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JP2006332114A - Connection substrate, semiconductor device, and method of manufacturing connection substrate - Google Patents

Connection substrate, semiconductor device, and method of manufacturing connection substrate Download PDF

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JP2006332114A
JP2006332114A JP2005149661A JP2005149661A JP2006332114A JP 2006332114 A JP2006332114 A JP 2006332114A JP 2005149661 A JP2005149661 A JP 2005149661A JP 2005149661 A JP2005149661 A JP 2005149661A JP 2006332114 A JP2006332114 A JP 2006332114A
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JP
Japan
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connection
substrate
substrate body
insulating material
board
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Application number
JP2005149661A
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Japanese (ja)
Inventor
Toshio Kobayashi
敏男 小林
Sunao Arai
直 荒井
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Shinko Electric Industries Co Ltd
Original Assignee
Shinko Electric Industries Co Ltd
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Publication date
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Abstract

【課題】 本発明は、小型化でき、電子部品及び回路基板の端子ピッチの微細化に対応することのできる接続用基板、半導体装置、及び接続基板の製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 貫通孔15が形成された基板本体13と、基板本体13に配設される接続ピン17とを有し、接続ピンは、貫通孔15に配設され、基板本体13の面方向と直交する方向に延在する貫通部分18と、貫通部分18の両端に設けられると共に、貫通部分18に対する角度が略直角となるように折り曲げられた接続部分19A,19Bとを備えた構成とする。
【選択図】 図3
An object of the present invention is to provide a connection substrate, a semiconductor device, and a method for manufacturing the connection substrate that can be miniaturized and can cope with the miniaturization of the terminal pitch of electronic components and circuit boards.
SOLUTION: A substrate body 13 in which a through hole 15 is formed, and a connection pin 17 disposed in the substrate body 13, and the connection pin is disposed in the through hole 15 and the surface direction of the substrate body 13 is provided. And a connecting portion 19A, 19B which is provided at both ends of the penetrating portion 18 and is bent so that an angle with respect to the penetrating portion 18 is substantially a right angle. .
[Selection] Figure 3

Description

本発明は、接続用基板、半導体装置、及び接続基板の製造方法に係り、特に電子部品と回路基板との間を電気的に接続する接続用基板、半導体装置、及び接続基板の製造方法に関する。   The present invention relates to a connection substrate, a semiconductor device, and a method for manufacturing the connection substrate, and more particularly to a connection substrate, a semiconductor device, and a method for manufacturing the connection substrate that electrically connect an electronic component and a circuit board.

従来、電子部品とマザーボード等の回路基板との間を電気的に接続するものとして、図1に示すようなコネクタがある。   Conventionally, there is a connector as shown in FIG. 1 as an electrical connection between an electronic component and a circuit board such as a mother board.

図1は、コネクタの斜視図であり、図2は、弾性コンタクトの斜視図である。図1に示すように、コネクタ100は、電子部品と回路基板との間を接続するコンタクトモジュール101と、コンタクトモジュール101を配設するための開口部104を有したホルダ102とを備えた構成とされている。   FIG. 1 is a perspective view of a connector, and FIG. 2 is a perspective view of an elastic contact. As shown in FIG. 1, the connector 100 includes a contact module 101 for connecting an electronic component and a circuit board, and a holder 102 having an opening 104 for disposing the contact module 101. Has been.

コンタクトモジュール101は、ホルダ102の開口部104に直接装着されるモジュールボディ106と、モジュールボディ106内に収容される弾性コンタクト108とを有する。   The contact module 101 includes a module body 106 that is directly attached to the opening 104 of the holder 102 and an elastic contact 108 that is accommodated in the module body 106.

弾性コンタクト108は、弾性を有した部材により構成されており、図2に示すような湾曲した形状とされている。また、弾性コンタクト108は、その両端にコンタクト部109を有しており、コンタクト部109には、電子部品及び回路基板のいずれか一方がそれぞれ接続される(例えば、特許文献1参照。)。
特開平6−325810号公報
The elastic contact 108 is made of an elastic member and has a curved shape as shown in FIG. The elastic contact 108 has contact portions 109 at both ends thereof, and either one of an electronic component and a circuit board is connected to the contact portion 109 (see, for example, Patent Document 1).
JP-A-6-325810

しかしながら、従来のコネクタ100では、弾性コンタクト108が湾曲した形状とされているため、コンタクトモジュール101のサイズが大きくなってしまい、コンタクトモジュール101の小型化を図ることが困難であるという問題があった。   However, in the conventional connector 100, since the elastic contact 108 has a curved shape, the size of the contact module 101 is increased, and it is difficult to reduce the size of the contact module 101. .

そのため、コンタクトモジュール101の配設ピッチを狭くすることが困難であり、電子部品及び回路基板の端子ピッチの微細化に対応できないという問題があった。   Therefore, it is difficult to reduce the arrangement pitch of the contact modules 101, and there is a problem that it is not possible to cope with the miniaturization of the terminal pitch of the electronic component and the circuit board.

そこで本発明は、上述した問題点に鑑みなされたものであり、小型化でき、電子部品及び回路基板の端子ピッチの微細化に対応することのできる接続用基板、半導体装置、及び接続基板の製造方法を提供することを目的とする。   Therefore, the present invention has been made in view of the above-described problems, and can be miniaturized, and can be used for manufacturing a connection board, a semiconductor device, and a connection board that can cope with the miniaturization of terminal pitches of electronic components and circuit boards. It aims to provide a method.

