JP2007067115A - 有機太陽電池 - Google Patents

Abstract

【課題】 太陽光の吸収波長領域を広げて光電変換効率を十分に向上できる有機太陽電池を提供すること。
【解決手段】 電子供与性を有するｐ型共役高分子及び電子受容性を有するn型のフラーレン誘導体を含むヘテロ接合層、へテロ接合層の両側にそれぞれ設けられる２つの電極とを有し、フラーレン誘導体が下記一般式（１）：

(上記一般式（１）中、Ｆｕはフラーレンからなる２価以上の基、Ｒは炭素数１〜４のアルキル基等、Ｘは、チオフェン等の２〜６量体、ｎは１〜６の整数を表す)で表されることを特徴とする。
【選択図】なし

Description

本発明は、有機太陽電池に関する。

排出炭酸ガスによる地球温暖化問題やクリーンエネルギー技術への要望が高まり、太陽光を電力に変換する太陽電池の研究、実用化の動きはめざましい。現在実用に供されている光電変換素子は通常、無機半導体であるシリコン、砒化ガリウム、硫化カドミウムを主とした材料などから製造されている。しかし、これらの物質は、コストが掛かる高温処理工程を必要とし、また材料自体のコストも高い。このような理由から、有機材料を用いた太陽電池について古くから研究されている。

有機太陽電池は様々な方式に分類されるが、無機太陽電池の方式を模した、銅フタロシアニンとペリレン顔料を基板上に順次積層したＰＮ接合型有機太陽電池について報告されている（例えば非特許文献１参照）。また、ｐ型半導体とn型半導体を混合してなる膜を用いたバルクへテロ接合型太陽電池が提案され（例えば特許文献1参照）、最近特に注目を浴びている。これは、この種の太陽電池が、一方の有機材料を他方の有機材料中に分散させているため、接合面積が広く、電荷分離する領域も広くなっており、高い光電変換効率が期待されるためである。このような有機太陽電池においては、具体的に、ｐ型半導体として、ポリフェニレンビニレンの誘導体であるポリ［（２−メトキシ−５−（２’−エチルヘキシロキシ）１−４−フェニレンビニレン］やポリへキシルチオフェンなどのｐ型共役高分子が用いられ、ｎ型半導体として、大きな電子親和性をもち、電子受容体として機能するn型のフラーレン誘導体（例えばＣ_６０、非特許文献２、３参照）やＣｄＳｅ、ＣｄＴｅなどのナノ粒子（例えば非特許文献４参照）を用いたものが利用されている。また、ｐ型半導体としてのチオフェン重合体と、ｎ型半導体としてのシアノ化フラーレンを結合してなる材料を用いた有機太陽電池が提案されている（特許文献２参照）。

しかしながら、上述した有機太陽電池のいずれにおいても、光電変換が行われる波長領域は、ｐ型半導体とn型半導体の吸収しうる光の波長領域に限られることから、太陽光を十分に利用できず、光電変換効率が不十分であるという欠点があった。

そこで、光の吸収波長範囲を広げる工夫として、ｐ型半導体とn型半導体との間に電荷移動錯体を形成させる手法が報告されている（例えば非特許文献５参照）。
C.W.Tang,[Applied Physics Letters], Vol.48, p183 G.Yu,[Science],No.270, p 789(1995) N.S.Sariciftci,[Advanced Functional Materials], Vol.13, p85(2003) W.Huynh,[Science],No.295, p2425(2002) C.Giusca,[Carbon], Vol.4０, p1565(2002) 米国特許第5331183号明細書 特開２００４−２７７７３６号公報

しかしながら、上記非特許文献５に記載の有機太陽電池であっても、光の吸収波長範囲が、ｐ型半導体とn型半導体のそれぞれの光吸収波長範囲よりもわずかに広がっているにすぎず、十分な光電変換効率が得られなかった。

そこで、本発明は、太陽光の吸収する波長領域を広げて光電変換効率を十分に向上できる有機太陽電池を提供することを目的とする。

本発明者らは、上記課題を解決するため鋭意研究を重ねた結果、有機太陽電池を構成するヘテロ接合層において、電子受容体であるn型のフラーレン誘導体の側鎖として、共役しうる特定の化学構造を導入することにより、光の吸収波長範囲をより広くでき、光電変換効率を十分向上できることを見出し、本発明の完成に至った。

即ち、本発明は、電子供与性を有するｐ型共役高分子及び電子受容性を有するn型のフラーレン誘導体を含むヘテロ接合層と、前記へテロ接合層の一面側に設けられる第１電極と、前記へテロ接合層の他面側に設けられる第２電極とを有し、前記フラーレン誘導体が下記一般式（１）：

