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JP2007033857A - Method for manufacturing glass substrate for mask blanks, glass substrate for mask blanks, method for manufacturing mask blanks, and mask blanks - Google Patents

Method for manufacturing glass substrate for mask blanks, glass substrate for mask blanks, method for manufacturing mask blanks, and mask blanks Download PDF

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JP2007033857A
JP2007033857A JP2005216869A JP2005216869A JP2007033857A JP 2007033857 A JP2007033857 A JP 2007033857A JP 2005216869 A JP2005216869 A JP 2005216869A JP 2005216869 A JP2005216869 A JP 2005216869A JP 2007033857 A JP2007033857 A JP 2007033857A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
glass substrate
marking
cleaning
mask
mask blank
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2005216869A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hisashi Kasahara
比佐志 笠原
Hiroshi Oshiba
広巳 大柴
Akinori Kurikawa
明典 栗川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hoya Corp
Original Assignee
Hoya Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hoya Corp filed Critical Hoya Corp
Priority to JP2005216869A priority Critical patent/JP2007033857A/en
Publication of JP2007033857A publication Critical patent/JP2007033857A/en
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To solve the problems associated with "roughened surface generated in the surface of a recessed part formed by laser light irradiation" as shown in the figure. <P>SOLUTION: The method for manufacturing a glass substrate for mask blanks includes a marking step for forming the recessed part used as a marker for identifying the glass substrate for mask blanks, by irradiating with laser light the substrate surface in a region having no effect on the transference in the surface of the glass substrate for mask blanks and by melting or subliming it. The method further includes a step for making the part where the marking is performed by irradiation with the laser light and the surrounding surface of the substrate into the surface state in which the source material causing and the "roughened surface generated in the surface of the recessed part formed by laser light irradiation" (with reference to the figure) is eliminated and for performing the marking by the irradiation with the laser beam in this state. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、マスクブランクス用ガラス基板の製造方法、マスクブランクス用ガラス基板、マスクブランクスの製造方法、及びマスクブランクスに関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a glass substrate for mask blanks, a glass substrate for mask blanks, a method for manufacturing mask blanks, and mask blanks.

従来、光学式読み取りタイプのエリアコードがガラス基板の端面や裏面に形成された金属膜に設けられているマスクブランクスが知られている(例えば、特許文献1参照。)。
また、ガラス基板側面(端面)のつや消し部分に、所定の記号がマーキングされたマスクブランクスが知られている(例えば、特許文献2参照。)。
2. Description of the Related Art Conventionally, there has been known a mask blank in which an optical reading type area code is provided on a metal film formed on an end surface or a back surface of a glass substrate (for example, see Patent Document 1).
Moreover, the mask blanks by which the predetermined symbol was marked in the frosted part of the glass substrate side surface (end surface) are known (for example, refer patent document 2).

近年、露光光源の波長は例えば200nm以下に短波長化しており、マスクブランクス用ガラス基板、及びマスクブランクスに要求される品質(許容できる欠陥の大きさや個数)は益々厳しくなっている。エリアコード等の形成の仕方によっては、後の工程での発塵が生じ、要求品質を満たすのが困難になるおそれがある。また、近年のマスクブランクス用ガラス基板においては、端面も鏡面研磨される場合があり、つや出し状に施した記号等では、十分な読み取り精度が得られないおそれがある。   In recent years, the wavelength of an exposure light source has been shortened to, for example, 200 nm or less, and the quality (size and number of allowable defects) required for a mask blank glass substrate and mask blanks has become increasingly severe. Depending on how the area code or the like is formed, dust may be generated in a later process, which may make it difficult to satisfy the required quality. Further, in the recent glass substrate for mask blanks, the end surface may be mirror-polished, and there is a possibility that sufficient reading accuracy cannot be obtained with a glossy symbol or the like.

そこで、本発明者らは、上記の背景の下、マスクブランクス用ガラス基板に適したマーキング技術を先に開発し出願を行っている(特許文献3)。
係る技術は、マスクブランクス用ガラス基板表面における転写に影響のない領域であって、かつ鏡面状の表面にレーザ光を照射させて、融解又は昇華させることにより、前記マスクブランクス用ガラス基板を識別するためのマーカとして用いられる凹部(以下マーカ用凹部という)を形成するマーキング工程を備えることを特徴としている。係る技術では、鏡面状の表面をレーザ照射によって融解又は昇華させることでマーカ用凹部を形成するので、マスクブランクス用ガラス基板の製造工程の様々な局面において、基板に関する多くの情報をマーカに記録するのに適している。また、このようにして形成されたマーカは十分な読み取り精度であるとともに、他の形成方法に比べ後の工程での発塵の恐れが少ない。
特開2002−116533号公報 特開昭59−15938号公報 特願2005−096976号
Therefore, the present inventors have developed and filed an application for a marking technique suitable for a glass substrate for mask blanks under the above background (Patent Document 3).
Such a technique identifies the mask blank glass substrate by irradiating a laser beam onto a mirror-like surface and melting or sublimating it in a region that does not affect transfer on the mask blank glass substrate surface. And a marking step for forming a recess (hereinafter referred to as a marker recess) used as a marker. In such a technique, a concave portion for a marker is formed by melting or sublimating a mirror-like surface by laser irradiation, and therefore, in various aspects of the manufacturing process of a mask blank glass substrate, a large amount of information about the substrate is recorded on the marker. Suitable for In addition, the marker formed in this way has sufficient reading accuracy and is less likely to generate dust in a later process as compared with other forming methods.
JP 2002-116533 A JP 59-15938 A Japanese Patent Application No. 2005-096976

上記特許文献3記載のマスクブランクス用ガラス基板に適したマーキング技術に係る発明では、レーザ照射によりガラス表面を融解又は昇華させることによってマーカ用凹部を形成することに基づく優れた特徴を有しているものの、更なる特性向上に向けて、(1)レーザ照射によりガラス表面を融解又は昇華させることによってマーカ用凹部を形成することに基づく問題点を見出しその対策を施す必要があり、また、(2)特許文献3記載の発明は多くの情報をマーカに記録することを意図しかつそれに適した手法であるが、情報量の多さに適応すべく必然的に2次元コード等の各点を構成する多数のマーカ用凹部を1つのマーカについて形成することが必要となること、に基づき発生する問題点を見出しその対策を施す必要がある。
即ち、本発明の目的は、上記特許文献3記載のマスクブランクス用ガラス基板のマーキング技術に関連して、その更なる特性向上に向けて、問題点を見出しその対応策を案出することにある。
The invention relating to the marking technology suitable for the glass substrate for mask blanks described in Patent Document 3 has an excellent feature based on forming the concave portion for the marker by melting or sublimating the glass surface by laser irradiation. However, in order to further improve the characteristics, it is necessary to find a problem based on (1) forming a concave portion for a marker by melting or sublimating the glass surface by laser irradiation, and to take countermeasures (2 The invention described in Patent Document 3 intends to record a lot of information on a marker and is a method suitable for it. However, in order to adapt to the large amount of information, each point such as a two-dimensional code is necessarily constructed. It is necessary to form a large number of concave portions for the marker with respect to one marker, and to find out a problem that occurs based on that and to take measures against it.
That is, an object of the present invention is to find a problem and devise a countermeasure for further improvement of characteristics in relation to the marking technology of the glass substrate for mask blanks described in Patent Document 3 above. .

