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JP2006305659A - Polishing cloth dresser - Google Patents

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JP2006305659A
JP2006305659A JP2005129671A JP2005129671A JP2006305659A JP 2006305659 A JP2006305659 A JP 2006305659A JP 2005129671 A JP2005129671 A JP 2005129671A JP 2005129671 A JP2005129671 A JP 2005129671A JP 2006305659 A JP2006305659 A JP 2006305659A
Authority
JP
Japan
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dresser
brazing
layer
brazing material
metal support
Prior art date
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Pending
Application number
JP2005129671A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hiroaki Sakamoto
広明 坂本
Toshiya Kinoshita
俊哉 木下
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Steel Corp
Original Assignee
Nippon Steel Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Steel Corp filed Critical Nippon Steel Corp
Priority to JP2005129671A priority Critical patent/JP2006305659A/en
Publication of JP2006305659A publication Critical patent/JP2006305659A/en
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Abstract

【課題】 ろう材の溶融温度を安定化させると共に、砥粒のろう付け状態を均一・安定化させることによって砥粒の脱落を抑制し、さらには金属製支持材の熱変形を抑制することによって平坦性を向上させた研磨布用ドレッサーを提供する。
【解決手段】 金属製支持材の表面に複数個の砥粒がろう材でろう付けされてなる研磨布用ドレッサーであって、前記金属製支持材表面と前記ろう材との間に、ろう材の構成元素の拡散を防止する拡散防止バリヤ層を有する。
【選択図】 なし
PROBLEM TO BE SOLVED: To stabilize the brazing material melting temperature, to suppress the falling of abrasive grains by making the brazing state of the abrasive grains uniform and stable, and further to suppress the thermal deformation of the metal support material Disclosed is a dresser for an abrasive cloth with improved flatness.
A polishing cloth dresser in which a plurality of abrasive grains are brazed to a surface of a metal support material with a brazing material, and the brazing material is interposed between the surface of the metal support material and the brazing material. A diffusion barrier layer for preventing the diffusion of the constituent elements.
[Selection figure] None

Description

本発明は、化学的かつ機械的平面研磨(Chemical Mechanical Planarization、以下CMPと略す)の工程で、研磨布の目詰まりや異物除去を行う際に使用される研磨布用ドレッサーに関する。   The present invention relates to a dresser for a polishing cloth used when clogging or removing foreign matter in a polishing cloth in a chemical and mechanical planar polishing (hereinafter abbreviated as CMP) process.

半導体ウェーハの表面を研磨する装置、集積回路を製造する途中の配線、絶縁層形成段階において表面を平坦化する装置、ハードディスク基板に使用されるアルミニウム板やガラス板の表面を平坦化する装置、等ではCMP研磨が用いられている。このCMP研磨とは、例えば、ウレタン製の研磨パッドが貼り付けられた回転基板に微細な砥粒を含むスラリー液を供給しながら被研磨面を押し当てて被研磨面を平坦化する方法である。当然のことながら、この研磨パッドの研磨能力は使用時間と共に低下していくが、この低下を抑制するために、一定時間毎に研磨パッド表層部を研削し、常に新しい面が出るようにドレッシングしている。このドレッシングする部品をドレッサーと呼び、金属基板に砥粒を電着、或いは、ろう付け等によって接合させたものである。   Equipment for polishing the surface of a semiconductor wafer, wiring in the middle of manufacturing an integrated circuit, equipment for flattening the surface in the insulating layer formation stage, equipment for flattening the surface of an aluminum plate or glass plate used for a hard disk substrate, etc. CMP polishing is used. This CMP polishing is, for example, a method of flattening a surface to be polished by pressing the surface to be polished while supplying a slurry liquid containing fine abrasive grains to a rotating substrate to which a polishing pad made of urethane is attached. . As a matter of course, the polishing ability of this polishing pad decreases with time of use, but in order to suppress this decrease, the polishing pad surface layer is ground at regular intervals and dressed so that a new surface always appears. ing. This dressing component is called a dresser, and is made by bonding abrasive grains to a metal substrate by electrodeposition or brazing.

ろう付けは、通常、温度をろう材が溶融する温度まで上昇させ、砥粒を構成する元素の一部とろう材を構成する元素の一部を化学的に結合させることも可能であるため、砥粒を強固に接合させることが可能となる。特許文献1では、砥粒層をPd-Cr-B-Ni系のろう材を使って支持体に接合した工具が開示されている。特許文献2では、Fe、Mo等の炭化物を形成し易い元素を含有するろう材を用いてろう付けする方法が開示されている。特許文献3には、Ti、Zr、Crの少なくとも1種を含むろう材を用いてろう付けしたドレッサーが開示されている。   Brazing usually raises the temperature to a temperature at which the brazing material melts, and it is also possible to chemically combine a part of the elements constituting the abrasive grains and a part of the elements constituting the brazing material. It becomes possible to bond the abrasive grains firmly. Patent Document 1 discloses a tool in which an abrasive layer is bonded to a support using a Pd—Cr—B—Ni-based brazing material. Patent Document 2 discloses a brazing method using a brazing material containing an element that easily forms carbides such as Fe and Mo. Patent Document 3 discloses a dresser brazed using a brazing material containing at least one of Ti, Zr, and Cr.

特開昭62−34705号公報JP-A-62-34705 特開平3−131475号公報Japanese Patent Laid-Open No. 3-131475 特開平10−175156号公報JP-A-10-175156

前述したように、砥粒を金属製支持材にろう付けする場合に、目的に応じて種々の組成を有するろう材が使用されているが、ろう材を溶融温度まで加熱してろう付けする場合、元々のろう材の溶融温度まで加熱しても溶融しなかったり、さらには、砥粒がろう付けされなかったりすることが度々発生することがあった。   As described above, when brazing abrasive grains to a metal support, brazing materials having various compositions are used depending on the purpose, but when brazing the brazing material by heating to the melting temperature In some cases, even when heated to the melting temperature of the original brazing material, it does not melt, or the abrasive grains are not brazed.

そこで、従来は、さらにろう付け温度を上げることによって砥粒の接合性を改善することが行われていたが、ろう付け温度を高くすると、金属製支持材の熱による変形が大きくなる問題が生じてしまう。   Therefore, conventionally, it has been attempted to improve the bondability of the abrasive grains by further increasing the brazing temperature. However, when the brazing temperature is increased, there arises a problem that deformation of the metal support material due to heat increases. End up.

