JP2006350318A

JP2006350318A - 液晶表示装置及び電子機器

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Publication number: JP2006350318A
Application number: JP2006137192A
Authority: JP
Inventors: Shunpei Yamazaki; 舜平山崎; Jun Koyama; 潤小山; Yoshifumi Tanada; 好文棚田; Mitsuaki Osame; 光明納; Hajime Kimura; 肇木村; Ryota Fukumoto; 良太福本; Hiromi Yanai; 宏美柳井
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 2005-05-20
Filing date: 2006-05-17
Publication date: 2006-12-28
Anticipated expiration: 2026-05-17
Also published as: JP4943058B2

Abstract

【課題】暗所から強い外光下においてもその表示が認識できる液晶表示装置を提供することを目的する。
【解決手段】外光強度に応じて階調数を変えて表示を行うものであり、画面に表示する内容に応じて表示モードを切り替えることのできる液晶表示装置である。外光強度に応じて、表示モード別ビデオ信号生成回路を制御して、入力されたビデオ信号をアナログ値のまま出力したり、２値のデジタル値で出力したり、多値のデジタル値で出力したりする。その結果、画素の表示階調が、適時変化する。これにより、綺麗な画像を表示できる。例えば、暗所若しくは屋内の蛍光灯下から屋外の太陽光下まで広い範囲において視認性を確保することができる。
【選択図】図１

Description

本発明は、文字、静止画若しくは動画などを表示する画面を備えた表示装置に関するものであり、さまざまな使用環境下において、表示画面の視認性を改善するための技術に関する。

携帯電話機をはじめとして、表示画面を液晶パネルで構成したさまざま電気製品が普及している。液晶パネルは薄型軽量といった特徴があり、ノート型と呼ばれるパーソナルコンピュータでは液晶パネルを備えたモバイル対応の製品が生産されている。また、ＰＤＡ（ＰｅｒｓｏｎａｌＤｉｇｉｔａｌＡｓｓｉｓｔａｎｔ）と呼ばれる情報端末も多数生産され普及しつつある。

液晶パネルに限らないが、この種の用途に用いられる表示用パネルは、見た目の画質が重要視されるようになり、明るさやコントラストを自動または手動で調整する機能が備えられているものが多く普及している。例えば、液晶パネルのバックライトの輝度を上げずに、液晶の透過率を変化させて階調視認性を高める調整機能を備えた液晶表示装置が知られている（特許文献１参照。）。
特開２００３−１８６４５５号公報

しかしながら、液晶パネルは、３００〜７００ルクスの室内環境下では良好な視認性を示すが、１，０００ルクス以上の屋外環境下では視認性が著しく悪化してしまうという問題があった。反射型液晶パネルと呼ばれ、画素電極で外光を反射する構成にしたものあるが、屋内の蛍光灯下ではむしろ画質が低下してしまい、本質的な解決には至っていなかった。すなわち、暗所若しくは屋内の蛍光灯下から屋外の太陽光下まで広い範囲において視認性を確保することが解決されていなかった。

そこで、本発明は、暗所から強い外光下においても表示が認識できる表示装置を提供することを目的する。

本発明は、複数の画素がマトリクス状に配置された液晶表示装置であって、前記液晶表示装置は、ソースドライバとゲートドライバと、を有し、表示モードとして、少なくとも第１及び第２の表示モードを有し、前記第１の表示モードにおいて、前記ソースドライバにアナログ信号が供給され、前記第２の表示モードにおいて、前記ソースドライバにデジタル信号が供給され、外光強度に応じて表示モードが切り替わることを特徴としている。

また本発明は、複数の画素がマトリクス状に配置された液晶表示装置であって、前記液晶表示装置は、ソースドライバとゲートドライバと、を有し、表示モードとして、少なくとも第１及び第２の表示モードを有し、前記第１の表示モードにおいて、前記ソースドライバにアナログ信号が供給され、前記ソースドライバから前記画素にアナログ信号が供給され、前記第２の表示モードにおいて、前記ソースドライバにデジタル信号が供給され、前記ソースドライバから前記画素にデジタル信号が供給され、外光強度に応じて表示モードが切り替わることを特徴としている。

なお、本発明において、トランジスタは、様々な形態のトランジスタを適用させることが出来る。よって、適用可能なトランジスタの種類に限定はない。したがって、非晶質シリコンや多結晶シリコンに代表される非単結晶半導体膜を用いた薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、半導体基板やＳＯＩ基板を用いて形成されるＭＯＳ型トランジスタ、接合型トランジスタ、バイポーラトランジスタ、ＺｎＯ、ａ−ＩｎＧａＺｎＯなどの化合物半導体を用いたトランジスタ、有機半導体やカーボンナノチューブを用いたトランジスタ、その他のトランジスタを適用することができる。なお、非単結晶半導体膜には水素またはハロゲンが含まれていてもよい。また、トランジスタが配置されている基板の種類は、様々なものを用いることができ、特定のものに限定されることはない。従って例えば、単結晶基板、ＳＯＩ基板、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板、紙基板、セロファン基板、石材基板などに配置することが出来る。また、ある基板でトランジスタを形成し、その後、別の基板にトランジスタを移動させて、別の基板上に配置するようにしてもよい。

なお、トランジスタの構成は、様々な形態をとることができる。特定の構成に限定されない。例えば、ゲート本数が２本以上になっているマルチゲート構造を用いてもよい。マルチゲート構造にすることにより、オフ電流を低減したり、トランジスタの耐圧を向上させて信頼性を良くしたり、飽和領域で動作する時に、ドレイン・ソース間電圧が変化しても、ドレイン・ソース間電流があまり変化せず、フラットな特性にすることができる。また、チャネルの上下にゲート電極が配置されている構造でもよい。チャネルの上下にゲート電極が配置されている構造にすることにより、チャネル領域が増えるため、電流値を大きくしたり、空乏層ができやすくなってＳ値をよくしたりすることができる。また、チャネルの上にゲート電極が配置されている構造でもよいし、チャネルの下にゲート電極が配置されている構造でもよいし、正スタガ構造であってもよいし、逆スタガ構造でもよいし、チャネル領域が複数の領域に分かれていてもよいし、並列に接続されていてもよいし、直列に接続されていてもよい。また、チャネル（もしくはその一部）にソース電極やドレイン電極が重なっていてもよい。チャネル（もしくはその一部）にソース電極やドレイン電極が重なっている構造にすることにより、チャネルの一部に電荷がたまって、動作が不安定になることを防ぐことができる。また、ＬＤＤ領域があってもよい。ＬＤＤ領域を設けることにより、オフ電流を低減したり、トランジスタの耐圧を向上させて信頼性を良くしたり、飽和領域で動作する時に、ドレイン・ソース間電圧が変化しても、ドレイン・ソース間電流があまり変化せず、フラットな特性にすることができる。

なお、本発明において、接続されているとは、電気的に接続されている場合と直接接続されている場合とを含むものとする。したがって、本発明が開示する構成において、所定の接続関係に加え、その間に電気的な接続を可能とする他の素子（例えば、スイッチやトランジスタや容量素子やインダクタや抵抗素子やダイオードなど）が配置されていてもよい。あるいは、間に他の素子を挟まずに、直接接続されて、配置されていてもよい。なお、電気的な接続を可能とする他の素子を間に介さずに接続されていて、直接接続されている場合のみを含む場合であって、電気的に接続されている場合を含まない場合には、直接接続されている、と記載するものとする。なお、電気的に接続されている、と記載する場合は、電気的に接続されている場合と直接接続されている場合とを含むものとする。

なお、本発明においては、一画素とは、明るさを制御できる要素一つ分を示すものとする。よって、一例としては、一画素とは、一つの色要素を示すものとし、その色要素一つで明るさを表現する。従って、そのときは、Ｒ（赤）Ｇ（緑）Ｂ（青）の色要素からなるカラー表示装置の場合には、画像の最小単位は、Ｒの画素とＧの画素とＢの画素との三画素から構成されるものとする。なお、色要素は、三色に限定されず、それ以上でもよく、例えば、ＲＧＢＷ（Ｗは白）や、ＲＧＢに、イエロー、シアン、マゼンダを追加したものなどがある。また、別の例としては、１つの色要素について、複数の領域を用いて明るさを制御する場合は、その領域一つ分を一画素とする。よって、一例としては、面積階調を行う場合、一つの色要素につき、明るさを制御する領域が複数あり、その全体で階調を表現するわけであるが、明るさを制御する領域の一つ分を一画素とする。よって、その場合は、一つの色要素は、複数の画素で構成されることとなる。また、その場合、画素によって、表示に寄与する領域の大きさが異なっている場合がある。また、一つの色要素につき複数ある、明るさを制御する領域において、つまり、一つの色要素を構成する複数の画素において、各々に供給する信号を僅かに異ならせるようにして、視野角を広げるようにしてもよい。

なお、本発明において、画素は、マトリクス状に配置（配列）されている場合を含んでいる。ここで、画素がマトリクス状に配置（配列）されているとは、縦縞と横縞を組み合わせたいわゆる格子状に配置され、色要素のドット毎にストライプ配置されている場合を含んでいる。そして、三色の色要素（例えばＲＧＢ）でフルカラー表示を行う場合に、三つの色要素のドットがいわゆるデルタ配置されている場合も含むものとする。さらに、ベイヤー配置されている場合も含んでいる。また、色要素のドット毎にその発光領域の大きさが異なっていてもよい。

なお、トランジスタとは、それぞれ、ゲートと、ドレインと、ソースとを含む少なくとも三つの端子を有する素子である。ゲートとは、ゲート電極とゲート配線（ゲート線またはゲート信号線等とも言う）とを含んだ全体、もしくは、それらの一部のことを言う。ゲート電極とは、チャネル領域やＬＤＤ（ＬｉｇｈｔｌｙＤｏｐｅｄＤｒａｉｎ）領域などを形成する半導体と、ゲート絶縁膜を介してオーバーラップしている部分の導電膜のことを言う。ゲート配線とは、各画素のゲート電極の間を接続したり、ゲート電極と別の配線とを接続したりするための配線のことを言う。

ただし、ゲート電極としても機能し、ゲート配線としても機能するような部分も存在する。そのような領域は、ゲート電極と呼んでも良いし、ゲート配線と呼んでも良い。つまり、ゲート電極とゲート配線とが、明確に区別できないような領域も存在する。例えば、延伸して配置されているゲート配線とオーバーラップしてチャネル領域がある場合、その領域はゲート配線として機能しているが、ゲート電極としても機能していることになる。よって、そのような領域は、ゲート電極と呼んでも良いし、ゲート配線と呼んでも良い。