(上記式（１）中、Ｆｕはフラーレンからなる２価以上の基を表し、Ｒは炭素数１〜４のアルキル基又は水素原子の少なくとも一部がハロゲン原子で置換されたハロゲン化アルキル基を表し、Ｘが、チオフェン、ピロール、フラン、セレニウム又はこれらの水素原子の少なくとも一部がアルキル基で置換されたアルキルチオフェンの２〜６量体を表し、nは１〜６の整数を表す)
で表されることを特徴とする有機太陽電池である。

この有機太陽電池によれば、ｐ型共役高分子とn型フラーレン誘導体のそれぞれの光吸収波長から予想される光電変換波長よりもかなり長い波長、具体的には８００ｎｍを超える長波長域まで実際に光電変換でき、光電変換効率を十分に向上させることができる。このように長い波長域まで光電変換できる理由は明らかではないが、n型フラーレン誘導体とｐ型共役高分子とが特異な電荷移動錯体を形成し、ｐ型共役高分子の共役構造と、n型フラーレン誘導体Ｘの共役構造とが大きな相互作用を起こしているためではないかと推察される。

上記有機太陽電池においては、ｐ型共役高分子がポリフェニレンビニレンであり、ｎ型フラーレン誘導体が、上記一般式（１）においてＦｕがＣ_６０、Ｒがメチル基又はエチル基、Ｘがチオフェンの２量体〜４量体となっているものであることが好ましい。この場合、光電変換効率がより十分に向上する傾向がある。

また上記有機太陽電池においては、ヘテロ接合層の厚さが５０〜３００ｎｍであることが好ましい。この場合、上記範囲を外れる場合と比較して、入射光の透過する割合が低くなり、入射光を多く利用できるという利点があると共に、光電変換により発生するキャリアの失活が小さくなり、光電変換能がより十分に向上する。

本発明の有機太陽電池によれば、太陽光の吸収波長領域を広げて光電変換効率を十分に向上できる。

以下、本発明の有機太陽電池の実施形態について詳細に説明する。

図１は、本発明の有機太陽電池の一実施形態を示す概略図である。図１に示すように、本実施形態の有機太陽電池１０は、主として基板１、透明電極（第１電極）２、ヘテロ接合層３及び対向電極（第２電極）４がこの順に積層されて構成される。ここで、透明電極２は、ヘテロ接合層３の一面３ａ側に設けられており、対向電極４は、ヘテロ接合層３に対し、一面３ａと反対側の面３ｂ側に設けられている。

ヘテロ接合層３は、電子供与性を有するｐ型共役高分子と、電子受容性を有するn型のフラーレン誘導体とを含む。ここで、n型のフラーレン誘導体は、下記一般式（１）：

で表される。

上記一般式（１）中、Ｆｕはフラーレンからなる２価以上の基を表す。ここで、フラーレンとしては、Ｃ_６０、Ｃ_７０、Ｃ_８４等が挙げられ、フラーレンはこれらのうちのいずれでもかまわないが、Ｃ_６０が最も入手しやすく、またコスト面で有利であるという理由から特に好ましい。また、上記フラーレンは、電子受容性が高められたシアノ化フラーレンであるとより好ましい。この場合、光吸収波長領域がより広がり、光電変換効率がより十分に向上する。なお、Ｆｕに結合している基は、Ｆｕとともに、窒素原子を含む５員環を形成している。

Ｒは炭素数１〜４のアルキル基又は、このアルキル基中の水素原子の少なくとも一部がハロゲン原子で置換されたハロゲン化アルキル基を表す。ハロゲン原子としては、例えばフッ素原子、塩素原子などが挙げられ、ハロゲン化アルキル基中に導入されるハロゲン原子の数は、後述のスピンコート溶液調製時に溶解性を損わない程度の数とする。またＲは、直鎖状または分岐状であってもよい。またアルキル基中の炭素数が４を超えると、炭素数が４以下の場合に比べて、n型フラーレン誘導体の合成が難しくなり、合成終了時の収量が極めて微量となり、コストが大幅に増加するというデメリットがある。