本発明者らは、上記目的に沿って開発を続けた。そして、以下のことが判明した。
上記特許文献3記載のマスクブランクス用ガラス基板の製造方法において、例えば、研削、研磨(主表面及び端面の精密研磨、超精密研磨、洗浄)等の一連のマスクブランクス用ガラス基板の製造工程終了後、基板検査を行い、その後COレーザなどのレーザを用いて鏡面状の基板表面(例えば鏡面状の端面表面)を融解又は昇華させることによってマーカ用凹部を形成した場合、図7に示す如く、マーカ用凹部20の周縁部に盛り上がり部21が生じることがあることがわかった。この周縁部の盛り上がり部21は、顕微鏡で観察すると、黒くて汚い、焼け付きのように見えるものであった。この周縁部の盛り上がり部21を分析したところ、SiOと有機汚染物(カーボンブラックなど)が混ざり合ったもので構成されていることが判明した。ただ、この周縁部の盛り上がり部21は、レーザマーキング後に、強力かつ十分な洗浄(具体的にはフッ酸による洗浄)を行うことによってほとんど落とすことができたため上記技術の開発当初はそれほど問題視されていなかった。
しかし、本発明者は、上記周縁部に生ずる盛り上がり部21は、上記顕微鏡観察の状況及び分析結果から、レーザマーキング前のマーキングを行おうとする箇所の表面(界面)そのものが汚染されていたため、照射されるレーザ光と前記表面(界面)の汚染との間に何らかの作用が働いて形成されたものと推定し、基板検査工程後レーザマーキング工程の前に洗浄工程(端面にマーカを形成する場合は端面洗浄工程)を導入し実施した基板を用いてレーザマーキングを行った。この結果、マーカ用凹部20の周縁部に、黒くて汚い、焼け付きのように見える盛り上がり部21が生じる問題を解消できることを解明した。
ところが、上記のように基板検査工程とレーザマーキング工程との間に洗浄工程を導入し実施した基板を用いてレーザマーキングを行った場合であっても、図1に示すような2次元コードを構成する多数のマーカ用凹部20からなるマーカ18を形成した基板を多数枚作製し、これによる多数のマーカ用凹部のそれぞれについて詳細かつ丹念に調べた結果、図8に示すように、マーカ用凹部20の表面に局所的に表面が荒れた部位(表面荒れ)22が生ずるマーカ用凹部が存在することが判明した。表面が荒れた部位を含む箇所を走査型電子顕微鏡(SEM)で観察した様子を図9に示す。
この表面荒れは、COレーザなどのレーザ照射によって生じる表面荒れとも考えられるが、マーカ用凹部における表面荒れの発生箇所に規則性はなく、多数のマーカ用凹部のうちの一部のマーカ用凹部にのみ発生(50%程度発生)していた。
そこで、本発明者は、上記の局所的な表面荒れ部位をラマン分析したところ、表面荒れの無い部位のラマン分析結果(図10の下方のシグナル)に対し、表面荒れの発生部位のラマン分析結果(図10の上方のシグナル)では異なるピークが出現しており、COレーザなどのレーザ照射によって単にガラス表面が荒れているのではないことが判明した。更に、ピーク位置から有機系の物質等に基づく表面荒れであることが解明された。
更に究明した結果、単に、基板検査工程とレーザマーキング工程との間に洗浄工程を導入し実施した基板を用いてレーザマーキングしたのでは、不十分であり、COレーザなどのレーザ照射によるレーザマーキング時の界面を上記のような表面荒れを生じさせる原因物質を排除した界面状態とする必要があることを解明した。つまり、レーザマーキングを行おうとする箇所の界面を上記のような表面荒れを生じさせる原因物質を排除した表面(界面)状態とし、かつこの状態でマーキングを実施する必要があることを解明し、本発明に至った。
The inventors have continued development in accordance with the above-mentioned purpose. And the following became clear.
In the method for manufacturing a mask blank glass substrate described in Patent Document 3, for example, after a series of mask blank glass substrate manufacturing processes such as grinding and polishing (precise polishing of the main surface and end face, ultra-precise polishing and cleaning) is completed. In the case where a concave portion for a marker is formed by performing a substrate inspection and then melting or sublimating a mirror-like substrate surface (for example, a mirror-like end surface) using a laser such as a CO 2 laser, as shown in FIG. It has been found that the raised portion 21 may occur at the peripheral edge of the marker recess 20. The bulging portion 21 at the peripheral edge was black, dirty, and looked burned when observed with a microscope. Analysis of the raised portion 21 at the peripheral edge revealed that it was composed of a mixture of SiO 2 and organic contaminants (such as carbon black). However, the raised portion 21 at the peripheral edge can be almost removed by performing strong and sufficient cleaning (specifically, cleaning with hydrofluoric acid) after laser marking. It wasn't.
However, the present inventor found that the raised portion 21 generated at the peripheral edge portion was contaminated because the surface (interface) itself of the portion to be marked before laser marking was contaminated from the state of the microscopic observation and the analysis result. It is presumed that it was formed by some action between the laser beam to be contaminated and the contamination of the surface (interface), and after the substrate inspection process and before the laser marking process (when a marker is formed on the end face) Laser marking was performed using the substrate that had been introduced with the end face cleaning step). As a result, it has been elucidated that the problem that the raised portion 21 that looks black and dirty and looks burned on the peripheral portion of the marker recess 20 can be solved.
However, even when laser marking is performed using a substrate that has been implemented by introducing a cleaning step between the substrate inspection step and the laser marking step as described above, a two-dimensional code as shown in FIG. 1 is formed. As a result of producing a large number of substrates on which the marker 18 composed of the many marker recesses 20 is formed and examining each of the many marker recesses in detail and carefully, as shown in FIG. It has been found that there is a marker concave portion in which a locally roughened portion (surface roughening) 22 is present on the surface of. FIG. 9 shows a state in which a part including a part having a rough surface is observed with a scanning electron microscope (SEM).
This surface roughness is also considered to be surface roughness caused by laser irradiation of a CO 2 laser or the like, but there are no regularities in the occurrence locations of the surface roughness in the marker recesses, and some of the marker recesses among the many marker recesses Only occurred (about 50%).
Then, when this inventor conducted the Raman analysis of said local surface roughening site | part, the Raman analysis result of the surface roughening generation | occurrence | production site | part with respect to the Raman analysis result (lower signal of FIG. 10) of a site | part without surface roughening. A different peak appears in (the upper signal in FIG. 10), and it has been found that the glass surface is not simply roughened by laser irradiation of a CO 2 laser or the like. Furthermore, it was clarified from the peak position that the surface was rough based on an organic substance or the like.
As a result of further investigation, it is not sufficient to simply perform laser marking using a substrate that has been implemented by introducing a cleaning process between the substrate inspection process and the laser marking process, and laser marking by laser irradiation of a CO 2 laser or the like. It was clarified that the interface of the time needs to be an interface state that excludes the causative substances that cause the surface roughness as described above. In other words, it is clarified that it is necessary to set the interface of the place where laser marking is to be performed to the surface (interface) state excluding the causative substances causing the surface roughness as described above, and to carry out the marking in this state. Invented.

本発明は、以下の構成を有する。
(構成1)マスクブランクス用ガラス基板表面における転写に影響のない領域の基板表面にレーザ光を照射させて、融解又は昇華させることにより、前記マスクブランクス用ガラス基板を識別するためのマーカとして用いられる凹部を形成するマーキング工程を備えるマスクブランク用ガラス基板の製造方法であって、
レーザ光照射によってマーキングを行おうとする箇所及びその周辺の基板表面を、レーザ光照射による凹部の形成によって該凹部の表面に発生する表面荒れを生じさせる原因物質を排除した表面状態とし、かつこの状態でレーザ光照射によるマーキングを実施する工程を備えることを特徴とするマスクブランク用ガラス基板の製造方法。
(構成2)
前記「レーザ光照射による凹部の形成によって該凹部の表面に発生する表面荒れを生じさせる原因物質を排除した表面状態とする」手段は、UV洗浄、オゾン洗浄、UV・オゾン洗浄、フッ酸系の洗浄剤を用いた洗浄、エッチング作用のあるアルカリ系の洗浄剤を用いた洗浄のうちから選ばれる一以上の洗浄手段であることを特徴とする構成1記載のマスクブランク用ガラス基板の製造方法。
(構成3)
前記「レーザ光照射による凹部の形成によって該凹部の表面に発生する表面荒れを生じさせる原因物質を排除した表面状態とし、かつこの状態でレーザ光照射によるマーキングを実施する」手段は、構成2記載の洗浄を実施した直後に、マーキングを実施する手段であることを特徴とする構成2記載のマスクブランク用ガラス基板の製造方法。
(構成4)
前記「レーザ光照射による凹部の形成によって該凹部の表面に発生する表面荒れを生じさせる原因物質を排除した表面状態とし、かつこの状態でレーザ光照射によるマーキングを実施する」手段は、構成2記載の洗浄を実施し、この基板を前記原因物質が付着しないような状態で保管及び移送した上で、マーキングを実施する手段であることを特徴とする構成2記載のマスクブランク用ガラス基板の製造方法。
(構成5)
構成1乃至4記載のマスクブランク用ガラス基板の製造方法によって製造されたことを特徴とするマスクブランク用ガラス基板。
(構成6)
構成5に記載のマスクブランクス用ガラス基板と、
前記マスクブランクス用ガラス基板上に形成された、マスクパターンとなるマスクパタ
ーン用薄膜と
を備えることを特徴とするマスクブランクス。
(構成7)
構成5に記載のマスクブランクス用ガラス基板上に、マスクパターンとなるマスクパターン用薄膜を形成する工程を備えることを特徴とするマスクブランクスの製造方法。
The present invention has the following configuration.
(Configuration 1) The mask blank glass substrate is used as a marker for identifying the mask blank glass substrate by irradiating the substrate surface in a region that does not affect the transfer on the mask blank glass substrate surface with melting and sublimation. A method for producing a mask blank glass substrate comprising a marking step for forming a recess,
The surface where the marking is performed by laser light irradiation and the surrounding substrate surface are made into a surface state in which the causative substances that cause surface roughness generated on the surface of the concave portion due to the formation of the concave portion by laser light irradiation are excluded, and this state The manufacturing method of the glass substrate for mask blanks characterized by including the process of marking by laser beam irradiation.
(Configuration 2)
The means for “removing a causative substance that causes surface roughness generated on the surface of the concave portion by the formation of the concave portion by laser light irradiation” means UV cleaning, ozone cleaning, UV / ozone cleaning, hydrofluoric acid type The method for producing a glass substrate for a mask blank according to Configuration 1, wherein the method is one or more cleaning means selected from cleaning using a cleaning agent and cleaning using an alkaline cleaning agent having an etching action.
(Configuration 3)
The means for “making a surface state excluding a causative substance that causes surface roughness generated on the surface of the concave portion by the formation of the concave portion by laser light irradiation and performing marking by laser light irradiation in this state” is described in Configuration 2. The method for producing a glass substrate for a mask blank according to Configuration 2, which is a means for carrying out marking immediately after performing the cleaning.
(Configuration 4)
The means for “making a surface state excluding a causative substance that causes surface roughness generated on the surface of the concave portion by the formation of the concave portion by laser light irradiation and performing marking by laser light irradiation in this state” is described in Configuration 2. The method of manufacturing a glass substrate for a mask blank according to Configuration 2, wherein the substrate is stored and transferred in a state where the causative substance does not adhere to the substrate, and marking is performed. .
(Configuration 5)
A mask blank glass substrate produced by the method for producing a mask blank glass substrate according to any one of Structures 1 to 4.
(Configuration 6)
A glass substrate for mask blanks according to Configuration 5,
A mask blank, comprising: a mask pattern thin film to be a mask pattern formed on the mask blank glass substrate.
(Configuration 7)
A method for producing a mask blank, comprising a step of forming a mask pattern thin film to be a mask pattern on the glass substrate for a mask blank according to Configuration 5.

