JP2007004874A - テープ状記録媒体の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 走行安定性に優れると共に、ドロップアウトの発生頻度が少ないテープ状記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】 原反製造装置10を用いて、支持体2に磁性層3とバックコート層4を形成する原反製造工程S1と、製造された原反1を巻き取る原反巻取工程S2と、歪緩和装置20を用いて、製造過程で原反1に蓄積された歪を緩和する歪緩和工程S3と、原反裁断装置30を用いて、原反1を磁気テープMTの幅にカットする原反裁断工程S4と、カットした原反1を巻き直す原反巻直し工程S5と、加熱装置40を用いて、ハブ32に巻き直した原反1を加熱して磁性層3の凹み3aを回復させる原反加熱工程S6と、から構成されている。
【選択図】 図1
【解決手段】 原反製造装置10を用いて、支持体2に磁性層3とバックコート層4を形成する原反製造工程S1と、製造された原反1を巻き取る原反巻取工程S2と、歪緩和装置20を用いて、製造過程で原反1に蓄積された歪を緩和する歪緩和工程S3と、原反裁断装置30を用いて、原反1を磁気テープMTの幅にカットする原反裁断工程S4と、カットした原反1を巻き直す原反巻直し工程S5と、加熱装置40を用いて、ハブ32に巻き直した原反1を加熱して磁性層3の凹み3aを回復させる原反加熱工程S6と、から構成されている。
【選択図】 図1
Description
本発明は、テープ状記録媒体の製造方法に関する。
従来の磁気テープの製造方法としては、磁気テープ用支持体原反ロールから送り出された磁気テープ用支持体の一方の面に、磁性体、結合剤及び溶剤を含む磁性層形成用塗布液を塗布、配向、乾燥させ、巻き取ることにより磁気テープ原反ロールを製造し、この磁気テープ原反ロールの周面を一側縁部から他側縁部までテープ幅で複数に裁断して、この裁断された原反からテープワインダーを用いてテープカセット毎に磁気テープを巻き取る方法が知られている(例えば特許文献1参照)。
このとき、磁性層形成用塗布液などを塗布された磁気テープ用支持体は、カレンダ装置によって鏡面化処理を施されたのちに巻き取られる。また、巻き取られた磁気テープ原反ロールは、例えば雰囲気温度70℃程度、低湿度状態に調整された空間内に所定時間(例えば36時間程度)保存され、塗膜の熱硬化とベースの歪みの緩和が行われる。
また、磁気テープ用支持体の他方の面には、例えば平均粒子サイズが50〜300nmの粗粒子状カーボンブラックを含有したバックコート層が形成されている。そして、かかる粗粒子状カーボンブラックにより、バックコート層の表面に微小突起を形成し、接触面積を減少させて、摩擦係数の低減化及び走行安定性の向上を図っている。
特開2002−123934号公報(段落0022〜0024)
ところが、バックコート層の表面に微小突起が形成されていると、磁気テープ用支持体を巻き取って磁気テープ原反ロールを製造した段階で、当該微小突起が対向する磁性層表面に押し付けられる。そして、その状態で磁気テープ原反ロールを長時間放置したり、加熱したりすると、磁性層表面に微小な凹みが形成されてしまうという問題があった。
前記のような磁気テープに代表されるテープ状記録媒体のデータ記録層の表面に凹みがあると、データ読み取り/書き込み時におけるドロップアウト(信号欠落)の発生頻度が増大し、テープ状記録媒体の品質が低下してしまう。また、トラック幅が狭くなるにつれてかかる凹みの影響が大きくなることから、テープ状記録媒体の記録容量(記録密度)を増大させる上で大きな障害となっていた。
前記のような磁気テープに代表されるテープ状記録媒体のデータ記録層の表面に凹みがあると、データ読み取り/書き込み時におけるドロップアウト(信号欠落)の発生頻度が増大し、テープ状記録媒体の品質が低下してしまう。また、トラック幅が狭くなるにつれてかかる凹みの影響が大きくなることから、テープ状記録媒体の記録容量(記録密度)を増大させる上で大きな障害となっていた。
本発明はこれらの問題を解決するためになされたものであり、走行安定性に優れると共に、ドロップアウトの発生頻度が少ないテープ状記録媒体の製造方法を提供することを課題とする。
また、本発明は、記録容量を増大させてもドロップアウトの発生頻度が増大することがないテープ状記録媒体の製造方法を提供することを課題とする。
また、本発明は、記録容量を増大させてもドロップアウトの発生頻度が増大することがないテープ状記録媒体の製造方法を提供することを課題とする。
鋭意研究の結果、発明者は、所定の張力で原反を巻き取った後に、磁気テープを巻き直し、これを加熱すると、磁性層表面に形成された凹みが回復することを見出した。本発明は、かかる発見に基づいてなされたものである。
請求項1に係る発明は、支持体の一方の面にデータ記録層を形成すると共に、微小突起を有するバックコート層を他方の面に形成してテープ状記録媒体の原反を製造する原反製造工程と、所定の張力で前記原反を巻き取る原反巻取工程と、前記原反を巻き直す原反巻直し工程と、巻き直した前記原反を加熱する原反加熱工程と、を含むことを特徴とするテープ状記録媒体の製造方法である。
かかる方法によれば、まず、支持体の一方の面にデータ記録層を形成すると共に、微小突起を有するバックコート層を他方の面に形成することにより、テープ状記録媒体の原反が製造される(原反製造工程)。つぎに、所定の張力で前記原反を巻き取って原反ロールの状態にする(原反巻取工程)。このときにバックコート層の微小突起がデータ記録層の表面に押し付けられて凹みが形成される。そして、巻き取られた原反をもう一度巻き直し(原反巻直し工程)、巻き直した原反を加熱すると、データ記録層が膨張して凹みが回復する。
なお、原反巻取工程は、その後の保管や熱処理(歪緩和)を行い易くするために行われる工程である。
なお、原反巻取工程は、その後の保管や熱処理(歪緩和)を行い易くするために行われる工程である。
ここで、原反ロールの芯に近い部分の方が表面に近い部分よりも面圧が強いことから、原反ロールの芯に近い部分の方がデータ記録層表面の凹みが大きく(深く)なる。一方、一旦巻き取った原反を巻き直すと、はじめに巻き取ったときに原反ロールの芯の近くに巻かれていた原反が、巻き直したときには原反ロールの表面の近くに移ることとなる。そのため、凹みの大きい部分にかかる面圧が小さくなり、当該凹みを効果的に回復させることが可能になる。なお、巻き直したときに原反ロールの芯の近くに巻き取られる原反については、もともと凹みが小さく、さらに、巻き直すときの張力が弱くなっているので、凹みの回復を図ることができる。また、巻き直すことによって、微小突起と凹みの位置がずれるため、凹みが回復し易くなる。
なお、原反巻直し工程における原反の張力は、特に限定されるものではないが、原反巻取工程における原反の張力よりも小さい(弱い)張力で巻き直すようにしてもよい。
なお、原反巻直し工程における原反の張力は、特に限定されるものではないが、原反巻取工程における原反の張力よりも小さい(弱い)張力で巻き直すようにしてもよい。
ここで、データ記録層は、磁界の変化を信号として記録する磁性層でもよいし、レーザー光の照射によって結晶性の変化(相変化)を起こす金属材料や有機色素記録材料を含んでなる光記録層でもよい。
また、原反の幅は、裁断することにより複数のテープ状記録媒体を形成できる幅(例えば1m程度)であってもよいし、1本のテープ状記録媒体に相当する幅(例えば1/2インチ)であってもよい。
また、原反の幅は、裁断することにより複数のテープ状記録媒体を形成できる幅(例えば1m程度)であってもよいし、1本のテープ状記録媒体に相当する幅(例えば1/2インチ)であってもよい。
請求項2に記載された発明は、前記原反巻取工程の後であって、前記原反巻直し工程の前に、巻き取った前記原反を加熱して原反の歪みを緩和する歪緩和工程をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載のテープ状記録媒体の製造方法である。
