JP2007049019A - 発光装置 - Google Patents
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- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 113
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 18
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 54
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- 230000006750 UV protection Effects 0.000 claims description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 18
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 18
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 4
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 4
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N aluminum;oxygen(2-);yttrium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Y+3] JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910019901 yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 1
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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Abstract
【課題】 発光素子を封止する光透過性部材の劣化を抑制して長寿命化を図った発光装置を提供する。
【解決手段】 配線パターン11A,11Bが形成されている基板12上には、所定位置にLEDチップ14が搭載されている。LEDチップ14を覆うようにして、封止部材15が設けられている。封止部材15はドーム状を成した中空構造であるため、LEDチップ14との間には空間(空気層)が形成される。このため、LEDチップ14から封止部材15への放射照度が小さくなり、封止部材15のダメージが軽減される。
【選択図】 図1
【解決手段】 配線パターン11A,11Bが形成されている基板12上には、所定位置にLEDチップ14が搭載されている。LEDチップ14を覆うようにして、封止部材15が設けられている。封止部材15はドーム状を成した中空構造であるため、LEDチップ14との間には空間(空気層)が形成される。このため、LEDチップ14から封止部材15への放射照度が小さくなり、封止部材15のダメージが軽減される。
【選択図】 図1
Description
本発明は、発光ダイオード(Light Emitting Diode:LED)、レーザダイオード等の発光素子を樹脂等の封止部材により封止した構造の発光装置に関する。
近年、青色発光ダイオードや紫外線発光ダイオードの実用化により、白色光がLEDにより得られるようになった。これにより、消費電力が大きく発熱をともなう照明用の白熱ランプやバックライト用の冷陰極蛍光管に代えて、小型で消費電力の少ない白色発光LEDによる発光装置が用いられるようになってきた。
この種の発光装置では、赤色系、緑色系、及び青色系の3種のLED、あるいは青緑色系と黄色系の2種のLEDを用いて白色系の照明光を得ている。また、青色等の単一色のLEDと蛍光体を用いて白色光を得るLED装置もある。また、紫外発光LEDと蛍光体を用いて白色光を得るLED装置もある。
白色光が得られるLED装置の応用分野の拡大にともない、特に、照明用のLED装置では、発光強度の増大が要求されている。近年、発光効率が60lm/Wを超える白色LED装置も実用化され、照明用途への利用の期待が高まってきているが、用途拡大に向けて発光強度のさらなる増大が望まれている。
さらに、LEDの発光波長が、赤から青、そして紫外へと短波長に移るにつれ、エネルギー強度も増大している。ところが、発光強度の増加にともなって、封止樹脂や蛍光体に対するダメージが大きくなり、これにより、封止樹脂や蛍光体の劣化が加速され、デバイスの寿命が短くなるという問題が発生している。