本発明は、ろう材の溶融温度を安定化させると共に、砥粒のろう付け状態を均一・安定化させることによって砥粒の脱落を抑制し、さらには金属製支持材の熱変形を抑制することによって平坦性を向上させた研磨布用ドレッサーを提供することを目的とする。   The present invention stabilizes the melting temperature of the brazing material, suppresses the falling off of the abrasive grains by uniformizing and stabilizing the brazing state of the abrasive grains, and further suppresses thermal deformation of the metal support material. An object of the present invention is to provide a dresser for an abrasive cloth with improved flatness.

本発明の要旨は、以下の通りである。
(1)金属製支持材の表面に複数個の砥粒がろう材でろう付けされてなる研磨布用ドレッサーであって、
前記金属製支持材表面と前記ろう材との間に、ろう材の構成元素の拡散を防止する拡散防止バリヤ層を有することを特徴とする研磨布用ドレッサー。
(2) 前記ろう材がホウ素Bを含むことを特徴とする(1)に記載の研磨布用ドレッサー。
(3) 前記バリヤ層が炭素C濃化層であることを特徴とする(1)に記載の研磨布用ドレッサー。
(4) 前記バリヤ層がケイ素Si濃化層であることを特徴とする(1)に記載の研磨布用ドレッサー。
(5) 前記バリヤ層が銅Cu濃化層であることを特徴とする(1)に記載の研磨布用ドレッサー。
(6) 前記バリヤ層がニッケルNi濃化層であることを特徴とする(1)に記載の研磨布用ドレッサー。
(7) 前記バリヤ層がチタンTi、ジルコニウムZr、クロムCr、ハフニウムHf、バナジウムV、ニオブNb、タンタルTa、モリブデンMo、タングステンWのうち少なくとも1種を含む濃化層であることを特徴とする(1)に記載の記載の研磨布用ドレッサー。
The gist of the present invention is as follows.
(1) A dresser for a polishing cloth in which a plurality of abrasive grains are brazed with a brazing material on the surface of a metal support material,
A polishing cloth dresser comprising a diffusion barrier layer for preventing diffusion of constituent elements of the brazing material between the surface of the metal support material and the brazing material.
(2) The polishing cloth dresser according to (1), wherein the brazing material contains boron B.
(3) The dresser for polishing cloth according to (1), wherein the barrier layer is a carbon C concentrated layer.
(4) The dresser for polishing cloth according to (1), wherein the barrier layer is a silicon Si concentrated layer.
(5) The dresser for polishing cloth according to (1), wherein the barrier layer is a copper Cu concentrated layer.
(6) The dresser for polishing cloth according to (1), wherein the barrier layer is a nickel-Ni concentrated layer.
(7) The barrier layer is a concentrated layer containing at least one of titanium Ti, zirconium Zr, chromium Cr, hafnium Hf, vanadium V, niobium Nb, tantalum Ta, molybdenum Mo, and tungsten W. The dresser for abrasive cloths as described in (1).

本発明によれば、多数の砥粒を金属支持材にろう付けする場合に、砥粒の接合性が安定するため、製造歩留まりが向上する。さらに、ろう材の溶融温度の変動バラツキが殆どなくなるため、従来は余裕をみて高めに設定していたろう付け温度を低下させることが可能となる。その結果、金属製支持材の熱による変形も軽減される効果がある。また、砥粒の接合性が安定化するため、使用中における砥粒の脱落も抑制される効果がある。   According to the present invention, when a large number of abrasive grains are brazed to a metal support, the bondability of the abrasive grains is stabilized, so that the production yield is improved. Furthermore, since there is almost no variation in the melting temperature of the brazing material, it is possible to lower the brazing temperature that has been set high with a margin in the past. As a result, there is an effect that deformation of the metal support material due to heat is reduced. Moreover, since the bondability of the abrasive grains is stabilized, there is an effect of preventing the abrasive grains from dropping during use.

以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態について説明する。
本発明者は、砥粒を金属製支持材に従来公知のろう材を介してろう付けする場合、箔ろうの厚みを変えた場合、粉ろうの塗布厚みを変えた場合、金属製支持材の材質を変えた場合、ろう付け時間を変えた場合、等に、ろう材単独で測定したろう材の溶融温度まで昇温しても、ろう材の溶融が起こらなかったり、溶融してもその粘性が高かったりする場合が度々生じることに気づいた。このような場合は、当然のことながら砥粒の接合性が悪くなってしまう。良好な接合性を確保するために、ろう付け温度を上昇させると、熱による金属製支持材の変形が大きくなってドレッサーの平坦性が悪くなってしまう。
Preferred embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.
The present inventor, when brazing abrasive grains to a metal support material through a conventionally known brazing material, changing the thickness of the foil brazing, changing the coating thickness of the powder brazing, When the material is changed, when the brazing time is changed, etc., even if the temperature is raised to the melting temperature of the brazing material measured by the brazing material alone, the brazing material does not melt, or the viscosity even when melted. I noticed that it sometimes happens that the price is high. In such a case, as a matter of course, the bondability of the abrasive grains is deteriorated. If the brazing temperature is raised in order to ensure good bondability, the deformation of the metal support material due to heat becomes large, and the flatness of the dresser becomes worse.

そこで、ろう材の溶融温度に変動が生じる原因を鋭意検討した。その結果、Bni-2やBni-5等のJIS規格材に代表されるNi-Cr-Fe-Si-B系、Ni-Si-B系、Ni-Cr-Si-B系のろう材を使用した場合に、砥粒の接合性にバラツキが生じ易くなることを突き止めることができた。   In view of this, the causes of fluctuations in the melting temperature of the brazing material were intensively studied. As a result, Ni-Cr-Fe-Si-B, Ni-Si-B, and Ni-Cr-Si-B brazing materials represented by JIS standard materials such as Bni-2 and Bni-5 are used. In this case, it has been found that the adhesiveness of the abrasive grains is likely to vary.

さらに、金属製支持材へろう材をろう付けした試料の断面を詳細に分析した結果、ろう材の主要構成元素であるホウ素Bがろう材から金属製支持材側へ拡散してしまって、ろう材に残存しているB量が元々のろう材中にあったB量よりも大きく低減していることを突き止めることができた。   Furthermore, as a result of a detailed analysis of the cross section of the brazing material brazed to the metal support material, boron B, which is the main constituent element of the brazing material, diffuses from the brazing material to the metal support material side. It was found that the amount of B remaining in the material was greatly reduced than the amount of B that was originally in the brazing material.

