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JP2007030387A - Barrier film substrate and organic electroluminescence device using the same - Google Patents

Barrier film substrate and organic electroluminescence device using the same Download PDF

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JP2007030387A
JP2007030387A JP2005218246A JP2005218246A JP2007030387A JP 2007030387 A JP2007030387 A JP 2007030387A JP 2005218246 A JP2005218246 A JP 2005218246A JP 2005218246 A JP2005218246 A JP 2005218246A JP 2007030387 A JP2007030387 A JP 2007030387A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
organic
barrier film
film substrate
group
Prior art date
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Pending
Application number
JP2005218246A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Jiro Tsukahara
次郎 塚原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujifilm Corp
Original Assignee
Fujifilm Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujifilm Corp filed Critical Fujifilm Corp
Priority to JP2005218246A priority Critical patent/JP2007030387A/en
Publication of JP2007030387A publication Critical patent/JP2007030387A/en
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Abstract

【課題】 水蒸気バリア性が高くて、有機EL素子の基板として使用したときにダークスポットを効果的に抑えることができて、かつ膜強度が高いフィルム基板を提供すること。
【解決手段】 プラスチックフィルム上に少なくとも1層の有機層と少なくとも2層の無機層からなる有機層と無機層の交互積層体を有してなるバリア性フィルム基板であって、前記有機層がポリウレア、ポリウレタン、ポリアミド、ポリイミド、ポリアクリレートおよびポリメタクリレートからなる群より選択される1以上の有機化合物を含み、前記有機層に含まれる有機化合物の99.5質量%以上が25℃において固体であることを特徴とする。
【選択図】 なし
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a film substrate having a high water vapor barrier property, capable of effectively suppressing dark spots when used as a substrate for an organic EL device, and having a high film strength.
A barrier film substrate comprising an alternating laminate of an organic layer and an inorganic layer comprising at least one organic layer and at least two inorganic layers on a plastic film, wherein the organic layer is a polyurea. 1 or more organic compounds selected from the group consisting of polyurethane, polyamide, polyimide, polyacrylate and polymethacrylate, and 99.5% by mass or more of the organic compounds contained in the organic layer are solid at 25 ° C. It is characterized by.
[Selection figure] None

Description

本発明は、バリア性フィルム基板に関するものであり、特に各種デバイスの基板に好適な積層型のバリア性フィルム基板に関し、さらに前記バリア性フィルム基板を用いた耐久性およびフレキシブル性に優れた有機電界発光素子(以下「有機EL素子」と呼ぶ)に関するものである。   The present invention relates to a barrier film substrate, and more particularly to a laminated barrier film substrate suitable for substrates of various devices, and further, organic electroluminescence excellent in durability and flexibility using the barrier film substrate. The present invention relates to an element (hereinafter referred to as “organic EL element”).

従来から、プラスチックフィルムの表面に、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化珪素等の金属酸化物薄膜を形成したバリア性フィルムは、水蒸気や酸素など各種ガスの遮断を必要とする物品の包装や、食品、工業用品および医薬品等の変質を防止するための包装用途に広く用いられている   Conventionally, a barrier film in which a metal oxide thin film such as aluminum oxide, magnesium oxide, silicon oxide or the like is formed on the surface of a plastic film is used for wrapping articles, food, Widely used in packaging applications to prevent alteration of industrial products and pharmaceuticals

近年、液晶表示素子や有機EL素子等の分野においては、重くて割れやすいガラス基板に代わって、プラスチックフィルム基板が採用され始めている。プラスチックフィルム基板はロールトゥロール(Roll to Roll)方式に適用可能であることから、コストの点でも有利である。しかし、プラスチックフィルム基板はガラス基板と比較して水蒸気バリア性に劣るという問題がある。このため、プラスチックフィルム基板を液晶表示素子に用いると、水蒸気が液晶セル内に侵入し、表示欠陥が発生する。   In recent years, in the fields of liquid crystal display elements, organic EL elements, and the like, plastic film substrates have begun to be used in place of heavy and fragile glass substrates. Since the plastic film substrate can be applied to a roll-to-roll method, it is advantageous in terms of cost. However, there is a problem that the plastic film substrate is inferior in water vapor barrier property as compared with the glass substrate. For this reason, when a plastic film substrate is used for a liquid crystal display element, water vapor enters the liquid crystal cell and a display defect occurs.

この問題を解決するために、プラスチックフィルム上に金属酸化物薄膜を形成したバリア性フィルム基板を用いることが知られている。バリア性フィルム基板としては、プラスチックフィルム上に酸化珪素を蒸着したもの(例えば、特許文献1参照)や、酸化アルミニウムを蒸着したもの(例えば、特許文献2参照)が知られており、これらはいずれも水蒸気透過率が1g/m2/day程度となるバリア性を有する。 In order to solve this problem, it is known to use a barrier film substrate in which a metal oxide thin film is formed on a plastic film. Known barrier film substrates include those obtained by vapor-depositing silicon oxide on a plastic film (for example, see Patent Document 1) and those obtained by vapor-depositing aluminum oxide (for example, see Patent Document 2). Also has a barrier property such that the water vapor transmission rate is about 1 g / m 2 / day.

しかし、有機EL素子に用いるための基板には、水蒸気透過率が0.01g/m2/day未満となるような高いバリア性が要求される。かかる要求に応えるための手段として、有機層と無機層の交互積層構造を有するバリア膜を真空蒸着法により作製する技術が提案されている(例えば、特許文献3〜8および非特許文献1参照)。 However, a substrate for use in an organic EL element is required to have a high barrier property such that the water vapor transmission rate is less than 0.01 g / m 2 / day. As means for meeting such demands, techniques for producing a barrier film having an alternately laminated structure of an organic layer and an inorganic layer by a vacuum deposition method have been proposed (see, for example, Patent Documents 3 to 8 and Non-Patent Document 1). .

特公昭53−12,953号公報(第1頁〜第3頁)Japanese Patent Publication No.53-12,953 (pages 1 to 3) 特開昭58−217,344号公報(第1頁〜第4頁)JP 58-217,344 A (pages 1 to 4) 米国特許第6,413,645B1号明細書(第4頁[2−54]〜第8頁[8−22])US Pat. No. 6,413,645 B1 (page 4 [2-54] to page 8 [8-22]) 米国特許第5,757,126B1号明細書(第2頁[2−46]〜第7頁[7−7])US Pat. No. 5,757,126 B1 (page 2 [2-46] to page 7 [7-7]) 米国特許第5,686,360B1号明細書(第2頁[2−43]〜第7頁[7−4])US Pat. No. 5,686,360B1 (2nd page [2-43] to 7th page [7-4]) 米国特許第6,231,939B1号明細書(第1頁[1−46]〜第12頁[12−17])US Pat. No. 6,231,939 B1 (page 1 [1-46] to page 12 [12-17]) 米国特許第6,492,026B1号明細書(第2頁[2−31]〜第8頁[8−45])US Pat. No. 6,492,026 B1 (page 2 [2-31] to page 8 [8-45]) 米国特許第6,522,067B1号明細書(第1頁[1−56]〜第7頁[7−14])US Pat. No. 6,522,067B1 (page 1 [1-56] to page 7 [7-14]) Affinitoら著「Thin Solid Films」(1996)、P.290〜291(第63頁〜第67頁)“Thin Solid Films” (1996), Affinito et al. 290-291 (pages 63-67)

しかしながら、有機EL素子の水蒸気遮断性を単に高めるだけでは、有機EL素子に発生する非発光故障(以下、「ダークスポット」と呼ぶ)を満足が行く程度に抑えることはできない。また、プラスチックフィルムは曲げ等の応力によって変形するが、このような変形の際にバリア膜が損傷してバリア性が低下するという課題もある。
これらの従来技術の課題を考慮して、本発明の第1の目的は、水蒸気バリア性が高くて、有機EL素子の基板として使用したときにダークスポットを効果的に抑えることができて、かつ膜強度が高いフィルム基板を提供することに設定した。また、本発明の第2の目的は、ダークスポットが発生せず、表示特性が優れた有機EL素子を提供することに設定した。
However, simply increasing the water vapor barrier property of the organic EL element cannot suppress the non-light-emitting failure (hereinafter referred to as “dark spot”) occurring in the organic EL element to a satisfactory level. Moreover, although a plastic film deform | transforms with stress, such as a bending, the barrier film | membrane is damaged in such a deformation | transformation, and also the subject that barrier property falls.
In view of these problems of the prior art, the first object of the present invention is to have a high water vapor barrier property and to effectively suppress dark spots when used as a substrate of an organic EL element, and It was set to provide a film substrate with high film strength. In addition, the second object of the present invention is set to provide an organic EL element that does not generate dark spots and has excellent display characteristics.

上記目的を達成するために、本発明者らは、有機層をアクリレートの重合によって作成した従来のバリア性フィルム基板を分析して、問題を発生させている原因を鋭意検討した。その結果、拡散性の有機化合物である残存モノマーが、バリア性フィルム基板の上部に設置された有機EL素子まで拡散することによって、ダークスポットが発生することを見出した。かかる発見に基づいて、下記の[1]〜[9]の構成を有する技術を開発したところ、上記の目的を効果的に達成しうることが明らかになった。   In order to achieve the above-mentioned object, the present inventors analyzed a conventional barrier film substrate in which an organic layer was formed by polymerization of acrylate, and intensively investigated the cause of the problem. As a result, it was found that a dark spot is generated by diffusing the residual monomer, which is a diffusible organic compound, to the organic EL element installed on the upper part of the barrier film substrate. Based on these findings, a technology having the following configurations [1] to [9] has been developed, and it has become clear that the above object can be achieved effectively.

[1] プラスチックフィルム上に少なくとも1層の有機層と少なくとも2層の無機層から成る有機層と無機層の交互積層体を有してなるバリア性フィルム基板であって、前記有機層がポリウレア、ポリウレタン、ポリアミド、ポリイミド、ポリアクリレートおよびポリメタクリレートからなる群より選択される1以上の有機化合物を含み、前記有機層に含まれる有機化合物の99.5質量%以上が25℃において固体であることを特徴とするバリア性フィルム基板。
[2] ポリウレア、ポリウレタン、ポリアミド、ポリイミド、ポリアクリレートおよびポリメタクリレートからなる群より選択される前記有機化合物が、カルボキシル基またはホスホン酸基を有することを特徴とする[1]に記載のバリア性フィルム基板。
[3] 前記無機層の少なくとも1層がSi、Al、In、Sn、ZnおよびTiからなる群より選択される1以上の金属の酸化物、窒化物または酸化窒化物を含むことを特徴とする[1]または[2]に記載のバリア性フィルム基板。
[4] プラスチックフィルム上に少なくとも2層の有機層と少なくとも3層の無機層から成る有機層と無機層の交互積層体を有してなるバリア性フィルム基板であって、前記有機層がポリウレア、ポリウレタン、ポリアミド、ポリイミド、ポリアクリレートおよびポリメタクリレートからなる群より選択される1以上の有機化合物を含み、前記有機層に含まれる有機化合物の99.5質量%以上が25℃において固体であることを特徴とするバリア性フィルム基板。
[5] ポリウレア、ポリウレタン、ポリアミド、ポリイミド、ポリアクリレートおよびポリメタクリレートからなる群より選択される前記有機化合物が、カルボキシル基またはホスホン酸基を有することを特徴とする[4]に記載のバリア性フィルム基板。
[6] 前記無機層の少なくとも1層がSi、Al、In、Sn、ZnおよびTiからなる群より選択される1以上の金属の酸化物、窒化物または酸化窒化物を含むことを特徴とする[4]または[5]に記載のバリア性フィルム基板。
[7] 40℃・相対湿度90%における水蒸気透過率が0.01g/m2・day以下であることを特徴とする[1]〜[6]のいずれか一項に記載のバリア性フィルム基板。
[8] 前記プラスチックフィルムのガラス転移温度が120℃以上であることを特徴とする[1]〜[7]のいずれか一項に記載のバリア性フィルム基板。
[9] [1]〜[8]のいずれか一項にに記載のバリア性フィルム基板を用いたことを特徴とする有機EL素子。
[1] A barrier film substrate having an alternating laminate of an organic layer and an inorganic layer composed of at least one organic layer and at least two inorganic layers on a plastic film, wherein the organic layer is polyurea, It contains at least one organic compound selected from the group consisting of polyurethane, polyamide, polyimide, polyacrylate and polymethacrylate, and 99.5% by mass or more of the organic compound contained in the organic layer is solid at 25 ° C. A characteristic barrier film substrate.
[2] The barrier film according to [1], wherein the organic compound selected from the group consisting of polyurea, polyurethane, polyamide, polyimide, polyacrylate, and polymethacrylate has a carboxyl group or a phosphonic acid group. substrate.
[3] At least one of the inorganic layers includes one or more metal oxides, nitrides, or oxynitrides selected from the group consisting of Si, Al, In, Sn, Zn, and Ti. The barrier film substrate according to [1] or [2].
[4] A barrier film substrate comprising an alternating laminate of an organic layer and an inorganic layer comprising at least two organic layers and at least three inorganic layers on a plastic film, wherein the organic layer is a polyurea, It contains at least one organic compound selected from the group consisting of polyurethane, polyamide, polyimide, polyacrylate and polymethacrylate, and 99.5% by mass or more of the organic compound contained in the organic layer is solid at 25 ° C. A characteristic barrier film substrate.
[5] The barrier film according to [4], wherein the organic compound selected from the group consisting of polyurea, polyurethane, polyamide, polyimide, polyacrylate, and polymethacrylate has a carboxyl group or a phosphonic acid group. substrate.
[6] At least one of the inorganic layers includes one or more metal oxides, nitrides, or oxynitrides selected from the group consisting of Si, Al, In, Sn, Zn, and Ti. [4] The barrier film substrate according to [5].
[7] The barrier film substrate according to any one of [1] to [6], wherein a water vapor transmission rate at 40 ° C. and a relative humidity of 90% is 0.01 g / m 2 · day or less. .
[8] The barrier film substrate according to any one of [1] to [7], wherein a glass transition temperature of the plastic film is 120 ° C. or higher.
[9] An organic EL device using the barrier film substrate according to any one of [1] to [8].

