JP2007088465A - 露光装置、パーティクル検査システム、パーティクル検査方法、及びデバイス製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】基板表面のパーティクルを検査する。
【解決手段】露光装置はパターニング用デバイスから基板にパターンを転写する。この装置は基板表面のパーティクルを検出するためのパーティクル検査システムを備える。パーティクル検査システムは、放射を生成する放射源と、放射源により生成された放射を基板表面の検査領域に入射させる照明光学系と、基板表面の検査領域からの放射を受ける検査光学系と、少なくとも１つの計測信号を生成するために検査光学系に連結された検出器とを備える。この装置は、少なくとも１つの計測信号に基づいてパーティクルの高さを決定し、その高さがしきい値を超える場合に高さ超過信号を生成する処理部をさらに備える。
【選択図】図５

Description

本発明はパーティクル検査システムに関する。また本発明はパーティクル検査システムを備える露光装置に関する。このパーティクル検査システムは、露光装置での基板へのパターニング処理前またはパターニング処理中において、基板上にあるべきではないパーティクルの検査に使用され得る。更に本発明はパーティクル検査方法及びデバイス製造方法に関する。

露光装置は、所望のパターンを基板または基板の一部に転写する機械である。露光装置は、例えば、フラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）、集積回路（ＩＣ）、その他の微細構造を有するデバイスの製造に用いられる。従来の装置では、フラットパネルディスプレイ（または、その他のデバイス）の各層に対応した回路パターンを形成するために、マスクまたはレチクルと呼ばれるパターニング用デバイスが使用され得る。このパターンが、例えば基板に塗布された照射感応材料（レジスト）層への像形成により、基板（例えばガラスプレート）の全部または一部分に転写されることになる。

回路パターンの代わりに例えばカラーフィルタのパターンまたはドットマトリクスなどの他のパターンを作製するためにパターニング手段が使用されてもよい。マスクを使わない場合には、パターニング用デバイスは、個別に制御可能なエレメント（ｉｎｄｉｖｉｄｕａｌｌｙ ｃｏｎｔｒｏｌｌａｂｌｅ ｅｌｅｍｅｎｔｓ、以下では適宜ＩＣＥと称する）のアレイを含むパターニング用アレイを備えてもよい。マスクを用いるシステムに比較したときのマスクを使用しないシステムの利点は、より速く、かつより低コストにパターンを変更することができるという点にある。

フラットパネルディスプレイの基板の形状は例えば長方形とされる。この種の基板を露光するように設計されている露光装置では、その長方形基板の全幅を、あるいは長方形の幅の一部（例えば、その幅の半分）を露光領域として設定することが可能である。基板が露光領域下を走査されるとともに、投射ビームによりマスクまたはレチクルが同期して走査される。このようにして、パターンが基板に転写されることになる。その露光領域が基板の全幅をカバーしている場合には、一回の走査で露光が完了する。露光領域が、例えば、基板の幅の半分をカバーしている場合には、第一回目の走査が終わった後に基板が横方向に移動され、典型的には基板の残り部分を露光するためにもう一回の走査が行われる。

フラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）露光用の現在のシステムは上述のように基板に像形成するマスクを用いている。マスクを使用しないＦＰＤ用露光システムでは、露光装置の一部、通例は像形成システムやそこに含まれる例えばレンズなどの光学要素が、像形成されている間に移動する基板に比較的近接して配設される。像形成システムと基板との距離は数ｍｍ程度またはそれ以下のオーダーであり、小さい場合には例えば０．１ｍｍとされる。仮にパーティクルや他の汚染物質（以下ではこれらを総称して「パーティクル」と呼ぶ）が基板表面に存在したとすると、パーティクルの（基板表面に垂直な方向の）高さが像形成システムと基板との距離を超える場合には、基板が像形成システムの近傍を通過する際にパーティクルにより像形成システムが損傷を受けてしまうおそれがある。このような損傷によって、例えば像形成システムの少なくとも一部を交換することにより、とりわけそのために生じる露光装置のダウンタイムによる生産減少により、比較的高いコスト増を招いてしまう。パーティクルはガラス基板の加工及び搬送により生じるガラスパーティクルを例えば含むがこれに限られない。ＦＰＤの生産に用いられる基板は秒速数メートル程度の比較的高速で移動されるとともに、幅及び長さのそれぞれが数メートル程度の比較的大きな寸法とされるため、上述の問題は更に複雑化してしまう。

基板表面のパーティクルを検査するためのパーティクル検査システム及び検査方法が提供されることが望ましい。

本発明の一実施形態によれば、パターニング用デバイスから基板にパターンを転写するための露光装置が提供される。この露光装置は基板表面上のパーティクルを検査するためのパーティクル検査システムを備え、該パーティクル検査システムは、放射を生成するよう構成されている放射源と、前記放射源により生成された放射を基板表面上の検査領域に入射させるよう構成されている照明光学系と、基板表面上の前記検査領域からの放射を受けるよう構成されている検査光学系と、前記検査光学系に連結され少なくとも１つの計測信号を生成する検出器と、を備え、前記露光装置は、前記少なくとも１つの計測信号に基づいてパーティクルの高さを決定し、かつ当該高さがしきい値を超える場合に高さ超過信号を生成するよう構成されている処理部を更に備える。

本発明の一実施形態によれば、基板表面上のパーティクルを検査するためのパーティクル検査システムが提供される。このパーティクル検査システムは、放射を生成するよう構成されている放射源と、前記放射源により生成された放射を基板表面上の検査領域に入射させるよう構成されている照明光学系と、基板表面上の前記検査領域からの放射を受けるよう構成されている検査光学系と、前記検査光学系に連結され少なくとも１つの計測信号を生成する検出器と、前記検出器に連結され、前記少なくとも１つの計測信号に基づいてパーティクルの高さを決定しかつ当該高さがしきい値を超える場合に高さ超過信号を生成するよう構成されている処理部を更に備える。

本発明の一実施形態によれば、基板表面上のパーティクルを検査するための方法が提供される。この方法は、放射を生成し、基板表面上の検査領域に前記放射を入射させ、基板表面上の前記検査領域からの放射を検出し、検出された放射から少なくとも１つの信号を生成し、前記少なくとも１つの信号に基づいてパーティクルの高さを決定し、当該高さがしきい値を超える場合に高さ超過信号を生成する。

本発明の一実施形態によれば、デバイス製造方法が提供される。この方法は、基板を準備し、パターンを付与された放射ビームを基板表面に投射することを備え、上述の方法により基板表面上のパーティクルを検査し、パーティクルが検出された場合に前記高さ超過信号を用いて少なくとも基板の一部を不良と判定する。