金属製支持材へのBの拡散を抑制できれば、ろう材の溶融温度のバラツキが低減し、前記したような砥粒の接合性のバラツキが低減できると予想し、金属製支持材表面に種々のバリヤ層を形成させてろう付け試験を繰り返した。具体的には、種々の元素を金属製支持材の表面に付与させた後に、Bを含むろう材を用いて砥粒をろう付けし、ろう付け状態を検査した。検査は目視、及び、実際にパッドを研削し、研削後の砥粒の付き具合を観察した。さらに、ろう材中のBの減少の有無を測定した。これらの一連の試験を通じて、砥粒のろう付けが安定的に実施できるバリヤ層を見出し、本発明を完成するに至った。   If the diffusion of B to the metal support material can be suppressed, it is expected that the variation in the melting temperature of the brazing material will be reduced, and the variation in the bondability of the abrasive grains as described above will be reduced. The barrier layer was formed and the brazing test was repeated. Specifically, after applying various elements to the surface of the metal support material, the abrasive grains were brazed using a brazing material containing B, and the brazed state was examined. The inspection was carried out by visual inspection, and the pad was actually ground, and the condition of the abrasive grains after grinding was observed. Furthermore, the presence or absence of a decrease in B in the brazing material was measured. Through these series of tests, a barrier layer capable of stably carrying out brazing of abrasive grains was found and the present invention was completed.

具体的な本発明の特徴の一つは、前記バリヤ層が炭素C濃化層であり、このC濃化層の上に砥粒がろう付けされたドレッサーである。金属製支持材としては、通常、SUS304、SUS430等のステンレス系材料が好適である。ステンレス材の表面には、固体浸炭法、ガス浸炭法によって、C濃化層を形成させることが可能である。浸炭法でC濃化層を形成させる場合には、C濃度は0.1質量%以上1.5質量%以下が好ましい。0.1質量%未満の場合には、ろう材中のBの拡散を効果的に抑制できない。1.5質量%超の濃化層を形成させてもそれ以上のBの拡散抑制効果は得られないばかりか、浸炭処理自体が難しくなるからである。C濃化層の厚みは少なくとも10μm以上あれば良い。10μm未満では、Bの拡散を抑制する効果が十分ではないからである。幅の上限は特に規定しないが、通常の浸炭処理では、1000μm程度は浸炭可能である。ただし、これ以上厚くしても浸炭コストが増すだけで好ましくない。   One of the specific features of the present invention is a dresser in which the barrier layer is a carbon C concentrated layer, and abrasive grains are brazed on the C concentrated layer. As the metal support material, stainless steel materials such as SUS304 and SUS430 are usually suitable. A C-enriched layer can be formed on the surface of the stainless steel by solid carburizing or gas carburizing. In the case of forming a C-enriched layer by carburizing, the C concentration is preferably 0.1% by mass or more and 1.5% by mass or less. If it is less than 0.1% by mass, the diffusion of B in the brazing material cannot be effectively suppressed. This is because even if a thickened layer of more than 1.5% by mass is formed, a further B diffusion suppressing effect cannot be obtained, and the carburizing process itself becomes difficult. The thickness of the C enriched layer may be at least 10 μm or more. This is because if it is less than 10 μm, the effect of suppressing the diffusion of B is not sufficient. The upper limit of the width is not particularly specified, but in a normal carburizing process, about 1000 μm can be carburized. However, increasing the thickness further is not preferable because it only increases the carburizing cost.

C濃化層は、DLC(ダイヤモンド様炭素膜:Diamond Like Carbon)によって形成させることもできる。この場合にはC濃度がほぼ100%近くまで高くなるため、濃化層の厚みは0.2μm以上あれば良い。0.2μm未満では、Bの拡散を抑制する効果が十分ではないからである。通常のイオンプレーティング法では、5μm程度の厚みは形成可能であるが、2μmの厚みがあれば十分な効果が得られる。5μmより厚くしても成膜コストが増えるだけで好ましくない。   The C enriched layer can also be formed by DLC (Diamond Like Carbon film). In this case, since the C concentration increases to nearly 100%, the thickness of the concentrated layer may be 0.2 μm or more. This is because if the thickness is less than 0.2 μm, the effect of suppressing the diffusion of B is not sufficient. With a normal ion plating method, a thickness of about 5 μm can be formed, but a sufficient effect can be obtained with a thickness of 2 μm. Even thicker than 5 μm is not preferable because it only increases the cost of film formation.

他の特徴の一つは、前記バリヤ層がケイ素Si濃化層であり、このSi濃化層の上に砥粒がろう付けされたドレッサーである。金属製支持材としてのステンレス材の表面には、例えば、CVD、イオンプレーティング等によってSi層を形成させることが可能である。Siの濃度は、Si濃化層を形成する場合に使用するターゲット材料に含まれるSi量で決まるが、Siが少なくとも10質量%以上含まれていれば、Bの拡散抑制に効果がある。純Siを用いれば、金属製支持材表面に純度100%のSi濃化層を形成させることが可能である。Si濃化層の厚みは、少なくとも0.2μm以上あれば良い。0.2μm未満では、Bの拡散を抑制する効果が十分ではないからである。通常のCVD、或いはイオンプレーティング法では、20μm程度の厚みは形成可能であるが、5μmの厚みがあれば十分な効果が得られる。20μmより厚くしても、スパッタリングコストが増えるだけで好ましくない。   One of the other features is a dresser in which the barrier layer is a silicon Si concentrated layer, and abrasive grains are brazed on the Si concentrated layer. A Si layer can be formed on the surface of a stainless steel material as a metal support material by, for example, CVD, ion plating, or the like. The Si concentration is determined by the amount of Si contained in the target material used when forming the Si concentrated layer, but if Si is contained at least 10% by mass, it is effective in suppressing B diffusion. If pure Si is used, it is possible to form a Si concentrated layer having a purity of 100% on the surface of the metal support material. The thickness of the Si concentrated layer may be at least 0.2 μm or more. This is because if the thickness is less than 0.2 μm, the effect of suppressing the diffusion of B is not sufficient. In a normal CVD or ion plating method, a thickness of about 20 μm can be formed, but a sufficient effect can be obtained with a thickness of 5 μm. Even thicker than 20 μm is not preferable because it increases the sputtering cost.