本発明のバリア性フィルム基板は、水蒸気バリア性が高いうえに、有機EL素子の基板として使用したときにダークスポットの原因となる有機化合物が拡散することがない。また、曲げ等の応力に対して膜強度が高く、バリア性が低下しにくい。さらに、本発明の有機EL素子は、ダークスポットが発生せず、表示特性が優れている。   The barrier film substrate of the present invention has a high water vapor barrier property, and when used as a substrate for an organic EL device, an organic compound that causes dark spots does not diffuse. Further, the film strength is high with respect to stress such as bending, and the barrier property is not easily lowered. Furthermore, the organic EL device of the present invention does not generate dark spots and has excellent display characteristics.

以下において、本発明のバリア性フィルム基板と有機EL素子について詳細に説明する。以下に記載する構成要件の説明は、本発明の代表的な実施態様に基づいてなされることがあるが、本発明はそのような実施態様に限定されるものではない。なお、本明細書において「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。   Hereinafter, the barrier film substrate and the organic EL device of the present invention will be described in detail. The description of the constituent elements described below may be made based on typical embodiments of the present invention, but the present invention is not limited to such embodiments. In the present specification, a numerical range represented by using “to” means a range including numerical values described before and after “to” as a lower limit value and an upper limit value.

<バリア性フィルム基板>
本発明のバリア性フィルム基板は、プラスチックフィルム上に、少なくとも1層の有機層と少なくとも2層の無機層を有するフィルム基板である。層の構成としてはプラスチックフィルム側から第1の無機層、有機層、第2の無機層の順に堆積している。プラスチックフィルムと第1の無機層との間には別の層が挿入されていても良い。また、第2の無機層の上には他の層が存在しても良い。
本発明のバリア性フィルム基板は、好ましくはプラスチックフィルム上に2層以上の無機層と2層以上の有機層からなる無機層と有機層の交互積層体を有するフィルム基板である。より好ましくは、プラスチックフィルム上に3層以上の無機層と2層以上の有機層からなる無機層と有機層の交互積層体を有するフィルム基板である。層の構成としては、プラスチックフィルム側から第1の無機層、第1の有機層、第2の無機層の順に堆積しており、さらにこの上に第2の有機層、第3の無機層、第3の有機層、第4の無機層...のように繰り返し積層されていても良い。あるいはプラスチックフィルム側から第1の有機層、第1の無機層、第2の有機層、第2の無機層の順に堆積しており、さらにこの上に第3の有機層、第3の無機層、第4の有機層、第4の無機層...のように繰り返し積層されていても良い。交互積層体の最上層は無機層でも有機層でもよい。
この他、必要に応じてプラスチックフィルムと前記交互積層体との間、交互積層体の上、あるいはプラスチックフィルムの裏面に別の機能性層が挿入されていても良い。挿入される別の機能性層は単層でも多層でも良い。
<Barrier film substrate>
The barrier film substrate of the present invention is a film substrate having at least one organic layer and at least two inorganic layers on a plastic film. As the structure of the layers, the first inorganic layer, the organic layer, and the second inorganic layer are sequentially deposited from the plastic film side. Another layer may be inserted between the plastic film and the first inorganic layer. Further, another layer may be present on the second inorganic layer.
The barrier film substrate of the present invention is preferably a film substrate having an alternating laminate of an inorganic layer and an organic layer composed of two or more inorganic layers and two or more organic layers on a plastic film. More preferably, it is a film substrate having an alternate laminate of an inorganic layer and an organic layer composed of three or more inorganic layers and two or more organic layers on a plastic film. As the structure of the layers, the first inorganic layer, the first organic layer, and the second inorganic layer are deposited in this order from the plastic film side, and the second organic layer, the third inorganic layer, Third organic layer, fourth inorganic layer. . . It may be laminated repeatedly as follows. Alternatively, the first organic layer, the first inorganic layer, the second organic layer, and the second inorganic layer are deposited in this order from the plastic film side, and the third organic layer and the third inorganic layer are further deposited thereon. , Fourth organic layer, fourth inorganic layer. . . It may be laminated repeatedly as follows. The uppermost layer of the alternating laminate may be an inorganic layer or an organic layer.
In addition, if necessary, another functional layer may be inserted between the plastic film and the alternate laminate, on the alternate laminate, or on the back surface of the plastic film. Another functional layer to be inserted may be a single layer or a multilayer.

(無機層)
本発明における無機層とは、無機材料で構成される層を意味する。無機層は、ガス分子の透過を抑制しうる緻密な構造の薄膜である。無機層の例としては、金属化合物からなる薄膜(金属化合物薄膜)が挙げられる。無機層の形成方法は、目的の薄膜を形成できる方法であればいかなる方法でも用いることができる。例えば、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、プラズマCVD法などが適しており、具体的には特許第3400324号、特開2002−322561号、特開2002−361774号各公報記載の形成方法を採用することができる。
前記無機層に含まれる成分は、上記性能を満たすものであれば特に限定されないが、例えば、Si、Al、In、Sn、Zn、Ti、Cu、Ce、またはTa等から選ばれる1種以上の金属を含む酸化物、窒化物もしくは酸化窒化物などを用いることができる。これらの中でも、Si、Al、In、Sn、Zn、Tiから選ばれる金属の酸化物、窒化物もしくは酸化窒化物が好ましく、特にSi、Al、Sn、Tiがから選ばれる金属酸化物、窒化物もしくは酸化窒化物が好ましい。これらは、副次的な成分として他の元素を含有してもよい。
(Inorganic layer)
The inorganic layer in this invention means the layer comprised with an inorganic material. The inorganic layer is a thin film having a dense structure capable of suppressing the permeation of gas molecules. Examples of the inorganic layer include a thin film (metal compound thin film) made of a metal compound. As a method for forming the inorganic layer, any method can be used as long as it can form a target thin film. For example, a sputtering method, a vacuum deposition method, an ion plating method, a plasma CVD method, etc. are suitable. The method can be adopted.
The component contained in the inorganic layer is not particularly limited as long as it satisfies the above performance, but, for example, one or more selected from Si, Al, In, Sn, Zn, Ti, Cu, Ce, Ta, or the like An oxide, nitride, oxynitride, or the like containing a metal can be used. Among these, a metal oxide, nitride, or oxynitride selected from Si, Al, In, Sn, Zn, and Ti is preferable, and a metal oxide, nitride selected from Si, Al, Sn, and Ti in particular. Or oxynitride is preferable. These may contain other elements as secondary components.

前記無機層の厚みに関しては特に限定されないが、厚みが厚すぎると曲げ応力によるクラックが発生し、薄すぎると膜が層を形成せずに島状に分布するため、いずれも水蒸気バリア性が悪くなる傾向がある。このため、各無機層の厚みは、それぞれ5nm〜500nmの範囲内であることが好ましく、さらに好ましくは、10nm〜200nmである。また、2層以上の無機層は、各々が同じ組成であってもよいし、異なる組成であってもよく、特に制限はされない。
また、無機層は均一層であることが好ましい。ここで「均一層」とは、層内の組成が均一である層を意味する。均一層であれば、力学的、光学的に不連続な境界が生じにくく、ディスプレイ材料として好適であるという利点がある。
The thickness of the inorganic layer is not particularly limited, but if the thickness is too thick, cracks due to bending stress occur, and if the thickness is too thin, the film is distributed in an island shape without forming a layer. Tend to be. Therefore, the thickness of each inorganic layer is preferably in the range of 5 nm to 500 nm, and more preferably 10 nm to 200 nm. The two or more inorganic layers may have the same composition or different compositions, and are not particularly limited.
The inorganic layer is preferably a uniform layer. Here, the “uniform layer” means a layer having a uniform composition in the layer. If it is a uniform layer, mechanically and optically discontinuous boundaries are unlikely to occur, and there is an advantage that it is suitable as a display material.

(有機層)
本発明のバリア性フィルム基板における有機層は、有機ポリマーを主成分とする。有機ポリマーとしてはポリウレア、ポリウレタン、ポリアミド、ポリイミド、ポリアクリレート、およびポリメタクリレート等が挙げられる。有機ポリマーは付加重合ポリマーでも縮合重合ポリマーでも良い。付加重合ポリマーはホモポリマーでも共重合ポリマーでも良い。有機ポリマーは架橋されていても良い。有機層中に含まれる有機ポリマーは1種でも2種以上の混合物でも良い。本発明の有機ポリマーは有機層を成膜する際、モノマーおよび/またはオリゴマーの重合反応および/または架橋反応により形成する。
(Organic layer)
The organic layer in the barrier film substrate of the present invention contains an organic polymer as a main component. Examples of the organic polymer include polyurea, polyurethane, polyamide, polyimide, polyacrylate, and polymethacrylate. The organic polymer may be an addition polymerization polymer or a condensation polymerization polymer. The addition polymerization polymer may be a homopolymer or a copolymer. The organic polymer may be cross-linked. The organic polymer contained in the organic layer may be one type or a mixture of two or more types. The organic polymer of the present invention is formed by a polymerization reaction and / or a crosslinking reaction of monomers and / or oligomers when forming an organic layer.

本発明において、有機層は液体の有機化合物を実質的に含まないことを特徴とする。液体の有機化合物とは融点が25℃未満で沸点が25℃以上の有機化合物を指す。有機層が液体の有機化合物を実質的に含まないとは、有機層中に含まれる液体の有機化合物の含有率が有機層の0.5質量%未満であることを言う。本発明においては有機層中に含まれる液体の有機化合物の含有率が有機層の0.1質量%未満であることが好ましく、0.01質量%未満であることがさらに好ましい。すなわち、本発明においては、有機層に含まれる有機化合物の99.5質量%以上が25℃において固体であり、有機層に含まれる有機化合物の99.9質量%以上が25℃において固体であることが好ましく、有機層に含まれる有機化合物の99.99質量%以上が25℃において固体であることが特に好ましい。   In the present invention, the organic layer is substantially free from a liquid organic compound. The liquid organic compound means an organic compound having a melting point of less than 25 ° C. and a boiling point of 25 ° C. or more. The phrase “the organic layer does not substantially contain a liquid organic compound” means that the content of the liquid organic compound contained in the organic layer is less than 0.5% by mass of the organic layer. In this invention, it is preferable that the content rate of the liquid organic compound contained in an organic layer is less than 0.1 mass% of an organic layer, and it is still more preferable that it is less than 0.01 mass%. That is, in the present invention, 99.5% by mass or more of the organic compound contained in the organic layer is solid at 25 ° C., and 99.9% by mass or more of the organic compound contained in the organic layer is solid at 25 ° C. It is particularly preferable that 99.99% by mass or more of the organic compound contained in the organic layer is solid at 25 ° C.

本発明者らの検討によれば、有機ポリマーや固体の有機化合物は有機EL素子に対して悪影響を及ぼさないが、液体の有機化合物は有機EL素子に対して悪影響を及ぼすことがわかっている。いかなる理論にも拘泥するものではないが、この原因は、バリア性フィルム基板上に有機EL素子を作製する際、液体の有機化合物がバリア性フィルム基板の有機層から有機EL素子部に拡散するためであると推定される。有機層に含まれる液体の有機化合物とは主として有機層設置の際に用いた液体モノマーの未反応物である。このため、本発明では有機層を設置する際に固体モノマーを用い、実質的に液体モノマーを用いない。また、同じ固体モノマーでも融点が高いほど有機EL素子に対する悪影響が小さい。前記固体モノマーの好ましい融点は40℃〜400℃であり、より好ましくは60℃〜300℃である。
なお、有機層を設置する際に揮発性の有機溶剤を用いることは差し支えないが、前記揮発性の有機溶剤が有機層に残存することは本発明の趣旨に反する。本発明において有機層設置の際に用いる有機溶剤は沸点が200℃以下であり、150℃以下が好ましく、100℃以下がさらに好ましい。これらの有機溶剤を用いるなどして、実質的に有機溶剤が残存しないように製造する。
According to the study by the present inventors, it has been found that an organic polymer or a solid organic compound does not adversely affect the organic EL element, but a liquid organic compound adversely affects the organic EL element. Although not bound by any theory, this is because the liquid organic compound diffuses from the organic layer of the barrier film substrate to the organic EL element portion when an organic EL element is produced on the barrier film substrate. It is estimated that. The liquid organic compound contained in the organic layer is mainly an unreacted liquid monomer used when the organic layer is installed. For this reason, in this invention, when installing an organic layer, a solid monomer is used and a liquid monomer is not used substantially. In addition, the higher the melting point of the same solid monomer, the smaller the adverse effect on the organic EL element. The melting point of the solid monomer is preferably 40 ° C to 400 ° C, more preferably 60 ° C to 300 ° C.
Note that a volatile organic solvent may be used when the organic layer is installed, but the volatile organic solvent remaining in the organic layer is contrary to the spirit of the present invention. In the present invention, the organic solvent used for installing the organic layer has a boiling point of 200 ° C. or lower, preferably 150 ° C. or lower, more preferably 100 ° C. or lower. These organic solvents are used so that the organic solvent does not substantially remain.