発光装置においては、一般に、LEDチップを湿気及び外部からの機械的衝撃から保護できること、空気とLEDの中間の屈折率をもつ樹脂で封止することで光取り出し効率が高められること、レンズ状にすることで集光効果が得られること、樹脂に蛍光体を拡散することにより発光波長を変化させて白色を得られる等の利点から、LEDチップは、樹脂によって封止されている。
しかし、樹脂封止による発光装置は、LEDの発光強度の増大にともなって、その発熱により封止樹脂に対するダメージが大きくなる。特に、青色発光のLEDや紫外発光のLED及び封止樹脂にエポキシ樹脂を用いた場合、LEDからの青色光や紫外光によるエポキシ樹脂の劣化が激しいことが知られている(例えば、非特許文献1参照。)。
松下電工技報(Vol.53 No.1)6頁
松下電工技報(Vol.53 No.1)6頁
従来の発光装置によると、上述したように、LEDの発光強度の増大により、封止樹脂(光透過性部材)のLED近傍の部分が、特に大きなダメージを受ける。この結果、封止樹脂の劣化が加速され、装置寿命が低下するという問題がある。
従って、本発明の目的は、発光素子を封止する光透過性部材の劣化を抑制して長寿命化を図った発光装置を提供することにある。
本発明は、上記目的を達成するために、光透過性部材によって封止された発光素子を備えた発光装置において、前記光透過性部材は、前記発光素子に接触しない状態で配置されていることを特徴とする発光装置を提供する。
本発明の発光装置によれば、発光素子を封止する光透過性部材の劣化を抑制して発光装置の長寿命化を図ることができる。また、本発明の発光装置によれば、発光素子と光透過性部材を分離することにより、光透過性部材として高温で成形する部材を使用することができる。
[第1の実施の形態]
(発光装置の構成)
図1は、本発明の第1の実施の形態に係る発光装置を示す。この発光装置1は、上面に配線パターン11A,11Bが形成されている基板12と、配線パターン11A,11Bの端部に金バンプ13A,13Bを介して基板12上に搭載された発光素子としてのLEDチップ14と、LEDチップ14に対して空間が形成されるようにして基板12上に設けられた光透過性部材としての封止部材15と、封止部材15の内面に設けられた蛍光体層21とを備える。
(発光装置の構成)
図1は、本発明の第1の実施の形態に係る発光装置を示す。この発光装置1は、上面に配線パターン11A,11Bが形成されている基板12と、配線パターン11A,11Bの端部に金バンプ13A,13Bを介して基板12上に搭載された発光素子としてのLEDチップ14と、LEDチップ14に対して空間が形成されるようにして基板12上に設けられた光透過性部材としての封止部材15と、封止部材15の内面に設けられた蛍光体層21とを備える。
基板12は、絶縁性を備える他、発光装置1の用途等に応じて、耐熱性、耐湿性、加工性等を備えるものを適宜選択する。
LEDチップ14は、本実施の形態においては、青色光を発光するタイプを用いている。LEDチップ14は、下面に金バンプ13A,13Bが接続されている。金バンプ13A,13Bは、LEDチップ14の下面に形成されている電極14a,14bに接続されている。LEDチップ14の表面は、LEDチップからの光取出効率を高めるためにシリコーン等、LEDチップより屈折率が低い(空気の屈折率より高い)材料で覆われている。
封止部材15は、エポキシ、アクリル等の光透過性の樹脂材の成形等により、LEDチップ14の発光中心から等距離のドーム形を成し、ほぼ均一な厚みになるように形成されている。従って、封止部材15でLEDチップ14を封止したとき、封止部材15内には、空気層となる空間が形成される。この封止部材15は、その周縁をLEDチップ14を中心にして基板12上に接着等により固定される。なお、封止部材15は、他の材料、例えば、光透過性のガラス材を用いることもできる。
蛍光体層21は、LEDチップ14から放射される青色光によって励起されることにより、黄色光を発する珪酸塩系の蛍光体を用いて形成されている。LEDチップ14から放射され、蛍光体層21を透過した青色光と、蛍光体層21から放射される黄色光との混合により白色光が生成される。なお、蛍光体層21は、前記珪酸塩系のほか、例えば、YAG(Yttrium Aluminum Garnet)蛍光体等のガーネット系の蛍光体を用いることもできる。また、近紫外光(405nm)LED+蛍光体や紫外線発光LED+蛍光体の組み合わせでもよい。
また、蛍光体層21は、封止部材15の内面に上記した蛍光体を塗布して形成し、或いは、封止部材15の内面に嵌合するドーム状の1つの部品にすることもできる。さらに、蛍光体を封止部材15に添加することもできる。この添加は、蛍光体層21と併用し、或いは蛍光体層21に代えて用いることができる。
(発光装置の発光経路)
