置）にある場合には、基板Ｗから外方へ飛散した処理液が回収液案内部６４２により回収液空間６３２に導かれ、回収管６３５を通して回収される。一方、ガード６２４が排液位置にある場合には、基板Ｗから外方へ飛散した処理液が排液案内溝６４１により排液空間６３１に導かれ、排液管６３４を通して排液される。以上の構成により、処理液の排液および回収が行われる。

（６−ｂ） 洗浄／乾燥処理ユニットの動作
次に、上記の構成を有する洗浄／乾燥処理ユニットＳＤの処理動作について説明する。なお、以下に説明する洗浄／乾燥処理ユニットＳＤの各構成要素の動作は、図１のメインコントロ−ラ（制御部）９１により制御される。

まず、基板Ｗの搬入時には、ガード６２４が下降するとともに、図１の第６のセンターロボットＣＲ６が基板Ｗをスピンチャック６２１上に載置する。スピンチャック６２１上に載置された基板Ｗは、スピンチャック６２１により吸着保持される。

次に、ガード６２４が上述した廃液位置まで移動するとともに、洗浄処理用ノズル６５０が基板Ｗの中心部上方に移動する。その後、回転軸６２５が回転し、この回転にともないスピンチャック６２１に保持されている基板Ｗが回転する。その後、洗浄処理用ノズル６５０から洗浄液が基板Ｗの上面に吐出される。これにより、基板Ｗの洗浄が行われる。

なお、洗浄／乾燥処理部８０においては、この洗浄時に基板Ｗ上のレジストカバー膜の成分が洗浄液中に溶出する。また、基板Ｗの洗浄においては、基板Ｗを回転させつつ基板Ｗ上に洗浄液を供給している。この場合、基板Ｗ上の洗浄液は遠心力により常に基板Ｗの周縁部へと移動し飛散する。したがって、洗浄液中に溶出したレジストカバー膜の成分が基板Ｗ上に残留することを防止することができる。なお、上記のレジストカバー膜の成分は、例えば、基板Ｗ上に純水を盛って一定時間保持することにより溶出させてもよい。また、基板Ｗ上への洗浄液の供給は、二流体ノズルを用いたソフトスプレー方式により行ってもよい。

所定時間経過後、洗浄液の供給が停止され、洗浄処理用ノズル６５０からリンス液が吐出される。これにより、基板Ｗ上の洗浄液が洗い流される。

さらに所定時間経過後、回転軸６２５の回転速度が低下する。これにより、基板Ｗの回転によって振り切られるリンス液の量が減少し、図１１（ａ）に示すように、基板Ｗの表面全体にリンス液の液層Ｌが形成される。なお、回転軸６２５の回転を停止させて基板Ｗの表面全体に液層Ｌを形成してもよい。

次に、リンス液の供給が停止され、洗浄処理用ノズル６５０が所定の位置に退避するとともに乾燥処理用ノズル６７０が基板Ｗの中心部上方に移動する。その後、乾燥処理用ノズル６７０から不活性ガスが吐出される。これにより、図１１（ｂ）に示すように、基板Ｗの中心部のリンス液が基板Ｗの周縁部に移動し、基板Ｗの周縁部のみに液層Ｌが存在する状態になる。

次に、回転軸６２５（図１０参照）の回転数が上昇するとともに、図１１（ｃ）に示すように乾燥処理用ノズル６７０が基板Ｗの中心部上方から周縁部上方へと徐々に移動する。これにより、基板Ｗ上の液層Ｌに大きな遠心力が作用するとともに、基板Ｗの表面全体に不活性ガスを吹き付けることができるので、基板Ｗ上の液層Ｌを確実に取り除くことができる。その結果、基板Ｗを確実に乾燥させることができる。

次に、不活性ガスの供給が停止され、乾燥処理ノズル６７０が所定の位置に退避するとともに回転軸６２５の回転が停止する。その後、ガード６２４が下降するとともに図１の第６のセンターロボットＣＲ６が基板Ｗを洗浄／乾燥処理ユニットＳＤから搬出する。これにより、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤにおける処理動作が終了する。なお、洗浄および乾燥処理中におけるガード６２４の位置は、処理液の回収または廃液の必要性に応じて適宜変更することが好ましい。

なお、上記実施の形態においては、洗浄液処理用ノズル６５０から洗浄液およびリンス液のいずれをも供給できるように、洗浄液の供給およびリンス液の供給に洗浄液処理用ノズル６５０を共用する構成を採用しているが、洗浄液供給用のノズルとリンス液供給用のノズルとを別々に分けた構成を採用してもよい。

また、リンス液を供給する場合には、リンス液が基板Ｗの裏面に回り込まないように、基板Ｗの裏面に対して図示しないバックリンス用ノズルから純水を供給してもよい。

また、基板Ｗを洗浄する洗浄液に純水を用いる場合には、リンス液の供給を行う必要はない。

また、上記実施の形態においては、スピン乾燥方法により基板Ｗに乾燥処理を施すが、減圧乾燥方法、エアナイフ乾燥方法等の他の乾燥方法により基板Ｗに乾燥処理を施してもよい。

また、上記実施の形態においては、リンス液の液層Ｌが形成された状態で、乾燥処理用ノズル６７０から不活性ガスを供給するようにしているが、リンス液の液層Ｌを形成しない場合あるいはリンス液を用いない場合には洗浄液の液層を基板Ｗを回転させて一旦振り切った後で、即座に乾燥処理用ノズル６７０から不活性ガスを供給して基板Ｗを完全に乾燥させるようにしてもよい。

（７） 第１の実施の形態における効果
本実施の形態に係る基板処理装置５００においては、露光装置１７から基板処理装置５００に搬送される露光処理後の基板Ｗに液体ＬＱが付着している場合がある。露光処理により付着する液体ＬＱは、基板Ｗの裏面側でかつ基板Ｗの周縁部（以下、裏面周縁部と呼ぶ。）に集中する。

（７−ａ） 基板載置部における乾燥処理の効果
本実施の形態に係る基板処理装置５００においては、基板載置部ＤＰＡＳＳ２により、露光処理後の基板Ｗの裏面周縁部に付着する液体ＬＱが除去され、基板Ｗが乾燥処理される。これにより、露光装置１７において基板Ｗに付着した液体ＬＱに起因する動作不良および処理不良が防止される。