本発明において、無機層と有機層との密着性が高いことは膜強度を維持する上で重要である。このような目的のためには前記固体モノマーとして、カルボキシル基もしくはホスホン酸基を有する固体モノマーを用いることが好ましい。カルボキシル基もしくはホスホン酸基は無機層がSi、Al、In、Sn、Zn、Tiから選ばれる金属の酸化物、窒化物もしくは酸化窒化物であるときに特に有効である。有機層設置に用いる全固体モノマーに対するカルボキシル基もしくはホスホン酸基含有固体モノマーの割合は、0.1質量%〜50質量%が好ましく、0.5質量%〜30質量%がより好ましく、2質量%〜20質量%が特に好ましい。   In the present invention, high adhesion between the inorganic layer and the organic layer is important for maintaining the film strength. For this purpose, it is preferable to use a solid monomer having a carboxyl group or a phosphonic acid group as the solid monomer. The carboxyl group or phosphonic acid group is particularly effective when the inorganic layer is an oxide, nitride or oxynitride of a metal selected from Si, Al, In, Sn, Zn and Ti. The ratio of the carboxyl group- or phosphonic acid group-containing solid monomer to the total solid monomer used for installing the organic layer is preferably 0.1% by mass to 50% by mass, more preferably 0.5% by mass to 30% by mass, and 2% by mass. -20% by weight is particularly preferred.

有機層の形成方法としては、例えば、真空成膜法等を挙げることができる。真空成膜法としては、特に制限はないが、蒸着、プラズマCVD等の成膜方法が好ましく、成膜速度を制御しやすい抵抗加熱蒸着法がより好ましい。本発明においては成膜中もしくは成膜後に有機化合物を重合することにより、有機ポリマー層を形成させる。有機化合物を重合する方法としては特に限定は無いが、加熱重合、光(紫外線、可視光線)重合、電子ビーム重合、プラズマ重合、あるいはこれらの組み合わせが好ましく用いられる。加熱重合を行う場合、基材となるプラスチックフィルムは相応の耐熱性を有する必要がある。この場合、少なくとも、加熱温度よりもプラスチックフィルムのTg(ガラス転移温度)が高いことが必要である。光重合を行う場合、有機層内に光重合開始剤を含ませる必要がある。本発明では光重合開始剤も常温で固体のものが選択される。光重合開始剤は固体モノマーと同時に蒸着される。
未反応モノマーをポリマーに転換するためにポスト重合を行っても良い。ポスト重合は加熱、光(紫外線、可視光線)照射、電子線照射、プラズマ照射、およびこれらの組み合わせを用いて行われる。ポスト重合は有機層を設置した直後に行っても良いし、すべての層を設置した後に行っても良い。有機層を複数層設置する場合は、各有機層設置ごとにポスト重合を行っても良い。
有機層の膜厚については特に限定はないが、薄すぎると膜厚の均一性を得ることが困難となるし、厚すぎると外力によりクラックを発生し、バリア性が低下する。かかる観点から、上記隣接有機層の厚みは、10nm〜2000nmが好ましく、20nm〜1000nmさらに好ましく、50nm〜500nmが最も好ましい。
Examples of the method for forming the organic layer include a vacuum film forming method. Although there is no restriction | limiting in particular as a vacuum film-forming method, Film-forming methods, such as vapor deposition and plasma CVD, are preferable, and the resistance heating vapor deposition method which is easy to control a film-forming rate is more preferable. In the present invention, an organic polymer layer is formed by polymerizing an organic compound during film formation or after film formation. The method for polymerizing the organic compound is not particularly limited, but heat polymerization, light (ultraviolet ray, visible light) polymerization, electron beam polymerization, plasma polymerization, or a combination thereof is preferably used. When performing heat polymerization, the plastic film used as a base material needs to have appropriate heat resistance. In this case, at least the Tg (glass transition temperature) of the plastic film needs to be higher than the heating temperature. When performing photopolymerization, it is necessary to include a photopolymerization initiator in the organic layer. In the present invention, a photopolymerization initiator that is solid at room temperature is selected. The photoinitiator is deposited simultaneously with the solid monomer.
Post-polymerization may be performed to convert unreacted monomers into a polymer. Post polymerization is performed using heating, light (ultraviolet ray, visible light) irradiation, electron beam irradiation, plasma irradiation, and a combination thereof. The post polymerization may be performed immediately after the organic layer is installed or may be performed after all the layers are installed. When a plurality of organic layers are installed, post polymerization may be performed for each organic layer installation.
The film thickness of the organic layer is not particularly limited, but if it is too thin, it will be difficult to obtain film thickness uniformity, and if it is too thick, cracks will be generated by external force and the barrier properties will be reduced. From this viewpoint, the thickness of the adjacent organic layer is preferably 10 nm to 2000 nm, more preferably 20 nm to 1000 nm, and most preferably 50 nm to 500 nm.

(プラスチックフィルム)
本発明のバリア性フィルム基板に用いられるプラスチックフィルムは、上記各層を保持できるフィルムであれば特に制限はなく、使用目的等に応じて適宜選択することができる。前記プラスチックフィルムとしては、具体的に、ポリエステル、メタクリル樹脂、メタクリル酸−マレイン酸共重合体、ポリスチレン、透明フッ素樹脂、ポリイミド、フッ素化ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、セルロースアシレート、ポリウレタン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリカーボネート、脂環式ポリオレフィン、ポリアリレート、ポリエーテルスルホン、ポリスルホン、フルオレン環変性ポリカーボネート、脂環変性ポリカーボネート、フルオレン環変性ポリエステル、アクリロイル化合物などの熱可塑性樹脂が挙げられる。
(Plastic film)
The plastic film used for the barrier film substrate of the present invention is not particularly limited as long as it is a film that can hold each of the above layers, and can be appropriately selected according to the purpose of use. Specific examples of the plastic film include polyester, methacrylic resin, methacrylic acid-maleic acid copolymer, polystyrene, transparent fluororesin, polyimide, fluorinated polyimide, polyamide, polyamideimide, polyetherimide, cellulose acylate, and polyurethane. And thermoplastic resins such as polyetheretherketone, polycarbonate, alicyclic polyolefin, polyarylate, polyethersulfone, polysulfone, fluorene ring-modified polycarbonate, alicycle-modified polycarbonate, fluorene ring-modified polyester, and acryloyl compound.

これらの樹脂のうち、ガラス転移温度(Tg)が120℃以上の樹脂が好ましく、200℃以上であることがより好ましく、250℃以上であることがさらに好ましい。具体的な例としては(括弧内は略称:数字はTgを示す)、ポリエステルで特にポリエチルナフタレート(PEN:121℃)、ポリアリレート(PAr:210℃)、ポリエーテルスルホン(PES:220℃)、フルオレン環変性ポリカーボネート(BCF−PC:特開2000−227603号公報の実施例4の化合物:225℃)、脂環変性ポリカーボネート(IP−PC:特開2000−227603号公報の実施例5の化合物:205℃)、フルオレン環変性ポリエステル(特開2002−145998号公報の実施例1に記載のフィルム1〜5に用いられた化合物:334〜365℃)、アクリロイル化合物(特開2002−80616号公報の実施例−1の化合物:300℃以上)等の化合物からなるフィルムが挙げられる。   Among these resins, a resin having a glass transition temperature (Tg) of 120 ° C. or higher is preferable, 200 ° C. or higher is more preferable, and 250 ° C. or higher is further preferable. Specific examples (abbreviations in parentheses: numbers indicate Tg) are polyesters, especially polyethyl naphthalate (PEN: 121 ° C.), polyarylate (PAr: 210 ° C.), polyether sulfone (PES: 220 ° C.) , Fluorene ring-modified polycarbonate (BCF-PC: compound of Example 4 of JP 2000-227603 A: 225 ° C.), alicyclic modified polycarbonate (IP-PC: compound of Example 5 of JP 2000-227603 A) : 205 ° C.), fluorene ring-modified polyester (compound used in films 1 to 5 described in Example 1 of JP 2002-145998 A: 334 to 365 ° C.), acryloyl compound (JP 2002-80616 A) Example-1 of the compound: 300 ° C. or higher)

特にプラスチックフィルムを構成する化合物としては、下記一般式(1)で表されるスピロ構造を有する樹脂または下記一般式(2)で表されるカルド構造を有する樹脂が好ましい。   In particular, the compound constituting the plastic film is preferably a resin having a spiro structure represented by the following general formula (1) or a resin having a cardo structure represented by the following general formula (2).

Figure 2007030387
〔一般式(1)中、環αは単環式または多環式の環を表し、2つの環はそれぞれ同一若しくは異なっていてもよく、スピロ結合によって結合している。〕
Figure 2007030387
[In general formula (1), ring α represents a monocyclic or polycyclic ring, and the two rings may be the same or different, and are connected by a spiro bond. ]

Figure 2007030387
〔一般式(2)中、環βおよび環γは単環式または多環式の環を表し、2つの環γはそれぞれ同一若しくは異なっていてもよい。また、環βおよび環γは、環β上の1つの4級炭素原子によって連結される。〕
Figure 2007030387
[In general formula (2), ring β and ring γ represent a monocyclic or polycyclic ring, and the two rings γ may be the same or different. Ring β and ring γ are connected by one quaternary carbon atom on ring β. ]

前記一般式(1)および(2)で表される樹脂は、高耐熱性、高弾性率かつ高い引張り破壊応力を有する化合物であるため、製造プロセスにおいて種々の加熱操作が要求され、かつ屈曲させても破壊しにくい性能が要求される有機EL素子等の基板材料として好適に用いることができる。   Since the resins represented by the general formulas (1) and (2) are compounds having high heat resistance, high elastic modulus and high tensile fracture stress, various heating operations are required in the manufacturing process and they are bent. However, it can be suitably used as a substrate material for an organic EL element or the like that is required to have a performance that is difficult to break.

前記一般式(1)における環αの例としては、インダン環、クロマン環、2,3−ジヒドロベンゾフラン環、インドリン環、テトラヒドロピラン環、テトラヒドロフラン環、ジオキサン環、シクロヘキサン環、シクロペンタン環等が挙げられる。前記一般式(2)における環βの例としては、フルオレン環、インダンジオン環、インダノン環、インデン環、インダン環、テトラロン環、アントロン環、シクロヘキサン環、シクロペンタン環等が挙げられる。前記一般式(2)における環γとしては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フルオレン環、シクロヘキサン環、シクロペンタン環、ピリジン環、フラン環、ベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ベンゾチアゾール環、インダン環、クロマン環、インドール環、α-ピロン環等が挙げられる。   Examples of the ring α in the general formula (1) include an indane ring, a chroman ring, a 2,3-dihydrobenzofuran ring, an indoline ring, a tetrahydropyran ring, a tetrahydrofuran ring, a dioxane ring, a cyclohexane ring, and a cyclopentane ring. It is done. Examples of the ring β in the general formula (2) include a fluorene ring, an indandione ring, an indanone ring, an indene ring, an indane ring, a tetralone ring, an anthrone ring, a cyclohexane ring, and a cyclopentane ring. The ring γ in the general formula (2) includes a benzene ring, naphthalene ring, anthracene ring, fluorene ring, cyclohexane ring, cyclopentane ring, pyridine ring, furan ring, benzofuran ring, thiophene ring, benzothiophene ring, and benzothiazole ring. , Indane ring, chroman ring, indole ring, α-pyrone ring and the like.

前記一般式(1)で表されるスピロ構造を有する樹脂の好ましい例としては、下記一般式(3)で表されるスピロビインダン構造を繰り返し単位中に含むポリマー、下記一般式(4)で表されるスピロビクロマン構造を繰り返し単位中に含むポリマー、下記一般式(5)で表されるスピロビベンゾフラン構造を繰り返し単位中に含むポリマーを挙げることができる。   Preferred examples of the resin having a spiro structure represented by the general formula (1) include a polymer containing a spirobiindane structure represented by the following general formula (3) in a repeating unit, and represented by the following general formula (4). And a polymer containing a spirobibenzofuran structure represented by the following general formula (5) in the repeating unit.

Figure 2007030387
Figure 2007030387

一般式(3)中、R31およびR32はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。R33は置換基を表す。また、R31、R32、R33のそれぞれが連結して環を形成してもよい。mおよびnはそれぞれ独立に0〜3の整数を表す。前記置換基の好ましい例としては、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基が挙げられる。R31およびR32はそれぞれ独立に、水素原子、メチル基またはフェニル基であることがさらに好ましい。また、R33としては、塩素原子、臭素原子、メチル基、イソプロピル基、tert−ブチル基またはフェニル基であることがさらに好ましい。 In general formula (3), R 31 and R 32 each independently represent a hydrogen atom or a substituent. R 33 represents a substituent. R 31 , R 32 , and R 33 may be linked to form a ring. m and n each independently represents an integer of 0 to 3. Preferable examples of the substituent include a halogen atom, an alkyl group, and an aryl group. R 31 and R 32 are more preferably each independently a hydrogen atom, a methyl group or a phenyl group. R 33 is more preferably a chlorine atom, bromine atom, methyl group, isopropyl group, tert-butyl group or phenyl group.

