JP2007005656A - Etching composition for metal material and method for manufacturing semiconductor device using the same - Google Patents
Etching composition for metal material and method for manufacturing semiconductor device using the same Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007005656A JP2007005656A JP2005185691A JP2005185691A JP2007005656A JP 2007005656 A JP2007005656 A JP 2007005656A JP 2005185691 A JP2005185691 A JP 2005185691A JP 2005185691 A JP2005185691 A JP 2005185691A JP 2007005656 A JP2007005656 A JP 2007005656A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- acid
- metal material
- agent composition
- etching
- etching agent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Weting (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
Abstract
Description
本発明は、半導体デバイス製造のトランジスタ形成工程に用いられるメタル材料を、選択的に、かつ効率よくエッチングするエッチング剤組成物、及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法に関するものである。 The present invention relates to an etchant composition that selectively and efficiently etches a metal material used in a transistor formation process of semiconductor device manufacture, and a method of manufacturing a semiconductor device using the same.
近年の半導体デバイスの素子微細化に伴って、信号の遅延または駆動力の低下が問題となっている。 With the recent miniaturization of semiconductor device elements, signal delay or reduction in driving power has become a problem.
信号の遅延の低減、または駆動力低下の問題を抑制するために、ゲート電極材料を従来から用いられてきたポリシリコンからメタル材料に変更する方法が検討されている。ゲート電極材料にメタル材料を用いることで、ゲート抵抗とソース−ドレイン間の抵抗を小さくする事ができ、トランジスタの信号遅延を低減することができる。また、ポリシリコン電極で観察されるゲートの空乏化が起こらなくなり、駆動力を向上することができる。 In order to suppress the problem of signal delay reduction or driving force reduction, a method of changing the gate electrode material from the conventionally used polysilicon to the metal material has been studied. By using a metal material for the gate electrode material, the gate resistance and the resistance between the source and the drain can be reduced, and the signal delay of the transistor can be reduced. Further, the gate depletion observed at the polysilicon electrode does not occur, and the driving force can be improved.
このような半導体デバイスの製造において、メタル材料を選択的にエッチングする必要がある。例えば、絶縁材料上にメタル材料を堆積させ、エッチングすることでパターンニングする工程において、従来のプラズマガスを用いたドライエッチング方法を適用した場合は、絶縁材料とメタル材料との選択比が取れず、絶縁材料がエッチングされてしまい、精密な加工が困難となる。また、プラズマや熱によるダメージが生じ、絶縁材料の欠陥や界面準位の発生等の問題を生じる。これらのプラズマガスが半導体デバイスに与える影響は、半導体デバイスの素子微細化に伴って、より大きくなる。さらに、メタル材料をパターンニングする工程において、ウェットエッチング方法を適用したメタル材料のエッチング技術は報告されていない。そのため、絶縁材料に対する腐食性が少なく、効率よくメタル材料のみをエッチングする技術が切望されていた。 In manufacturing such a semiconductor device, it is necessary to selectively etch a metal material. For example, when a conventional dry etching method using plasma gas is applied in a patterning process by depositing a metal material on an insulating material and performing etching, the selectivity between the insulating material and the metal material cannot be obtained. Then, the insulating material is etched, and precise processing becomes difficult. In addition, damage due to plasma or heat occurs, causing problems such as defects in insulating materials and generation of interface states. The influence of these plasma gases on the semiconductor device becomes greater as the semiconductor device is miniaturized. Further, no metal material etching technique using a wet etching method has been reported in the process of patterning a metal material. For this reason, there has been a strong demand for a technique that efficiently etches only a metal material with little corrosiveness to an insulating material.
本発明は、半導体デバイスの信号遅延の低減、駆動力向上の技術に不可欠なメタル材料を用いた製造工程において、従来のプラズマガスを用いたドライエッチング方法のみでは困難である、絶縁材料に対してダメージレスなメタル材料用エッチング剤に関するものであり、メタル材料を選択的に、かつ効率よくエッチングするエッチング剤組成物を提供することにある。 The present invention relates to an insulating material, which is difficult only by a conventional dry etching method using a plasma gas in a manufacturing process using a metal material indispensable for a technology for reducing a signal delay of a semiconductor device and improving a driving force. The present invention relates to an etching agent for a metal material that is damageless, and is to provide an etching agent composition that selectively and efficiently etches a metal material.