以下本発明を詳細に説明する。
本発明は、マスクブランクス用ガラス基板表面における転写に影響のない領域(部位)の基板表面にレーザ光を照射させて、融解又は昇華させることにより、前記マスクブランクス用ガラス基板を識別するためのマーカとして用いられる凹部を形成するマーキング工程を備えるマスクブランク用ガラス基板の製造方法であって、
レーザ光照射によってマーキングを行おうとする箇所及びその周辺のガラス基板表面を、レーザ光照射による凹部の形成によって該凹部の表面に発生する表面荒れを生じさせる原因物質を排除した表面状態とし、かつこの状態でレーザ光照射によるマーキングを実施する工程を備えることを特徴とする(構成1)。
本発明は、レーザ照射光との相互作用によって生じる、「上述のような表面荒れ」、即ち、「レーザ光照射による凹部の形成によって該凹部の表面に発生する表面荒れ」、を生じさせる原因物質を排除した表面状態とし、かつこの状態でレーザ光照射によるマーキングを実施することによって、レーザ照射光との相互作用によって生じる「レーザ光照射による凹部の形成によって該凹部の表面に発生する表面荒れ」を実質的に生じさせないようにした発明である。
本発明において、「レーザ光照射による凹部の形成によって該凹部の表面に発生する表面荒れを生じさせる原因物質を排除した表面状態」とは、相当数の基板(例えば100枚)についてマーキングを実施して、上述のような表面荒れが生じるものが見受けられずゼロであるレベルをいう。
本発明において、「レーザ光照射による凹部の形成によって該凹部の表面に発生する表面荒れを生じさせる原因物質を排除した表面状態」とは、例えば、表面の総有機物量が10ng/cm以下である表面状態をいう。総有機物量はGC−MS(ガスクロマトグラフ質量分析計)で測定する。
本発明において、レーザ光照射によってマーキングを行おうとする箇所及びその周辺のガラス基板表面(基板主表面又は端面)の総有機物量(GC−MSで測定)は、好ましくは5ng/cm以下、更に好ましくは1ng/cm以下が望ましい。総有機物量を少なくすることによって、レーザマーカの出力を大きくした場合であっても、上述のような表面荒れが発生しないようにすることができるからである。
尚、本発明によれば、(1)多数形成されるマーカ用凹部の個々について表面荒れの検査を実施し保障して出荷する必要があると言う課題、(2)このような、多数形成されるマーカ用凹部の個々についての表面荒れの検査及び管理が容易でなく、これらの作業は、きわめて煩雑であり、これらの作業の実施はコスト的、作業的に現実的ではなく実施困難であると言う課題、に対し、前記表面荒れを生じさせないような対策を事前に施し、量産レベルにおいて前記表面荒れを有する基板を実質的になくすものであるから、上記課題(1)及び(2)が生じることがなく、上記課題(1)及び(2)を根本的かつ事前にクリア(解決)しうるものである。
The present invention will be described in detail below.
The present invention provides a marker for identifying the glass substrate for mask blanks by irradiating the substrate surface in a region (part) having no influence on transfer on the glass substrate surface for mask blanks with melting or sublimation. A method for producing a glass substrate for a mask blank comprising a marking step for forming a recess used as
A portion where marking is to be performed by laser light irradiation and the surrounding glass substrate surface are made into a surface state in which a causative substance that causes surface roughness generated on the surface of the concave portion by the formation of the concave portion by laser light irradiation is excluded, and this The method includes a step of performing marking by laser light irradiation in a state (Configuration 1).
The present invention is a causative substance that generates “surface roughness as described above” caused by interaction with laser irradiation light, that is, “surface roughness generated on the surface of the recess due to formation of the recess by laser light irradiation”. "Surface roughness generated on the surface of the concave portion due to the formation of the concave portion by the laser light irradiation" caused by the interaction with the laser irradiation light by performing the marking by the laser light irradiation in this state. It is the invention which made it not produce substantially.
In the present invention, “a surface state in which a causative substance that causes surface roughness generated on the surface of the concave portion due to the formation of the concave portion by laser beam irradiation” is marked on a considerable number of substrates (for example, 100 sheets). Thus, the level where the surface roughness as described above is not found and is zero.
In the present invention, “a surface state in which a causative substance that causes surface roughness generated on the surface of the concave portion due to the formation of the concave portion by laser light irradiation” is excluded, for example, when the total amount of organic substances on the surface is 10 ng / cm 2 or less. A surface state. The total amount of organic substances is measured by GC-MS (gas chromatograph mass spectrometer).
In the present invention, the total amount of organic substances (measured by GC-MS) on the surface of the glass substrate surface (substrate main surface or end face) where marking is to be performed by laser light irradiation and the surrounding area is preferably 5 ng / cm 2 or less. Preferably it is 1 ng / cm 2 or less. This is because by reducing the total amount of organic matter, it is possible to prevent the surface roughness as described above from occurring even when the output of the laser marker is increased.
According to the present invention, (1) the problem that it is necessary to inspect and inspect the surface roughness of each of the many marker recesses to be formed, and (2) such a large number is formed. It is difficult to inspect and manage the surface roughness of each of the marker recesses, and these operations are extremely complicated, and the implementation of these operations is not practical and practical in terms of cost and work. The above-mentioned problems (1) and (2) occur because measures to prevent the surface roughness from occurring are taken in advance to substantially eliminate the substrate having the surface roughness at the mass production level. The above problems (1) and (2) can be cleared (solved) fundamentally and in advance.

本発明において、「レーザ光照射による凹部の形成によって該凹部の表面に発生する表面荒れを生じさせる原因物質を排除した表面状態」を得る具体的な手段としては、(1)前記原因物質の除去に効果のある、紫外線照射によるUV洗浄、オゾン水又は気体のオゾンを用いるオゾン洗浄、UV洗浄とオゾン洗浄を組み合わせたUV・オゾン洗浄や、(2)前記原因物質の除去に効果のある(エッチング作用のある)、フッ酸系の洗浄剤や、エッチング作用の比較的強いアルカリ系の洗浄剤を用いた洗浄、などが効果的である(構成2)。前記(1)、(2)に掲げた洗浄処理は、各々のうちから複数を選択し組み合わせて実施することができ、前記(1)と(2)とを組み合わせて実施することもできる。   In the present invention, as a specific means for obtaining “a surface state that eliminates a causative substance that causes surface roughness generated on the surface of the concave part by the formation of the concave part by laser light irradiation”, (1) Removal of the causative substance Effective in UV cleaning by ultraviolet irradiation, ozone cleaning using ozone water or gaseous ozone, UV / ozone cleaning combining UV cleaning and ozone cleaning, and (2) effective in removing the causative substances (etching) Cleaning with a hydrofluoric acid-based cleaning agent or an alkaline cleaning agent having a relatively strong etching action is effective (Configuration 2). The cleaning treatments listed in the above (1) and (2) can be implemented by selecting a plurality of them from each of them and combining them (1) and (2).