かかる方法によれば、原反の歪み、例えば塗布されたデータ記録層が乾燥することによる支持体の歪み等を緩和することができるため、テープ状記録媒体の品質を向上させることができる。原反の歪みを緩和するためには、当該原反を高温環境下に所定時間放置するのが効果的である。このときに、原反が温められて変形し易くなるため、バックコート層の微小突起がデータ記録層の表面に押し付けられて凹みが形成され易くなるが、この後の原反巻直し工程および原反加熱工程によって、当該凹みを回復させることができるので、テープ状記録媒体の品質が低下することがない。
請求項3に係る発明は、前記原反巻取工程の後であって、前記原反巻直し工程の前に、前記原反を裁断する原反裁断工程をさらに含み、前記原反巻直し工程は、裁断された原反を巻き取ることを特徴とする請求項1に記載のテープ状記録媒体の製造方法である。
また、請求項4に係る発明は、前記歪緩和工程の後であって、前記原反巻直し工程の前に、前記原反を裁断する原反裁断工程をさらに含み、前記原反巻直し工程は、裁断された原反を巻き取ることを特徴とする請求項2に記載のテープ状記録媒体の製造方法である。
かかる方法によれば、幅の広い原反を裁断した後に当該原反を巻き直すことから、原反加熱工程における原反の幅を狭くすることができる。そのため、加熱の効果が原反の幅方向の中央部まで早期にムラなく届くこととなり、データ記録層表面の凹みを効果的に回復させることができる。
請求項5に係る発明は、前記原反巻直し工程において、テープ巻取面にテーパを有するハブに前記原反を巻き直すことを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の磁気テープの製造方法である。
かかる方法によれば、原反巻直し工程において、テープ巻取面にテーパを有するハブ(以下、「テーパ付ハブ」と略称する場合がある。)に原反を巻き直すことから、巻き直された原反は、テーパ付ハブに巻きつけられた状態となる。そして、当該原反は、その後の原反加熱工程において、テーパ付ハブに巻きつけられた状態で加熱されることから、データ記録層表面の凹みが回復するとともに、原反に湾曲が付与されることとなる。このとき、テーパ付ハブに巻き直される前の段階で、原反の幅がテープ状記録媒体の幅に調整されていれば、データ記録層に凹みがなく、かつ、長手方向に沿って幅方向に湾曲が付与されたテープ状記録媒体を得ることができる。テープ幅の調整方法としては、目的とするテープ状記録媒体の幅と一致した幅を有する原反を最初から使用してもよいし、請求項3及び請求項4に記載したように、原反加熱工程の前に、原反を裁断する工程を設け、原反をテープ状記録媒体の幅に裁断するようにしてもよい。
なお、前記データ記録層は、磁性層であり、厚さ1〜150nmであるのが好ましい。テープ状記録媒体の記憶容量を増大させるためには、データ記録層を薄くするとともに、データトラックの幅を狭くして高密度にする必要があるが、そうすると、データ記録層の凹みの影響が相対的に大きくなり、通常の製造方法、すなわち、原反を巻き直して加熱しない方法ではデータのオフトラックが頻発してしまう。これに対して、本願発明を、磁性層の厚さが1〜150nmである高記録密度タイプの磁気テープの製造に適用すれば、データ記録層の凹みを回復させることができることから、例えばトラック密度を1500本/inにすることにより、テープ状記録媒体の記憶容量を増大させても、オフトラックが頻発することがない。
本発明によれば、走行安定性に優れると共に、ドロップアウトの発生頻度が少ないテープ状記録媒体の製造方法を提供することができる。
また、本発明によれば、記録容量を増大させてもドロップアウトの発生頻度が増大することがないテープ状記録媒体の製造方法を提供することができる。
さらには、長手方向に沿って幅方向に湾曲したテープ状記録媒体を製造する過程において、テーパ付ハブに原反を巻き直す際に、原反の張力を調節するだけで、湾曲を付与すると同時にデータ記録層の凹みを小さくすることができる。そのため、工程数を増やすことなく、走行安定性に優れると共に、ドロップアウトの発生頻度が少ないテープ状記録媒体を容易に製造することができる。
また、本発明によれば、記録容量を増大させてもドロップアウトの発生頻度が増大することがないテープ状記録媒体の製造方法を提供することができる。
さらには、長手方向に沿って幅方向に湾曲したテープ状記録媒体を製造する過程において、テーパ付ハブに原反を巻き直す際に、原反の張力を調節するだけで、湾曲を付与すると同時にデータ記録層の凹みを小さくすることができる。そのため、工程数を増やすことなく、走行安定性に優れると共に、ドロップアウトの発生頻度が少ないテープ状記録媒体を容易に製造することができる。
本発明を実施するための最良の形態について図面を参照して詳細に説明する。説明において、同一の要素には同一の番号を付し、重複する説明は省略する。ここでは、テープ状記録媒体の一つである磁気テープの製造方法を例にとって説明する。
図1は、磁気テープの製造設備を模式的に示した説明図であり、(a)は原反製造工程から歪緩和工程まで、(b)は原反裁断工程から原反加熱工程までに対応した装置をそれぞれ示している。図2は、原反および磁気テープの構成を示した拡大断面図であり、(a)は歪緩和工程を経た後の原反を、(b)は原反加熱工程を経た後の磁気テープをそれぞれ示している。
図1は、磁気テープの製造設備を模式的に示した説明図であり、(a)は原反製造工程から歪緩和工程まで、(b)は原反裁断工程から原反加熱工程までに対応した装置をそれぞれ示している。図2は、原反および磁気テープの構成を示した拡大断面図であり、(a)は歪緩和工程を経た後の原反を、(b)は原反加熱工程を経た後の磁気テープをそれぞれ示している。
<磁気テープの製造設備>
始めに、本実施形態に係る磁気テープの製造方法を実現するための磁気テープの製造設備について説明する。
磁気テープの製造設備は、図1に示すように、原反1を製造する原反製造装置10と、原反1の歪を緩和する歪緩和装置20と、原反1を磁気テープMTの幅に裁断する原反裁断装置30と、裁断された原反を加熱する加熱装置40とから構成されている。
始めに、本実施形態に係る磁気テープの製造方法を実現するための磁気テープの製造設備について説明する。
磁気テープの製造設備は、図1に示すように、原反1を製造する原反製造装置10と、原反1の歪を緩和する歪緩和装置20と、原反1を磁気テープMTの幅に裁断する原反裁断装置30と、裁断された原反を加熱する加熱装置40とから構成されている。
原反製造装置10は、図1(a)に示すように、支持体2を送り出す送出シャフトSH1と、支持体2に磁性層用塗布液およびバックコート層用塗布液とを塗布する塗布装置11と、塗布された塗布液を乾燥させるドライヤ12と、乾燥された磁性層用塗布液の表面を平滑に加工するカレンダ装置13と、磁性層3とバックコート層4(図2参照)とが形成された支持体2(すなわち原反1)を巻き取る巻取シャフトSH2と、を備えている。また、塗布装置11の上流側およびカレンダ装置13の下流側には、それぞれ、原反1または支持体2を搬送するピンチローラPとキャプスタンローラCが設けられている。また、原反1および支持体2の走行経路上には、ガイドローラGが設けられており、走行経路が規制されている。
送出シャフトSH1は、ロール状に巻回された支持体2からなる支持体ロールR1を取り付けるシャフトであり、駆動装置(図示省略)によって回転することにより支持体2を走行系路上に送り出すものである。送り出された支持体2は、ピンチローラP及びキャプスタンローラCによって塗布装置11に搬送されるようになっている。
ここで、支持体2は、磁気テープMTのベースとなるフィルム状の部材であり、例えば、ポリエステル類、ポリオレフィン類(例、ポリプロピレン)、セルロース誘導体類、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリイミドなどの合成樹脂フィルムを用いるのが好ましい。
