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JP2007024770A - 障害物検出装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】 小型・低コストで、車のバンパー等に装着するに際して取り付け精度の影響を受け難く、水滴やごみの付着および湿度変化による検出精度劣化の問題を解決できる障害物検出装置を提供すること。
【解決手段】 電気信号を超音波に変換して発信する少なくとも1個の送信素子111と、受信した超音波を電気信号に変換する少なくとも2個の受信素子112を同一基板10上に形成してなり、周辺の障害物を検出する超音波センサ110と、超音波センサ110の検出範囲とは少なくとも一部が異なる検出範囲を有し、この検出範囲内の障害物を検出する画像センサ120とを備え、超音波センサ110と画像センサ120とを、同一筐体130内に配置した。
【選択図】 図1

Description

本発明は、少なくとも超音波センサを備えた障害物検出装置に関するものである。
例えば特許文献1には、自動車等の車両に搭載され、障害物検出等に用いられる超音波センサ装置が開示されている。超音波センサ装置は、超音波の送信素子と受信素子(1つの素子にて兼用する場合も有)を備えており、送信素子から超音波を送信して、障害物に当たって反射された超音波を受信素子により受信する。そして、受信素子により受信された超音波の音圧、時間差、位相差により、障害物のある方向や距離を演算処理して検出したり、障害物の凹凸具合を判断したりすることに用いられる。
このような超音波センサ装置に用いられる受信素子として、近年、基板の薄肉部として形成されたメンブレン上に圧電体薄膜からなる振動子が形成された素子が注目されている。メンブレン構造を有する受信素子は、半導体のマイクロマシニング技術により形成されており、以下MEMS(Micro Electro Mechanical System)型の超音波センサ素子と呼ぶ。このようなMEMS型の超音波センサ素子とそれを用いた超音波アレイセンサ装置が、例えば特許文献2に開示されている。この超音波センサ素子(受信素子)は、強誘電体であるPZTセラミックス薄膜層を2つの電極で挟設してなり、所定の共振周波数を有して超音波を検出する圧電センサで構成され、超音波センサ素子の測定動作中において、上記2つの電極間に所定のバイアス電圧を印加することにより超音波センサ素子の共振周波数を変化させることができる。
特開2001−16694号公報 特開2003−284182号公報
ところが、上記構成においては、超音波音源と超音波アレイセンサ装置が別体となっており、それぞれの製造コストが必要である。また、車のバンパー等に装着するに際して、超音波音源と超音波アレイセンサ装置の取り付け精度が障害物の方向や距離の検出精度に影響すると共に、両者の装着間隔も大きくなる。
また、車のバンパーに直接搭載する超音波センサ装置においては、超音波センサ素子の表面に水滴やごみが付着すると、正確に障害物までの距離を測定できなくなる。さらに、空気中を伝播する超音波の減衰は空気の温度や湿度に依存するが、これらは車の周辺環境により異なる為、温度変化および湿度変化の影響で障害物の検出精度が悪くなるといった問題がある。特に、車の周辺環境の温度については外気温センサ等で環境温度を測定できるが、湿度については車室外に搭載できる適当な湿度センサがなく、上記問題が解決できていない。
そこで本発明は、小型・低コストで、車のバンパー等に装着するに際して取り付け精度の影響を受け難く、水滴やごみの付着および湿度変化による検出精度劣化の問題を解決できる障害物検出装置を提供することを目的としている。
上記目的を達成する為に請求項1に記載の発明は、電気信号を超音波に変換して発信する少なくとも1個の送信素子と、受信した超音波を電気信号に変換する少なくとも2個の受信素子を同一基板上に形成してなり、周辺の障害物を検出する超音波センサと、超音波センサの検出範囲とは少なくとも一部が異なる検出範囲を有し、この検出範囲内の障害物を検出する検出手段とを備え、超音波センサと検出手段とを、同一筐体内に配置してなることを特徴とする。
これによれば、超音波センサを構成する送信素子と受信素子が同一基板に集積化されて製造されるため、送信素子と受信素子を別体として構成した超音波センサに比べて、小型で低コストの超音波センサ、すなわち障害物検出装置とすることができる。また、送信素子および受信素子の位置関係が基板上で正確に設定されるため、車のバンパー等に装着するに際して取り付け精度の影響を受け難い構成である。
また、超音波センサを構成する送信素子と受信素子の数を増やしても、同一基板上に形成するため、製造コストはほとんど変わらない。
さらには、上記超音波センサとともに、超音波センサとは検出範囲の少なくとも一部が異なる検出手段を同一の筐体内に配置している。従って、2つの検出手段により確実な障害物検出ができ、より広い範囲の障害物を検出することができる。またそのような構成でありながら、小型で低コストの障害物検出装置となっている。尚、検出範囲の少なくとも一部が異なるとは、例えば検出手段の検出範囲が超音波センサの検出範囲を全て含むもの(超音波センサの検出範囲より大きい)であっても良いし、逆に検出手段の検出範囲が超音波センサの検出範囲に全て含まれるもの(超音波センサの検出範囲より小さい)であっても良い。
請求項2に記載のように、基板上に、検出手段を構成してなることが好ましい。このように、超音波センサと検出手段を1チップ構成とすれば、より小型で低コストの障害物検出装置とすることができる。
請求項3に記載のように、受信素子を3個以上とすると良い。この場合、1個の受信素子の破損や動作不良があっても、他の受信素子の信号を比較することにより、動作不良検知機能を有するように構成することができる。これにより、低コストで、且つ水滴やごみの付着による動作不良に対処した超音波センサとすることができる。
尚、請求項4に記載のように、前記受信素子を4個とすることで、簡単な演算処理により上記動作不良検知機能を持たせることができると共に、フェールセーフ機能も持たせることができる。
請求項5に記載のように、送信素子が複数の異なる周波数の超音波を発信するようにしても良い。この場合、簡単な演算処理により湿度補正機能を有するように構成することができる。これにより、低コストで、且つ湿度変化による検出精度劣化の問題に対処した超音波センサとすることができる。