他の特徴の一つは、前記バリヤ層が銅Cu濃化層であり、このCu濃化層の上に砥粒がろう付けされたドレッサーである。金属製支持材としてのステンレス材の表面には、例えば、電気めっき、無電解めっき等によってCu層を形成させることが可能である。Cuの濃度は、Cu濃化層を形成する場合に使用するめっき欲組成で決まるが、少なくとも80質量%以上含まれていれば、Bの拡散抑制に効果がある。Cuは、他の元素と合金化し難いものであるため、ほぼ濃度が100%であるCuが金属製支持材表面にCu濃化層として形成させることが好ましい。Cu濃化層の厚みは、少なくとも0.2μm以上あれば良い。0.2μm未満では、Bの拡散を抑制する効果が十分ではないからである。通常のめっき法では、10μm程度の厚みは形成可能であるが、5μmの厚みがあれば十分な効果が得られる。10μmより厚くしても、めっきコストが増えるだけで好ましくない。めっき法の他、スパッタリング法によってもCu濃化層を形成することが可能である。   Another feature is a dresser in which the barrier layer is a copper Cu concentrated layer, and abrasive grains are brazed onto the Cu concentrated layer. A Cu layer can be formed on the surface of a stainless steel material as a metal support material, for example, by electroplating, electroless plating, or the like. The concentration of Cu is determined by the plating desire composition used when forming the Cu enriched layer, but if it is contained at least 80% by mass or more, it is effective in suppressing B diffusion. Since Cu is difficult to alloy with other elements, it is preferable to form Cu having a concentration of almost 100% as a Cu concentrated layer on the surface of the metal support material. The thickness of the Cu enriched layer may be at least 0.2 μm or more. This is because if the thickness is less than 0.2 μm, the effect of suppressing the diffusion of B is not sufficient. With a normal plating method, a thickness of about 10 μm can be formed, but a sufficient effect can be obtained with a thickness of 5 μm. Even thicker than 10 μm is not preferable because it only increases the plating cost. In addition to the plating method, a Cu concentrated layer can be formed by a sputtering method.

他の特徴の一つは、前記バリヤ層がニッケルNi濃化層であり、このNi濃化層の上に砥粒がろう付けされたドレッサーである。金属製支持材としてのステンレス材の表面には、例えば、電解めっき、無電めっき等によってNi層を形成させることが可能である。Niの濃度は、Ni濃化層を形成する場合に使用するめっき欲組成で決まるが、Niが少なくとも80質量%以上含まれていれば、Bの拡散抑制に効果がある。金属製支持材表面に純度100%のNi濃化層を形成させることが可能である。Ni濃化層の厚みは、少なくとも0.2μm以上あれば良い。0.2μm未満では、Bの拡散を抑制する効果が十分ではないからである。通常のめっき法では、10μm程度の厚みは形成可能であるが、5μmの厚みがあれば十分な効果が得られる。10μmより厚くしても、めっきコストが増えるだけで好ましくない。めっき法の他、スパッタリング法によってもNi濃化層を形成することが可能である。   One of the other features is a dresser in which the barrier layer is a nickel Ni concentrated layer, and abrasive grains are brazed on the Ni concentrated layer. A Ni layer can be formed on the surface of a stainless steel material as a metal support material by, for example, electrolytic plating, electroless plating, or the like. The concentration of Ni is determined by the plating desire composition used when forming the Ni-enriched layer, but if Ni is contained at least 80% by mass or more, it is effective in suppressing B diffusion. It is possible to form a Ni enriched layer with a purity of 100% on the surface of the metal support material. The thickness of the Ni concentrated layer may be at least 0.2 μm or more. This is because if the thickness is less than 0.2 μm, the effect of suppressing the diffusion of B is not sufficient. With a normal plating method, a thickness of about 10 μm can be formed, but a sufficient effect can be obtained with a thickness of 5 μm. Even thicker than 10 μm is not preferable because it only increases the plating cost. In addition to the plating method, the Ni concentrated layer can be formed by a sputtering method.

他の特徴の一つは、前記バリヤ層がチタンTi、ジルコニウムZr、クロムCr、ハフニウムHf、バナジウムV、ニオブNb、タンタルTa、モリブデンMo、タングステンWのの少なくとも1種を含む濃化層であり、この濃化層の上に砥粒がろう付けされたドレッサーである。金属製支持材としてのステンレス材の表面には、例えば、スパッタリング法等によって、Ti、Zr、Cr、Hf、V、Nb、Ta、Mo、Wの少なくとも1種を含む濃化層を形成させることが可能である。各々の元素の濃度は、スパッタリングの際に使用するターゲット材料の組成で調整可能である。Ti、Zr、Cr、Hf、V、Nb、Ta、Mo、Wの少なくとも1種が含まれていれば、Bの拡散抑制に効果がある。各々、純元素を用いれば、金属製支持材表面に純度100%の濃化層を形成させることが可能である。2種以上の元素を組み合わせても本発明の濃化層を形成可能である。濃化層の厚みは、少なくとも0.2μm以上あれば良い。0.2μm未満では、Bの拡散を抑制する効果が十分ではないからである。通常のスパッタリング法では、20μm程度の厚みは形成可能であるが、5μmの厚みがあれば十分な効果が得られる。5μmより厚くしてもスパッタリングコストが増えるだけで好ましくない。   Another feature is that the barrier layer is a concentrated layer containing at least one of titanium Ti, zirconium Zr, chromium Cr, hafnium Hf, vanadium V, niobium Nb, tantalum Ta, molybdenum Mo, and tungsten W. A dresser in which abrasive grains are brazed onto the concentrated layer. A concentrated layer containing at least one of Ti, Zr, Cr, Hf, V, Nb, Ta, Mo, and W is formed on the surface of a stainless steel material as a metal support material by, for example, sputtering. Is possible. The concentration of each element can be adjusted by the composition of the target material used during sputtering. If at least one of Ti, Zr, Cr, Hf, V, Nb, Ta, Mo, and W is contained, it is effective in suppressing B diffusion. If pure elements are used, it is possible to form a concentrated layer having a purity of 100% on the surface of the metal support material. The concentrated layer of the present invention can also be formed by combining two or more elements. The thickness of the concentrated layer may be at least 0.2 μm or more. This is because if the thickness is less than 0.2 μm, the effect of suppressing the diffusion of B is not sufficient. With a normal sputtering method, a thickness of about 20 μm can be formed, but a sufficient effect can be obtained with a thickness of 5 μm. Even thicker than 5 μm is not preferable because it increases the sputtering cost.

上述したバリヤ層の構成として、C濃化層、Si濃化層、Cu濃化層、Ni濃化層、及び、Ti、Zr、Cr、Hf、V、Nb、Ta、Mo、Wの少なくとも1種を含む濃化層を複数積層しても本発明の効果を得ることができる。この場合の各々の層の濃度、及び、厚みは、前記した各々の層の濃度、及び、厚みの範囲内であれば良い。   As the structure of the above-described barrier layer, a C concentrated layer, a Si concentrated layer, a Cu concentrated layer, a Ni concentrated layer, and at least one of Ti, Zr, Cr, Hf, V, Nb, Ta, Mo, and W The effect of the present invention can be obtained even when a plurality of concentrated layers containing seeds are stacked. In this case, the concentration and thickness of each layer may be within the range of the concentration and thickness of each layer described above.