本発明の一観点によれば、電子部品と回路基板との間を接続ピンによって電気的に接続する接続用基板であって、貫通孔が形成された基板本体を有し、前記接続ピンは、前記貫通孔に配設され、前記基板本体の面方向と直交する方向に延在する貫通部分と、該貫通部分の両端に設けられると共に、該貫通部分に対する角度が略直角となるように折り曲げられた接続部分とを有することを特徴とする接続用基板が提供される。   According to one aspect of the present invention, there is provided a connection board for electrically connecting an electronic component and a circuit board by a connection pin, the board having a substrate body in which a through hole is formed, and the connection pin includes: A through portion disposed in the through hole and extending in a direction orthogonal to the surface direction of the substrate body, and provided at both ends of the through portion, and bent so that an angle with respect to the through portion is substantially a right angle. And a connecting portion having a connecting portion.

本発明によれば、電子部品と回路基板との間を接続する接続ピンを、基板本体の面方向と直交する方向に延在する貫通部分と、貫通部分の両端に設けられると共に、貫通部分に対して略直角となるように折り曲げられた接続部分とを有した構成とすることにより、接続ピンを小型化することが可能となる。また、接続ピンを小型化することにより、接続ピンの配設ピッチを狭くすることが可能となり、電子部品及び回路基板の端子ピッチの微細化に対応させることができる。   According to the present invention, the connection pins for connecting the electronic component and the circuit board are provided at the through part extending in the direction orthogonal to the surface direction of the board body, at both ends of the through part, and at the through part. The connection pin can be reduced in size by having a connection portion bent so as to be substantially perpendicular to the connection. Further, by downsizing the connection pins, it is possible to reduce the arrangement pitch of the connection pins, and it is possible to cope with the miniaturization of the terminal pitch of the electronic component and the circuit board.

また、前記貫通孔が形成された基板本体の表面を覆うと共に、グラウンド電位とされた金属層をさらに備え、前記接続部分と金属層との間に隙間を形成すると共に、該金属層と貫通部分との間を絶縁する第1の絶縁材を設けてもよい。これにより、金属層が設けられた基板本体と接続ピンとの間を絶縁することができる。   In addition, a metal layer that covers the surface of the substrate body in which the through hole is formed and that is at a ground potential is further provided, and a gap is formed between the connection portion and the metal layer. You may provide the 1st insulating material which insulates between. Thereby, it is possible to insulate between the substrate body provided with the metal layer and the connection pins.

さらに、前記第2の絶縁材は、前記接続部分を露出させた状態で、前記基板本体の両面に設けられた金属層を覆うように設けてもよい。このように、第2の絶縁材を設けることにより、接続部分と金属層との接触を防いで、接続部分と金属層との間におけるショートを防止できる。   Furthermore, the second insulating material may be provided so as to cover the metal layers provided on both surfaces of the substrate body with the connection portion exposed. Thus, by providing the second insulating material, contact between the connection portion and the metal layer can be prevented, and a short circuit between the connection portion and the metal layer can be prevented.

本発明の他の観点によれば、導電性を有すると共に、貫通孔が形成された基板本体と、前記貫通孔に配設され、前記基板本体の面方向と直交する方向に延在する貫通部分と、該貫通部分の両端に設けられると共に、該貫通部分に対する角度が略直角となるように折り曲げられた接続部分とを有する接続ピンと、前記導電性を有する基板本体と貫通部分との間を絶縁する第1の絶縁材とを備え、電子部品と回路基板との間を前記接続ピンにより電気的に接続する接続用基板の製造方法であって、前記基板本体を準備する基板本体準備工程と、前記接続部分が前記基板本体の両面から突出するように、前記接続部分が折り曲げられていない接続ピンを前記貫通孔に配設する接続ピン配設工程と、前記貫通部分と基板本体との間に前記第1の絶縁材を形成する第1の絶縁材形成工程と、前記接続部分と基板本体との間に隙間が形成されるよう、該接続部分を折り曲げる接続部分折曲工程と設けたことを特徴とする接続用基板の製造方法が提供される。   According to another aspect of the present invention, the substrate body has conductivity and is provided with a through hole, and the through portion is disposed in the through hole and extends in a direction perpendicular to the surface direction of the substrate body. And a connecting pin that is provided at both ends of the penetrating portion and is bent so that an angle with respect to the penetrating portion is substantially a right angle, and the conductive substrate body and the penetrating portion are insulated from each other And a substrate body preparation step of preparing the substrate body, comprising: a first insulating material that is electrically connected to the electronic component and the circuit board by the connection pins. A connection pin disposing step of disposing a connection pin in which the connection portion is not bent in the through hole so that the connection portion protrudes from both sides of the substrate body; and between the through portion and the substrate body The first insulating material A connecting substrate comprising: a first insulating material forming step to be formed; and a connecting portion bending step of bending the connecting portion so as to form a gap between the connecting portion and the substrate body. A manufacturing method is provided.

本発明によれば、小型化が可能な接続ピンを形成できると共に、接続ピンを狭い配設ピッチで基板本体に設けて、電子部品及び回路基板の端子ピッチの微細化に対応させることができる。   According to the present invention, it is possible to form a connection pin that can be miniaturized, and to provide the connection pin on the board body with a narrow arrangement pitch to cope with the miniaturization of the terminal pitch of the electronic component and the circuit board.

また、前記接続ピン配設工程と接続部分折曲工程との間に、前記接続部分を露出させた状態で、前記導電性を有する基板本体の両面を覆うよう第2の絶縁材を形成する第2の絶縁材形成工程をさらに設けてもよい。   Further, a second insulating material is formed between the connecting pin arranging step and the connecting portion bending step so as to cover both surfaces of the conductive substrate body with the connecting portion exposed. Two insulating material forming steps may be further provided.

このような第2の絶縁材形成工程を設けることにより、導電性を有する基板本体と接続部分との接触を防いで、接続部分と金属層との間におけるショートを防止することができる。   By providing such a second insulating material forming step, contact between the conductive substrate body and the connection portion can be prevented, and a short circuit between the connection portion and the metal layer can be prevented.

