JP2007093460A - Semiconductor testing apparatus and method therefor - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、LSI等の半導体装置を試験するための半導体試験装置および半導体試験方法に関する。 The present invention relates to a semiconductor test apparatus and a semiconductor test method for testing a semiconductor device such as an LSI.
従来、LSI(Large Scale Integrated circuits)の試験においては、LSIが論理回路として正常な動作をするかを検査するファンクションテストと、LSIの電源電圧に異常が発生していないかを検査する電源電圧試験とが独立して行われていた。なお、本出願に関する従来技術の参考文献として、特許文献1から特許文献5が知られている。
しかし、ファンクションテストと電源電圧試験とを独立して行う方法では、それぞれの試験に対して試験を行う時間が別々に必要になり、試験に要する時間が長くなる。また、ファンクションテストは試験対象の半導体装置の電源電圧が正常であることを前提に実施されるものであるため、当該半導体装置の電源電圧が正常であることを試験者がオシロスコープ等の測定器で常時監視する必要があった。 However, in the method of performing the function test and the power supply voltage test independently, the time for performing the test for each test is required separately, and the time required for the test becomes long. In addition, since the function test is performed on the assumption that the power supply voltage of the semiconductor device to be tested is normal, the tester confirms that the power supply voltage of the semiconductor device is normal using a measuring instrument such as an oscilloscope. It was necessary to monitor constantly.
また、ファンクションテストの試験を実行している間に電源電圧のサージ、試験対象の半導体装置内部での短絡による異常電流やラッチアップ等の異常現象が発生した場合には、試験を中断して異常が起きた箇所の特定を行う等の処理が必要になるが、試験者が測定器等で電源電圧の異常を検出する方法では
異常検出直後に試験を中断することができない。
If an abnormal phenomenon such as an abnormal current or latch-up due to a surge in the power supply voltage or a short circuit inside the semiconductor device under test occurs during the function test, the test is interrupted and an error occurs. However, when the tester detects a power supply voltage abnormality using a measuring instrument or the like, the test cannot be interrupted immediately after the abnormality is detected.
本発明は上記事情を考慮してなされたもので、その目的は、ファンクションテストと電源電圧試験とを同時に行うことの可能な半導体試験装置を提供することにある。 The present invention has been made in consideration of the above circumstances, and an object thereof is to provide a semiconductor test apparatus capable of performing a function test and a power supply voltage test simultaneously.
本発明は上記の課題を解決するためになされたもので、請求項1に記載の発明は、ファンクションテスト用のテストパターンを生成し、試験対象である半導体装置へ出力するテストパターン出力手段と、前記半導体装置の電源電圧が所定の電圧範囲内に収まっているかを判定する電源電圧判定手段と、前記半導体装置および前記電源電圧判定手段に電源を供給する電源供給手段と、前記入力したテストパターンに対する前記半導体装置の応答出力と前記電源電圧判定手段の出力とから試験結果の判定を行う結果判定手段と、前記結果判定手段の試験結果を保持する記憶手段と、を具備することを特徴とする半導体試験装置である。 The present invention has been made to solve the above problems, and the invention according to claim 1 generates a test pattern for a function test and outputs the test pattern to a semiconductor device to be tested, Power supply voltage determination means for determining whether the power supply voltage of the semiconductor device is within a predetermined voltage range; power supply means for supplying power to the semiconductor device and the power supply voltage determination means; and for the input test pattern A semiconductor comprising: result determination means for determining a test result from the response output of the semiconductor device and the output of the power supply voltage determination means; and storage means for holding the test result of the result determination means Test equipment.
また、請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の発明において、前記電源電圧判定手段は、前記電圧範囲を調整する調整手段を有することを特徴としている。 According to a second aspect of the present invention, in the first aspect of the present invention, the power supply voltage determining unit includes an adjusting unit that adjusts the voltage range.
また、請求項3に記載の発明は、請求項2に記載の発明において、前記調整手段は、可変抵抗の抵抗値を変更することで前記電圧範囲を調整可能な電流ミラー回路であることを特徴としている。 The invention according to claim 3 is the current mirror circuit according to claim 2, wherein the adjusting means is a current mirror circuit capable of adjusting the voltage range by changing a resistance value of a variable resistor. It is said.
