JP2007012653A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 ミストの飛散を防止しながら基板表面に付着する液体を効率良く除去することのできる基板処理装置を提供する。
【解決手段】 液切りヘッド３１の対向面３３が基板表面ＷＳと対向しながら基板Ｗが移動方向（＋Ｘ）に搬送される。基板表面ＷＳに付着する処理液は対向面３３の上流側（−Ｘ）に開口された開口部３４より吸引除去される一方で、下流側（＋Ｘ）に開口された開口部３５より上流側空間ＳＰに吐出されるガスによって基板表面ＷＳから吹き飛ばされ除去される。このとき予め処理液が吸引除去されることで、ガス吐出によるミストの発生が低減されるほか、ミストが対向部位３３ａに遮蔽され飛散するのが防止される。さらに、開口部３５より吐出されたガスは上流側空間ＳＰを介して開口部３４に向けて案内されるので、開口部３４による処理液の吸引がアシストされる。
【選択図】 図４

Description

この発明は、液体が付着する基板表面から該液体を除去する基板処理装置に関する。なお、基板には半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、光ディスク用基板等が含まれる。

従来、例えば液晶表示装置の製造工程においては、水平方向に敷設された搬送ローラによって基板を搬送しながら、搬送される基板表面に現像液、エッチング液、剥離液、洗浄液などの液層を形成することによって湿式処理が施される。これらの湿式処理が施された基板表面には湿式処理に使用された液体が付着しているため、液体が処理室から持ち出されることを防ぐため、基板表面に付着した液体を各湿式処理工程ごとに除去しておく必要がある。

このような基板表面に付着した液体を該基板表面から除去するものとして、基板表面に向かってエアナイフ等から窒素ガスなどのガスを噴出し、ガスの圧力で基板表面の液体を液切りする基板処理装置がある（特許文献１参照）。この特許文献１に記載の装置では、搬送ローラにより搬送される基板の両面に付着する剥離液を上下一対のエアナイフから基板の両面に対して高圧ガスを噴出することにより除去している。

また、基板表面に付着する液体をノズルによって吸引することで除去する基板処理装置がある（特許文献２参照）。この特許文献２に記載の装置では、吸引ノズルの先端部が吸引口となっており、該吸引口を基板表面の直上に位置させた状態で吸引動作させながら基板の一端辺から他端辺に移動させることで、基板表面に付着する現像液を除去している。

特開２００４−１４６４１４号公報（図１） 特開平６−３４２７８２号公報（図１）

しかしながら、エアナイフによる液切りでは基板表面に付着する液体をガスの圧力によって吹き飛ばすため、ミスト（ミスト状の液体）の飛散が避けられず、飛散したミストが基板搬送方向の下流側において基板に再付着することによって処理の不均一やムラの原因となっていた。また、基板表面に付着する液体を十分に液切りするため、大量のガスが必要となり、ランニングコスト上昇の一因となっていた。さらに、エアナイフによる液切りでは、液切りされた液体は基板搬送方向の上流側に吹き飛ばされるため、液切りされた液体を十分に回収することが容易ではなかった。

また、基板表面に付着する液体をノズルから吸引する場合においては、必然的にノズルと基板表面とは非接触な状態となることから基板表面に付着する液体を十分に吸引することが難しく液切りが不十分となっていた。

この発明は上記課題に鑑みなされたものであり、ミストの飛散を防止しながら基板表面に付着する液体を効率良く除去することのできる基板処理装置を提供することを目的とする。

この発明は、液体が付着する基板の表面から該液体を除去する基板処理装置であって、上記目的を達成するため、基板表面から近接しながら対向配置されるヘッド本体と、ヘッド本体を基板に対して所定の移動方向に相対移動させる駆動手段とを備え、ヘッド本体は、移動方向において基板表面に対向する対向部位を挟み込むように、対向部位の上流側に対向部位に隣接して配設され基板表面から液体を吸引する吸引部と、対向部位の下流側に対向部位に隣接して配設され基板表面と前記対向部位とに挟まれた上流側空間にガスを吐出するガス吐出部とを有している。