塗布装置11は、支持体2の表面に磁性層用塗布液を塗布するとともに、支持体2の裏面にバックコート層用塗布液を塗布する装置である。塗布装置11としては、公知の装置の中から適宜選択して用いることができる。例えば、図示は省略するが、塗布液を吐出する透孔を備えた2つの部材を、支持体2の表面および裏面に接触するようにそれぞれ配置し、透孔から塗布液を吐出させた2つの部材に支持体2の表面および裏面をそれぞれ接触させながら走行させることにより、支持体2に塗布液を塗布するようにしてもよい。
ここで、磁性層用塗布液は、主に強磁性粉末と結合剤と有機溶剤とを含んで構成されている。また、バックコート層用塗布液は、主に微小突起4a(図2参照)を形成するためのカーボンブラックと結合剤とを含んで構成されている。カーボンブラックの粒径は50〜300nm程度であるのが好ましい。また、前記と同様の方法により、支持体2と磁性層3との間に下塗層や非磁性層を形成してもよい。なお、磁性層用塗布液には、分散剤、滑剤、帯電防止剤、可塑剤、安定剤、防錆剤が加えられる。
強磁性粉末としては、例えば、y−Fe2O3、Fe3O4、コバルト被着y−Fe2O3等の強磁性酸化鉄系粒子、強磁性二酸化クロム系粒子、Fe、Co、Ni等の金属やこれらを含んだ合金からなる強磁性金属系粒子、六角板状の六方晶フェライト微粒子等を用いることができる。
また、結合剤としては、ウレタン、塩化ビニル、酢酸ビニル、ビニルアルコール、塩化ビニリデン、アクリル酸エステル、スチレン、ブタジエン、アクリロニトリル等の重合体、あるいはこれらの2種以上を組み合わせた共重合体や、ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂等を用いることができる。
また、有機溶剤としては、エーテル類、エステル類、ケトン類、芳香族炭化水素、脂肪族炭化水素、塩素化炭化水素等を用いることができる。
ドライヤ12は、支持体2に塗布された磁性層用塗布液およびバックコート層用塗布液を乾燥・硬化させる装置である。ドライヤ12は、例えば、ドライヤ12の内部を通過する支持体2に熱を加えて、支持体2に塗布された塗布液を乾燥させるようになっている。当該塗布液が乾燥・硬化することにより、支持体2の表面および裏面に磁性層3およびバックコート層4が形成され、原反1となる。
カレンダ装置13は、磁性層3の表面を平滑化する装置である。カレンダ装置13は、2つのローラを備えており、磁性層3およびバックコート層4が形成された支持体2をローラの間に挟みこんで加圧するようになっている。なお、磁性層3およびバックコート層4の表面粗さは、用いるローラの材質、表面性、圧力等により調節することができる。
巻取シャフトSH2は、製造された原反1を巻き取るものである。巻取シャフトSH2は、駆動手段(図示省略)によって回転することにより搬送されてきた原反1を巻き取るようになっている。巻き取られた原反1は原反ロールR2となる。駆動手段は、トルク調節手段(図示省略)によって回転トルクを調節可能に構成されており、原反1を巻き取る張力を調節できるようになっている。駆動手段としては例えば電圧制御式交流モータなどを用いることができる。また、トルク調節手段としては例えばOPアンプなどの電圧制御装置を用いることができる。
歪緩和装置20は、原反1に蓄積した歪を緩和する装置である。歪緩和装置20は、原反ロールR2を格納する格納部21と、格納部21の内部空間を加熱するヒータ22とを備えている。例えば支持体2に塗布した塗布液を乾燥・硬化させたり、また、支持体2自体が熱せられたりすると、原反1に歪が蓄積される。歪緩和装置20は、原反1を加熱することで応力緩和を図り、歪を取り除くものである。
図2(a)は、歪緩和装置20から取り出された後の原反1を示した図である。
原反1のバックコート層4は、所定粒径のカーボンブラックを含んでいることから、当該カーボンブラックによって微小突起4aが形成されている。かかる微小突起4aによって、磁性層3とバックコート層4との摩擦が軽減され、磁気テープMTの走行安定性が向上する。
原反1のバックコート層4は、所定粒径のカーボンブラックを含んでいることから、当該カーボンブラックによって微小突起4aが形成されている。かかる微小突起4aによって、磁性層3とバックコート層4との摩擦が軽減され、磁気テープMTの走行安定性が向上する。
一方、原反1は、ロール状に巻回されていることから、内側(シャフト側)に巻かれた原反1の磁性層3の表面に、その上に巻かれた原反1のバックコート層4の微小突起4aが押し付けられて食い込むこととなる。そして、原反1は、蓄積した歪を除去するために原反ロールR2の状態で歪緩和装置20によって温められるため、変形し易くなる。そのため、図2(a)に示すように、微小突起4aに対応する凹み3aが磁性層3の表面に形成されることとなる。
図1に戻って説明を続ける。
図1に戻って説明を続ける。
原反裁断装置30は、図1(b)に示すように、原反ロールR2が取り付けられる送出シャフトSH3と、原反1を裁断するカッター31と、裁断された原反1を巻き取るハブ32,32と、を備えて構成されている。また、カッター31およびハブ32、32の上流側にはそれぞれピンチローラPおよびキャプスタンローラCが配置されている。また、カッター31の下流側には、裁断した原反1を別々のハブ32に導くためのガイドローラGが設置されている。
送出シャフトSH3は、歪が緩和された原反ロールR2を取り付けるシャフトであり、駆動手段(図示省略)によって回転することにより原反1を走行系路上に送り出すものである。送り出された原反1は、ピンチローラP及びキャプスタンローラCによってカッター31に搬送されるようになっている。
カッター31は、原反1を磁気テープMTの幅に裁断するものであり、本実施形態では丸刃カッターで構成されている。裁断された原反1は、ガイドローラG,Gによって、別々のハブ32,32に導かれる。
ハブ32は、磁気テープMTと同じ幅に裁断された原反1を巻き取るものである。ハブ32は、駆動手段(図示省略)に連結されており、回転可能になっている。駆動手段は、トルク調節手段(図示省略)によって回転トルクを調節可能に構成されており、原反1を巻き取る張力を調節できるようになっている。駆動手段としては例えば電圧制御式交流モータなどを用いることができる。また、トルク調節手段としては例えばOPアンプなどの電圧制御装置を用いることができる。
図3は、ハブを示した図であり、(a)はハブの斜視図、(b)は原反を巻きつけた状態を示す断面図である。
本実施形態に係るハブ32は、図3(a)に示すように、円錐台形状を呈している。すなわち、ハブ32のテープ巻取面32aは、軸方向に対してθ度傾斜している。そのため、原反1をハブ32のテープ巻取面32aに巻回して形成したパンケーキPCは、図3(b)に示すように、すり鉢状となる。また、原反1をハブ32に巻き直すと、原反ロールR2の芯付近に位置していた原反1が、パンケーキPCの表面付近に位置することとなり、原反ロールR2の表面付近に位置していた原反1が、パンケーキPCの芯(ハブ32)付近に位置することとなる。
本実施形態に係るハブ32は、図3(a)に示すように、円錐台形状を呈している。すなわち、ハブ32のテープ巻取面32aは、軸方向に対してθ度傾斜している。そのため、原反1をハブ32のテープ巻取面32aに巻回して形成したパンケーキPCは、図3(b)に示すように、すり鉢状となる。また、原反1をハブ32に巻き直すと、原反ロールR2の芯付近に位置していた原反1が、パンケーキPCの表面付近に位置することとなり、原反ロールR2の表面付近に位置していた原反1が、パンケーキPCの芯(ハブ32)付近に位置することとなる。
加熱装置40は、原反1を加熱することにより原反1の磁性層3に形成された凹み3aを回復させるものである。加熱装置40は、図1(b)に示すように、パンケーキPCを格納する格納部41と、格納部41内の空間を暖めるヒータ42と、格納部41内の空間に湿気を与える加湿器43と、を備えて構成されている。格納部41は、断熱性の高い材料を用いて、複数のパンケーキPCを格納できる大きさに形成するのがよい。原反1は、パンケーキPCの状態で、例えば温度40〜60℃、湿度5〜60%に設定された格納部41の内部に6〜48時間程度放置されることにより、凹み3aの回復が図られる。なお、凹み3aを回復させるためには、適度に湿気があるほうが好適であるため、本実施形態においては、加熱装置40に加湿器43を設けている。