また、露光処理前の基板Ｗの裏面周縁部に液体ＬＱが付着している場合でも、基板載置部ＤＰＡＳＳ１により、基板Ｗの裏面周縁部に付着する液体ＬＱが除去され、基板Ｗが乾燥処理される。これにより、液体ＬＱが付着した基板Ｗが露光装置１７に搬送されることが防止される。

その結果、露光処理前の基板Ｗに塵埃等の汚染物質が付着することが防止され、基板Ｗの汚染に起因する露光装置１７内の汚染が防止できる。また、露光装置１７による基板Ｗの露光処理時に、基板Ｗに付着した液体ＬＱに起因する処理不良が防止できる。

また、基板載置部ＤＰＡＳＳ１，ＤＰＡＳＳ２による基板Ｗの乾燥処理が、インターフェースブロック１６で行われることにより、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４、洗浄／乾燥処理ブロック１５および露光装置１７において、基板Ｗの裏面周縁部に液体ＬＱが付着することによる基板Ｗの汚染、基板Ｗの搬送不良および基板Ｗの処理不良が防止される。

さらに、本実施の形態では、基板載置部ＤＰＡＳＳ１，ＤＰＡＳＳ２により基板Ｗの搬送中に乾燥処理が行われる。これにより、インターフェースブロック１６内に、基板Ｗの裏面周縁部に対する乾燥処理を行うユニットを設ける必要がなく、またそのようなユニットに基板Ｗを搬送する必要もないので、露光処理後の基板Ｗを迅速に露光後ベーク用熱処理部１５１へ搬送することができる。

それにより、基板Ｗの裏面周縁部に対する乾燥処理が効率的に行われるので、スループットが向上し、露光処理後の基板Ｗの熱処理を効果的に行うことができる。また、基板処理装置５００の小型化が実現できる。

（７−ｂ） 第６のセンターロボットのハンドについての効果
洗浄／乾燥処理ブロック１５においては、基板載置部ＰＡＳＳ１１から基板載置部ＰＡＳＳ１３へ基板Ｗを搬送する際、洗浄／乾燥処理部８０の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤから露光後ベーク用熱処理部１５１の加熱ユニットＨＰまたは冷却ユニットＣＰへ洗浄および乾燥処理後の基板Ｗを搬入する際、および露光後ベーク用熱処理部１５１の加熱ユニットＨＰまたは冷却ユニットＣＰから加熱処理済みまたは冷却処理済みの基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１２へ搬送する際に上側のハンドＣＲＨ１１が用いられる。

また、基板載置部ＰＡＳＳ１４から洗浄／乾燥処理部８０の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤへ露光処理後の基板Ｗを搬送する際に下側のハンドＣＲＨ１２が用いられる。

上述のように、基板載置部ＤＰＡＳＳ２においては、基板Ｗの裏面周縁部に付着する液体ＬＱが除去される。したがって、露光処理後の基板Ｗにおいては、基板Ｗの裏面周縁部以外の箇所に液体ＬＱが付着している場合がある。

このような場合でも、第６のセンターロボットＣＲ６の動作によれば、基板Ｗに付着した液体ＬＱがハンドＣＲＨ１１に付着することが防止される。また、ハンドＣＲＨ１２は、ハンドＣＲＨ１１よりも下方に設けられるので、ハンドＣＲＨ１２およびそれが保持する基板Ｗから液体ＬＱが落下しても、ハンドＣＲＨ１１およびそれが保持する基板Ｗに液体ＬＱが付着することが防止される。

それにより、露光処理前の基板Ｗに液体ＬＱが付着することを確実に防止することができる。その結果、露光処理前の基板Ｗの汚染を確実に防止することができる。

（７−ｃ） 露光処理後の基板の洗浄処理の効果
露光装置１７において基板Ｗに露光処理が行われた後、洗浄／乾燥処理ブロック１５の洗浄／乾燥処理部８０において基板Ｗの洗浄処理が行われる。この場合、基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が付着しても、その付着物を取り除くことができる。それにより、基板Ｗの汚染を防止することができる。

また、洗浄／乾燥処理部８０においては、露光処理後の基板Ｗの乾燥処理が行われる。それにより、露光処理時に基板Ｗに付着した液体ＬＱが、基板処理装置５００内に落下することが防止される。その結果、基板処理装置５００の電気系統の異常等の動作不良を十分に防止することができる。

また、露光処理後の基板Ｗの乾燥処理を行うことにより、露光処理後の基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が付着することが防止されるので、基板Ｗの汚染を防止することができる。

また、基板処理装置５００内を液体ＬＱが付着した基板Ｗが搬送されることを防止することができるので、露光処理時に基板Ｗに付着した液体ＬＱが基板処理装置５００内の雰囲気に影響を与えることを防止することができる。それにより、基板処理装置５００内の温湿度調整が容易になる。

また、露光処理時に基板Ｗに付着した液体ＬＱがインデクサロボットＩＲおよび第１〜第６のセンターロボットＣＲ１〜ＣＲ６に付着することが防止されるので、露光処理前の基板Ｗに液体ＬＱが付着することが防止される。それにより、露光処理前の基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が付着することが防止されるので、基板Ｗの汚染が防止される。その結果、露光処理時の解像性能の劣化を防止することができるとともに露光装置１７内の汚染を確実に防止することができる。

これらの結果、基板Ｗの処理不良を確実に防止することができる。

なお、露光処理後の基板Ｗの乾燥処理を行うための構成は図１の基板処理装置５００の例に限られない。レジストカバー膜除去ブロック１４とインターフェースブロック１６との間に洗浄／乾燥処理ブロック１５を設ける代わりに、インターフェースブロック１６内に洗浄／乾燥処理部８０を設け、露光処理後の基板Ｗの乾燥処理を行ってもよい。

（７−ｄ） 露光処理後の基板の乾燥処理の効果
洗浄／乾燥処理ユニットＳＤにおいては、基板Ｗを回転させつつ不活性ガスを基板Ｗの中心部から周縁部へと吹き付けることにより基板Ｗの乾燥処理を行っている。この場合、基板Ｗ上の洗浄液およびリンス液を確実に取り除くことができるので、洗浄後の基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が付着することを確実に防止することができる。それにより、基板Ｗの汚染を確実に防止することができるとともに、基板Ｗの表面に乾燥しみが発生することを防止することができる。