このように構成された発明では、ヘッド本体が基板表面から近接しながら対向配置されるとともにヘッド本体が基板に対して所定の移動方向に相対移動する。そして、ヘッド本体の基板に対する相対移動に伴って、移動方向上流側に配設された吸引部より基板表面に付着する液体を吸引する一方で、移動方向下流側に配設されたガス吐出部から基板表面とヘッド本体の対向部位とに挟まれた上流側空間にガスを吐出している。このため、吸引部より液体が基板表面から吸引除去される一方で、吸引部より吸引されずに基板表面に残った液体がガス吐出部から吐出されるガスにより基板表面から吹き飛ばされ除去される。ここで、液体の大半は上流側で吸引部より吸引除去されているのでミスト（ミスト状の液体）の発生が低減されるほか、発生したミストが基板表面に対向配置された対向部位に遮蔽され下流側に飛散するのが防止される。しかも、液体がガス吐出による液切り前に予め吸引されることにより、吸引した液体を回収再利用することによりランニングコストが低減されるほか、液切りに必要なガス消費量を抑制することができる。さらに、吐出されたガスは基板表面と対向部位とに挟まれた上流側空間を介して吸引部に向けて案内されるので、液体が相対的に上流側に押し戻され吸引部による液体の吸引がアシストされる。このため、液体を効率良く吸引除去することができる。

また、ヘッド本体は基板表面に近接しながらも基板の破損・汚染を防止するため基板から離間させる必要があるが、吸引部による吸引で基板が引き寄せられ接触するおそれがある。しかしながら、この発明によれば、ガス吐出部から基板表面と対向部位とに挟まれた上流側空間に吐出されるガスによって該空間を陽圧にすることができ、ヘッド本体と基板との接触を防止することができる。

ここで、基板表面に対して平行でかつ移動方向に対して直交する方向を幅方向としたとき、ヘッド本体の対向部位の幅方向の幅を少なくとも基板の幅方向の幅以上に形成するとともに、吸引部およびガス吐出部がそれぞれ幅方向に延びるスリット形状の開口を有するように構成するのが好ましい。この構成によれば、ヘッド本体を基板に対して相対移動させることにより、上記した作用効果を基板の幅方向の全体にわたって得つつ、基板表面全体から一度に液体を除去することができ、スループットを向上させることができる。

また、ヘッド本体は、移動方向において吸引部の上流側に基板表面に近接しながら対向配置される上流側対向部位をさらに備えるようにしてもよい。この構成によれば、吸引部の移動方向下流側のみならず上流側も基板表面が対向部位（上流側対向部位）によって覆われるので、吸引部と基板表面との間の局所的な真空度を上げることができる。このため、液体の吸引効率を向上させることができる。

さらに、ヘッド本体の対向部位については、疎水性材料で形成するのが望ましく、このように構成することで、対向部位に液体が残留付着するのを防止するとともに、液体移動がスムーズに行われ、上記したガス吐出による吸引アシスト作用を促進させることができる。このため、液体の吸引効率をさらに向上させることができる。

また、吸引部は基板表面に対して垂直方向に液体を吸引するように構成すると、吸引部と基板表面との間を液密状態とすることができ、外部雰囲気であるエア等の気体の入り込みを抑制することができる。このため、気体の吸い込みによる吸引効率の低下が防止される。

また、ガス吐出部は移動方向の上流側に向けて基板表面に対して８０度〜８５度の角度をなしてガスを吐出するのが好ましい。この構成によれば、上流側空間にガスを送り込みながらも、基板表面に吹きつけられるガスの面圧を上げることができ、基板表面に付着する液体を効率良く除去することができる。

