[go: up one dir, main page]

JP2007080784A - Plasma generator and scanning electron microscope - Google Patents

Plasma generator and scanning electron microscope Download PDF

Info

Publication number
JP2007080784A
JP2007080784A JP2005270362A JP2005270362A JP2007080784A JP 2007080784 A JP2007080784 A JP 2007080784A JP 2005270362 A JP2005270362 A JP 2005270362A JP 2005270362 A JP2005270362 A JP 2005270362A JP 2007080784 A JP2007080784 A JP 2007080784A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sample
plasma generator
plasma
electron microscope
scanning electron
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2005270362A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Shigeo Konno
茂生 今野
Hiroyuki Nishiyama
寛之 西山
Tadayoshi Nagafune
忠義 長船
Kazuo Terajima
和夫 寺嶋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Jeol Ltd
University of Tokyo NUC
Original Assignee
Jeol Ltd
University of Tokyo NUC
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jeol Ltd, University of Tokyo NUC filed Critical Jeol Ltd
Priority to JP2005270362A priority Critical patent/JP2007080784A/en
Publication of JP2007080784A publication Critical patent/JP2007080784A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Plasma Technology (AREA)

Abstract

【課題】本発明はプラズマ発生装置及び低真空走査電子顕微鏡に関し、小型で雑音の影響を受けにくく、プラズマ発生による光が画像検出系に悪影響を与えないプラズマ発生装置及び走査電子顕微鏡を提供することを目的としている。
【解決手段】 円筒状をなし、その内部に電離化用のガスを流す石英管60と、該石英管60の先端部に巻回された高周波コイル63と、前記石英管60及び高周波コイル63の周囲を覆うモールド65と、トーチ全体及び陽極部近辺までを覆った金属部66と、該金属部66の内側に設けた絞り73とパイプ67及び陽極74を含んで構成される。
【選択図】 図1
The present invention relates to a plasma generator and a low-vacuum scanning electron microscope, and to provide a plasma generator and a scanning electron microscope that are small and hardly affected by noise, and that light generated by plasma does not adversely affect an image detection system. It is an object.
A quartz tube 60 having a cylindrical shape in which an ionizing gas flows, a high-frequency coil 63 wound around the tip of the quartz tube 60, and the quartz tube 60 and the high-frequency coil 63 are provided. It includes a mold 65 that covers the periphery, a metal part 66 that covers the entire torch and the vicinity of the anode part, a throttle 73, a pipe 67, and an anode 74 provided inside the metal part 66.
[Selection] Figure 1

Description

本発明は、プラズマ発生装置及び走査電子顕微鏡に関する。   The present invention relates to a plasma generator and a scanning electron microscope.

一般に、走査電子顕微鏡(SEM)は、その内部を高真空にするものであるが、このようなSEMの試料室に追加の排気系を取り付けて、電子銃、電子光学系を高真空に保ちながら、試料室のみを任意の真空度にコントロールできるようにしているのが、低真空走査電子顕微鏡である。低真空すなわち試料近傍にガス分子が多量にある状態にしておくと、入射電子ビームや試料から発生した電子が浮遊ガス分子をイオン化して試料の帯電を中和する。この結果、導電性のない試料をそのまま無蒸着で観察することができる。   In general, a scanning electron microscope (SEM) has a high vacuum inside, and an additional exhaust system is attached to the sample chamber of such an SEM to keep the electron gun and the electron optical system at a high vacuum. The low-vacuum scanning electron microscope allows only the sample chamber to be controlled to an arbitrary degree of vacuum. If a low vacuum, that is, a state where there are a large amount of gas molecules in the vicinity of the sample, the incident electron beam or electrons generated from the sample ionize the floating gas molecules to neutralize the charge of the sample. As a result, a non-conductive sample can be observed as it is without vapor deposition.

図4は低真空走査電子顕微鏡の構成概念図である。図において、1は試料室であり、1〜200Paの低真空に保たれている。2は試料室1内に配置された試料、3は試料2の表面から放射される二次電子を検出する二次電子検出器、4は試料1の表面から放射される反射電子を検出する反射電子検出器、5はエネルギー分散型X線を検出するX線検出器である。   FIG. 4 is a conceptual diagram of a low vacuum scanning electron microscope. In the figure, reference numeral 1 denotes a sample chamber, which is kept at a low vacuum of 1 to 200 Pa. 2 is a sample disposed in the sample chamber 1, 3 is a secondary electron detector that detects secondary electrons emitted from the surface of the sample 2, and 4 is a reflection that detects reflected electrons emitted from the surface of the sample 1. An electron detector 5 is an X-ray detector that detects energy dispersive X-rays.

6は電子ビームを発生する電子銃、6aは試料室1と鏡筒7間に設けられたオリフィス、7は鏡筒である。電子光学系は高真空(例えば10-4Pa)に保持される。8は排気用の油回転ポンプ(RP)、9は該RPと接続されるフォアライントラップで該フォアライントラップ9は試料室1と接続されている。11は排気用の油回転ポンプ、12は該油回転ポンプ11と接続される油拡散ポンプ(DP)である。該油拡散ポンプ12は電子光学系と接続される。油拡散ポンプ12と、油回転ポンプ11は電子光学系を高真空に引くための排気系を示している。 6 is an electron gun for generating an electron beam, 6a is an orifice provided between the sample chamber 1 and the lens barrel 7, and 7 is a lens barrel. The electron optical system is maintained in a high vacuum (for example, 10 −4 Pa). 8 is an oil rotary pump (RP) for exhaust, 9 is a foreline trap connected to the RP, and the foreline trap 9 is connected to the sample chamber 1. 11 is an oil rotary pump for exhaust, and 12 is an oil diffusion pump (DP) connected to the oil rotary pump 11. The oil diffusion pump 12 is connected to an electron optical system. The oil diffusion pump 12 and the oil rotary pump 11 indicate an exhaust system for pulling the electron optical system to a high vacuum.

このように構成された装置において、排気系により試料室1を低真空(1〜200Pa)に保持し、電子銃6からの電子ビームを試料2に照射し、例えば反射電子検出器4で試料2から放射される反射電子を検出する。検出された反射信号は図示しない画像処理部で画像処理を行なった後、図示しない画像表示部で画像が表示される。   In the apparatus configured as described above, the sample chamber 1 is held in a low vacuum (1 to 200 Pa) by the exhaust system, the sample 2 is irradiated with the electron beam from the electron gun 6, and the sample 2 is detected by the backscattered electron detector 4, for example. Detect reflected electrons emitted from. The detected reflection signal is subjected to image processing by an image processing unit (not shown), and then an image is displayed on an image display unit (not shown).