尚、請求項6に記載のように、送信素子を2個とし、両者が異なる周波数の超音波を送信するようにすれば、湿度補正機能を有する超音波センサを簡単に構成することができる。
超音波センサの具体的構成としては、例えば請求項7に記載のように、基板に、それぞれの送信素子及び受信素子に対応して薄肉部としてのメンブレンが複数形成され、メンブレン上に、送信素子及び受信素子が形成された構成としても良い。この場合、基板の一部であるメンブレンを振動面として超音波センサを構成することができる。
その際、請求項8に記載のように、送信素子及び受信素子として、メンブレンとともに所定の超音波帯周波数で共振するように構成された圧電振動子を適用することができる。しかしながら、送信素子及び受信素子の構成は上記例に限定されるものではない。例えば容量式やピエゾ式の素子等でも良い。
メンブレン上に送信素子及び受信素子が形成された構成において、請求項9に記載のように、検出手段の少なくとも一部を、メンブレン上に形成しても良い。超音波センサの感度を大きく低下させない範囲で、検出手段の少なくとも一部をメンブレン上に形成することで、より小型化することができる。尚、構成上可能であれば、メンブレンの一方の表面側に送信素子及び受信素子を形成し、他方の表面側に検出手段の少なくとも一部を形成しても良いし、同一表面側に送信素子及び受信素子と検出手段を形成しても良い。
検出手段としては、超音波センサの検出範囲とは少なくとも一部が異なる検出範囲を有し、この検出範囲内の障害物を検出するものであれば適用が可能である。例えば、請求項10に記載のように、画素を構成するように二次元配列され、入射される光の強度に応じた電気信号を生じる複数の光検出素子と、所定の角度範囲からの光を光検出素子に入射するためのレンズを有する画像センサを適用しても良い。
この場合、画像センサではレンズ等から歪が生じやすい近距離の広角部位を超音波センサにて検出し、遠距離を画像センサにて検出することができる。従って、広い範囲において障害物を検出することができる。尚、光検出素子を送信素子及び受信素子が形成された基板に形成する(超音波センサと画像センサを1チップ構成とする)ことで、より小型化することができる。また、メンブレン上に形成することで、さらに小型化することができる。
尚、画像センサを構成するレンズは、例えば請求項11に記載のように、開口部の設けられた筐体に対し、開口部を塞ぐように筐体に固定すれば良い。
また、請求項12に記載のように、検出手段として、障害物からの赤外線を検出する赤外線センサを少なくとも有する構成を適用しても良い。この場合、近距離を超音波センサにて検出し、遠距離を赤外線センサにて検出することができる。従って、広い範囲において障害物を検出することができる。尚、超音波センサ及び赤外線センサは、ともに夜間での検出が可能であるので、夜間用の障害物検出装置とすることもできる。尚、障害物からの赤外線とは、障害物から発せられる赤外線でも良いし、障害物で反射された赤外線でも良い。
赤外線センサとしては、例えば請求項13に記載のように、赤外線を受光したときに生じる温度変化に基づいて電気信号を生じる赤外線検出素子と、検出素子の少なくとも一部を被覆する赤外線吸収膜とにより構成されるものを適用することができる。この場合、赤外線検出素子及び赤外線吸収膜を基板上に形成する(超音波センサと赤外線センサを1チップ構成とする)ことで、より小型化することができる。また、メンブレン上に形成することで、さらに小型化することができる。
請求項14に記載のように、検出手段として、赤外線センサとともに、抵抗体を発熱させることにより赤外線を放射する赤外線光源を有する構成とすると良い。この場合、赤外線光源から発せられた赤外線を障害物が反射し、この反射光を赤外線センサにて検出することで、障害物を検知することができる。
特に、同一の基板に赤外線光源と赤外線センサを構成すると、位置関係を基板上で正確に設定することができるので、取り付け精度の影響を受け難い構成である。尚、超音波センサと同一基板に構成することで、障害物検出装置をより小型化することができる。
また、請求項15に記載のように、検出手段として、送信波を生じるレーザ発生素子若しくはミリ波発生素子と、障害物によって反射された反射波を受信した際に、その反射波の強度に応じた電気信号を生じるレーザ検出素子若しくはミリ波検出素子を有する構成を適用しても良い。
この場合、近距離を超音波センサにて検出し、遠距離をレーダ手段(レーザ発生素子若しくはミリ波発生素子と、レーザ検出素子若しくはミリ波検出素子)にて検出することができる。従って、広い範囲において障害物を検出することができる。この場合も、レーザ発生素子若しくはミリ波発生素子と、レーザ検出素子若しくはミリ波検出素子を基板上に形成する(超音波センサとレーダ手段を1チップ構成とする)ことで、装置をより小型化することができる。また、メンブレン上に形成することで、さらに小型化することができる。
以下、本発明を実施するための最良の形態を、図に基づいて説明する。以下に示す障害物検出装置は、例えば車両に設置され、車両周辺の障害物を検出するように構成されている。
(第1の実施形態)
本実施形態に係る障害物検出装置には、大きく分けて2つの特徴点がある。一方は、超音波センサと検出手段を同一筐体内に配置してなる点であり、他方は、超音波センサの構成にある。先ず、前者について説明する。
図1は、本実施形態に係る障害物検出装置の概略構成を示す図であり、(a)は断面図、(b)は筐体の一部を省略した斜視図である。
図1(a),(b)に示すように、本実施形態に係る障害物検出装置100は、車両に対して近距離における障害物を検出する超音波センサ110と、超音波センサ100の検出範囲とは少なくとも一部が異なる検出範囲を有する検出手段としての画像センサ120とを、同一の筐体130内に配置してなることを特徴とする。
このように、本実施形態に係る障害物検出装置100によると、超音波センサ110とともに、超音波センサ110とは検出範囲の少なくとも一部が異なる画像センサ120を同一の筐体130内に配置している。すなわち、障害物を検出することができ、検出範囲の異なる複数のセンサ110,120をフュージョンし、1つの装置100として構成している。従って、より広範囲の障害物を検出することができ、同じ障害物を2つのセンサ110,120で検出することで検出精度が向上できる構成でありながら、小型で低コストの障害物検出装置100となっている。尚、検出範囲が異なるとは検出範囲が全く一致する場合を除く状態である。例えば、一方の検出範囲が他方の検出範囲を含むものであっても良い。