この発明によれば、ヘッド本体が基板表面と対向しながら所定の移動方向に相対移動されるとともに、移動方向上流側に配設された吸引部より基板表面に付着する液体を吸引する一方で、移動方向下流側に配設されたガス吐出部から基板表面とヘッド本体の対向部位とに挟まれた上流側空間にガスを吐出するように構成している。このため、吸引部より液体が吸引除去されることで、ガス吐出部からのガスによる液切りの際にミストの発生が低減されるほか、発生したミストが対向部位に遮蔽され飛散するのが防止される。さらに、吐出されたガスは基板表面と対向部位とに挟まれた上流側空間を介して吸引部に向けて案内されるので、吸引部による液体の吸引がアシストされる。このため、液体を効率良く吸引除去することができる。

＜基板処理装置の全体構成＞
図１は、この発明にかかる基板処理装置の一実施形態を示す側断面図である。また、図２は図１の基板処理装置の制御構成を示すブロック図である。この基板処理装置は基板Ｗ（具体的には、液晶表示装置用の矩形ガラス基板）を水平搬送しながらエッチング液などの処理液（本発明の「液体」に相当）によって基板Ｗに対してエッチング処理を行うものであり、前工程より基板Ｗを受け入れる搬入部１０と、基板Ｗにエッチング処理を施す処理部２０と、基板Ｗの表面ＷＳに残存した処理液を除去する液切り部３０とが一体に形成されている。また、処理液を貯留する受槽４０が設けられている。

一体に形成された各構成部１０，２０，３０の槽内部には、複数の搬送ローラ１が水平方向Ｘに列設されており、各構成部１０，２０，３０を横断する水平搬送路を形成している。そして、装置全体を制御する制御部５０からの制御指令に応じてローラ駆動部２が本発明の「駆動手段」として搬送ローラ１の一部（あるいは全て）を回転させることで基板Ｗを（＋Ｘ）方向に直線的に搬送する。このように、この実施形態では、水平方向（＋Ｘ）が本発明の「所定の移動方向」に相当しており、以下の説明においては、水平方向（＋Ｘ）を単に「移動方向」と称する。複数の搬送ローラ１は水平方向Ｘと略直交する方向に配設された支持軸（図示せず）に軸支され、基板Ｗをほぼ水平姿勢で支持して搬送する。

さらに、各構成部１０，２０，３０の槽壁には、搬送路上を搬送される基板Ｗが通過できるようにそれぞれ透孔３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄが設けられている。また、処理部２０の槽壁に設けられた透孔３ｂ，３ｃには各々、処理液の流出を防ぐための扉４ａ，４ｂが設けられており、制御部５０からの動作指令に応じて開閉される。

処理部２０は、その内部が処理液を貯留可能な処理槽を構成しており、基板Ｗにエッチング処理を施す際には、搬送路上を搬送される基板Ｗを浸漬させる程に処理部２０の槽内に処理液が貯留される。処理部２０は、基板Ｗの搬送路を上下から挟み込むように、その内部に上下に分かれてそれぞれ水平方向Ｘに沿って配設された複数のノズル２１，２２を備えている。これらのノズル２１，２２は受槽４０と接続されており、受槽４０から送液される処理液を基板Ｗに供給する。

液切り部３０は、基板Ｗの表面ＷＳに近接しながら対向可能な液切りヘッド３１を備えている。この液切りヘッド３１は移動方向において固定して配置されている。液切りヘッド３１は排液ポンプ５ａが介挿された回収管４１によって受槽４０と連通されている。これにより、制御部５０が排液ポンプ５ａを作動させることで液切りヘッド３１から基板表面ＷＳに付着する処理液を吸引して受槽４０に回収することが可能となっている。また、液切りヘッド３１にはガス供給部６が接続され、ガス供給部６から液切りヘッド３１に圧縮空気または窒素ガスなどのガスを供給することが可能となっている。さらに、液切りヘッド３１にはアクチュエータ７が連結されており、制御部５０からの動作指令に応じてアクチュエータ７が作動することで基板表面ＷＳからの液切りヘッド３１の高さ位置を調整して、液切りヘッド３１と基板表面ＷＳとの離間距離を制御することが可能となっている。なお、液切りヘッド３１の構成および動作については後で詳述する。