本発明において、「レーザ光照射による凹部の形成によって該凹部の表面に発生する表面荒れを生じさせる原因物質を排除した表面状態とし、かつこの状態でレーザ光照射によるマーキングを実施する」ための具体的な手段としては、下記(1)、(2)に示す手段が例示される。
(1)上記に例示した洗浄を実施した直後に、マーキングを実施する(構成3)。ここで、洗浄を実施した直後とは、遅くとも洗浄を実施してから12時間(約半日)以内にマーキングを実施することを意味し、洗浄を実施してからなるべく早くマーキングを実施することが好ましい。なお、洗浄を実施してからマーキングを実施するまでの間の基板の保管及び基板移送の際に前記原因物質が付着しないような状態とするように留意する。
(2)上記に例示した洗浄を実施し、この基板を前記原因物質が付着しないような状態で保管及び移送した上で、マーキングを実施する(構成4)。但し、この場合においても、保管日数が長くなるのは好ましくなく、上記に例示した洗浄を実施してから約1日以内にマーキングを実施することが好ましい。尚、保管環境としては、ケミカルフィルタによって原因物質がフィルタリングされた環境下で保管することが好ましい。
In the present invention, a specific example for "a surface state in which a causative substance that causes surface roughness generated on the surface of the concave portion by the formation of the concave portion by laser light irradiation is eliminated and marking by laser light irradiation is performed in this state" As typical means, means shown in the following (1) and (2) are exemplified.
(1) Marking is performed immediately after performing the cleaning exemplified above (Configuration 3). Here, “immediately after performing the cleaning” means that marking is performed within 12 hours (about half a day) after the cleaning is performed at the latest, and it is preferable to perform the marking as soon as possible after the cleaning is performed. . It should be noted that the causative substance is not attached when the substrate is stored and transferred after the cleaning is performed until the marking is performed.
(2) The cleaning exemplified above is performed, and the substrate is stored and transferred in a state where the causative substance does not adhere thereto, and then marking is performed (Configuration 4). However, even in this case, it is not preferable that the storage days become long, and it is preferable to perform marking within about one day after the cleaning exemplified above is performed. The storage environment is preferably stored in an environment in which a causative substance is filtered by a chemical filter.

本発明において、マーキング工程によるマーカの形成は、マスクブランクス用ガラス基板表面における転写に影響のない領域(部位)における基板表面に行う。
係る領域としては、例えば、図4を参照して説明すると、転写に影響のないガラス基板の側面1a、主表面2と側面2aとの間に設けられた面取面1b、ガラス基板のノッチマークなどの部位(図示せず)が挙げられる。尚、ガラス基板の側面1aと面取面1bとを併せてガラス基板の端面1dという。
係る領域の他の例としては、ガラス基板主表面2におけるマスクパターン用薄膜が形成されない側の主表面であって、転写に影響のない周辺領域など部位が挙げられる。
In the present invention, the marker formation by the marking process is performed on the substrate surface in a region (part) which does not affect the transfer on the mask blank glass substrate surface.
For example, the region will be described with reference to FIG. 4. The side surface 1a of the glass substrate that does not affect the transfer, the chamfered surface 1b provided between the main surface 2 and the side surface 2a, and the notch mark of the glass substrate. And other parts (not shown). The side surface 1a and the chamfered surface 1b of the glass substrate are collectively referred to as an end surface 1d of the glass substrate.
Another example of such a region is a main surface of the glass substrate main surface 2 on the side where the mask pattern thin film is not formed, and a region such as a peripheral region that does not affect the transfer.

本発明において、ガラス基板の材料は、例えば合成石英ガラスや、SiO−TiO系の多成分系ガラスが挙げられる。
ガラス基板の材料に応じて、レーザ光の照射により融解又は昇華させて凹部を形成するためのレーザ光の波長を選定する。ガラス基板の材料に応じた適切なレーザ光の波長選定を行わないと、例えば、レーザ光が照射された部分にキズ状のマーカが形成されてしまうことになる。この場合、キズ状のマーカが発塵の原因となるので好ましくない。
上述のようなガラス基板の材料の場合、マーキング工程は、例えば炭酸(CO)ガスレーザを用いたレーザマーカにより、マーカを形成することができる。
レーザ光のエネルギーを適宜調整することにより、ガラス基板表面の一部を適切に融解又は昇華させることができ、溶解又は昇華させることにより形成された凹部は、高い精度で読み取り可能となる。そして、経年劣化によるクラックの発生も抑えることができる。
また、マーキング工程は、複数の凹部を、それぞれの凹部となるべき位置にレーザ光を複数回重ねて照射することにより形成することもできる。このようにすれば、複数の凹部の形状ばらつきを低減できる。そのため、マーカの読み取り精度を向上させることができる。
複数の凹部のそれぞれは、例えば、データマトリックス、QRコード等の2次元コードの各点を構成しても良いし、バーコードの各バーを構成しても良いし、あるいは第3者にそのマーカの情報がわからないようにするための隠しコードや乱数コードとしても良い。
In the present invention, examples of the material of the glass substrate include synthetic quartz glass and SiO 2 —TiO 2 multicomponent glass.
Depending on the material of the glass substrate, the wavelength of the laser beam for forming a recess by melting or sublimating by laser beam irradiation is selected. If the wavelength of the laser beam appropriate for the material of the glass substrate is not selected, for example, a scratch-like marker will be formed in the portion irradiated with the laser beam. In this case, scratch-like markers cause dust generation, which is not preferable.
In the case of the glass substrate material as described above, in the marking process, for example, a marker can be formed by a laser marker using a carbon dioxide (CO 2 ) gas laser.
By appropriately adjusting the energy of the laser beam, a part of the surface of the glass substrate can be appropriately melted or sublimated, and the recess formed by melting or sublimating can be read with high accuracy. And generation | occurrence | production of the crack by aged deterioration can also be suppressed.
Moreover, a marking process can also form a several recessed part by irradiating a laser beam in multiple times to the position which should become each recessed part. In this way, variation in the shape of the plurality of recesses can be reduced. Therefore, the marker reading accuracy can be improved.
Each of the plurality of concave portions may constitute, for example, each point of a two-dimensional code such as a data matrix or a QR code, may constitute each bar of the barcode, or a third party may provide the marker. It is good also as a hidden code or a random number code so that information of this may not be known.