また、本実施形態においては、同一の筐体130内に超音波センサ110と画像センサ120を配置しただけでなく、例えばシリコン等の同一の半導体基板10に超音波センサ110を構成する送信素子111及び受信素子112と、画像センサ120を構成する光検出素子121を形成している。すなわち、超音波センサ110と画像センサ120を1チップ構成としているので、より小型で低コストの障害物検出装置100となっている。また、画像センサ120ではレンズ等から歪が生じやすい近距離の広角部位を超音波センサ110にて検出し、遠距離を画像センサ120にて検出することができる。従って、本実施形態に係る障害物検出装置100は、広い範囲において障害物を検出することができる。
光検出素子121としては、画素を構成するように二次元配列され、入射される光の強度に応じた電気信号を生じる公知のCCDイメージセンサやCMOSイメージセンサ等を適用することができる。そして、画像センサ130から出力された画素値の集合である画像信号を制御部が処理することにより、例えば画像信号に基づく画像を出力したり、障害物の検出(認識)を行うことができる。
このように、CCDイメージセンサやCMOSイメージセンサを光検出素子121として適用するので、特に半導体基板10としてのシリコンに、送信素子111及び受信素子112と集積化しやすい。また、半導体基板10に、超音波センサ110及び画像センサ120の処理回路部を形成することもできる。本実施形態においては、回路基板11に超音波センサ110及び画像センサ120の処理回路部(図示略)が形成されている。
尚、本実施形態における筐体130は、半導体基板10が実装された回路基板11と、回路基板11上に固定されたケース12とにより構成されており、送信素子111及び受信素子112は、回路基板11と電気的に接続されている。
送信素子111及び受信素子112の前方(ケース12の上面)に当たるケース12の部位は、送信素子111及び受信素子112を保護するための保護部位12aとなっており、本実施形態に示すように車両に適用する場合には、例えば各種金属(アルミニウム合金)、合成樹脂、ガラス、ゴム等の対候性を有する材料を適用することができる。ケース12全体を上記材料により構成しても良いし、保護部位12aのみを別材料にて構成しても良い。本実施形態においては、ケース12及び保護部位12aが同一の合成樹脂により構成されている。
また、ケース12の一部として、ケース12の保護部位12aと半導体基板10表面との間の空隙Sを送信素子111及び受信素子112毎に分離する分離部材12bが設けられている。そして、保護部位12a、分離部材12b、及び半導体基板10から構成される空隙S間に、充填部材14が配置されている。尚、分離部材12bを、ケース12と別部材とし、ケース12に固定する構成としても良い。
ここで、物質の音響インピーダンスは、その物質の密度と伝搬音速との積で表される。そして、物質間の音響インピーダンスが異なるほど、その物質間における音波の伝搬特性は悪化する。すなわち、空隙Sの充填部材14と保護部位12aの音響インピーダンスが異なるほど、例えば障害物にて反射された超音波は、保護部位12aで反射して充填部材13に伝搬しがたくなる。
そこで、本実施形態においては、充填部材14として液体、ゾル、ゲルのいずれかを適用している。この場合、充填部材14の音響インピーダンスを保護部位12aの音響インピーダンスに近づけることができ、例えば保護部位12aの振動を充填部材14を介して受信素子112へ確実に伝搬させることが可能となる。すなわち、各受信素子112の感度を向上することができる。
尚、本実施形態においては、発信素子111を受信素子112と同一の構造(後述する)としている。従って、充填部材14の音響インピーダンスを保護部位12aの音響インピーダンスに近づけることで、発信素子111の振動を充填部材14を介して保護部位12aに確実に伝搬させることが可能となり、発信素子111の出力を向上することができる。
保護部位12aとして合成樹脂を適用する場合には、充填部材14として、合成樹脂の微粒子を液体中に分散させたゾルや、当該合成材料からなる高分子ゲルを適用することができる。また、充填部材14としては、受信素子112を侵さない材料である必要がある。従って、例えばシリコンゲルやフッ素ゲルを適用することができる。尚、空隙Sに気体(空気や不活性ガス等)が存在すると、保護部位12aの振動が受信素子112へ(発信素子111の振動が保護部位12aへ)伝搬しがたくなる。従って、空隙Sから気体を完全に除去したのち、充填部材14を充填することが好ましい。尚、上記構成(保護部位12a、分離部材12b、充填部材14)については、本出願人が先に出願した特願2005−42449号に詳細に記載している。
また、光検出素子121の前方(ケース12の上面)に当たるケース12の部位には光検出素子121に対して所定の角度範囲からの光を入射するためのレンズ122が設けられている。具体的には、ケース12の上面に開口部12cが設けられ、当該開口部12cを塞ぐようにレンズ122がケース12に固定されている。すなわち、ケース12は光を遮断し、開口部12cに設けられたレンズ122を介して光を透過する構成である。尚、図1(a)において、レンズ122がケース12の内面側に固定される例を示しているが、外面側に固定された構成でも良いし、開口部12cに嵌った構成でも良い。また、別部材でなく、レンズ122がケース12と一体的に構成されても良い。尚、筐体130の構成は上記例に限定されるものではない。超音波センサ110及び画像センサ120を収容できる構成であれば特に限定されるものではない。
次に、本実施形態に係る障害物検出装置100の特徴点の1つである超音波センサ110の構成について、図1(b),図2,図3を用いて説明する。図2は、障害物検出装置100における超音波センサ110周辺の拡大平面図である。図3は、超音波センサ110を構成する素子の概略構成を示す図であり、(a)は上面視平面図、(b)は(a)のA−A断面における断面図である。