また、ゲート電極と同じ材料で形成され、ゲート電極とつながっている領域も、ゲート電極と呼んでも良い。同様に、ゲート配線と同じ材料で形成され、ゲート配線とつながっている領域も、ゲート配線と呼んでも良い。このような領域は、厳密な意味では、チャネル領域とオーバーラップしていなかったり、別のゲート電極と接続させる機能を有してなかったりする場合がある。しかし、製造マージンなどの関係で、ゲート電極やゲート配線と同じ材料で形成され、ゲート電極やゲート配線とつながっている領域がある。よって、そのような領域もゲート電極やゲート配線と呼んでも良い。

また、例えば、マルチゲートのトランジスタにおいて、１つのトランジスタのゲート電極と、別のトランジスタのゲート電極とは、ゲート電極と同じ材料で形成された導電膜で接続される場合が多い。そのような領域は、ゲート電極とゲート電極とを接続させるための領域であるため、ゲート配線と呼んでも良いが、マルチゲートのトランジスタを１つのトランジスタであると見なすことも出来るため、ゲート電極と呼んでも良い。つまり、ゲート電極やゲート配線と同じ材料で形成され、それらとつながって配置されているものは、ゲート電極やゲート配線と呼んでも良い。また、例えば、ゲート電極とゲート配線とを接続してさせている部分の導電膜も、ゲート電極と呼んでも良いし、ゲート配線と呼んでも良い。

なお、ゲート端子とは、ゲート電極の領域や、ゲート電極と電気的に接続されている領域について、その一部分のことを言う。

なお、ソースとは、ソース領域とソース電極とソース配線（ソース線またはソース信号線等とも言う）とを含んだ全体、もしくは、それらの一部のことを言う。ソース領域とは、Ｐ型不純物（ボロンやガリウムなど）やＮ型不純物（リンやヒ素など）が多く含まれる半導体領域のことを言う。従って、少しだけＰ型不純物やＮ型不純物が含まれる領域、いわゆる、ＬＤＤ（ＬｉｇｈｔｌｙＤｏｐｅｄＤｒａｉｎ）領域は、ソース領域には含まれない。ソース電極とは、ソース領域とは別の材料で形成され、ソース領域と電気的に接続されて配置されている部分の導電層のことを言う。ただし、ソース電極は、ソース領域も含んでソース電極と呼ぶこともある。ソース配線とは、各画素のソース電極の間を接続したり、ソース電極と別の配線とを接続したりするための配線のことを言う。

しかしながら、ソース電極としても機能し、ソース配線としても機能するような部分も存在する。そのような領域は、ソース電極と呼んでも良いし、ソース配線と呼んでも良い。つまり、ソース電極とソース配線とが、明確に区別できないような領域も存在する。例えば、延伸して配置されているソース配線とオーバーラップしてソース領域がある場合、その領域はソース配線として機能しているが、ソース電極としても機能していることになる。よって、そのような領域は、ソース電極と呼んでも良いし、ソース配線と呼んでも良い。

また、ソース電極と同じ材料で形成され、ソース電極とつながっている領域や、ソース電極とソース電極とを接続する部分も、ソース電極と呼んでも良い。また、ソース領域とオーバーラップしている部分も、ソース電極と呼んでも良い。同様に、ソース配線と同じ材料で形成され、ソース配線とつながっている領域も、ソース配線と呼んでも良い。このような領域は、厳密な意味では、別のソース電極と接続させる機能を有していたりすることがない場合がある。しかし、製造マージンなどの関係で、ソース電極やソース配線と同じ材料で形成され、ソース電極やソース配線とつながっている領域がある。よって、そのような領域もソース電極やソース配線と呼んでも良い。

また、例えば、ソース電極とソース配線とを接続してさせている部分の導電膜も、ソース電極と呼んでも良いし、ソース配線と呼んでも良い。

なお、ソース端子とは、ソース領域の領域や、ソース電極や、ソース電極と電気的に接続されている領域について、その一部分のことを言う。

なお、ドレインについては、ソースと同様である。

なお、本発明において、ある物の上に形成されている、あるいは、〜上に形成されている、というように、〜の上に、あるいは、〜上に、という記載については、ある物の上に直接接していることに限定されない。直接接してはいない場合、つまり、間に別のものが挟まっている場合も含むものとする。従って例えば、層Ａの上に（もしくは層Ａ上に）、層Ｂが形成されている、という場合は、層Ａの上に直接接して層Ｂが形成されている場合と、層Ａの上に直接接して別の層（例えば層Ｃや層Ｄなど）が形成されていて、その上に直接接して層Ｂが形成されている場合とを含むものとする。また、〜の上方に、という記載についても同様であり、ある物の上に直接接していることに限定されず、間に別のものが挟まっている場合も含むものとする。従って例えば、層Ａの上方に、層Ｂが形成されている、という場合は、層Ａの上に直接接して層Ｂが形成されている場合と、層Ａの上に直接接して別の層（例えば層Ｃや層Ｄなど）が形成されていて、その上に直接接して層Ｂが形成されている場合とを含むものとする。なお、〜の下に、あるいは、〜の下方に、の場合についても、同様であり、直接接している場合と、接していない場合とを含むこととする。

本発明によれば、外光強度に応じて表示画像の階調数を制御することにより、視認性の優れた表示装置を提供することができる。すなわち、暗所若しくは屋内の蛍光灯下から屋外の太陽光下まで広い範囲において視認性を確保した表示装置を得ることができる。

以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。

（実施の形態１）
図１に、全体の構成図を示す。画素配列１０１を駆動するために、ソースドライバ１０２、ゲートドライバ１０３が配置されている。ソースドライバ１０２には、ビデオ信号が入力される。なお、ソースドライバ１０２、ゲートドライバ１０３は、各々複数個配置されていてもよい。

光センサ１１３は外光（表示装置が受ける外部の光）を検出する。その出力は、アンプ１１４に供給される。アンプ１１４は光センサ１１３が出力する電気信号を増幅し、増幅した電気信号をコントローラ１０７に供給する。なお、光センサ１１３が出力する電気信号が十分大きければ、アンプ１１４を設けなくてもよい。

なお、ソースドライバやその一部は、画素配列１０１と同一基板上に存在せず、例えば、外付けのＩＣチップを用いて構成されることもある。

なお、アンプ１１４や光センサ１１３は、画素配列１０１と同一基板上に存在してもよい。その場合、画素配列１０１と同一基板上で作成してもよい。あるいは、画素配列１０１と同一基板上に、ＣＯＧ（チップオングラス）やバンプなどを用いて、アンプ１１４や光センサ１１３を配置してもよい。

なお、すでに述べたように、本発明におけるトランジスタは、どのようなタイプのトランジスタでもよいし、どのような基板上に形成されていてもよい。したがって、図１で示したような回路が、全てガラス基板上に形成されていてもよいし、プラスチック基板に形成されていてもよいし、単結晶基板に形成されていてもよいし、ＳＯＩ基板上に形成されていてもよいし、どのような基板上に形成されていてもよい。あるいは、図１などにおける回路の一部が、ある基板に形成されており、図１などにおける回路の別の一部が、別の基板に形成されていてもよい。つまり、図１などにおける回路の全てが同じ基板上に形成されていなくてもよい。例えば、図１などにおいて、画素配列１０１とゲートドライバ１０３とは、ガラス基板上にＴＦＴを用いて形成し、ソースドライバ１０２（もしくはその一部）は、単結晶基板上に形成し、そのＩＣチップをＣＯＧ（ＣｈｉｐＯｎＧｌａｓｓ）で接続してガラス基板上に配置してもよい。あるいは、そのＩＣチップをＴＡＢ（ＴａｐｅＡｕｔｏＢｏｎｄｉｎｇ）やプリント基板を用いてガラス基板と接続してもよい。

同様に、本発明における光センサは、どのようなタイプの光センサでもよいし、どのような基板上に形成されていてもよい。光センサの例としては、ＰＩＮ型ダイオード、ＰＮ型ダイオード、ショットキー型ダイオードなどがあげられる。また、光センサは、どのような材質で形成されていてもよい。アモルファスシリコンやポリシリコン、単結晶、ＳＯＩなどで形成されていてもよい。アモルファスシリコンやポリシリコンで光センサを作成すると、画素配列と同じ基板で、同じプロセス工程で同時に作成できるため、コストを低減できる。

したがって、光センサやアンプが、全てガラス基板上に形成されていてもよいし、プラスチック基板に形成されていてもよいし、単結晶基板に形成されていてもよいし、ＳＯＩ基板上に形成されていてもよいし、どのような基板上に形成されていてもよい。あるいは、光センサやアンプの一部が、ある基板に形成されており、光センサやアンプの別の一部が、別の基板に形成されていてもよい。つまり、光センサやアンプの全てが同じ基板上に形成されていなくてもよい。例えば、図１などにおいて、光センサ１１３と画素配列１０１とゲートドライバ１０３とは、ガラス基板上にＴＦＴを用いて形成し、ソースドライバ１０２（もしくはその一部）は、単結晶基板上に形成し、そのＩＣチップをＣＯＧ（ＣｈｉｐＯｎＧｌａｓｓ）で接続してガラス基板上に配置してもよい。あるいは、そのＩＣチップをＴＡＢ（ＴａｐｅＡｕｔｏＢｏｎｄｉｎｇ）やプリント基板を用いてガラス基板と接続してもよい。

ソースドライバ１０２に入力されるビデオ信号は、表示モード別ビデオ信号生成回路１０６において、各表示モードに合わせて生成される。表示モード別ビデオ信号生成回路１０６は、コントローラ１０７を用いて制御される。また、表示モード別ビデオ信号生成回路１０６には、オリジナルのビデオ信号が入力される。そして、オリジナルのビデオ信号を用いて、表示モード別ビデオ信号生成回路１０６において、各表示モードに応じたビデオ信号が生成され、ソースドライバ１０２の方に出力される。

光センサ１１３からの信号を元にして、コントローラ１０７が表示モード別ビデオ信号生成回路１０６を制御する。そして、光センサ１１３からの信号により、つまり、周辺の輝度に応じて、ソースドライバ１０２などに供給するビデオ信号の階調数を制御する。階調数を制御するとき、周辺の輝度に応じて、階調数を徐々に変化させてもよいし、幾つかの表示モードを持たせて、どの表示モードで表示させるかを切り替えるようにしてもよい。

表示モードとしては、大きく分けて、アナログモードとデジタルモードとがある。アナログモードは、画素に入力するビデオ信号がアナログ値となる。一方、デジタルモードでは、画素に入力するビデオ信号がデジタル値となる。

光センサ１１３の出力に基づき、表示モード、つまり、表示するときの階調数を変える。具体的には、表示装置が強い外光を受けて、光センサ１１３の出力がある一定の値以上になると、表示画面に表示する画像の総階調数を低くする。表示装置が強い外光を受けると、ある階調目とある階調目との区別がはっきりせず、表示画面に表示する画像がぼやけてしまう。しかしながら、上記のように、表示装置が受ける外光に応じて、総階調数を低くすることにより、ある階調目とある階調目との区別を明確にして、表示パネルの表示画面の視認性を向上させることができる。