Figure 2007030387
Figure 2007030387

一般式(4)中、R41は水素原子または置換基を表す。R42は置換基を表す。また、R41およびR42のそれぞれが連結して環を形成してもよい。mおよびnはそれぞれ独立に0〜3の整数を表す。前記置換基の好ましい例としては、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基が挙げられる。R41としては、水素原子、メチル基またはフェニル基がさらに好ましく、R42としては、塩素原子、臭素原子、メチル基、イソプロピル基、tert−ブチル基またはフェニル基がさらに好ましい。 In the general formula (4), R 41 represents a hydrogen atom or a substituent. R 42 represents a substituent. R 41 and R 42 may be linked to form a ring. m and n each independently represents an integer of 0 to 3. Preferable examples of the substituent include a halogen atom, an alkyl group, and an aryl group. R 41 is more preferably a hydrogen atom, methyl group or phenyl group, and R 42 is more preferably a chlorine atom, bromine atom, methyl group, isopropyl group, tert-butyl group or phenyl group.

Figure 2007030387
Figure 2007030387

一般式(5)中、R51は水素原子または置換基を表す。R52は置換基を表す。また、R51、R52のそれぞれが連結して環を形成してもよい。mおよびnはそれぞれ独立に0〜3の整数を表す。前記置換基の好ましい例としては、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基が挙げられる。R51としては、水素原子、メチル基またはフェニル基が好ましい。また、R52としては、塩素原子、臭素原子、メチル基、イソプロピル基、tert−ブチル基またはフェニル基が好ましい。 In the general formula (5), R 51 represents a hydrogen atom or a substituent. R 52 represents a substituent. R 51 and R 52 may be linked to form a ring. m and n each independently represents an integer of 0 to 3. Preferable examples of the substituent include a halogen atom, an alkyl group, and an aryl group. R 51 is preferably a hydrogen atom, a methyl group or a phenyl group. R 52 is preferably a chlorine atom, bromine atom, methyl group, isopropyl group, tert-butyl group or phenyl group.

また、前記一般式(2)における環βとしては、例えばフルオレン、1,4−ビベンゾシクロヘキサンが挙げられ、環γとしては、例えばフェニレン、ナフタレンが挙げられる。前記一般式(2)で表されるカルド構造を有する樹脂の好ましい例として、下記一般式(6)で表されるフルオレン構造を繰り返し単位中に含むポリマーを挙げることができる。   Further, examples of the ring β in the general formula (2) include fluorene and 1,4-bibenzocyclohexane, and examples of the ring γ include phenylene and naphthalene. Preferable examples of the resin having a cardo structure represented by the general formula (2) include a polymer containing a fluorene structure represented by the following general formula (6) in a repeating unit.

Figure 2007030387
Figure 2007030387

一般式(6)中、R61およびR62はそれぞれ独立に置換基を表す。また、R51、R52のそれぞれが連結して環を形成してもよい。jおよびkはそれぞれ独立に0〜4の整数を表す。前記置換基の好ましい例としては、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基が挙げられる。R51およびR52としては、それぞれ独立に、塩素原子、臭素原子、メチル基、イソプロピル基、tert−ブチル基またはフェニル基であることがさらに好ましい。 In General Formula (6), R 61 and R 62 each independently represent a substituent. R 51 and R 52 may be linked to form a ring. j and k each independently represents an integer of 0 to 4. Preferable examples of the substituent include a halogen atom, an alkyl group, and an aryl group. R 51 and R 52 are more preferably each independently a chlorine atom, a bromine atom, a methyl group, an isopropyl group, a tert-butyl group or a phenyl group.

前記一般式(3)〜(6)で表される構造を繰り返し単位中に含む樹脂は、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリアミド、ポリイミドまたはポリウレタンなど種々の結合方式で連結されたポリマーであってもよいが、一般式(3)〜(6)で表される構造を有するビスフェノール化合物から誘導されるポリカーボネート、ポリエステルまたはポリウレタンであることが好ましい。   The resin containing the structure represented by the general formulas (3) to (6) in the repeating unit may be a polymer linked by various bonding methods such as polycarbonate, polyester, polyamide, polyimide or polyurethane, A polycarbonate, polyester or polyurethane derived from a bisphenol compound having a structure represented by the general formulas (3) to (6) is preferable.

以下に一般式(1)または一般式(2)で表される構造を有する樹脂の好ましい具体例(樹脂化合物(I−1)〜(FL−11))を挙げる。但し、本発明で用いることができる樹脂はこれらに限定されるものではない。   Preferred specific examples (resin compounds (I-1) to (FL-11)) of resins having a structure represented by the general formula (1) or the general formula (2) are given below. However, the resin that can be used in the present invention is not limited thereto.

Figure 2007030387
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Figure 2007030387
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本発明におけるプラスチックフィルムに用いることのできる一般式(1)および一般式(2)で表される構造を有する樹脂は、単独で用いてもよく、複数種混合して用いてもよい。また、ホモポリマーであってもよく、複数種構造を組み合わせたコポリマーであってもよい。前記樹脂をコポリマーとする場合、一般式(1)または(2)で表される構造を繰り返し単位中に含まない公知の繰り返し単位を本発明の効果を損ねない範囲で共重合することができる。なお、ホモポリマーとして用いた場合よりも溶解性および透明性の観点で優れている場合が多いことから、上記樹脂はコポリマーであることが好ましい。   The resin having the structure represented by the general formula (1) and the general formula (2) that can be used for the plastic film in the present invention may be used singly or in combination. Moreover, a homopolymer may be sufficient and the copolymer which combined multiple types of structure may be sufficient. When the resin is a copolymer, a known repeating unit that does not contain the structure represented by the general formula (1) or (2) in the repeating unit can be copolymerized as long as the effects of the present invention are not impaired. The resin is preferably a copolymer because it is often superior in terms of solubility and transparency than when used as a homopolymer.

本発明に用いることのできる一般式(1)および(2)で表される構造を有する樹脂の分子量は、質量平均分子量で1万〜50万が好ましく、2万〜30万がさらに好ましく、3万〜20万が特に好ましい。前記樹脂の分子量が低すぎる場合、フィルム成形が困難となりやすく、また力学特性が低下してしまう場合がある。また、分子量が高すぎる場合、合成上分子量のコントロールが困難となり、また溶液の粘度が高すぎて取扱いが難しくなる場合がある。なお、前記分子量は、これに対応する粘度を目安にすることもできる。   The molecular weight of the resin having the structure represented by the general formulas (1) and (2) that can be used in the present invention is preferably 10,000 to 500,000, more preferably 20,000 to 300,000 in terms of mass average molecular weight. 10,000 to 200,000 is particularly preferable. When the molecular weight of the resin is too low, film formation tends to be difficult, and mechanical properties may be deteriorated. On the other hand, if the molecular weight is too high, it is difficult to control the molecular weight in the synthesis, and the viscosity of the solution may be too high to handle. The molecular weight can be based on the corresponding viscosity.

(吸湿性層)
本発明のバリア性フィルム基板は吸湿性層を有しても良い。好ましい吸湿性層の例としては、2属金属一酸化物から構成される層を挙げることができる。前記2属金属一酸化物に含まれる2属金属としては、Be、Mg、Ca、Sr、Baが挙げられる。本発明においては何れの2属金属をも使用することができるが、コスト、吸湿性を考慮すると、Ca、Sr、Baが好ましい。
(Hygroscopic layer)
The barrier film substrate of the present invention may have a hygroscopic layer. As a preferable example of the hygroscopic layer, a layer composed of a Group 2 metal monoxide can be given. Examples of the Group 2 metal contained in the Group 2 metal monoxide include Be, Mg, Ca, Sr, and Ba. In the present invention, any of Group 2 metals can be used, but Ca, Sr, and Ba are preferable in consideration of cost and hygroscopicity.

(プライマー層)
本発明のバリア性フィルム基板は、プラスチックフィルム上に公知のプライマー層を設置することができる。プライマー層としては、例えばアクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂等の樹脂層、親水性樹脂共存下でゾルーゲル反応により形成する有機無機ハイブリッド層、無機蒸着層またはゾル−ゲル法による緻密な無機層を挙げることができる。
(Primer layer)
In the barrier film substrate of the present invention, a known primer layer can be placed on a plastic film. Examples of the primer layer include a resin layer such as an acrylic resin, an epoxy resin, a urethane resin, and a silicone resin, an organic-inorganic hybrid layer formed by a sol-gel reaction in the presence of a hydrophilic resin, an inorganic vapor deposition layer, or a dense inorganic layer by a sol-gel method. Layers can be mentioned.

(保護層)
本発明のバリア性フィルム基板は保護層を有していても良い。特に基板の裏面には保護層を設置するのが好ましい。保護層に使用するポリマーとしては、水溶性ポリマー、セルロースアシレート、ラテックスポリマー、水溶性ポリエステルなどが例示される。水溶性ポリマーとしては、ゼラチン、ゼラチン誘導体、カゼイン、寒天、アルギン酸ナトリウム、でんぷん、ポリビニルアルコール、ポリアクリル酸共重合体、無水マレイン酸共重合体などであり、セルロースアシレートとしてはカルボキシメチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロースなどである。ラテックスポリマーとしては塩化ビニル含有共重合体、塩化ビニリデン含有共重合体、アクリル酸エステル含有共重合体、酢酸ビニル含有共重合体、ブタジエン含有共重合体などが挙げられる。
前記保護層には、バリア性フィルム基板の透明性を実質的に損なわない程度に無機または、有機の微粒子をマット剤として含有させることができる。無機の微粒子のマット剤としてはシリカ(SiO2),二酸化チタン(TiO2),炭酸カルシウム、炭酸マグネシウムなどを使用することができる。有機の微粒子マット剤としては、ポリメチルメタクリレート、セルロースアセテートプロピオネート、ポリスチレン、米国特許第4,142,894号明細書に記載されている処理液可溶性のもの、米国特許第4,396,706号明細書に記載されているポリマ−などを用いることができる。これらの微粒子マット剤の平均粒子サイズは0.01〜10μmのものが好ましい。より好ましくは、0.05〜5μmである。また、その含有量は0.5〜600mg/m2が好ましく、さらに好ましくは1〜400mg/m2である。
前記保護層は、一般に良く知られた塗布方法、例えばディップコート法、エアーナイフコート法、カーテンコート法、ローラーコート法、ワイヤーバーコート法、グラビアコート法、スライドコート法、或いは、米国特許第2,681,294号明細書に記載のホッパーを使用するエクストルージョンコート法により塗布することができる。
(Protective layer)
The barrier film substrate of the present invention may have a protective layer. In particular, it is preferable to provide a protective layer on the back surface of the substrate. Examples of the polymer used for the protective layer include water-soluble polymers, cellulose acylates, latex polymers, water-soluble polyesters, and the like. Examples of water-soluble polymers include gelatin, gelatin derivatives, casein, agar, sodium alginate, starch, polyvinyl alcohol, polyacrylic acid copolymers, maleic anhydride copolymers, and cellulose acylates such as carboxymethyl cellulose and hydroxyethyl cellulose. Etc. Examples of the latex polymer include a vinyl chloride-containing copolymer, a vinylidene chloride-containing copolymer, an acrylate ester-containing copolymer, a vinyl acetate-containing copolymer, and a butadiene-containing copolymer.
The protective layer can contain inorganic or organic fine particles as a matting agent to such an extent that the transparency of the barrier film substrate is not substantially impaired. Silica (SiO 2 ), titanium dioxide (TiO 2 ), calcium carbonate, magnesium carbonate and the like can be used as the inorganic fine particle matting agent. Examples of the organic fine-particle matting agent include polymethyl methacrylate, cellulose acetate propionate, polystyrene, a treatment solution-soluble one described in US Pat. No. 4,142,894, and US Pat. No. 4,396,706. Polymers described in the specification can be used. These fine particle matting agents preferably have an average particle size of 0.01 to 10 μm. More preferably, it is 0.05-5 micrometers. Moreover, the content is preferably 0.5 to 600 mg / m 2 , more preferably 1 to 400 mg / m 2 .
The protective layer is formed by a generally well-known coating method such as dip coating, air knife coating, curtain coating, roller coating, wire bar coating, gravure coating, slide coating, or US Pat. , 681,294 specification, it can apply by the extrusion coat method which uses the hopper.