一方、試料面を高倍率の高い解像度で観察する場合は、二次電子検出器を使用する。二次電子検出器は、試料面からの二次電子を効率よく取り込むためプラスの高電圧が印加される。高電圧(10kV)を印加する場合の試料室内の真空圧力は10-2Pa以下の高真空にする必要がある。10-2Pa以上の真空圧力下では、放電などで動作が不安定になり二次電子検出器の機能が損なわれる。 On the other hand, when observing the sample surface with high resolution and high resolution, a secondary electron detector is used. The secondary electron detector is applied with a positive high voltage in order to efficiently take in secondary electrons from the sample surface. When a high voltage (10 kV) is applied, the vacuum pressure in the sample chamber needs to be a high vacuum of 10 −2 Pa or less. Under a vacuum pressure of 10 −2 Pa or more, the operation becomes unstable due to discharge or the like, and the function of the secondary electron detector is impaired.

前述したような低真空走査電子顕微鏡には、試料2が絶縁物であった場合に、該絶縁物にチャージされた電荷を中和するためのイオン源発生器が設置される。該イオン源発生器としては、例えばプラズマ発生装置が用いられる。   In the low vacuum scanning electron microscope as described above, when the sample 2 is an insulator, an ion source generator is installed to neutralize the charge charged in the insulator. As the ion source generator, for example, a plasma generator is used.

従来のこの種の装置として、試料室の外側に設けられ、試料室内にイオン化されたイオンを照射して、試料のチャージアップを中和するイオン照射装置が知られている(例えば特許文献1参照)。また、試料表面が負の電位に帯電しないように、試料の表面に向けて試料室に設けられたイオン銃から正イオンを打ち付ける技術が知られている(例えば特許文献2参照)。   As a conventional apparatus of this type, there is known an ion irradiation apparatus that is provided outside a sample chamber and irradiates ionized ions in the sample chamber to neutralize the charge-up of the sample (see, for example, Patent Document 1). ). In addition, a technique is known in which positive ions are bombarded from an ion gun provided in a sample chamber toward the surface of the sample so that the sample surface is not charged to a negative potential (see, for example, Patent Document 2).

また、試料室に設けることを前提として、安定した極微細プラズマを発生するプラズマ発生装置が知られている(例えば特許文献3参照)。図5は、特許文献3に記載されているプラズマ発生装置の構成例を示す図である。図において、21はプラズマトーチであり、細められた先端を有するガラスチューブ22と、該ガラスチューブ22の基部を封止するように嵌合されるメタルチューブ23とから構成される。該ガラスチューブ22はその先端部が細く加工されている。24はガラスチューブ22の先端部29に巻回された高周波コイル、25は整合回路24aを介して高周波コイル24に高周波を印加する高周波電源、26は点火用のコイル、27は点火用コイル26に高電圧を印加する高電圧電源である。   Also, a plasma generator that generates stable ultrafine plasma on the premise that it is provided in a sample chamber is known (see, for example, Patent Document 3). FIG. 5 is a diagram illustrating a configuration example of the plasma generation apparatus described in Patent Document 3. In FIG. In the figure, reference numeral 21 denotes a plasma torch, which is composed of a glass tube 22 having a narrowed tip and a metal tube 23 fitted so as to seal the base of the glass tube 22. The tip of the glass tube 22 is processed to be thin. Reference numeral 24 denotes a high frequency coil wound around the distal end portion 29 of the glass tube 22. Reference numeral 25 denotes a high frequency power source for applying a high frequency to the high frequency coil 24 via a matching circuit 24a. Reference numeral 26 denotes an ignition coil. Reference numeral 27 denotes an ignition coil 26. This is a high voltage power supply for applying a high voltage.

メタルチューブ23内にはガス導入用チューブ39が挿入されており、ガスボンベ30からチューブ39を介してプラズマ用ガス(例えばアルゴンガス)を、前記プラズマトーチ21内に導入できるように構成されている。ガスボンベ30とプラズマトーチ21間の流路には、プラズマガスに適当な圧力を与えるためのコンプレッサ31と流量調整バルブ32と流量メータ33が配設されている。   A gas introduction tube 39 is inserted into the metal tube 23 so that a plasma gas (for example, argon gas) can be introduced from the gas cylinder 30 through the tube 39 into the plasma torch 21. In the flow path between the gas cylinder 30 and the plasma torch 21, a compressor 31, a flow rate adjustment valve 32, and a flow meter 33 for applying an appropriate pressure to the plasma gas are disposed.

前記プラズマトーチ21内には、高融点金属製ワイヤ(例えばタングステンワイヤ)28がトーチの軸芯に沿うように配設されている。ワイヤ28は、メタルチューブ23側と先端部29とで径が異なっている。このように構成された装置の動作を説明すれば、以下の通りである。   In the plasma torch 21, a refractory metal wire (for example, tungsten wire) 28 is disposed along the axial center of the torch. The diameter of the wire 28 is different between the metal tube 23 side and the distal end portion 29. The operation of the apparatus configured as described above will be described as follows.

先ず、プラズマトーチ21内に予めガス導入用チューブ39を介してアルゴンガスを導入する。コンプレッサ31により圧力がかかる結果、導入されたアルゴンガスはガラスチューブ22の先端部29方向に高速に流れ、その先端から噴出する。次に、高周波電源25を作動させ、高周波コイル24に高周波電力を供給する。これにより、ガラスチューブ22のコイル巻回部分に高周波電磁界が発生し、ワイヤ28の先端が高周波誘導加熱を受け、加熱状態となる。この状態において、高電圧電源27を作動させ、点火用コイル26に例えば15KV程度の高電圧を印加すると、ガラスチューブ22の先端部29に放電が発生し、この放電により発生したプラズマを種火として、高周波コイル24を介して供給された高周波電力による誘導プラズマが発生する。   First, argon gas is introduced into the plasma torch 21 through the gas introduction tube 39 in advance. As a result of the pressure applied by the compressor 31, the introduced argon gas flows at high speed in the direction of the distal end portion 29 of the glass tube 22 and is ejected from the distal end. Next, the high frequency power supply 25 is operated to supply high frequency power to the high frequency coil 24. As a result, a high-frequency electromagnetic field is generated at the coil winding portion of the glass tube 22, and the tip of the wire 28 is subjected to high-frequency induction heating to be in a heated state. In this state, when the high voltage power supply 27 is operated and a high voltage of, for example, about 15 KV is applied to the ignition coil 26, a discharge is generated at the distal end portion 29 of the glass tube 22, and the plasma generated by this discharge is used as a spark. Inductive plasma is generated by the high-frequency power supplied through the high-frequency coil 24.