（７−ｅ） 洗浄／乾燥処理ブロックの効果
本実施の形態に係る基板処理装置５００は、既存の基板処理装置に洗浄／乾燥処理ブロック１５を追加した構成を有するので、低コストで、基板Ｗの処理不良を防止することができる。

（７−ｆ） レジストカバー膜の塗布処理の効果
露光装置１７において基板Ｗに露光処理が行われる前に、レジストカバー膜用処理ブロック１３において、レジスト膜上にレジストカバー膜が形成される。この場合、露光装置１７において基板Ｗが液体と接触しても、レジストカバー膜によってレジスト膜が液体と接触することが防止されるので、レジストの成分が液体中に溶出することが防止される。

（７−ｇ） レジストカバー膜の除去処理の効果
現像処理ブロック１２において基板Ｗに現像処理が行われる前に、レジストカバー膜除去ブロック１４において、レジストカバー膜の除去処理が行われる。この場合、現像処理前にレジストカバー膜が確実に除去されるので、現像処理を確実に行うことができる。

（７−ｈ） 洗浄／乾燥処理ユニットの効果
上述したように、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤにおいては、基板Ｗを回転させつつ不活性ガスを基板Ｗの中心部から周縁部へと吹き付けることにより基板Ｗの乾燥処理を行っているので、洗浄液およびリンス液を確実に取り除くことができる。

それにより、洗浄／乾燥処理部８０から現像処理部５０へ基板Ｗを搬送する間に、レジストの成分またはレジストカバー膜の成分が基板Ｗ上に残留した洗浄液およびリンス液中に溶出することを確実に防止することができる。それにより、レジスト膜に形成された露光パターンの変形を防止することができる。その結果、現像処理時における線幅精度の低下を確実に防止することができる。

（７−ｉ） ロボットのハンドについての効果
第１〜第５のセンターロボットＣＲ１〜ＣＲ５およびインデクサロボットＩＲにおいては、インターフェース用搬送機構ＩＦＲと同様に、露光処理前の基板Ｗの搬送には上側のハンドを用い、露光処理後の基板Ｗの搬送には下側のハンドを用いる。それにより、露光処理前の基板Ｗに露光処理に起因する液体ＬＱが付着することを確実に防止することができる。

（７−ｊ） レジスト膜用塗布処理部についての効果
本例では、端面Ｒが洗浄された露光処理前の基板Ｗにレジスト膜用塗布処理部４０によりレジスト膜が形成される。

これにより、基板Ｗにレジスト膜を形成する際には、基板Ｗの端面Ｒに付着した汚染物質が取り除かれているので、基板Ｗの端面Ｒの汚染に起因するレジスト膜の形成不良が防止でき、露光パターンの寸法不良および形状不良の発生を防止することができる。

また、１つの基板処理装置５００内において、基板Ｗの端面Ｒの洗浄を行うとともに、基板Ｗにレジスト膜を形成することができるので、フットプリントを低減することができる。

（８） 第１の実施の形態における変形例について
（８−ａ） インターフェース用搬送機構のハンドの他の例について
インターフェースブロック１６のインターフェース用搬送機構ＩＦＲは、２つのハンドＨ１，Ｈ２に代えて、１つのハンドを備えてもよい。この場合、１つのハンドは基板Ｗの裏面中央部を吸着保持する構造を有することが好ましい。

このハンドによれば、基板Ｗの裏面中央部が吸着保持されるので、搬送時における基板Ｗの位置ずれが確実に防止される。また、露光処理後の基板Ｗの裏面周縁部に液体ＬＱが付着している場合でも、ハンドが基板Ｗの裏面中央部を保持するので、ハンドに液体ＬＱが付着することが防止される。

さらに、ハンドが１つであることにより、インターフェース用搬送機構ＩＦＲの構造が簡単になるとともに、インターフェース用搬送機構ＩＦＲの制御が容易となる。

（８−ｂ） 乾燥処理機能を有する基板載置部の配置について
本実施の形態において、基板Ｗの裏面周縁部を乾燥する基板載置部ＤＰＡＳＳ１，基板載置部ＤＰＡＳＳ２は、インターフェースブロック１６と露光装置１７との連結部に隣接するように配置されている。

このように、インターフェースブロック１６に基板載置部ＤＰＡＳＳ１，ＤＰＡＳＳ２を配置する代わりに、インターフェースブロック１６の基板載置部ＰＡＳＳ１５，ＰＡＳＳ１６が、基板載置部ＤＰＡＳＳ１，ＤＰＡＳＳ２の構成を有してもよい。

この場合、インターフェースブロック１６の基板載置部ＰＡＳＳ１５，ＰＡＳＳ１６において基板Ｗの裏面周縁部に付着する液体ＬＱが除去され、基板Ｗが乾燥処理される。したがって、インターフェースブロック１６内に基板載置部ＤＰＡＳＳ１，ＤＰＡＳＳ２を配置する必要がないので、フットプリントを低減することができる。

ここで、インターフェースブロック１６において、基板載置部ＰＡＳＳ１５から露光処理前の基板Ｗを搬送する際には、インターフェース用搬送機構ＩＦＲのハンドＨ１が用いられ、露光処理後の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１６へ搬送する際には、インターフェース用搬送機構ＩＦＲのハンドＨ２が用いられる。

すなわち、露光処理前の基板Ｗの搬送にはハンドＨ１が用いられ、露光処理後の基板Ｗの搬送にはハンドＨ２が用いられる。

この場合、露光処理時に基板Ｗの裏面周縁部に付着した液体ＬＱがハンドＨ１に付着することが防止されるので、露光処理前の基板Ｗに液体ＬＱが付着することが防止される。また、ハンドＨ２はハンドＨ１より下方に設けられるので、ハンドＨ２およびそれが保持する基板Ｗから液体ＬＱが落下しても、ハンドＨ１およびそれが保持する基板Ｗに液体ＬＱが付着することを防止することができる。それにより、露光処理前の基板Ｗに液体ＬＱが付着することを確実に防止することができる。その結果、露光処理前の基板Ｗの汚染を確実に防止することができる。