図2は、第1の実施の形態における発光装置の光出射経路を示す。図1及び図2において、外部の電源回路等から配線パターン11A,11Bに所定の電圧が印加されると、半田バンプ13A,13Bを通して電源がLEDチップ14に供給され、LEDチップ14が青色光を発光する。
図2は、第1の実施の形態における発光装置の光出射経路を示す。図1及び図2において、外部の電源回路等から配線パターン11A,11Bに所定の電圧が印加されると、半田バンプ13A,13Bを通して電源がLEDチップ14に供給され、LEDチップ14が青色光を発光する。
LEDチップ14からの青色光は、蛍光体層21および封止部材15を通して外部に出射される。LEDチップ14からの青色光が蛍光体層21を透過する際、一部は黄色光に変換され、封止部材15を透過するので、封止部材15を透過した青色光と黄色光との混合により白色光が生成される。封止部材15は、その内面からLEDチップ14の発光部までの距離が均等であるため、封止部材15の表面から、光はほぼ均等に図示の矢印Aのように出光する。
(第1の実施の形態の効果)
第1の実施の形態によれば、下記の効果を奏する。
(イ)封止部材15をドーム状にし、LEDチップ14と封止部材15の間に空間(空気層)を形成したので、LEDチップ14と封止部材15の接触がなくなるとともに両者間の距離が長くなり、LEDチップ14の発光強度が大きくなっても、封止部材15のダメージを軽減することができる。
(ロ)封止部材15の内側に蛍光体層21を均一な厚さに形成することにより、青色光を発生するLEDチップ14との組み合わせによって光出射方向により色の違いの少ない白色光を得ることができる。
(ハ)封止部材15とLEDチップ14を分離することにより、高温で成形する封止部材が使用できるため、ガラス等の紫外光に強い材料を選択することができる。
(ニ)封止部材15内を密封せずに済むため、封止部材15の樹脂使用量が少なくなり、発光装置1を軽量化することができる。
(ホ)LEDチップ14から放出された光がチップ近傍の蛍光体等で反射されることがなく、LEDチップ14内に戻る光が減少し、外部に出射される光が多くなる。LEDチップ14の周囲に反射層や蛍光体層を設けることにより、これら層で反射された光が再度出射され、光取出効率を高めることができる。
第1の実施の形態によれば、下記の効果を奏する。
(イ)封止部材15をドーム状にし、LEDチップ14と封止部材15の間に空間(空気層)を形成したので、LEDチップ14と封止部材15の接触がなくなるとともに両者間の距離が長くなり、LEDチップ14の発光強度が大きくなっても、封止部材15のダメージを軽減することができる。
(ロ)封止部材15の内側に蛍光体層21を均一な厚さに形成することにより、青色光を発生するLEDチップ14との組み合わせによって光出射方向により色の違いの少ない白色光を得ることができる。
(ハ)封止部材15とLEDチップ14を分離することにより、高温で成形する封止部材が使用できるため、ガラス等の紫外光に強い材料を選択することができる。
(ニ)封止部材15内を密封せずに済むため、封止部材15の樹脂使用量が少なくなり、発光装置1を軽量化することができる。
(ホ)LEDチップ14から放出された光がチップ近傍の蛍光体等で反射されることがなく、LEDチップ14内に戻る光が減少し、外部に出射される光が多くなる。LEDチップ14の周囲に反射層や蛍光体層を設けることにより、これら層で反射された光が再度出射され、光取出効率を高めることができる。
[第2の実施の形態]
図3は、本発明の第2の実施の形態に係る発光装置を示す。本実施の形態は、第1の実施の形態において、封止部材15を縦長にした構成の封止部材16にしたものであり、その他の構成は第1の実施の形態と同様である。封止部材16は、LEDチップ14と封止部材16との間の空間部も縦長にしており、封止部材16の材料は、封止部材15と同様である。
図3は、本発明の第2の実施の形態に係る発光装置を示す。本実施の形態は、第1の実施の形態において、封止部材15を縦長にした構成の封止部材16にしたものであり、その他の構成は第1の実施の形態と同様である。封止部材16は、LEDチップ14と封止部材16との間の空間部も縦長にしており、封止部材16の材料は、封止部材15と同様である。
図4は、第2の実施の形態における発光装置の光出射経路を示す。図3及び図4において、電源がLEDチップ14に供給されると、LEDチップ14が青色光を発光する。LEDチップ14からの青色光は、蛍光体層21および封止部材16を透過して出射される。LEDチップ14からの青色光は、蛍光体層21を透過する際、一部は黄色光に変換され、封止部材16を透過する。封止部材16を透過して青色光と黄色光が混合され白色光が生成される。この白色光は、その入射方向と封止部材16の面とが成す角度に応じて屈折し、図4の矢印Bのように各方向へ出光する。例えば、LEDチップ14の斜め方向からの放射光に対しては屈折角が大きくなり、鉛直方向の光強度が強くなる。