図1(b),図2に示すように、本実施形態における超音波センサ110は、1個の送信素子111と4個の受信素子112(112a〜112d)が、同一の半導体基板10に集積化されている。そして、各素子111,112は、同一構成となっている。
具体的には、図3(a),(b)に示すように、送信素子111は、SOI(Silicon On Insulator)構造の半導体基板10を用いて形成されている。半導体基板10において、符号1aは第1半導体層(支持基板)、符号1bは埋め込み酸化膜、符号1cは第2半導体層、符号1dは保護酸化膜である。半導体のマイクロマシニング技術により、半導体基板10の薄肉部として形成されたメンブレンM上には、圧電振動子20がメンブレンMを覆うようにして形成されている。圧電振動子20は、圧電体薄膜2を電極金属膜3a,3bでサンドイッチした構造を有している。
このように構成される送信素子111においては、圧電振動子20の電極金属膜3a,3bに交流電圧を印加して、圧電振動子20と共にメンブレンMを所定の超音波帯周波数で共振させることにより、超音波を送信することができる。尚、受信素子112(112a〜112d)として用いる場合には、障害物(被検出体)で反射されて戻ってきた超音波によりメンブレンMを圧電振動子20と共に共振させ、圧電振動子20に電気信号に変換して、超音波を受信する。
尚、超音波センサ110の送信素子111および受信素子112(112a〜112d)として、図3(a),(b)に示す構造を用いる場合、一般的に送信素子111が大きな音圧出力を必要とするため、送信素子111におけるメンブレンMの平面形状の面積を、受信素子112(112a〜112d)におけるメンブレンMの平面形状の面積に比べて大きくすることが好ましい。これにより、送信素子111の音圧出力を高めることができる。これに対して、受信素子112(112a〜112d)は十分な感度が得られるのであれば小さくても可能である。
次に、図4(a)〜(c)により、超音波センサ110による障害物の検出原理を説明する。尚、図4(a)〜(c)では、図1(b)に示す障害物検出装置100を、地面に対して送信素子111を上側にして、垂直に保持して使用することを想定している。
図4(a)は、地面に平行なX−Y面内において、超音波センサ110の受信素子112a,112bと、障害物200で反射され受信素子112a,112bに入射する超音波の状態を模式的に示した図である。図4(b)は、地面に垂直な面内において、超音波センサ110の受信素子112a,112cと、障害物200で反射され受信素子112a,112cに入射する超音波の状態を模式的に示した図である。図4(c)は、超音波センサ110の送信素子111の発信する超音波の交流パルス信号と4個の受信素子112a〜112dの受信する超音波の交流パルス信号のタイムチャートを、模式的に示した図である。
図4(a)に示す地面に平行なX−Y面内における障害物200までの距離Dxは、図2に示す上側にある2つの受信素子112a,112bを用いて、図4(c)に示す発信素子111の発信信号(発信)と受信素子112a,112bの受信信号(受信1,受信2)の平均時間値の時間差から演算することができる。
図4(a)に示す地面に平行なX−Y面内におけるX軸に対する障害物200の方位角θxは、図1の上側にある2つの受信素子112a,112bを用いて、図4(c)に示す受信素子112aの信号(受信1)と受信素子112bの信号(受信2)の位相差から演算することができる。
同様にして、図4(b)に示す地面に垂直な面内における障害物200までの距離Dzは、図1の左側にある2つの受信素子112a,112cを用いて、図4(c)に示す発信素子111の発信信号(発信)と受信素子112a,112cの受信信号(受信1,受信3)の平均時間値の時間差から演算することができる。
図4(b)に示す地面に平行な垂直な面内における地面に水平な面に対する障害物200の方位角θzは、図2に示す左側にある2つの受信素子112a,112cを用いて、図4(c)に示す受信素子112aの信号(受信1)と受信素子112cの信号(受信3)の位相差から演算することができる。
このように、本実施形態における超音波センサ110によれば、上記の距離Dx,Dzと方位θx,θzより、超音波センサ110に対する障害物200の距離と方位を定めることができる。
図1(b),図2に示す超音波センサ110は、超音波の送信素子111と受信素子112(112a〜112d)が同一の半導体基板10に集積化されて製造されるため、送信素子(超音波音源)と受信素子を別体として構成した装置に比べて、小型で低コストの超音波センサ110とすることができる。また、図1(b),図2に示す超音波センサ110では、送信素子111および受信素子112(112a〜112d)の位置関係が半導体基板10上で正確に設定されるため、車のバンパー等に装着するに際して取り付け精度の影響を受け難い。
また、上記超音波センサ110においては、同一の半導体基板10上に形成する送信素子111と受信素子112の数を増やしたり、送信素子111と受信素子112の大きさを変更したりしても、マスクを変更するだけで対応可能であり、得られる超音波センサ1110に製造コストはほとんど変わらない。
ところで、図1(b),図2に示す超音波センサ110は、4個の受信素子112(112a〜112d)を有しているが、図4に示した障害物(被検出体)200の検出にあたっては、3個の受信素子112(112a〜112c)の組み合わせしか用いていない。すなわち、図4(a)の地面に平行なX−Y面内における障害物200までの距離DxとX軸に対する障害物200の方位角θxの測定では、図2の上側にある2つの受信素子112a,112bを用いており、図4(b)に示す地面に垂直な面内における障害物200までの距離Dzと地面に水平な面に対する障害物200の方位角θzは、図2の左側にある2つの受信素子112a,112cを用いている。
一方、上記と同様にして、図4(a)の地面に平行なX−Y面内における障害物200までの距離DxとX軸に対する障害物200の方位角θxを、図2の下側にある2つの受信素子112c,112dを用いて測定し、図4(b)に示す地面に垂直な面内における障害物200までの距離Dzと地面に水平な面に対する障害物200の方位角θzを、図2の右側にある2つの受信素子112b,112dを用いて測定することができる。言い換えれば、3個の受信素子112b〜112dの組み合わせを用いて、障害物(被検出体)200を検出することができる。