本発明は、研削、研磨(主表面及び端面の精密研磨、超精密研磨、洗浄)等の一連のマスクブランクス用ガラス基板の製造工程終了後、基板検査を行い、その後COレーザなどのレーザを用いて基板表面を融解又は昇華させることによってマーカ用凹部を形成する場合について、適用することが好ましい。
この理由は、上述したように実際に上記工程において、単に、基板検査工程とレーザマーキング工程との間に洗浄工程を導入し実施した基板を用いてレーザマーキングしたのでは、不十分であるからであり、また、主表面及び端面の精密研磨、超精密研磨によって鏡面状に仕上げられた鏡面は、これらの研磨工程において表面異物が除去されたものであるからである。
本発明は、(1)研削・研磨の各段階の途中、例えば、ガラス基板の研削後、ガラス基板の端面の精密研磨又は超精密研磨後、又はガラス基板の主表面の精密研磨又は超精密研磨などの鏡面研磨後、ガラス基板の主表面又は端面の精密研磨と超精密研磨との間等、あるいは(2)ガラス基板受け入れ時等のガラス基板の研削・研磨を行う以前、(3)マスクブランクスの製造過程中(薄膜形成、検査、レジスト塗布、検査などの各工程の前後)、に前記マーキング工程を実施する場合について、適用することができる。これらの場合、各工程後に行われる通常の洗浄工程の後に、例えば、「表面荒れを生じさせる原因物質を排除した界面状態」を得る具体的な手段として上記に掲げた洗浄手段を、十分な強さ、十分な時間実施した上で、前記マーキング工程を実施することが好ましい。
本発明において、精密研磨とは、例えば、酸化セリウムと水とを含む研磨液、及び研磨ブラシや研磨パッドを用いて行う研磨である。
また、超精密研磨とは、例えば、コロイダルシリカと水とを含む研磨液、及び研磨ブラシや研磨パッドを用いて行う研磨である。
The present invention performs a substrate inspection after a series of mask blank glass substrate manufacturing processes such as grinding and polishing (main surface and end surface precision polishing, ultra-precision polishing and cleaning), and then uses a laser such as a CO 2 laser. It is preferable to apply the method when the marker recess is formed by melting or sublimating the substrate surface.
The reason for this is that, as described above, in the above process, it is not sufficient to simply perform laser marking using a substrate that has been implemented by introducing a cleaning process between the substrate inspection process and the laser marking process. In addition, the mirror surface finished in a mirror-like shape by precision polishing and ultraprecision polishing of the main surface and the end surface is obtained by removing surface foreign matters in these polishing steps.
The present invention is (1) during each stage of grinding and polishing, for example, after grinding of a glass substrate, after precision polishing or ultraprecision polishing of the end surface of the glass substrate, or precision polishing or ultraprecision polishing of the main surface of the glass substrate. After mirror polishing, etc., between precision polishing and ultra-precision polishing of the main surface or end surface of the glass substrate, or (2) before grinding and polishing of the glass substrate such as when receiving the glass substrate, (3) mask blanks It can be applied to the case where the marking step is performed during the manufacturing process (before and after each step such as thin film formation, inspection, resist coating, and inspection). In these cases, after the normal cleaning process performed after each process, for example, the cleaning means listed above as a specific means for obtaining the “interface state excluding the causative substance causing the surface roughness” is sufficiently strong. It is preferable to carry out the marking step after a sufficient time.
In the present invention, precision polishing is polishing performed using, for example, a polishing liquid containing cerium oxide and water, and a polishing brush or polishing pad.
The ultra-precision polishing is polishing performed using, for example, a polishing liquid containing colloidal silica and water, and a polishing brush or a polishing pad.

本発明において、マーカは、例えば、製造される個々のマスクブランクス用ガラス基板に固有の識別情報(識別コード)として使用することができる。このようにすれば、従来できなかった個々のマスクブランクス用ガラス基板の枚葉管理が可能になる。
また、この識別情報は、例えば、個々のマスクブランクス用ガラス基板について製造工程中で取得した情報(欠陥情報、表面粗さ、平坦度などの表面形態情報など)と対応付けすることができる。このようにすれば、取得した情報と、個々のマスクブランクス用ガラス基板との対応付けを、識別情報を介して確実に行うことができる。
マーキング工程は、識別情報を示すマーカの代わり、又は識別情報を示すマーカに加えて、製造工程中で取得した情報等を直接示すマーカを形成しても良い。製造工程中で取得した情報としては、基板の検査データ情報や工程履歴情報などが挙げられる。
In the present invention, the marker can be used as, for example, identification information (identification code) unique to each glass blank glass substrate to be manufactured. In this way, single wafer management of individual glass substrates for mask blanks, which has not been possible in the past, becomes possible.
Further, this identification information can be associated with, for example, information (surface information such as defect information, surface roughness, flatness, etc.) acquired during the manufacturing process for each mask blank glass substrate. In this way, it is possible to reliably associate the acquired information with individual mask blank glass substrates via the identification information.
In the marking process, a marker that directly indicates information acquired during the manufacturing process may be formed instead of the marker indicating identification information or in addition to the marker indicating identification information. Examples of information acquired during the manufacturing process include substrate inspection data information and process history information.

基板検査後にマーキング工程が行われる場合、例えば、ガラス基板の検査データ情報を示すマーカが形成される。このようにすれば、ガラス基板の検査データ情報とガラス基板とを直接対応させることができ、一対一の対応付けを確実に行うことができる(対応関係を取り違えることがない)。
ここで、検査データ情報としては、例えば、ガラス基板の主表面及び/又は端面の各種表面粗さの検査データ情報が挙げられ、また、ガラス基板の主表面の形状について、例えば、厚み、表面形状(主表面の反り形状、主表面全体の凹凸、うねりなど)、平坦度、平行度等の検査データ情報が挙げられる。
他の検査データ情報としては、例えば、ガラス基板の主表面及び/又は端面の欠陥についての検査データ情報(例えば、欠陥の位置、種類(凸欠陥(異物付着等)、凹欠陥(キズ、ピンホール等)、その他)、及び欠陥のサイズ等)などが挙げられる。このような欠陥データが既知であれば、例えば欠陥を避けて基板を利用することが可能となる。
尚、基板検査後にマーキング工程が行われる場合、基板検査工程の検査結果に応じて、基板を、ブランクの用途・等級に応じて、等級わけでき、これに基づいて決定された基板の識別情報(用途情報、管理情報)を示すマーカを併せて形成することが可能である。
マスクブランクスには、露光波長や用途(形成パターン)によって、それぞれ品質が異なる複数の等級(グレード)が存在している。等級によって、許容される欠陥サイズや個数等が異なる。また、マスクブランクスの製造時に成膜されるマスクパターン用薄膜(位相シフト膜や遮光膜等)やレジスト膜には、それぞれ複数の種類のものが存在している。そのため、マスクブランクス製造時において、等級や、成膜すべき薄膜及びレジスト膜等の種類を管理するのは容易ではない。しかし、上記管理のための情報をマーキングした場合、マスクブランクスの枚葉管理が可能となる。そのため、マスクブランクス製造時において、等級や、成膜すべき薄膜及びレジスト膜等の種類を、適切に管理できる。
また、マスクブランクスを確実に枚葉管理できるため、例えばマスクブランクスについての情報をマスクブランクスとともにマスクメーカ等に供給する場合に、この情報と、マスクブランクスとの対応付けを、確実に行うことができる。マスクブランクスについての情報としては、マスクパターン用薄膜の光学特性、薄膜の表面形状、欠陥の少なくとも一つを検査する薄膜検査工程の検査結果や、レジスト検査工程の検査結果などの情報が挙げられる。
尚、基板検査以前にマーキング工程が行われる場合、例えば、ガラス基板の識別情報を示すマーカが形成される。
When the marking process is performed after the substrate inspection, for example, a marker indicating inspection data information of the glass substrate is formed. If it does in this way, inspection data information on a glass substrate and a glass substrate can be made to correspond directly, and a one-to-one correspondence can be performed reliably (a correspondence relationship is not mistaken).
Here, as the inspection data information, for example, inspection data information of various surface roughnesses of the main surface and / or end surface of the glass substrate can be mentioned, and for the shape of the main surface of the glass substrate, for example, thickness, surface shape, etc. Inspection data information such as warpage shape of the main surface, unevenness of the entire main surface, waviness, etc., flatness, parallelism, and the like.
Other inspection data information includes, for example, inspection data information on defects on the main surface and / or end surface of the glass substrate (for example, the position and type of defects (convex defects (foreign matter adhesion, etc.)), and concave defects (scratches, pinholes). Etc.), others), and the size of defects, etc.). If such defect data is known, the substrate can be used while avoiding defects, for example.
When the marking process is performed after the substrate inspection, the substrate can be classified according to the use / grade of the blank according to the inspection result of the substrate inspection process, and the substrate identification information ( Markers indicating application information and management information) can be formed together.
A plurality of grades (grades) having different qualities exist depending on the exposure wavelength and application (formation pattern). Depending on the grade, the allowable defect size, number, etc. vary. In addition, there are a plurality of types of mask pattern thin films (phase shift films, light shielding films, etc.) and resist films that are formed when the mask blanks are manufactured. Therefore, it is not easy to manage the grade and the types of thin films and resist films to be formed at the time of manufacturing mask blanks. However, when the information for management is marked, mask blanks can be managed. Therefore, when manufacturing mask blanks, it is possible to appropriately manage the grades and types of thin films and resist films to be formed.
Further, since the mask blanks can be reliably managed, for example, when information on the mask blanks is supplied to the mask manufacturer together with the mask blanks, this information can be reliably associated with the mask blanks. . Information on the mask blank includes information such as the optical characteristics of the mask pattern thin film, the surface shape of the thin film, the inspection result of the thin film inspection process for inspecting at least one of the defects, and the inspection result of the resist inspection process.
In addition, when a marking process is performed before board | substrate inspection, the marker which shows the identification information of a glass substrate is formed, for example.

本発明によれば、「レーザ光照射による凹部の形成によって該凹部の表面に発生する表面荒れ」に伴う諸問題を解消できる。   According to the present invention, various problems associated with “surface roughness generated on the surface of the recess due to the formation of the recess by laser light irradiation” can be solved.