この第2の実施の形態によれば、封止部材16がやや楕円形を有して凸レンズを形成しているため、鉛直方向(封止部材16の中心方向)に屈折する光を多くすることできる。すなわち、LEDチップ14の光出射面方向の光量を多くすることができる。従って、本実施の形態に係る発光装置1は、例えば、懐中電灯等の照明用光源に適している。その他の効果は、第1の実施の形態と同様である。
[第3の実施の形態]
図5は、本発明の第3の実施の形態に係る発光装置を示す。本実施の形態は、第2の実施の形態において、封止部材16の高さを大きくして楕円形または卵形の形状にした封止部材17を用いたものであり、その他の構成は第2の実施の形態と同様である。
図5は、本発明の第3の実施の形態に係る発光装置を示す。本実施の形態は、第2の実施の形態において、封止部材16の高さを大きくして楕円形または卵形の形状にした封止部材17を用いたものであり、その他の構成は第2の実施の形態と同様である。
図6は、第3の実施の形態における発光装置の光出射経路を示す。図5及び図6において、電源がLEDチップ14に供給されると、LEDチップ14が青色光を発光する。LEDチップ14からの青色光は、蛍光体層21を透過する際、一部が黄色光に変換されるので、青色光と黄色光が混合され白色光が封止部材16から出射される。
図6に示すように、LEDチップ14から基板12に垂直な方向及び基板12に水平な方向に放射された光は、封止部材17をそのまま通過して外部へ出射する。そして、鉛直方向から水平方向に至る範囲に入射した光は、その入射方向と封止部材17の外表面の曲面とが成す角度に応じて屈折し、外部へ出射する。
この第3の実施の形態においては、封止部材17が長楕円の形状を有しているため、屈折率の大きな凸レンズとして機能し、LEDチップ14からの光は、第2の実施の形態に比べ、LEDチップ14の光出射面の前方に、より多く集光することができる。
また、第2の実施の形態に比べ、LEDチップ14の前方への集光度を高めることができるので、前方への集光ビームを得たい用途に適している。その他の効果は、第1の実施の形態と同様である。
[第4の実施の形態]
図7は、本発明の第4の実施の形態に係る発光装置を示す。本実施の形態は、第1の実施の形態において、封止部材15に代えて、その外面形状を偏平にした封止部材18を用いたものであり、その他の構成は第1の実施の形態と同様である。
図7は、本発明の第4の実施の形態に係る発光装置を示す。本実施の形態は、第1の実施の形態において、封止部材15に代えて、その外面形状を偏平にした封止部材18を用いたものであり、その他の構成は第1の実施の形態と同様である。
封止部材18は、上面を平坦に加工した平坦面18aとし、その角部18bは曲面に加工されている。この角部18bの曲面が、LEDチップ14に対してリング状の凸レンズとして機能している。なお、封止部材18の材料は、封止部材15と同様である。
図8は、第4の実施の形態における発光装置の光出射経路を示す。図7及び図8において、電源がLEDチップ14に供給されると、LEDチップ14が青色光を発光する。LEDチップ14からの青色光は、蛍光体層21を透過する際、一部は黄色光に変換され、青色光と黄色光が混合され白色光となって封止部材18から出射される。
図8に示すように、蛍光体層21を通して封止部材18の中心及び水平方向に入射した光は、そのまま封止部材18を透過する。しかし、封止部材18の角部18bに入射した光は、角部18bが曲面により凸レンズを形成しているために屈折し、所定の位置に集光する。
この第4の実施の形態によれば、LEDチップ14からの光をリング状に集光させることができるので、例えば、リング状の光ビームを得たい用途に利用することができる。その他の効果は、第1の実施の形態と同様である。
[第5の実施の形態]
図9は、本発明の第5の実施の形態に係る発光装置を示す。本実施の形態は、第4の実施の形態において、封止部材18の平坦面18aに反射部19を形成したものであり、その他の構成は、第4の実施の形態と同様である。
図9は、本発明の第5の実施の形態に係る発光装置を示す。本実施の形態は、第4の実施の形態において、封止部材18の平坦面18aに反射部19を形成したものであり、その他の構成は、第4の実施の形態と同様である。
図10は、第5の実施の形態における発光装置の光出射経路を示す。図9及び図10において、電源がLEDチップ14に供給されると、LEDチップ14が青色光を発光する。その青色光は、蛍光体層21を透過する際、一部は黄色光に変換され、青色光と黄色光が混合され白色光となって封止部材18から出射される。