また、光センサ１１６の出力により、表示画面に表示する画像の総階調を２階調とする場合、通常では、白地の背景画像に黒地の表示画像を表示すが、それを反転させて黒地の背景画像に白地の表示画像を表示してもよい。そうすると、表示画面の視認性をさらに向上させることができる。また、白地の表示画像の輝度を高くすることにより、表示画面の視認性をさらに向上させることができる。この背景画像と表示画像の組み合わせは黒地に白表示に限定されず、コントラストのとりやすい（明暗比がはっきりする）組み合わせであれば任意の色の組み合わせをすることができる。

光センサ１１３の出力は、アンプ１１４を介して、コントローラ１０７に送られる。コントローラ１０７は、光センサ１１３の出力がある一定の値以上であるかどうかを検出する。光センサ１１３の出力がある一定の値以上ではない場合、表示パネルに出力する映像信号の総階調数は変えない。一方、光センサ１１３の出力がある一定の値以上の場合、表示パネルに出力する映像信号の総階調数を低くなるように補正する。

表１に示すように、室内及び屋外の明るさは、照明の具合や天候などの気象条件、時刻などによりさまざまに変化する。例えば、照明のある室内における照度は８００〜１，０００ルクス前後であり、昼間の曇天下における照度は３２，０００ルクス程度であり、昼間の晴天下の照度は１００，０００ルクスに達する。

このようなさまざまな明るさの状況下において、透過型液晶パネル（透過型ＬＣＤパネル）、半透過型液晶パネル（半透過型ＬＣＤパネル）、反射型液晶パネル（反射型ＬＣＤパネル）の視認性を比較した結果を表２に示す。

結果として、１，５００ルクス程度までの明るさ（主に室内、照明付きホールなど）の環境下では、反射型液晶パネルを除く各種液晶パネルで表示パターン（自然画、テキスト（文字、記号）など）によらず良好な視認性が得られた。これに対して、１０，０００ルクス下（昼間の曇天時）においては、透過型液晶パネルでは、自然画を表示した場合、中間調部分などの、コントラストが低い部分の視認度が大きく低下する傾向が見られた。半透過型液晶パネルでは、室内から屋外の環境下において、全体的にコントラストがやや低いものの、１０，０００ルクスの環境下で良好な視認性が得られた。消費電力に関しては、反射型液晶パネルが優れているが、室内などの比較的照度が低い環境下において視認性が低下する傾向が現れている。透過型液晶パネルでは、バックライトが電力を消費するので、反射型液晶パネルよりも消費電力が高くなっている。

表２から明らかなように、透過型液晶パネルや半透過型液晶パネルを用い、外光強度に応じて階調数を調節した表示モードとすることにより、室内から屋外までの環境下において視認性を確保することができる。

例えば、図１に示す表示装置において、光センサ１１３の出力により、表示装置が１０〜１００ルクスの外光を受けていることが検出された場合、総階調数は６４〜１０２４として変化させない。また、光センサ１１３の出力により、表示装置が１００〜１，０００ルクスの外光を受けていることが検出された場合、総階調数を減らして総階調数を１６〜６４に補正する。また、光センサ１１３の出力により、表示装置が１，０００〜１０，０００ルクスの外光を受けていることが検出された場合、総階調数を減らして総階調数を４〜１６に補正する。また、光センサ１１３の出力により、表示装置が１０，０００〜１００，０００ルクスの外光を受けていることが検出された場合、総階調数を減らして総階調数を２〜４に補正する。

なお、表示装置に利用者が表示モードを選択する選択スイッチを設けてもよい。そして、利用者が選択スイッチを操作することにより、上記のモードを選択してもよい。また、選択スイッチにより表示モードを選択した場合であっても、光センサ１１３の信号によって（外光強度）に応じて、選択されている表示モードの階調を自動的に増減しても良い。

次に、回路の詳細を述べる。図２に、ソースドライバ１０２の構成について示す。シフトレジスタ２３１は、順次選択していくような信号（いわゆるサンプリングパルス）を出力する回路である。よって、同様な機能を果たす回路であれば、シフトレジスタに限定されない。例えば、デコーダ回路でもよい。

シフトレジスタが出力するサンプリングパルスは、サンプリングスイッチ２０１〜２０３に入力される。そして、ビデオ信号線２２１にビデオ信号が順次入力され、サンプリングパルスに応じて、順次サンプリングスイッチ２０１〜２０３がオンし、画素配列１０１にビデオ信号が入力されていく。画素配列１０１は、画素２１１がマトリクス状に配置されている。

なお、図２では、画素２１１が２行３列分配置されている場合について示したが、これに限定されない。任意の数だけ配置することが可能となる。

１画素分の画素２２０の例を図１５に示す。ゲート信号線１７０１を用いて、選択用トランジスタ１７０４を制御する。選択用トランジスタ１７０４がオンすると、ソース信号線１７０２から、液晶素子１７０７や保持容量１７０５にビデオ信号が入力される。すると、ビデオ信号に応じて、液晶分子の配向状態が変化する。その結果、液晶素子１７０７を通る光の量が変化して、階調を表現することが出来る。

なお、画素構成は、図１５に限定されない。例えば、保持容量１７０５の電極１７０３は、専用の配線に接続されていてもよいし、別の画素のゲート信号線に接続されていてもよい。また、保持容量１７０５の電極１７０３の電位は、液晶素子１７０７の対向電極１７０８の電位と同じである必要はない。ただし、液晶素子１７０７の対向電極１７０８の電位を変動させる場合は、保持容量１７０５の電極１７０３の電位も、同様に変動させることが望ましい。

なお、画素に配置するのは、特定の表示素子に限定されない。画素に配置する表示素子の例としては、ＥＬ素子（有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子又は有機物材料及び無機材料を含むＥＬ素子）、電子放出素子、液晶素子、電子インク、光回折素子、放電素子、微小鏡面素子（ＤＭＤ：ＤｉｇｉｔａｌＭｉｃｒｏｍｉｒｒｏｒＤｅｖｉｃｅ）、圧電素子、カーボンナノチューブなど、電気磁気的作用によりコントラストが変化する表示媒体を適用することができる。なお、ＥＬ素子を用いたＥＬパネル方式の表示装置としてはＥＬディスプレイ、電子放出素子を用いた表示装置としてはフィールドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ：ＦｉｅｌｄＥｍｉｓｓｉｏｎＤｉｓｐｌａｙ）やＳＥＤ方式平面型ディスプレイ（ＳＥＤ：Ｓｕｒｆａｃｅ−ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎＥｌｅｃｔｒｏｎ−ｅｍｉｔｔｅｒＤｉｓｐｌｙ）など、液晶素子を用いた液晶パネル方式の表示装置としては液晶ディスプレイ、電子インクを用いたデジタルペーパー方式の表示装置としては電子ペーパー、光回折素子を用いた表示装置としてはグレーティングライトバルブ（ＧＬＶ）方式のディスプレイ、放電素子を用いたＰＤＰ（ＰｌａｓｍａＤｉｓｐｌａｙＰａｎｅｌ）方式のディスプレイとしてはプラズマディスプレイ、微小鏡面素子を用いたＤＭＤパネル方式の表示装置としてはデジタル・ライト・プロセッシング（ＤＬＰ）方式の表示装置、圧電素子を用いた表示装置としては圧電セラミックディスプレイ、カーボンナノチューブを用いた表示装置としてはナノ放射ディスプレイ（ＮＥＤ：ＮａｎｏＥｍｉｓｓｉｖｅＤｉｓｐｌａｙ）、などがある。

なお、保持容量１７０５は、液晶素子１７０７の電圧を保持する役目をしている。よって、電位を保持できる場合は、保持容量１７０５を省いても良い。

表示モード別ビデオ信号生成回路１０６は、画素配列１０１と同じ基板上にあってもよいし、ソースドライバ１０２と同じ基板上にあってもよいし、ＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）の上にあってもよいし、ＰＣＢ（プリントサーキットボード）の上にあってもよい。

また、表示モード別ビデオ信号生成回路１０６は、画素配列１０１を構成しているトランジスタと同様なトランジスタで形成されていても良い。あるいは、別のトランジスタで形成されていてもよい。例えば、画素配列１０１は、薄膜トランジスタで構成され、表示モード別ビデオ信号生成回路１０６は、バルク基板上、もしくは、ＳＯＩ基板上で形成されたＭＯＳトランジスタやバイポーラトランジスタでもよい。

次に、表示モード別ビデオ信号生成回路１０６の詳細を図３に示す。コントローラ１０７より入力される信号に基づいて、表示モード制御回路３０１が、表示モードに応じた表示ができるように制御する。例えば、デジタルモードの場合は、スイッチ３０３、３０４をオンにする。そして、入力されたビデオ信号を２値化用回路３０２で処理して、ソースドライバ１０２の方へ出力する。その場合、スイッチ３０５はオフしている。一方、アナログモードの場合は、スイッチ３０５をオンにして、入ってきたビデオ信号をそのままソースドライバ１０２の方へ出力する。表示モード別ビデオ信号生成回路１０６に入力されるビデオ信号がアナログ値の場合、そのまま出力されるため、ソースドライバ１０２の方へも、アナログ値で出力される。

なお、図３では、表示モードがアナログモードとデジタルモードの場合について述べたが、これに限定されない。離散値ではあるが、２値ではない、という表示モードを多値モードと呼ぶことにする。ビデオ信号と輝度との関係の例を図４に示す。

図４（Ａ）は、本願におけるアナログモードの場合を示す。ビデオ信号がアナログ的に変化して、それに応じて輝度もアナログ的に変化する。

図４（Ｂ）は、本願におけるデジタルモードの場合を示す。ビデオ信号が２値であり、一方のとき発光し、他方のときは発光しない。

図４（Ｃ）は、本願における多値モードの場合を示す。ビデオ信号は、離散値をとるが、２値ではない。

なお、図４は、正極におけるビデオ信号の例を示した。液晶素子は、通常、交流で駆動される。そのため、液晶素子の両端に加わる電圧の極性は、所定の時間が経過するごとに、反転させる。よって、負極におけるビデオ信号は、図４のグラフの極性を反対にすればよい。そして、液晶素子には、正極のビデオ信号と負極のビデオ信号とが交互に加えられる。