本発明の実施形態があくまでも一例として添付の模式的な図面を参照して以下に記述される。図面中の参照符号は本文中の対応箇所を示している。

図１は、露光装置１の一例を模式的に示す図である。この装置は、
・放射ビームＢ（例えば紫外光）を調整するよう構成されている照明系（照明器）ＩＬと、
・基板Ｗ（例えばレジストでコーティングされた基板）を支持するよう構成され、所定のパラメータに従って正確に位置決めするよう構成されているポジショナＰＷに接続されている基板テーブルＷＴと、
パターニング用デバイスＰＤにより変調された放射ビームＢを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つ以上のダイ）に投影するよう構成されている投射系ＰＳ（例えば屈折投影レンズ系）と、を備える。

一般にパターニング用デバイスＰＤは投射系ＰＳに対して固定されているが、これに代えて所定のパラメータに従って正確に位置決めするよう構成されているポジショナに接続されていてもよい。照明系ＩＬは、放射の方向や形状の調整または制御用に各種の光学要素、例えば屈折、反射、磁気的、電磁気的、静電的、または他の各種光学要素、あるいはこれらの任意の組み合わせを含む。

本明細書では「パターニング用デバイス」という用語は、例えば基板のターゲット部分にパターンを形成すべく放射ビームの断面を変調するために使用され得るいかなるデバイスをも指し示すよう広く解釈されるべきである。放射ビームに与えられるパターンは基板のターゲット部分に所望されるパターンと厳密に対応していなくてもよい。例えば放射ビームのパターンは位相シフトフィーチャあるいはいわゆるアシストフィーチャを含んでもよい。同様に、ＩＣＥアレイに形成されるパターンはどの時点においても最終的に基板上に生成されるパターンに対応していなくてもよい。これは一定時間または一定回数の露光の合算により基板の各部に最終的なパターンが形成される場合に起こりうる。この一定時間または一定回数の露光の間には、ＩＣＥアレイ上のパターン及び／または基板の相対位置は変動する。一般に、基板のターゲット部分に形成されるパターンは、そのターゲット部分に形成されるデバイスの特定の機能層に対応する。斯かるデバイスとしては、集積回路やフラットパネルディスプレイ（例えばフラットパネルディスプレイのカラーフィルター層や薄いフィルム状のトランジスタ層）などがある。パターニング用デバイスの例としては、例えばレチクルやプログラマブルミラーアレイ（ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ ｍｉｒｒｏｒ ａｒｒａｙ）、レーザーダイオードアレイ、ＬＥＤアレイ、グレーティングライトバルブ、ＬＣＤアレイなどがある。電子的手段（例えばコンピュータ）によりパターンがプログラム可能であるパターニング用デバイスは、例えば複数のプログラム可能な要素を含むパターニング用デバイス（例えば１つ前の文章に挙げたものではレチクルを除くすべてのものが該当する）であり、以下では総称して「コントラストデバイス」と呼ぶこととする。

露光装置は１つ以上のコントラストデバイスを備え得る。例えば、露光装置は、個別に制御可能なエレメントを含む複数のアレイを有し、それぞれのエレメントが互いに独立に制御されるものであってもよい。この構成においては、個別に制御可能なエレメントのアレイのうちのいくつかのものまたはすべてのものが少なくとも１つの照明系（または照明系の一部）を共有していてもよい。斯かるアレイは支持構造及び／または投射系（または投射系の一部）を共有していてもよい。

一実施例としては、図１に示される実施形態のように、基板Ｗは実質的に円形状であり、任意的に周縁部にノッチ及び／または平坦部を有していてもよい。一実施例としては、基板は例えば長方形などの多角形形状でもよい。

一実施例においては、基板Ｗはウエハであり、例えば半導体ウエハである。一実施例ではウエハの材料は、Ｓｉ（ケイ素）、ＳｉＧｅ（シリコンゲルマニウム），ＳｉＧｅＣ（シリコンゲルマニウムカーボン）、ＳｉＣ(炭化ケイ素)、Ｇｅ（ゲルマニウム）、ＧａＡｓ(ガリウムヒ素)、ＩｎＰ（インジウムリン）、ＩｎＡｓ（インジウムヒ素）から成るグループから選択される。一実施例ではウエハはＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体ウエハである。一実施例ではウエハはシリコンウエハである。一実施例では基板はセラミック基板である。一実施例では基板はガラス基板である。一実施例では基板はプラスチック基板である。一実施例では基板は（ヒトの裸眼で）透明である。一実施例では基板は有色である。一実施例では基板は無色である。この基板の厚さは基板材料及び／または基板寸法に応じてある程度変更される。一実施例では、基板の厚さは、少なくとも５０μｍ、例えば少なくとも１００μｍ、少なくとも２００μｍ、少なくとも３００μｍ、少なくとも４００μｍ、少なくとも５００μｍ、または少なくとも６００μｍである。一実施例では、基板の厚さは、厚くても５０００μｍ、例えば厚くても３５００μｍ、厚くても２５００μｍ、厚くても１７５０μｍ、厚くても１２５０μｍ、厚くても１０００μｍ、厚くても８００μｍ、厚くても６００μｍ、厚くても５００μｍ、厚くても４００μｍ、または厚くても３００μｍである。基板は露光前または露光後においてトラック（典型的にはレジスト層を基板に塗布し、露光後のレジストを現像する装置）、計測装置、及び／または検査装置により処理されてもよい。一実施例ではレジスト層が基板に設けられる。基板表面は入射する放射の少なくとも一部を反射してもよい。

本明細書では「投射系」という用語は、使用される露光光あるいは浸漬液や真空の利用などの他の要因に関して適切とされるいかなる投射系をも包含するよう広く解釈されるべきである。投射系には例えば屈折、反射、反射屈折、磁気的、電磁気的、静電的光学系、またはこれらの任意の組み合わせなどが含まれる。以下では「投射レンズ」という用語は、より一般的な用語である「投射系」と同義に用いられ得る。