蛍光体層21を通して封止部材18の反射部19へ入射した光は、一部が反射し、残りは反射部19を通過する。反射部19で反射した光は、一旦、内側へ反射した後、さらに反射光Cのように、基板12の表面で反射し、最後に封止部材18を透過して外部へ出射する。
また、LEDチップ14から封止部材18の角部18bに入射した光は、角部18bが曲面により凸レンズを形成しているため、所定位置に集光するように屈折して出光する。
この第5の実施の形態によれば、第4の実施の形態の効果に加え、封止部材18の反射部19に入射した光は、反射部19で反射してサイド方向に出射するため、正面以外の方向、特に斜め方向の光強度を高めることができる。
[第6の実施の形態]
図11は、本発明の第6の実施の形態に係る発光装置を示す。本実施の形態は、図7に示した第4の実施の形態において、封止部材18の上面に凹部20を形成したものであり、その他の構成は、第4の実施の形態と同様である。
図11は、本発明の第6の実施の形態に係る発光装置を示す。本実施の形態は、図7に示した第4の実施の形態において、封止部材18の上面に凹部20を形成したものであり、その他の構成は、第4の実施の形態と同様である。
凹部20は、すり鉢状の断面形状を有し、その中心はLEDチップ14の光出射面の中心に合致している。封止部材18の角部18bは、凹部20が設けられたことによって、凸レンズの曲面半径は第4の実施の形態に比べて小さくなっている。従って、角部18bによる凸レンズの焦点距離fは、第4の実施の形態に比べて短くなっている。
図12は、第6の実施の形態における発光装置の光出射経路を示す。図11及び図12において、電源がLEDチップ14に供給されると、LEDチップ14が青色光を発光する。この青色光は蛍光体層21を透過する際、一部は黄色光に変換され、青色光と黄色光が混合されて白色光が封止部材18から出射される。
LEDチップ14から蛍光体層21を介して封止部材18の凹部20に入射した光のうち、中心に入射した光は、そのまま透過して外部へ出射する。また、基板12に水平な方向から封止部材18に入射する光も、そのまま透過して外部へ出射する。一方、凹部20の傾斜面に入射した光は、傾斜面の角度と入射光の角度に応じた屈折角により屈折し、外部へ出射する。
また、LEDチップ14から封止部材18の角部18bに入射した光は、角部18bにより形成された凸レンズによって定まる屈折角により屈折して出光する。
この第6の実施の形態によれば、第4の実施の形態に比べ、斜め上方向への光強度をさらに高めることができる。
[第7の実施の形態]
図13は、本発明の第7の実施の形態に係る発光装置を示す。本実施の形態は、図11に示した第6の実施の形態において、凹部20の傾斜面に第5の実施の形態に示した反射部19を設けたものであり、その他の構成は第6の実施の形態と同様である。
図13は、本発明の第7の実施の形態に係る発光装置を示す。本実施の形態は、図11に示した第6の実施の形態において、凹部20の傾斜面に第5の実施の形態に示した反射部19を設けたものであり、その他の構成は第6の実施の形態と同様である。
図14は、第7の実施の形態における発光装置の光出射経路を示す。図13及び図14において、電源がLEDチップ14に供給されると、LEDチップ14が青色光を発光する。この青色光は蛍光体層21を透過する際、蛍光体層21により黄色光に変換され、青色光と黄色光が混合され白色光として封止部材18から出射される。
LEDチップ14から封止部材18の反射部19に入射した光は、その傾斜面の角度に応じた屈折角により反射光Dとなって屈折し、封止部材18の側面方向へ出射する。さらに、LEDチップ14から封止部材18の周縁部18cに入射した光は、周縁部18cにより形成された凸レンズによって、リング状に集光するように屈折する。また、封止部材18の側面に入射した光は、封止部材18の材質により定まる屈折率で屈折し、斜め上方向へ出射する。
この第7の実施の形態によれば、封止部材18設けられた凹部20の内面に反射部19を設けたことにより、第6の実施の形態に比べ、斜め上方向及び横方向への光出射量を更に増大させることができる。
[第8の実施の形態]
図15は、本発明の第8の実施の形態に係る発光装置を示す。本実施の形態は、第1の実施の形態において、基板12に代えてセラミック等によるパッケージ30を用いたものであり、その他の構成は、第1の実施の形態と同様である。
図15は、本発明の第8の実施の形態に係る発光装置を示す。本実施の形態は、第1の実施の形態において、基板12に代えてセラミック等によるパッケージ30を用いたものであり、その他の構成は、第1の実施の形態と同様である。
パッケージ30は、LEDチップ14を搭載するための凹部30aを有している。図示を省略しているが、凹部30aの底面には、LEDチップ14の半田バンプ13A,13Bに接続される配線パターンが形成されている。更に、凹部30aの傾斜面には、反射部材31が設けられている。この反射部材31は、反射率の高い物質や塗料の塗布、メッキ、蒸着、金属箔の貼付等により形成することができる。なお、反射部材31は、LEDチップ14の搭載状況等によっては、省略してもよい。