受槽４０は、その内部に処理液を貯留しており、送液ポンプ５ｂが介挿された送液管４２によってノズル２１，２２と連通されている。詳しくは、受槽４０を起点として送液ポンプ５ｂを介挿した送液管４２は、管路途中からノズル２１，２２に向けてそれぞれ分岐しており、これら分岐管４２ａ，４２ｂには開閉弁４３ａ，４３ｂが各々介挿されている。これにより、制御部５０が送液ポンプ５ｂを作動させるとともに開閉弁４３ａ，４３ｂを開閉制御することで各ノズル２１，２２から独立して処理部２０に処理液を噴出することが可能となっている。

また、各構成部１０，２０，３０は、それぞれ回収管４４ａ，４４ｂ，４４ｃを介して受槽４０と連通されている。処理部２０に接続された回収管４４ｂには開閉弁４５が介挿されており、開閉弁４５を開とすることで処理部２０に貯留されている処理液を排出することが可能となっている。

次に基板処理装置の動作について説明する。基板Ｗは、搬送ローラ１によって搬送されて、搬入部１０、処理部２０、液切り部３０を順次通過しながら各処理が施される。なお、扉４ａ，４ｂ、開閉弁４３ａ，４３ｂ，４５はすべて閉じられた状態とされている。

先ず、透孔３ａから搬入部１０に基板Ｗが搬入されると、扉４ａが一時的に開放されることで基板Ｗは透孔３ｂを通過して処理部２０に搬入される。このとき、処理部２０に貯留される処理液の液面の高さ位置は透孔３ｂよりも低い位置とされている。そして、基板Ｗが処理部２０に搬入され扉４ａが閉鎖されると、ノズル２１から処理部２０に処理液が供給され、基板Ｗを浸漬させる程に処理部２０の槽内に処理液が貯留される。これにより、透孔３ｂから処理部２０の槽内の処理液が流出するのが防止される。

但し、透孔３ｂの開口面積は基板Ｗの通過に支障がない範囲で小さくされており、また処理液の液面と透孔３ｂとの高低差は比較的小さいものとされている。そのため、基板Ｗを浸漬させる程に処理部２０に処理液を貯留した状態で扉４ａを一時的に開放することも可能である。この場合、透孔４ｂからの処理液の流出量は限定的であり、しかも流出した処理液は回収管４４ａを介して受槽４０に回収される。

処理部２０に搬入された基板Ｗは処理液によって浸されながら所定時間搬送路に沿って往復運動を行うことによって基板Ｗにエッチング処理が施される。なお、浸潰処理に変えて、または加えて、ノズル２２から処理液を基板Ｗの表面ＷＳに直接に供給することによってエッチング処理を行うようにしてもよい。

処理部２０で所定のエッチング処理を施された基板Ｗは、扉４ｂが開放されることで透孔３ｃを通過して液切り部３０に搬入される。このとき、扉４ｂが開放される前に開閉弁４５を開くことによって基板Ｗが処理液から露出する程度に処理液が受槽４０に回収される。この場合においても、入口側の透孔３ｂの場合と同様の理由で、処理液を受槽４０に回収することなく扉４ｂを開放してもよい。なお、透孔３ｂ，３ｃより溢流した処理液は、搬入部１０および液切り部３０の底部から、回収管４４ａ，４４ｃを介して受槽４０に還流されることにより循環利用される。

そして、基板Ｗが液切り部３０に搬入され扉４ｂが閉鎖されると、基板Ｗに対して所定の液切り処理が実行される。なお、液切り部３０における液切り処理においては後で詳述する。こうして、液切り処理が実行されると、基板Wは透孔３ｄから搬出される。