従来のこの種の装置として、試料室に設けることを前提として、安定した極微細プラズマを発生する他のプラズマ発生装置が知られている(例えば特許文献4参照)。図6はプラズマ発生装置の他の従来構成例を示す図である。図において、40は一端がメタルチューブ53に接続され、他端がガスボンベ、コンプレッサ、流量バルブ及び流量メータからなるガス供給系41に繋がったガス導入用チューブである。42は一端が高電圧電源47に繋がり、他端が点火用電線58に繋がったジイゲル線である。図中、Sはシールドである。   As a conventional apparatus of this type, there is known another plasma generator that generates stable ultrafine plasma on the assumption that it is provided in a sample chamber (for example, see Patent Document 4). FIG. 6 is a diagram showing another conventional configuration example of the plasma generator. In the figure, reference numeral 40 denotes a gas introduction tube having one end connected to a metal tube 53 and the other end connected to a gas supply system 41 including a gas cylinder, a compressor, a flow valve and a flow meter. 42 is a Diegel wire having one end connected to the high voltage power supply 47 and the other end connected to the ignition wire 58. In the figure, S is a shield.

43は、一端が高周波電源45に繋がり、他端が整合回路MAに繋がった同軸ケーブルである。この同軸ケーブル43は、高周波電源45側の部分43Aと、整合回路側の部分43Bとからなり、該2つの同軸ケーブルは、同軸ケーブル同士を繋ぐ専用のコネクタ44で接続されている。メタルチューブ53側の孔を通ったジイゲル線はそのあと、被覆部が取り除かれた芯線が点火用電線58の部分まで延びている。   43 is a coaxial cable having one end connected to the high frequency power supply 45 and the other end connected to the matching circuit MA. The coaxial cable 43 includes a portion 43A on the high frequency power supply 45 side and a portion 43B on the matching circuit side, and the two coaxial cables are connected by a dedicated connector 44 that connects the coaxial cables. After that, the core wire from which the covering portion has been removed extends to the portion of the ignition wire 58 after passing through the hole on the metal tube 53 side.

このような構成のプラズマ発生装置において、高電圧電源47を作動させ、点火用電線58に例えば15KV程度の高電圧を印加すると、ガラスチューブ内の先端部52Fに放電が発生し、この放電を種火として高周波コイル54を介して供給された高周波電力による誘導プラズマが発生する。発生した誘導プラズマは、高温状態のワイヤ58から発生される熱電子の供給を受け、安定に維持される。その結果、ガラスチューブの先端からは、微小径を持つプラズマフレームが噴出する。
特開平8−273579号公報(第2頁、図1) 特開平5−275046号公報(第2頁、図1) 特開2002−343599号公報(第2頁、第3頁、図1) 特開2003−173898号公報(第4頁、第5頁、図2)
In the plasma generator having such a configuration, when the high voltage power supply 47 is operated and a high voltage of about 15 KV, for example, is applied to the ignition wire 58, a discharge is generated at the tip 52F in the glass tube, and this discharge is seeded. Inductive plasma is generated by high-frequency power supplied through the high-frequency coil 54 as fire. The generated induction plasma is supplied with thermoelectrons generated from the wire 58 in a high temperature state and is stably maintained. As a result, a plasma flame having a minute diameter is ejected from the tip of the glass tube.
JP-A-8-273579 (2nd page, FIG. 1) JP-A-5-275046 (second page, FIG. 1) JP 2002-343599 A (2nd page, 3rd page, FIG. 1) JP 2003-173898 A (page 4, page 5, FIG. 2)

前記した特許文献1記載のプラズマ発生装置は、走査電子顕微鏡の外側に設けられるので、構成が複雑で大きく、且つ高価であるという問題があった。特許文献2記載のプラズマ発生装置も装置が大型化して高価であるという問題があった。また、特許文献3及び特許文献4記載のプラズマ発生装置は、小型化に適するものの、高周波コイルの外側で放電が発生するという問題があった。また、対物レンズと試料間の空間において外来雑音が発生し、解像度に悪影響を与えるという問題があった。また、プラズマ発生による光が反射電子検出器に入ると像全体が白くなり、像コントラストが損なわれるという問題があった。   Since the above-described plasma generator described in Patent Document 1 is provided outside the scanning electron microscope, there is a problem that the configuration is complicated, large, and expensive. The plasma generator described in Patent Document 2 also has a problem that the apparatus is large and expensive. Moreover, although the plasma generators described in Patent Document 3 and Patent Document 4 are suitable for miniaturization, there is a problem that discharge occurs outside the high-frequency coil. In addition, there is a problem that external noise is generated in the space between the objective lens and the sample, and the resolution is adversely affected. In addition, when light generated by plasma enters the backscattered electron detector, the entire image becomes white and the image contrast is impaired.

一方、高解像度のSEM観察を実施する場合は、プラスの高電圧を有する二次電子検出器を使用する必要があるが、プラズマ発生装置によるプラズマ中の電子が大量に二次電子検出器に取り込まれ、試料の二次電子像の観察が不可能になるという問題があった。   On the other hand, when performing high-resolution SEM observation, it is necessary to use a secondary electron detector having a positive high voltage, but a large amount of electrons in the plasma generated by the plasma generator are taken into the secondary electron detector. Therefore, there is a problem that it is impossible to observe the secondary electron image of the sample.

本発明はこのような課題に鑑みてなされたものであって、小型で雑音の影響を受けにくく、二次電子検出器にプラズマの電子を遮断する機能とプラズマ発生による光が画像検出系に悪影響を与えないようなプラズマ発生装置を提供することを目的とし、またこのプラズマ発生装置を用いた走査電子顕微鏡を提供することを目的としている。   The present invention has been made in view of the above problems, and is small and hardly affected by noise. The function of blocking plasma electrons in the secondary electron detector and the light generated by the plasma generation have an adverse effect on the image detection system. An object of the present invention is to provide a plasma generating apparatus that does not give the above, and to provide a scanning electron microscope using the plasma generating apparatus.