Ｘは、チオフェン、ピロール、フラン、セレニウム又はこれらの水素原子の少なくとも一部がアルキル基で置換されたアルキルチオフェンの２〜６量体を表す。Ｘがチオフェン等の単量体の場合、２〜６量体である場合に比べて、後述の光吸収波長が長くなりにくいというデメリットがあり、６量体を超えると、２〜６量体の場合と比較して、合成が難しくなり、コスト高となる傾向がある。またアルキル基は炭素数１〜８個が好ましい。炭素数が８を超えると、炭素数が８以下の場合に比べて、変換効率が下がることに加えて、後述のスピンコート溶液調製時に溶解しにくくなる傾向がある。なお、チオフェン、ピロール、フラン、セレニウムはいずれも共役構造をとりうる物質である。

nは１〜６の整数を表す。ここで、ｎは、上記式（１）中の括弧で表される基がＦｕに直接結合される数を表し、例えばｎが３である場合、括弧で表される３個の基がＦｕの異なる部位にそれぞれ結合されていることを意味する。ｎが６を超えると、ｎが６以下の場合と比較して、後述の量子効率の長波長端がより長波長側まで伸びなくなる傾向がある。ｎは１〜４であることがより好ましい。nが４を超えると、ｎが１〜４の場合に比べて、変換効率が低下する傾向があることに加えて、そのようなフラーレン誘導体が極微量にしか合成されず、コストが高くなる傾向がある。なお、ヘテロ接合層３は、ｎ＝１〜３のものをそれぞれ同時に含んでいてもよい。

ｐ型の共役高分子は、電子供与性を有するものであれば特に限定されず、ｐ型共役高分子としては通常、分子構造中に共役二重結合を有するものが挙げられる。このようなｐ型共役高分子としては、例えば、チオフェン、フェニレンビニレン、チエニレンビニレン、カルバゾール、ビニルカルバゾール、ピロール、アセチレン、イソチアナフェン及びヘプタジエンなどの化合物、ならびに水酸基、アルキル基、アミノ基、メチル基、ニトロ基及びハロゲン基などを有するこれら誘導体、の重合体が挙げられる。なお、これらの共役高分子は、単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。より具体的には、ポリ［２−メトキシ−５−（２’−エチルヘキシロキシ）−１，４−フェニレンビニレン］、ポリ（３−ヘキシルチオフェン）、ポリ（３−オクチルチオフェン）などが挙げられる。なかでも、ポリ［２−メトキシ−５−（２’−エチルヘキシロキシ）−１，４−フェニレンビニレン］、ポリ（３−ヘキシルチオフェン）が、変換効率を向上させる観点からは、特に好ましい。

ｐ型共役高分子については、数平均分子量が標準ポリスチレン換算で１，０００〜２００，０００であることが好ましい。数平均分子量が１，０００未満では、１，０００以上である場合に比べてｐ型共役高分子の粘度が低くなり、例えば丈夫なスピンコート膜を形成することができなくなり、有機太陽電池の作製が困難となる。逆に、数平均分子量が２００，０００を超えると、２００，０００以下である場合に比べて、ｐ型共役高分子の粘度が高くなり、n型フラーレン誘導体が凝集しやすくなり、光電変換効率の低下を招く。数平均分子量はより好ましくは１０，０００〜１００，０００である。数平均分子量がこの範囲にあると、この範囲から外れた場合と比較して、例えばスピンコート膜の形成が容易になり、n型フラーレン誘導体が分散して電荷移動錯体が形成されやすくなり、光電変換効率がより向上するという利点が得られる。

なお、ｐ型共役高分子については結晶性でも非晶性であってもよく、立体規則性の程度については問われない。

ヘテロ接合層３を構成する材料としては、ｐ型共役高分子がポリフェニレンビニレン又はポリ（３−ヘキシルチオフェン）であり、ｎ型フラーレン誘導体が、上記構造式（１）において、ＦｕがＣ_６０であり、Ｒはメチル基又はエチル基であり、Ｘはチオフェンの２量体〜４量体であり、ｎは主として１であるものが、光電変換効率をより向上させる点からは好ましい。

ｐ型共役高分子とn型のフラーレン誘導体の混合割合については、共役高分子の繰り返し（モノマー）ユニットに対するフラーレン誘導体のモル比（＝フラーレン誘導体の数／共役高分子の繰り返し（モノマー）ユニット数）が０．６７〜１．５の範囲であることが、電荷移動錯体が十分に形成され、光電変換能がより高くなるという理由から好ましいが、上記モル比は、より好ましくは０．８〜１．２であり、最も好ましいモル比は１である。

ｐ型共役高分子とn型のフラーレン誘導体を分散してなるヘテロ接合層３の厚さは、好ましくは５０〜３００ｎｍであり、より好ましくは８０〜２００ｎｍである。厚さが５０ｎｍ未満の場合、上記範囲にある場合と比較して、入射光の透過する割合が高くなり、入射光を十分に捕らえることができず、十分に光電変換を行うことができないので、変換効率が下がる傾向がある。厚さが３００ｎｍを超えると、上記範囲内にある場合と比較して、光電変換により発生するキャリアの失活が大きくなり、光電変換能の低下を招く傾向がある。