本発明者らは、メタル材料を選択的にエッチングする技術を確立するために、上記課題を解決すべく鋭意研究を行った結果、フッ素化合物と、無機酸および有機酸の少なくともいずれかを含有するエッチング剤組成物において、メタル材料の精密な加工が可能であり、かつ絶縁材料に対する腐食性が少ないという極めて優れた特性が有ることを見出し、本発明を完成するに至った。すなわち本発明は、以下のメタル材料用エッチング剤組成物及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法に関するものである。 In order to establish a technique for selectively etching a metal material, the present inventors have intensively studied to solve the above problems, and as a result, contain a fluorine compound and at least one of an inorganic acid and an organic acid. The present inventors have found that the etching composition has extremely excellent characteristics that the metal material can be precisely processed and is less corrosive to the insulating material, and the present invention has been completed. That is, this invention relates to the manufacturing method of the following semiconductor material etching agent composition and semiconductor device using the same.
１. 半導体デバイス製造のトランジスタ形成工程に用いられるメタル材料を選択的にエッチングするエッチング剤組成物であって、フッ素化合物と、無機酸及び/又は有機酸を含有する水溶液であることを特徴とするメタル材料のエッチング剤組成物。
２.フッ素化合物が０．００１〜１０重量％、無機酸が０．０１〜５０重量％である請求項１記載のエッチング剤組成物。
3.フッ素化合物の濃度が０．００１〜１０重量％、有機酸が０．０１〜１５重量％である請求項１記載のエッチング剤組成物。
4.フッ素化合物がフッ化水素酸、フッ化アンモニウム、フッ化テトラメチルアンモニウム、フッ化ナトリウム、及びフッ化カリウムから選ばれる少なくとも１種である請求項１〜３のいずれかに記載のエッチング剤組成物。
５.無機酸が硫酸、硝酸、塩酸、リン酸、スルファミン酸、亜硝酸、及びアミド硫酸から選ばれる少なくとも１種である請求項１または２記載のエッチング剤組成物。
６.有機酸が蟻酸、シュウ酸、クエン酸、マロン酸、コハク酸、酢酸、プロピオン酸、リンゴ酸、及び酒石酸から選ばれる少なくとも１種である請求項１または３記載のエッチング剤組成物。
７.メタル材料が、Ａｌ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｈｆ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ若しくはＺｒである材料、又はこれらと珪素原子及び/又は窒素原子を含む材料である請求項１〜６のいずれかに記載のエッチング剤組成物。
８.請求項１〜６のいずれかに記載されたエッチング剤組成物を用い、絶縁材料を腐食することなく、選択的にメタル材料をエッチングすることを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
1. An etchant composition for selectively etching a metal material used in a transistor formation process of semiconductor device manufacture, which is an aqueous solution containing a fluorine compound and an inorganic acid and / or an organic acid. Metal material etchant composition.
2. The etching agent composition according to claim 1, wherein the fluorine compound is 0.001 to 10% by weight and the inorganic acid is 0.01 to 50% by weight.
3. The etching agent composition according to claim 1, wherein the concentration of the fluorine compound is 0.001 to 10% by weight and the organic acid is 0.01 to 15% by weight.
4. The etching composition according to claim 1, wherein the fluorine compound is at least one selected from hydrofluoric acid, ammonium fluoride, tetramethylammonium fluoride, sodium fluoride, and potassium fluoride. object.
5. The etchant composition according to claim 1 or 2, wherein the inorganic acid is at least one selected from sulfuric acid, nitric acid, hydrochloric acid, phosphoric acid, sulfamic acid, nitrous acid, and amidosulfuric acid.
6. The etching composition according to claim 1 or 3, wherein the organic acid is at least one selected from formic acid, oxalic acid, citric acid, malonic acid, succinic acid, acetic acid, propionic acid, malic acid, and tartaric acid.
7. Metal material is Al, Co, Cr, Cu, Fe, Hf, Mo, Nb, Ni, Pt, Ru, Ta, Ti, W or Zr, or these and silicon atoms and / or nitrogen atoms The etching agent composition according to any one of claims 1 to 6, which is a material containing the etching agent composition.
8. A method for producing a semiconductor device, wherein the metal composition is selectively etched using the etching agent composition according to any one of claims 1 to 6 without corroding the insulating material.