投射系は、ＩＣＥアレイにおけるパターンが基板上にコヒーレントに形成されるように当該パターンの像を形成する。これに代えて投射系は二次光源を像形成してもよく、この場合ＩＣＥアレイのエレメントは二次光源用のシャッターとして動作してもよい。この場合には投射系は、例えば二次光源を形成し基板にスポット状に像形成するために、例えばマイクロレンズアレイ（ｍｉｃｒｏ ｌｅｎｓ ａｒｒａｙ、ＭＬＡとして知られている）やフレネルレンズアレイなどの合焦用エレメントのアレイを含んでもよい。一実施例においては、パターニング用デバイスにおけるＩＣＥの数と合焦用エレメントのアレイにおける合焦用エレメントの数とは等しいか、あるいは、パターニング用デバイスにおけるＩＣＥの数は合焦用エレメントのアレイにおける合焦用エレメントの数よりも多い。一実施例では、合焦用エレメントのアレイにおける１つ以上の合焦用エレメントは、ＩＣＥアレイにおける１つ以上のＩＣＥに光学的に連関していてもよい。一実施例では、ＭＬＡは、少なくとも基板に近づける方向及び遠ざかる方向に例えば１以上のアクチュエータを用いて移動可能である。基板に近づける方向及び遠ざかる方向にＭＬＡを移動させることができるので、基板を動かすことなく例えば焦点合わせをすることが可能となる。

図示されるように本装置は反射型（例えば反射型のＩＣＥアレイを用いる）である。透過型（例えば透過型のＩＣＥアレイを用いる）の装置を代替的に用いてもよい。

露光装置は２つ以上（２つの場合にはデュアルステージと呼ばれる）の基板ステージを備えてもよい。このような多重ステージ型の装置においては追加されたテーブルは並行して使用されるか、あるいは１以上の他のテーブルで露光が行われている間に１以上のテーブルで準備工程を実行するようにしてもよい。

露光装置は、基板の少なくとも一部が液浸露光用の液体（ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ ｌｉｑｕｉｄ、浸漬液）で覆われるものであってもよい。この液体は比較的高い屈折率を有する例えば水のような液体であり、投射系と基板との間の空隙を満たす。浸漬液は、例えばパターニング用デバイスと投射系との間のような露光装置の他の空間に適用されるものであってもよい。液浸技術は投射系の開口数を増大させる技術として周知である。本明細書では「液浸（ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ）」という用語は、基板等の構造体が液体に完全に浸されているということを意味するのではなく、露光の際に投射系と基板との間に液体が存在するということを意味するに過ぎない。

図１に示されるように照明器ＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受け取る。例えば光源がエキシマレーザである場合には、光源と露光装置とは別体であってもよい。この場合、光源は露光装置の一部を構成しているとはみなされなく、放射ビームは光源ＳＯから照明器ＩＬへとビーム搬送系ＢＤを介して受け渡される。ビーム搬送系ＢＤは例えば適当なダイレクトミラー及び／またはビームエキスパンダを含んで構成される。あるいは光源が水銀ランプである場合には、光源は露光装置に一体に構成されていてもよい。光源ＳＯと照明器ＩＬとは、またビーム搬送系ＢＤが必要とされる場合にはこれも合わせて、放射系と総称される。

照明器ＩＬは放射ビームの角強度を調整するためのアジャスタＡＤを備えてもよい。一般にはアジャスタＡＤにより、照明器ＩＬの瞳面における強度分布の少なくとも半径方向外周部及び／または内周部での量（通常それぞれ「シグマ−アウタ（σ−ｏｕｔｅｒ）」、「シグマ−インナ（σ−ｉｎｎｅｒ）」と呼ばれる）が調整される。加えて照明器ＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの他の要素を備えてもよい。照明器はビーム断面における所望の均一性及び強度分布を得るべく放射ビームを調整するために用いられる。照明器ＩＬ及び追加の関連構成要素は放射ビームを複数の分割ビーム（ｓｕｂ−ｂｅａｍ）に分割するように構成されていてもよい。例えば各分割ビームがＩＣＥアレイの１つまたは複数のＩＣＥに対応するように構成してもよい。放射ビームを分割ビームに分割するのに例えば二次元の回折格子を用いてもよい。本明細書においては「放射ビーム（ｂｅａｍ ｏｆ ｒａｄｉａｔｉｏｎ、ｒａｄｉａｔｉｏｎ ｂｅａｍ）」という用語は、放射ビームがこれらの複数の分割ビームを含むという状況をも示し、かつこれに限定されないものとする。

放射ビームＢは、パターニング用デバイスＰＤ（例えば、個別に制御可能なエレメントのアレイ）に入射して、当該パターニング用デバイスにより変調される。放射ビームはパターニング用デバイスＰＤにより反射され、投射系ＰＳを通過する。投射系ＰＳはビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃで合焦させる。ポジショナＰＷと位置センサＩＦ２（例えば、干渉計、リニアエンコーダ、静電容量センサなど）により基板テーブルＷＴを正確に移動させることができる。基板テーブルＷＴは例えば放射ビームＢの経路に異なるターゲット部分Ｃを位置決めするように移動される。例えば走査中にビームＢの経路に対してパターニング用デバイスＰＤの位置を正確に修正するために、ＩＣＥアレイ用の位置決め手段が用いられてもよい。一実施例においては、ロングストロークモジュール（粗い位置決め用）及びショートストロークモジュール（精細な位置決め用）により基板テーブルＷＴの移動を実現する。ロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールは図１には明示されていない。一実施例では基板テーブルＷＴを移動させるためのショートストロークモジュールを省略してもよい。ＩＣＥアレイを位置決めするためにも同様のシステムを用いることができる。必要な相対運動を実現するために、対象物テーブル及び／またはＩＣＥアレイの位置を固定して投射ビームＢを代替的にまたは追加的に移動可能としてもよいということも理解されよう。この構成は装置のサイズを制限するのに役立ち得る。例えばフラットパネルディスプレイの製造に適用可能な更なる代替例として、基板テーブルＷＴ及び投射系ＰＳを固定し、基板Ｗを基板テーブルＷＴに対して移動させるように構成してもよい。例えば基板テーブルＷＴは、実質的に一定の速度で基板Ｗを走査させるためのシステムを備えてもよい。

図１に示されるように放射ビームＢはビームスプリッタＢＳによりパターニング用デバイスＰＤに向けられるようにしてもよい。このビームスプリッタＢＳは、放射ビームがまずビームスプリッタＢＳにより反射されてパターニング用デバイスＰＤに入射するように構成される。ビームスプリッタを使わずに放射ビームをパターニング用デバイスに入射させるようにすることもできる。一実施例では放射ビームは０度から９０度の間の角度でパターニング用デバイスに入射する。図１には９０度の例が示されている。パターニング用デバイスＰＤは放射ビームＢを変調し、またビームスプリッタＢＳに向けて反射する。ビームスプリッタＢＳは変調されたビームを投射系ＰＳへと伝達する。しかしながら放射ビームＢをパターニング用デバイスＰＤに入射させ、そのまま更に投射系ＰＳに入射させるという代替的な構成も可能であることも理解されよう。特に透過型のパターニング用デバイスが用いられる場合には図１に示される構成は必要とはされない。