本発明によれば、小型化でき、電子部品及び回路基板の端子ピッチの微細化に対応することのできる接続用基板、半導体装置、及び接続基板の製造方法を提供できる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the manufacturing method of the board | substrate for a connection which can be reduced in size and can respond to refinement | miniaturization of the terminal pitch of an electronic component and a circuit board, a semiconductor device, and a connection board can be provided.

次に、図面に基づいて本発明の実施の形態について説明する。
(第1の実施の形態)
図3は、本発明の第1の実施の形態による半導体装置の断面図である。図3において、X,X方向は基板本体13の面方向、Y,Y方向はX,X方向と直交する方向をそれぞれ示している。
Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
(First embodiment)
FIG. 3 is a cross-sectional view of the semiconductor device according to the first embodiment of the present invention. In FIG. 3, X and X directions indicate the surface direction of the substrate body 13, and Y and Y directions indicate directions orthogonal to the X and X directions, respectively.

図3に示すように、半導体装置10は、接続用基板11と、電子部品である半導体素子12とを有しており、半導体素子12がはんだバンプ25を介して接続用基板11と電気的に接続された構成とされている。   As shown in FIG. 3, the semiconductor device 10 includes a connection substrate 11 and a semiconductor element 12 that is an electronic component, and the semiconductor element 12 is electrically connected to the connection substrate 11 via solder bumps 25. Connected configuration.

接続用基板11は、基板本体13と、接続ピン17と、第1の絶縁材21とを有する。基板本体13は、複数の貫通孔15が形成された基材14と、金属層16とを有する。基材14は、板状とされている。基材14の材料としては、例えば、エポキシ系樹脂を用いることができる。また、基材14の厚さM1は、例えば、2mm〜3mmとすることができる。   The connection substrate 11 includes a substrate body 13, connection pins 17, and a first insulating material 21. The substrate body 13 includes a base material 14 having a plurality of through holes 15 and a metal layer 16. The base material 14 is plate-shaped. As a material of the base material 14, for example, an epoxy resin can be used. Moreover, the thickness M1 of the base material 14 can be 2 mm-3 mm, for example.

図4は、接続ピンが設けられた部分の接続用基板を拡大した平面図である。図4において、説明の便宜上、金属層16の図示を省略する。   FIG. 4 is an enlarged plan view of a connection substrate in a portion where connection pins are provided. In FIG. 4, the illustration of the metal layer 16 is omitted for convenience of explanation.

図4に示すように、貫通孔15は、四角形状とされており、基材14を貫通するように形成されている。貫通孔15は、接続ピン17を配設するためのものである。貫通孔15の幅W1,W2は、例えば、それぞれ0.7mmとすることができる。また、貫通孔15の配設ピッチは、例えば、1mmとすることができる。   As shown in FIG. 4, the through hole 15 has a quadrangular shape and is formed so as to penetrate the base material 14. The through hole 15 is for arranging the connection pin 17. The widths W1 and W2 of the through holes 15 can be set to 0.7 mm, for example. The arrangement pitch of the through holes 15 can be set to 1 mm, for example.

金属層16は、複数の貫通孔15が形成された基材14の表面を覆うように設けられている。金属層16は、グラウンド電位とされている。金属層16は、例えば、めっき法により形成することができる。   The metal layer 16 is provided so as to cover the surface of the base material 14 on which the plurality of through holes 15 are formed. The metal layer 16 has a ground potential. The metal layer 16 can be formed by, for example, a plating method.

図5は、接続ピンの斜視図である。次に、図3及び図5を参照して、接続ピン17について説明する。   FIG. 5 is a perspective view of the connection pin. Next, the connection pin 17 will be described with reference to FIGS. 3 and 5.

接続ピン17は、貫通部分18と、貫通部分18の端部に設けられると共に、貫通部分18に対する角度θ,θが略直角となるように所定の方向(本実施の形態の場合、図3の右側)へ折り曲げられた接続部分19A,19Bとを有する。接続ピン17は、例えば、薄い板状の導電部材の両端を折り曲げることで形成することができる。接続ピン17の材料としては、例えば、CuやCu合金等の金属を用いることができる。接続ピン17の厚さM2は、例えば、0,125mmとすることができる。また、接続ピン17の幅W3は、例えば、0.35mmとすることができる。 The connection pin 17 is provided at the penetrating portion 18 and at the end of the penetrating portion 18 and in a predetermined direction so that the angles θ 1 and θ 2 with respect to the penetrating portion 18 are substantially perpendicular (in the case of the present embodiment, FIG. 3 (right side of 3) and connection portions 19A and 19B. The connection pin 17 can be formed by, for example, bending both ends of a thin plate-like conductive member. As a material of the connection pin 17, for example, a metal such as Cu or Cu alloy can be used. The thickness M2 of the connection pin 17 can be set to, for example, 0, 125 mm. Further, the width W3 of the connection pin 17 can be set to 0.35 mm, for example.

貫通部分18は、絶縁材21を介して貫通孔15に配設されており、基板本体13の面方向(X,X方向)と直交する方向に延在している。貫通部分18は、接続部分19Aと接続部分19Bとの間を電気的に接続するためのものである。   The through portion 18 is disposed in the through hole 15 via the insulating material 21, and extends in a direction orthogonal to the surface direction (X, X direction) of the substrate body 13. The through portion 18 is for electrically connecting the connection portion 19A and the connection portion 19B.

接続部分19Aは、基材14の上面14A側に位置する貫通部分18の端部に設けられている。また、接続部分19Aと金属層16との間には、隙間E1が形成されている。接続部分19Aは、半導体素子12を実装するためのものである。接続部分19Aと金属層16と間の隙間E1の大きさは、例えば、0.1mmとすることができる。また、接続部分19Aの長さL1は、例えば、0.5mmとすることができる。   The connecting portion 19A is provided at the end of the penetrating portion 18 located on the upper surface 14A side of the base material 14. A gap E <b> 1 is formed between the connection portion 19 </ b> A and the metal layer 16. The connecting portion 19A is for mounting the semiconductor element 12. The size of the gap E1 between the connection portion 19A and the metal layer 16 can be set to 0.1 mm, for example. Further, the length L1 of the connecting portion 19A can be set to 0.5 mm, for example.