＜液切りヘッド＞
次に、液切り部３０に装備された液切りヘッド３１の構成および動作について図３および図４を参照しつつ詳述する。図３は、図１の基板処理装置の液切り部の構成を示す斜視図である。さらに、図４は、図１の基板処理装置の液切り部に装備された液切りヘッドの断面図である。液切りヘッド３１はヘッド本体３２を備え、ヘッド本体３２が搬送路上を搬送されてくる基板Ｗの表面ＷＳに近接しながら対向配置されている。このヘッド本体３２は、図４に示すように、垂直断面形状が略台形となって移動方向に直交する方向に延びる柱体であり、その一側面（対向面３３）が基板表面ＷＳと平行して対向しながら面状に拡がる対向面となっている。この対向面３３の基板表面ＷＳに対して平行でかつ移動方向に直交する方向（Ｙ方向；本発明の「幅方向」に相当）の幅Ｗ１は基板ＷのＹ方向の幅Ｗ２以上の大きさで形成されており、基板Ｗが搬送路に沿って搬送されることで、液切りヘッド３１により基板表面全体を処理することが可能となっている。

この対向面３３には移動方向に並んで、移動方向と直交する方向（Ｙ方向）にスリット状に延びる２つの開口部３４，３５が形成されている。これらのうち移動方向の上流側（−Ｘ）に位置する開口部３４はヘッド本体３２の内部に設けられたマニホールド３６を介して排液ポンプ５ａに連通されており、制御部５０の動作指令に応じて排液ポンプ５ａが作動することで開口部３４より基板表面ＷＳに付着する処理液が吸引され受槽４０に回収される。一方で、移動方向の下流側（＋Ｘ）に位置する開口部３５はヘッド本体３２の内部に設けられたマニホールド３７を介してガス供給部６に連通されており、制御部５０の動作指令に応じてガス供給部６が作動することで開口部３５よりガスが吐出される。

図４に示すように、開口部３５はマニホールド３７から移動方向上流側（−Ｘ）に向けて斜め下方向に延設され対向面３３に開口している。マニホールド３７から対向面３３に向けて開口された開口部３５の開口方向、すなわち開口部３５より吐出されるガスの吐出方向が基板表面ＷＳとなす角αは、８０度〜８５度となっている。これにより、ガス供給部６からのガスは開口部３５より吐出され、対向面３３のうち水平方向Ｘにおいて開口部３４と開口部３５とに隣接して挟まれた対向部位３３ａと基板表面ＷＳとの間に形成された上流側空間ＳＰに供給される。このため、開口部３５より吐出されたガスは上流側空間ＳＰを経由して上流側に位置する開口部３４に向けて流れるガス流を形成する。このように、この実施形態では、開口部３５が、本発明の「ガス吐出部」として機能している。

一方で、開口部３４はマニホールド３６から基板表面ＷＳに対して垂直方向（Ｚ方向）に延設され対向面３３に開口されている。詳しくは、開口部３４は水平方向Ｘにおいて対向面３３のうち開口部３４に対して移動方向上流側（−Ｘ）に位置する上流側対向部位３３ｂと対向部位３３ａとの間に基板表面ＷＳに対して垂直方向に開口されている。そして、制御部５０の動作指令に応じて排液ポンプ５ａが作動することで基板表面ＷＳに付着する処理液が基板表面ＷＳに対して垂直方向上向きに開口部３４より吸引される。このように、この実施形態では、開口部３４が、本発明の「吸引部」として機能している。

この開口部３４と基板表面ＷＳとの間に形成される空間は、水平方向Ｘにおいて上流側対向部位３３ｂと基板表面ＷＳとの間に形成される空間と、上流側空間ＳＰとで挟まれており、開口部３４より吸引する際に局所的な真空度が高められる。この観点から上流側対向部位３３ｂの水平方向Ｘの長さは長い程良いが、逆に吸引により基板Ｗが液切りヘッド３１に吸着され接触するおそれがあるので、両者のバランスをとって形成される。