本発明においては、砥粒として、通常のダイヤモンド、立方晶窒化ホウ素、炭化ホウ素、炭化ケイ素、酸化アルミニウム等を用いることが可能である。これらの砥粒表面に、チタン、ジルコニウム、クロムから選ばれた少なくとも1種を被覆したもの、また、炭化チタン、炭化ジルコニウム、炭化クロムから選ばれた少なくとも1種を被覆したものを用いることも可能である。砥粒の大きさは、10μm〜300μmが好適である。ドレッシング力を高める場合には、下限値は50μm程度以上にすれば良い。   In the present invention, normal diamond, cubic boron nitride, boron carbide, silicon carbide, aluminum oxide, or the like can be used as the abrasive grains. These abrasive grains can be coated with at least one selected from titanium, zirconium and chromium, or with at least one selected from titanium carbide, zirconium carbide and chromium carbide. It is. The size of the abrasive grains is preferably 10 μm to 300 μm. In order to increase the dressing force, the lower limit value may be about 50 μm or more.

本発明は、特に、ろう材組成にBを含む場合に効果を発揮することから、ろう材には、Ni-Cr-Fe-Si-B系、Ni-Si-B系、Ni-Cr-Si-B系のNi基ろう材が好適である。Fe-Cr-Si-B系、Fe-Si-B系のFe基ろう材も用途によっては使用可能である。   The present invention is effective particularly when B is included in the brazing material composition. Therefore, the brazing material includes Ni-Cr-Fe-Si-B, Ni-Si-B, Ni-Cr-Si. -B based Ni-based brazing material is preferred. Fe-Cr-Si-B and Fe-Si-B Fe-based brazing materials can also be used depending on the application.

本発明によるドレッサーは、以下のように製造される。先ず、前記したバリヤ層を付与させた金属製支持材に、Bを含有するろう材を仮付けする。ろう材が箔の場合には、スポット溶接で仮付け可能である。粉の場合には、セルロース系のバインダー等をろう粉と混練したものを金属製支持材に塗布すれば良い。砥粒は、ろう材の上に所定のパターン、例えば、四角形或いは三角形の各頂点近傍に配置した規則パターンやランダムで配列すれば良い。また、砥粒は、平方mm当たり1個〜300個程度の密度で単層で配置する。この場合、砥粒がずれないように糊等で仮止めする。   The dresser according to the present invention is manufactured as follows. First, a brazing material containing B is temporarily attached to a metal support material provided with the above-described barrier layer. When the brazing material is a foil, it can be temporarily attached by spot welding. In the case of powder, what knead | mixed the cellulose-type binder etc. with the wax powder should just apply | coat to a metal support material. The abrasive grains may be arranged on the brazing material in a predetermined pattern, for example, a regular pattern arranged in the vicinity of each vertex of a square or a triangle, or at random. The abrasive grains are arranged in a single layer at a density of about 1 to 300 per square mm. In this case, it is temporarily fixed with glue or the like so that the abrasive grains do not shift.

次に、10-3Pa程度に真空引きした後、ろう材が溶融する温度まで昇温する。バインダー、糊等は、昇温の途中で殆どが気化してしまう。ろう材を溶融させる温度は、ろう材の液相線温度以上で液相線温度+20℃程度以内が好適である。液相線温度より低温側では、ろう材表面の凹凸が大ききなって好ましくない。液相線温度から20℃超温度を上げても、金属製支持材の熱による変形が大きくなるだけで好ましくない。ろう付け温度における保持時間は、10〜30分程度あれば十分である。 Next, after evacuating to about 10 −3 Pa, the temperature is raised to a temperature at which the brazing material melts. Most of the binder, glue and the like are vaporized during the temperature rise. The temperature at which the brazing material is melted is preferably above the liquidus temperature of the brazing material and within about the liquidus temperature + 20 ° C. On the lower temperature side than the liquidus temperature, the unevenness of the brazing material surface becomes large, which is not preferable. Increasing the temperature above the liquidus temperature by more than 20 ° C is not preferable because it only increases the deformation of the metal support due to heat. The holding time at the brazing temperature is sufficient if it is about 10 to 30 minutes.

本発明の表面にバリヤ層を付与させた金属製支持材を用いることによって、ろう材の液相線温度+20℃と言う低い温度で安定したろう付けが可能となる。   By using a metal support material having a barrier layer applied to the surface of the present invention, stable brazing can be achieved at a low temperature of the liquidus temperature of the brazing material + 20 ° C.

本発明によるドレッサーを使って、水を流しながら発砲ポリウレタン製パッドを30時間連続ドレッシングした後、ドレッサーの砥粒の脱落の有無を調べたが、脱落している砥粒は皆無であった。   Using the dresser according to the present invention, the foamed polyurethane pad was continuously dressed for 30 hours while flowing water, and then the presence or absence of the abrasive grains of the dresser was examined. However, none of the abrasive grains were missing.

以下、実施例に基づいて、本発明を詳細に説明する。
(実施例1)
直径70mm、厚さ4mmのSUS304ステンレス円板の表面に浸炭処理を施した。浸炭には、木炭に炭酸バリウムを40%混合した固体浸炭剤を使用した。この固体浸炭剤中にステンレス円板を埋めて、表1に示した温度、保持時間で浸炭処理を行った。浸炭後の円板の断面をEPMAで分析し、浸炭層のC濃度、厚みを測定した。同条件で浸炭処理したステンレス円板の片面に25μm厚のBni-2箔をスポット溶接した。その上に粒径70μmのダイヤモンドを2個/mm2の密度で正方形パタ―ン配置させ、1040℃で真空中15分間ろう付け処理を施した。比較材は、浸炭処理を施さない場合とした。ろう付け後の評価は、ダイヤのろう付け状態を顕微鏡で観察し、ダイヤ体積の少なくとも40%がろう材に埋まっている状態を「良好」、40%未満の状態を「不良」とした。また、発砲ウレタンパットを30時間連続して研磨した後のダイヤの脱落状態を調べた。研磨は、全体荷重5kgで純水を流しながら行った。結果を表1に示す。ただし、表1のC濃度は、C濃化層の平均濃度である。
Hereinafter, based on an Example, this invention is demonstrated in detail.
Example 1
The surface of a SUS304 stainless steel disc having a diameter of 70 mm and a thickness of 4 mm was carburized. For carburizing, a solid carburizing agent obtained by mixing 40% of barium carbonate with charcoal was used. A stainless steel disk was buried in this solid carburizing agent, and carburizing treatment was performed at the temperature and holding time shown in Table 1. The cross section of the carburized disc was analyzed with EPMA, and the C concentration and thickness of the carburized layer were measured. A Bni-2 foil with a thickness of 25 μm was spot welded on one side of a stainless steel disc carburized under the same conditions. On top of this, a diamond pattern with a particle size of 70 μm was placed in a square pattern at a density of 2 pieces / mm 2 and brazed at 1040 ° C. in a vacuum for 15 minutes. The comparative material was a case where the carburizing treatment was not performed. In the evaluation after brazing, the brazing state of the diamond was observed with a microscope, and a state in which at least 40% of the diamond volume was buried in the brazing material was defined as “good” and a state of less than 40% was defined as “bad”. In addition, the diamond dropout state after polishing the foamed urethane pad for 30 hours was examined. Polishing was performed while flowing pure water with a total load of 5 kg. The results are shown in Table 1. However, the C concentration in Table 1 is the average concentration of the C concentrated layer.