請求項1記載の発明は、円筒状をなし、その内部に電離化用のガスを流す石英管と、該石英管の先端部に巻回された高周波コイルと、前記石英管及び高周波コイルの周囲を覆うモールドと、トーチ全体及び陽極近辺までを覆った円筒状のパイプ部と、前記石英管の先端部に設けられた絞りと、トーチ先端部に設けられた陽極部とを含んで構成されることを特徴とする。   The invention described in claim 1 has a cylindrical shape, a quartz tube in which an ionizing gas flows, a high-frequency coil wound around the tip of the quartz tube, and the periphery of the quartz tube and the high-frequency coil And a cylindrical pipe portion covering the entire torch and the vicinity of the anode, a throttle provided at the tip of the quartz tube, and an anode provided at the tip of the torch. It is characterized by that.

請求項2記載の発明は、試料室内気圧が200Pa程度から10-4Paにおいて、試料に電子ビームを照射して、該試料表面から放射される電子信号を検出して試料像を得るようにした走査電子顕微鏡において、前記試料が絶縁物である場合に、前記試料の近傍に請求項1に記載のプラズマ発生装置を配置して、該プラズマ発生装置から発生するイオンにより前記試料にチャージされた電荷を打ち消すようにしたことを特徴とする。 According to the second aspect of the present invention, when the atmospheric pressure in the sample chamber is about 200 Pa to 10 −4 Pa, the sample is irradiated with an electron beam, and an electron signal emitted from the sample surface is detected to obtain a sample image. In a scanning electron microscope, when the sample is an insulator, the plasma generator according to claim 1 is arranged in the vicinity of the sample, and the charge charged to the sample by ions generated from the plasma generator It is characterized by canceling out.

請求項3記載の発明は、前記プラズマ発生装置の内部に冷却水を流すようにしたことを特徴とする。
請求項4記載の発明は、前記プラズマ発生装置の内部に冷却水を流すようにしたことを特徴とする。
The invention described in claim 3 is characterized in that cooling water is allowed to flow inside the plasma generator.
According to a fourth aspect of the present invention, cooling water is allowed to flow inside the plasma generator.

請求項5記載の発明は、前記プラズマ発生装置から鏡筒壁までの、前記高周波コイルに高周波を印加するためのケーブルを覆った金属部を更に設けたことを特徴とする。
請求項6記載の発明は、前記プラズマ発生装置の陽極電圧により、プラズマ状態の電子を陽極に完全に取り込むことにより二次電子検出器に試料からの電子のみが検出されるようにしたことを特徴とする。
According to a fifth aspect of the present invention, there is further provided a metal portion covering a cable for applying a high frequency to the high frequency coil from the plasma generator to the lens barrel wall.
The invention according to claim 6 is characterized in that only electrons from the sample are detected by the secondary electron detector by completely taking electrons in the plasma state into the anode by the anode voltage of the plasma generator. And

請求項7記載の発明は、所定の試料面に照射する電子ビーム量に見合った適正のイオン量は、前記プラズマ発生装置の陽極電圧と高周波電力及び電離化用のガス量で調整を容易にしたことを特徴とする。   According to the seventh aspect of the present invention, the appropriate ion amount commensurate with the amount of electron beam applied to a predetermined sample surface can be easily adjusted by the anode voltage of the plasma generator, the high frequency power and the ionization gas amount. It is characterized by that.

請求項1の発明に基づくプラズマ発生装置によれば、高周波コイルの周囲をモールドで覆うことで、高周波コイルでの放電を防ぐことができ、トーチ全体及び陽極部近辺まで金属部で覆うことで、ノイズの影響を受けなくなり、内部に絞り部を設けることで、放電による光が検出器に入るのを低減することができる。また、陽極部にプラスの電圧を印加することにより、プラズマ状態の電子を陽極に完全に取り込むことにより、二次電子検出器のS/N比の劣化を防ぐことができる。   According to the plasma generator according to the invention of claim 1, by covering the periphery of the high-frequency coil with a mold, it is possible to prevent discharge in the high-frequency coil, and by covering the entire torch and the vicinity of the anode portion with a metal part, By eliminating the influence of noise and providing an aperture in the interior, it is possible to reduce light due to discharge entering the detector. In addition, by applying a positive voltage to the anode part, electrons in the plasma state are completely taken into the anode, thereby preventing deterioration of the S / N ratio of the secondary electron detector.

請求項2記載の発明によれば、請求項1のプラズマ発生装置を試料室のイオン発生用に用いることで、絶縁物試料の像を正確に求めることができる。
請求項3記載の発明によれば、プラズマ発生部の温度を下げることができ、安定なプラズマ放電を持続することができる。
According to the invention described in claim 2, by using the plasma generator of claim 1 for ion generation in the sample chamber, an image of the insulator sample can be accurately obtained.
According to invention of Claim 3, the temperature of a plasma generation part can be lowered | hung and stable plasma discharge can be maintained.

請求項4記載の発明によれば、プラズマ発生部の温度を下げることができ、安定なプラズマ放電を持続することができる。
請求項5記載の発明によれば、電磁的ノイズの影響を受けにくくなる。
According to invention of Claim 4, the temperature of a plasma generation part can be lowered | hung and stable plasma discharge can be maintained.
According to invention of Claim 5, it becomes difficult to receive to the influence of electromagnetic noise.

請求項6記載の発明によれば、二次電子検出器に試料からの電子のみを検出することができる。
請求項7記載の発明によれば、試料面に照射する電子ビーム量に見合った適正のイオン量を得ることができる。
According to the sixth aspect of the present invention, only the electrons from the sample can be detected by the secondary electron detector.
According to the seventh aspect of the invention, it is possible to obtain an appropriate ion amount commensurate with the amount of electron beam applied to the sample surface.

以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。
図1は本発明に係るプラズマ発生装置の一実施の形態例を示す構成図である。図において、60はその内部に電離化用のガス(例えばアルゴン等)を流す石英管、61は同じく石英管60内に配置されたタングステンワイヤ、63は石英管60の先端部に巻回された高周波コイルである。該高周波コイル63の巻数としては、例えば5ターン程度が用いられる。64は前記石英管60の先端部に取り付けられたガラス管、65は石英管60及び高周波コイル63の周囲を覆うモールド、66はトーチ全体及び陽極近辺までを覆った金属部としてのアルミフォイル、67は陽極を保持する円筒状の絶縁体としてのパイプ、74は銅製からなる陽極であり、トーチの先端部に設けられている。73はガラス管64と接続された石英ガラスに反射防止膜を塗布した絞りである。以上のような構成をトーチということがある。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of a plasma generator according to the present invention. In the figure, 60 is a quartz tube through which an ionizing gas (eg, argon) flows, 61 is a tungsten wire disposed in the quartz tube 60, and 63 is wound around the tip of the quartz tube 60. It is a high frequency coil. As the number of turns of the high-frequency coil 63, for example, about 5 turns is used. 64 is a glass tube attached to the tip of the quartz tube 60, 65 is a mold that covers the periphery of the quartz tube 60 and the high-frequency coil 63, 66 is an aluminum foil as a metal part that covers the entire torch and the vicinity of the anode, 67 Is a pipe as a cylindrical insulator for holding the anode, and 74 is an anode made of copper, which is provided at the tip of the torch. Reference numeral 73 denotes a diaphragm in which an antireflection film is applied to quartz glass connected to the glass tube 64. Such a configuration is sometimes referred to as a torch.