次に、上記のように構成された液切りヘッド３１の動作について説明する。処理部２０において処理液中に浸漬されエッチング処理を受けた基板Ｗの表面ＷＳには多量の処理液が付着している。そして、搬送ローラ１によって基板Ｗが液切り部３０に搬入されると、制御部５０は排液ポンプ５ａを作動させて開口部３４からの吸引動作を実行させるとともに、ガス供給部６を作動させてガスを開口部３５より吐出させる。また、制御部５０は処理液の種類、基板Ｗの搬送速度などのプロセス条件に応じて、予めアクチュエータ７を作動させることで基板表面ＷＳからの液切りヘッド３１の高さ位置を調整しておく。このとき、液切りヘッド３１を基板表面ＷＳに近づける程、吸引効率を高めることができるが、基板Ｗを吸着して基板Ｗと接触するおそれがある。そこで、基板Ｗの高さ方向（Ｚ方向）の搬送精度も考慮しながら、基板Ｗとの接触を回避できる範囲で吸引効率が最大となるよう液切りヘッド３１の高さ位置を設定する。

基板Ｗが液切りヘッド３１の配設位置に達すると、移動方向上流側（−Ｘ）に位置する開口部３４より基板表面ＷＳに付着する処理液が吸引除去される一方で、吸引されずに基板表面ＷＳに残留付着しながら移動方向下流側（＋Ｘ）に運ばれる処理液が開口部３５より吐出されるガスにより吹き飛ばされて基板表面ＷＳから除去される。さらに、吐出されたガスは上流側空間ＳＰを介して移動方向上流側（−Ｘ）に位置する開口部３４に向けて案内される。このため、移動方向下流側（＋Ｘ）に運ばれる処理液が相対的に上流側（−Ｘ）に押し戻されて開口部３４による吸引がアシストされる。ここで、ヘッド本体３２の対向面３３を疎水性材料で形成すると、対向面３３に処理液が残留付着するのを抑制できるほか、対向面３３のうち少なくとも対向部位３３ａが疎水性材料で形成されることにより、上記したガス吐出による吸引アシスト作用を促進させることができる。なお、処理液が水溶液以外の場合には、その溶液に対して対向面３３が撥液性を有していればよい。こうして、基板ＷのＹ方向の全体にわたって処理液が基板表面ＷＳから除去されながら、搬送ローラ１によって移動方向に基板Ｗが搬送されることで基板表面ＷＳの全体から処理液が除去される。

このように、吸引とガス吐出による２つの除去手段を有することから、基板表面ＷＳから全ての処理液を可能なかぎり除去するほか、基板表面ＷＳに所定量の処理液を残すように基板表面ＷＳに残留させる液量をコントロールすることも容易となる。すなわち、エッチング処理後のエッチングむらを防止するために基板表面ＷＳに液膜を残す場合には、吸引により処理液を吸引した後に、基板表面ＷＳに残留する処理液に対してガス供給部６を制御してガス流量を調整することで基板表面ＷＳに残す液量を微細にコントロールすることができる。

以上のように、この実施形態によれば、基板Ｗを移動方向に移動させながら液切りヘッド３１を基板表面ＷＳに対向させて、対向部位３３ａを挟み込むように、該対向部位３３ａの移動方向上流側（−Ｘ）に隣接して配設された開口部３４より基板表面ＷＳに付着する処理液を吸引除去する一方で、対向部位３３ａの移動方向下流側（＋Ｘ）に配設された開口部３５より上流側空間ＳＰにガスを吐出して基板表面ＷＳから処理液を吹き飛ばして除去している。このため、処理液の大半は上流側（−Ｘ）で吸引除去されているのでミスト（ミスト状の処理液）の発生が低減されるほか、発生したミストが対向部位３３ｂに遮蔽されて下流側（＋Ｘ）に飛散するのが防止される。さらに、吐出されたガスは上流側空間ＳＰを介して開口部３４に向けて案内されので、開口部３４による吸引がアシストされる。その結果、処理液を効率良く吸引除去することができる。