Figure 2006305659
Figure 2006305659

以上から、本発明の金属製支持材の表面にC濃化層が付与されているドレッサーは、ろう付け状態が良好で、ダイヤの脱落も全く起こらない。EPMA分析の結果、ろう材からステンレス基材へのBの拡散も抑制されていることが確認できた。これに対して、比較材ではろう材中のBの約80%がステンレス基材側へ拡散していた。   From the above, the dresser in which the C-concentrated layer is provided on the surface of the metal support material of the present invention has a good brazed state and no diamond dropout. As a result of EPMA analysis, it was confirmed that the diffusion of B from the brazing material to the stainless steel substrate was also suppressed. In contrast, in the comparative material, about 80% of B in the brazing material was diffused to the stainless steel substrate side.

(実施例2)
直径70mm、厚さ4mmのSUS304ステンレス円板の片側表面にイオンプレーティングによって、DLC膜を成膜した。成膜の際には、ベンゼンガスを導入して直流アーク放電プラズマを形成させた。膜厚は、成膜時間を変えて制御した。C濃化層であるDLC膜の厚みは、断面をEPMAで分析して求めた。DLC膜の濃度分析結果は、98%であった。比較材は、DLC成膜処理を施さない場合とした。同条件で作製したステンレス円板に、実施例1と同様にダイヤモンドをろう付けした。評価も実施例1と同様に行った。結果を表2に示す。
(Example 2)
A DLC film was formed on one surface of a SUS304 stainless steel disc having a diameter of 70 mm and a thickness of 4 mm by ion plating. At the time of film formation, benzene gas was introduced to form a DC arc discharge plasma. The film thickness was controlled by changing the film formation time. The thickness of the DLC film as the C-concentrated layer was determined by analyzing the cross section with EPMA. The concentration analysis result of the DLC film was 98%. The comparative material was a case where the DLC film forming treatment was not performed. In the same manner as in Example 1, diamond was brazed to a stainless steel disc manufactured under the same conditions. Evaluation was performed in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 2.

Figure 2006305659
Figure 2006305659

以上から、本発明の金属製支持材の表面にバリヤ層としてC濃化層が付与されているドレッサーは、ろう付け状態が良好で、ダイヤの脱落も全く起こらない。EPMA分析の結果、ろう材からステンレスへのBの拡散も抑制されていることが確認できた。なお、No.11の比較例は、No.1の比較例と同様のB拡散挙動を示した。   From the above, the dresser in which the C-concentrated layer is provided as a barrier layer on the surface of the metal support material of the present invention is in a good brazed state, and the diamond does not fall off at all. As a result of EPMA analysis, it was confirmed that the diffusion of B from the brazing material to stainless steel was also suppressed. The No. 11 comparative example showed the same B diffusion behavior as the No. 1 comparative example.

(実施例3)
直径70mm、厚さ4mmのSUS304ステンレス円板の片側表面に、スパッタリングによって、Siを含むバリヤ層を成膜した。ターゲット材の組成は、Ni-10%Si、Ni-30%Si、Ni-70%Si、純Siである。膜厚は、スパッタリング時間を変えて制御した。Si濃化層の厚みは、断面をEPMAで分析して求めた。Si濃化層のSi濃度は、ターゲット材のSi濃度と同じであった。比較材は、スパッタリング処理を施さない場合とした。同条件で作製したステンレス円板に、実施例1と同様にダイヤモンドをろう付けした。評価も実施例1と同様に行った。結果を表3に示す。
(Example 3)
A barrier layer containing Si was formed by sputtering on one surface of a SUS304 stainless steel disc having a diameter of 70 mm and a thickness of 4 mm. The composition of the target material is Ni-10% Si, Ni-30% Si, Ni-70% Si, and pure Si. The film thickness was controlled by changing the sputtering time. The thickness of the Si concentrated layer was determined by analyzing the cross section with EPMA. The Si concentration of the Si concentrated layer was the same as the Si concentration of the target material. The comparative material was not subjected to sputtering treatment. In the same manner as in Example 1, diamond was brazed to a stainless steel disc manufactured under the same conditions. Evaluation was performed in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 3.

Figure 2006305659
Figure 2006305659

以上から、本発明の金属製支持材の表面にバリヤ層としてSi濃化層が付与されているドレッサーは、ろう付け状態が良好で、ダイヤの脱落も全く起こらない。EPMA分析の結果、ろう材からステンレスへのBの拡散も抑制されていることが確認できた。なお、No.20の比較例は、No.1の比較例と同様のB拡散挙動を示した。   From the above, the dresser in which the Si-concentrated layer is provided as a barrier layer on the surface of the metal support material of the present invention is in a good brazing state and the diamond does not fall off at all. As a result of EPMA analysis, it was confirmed that the diffusion of B from the brazing material to stainless steel was also suppressed. The comparative example No. 20 showed the same B diffusion behavior as the comparative example No. 1.

(実施例4)
直径70mm、厚さ4mmのSUS304ステンレス円板の片面にマスキングして、他方の面に電気めっきによってCu膜を成膜した。先ず、SUS表面にシアン化銅ストライクめっきをした後に、硫酸銅水溶液を使ってCuめっきを行った。硫酸銅めっき浴は、CuSO4・5H2Oが200g/L、H2SO4が50g/L、塩素イオンが40mg/L、光沢剤、の通常用いられているものである。Cuめっき厚みは、めっき時間を変えて制御した。Cu濃化層の厚み(めっき厚み)は、断面をEPMAで分析して求めた。比較材は、めっき処理を施さない場合とした。同条件で作製したステンレス円板に、実施例1と同様にダイヤモンドをろう付けした。評価も実施例1と同様に行った。結果を表4に示す。
Example 4
Masking was performed on one side of a SUS304 stainless steel disc having a diameter of 70 mm and a thickness of 4 mm, and a Cu film was formed on the other side by electroplating. First, after copper cyanide strike plating was performed on the SUS surface, Cu plating was performed using an aqueous copper sulfate solution. The copper sulfate plating bath is usually used in which CuSO 4 .5H 2 O is 200 g / L, H 2 SO 4 is 50 g / L, chlorine ion is 40 mg / L, and a brightener. The Cu plating thickness was controlled by changing the plating time. The thickness of the Cu enriched layer (plating thickness) was determined by analyzing the cross section with EPMA. The comparative material was not subjected to plating treatment. In the same manner as in Example 1, diamond was brazed to a stainless steel disc manufactured under the same conditions. Evaluation was performed in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 4.