（８−ｃ） インターフェース用搬送機構のハンドのさらに他の例について
インターフェースブロック１６に基板載置部ＤＰＡＳＳ１，ＤＰＡＳＳ２を配置する代わりに、インターフェース用搬送機構ＩＦＲのハンドＨ１，Ｈ２に基板Ｗの裏面周縁部を乾燥処理する乾燥機構を設けてもよい。

この場合、インターフェースブロック１６内に基板載置部ＤＰＡＳＳ１，ＤＰＡＳＳ２を配置する必要がないので、フットプリントを低減することができる。

Ｂ 第２の実施の形態
（１） 基板処理装置の構成および動作
以下、第２の実施の形態に係る基板処理装置について、第１の実施の形態に係る基板処理装置５００と異なる点を説明する。

図１２は、第２の実施の形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。図１２に示すように、第２の実施の形態に係る基板処理装置５００には、インターフェースブロック１６に基板載置部ＤＰＡＳＳ１，ＤＰＡＳＳ２（図１参照）が設けられていない。基板載置部ＤＰＡＳＳ１，ＤＰＡＳＳ２に代えて、露光装置１７の内部に基板搬入部１７ａおよび基板搬出部１７ｂが設けられている。

これにより、本実施の形態では、基板処理装置５００のインターフェースブロック１６から露光装置１７に搬送される基板Ｗが、露光装置１７の基板搬入部１７ａに載置される。また、露光装置１７から基板処理装置５００のインターフェースブロック１６に搬送される基板Ｗが、露光装置１７の基板搬出部１７ｂに載置される。

図１２のインターフェースブロック１６のインターフェース用搬送機構ＩＦＲは、第１の実施の形態において用いられるインターフェース用搬送機構ＩＦＲと構成が異なる。また、インターフェースブロック１６と露光装置１７との連結部には、基板Ｗの搬送経路に対応して２つのエアナイフＡＮ１，ＡＮ２が設けられている。

第２の実施の形態に係る基板処理装置５００に用いられるインターフェース用搬送機構ＩＦＲの詳細を説明する。

本実施の形態において、インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、１つのハンドＨ３を備えることを除き図８のインターフェース用搬送機構ＩＦＲと同様の構成を有する。

図１３は、図１２のインターフェース用搬送機構ＩＦＲの構成および動作を説明するための図である。図１３（ａ）に、インターフェース用搬送機構ＩＦＲが図８の位置Ｂにおいて、基板Ｗを露光装置１７へ搬入する際の側面図が示されている。また、図１３（ｂ）に、インターフェース用搬送機構ＩＦＲが図８の位置Ａにおいて、基板Ｗを露光装置１７から搬出する際の側面図が示されている。

図１３（ａ）および図１３（ｂ）に示すように、本例のインターフェース用搬送機構ＩＦＲに設けられるハンドＨ３は、基板Ｗの裏面略中央部を吸着保持する構造を有する。

露光処理前の基板Ｗをインターフェースブロック１６から露光装置１７に搬送する際、インターフェース用搬送機構ＩＦＲは基板Ｗを吸着保持したハンドＨ３を露光装置１７の基板搬入部１７ａに進入させ（図１３（ａ）矢印ＩＮ参照）、基板Ｗを基板搬入部１７ａに載置する。

インターフェースブロック１６と露光装置１７との連結部には、インターフェースブロック１６から露光装置１７への基板Ｗの搬送経路に対応するエアナイフＡＮ１が設けられている。これにより、インターフェースブロック１６から露光装置１７へと移動する露光処理前の基板Ｗに乾燥処理が施される。詳細は後述する。

一方、露光処理後の基板Ｗを露光装置１７からインターフェースブロック１６に搬送する際、インターフェース用搬送機構ＩＦＲは露光装置１７の基板搬出部１７ｂに載置された基板Ｗを受け取り、その基板Ｗを吸着保持したハンドＨ３を基板搬出部１７ｂから後退させる（図１３（ｂ）矢印ＯＵＴ参照）。

上記と同様に、インターフェースブロック１６と露光装置１７との連結部には、露光装置１７からインターフェースブロック１６への基板Ｗの搬送経路に対応するエアナイフＡＮ２が設けられている。これにより、露光装置１７からインターフェースブロック１６へと移動する露光処理後の基板Ｗに乾燥処理が施される。詳細は後述する。

図１４は、図１３のエアナイフＡＮ１，ＡＮ２による基板Ｗの乾燥処理を説明するための図である。図１４（ａ）にインターフェースブロック１６から露光装置１７へ基板Ｗを搬送する際の基板Ｗの乾燥処理の様子が側面図で示されている。図１４（ｂ）にインターフェースブロック１６から露光装置１７へ基板Ｗを搬送する際の基板Ｗの乾燥処理の様子が上面図で示されている。さらに、図１４（ｃ）に露光装置１７からインターフェースブロック１６へ基板Ｗを搬送する際の基板Ｗの乾燥処理の様子が上面図で示されている。

図１４（ａ）および図１４（ｂ）に示すように、エアナイフＡＮ１は、Ｘ方向に延びるように形成された不活性ガス噴出ノズル４１０およびエアナイフ本体部４２０を備える。不活性ガス噴出ノズル４１０はその上端部に不活性ガス噴出口４１１が形成されている。Ｘ方向において、不活性ガス噴出口４１１は、基板Ｗの直径よりも長い。

不活性ガス噴出ノズル４１０およびエアナイフ本体部４２０の内部には、不活性ガス供給路４３０が形成されている。不活性ガス供給路４３０は、不活性ガス供給管４３１を介して不活性ガス供給部４４０に接続されている。

これにより、不活性ガス供給部４４０は、図示しない不活性ガス供給系から供給された不活性ガスを不活性ガス供給管４３１および不活性ガス供給路４３０を通じて、不活性ガス噴出口４１１から基板Ｗの裏面に噴射する。

インターフェースブロック１６から露光装置１７へ基板Ｗを搬送する際に、基板Ｗの裏面に不活性ガスが噴射されることにより、図１４（ａ）および図１４（ｂ）の太い矢印で示すように、基板Ｗの裏面に沿って不活性ガスの気流が発生する。

