[go: up one dir, main page]

JP2007036152A - ウェーハ洗浄乾燥方法及びウェーハ洗浄乾燥装置 - Google Patents

ウェーハ洗浄乾燥方法及びウェーハ洗浄乾燥装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2007036152A
JP2007036152A JP2005221416A JP2005221416A JP2007036152A JP 2007036152 A JP2007036152 A JP 2007036152A JP 2005221416 A JP2005221416 A JP 2005221416A JP 2005221416 A JP2005221416 A JP 2005221416A JP 2007036152 A JP2007036152 A JP 2007036152A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
cleaning
fluid
drying
nozzle
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2005221416A
Other languages
English (en)
Inventor
Takashi Fujita
隆 藤田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Seimitsu Co Ltd
Original Assignee
Tokyo Seimitsu Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Seimitsu Co Ltd filed Critical Tokyo Seimitsu Co Ltd
Priority to JP2005221416A priority Critical patent/JP2007036152A/ja
Publication of JP2007036152A publication Critical patent/JP2007036152A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

【課題】
ウォーターマークやパーティクル残留の発生がなく、簡便なウェーハの洗浄乾燥装置及び洗浄乾燥方法を提供すること。
【解決手段】
洗浄液8が満たされた洗浄槽2と、IPAガス9を供給するノズル3とを備え、洗浄槽2内で洗浄液8に水平に浸漬された洗浄後のウェーハWと、IPAガス9が噴射されるノズル3とを相互に接近させ、ウェーハW上の洗浄液8をIPAガス9によってウェーハWの外周部へ移動させてウェーハWの乾燥を行なうことにより、ウェーハW上の水分やパーティクルが残留することなくウェーハWの洗浄、乾燥を行なうことができる。
【選択図】図3

Description

本発明は、半導体装置や電子部品等のウェーハの洗浄と乾燥とを行なうウェーハ洗浄乾燥方法及びウェーハ洗浄乾燥装置に関するものである。
半導体装置や電子部品等のウェーハは、製造の過程において切削、研磨等の各種工程を経ていく。例えば、CMPによるウェーハの研磨は、ウェーハ保持ヘッドによってウェーハを保持し、このウェーハを回転する研磨定盤に所定の圧力で押し付け、その研磨定盤とウェーハとの間にケミカル研磨剤(以下、「スラリ」と称する)を供給することにより行われる。
このようなウェーハ研磨装置で研磨加工されたウェーハは、洗浄装置により洗浄され、ウェーハに付着していたスラリが除去される。洗浄されたウェーハは、洗浄装置内に設けられた、又は洗浄装置に隣接した乾燥装置により乾燥が行なわれる。
乾燥の工程では、従来、ウェーハを回転させて表面の水分を遠心力により除去するスピン乾燥などが行なわれていた。しかし、スピン乾燥では、水分が複数の水滴に分離してウェーハ上から除去されずに残留することによりウォーターマークとなる、又は跳ね飛ばされた水滴の跳ね返りなどによるパーティクル残りが発生するなどの問題があった。