Figure 2006305659
Figure 2006305659

以上から、本発明の金属製支持材の表面にバリヤ層としてCu濃化層が付与されているドレッサーは、ろう付け状態が良好で、ダイヤの脱落も全く起こらない。EPMA分析の結果、ろう材からステンレスへのBの拡散も抑制されていることが確認できた。なお、No.44の比較例は、No.1の比較例と同様のB拡散挙動を示した。   From the above, the dresser in which the Cu enriched layer is provided as a barrier layer on the surface of the metal support material of the present invention is in a good brazed state and the diamond does not fall off at all. As a result of EPMA analysis, it was confirmed that the diffusion of B from the brazing material to stainless steel was also suppressed. The comparative example No. 44 showed the same B diffusion behavior as the comparative example No. 1.

(実施例5)
直径70mm、厚さ4mmのSUS304ステンレス円板の片面にマスキングして、他方の面に硫酸ニッケル水溶液を使った電気めっきによってNi膜を成膜した。めっき浴NiSO4・6H2Oが150g/L、NH4Clが15g/L、ほう酸が15g/Lの通常用いられているものである。Niめっき厚みは、めっき時間を変えて制御した。Ni濃化層の厚みは、断面をEPMAで分析して求めた。比較材は、めっき処理を施さない場合とした。同条件で作製したステンレス円板に、実施例1と同様にダイヤモンドをろう付けした。評価も実施例1と同様に行った。結果を表5に示す。
(Example 5)
A SUS304 stainless steel disc with a diameter of 70 mm and a thickness of 4 mm was masked on one side, and a Ni film was formed on the other side by electroplating using an aqueous nickel sulfate solution. The plating bath NiSO 4 · 6H 2 O is 150 g / L, NH 4 Cl is 15 g / L, and boric acid is 15 g / L. The Ni plating thickness was controlled by changing the plating time. The thickness of the Ni concentrated layer was obtained by analyzing the cross section with EPMA. The comparative material was not subjected to plating treatment. In the same manner as in Example 1, diamond was brazed to a stainless steel disc manufactured under the same conditions. Evaluation was performed in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 5.

Figure 2006305659
Figure 2006305659

以上から、本発明の金属製支持材の表面にバリヤ層としてNi濃化層が付与されているドレッサーは、ろう付け状態が良好で、ダイヤの脱落も全く起こらない。EPMA分析の結果、ろう材からステンレスへのBの拡散も抑制されていることが確認できた。なお、No.52の比較例は、No.1の比較例と同様のB拡散挙動を示した。   From the above, the dresser in which the Ni-concentrated layer is provided as a barrier layer on the surface of the metal support material of the present invention is in a good brazed state and the diamond does not fall off at all. As a result of EPMA analysis, it was confirmed that the diffusion of B from the brazing material to stainless steel was also suppressed. The comparative example No. 52 showed the same B diffusion behavior as the comparative example No. 1.

(実施例6)
直径70mm、厚さ4mmのSUS304ステンレス円板の片側表面にスパッタリングによって、Niを含むを成膜した。ターゲット材の組成は、Fe-70%Ni、Fe-82%Ni、Fe-95%Niである。膜厚は、スパッタリング時間を変えて制御した。Ni濃化層の厚みは、断面をEPMAで分析して求めた。Ni濃化層のNi濃度は、ターゲット材のNi濃度と同じであった。比較材は、スパッタリング処理を施さない場合とした。同条件で作製したステンレス円板に、実施例1と同様にダイヤモンドをろう付けした。評価も実施例1と同様に行った。結果を表6に示す。
(Example 6)
A film containing Ni was formed by sputtering on one surface of a SUS304 stainless steel disc having a diameter of 70 mm and a thickness of 4 mm. The composition of the target material is Fe-70% Ni, Fe-82% Ni, Fe-95% Ni. The film thickness was controlled by changing the sputtering time. The thickness of the Ni concentrated layer was obtained by analyzing the cross section with EPMA. The Ni concentration of the Ni concentrated layer was the same as the Ni concentration of the target material. The comparative material was not subjected to sputtering treatment. In the same manner as in Example 1, diamond was brazed to a stainless steel disc manufactured under the same conditions. Evaluation was performed in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 6.

Figure 2006305659
Figure 2006305659

以上から、本発明の金属製支持材の表面にバリヤ層としてNi濃化層が付与されているドレッサーは、ろう付け状態が良好で実施例No.61、62を除いてダイヤの脱落も全く起こらなかった。実施例No.61、62はダイヤが脱落したものの、極僅かであった。EPMA分析の結果、ろう材からステンレスへのBの拡散も抑制されていることが確認できた。なお、No.60の比較例は、No.1の比較例と同様のB拡散挙動を示した。   From the above, the dresser in which the Ni-concentrated layer is provided as a barrier layer on the surface of the metal support material of the present invention is in a good brazed state, and diamond dropout does not occur at all except for Examples No. 61 and 62. There wasn't. In Examples Nos. 61 and 62, the diamond dropped out, but very little. As a result of EPMA analysis, it was confirmed that the diffusion of B from the brazing material to stainless steel was also suppressed. The comparative example No. 60 showed the same B diffusion behavior as the comparative example No. 1.

(実施例7)
直径70mm、厚さ4mmのSUS304ステンレス円板の片側表面にスパッタリングによって、Ti、Zr、Cr、Hf、V、Nb、Ta、Mo、Wの少なくとも1種を含む膜を成膜した。ターゲット材の組成と成膜された膜組成はほぼ同じであったため、ターゲット材組成は表7に示した膜組成と同じである。膜厚は、スパッタリング時間を変えて制御した。濃化層の厚みは、断面をEPMAで分析して求めた。比較材は、スパッタリング処理を施さない場合とした。同条件で作製したステンレス円板に、実施例1と同様にダイヤモンドをろう付けした。評価も実施例1と同様に行った。結果を表7に示す。
(Example 7)
A film containing at least one of Ti, Zr, Cr, Hf, V, Nb, Ta, Mo, and W was formed on one surface of a SUS304 stainless steel disc having a diameter of 70 mm and a thickness of 4 mm by sputtering. Since the composition of the target material and the formed film composition were almost the same, the target material composition was the same as the film composition shown in Table 7. The film thickness was controlled by changing the sputtering time. The thickness of the concentrated layer was determined by analyzing the cross section with EPMA. The comparative material was not subjected to sputtering treatment. In the same manner as in Example 1, diamond was brazed to a stainless steel disc manufactured under the same conditions. Evaluation was performed in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 7.