本発明のエッチング剤組成物を用いてメタル材料をエッチングすることにより、従来のプラズマガスを用いたエッチング方法のみでは困難であるメタル材料の選択的なエッチングが可能であり、かつ絶縁材料に対するダメージを抑制することができる。 By etching a metal material using the etching agent composition of the present invention, it is possible to selectively etch a metal material, which is difficult only by an etching method using a conventional plasma gas, and damages an insulating material. Can be suppressed.
本発明に使用するフッ素化合物は、フッ化水素酸、フッ化アンモニウム、酸性フッ化アンモニウム、フッ化セリウム、四フッ化ケイ素、フッ化ケイ素酸、フッ化窒素、フッ化リン、フッ化ビニリデン、三フッ化ホウ素、ホウフッ化水素酸、フッ化ホウ素酸アンモニウム、モノエタノールアミンフッ化水素塩、メチルアミンフッ化水素塩、エチルアミンフッ化水素塩、プロピルアミンフッ化水素塩、フッ化テトラメチルアンモニウム、フッ化テトラエチルアンモニウム、フッ化トリエチルメチルアンモニウム、フッ化トリメチルヒドロキシエチルアンモニウム、フッ化テトラエトキシアンモニウム、フッ化メチルトリエトキシアンモニウム等のフッ素化合物塩、またはフッ化リチウム、フッ化ナトリウム、酸性フッ化ナトリウム、フッ化カリウム、酸性フッ化カリウム、フッ化ケイ素酸カリウム、六フッ化リン酸カリウム、フッ化マグネシウム、フッ化カルシウム、フッ化ストロンチウム、フッ化バリウム、フッ化亜鉛、フッ化アルミニウム、フッ化第一錫、フッ化鉛、三フッ化アンチモン等の金属フッ素化合物が挙げられる。なかでも好ましいフッ素化合物は、フッ化水素酸、フッ化アンモニウム、フッ化テトラメチルアンモニウム、フッ化ナトリウム、またはフッ化カリウムである。 The fluorine compound used in the present invention is hydrofluoric acid, ammonium fluoride, acidic ammonium fluoride, cerium fluoride, silicon tetrafluoride, silicon fluoride, nitrogen fluoride, phosphorus fluoride, vinylidene fluoride, three Boron fluoride, borohydrofluoric acid, ammonium fluoroborate, monoethanolamine hydrofluoride, methylamine hydrofluoride, ethylamine hydrofluoride, propylamine hydrofluoride, tetramethylammonium fluoride, fluoro Fluorine compound salts such as tetraethylammonium fluoride, triethylmethylammonium fluoride, trimethylhydroxyethylammonium fluoride, tetraethoxyammonium fluoride, methyltriethoxyammonium fluoride, or lithium fluoride, sodium fluoride, sodium acid fluoride, fluorine Kariu , Acidic potassium fluoride, potassium fluorosilicate, potassium hexafluorophosphate, magnesium fluoride, calcium fluoride, strontium fluoride, barium fluoride, zinc fluoride, aluminum fluoride, stannous fluoride, fluorine Examples thereof include metal fluorine compounds such as lead fluoride and antimony trifluoride. Of these, preferred fluorine compounds are hydrofluoric acid, ammonium fluoride, tetramethylammonium fluoride, sodium fluoride, or potassium fluoride.
本発明に用いられる上記フッ素化合物は、単独でも２種類以上組み合わせて用いてもよい。フッ素化合物の濃度は０.００１〜１０重量％の範囲で使用されるが、０.００１重量％以下ではメタル材料のエッチング速度が遅くなり、１０重量％以上では、絶縁材料に対して腐食を生じ、得策ではない。 The said fluorine compound used for this invention may be used individually or in combination of 2 or more types. The concentration of the fluorine compound is in the range of 0.001 to 10% by weight. However, if it is 0.001% by weight or less, the etching rate of the metal material is slow. It ’s not a good idea.
本発明に使用する無機酸は、硫酸、硝酸、塩酸、リン酸、次亜リン酸、炭酸、スルファミン酸、ホウ酸、ホスホン酸、ホスフィン酸、亜硝酸、アミド硫酸等が挙げられ、この中では硫酸、硝酸、塩酸、リン酸、スルファミン酸、亜硝酸、およびアミド硫酸が好ましい。 Examples of the inorganic acid used in the present invention include sulfuric acid, nitric acid, hydrochloric acid, phosphoric acid, hypophosphorous acid, carbonic acid, sulfamic acid, boric acid, phosphonic acid, phosphinic acid, nitrous acid, and amidosulfuric acid. Sulfuric acid, nitric acid, hydrochloric acid, phosphoric acid, sulfamic acid, nitrous acid, and amidosulfuric acid are preferred.