接続部分19Bは、基材14の下面14B側に位置する貫通部分18の端部に設けられている。また、接続部分19Bと金属層16との間には、隙間E2が形成されている。接続部分19Bには、図示していないマザーボード等の回路基板が接続される。接続部分19Bと基板本体13と間の隙間E2の大きさは、例えば、0.1mmとすることができる。また、接続部分19Bの長さL2は、例えば、0.5mmとすることができる。   The connecting portion 19B is provided at the end of the penetrating portion 18 located on the lower surface 14B side of the base material 14. A gap E <b> 2 is formed between the connection portion 19 </ b> B and the metal layer 16. A circuit board such as a mother board (not shown) is connected to the connection portion 19B. The size of the gap E2 between the connection portion 19B and the substrate body 13 can be set to 0.1 mm, for example. Further, the length L2 of the connecting portion 19B can be set to 0.5 mm, for example.

基板本体13への接続ピン17の装着は、例えば、貫通部分18に対応する基板本体13に係合用の溝部を設けると共に、係合用の突起を備えた第1の絶縁材21を貫通部分18に設け、第1の絶縁材21が設けられた接続ピン17を挿入して、基板本体13の溝部と第1の絶縁材21の突起とを係合させることにより行なうことができる。   The connection pins 17 are mounted on the board body 13 by, for example, providing a groove portion for engagement in the board body 13 corresponding to the penetrating portion 18, and using the first insulating material 21 having an engaging projection on the penetrating portion 18. The connecting pin 17 provided with the first insulating material 21 is inserted, and the groove portion of the substrate body 13 and the protrusion of the first insulating material 21 are engaged with each other.

上記説明したように、接続ピン17は、薄い板状の導電部材の両端を折り曲げた、非常に簡単な構成とされており、貫通部18は湾曲された形状ではないため、接続ピン17の小型化が可能である。これにより、基板本体13に狭い配設ピッチで接続ピン17を設けることが可能となり、接続用基板11を電子部品及び回路基板の端子ピッチの微細化に対応させることができる。   As described above, the connection pin 17 has a very simple configuration in which both ends of a thin plate-like conductive member are bent, and the through portion 18 is not a curved shape. Is possible. Thereby, the connection pins 17 can be provided in the board body 13 with a narrow arrangement pitch, and the connection board 11 can be made compatible with the miniaturization of the terminal pitch of the electronic component and the circuit board.

第1の絶縁材21は、接続ピン17と基板本体13との間を絶縁するためのものであり、貫通孔15に対応する基板本体13と貫通部分18との間に設けられている。第1の絶縁材21としては、例えば、エポキシ系樹脂を用いることができる。   The first insulating material 21 is for insulating between the connection pins 17 and the substrate body 13, and is provided between the substrate body 13 corresponding to the through hole 15 and the through portion 18. For example, an epoxy resin can be used as the first insulating material 21.

半導体素子12は、接続用基板11と電気的に接続される接続パッド23(端子)を有する。接続パッド23は、はんだバンプ25により接続部分19Aと接続されている。はんだバンプ25の材料としては、例えば、Sn−Pbはんだ、Zn−Ag−Cuはんだ等を用いることができる。   The semiconductor element 12 has a connection pad 23 (terminal) that is electrically connected to the connection substrate 11. The connection pad 23 is connected to the connection portion 19 </ b> A by the solder bump 25. As a material of the solder bump 25, for example, Sn—Pb solder, Zn—Ag—Cu solder or the like can be used.

本実施の形態によれば、接続ピン17を薄い板状の導電部材の両端を折り曲げた非常に簡単な構成とすることにより、接続ピン17の小型化を図ることができる。また、接続ピン17を小型化することにより、基板本体13に狭い配設ピッチで接続ピン17を設けることが可能となり、接続用基板11を電子部品及び回路基板の端子ピッチの微細化に対応させることができる。   According to the present embodiment, the connection pin 17 can be miniaturized by adopting a very simple configuration in which both ends of the thin plate-like conductive member are bent. Further, by reducing the size of the connection pins 17, it is possible to provide the connection pins 17 with a narrow arrangement pitch on the board body 13, and the connection board 11 is made compatible with the miniaturization of the terminal pitch of the electronic component and the circuit board. be able to.

なお、本実施の形態では、基板本体13にグラウンド電位とされた金属層16を設けた場合を例に挙げて説明したが、基板本体13自体をCuやCu合金等の金属板として、グラウンド電極としてもよい。また、本発明は、金属層16を有していない基板本体にも適用可能である。この場合、第1の絶縁材21は不要となる。   In the present embodiment, the case where the metal layer 16 having the ground potential is provided on the substrate body 13 has been described as an example. However, the substrate body 13 itself is a metal plate such as Cu or Cu alloy, and the ground electrode is used. It is good. The present invention is also applicable to a substrate body that does not have the metal layer 16. In this case, the first insulating material 21 is not necessary.

図6〜図10は、本実施の形態の接続用基板の製造工程を示した図である。なお、図6〜図10において、図3で説明した接続用基板11と同一構成部分には同一符号を付す。   6 to 10 are diagrams showing manufacturing steps of the connection substrate according to the present embodiment. 6 to 10, the same components as those of the connection substrate 11 described in FIG.