そのため、現在では純水や脱イオン水などの洗浄液内にウェーハを立て、洗浄液を排出するとともにイソプロピルアルコール(Iso−Propyl Alcohol。以下IPAと称する)のガスを密閉された洗浄槽内へ送り、洗浄液とIPAガスの表面張力の差を利用することによりパーティクル残留を防止しながら乾燥を行なう、マランゴニ方式の乾燥装置(例えば、特許文献1参照。)。
又は、回転するウェーハに対しウェーハの中央部から外周部に移動しながら洗浄液を供給するノズルと、洗浄用のノズルとともに移動する洗浄用のノズル近傍に設けられた乾燥用のIPAガスを供給するノズルとにより、マランゴニ力を発生させてウェーハの洗浄と乾燥を行なう洗浄乾燥装置が提案されている(例えば、特許文献2参照。)。
特開2003−224104号公報 特開2004−140196号公報
しかし、特許文献1に記載されたような乾燥装置では、洗浄液がウェーハ表面に残らないようにするため、ウェーハを立てた状態にする必要があり、ウェーハを加工している定盤上から一度起こして搬送するなど、装置の搬送系が大変複雑かつ大型化する問題があり、一枚単位で処理してゆく装置などには適さない。また、搬送系が複雑化して移動に時間がかかると、凝集しやすいスラリなどを使用している場合は、搬送中に研磨後のスラリが凝集してしまい洗浄が困難になる。
また、特許文献2に記載されたような洗浄乾燥装置では、ウェーハが水平に保たれていない場合、洗浄液が片側に流れてしまい効果的なマランゴニ力を得ることが困難となる。更に、ウェーハを回転させる為、ウェーハ上の洗浄液はウェーハ外周部に向かって流れ、供給されるIPAガスも中央部から外周部に向かって流れるので、流体の流れる力が一方向であって、マランゴニ力のバランスを取ることが困難となり、結果としてウェーハ面上にウェーターマークを残す問題があった。
本発明はこのような問題に対して成されたものであり、ウォーターマークやパーティクル残留の発生がなく、簡便なウェーハ洗浄乾燥方法及びウェーハ洗浄乾燥装置を提供することを目的としている。
本発明は前記目的を達成するために、洗浄槽内で洗浄用の第1の流体に水平に浸漬されたウェーハと、洗浄後の前記ウェーハの乾燥を行なう前記第1の流体よりも表面張力が小さい第2の流体を供給するノズルとを相対的に接近させ、前記ウェーハ上の前記第1の流体を前記第2の流体により該ウェーハの内側から外周部へ移動させて該ウェーハの乾燥を行なうことを特徴としている。
また、本発明は、前記洗浄槽は、前記第1の液体を排出するためのドレイン口が設けられていること、前記洗浄槽の内部には、前記ウェーハの移動を行なう移動機構が設けられていること、前記ノズルの先端部には、前記洗浄槽内に載置された前記ウェーハと平行に板が設けられていることも特徴としている。
更に、本発明では、ウェーハの洗浄を行なう第1の流体を前記ウェーハ表面に向かって噴射することにより、該ウェーハを前記第1の流体で浸漬された状態と同等に保ちながら洗浄を行なう該ウェーハの周囲に設けられた洗浄液噴射口と、前記ウェーハの洗浄が行なわれる洗浄槽と、洗浄後の前記ウェーハの乾燥を行なう前記第1の流体よりも張力が小さい第2の流体が供給される噴射口が少なくとも1個設けられたノズルとを備えたことも特徴としている。
本発明によれば、洗浄後のウェーハが洗浄用の第1の流体内に水平に浸漬、又は洗浄液噴射口から噴射される第1の流体により流体内に水平に浸漬された状態と同等にされる。第1の流体に浸漬されたウェーハの上面中心付近に向け、ノズルより乾燥を行なう第2の流体が供給される。この状態でノズルがウェーハに接近することにより、ウェーハへ当たる第2の流体の圧力が徐々に増し、図11に示すように、第1の流体がウェーハ中央部へ押し寄せる力と、第2の流体が第1の流体をウェーハ外周部へ押し出す力がバランスする状態を制御性よく作り出す。
このとき、第1の流体と第2の流体との表面張力の差により2つの液体の界面付近で発生するマランゴニ力が効果的に働き、ウェーハ上面の第1の流体はウェーハ外周部へとゆっくりと移動する。
第1の流体がウェーハ外周部へ移動した後は、洗浄槽に設けられたドレイン口から第1の流体を排出する、又は、ウェーハの移動機構により第1の流体から上昇させてウェーハを取り出す。