本発明に使用する有機酸は、シュウ酸、コハク酸、マロン酸、プロピオン酸、酢酸、マレイン酸、グリコール酸、ジグリコール酸、酒石酸、イタコン酸、ピルビン酸、リンゴ酸、アジピン酸、蟻酸、フタル酸、安息香酸、サリチル酸、カルバミン酸、チオシアン酸、乳酸、クエン酸が挙げられ、この中ではシュウ酸、クエン酸、マロン酸、コハク酸、酢酸、プロピオン酸、リンゴ酸、および酒石酸が好ましい。 Organic acids used in the present invention are oxalic acid, succinic acid, malonic acid, propionic acid, acetic acid, maleic acid, glycolic acid, diglycolic acid, tartaric acid, itaconic acid, pyruvic acid, malic acid, adipic acid, formic acid, phthalic acid Examples include acids, benzoic acid, salicylic acid, carbamic acid, thiocyanic acid, lactic acid, and citric acid, and oxalic acid, citric acid, malonic acid, succinic acid, acetic acid, propionic acid, malic acid, and tartaric acid are preferable.
本発明に用いられる上記無機酸、有機酸は、単独でも２種類以上組み合わせて用いてもよい。また本発明のエッチング剤組成物中の無機酸濃度は、含まれる水への溶解度によって適宜決定されるが、好ましくは０．０１〜５０重量％の範囲で使用される。０．０１重量％よりも低い濃度では、メタル材料のエッチング速度が遅くなり、５０重量％以上では、エッチング対象となるメタル材料以外に、本来エッチングによるダメージを与えたくない材質がエッチングされる等好ましくない。 The inorganic acid and organic acid used in the present invention may be used alone or in combination of two or more. The inorganic acid concentration in the etching composition of the present invention is appropriately determined depending on the solubility in water contained, but is preferably used in the range of 0.01 to 50% by weight. When the concentration is lower than 0.01% by weight, the etching rate of the metal material is slow, and when it is 50% by weight or more, other than the metal material to be etched, a material that originally does not want to be damaged by etching is preferably etched. Absent.
有機酸濃度は、含まれる水への溶解度によって適宜決定されるが、好ましくは０．０１〜１５重量％の範囲で使用される。０．０１重量％よりも低い濃度ではメタル材料のエッチング速度が遅くなり、１５重量％以上では、エッチング剤組成物中において結晶の析出が生じる等好ましくない。 The organic acid concentration is appropriately determined depending on the solubility in water contained, but is preferably used in the range of 0.01 to 15% by weight. When the concentration is lower than 0.01% by weight, the etching rate of the metal material is slow, and when it is 15% by weight or more, crystals are precipitated in the etching agent composition.
本発明のエッチング剤組成物は、エッチング対象であるメタル材料を全てエッチングする工程で用いられるが、従来のプラズマガスを用いたドライエッチング方法で、絶縁材料に対してダメージを与えない程度までエッチングした後、メタル材料の未エッチング部の除去に用いる事もできる。 The etchant composition of the present invention is used in a process of etching all metal materials to be etched, but is etched to such an extent that the insulating material is not damaged by a conventional dry etching method using plasma gas. Later, it can be used to remove the unetched portion of the metal material.
また本発明のエッチング剤組成物には、エッチング剤組成物の濡れ性を向上させる、またはウェハーを処理した後にウェハーに付着するパーティクル、もしくは金属コンタミを抑制する、または絶縁材料に対するダメージを抑制する等の、エッチング剤組成物の性能を向上させる目的で、従来から使用されている添加剤を配合してもよい。このような添加剤としては、界面活性能を有する化合物、キレート能を有する化合物、水溶性高分子、及び水溶性または水混和性の有機溶剤等が挙げられる。またこれら添加剤は、本発明のエッチング剤組成物に溶解すれば使用可能であり、単独でも２種類以上組み合わせて用いてもよい。 Further, the etching agent composition of the present invention improves the wettability of the etching agent composition, or suppresses particles or metal contamination that adhere to the wafer after processing the wafer, or suppresses damage to the insulating material, etc. For the purpose of improving the performance of the etching agent composition, additives conventionally used may be blended. Examples of such additives include compounds having surface active ability, compounds having chelating ability, water-soluble polymers, and water-soluble or water-miscible organic solvents. These additives can be used if dissolved in the etching agent composition of the present invention, and may be used alone or in combination of two or more.