図6〜図10を参照して、本実施の形態の接続用基板11の製造方法について説明する。始めに、図6に示すように、基材14に複数の貫通孔15を形成する。貫通孔15は、例えば、レーザや、ドリル等により形成することができる。また、例えば、貫通孔15が形成された基材14の形状に対応した金型を用いた射出成型により、金型内に樹脂を導入して、貫通孔15が形成された基材14を形成してもよい。貫通孔15の形状は、例えば、四角形状とすることができる。また、貫通孔15の配設ピッチは、例えば、1mmとすることができる。   With reference to FIGS. 6-10, the manufacturing method of the board | substrate 11 for a connection of this Embodiment is demonstrated. First, as shown in FIG. 6, a plurality of through holes 15 are formed in the base material 14. The through hole 15 can be formed by, for example, a laser or a drill. In addition, for example, by injection molding using a mold corresponding to the shape of the base material 14 in which the through hole 15 is formed, resin is introduced into the mold to form the base material 14 in which the through hole 15 is formed. May be. The shape of the through hole 15 can be a square shape, for example. The arrangement pitch of the through holes 15 can be set to 1 mm, for example.

次に、図7に示すように、貫通孔15が形成された基材14の表面を覆うように金属層16を形成する。金属層16は、貫通孔15の内壁も覆うように形成する。これにより、接続ピン17が配設される基板本体13が製造される(基板本体準備工程)。金属層16としては、例えば、無電解めっき法により形成したCuめっき膜を用いることができる。   Next, as shown in FIG. 7, a metal layer 16 is formed so as to cover the surface of the base material 14 in which the through holes 15 are formed. The metal layer 16 is formed so as to cover the inner wall of the through hole 15. Thereby, the board | substrate main body 13 by which the connection pin 17 is arrange | positioned is manufactured (board | substrate main body preparation process). As the metal layer 16, for example, a Cu plating film formed by an electroless plating method can be used.

次に、図8に示すように、接続ピン17の貫通部分18のみを覆うように第1の絶縁材21を形成する(第1の絶縁材形成工程)。接続ピン17としては、例えば、薄い板状の金属からなる導電性部材を用いることができる。このように、接続ピン17を板状とすることにより、後述する接続部分折曲工程において、接続ピン17を容易に折り曲げることができる。また、はんだバンプ25を接続部分19Aに配設し易くすることができる。第1の絶縁材21としては、例えば、エポキシ系樹脂を用いることができる。   Next, as shown in FIG. 8, the first insulating material 21 is formed so as to cover only the through portion 18 of the connection pin 17 (first insulating material forming step). As the connection pin 17, for example, a conductive member made of a thin plate metal can be used. Thus, by making the connecting pin 17 into a plate shape, the connecting pin 17 can be easily bent in the connecting portion bending step described later. Further, the solder bumps 25 can be easily disposed on the connection portion 19A. For example, an epoxy resin can be used as the first insulating material 21.

続いて、図9に示すように、第1の絶縁材21が設けられた接続ピン17を貫通孔15に挿入して、接続ピン17を基板本体13に装着させる(接続ピン配設工程)。このとき、接続部分19A,19Bを基板本体13から突出させる。   Subsequently, as shown in FIG. 9, the connection pins 17 provided with the first insulating material 21 are inserted into the through holes 15 and the connection pins 17 are attached to the substrate body 13 (connection pin arrangement step). At this time, the connection portions 19 </ b> A and 19 </ b> B are protruded from the substrate body 13.

次に、図10に示すように、貫通部分18に対する角度θ,θが略直角となるように所定の方向(本実施の形態の場合、図10の右側)へ接続部分19A,19Bを折り曲げることにより、接続用基板11が製造される(接続部分折曲工程)。 Next, as shown in FIG. 10, the connecting portions 19 </ b> A and 19 </ b> B are moved in a predetermined direction (in the present embodiment, on the right side of FIG. 10) so that the angles θ 1 and θ 2 with respect to the penetrating portion 18 are substantially perpendicular. The connection substrate 11 is manufactured by bending (connection portion bending step).

このとき、金属層16と接続部分19Aとが接触してショートしないように、基材14の上面14Aに形成された金属層16と接続部分19Aとの間に隙間E1を形成する。また、同様な理由により、基材14の下面14Bに形成された金属層16と接続部分19Bとの間に隙間E2を形成する。接続部分19A,19Bと金属層16と間に形成される隙間E1,E2の大きさは、例えば、0.1mmとすることができる。   At this time, a gap E1 is formed between the metal layer 16 formed on the upper surface 14A of the base material 14 and the connection portion 19A so that the metal layer 16 and the connection portion 19A do not come into contact with each other and are short-circuited. For the same reason, a gap E2 is formed between the metal layer 16 formed on the lower surface 14B of the base material 14 and the connection portion 19B. The size of the gaps E1 and E2 formed between the connection portions 19A and 19B and the metal layer 16 can be set to 0.1 mm, for example.

本実施の形態の接続用基板の製造方法によれば、小型化が可能な接続ピン17を形成できると共に、接続ピン17を狭い配設ピッチで基板本体13に設けて、接続用基板11を電子部品及び回路基板の端子ピッチの微細化に対応させることができる。   According to the manufacturing method of the connection substrate of the present embodiment, the connection pins 17 that can be reduced in size can be formed, and the connection pins 17 are provided on the substrate body 13 at a narrow arrangement pitch, and the connection substrate 11 is made electronic. It is possible to cope with miniaturization of terminal pitches of components and circuit boards.

(第2の実施の形態)
図11は、第2の実施の形態の半導体装置の断面図である。図11において、第1の実施の形態で説明した半導体装置10と同一構成部分には同一符号を付す。
(Second Embodiment)
FIG. 11 is a cross-sectional view of the semiconductor device of the second embodiment. In FIG. 11, the same components as those of the semiconductor device 10 described in the first embodiment are denoted by the same reference numerals.