図示の装置は好ましくは次の４つのモードで使用することができる。
１．ステップモードにおいては、放射ビームに付与されたパターンの全体が１回の照射（すなわち単一静的露光）でターゲット部分Ｃに投影される間、ＩＣＥアレイ及び基板は実質的に静止状態とされる。そして基板テーブルがＸ及び／またはＹ方向に移動されて、異なるターゲット部分Cが露光される。ステップモードでは露光領域の最大サイズが単一静的露光で転写されるターゲット部分Ｃのサイズを制限することになる。
２．スキャンモードにおいては、放射ビームに付与されたパターンがターゲット部分Ｃに投影される間（すなわち単一動的露光の間）、ＩＣＥアレイ及び基板は同期して走査される。ＩＣＥアレイに対する基板の速度及び方向は、投射系ＰＳの拡大（縮小）特性及び像反転特性により定められる。スキャンモードでは露光領域の最大サイズが単一動的露光でのターゲット部分Ｃの（非走査方向の）幅を制限し、スキャン移動距離がターゲット部分の（走査方向の）長さを決定する。
３．パルスモードにおいては、ＩＣＥアレイは実質的に静止状態とされ、パルス放射源により基板Ｗのターゲット部分Ｃにパターンの全体が投影される。基板テーブルＷＴが実質的に一定の速度で移動して、投射ビームＢは基板上を線状に走査させられる。ＩＣＥアレイ上のパターンは照射系からのパルス間に必要に応じて更新される。パルス照射のタイミングは、基板上の所望の箇所のターゲット部分Ｃが連続して露光されるように調整される。その結果、完全なパターンが基板上に細長く露光されるよう投射ビームＢにより基板Wが走査される。一筋ずつ線状に順次露光されて基板Ｗが完全に露光されるまでこのプロセスが繰り返される。
４．連続スキャンモードにおいては、変調された放射ビームＢに対して基板Ｗが実質的に等速で走査され、投射ビームＢが基板Ｗ上を走査して露光するに際してＩＣＥアレイ上のパターンが更新されることを除いては基本的にパルスモードと同様である。ＩＣＥアレイのパターンの更新に同期させるようにした、実質的に一定の放射源またはパルス放射源を用いることができる。

上記で記載したモードを組み合わせて動作させてもよいし、モードに変更を加えて動作させてもよく、さらに全く別のモードで使用してもよい。

図２は、本発明に係る露光装置の一例を示す図である。この実施例はフラットパネルディスプレイの製造に用いることができる。図１に示される構成要素に対応するものには図２においても同じ参照符号を付している。また、基板のさまざまな構成やコントラストデバイス、ＭＬＡ、放射ビームなどの上述のさまざまな変形例は同様に適用可能である。

図２に示されるように、投射系ＰＳは、２つのレンズＬ１、Ｌ２を備えるビームエキスパンダを含む。第１のレンズＬ１は、変調された放射ビームＢを受け、開口絞りＡＳの開口部を通じて合焦させる。開口部には他のレンズＡＬを設けてもよい。そして放射ビームＢは発散し、第２のレンズＬ２（例えばフィールドレンズ）により合焦させられる。

投射系ＰＳは、拡大された変調放射ビームＢを受けるように構成されているレンズアレイＭＬＡをさらに備える。変調放射ビームＢの異なる部分はそれぞれレンズアレイＭＬＡの異なる部分を通過する。この変調放射ビームＢの異なる部分は、パターニング用デバイスＰＤの１以上のＩＣＥアレイに対応している。各レンズは変調放射ビームＢの各部分を基板Ｗ上の点に合焦させる。このようにして基板Ｗ上に照射スポットＳの配列が露光される。図示されているレンズアレイには８つのレンズ１４が示されているだけであるが、レンズアレイは数千のレンズを含んでもよい（パターニング用デバイスＰＤとして用いられるＩＣＥアレイについても同様である）。

図３は、基板Ｗ上のパターンがどのように生成されるのかを模式的に示す図である。塗りつぶされた丸（黒丸）は、投射系ＰＳのレンズアレイＭＬＡによって基板に投影されるスポットＳの配列を示す。基板は、基板上で一連の露光が進むにつれて投射系に対してＹ方向に移動する。塗りつぶされていない丸（白丸）は、基板上で既に露光されている露光スポットＳＥを示す。図示されるように投射系ＰＳのレンズアレイＭＬＡによって、基板に投影された各スポットは基板上に露光スポット列Ｒを形成する。各スポットＳの露光により形成される露光スポット列Ｒがすべて合わさって、基板にパターンが完全に形成される。このような方式はよく「ピクセルグリッドイメージング（ｐｉｘｅｌ ｇｒｉｄ ｉｍａｇｉｎｇ）」と称される。

照射スポットＳの配列は基板Ｗに対して角度θをなして配置されているように見える（基板Ｗの端部はＸ方向及びＹ方向に平行である）。これは、基板が走査方向（Ｙ方向）に移動するときに、各照射スポットが基板の異なる領域を通過するようにするためである。これにより、照射スポットＳの配列により基板の全領域がカバーされることになる。

図４は、どのようにしてフラットパネルディスプレイの基板全体が複数の光学エンジンを用いて単一の走査で露光され得るのかを模式的に示す図である。８つの照射スポットＳの配列３１が８つの光学エンジン（図示せず）により形成される。この配列３１はチェス盤のように２つの列３２、３３に配置されている。照射スポットＳの配列の端部は隣接の照射スポット１５の配列の端部に（走査方向Ｙにおいて）少し重なるように形成される。一実施例では光学エンジンは少なくとも３列、例えば４列または５列に配列される。このようにして、照射の帯が基板Ｗの幅を横切って延び、単一の走査で基板全体の露光が実現されることとなる。光学エンジンの数は適宜変更してもよい。

各光学エンジンは、上述の照明系ＩＬ、パターニング用デバイスＰＤ、及び投射系ＰＳを別個に備えてもよい。あるいは２つ以上の光学エンジンが１以上の照明系、パターニング用デバイス、及び投射系の少なくとも一部を共有してもよい。