基板１は、透明電極２、ヘテロ接合層３および対向電極４を有する積層体を支持し、補強するものであればよく、基板１を構成する材料としては、例えばガラス；ポリイミド、ＰＥＴ、ＰＥＮ、ＰＥＳ、テフロン（登録商標）等の耐熱性の高分子フィルム；ステンレス鋼（ＳＵＳ）、アルミニウム板等の金属、シリコン等の半導体、セラミック等が挙げられ、なかでも、基板１は、高い透明性を有するもの、例えばガラスがより好ましい。但し、基板１を構成する材料として、ステンレス鋼（ＳＵＳ）、アルミニウム板等の金属、シリコン等の半導体、セラミックを用いる場合には、膜厚を十分に薄くして透明にする必要がある。基板１は、これらの材料からなる層単独で構成されてもよいし、これらの材料からなる複数の層を積層して構成してもよい。なお、基板１は、表面がフラットなものでもよいし、表面に凹凸を有しているものでもよい。

透明電極２は、ヘテロ接合層３に対してオーミック接触の形成が可能であり、かつ照射光を透過させるものであればよく、例えば、ＩＴＯ、ＳｎＯ_２、ＺｎＯ、Ｉｎ_２Ｏ_３等の透明導電材料又はフッ素ドープ酸化錫（ＳｎＯ_２：Ｆ）、アンチモンドープ酸化錫（ＳｎＯ_２：Ｓｂ）、Ｉｎ_２Ｏ_３、錫ドープ酸化インジウム（Ｉｎ_２Ｏ_３：Ｓｎ）、ＺｎＯ、Ａｌドープ酸化亜鉛（ＺｎＯ：Ａｌ）、Ｇａドープ酸化亜鉛（ＺｎＯ：Ｇａ）等の上記透明導電材料に不純物がドープされたもので構成される。透明電極２は、これら材料からなる層単独で構成してもよいし、複数の層を積層した積層体で構成してもよい。透明電極２の膜厚は、電極としての機能を果たすものであれば特に限定されるものではないが、通常は３ｎｍ〜１０μｍである。なお、透明電極２は、表面がフラットなものでもよいし、表面に凹凸を有しているものでもよい。

対向電極４を構成する材料は、ヘテロ接合層３の有機半導体とオーミック接触の形成が可能な仕事関数を有する導電材料であれば特に限定されない。このような導電材料は、具体的には金、白金、銀、銅、アルミニウム、ニッケル、ロジウム、インジウムなどの金属、それらの合金、上記の透明電極２を構成する透明導電材料などが挙げられる。また、対向電極４の膜厚は、発生した光電荷を十分に外部回路へ伝達できる程度のシート抵抗を得ることができる範囲であれば、特に限定されない。対向電極４の膜厚は通常は、１〜５０ｎｍであり、好ましくは２０〜３０ｎｍである。

また、対向電極４とヘテロ接合層３との間には、ＬｉＦ、未修飾フラーレン、ジメチルジフェニルフェナントロリンからなる層を、ヘテロ接合層３と対向電極４との間のオーミック接触を損わない程度に設けてもよい。これらを対向電極４とヘテロ接合層３との間に設けると、対向電極４とヘテロ接合層３との間で完全なオーミック接合が得られ、電流が流れやすくなり、変換効率がより向上するという利点がある。かかる層の厚さは、例えば０．３ｎｍ〜１５０ｎｍである。

なお、ヘテロ接合層３及び対向電極４を保護する保護層（図示せず）が、ヘテロ接合層３及び対向電極４を覆うように透明電極基板上に設けられてもよい。ここで、透明電極基板は、基板１と透明電極２とで構成される。この場合、有機太陽電池１０を大気中に取り出したときに、保護層によりヘテロ接合層３及び対向電極４に対する防湿効果が得られ、光電変換能を長期間保持できるという利点がある。かかる保護層としては、例えばガラス、アルミコートのポリマーフィルムなどが挙げられる。保護層は、具体的には、熱溶着フィルム等からなるスペーサを介して透明電極基板に設けられる。