それにより、インターフェースブロック１６から露光装置１７への搬送時に基板Ｗの裏面側に付着する液体ＬＱが、不活性ガスの気流により後方に飛散され、取り除かれる。その結果、基板Ｗの裏面が乾燥する。また、不活性ガスの気流により基板Ｗを保持するハンドＨ３に付着する液体ＬＱも取り除かれる。それにより、ハンドＨ３も乾燥する。

エアナイフＡＮ２は、エアナイフＡＮ１と同じ構成を有する。これにより、露光装置１７からインターフェースブロック１６へ基板Ｗを搬送する際に、基板Ｗの裏面に不活性ガスが噴射されることにより、図１４（ｃ）の太い矢印で示すように、基板Ｗの裏面に沿って不活性ガスの気流が発生する。

それにより、露光装置１７からインターフェースブロック１６への搬送時に基板Ｗの裏面側に付着する液体ＬＱが、不活性ガスの気流により後方に飛散され、取り除かれる。その結果、基板Ｗの裏面が乾燥する。また、不活性ガスの気流により基板Ｗを保持するハンドＨ３に付着する液体ＬＱも取り除かれる。それにより、ハンドＨ３も乾燥する。

不活性ガス供給管４３１から基板Ｗに供給される不活性ガスとしては、例えば窒素ガス（Ｎ₂ ）、アルゴンガスまたはヘリウムガス等を用いることができる。

（２） 第２の実施の形態における効果
本実施の形態に係る基板処理装置５００においては、エアナイフＡＮ２により、露光処理後の基板Ｗの裏面に付着する液体ＬＱが除去され、基板Ｗが乾燥処理される。これにより、露光装置１７において基板Ｗに付着した液体ＬＱによる動作不良および処理不良が防止される。

また、露光処理前の基板Ｗの裏面に液体ＬＱが付着している場合でも、エアナイフＡＮ１により、基板Ｗの裏面に付着する液体ＬＱが除去され、基板Ｗが乾燥処理される。これにより、液体ＬＱが付着した基板Ｗが露光装置１７に搬送されることが防止される。

その結果、露光処理前の基板Ｗに塵埃等の汚染物質が付着することが防止され、基板Ｗの汚染に起因する露光装置１７内の汚染が防止できる。また、露光装置１７による基板Ｗの露光処理時に、基板Ｗに付着した液体ＬＱに起因する処理不良が防止できる。

また、エアナイフＡＮ１，ＡＮ２による基板Ｗの乾燥処理が、インターフェースブロック１６と露光装置１７との連結部で行われることにより、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４、洗浄／乾燥処理ブロック１５、インターフェースブロック１６および露光装置１７において、基板Ｗの裏面周縁部に液体ＬＱが付着することに起因する基板Ｗの汚染、基板Ｗの搬送不良および基板Ｗの処理不良が防止される。

さらに、本実施の形態では、エアナイフＡＮ１，ＡＮ２により基板Ｗの搬送中に乾燥処理が行われる。これにより、インターフェースブロック１６内に、基板Ｗの裏面に対する乾燥処理を行うユニットを設ける必要がなく、またそのようなユニットに基板Ｗを搬送する必要もないので、露光処理後の基板Ｗを迅速に露光後ベーク用熱処理部１５１へ搬送することができる。

それにより、基板Ｗの裏面に対する乾燥処理が効率的に行われるので、スループットが向上し、露光処理後の基板Ｗの熱処理を効果的に行うことができる。また、基板処理装置５００の小型化が実現できる。

エアナイフＡＮ１，ＡＮ２は、インターフェースブロック１６と露光装置１７との連結部に設けられている。このように、既存の基板処理装置にエアナイフを追加した構成を有するので、低コストで露光処理後の基板Ｗの裏面に付着する液体ＬＱを除去することができる。

（３） 第２の実施の形態における変形例について
上記のインターフェース用搬送機構ＩＦＲには、基板Ｗに対して直線的にスライドさせてハンドＨ３の進退動作を行う直動型搬送ロボットを用いているが、これに限定されず、関節を動かすことにより直線的にハンドＨ３の進退動作を行う多関節型搬送ロボットを用いてもよい。

また、上記のインターフェース用搬送機構ＩＦＲには、基板Ｗを吸着保持する１つのハンドＨ３が用いられているが、ハンドＨ３は基板Ｗの裏面周縁部または端面と接触することにより、基板Ｗを保持する構造を有してもよい。

この場合、上述のように、２つのエアナイフＡＮ１，ＡＮ２はそれぞれハンドＨ３に対しても乾燥処理を行うことができるので、ハンドＨ３が基板Ｗの裏面周縁部または端面と接触して基板Ｗを保持する場合でも、ハンドＨ３に起因して基板Ｗに液体ＬＱが付着することが防止される。

なお、本実施の形態においても、第１の実施の形態と同様に、インターフェースブロック１６と露光装置１７との連結部にエアナイフＡＮ１，ＡＮ２を設ける代わりに、インターフェース用搬送機構ＩＦＲのハンドＨ３に基板Ｗの裏面を乾燥処理する乾燥機構を設けてもよい。この場合、フットプリントを低減することができる。

Ｃ 他の実施の形態およびその効果
（１） 露光処理前の基板の洗浄処理について
上記の実施の形態に係る基板処理装置５００は、露光処理前に基板Ｗの洗浄処理を行ってもよい。この場合、例えば洗浄／乾燥処理ブロック１５の洗浄／乾燥処理部８０において、露光処理前の基板Ｗの洗浄および乾燥処理を行う。それにより、露光処理前の基板Ｗに付着した塵埃等を取り除くことができる。その結果、露光装置１７内の汚染を防止することができる。

また、洗浄／乾燥処理部８０においては、基板Ｗの洗浄処理後に基板Ｗの乾燥処理が行われる。それにより、洗浄処理時に基板Ｗに付着した洗浄液またはリンス液が取り除かれるので、洗浄処理後の基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が再度付着することが防止される。その結果、露光装置１７内の汚染を確実に防止することができる。