図５に示されるように、例えばフラットパネルディスプレイの生産に用いられる露光装置５０は、（図１乃至図４を参照して詳述したように）２つの基板テーブルまたはステージを備える。露光装置は、レンズまたはレンズアレイ５８を含み、基板にパターニングするための投射系５６をさらに備える。第１のステージ５２は第１の基板５４を移送し、第２のステージ６０は第２の基板６２を移送する。第１のステージ５２は、基板５４のパターニングのために投射系５６に対して移動する。第１のステージ５２及び／または第２のステージ６０は、例えば矢印６３に示される方向またはその逆方向に駆動される。第１のステージ５２及び第２のステージ６０は、真空により基板をステージに保持するための吸着手段を備えてもよい。

基板５４、６２は、露光装置５０内を秒速数メートル程度、例えば秒速２〜３メートル程度の速度で移動する。基板５４、６２の寸法は幅及び長さともに数メートルとされ得る。１つの基板からいくつかのフラットパネルディスプレイが生産され得る。このため基板の幅は例えば２ないし３メートルとされ、基板の長さは例えば４ないし８メートルとされる。

レンズまたはレンズアレイ５８と基板５４との間の垂直方向（すなわち基板の（上）面に垂直な方向）の距離は例えば数ｍｍあるいはそれ以下程度であり、例えば０．１ｍｍにまで小さくされる場合もある。パーティクルまたは他の汚染物質が基板表面に存在することがあり、その高さ（基板表面に垂直な方向に測定された寸法）が上述の距離を超える場合にはレンズまたはレンズアレイ５８などの像形成システムに損傷を与えるおそれがある。レンズアレイと基板との距離よりも高さが小さいパーティクルはレンズアレイを傷つけることなく通過できる。パーティクルにはガラス基板を加工したり搬送したりすることにより生じたガラスパーティクルが含まれるがこれに限られない。

レンズまたはレンズアレイ５８は比較的高価であり、損傷を受けると高いコストを招いてしまう。レンズアレイのレンズ表面にはコーティングがなされている場合があり、このコーティングがパーティクルにより傷つけられるとパターニングの品質を悪化させるか、あるいは完全に生産できなくさえなってしまう。また、レンズアレイの交換のための露光装置のダウンタイムはＦＰＤの生産量を低下させてしまう。これらの結果が組み合わさった場合には、相当なコストを発生させてしまうことになる。

レンズまたはレンズアレイ５８の損傷を防ぐためには、基板表面上のパーティクルを検出する必要がある。主な関心は、パーティクルの高さを測定することにある。

図５に示されるように、露光装置５０は、基板６２の表面のパーティクル及び他の汚染物質をパーティクル検出器６４を含む。ステージ６０は、パターニング用のステージ５２に基板６２が運ばれる前に行われる基板６２の表面上のパーティクル検査のために矢印６３の示す方向またはその逆方向に移動する。パーティクル検出器６４は処理部またはコンピュータ６５に連結されており、当該処理部またはコンピュータ６５はＣＰＵ（ｃｅｎｔｒａｌ ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ ｕｎｉｔ）６６及びメモリ６７を含む。コンピュータ６５は、パーティクルの高さを演算するよう構成されており、投射系５６に有効に連結されている。コンピュータ６５はパーティクル検出専用とされてもよいし、露光装置５０の他の処理を実行する処理システム（の一部）であってもよい。投射系５６は、レンズまたはレンズアレイ５８と基板５４、６２との距離を調整するためのアクチュエータ６８を含む。距離を調整するということには、レンズまたはレンズアレイ５８を上昇させることまたは下降させることが含まれる。

使用中にパーティクル検出器６４は計測信号をコンピュータ６５に送信する。この計測信号は基板６２上に存在するパーティクルに関するデータを含み得る。予め設定されたしきい値を超える高さのパーティクルが基板６２上にあることがコンピュータ６５により計測信号から演算された場合には、コンピュータは高さ超過信号を生成してメモリ６７に記憶する。高さ超過信号は、基板６２を不良と判定したり、あるいはパターニング前またはパターニング中にレンズまたはレンズアレイ５８と基板６２との距離を調整したりするのに使うことができる。不良判定された基板６２を更なる使用のために浄化してもよい。また、基板の一部が使用可能である場合には、汚染箇所を決定して基板の他の箇所にパターニングするようにしてもよい。あるいは、コンピュータ６５が高さ超過信号を生成した場合には、高さ超過信号の原因となったパーティクルの位置をコンピュータ６５のメモリ６７に記憶する。パーティクルとレンズまたはレンズアレイ５８との接触を避けるべく、パターニング中にレンズまたはレンズアレイ５８を上昇させてパーティクルがレンズまたはレンズアレイ５８を通り過ぎたら下降させるようにしてもよい。あるいは、基板のパーティクル検査中にはレンズまたはレンズアレイ５８を基板から所定距離離れた非動作位置に配置し、しきい値を超える高さのパーティクルが検出されたなかった場合にレンズまたはレンズアレイ５８を基板に対してより近接する動作位置に下降させてもよい。

上述のように、パターニングの前にパーティクルの検査が実行される。しかしこの検査は、パターニング中に実行されてもよい。パーティクル検査システムは、パターニング中にもパターニングされている基板にパーティクルを検出することができる。

図６に示されるように、パーティクル検出器は、光ビーム７４または他の適切な放射をレンズまたはレンズ系７２を介して基板７６上に照射する照明系または光源７０を備える。光７４は検査領域において基板に対して角度αをなすように到達する。パーティクルが無い場合には、その光は基板７６の表面の検査領域で反射される。反射光のビーム７８は第２のレンズまたはレンズ系８０により合焦される。第３のレンズまたはレンズ系８２は、検出器またはセンサアレイ８４にビーム７８を投影する。照明系７０は基板７６の一方の側に配置され、センサアレイ８４は基板７６の反対側に配置される。レンズ系７２からなる照明光学系は、少なくとも基板の一方の側から基板の反対側へと光ビーム７４を向けるよう構成されている。レンズ系８０及び８２からなる検査光学系は少なくとも基板の一方の側から基板の反対側への光ビーム７８を受けるよう構成されている。

一実施形態においては、光源は低い開口数を有し、例えば光源は実質的に点光源であるとみなせるものであってもよい。更なる実施例においては、照明光学系は実質的に平行光線を生成する。更なる実施例では、レンズ系８２は小さい開口数または絞りを有する。更なる実施例では、検査光学系はテレセントリックである。低い開口数を有する光源と低い開口数を有する検査光学系とを組み合わせた場合、パーティクルは一般に明るい背景における暗領域として投影される。光を散乱する透明なパーティクルも暗領域として投影される。これは検査光学系の開口数が低いために散乱光が検出器８４に到達しないからである。