また、請求項4に記載の発明は、試験対象となる半導体装置の電源端子と、電源電圧が所定の電圧範囲内に収まっているかを判定する電源電圧判定手段とを接続する接続手順と、前記半導体装置および前記電源電圧判定手段に電源電圧を供給する電源供給手順と、前記半導体装置にファンクションテスト用のテストパターンを入力するテストパターン入力手順と、前記入力したテストパターンに対する前記半導体装置の応答出力と前記電源電圧判定手段の出力とから試験結果の判定を行う判定手順と、を備えていることを特徴とする半導体試験方法である。 According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a connection procedure for connecting a power supply terminal of a semiconductor device to be tested and a power supply voltage determination means for determining whether the power supply voltage is within a predetermined voltage range, A power supply procedure for supplying a power supply voltage to the semiconductor device and the power supply voltage determination means; a test pattern input procedure for inputting a test pattern for a function test to the semiconductor device; and a response output of the semiconductor device to the input test pattern And a determination procedure for determining a test result from the output of the power supply voltage determination means.
また、請求項5に記載の発明は、請求項4に記載の発明において、前記電源電圧判定手段の前記電圧範囲を調整する調整手順をさらに備えていることを特徴としている。 The invention according to claim 5 is the invention according to claim 4, further comprising an adjustment procedure for adjusting the voltage range of the power supply voltage determination means.
本発明によれば、ファンクションテストを行うためのテストパターン出力手段と電源電圧を監視(試験)する電源電圧判定手段の双方を備え、ファンクションテストと電源電圧試験とを同時に行うことが可能であるため、ファンクションテストと電源電圧試験とを別々に行う必要のある従来技術と比較して、試験時間を短縮することができる。また、ファンクションテスト中に電源電圧を監視し、電源電圧の監視結果を記憶手段で記憶することが可能であるため、ファンクションテスト中に試験者が測定器を用いて電源電圧の監視を行うことなく、正常な電源電圧で測定したファンクションテストの結果を得ることができる。 According to the present invention, both the test pattern output means for performing the function test and the power supply voltage determination means for monitoring (testing) the power supply voltage are provided, and the function test and the power supply voltage test can be performed simultaneously. The test time can be shortened as compared with the conventional technique in which the function test and the power supply voltage test need to be performed separately. In addition, it is possible to monitor the power supply voltage during the function test and store the power supply voltage monitoring result in the storage means, so that the tester does not monitor the power supply voltage using a measuring instrument during the function test. The function test result measured with normal power supply voltage can be obtained.
また、ファンクションテスト中の半導体装置の電源電圧異常を検出することが可能であるため、電源電圧の異常が発生した時点でファンクションテストを中断し、試験者が原因を解明することができる。さらに、電源電圧異常が発生した時点で記憶されているファンクションテストの結果を調べることで、電源電圧異常が発生した時点で半導体装置に入力したテストパターンを特定することが可能であり、電源電圧異常の原因解明に役立てることができる。 In addition, since it is possible to detect an abnormality in the power supply voltage of the semiconductor device during the function test, the function test is interrupted when the abnormality in the power supply voltage occurs, and the tester can clarify the cause. Furthermore, it is possible to identify the test pattern input to the semiconductor device at the time when the power supply voltage abnormality occurs by examining the function test result stored when the power supply voltage abnormality occurs. It can be used to elucidate the cause of
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。図1は、本発明の実施形態にかかる半導体試験装置の概要を示したブロック図である。図1において、LSI試験ボード1は、試験を行うLSIを実装するためのボードである。LSI試験装置2は、LSI試験ボード1に実装したLSIに対して各種の試験を行う装置である。なお、特許請求の範囲における半導体試験装置とは、本実施形態におけるLSI試験ボード1とLSI試験装置2とを指す。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a block diagram showing an outline of a semiconductor test apparatus according to an embodiment of the present invention. In FIG. 1, an LSI test board 1 is a board for mounting an LSI to be tested. The LSI test apparatus 2 is an apparatus that performs various tests on the LSI mounted on the LSI test board 1. The semiconductor test apparatus in the claims refers to the LSI test board 1 and the LSI test apparatus 2 in the present embodiment.