図11に示すように、半導体装置30は、接続用基板31と、半導体素子12とを有しており、はんだバンプ25を介して半導体素子12が接続用基板31と電気的に接続された構成とされている。   As shown in FIG. 11, the semiconductor device 30 includes a connection substrate 31 and a semiconductor element 12, and the semiconductor element 12 is electrically connected to the connection substrate 31 through solder bumps 25. It is said that.

接続用基板31は、基板本体13と、接続ピン17と、第1の絶縁材21と、第2の絶縁材33,34とを有する。つまり、接続用基板31は、第1の実施の形態で説明した接続用基板11の構成に、さらに第2の絶縁材33,34を設けた構成とされている。   The connection substrate 31 includes a substrate body 13, connection pins 17, a first insulating material 21, and second insulating materials 33 and 34. That is, the connection substrate 31 has a configuration in which the second insulating materials 33 and 34 are further provided in addition to the configuration of the connection substrate 11 described in the first embodiment.

第2の絶縁材33は、接続部分19Aを露出させた状態で、基材14の上面14Aに形成された金属層16を覆うように設けられている。第2の絶縁材33としては、例えば、四フッ化エチレン樹脂(PTFE)をシート状に加工した絶縁シートを用いることができる。また、上記PTFEを用いた絶縁シートとしては、加熱処理されていないものが望ましい。このように、加熱処理されていない絶縁シート(母材:PTFE)を用いることにより、絶縁シートを基板本体13の上面に配設した後、絶縁シートを加熱して、絶縁シートと基板本体13との間の密着性を向上させることができる。第2の絶縁材33の厚さM3は、例えば、40μmとすることができる。   The second insulating material 33 is provided so as to cover the metal layer 16 formed on the upper surface 14A of the base material 14 with the connection portion 19A exposed. As the second insulating material 33, for example, an insulating sheet obtained by processing tetrafluoroethylene resin (PTFE) into a sheet shape can be used. Moreover, as the insulating sheet using the PTFE, a sheet not subjected to heat treatment is desirable. In this way, by using an insulating sheet (base material: PTFE) that has not been heat-treated, the insulating sheet is heated on the upper surface of the substrate body 13, and then the insulating sheet is heated, The adhesion between the two can be improved. The thickness M3 of the second insulating material 33 can be set to 40 μm, for example.

このように、接続部分19Aを露出させた状態で、基材14の上面14Aに形成された金属層16を覆うように第2の絶縁材33を設けることにより、接続部分19Aに配設されたはんだバンプ25により接続部分19Aと金属層16との間が電気的に接続されることを防いで、接続部分19Aと金属層16との間のショートを防止することができる。   As described above, the second insulating material 33 is provided so as to cover the metal layer 16 formed on the upper surface 14A of the base material 14 with the connection portion 19A exposed, and thus disposed on the connection portion 19A. It is possible to prevent electrical connection between the connection portion 19A and the metal layer 16 by the solder bump 25, and it is possible to prevent a short circuit between the connection portion 19A and the metal layer 16.

第2の絶縁材34は、接続部分19Bを露出させた状態で、基材14の下面14Bに形成された金属層16を覆うように設けられている。第2の絶縁材34としては、第2の絶縁材33と同様な絶縁材を用いることができる。第2の絶縁材34の厚さM4は、例えば、40μmとすることができる。   The second insulating material 34 is provided so as to cover the metal layer 16 formed on the lower surface 14B of the base material 14 with the connection portion 19B exposed. As the second insulating material 34, an insulating material similar to the second insulating material 33 can be used. The thickness M4 of the second insulating material 34 can be set to 40 μm, for example.

このように、基材14の下面14Bに形成された金属層16を覆うと共に、接続部分19Bを露出させる第2の絶縁材34を設けることにより、接続部分19Bにはんだが配設された際、はんだにより接続部分19Bと金属層16とが電気的に接続されることを防いで、接続部分19Bと金属層16との間におけるショートを防止することができる。   Thus, by providing the second insulating material 34 that covers the metal layer 16 formed on the lower surface 14B of the base material 14 and exposes the connection portion 19B, when solder is disposed on the connection portion 19B, It is possible to prevent the connection portion 19B and the metal layer 16 from being electrically connected by solder, and to prevent a short circuit between the connection portion 19B and the metal layer 16.

本実施の形態によれば、接続部分19A,19Bを露出させた状態で、基材14の両面14A,14Bに形成された金属層16を覆うように第2の絶縁材33,34を設けることにより、接続部分19A,19Bと金属層16とがショートすることを防止できる。なお、第2の絶縁材33,34は、接続部分19A,19Bと対向する金属層16と接続部分19A,19Bとの間にのみ設けてもよい。   According to the present embodiment, the second insulating materials 33 and 34 are provided so as to cover the metal layer 16 formed on the both surfaces 14A and 14B of the base material 14 with the connection portions 19A and 19B exposed. Thus, the connection portions 19A and 19B and the metal layer 16 can be prevented from being short-circuited. The second insulating materials 33 and 34 may be provided only between the metal layer 16 facing the connection portions 19A and 19B and the connection portions 19A and 19B.

図12及び図13は、第2の実施の形態の接続用基板の製造工程を示した図である。図12及び図13において、本実施の形態の接続用基板31と同一構成部分には同一符号を付す。   12 and 13 are diagrams showing a manufacturing process of the connection substrate according to the second embodiment. 12 and 13, the same components as those of the connection substrate 31 of the present embodiment are denoted by the same reference numerals.

次に、図12及び図13を参照して、第2の実施の形態の接続用基板30の製造方法について説明する。   Next, with reference to FIG.12 and FIG.13, the manufacturing method of the connection board | substrate 30 of 2nd Embodiment is demonstrated.

始めに、先の第1の実施の形態で説明した図6〜図9の工程(基板準備工程、接続ピン配設工程、及び第1の絶縁材形成工程)を行なって、第1の絶縁材21を介して貫通孔15に接続ピン17を配設する。   First, the steps of FIGS. 6 to 9 (substrate preparation step, connection pin arrangement step, and first insulating material forming step) described in the first embodiment are performed to obtain the first insulating material. A connection pin 17 is disposed in the through hole 15 via 21.