これにより、ウェーハ表面にパーティクルを残すことなくウェーハ上の水分が完全に除去される。また、ウェーハが水平状態に置かれたままで乾燥可能であるため、回転機構や複雑な搬送装置、大型の槽などは不要であり、装置が小型化され、簡便に取り扱うことが出来る。
以上説明したように、本発明のウェーハ洗浄乾燥方法及びウェーハ洗浄乾燥装置によれば、小型化された簡便な装置により、ウェーハ上に水分やパーティクルが残留することなくウェーハの洗浄、乾燥を行なうことが可能となる。
以下添付図面に従って本発明に係るウェーハ洗浄乾燥方法及びウェーハ洗浄乾燥装置の好ましい実施の形態について詳説する。
まず初めに、本発明に係わるウェーハ洗浄乾燥装置と、ウェーハ洗浄乾燥装置が組み込まれたウェーハ研磨装置との構成について説明する。図1は、ウェーハ研磨装置の平面断面図である。
図1に示すようにウェーハ研磨装置10は、洗浄乾燥装置1、ウェーハ収納部20、搬送手段14、研磨手段16、16、16、及び膜厚測定手段29とから構成されている。
ウェーハ収納部20は、製品用ウェーハ収納部20A、ダミーウェーハ収納部20B、第1モニターウェーハ収納部20C、第2モニターウェーハ収納部20Dとからなり、各収納部にはカセット24に収納されたウェーハWが収納される。製品用ウェーハ収納部20Aは2個並んで設けられている。また第1モニターウェーハ収納部20Cはカセット24の下段を使用し、同じカセット24の上段は第2モニターウェーハ収納部20Dになっている。
搬送手段14は、インデックス用ロボット22とトランスファーロボット30及び搬送ユニット36A、36Bとから構成されている。
インデックス用ロボット22は、旋回自在かつ屈曲自在なアームを2本備えており、図1の矢印Y方向に沿って移動自在に設けられている。このインデックス用ロボット22は、各ウェーハ収納部に載置されたカセット24から研磨対象のウェーハWを取り出して膜厚測定手段29及び受渡しポート26、28に搬送するとともに、洗浄が終了したウェーハWを洗浄乾燥装置1から受け取ってカセット24に収納する。
トランスファーロボット30は、屈曲自在かつ旋回自在なロード用アーム30Aとアンロード用アーム30Bとを備えており、図1に示す矢印X方向に沿って移動自在に設けられている。
ロード用アーム30Aは、研磨前のウェーハWの搬送に使用され、その先端部に備えられた図示しないパッドで研磨前のウェーハWを受渡しポート26、28から受け取り、搬送ユニット36A、36Bに搬送する。
アンロード用アーム30Bは、研磨後のウェーハWの搬送に用いられ、その先端に備えられた図示しないパッドで研磨後のウェーハWを搬送ユニット36A、36Bから受け取り、洗浄乾燥装置1又はアンロードカセット32へと搬送する。
搬送ユニット36A、36Bは、どちらも図1に示される矢印Y方向に沿って移動自在に設けられ、夫々受取り位置SA 、SB と受渡し位置TA 、TBの間を移動する。受取り位置SA、SB でトランスファーロボット30のロード用アーム30Aから研磨対象のウェーハWを受取り、受渡し位置TA 、TB に移動して研磨ヘッド38A、38Bに受け渡す。また研磨後のウェーハWを受渡し位置TA 、TB で受取り、受取り位置SA 、SB に移動してトランスファーロボット30のアンロード用アーム30Bに受け渡す。
この搬送ユニット36A、36Bは夫々が別々の2個の受け台を持っており、この2個の受け台は研磨前のウェーハW用と研磨後のウェーハW用とに使い分けられる。
研磨手段16、16、16は、ウェーハWの研磨を行い、図1に示すように、研磨定盤34A、34B、34C、研磨ヘッド38A、38B、スラリ供給ノズル37A、37B、37C及びキャリア洗浄ユニット40A、40Bを備えている。
研磨定盤34A、34B、34Cは、円盤状に形成されており、3台が並列して配置されている。各研磨定盤34A、34B、34Cの上面には、それぞれ研磨パッド(図示せず)が貼付されており、この研磨パッド上にスラリ供給ノズル37A、37B、37Cからスラリが供給される。また、各研磨定盤34A、34B、34Cは、図示しないモータで駆動されて回転し、この回転する研磨定盤34A、34B、34CにウェーハWが押し付けられることで、ウェーハWが研磨される。