また本発明のエッチング剤組成物のｐＨは特に制限はなく、エッチング条件、使用される半導体基材の種類等により選択すればよい。アルカリ性で使用する場合は、例えばアンモニア、アミン、テトラメチルアンモニウム水酸化物等の第四級アンモニウム水酸化物等を添加すればよく、酸性で使用する場合は、無機酸、有機酸等を添加すればよい。 The pH of the etching agent composition of the present invention is not particularly limited, and may be selected depending on the etching conditions, the type of semiconductor substrate used, and the like. For alkaline use, for example, ammonia, amine, quaternary ammonium hydroxides such as tetramethylammonium hydroxide may be added. For acidic use, inorganic acids, organic acids, etc. should be added. That's fine.
本発明のエッチング剤組成物の使用温度は、エッチング対象となるメタル材料の種類や必要なエッチング量により、使用時間とともに適宜決定される。 The use temperature of the etching agent composition of the present invention is appropriately determined along with the use time depending on the type of metal material to be etched and the required etching amount.
本発明のメタル材料は、Ａｌ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｈｆ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ、Ｚｒから選ばれる少なくとも一種を含んでいればよく、より好ましくはＣｏ、Ｈｆ、Ｎｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗから選ばれる。またはこれらに珪素原子もしくは窒素原子を含む材料、またはこれらに珪素原子、窒素原子の両方を含む材料であっても適用できる。さらに上記材料中２つの材料が混合されていても、積層状態であっても適用できる。 The metal material of the present invention only needs to contain at least one selected from Al, Co, Cr, Cu, Fe, Hf, Mo, Nb, Ni, Pt, Ru, Ta, Ti, W, and Zr, and more preferably. Is selected from Co, Hf, Ni, Ta, Ti, and W. Alternatively, a material containing a silicon atom or a nitrogen atom, or a material containing both a silicon atom and a nitrogen atom can be applied. Further, the present invention can be applied even when two materials are mixed or in a laminated state.
実施例及び比較例により本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例により何ら制限されるものではない。 The present invention will be described more specifically with reference to examples and comparative examples, but the present invention is not limited to these examples.
実施例１〜１３、比較例１〜４
シリコンウェハ基板上に、絶縁材料であるｔｈ−ＳｉＯ２を形成したウェハサンプルを用い、エッチング性能の確認を行った。その結果を表１に示した。
なお、絶縁材料であるｔｈ−ＳｉＯ２の評価基準は次の通りである。
○：ｔｈ−ＳｉＯ２のエッチング程度が小さかった（２０Å／分以下）
×：ｔｈ−ＳｉＯ２のエッチング程度が大きかった（２０Å／分以上）
Examples 1-13, Comparative Examples 1-4
Etching performance was confirmed using a wafer sample in which th-SiO 2 as an insulating material was formed on a silicon wafer substrate. The results are shown in Table 1.
The evaluation criteria of th-SiO 2 which is an insulating material are as follows.
○: The etching degree of th-SiO 2 was small (20 Å / min or less)
×: The degree of etching of th-SiO 2 was large (20 Å / min or more)
また、シリコンウェハ基板上に、絶縁材料であるｔｈ−ＳｉＯ２、さらにピュアなメタル材料であるＴｉを形成したウェハサンプルを用いて、エッチング性能の確認を行った。その結果も同様に、表１に示した。
なお、ピュアなメタル材料であるＴｉの評価基準は次の通りである。
○：Ｔｉが明らかにエッチングされていた
×：Ｔｉがエッチングされなかった
Further, a silicon wafer substrate, th-SiO 2 as an insulating material, further by using a wafer sample formed a Ti a pure metal material, was confirmed etching performance. The results are also shown in Table 1.
The evaluation criteria for Ti, which is a pure metal material, are as follows.