次に、図12に示すように、シート状とされた第2の絶縁材33,34を用意する。シート状とされた第2の絶縁層33,34としては、例えば、加熱処理されていない絶縁シート(母材:PTFE)を用いることができる。   Next, as shown in FIG. 12, the 2nd insulating materials 33 and 34 made into the sheet form are prepared. As the 2nd insulating layers 33 and 34 made into the sheet form, the insulating sheet (base material: PTFE) which is not heat-processed can be used, for example.

続いて、図13に示すように、シート状とされた第2の絶縁材33に接続部分19Aを貫通させて、第2の絶縁材33を基板本体13の上面に配設すると共に、シート状とされた第2の絶縁材34に接続部分19Bを貫通させて、第2の絶縁材34を基板本体13の下面に配設する(第2の絶縁材形成工程)。   Subsequently, as shown in FIG. 13, the connection portion 19 </ b> A is passed through the sheet-like second insulating material 33, and the second insulating material 33 is disposed on the upper surface of the substrate body 13, and the sheet-like shape is provided. The connecting portion 19B is penetrated through the second insulating material 34, and the second insulating material 34 is disposed on the lower surface of the substrate body 13 (second insulating material forming step).

第2の絶縁層33,34として、加熱処理されていない絶縁シート(母材:PTFE)を用いた場合、基板本体13に配設された第2の絶縁層33,34を加熱処理するとよい。このように、第2の絶縁材33,34を加熱することにより、第2の絶縁材33,34と基板本体13との間の密着性を向上させることができる。   When an insulating sheet (base material: PTFE) that is not heat-treated is used as the second insulating layers 33 and 34, the second insulating layers 33 and 34 disposed on the substrate body 13 may be heat-treated. As described above, the adhesion between the second insulating materials 33 and 34 and the substrate body 13 can be improved by heating the second insulating materials 33 and 34.

その後、第1の実施の形態で説明した図10と同様な工程(接続部分折曲工程)を行うことにより、接続用基板31が製造される。   Thereafter, the connection substrate 31 is manufactured by performing the same process (connection partial bending process) as that of FIG. 10 described in the first embodiment.

本実施の形態の接続用基板の製造方法によれば、接続ピン17を狭い配設ピッチで基板本体13に設けて、電子部品及び回路基板の端子ピッチの微細化に対応させることができると共に、接続部分19A,19Bと金属層16との間を絶縁させて、接続部分19A,19Bと金属層16とがショートすることを防止できる。   According to the manufacturing method of the connection substrate of the present embodiment, the connection pins 17 can be provided on the substrate body 13 with a narrow arrangement pitch, and can cope with the miniaturization of the terminal pitch of the electronic component and the circuit board, The connection portions 19A, 19B and the metal layer 16 are insulated from each other, so that the connection portions 19A, 19B and the metal layer 16 can be prevented from being short-circuited.

以上、本発明の好ましい実施の形態について詳述したが、本発明はかかる特定の実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。なお、本発明は、基板本体13の内部に絶縁層と配線パターンとを順次積層させた多層配線構造を備えた接続用基板にも適用可能である。   The preferred embodiments of the present invention have been described in detail above, but the present invention is not limited to such specific embodiments, and within the scope of the present invention described in the claims, Various modifications and changes are possible. The present invention can also be applied to a connection substrate having a multilayer wiring structure in which an insulating layer and a wiring pattern are sequentially laminated inside the substrate body 13.

本発明によれば、小型化でき、電子部品及び回路基板のピッチの微細化に対応することのできる接続用基板、半導体装置、及び接続基板の製造方法に適用できる。   INDUSTRIAL APPLICABILITY According to the present invention, the present invention can be applied to a connection substrate, a semiconductor device, and a method for manufacturing a connection substrate that can be miniaturized and can cope with finer pitches of electronic components and circuit boards.

コネクタの斜視図である。It is a perspective view of a connector. 弾性コンタクトの斜視図である。It is a perspective view of an elastic contact. 本発明の第1の実施の形態による半導体装置の断面図である。1 is a cross-sectional view of a semiconductor device according to a first embodiment of the present invention. 接続ピンが設けられた部分の接続用基板を拡大した平面図である。It is the top view to which the connection board | substrate of the part in which the connection pin was provided was expanded. 接続ピンの斜視図である。It is a perspective view of a connection pin. 本実施の形態の接続用基板の製造工程を示した図(その1)である。It is FIG. (The 1) which showed the manufacturing process of the board | substrate for a connection of this Embodiment. 本実施の形態の接続用基板の製造工程を示した図(その2)である。It is the figure (the 2) which showed the manufacturing process of the board | substrate for a connection of this Embodiment. 本実施の形態の接続用基板の製造工程を示した図(その3)である。It is FIG. (The 3) which showed the manufacturing process of the board | substrate for a connection of this Embodiment. 本実施の形態の接続用基板の製造工程を示した図(その4)である。It is FIG. (The 4) which showed the manufacturing process of the board | substrate for a connection of this Embodiment. 本実施の形態の接続用基板の製造工程を示した図(その5)である。It is FIG. (5) which showed the manufacturing process of the connection board | substrate of this Embodiment. 第2の実施の形態の半導体装置の断面図である。It is sectional drawing of the semiconductor device of 2nd Embodiment. 本実施の形態の接続用基板の製造工程を示した図(その1)である。It is FIG. (The 1) which showed the manufacturing process of the board | substrate for a connection of this Embodiment. 本実施の形態の接続用基板の製造工程を示した図(その2)である。It is the figure (the 2) which showed the manufacturing process of the board | substrate for a connection of this Embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