ここで、この3つの研磨定盤34A、34B、34Cのうち左右の研磨定盤34A、34Bは第1の研磨対象膜の研磨に用いられ、中央の研磨定盤34Cは第2の研磨対象膜の研磨に用いられる。両者の研磨においては、供給するスラリの種類、研磨ヘッドの回転数や研磨定盤の回転数、また、研磨ヘッドの押付力や研磨パッドの材質等が変更されている。
なお、この研磨定盤34A、34B、34Cの近傍には、それぞれドレッシング装置35A、35B、35Cが設けられている。ドレッシング装置35A、35B、35Cは、旋回自在なアームを備えており、このアームの先端に設けられたドレッサによって研磨定盤34A、34B、34C上の研磨パッドをドレッシングする。研磨ヘッドは38A、38Bと2台設置されており、それぞれ図1の矢印X方向に沿って移動自在に設けられている。
研磨ヘッド38Aは、保持したウェーハWを研磨定盤34A上の研磨パッドに押し付けて、研磨定盤34Aと研磨ヘッド38Aとをそれぞれ回転させながら、研磨パッド上にスラリを供給することにより、ウェーハWが研磨される。他方側の研磨ヘッド38Bも同様に構成される。
また図1に示すように、研磨定盤34A、34B、34Cの間にはキャリア洗浄ユニット40A、40Bが2台設置されており、それぞれ搬送ユニット36A、36Bの所定の受渡位置TA 、TBに配置されている。このキャリア洗浄ユニット40A、40Bは、研磨終了後の研磨ヘッド38A、38Bのキャリアを洗浄する。
膜厚測定手段29は、ウェーハWのセンタリング機構と膜厚測定機とを有している。膜厚測定機では、研磨対象膜が酸化膜である場合には、光干渉式の膜厚測定機等が用いられ、研磨対象膜がメタル膜の場合には4探針比抵抗測定器等が用いられる。
洗浄乾燥装置1は、研磨が終了したウェーハWの洗浄と乾燥を行なう。洗浄乾燥装置1には、複数の洗浄槽2と複数のノズル3とを備えている。
洗浄槽2内にはアルカリ溶液、酸性薬液、脱イオン水、又は純水等を使用した第1の流体としての洗浄液を供給する供給口5と、洗浄後の洗浄液を排出するドレイン口4とが設けられている。また、洗浄槽2内には、図2に示すようにウェーハWを載置して上下に移動を行なう複数個の支持部(移動機構)6が設けられている。
ノズル3は、図2に示す矢印A方向に回転可能、且つ矢印B方向に上下移動可能であるノズル本体12と、ノズル本体12の先端部にウェーハWと水平に設けられた板11とで構成される。
ノズル本体12内部には、第2の流体としてのIPAガス又はIPAガスを含んだ蒸気を噴射するための噴射口が形成されている。板11は、ノズル本体12とウェーハWが接近した際、ノズル本体12の先端部から噴射したIPAガスがウェーハWに当たってノズル3側へ吹き上がらず、横方向へ流れるようにするため設けられている。
ノズル3は、インデックス用ロボット22、又はトランスファーロボット30によりウェーハWが支持部6上へ載置、又は指示部6上から移動される場合は矢印A方向に回転してウェーハW上より退避する。
ウェーハWの洗浄後の乾燥を行なう場合は、ノズル3が洗浄液に浸漬されたウェーハW上へ回転移動し、回転移動後ノズル本体12よりウェーハW中央付近へIPAガスが噴射される。この状態でノズル本体12が下降する、ウェーハWが支持部6により上昇する、又はノズル本体が下降するとともにウェーハWが支持部6により上昇してウェーハWとノズル3が相対的に接近して乾燥を行なう。
以上のような構成により、本発明に関わるウェーハ洗浄乾燥装置は、小型化された簡便な装置構成で、ウェーハ上に水分やパーティクルを残留させることなくウェーハの洗浄、乾燥を行なうことが可能となる。
なお、本実施の形態では、洗浄槽2内に設けられた供給口5より洗浄液を供給してウェーハを洗浄液に浸漬させるが、本発明はこれに限らず、図9に示すように、洗浄乾燥装置50の洗浄槽2内に設けられた洗浄液噴射口51よりウェーハW上に洗浄液を噴射し、ウェーハWが洗浄液に浸漬されたのと同等の状態を保つようにしても好適に実施可能である。
次に本発明に係わるウェーハ洗浄乾燥装置の洗浄乾燥方法について説明する。図3、図4、及び図5は洗浄乾燥装置1を模式的に表した断面側面図である。
図3に示すように、洗浄槽2内へは供給口5より洗浄液8が供給され、複数の支持部(移動機構)6上に載置されたウェーハWが洗浄液8に浸漬される。洗浄液8に浸漬されたウェーハWは不図示のダブルサイドブラシ、又は不図示の超音波水を使用したペンブラシ等で洗浄が行なわれる。