そこで、多値モードの場合にも対応した表示モード別ビデオ信号生成回路１０６の詳細を図５に示す。コントローラ１０７より入力される信号に基づいて、表示モード制御回路５０１が、表示モードに応じた表示ができるように制御する。例えば、デジタルモードの場合は、スイッチ３０３、３０４をオンにする。そして、入力されたビデオ信号を２値化用回路３０２で処理して、ソースドライバ１０２の方へ出力する。その場合、スイッチ４０３，４０４，３０５はオフしている。一方、アナログモードの場合は、スイッチ３０５をオンにして、入ってきたビデオ信号をそのままソースドライバ１０２の方へ出力する。表示モード別ビデオ信号生成回路１０６に入力されるビデオ信号がアナログ値の場合、そのまま出力されるため、ソースドライバ１０２の方へも、アナログ値で出力される。多値モードの場合、スイッチ４０３、４０４をオンにする。そして、入力されたビデオ信号を多値化用回路４０２で処理して、ソースドライバ１０２の方へ出力する。その場合、スイッチ３０３，３０４，３０５はオフしている。

次に、２値化用回路３０２の詳細を図６に示す。図６（Ａ）の回路図に示すように、オペアンプを用いて、コンパレータ（比較）回路６２１，６２２を構成している。液晶は、通常、交流駆動を行うため、正極用と負極用とが必要となる。リファレンス電位Ｖｒｅｆｐ、Ｖｒｅｆｍよりも、入力電圧が大きいか小さいかによって、ＨかＬかどちらかの信号（液晶がオンするかオフするかどちらかの信号）を出力し、２値化を行う。そして、スイッチ６１１，６１２で、正極用と負極用のどちらの信号を出力するかを切り替える。なお、オペアンプを用いてコンパレータ（比較）回路を構成したが、これに限定されない。チョッパーインバータコンパレータ回路を用いても良いし、それ以外の回路を用いて、コンパレータ（比較）回路を構成してもよい。

図６（Ｂ）には、リファレンス電位Ｖｒｅｆｐを生成するための回路を示す。リファレンス電位Ｖｒｅｆｐの大きさは、電圧Ｖ１とＶ２の間の電圧となり、抵抗Ｒ１、Ｒ２によって分圧された値となる。２値化回路を動作させるときのみ、スイッチ６２３、６２４をオンすればよい。その結果、抵抗Ｒ１、Ｒ２に電流が流れる期間を短くできるため、消費電力を低減できる。

図６（Ｂ）では、リファレンス電位Ｖｒｅｆｐを生成するための回路を示したが、リファレンス電位Ｖｒｅｆｍを生成するための回路も、電位の大きさを変えることにより、同様に構成できる。

なお、リファレンス電位Ｖｒｅｆ（ＶｒｅｆｐやＶｒｅｆｍ）を状況に応じて変化させたい場合は、図７に示すように、抵抗（図７では抵抗Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５）をたくさん接続し、どの接点から出力するかを、スイッチ６０４〜６０７をオンオフして切り替えるようにすればよい。

次に、多値化用回路４０２の詳細を図８に示す。図８（Ａ）は、多値化用回路４０２の全体の構成図を示す。正極用多値化回路４１２Ａと負極用多値化回路４１２Ｂとに信号が入力される。そして、スイッチ８８１とスイッチ８８２とを切り替えて、正極用と負極用のどちらの信号を出力する。

正極用多値化回路４１２Ａや負極用多値化回路４１２Ｂの詳細な構成図は、図８（Ｂ）の多値化回路４１２に示す。多値化回路４１２に関して、正極用多値化回路４１２Ａと負極用多値化回路４１２Ｂとでは、正極用と負極用とで、電圧Ｖａや電圧Ｖｂの大きさが異なるだけである。

入力信号は、判定回路８１１に入力される。また、判定回路８１１には、リファレンス電位に相当する電圧が２つ入力される。そして、判定回路８１１は、入力信号の電位が、２つのリファレンス電位の間に入っている場合は、Ｈ信号を出力する。その結果、スイッチ８２１〜８２４のいずれか１つがオンし、標本化された電圧を出力する。なお、多値化用回路４０２を動作させるときのみ、スイッチ８０１〜８０４をオンすればよい。その結果、ＶａとＶｂの間に電流が流れる期間を短くできるため、消費電力を低減できる。

図９に、判定回路８１１の詳細を示す。オペアンプ９０１、９０２を用いて、コンパレータ（比較）回路を構成している。オペアンプ９０１と９０２は、入力信号の電位Ｖｉｎが、リファレンス電位Ｖｘ以上でリファレンス電位Ｖｙ以下であるとき、各々Ｈ信号を出力する。すると、ＡＮＤ回路９０３にその信号が入力される。そして、ＡＮＤ回路９０３への入力信号が両方ともＨ信号のとき、Ｈ信号を出力する。

なお、図９は、ＡＮＤ回路を用いて構成したが、これに限定されない。ＯＲ回路やＮＡＮＤ回路やＮＯＲ回路を用いても、同様の機能を果たすことが出来る。

このように、デジタルモードや多値モードで表示を行うと、しきい値処理が行われ、画像情報の標本化（サンプリング）が行われる。その結果、画像にノイズが入っていたとしても、実際に表示するときには、そのノイズを除去して表示することが出来る。また、１階調分の輝度変化が大きくなるため、コントラストが向上する。

また、このような表示モードの選択を、外光強度に応じて制御することができる。このように、周辺の照度に応じて、表示画像の階調数を制御することにより、視認性の優れた表示装置を提供することができる。すなわち、暗所若しくは屋内の蛍光灯下から屋外の太陽光下まで広い範囲において視認性を確保した表示装置を得ることができる。

なお、図２、図３、図５などに示すスイッチ、例えば、サンプリングスイッチ２０１等は、様々な形態のものを用いることができ、一例として、電気的スイッチや機械的なスイッチなどがある。つまり、電流の流れを制御できるものであればよく、特定のものに限定されず、様々なものを用いることができる。例えば、トランジスタでもよいし、ダイオード（ＰＮダイオード、ＰＩＮダイオード、ショットキーダイオード、ダイオード接続のトランジスタなど）でもよいし、それらを組み合わせた論理回路でもよい。よって、スイッチとしてトランジスタを用いる場合、そのトランジスタは、単なるスイッチとして動作するため、トランジスタの極性（導電型）は特に限定されない。ただし、オフ電流が少ない方が望ましい場合、オフ電流が少ない方の極性のトランジスタを用いることが望ましい。オフ電流が少ないトランジスタとしては、ＬＤＤ領域を設けているものやマルチゲート構造にしているもの等がある。また、スイッチとして動作させるトランジスタのソース端子の電位が、低電位側電源（Ｖｓｓ、ＧＮＤ、０Ｖなど）に近い状態で動作する場合はＮチャネル型を、反対に、ソース端子の電位が、高電位側電源（Ｖｄｄなど）に近い状態で動作する場合はＰチャネル型を用いることが望ましい。なぜなら、ゲートソース間電圧の絶対値を大きくできるため、スイッチとして、動作しやすいからである。なお、Ｎチャネル型とＰチャネル型の両方を用いて、ＣＭＯＳ型のスイッチにしてもよい。ＣＭＯＳ型のスイッチにすると、スイッチを介して出力する電圧（つまりスイッチへの入力電圧）が、出力電圧に対して、高かったり、低かったりして、状況が変化する場合においても、適切に動作させることが出来る。

スイッチの例を図１４に示す。図１４（Ａ）は、模式的に記載したスイッチである。図１４（Ｂ）は、ＡＮＤ回路を用いたスイッチである。制御線１５０２を使って、入力１５０１の信号を出力１５０３に伝えるかどうかを制御する。図１４（Ｂ）の場合は、出力１５０３は、入力信号にかかわらず、Ｌ信号なる、というような制御は可能である。しかし、出力１５０３がフローティング状態になることはない。したがって、出力１５０３が、デジタル回路の入力に接続されている場合などに、図１４（Ｂ）のスイッチを用いることが好適である。デジタル回路の場合、入力をフローティング状態にしても、出力はフローティング状態にならない。入力をフローティング状態にすると、出力が不安定になり、望ましくない。よって、デジタル回路の入力に接続されている場合などは、図１４（Ｂ）のスイッチを用いることが好適である。

なお、図１４（Ｂ）は、ＡＮＤ回路を用いて構成したが、これに限定されない。ＯＲ回路やＮＡＮＤ回路やＮＯＲ回路を用いても、同様の機能を果たすことが出来る。

一方、入力をフローティング状態にしたい場合は、図１４（Ｃ）や図１４（Ｄ）のスイッチを用いればよい。図１４（Ｃ）は、トランスミッションゲートもしくはアナログスイッチなどと呼ばれている回路である。図１４（Ｃ）は、入力１５１１の電位を、ほぼそのまま出力１５１３に伝達する。よって、アナログ信号の伝達に好適である。図１４（Ｄ）は、クロックドインバータなどと呼ばれている回路である。図１４（Ｄ）は、入力１５２１の信号を反転させて出力１５２３に伝達する。よって、デジタル信号の伝達に好適である。

以上のことから、サンプリングスイッチ２０１やスイッチ３０５やスイッチ２５１１などは、図１４（Ｃ）のスイッチを用いることが好適である。スイッチ３０４などは、出力をフローティング状態にする必要があるので、図１４（Ｃ）や図１４（Ｄ）が好適である。ただし、スイッチ３０４への入力はデジタル信号なので、図１４（Ｄ）の方がより好適である。

（実施の形態２）
実施の形態１では、表示モード別ビデオ信号生成回路１０６に入力されるビデオ信号がアナログ値の場合について述べた。つぎに、デジタル値が入力される場合について述べる。

図２４に、全体の構成図を示す。ソースドライバ１０２に入力されるビデオ信号は、表示モード別ビデオ信号生成回路２３０６において、各表示モードに合わせて生成される。表示モード別ビデオ信号生成回路２３０６は、コントローラ２３０７を用いて制御される。また、表示モード別ビデオ信号生成回路２３０６には、オリジナルのデジタルのビデオ信号が入力される。そして、オリジナルのビデオ信号を用いて、表示モード別ビデオ信号生成回路２３０６において、各表示モードに応じたビデオ信号が生成され、ソースドライバ１０２の方に出力される。

光センサ２３１３は外光（表示装置が受ける外部の光）を検出する。その出力は、アンプ２３１４に供給される。アンプ２３１４は光センサ２３１３が出力する電気信号を増幅し、増幅した電気信号をコントローラ２３０７に供給する。なお、光センサ２３１３が出力する電気信号が十分大きければ、アンプ２３１４を設けなくてもよい。

光センサ２３１３からの信号を元にして、コントローラ２３０７が表示モード別ビデオ信号生成回路２３０６を制御する。そして、光センサ２３１３からの信号により、つまり、周辺の輝度に応じて、ソースドライバ１０２などに供給するビデオ信号の階調数を制御する。階調数を制御するとき、周辺の輝度に応じて、階調数を徐々に変化させてもよいし、幾つかの表示モードを持たせて、どの表示モードで表示させるかを切り替えるようにしてもよい。