次に、上述した有機太陽電池１０の製造方法について説明する。

まず基板１を用意する。基板１の表面には、透明電極２を形成する。透明電極２は、電極材料を、スパッタ法、真空蒸着法、ＥＢ蒸着法、常圧ＣＶＤ法、減圧ＣＶＤ法、ＰＶＤ法、ソルゲル法、電析法等によって基板１の表面上に成膜して形成することができる。なお、透明電極２の表面に凹凸を形成する場合は、電極材料の材質、気相法の成膜条件、具体的には、酸素や不活性ガスなどの成膜雰囲気、成膜温度などの条件を適宜設定して、基板１上に電極材料をランダムに結晶成長させることにより形成してもよいし、フラットな電極を形成した後、酢酸、塩酸などの酸性水溶液を用いたエッチングの処理条件、主にエッチング時間を適宜設定することにより形成してもよい。

一方、ｐ型共役高分子、上記一般式（１）で表されるｎ型フラーレン誘導体をそれぞれ用意し、これらを溶媒中に溶解させてスピンコート液を得る。溶媒としては、ｐ型共役高分子及び上記一般式（１）で表されるｎ型フラーレン誘導体を溶解しうるもの、例えばトルエンなどが用いられる。

次に、上記のようにして得られるスピンコート液を透明電極２の表面上にコーティングし、乾燥して溶媒を除去することにより透明電極２の表面上にヘテロ接合層３を形成する。なお、スピンコーティングは、１回に限らず、複数回行ってもよい。この場合、１回ごとに乾燥を完了させた上でスピンコーティングを行えばよい。

次に、ヘテロ接合層３の表面上に対向電極４を形成する。対向電極４は、透明電極２と同様の方法で形成する。即ち、対向電極４も、電極材料を、スパッタ法、真空蒸着法、ＥＢ蒸着法、常圧ＣＶＤ法、減圧ＣＶＤ法、ＰＶＤ法、ソルゲル法、電析法等によってヘテロ接合層３の表面上に成膜して形成することができる。

以上のようにして有機太陽電池１０の製造が完了する。なお、対向電極４を形成する前に、ＬｉＦ、未修飾フラーレンなどの層を予め形成しておくとよい。この場合には、対向電極４とヘテロ接合層３との完全なオーミック接合が得られるようになる。

本発明の有機太陽電池は、上記実施形態に限定されない。例えば上記実施形態では、ヘテロ接合層３の少なくとも一方の側の電極は、複数に分割されていてもよい。即ち、電極は、互いに離間して配置された複数の電極部で構成されていてもよい。

以下、本発明の有機太陽電池の具体的な実施例及び比較例について説明するが、本発明の有機太陽電池は以下の実施例に限定されるものではない。

（実施例１）
Rがメチル基、Ｘがビチオフェン（チオフェンの２量体）であるフラーレン誘導体を以下のようにして合成した。

即ち、まずフラーレンＣ_６０（東京化成社製）１００ｍｇをトルエン１００ｍＬに溶解させた。このトルエン溶液を三ッ口フラスコに移し、N−メチルグリシン(アルドリッチ社製)２４．８ｍｇとビチオフェンアルデヒド１４０ｍｇを溶解したジメチルスルオキシド１０ｍＬを加えて直ちに１２０℃まで昇温した。そして、１２０℃、アルゴン気流下にてトルエンを１５時間還流させ、フラーレンＣ_６０、N−メチルグリシン及びビチオフェンアルデヒドを反応させた。冷却後、反応溶液をエバポレータにより濃縮し、続いてシリカゲルカラム（半井化学、球状シリカゲル６０、展開溶媒：トルエン）に通して未反応のＣ_６０等を分別除去した。

最終的に得られた溶液からエバポレータにより溶媒を除去した後、真空乾燥して粉末を得た。この粉末についてＦＴＩＲスペクトルを測定した。結果を図２に示す。図２の結果より、Ｃ_６０に由来するピーク及びチオフェン環に由来するピークが見られた。具体的には、７２８ｃｍ^−１、７７０ｃｍ^−１、２７７６ｃｍ^−１において、Ｃ_６０に由来するピークが現れ、７９４ｃｍ^−１、８３８ｃｍ^−１、１０４６ｃｍ^−１、１２２４ｃｍ^−１、１４４５ｃｍ^−１、１６６０ｃｍ^−１、３０６６ｃｍ^−１において、チオフェン環に由来するピークが見られた。更に、２９２０〜２９４０ｃｍ^−１付近にメチル基ＣＨ_３に由来する特徴的な２本のピークが見られた。このことから、上記一般式（１）において、Rがメチル基、Ｘがビチオフェン（２量体）であるフラーレン誘導体が得られていることが確認された。