図16は、第8の実施の形態における発光装置の光出射経路を示す。図15及び図16において、電源がLEDチップ14に供給されると、LEDチップ14が青色光を発光する。この青色光の内の水平方向に放射されたものを除く青色光は、蛍光体層21に入射する。また、LEDチップ14から反射部材31に向けて放射された青色光は、反射部材31で反射した後、蛍光体層21に入射する。
蛍光体層21では、第1の実施の形態で説明したように、LEDチップ14による青色光と、蛍光体層21から放射される黄色光との混合により、白色光が生成される。この白色光は、封止部材15に入射し、その入射光の入射角度に応じた屈折角により封止部材15から出射する。
この第8の実施の形態によれば、発光装置1をパッケージタイプにした場合でも、第1の実施の形態と同様の効果を得ることができる。更に、反射部材31を設けることにより、上方向への出射光量を増大させることができる。
[第9の実施の形態]
図17は、本発明の第9の実施の形態に係る発光装置を示す。本実施の形態は、第1の実施の形態において、LEDチップ14と封止部材15の間に耐紫外線特性を有するシリコーン等の樹脂を第2の封止部材22として充填したものであり、その他の構成は第1の実施の形態と同様である。
図17は、本発明の第9の実施の形態に係る発光装置を示す。本実施の形態は、第1の実施の形態において、LEDチップ14と封止部材15の間に耐紫外線特性を有するシリコーン等の樹脂を第2の封止部材22として充填したものであり、その他の構成は第1の実施の形態と同様である。
第9の実施の形態によれば、第2の封止部材22をLEDチップ14と封止部材15の間に介在させたことにより、LEDチップ14による青色光に含む紫外線が封止部材15に到達する量を低減できる。その他の構成は、第1の実施の形態と同様である。
[第10の実施の形態]
図18は、本発明の第10の実施の形態に係る発光装置を示す。本実施の形態は、第1の実施の形態において、基板12上に複数のLEDチップ14A,14B,14C,14Dを搭載してマルチチップの構成にするとともに、内面に蛍光体層21が塗布された封止部材23でLEDチップ14A〜14Dを封止して、発光装置10を構成したものである。
図18は、本発明の第10の実施の形態に係る発光装置を示す。本実施の形態は、第1の実施の形態において、基板12上に複数のLEDチップ14A,14B,14C,14Dを搭載してマルチチップの構成にするとともに、内面に蛍光体層21が塗布された封止部材23でLEDチップ14A〜14Dを封止して、発光装置10を構成したものである。
LEDチップ14A〜14Dは同一構成であるとともに、その構成及び仕様は、前記各実施の形態に示したLEDチップ14と同様である。また、ここでは、LEDチップを4個(14A〜14D)としたが、任意数にすることができる。
基板12は、前記各実施の形態に示した配線パターン11A,11Bのほか、配線パターン11C,11D,11Eが形成されている。配線パターン11A〜11Eは、一直線上に所定の間隔をもって配設されている。LEDチップ14A〜14Dは、同じ向きにして配線パターン11A〜11Eの隣接間に実装されている。つまり、LEDチップ14A〜14Dは、配線パターン11A,11C〜11E,11Bによって直列接続されている。
封止部材23は、第1の実施の形態における封止部材15と同様の材料を用いて作られており、凸レンズとして機能する形状に形成されている。なお、図18では、周縁部の曲率半径を他の部分に比べて小さくしているが、他の実施の形態に示した構成にすることができる。
この第10の実施の形態によれば、LEDチップ14A〜14Dを1枚の基板12上に搭載したことにより、発光強度を上げることができる。なお、蛍光体層21を設けず、LEDチップとして、赤色光を出射する赤色LED、緑色光を出射する緑色LED、青色光を出射する青色LEDを用いてもよい。これにより、様々な色の光を発光させることができる。
[第11の実施の形態]
図19は、本発明の第11の実施の形態に係る発光装置を示す。本実施の形態は、第10の実施の形態において、封止部材23の形状を表面が平坦な封止部材24に代えたものであり、その他の構成は第10の実施の形態と同様である。
図19は、本発明の第11の実施の形態に係る発光装置を示す。本実施の形態は、第10の実施の形態において、封止部材23の形状を表面が平坦な封止部材24に代えたものであり、その他の構成は第10の実施の形態と同様である。
この第11の実施の形態によれば、発光装置10の全体の高さを低くすることができる。