以下、本発明に係る実施形態を、図面を参照しながら説明する。
図5は、本発明の一実施形態に係るマスクブランクス10の構成の一例を示す側面図である。本例において、マスクブランクス10は、例えばArFエキシマレーザ(波長193nm)、又はFエキシマレーザ(波長157nm)といった波長が200nm以下の露光光源用のマスクブランクスであり、ガラス基板12、マスクパターン用薄膜14、及びレジスト膜16を備える。
Hereinafter, embodiments according to the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 5 is a side view showing an example of the configuration of the mask blank 10 according to an embodiment of the present invention. In this example, the mask blank 10 is a mask blank for an exposure light source having a wavelength of 200 nm or less, such as an ArF excimer laser (wavelength 193 nm) or an F 2 excimer laser (wavelength 157 nm). 14 and a resist film 16.

ガラス基板12はマスクブランクス用ガラス基板であり、基板材料は例えば合成石英ガ
ラスでできている。ガラス基板12の主表面及び端面(側面、面取面)は、鏡面(例えば
算術平均表面粗さRaで1nm以下)になるよう、所定の表面粗さに研磨されている。ま
た、本例において、ガラス基板12は、側面の一部に、ガラス基板12を識別するための
マーカ18を有する。マーカ18を用いることにより、ガラス基板12及びマスクブラン
クス10は、枚葉管理されている。
The glass substrate 12 is a glass substrate for mask blanks, and the substrate material is made of, for example, synthetic quartz glass. The main surface and end surface (side surface, chamfered surface) of the glass substrate 12 are polished to a predetermined surface roughness so as to be a mirror surface (for example, 1 nm or less in arithmetic average surface roughness Ra). Moreover, in this example, the glass substrate 12 has the marker 18 for identifying the glass substrate 12 in a part of side surface. By using the marker 18, the glass substrate 12 and the mask blanks 10 are managed as a single wafer.

マスクパターン用薄膜14は、遮光膜又は位相シフト膜等の薄膜である。マスクパター
ン用薄膜14は、マスクの製造工程でパターニングされてマスクパターンとなる。レジス
ト膜16は、マスクパターン用薄膜14上に形成されている。
The mask pattern thin film 14 is a thin film such as a light shielding film or a phase shift film. The mask pattern thin film 14 is patterned in the mask manufacturing process to form a mask pattern. The resist film 16 is formed on the mask pattern thin film 14.

図1は、マーカ18の構成の一例を示す。本例において、マーカ18は、2次元コードであり、2次元コードの各点をそれぞれ構成する複数の凹部20を有する。それぞれの凹部20は、レーザ光の照射によりガラス基板12の端面の一部を融解又は昇華させることにより形成されている。
本例において、マーカ18は、ガラス基板12に固有の識別情報及び基板検査データ情報等を示す。
FIG. 1 shows an example of the configuration of the marker 18. In this example, the marker 18 is a two-dimensional code, and has a plurality of recesses 20 that constitute each point of the two-dimensional code. Each recess 20 is formed by melting or sublimating a part of the end surface of the glass substrate 12 by irradiation with laser light.
In this example, the marker 18 indicates identification information unique to the glass substrate 12, substrate inspection data information, and the like.

図2は、凹部20の詳細な形態の一例を示す。本例において、凹部20は、炭酸(CO
)ガスレーザを用いたレーザマーカにより形成された孔である。凹部20の開口部の平面視形状はほぼ円形である。また、凹部20の断面形状は、緩やかな断面曲線を有する。L/Dが3以上である緩やかな断面曲線であることが好ましい。凹部20の断面形状をこのような形態とすることにより、マーカ18(図1参照)の読み取り精度を高めることができる。
凹部20の開口幅Lは、例えば100〜500μm、より好ましくは150〜300μm程度である。凹部20の深さDは、例えば3〜20μm、より好ましくは5〜15μm程度である。上記のようにL/Dは3以上が好ましい。
凹部の表面粗さは、例えば算術平均表面粗さRaで0.1〜5nm、より好ましくは0.1〜2nmの範囲であることが好ましい。算術平均表面粗さRaとは、日本工業規格(JIS)B0601に従うものである。凹部の表面粗さとは、具体的には、凹部の全体(肩部、側部、底部)の表面粗さである。
凹部20の開口部の平面視形状は、円形、略円形、縦長のバーコード状の他、四角形状等の多角形や、多角形のコーナー部が丸みを帯びた形状でもよい。
FIG. 2 shows an example of a detailed form of the recess 20. In this example, the recess 20 is formed of carbonic acid (CO
2 ) A hole formed by a laser marker using a gas laser. The plan view shape of the opening of the recess 20 is substantially circular. Moreover, the cross-sectional shape of the recess 20 has a gentle cross-sectional curve. It is preferably a gentle cross-sectional curve having L / D of 3 or more. By setting the cross-sectional shape of the recess 20 to such a form, the reading accuracy of the marker 18 (see FIG. 1) can be improved.
The opening width L of the recess 20 is, for example, about 100 to 500 μm, more preferably about 150 to 300 μm. The depth D of the recessed part 20 is 3-20 micrometers, for example, More preferably, it is about 5-15 micrometers. As described above, L / D is preferably 3 or more.
The surface roughness of the recesses is, for example, preferably in the range of 0.1 to 5 nm, more preferably 0.1 to 2 nm in terms of arithmetic average surface roughness Ra. Arithmetic mean surface roughness Ra is in accordance with Japanese Industrial Standard (JIS) B0601. Specifically, the surface roughness of the recess is the surface roughness of the entire recess (shoulder, side, bottom).
The shape of the opening of the recess 20 in plan view may be a circle, a substantially circle, a vertically long barcode, a polygon such as a quadrangle, or a shape with rounded corners of the polygon.

図6は、マスクブランクス10の製造方法の一例を示すフローチャートである。
(マスクブランクス用ガラス基板の製造)
本例においては、最初に、端面が面取り加工されたガラス基板12の両面ラッピング装置による研削加工を行う(研削工程S102)。
次に、両面研磨装置により、ガラス基板12の端面及び主表面の研磨(研磨工程S10
4)、及び研磨後の洗浄を行う(洗浄工程S106)。研磨工程S104は、例えば、ガラス基板12の端面及び主表面に対して、粗研磨、精密研磨、及び超精密研磨を行い、例えば二乗平均平方根粗さRMSで0.2nm以下の鏡面に仕上げる。
FIG. 6 is a flowchart illustrating an example of a method for manufacturing the mask blank 10.
(Manufacture of glass substrates for mask blanks)
In this example, first, grinding is performed by a double-sided lapping device for the glass substrate 12 whose end face is chamfered (grinding step S102).
Next, the end surface and the main surface of the glass substrate 12 are polished by the double-side polishing apparatus (polishing step S10).
4) and cleaning after polishing is performed (cleaning step S106). In the polishing step S104, for example, rough polishing, precision polishing, and ultra-precision polishing are performed on the end surface and the main surface of the glass substrate 12 to finish a mirror surface having a root mean square roughness RMS of 0.2 nm or less.

次に、基板検査を行い、ガラス基板12の表面形状、平坦度、及び欠陥に関する情報を
取得する(基板検査工程S108)。基板検査工程S108は、例えば、ガラス基板12
の表面形状について、例えば、厚み、平坦度、主表面の反り形状(主表面全体の凹凸)等
を検査する。また、ガラス基板12の欠陥について、例えば、欠陥の位置、種類、及びサ
イズ等を検査する。この場合、欠陥のサイズについては、例えば、0.2μm以下、0.
2〜0.5μm、0.5〜1μm、1μm以上のいずれであるかを識別する。このように
識別すれば、ガラス基板12の等級を適切に分類できる。
Next, substrate inspection is performed to obtain information on the surface shape, flatness, and defects of the glass substrate 12 (substrate inspection step S108). The substrate inspection step S108 is performed by, for example, the glass substrate 12
For example, the thickness, flatness, warpage shape of the main surface (unevenness of the entire main surface), etc. are inspected. Moreover, about the defect of the glass substrate 12, the position of a defect, a kind, size, etc. are test | inspected, for example. In this case, the defect size is, for example, 0.2 μm or less, 0.
Whether it is 2 to 0.5 μm, 0.5 to 1 μm, 1 μm or more is identified. If identified in this way, the grade of the glass substrate 12 can be appropriately classified.