LSI試験ボード1上のLSI11は、試験を行う対象となるLSIである。LSI11は、一または複数の電源端子から電源を入力することにより動作し、入力端子から入力されるデータに対して所定の論理演算を行い、その演算結果を出力端子から出力する。ウィンドウコンパレータ12(電源電圧判定手段)は、LSI11における電源電圧の監視を行うウィンドウコンパレータ回路である。ウィンドウコンパレータ12内の基準電圧波形ポイント121は、LSI試験装置2から供給される電源電圧が入力されるポイントである。
The
モニター波形ポイント122は、LSI11の電源端子と接続され、LSI11における電源電圧をモニターするポイントである。コンパレータ出力ポイント123は、ウィンドウコンパレータ12の出力であり、LSI試験装置2と接続される。
The
LSI試験装置2内のファンクションテストパターン出力部(テストパターン出力手段)21は、LSI11のファンクションテストを行う際に、テストパターンを生成しLSI11へ出力するものである。電源部(電源供給手段)22は、試験時に基準となる電源電圧を、LSI11および基準電圧波形ポイント121に対して供給するものである。
A function test pattern output unit (test pattern output means) 21 in the LSI test apparatus 2 generates a test pattern and outputs it to the
ファンクションテスト結果判定部(結果判定手段)23は、ファンクションテストパターン出力部21から出力するテストパターンに対する正常なLSI11の応答出力として期待される期待パターンと、試験時に実際にLSI11から出力された出力パターンとを比較するものである。また、ウィンドウコンパレータ12のコンパレータ出力ポイント123からの出力を入力し、上述したLSI11からの出力パターンと合わせて記憶部24へ保存するものである。
The function test result determination unit (result determination unit) 23 is an expected pattern expected as a
記憶部24(記憶手段)は、ファンクションテスト結果判定部23で判定されるLSI11からの出力パターンおよび電源電圧の結果を記憶するメモリである。
The storage unit 24 (storage unit) is a memory that stores the output pattern from the
図2は、ウィンドウコンパレータ12の回路を示した回路図である。図2において、抵抗R1は、その一端が電源VCCと接続され、他端がトランジスタQ1のコレクタおよびトランジスタQ1、Q2、Q3のベースと接続される。ウィンドウ幅調整ボリュームR2(調整手段)は、ウィンドウコンパレータ12のウィンドウ幅を調整するための可変抵抗であり、その一端がトランジスタQ1のエミッタと接続され、他端が電源VEEと接続される。
FIG. 2 is a circuit diagram showing a circuit of the
抵抗R3は、その一端がトランジスタQ2のエミッタと接続され、他端が電源VEEと接続される。抵抗R4は、その一端がトランジスタQ3のエミッタと接続され、他端が電源VEEと接続される。 The resistor R3 has one end connected to the emitter of the transistor Q2 and the other end connected to the power source VEE. The resistor R4 has one end connected to the emitter of the transistor Q3 and the other end connected to the power supply VEE.
演算増幅器OP1の+入力端子はモニター波形ポイント123と接続され、−入力端子と出力端子は短絡される。また、演算増幅器OP1の出力端子は、抵抗R6の一端およびコンパレータCP1の+入力端子と接続され、電圧フォロア(バッファ)として動作する。
The positive input terminal of the operational amplifier OP1 is connected to the
演算増幅器OP2の+入力端子は基準電圧波形ポイント121と接続され、−入力端子と出力端子は短絡され、電圧フォロア(バッファ)として動作する。また、演算増幅器OP2の出力端子は、抵抗R5の一端およびコンパレータCP2の+入力端子と接続される。
The + input terminal of the operational amplifier OP2 is connected to the reference
コンパレータCP1の−入力端子は、抵抗R5及びトランジスタQ2のコレクタと接続される。コンパレータCP2の−入力端子は、抵抗R6の他端及びトランジスタQ3のコレクタと接続される。 The negative input terminal of the comparator CP1 is connected to the resistor R5 and the collector of the transistor Q2. The negative input terminal of the comparator CP2 is connected to the other end of the resistor R6 and the collector of the transistor Q3.