図2(b)は、加熱装置で加熱した後の磁気テープを示した拡大斜視図である。
原反1は、加熱されることによって応力緩和され、図2(b)に示すように、磁性層3の表面に形成された凹み3aが回復する。このとき、原反1は、ハブ32に巻き直されることにより、原反ロールR2の芯付近に位置していた原反1がパンケーキPCの表面付近に移動しているため、面圧が小さくなり、歪が回復しやすくなっている。また、原反1を巻き直していることから、微小突起4aと凹み3aの位置がずれているため、凹み3aが回復しやすくなっている。さらに、原反製造装置10において原反1を巻取シャフトSH2に巻きつけるときの張力よりも小さい張力でハブ32に原反1を巻き直していることから、パンケーキPCの芯(ハブ32)付近に位置している原反1の凹み3aも回復しやすい。
なお、本実施形態においては、原反製造装置10において原反1を巻取シャフトSH2に巻きつけるときの張力よりも小さい張力でハブ32に原反1を巻き直すこととしたが、これに限られるものではなく、原反製造装置10において原反1を巻取シャフトSH2に巻きつけるときの張力と同等またはそれよりも大きい(強い)張力でハブ32に原反1を巻き直すようにしてもよい。かかる場合でも、上記の理由により原反1の凹みを回復させることができる。
原反1は、加熱されることによって応力緩和され、図2(b)に示すように、磁性層3の表面に形成された凹み3aが回復する。このとき、原反1は、ハブ32に巻き直されることにより、原反ロールR2の芯付近に位置していた原反1がパンケーキPCの表面付近に移動しているため、面圧が小さくなり、歪が回復しやすくなっている。また、原反1を巻き直していることから、微小突起4aと凹み3aの位置がずれているため、凹み3aが回復しやすくなっている。さらに、原反製造装置10において原反1を巻取シャフトSH2に巻きつけるときの張力よりも小さい張力でハブ32に原反1を巻き直していることから、パンケーキPCの芯(ハブ32)付近に位置している原反1の凹み3aも回復しやすい。
なお、本実施形態においては、原反製造装置10において原反1を巻取シャフトSH2に巻きつけるときの張力よりも小さい張力でハブ32に原反1を巻き直すこととしたが、これに限られるものではなく、原反製造装置10において原反1を巻取シャフトSH2に巻きつけるときの張力と同等またはそれよりも大きい(強い)張力でハブ32に原反1を巻き直すようにしてもよい。かかる場合でも、上記の理由により原反1の凹みを回復させることができる。
図4は、加熱装置で加熱した後の磁気テープを示した平面図である。
テーパの付いたハブ32に巻回された原反1は、加熱装置40によって加熱されることにより、図4に示すように、長手方向に沿って幅方向に湾曲した状態となる。詳しく説明すると、すり鉢状に巻回された原反1は、すり鉢の内側(図3(b)の右側)に比べて外側(図3(b)の左側)の円周の方が長いことから、すり鉢の外側に位置していた側縁6aの方がすり鉢の内側に位置していた側縁6bよりも伸ばされることとなる。その結果、原反1は、図4に示すように、側縁6a側を凸とする形で湾曲することとなる。これにより、磁気テープMTが完成する。
テーパの付いたハブ32に巻回された原反1は、加熱装置40によって加熱されることにより、図4に示すように、長手方向に沿って幅方向に湾曲した状態となる。詳しく説明すると、すり鉢状に巻回された原反1は、すり鉢の内側(図3(b)の右側)に比べて外側(図3(b)の左側)の円周の方が長いことから、すり鉢の外側に位置していた側縁6aの方がすり鉢の内側に位置していた側縁6bよりも伸ばされることとなる。その結果、原反1は、図4に示すように、側縁6a側を凸とする形で湾曲することとなる。これにより、磁気テープMTが完成する。
なお、磁気テープMTは、図4に示すように、距離L=1mだけ離れた側縁6a上の2点を結ぶ基準線Sと側縁6aとの最大間隔Dが、0.5mm〜4.0mm程度となるのが好適である。このように、磁気テープMTに所定の湾曲形状になる巻癖をつけると、良好な巻姿が確保され、かつ、テープの走行が安定し、サーボトラッキング性能が向上する。
つづいて、磁気テープの製造方法について説明する。
図5は、本実施形態に係る磁気テープの製造方法を示すフロー図である。
本実施形態に係る磁気テープMTの製造方法は、図5(適宜図1〜4参照)に示すように、支持体2に磁性層3とバックコート層4を形成する原反製造工程S1と、製造された原反1を巻き取る原反巻取工程S2と、製造過程で原反1に蓄積された歪を緩和する歪緩和工程S3と、原反1を磁気テープMTの幅にカットする原反裁断工程S4と、カットした原反1を巻き直す原反巻直し工程S5と、巻き直した原反1を加熱して磁性層3の凹み3aを回復させる原反加熱工程S6と、から構成されている。これらの各工程は、図1に示す磁気テープの製造設備によって実現される。以下、磁気テープの製造方法について、図1から図5を参照しながら詳細に説明する。
図5は、本実施形態に係る磁気テープの製造方法を示すフロー図である。
本実施形態に係る磁気テープMTの製造方法は、図5(適宜図1〜4参照)に示すように、支持体2に磁性層3とバックコート層4を形成する原反製造工程S1と、製造された原反1を巻き取る原反巻取工程S2と、製造過程で原反1に蓄積された歪を緩和する歪緩和工程S3と、原反1を磁気テープMTの幅にカットする原反裁断工程S4と、カットした原反1を巻き直す原反巻直し工程S5と、巻き直した原反1を加熱して磁性層3の凹み3aを回復させる原反加熱工程S6と、から構成されている。これらの各工程は、図1に示す磁気テープの製造設備によって実現される。以下、磁気テープの製造方法について、図1から図5を参照しながら詳細に説明する。
(原反製造工程S1)
はじめに、支持体ロールR1から送り出された支持体2は、図1(a)に示すように、ピンチローラPおよびキャプスタンローラCによって塗布装置11に搬送される。塗布装置11は、支持体2の表面に磁性層用塗布液を塗布するとともに、支持体2の裏面にバックコート層用塗布液を塗布する。磁性層用塗布液およびバックコート層用塗布液を塗布された支持体2は、ドライヤ12に搬送される。ドライヤ12は、磁性層用塗布液およびバックコート層用塗布液を乾燥させて硬化させる。これにより、支持体2の表面および裏面に、それぞれ磁性層3およびバックコート層4が形成される。磁性層3およびバックコート層4が形成された支持体2は、カレンダ装置13に搬送され、カレンダ装置13によって磁性層3の表面が平滑化される。これにより、原反1が製造される。
はじめに、支持体ロールR1から送り出された支持体2は、図1(a)に示すように、ピンチローラPおよびキャプスタンローラCによって塗布装置11に搬送される。塗布装置11は、支持体2の表面に磁性層用塗布液を塗布するとともに、支持体2の裏面にバックコート層用塗布液を塗布する。磁性層用塗布液およびバックコート層用塗布液を塗布された支持体2は、ドライヤ12に搬送される。ドライヤ12は、磁性層用塗布液およびバックコート層用塗布液を乾燥させて硬化させる。これにより、支持体2の表面および裏面に、それぞれ磁性層3およびバックコート層4が形成される。磁性層3およびバックコート層4が形成された支持体2は、カレンダ装置13に搬送され、カレンダ装置13によって磁性層3の表面が平滑化される。これにより、原反1が製造される。
(原反巻取工程S2)
磁性層3の表面を平滑化された原反1は、巻取シャフトSH2によって所定の張力で巻き取られ、原反ロールR2にされる。これにより、磁性層3の表面にバックコート層4の微小突起4aが押し付けられて食い込むこととなる。
磁性層3の表面を平滑化された原反1は、巻取シャフトSH2によって所定の張力で巻き取られ、原反ロールR2にされる。これにより、磁性層3の表面にバックコート層4の微小突起4aが押し付けられて食い込むこととなる。