68はその内部に高周波を通す同軸ケーブルである。該同軸ケーブル68としては、例えば3D−2Vが用いられる。該同軸ケーブル68内にはリード線が入っていて、高周波が高周波コイル63に供給される。69は同軸ケーブル68と高周波コイル63を接続する整合コンデンサである。70はタングステンワイヤ61にトリガ信号を供給するトリガ電線である。93はプラズマ発生装置から鏡筒壁面までの同軸ケーブルを覆った金属部としてのアルミフォイルである。71、72はその内部に冷却水を通す管である。管71を通過した水は高周波誘導加熱部を通り、管72から出ていく。このように、プラズマ発生部に水を通すことによりプラズマ発生部を冷却する。プラズマ発生部を冷却すると、プラズマ発生部の温度を下げることができ安定なプラズマ放電を維持することができる。トーチ部の長さとしては、例えば概略20φ(mm)×70(mm)程度である。陽極74には耐電圧用ケーブル(図示せず)により所定の電圧が供給される。   Reference numeral 68 denotes a coaxial cable that allows high frequency to pass therethrough. As the coaxial cable 68, for example, 3D-2V is used. The coaxial cable 68 contains lead wires, and a high frequency is supplied to the high frequency coil 63. A matching capacitor 69 connects the coaxial cable 68 and the high-frequency coil 63. A trigger wire 70 supplies a trigger signal to the tungsten wire 61. Reference numeral 93 denotes an aluminum foil serving as a metal part covering a coaxial cable from the plasma generator to the lens barrel wall surface. 71 and 72 are pipes through which cooling water passes. The water that has passed through the pipe 71 passes through the high-frequency induction heating unit and exits from the pipe 72. In this way, the plasma generator is cooled by passing water through the plasma generator. When the plasma generating part is cooled, the temperature of the plasma generating part can be lowered and stable plasma discharge can be maintained. The length of the torch part is, for example, approximately 20φ (mm) × 70 (mm). A predetermined voltage is supplied to the anode 74 by a withstand voltage cable (not shown).

このように構成された装置の動作を説明すれば、以下の通りである。
先ず、石英管60内に予めアルゴンガスを導入する。ここで、アルゴンガスに圧力をかけると、導入されたアルゴンガスは石英管60の先端部方向に高速に流れ、その先端から噴出する。次に、同軸ケーブル68から高周波電力を入力する。入力された高周波電力は、整合コンデンサ69を介して高周波コイル63に印加される。次に、トリガ電線70からトリガ信号を入力する。これにより、石英管60のコイル巻回部分に高周波電磁界が発生し、石英管60の先端部に放電が発生し、この放電により発生したプラズマを種火として、高周波コイル63を介して供給された高周波電力による誘導プラズマが発生する。
The operation of the apparatus configured as described above will be described as follows.
First, argon gas is introduced into the quartz tube 60 in advance. Here, when a pressure is applied to the argon gas, the introduced argon gas flows at high speed toward the tip of the quartz tube 60 and is ejected from the tip. Next, high frequency power is input from the coaxial cable 68. The input high frequency power is applied to the high frequency coil 63 via the matching capacitor 69. Next, a trigger signal is input from the trigger wire 70. As a result, a high-frequency electromagnetic field is generated in the coil winding portion of the quartz tube 60, and a discharge is generated at the tip of the quartz tube 60. Inductive plasma is generated by high frequency power.

通常のプラズマ発生装置では、高周波コイルに例えば四百数十MHzの高周波で励振すると、石英管及びアルゴン雰囲気で放電しないで、高周波コイル63の外側でグロー放電が発生する。このような放電を防ぐために、石英管60及び高周波コイル63の周囲をモールド65で覆う。この結果、高周波コイル63の外側でグロー放電が起こらなくなり、トーチを励振することにより、安定にプラズマを発生させることができる。   In a normal plasma generator, when a high frequency coil is excited at a high frequency of, for example, four hundred and several tens of MHz, glow discharge is generated outside the high frequency coil 63 without discharging in a quartz tube and an argon atmosphere. In order to prevent such discharge, the periphery of the quartz tube 60 and the high-frequency coil 63 is covered with a mold 65. As a result, glow discharge does not occur outside the high-frequency coil 63, and plasma can be generated stably by exciting the torch.

また、走査型電子顕微鏡は外来雑音に弱いことが知られている。トーチを数Wで励振すると、対物レンズと試料間の空間において外来雑音が解像度に悪影響を及ぼすことが分かった。そこで、対策として対物レンズと試料間の空間のまわりを銅板で囲むと、トーチの雑音による影響を殆どなくすることが実験的に確認された。   Further, it is known that the scanning electron microscope is vulnerable to external noise. When the torch was excited at several W, it was found that external noise adversely affects the resolution in the space between the objective lens and the sample. Therefore, it has been experimentally confirmed that if the space between the objective lens and the sample is surrounded by a copper plate as a countermeasure, the influence of torch noise is almost eliminated.

試料台は、試料室内において移動する機能を有しているため、解像度への悪影響を除去するために銅板でシールドすることは実用的でない。そこで、実験ではアルミフォイルを用いてトーチ後部からフランジ部までを覆った。この場合において、同軸ケーブル68等を直接覆うと整合(マッチング)がずれてしまい適切ではない。そこで、アルミフォイル93は、少し間隙を設けて覆う必要がある。具体的には、金属ケースを採用するとノイズの低減という好ましい結果が得られると考えられる。   Since the sample stage has a function of moving in the sample chamber, it is not practical to shield it with a copper plate in order to remove the adverse effect on the resolution. Therefore, in the experiment, an aluminum foil was used to cover the rear part of the torch to the flange part. In this case, if the coaxial cable 68 or the like is directly covered, matching (matching) is shifted, which is not appropriate. Therefore, the aluminum foil 93 needs to be covered with a slight gap. Specifically, it is considered that a favorable result of noise reduction can be obtained when a metal case is employed.