抵抗R7は、その一端がコンパレータCP1の出力端子及びコンパレータCP2の出力端子と接続され、他端が演算増幅器OP3の入力端子へと接続される。演算増幅器OP3の出力端子は、コンパレータ出力ポイント123と接続される。
The resistor R7 has one end connected to the output terminal of the comparator CP1 and the output terminal of the comparator CP2, and the other end connected to the input terminal of the operational amplifier OP3. The output terminal of the operational amplifier OP3 is connected to the
次に、上述した実施形態の動作を、図2を参照して説明する。図2において、トランジスタQ1、Q2、Q3、抵抗R1、R3、R4およびウィンドウ幅調整ボリュームR2の回路は電流ミラー回路の構成であり、トランジスタQ2のコレクタに流れ込む電流I2およびトランジスタQ3のコレクタに流れ込む電流I3は、トランジスタQ1のコレクタに流れ込む電流I1と等しい。 Next, the operation of the above-described embodiment will be described with reference to FIG. In FIG. 2, the circuits of transistors Q1, Q2, Q3, resistors R1, R3, R4 and window width adjustment volume R2 have a current mirror circuit configuration. Current I2 flows into the collector of transistor Q2 and current flows into the collector of transistor Q3. I3 is equal to the current I1 flowing into the collector of the transistor Q1.
ウィンドウ幅調整ボリュームR2の抵抗値を変化させると、電流I1が変化し、電流ミラー回路を通して電流I2および電流I3も変化する。電流I2が変化することにより、抵抗R5による電圧降下量が変化し、コンパレータCP1の−入力端子にかかる電圧が変化する。同様に、電流I3が変化することにより、抵抗R6による電圧降下量が変化し、コンパレータCP2の−入力端子にかかる電圧が変化する。 When the resistance value of the window width adjustment volume R2 is changed, the current I1 is changed, and the current I2 and the current I3 are also changed through the current mirror circuit. As the current I2 changes, the amount of voltage drop due to the resistor R5 changes, and the voltage applied to the negative input terminal of the comparator CP1 changes. Similarly, when the current I3 changes, the amount of voltage drop due to the resistor R6 changes, and the voltage applied to the negative input terminal of the comparator CP2 changes.
モニター波形ポイント122における電圧をVinとおくと、電圧フォロアとして動作する演算増幅器OP1の出力端子における電圧は同じVinとなる。このとき、コンパレータCP1の+入力端子の電圧はVin、コンパレータCP2の−入力端子の電圧はVin−R6×I3となる。
When the voltage at the
基準電圧波形ポイント121における電圧をVrefとおくと、電圧フォロアとして動作する演算増幅器OP2の出力端子における電圧は同じVrefとなる。このとき、コンパレータCP2の+入力端子の電圧はVref、コンパレータCP1の−入力端子の電圧はVref−R5×I2となる。
When the voltage at the reference
したがって、コンパレータCP1の出力は、Vin>Vref−R5×I2の場合にHighとなり、逆にVin<Vref−R5×I2の場合にはLowとなる。一方、コンパレータCP2の出力は、Vref>Vin−R6×I3(すなわち、Vin<Vref+R6×I3)の場合にHighとなり、逆にVref<Vin−R6×I3(すなわち、Vin>Vref+R6×I3)の場合にはLowとなる。 Accordingly, the output of the comparator CP1 becomes High when Vin> Vref−R5 × I2, and conversely becomes Low when Vin <Vref−R5 × I2. On the other hand, the output of the comparator CP2 becomes High when Vref> Vin−R6 × I3 (that is, Vin <Vref + R6 × I3), and conversely, when Vref <Vin−R6 × I3 (that is, Vin> Vref + R6 × I3). Becomes Low.
コンパレータCP1、CP2はともにオープンドレイン型の出力であり、コンパレータCP1の出力、コンパレータCP2の出力がともにHighであるときにのみ、抵抗R7を介して演算増幅器OP3へ入力される電圧はHighとなる。演算増幅器OP3は、LSI試験装置の入力可能な電圧範囲に応じて、入力電圧を増幅して出力する。 The comparators CP1 and CP2 are both open drain type outputs, and the voltage input to the operational amplifier OP3 via the resistor R7 is High only when both the output of the comparator CP1 and the output of the comparator CP2 are High. The operational amplifier OP3 amplifies and outputs the input voltage according to the voltage range that can be input by the LSI test apparatus.