検出器８４は、破線で示される検査光学系の中心線９２に対して角度α傾いて配置されている。いわゆるシャインプルークの条件（Ｓｃｈｅｉｍｐｆｌｕｇ ｐｒｉｎｃｉｐｌｅ）により、ビーム７４により照明される基板表面は、基板の一方の側から基板の反対側までピントが合った状態となる。これは焦点面が基板７６の上面に実質的に一致するからである。つまり基板７６の照明される面全体は同時にピントが実質的に合っており、パーティクル８６などの基板上のすべての物体はセンサアレイ８４に記録される像がピントが合った状態となる。また、センサアレイ８４からの距離が異なる位置にあるが大きさが同じである基板上のすべての物体は、センサアレイ８４上でも同じ大きさに見える。

実際的な実施例では、レンズ系７２、８０、及び８２は、単一のレンズまたは複数のレンズを備えてもよい。レンズ７２は基板７６の幅全体を光線で照明するのに充分な直径を有する。レンズ８０は、反射された光線７８をすべて集めるのに充分な直径を有する。一実施例ではレンズ７２及び／または８０は１５０ｍｍ程度の直径を有していてもよい。レンズ８２は、焦点深度を増大させるためにレンズ８０よりも小さい直径を有する。言い換えれば、検査光学系の開口数は、レンズ８２によって決定されるため比較的小さい。例えば基板上のパーティクル８６において拡散的に反射された光はレンズ８２から外れることとなり、これによりセンサアレイ８４に記録される像のコントラストが改善される。レンズ８２は１０〜２０ｍｍ程度の直径であってもよい。

パーティクル８６は、光源７０から来る光がセンサアレイ８４に到達しないように妨げるか、あるいは光を屈折させるか散乱させ得る。いずれの場合にもパーティクル８６はセンサアレイによって明るい背景に対する暗領域として検出される。光線８８と光線９０との間において、センサアレイ８４は光強度が低いかまたはゼロであると記録する。ここで心に留めておくべきことは、パーティクル８６に当たっていない光は基板により反射されるということである。パーティクル８６による暗領域とパーティクルの高さとの関係は、次に図７を参照して説明する。

パターニング中における露光装置の投影系のレンズまたはレンズアレイと基板との（基板表面に垂直な）距離は、１ｍｍ程度であり０．１ｍｍと小さいこともある。基板または基板の一部は、レンズアレイと基板との距離の例えば０．７倍よりも高さが大きいパーティクルが計測された場合に不良と判定されるようにしてもよい。

ビーム７４は角度αで基板表面に到達する。角度αは好ましくは比較的小さい値、０度から５度程度の間から選択される。一実施例では角度αは１度から２度の間から選択される。図６に示される角度αは比較的大きな角度であり、パーティクルは基板に対して異常に大きく描かれているが、これは単に図としてわかりやすくするためにすぎない。

角度αを比較的小さくすることによりいくつかの効果を得ることができる。図６に示されるパーティクル検出器を用いる計測法では、パーティクルがビーム７８に生成する暗領域を計測することによりパーティクルの大きさを決定する。センサアレイ８４に記録される像における暗領域の大きさは、パーティクルの高さによってほぼ決まるものであり、パーティクルの他の寸法とはほとんど無関係である。

図７を参照して更に詳細に説明する。ここでは基板１０２上の台形状のパーティクル１００を例に挙げて説明する。線１０４、１０６、１０８は図６のレンズ８０の方向に平行な直線である。パーティクル１００は幅がＡであり高さがＢである。ここで幅は基板の（上）面に平行なビーム７４、７８に沿う方向の寸法として定義され、高さは基板の（上）面に垂直な寸法として定義される。パーティクル１００の高さと幅の比は、上述の測定方法を用いて計測され、これは角度αに依存する。パーティクル１００の高さの計測値と幅の計測値との比は、倍率（高さ）／倍率（幅）＝ｃｏｓα／ｓｉｎαである。角度αが小さな値とされた場合には、上述の比は大きな値となる。例えば角度αが２度である場合には、ｃｏｓα／ｓｉｎα＝２８．６である。これは、検出器８４により観測される暗領域の長さの値にパーティクルの幅は１／２８．６倍しか寄与しないということである。必要とされる精度に応じて、例えば予め設定されたしきい値を高さＢが超えた場合というようにパーティクルの高さが実際的に不良判定のトリガとなるよう角度αの値は選択される。更に、基板に反射されるパーティクルの鏡像により上述の比は実際には２倍になる。つまり図７に破線で示されるようにパーティクルは基板に鏡のように映される。光源７０は基板７６の一方の側に配置され、検出器８４は基板７６の反対側に配置されるので、パーティクルによる暗領域は２倍となる（図６）。すなわちパーティクル検出器はパーティクルの実際の高さの２倍の高さを検出する。このことは、検出器で観察される暗領域の長さにパーティクルの高さが２倍寄与しているということを意味する。

基板の側端部の近傍では、パーティクルの鏡像は少なくとも一部が欠落し得る。言い換えれば、側端部近傍では暗領域の一部が基板外に形成され、暗領域がパーティクルの実際の高さを表さなくなることとなる。これを避けて基板端部近傍での計測結果を意味のあるものとするために、異なる計測方法を用いてもよい。第１の実施例では、考慮されるべき特性が基板に類似するダミー基板部を配置してもよい。このダミー基板部は例えば、ビーム７８の経路内で移動する基板に隣接して静止して配置される。基板とダミー基板部との間の間隙を制限し、パーティクルによる暗領域がダミー基板部上にも延びて検出されるようにしてもよい。このときパーティクル検出器は基板及びダミー基板部の両方をカバーする。第２の実施例では、図６に示される基板の一方の側から反対側へのパーティクル検出に加えて、逆方向の検出も行うようにしてもよい。これは例えば、逆方向の検出が可能となるように同様に第２のパーティクル検査システムを設けることにより行われる。第３の実施例では、肝心の基板端部領域にパーティクルが位置するか否かがわかるように、パーティクル検査を基板端部で先行して行うようにしてもよい。第４の実施例では、上述の端部での特性を補償するように基板端部近傍領域でのしきい値を減少させてもよい。基板幅の１〜３％の範囲で基板とレンズアレイとの距離の０．３５倍以上の高さのパーティクルが検出された場合に基板を不良と判定するようにしてもよい。他の補償方法としては、基板端部に向かう方向に関してしきい値を緩やかに減少させるようにしてもよい。第５の実施例では、例えばビーム７８の経路内で移動する基板に隣接して静止している構造部を配置してもよい。この構造部には、基板端部に実質的に平行な非反射性の複数の線が互いに間隙を有して形成されていてもよい。この線の幅は、センサアレイ８４が生成する計測信号のしきい値に対応する暗領域の大きさよりも小さく設定されてもよい。