○: Ti was clearly etched ×: Ti was not etched
実施例１４〜２６、比較例５〜８
表２に示した組成のエッチング剤組成物で処理を行って、絶縁材料であるｔｈ−ＳｉＯ２のエッチング性能の確認を行った。また、シリコンウェハ基板上に、絶縁材料であるｔｈ−ＳｉＯ２、さらに珪素原子を含むメタル材料であるＨｆＳｉを形成したウェハサンプルを用いて、エッチング性能の確認を行った。その結果を表２に示した。
なお、珪素原子を含むメタル材料であるＨｆＳｉの評価基準は次の通りである。
○：ＨｆＳｉが明らかにエッチングされていた
×：ＨｆＳｉがエッチングされなかった
Examples 14-26, Comparative Examples 5-8
Performs a process in the etching agent composition of the composition shown in Table 2, was confirmed etching performance of th-SiO 2 which is an insulating material. Further, a silicon wafer substrate, th-SiO 2 as an insulating material, by using a wafer sample formed a HfSi a metal material further containing a silicon atom, was confirmed etching performance. The results are shown in Table 2.
The evaluation criteria for HfSi, which is a metal material containing silicon atoms, are as follows.
○: HfSi was clearly etched ×: HfSi was not etched
実施例２７〜３９、比較例９〜１２
表３に示した組成のエッチング剤組成物で処理を行って、絶縁材料であるｔｈ−ＳｉＯ２のエッチング性能の確認を行った。また、シリコンウェハ基板上に、絶縁材料であるｔｈ−ＳｉＯ２、さらに窒素原子を含むメタル材料であるＨｆＮを形成したウェハサンプルを用いて、エッチング性能の確認を行った。その結果を表３に示した。
なお、窒素原子を含むメタル材料であるＨｆＮの評価基準は次の通りである。
○：ＨｆＮが明らかにエッチングされていた
×：ＨｆＮがエッチングされなかった
Examples 27-39, Comparative Examples 9-12
To perform the processing with the etchant compositions of the compositions shown in Table 3, was confirmed etching performance of th-SiO 2 which is an insulating material. In addition, etching performance was confirmed using a wafer sample in which th-SiO 2 as an insulating material and HfN as a metal material containing nitrogen atoms were formed on a silicon wafer substrate. The results are shown in Table 3.
The evaluation criteria for HfN, which is a metal material containing nitrogen atoms, are as follows.
○: HfN was clearly etched ×: HfN was not etched
実施例４０〜５２、比較例１３〜１６
表４に示した組成のエッチング剤組成物で処理を行って、絶縁材料であるｔｈ−ＳｉＯ２のエッチング性能の確認を行った。また、シリコンウェハ基板上に、絶縁材料であるｔｈ−ＳｉＯ２、さらに珪素原子、窒素原子の両方を含むメタル材料であるＴａＳｉＮを形成したウェハサンプルを用いて、エッチング性能の確認を行った。その結果を表４に示した。
なお、珪素原子、窒素原子の両方を含むメタル材料であるＴａＳｉＮの評価基準は次の通りである。
○：ＴａＳｉＮが明らかにエッチングされていた
×：ＴａＳｉＮがエッチングされなかった
Examples 40-52, Comparative Examples 13-16
Table 4 shows by performing the treatment with an etching agent composition of the composition was confirmed etching performance of th-SiO 2 which is an insulating material. In addition, etching performance was confirmed using a wafer sample in which Ta-N 2 which is a metal material containing both silicon atoms and nitrogen atoms was formed on a silicon wafer substrate, th-SiO 2 which is an insulating material. The results are shown in Table 4.
The evaluation criteria for TaSiN, which is a metal material containing both silicon atoms and nitrogen atoms, are as follows.
○: TaSiN was clearly etched ×: TaSiN was not etched
表１、２、３及び４において、本発明のエッチング剤組成物を適用することにより、所望のメタル材料のエッチングが可能であり、かつ、絶縁材料であるｔｈ−ＳｉＯ２に対する腐食性が少ないことが確認された。 In Tables 1, 2, 3 and 4, by applying the etching agent composition of the present invention, it is possible to etch a desired metal material and to be less corrosive to th-SiO 2 which is an insulating material. Was confirmed.
このように、本発明のエッチング剤組成物を用いて半導体デバイス製造のトランジスタ形成工程に用いられるメタル材料を処理することにより、このメタル材料を選択的に、かつ効率よくエッチングできることが明らかとなった。 Thus, it became clear that this metal material can be etched selectively and efficiently by treating the metal material used in the transistor formation process of semiconductor device manufacturing using the etching agent composition of the present invention. .