次に、例えば炭酸ガスレーザのレーザマーカを用い、ガラス基板12の端面の一部をレ
ーザ光の照射により融解又は昇華させることにより、マーカ18の各凹部20を形成する
(マーキング工程S112)。
本発明では、マーキング工程(S112)に先立ち、レーザ光照射によってマーキングを行おうとする箇所及びその周辺のガラス基板表面を、レーザ光照射による凹部の形成によって該凹部の表面に発生する表面荒れを生じさせる原因物質を排除した表面状態とし(原因物質排除工程S110)、かつこの状態でレーザ光照射によるマーキングを実施する。
このマーカ18は、例えば、ガラス基板12に固有の識別情報及び基板検査データ情報を示す。
Next, for example, by using a laser marker of a carbon dioxide laser, a part of the end surface of the glass substrate 12 is melted or sublimated by laser light irradiation, thereby forming each recess 20 of the marker 18 (marking step S112).
In the present invention, prior to the marking step (S112), the surface to be marked by laser light irradiation and the surrounding glass substrate surface are roughened due to the formation of the concave portions by laser light irradiation. In this state, marking is performed by irradiating with laser light.
The marker 18 indicates, for example, identification information unique to the glass substrate 12 and substrate inspection data information.

(マスクブランク製造工程)
次に、マーカ18を読み取り、読み取ったマーカ18に基づき、ガラス基板12を用いるのに適したマスクブランクスの種類を選択する。
次に、上記で選択したマスクブランクスの種類に応じて、マスクパターン用薄膜14を、ガラス基板12の主表面上に所望の光学特性が得られる膜厚で成膜し(成膜工程S114)、更に、マスクパターン用薄膜14上にレジスト膜16を塗布(形成)して(レジスト膜形成工程S116)、マスクブランクス10は完成する。
(Mask blank manufacturing process)
Next, the marker 18 is read, and a mask blank type suitable for using the glass substrate 12 is selected based on the read marker 18.
Next, according to the type of mask blank selected above, the mask pattern thin film 14 is formed on the main surface of the glass substrate 12 with a film thickness that provides desired optical characteristics (film formation step S114). Further, a resist film 16 is applied (formed) on the mask pattern thin film 14 (resist film forming step S116), and the mask blank 10 is completed.

(実施例1)
実施例1では、上記実施の形態における工程S102〜工程S106によってArFエキシマレーザ露光用マスクブランクス用ガラス基板を100枚製造し、これらのガラス基板を基板検査工程(工程S108)にて検査した。
次に、原因物質排除工程S110として、UV洗浄、及びその後の、フッ酸溶液への浸漬による洗浄を実施し、その直後(3時間以内)に、ガラス基板の端面(側面)に、炭酸(CO)ガスレーザを用いたレーザマーカにより、図1に示したのと同様の2次元コードマーカを形成した。マーカ18全体の大きさは3.25mm×3.5mmとした。
尚、上記洗浄後、レーザマーキング前のガラス基板表面(基板主表面、端面)の総有機物量をGC−MSで測定したところ、総有機物量は、0.242ng/cm(DOP換算)であった。
レーザマーカの出力は24mW/ショットとし、各凹部を1回のショットで形成した。各凹部の径は約250μmであった。各凹部の断面形態を図3(a)に示す。
全てのマーカ用凹部について、その表面を走査型電子顕微鏡(SEM)で観察したところ、図9に示すような表面荒れが生じるものは見受けられずゼロであった。また、凹部の全体(肩部、側部、底部)の表面粗さは、それぞれ、算術平均表面粗さRaで0.1〜1nmであった。
Example 1
In Example 1, 100 glass substrates for mask blanks for ArF excimer laser exposure were manufactured in steps S102 to S106 in the above embodiment, and these glass substrates were inspected in the substrate inspection step (step S108).
Next, as a causative substance exclusion step S110, UV cleaning and subsequent cleaning by immersion in a hydrofluoric acid solution are performed. Immediately thereafter (within 3 hours), carbonic acid (CO2) is formed on the end surface (side surface) of the glass substrate. 2 ) A two-dimensional code marker similar to that shown in FIG. 1 was formed by a laser marker using a gas laser. The size of the entire marker 18 was 3.25 mm × 3.5 mm.
In addition, when the total organic matter amount on the glass substrate surface (substrate main surface, end face) before laser marking after the above-described cleaning was measured by GC-MS, the total organic matter amount was 0.242 ng / cm 2 (DOP conversion). It was.
The output of the laser marker was 24 mW / shot, and each recess was formed by one shot. The diameter of each recess was about 250 μm. The cross-sectional form of each recess is shown in FIG.
When the surface of all the concave portions for the marker was observed with a scanning electron microscope (SEM), no surface roughness as shown in FIG. 9 was found and was zero. Moreover, the surface roughness of the whole recessed part (shoulder part, side part, bottom part) was 0.1-1 nm in arithmetic mean surface roughness Ra, respectively.

(比較例1)
実施例1において、基板検査工程とマーキング工程との間に洗浄工程を介在させずにマーキングを実施したこと以外は実施例1と同様とした。
尚、上記レーザマーキング前のガラス基板表面(基板主表面、端面)の総有機物量をGC−MSで測定したところ、総有機物量は、30.549ng/cm(DOP換算)であった。
その結果、図7に示す如く、マーカ用凹部20の周縁部に盛り上がり部21が生じる現象が多数見受けられた。
(Comparative Example 1)
In Example 1, it was the same as Example 1 except that the marking was performed without interposing the cleaning process between the substrate inspection process and the marking process.
In addition, when the total organic matter amount of the glass substrate surface (substrate main surface, end face) before the laser marking was measured by GC-MS, the total organic matter amount was 30.549 ng / cm 2 (DOP conversion).
As a result, as shown in FIG. 7, a large number of phenomena in which the swelled portion 21 occurs at the peripheral edge of the marker recess 20 were observed.

(実施例2)
実施例2では、レーザマーカの出力を12mW/ショットとし、各凹部を1回のショットで形成した。各凹部の径は約200μmであった。各凹部の断面形態を図3(b)に示す。他は実施例1と同様とした。
全てのマーカ用凹部について、その表面を走査型電子顕微鏡(SEM)で観察したところ、図9に示すような表面荒れが生じるものは見受けられずゼロであった。また、凹部の全体(肩部、側部、底部)の表面粗さは、それぞれ、算術平均表面粗さRaで0.1〜1nmであった。
(Example 2)
In Example 2, the output of the laser marker was 12 mW / shot, and each recess was formed by one shot. The diameter of each recess was about 200 μm. FIG. 3B shows a cross-sectional form of each recess. Others were the same as in Example 1.
When the surface of all the concave portions for the marker was observed with a scanning electron microscope (SEM), no surface roughness as shown in FIG. 9 was found and was zero. Moreover, the surface roughness of the whole recessed part (shoulder part, side part, bottom part) was 0.1-1 nm in arithmetic mean surface roughness Ra, respectively.

(実施例3)
実施例1及び2において、基板検査工程とマーキング工程との間にUV洗浄による洗浄工程を介在させた。この洗浄の直後(3時間以内)に基板にレーザマーキングした。他は実施例1又は2と同様とした。
尚、上記洗浄後、レーザマーキング前のガラス基板表面(基板主表面、端面)の総有機物量をGC−MSで測定したところ、総有機物量は、3.777ng/cm(DOP換算)であった。
その結果、レーザマーカの出力が高い場合において、多数のマーカ用凹部のうちの一部のマーカ用凹部に、図9に示すような表面荒れが発生(10%程度発生)していた。
(Example 3)
In Examples 1 and 2, a cleaning process by UV cleaning was interposed between the substrate inspection process and the marking process. Immediately after this cleaning (within 3 hours), the substrate was laser-marked. Others were the same as in Example 1 or 2.
In addition, when the total amount of organic substances on the glass substrate surface (substrate main surface, end face) before laser marking was measured by GC-MS after the above cleaning, the total amount of organic substances was 3.777 ng / cm 2 (DOP conversion). It was.
As a result, when the output of the laser marker was high, surface roughness as shown in FIG. 9 occurred (occurrence of about 10%) in some of the marker recesses among the many marker recesses.

上記実施例及び比較例でレーザマーキングを施したマスクブランクス用ガラス基板上に、ArFエキシマレーザ露光用のマスクパターン用薄膜を形成してマスクブランクスを得、次いでマスクパターン用薄膜をパターニングしてマスクを作製した。
この結果、実施例に係るマスクではマスクパターンの欠陥はゼロであったのに対し、比較例に係るマスクではマスクパターンの欠陥が存在し、このマスクパターンの欠陥はレーザマーカ凹部表面荒れによる発塵が原因と推定された。
A mask pattern thin film for ArF excimer laser exposure is formed on the glass substrate for mask blanks subjected to laser marking in the above examples and comparative examples to obtain mask blanks, and then the mask pattern thin film is patterned to form a mask. Produced.
As a result, the mask pattern defect was zero in the mask according to the embodiment, whereas the mask pattern defect was present in the mask according to the comparative example. Presumed to be the cause.