ウェーハW洗浄後、ノズル3がウェーハW上に移動し、噴射口7よりウェーハWの中心付近へ向けて第2の流体としてのIPAガス9が噴射される。このとき、ウェーハWの上面は洗浄液8の液面より、図3に示す深さhの深さに位置する。深さhは5mm以下とする。
ウェーハWの上面中心付近へ向けてIPAガス9を噴射するノズル本体12は、図4へ示すように下降してウェーハWへ接近する。それにともない、IPAガス9がウェーハWと板11の間を通り、IPAガスのウェーハW上面に当たる圧力が増し、洗浄液8がウェーハWの外周部に向かって移動する。
このとき、洗浄液8とIPAガス9との境界面では、洗浄液8とIPAガス9との表面張力の差により、洗浄液8内にIPAガス9をリッチに含む部分とそうではない部分とが混在する。結果として、マランゴニ効果により、ウェーハW上のパーティクルや洗浄液8を残すことなく外周部へ移動させ、ウェーハ上のパーティクルや洗浄液8が完全に除去される。
図5に示すようにノズル3がウェーハWへ更に接近することにより、IPAガス9がウェーハW上面に当たる圧力が更に増し、洗浄液8はウェーハWの外周部へ完全に移動され、ウェーハ上面側の乾燥が完了する。
この状態でドレイン口4より洗浄液8を排出する、又はノズル3を上昇させるとともに支持部6によりウェーハWを上昇させることにより、ウェーハWは洗浄液8から取り出され、ウェーハの乾燥作業が終了する。
なお、本実施の形態では、ノズル3が下降してウェーハWに接近しているが、本発明はこれに限らず、ノズル3を固定し、ウェーハWが支持部6により上昇する、又はウェーハWが上昇するとともにノズル3が下降することによりウェーハWとノズル3を接近させてウェーハWを乾燥させる形態でも好適に利用可能である。
次に、本発明に係わるウェーハ洗浄乾燥方法及びウェーハ洗浄乾燥装置における別の実施の形態について説明する。図6、図7、及び図8は別の実施の形態における洗浄乾燥装置1を模式的に表した断面側面図である。
図6に示すノズル17は、ノズル3と同様にウェーハWと接離可能に設けられており、ウェーハWの乾燥を行なう際にウェーハW上へ移動する。ウェーハW上へ移動したノズル17は、洗浄液8に浸漬したウェーハWに平行に保たれ、所定の高さまで接近して停止する。
ノズル17には、IPAガス9を噴射する噴射口18A、18B、18C、18DがウェーハWの外周部に向かって複数設けられており、噴射口は別々にIPAガスを噴射することが可能である。
この状態でノズル17は、図6に示すように、まずウェーハWの中心付近に位置する噴射口18AよりIPAガス9をウェーハW上へ噴射する。ウェーハW上の洗浄液8は、噴射されたIPAガス9によりウェーハW外周部に向かって移動する。
このとき、洗浄液8とIPAガス9との境界面では、洗浄液8とIPAガス9との表面張力の差により、洗浄液8内にIPAガス9をリッチに含む部分とそうではない部分とが混在する。結果として、マランゴニ効果により、ウェーハW上のパーティクルや洗浄液8を残すことなく外周部へ移動させ、ウェーハ上のパーティクルや洗浄液8が完全に除去される。
ノズル17は、ウェーハW上の洗浄液8が所定の位置まで移動した時点で、図7に示すように、更に噴射口18BよりIPAガス9を噴射してIPAガス9の噴射領域を拡大させ、洗浄液8をよりウェーハWの外周部へ移動させる。
この後更に噴射する領域を噴射口18C、18Dと広げ、最終的にウェーハWの外周部へ完全に洗浄液8を異動させ、ウェーハ上面側の乾燥が完了する。
この状態でドレイン口4より洗浄液8を排出する、又はノズル17を上昇させるとともに支持部6によりウェーハWを上昇させることにより、ウェーハWは洗浄液8から取り出され、ウェーハの乾燥作業が終了する。
なお、本実施の形態では、噴射口を噴射口18A、18B、18C、18Dの4箇所としているが、本発明はこれに限らず、噴射口の数や位置はウェーハWのサイズ等により適宜選択される。
以上説明したように、本発明に係るウェーハ洗浄乾燥方法及びウェーハ洗浄乾燥装置によれば、ウェーハが水平状態に置かれたままで、第1の流体と第2の流体との表面張力の差を利用したマランゴニ効果を利用することが可能であり、ウェーハ表面のパーティクル残留やウォーターマークの発生を防ぐ。