しかも、処理液がガス吐出による液切り前に予め吸引されることにより、吸引した処理液を回収再利用することによりランニングコストが低減されるほか、液切りに必要なガス消費量を抑制することができる。

また、開口部３５より上流側（−Ｘ）に向けて基板表面ＷＳに対して８０度〜８５度の角度をなすようにガスを吐出させているので、上流側空間ＳＰにガスを送り込みながらも、基板表面ＷＳに吹きつけられるガスの面圧を上げることができ、基板表面ＷＳに付着する処理液を効率良く除去することができる。

ここで、液切りヘッド３１と基板Ｗとは吸引効率を高める観点から近接させるのが好ましいが、基板Ｗの破損・汚染を防止するため接触を回避する必要がある。この実施形態では、上流側空間ＳＰにガスが送り込まれることより、該空間ＳＰを陽圧にすることができ、基板Ｗの搬送を安定化させることができる。これにより、吸引により基板Ｗが液切りヘッド３１に引き付けられ接触するのが防止される。

また、上記実施形態では、開口部３４の上流側（−Ｘ）に上流側対向部位３３ｂを備えており、水平方向Ｘにおいて開口部３４を挟んで基板表面ＷＳは上流側対向部位３３ｂと下流側（＋Ｘ）の対向部位３３ａとに覆われる。このため、開口部３４と基板表面ＷＳとの間の局部的な真空度を上げることができ、処理液の吸引効率を向上させることができる。しかも、開口部３４より基板表面ＷＳに対して垂直方向（Ｚ方向）に処理液を吸引しているので、開口部３４と基板表面ＷＳとの間を液密状態とすることができ、外部雰囲気であるエア等の気体の入り込みを抑制することができる。これにより、気体の吸い込みによる吸引効率の低下が防止される。

なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記実施形態では、液切りヘッド３１のヘッド本体３２の対向面３３に開口された２つの開口部、つまり開口部３４により処理液を吸引する一方で、開口部３５によりガスを吐出しているが、これに限定されない。例えば図５に示すように、吸引用ノズル（吸引部）６１とガス吐出用ノズル（ガス吐出部）６２の各ノズル開口を、案内板６３で連結するように構成するようにしてもよい。このようなノズルとして基板表面ＷＳに対して平行でかつ移動方向（＋Ｘ）に対して直交する方向（紙面に垂直な方向）に延びるスリットノズルが採用される。この構成によれば、案内板６３の下面（基板対向面）６３ａが本発明の「対向部位」として機能して、案内板６３の下面６３ａと基板表面ＷＳとで挟まれた空間によって上流側空間ＳＰが形成される。この場合、案内板６３の水平方向Ｘの長さはガス吐出用ノズル６２から吐出されるガスが吸引用ノズル６１による処理液の吸引をアシストできる範囲で形成することが必要である。

また、上記のように構成した場合に、吸引用ノズル６１の上流側（−Ｘ）にフランジ６４を取り付けて吸引用ノズル６１の開口と基板表面ＷＳとで挟まれる空間の局所的な真空度を高めて吸引効率を向上させるようにしてもよい。この構成では、フランジ６４の下面６４ａが本発明の「上流側対向部位」として機能する。

また、上記実施形態では、一方向（＋Ｘ方向）に搬送される基板Ｗの表面ＷＳから該基板表面ＷＳに付着する処理液を除去しているが、これに限定されない。例えば回転される半導体ウエハやガラス基板等の表面ＷＳから処理液の除去を行う基板処理装置にも適用することができる。