(歪緩和工程S3)
原反ロールR2は、歪緩和装置20の格納部21内に格納され、例えば温度70℃、低湿度状態にされた空間内に36時間程度放置される。これにより、原反1に蓄積していた歪が緩和される。一方、磁性層3の表面は、バックコート層4の微小突起4aに押圧された状態で温められることとなるため、微小突起4aと当接していた部分に凹み3aが形成されることとなる(図2(a)参照)。
原反ロールR2は、歪緩和装置20の格納部21内に格納され、例えば温度70℃、低湿度状態にされた空間内に36時間程度放置される。これにより、原反1に蓄積していた歪が緩和される。一方、磁性層3の表面は、バックコート層4の微小突起4aに押圧された状態で温められることとなるため、微小突起4aと当接していた部分に凹み3aが形成されることとなる(図2(a)参照)。
(原反裁断工程S4)
歪を緩和された原反ロールR2は、図1(b)に示すように、原反裁断装置30の送出シャフトSH3にセットされる。原反ロールR2から送り出された原反1は、ピンチローラPおよびキャプスタンローラCによってカッター31に搬送される。カッター31は、搬送されてきた原反1を磁気テープMTの幅に等しくなるように裁断する。
歪を緩和された原反ロールR2は、図1(b)に示すように、原反裁断装置30の送出シャフトSH3にセットされる。原反ロールR2から送り出された原反1は、ピンチローラPおよびキャプスタンローラCによってカッター31に搬送される。カッター31は、搬送されてきた原反1を磁気テープMTの幅に等しくなるように裁断する。
(原反巻直し工程S5)
裁断された原反1は、図1(b)に示すように、ガイドローラGに沿って分岐されて、別々のハブ32,32に巻き直される。このとき、ハブ32を回転駆動させる駆動装置のトルクを調節することにより、原反ロールR2を形成したときの張力よりも弱い張力で、原反1を巻き直すようにする。これにより、微小突起4aが磁性層3を押圧する力が弱くなり、凹み3aの回復が容易になる。
なお、ハブ32は、図3(a)に示すように、テープ巻取面32aにテーパを有していることから、ハブ32に巻き直された原反1は、すり鉢状を呈したパンケーキPCとなる(図3(b)参照)。
裁断された原反1は、図1(b)に示すように、ガイドローラGに沿って分岐されて、別々のハブ32,32に巻き直される。このとき、ハブ32を回転駆動させる駆動装置のトルクを調節することにより、原反ロールR2を形成したときの張力よりも弱い張力で、原反1を巻き直すようにする。これにより、微小突起4aが磁性層3を押圧する力が弱くなり、凹み3aの回復が容易になる。
なお、ハブ32は、図3(a)に示すように、テープ巻取面32aにテーパを有していることから、ハブ32に巻き直された原反1は、すり鉢状を呈したパンケーキPCとなる(図3(b)参照)。
(原反加熱工程S6)
すり鉢状にされたパンケーキPC,PCは、加熱装置40の格納部41に格納され、例えば温度60℃、湿度50%に調整された空間内に24時間程度放置される。原反1は、ハブ32に巻き直されることにより、原反ロールR2の芯付近に位置していた原反1がパンケーキPCの表面付近に移動しているため、面圧が小さくなり、歪の回復が図られる。また、原反1を巻き直していることから、微小突起4aと凹み3aの位置がずれているため、凹み3aの回復が図られる。また、原反1は、原反ロールR2よりも弱い張力(面圧)で巻き直されていることから、かかる熱処理によって凹み3aが回復する(図2(b)参照)。さらに、原反1は、テーパの付いたハブ32に巻き付けられていることから、一方の側縁6a(図4参照)の方が他方の側縁6bよりも引っ張られた状態で温められることとなる。これにより、一方の側縁6aが伸ばされて、長手方向に沿って幅方向に湾曲した磁気テープMTが形成される。
すり鉢状にされたパンケーキPC,PCは、加熱装置40の格納部41に格納され、例えば温度60℃、湿度50%に調整された空間内に24時間程度放置される。原反1は、ハブ32に巻き直されることにより、原反ロールR2の芯付近に位置していた原反1がパンケーキPCの表面付近に移動しているため、面圧が小さくなり、歪の回復が図られる。また、原反1を巻き直していることから、微小突起4aと凹み3aの位置がずれているため、凹み3aの回復が図られる。また、原反1は、原反ロールR2よりも弱い張力(面圧)で巻き直されていることから、かかる熱処理によって凹み3aが回復する(図2(b)参照)。さらに、原反1は、テーパの付いたハブ32に巻き付けられていることから、一方の側縁6a(図4参照)の方が他方の側縁6bよりも引っ張られた状態で温められることとなる。これにより、一方の側縁6aが伸ばされて、長手方向に沿って幅方向に湾曲した磁気テープMTが形成される。
このように、本実施形態に係る磁気テープの製造方法によれば、テーパ付きのハブ32に裁断した原反1を巻き直して加熱することにより、磁性層3の表面に形成される凹み3aを回復させつつ、湾曲した磁気テープMTを製造することができる。
以下に実施例を説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、実施例、比較例の部は質量部を示す。
[実施例1]
下記に示す下塗層用塗布液成分のうち、第1剤をニーダで混練したのち、第2剤を加えて攪拌した後、サンドミルで滞留時間を90分として分散処理を行い、これに第3剤を加え攪拌・濾過し、下塗層用塗布液とした。
また、これとは別に、下記に示す磁性層用塗布液成分のうち、第1剤をニーダで混練したのち、サンドミルで滞留時間を60分として分散し、これに磁性層用塗布液成分の第2剤を加え攪拌・濾過し、磁性層用塗布液とした。
下記に示す下塗層用塗布液成分のうち、第1剤をニーダで混練したのち、第2剤を加えて攪拌した後、サンドミルで滞留時間を90分として分散処理を行い、これに第3剤を加え攪拌・濾過し、下塗層用塗布液とした。
また、これとは別に、下記に示す磁性層用塗布液成分のうち、第1剤をニーダで混練したのち、サンドミルで滞留時間を60分として分散し、これに磁性層用塗布液成分の第2剤を加え攪拌・濾過し、磁性層用塗布液とした。
≪下塗層用塗布液成分≫
(第1剤)
酸化鉄粉末(粒径:0.15×0.02μm):70部
アルミナ(α化率:50%、粒径:0.05μm):8部
カーボンブラック(粒径:15nm):25部
ステアリン酸/ステアリン酸ブチル(50/50):3.0部
塩化ビニル共重合体(含有−SO3Na基:1.2×10-4当量/g):10部
ポリエステルポリウレタン樹脂(Tg:40℃、含有−SO3Na基:1×10-4当量/g):4.4部
シクロヘキサノン:30部
メチルエチルケトン:60部
(第2剤)
ステアリン酸ブチル:3部
オレイン酸オレイル:5部
シクロヘキサノン:40部
メチルエチルケトン:60部
トルエン:15部
(第3剤)
ポリイソシアネート:1.5部
シクロヘキサノン:8部
メチルエチルケトン:18部
トルエン:8部
(第1剤)
酸化鉄粉末(粒径:0.15×0.02μm):70部
アルミナ(α化率:50%、粒径:0.05μm):8部
カーボンブラック(粒径:15nm):25部
ステアリン酸/ステアリン酸ブチル(50/50):3.0部
塩化ビニル共重合体(含有−SO3Na基:1.2×10-4当量/g):10部
ポリエステルポリウレタン樹脂(Tg:40℃、含有−SO3Na基:1×10-4当量/g):4.4部
シクロヘキサノン:30部
メチルエチルケトン:60部
(第2剤)
ステアリン酸ブチル:3部
オレイン酸オレイル:5部
シクロヘキサノン:40部
メチルエチルケトン:60部
トルエン:15部
(第3剤)
ポリイソシアネート:1.5部
シクロヘキサノン:8部
メチルエチルケトン:18部
トルエン:8部
《磁性層用塗布液成分》
(第1剤)
強磁性鉄系金属粉(Co/Fe:30atomic%、Y/(Fe+Co):3atomic%、Al/(Fe+Co):5wt%、Ca/Fe:0.002、σs:155A・m2/kg、Hc:188.2kA/m、pH:9.4、長軸長:0.10μm):100部