また、レジストカバー膜の形成後であって露光装置１７において基板Ｗに露光処理が行われる前に、洗浄／乾燥処理部８０において基板Ｗの洗浄処理が行われる。このとき、基板Ｗ上に形成されたレジストカバー膜の成分の一部が洗浄液中に溶出する。それにより、露光装置１７において基板Ｗが液体ＬＱと接触しても、レジストカバー膜の成分が液体ＬＱ中に溶出することを防止することができる。

これらの結果、露光装置１７内の汚染が確実に防止されるとともに基板Ｗの表面にレジスト膜およびレジストカバー膜の成分が残留することも防止される。それにより、基板Ｗの処理不良を確実に防止することができる。

なお、露光処理前における基板Ｗの洗浄および乾燥処理は、インターフェースブロック１６内に洗浄／乾燥処理部８０を設けることにより行ってもよい。

（２） レジストカバー膜用処理ブロックについて
露光処理前に基板Ｗの洗浄処理を行う場合においては、レジストカバー膜用処理ブロック１３は設けなくてもよい。この場合、露光処理前に基板Ｗの洗浄処理を行う洗浄／乾燥処理部８０においては、洗浄処理時にレジスト膜の成分の一部が洗浄液中に溶出する。それにより、露光装置１７においてレジスト膜が液体ＬＱと接触しても、レジストの成分が液体ＬＱ中に溶出することが防止される。その結果、露光装置１７内の汚染を防止することができる。

さらに、レジストカバー膜用処理ブロック１３を設けない場合、レジストカバー膜除去ブロック１４を設ける必要がない。したがって、基板処理装置５００のフットプリントを低減することができる。

（３） 基板処理装置が防水機能を有する場合について
基板処理装置５００が十分な防水機能を有している場合には洗浄／乾燥処理部８０は設けなくてもよい。この場合、基板処理装置５００のフットプリントを低減することができる。また、露光処理後の洗浄／乾燥処理部８０への基板Ｗの搬送が省略されるので、基板Ｗの生産性が向上する。

（４） 他の配置例について
上記の実施の形態において、レジストカバー膜除去ブロック１４は２つのレジストカバー膜除去用処理部７０ａ，７０ｂを含むが、レジストカバー膜除去ブロック１４は２つのレジストカバー膜除去用処理部７０ａ，７０ｂの一方に代えて、基板Ｗに熱処理を行う熱処理部を含んでもよい。この場合、複数の基板Ｗに対する熱処理が効率的に行われるので、スループットが向上する。

（５） 洗浄／乾燥処理ユニットの他の例について
図１０に示した洗浄／乾燥処理ユニットＳＤにおいては、洗浄処理用ノズル６５０と乾燥処理用ノズル６７０とが別個に設けられているが、図１５に示すように、洗浄処理用ノズル６５０と乾燥処理用ノズル６７０とを一体に設けてもよい。この場合、基板Ｗの洗浄処理時または乾燥処理時に洗浄処理用ノズル６５０および乾燥処理用ノズル６７０をそれぞれ別々に移動させる必要がないので、駆動機構を単純化することができる。

また、図１５に示す乾燥処理用ノズル６７０の代わりに、図１６に示すような乾燥処理用ノズル７７０を用いてもよい。

図１６の乾燥処理用ノズル７７０は、鉛直下方に延びるとともに側面から斜め下方に延びる分岐管７７１，７７２を有する。乾燥処理用ノズル７７０の下端および分岐管７７１，７７２の下端には不活性ガスを吐出するガス吐出口７７０ａ，７７０ｂ，７７０ｃが形成されている。各吐出口７７０ａ，７７０ｂ，７７０ｃからは、それぞれ図１６の矢印で示すように鉛直下方および斜め下方に不活性ガスが吐出される。つまり、乾燥処理用ノズル７７０においては、下方に向かって吹き付け範囲が拡大するように不活性ガスが吐出される。

ここで、乾燥処理用ノズル７７０を用いる場合には、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤは以下に説明する動作により基板Ｗの乾燥処理を行う。

図１７は、乾燥処理用ノズル７７０を用いた場合の基板Ｗの乾燥処理方法を説明するための図である。

まず、図１１で説明した方法により基板Ｗの表面に液層Ｌが形成された後、図１７（ａ）に示すように、乾燥処理用ノズル７７０が基板Ｗの中心部上方に移動する。その後、乾燥処理用ノズル７７０から不活性ガスが吐出される。これにより、図１７（ｂ）に示すように、基板Ｗの中心部のリンス液が基板Ｗの周縁部に移動し、基板Ｗの周縁部のみに液層Ｌが存在する状態になる。なお、このとき、乾燥処理用ノズル７７０は、基板Ｗの中心部に存在するリンス液を確実に移動させることができるように基板Ｗの表面に近接させておく。

次に、回転軸６２５（図１０参照）の回転数が上昇するとともに、図１７（ｃ）に示すように乾燥処理用ノズル７７０が上方へ移動する。これにより、基板Ｗ上の液層Ｌに大きな遠心力が作用するとともに、基板Ｗ上の不活性ガスが吹き付けられる範囲が拡大する。その結果、基板Ｗ上の液層Ｌを確実に取り除くことができる。なお、乾燥処理用ノズル７７０は、図１０の第２の回動軸６７２に設けられた回動軸昇降機構（図示せず）により第２の回動軸６７２を上下に昇降させることにより上下に移動させることができる。

また、乾燥処理用ノズル７７０の代わりに、図１８に示すような乾燥処理用ノズル８７０を用いてもよい。図１８の乾燥処理用ノズル８７０は、下方に向かって徐々に直径が拡大する吐出口８７０ａを有する。この吐出口８７０ａからは、図１８の矢印で示すように鉛直下方および斜め下方に不活性ガスが吐出される。つまり、乾燥処理用ノズル８７０においても、図１６の乾燥処理用ノズル７７０と同様に、下方に向かって吹き付け範囲が拡大するように不活性ガスが吐出される。したがって、乾燥処理用ノズル８７０を用いる場合も、乾燥処理用ノズル７７０を用いる場合と同様の方法により基板Ｗの乾燥処理を行うことができる。