（スピンコート液の調製）
上記のようにして得られたＣ_６０−ＢｉＴｈ７６．４ｍｇと、ｐ型共役高分子としてのポリ（２−メトキシ−５−（２'−エチルヘキシロイル)−１,４−フェニレビニレン（アルドリッチ社製、数平均分子量５１，０００、略号ＭＥＨ−ＰＰＶ)１３．４ｍｇとをトルエン２ｍＬに溶解してスピンコート液を得た。

（バルクへテロジャンクション型セルの作製）
インジウム錫酸化物（旭化成社製）をコートした透明導電性ガラス（ＩＴＯガラス）に、３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）及びポリエチレンスルホネート（ＰＳＳ）からなる混合物の１質量％水溶液（アルドリッチ社製）を３５００ｒｐｍ、３０秒の回転条件でスピンコートを１回施し、厚さ８０ｎｍの第１スピンコート膜を得た。

次に、１００℃のホットプレート上に、第１スピンコート膜を形成したＩＴＯガラスを置き、６０分間真空脱気した。続いて、同ＩＴＯガラスに、作製したスピンコート溶液を塗布して、５０００ｒｐｍで１５秒の条件でスピンコーティングを１回施し、厚さ１５０ｎｍの第２スピンコート膜を得た。

ヘテロ接合層を形成したＩＴＯガラスを、真空機工製の蒸着装置にセットし、まず、ＬｉＦを蒸着し（厚さ１ｎｍ）、続いて蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃにて厚さ８０．５ｎｍのアルミニウム（高純度化学製、純度９９．９９９％）を蒸着した。続いて、厚さ１００μmのポリエチレンフィルムをスペーサとして、厚さ１．１ｍｍのガラスを貼り合わせた。貼り合わせにはエポキシ系接着剤を用いた。こうして有機太陽電池としてのバルクヘテロジャンクション型セルを得た。

（紫外可視吸収スペクトルの測定）
上記のようにして得られたバルクヘテロジャンクション型セルを構成するヘテロ接合層について紫外可視光吸収スペクトルを測定した。結果を図３に示す。このとき、紫外可視光吸収スペクトルの測定は、島津製作所製の分光光度計を用いて行った。なお、紫外可視光吸収スペクトルの測定は、ＩＴＯガラス上にヘテロ接合層を形成したものに対して行った。また、比較のために、ヘテロ接合層に代えて、C_６０−ＢｉＴｈのトルエン溶液、ＭＥＨ−ＰＰＶのスピンコート膜についても紫外可視光吸収スペクトルを測定した。結果を図３に併記する。

なお、図３において、○印はC_６０−ＢｉＴｈのトルエン溶液、◇印はＭＥＨ−ＰＰＶのスピンコート膜、●印が、本実施例で作製したヘテロ接合層の紫外可視吸収スペクトルであり、縦軸は吸光度、横軸は吸収波長（ｎｍ）を表す。図３に示す結果より、本実施例に係るヘテロ接合層では、８５０ｎｍの波長まで光を吸収しており、C_６０−ＢｉＴｈのトルエン溶液、ＭＥＨ−ＰＰＶのスピンコート膜に比べて、光吸収波長範囲が大幅に広がっていることが分かった。

（光電変換性能の評価）
また上記のようにして得られたバルクヘテロジャンクション型セルについて、光電変換能を表すＩＰＣＥスペクトルを測定した。測定は、０．２５ｍWの単色光（波長域３００〜８５０ｎｍ）で１０ｎｍ毎に実施した。結果を図４に示す。図４において、縦軸は量子効率（％）を、横軸は波長（ｎｍ）を表す。図４に示す結果より、本実施例のバルクヘテロジャンクション型セルでは、８５０ｎｍまで光電変換が行われている（長波長端が８５０ｎｍである）ことが分かった。

また上記のようにして得られたバルクヘテロジャンクション型セルについて、光電変換特性も測定した。光電変換特性は、分光計器の分光感度測定装置（ＣＥＰ−２０００型）を用いて測定し、光源は１５０Ｗのキセノンショートアークランプを用いた。このとき、ランプには光学フィルターとしてAM１．５のＵＶフィルターをかけ、照射強度が最大で１００ｍＷ／ｃｍ^２の擬似太陽光となるようにした。

なお、ＡMの定義は、太陽光が大気圏を通過する距離を表す。大気圏外における太陽光をＡＭ０と定義し、赤道直下での真上からくる太陽光（直達光）の地表面でのＡＭ値を１とした時の太陽光の長さを、１／ｓｉｎθ（θは仰角）で表す。本実施例で用いたＡＭ１．５は東京の年間を通じての太陽光の値にほぼ等しい。また、分光感度測定装置により、擬似太陽光（０．１Sun、AM１．５）の照射の下、５０℃で電流―電圧曲線を計測し、得られる短絡電流、開放電圧、形状因子から、光電変換効率を求めた。結果を表１に示す。