塩化ビニル−ヒドロキシプロピルアクリレート共重合体(含有−SO3Na基:0.7×10-4当量/g):13.0部
ポリエステルポリウレタン樹脂(含有−SO3Na基:1.0×10-4当量/g):5.5部
α−アルミナ(平均粒径:0.15μm):12部
α−アルミナ(平均粒径:0.05μm):4部
カーボンブラック(平均粒径:50nm、DBP吸油量:72cc/100g):4.0部
メチルアシッドホスフェート:2部
ステアリン酸:1.5部
オレイン酸オレイル:5部
シクロヘキサノン:70部
メチルエチルケトン:250部
(第2剤)
ポリイソシアネート:2.0部
メチルエチルケトン:167部
(第1剤)
強磁性鉄系金属粉(Co/Fe:30atomic%、Y/(Fe+Co):3atomic%、Al/(Fe+Co):5wt%、Ca/Fe:0.002、σs:155A・m2/kg、Hc:188.2kA/m、pH:9.4、長軸長:0.10μm):100部
塩化ビニル−ヒドロキシプロピルアクリレート共重合体(含有−SO3Na基:0.7×10-4当量/g):13.0部
ポリエステルポリウレタン樹脂(含有−SO3Na基:1.0×10-4当量/g):5.5部
α−アルミナ(平均粒径:0.15μm):12部
α−アルミナ(平均粒径:0.05μm):4部
カーボンブラック(平均粒径:50nm、DBP吸油量:72cc/100g):4.0部
メチルアシッドホスフェート:2部
ステアリン酸:1.5部
オレイン酸オレイル:5部
シクロヘキサノン:70部
メチルエチルケトン:250部
(第2剤)
ポリイソシアネート:2.0部
メチルエチルケトン:167部
また、下記に示すバックコート層用塗布液成分を連続ニーダで混練したのち、サンドミルを用いて分散させた。そして、得られた分散液にポリイソシアネート40部、メチルエチルケトン1000部を添加したのち、平均孔径1μmのフィルターで濾過し、バックコート層用塗布液とした。
≪バックコート層用塗布液成分≫
微粒子状カーボンブラック粉末(平均粒子サイズ:34nm):100部
粗粒子状カーボンブラック粉末(平均粒子サイズ:80nm):10部
α−酸化鉄粒子(平均粒子サイズ:0.1μm、モース硬度:9):20部
α−アルミナ(硬質無機粉末、平均粒子サイズ:0.2μm、モース硬度:9):5部
ニトロセルロース樹脂:50部
ポリウレタン樹脂:50部
ポリエステル樹脂:5部
オレイン酸銅(分散剤):5部
銅フタロシアニン(分散剤):5部
メチルエチルケトン:500部
トルエン:200部
微粒子状カーボンブラック粉末(平均粒子サイズ:34nm):100部
粗粒子状カーボンブラック粉末(平均粒子サイズ:80nm):10部
α−酸化鉄粒子(平均粒子サイズ:0.1μm、モース硬度:9):20部
α−アルミナ(硬質無機粉末、平均粒子サイズ:0.2μm、モース硬度:9):5部
ニトロセルロース樹脂:50部
ポリウレタン樹脂:50部
ポリエステル樹脂:5部
オレイン酸銅(分散剤):5部
銅フタロシアニン(分散剤):5部
メチルエチルケトン:500部
トルエン:200部
そして、厚さ5μmのポリエチレンナフタレート(PEN)樹脂製のフィルムからなる支持体2の上に、乾燥・カレンダ処理後の厚さが片面で1.1μmとなるように上記の下塗層用塗布液を塗布し、この下塗層の上に、乾燥・カレンダ処理後の磁性層3の厚さが0.05μmとなるようにドライ・オン・ウエットで上記の磁性層用塗布液を塗布し、配向処理後、ドライヤ12および遠赤外線照射装置(図示せず)を用いて乾燥させて磁性層3を形成した。
その後、支持体2の他方の面(磁性層3と反対側)に上記バックコート層用塗布液を、乾燥後の厚さが0.5μmとなるように塗布し、乾燥させてバックコート層4を形成した。このようにして、支持体2の一方の面に磁性層3が設けられ、他方の面にバックコート層4が設けられた原反1を得た。
その後、支持体2の他方の面(磁性層3と反対側)に上記バックコート層用塗布液を、乾燥後の厚さが0.5μmとなるように塗布し、乾燥させてバックコート層4を形成した。このようにして、支持体2の一方の面に磁性層3が設けられ、他方の面にバックコート層4が設けられた原反1を得た。
このようにして得られた原反1を金属ロールからなる5段カレンダで、温度80℃、線圧2kN/cm(200kgf/cm)の条件で鏡面化処理し、50N/m(5.1kgf/m)の張力で巻き取った。巻き取られた原反ロールR2を70℃のオーブン(歪緩和装置20)に24時間保存した。得られた原反ロールR2を12.65mm(1/2インチ)幅に裁断した。裁断した原反1を、0.3度のテーパを有した200φのアルミニウム製のハブ32に1N(102gf)の張力で巻き取った。この際、リファレンスエッジをハブ径の大きい側とした。ハブ32に巻きつけた原反1を、さらに温度60℃、湿度50%に制御されたオーブン(加熱装置40)内に24時間保管した。
このようにして製造した磁気テープMTに対して、酸化クロム研磨テープ(KX20000:酸化クロム平均粒子径0.6μm、表面粗さ0.07μm)による表面研磨処理(エアー圧0.25MPa、研磨時間0.1秒)を施した。さらに、LTO Generation3フォーマットに基づいたサーボ信号を磁性層3に記録した後、カセットに巻き込み磁気テープカートリッジを作製した。
[実施例2]
磁性体を以下のバリウムフェライト磁性体に変更したことを除き、実施例1と同様にして磁気テープカートリッジを作製した。
バリウムフェライト磁性体は、粒子体積2000nm3、板状比3、Hc:3000Oe、SSA:70m2/g、σs:45emu/gであり、Al化合物での表面処理を行った。
磁性体を以下のバリウムフェライト磁性体に変更したことを除き、実施例1と同様にして磁気テープカートリッジを作製した。
バリウムフェライト磁性体は、粒子体積2000nm3、板状比3、Hc:3000Oe、SSA:70m2/g、σs:45emu/gであり、Al化合物での表面処理を行った。
[実施例3]
使用する支持体2をポリエチレンテレフタレート(PET)樹脂製のフィルムに変更したことを除き、実施例1と同様にして比較例3の磁気テープMTを作製した。
使用する支持体2をポリエチレンテレフタレート(PET)樹脂製のフィルムに変更したことを除き、実施例1と同様にして比較例3の磁気テープMTを作製した。
[実施例4]
使用する支持体2をポリアミド(PA)樹脂製のフィルムに変更したことを除き、実施例1と同様にして比較例4の磁気テープMTを作製した。
使用する支持体2をポリアミド(PA)樹脂製のフィルムに変更したことを除き、実施例1と同様にして比較例4の磁気テープMTを作製した。
[実施例5]
熱処理用のハブ32のテーパを0.5度に変更したことを除き、実施例1と同様にして磁気テープMTを作製した。
熱処理用のハブ32のテーパを0.5度に変更したことを除き、実施例1と同様にして磁気テープMTを作製した。
[実施例6]
ハブ32に巻き取った後の熱処理時間を12時間に変更したことを除き、実施例1と同様にして磁気テープMTを作製した。
ハブ32に巻き取った後の熱処理時間を12時間に変更したことを除き、実施例1と同様にして磁気テープMTを作製した。
[実施例7]
以下の方法で作成したスパッタ型磁気テープの原反1を、1/2インチ幅にスリットした後、実施例1と同じ熱処理条件で磁気テープMTを作製した。以下、スパッタ型磁気テープの作成方法について説明する。
まず、実施例1と同様の支持体上に3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、塩酸、アルミニウムアセチルアセトネート、エタノールからなる下塗り液をグラビアコート法で塗布した後、100℃で乾燥と硬化を行い、厚み0.2μmのシリコン樹脂からなる下塗り層を作成した。
この下塗り層上に粒子径18nmのシリカゾルと前記下塗り液を混合した塗布液をグラビアコート法で塗布して、下塗り層上に高さ15nmの突起を10個/μm2の密度で形成した。