Claims (8)
A method for manufacturing a semiconductor device, comprising using the etching agent composition according to claim 1 to selectively etch a metal material without corroding an insulating material.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005185691A JP2007005656A (en) | 2005-06-24 | 2005-06-24 | Etching composition for metal material and method for manufacturing semiconductor device using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005185691A JP2007005656A (en) | 2005-06-24 | 2005-06-24 | Etching composition for metal material and method for manufacturing semiconductor device using the same |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2007005656A true JP2007005656A (en) | 2007-01-11 |
Family
ID=37690947
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005185691A Pending JP2007005656A (en) | 2005-06-24 | 2005-06-24 | Etching composition for metal material and method for manufacturing semiconductor device using the same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2007005656A (en) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008053374A (en) * | 2006-08-23 | 2008-03-06 | Kanto Chem Co Inc | Etching composition for titanium and aluminum metal laminate film |
| JP2009019255A (en) * | 2007-07-13 | 2009-01-29 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | Titanium nitride peeling liquid, and method for peeling titanium nitride film |
| JP2009527131A (en) * | 2006-03-29 | 2009-07-23 | インテル コーポレイション | Composition for etching metal hard mask material in semiconductor process |
| JP2010214267A (en) * | 2009-03-16 | 2010-09-30 | Tosoh Corp | Method for cleaning polished quartz glass substrate |
| US8623236B2 (en) | 2007-07-13 | 2014-01-07 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Titanium nitride-stripping liquid, and method for stripping titanium nitride coating film |
| JP2014001447A (en) * | 2012-02-07 | 2014-01-09 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | Activation method for improving metal adhesion |
| KR20160016136A (en) * | 2014-08-04 | 2016-02-15 | 주식회사 원익큐엔씨 | Surface treatment for quartz jigs for cvd, composition for surface treatment of quartz jigs and quartz jigs manufactured by the same |
| WO2017188108A1 (en) * | 2016-04-27 | 2017-11-02 | 三洋化成工業株式会社 | Etchant, and method for producing electronic substrate |
| CN109439329A (en) * | 2018-10-29 | 2019-03-08 | 苏州博洋化学股份有限公司 | FPD array process novel I GZO etching solution |
| CN111019659A (en) * | 2019-12-06 | 2020-04-17 | 湖北兴福电子材料有限公司 | Selective silicon etching liquid |
| JP2024032483A (en) * | 2022-08-29 | 2024-03-12 | 花王株式会社 | Etching liquid composition |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0790629A (en) * | 1993-07-20 | 1995-04-04 | Kobe Steel Ltd | Etchant for corrosion-resistant al-base alloy and method for forming thin-film electrode or wiring using the etchant |
| JPH11302877A (en) * | 1998-04-21 | 1999-11-02 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Removing method of metal film on silicon wafer surface, acid aqueous solution used for that and regenerating method of silicon wafer |
| JP2006179513A (en) * | 2004-12-20 | 2006-07-06 | Stella Chemifa Corp | Microfabrication processing agent and microfabrication processing method using same |
| WO2006137497A1 (en) * | 2005-06-24 | 2006-12-28 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Etching composition for metal material and method for manufacturing semiconductor device by using same |
-
2005
- 2005-06-24 JP JP2005185691A patent/JP2007005656A/en active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0790629A (en) * | 1993-07-20 | 1995-04-04 | Kobe Steel Ltd | Etchant for corrosion-resistant al-base alloy and method for forming thin-film electrode or wiring using the etchant |
| JPH11302877A (en) * | 1998-04-21 | 1999-11-02 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Removing method of metal film on silicon wafer surface, acid aqueous solution used for that and regenerating method of silicon wafer |
| JP2006179513A (en) * | 2004-12-20 | 2006-07-06 | Stella Chemifa Corp | Microfabrication processing agent and microfabrication processing method using same |
| WO2006137497A1 (en) * | 2005-06-24 | 2006-12-28 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Etching composition for metal material and method for manufacturing semiconductor device by using same |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009527131A (en) * | 2006-03-29 | 2009-07-23 | インテル コーポレイション | Composition for etching metal hard mask material in semiconductor process |