光センサ２３１３の出力に基づき、表示モード、つまり、表示するときの階調数を変える。具体的には、表示装置が強い外光を受けて、光センサ２３１３の出力がある一定の値以上になると、表示画面に表示する画像の総階調数を低くする。表示装置が強い外光を受けると、ある階調目とある階調目との区別がはっきりせず、表示画面に表示する画像がぼやけてしまう。しかしながら、上記のように、表示装置が受ける外光に応じて、総階調数を低くすることにより、ある階調目とある階調目との区別を明確にして、表示パネルの表示画面の視認性を向上させることができる。

なお、アンプ２３１４や光センサ２３１３は、画素配列１０１と同一基板上に存在してもよい。その場合、画素配列１０１と同一基板上で作成してもよい。あるいは、画素配列１０１と同一基板上に、ＣＯＧ（チップオングラス）やバンプなどを用いて、アンプ２３１４や光センサ２３１３を配置してもよい。

次に、表示モード別ビデオ信号生成回路２３０６の詳細を図２５に示す。コントローラ１０７より入力される信号に基づいて、表示モード制御回路３０１が、表示モードに応じた表示ができるように制御する。例えば、デジタルモードの場合は、スイッチ２５１３，２５１４がオンして、最上位ビットのビデオ信号のみがソースドライバ１０２の方へ出力される。ただし、電位のレベルが合致しない場合がある。その場合は、電位のレベルを必要な大きさに変換する必要がある。また、正極用と負極用とに対応した電位を生成する必要がある。そこで、そのようなことが必要な場合は、レベル変換回路２５０４を配置する。一方、アナログモードの場合は、ＤＡ変換回路２５０２に入り、適切なアナログ値を、スイッチ２５１１を介して、ソースドライバ１０２に出力する。なお、ＤＡ変換回路２５０２においては、正極用と負極用とに対応したビデオ信号の電位を生成する。

なお、ソースドライバ１０２と、表示モード別ビデオ信号生成回路２３０６との間に、正極用信号と負極用信号とを作成するような回路が設けられていても良い。例えば、正極用の信号を入力すれば、必要なときに、負極用の信号に変換して出力するような回路である。

なお、図２５では、表示モードがアナログモードとデジタルモードの場合について述べたが、これに限定されない。

そこで、多値モードの場合にも対応した表示モード別ビデオ信号生成回路２３０６の詳細を図２６に示す。コントローラ２３０７より入力される信号に基づいて、表示モード制御回路２５０１が、表示モードに応じた表示ができるように制御する。アナログモードとデジタルモードの場合は、図２５と同様である。多値モードの場合、ＤＡ変換回路２５０３に、上位ビットのビデオ信号のみ入力される。下位ビットは入力されない。したがって、滑らかな表示ではなく、サンプリングされたような表示となる。

なお、多値モードでは、下位ビットを用いずにサンプリングすればよいので、図２６の構成に限定されない。例えば、図２７に示すように、下位ビットデータ除去回路２７０２をＤＡ変換回路２５０２の入力部に配置してもよい。その結果、表示モード制御回路の信号に応じて、下位ビットの値を強制的に０（もしくはＬ信号）にする。したがって、滑らかな表示ではなく、サンプリングされたような表示となる。

そこで、下位ビットデータ除去回路２７０２の例を図２８に示す。ＡＮＤ回路を用いて、下位３ビット分のデータを強制的に０（もしくはＬ信号）にできる。

なお、図２８では、ＡＮＤ回路を用いたが、これに限定されない。ＯＲ回路やＮＡＮＤ回路やＮＯＲ回路を用いても、同様の機能を果たすことが出来る。また、図２８では、６ビットのビデオ信号を入力し、その内の下位３ビット分のデータを強制的に０（もしくはＬ信号）にできるようにしたが、これに限定されない。適宜、変更してもよい。

そこで、実際に動作させながら、何ビット分のデータを強制的に０（もしくはＬ信号）にするかを変えるようにしてもよい。その場合の回路図を図２９に示す。ＡＮＤ回路に入力される信号を別々にしたため、個別に制御できる。

次に、図２５〜図２７に記載したＤＡ変換回路の詳細を図３０に示す。デコーダ回路３０２１で、入力されたデジタル信号がいくつなのかを解読し、それに応じて、スイッチ３０１１〜スイッチ３０１６のいずれかをオンし、アナログ電圧を出力する。そして、ＤＡ変換回路を動作させるときのみ、スイッチ３００２、３００３をオンすればよい。その結果、抵抗に電流が流れる期間を短くできるため、消費電力を低減できる。

ただし、図３０のままでは、正極用データと負極用データとを両方生成することが難しい可能性がある。よって、この場合は、ＤＡ変換回路とソースドライバ１０２との間に、正極用信号と負極用信号とを作成するような回路を設けることが望ましい。例えば、正極用の信号を入力すれば、必要なときに、負極用の信号に変換して出力するような回路である。

そのような回路を配置せず、ＤＡ変換回路に、正極用データと負極用データとを両方生成する機能を持たせるようにした場合を、図１６に示す。図３０において、電圧を生成する回路が、２つ並列に接続された形となっている。各々において、正極用データと負極用データと生成する。そして、スイッチ１６１１とスイッチ１６１２とを切り替えることによって、正極用データと負極用データとを出力する。

本実施の形態で述べた内容は、実施の形態１〜実施の形態２で述べた内容と自由に組み合わせることが出来る。

（実施の形態３）
本実施の形態では、アナログモードにおける画素の駆動方法について述べる。

アナログモードでは、アナログ階調方式を用いて階調を表現する。したがって、液晶素子のような表示素子に加わる電圧をアナログ的に変化させることによって、光を通す量がアナログ的に変化するような状態で動作させることが望ましい。

なお、本実施の形態では、アナログモードの場合について述べたが、多値モードの場合にも、同様に適用できる。

なお、本実施の形態は、実施の形態１の画素について詳細に述べたものである。よって、本実施の形態で述べた内容は、実施の形態１〜実施の形態２で述べた内容と自由に組み合わせることが出来る。

（実施の形態４）
本実施の形態では、デジタルモードにおける画素の駆動方法について述べる。

デジタルモードでは、信号が、ＨとＬの２値に限られる。これにより、液晶素子の状態は電圧が加わるか加わらないかの２値に限られる。つまり、デジタルモードでは液晶素子の状態は光を通すか通さないかに限られる。

なお、デジタルモードでカラー表示を行う場合は、ＲＧＢごとに２値で表示するため、合計で８色を表示することが出来る。

なお、本実施の形態は、実施の形態１の画素などについて詳細に述べたものである。よって、本実施の形態で述べた内容は、実施の形態１〜実施の形態３で述べた内容と自由に組み合わせることが出来る。

（実施の形態５）
次に、本発明の表示装置における画素のレイアウトについて述べる。例としては、図１５に示した回路図について、そのレイアウト図を図１７に示す。なお、回路図やレイアウト図は、図１５や図１７に限定されない。

選択用トランジスタ１７０４、液晶素子１７０７の画素電極１７０７Ａ、保持容量１７０５が配置されている。選択用トランジスタ１７０４のソースとドレインは各々、ソース信号線１７０２と液晶素子１７０７の画素電極とに接続されている。選択用トランジスタ１７０４のゲートは、ゲート信号線１７０１に接続されている。保持容量１７０５は、電極１７０３を用いて配置されている。

ソース信号線１７０２は、第２配線によって形成され、ゲート信号線１７０１は、第１配線によって形成されている。

トップゲート構造の場合は、基板、半導体層、ゲート絶縁膜、第１配線、層間絶縁膜、第２配線、の順で膜が構成される。ボトムゲート構造の場合は、基板、第１配線、ゲート絶縁膜、半導体層、層間絶縁膜、第２配線、の順で膜が構成される。

次に、図１０に、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）とそれに接続する液晶素子で構成される画素の断面図を示す。

図１０において、基板７００上に、下地層７０１、ＴＦＴ７５０を構成する半導体層７０２、容量部７５１の一方の電極を構成する半導体層７５２が形成されている。その上層には第１絶縁層７０３が形成され、ＴＦＴ７５０にあってはゲート絶縁層として、容量部７５１にあっては容量を形成するための誘電体層として機能する。

第１絶縁層７０３上にはゲート電極７０４と容量部７５１の他方の電極を形成する導電層７５４が形成されている。ＴＦＴ７５０に接続する配線７０７は、液晶素子の第１電極７０８と接続している。この配線７０７は、第３絶縁層７０６上に形成されている。そして、第１電極７０８は、第４絶縁層７１０上に形成されている。第１絶縁層７０３と第３絶縁層７０６との間には、第２絶縁層７０５が形成されていてもよい。液晶素子は、第１電極７０８と対向電極である第２電極の間に配置されて、構成されている。

次に、上記に示す構成の詳細を説明する。基板７００としては、例えばバリウムホウケイ酸ガラスや、アルミノホウケイ酸ガラスなどのガラス基板、石英基板、セラミック基板等を用いることができる。また、ステンレスを含む金属基板または半導体基板の表面に絶縁膜を形成したものを用いても良い。プラスチック等の可撓性を有する合成樹脂からなる基板を用いても良い。基板７００の表面を、化学的機械研磨（ＣＭＰ）法などの研磨により平坦化しておいても良い。

下地層７０１としては、酸化珪素や、窒化珪素または窒化酸化珪素などの絶縁膜を用いることができる。下地層７０１によって、基板７００に含まれるＮａなどのアルカリ金属やアルカリ土類金属が半導体層７０２に拡散しＴＦＴ７５０の特性に悪影響をおよぼすのを防ぐことができる。図１０では、下地層７０１を単層の構造としているが、２層あるいはそれ以上の複数層で形成してもよい。なお、石英基板など不純物の拡散がさして問題とならない場合は、下地層７０１を必ずしも設ける必要はない。

また、マイクロ波で励起され、電子温度が２ｅＶ以下、イオンエネルギーが５ｅＶ以下、電子密度が１０^１１〜１０^１３／ｃｍ^３程度である高密度プラズマで、ガラス基板の表面を直接処理しても良い。プラズマの生成はラジアルスロットアンテナを用いたマイクロ波励起のプラズマ処理装置を用いることができる。このとき、窒素（Ｎ_２）、またはアンモニア（ＮＨ_３）、亜酸化窒素（Ｎ_２Ｏ）などの窒化物気体を導入すると、ガラス基板の表面を窒化することができる。このガラス基板の表面に形成された窒化物層は、窒化珪素を主成分とするので、ガラス基板側から拡散してくる不純物のブロッキング層として利用することができる。この窒化物層の上に酸化珪素膜または酸窒化珪素膜をプラズマＣＶＤ法で形成して下地層７０１としても良い。