上述の通り、電圧Vinが所定の電圧範囲、すなわち、Vref−R5×I2<Vin<Vref+R6×I3、に収まっている場合にウィンドウコンパレータ12のコンパレータ出力ポイント123からの出力はHighとなり、Vin<Vref−R5×I2またはVref+R6×I3<Vinの場合にはウィンドウコンパレータ12の出力はLowとなる。
As described above, when the voltage Vin falls within a predetermined voltage range, that is, Vref−R5 × I2 <Vin <Vref + R6 × I3, the output from the
続いて、図1および図3を参照してLSIの試験方法の手順を説明する。LSI11の試験を行う際は、まず試験を行うLSI11の電源端子を一つ選択し、ウィンドウコンパレータ12のモニター波形ポイント122と接続する。続いて、LSI試験装置2の電源部22からLSI11およびウィンドウコンパレータ12の基準電圧波形ポイント121に電源を供給する。
Next, the procedure of the LSI test method will be described with reference to FIGS. When testing the
電源の供給後、ウィンドウコンパレータ12のウィンドウ幅調整ボリュームR2を調整し、ウィンドウコンパレータ12の演算増幅器OP3への入力がHighとなる電圧の幅を調整する。具体的には、基準電圧波形ポイント121の電圧は固定した状態で、LSI11に供給する電源電圧を変動させ、ウィンドウコンパレータ12の出力がHighからLow、またはLowからHighに反転する電圧(閾値電圧)を検出する。
After the power is supplied, the window width adjustment volume R2 of the
上記検出した閾値電圧が、LSI11の電源に要求される閾値電圧と一致していない場合は、ウィンドウ幅調整ボリュームR2を調整し、再び同様の方法で閾値電圧を検出する。この手順を、検出閾値電圧がLSI11の電源に要求される閾値電圧と一致するまで繰り返し行う。
If the detected threshold voltage does not match the threshold voltage required for the power supply of the
ウィンドウ幅の調整終了後は、LSI11の電源電圧が規定の電圧範囲内であるときにウィンドウコンパレータ12はHighレベルを出力し、規定の電圧範囲外になったときにウィンドウコンパレータ12はLowレベルを出力する。
After the adjustment of the window width, the
ウィンドウ幅調整ボリュームR2の調整が終了すると、ファンクションテスト結果判定部23で保持する前述の期待パターンにウィンドウコンパレータ12からの出力の期待値を設定する。
When the adjustment of the window width adjustment volume R2 is completed, the expected value of the output from the
この期待値の設定は、例えば図3に示したファンクションテストの期待値パターンの最後の1ビットをウィンドウコンパレータ12の出力用に割り当てる。本実施形態では、LSI11の電源電圧が所定の範囲内に収まっている正常な状態の場合にウィンドウコンパレータ12からファンクションテスト結果判定部へHighレベルが出力されるため、上記期待値パターンの最後の1ビットにはHighをセットする。
In setting the expected value, for example, the last bit of the expected value pattern of the function test shown in FIG. In the present embodiment, since the High level is output from the
続いて、ファンクションテストパターン出力部21からLSI11の入力端子にテストパターンを出力し、LSI11の出力端子から出力されるそのテストパターンに対するLSI11の応答出力をファンクションテスト結果判定部23で取得する。ファンクションテスト結果判定部23では、ファンクションテスト結果の取得と同時に、ウィンドウコンパレータ12からの出力を取り込む。
Subsequently, the test pattern is output from the function test
ファンクションテスト結果判定部23は、ウィンドウコンパレータ12の出力がHighレベルかLowレベルかを判定し、判定結果をLSI11から出力された応答出力パターンの最後の1ビットに追加する。その後、ファンクションテスト結果判定部23はウィンドウコンパレータの判定結果を追加した後のパターンを記憶部24に保存する。
The function test
ファンクションテスト結果判定部23は、ウィンドウコンパレータ12の出力を追加した後のパターンと、上述した期待値パターンとを比較し、最後の1ビットが異なれば電源電圧に異常があると判定する。このように、本実施形態では電源電圧の監視とファンクションテストとを同時に行うことが可能である。
The function test
そのため、電源電圧に異常があると判定された直後に試験を中断し、試験者が原因を究明することが可能となり、従来のように電源電圧に異常が起きた状態で試験を続行することがなくなる。また、LSI試験装置2で自動的に電源電圧の監視が行われるため、試験者がオシロスコープ等で常時電源電圧を監視する必要がなくなる。 Therefore, the test can be interrupted immediately after it is determined that there is an abnormality in the power supply voltage, and the tester can investigate the cause, and the test can be continued with the abnormality in the power supply voltage as before. Disappear. Further, since the power supply voltage is automatically monitored by the LSI test apparatus 2, it is not necessary for the tester to constantly monitor the power supply voltage with an oscilloscope or the like.