Figure 2006305659
Figure 2006305659

以上から、本発明の金属製支持材の表面にバリヤ層としてTi、Zr、Cr、Hf、V、Nb、Ta、Mo、Wの少なくとも1種を含む濃化層が付与されているドレッサーは、ろう付け状態が良好で、ダイヤの脱落も全く起こらない。EPMA分析の結果、ろう材からステンレスへのBの拡散も抑制されていることが確認できた。なお、No.73の比較例は、No.1の比較例と同様のB拡散挙動を示した。   From the above, the dresser provided with a concentrated layer containing at least one of Ti, Zr, Cr, Hf, V, Nb, Ta, Mo, W as a barrier layer on the surface of the metal support material of the present invention, The brazed state is good and diamonds do not fall off at all. As a result of EPMA analysis, it was confirmed that the diffusion of B from the brazing material to stainless steel was also suppressed. The comparative example No. 73 showed the same B diffusion behavior as the comparative example No. 1.

(実施例8)
実施例No.16、No.40、No.46、No.54、No.75、及びNo.85と同条件で作製したC濃化層、Si濃化層、Ni濃化層、及び、Ti、Zr、Cr、Hf、V、Nb、Ta、Mo、Wの少なくとも1種を含む濃化層を付与したステンレス円板に、実施例1と同じ条件でダイヤモンドを配置し、ろう付け処理を行った。ろう付け温度をろう材の液相線温度の1024℃よりも僅か高めの1030℃とし、保持時間を10分とした。比較材No.20では、1040℃のろう付けでは、ろう付け不良であったため、ろう付け温度を1060℃及び1080℃まで上昇させた。実施例1と同様な評価を行った。さらに、ステンレス円板の反りの程度を円板中心と周囲から10mm内側に入った位置のおける高さの差として評価した。結果を表8に示す。
(Example 8)
Example No. 16, No. 40, No. 46, No. 54, No. 75, and C. Concentrated layer, Si concentrated layer, Ni concentrated layer, and Ti produced under the same conditions as No. 85 , Zr, Cr, Hf, V, Nb, Ta, Mo, W were subjected to brazing treatment by placing diamond under the same conditions as in Example 1 on a stainless disc provided with a concentrated layer containing at least one of them. It was. The brazing temperature was set to 1030 ° C., slightly higher than the liquidus temperature of the brazing material, 1024 ° C., and the holding time was set to 10 minutes. In comparative material No. 20, since brazing at 1040 ° C. was not brazing, the brazing temperature was increased to 1060 ° C. and 1080 ° C. The same evaluation as in Example 1 was performed. Furthermore, the degree of warpage of the stainless steel disk was evaluated as the difference in height between the center of the disk and the position 10 mm inside from the periphery. The results are shown in Table 8.

Figure 2006305659
Figure 2006305659

以上から、本発明の金属製支持材の表面にC濃化層、Si濃化層、Ni濃化層、及びTi、Zr、Cr、Hf、V、Nb、Ta、Mo、Wの少なくとも1種を含む濃化層が付与されているドレッサーは、ろう付け温度を下げることが可能となるため、ドレッサーの反りが低減する効果がある。反りが50μm未満になると、50μm超の場合に比べてパッドの研削時間が長くなっても、パッド厚の片減り等の抑制効果が大きくなり、パッド厚の均一性が向上する。   From the above, on the surface of the metal support material of the present invention, at least one of C-enriched layer, Si-enriched layer, Ni-enriched layer, and Ti, Zr, Cr, Hf, V, Nb, Ta, Mo, W Since the dresser to which the concentrated layer containing is added can lower the brazing temperature, there is an effect of reducing the warpage of the dresser. When the warpage is less than 50 μm, even if the pad grinding time is longer than that when it exceeds 50 μm, the effect of suppressing the reduction of the pad thickness is increased, and the uniformity of the pad thickness is improved.

Claims (7)

金属製支持材の表面に複数個の砥粒がろう材でろう付けされてなる研磨布用ドレッサーであって、
前記金属製支持材表面と前記ろう材との間に、ろう材の構成元素の拡散を防止する拡散防止バリヤ層を有することを特徴とする研磨布用ドレッサー。
A polishing cloth dresser in which a plurality of abrasive grains are brazed with a brazing material on the surface of a metal support,
A polishing cloth dresser comprising a diffusion barrier layer for preventing diffusion of constituent elements of the brazing material between the surface of the metal support material and the brazing material.
前記ろう材がホウ素Bを含むことを特徴とする請求項1に記載の研磨布用ドレッサー。   The abrasive cloth dresser according to claim 1, wherein the brazing material contains boron B. 前記バリヤ層が炭素C濃化層であることを特徴とする請求項1に記載の研磨布用ドレッサー。   The dresser for an abrasive cloth according to claim 1, wherein the barrier layer is a carbon C concentrated layer. 前記バリヤ層がケイ素Si濃化層であることを特徴とする請求項1に記載の研磨布用ドレッサー。   The polishing cloth dresser according to claim 1, wherein the barrier layer is a silicon Si concentrated layer. 前記バリヤ層が銅Cu濃化層であることを特徴とする請求項1に記載の研磨布用ドレッサー。   The dresser for polishing cloth according to claim 1, wherein the barrier layer is a copper Cu concentrated layer. 前記バリヤ層がニッケルNi濃化層であることを特徴とする請求項1に記載の研磨布用ドレッサー。   The dresser for polishing cloth according to claim 1, wherein the barrier layer is a nickel-Ni concentrated layer. 前記バリヤ層がチタンTi、ジルコニウムZr、クロムCr、ハフニウムHf、バナジウムV、ニオブNb、タンタルTa、モリブデンMo、タングステンWのうち少なくとも1種を含む濃化層であることを特徴とする請求項1に記載の研磨布用ドレッサー。   The barrier layer is a concentrated layer containing at least one of titanium Ti, zirconium Zr, chromium Cr, hafnium Hf, vanadium V, niobium Nb, tantalum Ta, molybdenum Mo, and tungsten W. Dresser for abrasive cloth as described in 4.
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