また、回転機構や複雑な搬送装置、大型の槽などは不要であるため、装置が小型化され、図10に示すように、乾燥洗浄装置を重ねて製作することも可能であり、スペースをとらず、高スループットであって簡便なウェーハの取り扱いを実現することが出来る。
なお、本実施の形態では本発明に係わるウェーハ洗浄乾燥方法及びウェーハ洗浄乾燥装置をウェーハ研磨装置に組み込んだ場合で説明しているが、本発明はこれに限らず、ウェーハ洗浄乾燥装置単体や他の装置への組み込み、及び利用が可能である。
本発明に係わるウェーハ洗浄乾燥装置を組み込んだ研磨装置の平面断面図。 ウェーハ洗浄乾燥装置の正面斜視図。 洗浄乾燥装置を模式的に表した断面側面図(乾燥動作前)。 洗浄乾燥装置を模式的に表した断面側面図(乾燥中)。 洗浄乾燥装置を模式的に表した断面側面図(乾燥終了時)。 別の実施形態の洗浄乾燥装置を模式的に表した断面側面図(乾燥開始時)。 別の実施形態の洗浄乾燥装置を模式的に表した断面側面図(乾燥中)。 別の実施形態の洗浄乾燥装置を模式的に表した断面側面図(乾燥終了時)。 洗浄液噴射口が設けられた洗浄乾燥装置の正面斜視図。 重ねられた状態の洗浄乾燥装置を模式的に表した断面側面図。 本発明に係わる洗浄乾燥装置の原理を示した模式図。
符号の説明
1、50…洗浄乾燥装置,2…洗浄槽,3、17…ノズル,4…ドレイン口,5…供給口,6…支持部(移動機構),7、18A、18B、18C、18D…噴射口,8…洗浄液(第1の流体),9…IPAガス(第2の流体),10…ウェーハ研磨装置,20A…製品用ウェーハ収納部,20B…ダミーウェーハ収納部,20C…第1モニターウェーハ収納部,20D…第2モニターウェーハ収納部,21…第2制御手段,22…インデックス用ロボット,26、28…受渡しポート,29…膜厚測定手段,30…トランスファーロボット,32…アンロードカセット,34A、34B、34C…研磨定盤,36A、36B…搬送ユニット,38A、38B…研磨ヘッド,51…洗浄液噴射口,W…ウェーハ

Claims (8)

  1. 洗浄槽内で洗浄用の第1の流体に水平に浸漬されたウェーハと、洗浄後の前記ウェーハの乾燥を行なう前記第1の流体よりも表面張力が小さい第2の流体を供給するノズルとを相対的に接近させ、前記ウェーハ上の前記第1の流体を前記第2の流体により該ウェーハの内側から外周部へ移動させて該ウェーハの乾燥を行なうことを特徴とするウェーハ洗浄乾燥方法。
  2. 洗浄槽内で洗浄用の第1の流体に水平に浸漬されたウェーハへ、複数の噴射口を備えたノズルより、前記ウェーハの内側から外周部に向かって噴射領域を拡大しながら、洗浄後の前記ウェーハの乾燥を行なう前記第1の流体よりも表面張力が小さい第2の流体を供給し、前記ウェーハ上の前記第1の流体を前記第2の流体により該ウェーハの外周部へ移動させて該ウェーハの乾燥を行なうことを特徴とするウェーハ洗浄乾燥方法。
  3. ウェーハの洗浄を行なう第1の流体が満たされた洗浄槽と、
    洗浄後の前記ウェーハの乾燥を行なう前記第1の流体よりも張力が小さい第2の流体が供給される噴射口が少なくとも1個設けられたノズルとを備えたことを特徴とするウェーハ洗浄乾燥装置。
  4. ウェーハの洗浄を行なう第1の流体を前記ウェーハ表面に向かって噴射することにより、該ウェーハを前記第1の流体で浸漬された状態と同等に保ちながら洗浄を行なう該ウェーハの周囲に設けられた洗浄液噴射口と、
    前記ウェーハの洗浄が行なわれる洗浄槽と、
    洗浄後の前記ウェーハの乾燥を行なう前記第1の流体よりも張力が小さい第2の流体が供給される噴射口が少なくとも1個設けられたノズルとを備えたことを特徴とするウェーハ洗浄乾燥装置。
  5. 前記洗浄槽は、前記第1の液体を排出するためのドレイン口が設けられていることを特徴とする請求項3又は請求項4に記載のウェーハ洗浄乾燥装置。
  6. 前記洗浄槽の内部には、前記ウェーハを載置し、該ウェーハを上下方向へ移動させる移動機構が設けられていることを特徴とする請求項3、4、又は5のうちいずれか1項に記載のウェーハ洗浄乾燥装置。
  7. 前記ノズルは、前記ウェーハに対して接離可能に設けられていることを特徴とする請求項3、4、5又は6のうちいずれか1項に記載のウェーハ洗浄乾燥装置。