以上、本発明を実施形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施形態に記載の範囲には限定されない。上記実施形態に、多様な変更又は改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更又は改良を加えた形態も本発明の技術的
範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。
例えば、本発明では、レーザマーカの出力を高く設定した場合であっても、表面荒れが発生しないので、レーザマーカ出力等のマージンを広げることができる。本発明はこのような特性を有するものではあるが、本発明では、レーザマーカの出力を低く設定することによって、レーザマーカ出力面において表面荒れが発生しにくい条件とし、この条件で凹部となるべき位置にレーザ光を単数回又は複数回重ねて照射することにより凹部を形成することができる。
As mentioned above, although this invention was demonstrated using embodiment, the technical scope of this invention is not limited to the range as described in the said embodiment. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications or improvements can be added to the above embodiment. It is apparent from the description of the scope of claims that embodiments with such changes or improvements can be included in the technical scope of the present invention.
For example, in the present invention, even when the output of the laser marker is set high, the surface roughness does not occur, so that the margin of the laser marker output or the like can be widened. Although the present invention has such characteristics, in the present invention, by setting the output of the laser marker low, the surface of the laser marker output surface is less likely to be roughened. The concave portion can be formed by irradiating the laser beam one or more times.

本発明の一実施形態に係るマーカの構成の一例を示す平面図である。It is a top view which shows an example of a structure of the marker which concerns on one Embodiment of this invention. 凹部の断面形状の一例を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows an example of the cross-sectional shape of a recessed part. 実施例で形成した凹部の断面形態を走査型電子顕微鏡(SEM)で観察した様子を示す図である。It is a figure which shows a mode that the cross-sectional form of the recessed part formed in the Example was observed with the scanning electron microscope (SEM). 転写に影響のない領域を説明するための模式的部分断面図である。It is a typical fragmentary sectional view for demonstrating the area | region which does not affect transcription | transfer. 本発明の一実施形態に係るマスクブランクスの構成の一例を示す側面図である。It is a side view showing an example of composition of a mask blank concerning one embodiment of the present invention. マスクブランクスの製造方法の一例を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows an example of the manufacturing method of a mask blank. レーザ光照射による凹部の形成によって凹部の周縁部に盛り上がり部が生じる現象を説明するための模式的断面図である。It is typical sectional drawing for demonstrating the phenomenon which a rising part produces in the peripheral part of a recessed part by formation of the recessed part by laser beam irradiation. レーザ光照射による凹部の形成によって該凹部の表面に発生する表面荒れを説明するための模式的断面図である。It is typical sectional drawing for demonstrating the surface roughness which generate | occur | produces on the surface of this recessed part by formation of the recessed part by laser beam irradiation. レーザ光照射による凹部の形成によって該凹部の表面に発生する表面荒れを、走査型電子顕微鏡(SEM)で観察した様子を示す図である。It is a figure which shows a mode that the surface roughness which generate | occur | produces on the surface of this recessed part by formation of the recessed part by laser beam irradiation was observed with the scanning electron microscope (SEM). 凹部における表面荒れの部位及び表面荒れの無い部位をラマン分析した結果を示す図である。It is a figure which shows the result of having analyzed the site | part with a rough surface in a recessed part, and the site | part without a rough surface.

符号の説明Explanation of symbols

10・・・マスクブランクス、12・・・ガラス基板、14・・・マスクパターン用薄膜、16・・・レジスト膜、18・・・マーカ、20・・・凹部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Mask blanks, 12 ... Glass substrate, 14 ... Thin film for mask patterns, 16 ... Resist film, 18 ... Marker, 20 ... Recessed part

Claims (7)

マスクブランクス用ガラス基板表面における転写に影響のない領域の基板表面にレーザ光を照射させて、融解又は昇華させることにより、前記マスクブランクス用ガラス基板を識別するためのマーカとして用いられる凹部を形成するマーキング工程を備えるマスクブランク用ガラス基板の製造方法であって、
レーザ光照射によってマーキングを行おうとする箇所及びその周辺の基板表面を、レーザ光照射による凹部の形成によって該凹部の表面に発生する表面荒れを生じさせる原因物質を排除した表面状態とし、かつこの状態でレーザ光照射によるマーキングを実施する工程を備えることを特徴とするマスクブランク用ガラス基板の製造方法。
By irradiating the substrate surface in a region that does not affect the transfer on the mask blank glass substrate surface with laser light to melt or sublimate, a concave portion used as a marker for identifying the mask blank glass substrate is formed. A method for manufacturing a mask blank glass substrate comprising a marking step,
The surface where the marking is performed by laser light irradiation and the surrounding substrate surface are made into a surface state in which the causative substances that cause surface roughness generated on the surface of the concave portion due to the formation of the concave portion by laser light irradiation are excluded, and this state The manufacturing method of the glass substrate for mask blanks characterized by including the process of marking by laser beam irradiation.
前記「レーザ光照射による凹部の形成によって該凹部の表面に発生する表面荒れを生じさせる原因物質を排除した表面状態とする」手段は、UV洗浄、オゾン洗浄、UV・オゾン洗浄、フッ酸系の洗浄剤を用いた洗浄、エッチング作用のあるアルカリ系の洗浄剤を用いた洗浄のうちから選ばれる一以上の洗浄手段であることを特徴とする請求項1記載のマスクブランク用ガラス基板の製造方法。   The means for “removing a causative substance that causes surface roughness generated on the surface of the concave portion by the formation of the concave portion by laser light irradiation” means UV cleaning, ozone cleaning, UV / ozone cleaning, hydrofluoric acid type 2. The method for producing a glass substrate for a mask blank according to claim 1, wherein the method is one or more cleaning means selected from cleaning using a cleaning agent and cleaning using an alkaline cleaning agent having an etching action. . 前記「レーザ光照射による凹部の形成によって該凹部の表面に発生する表面荒れを生じさせる原因物質を排除した表面状態とし、かつこの状態でレーザ光照射によるマーキングを実施する」手段は、請求項2記載の洗浄を実施した直後に、マーキングを実施する手段であることを特徴とする請求項2記載のマスクブランク用ガラス基板の製造方法。   The means for “making the surface state excluding causative substances that cause surface roughness generated on the surface of the concave portion by the formation of the concave portion by laser light irradiation and performing marking by laser light irradiation in this state” is provided. 3. The method for producing a glass substrate for a mask blank according to claim 2, wherein the marking is performed immediately after the cleaning described above. 前記「レーザ光照射による凹部の形成によって該凹部の表面に発生する表面荒れを生じさせる原因物質を排除した表面状態とし、かつこの状態でレーザ光照射によるマーキングを実施する」手段は、請求項2記載の洗浄を実施し、この基板を前記原因物質が付着しないような状態で保管及び移送した上で、マーキングを実施する手段であることを特徴とする請求項2記載のマスクブランク用ガラス基板の製造方法。   The means for “making the surface state excluding causative substances that cause surface roughness generated on the surface of the concave portion by the formation of the concave portion by laser light irradiation and performing marking by laser light irradiation in this state” is provided. The glass substrate for mask blank according to claim 2, wherein the cleaning is performed as described above, and the substrate is stored and transported in a state where the causative substance does not adhere thereto, and then marking is performed. Production method. 請求項1乃至4記載のマスクブランク用ガラス基板の製造方法によって製造されたことを特徴とするマスクブランク用ガラス基板。   A glass substrate for a mask blank produced by the method for producing a glass substrate for a mask blank according to claim 1. 請求項5に記載のマスクブランクス用ガラス基板と、
前記マスクブランクス用ガラス基板上に形成された、マスクパターンとなるマスクパタ
ーン用薄膜と
を備えることを特徴とするマスクブランクス。
A glass substrate for mask blanks according to claim 5,
A mask blank, comprising: a mask pattern thin film to be a mask pattern formed on the mask blank glass substrate.
請求項5に記載のマスクブランクス用ガラス基板上に、マスクパターンとなるマスクパターン用薄膜を形成する工程を備えることを特徴とするマスクブランクスの製造方法。   A method for producing a mask blank, comprising a step of forming a mask pattern thin film to be a mask pattern on the glass substrate for a mask blank according to claim 5.
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