他にも、酸化珪素や、酸窒化珪素などによる下地層７０１の表面に対し同様なプラズマ処理を行うことにより、その表面及び表面から１〜１０ｎｍの深さを窒化処理をすることができる。このきわめて薄い窒化珪素の層により、その上に形成する半導体層へ応力の影響を与えることなくブロッキング層とすることができる。

半導体層７０２及び半導体層７５２としては、パターニングされた結晶性半導体膜を用いることが好ましい。なお、パターニングとは、膜を形状加工することをいい、フォトリソグラフィー技術によって膜のパターンを形成すること（例えば、感光性アクリルにコンタクトホールを形成することや、感光性アクリルをスペーサとなるように形状加工することも含む）や、フォトリソグラフィー技術によってマスクパターンを形成し、当該マスクパターンを用いてエッチング加工を行うことなどをいう。結晶性半導体膜は非晶質半導体膜を結晶化して得ることができる。結晶化方法としては、レーザ結晶化法、ＲＴＡ又はファーネスアニール炉を用いる熱結晶化法、結晶化を助長する金属元素を用いる熱結晶化法等を用いることができる。半導体層７０２は、チャネル形成領域と、一導電型を付与する不純物元素が添加された一対の不純物領域とを有する。なお、チャネル形成領域と一対の不純物領域との間に、前記不純物元素が低濃度で添加された不純物領域を有していてもよい。半導体層７５２には、全体に一導電型若しくはそれと逆の導電型を付与する不純物元素が添加された構成とすることができる。

第１絶縁層７０３としては、酸化珪素、窒化珪素または窒化酸化珪素等を用い、単層または複数の膜を積層させて形成することができる。この場合において、当該絶縁膜の表面を、前述と同様に、マイクロ波で励起され、電子温度が２ｅＶ以下、イオンエネルギーが５ｅＶ以下、電子密度が１０^１１〜１０^１３／ｃｍ^３程度である高密度プラズマ処理によって酸化又は窒化処理して緻密化しても良い。この処理は第１絶縁層７０３の成膜に先立って行っても良い。すなわち、半導体層７０２の表面に対してプラズマ処理を行う。このとき、基板温度を３００〜４５０℃とし、酸化雰囲気（Ｏ_２、Ｎ_２Ｏなど）又は窒化雰囲気（Ｎ_２、ＮＨ_３など）で処理することにより、その上に堆積するゲート絶縁層と良好な界面を形成することができる。

ゲート電極７０４及び導電層７５４としては、Ｔａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｄから選ばれた一種の元素または該元素を複数含む合金若しくは化合物からなる単層または積層構造を用いることができる。

ＴＦＴ７５０は、半導体層７０２と、ゲート電極７０４と、半導体層７０２とゲート電極７０４との間の第１絶縁層７０３とによって構成される。図１０では、画素を構成するＴＦＴ７５０として、液晶素子の第１電極７０８に接続されるものを示している。このＴＦＴ７５０は、ゲート電極７０４を半導体層７０２上に複数配置したマルチゲート型の構成を示している。すなわち、複数のＴＦＴが直列に接続された構成を有している。このような構成により、不用意なオフ電流の増加を抑制することができる。なお、また、図１０では、ＴＦＴ７５０をトップゲート型のＴＦＴとして示したが、半導体層の下方にゲート電極を有するボトムゲート型のＴＦＴであっても良いし、半導体層の上下にゲート電極を有するデュアルゲート型のＴＦＴであっても良い。

容量部７５１は、第１絶縁層７０３を誘電体とし、第１絶縁層７０３を挟んで対向する半導体層７５２と導電層７５４とを一対の電極として構成される。なお、図１０では、画素に設ける容量素子として、一対の電極の一方をＴＦＴ７５０の半導体層７０２と同時に形成される半導体層７５２とし、他方の導電層７５４をゲート電極７０４と同時に形成される層とする例を示したが、この構成に限定されない。

第２絶縁層７０５は窒化珪素膜などイオン性不純物をブロッキングするバリア性の絶縁膜であることが望ましい。この第２絶縁層７０５は窒化シリコンまたは酸窒化シリコンで形成する。この第２絶縁層７０５は、半導体層７０２の汚染を防ぐ保護膜としての機能を含んでいる。この第２絶縁層７０５を堆積した後に、水素ガスを導入して前述のようにマイクロ波で励起された高密プラズマ処理をすることで、第２絶縁層７０５の水素化を行っても良い。または、アンモニアガスを導入して、第２絶縁層７０５の窒化と水素化を行っても良い。または、酸素、Ｎ_２Ｏガスなどと水素ガスを導入して、酸化窒化処理と水素化処理を行っても良い。この方法により、窒化処理、酸化処置若しくは酸化窒化処理を行うことにより第２絶縁層７０５の表面を緻密化することができる。それにより保護膜としての機能を強化することができる。この第２絶縁層７０５に導入された水素は、その後４００〜４５０℃の熱処理をすることにより、第２絶縁層７０５を形成する窒化シリコンから水素を放出させて、半導体層７０２の水素化をすることができる。

第３絶縁層７０６としては、無機絶縁膜や有機絶縁膜を用いることができる。無機絶縁膜としては、ＣＶＤ法により形成された酸化シリコン膜や、ＳＯＧ（ＳｐｉｎＯｎＧｌａｓｓ）膜（塗布酸化珪素膜）などを用いることができる。有機絶縁膜としてはポリイミド、ポリアミド、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）、アクリルまたはポジ型感光性有機樹脂、ネガ型感光性有機樹脂等の膜を用いることができる。また、第２絶縁層７０６として、シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成される材料を用いることができる。この材料の置換基として、少なくとも水素を含む有機基（例えばアルキル基、芳香族炭化水素）が用いられる。置換基として、フルオロ基を用いてもよい。または置換基として、少なくとも水素を含む有機基と、フルオロ基とを用いてもよい。

配線７０７としては、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｔａ、Ａｕ、Ｍｎから選ばれた一種の元素または該元素を複数含む合金からなる単層または積層構造を用いることができる。

第１電極７０８及び第２電極の一方もしくは両方を透明電極とすることができる。透明電極としては、酸化タングステンを含むインジウム酸化物（ＩＷＯ）、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物（ＩＷＺＯ）、酸化チタンを含むインジウム酸化物（ＩＴｉＯ）、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物（ＩＴＴｉＯ）、モリブデン含む酸化インジウムスズ（ＩＴＭＯ）などを用いることができる。勿論、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）なども用いることができる。

第１電極７０８の一部は、透光性を有さない材料で形成されていてもよい。例えば、ＬｉやＣｓ等のアルカリ金属、およびＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ等のアルカリ土類金属、これらを含む合金（Ｍｇ：Ａｇ、Ａｌ：Ｌｉ、Ｍｇ：Ｉｎなど）、およびこれらの化合物（ＣａＦ_２、Ｃａ_３Ｎ_２）の他、ＹｂやＥｒ等の希土類金属を用いることができる。

第４絶縁層７１２としては、第３絶縁層７０６と同様の材料を用いて形成することができる。

図１０で示す構成の画素と外光強度検出手段とを組み合わせることで、液晶素子における液晶分子の配向状態を変化させ、液晶素子を通る光の量を制御し、表示画面の輝度を制御することができる。

なお、トランジスタとして、半導体層にポリシリコンを用いたものだけでなく、アモルファスシリコンを用いたものでもよい。

そこで、次に、トランジスタの半導体層にアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）膜を用いた場合について説明する。図１２にはトップゲートのトランジスタ、図１３及び図３５にはボトムゲートのトランジスタの場合について示す。

アモルファスシリコンを半導体層に用いたトップゲート構造のトランジスタの断面を図１２に示す。図１２に示すように、基板２８０１上に下地膜２８０２が形成されている。さらに下地膜２８０２上に同じ材料からなる第１の電極２８２０が形成されている。

基板はガラス基板、石英基板、セラミック基板などを用いることができる。また、下地膜２８０２としては、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）や酸化珪素（ＳｉＯ_２）、酸化窒化珪素（ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ）などの単層やこれらの積層を用いることができる。

また、下地膜２８０２上に配線２８０５及び配線２８０６が形成されている。配線２８０５及び配線２８０６の上部にＮ型の導電型を有するＮ型半導体層２８０７及びＮ型半導体層２８０８が形成されている。また、配線２８０６と配線２８０５の間であって、下地膜２８０２上に半導体層２８０９が形成されている。そして、半導体層２８０９の一部はＮ型半導体層２８０７及びＮ型半導体層２８０８上にまで延長されている。なお、この半導体層はアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）、微結晶半導体（μ−Ｓｉ：Ｈ）等の非結晶性を有する半導体膜で形成されている。また、半導体層２８０９上にゲート絶縁膜２８１０が形成されている。また、ゲート絶縁膜２８１０と同層の同じ材料からなる絶縁膜２８１１が第１の電極２８２０上にも形成されている。なお、ゲート絶縁膜２８１０としては酸化珪素膜や窒化珪素膜などが用いられる。

また、ゲート絶縁膜２８１０上に、ゲート電極２８１２が形成されている。また、ゲート電極と同層に同じ材料でなる第２の電極２８１３が第１の電極２８２０上に絶縁膜２８１１を介して形成されている。第１の電極２８０４及び第２の電極２８１３で絶縁膜２８１１を挟まれた容量素子２８１９が形成されている。また、画素電極２８０３の端部、駆動トランジスタ２８１８及び容量素子２８１９を覆い、層間絶縁膜２８１４が形成されている。

層間絶縁膜２８１４の上に画素電極２８０３上に液晶層２８１５及び対向電極２８１６が形成され、画素電極２８０３と対向電極２８１６とで液晶層２８１５が挟まれている。

また、第１の電極２８２０は配線２８０５及び２８０６と同層の同一材料で形成されている。

また、アモルファスシリコンを半導体層に用いたボトムゲート構造のトランジスタを用いた表示装置のパネルの部分断面を図１３に示す。

基板２９０１上に下地膜２９０２が形成されている。さらに下地膜２９０２上にゲート電極２９０３が形成されている。また、ゲート電極と同層に同じ材料からなる第１の電極２９０４が形成されている。ゲート電極２９０３の材料にはリンが添加された多結晶シリコンを用いることができる。多結晶シリコンの他に、金属とシリコンの化合物であるシリサイドでもよい。

また、ゲート電極２９０３及び第１の電極２９０４を覆うようにゲート絶縁膜２９０５が形成されている。ゲート絶縁膜２９０５としては酸化珪素膜や窒化珪素膜などが用いられる。

また、ゲート絶縁膜２９０５上に、半導体層２９０６が形成されている。また、半導体層２９０６と同層に同じ材料からなる半導体層２９０７が形成されている。

基板はガラス基板、石英基板、セラミック基板などを用いることができる。また、下地膜２９０２としては、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）や酸化珪素（ＳｉＯ_２）、酸化窒化珪素（ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ）などの単層やこれらの積層を用いることができる。