従って、4個の受信素子112(112a〜112d)を有する超音波センサ110では、上記2通りの組み合わせにより測定された障害物(被検出体)200のデータを比較することで、これらが一致しない場合には、4個の受信素子112(112a〜112d)のいずれかに動作不良があると判断することができる。このようにして、超音波センサ110に動作不良検知機能を持たせることができる。
また、動作不良の受信素子112が1個だけの場合には、それを除いた3個の受信素子112の組み合わせで、上記のように障害物(被検出体)200を検出することができる。このため、超音波センサ110にフェールセーフ機能も持たせることができる。
尚、動作不良検知機能を持たせるだけであれば、3個の受信素子112(112a〜112c)でも可能である。すなわち、障害物(被検出体)200のデータは、受信素子112a,112bの組み合わせデータと受信素子112a,112cの組み合わせデータから算出されているが、受信素子112b,112cの組み合わせデータを障害物(被検出体)200のデータの検算に用いることができる。これによって、3個の受信素子112(112a〜112c)を有する超音波センサ110に動作不良検知機能を持たせることができる。
以上のようにして、受信素子112を3個以上とした超音波センサ110では、1個の受信素子112の破損や動作不良があっても、他の受信素子112の信号を比較することにより、動作不良検知機能を有するように構成することができる。また、受信素子112を4個以上とした超音波センサ110では、フェールセーフ機能も持たせることができる。これにより、低コストで、且つ水滴やごみの付着による動作不良に対処した超音波センサ110、すなわち障害物検出装置100とすることができる。
また、図1(b),図2に示す超音波センサ110では、送信素子111に印加する交流パルス信号の周波数を時間的に切り替えて、送信素子111が2以上の異なる周波数の超音波を送信するようにすることができる。これによって、図1(b),図2に示す超音波センサ110に対して、簡単な演算処理により、湿度補正機能を有するように構成することができる。尚、1個の送信素子111で異なる周波数の超音波を送信させるためには、図3に示したメンブレンMの共振とならない周波数で入力電圧を制御して、異なる周波数の超音波を発信させれば良い。
図5は、上記湿度補正機能を説明する図である。図5(a)は、図1(b),図2に示す超音波センサ110の送信素子111が2つの異なる周波数f1,f2の超音波を送信するようにした場合において、送信素子111の発信する超音波の交流パルス信号と4個の受信素子112(112a〜112d)の受信する超音波の交流パルス信号のタイムチャートを、模式的に示した図である。図5(b)は、超音波の減衰損失Pおよび超音波の吸収係数mを表す式である。
図5(a)に示すように、超音波センサ110における送信素子111が周波数f1の超音波と周波数f2の超音波を周期的に切り替えて送信した場合、4個の受信素子112(112a〜112d)において、それぞれ周波数f1の超音波と周波数f2の超音波に対応した受信信号(受信1〜受信4)があらわれる。周波数f1における送信素子111の交流パルス信号と受信素子112(112a〜112d)の交流パルス信号の関係、および周波数f2における送信素子111の交流パルス信号と受信素子112(112a〜112d)の交流パルス信号の関係は、それぞれ、図4(c)と同様である。
一方、図5(a)では、送信素子111の発信する周波数f1と周波数f2の交流パルス信号レベルが同じであっても、受信素子112(112a〜112d)で受信した周波数f2の交流パルス信号レベルは、周波数f1の超音波の交流パルス信号レベルに較べて、大きな減衰となっている。
図5(b)に示すように、超音波の減衰損失P(吸収係数m)は、超音波の周波数fに依存し、周波数fの高い超音波ほど減衰が大きくなる。また、超音波の減衰損失P(吸収係数m)は、周波数だけでなく、伝播環境の温度Tや湿度hに依存した値となる。
ここで、超音波の周波数fは、送信素子111と受信素子112(112a〜112d)に予め設定された値である。また、伝播環境の温度Tは、例えば超音波センサ110が車載用の場合、外気温センサ等で測定することができる。これに対して、伝播環境の湿度hについては車室外に搭載できる適当な湿度センサがない。
しかしながら、図5(a)では、2つの周波数f1と周波数f2で超音波測定されているため、その減衰係数の差から湿度hを逆算することができる。この演算された湿度hを、超音波センサ110に対して予め設定された動作湿度の補正に用いることで、超音波センサ110に対して、湿度補正機能を持たせることができる。これにより、低コストで、且つ湿度変化による検出精度劣化の問題に対処した超音波センサ110、及び当該超音波センサ110を備えた障害物検出装置100とすることができる。
尚、上記のように超音波センサ110に湿度補正機能を持たせる場合には、送信素子111を2個とするのが好ましい。この場合には、1個の送信素子111をもちいる場合と異なり、それぞれの送信素子111において、図3に示したメンブレンMの共振周波数を用いて、異なる周波数のQ値が高い超音波を発信させることができる。
図6に、このような超音波センサ110を示す。図6(a)は、超音波センサ110の上面視平面図であり、図6(b)は、2個の送信素子111(111a,111b)の発信する超音波の交流パルス信号と4個の受信素子112(112a〜112d)の受信する超音波の交流パルス信号のタイムチャートを、模式的に示した図である。
図6(a)に示す超音波センサ110では、異なる周波数f1,f2を発信する2個の送信素子111(111a,111b)を用いることで、図6(b)に示すように、2つの周波数f1,f2の超音波を同時に発信することができる。これにより、車の動きに対する補正等が不要となる。尚、異なる周波数f1,f2の超音波は伝播速度は同じであるため、同時刻に各受信素子112(112a〜112d)に反射波が到達する。そのため、各受信素子112(112a〜112d)の受信信号を周波数f1とf2の成分で分解する周波数分析が必要になる。
図7は、超音波センサ110の変形例を示す上面視平面図である。図7に示す超音波センサ110では、1個の送信素子111が中央にあり、8個の受信素子112(112a〜112h)がその周りを取り囲んでいる。