| JP4896995B2 (en) * | 2006-03-29 | 2012-03-14 | インテル コーポレイション | Composition for etching metal hard mask material in semiconductor process |
| JP2008053374A (en) * | 2006-08-23 | 2008-03-06 | Kanto Chem Co Inc | Etching composition for titanium and aluminum metal laminate film |
| JP2009019255A (en) * | 2007-07-13 | 2009-01-29 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | Titanium nitride peeling liquid, and method for peeling titanium nitride film |
| US8623236B2 (en) | 2007-07-13 | 2014-01-07 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Titanium nitride-stripping liquid, and method for stripping titanium nitride coating film |
| JP2010214267A (en) * | 2009-03-16 | 2010-09-30 | Tosoh Corp | Method for cleaning polished quartz glass substrate |
| JP2014001447A (en) * | 2012-02-07 | 2014-01-09 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | Activation method for improving metal adhesion |
| KR20160016136A (en) * | 2014-08-04 | 2016-02-15 | 주식회사 원익큐엔씨 | Surface treatment for quartz jigs for cvd, composition for surface treatment of quartz jigs and quartz jigs manufactured by the same |
| KR101606793B1 (en) * | 2014-08-04 | 2016-03-28 | 주식회사 원익큐엔씨 | Surface treatment for quartz jigs for cvd, composition for surface treatment of quartz jigs and quartz jigs manufactured by the same |
| WO2017188108A1 (en) * | 2016-04-27 | 2017-11-02 | 三洋化成工業株式会社 | Etchant, and method for producing electronic substrate |
| CN108699706A (en) * | 2016-04-27 | 2018-10-23 | 三洋化成工业株式会社 | The manufacturing method of etching solution and electric substrate |
| CN109439329A (en) * | 2018-10-29 | 2019-03-08 | 苏州博洋化学股份有限公司 | FPD array process novel I GZO etching solution |
| CN111019659A (en) * | 2019-12-06 | 2020-04-17 | 湖北兴福电子材料有限公司 | Selective silicon etching liquid |
| CN111019659B (en) * | 2019-12-06 | 2021-06-08 | 湖北兴福电子材料有限公司 | Selective silicon etching liquid |
| JP2024032483A (en) * | 2022-08-29 | 2024-03-12 | 花王株式会社 | Etching liquid composition |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5050850B2 (en) | Etching composition for metal material and method for producing semiconductor device using the same | |
| CN103605266B (en) | Photoresist Residue and Polymer Residue Removal Liquid Composition | |
| KR101275448B1 (en) | Semiconductor surface treatment agent | |
| JP6027083B2 (en) | Composition for titanium nitride hard mask and removal of etching residue | |
| US20090212021A1 (en) | Compositions and methods for selective removal of metal or metal alloy after metal silicide formation | |
| CN101884095B (en) | Silicon etching liquid and etching method | |
| JP2007005656A (en) | Etching composition for metal material and method for manufacturing semiconductor device using the same | |
| JP2006054363A (en) | Anisotropic etching agent composition and etching method used for silicon microfabrication | |
| JP2024107331A (en) | Etching Composition | |
| EP1542080A1 (en) | Photoresist residue remover composition | |
| TWI388943B (en) | Remover composition | |
| TWI359866B (en) | Cleaning composition and method | |
| JP2001527286A (en) | Selective silicon oxide etchant formulation comprising fluoride salt, chelating agent, and glycol solvent | |
| JP2008216843A (en) | Photoresist stripping composition | |
| JP4839968B2 (en) | Resist removing composition and resist removing method | |
| JP2017108104A (en) | Tungsten film etchant composition, method for producing electronic device using the same, and electronic device | |
| JP4577095B2 (en) | Etching composition for metal titanium and etching method using the same | |
| JP4758187B2 (en) | Photoresist residue and polymer residue remover | |
| JP2005256077A (en) | Etching solution | |
| JP5017985B2 (en) | Resist removing composition and resist removing method | |
| JP2005064064A (en) | Etching agent and etching method | |
| TW201730326A (en) | Acidic semi-aqueous fluoride activated anti-reflective coating cleaner with excellent substrate compatibility and excellent bath stability | |
| JP2005109319A (en) | Tantalum oxide etching composition | |
| JP2005191277A (en) | Etching agent | |
| KR20050099121A (en) | Cleaning composition for semiconductor device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080602 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100512 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100519 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100618 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100714 |