次にウェブ式のスパッタ装置にこの原反を設置し、水冷した搬送用のキャン(15℃)上にフィルムを密着させながら搬送し、下塗り層上に、DCマグネトロンスパッタ法でカーボン(C)からなるバリア層を20nm、ルテニウム(Ru)からなる下地層を40nmの厚みで形成し、引き続き(Co70−Pt20−Cr10)88−(SiO2)12からなる磁性層を17nmの厚みで形成した。
次にこの原反をウェブ式のCVD(Chemical Vapor Deposition)装置に設置し、エチレンガス、窒素ガスを原料ガスとして用いたイオンビームプラズマCVD法で窒素添加DLC(Diamond Like Carbon)保護膜を10nmの厚みで形成した。
次に原反のバック面にカーボンブラック、炭酸カルシウム、ステアリン酸、ニトロセルロース、ポリウレタン、イソシアネート硬化剤をメチルエチルケトンに溶解、分散したバックコート液をワイヤーバー法で塗布し、100℃で乾燥して、厚み0.5μmのバックコート層を作成した。
その後、窒素添加DLC保護膜の表面にステアリルアミンとモノラウリルフォスフェートの1:1(モル比)混合液を塗布して潤滑層を作製した。潤滑剤の塗布量としては、10mg/m2であった。また、バックコート層表面には分子末端に水酸基を有するパーフルオロポリエーテル系潤滑剤(アウジモント社製FOMBLIN Z−DOL)をフッ素系潤滑剤(住友スリーエム社製HFE−7200)に溶解した溶液をグラビアコート法で塗布して潤滑層を形成した。潤滑剤の塗布量としては、10mg/m2であった。
以下の方法で作成したスパッタ型磁気テープの原反1を、1/2インチ幅にスリットした後、実施例1と同じ熱処理条件で磁気テープMTを作製した。以下、スパッタ型磁気テープの作成方法について説明する。
まず、実施例1と同様の支持体上に3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、塩酸、アルミニウムアセチルアセトネート、エタノールからなる下塗り液をグラビアコート法で塗布した後、100℃で乾燥と硬化を行い、厚み0.2μmのシリコン樹脂からなる下塗り層を作成した。
この下塗り層上に粒子径18nmのシリカゾルと前記下塗り液を混合した塗布液をグラビアコート法で塗布して、下塗り層上に高さ15nmの突起を10個/μm2の密度で形成した。
次にウェブ式のスパッタ装置にこの原反を設置し、水冷した搬送用のキャン(15℃)上にフィルムを密着させながら搬送し、下塗り層上に、DCマグネトロンスパッタ法でカーボン(C)からなるバリア層を20nm、ルテニウム(Ru)からなる下地層を40nmの厚みで形成し、引き続き(Co70−Pt20−Cr10)88−(SiO2)12からなる磁性層を17nmの厚みで形成した。
次にこの原反をウェブ式のCVD(Chemical Vapor Deposition)装置に設置し、エチレンガス、窒素ガスを原料ガスとして用いたイオンビームプラズマCVD法で窒素添加DLC(Diamond Like Carbon)保護膜を10nmの厚みで形成した。
次に原反のバック面にカーボンブラック、炭酸カルシウム、ステアリン酸、ニトロセルロース、ポリウレタン、イソシアネート硬化剤をメチルエチルケトンに溶解、分散したバックコート液をワイヤーバー法で塗布し、100℃で乾燥して、厚み0.5μmのバックコート層を作成した。
その後、窒素添加DLC保護膜の表面にステアリルアミンとモノラウリルフォスフェートの1:1(モル比)混合液を塗布して潤滑層を作製した。潤滑剤の塗布量としては、10mg/m2であった。また、バックコート層表面には分子末端に水酸基を有するパーフルオロポリエーテル系潤滑剤(アウジモント社製FOMBLIN Z−DOL)をフッ素系潤滑剤(住友スリーエム社製HFE−7200)に溶解した溶液をグラビアコート法で塗布して潤滑層を形成した。潤滑剤の塗布量としては、10mg/m2であった。
[比較例1〜3]
スリット後、ハブ32に巻き取った原反1に熱処理を実施しなかったこと以外は実施例1と同様にして磁気テープMTを作製した。
得られた磁気テープMTのうち、湾曲値が−2mm、0mm、+3.5mmのものを選び、それぞれ比較例1,2,3とした。なお、比較例の湾曲は、原反1を製造して巻き取ったとき(図1(a)参照)、すなわち、原反ロールR2を形成したときについた湾曲である。
スリット後、ハブ32に巻き取った原反1に熱処理を実施しなかったこと以外は実施例1と同様にして磁気テープMTを作製した。
得られた磁気テープMTのうち、湾曲値が−2mm、0mm、+3.5mmのものを選び、それぞれ比較例1,2,3とした。なお、比較例の湾曲は、原反1を製造して巻き取ったとき(図1(a)参照)、すなわち、原反ロールR2を形成したときについた湾曲である。
実施例1〜6および比較例1〜3の各磁気テープMTについて、以下の方法により測定を行った。測定結果を図6に示す。
ここで、図6中、[LTM]は、Lateral Tape Motionの略であり、磁気テープの幅方向の走行位置の変動量を表すものである。また、[PES]は、Position Error Signalの略であり、磁気テープの幅方向のテープ走行位置の変動に対し、サーボフォローできなかった量の標準偏差である。なお、図6に示す各測定値の測定方法を以下に示す。
ここで、図6中、[LTM]は、Lateral Tape Motionの略であり、磁気テープの幅方向の走行位置の変動量を表すものである。また、[PES]は、Position Error Signalの略であり、磁気テープの幅方向のテープ走行位置の変動に対し、サーボフォローできなかった量の標準偏差である。なお、図6に示す各測定値の測定方法を以下に示す。
(クリープ量)
磁気テープをその長手方向に長さ15.00mm、幅方向に5.00mmで切り出したサンプルをTM−9200(アルバック理工製熱機械試験器)のチャック部にセットして、13MPaの応力がかかるように荷重を設定し、50℃で50時間後の変形量を測定した。荷重直後の弾性変形部分を除いた初期長に対する50℃、50時間後の変形量をクリープ量とした。計算式を下記に示す。
クリープ量(%)=(変形後の長さ−初期長)/初期長×100
磁気テープをその長手方向に長さ15.00mm、幅方向に5.00mmで切り出したサンプルをTM−9200(アルバック理工製熱機械試験器)のチャック部にセットして、13MPaの応力がかかるように荷重を設定し、50℃で50時間後の変形量を測定した。荷重直後の弾性変形部分を除いた初期長に対する50℃、50時間後の変形量をクリープ量とした。計算式を下記に示す。
クリープ量(%)=(変形後の長さ−初期長)/初期長×100
(ドロップアウト)
130kfciの信号を記録・再生し、再生信号が50%以上低下した回数(個数)を測定し、得られた値を1ch、テープ1m当りの値に換算してドロップアウトとした。
130kfciの信号を記録・再生し、再生信号が50%以上低下した回数(個数)を測定し、得られた値を1ch、テープ1m当りの値に換算してドロップアウトとした。
(LTM)
磁気テープを5.3m/secで走行させ、磁気ヘッド位置でテープエッジの走行位置をレーザ変位計で測定し、走行位置の変動量をLTMとした。
磁気テープを5.3m/secで走行させ、磁気ヘッド位置でテープエッジの走行位置をレーザ変位計で測定し、走行位置の変動量をLTMとした。
(PES)
磁気テープを5.3m/secで走行させ、幅方向のテープ走行位置の変動に対し、サーボフォローできなかった量の標準偏差をPESとした。
磁気テープを5.3m/secで走行させ、幅方向のテープ走行位置の変動に対し、サーボフォローできなかった量の標準偏差をPESとした。
(エッジダメージ)
テープ全長を繰り返し5000回往復走行させた後、テープエッジを観察し、テープエッジが100μm以上の幅で折れている箇所を数えた。そして、折れている箇所が5箇所未満を◎、5箇所以上10箇所未満を○、10箇所以上を×とした。
なお、ドロップアウト、LTM、PES、エッジダメージの測定には、IBM社製LTOドライブ「3580−L33」を使用した。