半導体層２９０６上にはＮ型の導電性を有するＮ型半導体層２９０８、２９０９が形成され、半導体層２９０７上にはＮ型半導体層２９１０が形成されている。

Ｎ型半導体層２９０８、２９０９、上にはそれぞれ配線２９１１、２９１２が形成され、Ｎ型半導体層２９１０上には配線２９１１及び２９１２と同層の同一材料からなる導電層２９１３が形成されている。

半導体層２９０７、Ｎ型半導体層２９１０及び導電層２９１３からなる第２の電極が構成される。なお、この第２の電極と第１の電極２９０４でゲート絶縁膜２９０５を挟み込んだ構造の容量素子２９２０が形成されている。

また、配線２９１１の一方の端部は延在し、その延在した配線２９１１上部に、コンタクトホールが形成され、画素電極２９１４が形成されている。

また、駆動トランジスタ２９１９及び容量素子２９２０を覆うように絶縁物２９１５が形成されている。

絶縁物２９１５上には画素電極２９１４、液晶層２９１６及び対向電極２９１７が形成され、画素電極２９１４と対向電極２９１７とで液晶層２９１６が挟まれている。

容量素子の第２の電極の一部となる半導体層２９０７及びＮ型半導体層２９１０は設けなくても良い。つまり第２の電極は導電層２９１３とし、第１の電極２９０４と導電層２９１３でゲート絶縁膜が挟まれた構造の容量素子としてもよい。

なお、図１３では、逆スタガ型のチャネルエッチ構造のトランジスタについて示したが、もちろんチャネル保護構造のトランジスタでも良い。チャネル保護構造のトランジスタの場合について、図３５を用いて説明する。

図３５に示すチャネル保護型構造のトランジスタは図１３に示したチャネルエッチ構造の駆動トランジスタ２９１９の半導体層２９０６のチャネルが形成される領域上にエッチングのマスクとなる絶縁物３００１が設けられている点が異なり、他の共通しているところは共通の符号を用いている。

本発明の画素を構成するトランジスタの半導体層（チャネル形成領域やソース領域やドレイン領域など）に非晶質半導体膜を用いることで、製造コストを削減することができる。例えば、さまざまな画素構成を用いることで非晶質半導体膜を適用することが可能である。

なお、本発明の画素構成の適用することができるトランジスタの構造や、容量素子の構造は上述した構成に限られず、さまざまな構成のトランジスタの構造や、容量素子の構造のものを用いることができる。

なお、本実施の形態で述べた内容は、実施の形態１〜４で述べた内容と自由に組み合わせて実施することができる。

（実施の形態６）
外光の強度を検出する光センサは表示装置の一部に組み込まれていても良い。この光センサは部品として表示装置に実装されていても良いし、表示パネルに一体形成されていても良い。表示パネルに一体形成されている場合には、表示面を光センサの受光面として併用することができ、意匠上すぐれた効果を発揮する。すなわち表示装置に光センサが付属していることを意識させることなく、その外光強度に基づく階調制御を行うことができる。

図１１は表示パネル上に光センサを一体形成する一態様を示す図である。なお、図８では、液晶素子とその動作を制御するＴＦＴで画素を構成する場合を示している。

図１１は、透光性を有する基板８８００上に形成されたスイッチングＴＦＴ８８０１、透光性材料により形成された第１の電極（画素電極）８８０２、液晶８８０３、対向基板８８０５上に透光性材料により形成された第２の電極（対向電極）８８０４が設けられている。そして、絶縁膜８８１２上に配線８８０６が形成されている。同様に、絶縁膜８８１２上に、ｐ型層８８３１、実質的に真性なｉ型層８８３２及びｎ型層８８３３の積層体からなる光電変換素子８８３８と、ｐ型層８８３１に接続された電極８８３０、ｎ型層８８３３に接続された電極８８３４が設けられる。なお、光電変換素子８８３８は、配線８８０６と同じ層、つまり、絶縁膜８８１２の上に形成されていてもよいし、第１の電極（画素電極）８８０２と同じ層、つまり、絶縁膜８８５１の上に形成されていてもよいし、ゲート配線と同じ層、つまり、絶縁膜８８５２の上に形成されていてもよい。

本実施例では光センサ素子として光電変換素子８８３８を用いる。光電変換素子８８３８は同一の基板８８００上に形成されており、液晶８８０３を透過する光は、映像を構成し、ユーザーが視認する。一方、光電変換素子は外光を検出し、検出信号をコントローラに送る役割を持つ。このようにして、液晶素子と光センサ（光電変換素子）を同一の基板上に形成でき、セットの小型化に貢献できる。

なお、本実施の形態で述べた内容は、実施の形態１〜５で述べた内容と自由に組み合わせて実施することができる。

（実施の形態７）
本実施の形態では、実施の形態１から実施の形態６までで述べた表示装置を制御するハードウェアについて述べる。

大まかな構成図を図１８に示す。基板１８０１の上に、画素配列１８０４が配置されている。ソースドライバ１８０６やゲートドライバ１８０５が配置されている場合が多い。それ以外にも、電源回路やプリチャージ回路やタイミング生成回路などが配置されていることもある。また、ソースドライバ１８０６やゲートドライバ１８０５が配置されていない場合もある。その場合は、基板１８０１に配置されていないものは、ＩＣに形成されることが多い。そのＩＣは、基板１８０１の上に、ＣＯＧ（ＣｈｉｐＯｎＧｌａｓｓ）によって配置されている場合も多い。あるいは、周辺回路基板１８０２と基板１８０１とを接続する接続基板１８０７の上に、ＩＣが配置される場合もある。

周辺回路基板１８０２には、信号１８０３が入力される。そして、コントローラ１８０８が制御して、メモリ１８０９やメモリ１８１０などに信号が保存される。信号１８０３がアナログ信号の場合は、アナログ・デジタル変換を行った後、そして、メモリ１８０９やメモリ１８１０などに保存されることが多い。そして、コントローラ１８０８がメモリ１８０９やメモリ１８１０などに保存された信号を用いて、基板１８０１に信号を出力する。

実施の形態１から実施の形態５までで述べた駆動方法を実現するために、コントローラ１８０８が、各種のパルス信号などを制御して、基板１８０１に信号を出力する。

なお、本実施の形態で述べた内容は、実施の形態１〜６で述べた内容と自由に組み合わせて実施することができる。

（実施の形態８）
本発明の表示装置、およびその駆動方法を用いた表示装置を表示部に有する携帯電話の構成例について図１９を用いて説明する。

表示パネル５４１０はハウジング５４００に脱着自在に組み込まれる。ハウジング５４００は表示パネル５４１０のサイズに合わせて、形状や寸法を適宜変更することができる。表示パネル５４１０を固定したハウジング５４００はプリント基板５４０１に嵌入されモジュールとして組み立てられる。

表示パネル５４１０はＦＰＣ５４１１を介してプリント基板５４０１に接続される。プリント基板５４０１には、スピーカ５４０２、マイクロフォン５４０３、送受信回路５４０４、ＣＰＵ及びコントローラなどを含む信号処理回路５４０５が形成されている。このようなモジュールと、入力手段５４０６、バッテリ５４０７を組み合わせ、筐体５４０９に収納する。表示パネル５４１０の画素部は筐体５４０９に形成された開口窓から視認できように配置する。

表示パネル５４１０は、画素部と一部の周辺駆動回路（複数の駆動回路のうち動作周波数の低い駆動回路）を基板上にＴＦＴを用いて一体形成し、一部の周辺駆動回路（複数の駆動回路のうち動作周波数の高い駆動回路）をＩＣチップ上に形成し、そのＩＣチップをＣＯＧ（ＣｈｉｐＯｎＧｌａｓｓ）で表示パネル５４１０に実装しても良い。あるいは、そのＩＣチップをＴＡＢ（ＴａｐｅＡｕｔｏＢｏｎｄｉｎｇ）やプリント基板を用いてガラス基板と接続してもよい。なお、一部の周辺駆動回路を基板上に画素部と一体形成し、他の周辺駆動回路を形成したＩＣチップをＣＯＧ等で実装した表示パネルの構成は図２０（ａ）に一例を示してある。このような構成とすることで、表示装置の低消費電力を図り、携帯電話機の一回の充電による使用時間を長くすることができる。また、携帯電話機の低コスト化を図ることができる。

また、走査線や信号線に設定する信号をバッファによりインピーダンス変換することで、１行毎の画素の書き込み時間を短くすることができる。よって高精細な表示装置を提供することができる。

また、さらに消費電力の低減を図るため、基板上にＴＦＴを用いて画素部を形成し、全ての周辺駆動回路をＩＣチップ上に形成し、そのＩＣチップをＣＯＧ（ＣｈｉｐＯｎＧｌａｓｓ）などで表示パネルに実装しても良い。

そして、本発明の表示装置を用いることにより、コントラストの高い綺麗な画像で見ることが出来る。

また、本実施例に示した構成は携帯電話の一例であって、本発明の表示装置はこのような構成の携帯電話に限られず様々な構成の携帯電話に適用することができる。

なお、本実施の形態で述べた内容は、実施の形態１〜７で述べた内容と自由に組み合わせて実施することができる。

（実施の形態９）
図２１は表示パネル５７０１と、回路基板５７０２を組み合わせたＥＬモジュールを示している。表示パネル５７０１は画素部５７０３、走査線駆動回路５７０４及び信号線駆動回路５７０５を有している。回路基板５７０２には、例えば、コントロール回路５７０６や信号分割回路５７０７などが形成されている。表示パネル５７０１と回路基板５７０２は接続配線５７０８によって接続されている。接続配線にはＦＰＣ等を用いることができる。

コントロール回路５７０６が、実施の形態７における、コントローラ１８０８やメモリ１８０９やメモリ１８１０などに相当する。主に、コントロール回路５７０６において、サブフレームの出現順序などを制御している。

表示パネル５７０１は、画素部と一部の周辺駆動回路（複数の駆動回路のうち動作周波数の低い駆動回路）を基板上にＴＦＴを用いて一体形成し、一部の周辺駆動回路（複数の駆動回路のうち動作周波数の高い駆動回路）をＩＣチップ上に形成し、そのＩＣチップをＣＯＧ（ＣｈｉｐＯｎＧｌａｓｓ）などで表示パネル５７０１に実装するとよい。あるいは、そのＩＣチップをＴＡＢ（ＴａｐｅＡｕｔｏＢｏｎｄｉｎｇ）やプリント基板を用いて表示パネル５７０１に実装しても良い。なお、一部の周辺駆動回路を基板上に画素部と一体形成し、他の周辺駆動回路を形成したＩＣチップをＣＯＧ等で実装した構成は図２２（ａ）に一例を示してある。このような構成とすることで、表示装置の低消費電力を図り、携帯電話機の一回の充電による使用時間を長くすることができる。また、携帯電話機の低コスト化を図ることができる。