(帯電防止層)
本発明のバリア性フィルム基板は、帯電防止層(導電性層)を有しても良い。帯電防止層は、バリア性フィルム基板の裏面(バリア層が形成されていない面)に形成することが好ましい。帯電防止層は、ガスバリアフィルムの取扱の際に帯電するのを防ぐ機能を付与するものであり、具体的には、イオン導電性物質や導電性微粒子を含有する層を設けることによって行う。
ここでイオン導電性物質とは電気伝導性を示し、電気を運ぶ担体であるイオンを含有する物質のことであり、例としてはイオン性高分子化合物を挙げることができる。イオン性高分子化合物としては、特公昭49−23828号、特公昭49−23827号、特公昭47−28937号各公報に見られるようなアニオン性高分子化合物;特公昭55−734号、特開昭50−54672号、特公昭59−14735号、特公昭57−18175号、特公昭57−18176号、特公昭57−56059号各公報などに見られるような、主鎖中に解離基を持つアイオネン型ポリマー;特公昭53−13223号、特公昭57−15376号、特公昭53−45231号、特公昭55−145783号、特公昭55−65950号、特公昭55−67746号、特公昭57−11342号、特公昭57−19735号、特公昭58−56858号、特開昭61−27853号、特公昭62−9346号各公報に見られるような、側鎖中にカチオン性解離基を持つカチオン性ペンダント型ポリマー等を挙げることができる。
(Antistatic layer)
The barrier film substrate of the present invention may have an antistatic layer (conductive layer). The antistatic layer is preferably formed on the back surface (the surface on which the barrier layer is not formed) of the barrier film substrate. The antistatic layer imparts a function of preventing charging during handling of the gas barrier film. Specifically, the antistatic layer is formed by providing a layer containing an ion conductive substance or conductive fine particles.
Here, the ion conductive substance is a substance that shows electric conductivity and contains ions that are carriers for carrying electricity, and examples include ionic polymer compounds. Examples of the ionic polymer compound include anionic polymer compounds such as those described in JP-B-49-23828, JP-B-49-23827, and JP-B-47-28937; Has a dissociating group in the main chain as shown in Japanese Patent Publication Nos. 50-54772, 59-14735, 57-18175, 57-18176, 57-56059, etc. Ionene type polymers: JP-B 53-13223, JP-B 57-15376, JP-B 53-45231, JP-B 55-145783, JP-B 55-65950, JP-B 55-67746, JP-B 57- See No. 11342, Japanese Patent Publication No. 57-19735, Japanese Patent Publication No. 58-56858, Japanese Patent Publication No. Sho 61-27853, and Japanese Patent Publication No. Sho 62-9346. Is such, mention may be made of cationic pendant polymers having a cationic dissociative group in the side chain.

導電性微粒子である金属酸化物の例としては、ZnO、TiO2、SnO2、Al23、In23、SiO2、MgO、BaO、MoO2、V25等、あるいはこれらの複合酸化物が好ましく、特にZnO、TiO2およびSnO2が好ましい。異種原子を含む例としては、例えばZnOに対してはAl、In等の添加、TiO2に対してはNb、Ta等の添加、またSnO2に対しては、Sb、Nb、ハロゲン元素等の添加が効果的である。これら異種原子の添加量は0.01〜25mol%の範囲が好ましいが、0.1〜15mol%の範囲が特に好ましい。 Examples of metal oxides that are conductive fine particles include ZnO, TiO 2 , SnO 2 , Al 2 O 3 , In 2 O 3 , SiO 2 , MgO, BaO, MoO 2 , V 2 O 5, etc. Complex oxides are preferred, with ZnO, TiO 2 and SnO 2 being particularly preferred. Examples of containing different atoms include, for example, addition of Al and In to ZnO, addition of Nb and Ta to TiO 2 , and addition of Sb, Nb and halogen elements to SnO 2 . Addition is effective. The amount of these different atoms added is preferably in the range of 0.01 to 25 mol%, particularly preferably in the range of 0.1 to 15 mol%.

(その他の機能性層)
本発明のバリア性フィルム基板は必要に応じて平滑化層、密着改良層、遮光層、反射防止層、ハードコート層等を設置しても良い。
(Other functional layers)
The barrier film substrate of the present invention may be provided with a smoothing layer, an adhesion improving layer, a light shielding layer, an antireflection layer, a hard coat layer and the like as required.

<有機EL素子>
次に、本発明のバリア性フィルム基板を用いた有機EL素子(以下、「本発明の有機EL素子」と呼ぶ)について説明する。
<Organic EL device>
Next, an organic EL element using the barrier film substrate of the present invention (hereinafter referred to as “organic EL element of the present invention”) will be described.

本発明の有機EL素子は、基板上に陰極と陽極を有し、両電極の間に有機発光層(以下、単に「発光層」と呼ぶ)を含む有機化合物層を有する。発光素子の性質上、陽極および陰極のうち少なくとも一方の電極は、透明であることが好ましい。
本発明における有機化合物層の積層の態様としては、陽極側から、正孔輸送層、発光層、電子輸送層の順に積層されている態様が好ましい。さらに、正孔輸送層と発光層との間、または、発光層と電子輸送層との間には、電荷ブロック層等を有していてもよい。陽極と正孔輸送層との間に、正孔注入層を有してもよく、陰極と電子輸送層との間には、電子注入層を有してもよい。なお、各層は複数の二次層に分かれていてもよい。
The organic EL device of the present invention has a cathode and an anode on a substrate, and an organic compound layer including an organic light emitting layer (hereinafter simply referred to as “light emitting layer”) between both electrodes. In view of the properties of the light emitting element, at least one of the anode and the cathode is preferably transparent.
As an aspect of lamination of the organic compound layer in the present invention, an aspect in which a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer are laminated in this order from the anode side is preferable. Furthermore, a charge blocking layer or the like may be provided between the hole transport layer and the light-emitting layer, or between the light-emitting layer and the electron transport layer. A hole injection layer may be provided between the anode and the hole transport layer, and an electron injection layer may be provided between the cathode and the electron transport layer. Each layer may be divided into a plurality of secondary layers.

(陽極)
陽極は、通常、有機化合物層に正孔を供給する電極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて、公知の電極材料の中から適宜選択することができる。前述のごとく、陽極は、通常透明陽極として設けられる。
(anode)
The anode usually has a function as an electrode for supplying holes to the organic compound layer, and there is no particular limitation on the shape, structure, size, etc., depending on the use and purpose of the light-emitting element. , Can be appropriately selected from known electrode materials. As described above, the anode is usually provided as a transparent anode.

陽極の材料としては、例えば、金属、合金、金属酸化物、導電性化合物、またはこれらの混合物が好適に挙げられる。陽極材料の具体例としては、アンチモンやフッ素等をドープした酸化錫(ATO、FTO)、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫(ITO)、酸化亜鉛インジウム(IZO)等の導電性金属酸化物、金、銀、クロム、ニッケル等の金属、さらにこれらの金属と導電性金属酸化物との混合物または積層物、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物質、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロールなどの有機導電性材料、およびこれらとITOとの積層物などが挙げられる。この中で好ましいのは、導電性金属酸化物であり、特に、生産性、高導電性、透明性等の点からはITOが好ましい。   Suitable examples of the material for the anode include metals, alloys, metal oxides, conductive compounds, and mixtures thereof. Specific examples of the anode material include conductive metals such as tin oxide doped with antimony and fluorine (ATO, FTO), tin oxide, zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO), and indium zinc oxide (IZO). Metals such as oxides, gold, silver, chromium and nickel, and mixtures or laminates of these metals and conductive metal oxides, inorganic conductive materials such as copper iodide and copper sulfide, polyaniline, polythiophene and polypyrrole Organic conductive materials, and laminates of these with ITO. Among these, conductive metal oxides are preferable, and ITO is particularly preferable from the viewpoints of productivity, high conductivity, transparency, and the like.

陽極は、例えば、印刷方式、コーティング方式等の湿式方式、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理的方式、CVD、プラズマCVD法等の化学的方式などの中から、陽極を構成する材料との適性を考慮して適宜選択した方法に従って、前記基板上に形成することができる。例えば、陽極の材料として、ITOを選択する場合には、陽極の形成は、直流または高周波スパッタ法、真空蒸着法、イオンプレーティング法等に従って行うことができる。   The anode is composed of, for example, a wet method such as a printing method and a coating method, a physical method such as a vacuum deposition method, a sputtering method, and an ion plating method, and a chemical method such as a CVD and a plasma CVD method. It can be formed on the substrate according to a method appropriately selected in consideration of suitability with the material to be processed. For example, when ITO is selected as the anode material, the anode can be formed according to a direct current or high frequency sputtering method, a vacuum deposition method, an ion plating method, or the like.

本発明の有機EL素子において、陽極の形成位置としては特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて適宜選択することができる。が、前記基板上に形成されるのが好ましい。この場合、陽極は、基板における一方の表面の全部に形成されていてもよく、その一部に形成されていてもよい。なお、陽極を形成する際のパターニングとしては、フォトリソグラフィーなどによる化学的エッチングによって行ってもよいし、レーザーなどによる物理的エッチングによって行ってもよく、また、マスクを重ねて真空蒸着やスパッタ等をして行ってもよいし、リフトオフ法や印刷法によって行ってもよい。陽極の厚みとしては、陽極を構成する材料により適宜選択することができ、一概に規定することはできないが、通常、10nm〜50μm程度であり、50nm〜20μmが好ましい。   In the organic EL device of the present invention, the formation position of the anode is not particularly limited and can be appropriately selected according to the use and purpose of the light emitting device. Is preferably formed on the substrate. In this case, the anode may be formed on the entire one surface of the substrate, or may be formed on a part thereof. The patterning for forming the anode may be performed by chemical etching such as photolithography, or may be performed by physical etching such as laser, or vacuum deposition or sputtering with a mask overlapped. It may be performed by a lift-off method or a printing method. The thickness of the anode can be appropriately selected depending on the material constituting the anode and cannot be generally defined, but is usually about 10 nm to 50 μm, and preferably 50 nm to 20 μm.

陽極の抵抗値としては、103Ω/□以下が好ましく、102Ω/□以下がより好ましい。陽極が透明である場合は、無色透明であっても、有色透明であってもよい。透明陽極側から発光を取り出すためには、その透過率としては、60%以上が好ましく、70%以上がより好ましい。なお、透明陽極については、沢田豊監修「透明電極膜の新展開」シーエムシー刊(1999)に詳述があり、ここに記載される事項を本発明に適用することができる。耐熱性の低いプラスチック基材を用いる場合は、ITOまたはIZOを使用し、150℃以下の低温で成膜した透明陽極が好ましい。 The resistance value of the anode is preferably 10 3 Ω / □ or less, and more preferably 10 2 Ω / □ or less. When the anode is transparent, it may be colorless and transparent or colored and transparent. In order to take out light emission from the transparent anode side, the transmittance is preferably 60% or more, and more preferably 70% or more. The transparent anode is described in detail in the book “New Development of Transparent Electrode Films” published by CMC (1999), supervised by Yutaka Sawada, and the matters described here can be applied to the present invention. In the case of using a plastic substrate having low heat resistance, a transparent anode formed using ITO or IZO at a low temperature of 150 ° C. or lower is preferable.

(陰極)
陰極は、通常、有機化合物層に電子を注入する電極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて、公知の電極材料の中から適宜選択することができる。陰極を構成する材料としては、例えば、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、これらの混合物などが挙げられる。具体例としては1属金属(たとえば、Li、Na、K、Cs等)、2属金属(たとえばMg、Ca等)、金、銀、鉛、アルミニウム、ナトリウム−カリウム合金、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−銀合金、インジウム、イッテルビウム等の希土類金属、などが挙げられる。これらは、1種単独で使用してもよいが、安定性と電子注入性とを両立させる観点からは、2種以上を好適に併用することができる。
(cathode)
The cathode usually has a function as an electrode for injecting electrons into the organic compound layer, and there is no particular limitation on the shape, structure, size, etc., depending on the use and purpose of the light-emitting element, It can select suitably from well-known electrode materials. Examples of the material constituting the cathode include metals, alloys, metal oxides, electrically conductive compounds, and mixtures thereof. Specific examples include Group 1 metals (for example, Li, Na, K, Cs, etc.), Group 2 metals (for example, Mg, Ca, etc.), gold, silver, lead, aluminum, sodium-potassium alloy, lithium-aluminum alloy, magnesium. -Rare earth metals such as silver alloys, indium, ytterbium, and the like. These may be used alone, but two or more can be suitably used in combination from the viewpoint of achieving both stability and electron injection.

これらの中でも、陰極を構成する材料としては、電子注入性の点で、1属金属や2属金属が好ましく、保存安定性に優れる点で、アルミニウムを主体とする材料が好ましい。
アルミニウムを主体とする材料とは、アルミニウム単独、アルミニウムと0.01〜10質量%の1属金属または2属金属との合金若しくはこれらの混合物(例えば、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金など)をいう。なお、陰極の材料については、特開平2−15595号公報、特開平5−121172号公報に詳述されており、これらの広報に記載の材料は、本発明においても適用することができる。
Among these, the material constituting the cathode is preferably a Group 1 metal or a Group 2 metal from the viewpoint of electron injection, and a material mainly composed of aluminum is preferable from the viewpoint of excellent storage stability.
The material mainly composed of aluminum is aluminum alone, an alloy of aluminum and 0.01 to 10% by mass of Group 1 metal or Group 2 metal, or a mixture thereof (for example, lithium-aluminum alloy, magnesium-aluminum alloy). Say. The materials for the cathode are described in detail in JP-A-2-15595 and JP-A-5-121172, and the materials described in these public relations can also be applied in the present invention.