また、図１０に示す洗浄／乾燥処理ユニットＳＤの代わりに、図１９に示すような洗浄／乾燥処理ユニットＳＤａを用いてもよい。

図１９に示す洗浄／乾燥処理ユニットＳＤａが図１０に示す洗浄／乾燥処理ユニットＳＤと異なるのは以下の点である。

図１９の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤａにおいては、スピンチャック６２１の上方に、中心部に開口を有する円板状の遮断板６８２が設けられている。アーム６８８の先端付近から鉛直下方向に支持軸６８９が設けられ、その支持軸６８９の下端に、遮断板６８２がスピンチャック６２１に保持された基板Ｗの上面に対向するように取り付けられている。

支持軸６８９の内部には、遮断板６８２の開口に連通したガス供給路６９０が挿通されている。ガス供給路６９０には、例えば、窒素ガス（Ｎ₂ ）が供給される。

アーム６８８には、遮断板昇降駆動機構６９７および遮断板回転駆動機構６９８が接続されている。遮断板昇降駆動機構６９７は、遮断板６８２をスピンチャック６２１に保持された基板Ｗの上面に近接した位置とスピンチャック６２１から上方に離れた位置との間で上下動させる。

図１９の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤａにおいては、基板Ｗの乾燥処理時に、図２０に示すように、遮断板６８２を基板Ｗに近接させた状態で、基板Ｗと遮断板６８２との間の隙間に対してガス供給路６９０から不活性ガスを供給する。この場合、基板Ｗの中心部から周縁部へと効率良く不活性ガスを供給することができるので、基板Ｗ上の液層Ｌを確実に取り除くことができる。

Ｄ 請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応
上記実施の形態において、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４および洗浄／乾燥処理ブロック１５が処理部に相当し、インターフェースブロック１６が受け渡し部に相当し、第７のセンターロボットＣＲ７、基板載置部ＰＡＳＳ１３〜ＰＡＳＳ１６、インターフェース用搬送機構ＩＦＲおよび基板載置部ＤＰＡＳＳ１，ＤＰＡＳＳ２が基板搬送機構に相当し、基板載置部ＤＰＡＳＳ１，ＤＰＡＳＳ２が基板乾燥手段に相当する。

また、インターフェース用搬送機構ＩＦＲが第１の搬送装置に相当し、ハンドＨ１が第１の保持手段に相当し、ハンドＨ２が第２の保持手段に相当し、スピンチャック２０１および逆円錐状部材３１０が支持手段に相当し、不活性ガス供給部２３１、不活性ガス供給管２２１、不活性ガス供給口２２１ａ、不活性ガス供給部３３１、不活性ガス供給管３３０および不活性ガス供給路ＳＵが不活性ガス供給手段に相当する。

さらに、不活性ガス噴出口４１１がスリット状開口に相当し、エアナイフＡＮ１，ＡＮ２が不活性ガス噴出装置に相当し、反射防止膜用塗布処理部３０の塗布ユニットＢＡＲＣ、レジスト膜用塗布処理部４０の塗布ユニットＲＥＳ、現像処理部５０の現像処理ユニットＤＥＶ、レジストカバー膜用塗布処理部６０の塗布ユニットＣＯＶ、レジストカバー膜除去用処理部７０ａ，７０ｂの除去ユニットＲＥＭおよび洗浄／乾燥処理部８０の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤが処理ユニットに相当し、第１〜第６のセンターロボットＣＲ１〜ＣＲ６が搬送ユニットに相当し、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤが乾燥処理ユニットに相当する。

また、第６のセンターロボットＣＲ６が第２の搬送装置に相当し、第６のセンターロボットＣＲ６のハンドＣＲＨ１１が第３の保持手段に相当し、第６のセンターロボットＣＲ６のハンドＣＲＨ１２が第４の保持手段に相当する。

さらに、露光後ベーク用熱処理部１５０，１５１の冷却ユニットＣＰおよび加熱ユニットＨＰが熱処理ユニットに相当し、レジスト膜用塗布処理部４０の塗布ユニットＲＥＳが感光性膜形成ユニットに相当し、レジストカバー膜用塗布処理部６０の塗布ユニットＣＯＶが保護膜形成ユニットに相当し、レジストカバー膜除去用処理部７０ａ，７０ｂの除去ユニットＲＥＭが除去ユニットに相当し、反射防止膜用塗布処理部３０の塗布ユニットＢＡＲＣが反射防止膜形成ユニットに相当し、現像処理部５０の現像処理ユニットＤＥＶが現像処理ユニットに相当する。

本発明は、種々の基板の処理等に利用することができる。

第１の実施の形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。 図１の基板処理装置を＋Ｘ方向から見た側面図である。 図１の基板処理装置を−Ｘ方向から見た側面図である。 図１の基板載置部の構成を説明するための図である。 （ａ）は基板載置部の縦断面図であり、（ｂ）は基板載置部の上面図である。 図１の基板載置部の他の構成例を説明するための図である。 （ａ）は基板載置部による基板の乾燥処理を説明するための縦断面図であり、（ｂ）は基板載置部による基板の乾燥処理を説明するための上面図である。 インターフェース用搬送機構の構成および動作を説明するための図である。 図１の洗浄／乾燥処理ブロックを−Ｙ方向から見た図である。 洗浄／乾燥処理ユニットの構成を説明するための図である。 洗浄／乾燥処理ユニットの動作を説明するための図である。 第２の実施の形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。 図１２のインターフェース用搬送機構の構成および動作を説明するための図である。 図１３のエアナイフによる基板の乾燥処理を説明するための図である。 乾燥処理用ノズルの他の例を示す模式図である。 乾燥処理用ノズルの他の例を示す模式図である。 図１６の乾燥処理用ノズルを用いた場合の基板の乾燥処理方法を説明するための図である。 乾燥処理用ノズルの他の例を示す模式図である。 洗浄／乾燥処理ユニットの他の例を示す模式図である。 図１９の洗浄／乾燥処理ユニットを用いた場合の基板の乾燥処理方法を説明するための図である。