通常、走査電子顕微鏡は、二次電子での像観察と、反射電子での像観察の二つの機能を有している。ここで、絶縁物試料を観察する場合、例えば試料室内圧力1Pa〜200Pa程度で、好ましくは10Pa〜50Pa程度での反射電子での像観察が行なわれる。   Usually, the scanning electron microscope has two functions of image observation with secondary electrons and image observation with reflected electrons. Here, when an insulator sample is observed, image observation with reflected electrons is performed, for example, at a pressure in the sample chamber of about 1 Pa to 200 Pa, and preferably about 10 Pa to 50 Pa.

この場合において、試料室内での迷光が反射電子検出器に入ると、像画面が白っぽくなる。一般に、プラズマ発生装置の先端からは放電による光が放出される。この結果、検出した画像が白っぽくなる。この光が反射電子検出器に入射するのを防ぐ方法として幾つかの方法が考えられる。例えば、実験で使用している方法としては、図1において、プラズマトーチ内部に絞りを設ける。具体的には、反射光防止膜として、石英ガラス製絞り73の内側に反射防止塗料を塗って用いている。これにより、安定な観察像が得られる。他の方法としては、試料室内等を黒色のアルマイト処理を施す方法等が考えられる。   In this case, when stray light in the sample chamber enters the backscattered electron detector, the image screen becomes whitish. Generally, light from discharge is emitted from the tip of the plasma generator. As a result, the detected image becomes whitish. Several methods are conceivable as a method for preventing this light from entering the backscattered electron detector. For example, as a method used in the experiment, a diaphragm is provided inside the plasma torch in FIG. Specifically, an antireflection coating is applied to the inside of the quartz glass diaphragm 73 as the antireflection film. Thereby, a stable observation image is obtained. As another method, a method of performing black alumite treatment in a sample chamber or the like can be considered.

このように構成された装置の動作を説明すれば、以下の通りである。ここでは、絶縁物試料を観察する場合の手順を示す。図2はプラズマ発生装置の動作手順を示すフローチャートである。以下、このフローチャートに沿って説明する。   The operation of the apparatus configured as described above will be described as follows. Here, the procedure in the case of observing an insulator sample is shown. FIG. 2 is a flowchart showing an operation procedure of the plasma generator. Hereinafter, it demonstrates along this flowchart.

先ず、走査電子顕微鏡の稼働の準備をする(ステップ1)。具体的には、トーチの内部にアルゴンガスを導入する。次に、絶縁物試料を試料台に乗せ、所定の位置にセットする(ステップ2)。次に、鏡筒と試料室を真空状態にする(ステップ3)。具体的には、200Pa程度〜10-4Pa程度にする。好ましくは、10〜50Paに設定する。次に、プラズマ発生装置に数Wの高周波(例えば430MHz〜440MHz)を印加する(ステップ4)。 First, preparation for operation of the scanning electron microscope is performed (step 1). Specifically, argon gas is introduced into the torch. Next, the insulator sample is placed on the sample stage and set at a predetermined position (step 2). Next, the lens barrel and the sample chamber are evacuated (step 3). Specifically, the pressure is set to about 200 Pa to about 10 −4 Pa. Preferably, it sets to 10-50 Pa. Next, a high frequency of several W (for example, 430 MHz to 440 MHz) is applied to the plasma generator (step 4).

この結果、石英管60のコイル巻回部分に高周波電磁界が発生し、タングステンワイヤ61の先端が高周波誘導加熱を受け、加熱状態となり、誘導プラズマ(マイクロプラズマ)が発生する(ステップ5)。次に、走査電子顕微鏡を操作して像観察を行なう(ステップ6)。像観察終了後は、高周波電力を遮断し、アルゴンガスの導入を停止させる。これ以降は、低真空走査電子顕微鏡の操作手順により像観察を行なう。   As a result, a high-frequency electromagnetic field is generated in the coil winding portion of the quartz tube 60, the tip of the tungsten wire 61 is subjected to high-frequency induction heating, and is heated to generate induction plasma (microplasma) (step 5). Next, image observation is performed by operating the scanning electron microscope (step 6). After the image observation is finished, the high frequency power is cut off and the introduction of argon gas is stopped. Thereafter, image observation is performed by the operation procedure of the low vacuum scanning electron microscope.

本発明によれば、高周波コイルの周囲をモールドで覆うことで、高周波コイルでの放電を防ぐことができ、トーチ先端部から鏡筒面までを金属部で覆うことで、ノイズの影響を受けなくなり、プラズマトーチの内側に反射防止膜の絞り73を設けることで、放電による光が検出器(二次電子検出器、反射電子検出器)に入るのを低減することができる。   According to the present invention, by covering the periphery of the high-frequency coil with a mold, it is possible to prevent discharge at the high-frequency coil, and by covering from the torch tip to the barrel surface with the metal part, it is not affected by noise. By providing the anti-reflection film aperture 73 inside the plasma torch, it is possible to reduce the light from the discharge from entering the detector (secondary electron detector, reflected electron detector).

図3は本発明に係る低真空走査電子顕微鏡の構成例を示す図である。図において、100は鏡筒、101は試料室である。ここで、鏡筒100内は高真空(例えば10-4Pa)に保たれ、試料室101は例えば200Pa〜10-4Paに保持される。80はフィラメント、81はフィラメント80の近傍に配置されたグリッド(ウェーネルト電極)、82は陽極(アノード)である。 FIG. 3 is a diagram showing a configuration example of a low vacuum scanning electron microscope according to the present invention. In the figure, 100 is a lens barrel and 101 is a sample chamber. Here, the inside of the lens barrel 100 is maintained at a high vacuum (for example, 10 −4 Pa), and the sample chamber 101 is maintained at, for example, 200 Pa to 10 −4 Pa. 80 is a filament, 81 is a grid (Wehnelt electrode) arranged near the filament 80, and 82 is an anode (anode).

83は電子ビームを集束する集束レンズ、84は集束レンズ83の下側に配置された絞り、85は試料上に電子ビームを結像させるための対物レンズ、86は対物レンズ85の下方に設けられた偏向器(デフレクタ)、87は偏向器86に近接して設けられた非点収差補正用のスティグマ(STIGMA)である。   83 is a focusing lens for focusing the electron beam, 84 is a stop disposed below the focusing lens 83, 85 is an objective lens for imaging the electron beam on the sample, and 86 is provided below the objective lens 85. A deflector (deflector) 87 is an astigmatism correction stigma (STIGMA) provided close to the deflector 86.