（実施例２）
ＭＥＨ−ＰＰＶの代わりにP３HT（アルドリッチ社製、立体規則性、数平均分子量８７，０００）を用い、ＬｉＦの代わりにC_６０（東京化成製）を用いたこと以外は実施例１と同様にして有機太陽電池を作製した。

（実施例３）
Ｎ−メチルグリシンの代わりに、Ｎ−エチルグリシンを用い、Ｒをメチル基からエチル基に代えたこと以外は実施例１と同様にして有機太陽電池を作製した。

（実施例４）
ビチオフェンアルデヒドの代わりに、ビ(３−ヘキシルチオエニルチオフェン)アルデヒドを用い、Ｘをチオフェンの４量体であるビ(３−ヘキシルチオエニルチオフェン)に代えたこと以外は実施例１と同様にして有機太陽電池を作製した。

（実施例５）
スピンコートの際の回転数を５０００ｒｐｍから２５００ｒｐｍにしてヘテロ接合層の膜厚を１５０ｎｍから２８０ｎｍに変更したこと以外は実施例１と同様にして有機太陽電池を作製した。

（実施例６）
C_６０−ＢｉＴｈの添加量を７６．４ｍｇから９８．２ｍｇに増加したこと以外は実施例１と同様にして有機太陽電池を作製した。

実施例２〜７のｎ型フラーレン誘導体のトルエン溶液の光吸収スペクトルと、有機太陽電池の量子効率のＩＰＣＥスペクトルを実施例１と同様にして測定し、光吸収の長波長端と、量子効率の長波長端を求めた。また光電変換効率についても、実施例１と同様にして算出した。結果を表１に示す。

（比較例１）
C_６０−ＢｉＴｈの代わりにＣｄＳｅナノ粒子を用いたこと以外は実施例１と同様にして有機太陽電池を作製した。なお、本比較例は、非特許文献４を追試したものである。

ここで、ＣｄＳｅナノ粒子は以下のように合成した。まず金属セレン（アルドリッチ社製）４７ｍｇをトリオクチルホスフィン（アルドリッチ社製、以下、「ＴＯＰ」と略称する）２．０３４ｇに室温で溶解させ、Ｓｅ／ＴＯＰ溶液を得た。

一方、２５ｍＬフラスコに、酸化カドミウムＣｄＯ５７．８ｍｇ（高純度化学製）、テトラデシルホスホニックアシッド（アルファ製、以下、「ＴＤＰＡ」と略称する）０．２４２２ｇ、およびトリオクチルホスフィンオキシド（アルドリッチ社製、以下、「ＴＯＰＯ」と略称する）３．７４１ｇを入れた。３６５℃設定の半田槽を用い、Ａｒ気流下、フラスコ内のＣｄＯ、ＴＤＰＡおよびＴＯＰＯを１時間ほどで溶解させた。次に半田槽の温度設定を２６０℃に変更し、そのまま２時間放置した（実際の温度２５３℃）。２時間後、上記Ｓｅ／ＴＯＰ溶液を滴下ロートより３回に分けて（間隔３０秒）フラスコ内に滴下した。反応溶液ははじめ無色透明であったが時間とともに黄色、オレンジ色、赤色、濃赤色に変化した。滴下後４時間放置して十分に反応させ、ＣｄＳｅナノ粒子を生長させた。

反応を終了させるためにフラスコを半田槽より空気中に取り出し、Ａｒ気流下のままゆっくりと冷却した。冷却すると反応液は固化した。その固形物にメタノールを加えてＴＯＰなどを一度溶解させ、２０００ｒｐｍで２０分の遠心分離を行うことによりＣｄＳｅナノ粒子を沈降分離させた。このメタノールによる溶解と遠心分離を３回繰り返した。

次に、ＣｄＳｅナノ粒子にトルエン０．５ｍＬを加えて十分に攪拌して再溶解させ、これに大量のメタノールをさらに加えて、２５００ｒｐｍで２０分間遠心分離操作を行った。さらに沈降したＣｄＳｅナノ粒子にピリジン０．５ｍＬを加えて１０分間攪拌後、超音波分散させた。これにｎ−ヘキサンを加えてナノ粒子を析出させ、その後、４０００ｒｐｍで３０分間の遠心分離操作を３回行った。こうした一連の操作により不要なＴＯＰなどをＣｄＳｅナノ粒子表面からできるだけ取り除き、表面にピリジン分子を吸着させた。