テープ全長を繰り返し5000回往復走行させた後、テープエッジを観察し、テープエッジが100μm以上の幅で折れている箇所を数えた。そして、折れている箇所が5箇所未満を◎、5箇所以上10箇所未満を○、10箇所以上を×とした。
なお、ドロップアウト、LTM、PES、エッジダメージの測定には、IBM社製LTOドライブ「3580−L33」を使用した。
図6に示すように、巻き直した後に熱処理を行った実施例1〜7は、巻き直し後に熱処理を行わなかった比較例1〜3に比較して、ドロップアウトの個数が著しく減少していることがわかる。また、実施例1〜7は、実施例1〜3に比較して、クリープ量が低減されていることがわかる。そのため、テープが変形し難く、データの長期保存に適している。
以上、本発明を実施するための最良の形態について図面を参照して詳細に説明したが、本発明は、かかる実施形態に限定されるものではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲で適宜変更が可能である。
例えば、本実施形態においては、塗布方式によって磁性層3およびバックコート層4を形成したが、これに限られるものではなく、例えばスパッタ法や蒸着法によって各層を形成してもよい。
また、ウエット・オン・ウエット方式による塗布方法としては、例えば以下の方法を挙げることができる。
(1)グラビア塗布、ロール塗布、ブレード塗布、あるいはエクストルージョン塗布装置などを用いて、支持体2の上にまず非磁性層を形成し、該非磁性層が湿潤状態にあるうちに、支持体加圧型エクストルージョン塗布装置により、磁性層3を形成する方法(特開昭60−238179号、特公平1−46186号、特開平2−265672号公報参照)。
(2)塗布液用スリットを二つ備えた単一の塗布ヘッドからなる塗布装置を用いて支持体2の上に磁性層3と非磁性層(図示せず)をほぼ同時に形成する方法(特開昭63−88080号、特開平2−17921号、特開平2−265672号各公報参照)。
(3)バックアップローラ付きエクストルージョン塗布装置を用いて、支持体2の上に磁性層3と非磁性層(図示せず)をほぼ同時に形成する方法(特開平2−174965号公報参照)。
(1)グラビア塗布、ロール塗布、ブレード塗布、あるいはエクストルージョン塗布装置などを用いて、支持体2の上にまず非磁性層を形成し、該非磁性層が湿潤状態にあるうちに、支持体加圧型エクストルージョン塗布装置により、磁性層3を形成する方法(特開昭60−238179号、特公平1−46186号、特開平2−265672号公報参照)。
(2)塗布液用スリットを二つ備えた単一の塗布ヘッドからなる塗布装置を用いて支持体2の上に磁性層3と非磁性層(図示せず)をほぼ同時に形成する方法(特開昭63−88080号、特開平2−17921号、特開平2−265672号各公報参照)。
(3)バックアップローラ付きエクストルージョン塗布装置を用いて、支持体2の上に磁性層3と非磁性層(図示せず)をほぼ同時に形成する方法(特開平2−174965号公報参照)。
また、本実施形態においては、磁気テープを例にとって説明したが、本発明はこれに限られるものではなく、例えば、光記録テープなどのテープ状記録媒体に対しても適用可能である。
また、本実施形態においては、歪緩和工程S3を設け、歪緩和装置20を用いて原反ロールR2の歪を緩和することとしたが、これに限られるものではなく、例えば原反1のひずみが小さい場合のように、歪緩和工程S3を設ける必要がないときには、かかる工程を省略してもよい。省略した場合でも、原反1をロール状にしたときに、微小突起4aが磁性層3の表面に押し付けられて凹み3aが形成されることとなる。
また、本実施形態においては、テーパ付きのハブ32を用いて、磁気テープMTに湾曲を付与すると同時に、磁性層3の凹み3aを回復することとしたが、これに限られるものではなく、テーパの付いていないハブを用いて、湾曲を付与することなく磁性層3の凹み3aを回復させてもよい。
また、本実施形態においては、凹み3aの回復効果を高めるべく、加熱装置40に加湿器43を設けて、格納部41の湿度を高めるように構成したが、本発明はこれに限られるものではなく、加湿器43を備えていなくてもよい。かかる場合でも、熱処理によって、凹み3aの回復を図ることができる。
1 原反
2 支持体
3 磁性層
4 バックコート層
4a 微小突起
10 原反製造装置
11 塗布装置
12 ドライヤ
13 カレンダ装置
20 歪緩和装置
30 原反裁断装置
31 カッター
32 ハブ
40 加熱装置
MT 磁気テープ
PC パンケーキ
R2 原反ロール
S1 原反製造工程
S2 原反巻取工程
S3 歪緩和工程
S4 原反裁断工程
S5 原反巻直し工程
S6 原反加熱工程
2 支持体
3 磁性層
4 バックコート層
4a 微小突起
10 原反製造装置
11 塗布装置
12 ドライヤ
13 カレンダ装置
20 歪緩和装置
30 原反裁断装置
31 カッター
32 ハブ
40 加熱装置
MT 磁気テープ
PC パンケーキ
R2 原反ロール
S1 原反製造工程
S2 原反巻取工程
S3 歪緩和工程
S4 原反裁断工程
S5 原反巻直し工程
S6 原反加熱工程
Claims (6)
- 支持体の一方の面にデータ記録層を形成すると共に、微小突起を有するバックコート層を他方の面に形成してテープ状記録媒体の原反を製造する原反製造工程と、
所定の張力で前記原反を巻き取る原反巻取工程と、
前記原反を巻き直す原反巻直し工程と、
巻き直した前記原反を加熱する原反加熱工程と、を含むことを特徴とするテープ状記録媒体の製造方法。 - 前記原反巻取工程の後であって、前記原反巻直し工程の前に、巻き取った前記原反を加熱して原反の歪みを緩和する歪緩和工程をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載のテープ状記録媒体の製造方法。
- 前記原反巻取工程の後であって、前記原反巻直し工程の前に、前記原反を裁断する原反裁断工程をさらに含み、
前記原反巻直し工程は、裁断された原反を巻き取ることを特徴とする請求項1に記載のテープ状記録媒体の製造方法。 - 前記歪緩和工程の後であって、前記原反巻直し工程の前に、前記原反を裁断する原反裁断工程をさらに含み、
前記原反巻直し工程は、裁断された原反を巻き取ることを特徴とする請求項2に記載のテープ状記録媒体の製造方法。 - 前記原反巻直し工程において、テープ巻取面にテーパを有するハブに前記原反を巻き直すことを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載のテープ状記録媒体の製造方法。
- 前記データ記録層は、磁性層であり、厚さ1〜150nmであることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか1項に記載のテープ状記録媒体の製造方法。
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| JP2010500278A (ja) * | 2007-05-30 | 2010-01-07 | ダウ グローバル テクノロジーズ インコーポレイティド | ガラス及びガラス上セラミックエナメルの接着用処理方法 |
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- 2006-06-16 US US11/453,978 patent/US20060289335A1/en not_active Abandoned
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| JP2010500278A (ja) * | 2007-05-30 | 2010-01-07 | ダウ グローバル テクノロジーズ インコーポレイティド | ガラス及びガラス上セラミックエナメルの接着用処理方法 |
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