10,30 半導体装置
11,31 接続用基板
12 半導体素子
13 基板本体
14 基材
14A 上面
14B 下面
15 貫通孔
16 金属層
17 接続ピン
18 貫通部
19A,19B 接続部分
21 第1の絶縁材
23 接続パッド
25 はんだバンプ
33,34 第2の絶縁材
E1,E2 隙間
L1,L2 長さ
θ,θ 角度
M1〜M4 厚さ
W1〜W3 幅
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10,30 Semiconductor device 11,31 Connection board 12 Semiconductor element 13 Substrate body 14 Base material 14A Upper surface 14B Lower surface 15 Through hole 16 Metal layer 17 Connection pin 18 Through portion 19A, 19B Connection portion 21 First insulating material 23 Connection pad 25 solder bumps 33 and 34 the second insulating material E1, E2 gap L1, L2 length theta 1, theta 2 angle M1~M4 thickness W1~W3 width

Claims (8)

電子部品と回路基板との間を接続ピンによって電気的に接続する接続用基板であって、
貫通孔が形成された基板本体を有し、
前記接続ピンは、前記貫通孔に配設され、前記基板本体の面方向と直交する方向に延在する貫通部分と、該貫通部分の両端に設けられると共に、該貫通部分に対する角度が略直角となるように折り曲げられた接続部分とを有することを特徴とする接続用基板。
A connection board for electrically connecting an electronic component and a circuit board by connection pins,
Having a substrate body in which a through hole is formed;
The connection pins are disposed in the through holes and extend in a direction perpendicular to the surface direction of the substrate body, and are provided at both ends of the through parts, and the angle with respect to the through parts is substantially a right angle. And a connecting portion bent so as to become a connecting substrate.
前記貫通孔が形成された基板本体の表面を覆うと共に、グラウンド電位とされた金属層をさらに備え、
前記接続部分と金属層との間に隙間を形成すると共に、該金属層と貫通部分との間を絶縁する第1の絶縁材を設けたことを特徴とする請求項1に記載の接続用基板。
Covering the surface of the substrate body in which the through hole is formed, and further comprising a metal layer having a ground potential,
2. The connection substrate according to claim 1, wherein a gap is formed between the connection portion and the metal layer, and a first insulating material is provided for insulating between the metal layer and the through portion. .
前記接続部分と対向する金属層と該接続部分との間に、第2の絶縁材を設けたことを特徴とする請求項1または2に記載の接続用基板。   The connection substrate according to claim 1, wherein a second insulating material is provided between the metal layer facing the connection portion and the connection portion. 前記第2の絶縁材は、前記接続部分を露出させた状態で、前記基板本体の両面に設けられた金属層を覆うことを特徴とする請求項3に記載の接続用基板。   4. The connection board according to claim 3, wherein the second insulating material covers metal layers provided on both surfaces of the board body with the connection portion exposed. 5. 前記接続ピンは、板状とされた導電部材を折り曲げた構成とされていることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の接続用基板。   The connection board according to claim 1, wherein the connection pin is configured by bending a plate-shaped conductive member. 請求項1〜5のいずれか一項に記載の接続用基板と、
前記接続用基板に設けられた一方の接続部分に、はんだを介して電気的に接続された半導体素子とを備えたことを特徴とする半導体装置。
A connection substrate according to any one of claims 1 to 5,
A semiconductor device comprising: a semiconductor element electrically connected to one connection portion provided on the connection substrate through solder.
導電性を有すると共に、貫通孔が形成された基板本体と、
前記貫通孔に配設され、前記基板本体の面方向と直交する方向に延在する貫通部分と、該貫通部分の両端に設けられると共に、該貫通部分に対する角度が略直角となるように折り曲げられた接続部分とを有する接続ピンと、
前記導電性を有する基板本体と貫通部分との間を絶縁する第1の絶縁材とを備え、
電子部品と回路基板との間を前記接続ピンにより電気的に接続する接続用基板の製造方法であって、
前記基板本体を準備する基板本体準備工程と、
前記接続部分が前記基板本体の両面から突出するように、前記接続部分が折り曲げられていない接続ピンを前記貫通孔に配設する接続ピン配設工程と、
前記貫通部分と基板本体との間に前記第1の絶縁材を形成する第1の絶縁材形成工程と、
前記接続部分と基板本体との間に隙間が形成されるよう、該接続部分を折り曲げる接続部分折曲工程と設けたことを特徴とする接続用基板の製造方法。
A substrate body having conductivity and having a through hole formed therein;
A penetrating portion disposed in the through hole and extending in a direction perpendicular to the surface direction of the substrate body, and provided at both ends of the penetrating portion, and is bent so that an angle with respect to the penetrating portion is substantially a right angle. A connecting pin having a connected portion;
A first insulating material that insulates between the conductive substrate body and the penetrating portion;
A method of manufacturing a connection board for electrically connecting an electronic component and a circuit board by the connection pins,
A substrate body preparation step of preparing the substrate body;
A connection pin disposing step of disposing a connection pin in which the connection portion is not bent in the through hole so that the connection portion protrudes from both surfaces of the substrate body;
A first insulating material forming step of forming the first insulating material between the penetrating portion and the substrate body;
A method of manufacturing a connection board, comprising: a connection part bending step of bending the connection part so that a gap is formed between the connection part and the substrate body.
前記接続ピン配設工程と接続部分折曲工程との間に、前記接続部分を露出させた状態で、前記導電性を有する基板本体の両面を覆うよう第2の絶縁材を形成する第2の絶縁材形成工程をさらに設けたことを特徴とする請求項7に記載の接続用基板の製造方法。
A second insulating material is formed between the connecting pin arranging step and the connecting portion bending step so as to cover both surfaces of the conductive substrate body with the connecting portion exposed. The method for manufacturing a connection substrate according to claim 7, further comprising an insulating material forming step.
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