こうして得られたピリジン分子吸着のＣｄＳｅナノ粒子１００ｍｇを、ポリ(３−へキシルチオフェン)（アルドリッチ社製、数平均分子量５１，０００）１０ｍｇとともに、クロロホルム／ピリジン混合溶媒（体積比５：１）１ｍＬ、トルエン０．２ｍＬに分散させてスピンコート溶液を調製した。

上記のようにして得られた太陽電池に用いたＣｄＳｅナノ粒子のトルエン溶液、Ｐ３ＨＴのスピンコート膜について、実施例１と同様にしては紫外可視光吸収スペクトルを測定した。結果を図５に示す。

図５において、○印はＣｄＳｅナノ粒子のトルエン溶液の紫外可視吸収スペクトル、△印はＰ３ＨＴのスピンコート膜の紫外可視吸収スペクトルを示す。図５に示すように、紫外可視吸収スペクトルの長波長端は６５０ｎｍであり、Ｐ３ＨＴのスピンコート膜の紫外可視吸収スペクトルの長波長端である５５０ｎｍに比べて、可視光領域における光吸収波長領域が若干広がっているものの、その広がりは小さいものであった。

また上記のようにして得られた太陽電池について、実施例１と同様にして紫外可視吸収スペクトル及び光電変換能を表すＩＰＣＥスペクトルを測定した。結果を図６に示す。

図６に示す結果より、本比較例に係る太陽電池では、６５０ｎｍの波長まで光電変換（長波長端が６５０ｎｍ）していることが分かった。なお、測定に際しては、太陽電池の基板１の裏側（透明電極２と反対側）に、３９０ｎｍ以下カットするＵＶカットフィルム（三菱レーヨン社製）を装着した。

また本比較例の太陽電池について、実施例１と同様にして光電変換効率を求めた。結果を表１に示す。

以上の実施例１〜７及び比較例１の結果より、本実施例に係る有機太陽電池によれば、光電変換可能な波長範囲が、ヘテロ接合層を構成する個々の材料と比べて十分に広がっており、十分な光電変換効率が得られるのに対し、比較例に係る有機太陽電池によれば、ヘテロ接合層を構成する個々の材料と比べて光電変換可能な波長範囲の広がりが小さく、十分な光電変換効率が得られないことが分かった。

よって、本発明の有機太陽電池によれば、光電変換効率を十分に向上させることができることが確認された。

本発明に係る有機太陽電池の一実施形態を示す模式断面図である。 実施例１に係るC_６０−ＢｉＴｈのＦＴＩＲスペクトルを示すグラフである。 実施例１に係る紫外可視吸収スペクトルを示すグラフである。 実施例１に係る有機太陽電池の光電変換特性としてのＩＰＣＥスペクトルを示すグラフである。 比較例１に係る紫外可視吸収スペクトルを示すグラフである。 比較例１に係る有機太陽電池の光電変換特性としてのＩＰＣＥスペクトルを示すグラフである。

符号の説明

１…基板、２…透明電極、３…ヘテロ接合層、４…対向電極、１０…有機太陽電池。

Claims (3)

1. 電子供与性を有するｐ型共役高分子及び電子受容性を有するn型のフラーレン誘導体を含むヘテロ接合層と、
   前記へテロ接合層の一面側に設けられる第１電極と、
   前記へテロ接合層の他面側に設けられる第２電極と、
   を有し、前記フラーレン誘導体が下記一般式（１）：
   

   

   
   (上記一般式（１）中、Ｆｕはフラーレンからなる２価以上の基を表し、Ｒは炭素数１〜４のアルキル基又は水素原子の少なくとも一部がハロゲン原子で置換されたハロゲン化アルキル基を表し、Ｘが、チオフェン、ピロール、フラン、セレニウム又はこれらの水素原子の少なくとも一部がアルキル基で置換されたアルキルチオフェンの２〜６量体を表し、ｎは１〜６の整数を表す)
   で表されることを特徴とする有機太陽電池。
2. 前記ｐ型共役高分子がポリフェニレンビニレン又はポリ（３−ヘキシルチオフェン）であり、前記ｎ型フラーレン誘導体が、上記一般式（１）において、ＦｕがＣ_６０、Ｒがメチル基又はエチル基、Ｘがチオフェンの２量体〜４量体となっているものである、請求項１に記載の有機太陽電池。
3. 前記ヘテロ接合層の厚さが５０〜３００ｎｍである、請求項１又は２に記載の有機太陽電池。

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