このように、送信素子111が1個であり、受信素子112が偶数個である場合には、受信素子112が送信素子111を取り囲んで、2個ずつ送信素子111の対称位置に配置されてなることが好ましい。これにより、2個ずつ送信素子111の対称位置に配置された受信素子112では、送信素子111から送信され、障害物で反射されて戻ってきた超音波の音圧をほぼ等しくすることができる。このため、障害物の精度の高い検出測定が可能となる。
以上示した超音波センサ110は、小型・低コストで、車のバンパー等に装着するに際して取り付け精度の影響を受け難く、水滴やごみの付着および湿度変化による検出精度劣化の問題を解決できる構成となっている。このため、車載用の障害物検出装置100に好適である。
尚、本実施形態に係る障害物検出装置100の超音波センサ110において、同一の半導体基板10に集積化される送信素子111と受信素子112の個数は上記例に限定されるものではない。少なくとも1個の送信素子111と少なくとも2個の受信素子112を有していればよい。受信素子112の個数を増やすことで、高解像度な情報を得ることができる。また、送信素子111を2個以上に増やすことも可能である。これによって、送信する超音波の音圧を上げたり、指向性を制御することも可能である。
また、送信素子111と受信素子112を同一の半導体基板10に構成すると、送信信号が受信素子に入力して、ノイズとなる可能性があるが、本実施形態においては受信素子112をアレイ化することで、送信時の信号を複数個の受信素子112で受信し、これをキャンセルする構成としている。これにより、近い障害物200に対して、信号のS/Nを上げて検出可能とすることができる。
また、本実施形態においては、圧電体を用いた圧電式の超音波センサ110を示した。しかしながら、圧電式以外にも、電極間の容量変化を検出する容量式や、圧力によるゲージの出力を検出するピエゾ式の超音波センサ110であっても良い。またこれらの各方式を組み合わせた超音波センサ110とすることもできる。
また、本実施形態においては、超音波センサ110を構成する送信素子111及び受信素子112と画像センサ120を構成する光検出素子121を、同一の半導体基板10の異なる領域に構成する例を示した。しかしながら、図8(a),(b)に示すように、光検出素子121の少なくとも一部をメンブレンM上に形成しても良い。すなわち、半導体基板10の平面方向において、送信素子111及び受信素子112の形成領域と光検出素子121の形成領域の少なくとも一部が重なる構成としても良い。図8は障害物検出装置100の変形例を示す図であり、(a)は断面図、(b)は上面視平面図である。尚、図8においては筐体130を省略している。
このような構成とすると、センサ形成領域を小さくすることができるので、障害物検出装置100をより小型化することができる。その際、メンブレンM上に光検出素子121を形成することで、送信出力又は受信感度が低下しないように注意する必要がある。尚、図8(a)に示すように、送信素子111及び受信素子112を構成する圧電振動子20を、光検出素子121が形成される面の裏面に構成する例を示したが、同一面(例えば図8(a)に示す光検出素子121の形成面)に形成しても良い。この場合、処理回路部等との電気的接続が簡便となる。
また、図8(b)においては、4個の受信素子112(112a〜112d)の形成領域それぞれに対応して、光検出素子121を形成する例を示した。このように構成すると、振動が光検出素子121を介して他の受信素子112に伝達されるのを防止することができる。従って、検出精度を向上することができる。しかしながら、全ての受信素子112の形成領域を覆うように1領域の光検出素子121を形成しても良い。また、受信素子112だけでなく、送信素子111を構成するメンブレンM上に光検出素子121を設けても良い。
(第2の実施形態)
次に、本発明の第2の実施形態を、図9に基づいて説明する。図9は、本実施形態における障害物検出装置100の概略構成を示す上面視平面図である。図9においては、便宜上筐体を省略して図示している。
第2の実施形態における障害物検出装置100は、第1の実施形態によるものと共通するところが多いので、以下、共通部分については詳しい説明は省略し、異なる部分を重点的に説明する。
図9(a),(b)に示すように、本実施形態に係る障害物検出装置100は、第1実施形態で示した画像センサ120に代わって、検出手段として、障害物からの赤外線を検出する赤外線センサ140を少なくとも有する構成を適用することを特徴とする。
このように、本実施形態に係る障害物検出装置100によると、超音波センサ110とともに、超音波センサ110とは検出範囲の少なくとも一部が異なる赤外線センサ140を同一の筐体(図示略)内に配置している。すなわち、障害物を検出することができ、検出範囲の異なる複数のセンサ110,140をフュージョンし、1つの装置100として構成している。従って、より広範囲の障害物を検出することができる構成でありながら、小型で低コストの障害物検出装置100となっている。
また、本実施形態においては、例えばシリコン等の同一の半導体基板10に超音波センサ110と赤外線センサ140を形成している。すなわち、超音波センサ110と超音波センサ140を1チップ構成としているので、より小型で低コストの障害物検出装置100となっている。また、近距離を超音波センサ110にて検出し、遠距離を赤外線センサ140にて検出することができる。従って、広い範囲において障害物を検出することができる。尚、超音波センサ110及び赤外線センサ140は、ともに夜間での検出が可能であるので、夜間用の障害物検出装置100とすることもできる。尚、障害物からの赤外線とは、障害物から発せられる赤外線でも良いし、障害物で反射された赤外線でも良い。
本実施形態においては、赤外線を受光したときに生じる温度変化に基づいて電気信号を生じる赤外線検出素子としての熱電対141と、熱電対141の少なくとも一部を被覆する赤外線吸収膜142とにより構成されるサーモパイル型の赤外線センサ140を適用している。尚、赤外線センサ140の構成については、本出願人は先に特開2002−365140号公報等により開示しているので参照されたい。しかしながら、赤外線センサ140の構成は上記例に限定されるものではない。