陰極の形成方法については、特に制限はなく、公知の方法に従って行うことができる。例えば、印刷方式、コーティング方式等の湿式方式、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理的方式、CVD、プラズマCVD法等の化学的方式などの中から、前記した陰極を構成する材料との適性を考慮して適宜選択した方法に従って形成することができる。例えば、陰極の材料として、金属等を選択する場合には、その1種または2種以上を同時または順次にスパッタ法等に従って行うことができる。陰極を形成するに際してのパターニングは、フォトリソグラフィーなどによる化学的エッチングによって行ってもよいし、レーザーなどによる物理的エッチングによって行ってもよく、マスクを重ねて真空蒸着やスパッタ等をして行ってもよいし、リフトオフ法や印刷法によって行ってもよい。   There is no restriction | limiting in particular about the formation method of a cathode, According to a well-known method, it can carry out. For example, the cathode described above is configured from a wet method such as a printing method or a coating method, a physical method such as a vacuum deposition method, a sputtering method, or an ion plating method, or a chemical method such as CVD or plasma CVD method. It can be formed according to a method appropriately selected in consideration of suitability with the material. For example, when a metal or the like is selected as the cathode material, one or more of them can be simultaneously or sequentially performed according to a sputtering method or the like. Patterning when forming the cathode may be performed by chemical etching such as photolithography, physical etching by laser, or the like, or by vacuum deposition or sputtering with the mask overlaid. It may be performed by a lift-off method or a printing method.

本発明において、陰極形成位置は特に制限はなく、有機化合物層上の全部に形成されていてもよく、その一部に形成されていてもよい。また、陰極と前記有機化合物層との間に、1属金属または2属金属のフッ化物、酸化物等による誘電体層を0.1〜5nmの厚みで挿入してもよい。この誘電体層は、一種の電子注入層と見ることもできる。誘電体層は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等により形成することができる。陰極の厚みは、陰極を構成する材料により適宜選択することができ、一概に規定することはできないが、通常10nm〜5μm程度であり、50nm〜1μmが好ましい。
また、陰極は、透明であってもよいし、不透明であってもよい。なお、透明な陰極は、陰極の材料を1〜10nmの厚さに薄く成膜して、さらにITOやIZO等の透明な導電性材料を積層することにより形成することができる。
In the present invention, the cathode formation position is not particularly limited, and may be formed on the entire organic compound layer or a part thereof. Moreover, you may insert the dielectric material layer by the thickness of 0.1-5 nm between a cathode and the said organic compound layer with the fluoride, oxide, etc. of 1 group metal or 2 group metals. This dielectric layer can also be regarded as a kind of electron injection layer. The dielectric layer can be formed by, for example, a vacuum deposition method, a sputtering method, an ion plating method, or the like. The thickness of the cathode can be appropriately selected depending on the material constituting the cathode and cannot be generally defined, but is usually about 10 nm to 5 μm, and preferably 50 nm to 1 μm.
Further, the cathode may be transparent or opaque. The transparent cathode can be formed by depositing a thin cathode material to a thickness of 1 to 10 nm and further laminating a transparent conductive material such as ITO or IZO.

(有機化合物層)
本発明の有機EL素子は、発光層を含む少なくとも一層の有機化合物層を有しており、発光層以外の他の有機化合物層としては、前述したごとく、正孔輸送層、電子輸送層、電荷ブロック層、正孔注入層、電子注入層等の各層が挙げられる。
(Organic compound layer)
The organic EL device of the present invention has at least one organic compound layer including a light emitting layer, and as the organic compound layer other than the light emitting layer, as described above, a hole transport layer, an electron transport layer, a charge Examples of the layer include a block layer, a hole injection layer, and an electron injection layer.

((有機化合物層の形成))
本発明の有機EL素子において、有機化合物層を構成する各層は、蒸着法やスパッタ法等の乾式製膜法、転写法、印刷法等いずれによっても好適に形成することができる。
((Formation of organic compound layer))
In the organic EL device of the present invention, each layer constituting the organic compound layer can be suitably formed by any of a dry film forming method such as a vapor deposition method and a sputtering method, a transfer method, and a printing method.

((発光層))
発光層は、電界印加時に、陽極、正孔注入層、または正孔輸送層から正孔を受け取り、陰極、電子注入層、または電子輸送層から電子を受け取り、正孔と電子の再結合の場を提供して発光させる機能を有する層である。本発明における発光層は、発光材料のみで構成されていても良く、ホスト材料と発光材料の混合層とした構成でも良い。発光材料は蛍光発光材料でも燐光発光材料であっても良く、ドーパントは1種であっても2種以上であっても良い。ホスト材料は電荷輸送材料であることが好ましい。ホスト材料は1種であっても2種以上であっても良く、例えば、電子輸送性のホスト材料とホール輸送性のホスト材料を混合した構成が挙げられる。さらに、発光層中に電荷輸送性を有さず、発光しない材料を含んでいても良い。また、発光層は1層であっても2層以上であってもよく、それぞれの層が異なる発光色で発光してもよい。
((Light emitting layer))
The light-emitting layer receives holes from the anode, the hole injection layer, or the hole transport layer when an electric field is applied, receives electrons from the cathode, the electron injection layer, or the electron transport layer, and recombines holes and electrons. It is a layer which has the function to provide and to emit light. The light emitting layer in the present invention may be composed of only a light emitting material, or may be a mixed layer of a host material and a light emitting material. The light emitting material may be a fluorescent light emitting material or a phosphorescent light emitting material, and the dopant may be one type or two or more types. The host material is preferably a charge transport material. The host material may be one type or two or more types, and examples thereof include a configuration in which an electron transporting host material and a hole transporting host material are mixed. Further, the light emitting layer may include a material that does not have charge transporting properties and does not emit light. Further, the light emitting layer may be a single layer or two or more layers, and each layer may emit light in different emission colors.

本発明に使用できる蛍光発光材料の例としては、例えば、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、スチリルベンゼン誘導体、ポリフェニル誘導体、ジフェニルブタジエン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、ナフタルイミド誘導体、クマリン誘導体、縮合芳香族化合物、ペリノン誘導体、オキサジアゾール誘導体、オキサジン誘導体、アルダジン誘導体、ピラリジン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、ビススチリルアントラセン誘導体、キナクリドン誘導体、ピロロピリジン誘導体、チアジアゾロピリジン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、スチリルアミン誘導体、ジケトピロロピロール誘導体、芳香族ジメチリディン化合物、8−キノリノール誘導体の金属錯体やピロメテン誘導体の金属錯体に代表される各種金属錯体等、ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン等のポリマー化合物、有機シラン誘導体などの化合物等が挙げられる。   Examples of fluorescent materials that can be used in the present invention include, for example, benzoxazole derivatives, benzimidazole derivatives, benzothiazole derivatives, styrylbenzene derivatives, polyphenyl derivatives, diphenylbutadiene derivatives, tetraphenylbutadiene derivatives, naphthalimide derivatives, coumarin derivatives. , Condensed aromatic compounds, perinone derivatives, oxadiazole derivatives, oxazine derivatives, aldazine derivatives, pyralidine derivatives, cyclopentadiene derivatives, bisstyrylanthracene derivatives, quinacridone derivatives, pyrrolopyridine derivatives, thiadiazolopyridine derivatives, cyclopentadiene derivatives, styryl Of amine derivatives, diketopyrrolopyrrole derivatives, aromatic dimethylidin compounds, metal complexes of 8-quinolinol derivatives and pyromethene derivatives And various metal complexes typified by metal complex, polythiophene, polyphenylene, polyphenylene vinylene polymer compounds include compounds such as organic silane derivatives.

また、本発明に使用できる燐光発光材料は、例えば、遷移金属原子またはランタノイド原子を含む錯体が挙げられる。遷移金属原子としては、特に限定されないが、好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、タングステン、レニウム、オスミウム、イリジウム、および白金が挙げられ、より好ましくは、レニウム、イリジウム、および白金である。ランタノイド原子としては、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ユーロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、ルテシウムが挙げられる。これらのランタノイド原子の中でも、ネオジム、ユーロピウム、およびガドリニウムが好ましい。   Examples of the phosphorescent material that can be used in the present invention include a complex containing a transition metal atom or a lanthanoid atom. Although it does not specifically limit as a transition metal atom, Preferably, ruthenium, rhodium, palladium, tungsten, rhenium, osmium, iridium, and platinum are mentioned, More preferably, they are rhenium, iridium, and platinum. Examples of lanthanoid atoms include lanthanum, cerium, praseodymium, neodymium, samarium, europium, gadolinium, terbium, dysprosium, holmium, erbium, thulium, ytterbium, and lutetium. Among these lanthanoid atoms, neodymium, europium, and gadolinium are preferable.

錯体の配位子としては、例えば、G.Wilkinson等著,Comprehensive Coordination Chemistry, Pergamon Press社1987年発行、H.Yersin著,「Photochemistry and Photophysics of Coordination Compounds」 Springer-Verlag社1987年発行、山本明夫著「有機金属化学−基礎と応用−」裳華房社1982年発行等に記載の配位子などが挙げられる。具体的な配位子としては、好ましくは、ハロゲン配位子(好ましくは塩素配位子)、含窒素ヘテロ環配位子(例えば、フェニルピリジン、ベンゾキノリン、キノリノール、ビピリジル、フェナントロリンなど)、ジケトン配位子(例えば、アセチルアセトンなど)、カルボン酸配位子(例えば、酢酸配位子など)、一酸化炭素配位子、イソニトリル配位子、シアノ配位子であり、より好ましくは、含窒素ヘテロ環配位子である。上記錯体は、化合物中に遷移金属原子を一つ有してもよいし、また、2つ以上有するいわゆる複核錯体であってもよい。異種の金属原子を同時に含有していてもよい。   Examples of the ligand of the complex include G. Wilkinson et al., Comprehensive Coordination Chemistry, Pergamon Press, 1987, H. Yersin, “Photochemistry and Photophysics of Coordination Compounds,” Springer-Verlag, 1987, Akio Yamamoto. Examples of the ligands described in the book “Organic Metal Chemistry-Fundamentals and Applications-” published in 1982 by Hankabosha. Specific ligands are preferably halogen ligands (preferably chlorine ligands), nitrogen-containing heterocyclic ligands (eg, phenylpyridine, benzoquinoline, quinolinol, bipyridyl, phenanthroline, etc.), diketones Ligand (for example, acetylacetone), carboxylic acid ligand (for example, acetic acid ligand), carbon monoxide ligand, isonitrile ligand, cyano ligand, more preferably nitrogen-containing Heterocyclic ligand. The complex may have one transition metal atom in the compound, or may be a so-called binuclear complex having two or more. Different metal atoms may be contained at the same time.

燐光発光材料は、発光層中に、0.1〜40質量%含有されることが好ましく、0.5〜20質量%含有されることがより好ましい。また、本発明における発光層に含有されるホスト材料としては、例えば、カルバゾール骨格を有するもの、ジアリールアミン骨格を有するもの、ピリジン骨格を有するもの、ピラジン骨格を有するもの、トリアジン骨格を有するものおよびアリールシラン骨格を有するものや、後述の正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層の項で例示されている材料が挙げられる。発光層の厚さは、特に限定されるものではないが、通常、1nm〜500nmであるのが好ましく、5nm〜200nmであるのがより好ましく、10nm〜100nmであるのがさらに好ましい。   The phosphorescent material is preferably contained in the light emitting layer in an amount of 0.1 to 40% by mass, and more preferably 0.5 to 20% by mass. Examples of the host material contained in the light emitting layer in the present invention include those having a carbazole skeleton, those having a diarylamine skeleton, those having a pyridine skeleton, those having a pyrazine skeleton, those having a triazine skeleton, and aryl. Examples thereof include materials having a silane skeleton and materials exemplified in the sections of a hole injection layer, a hole transport layer, an electron injection layer, and an electron transport layer described later. Although the thickness of a light emitting layer is not specifically limited, Usually, it is preferable that they are 1 nm-500 nm, it is more preferable that they are 5 nm-200 nm, and it is further more preferable that they are 10 nm-100 nm.

((正孔注入層、正孔輸送層))
正孔注入層、正孔輸送層は、陽極または陽極側から正孔を受け取り陰極側に輸送する機能を有する層である。正孔注入層、正孔輸送層は、具体的には、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、ポルフィリン系化合物、有機シラン誘導体、カーボン、等を含有する層であることが好ましい。正孔注入層、正孔輸送層の厚さは、駆動電圧を下げるという観点から、各々500nm以下であることが好ましい。
((Hole injection layer, hole transport layer))
The hole injection layer and the hole transport layer are layers having a function of receiving holes from the anode or the anode side and transporting them to the cathode side. Specifically, the hole injection layer and the hole transport layer are carbazole derivatives, triazole derivatives, oxazole derivatives, oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives, pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, arylamines. Derivatives, amino-substituted chalcone derivatives, styrylanthracene derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, stilbene derivatives, silazane derivatives, aromatic tertiary amine compounds, styrylamine compounds, aromatic dimethylidin compounds, porphyrin compounds, organosilane derivatives, carbon , Etc. are preferable. The thicknesses of the hole injection layer and the hole transport layer are each preferably 500 nm or less from the viewpoint of lowering the driving voltage.