88は試料台、89は該試料台88上に載置された絶縁物試料、90は該絶縁物試料89の近傍に配置された本発明に係るプラズマ発生装置(トーチ部)である。本願発明で用いるプラズマ発生装置は、プラズマ発生の規模が小さいので、マイクロプラズマ発生装置ということがある。91は絶縁物試料89からの反射電子を検出する反射電子検出器、92は同じく試料89からの二次電子を検出する二次電子検出器である。98はフランジである。このように構成された装置の動作を説明すれば、以下の通りである。   Reference numeral 88 denotes a sample stage, 89 denotes an insulator sample placed on the sample stage 88, and 90 denotes a plasma generator (torch unit) according to the present invention disposed in the vicinity of the insulator sample 89. The plasma generator used in the present invention is sometimes called a microplasma generator because the scale of plasma generation is small. 91 is a backscattered electron detector that detects backscattered electrons from the insulator sample 89, and 92 is a secondary electron detector that similarly detects backscattered electrons from the sample 89. Reference numeral 98 denotes a flange. The operation of the apparatus configured as described above will be described as follows.

フィラメント80から放射させた電子は、グリッド81を通過して陽極82に引き寄せられ、電子ビームとなって出射される。この電子ビームは、集束レンズ83で集束された後、絞り84を通過する。この電子ビームは、続く対物レンズ85で絶縁物試料89に結像する。この場合において、電子ビームは、偏向器86により偏向され、スチィグマ87により非点収差補正され、絶縁物試料89上に結像する。   The electrons emitted from the filament 80 pass through the grid 81 and are attracted to the anode 82, and are emitted as an electron beam. The electron beam is focused by the focusing lens 83 and then passes through the stop 84. This electron beam forms an image on the insulator sample 89 by the objective lens 85 that follows. In this case, the electron beam is deflected by the deflector 86, corrected for astigmatism by the stigma 87, and imaged on the insulator sample 89.

絶縁物試料89には、電荷がチャージされる。一方、試料室内に配置された本発明に係るプラズマ発生装置(トーチ部)90からは、正イオンが発生し、絶縁物試料89にチャージされていた電荷を中和する。この結果、絶縁物試料89の表面からは正しい反射電子が放射される。この反射電子は、試料室に配置されている反射電子検出器91により検出され、画像処理部(図示せず)で画像処理された後、表示装置(図示せず)に表示される。本発明によれば、前述したプラズマ発生装置を試料室のイオン発生用に用いることで、絶縁物試料89からのチャージの影響を受けない試料画像が得られる。一方、高解像度の絶縁物試料のSEM像観察を実施する場合は、試料室101の真空圧力を10-2Pa以下に排気して二次電子検出器92を選定する。 The insulator sample 89 is charged. On the other hand, positive ions are generated from the plasma generator (torch unit) 90 according to the present invention disposed in the sample chamber, and neutralizes the charge charged in the insulator sample 89. As a result, correct reflected electrons are emitted from the surface of the insulator sample 89. The reflected electrons are detected by a reflected electron detector 91 disposed in the sample chamber, subjected to image processing by an image processing unit (not shown), and then displayed on a display device (not shown). According to the present invention, a sample image that is not affected by the charge from the insulator sample 89 can be obtained by using the above-described plasma generator for generating ions in the sample chamber. On the other hand, when carrying out SEM image observation of a high-resolution insulator sample, the secondary electron detector 92 is selected by evacuating the vacuum pressure in the sample chamber 101 to 10 −2 Pa or less.

プラズマの電子が二次電子検出器92に流れ込まないようにプラズマトーチの陽極74に正の電圧を印加してプラズマの電子を陽極に完全に取り込む。試料89の表面から二次電子が放射され、この二次電子を二次電子検出器92で検出し、画像処理して試料画像が得られる。   A positive voltage is applied to the anode 74 of the plasma torch so that the plasma electrons do not flow into the secondary electron detector 92, and the plasma electrons are completely taken into the anode. Secondary electrons are emitted from the surface of the sample 89, the secondary electrons are detected by the secondary electron detector 92, and image processing is performed to obtain a sample image.

以上、詳細に説明したように、本発明に係る低真空走査電子顕微鏡を用いれば、前述したプラズマ発生装置を使用することで、絶縁物試料の像を正確に求めることができる。
上述の実施の形態例では、プラズマガスとしてアルゴンを用いた場合を例にとったが、本発明はこれに限るものではなく、他のガス、例えば窒素ガス等を用いることもできる。
As described above in detail, when the low-vacuum scanning electron microscope according to the present invention is used, an image of an insulator sample can be accurately obtained by using the plasma generator described above.
In the above-described embodiment, the case where argon is used as the plasma gas is taken as an example, but the present invention is not limited to this, and other gases such as nitrogen gas can also be used.

本発明に係るプラズマ発生装置の一実施の形態例を示す構成図である。It is a block diagram which shows one embodiment of the plasma generator concerning this invention. プラズマ発生装置の動作手順を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the operation | movement procedure of a plasma generator. 本発明に係る低真空走査電子顕微鏡の構成例を示す図である。It is a figure which shows the structural example of the low vacuum scanning electron microscope which concerns on this invention. 走査電子顕微鏡の構成概念図である。It is a composition conceptual diagram of a scanning electron microscope. プラズマ発生装置の従来構成例を示す図である。It is a figure which shows the example of a conventional structure of a plasma generator. プラズマ発生装置の他の従来構成例を示す図である。It is a figure which shows the other conventional structural example of a plasma generator.

符号の説明Explanation of symbols

60 石英管
61 タングステンワイヤ
63 高周波コイル
64 ガラス管
65 モールド
66 アルミフォイル
67 反射光防止膜
68 同軸ケーブル
69 整合コンデンサ
70 トリガ電線
71 管
72 管
73 絞り
74 陽極
60 Quartz tube 61 Tungsten wire 63 High frequency coil 64 Glass tube 65 Mold 66 Aluminum foil 67 Anti-reflection film 68 Coaxial cable 69 Matching capacitor 70 Trigger wire 71 Tube 72 Tube 73 Aperture 74 Anode

Claims (7)