  8. 前記ノズルの先端部には、前記洗浄槽内に載置された前記ウェーハと平行に板が設けられていることを特徴とする請求項3、4、5、6又は7のうちいずれか1項に記載のウェーハ洗浄乾燥装置。
JP2005221416A 2005-07-29 2005-07-29 ウェーハ洗浄乾燥方法及びウェーハ洗浄乾燥装置 Pending JP2007036152A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005221416A JP2007036152A (ja) 2005-07-29 2005-07-29 ウェーハ洗浄乾燥方法及びウェーハ洗浄乾燥装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005221416A JP2007036152A (ja) 2005-07-29 2005-07-29 ウェーハ洗浄乾燥方法及びウェーハ洗浄乾燥装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2007036152A true JP2007036152A (ja) 2007-02-08

Family

ID=37794992

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005221416A Pending JP2007036152A (ja) 2005-07-29 2005-07-29 ウェーハ洗浄乾燥方法及びウェーハ洗浄乾燥装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2007036152A (ja)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009079422A1 (en) * 2007-12-14 2009-06-25 Lam Research Corporation Method and apparatus for removing contaminants from substrate
JP2011018802A (ja) * 2009-07-09 2011-01-27 Disco Abrasive Syst Ltd 研削装置
JP2016167582A (ja) * 2015-03-05 2016-09-15 株式会社Screenホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
CN108063106A (zh) * 2018-01-15 2018-05-22 上海新阳半导体材料股份有限公司 对准标记重现清洗装置及使晶圆上的对准标记重现的方法
CN111383950A (zh) * 2018-12-25 2020-07-07 胜高股份有限公司 半导体晶片的清洗槽及清洗方法
US10730059B2 (en) 2015-03-05 2020-08-04 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing method and substrate processing apparatus
CN113471108A (zh) * 2021-07-06 2021-10-01 华海清科股份有限公司 一种基于马兰戈尼效应的晶圆竖直旋转处理装置
CN114472332A (zh) * 2022-01-21 2022-05-13 智程半导体设备科技(昆山)有限公司 一种浸泡式去胶清洗、干燥一体机
WO2026014069A1 (ja) * 2024-07-10 2026-01-15 株式会社レゾナック・ハードディスク 円盤状基板の製造装置

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009079422A1 (en) * 2007-12-14 2009-06-25 Lam Research Corporation Method and apparatus for removing contaminants from substrate