正孔輸送層の厚さとしては、1nm〜500nmであるのが好ましく、5nm〜200nmであるのがより好ましく、10nm〜100nmであるのがさらに好ましい。また、正孔注入層の厚さとしては、0.1nm〜200nmであるのが好ましく、0.5nm〜100nmであるのがより好ましく、1nm〜100nmであるのがさらに好ましい。正孔注入層、正孔輸送層は、上述した材料の1種または2種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成または異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。   The thickness of the hole transport layer is preferably 1 nm to 500 nm, more preferably 5 nm to 200 nm, and even more preferably 10 nm to 100 nm. In addition, the thickness of the hole injection layer is preferably 0.1 nm to 200 nm, more preferably 0.5 nm to 100 nm, and further preferably 1 nm to 100 nm. The hole injection layer and the hole transport layer may have a single-layer structure composed of one or more of the above-described materials, or may have a multilayer structure composed of a plurality of layers having the same composition or different compositions. .

((電子注入層、電子輸送層))
電子注入層、電子輸送層は、陰極または陰極側から電子を受け取り陽極側に輸送する機能を有する層である。電子注入層、電子輸送層は、具体的には、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレン、ペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、8−キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、有機シラン誘導体、等を含有する層であることが好ましい。
((Electron injection layer, electron transport layer))
The electron injection layer and the electron transport layer are layers having a function of receiving electrons from the cathode or the cathode side and transporting them to the anode side. Specifically, the electron injection layer and the electron transport layer are triazole derivatives, oxazole derivatives, oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, fluorenone derivatives, anthraquinodimethane derivatives, anthrone derivatives, diphenylquinone derivatives, thiopyran dioxide derivatives, Carbodiimide derivatives, fluorenylidenemethane derivatives, distyrylpyrazine derivatives, aromatic tetracarboxylic anhydrides such as naphthalene and perylene, phthalocyanine derivatives, metal complexes of 8-quinolinol derivatives, metal phthalocyanines, benzoxazoles and benzothiazoles as ligands It is preferably a layer containing various metal complexes typified by metal complexes, organosilane derivatives, and the like.

電子注入層、電子輸送層の厚さは、駆動電圧を下げるという観点から、各々50nm以下であることが好ましい。電子輸送層の厚さとしては、1nm〜500nmであるのが好ましく、5nm〜200nmであるのがより好ましく、10nm〜100nmであるのがさらに好ましい。また、電子注入層の厚さとしては、0.1nm〜200nmであるのが好ましく、0.2nm〜100nmであるのがより好ましく、0.5nm〜50nmであるのがさらに好ましい。電子注入層、電子輸送層は、上述した材料の1種または2種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成または異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。   The thicknesses of the electron injection layer and the electron transport layer are each preferably 50 nm or less from the viewpoint of lowering the driving voltage. The thickness of the electron transport layer is preferably 1 nm to 500 nm, more preferably 5 nm to 200 nm, and even more preferably 10 nm to 100 nm. In addition, the thickness of the electron injection layer is preferably 0.1 nm to 200 nm, more preferably 0.2 nm to 100 nm, and further preferably 0.5 nm to 50 nm. The electron injection layer and the electron transport layer may have a single layer structure composed of one or more of the above-described materials, or may have a multilayer structure composed of a plurality of layers having the same composition or different compositions.

((正孔ブロック層))
正孔ブロック層は、陽極側から発光層に輸送された正孔が、陰極側に通りぬけることを防止する機能を有する層である。本発明において、発光層と陰極側で隣接する有機化合物層として、正孔ブロック層を設けることができる。正孔ブロック層を構成する有機化合物の例としては、BAlq等のアルミニウム錯体、トリアゾール誘導体、BCP等のフェナントロリン誘導体、等が挙げられる。正孔ブロック層の厚さとしては、1nm〜500nmであるのが好ましく、5nm〜200nmであるのがより好ましく、10nm〜100nmであるのがさらに好ましい。正孔ブロック層は、上述した材料の1種または2種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成または異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
((Hole blocking layer))
The hole blocking layer is a layer having a function of preventing holes transported from the anode side to the light emitting layer from passing through to the cathode side. In the present invention, a hole blocking layer can be provided as an organic compound layer adjacent to the light emitting layer on the cathode side. Examples of the organic compound constituting the hole blocking layer include aluminum complexes such as BAlq, triazole derivatives, phenanthroline derivatives such as BCP, and the like. The thickness of the hole blocking layer is preferably 1 nm to 500 nm, more preferably 5 nm to 200 nm, and even more preferably 10 nm to 100 nm. The hole blocking layer may have a single layer structure composed of one or more of the above-described materials, or may have a multilayer structure composed of a plurality of layers having the same composition or different compositions.

(保護層)
本発明において、有機EL素子全体は、保護層によって保護されていてもよい。
保護層に含まれる材料としては、平坦化作用を持つ材料、水分や酸素が素子内に入ることを抑止する機能を有しているものが好ましい。具体例としては、In、Sn、Pb、Au、Cu、Ag、Al、Ti、Ni等の金属、MgO、SiO、SiO2、Al23、GeO、NiO、CaO、BaO、Fe23、Y23、TiO2等の金属酸化物、SiNx等の金属窒化物、SiNxy等の金属窒化酸化物、MgF2、LiF、AlF3、CaF2等の金属フッ化物、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルメタクリレート、ポリイミド、ポリウレア、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリジクロロジフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレンとジクロロジフルオロエチレンとの共重合体、テトラフルオロエチレンと少なくとも1種のコモノマーとを含むモノマー混合物を共重合させて得られる共重合体、共重合主鎖に環状構造を有する含フッ素共重合体、吸水率1%以上の吸水性物質、吸水率0.1%以下の防湿性物質等が挙げられる。これらのうち、金属の酸化物、窒化物、窒化酸化物が好ましく、珪素の酸化物、窒化物、窒化酸化物が特に好ましい。
(Protective layer)
In the present invention, the entire organic EL element may be protected by a protective layer.
As a material contained in the protective layer, a material having a planarizing action and a material having a function of preventing moisture and oxygen from entering the element are preferable. Specific examples, In, Sn, Pb, Au , Cu, Ag, Al, Ti, a metal such as Ni, MgO, SiO, SiO 2, Al 2 O 3, GeO, NiO, CaO, BaO, Fe 2 O 3 , Y 2 O 3, TiO 2 and metal oxides, metal nitrides such as SiN x, SiN x O y or the like of metallic oxynitride, MgF 2, LiF, AlF 3 , CaF 2 , etc. of the metal fluoride, polyethylene , Polypropylene, polymethyl methacrylate, polyimide, polyurea, polytetrafluoroethylene, polychlorotrifluoroethylene, polydichlorodifluoroethylene, copolymer of chlorotrifluoroethylene and dichlorodifluoroethylene, tetrafluoroethylene and at least one comonomer A copolymer obtained by copolymerizing a monomer mixture containing a cyclic structure in the copolymer main chain Fluorine-containing copolymer having 1% by weight of the water absorbing water absorption material, water absorption of 0.1% or less of moisture-proof material, and the like. Of these, metal oxides, nitrides, and nitride oxides are preferable, and silicon oxides, nitrides, and nitride oxides are particularly preferable.

保護層の形成方法については、特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、MBE(分子線エピタキシ)法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法(高周波励起イオンプレーティング法)、プラズマCVD法、レーザーCVD法、熱CVD法、ガスソースCVD法、真空紫外CVD法、コーティング法、印刷法、転写法を適用できる。本発明においては、保護層が導電性層として使用されてもよい。   The method for forming the protective layer is not particularly limited, and for example, vacuum deposition, sputtering, reactive sputtering, MBE (molecular beam epitaxy), cluster ion beam, ion plating, plasma polymerization (high frequency) Excited ion plating method), plasma CVD method, laser CVD method, thermal CVD method, gas source CVD method, vacuum ultraviolet CVD method, coating method, printing method, transfer method can be applied. In the present invention, a protective layer may be used as the conductive layer.

(封止)
さらに、本発明の有機EL素子は、封止容器を用いて素子全体を封止してもよい。また、封止容器と発光素子の間の空間に水分吸収剤または不活性液体を封入してもよい。水分吸収剤としては、特に限定されることはないが、例えば、酸化バリウム、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、五酸化燐、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、塩化銅、フッ化セシウム、フッ化ニオブ、臭化カルシウム、臭化バナジウム、モレキュラーシーブ、ゼオライト、酸化マグネシウム等を挙げることができる。不活性液体としては、特に限定されることはないが、例えば、パラフィン類、流動パラフィン類、パーフルオロアルカンやパーフルオロアミン、パーフルオロエーテル等のフッ素系溶剤、塩素系溶剤、シリコーンオイル類が挙げられる。
(Sealing)
Furthermore, the organic EL device of the present invention may be sealed using a sealing container. Further, a moisture absorbent or an inert liquid may be enclosed in a space between the sealing container and the light emitting element. Although it does not specifically limit as a moisture absorber, For example, barium oxide, sodium oxide, potassium oxide, calcium oxide, sodium sulfate, calcium sulfate, magnesium sulfate, phosphorus pentoxide, calcium chloride, magnesium chloride, copper chloride Cesium fluoride, niobium fluoride, calcium bromide, vanadium bromide, molecular sieve, zeolite, magnesium oxide and the like. The inert liquid is not particularly limited, and examples thereof include fluorinated solvents such as paraffins, liquid paraffins, perfluoroalkanes, perfluoroamines, perfluoroethers, chlorinated solvents, and silicone oils. It is done.

別の封止法として、いわゆる固体封止法を用いても良い。固体封止法とは有機EL素子の上に保護層を形成した後、接着剤層、バリア性支持体層を重ねて硬化する方法である。接着剤は特に制限はないが、熱硬化性エポキシ樹脂、光硬化性アクリレート樹脂等が例示される。バリア性支持体はガラスでも良いし、本発明のバリア性プラスチック基板でも良い。   As another sealing method, a so-called solid sealing method may be used. The solid sealing method is a method in which a protective layer is formed on an organic EL element, and then an adhesive layer and a barrier support layer are stacked and cured. Although there is no restriction | limiting in particular in an adhesive agent, A thermosetting epoxy resin, a photocurable acrylate resin, etc. are illustrated. The barrier support may be glass or the barrier plastic substrate of the present invention.

さらに別の封止法として、いわゆる膜封止法を用いても良い。膜封止法とは有機EL素子の上に、無機層、有機層の交互積層体を設ける方法である。交互積層体を設ける前に、有機EL素子を保護層で覆っても良い。   As another sealing method, a so-called film sealing method may be used. The film sealing method is a method of providing an alternating laminate of an inorganic layer and an organic layer on an organic EL element. The organic EL element may be covered with a protective layer before providing the alternate laminate.

本発明の有機EL素子は、陽極と陰極との間に直流(必要に応じて交流成分を含んでもよい)電圧(通常2ボルト〜15ボルト)、または直流電流を印加することにより、発光を得ることができる。本発明の有機EL素子の駆動方法については、特開平2−148687号、同6−301355号、同5−29080号、同7−134558号、同8−234685号、同8−241047号の各公報、特許第2784615号公報、米国特許第5,828,429号、同6,023,308号の各明細書等に記載の駆動方法を適用することができる。   The organic EL device of the present invention obtains light emission by applying a direct current (which may include an alternating current component if necessary) voltage (usually 2 to 15 volts) or a direct current between the anode and the cathode. be able to. Regarding the driving method of the organic EL device of the present invention, each of JP-A-2-148687, JP-A-6-301355, JP-A-5-290080, JP-A-7-134558, JP-A-8-234658, and JP-A-8-2441047. The driving methods described in Japanese Patent Laid-Open No. 2784615, US Pat. Nos. 5,828,429 and 6,023,308 can be applied.

以上、本発明のバリア性フィルム基板の典型的な応用例として、有機EL素子へ適用した場合について詳細に説明したが、本発明のバリア性フィルム基板は有機EL素子以外の用途へも幅広く適用することができる。例えば、液晶表示装置などの画像表示装置などに適用することが可能である。   As described above, as a typical application example of the barrier film substrate of the present invention, the case where it is applied to an organic EL element has been described in detail. However, the barrier film substrate of the present invention is widely applied to uses other than the organic EL element. be able to. For example, the present invention can be applied to an image display device such as a liquid crystal display device.

以下に実施例を挙げて本発明の特徴をさらに具体的に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更することができる。したがって、本発明の範囲は以下に示す具体例により限定的に解釈されるべきものではない。   The features of the present invention will be described more specifically with reference to the following examples. The materials, amounts used, ratios, processing details, processing procedures, and the like shown in the following examples can be changed as appropriate without departing from the spirit of the present invention. Therefore, the scope of the present invention should not be construed as being limited by the specific examples shown below.

[実施例1] バリア性フィルム基板の作製と評価
プラスチックフィルム上に少なくとも第1の無機層、第1の有機層および第2の無機層を設けたバリア性フィルム基板BF−1〜BF−4を下記の手順にしたがって作製した。各フィルム基板の各層の組成の詳細は、表1に記載される通りである。
Example 1 Production and Evaluation of Barrier Film Substrate Barrier film substrates BF-1 to BF-4 in which at least a first inorganic layer, a first organic layer, and a second inorganic layer are provided on a plastic film are used. It produced according to the following procedure. Details of the composition of each layer of each film substrate are as described in Table 1.