符号の説明

１０ 反射防止膜用処理ブロック
１１ レジスト膜用処理ブロック
１２ 現像処理ブロック
１３ レジストカバー膜用処理ブロック
１４ レジストカバー膜除去ブロック
１５ 洗浄／乾燥処理ブロック
１６ インターフェースブロック
１７ 露光装置
３０ 反射防止膜用塗布処理部
４０ レジスト膜用塗布処理部
５０ 現像処理部
６０ レジストカバー膜用塗布処理部
７０ａ，７０ｂ レジストカバー膜除去用処理部
８０ 洗浄／乾燥処理部
１５０，１５１ 露光後ベーク用熱処理部
２０１ スピンチャック
２２１ 不活性ガス供給管
２２１ａ 不活性ガス供給口
２３１ 不活性ガス供給部
３１０ 逆円錐状部材
３３０ 不活性ガス供給管
３３１ 不活性ガス供給部
４１１ 不活性ガス噴出口
５００ 基板処理装置
ＡＮ１，ＡＮ２ エアナイフ
ＢＡＲＣ，ＣＯＶ，ＲＥＳ 塗布ユニット
ＣＲ１，ＣＲ２，ＣＲ３，ＣＲ４，ＣＲ５，ＣＲ６，ＣＲ７ 第１〜第７のセンターロボット
ＣＰ 冷却ユニット
ＣＲＨ９１，ＣＲＨ９２，Ｈ１，Ｈ２ ハンド
ＤＥＶ 現像処理ユニット
Ｈ１，Ｈ２，ＣＲＨ１１，ＣＲＨ１２ ハンド
ＨＰ 加熱ユニット
ＩＦＲ インターフェース用搬送機構
ＰＡＳＳ１３〜ＰＡＳＳ１６，ＤＰＡＳＳ１，ＤＰＡＳＳ２ 基板載置部
ＲＥＭ 除去ユニット
ＳＤ 洗浄／乾燥処理ユニット
ＳＵ 不活性ガス供給路
Ｗ 基板

Claims (18)

1. 露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、
   基板に処理を行う処理部と、
   前記処理部の一端部に隣接するように設けられ、前記処理部と前記露光装置との間で基板の受け渡しを行う受け渡し部と、
   前記受け渡し部に設けられ、前記処理部と前記露光装置との間で基板を搬送する基板搬送機構とを備え、
   前記基板搬送機構は、基板の乾燥処理を行う基板乾燥手段を含むことを特徴とする基板処理装置。
2. 前記基板乾燥手段は、前記露光装置による露光処理後の基板の乾燥処理を行うことを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
3. 前記基板乾燥手段は、前記露光装置による露光処理前の基板の乾燥処理を行うことを特徴とする請求項１または２記載の基板処理装置。
4. 前記基板搬送機構は、基板を保持しつつ搬送する第１の搬送装置を含み、
   前記第１の搬送装置は、前記処理部から前記露光装置に搬送する際に露光処理前の基板を保持する第１の保持手段と、前記露光装置から前記処理部に搬送する際に露光処理後の基板を保持する第２の保持手段とを含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の基板処理装置。
5. 前記基板搬送機構は、基板を一時的に載置する基板載置部を含み、
   前記基板載置部は、前記基板乾燥手段を含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の基板処理装置。
6. 前記基板載置部は、前記受け渡し部において、前記露光装置に隣接するように配置されたことを特徴とする請求項５記載の基板処理装置。
7. 前記基板乾燥手段は、基板の裏面周縁部の乾燥処理を行うことを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の基板処理装置。
8. 前記基板乾燥手段は、基板を支持する支持手段と、前記支持手段により支持された基板の裏面に不活性ガスを噴射することにより基板の乾燥処理を行う不活性ガス供給手段とを備えることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の基板処理装置。
9. 前記基板乾燥手段は、基板の搬送経路に設けられ、不活性ガスを噴射するスリット状開口を有する不活性ガス噴出装置を含み、
   前記不活性ガス噴出装置は、搬送中の基板の裏面に不活性ガスを噴射することにより基板の乾燥処理を行うことを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の基板処理装置。
10. 前記処理部は、基板に所定の処理を行う処理ユニットと、複数の処理ユニット間で基板を搬送する搬送ユニットとを含み、
    前記処理ユニットは、前記露光装置による露光処理後に基板の乾燥処理を行う乾燥処理ユニットを含むことを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の基板処理装置。
11. 前記搬送ユニットは、前記受け渡し部に隣接するようにかつ前記乾燥処理ユニットに隣接するように設けられる第２の搬送装置を有し、
    前記第２の搬送装置は、基板を保持しつつ搬送するための第３の保持手段および第４の保持手段を有し、
    前記第３の保持手段は、前記露光装置による露光処理前の基板を前記受け渡し部へ搬送する際、および前記乾燥処理ユニットによる乾燥処理後の基板を他の処理ユニットへ搬送する際に基板を保持し、
    前記第４の保持手段は、前記露光装置による露光処理後の基板を前記乾燥処理ユニットへ搬送する際に基板を保持することを特徴とする請求項１０記載の基板処理装置。
12. 前記第４の保持手段は、前記第３の保持手段よりも下方に設けられることを特徴とする請求項１１記載の基板処理装置。
13. 前記処理ユニットは、前記露光装置による露光処理後の基板に所定の熱処理を行う熱処理ユニットをさらに含むことを特徴とする請求項１０〜１２のいずれかに記載の基板処理装置。
14. 前記処理ユニットは、基板に感光性材料からなる感光性膜を形成する感光性膜形成ユニットをさらに含むことを特徴とする請求項１０〜１３のいずれかに記載の基板処理装置。
15. 前記処理ユニットは、前記感光性膜を保護する保護膜を形成する保護膜形成ユニットをさらに含むことを特徴とする請求項１４記載の基板処理装置。
16. 前記処理ユニットは、前記露光装置による露光処理後に前記保護膜を除去する除去ユニットをさらに含むことを特徴とする請求項１５記載の基板処理装置。
17. 前記処理ユニットは、前記感光性膜形成ユニットによる前記感光性膜の形成前に基板に反射防止膜を形成する反射防止膜形成ユニットをさらに含むことを特徴とする請求項１４〜１６のいずれかに記載の基板処理装置。
18. 前記処理ユニットは、基板の現像処理を行う現像処理ユニットをさらに含むことを特徴とする請求項１０〜１７のいずれかに記載の基板処理装置。

Images