実際的な実施例では、光源７０はレーザであってもよい。検出器（センサアレイ）はカメラを備えてもよい。カメラのフレームレートは２〜８ｋＨｚの範囲にあってもよい。また検出器は直線状のＣＣＤアレイを備えてもよい。このようなＣＣＤアレイのフレームレートは１０〜２０ｋＨｚの範囲であってもよい。２つ以上の上述のシステムを組み合わせてもよい。

図８に示される実施例では、光源１２２から検出器１２４に向かう光線１２０は、平面図で見たときに、基板１２８の前端部１２６に対して角度βを有するように構成されている。基板１２８は、基板テーブル１３０に配置され、パーティクル検査中は矢印１３１の方向に運ばれる。このとき光源１２２及び検出器１２４は静止している。基板１２８の移動方向は基板１２８の側部１３２に実質的に平行である。

実際的には、角度β（図８）は±１０〜２０ｍｒａｄ程度であってもよい。角度βは、前端部の角度誤差（側部１３２に対する垂直方向からの偏差）と、基板前端部で十分な計測点を形成するよう選択された角度とを含む。検出器のフレームレートは、基板１２８の移動速度に依存するが、基板前端部１２６で少なくとも５０フレームは取得されるように設定される。このようにして、計測システムの誤差を均一化することができ、近づいてくる基板の前端部をより明確に認識して検出することができるようになる。

上述の実施形態は次の効果を有する。
・この計測システムは光線を用いているので、基板表面に接触する必要がない。このため基板表面を傷つける危険性もなくなる。
・この計測システムは比較的広い検査領域をカバーしている。基板の幅の全体が同時に照明され計測され得る。
・この計測法は比較的高速であるので、上述のように基板の移動速度を速くすることができる。
・この計測システムは、パーティクル表面での光の散乱などのパーティクル及び他の汚染物質の光学特性から独立しており、信頼性のあるパーティクル検査を実現できる。
・この計測法によりパーティクルの高さが決定されるので、更なる演算による遅れの必要性をなくすことができる。
・１つの光源及び１つの検出器アレイで基板の幅全体をカバーできるので、計測システムを比較的安価にすることができる。
・角度αを小さくすることにより、検出器の精度が比較的低くても信頼性のあるパーティクル検査を行うことができる。この点については図７を参照して説明している。
・この計測法は基板表面からの絶対的な高さから実質的に独立である。言い換えれば、この計測法は基板表面と計測システムとの距離から独立である。これは基板表面のパーティクルにより生み出された暗領域の範囲を計測しているに過ぎないからである。よってこの計測法は、絶対的な距離の計測値に依存しない。上述のように暗領域の範囲がパーティクルの高さに関連している。

基板の幅を完全にカバーするために２つ以上の上述のパーティクル検出器を組み合わせてもよい。本発明に係るパーティクル検査システムは、基板が比較的小さい場合、すなわち幅が１ｍ以下程度である場合には、特に有効であり比較的安価である。

本説明においては露光装置の用途を特定装置（例えば集積回路やフラットパネルディスプレイ）の製造としているが、説明された露光装置は他の用途にも適用することが可能であるものと理解されたい。他の用途としては、集積回路や光集積回路システム、磁気ドメインメモリ用ガイダンスおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド、微小電気機械素子（ＭＥＭＳ）などの製造に用いることが可能であり、これらに限られない。また、例えばフラットパネルディスプレイに関しては、本発明に係る装置は、例えば薄膜トランジスタ層及び／またはカラーフィルター層などのさまざまな層の製造に用いることができる。

「レンズ」という用語は、文脈が許す限り、１つまたは各種の光学要素の組み合わせを指し示すものであってもよい。ここでの光学要素は、例えば屈折、反射、磁気的、電磁気的、及び静電的光学要素のいずれかを含むものであってもよい。

「１つ」という用語は１つまたは１つよりも多いことを意味するものとする。「複数」という用語は２つまたは２つよりも多いことを意味するものとする。「他の」「別の」という用語は、指し示される対象物に少なくとも第２の当該対称物があるか、あるいはそれ以上の数の当該対象物があることを意味するものとする。「含む」及び／または「有する」という用語は、「備える」を意味するものであり、その構成要素以外の要素が含まれることを許容する趣旨である。「連結された」という用語は、必ずしも直接接続されていることを要するものではなく、また、機械的に接続されていることを要するものでもない。

本発明は、少なくとも一部分がコンピュータプログラムの形式をとってもよい。このプログラムは、上述の方法が記述された機械で読み取り可能な１以上の一連の指示を含む。あるいは、本発明は、このようなコンピュータプログラムが記録された（半導体メモリや磁気・光ディスクなどの）データ記録媒体であってもよい。プログラム、コンピュータプログラム、またはアプリケーションソフトウェアは、サブルーチン、関数、プロシージャ、オブジェクトメソッド、オブジェクトインプリメンテーション、エグゼキュータブルアプリケーション、アプレット、サーブレット、ソースコード、オブジェクトコード、シェアドライブラリ／ダイナミックロードライブラリ、及び／または、コンピュータシステムでの実行用に設計される他の指示列を含んでもよい。

ここに本発明の実施形態を開示する。しかし、開示された実施形態は単に説明のためのものであり、さまざまな形に変形して実施することができるということは理解されるべきである。よって、ここに具体的に開示されている構造及び機能は請求項を制限するのではなく、単に請求項を解釈するための基礎、及び当業者が本発明において実質的に適切な詳細構造をさまざまに用いるための代表的な基礎とされるべきである。また、ここで使用される用語及び言い回しは、限定する意図で用いられているのではなく、発明を理解できるように記述するために用いられている。請求項の趣旨を逸脱しない範囲で本発明には適宜の修正を加えることが可能である。

露光装置を示す図である。 露光装置を示す図である。 図２に示される露光装置を用いて基板にパターンを転写する方法を示す図である。 光学エンジンの配置を示す図である。 本発明の一実施形態に係る露光装置を模式的に示す図である。 本発明の第１の実施形態に係るパーティクル検査システムの光学要素を模式的に示す図である。 基板上のパーティクルの一例と光線を模式的に示す図である。 本発明の一実施形態に係るパーティクル検査システム、基板テーブル、及び基板を示す斜視図である。