また、上記実施形態では、液切りヘッド３１を移動方向に固定して基板Ｗを搬送しながら液切り処理するようにしているが、これに限定されない。例えば基板Ｗを固定して液切りヘッド３１を移動させながら液切り処理するようにしてもよいし、基板Ｗと液切りヘッド３１の双方を移動させながら液切り処理するようにしてもよい。

また、上記実施形態では、開口部３４，３５を幅方向（Ｙ方向）に延びるスリット形状の単一の開口としているが、幅方向に複数の開口を配列させるように構成してもよい。

また、上記実施形態では、エッチング処理後に基板表面ＷＳに付着するエッチング液の液切りを行っているが、これに限定されない。例えば、「液体」として現像液、剥離液、洗浄液などの液切りを行うようにしてもよい。

この発明は、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、ＰＤＰ（プラズマ・ディスプレイ・パネル）用基板、あるいは磁気ディスク用のガラス基板やセラミック基板などを含む基板全般の表面から湿式処理後に該基板表面に付着する液体を除去する基板処理装置に適用することができる。

この発明にかかる基板処理装置の一実施形態を示す側断面図である。 図１の基板処理装置の制御構成を示すブロック図である。 図１の基板処理装置の液切り部の構成を示す斜視図である。 図１の基板処理装置の液切り部に装備された液切りヘッドの断面図である。 この発明にかかる基板処理装置の変形形態を示す側面図である。

符号の説明

２…ローラ駆動部（駆動手段）
３２…ヘッド本体
３３…対向面
３３ａ…対向部位
３３ｂ…上流側対向部位
３４…開口部（吸引部）
３５…開口部（ガス吐出部）
６１…吸引ノズル（吸引部）
６２…ガス吐出用ノズル（ガス吐出部）
６３ａ…案内板の下面（対向部位）
６４ａ…フランジの下面（上流側対向部位）
ＳＰ…上流側空間
Ｗ…基板
Ｗ１…対向部位の幅方向の幅
Ｗ２…基板の幅方向の幅
ＷＳ…基板表面
Ｘ…移動方向
Ｙ…幅方向

Claims (6)

1. 液体が付着する基板の表面から該液体を除去する基板処理装置において、
   前記基板表面に近接しながら対向配置されるヘッド本体と、
   前記ヘッド本体を前記基板に対して所定の移動方向に相対移動させる駆動手段と
   を備え、
   前記ヘッド本体は、前記移動方向において前記基板表面に対向する対向部位を挟み込むように、前記対向部位の上流側に前記対向部位に隣接して配設され前記基板表面から前記液体を吸引する吸引部と、前記対向部位の下流側に前記対向部位に隣接して配設され前記基板表面と前記対向部位とに挟まれた上流側空間にガスを吐出するガス吐出部とを有することを特徴とする基板処理装置。
2. 前記基板表面に対して平行でかつ前記移動方向に対して直交する方向を幅方向としたとき、
   前記ヘッド本体の対向部位の前記幅方向の幅は少なくとも前記基板の前記幅方向の幅以上に形成され、
   前記吸引部および前記ガス吐出部はそれぞれ前記幅方向に延びるスリット形状の開口を有する請求項１記載の基板処理装置。
3. 前記ヘッド本体は、前記移動方向において前記吸引部の上流側に前記基板表面から近接しながら対向配置される上流側対向部位をさらに備える請求項１または２記載の基板処理装置。
4. 前記ヘッド本体では前記対向部位が疎水性材料で形成されている請求項１ないし３のいずれかに記載の基板処理装置。
5. 前記吸引部は前記基板表面に対して垂直方向に前記液体を吸引する請求項１ないし４のいずれかに記載の基板処理装置。
6. 前記ガス吐出部は前記移動方向の上流側に向けて前記基板表面に対して８０度〜８５度の角度をなしてガスを吐出する請求項１ないし５のいずれかに記載の基板処理装置。

Images