本発明者らは、図1に示した構成の発光装置1において、LEDチップに接する面と、離れた部分とにおける放射強度について検討した。まず、0.3mm×0.3mm×1mmのサイズのLEDチップ14を用意した。このLEDチップ14の表面積SLED(mm2)は、次のようになる。
SLED=0.3×0.3×1+0.3×0.1×4=0.21(mm2)
SLED=0.3×0.3×1+0.3×0.1×4=0.21(mm2)
LEDチップ14から、Po=4mWの放射束の光が、図2に示すように、各矢印で示す方向から180°の範囲に均等に放射されたとすると、LEDチップ14に接する部分の放射照度ELED(mW/mm2)は、次のようになる。
ELED=4/SLED=4/0.21=19.05(mW/mm2)
=1905(mW/cm2)・・・(1)
ELED=4/SLED=4/0.21=19.05(mW/mm2)
=1905(mW/cm2)・・・(1)
また、封止樹脂15の形状が、LEDチップ14を中心にした半球形状で、その内面直径Dが5mmの場合、その表面積SM(mm2)は、次のようになる。
SM=πD2/2=39(mm2)
SM=πD2/2=39(mm2)
ここで、Po=4mWの放射束の光が、LEDチップ14から封止樹脂15の半球面に均等に放射されるとすると、放射照度EMは、次のようになる。
EM=4/SM=0.10(mW/mm2)=10(mW/cm2)・・・(2)
EM=4/SM=0.10(mW/mm2)=10(mW/cm2)・・・(2)
従って、LEDチップ14に接する面と、内面直径Dが5mmの半球面とでは、(1)式及び(2)式から、両者の比は1905/10=190となる。つまり、LEDチップ14に接する面と、封止部材15の内面とでは、放射照度は190倍の差になる。
例えば、環境試験でよく使用されるサンシャインウェザーメータでは、25.5mW/cm2程度である。サンシャインウェザーメータと比較した場合、波長が短い光で樹脂劣化及び蛍光体劣化が激しくなり、サンシャインウェザーメータでは、波長300nm〜700nmの光の放射照度であるため、青色LEDや紫外線LEDの場合、条件が悪くなる。従って、第1の実施の形態のように、LEDチップ14と封止部材15の内面との間の距離を大きくとることにより、樹脂劣化及び蛍光体劣化を低減することができる。
[第12の実施の形態]
図20は、本発明の第12の実施の形態に係る発光装置を示す。本実施の形態は、図1に示した第1の実施の形態において、蛍光体層21の内側であって、基板12の表面(素子搭載面)に反射層200を設けたものであり、その他の構成は第1の実施の形態と同様である。
図20は、本発明の第12の実施の形態に係る発光装置を示す。本実施の形態は、図1に示した第1の実施の形態において、蛍光体層21の内側であって、基板12の表面(素子搭載面)に反射層200を設けたものであり、その他の構成は第1の実施の形態と同様である。
図21は、第12の実施の形態における発光装置の光出射経路を示す。図20及び図21において、外部の電源回路等から配線パターン11A,11Bに所定の電圧が印加されると、半田バンプ13A,13Bを通して電源がLEDチップ14に供給され、LEDチップ14が青色光を発光する。
LEDチップ14からの青色光は、蛍光体層21および封止部材15を通して外部に出射される。また、LEDチップ14から青色光が反射層200で反射され、空気層、蛍光体層21および封止部材15を通して外部に出射される。LEDチップ14からの青色光が蛍光体層21を透過する際、一部は黄色光に変換され、封止部材15を透過するので、封止部材15を透過した青色光と黄色光との混合により白色光が生成される。なお、反射層200の代わりに蛍光体層(図示せず)を設けると、この蛍光体層において青色光と黄色光(波長変換光)との混合光としての白色光が生成される。封止部材15は、その内面からLEDチップ14の発光部までの距離が均等であるため、封止部材15の表面から、光はほぼ均等に図示の矢印Aのように出光する。
この第12の実施の形態によれば、基板12の表面に反射層200(蛍光体層)が設けられているため、封止部材15から出射される光が多くなり、光取出効率を高めることができる。
[他の実施の形態]
なお、本発明は、上記各実施の形態に限定されず、本発明の技術思想を逸脱あるいは変更しない範囲内で種々な変形が可能である。例えば、図17の第9の実施の形態に示した第2の封止部材22は、他の実施の形態に設けることも可能である。
なお、本発明は、上記各実施の形態に限定されず、本発明の技術思想を逸脱あるいは変更しない範囲内で種々な変形が可能である。例えば、図17の第9の実施の形態に示した第2の封止部材22は、他の実施の形態に設けることも可能である。
また、第1〜第9の実施の形態に示した各封止部材の形状は、第10及び第11の実施の形態にも適用可能である。