US7967019B2 (en) 2007-12-14 2011-06-28 Lam Research Corporation Method and apparatus for removing contaminants from substrate
JP2011018802A (ja) * 2009-07-09 2011-01-27 Disco Abrasive Syst Ltd 研削装置
JP2016167582A (ja) * 2015-03-05 2016-09-15 株式会社Screenホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
US10730059B2 (en) 2015-03-05 2020-08-04 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing method and substrate processing apparatus
CN108063106A (zh) * 2018-01-15 2018-05-22 上海新阳半导体材料股份有限公司 对准标记重现清洗装置及使晶圆上的对准标记重现的方法
CN111383950A (zh) * 2018-12-25 2020-07-07 胜高股份有限公司 半导体晶片的清洗槽及清洗方法
CN113471108A (zh) * 2021-07-06 2021-10-01 华海清科股份有限公司 一种基于马兰戈尼效应的晶圆竖直旋转处理装置
CN114472332A (zh) * 2022-01-21 2022-05-13 智程半导体设备科技(昆山)有限公司 一种浸泡式去胶清洗、干燥一体机
WO2026014069A1 (ja) * 2024-07-10 2026-01-15 株式会社レゾナック・ハードディスク 円盤状基板の製造装置
JP2026011067A (ja) * 2024-07-10 2026-01-23 株式会社レゾナック・ハードディスク 円盤状基板の製造装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4423289B2 (ja) 基板洗浄装置、基板洗浄方法及びその方法に使用するプログラムを記録した媒体
US9165799B2 (en) Substrate processing method and substrate processing unit
TWI525686B (zh) 基板洗淨方法
KR102033791B1 (ko) 기판 세정 방법 및 기판 세정 장치
JP4983565B2 (ja) 基板洗浄装置、基板洗浄方法及び記憶媒体
TWI473150B (zh) 基板清洗裝置、具有此清洗裝置的塗佈顯影裝置、及基板清洗方法
CN206541806U (zh) 基板处理系统
JP5504271B2 (ja) 加圧流体を使用して半導体基板を洗浄する装置及び方法
KR101796651B1 (ko) 유체 제트를 구비한 디스크-브러시 세정장치 모듈
JP7491774B2 (ja) 基板保持回転機構、基板処理装置
JP2007036152A (ja) ウェーハ洗浄乾燥方法及びウェーハ洗浄乾燥装置
WO2023022210A1 (ja) 基板洗浄装置、基板洗浄方法及び基板研磨装置
CN206259319U (zh) 基板处理系统
KR102483002B1 (ko) 기판 처리 장치
TW202135217A (zh) 基板處理裝置、及基板處理方法
JP7756795B2 (ja) 基板処理装置、および基板処理方法
JP2007221072A (ja) ウェーハ洗浄乾燥装置及びウェーハ洗浄乾燥方法
JP4683222B2 (ja) ウェーハ洗浄乾燥装置及びウェーハ洗浄乾燥方法
KR20230088257A (ko) 기판 세정 장치 및 기판 연마 장치
KR20150072198A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP2021057356A (ja) 基板洗浄装置、基板処理装置および記録媒体
KR20150060053A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법