また、本実施形態においては、検出手段として、赤外線センサ140とともに、抵抗体151を発熱させることにより赤外線を放射する赤外線光源150を有している。従って、赤外線光源150から発せられた赤外線を障害物が反射し、この反射光を赤外線センサ140にて検出することで、障害物を検知することができる。尚、赤外線光源150も、同一の半導体基板10に構成されている。従って、赤外線光源150と赤外線センサ140の位置関係を基板上で正確に設定することができるので、取り付け精度の影響を受け難い。また、障害物検出装置100をより小型化することができる。尚、図9における符号Mは、赤外線センサ140及び赤外線光源150をそれぞれ構成するメンブレンである。
尚、上記においては、検出手段である赤外線センサ140と赤外線光源150を、超音波センサ110の形成領域とは異なる領域に形成する例を示した。しかしながら、半導体基板10の平面方向において、超音波センサ110の形成領域と赤外線センサ140及び赤外線光源150の形成領域の少なくとも一部が重なる構成としても良い
例えば、図10(a),(b)に示すように、送信素子111上に赤外線光源150を形成し、4個の受信素子112(112a〜112d)の形成領域それぞれに対応して、赤外線センサ140を形成しても良い。このような構成とすると、センサ形成領域を小さくすることができるので、障害物検出装置100をより小型化することができる。また、赤外線センサ140が複数あるので、検出精度を向上することができる。図10は本実施形態に示す障害物検出装置100の変形例を示す図であり、(a)は拡大断面図、(b)は上面視平面図である。図10においては、便宜上、筐体130を省略している。
尚、送信素子111及び受信素子112を構成するメンブレンM上に赤外線センサ140又は赤外線光源150を形成することで、送信出力又は受信感度が低下しないように注意する必要がある。また、図10(a),(b)に示すように、送信素子111及び受信素子112を構成する圧電振動子20を、赤外線センサ140又は赤外線光源150が形成される面の裏面に構成する例を示した。しかしながら、同一面(例えば図10(a)に示す赤外線センサ140の形成面)に両者を形成しても良い。この場合、処理回路部等との電気的接続が簡便となる。
(第3の実施形態)
次に、本発明の第3の実施形態を、図11に基づいて説明する。図11は、本実施形態における障害物検出装置100の概略構成を示す斜視図である。図11においては、便宜上筐体の一部を省略して図示している。
第3の実施形態における障害物検出装置100は、第1又は第2の実施形態によるものと共通するところが多いので、以下、共通部分については詳しい説明は省略し、異なる部分を重点的に説明する。
図11に示すように、本実施形態に係る障害物検出装置100は、第1実施形態で示した画像センサ120に代わって、検出手段として、送信波を生じるレーザ発生素子161と、障害物によって反射された反射波を受信した際に、その反射波の強度に応じた電気信号を生じるレーザ検出素子162を有するレーダ手段160を適用することを特徴とする。
このように、本実施形態に係る障害物検出装置100によると、超音波センサ110とともに、超音波センサ110とは検出範囲の少なくとも一部が異なるレーダ手段160を同一の筐体(図示略)内に配置している。すなわち、障害物を検出することができ、検出範囲の異なる複数のセンサ110,160をフュージョンし、1つの装置100として構成している。従って、より広範囲の障害物を検出することができる構成でありながら、小型で低コストの障害物検出装置100となっている。
また、本実施形態においては、例えばシリコン等の同一の半導体基板10に超音波センサ110を構成する送信素子111及び受信素子112(112a〜112d)とレーダ手段160を構成するレーザ発生素子161及びレーザ検出素子162を形成している。すなわち、超音波センサ110とレーダ手段160を1チップ構成としているので、より小型で低コストの障害物検出装置100となっている。また、近距離を超音波センサ110にて検出し、遠距離をレーダ手段160にて検出することができる。従って、広い範囲において障害物を検出することができる。
尚、レーザ発生素子161としては、GaAs系等の公知の半導体レーザ素子を適用することができ、レーザ検出素子162としては、フォトダイオードを適用することができる。尚、送信素子111及び受信素子112の形成された同一の半導体基板10にレーザ発生素子161を形成する場合には、例えばヘテロ・エピタキシーによって組合せが可能な異種材料を選択し、半導体基板10とレーザ発生素子161に適用することにより一体化が可能である。それ以外にも、別途構成したレーザ発生素子161を半導体基板10上に実装しても良い。
また、レーザ検出素子162は、第1実施形態(図8)にて示したように、少なくとも一部を送信素子111又は受信素子112を構成するメンブレンM上に形成することができる。すなわち、図12に示すように、半導体基板10の平面方向において、送信素子111及び受信素子112の形成領域とレーザ検出素子162の形成領域の少なくとも一部が重なる構成とすることができる。図12は、本実施形態に係る障害物検出装置100の変形例を示す上面視平面図であり、便宜上、筐体を省略している。
このような構成とすると、センサ形成領域を小さくすることができるので、障害物検出装置100をより小型化することができる。その際、メンブレンM上にレーザ検出素子162を形成することで、送信出力又は受信感度が低下しないように注意する必要がある。
尚、送信素子111及び受信素子112を構成する圧電振動子20は、レーザ検出素子162が形成される面と同一面に形成しても良いし、裏面に形成しても良い。また、図12においては、4個の受信素子112(112a〜112d)の形成領域それぞれに対応して、レーザ検出素子162を形成する例を示した。このように構成すると、振動がレーザ検出素子162を介して他の受信素子112に伝達されるのを防止することができる。従って、検出精度を向上することができる。しかしながら、全ての受信素子112の形成領域を覆うように1領域のレーザ検出素子162を形成しても良い。また、受信素子112だけでなく、送信素子111を構成するメンブレンM上にレーザ検出素子162を設けても良い。