(1)プラスチックフィルムの作製
樹脂Aを、濃度が15質量%になるようにジクロロメタン溶液に溶解し、該溶液をダイコーティング法によりステンレスバンド上に流延した。次いで、バンド上からフィルムを剥ぎ取り、残留溶媒濃度が0.08質量%になるまで乾燥させた。乾燥後、フィルムの両端をトリミングし、ナーリング加工した後に巻き取り、厚み100μmの基材となるプラスチックフィルムを作製した。作製したプラスチックフィルムのガラス転移温度(Tg)は355℃(DMA法)であった。
(1) Production of Plastic Film Resin A was dissolved in a dichloromethane solution so as to have a concentration of 15% by mass, and the solution was cast on a stainless steel band by a die coating method. Next, the film was peeled off from the band and dried until the residual solvent concentration became 0.08% by mass. After drying, the film was trimmed at both ends, wound up after knurling, and a plastic film serving as a substrate having a thickness of 100 μm was produced. The glass transition temperature (Tg) of the produced plastic film was 355 ° C. (DMA method).

(2)バリア性フィルム基板の作製
(2−1)第1の無機層の形成
スパッタリング装置を用いて、(1)で作製したプラスチックフィルム上に無機層(酸化アルミニウム)を形成した。ターゲットとしてアルミニウム、放電ガスとしてアルゴン、反応ガスとして酸素をそれぞれ用いた。成膜圧力は0.1Pa、到達膜厚は50nmであった。
(2) Production of barrier film substrate (2-1) Formation of first inorganic layer An inorganic layer (aluminum oxide) was formed on the plastic film produced in (1) using a sputtering apparatus. Aluminum was used as a target, argon was used as a discharge gas, and oxygen was used as a reaction gas. The film formation pressure was 0.1 Pa, and the ultimate film thickness was 50 nm.

(2−2)第1の有機層の形成
プラスチックフィルム上に形成した第1の無機層の上に、表1に示す組成のモノマー20g、紫外線重合開始剤(チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製、イルガキュアー184の商品名で市販されているもの)0.6g、2−ブタノン200gの混合溶液を液厚5μmとなるようにワイヤーバーを用いて塗布した。室温にて2時間乾燥した後、高圧水銀ランプの紫外線を照射して硬化させ(積算照射量約2J/cm2)、有機層を形成した。膜厚はいずれの場合も約500nmであった。
(2-2) Formation of first organic layer On the first inorganic layer formed on the plastic film, 20 g of a monomer having the composition shown in Table 1, an ultraviolet polymerization initiator (manufactured by Ciba Specialty Chemicals, Irga) A mixture solution of 0.6 g and 200 g of 2-butanone was applied using a wire bar so as to have a liquid thickness of 5 μm. After drying at room temperature for 2 hours, it was cured by irradiating with ultraviolet rays from a high-pressure mercury lamp (accumulated dose: about 2 J / cm 2 ) to form an organic layer. The film thickness was about 500 nm in all cases.

(2−3)第2の無機層の形成
第1の無機層と同様の方法で第1の有機層上に第2の無機層(酸化アルミニウム)を形成した。
(2-3) Formation of Second Inorganic Layer A second inorganic layer (aluminum oxide) was formed on the first organic layer in the same manner as the first inorganic layer.

(2−4)第2の有機層の形成
表1に示すように、バリア性フィルム基板BF−4を作製するときのみ、第1の有機層と同様の方法で第2の無機層上に第2の有機層を形成した。
(2-4) Formation of second organic layer As shown in Table 1, only when the barrier film substrate BF-4 is produced, the second organic layer is formed on the second inorganic layer in the same manner as the first organic layer. Two organic layers were formed.

(2−5)第3の無機層の形成
表1に示すように、バリア性フィルム基板BF−4を作製するときのみ、第2の無機層と同様の方法で第2の有機層上に第3の無機層(酸化アルミニウム)を形成した。
以上のようにしてバリア性フィルム基板BF−1〜BF−4を作製した。
(2-5) Formation of third inorganic layer As shown in Table 1, only when the barrier film substrate BF-4 is produced, the second inorganic layer is formed on the second organic layer in the same manner as the second inorganic layer. 3 inorganic layers (aluminum oxide) were formed.
Barrier film substrates BF-1 to BF-4 were produced as described above.

Figure 2007030387
Figure 2007030387

Figure 2007030387
Figure 2007030387

(3)バリア性フィルム基板の物性評価
下記の方法でバリア性フィルム基板BF−1〜BF−4の物性を評価した。
(3−1)水蒸気透過率
MOCON社製、「PERMATRAN−W3/31」を用いて、40℃・相対湿度90%における水蒸気透過率を各サンプルについて20箇所測定した。いずれのサンプルも過半数の測定部位において水蒸気透過率が検出限界以下(0.01g/m2・day以下と推定される)であった。
水蒸気透過率が観測可能な有限値を与えた部位をバリア性フィルム基板の故障部位と見なした。20箇所の中で正常部位の見出される確率を歩留まりと定義し、百分率で表した。歩留まりが70%以上のものを実用性ありと判定した。
(3−2)膜強度
JIS K5600-5-6(ISO2409)に準拠した方法(クロスカット剥離法)で、バリア層の膜強度を調べた。評価値は膜破壊の起きなかった面積の比率(百分率)で表した。膜強度が50%以上のものを実用性ありと判定した。
(3−3)評価結果
以上のようにして調べた各バリア性フィルム基板の物性値を表2に示した。膜強度は有機層がカルボキシル基を含有するBF−3およびBF−4が特に良好である。バリア性フィルム基板の歩留まりも膜強度の高いBF−3およびBF−4が良好であるが、2層の有機層と3層の無機層からなる有機層と無機層の交互積層体を有するBF−4の方がより歩留まりが高いことは明らかである。
(3) Physical property evaluation of barrier film substrate The physical properties of the barrier film substrates BF-1 to BF-4 were evaluated by the following methods.
(3-1) Water vapor transmission rate Using “PERMATRAN-W3 / 31” manufactured by MOCON, 20 water vapor transmission rates at 40 ° C. and 90% relative humidity were measured for each sample. In all samples, the water vapor transmission rate was less than the detection limit (estimated to be 0.01 g / m 2 · day or less) at the majority of the measurement sites.
The part which gave the finite value which water vapor permeability was observable was considered as the failure part of the barrier film substrate. The probability of finding a normal site in 20 locations was defined as the yield and expressed as a percentage. A product having a yield of 70% or more was determined to be practical.
(3-2) Film strength
The film strength of the barrier layer was examined by a method (cross-cut peeling method) based on JIS K5600-5-6 (ISO 2409). The evaluation value was expressed as a ratio (percentage) of the area where film destruction did not occur. A film having a film strength of 50% or more was determined to be practical.
(3-3) Evaluation Results Table 2 shows physical property values of the respective barrier film substrates examined as described above. The film strength is particularly good for BF-3 and BF-4 in which the organic layer contains a carboxyl group. BF-3 and BF-4 with high film strength are also good in the yield of the barrier film substrate, but BF- having an alternating laminate of an organic layer and an inorganic layer composed of two organic layers and three inorganic layers. It is clear that 4 is higher in yield.

Figure 2007030387
Figure 2007030387

[実施例2] 有機EL素子の作製と評価
(1)有機EL素子の作成
実施例1で作製したバリア性フィルム基板BF−1〜BF−4を真空チャンバー内に導入し、ITOターゲットを用いて、DCマグネトロンスパッタリングにより、厚み0.2μmのITO薄膜からなる透明電極を形成した。ITO膜を有するバリア性フィルム基板を洗浄容器に入れ、2−プロパノール中で超音波洗浄した後、30分間UV−オゾン処理を行った。この基板(陽極)上に真空蒸着法にて以下の有機化合物層を順次蒸着した。
(第1正孔輸送層)
銅フタロシアニン:膜厚10nm
(第2正孔輸送層)
NPD:膜厚40nm
(発光層兼電子輸送層)
Alq:膜厚60nm
[Example 2] Production and evaluation of organic EL element (1) Production of organic EL element Barrier film substrates BF-1 to BF-4 produced in Example 1 were introduced into a vacuum chamber, and an ITO target was used. A transparent electrode made of an ITO thin film having a thickness of 0.2 μm was formed by DC magnetron sputtering. A barrier film substrate having an ITO film was placed in a cleaning container, subjected to ultrasonic cleaning in 2-propanol, and then subjected to UV-ozone treatment for 30 minutes. The following organic compound layers were sequentially deposited on this substrate (anode) by vacuum deposition.
(First hole transport layer)
Copper phthalocyanine: film thickness 10nm
(Second hole transport layer)
NPD: film thickness 40nm
(Light emitting layer and electron transport layer)
Alq: 60 nm film thickness

Figure 2007030387
Figure 2007030387

最後にフッ化リチウムを1nm、金属アルミニウムを100nm順次蒸着し陰極とした。
このものを、大気に触れさせること無く、アルゴンガスで置換したグローブボックス内に入れ、ガラス製の封止缶および紫外線硬化型の接着剤(XNR5516HV、長瀬チバ(株)製)を用いて封止し、有機EL素子OEL−1〜OEL−4を得た。
Finally, 1 nm of lithium fluoride and 100 nm of metal aluminum were sequentially deposited to form a cathode.
This is put in a glove box substituted with argon gas without being exposed to the atmosphere, and sealed with a glass sealing can and an ultraviolet curable adhesive (XNR5516HV, manufactured by Nagase Ciba Co., Ltd.). Thus, organic EL elements OEL-1 to OEL-4 were obtained.

(2)有機EL素子の評価
製造した各有機EL素子に9Vの電圧を印加して発光させた。いずれの素子もAlqに由来する緑色の発光を示した。発光面状を顕微鏡で観察したところ、OEL−1はダークスポットが多数観察された。一方、OEL2〜4にはダークスポットが観察されなかった。
(2) Evaluation of organic EL element A voltage of 9 V was applied to each manufactured organic EL element to emit light. All the elements showed green light emission derived from Alq. When the light emitting surface was observed with a microscope, many dark spots were observed in OEL-1. On the other hand, no dark spots were observed in OEL2-4.

本発明のバリア性フィルム基板は、水蒸気に対するバリア性が高く、膜強度が高い。また、有機ELの基板として用いた時に、ダークスポットが発生しないという長所を有する。このため、本発明は産業上の利用可能性が高い。   The barrier film substrate of the present invention has a high barrier property against water vapor and a high film strength. Further, when used as an organic EL substrate, there is an advantage that no dark spot is generated. For this reason, this invention has high industrial applicability.

Claims (7)

プラスチックフィルム上に少なくとも1層の有機層と少なくとも2層の無機層から成る有機層と無機層の交互積層体を有してなるバリア性フィルム基板であって、前記有機層がポリウレア、ポリウレタン、ポリアミド、ポリイミド、ポリアクリレートおよびポリメタクリレートからなる群より選択される1以上の有機化合物を含み、前記有機層に含まれる有機化合物の99.5質量%以上が25℃において固体であることを特徴とするバリア性フィルム基板。   A barrier film substrate comprising an alternating laminate of an organic layer and an inorganic layer comprising at least one organic layer and at least two inorganic layers on a plastic film, wherein the organic layer is polyurea, polyurethane, polyamide , Containing at least one organic compound selected from the group consisting of polyimide, polyacrylate and polymethacrylate, wherein 99.5% by mass or more of the organic compound contained in the organic layer is solid at 25 ° C. Barrier film substrate. ポリウレア、ポリウレタン、ポリアミド、ポリイミド、ポリアクリレートおよびポリメタクリレートからなる群より選択される前記有機化合物が、カルボキシル基またはホスホン酸基を有することを特徴とする請求項1に記載のバリア性フィルム基板。   The barrier film substrate according to claim 1, wherein the organic compound selected from the group consisting of polyurea, polyurethane, polyamide, polyimide, polyacrylate, and polymethacrylate has a carboxyl group or a phosphonic acid group. 前記無機層の少なくとも1層がSi、Al、In、Sn、ZnおよびTiからなる群より選択される1以上の金属の酸化物、窒化物または酸化窒化物を含むことを特徴とする請求項1または2に記載のバリア性フィルム基板。   2. The inorganic layer includes at least one oxide, nitride, or oxynitride of one or more metals selected from the group consisting of Si, Al, In, Sn, Zn, and Ti. Or the barrier film substrate according to 2; 前記交互積層体が少なくとも2層の有機層と少なくとも3層の無機層からなることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載のバリア性フィルム基板。   The barrier film substrate according to any one of claims 1 to 3, wherein the alternate laminate is composed of at least two organic layers and at least three inorganic layers. 40℃・相対湿度90%における水蒸気透過率が0.01g/m2・day以下であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載のバリア性フィルム基板。 The barrier film substrate according to any one of claims 1 to 4, wherein water vapor permeability at 40 ° C and relative humidity 90% is 0.01 g / m 2 · day or less. 前記プラスチックフィルムのガラス転移温度が120℃以上であることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載のバリア性フィルム基板。   The glass transition temperature of the said plastic film is 120 degreeC or more, The barrier film substrate as described in any one of Claims 1-5 characterized by the above-mentioned. 請求項1〜6のいずれか一項にに記載のバリア性フィルム基板を用いたことを特徴とする有機電界発光素子。 The organic electroluminescent element using the barrier film substrate as described in any one of Claims 1-6.
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