さらにまた、記憶部24で記憶するファンクションテスト結果の履歴を参照することにより、LSI11にどのようなテストパターンを入力したときに電源電圧の異常が起きたのかを特定することが可能となる。さらにまた、LSI11が行うテストパターンの処理のどの過程で電源電圧の異常が起きたのかを特定することが可能である。
Furthermore, by referring to the history of function test results stored in the
以上、本発明の実施形態を詳述してきたが、具体的な構成は本実施形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更等も含まれる。 As mentioned above, although embodiment of this invention was explained in full detail, the concrete structure is not restricted to this embodiment, The design change etc. of the range which does not deviate from the summary of this invention are included.
本発明は、LSI等の半導体を試験するための半導体試験装置に用いて好適である。 The present invention is suitable for use in a semiconductor test apparatus for testing a semiconductor such as an LSI.
1…LSI試験ボード、2…LSI試験装置、11…LSI、12…ウィンドウコンパレータ(電源電圧判定手段)、21…ファンクションテストパターン出力部(テストパターン出力手段)、22…電源部、23…ファンクションテスト結果判定部(結果判定手段)、24…記憶部(記憶手段)、R2…ウィンドウ幅調整ボリューム(調整手段) DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... LSI test board, 2 ... LSI test apparatus, 11 ... LSI, 12 ... Window comparator (power supply voltage determination means), 21 ... Function test pattern output part (test pattern output means), 22 ... Power supply part, 23 ... Function test Result determination unit (result determination unit), 24 ... storage unit (storage unit), R2 ... window width adjustment volume (adjustment unit)
Claims (5)
前記半導体装置の電源電圧が所定の電圧範囲内に収まっているかを判定する電源電圧判定手段と、
前記半導体装置および前記電源電圧判定手段に電源を供給する電源供給手段と、
前記入力したテストパターンに対する前記半導体装置の応答出力と前記電源電圧判定手段の出力とから試験結果の判定を行う結果判定手段と、
前記結果判定手段の試験結果を保持する記憶手段と、
を具備することを特徴とする半導体試験装置。 Test pattern output means for generating a test pattern for function test and outputting it to a semiconductor device to be tested,
Power supply voltage determination means for determining whether the power supply voltage of the semiconductor device is within a predetermined voltage range;
Power supply means for supplying power to the semiconductor device and the power supply voltage determination means;
A result determination means for determining a test result from a response output of the semiconductor device with respect to the input test pattern and an output of the power supply voltage determination means;
Storage means for holding the test result of the result determination means;
A semiconductor test apparatus comprising:
前記半導体装置および前記電源電圧判定手段に電源電圧を供給する電源供給手順と、
前記半導体装置にファンクションテスト用のテストパターンを入力するテストパターン入力手順と、
前記入力したテストパターンに対する前記半導体装置の応答出力と前記電源電圧判定手段の出力とから試験結果の判定を行う判定手順と、
を備えていることを特徴とする半導体試験方法。 A connection procedure for connecting a power supply terminal of a semiconductor device to be tested and a power supply voltage determination means for determining whether the power supply voltage is within a predetermined voltage range;
A power supply procedure for supplying a power voltage to the semiconductor device and the power voltage determination means;
Test pattern input procedure for inputting a test pattern for function test to the semiconductor device,
A determination procedure for determining a test result from a response output of the semiconductor device with respect to the input test pattern and an output of the power supply voltage determination means;
A semiconductor test method comprising:
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