また、上記各実施の形態において、LEDチップ14,14A〜14Dは、その発光面に粗面処理が施されていてもよい。
また、上記各実施の形態において、蛍光体層を形成しない構成とすることができる。
1,10 発光装置
11A〜11E 配線パターン
12 基板
13A,13B 金バンプ
14,14A〜14D LEDチップ
14a,14b 電極
15、16,17,18 封止部材
18a 平坦面
18b 角部
18c 周縁部
19 反射部
20 凹部
21 蛍光体層
22 第2の封止部材
23,24 封止部材
30 パッケージ
30a 凹部
31 反射部材
11A〜11E 配線パターン
12 基板
13A,13B 金バンプ
14,14A〜14D LEDチップ
14a,14b 電極
15、16,17,18 封止部材
18a 平坦面
18b 角部
18c 周縁部
19 反射部
20 凹部
21 蛍光体層
22 第2の封止部材
23,24 封止部材
30 パッケージ
30a 凹部
31 反射部材
Claims (10)
- 光透過性部材によって封止された発光素子を備えた発光装置において、
前記光透過性部材は、前記発光素子に接触しない状態で配置されていることを特徴とする発光装置。 - 前記光透過性部材は、前記発光素子との間に空気層が形成されていることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
- 前記光透過性部材は、前記発光素子から放射される放射光を受けて励起されることにより波長変換光を放射する蛍光体層が内面に配設されている請求項1または2に記載の発光装置。
- 前記光透過性部材は、全体または一部が凸レンズまたは凹レンズとして機能する形状を有していることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記光透過性部材は、前記発光素子の光出射面に対向する部位の表面に、前記発光素子からの放射光を反射する反射部を有することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の発光装置。
- 耐紫外線特性及び光透過性を有する第2の封止部材が、前記光透過性部材と前記発光素子との間に充填されていることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記発光素子は、複数からなることを特徴とする請求項1記載の発光装置。
- 前記発光素子は、発光ダイオードであることを特徴とする請求項1または7に記載の発光装置。
- 前記発光素子の表面は、前記発光素子の屈折率と空気の屈折率との間の屈折率をもつ材料で覆われている請求項1に記載の発光装置。
- 前記光透過性部材の内側であって、前記発光素子を搭載する基板の表面には、反射層または蛍光体層が設けられている請求項1に記載の発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005233251A JP2007049019A (ja) | 2005-08-11 | 2005-08-11 | 発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2005233251A JP2007049019A (ja) | 2005-08-11 | 2005-08-11 | 発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2007049019A true JP2007049019A (ja) | 2007-02-22 |
Family
ID=37851587
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005233251A Pending JP2007049019A (ja) | 2005-08-11 | 2005-08-11 | 発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2007049019A (ja) |
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|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
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|
| A977 | Report on retrieval |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A02 | Decision of refusal |
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