符号の説明

１ 露光装置、 ５０ 露光装置、 ５２ 第１のステージ、 ５４ 第１の基板、 ５６ 投射系、 ５８ レンズアレイ、 ６０ 第２のステージ、 ６２ 第２の基板、 ６４ パーティクル検出器、 ６５ コンピュータ、 ６６ ＣＰＵ、 ６７ メモリ、 ６８ アクチュエータ、 ７０ 光源、 ７２ レンズ、 ７４ 光線、 ７６ 基板、 ７８ 光線、 ８０ レンズ、 ８２ レンズ、 ８４ 検出器、 ８６ パーティクル。

Claims (28)

1. パターニング用デバイスから基板にパターンを転写するための露光装置であって、該露光装置は基板表面上のパーティクルを検査するためのパーティクル検査システムを備え、
   該パーティクル検査システムは、
   放射を生成するよう構成されている放射源と、
   前記放射源により生成された放射を基板表面上の検査領域に入射させるよう構成されている照明光学系と、
   基板表面上の前記検査領域からの放射を受けるよう構成されている検査光学系と、
   前記検査光学系に連結され少なくとも１つの計測信号を生成する検出器と、を備え、
   前記露光装置は、前記少なくとも１つの計測信号に基づいてパーティクルの高さを決定し、かつ当該高さがしきい値を超える場合に高さ超過信号を生成するよう構成されている処理部を更に備えることを特徴とする露光装置。
2. 前記放射源は小さい開口数を有することを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
3. 前記照明光学系は０度から５度の間の照明角で前記検査領域に前記放射を入射させるよう構成されていることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
4. 前記照明光学系は１度から２度の間の照明角で前記検査領域に前記放射を入射させるよう構成されていることを特徴とする請求項３に記載の露光装置。
5. 前記照明光学系により前記検査領域に入射する放射は実質的に平行な光線を含むことを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
6. 前記照明光学系は基板の一方の側の近傍に配設され、前記検査光学系は基板の反対側の近傍に配設されていることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
7. 前記検査光学系はテレセントリックであることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
8. 前記検査光学系は小さい開口数を有することを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
9. 前記検査光学系は前記検査領域からの放射を合焦させるための第１のレンズを含むことを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
10. 前記検査光学系は前記第１のレンズにより合焦された放射を前記検出器に投射するための第２のレンズを含むことを特徴とする請求項９に記載の露光装置。
11. 前記検査光学系の前記第２のレンズは前記検査光学系の前記第１のレンズよりも直径が小さいことを特徴とする請求項１０に記載の露光装置。
12. 前記検査光学系は中心線を有し、前記検出器の検出面が前記検査光学系の前記中心線に対して０度から５度の間の検査角をなすことを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
13. 前記検査光学系は中心線を有し、前記検出器の検出面が前記検査光学系の前記中心線に対して１度から２度の間の検査角をなすことを特徴とする請求項１２に記載の露光装置。
14. 前記検査光学系は中心線を有し、前記検出器の検出面が前記検査光学系の前記中心線に対して０度から５度の間の検査角をなしており、前記検査角は前記照明角に実質的に等しいことを特徴とする請求項３に記載の露光装置。
15. 前記検出器は、検出用エレメントのアレイを含むことを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
16. 前記アレイはＣＣＤアレイであることを特徴とする請求項１５に記載の露光装置。
17. 前記パーティクル検査システムは、前記検査光学系と前記検出器とがシャインプルークの条件に従って構成されていることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
18. 基板を支持する基板支持部をさらに備え、該基板支持部は搬送方向に移動可能であることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
19. 前記照明光学系は前記放射源により生成された放射を前記搬送方向に０度から１度の間の角度で基板表面に入射させるよう構成されていることを特徴とする請求項１８に記載の露光装置。
20. 前記パーティクル検査システムは前記基板の前記反対側に隣接して配設されるダミー基板部をさらに備えることを特徴とする請求項６に記載の露光装置。
21. 前記パーティクル検査システムは前記基板の前記反対側に隣接して配設されるダミー構造部をさらに備え、該ダミー構造部には基板端部に実質的に平行な非反射性の複数の線が互いに間隙を有して形成されていることを特徴とする請求項６に記載の露光装置。
22. パターンを付与された放射ビームを基板のターゲット部分に投射するよう構成されている投射系と、
    前記投射系と基板との距離を調整するよう構成されている制御アクチュエータと、をさらに備え、
    前記処理部は前記高さ超過信号に応じて前記制御アクチュエータをを制御するよう構成されていることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
23. 基板表面上のパーティクルを検査するためのパーティクル検査システムであって、
    放射を生成するよう構成されている放射源と、
    前記放射源により生成された放射を基板表面上の検査領域に入射させるよう構成されている照明光学系と、
    基板表面上の前記検査領域からの放射を受けるよう構成されている検査光学系と、
    前記検査光学系に連結され少なくとも１つの計測信号を生成する検出器と、
    前記検出器に連結され、前記少なくとも１つの計測信号に基づいてパーティクルの高さを決定しかつ当該高さがしきい値を超える場合に高さ超過信号を生成するよう構成されている処理部を更に備えることを特徴とするパーティクル検査システム。
24. 基板表面上のパーティクルを検査するための方法であって、
    放射を生成し、
    基板表面上の検査領域に前記放射を入射させ、
    基板表面上の前記検査領域からの放射を検出し、
    検出された放射から少なくとも１つの信号を生成し、
    前記少なくとも１つの信号に基づいてパーティクルの高さを決定し、
    当該高さがしきい値を超える場合に高さ超過信号を生成することを備えることを特徴とする方法。
25. 前記放射は０度から５度の間の角度で前記検査領域に入射することを特徴とする請求項２４に記載の露光装置。
26. 基板支持部に基板を配置し、
    搬送方向に基板を移動することをさらに備え、
    前記放射は前記搬送方向にほぼ９０度の角度で前記検査領域に入射することを特徴とする請求項２４に記載の露光装置。
27. 基板表面上の前記検査領域からの前記放射の検出は、シャインプルークの条件に従って行われることを特徴とする請求項２４に記載の露光装置。
28. 基板を準備し、
    パターンを付与された放射ビームを基板表面に投射することを備えるデバイス製造方法であって、
    請求項２４に記載された方法により基板表面上のパーティクルを検査し、
    パーティクルが検出された場合に前記高さ超過信号を用いて少なくとも基板の一部を不良と判定することを特徴とするデバイス製造方法。

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