また、本実施形態においては、レーダ手段160として、レーザ発生素子161とレーザ検出素子162を有する例を示した。しかしながら、上記構成に代えて、ミリ波発生素子とミリ波検出素子を有する構成としても良い。
以上本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態のみに限定されず、種々変更して実施することができる。
検出手段としては、本実施形態に示した構成以外にも、超音波センサ110の検出範囲とは少なくとも一部が異なる検出範囲を有し、この検出範囲内の障害物を検出するものであれば適用が可能である。
また、本実施形態に示した、超音波センサ110、画像センサ120、赤外線センサ140、赤外線光源150、及びレーダ手段160は、それぞれその一態様を表しているに過ぎない。筐体130内に配置可能であり、さらに好ましくは、超音波センサ110を構成する送信素子111及び受信素子112と同一基板に構成が可能であれば尚良い。また、図13に示すように、超音波センサ110を構成する送信素子111、受信素子112、及びその他の検出手段(例えば画像センサ120の光検出素子121)をそれぞれ別基板で形成し、共通の基板(例えば回路基板11)にそれぞれの基板を配置して、同一筐体130内に配置した構成でも良い。図13は、障害物検出装置の変形例を示す上面視平面図である。
第1の実施形態に係る障害物検出装置の概略構成を示す図であり、(a)は断面図、(b)は筐体の一部を省略した斜視図である。 障害物検出装置における超音波センサ周辺の拡大平面図である。 超音波センサを構成する素子の概略構成を示す図であり、(a)は上面視平面図、(b)は(a)のA−A断面における断面図である。 超音波センサによる障害物の検出原理を説明する図である。 湿度補正機能を説明する図である。 (a)は、超音波センサの上面視平面図であり、(b)は、2個の送信素子の発信する超音波の交流パルス信号と4個の受信素子の受信する超音波の交流パルス信号のタイムチャートを、模式的に示した図である。 超音波センサの変形例を示す上面視平面図である。 障害物検出装置の変形例を示す図であり、(a)は断面図、(b)は上面視平面図である。 第2の実施形態における障害物検出装置の概略構成を示す上面視平面図である。 障害物検出装置の変形例を示す図であり、(a)は拡大断面図、(b)は上面視平面図である。 第3の実施形態における障害物検出装置の概略構成を示す斜視図である。 障害物検出装置の変形例を示す上面視平面図である。 障害物検出装置の変形例を示す上面視平面図である。
符号の説明
10・・・半導体基板
11・・・回路基板
12・・・ケース
12a・・・保護部位
12b・・・分離部材
14・・・充填部材
20・・・圧電振動子
100・・・障害物検出装置
110・・・超音波センサ
111・・・送信素子
112・・・受信素子
120・・・画像センサ
121・・・光検出素子
130・・・筐体
140・・・赤外線センサ
150・・・赤外線光源
160・・・レーダ手段
161・・・レーザ発生素子
162・・・レーザ検出素子
M・・・メンブレン

Claims (15)

  1. 電気信号を超音波に変換して発信する少なくとも1個の送信素子と、受信した超音波を電気信号に変換する少なくとも2個の受信素子を同一基板上に形成してなり、周辺の障害物を検出する超音波センサと、
    前記超音波センサの検出範囲とは少なくとも一部が異なる検出範囲を有し、当該検出範囲内の障害物を検出する検出手段とを備え、
    前記超音波センサと前記検出手段とを、同一筐体内に配置してなることを特徴とする障害物検出装置。
  2. 前記基板上に、前記検出手段を構成してなることを特徴とする請求項1に記載の障害物検出装置。
  3. 前記受信素子は、3個以上であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の障害物検出装置。
  4. 前記受信素子は、4個であることを特徴とする請求項3に記載の障害物検出装置。
  5. 前記送信素子は、複数の異なる周波数の超音波を発信することを特徴とする請求項1〜4いずれか1項に記載の障害物検出装置。
  6. 前記送信素子は、2個であることを特徴とする請求項5に記載の障害物検出装置。
  7. 前記基板には、薄肉部としてのメンブレンがそれぞれの前記送信素子及び前記受信素子に対応して複数形成され、
    前記メンブレン上に、前記送信素子及び前記受信素子が形成されていることを特徴とする請求項1〜6いずれか1項に記載の障害物検出装置。
  8. 前記送信素子及び前記受信素子は、前記メンブレンとともに所定の超音波帯周波数で共振するように構成された圧電振動子であることを特徴とする請求項7に記載の障害物検出装置。
  9. 前記検出手段の少なくとも一部を、前記メンブレン上に形成したことを特徴とする請求項7又は請求項8に記載の障害物検出装置。
  10. 前記検出手段は、画素を構成するように二次元配列され、入射される光の強度に応じた電気信号を生じる複数の光検出素子と、所定の角度範囲からの光を前記光検出素子に入射するためのレンズを有する画像センサであることを特徴とする請求項1〜9いずれか1項に記載の障害物検出装置。
  11. 開口部の設けられた前記筐体に対し、前記開口部を塞ぐように前記レンズを前記筐体に固定してなることを特徴とする請求項10に記載の障害物検出装置。
  12. 前記検出手段は、障害物からの赤外線を検出する赤外線センサを少なくとも有することを特徴とする請求項1〜9いずれか1項に記載の障害物検出装置。
  13. 前記赤外線センサは、赤外線を受光したときに生じる温度変化に基づいて電気信号を生じる赤外線検出素子と、前記検出素子の少なくとも一部を被覆する赤外線吸収膜とにより構成されることを特徴とする請求項12に記載の障害物検出装置。
  14. 前記検出手段として、前記赤外線センサとともに、抵抗体を発熱させることにより赤外線を放射する赤外線光源を有することを特徴とする請求項13又は請求項14に記載の障害物検出装置。
  15. 前記検出手段は、送信波を生じるレーザ発生素子若しくはミリ波発生素子と、前記障害物によって反射された反射波を受信した際に、その反射波の強度に応じた電気信号を生じるレーザ検出素子若しくはミリ波検出素子であることを特徴とする請求項1〜9いずれか1項に記載の障害物検出装置。
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