円筒状をなし、その内部に電離化用のガスを流す石英管と、
該石英管の先端部に巻回された高周波コイルと、
前記石英管及び高周波コイルの周囲を覆うモールドと、
トーチ全体及び陽極近辺までを覆った円筒状のパイプ部と、
前記石英管の先端部に設けられた絞りと、
トーチ先端部に設けられた陽極部と、
を含んで構成されるプラズマ発生装置。
A quartz tube that has a cylindrical shape and allows gas for ionization to flow inside.
A high frequency coil wound around the tip of the quartz tube;
A mold covering the periphery of the quartz tube and the high-frequency coil;
A cylindrical pipe part covering the whole torch and the vicinity of the anode,
A diaphragm provided at the tip of the quartz tube;
An anode provided at the tip of the torch;
A plasma generator comprising:
試料室内気圧が200Pa程度から10-4Paにおいて、試料に電子ビームを照射して、該試料表面から放射される電子を検出して試料像を得るようにした走査電子顕微鏡において、
前記試料が絶縁物である場合に、前記試料の近傍に請求項1に記載のプラズマ発生装置を配置して、該プラズマ発生装置から発生する正イオンにより前記試料にチャージされた電荷を打ち消すようにしたことを特徴とする走査電子顕微鏡。
In a scanning electron microscope in which the sample chamber pressure is about 200 Pa to 10 −4 Pa, the sample is irradiated with an electron beam, and electrons emitted from the sample surface are detected to obtain a sample image.
When the sample is an insulator, the plasma generator according to claim 1 is arranged in the vicinity of the sample so as to cancel the electric charge charged to the sample by positive ions generated from the plasma generator. A scanning electron microscope characterized by that.
前記プラズマ発生装置の内部に冷却水を流すようにしたことを特徴とする請求項1記載のプラズマ発生装置。   2. The plasma generator according to claim 1, wherein cooling water is allowed to flow inside the plasma generator. 前記プラズマ発生装置の内部に冷却水を流すようにしたことを特徴とする請求項2記載の走査電子顕微鏡。   The scanning electron microscope according to claim 2, wherein cooling water is allowed to flow inside the plasma generator. 前記プラズマ発生装置から鏡筒壁までの、前記高周波コイルに高周波を印加するためのケーブルを覆った金属部を更に設けたことを特徴とする請求項2記載の走査電子顕微鏡。   3. The scanning electron microscope according to claim 2, further comprising a metal part covering a cable for applying a high frequency to the high frequency coil from the plasma generator to the lens barrel wall. 前記プラズマ発生装置の陽極電圧により、プラズマ中の電子を陽極に完全に取り込むことにより二次電子検出器に試料からの電子のみが検出されるようにしたことを特徴とする請求項2記載の走査電子顕微鏡。   3. The scanning according to claim 2, wherein only electrons from the sample are detected by the secondary electron detector by completely taking electrons in the plasma into the anode by the anode voltage of the plasma generator. electronic microscope. 所定の試料面に照射する電子ビーム量に見合った適正のイオン量は、前記プラズマ発生装置の陽極電圧と高周波電力及び電離化用のガス量で調整を容易にしたことを特徴とする請求項2記載の走査電子顕微鏡。   3. An appropriate ion amount commensurate with the amount of electron beam applied to a predetermined sample surface is easily adjusted by the anode voltage, high-frequency power and ionization gas amount of the plasma generator. The scanning electron microscope as described.
JP2005270362A 2005-09-16 2005-09-16 Plasma generator and scanning electron microscope Withdrawn JP2007080784A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005270362A JP2007080784A (en) 2005-09-16 2005-09-16 Plasma generator and scanning electron microscope

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005270362A JP2007080784A (en) 2005-09-16 2005-09-16 Plasma generator and scanning electron microscope

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2007080784A true JP2007080784A (en) 2007-03-29

Family

ID=37940845

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005270362A Withdrawn JP2007080784A (en) 2005-09-16 2005-09-16 Plasma generator and scanning electron microscope

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2007080784A (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009264785A (en) * 2008-04-22 2009-11-12 Canon Inc Electron beam irradiator
JP2010129356A (en) * 2008-11-27 2010-06-10 Yaskawa Electric Corp Vacuum device
WO2020059809A1 (en) * 2018-09-20 2020-03-26 積水化学工業株式会社 Plasma irradiation device
JPWO2023276127A1 (en) * 2021-07-01 2023-01-05

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009264785A (en) * 2008-04-22 2009-11-12 Canon Inc Electron beam irradiator
JP2010129356A (en) * 2008-11-27 2010-06-10 Yaskawa Electric Corp Vacuum device
WO2020059809A1 (en) * 2018-09-20 2020-03-26 積水化学工業株式会社 Plasma irradiation device
JPWO2020059809A1 (en) * 2018-09-20 2021-03-25 積水化学工業株式会社 Plasma irradiation device
JPWO2023276127A1 (en) * 2021-07-01 2023-01-05
WO2023276127A1 (en) * 2021-07-01 2023-01-05 株式会社日立ハイテク Charged particle beam device
TWI835156B (en) * 2021-07-01 2024-03-11 日商日立全球先端科技股份有限公司 charged particle beam device
EP4365926A4 (en) * 2021-07-01 2025-04-30 Hitachi High-Tech Corporation Charged particle beam device
JP7692480B2 (en) 2021-07-01 2025-06-13 株式会社日立ハイテク Charged particle beam equipment

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6388491B2 (en) Plasma generator and plasma propulsion device equipped with measuring device
JP4636897B2 (en) Scanning electron microscope
JP5822767B2 (en) Ion source apparatus and ion beam generating method
KR102772061B1 (en) Charged particle beam apparatus and sample processing observation method
US10903037B2 (en) Charged particle beam device
US7755065B2 (en) Focused ion beam apparatus
TW201545196A (en) Ion generator and thermal electron emitter
US10056232B2 (en) Charged particle beam apparatus and plasma ignition method
US20160240354A1 (en) Plasma ion source and charged particle beam apparatus
WO2017168557A1 (en) Vacuum device and vacuum pump
JP2005174591A (en) Charged particle beam device and charged particle beam image generation method
US9773637B2 (en) Plasma ion source and charged particle beam apparatus
JP2005285485A (en) Plasma generator and low vacuum scanning electron microscope
JP2007080784A (en) Plasma generator and scanning electron microscope
JP5458472B2 (en) X-ray tube
JP2006344444A (en) Charged particle beam device and charged particle beam image generation method
CN115346850B (en) Particle beam device with deflection unit
CN108496238B (en) Field ionization ion source, ion beam device and beam irradiation method
JP6178296B2 (en) Electron beam emission tube
JP5592136B2 (en) Chip tip structure inspection method
JP4544949B2 (en) Surface inspection method and apparatus
JP3818116B2 (en) Electron beam tube
JP5561948B2 (en) Ion source
JP2007066789A (en) Charge prevention device and charge prevention method
Hellborg et al. Ion stripper system and terminal pumping

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20081202