また、さらに消費電力の低減を図るため、ガラス基板上にＴＦＴを用いて画素部を形成し、全ての信号線駆動回路をＩＣチップ上に形成し、そのＩＣチップをＣＯＧ（ＣｈｉｐＯｎＧｌａｓｓ）等で表示パネルに実装してもよい。

なお、基板上にＴＦＴを用いて画素部を形成し、全ての周辺駆動回路をＩＣチップ上に形成し、そのＩＣチップをＣＯＧ（ＣｈｉｐＯｎＧｌａｓｓ）等で表示パネルに実装するとよい。なお、基板上に画素部を形成し、その基板上に信号線駆動回路を形成したＩＣチップをＣＯＧ等で実装した構成は図２２（ｂ）に一例を示してある。

この液晶モジュールにより液晶テレビ受像機を完成させることができる。図２２は、液晶テレビ受像機の主要な構成を示すブロック図である。チューナ５８０１は映像信号と音声信号を受信する。映像信号は、映像信号増幅回路５８０２と、そこから出力される信号を赤、緑、青の各色に対応した色信号に変換する映像信号処理回路５８０３と、その映像信号を駆動回路の入力仕様に変換するためのコントロール回路５７０６により処理される。コントロール回路５７０６は、走査線側と信号線側にそれぞれ信号が出力する。デジタル駆動する場合には、信号線側に信号分割回路５７０７を設け、入力デジタル信号をｍ個に分割して供給する構成としても良い。

チューナ５８０１で受信した信号のうち、音声信号は音声信号増幅回路５８０４に送られ、その出力は音声信号処理回路５８０５を経てスピーカー５８０６に供給される。制御回路５８０７は受信局（受信周波数）や音量の制御情報を入力部５８０８から受け、チューナ５８０１や音声信号処理回路５８０５に信号を送出する。

液晶モジュールを筐体に組みこんで、テレビ受像機を完成させることができる。液晶モジュールにより、表示部が形成される。また、スピーカー、ビデオ入力端子などが適宜備えられている。

勿論、本発明はテレビ受像機に限定されず、パーソナルコンピュータのモニタをはじめ、鉄道の駅や空港などにおける情報表示盤や、街頭における広告表示盤など特に大面積の表示媒体として様々な用途に適用することができる。

このように、本発明の表示装置を用いることにより、コントラストの高い綺麗な画像で見ることが出来る。

なお、本実施の形態で述べた内容は、実施の形態１〜８で述べた内容と自由に組み合わせて実施することができる。

（実施の形態１０）
本実施の形態では、光センサやアンプの例を示す。

図３４に、基本的な構成図を示す。光電変換素子３６０１に光が照射され、照度に応じて電流が流れる。その電流を電流電圧変換回路３９０２で電圧信号に変換する。このように、光電変換素子３６０１と電流電圧変換回路３９０２とで光センサ１１３が構成される。そして、光センサ１１３から出力された信号は、アンプ１１４へ入力される。図３４では、オペアンプを用いた電圧フォロワ回路を示した。ただし、これに限定されない。

電流電圧変換回路３９０２の例としては、図３１に示すように、抵抗素子３６０２を用いればよい。ただし、これに限定されない。オペアンプを用いて、回路を構成してもよい。

図３４、図３１では、光電変換素子３６０１に流れる電流を用いていたが、この電流を増幅してもよい。例えば、図３２に示すように、カレントミラー回路３７０３を用いて、電流電圧変換回路である抵抗素子３７０２に流れる電流を大きくしてもよい。その結果、光に対する感度が向上したり、ノイズに対する耐性が向上したりさせることができる。

また、図３３のように、光電変換素子３６０１とカレントミラー回路３８０３とに流れる電流をすべて電流電圧変換回路３８０２に流すようにして、さらに、光に対する感度が向上したり、ノイズに対する耐性が向上したりしてもよい。また、このようにすることにより、光電変換素子３６０１の出力とカレントミラー回路の出力とを１つにすることが出来るため、接続端子を減らすことが出来る。

なお、本実施の形態で述べた内容は、実施の形態１〜９で述べた内容と自由に組み合わせて実施することができる。

（実施の形態１１）
本発明に係る表示装置の構成について説明する。表示装置の表示部は、複数のソース信号線と、当該複数のソース信号線と交差するように設けられた複数のゲート信号線と、複数のソース信号線と複数のゲート信号線の交差部毎に設けられた画素とを有する。本実施例では液晶を用いた液晶表示装置の画素の例を示す。

図３６に１つの画素の構成を示す。画素は、ソース信号線４８０１とゲート信号線４８０２の交差部に設けられ、トランジスタ４８０３と容量素子４８０４と液晶素子とを有する。なお、図では液晶素子の液晶を駆動する一対の電極のうちの一方の電極（画素電極４８０５）のみを示す。

トランジスタ４８０３は、半導体層４８０６と、第１絶縁層と、第１絶縁層を介して半導体層４８０６と重なるゲート信号線４８０２の一部によって構成される。半導体層４８０６がトランジスタ４８０３の活性層となる。第１絶縁層はトランジスタのゲート絶縁層として機能する。トランジスタ４８０３のソース及びドレインの一方は、コンタクトホール４８０７によってソース信号線４８０１と接続され、他方はコンタクトホール４８０８によって接続配線４８０９と接続されている。接続配線４８０９はコンタクトホール４８１０によって画素電極４８０５と接続されている。接続配線４８０９はソース信号線４８０１と同じ導電層を用い、同時にエッチングして形成することができる。

容量素子４８０４は、半導体層４８０６と、第１絶縁層を介して半導体層４８０６と重なる容量配線４８１１とを一対の電極とし、第１絶縁層を誘電層とした構成の容量素子（第１の容量素子と呼ぶ）とすることができる。なお更に、容量素子４８０４は、容量配線４８１１と、第２絶縁層を介して容量配線４８１１と重なる画素電極４８０５とを一対の電極とし、第２絶縁層を誘電層とした構成の容量素子（第２の容量素子と呼ぶ）を有する構成してもよい。第２の容量素子は第１の容量素子と並列に接続されるので、第２の容量素子を設けることによって容量素子４８０４の容量値を増やすことができる。また、容量配線４８１１はゲート信号線４８０２と同じ導電層を用い、同時にエッチングして形成することができる。

半導体層４８０６はシリコン若しくはシリコンを成分とする結晶性の半導体で形成することが好ましい。例えば、シリコン薄膜をレーザアニールなどによって結晶化した多結晶シリコン、単結晶シリコンなどが適用される。その他にも、半導体層４８０６を形成する材料として、半導体特性を示す金属酸化物半導体、アモルファスシリコン、有機半導体を適用することも可能である。

半導体層４８０６のパターニング方法について説明する。絶縁表面を有する基板の全面若しくは一部に半導体層を形成する。そして、フォトリソグラフィー技術によって半導体層上にマスクパターンを形成する。当該マスクパターンを利用して半導体層をエッチング処理することにより、半導体層４８０６をパターニング形成する。

半導体層４８０６をパターニングするためのマスクパターンはフォトマスクを用いて作製される。フォトマスクのパターンは、その角部を一辺が１０μｍ以下の長さで面取りされた形状となっている。このフォトマスクのパターンを用いてマスクパターンを作製し、当該マスクパターンを用いて半導体層４８０６をパターニング形成することによって、半導体層４８０６のパターンの角部を面取りした形状とすることができる。なお、半導体層４８０６のパターンの角部が更に丸みを帯びるようにしても良い。すなわち、露光条件やエッチング条件を適切に定めることによって、フォトマスクのパターンよりも更に半導体層４８０６のパターン形状をなめらかにしても良い。こうして、角部が丸くなった半導体層４８０６が形成される。

第１絶縁層としては、酸化シリコン若しくは窒化シリコンを少なくとも一部に含む絶縁層を用いることができる。

ゲート信号線４８０２及び容量配線４８１１は、金属層又は導電性の高い半導体層を成膜し、フォトリソグラフィー技術によって形成する。

ゲート信号線４８０２及び容量配線４８１１を形成するためのフォトマスクのパターンは、その角部を一辺が１０μｍ以下、または配線の線幅の１／２以下であって１／５以上の長さに面取りした形状となっている。このフォトマスクのパターンを用いてマスクパターンを作製し当該マスクパターンを用いてゲート信号線４８０２及び容量配線４８１１をパターニング形成することによって、ゲート信号線４８０２及び容量配線４８１１のパターンの角部を面取りした形状とすることができる。なお、ゲート信号線４８０２及び容量配線４８１１のパターンの角部が更に丸みを帯びるようにしても良い。すなわち、露光条件やエッチング条件を適切に定めることによって、フォトマスクのパターンよりも更にゲート信号線４８０２及び容量配線４８１１のパターン形状をなめらかにしても良い。こうして、角部が丸くなったゲート信号線４８０２及び容量配線４８１１が形成される。

第２絶縁層は、酸化シリコンなどの無機絶縁材料若しくポリイミドやアクリル樹脂などを使った有機絶縁材料を用いて形成する。なお、第２絶縁層は、前記材料を用いた絶縁層と、窒化シリコン若しくは窒化酸化シリコンなどの絶縁層との積層構造であっても良い。窒化シリコン若しくは窒化酸化シリコンなどの絶縁層は、金属イオンや水分などトランジスタにとっては良くない不純物により半導体層やゲート絶縁層が汚染されるのを防ぐことができる。

ソース信号線４８０１及び接続配線４８０９は金属若しくは金属化合物の一層若しくは複数層で形成される。

ソース信号線４８０１及び接続配線４８０９を形成するためのフォトマスクのパターンは、その角部を一辺が１０μｍ以下、または配線の線幅の１／２以下であって１／５以上の長さに面取りした形状となっている。このフォトマスクのパターンを用いてマスクパターンを作製し当該マスクパターンを用いたエッチング加工によってソース信号線４８０１及び接続配線４８０９をパターニング形成する。こうして、ソース信号線４８０１及び接続配線４８０９のパターンの角部を面取りした形状とすることができる。なお、ソース信号線４８０１及び接続配線４８０９のパターンの角部が更に丸みを帯びるようにしても良い。すなわち、露光条件やエッチング条件を適切に定めることによって、フォトマスクのパターンよりも更にソース信号線４８０１及び接続配線４８０９のパターン形状をなめらかにしても良い。こうして、角部が丸くなったソース信号線４８０１及び接続配線４８０９が形成される。

画素電極４８０５は光透過性の導電性材料または金属などの非透光性の導電性材料で形成される。

前述の導電性材料でなる導電層一面に形成し、フォトリソグラフィー技術によってマスクパターンを形成し、当該マスクパターンを用いてエッチング加工を行うことによって、所定のパターンの画素電極４８０５が形成される。画素電極４８０５を形成するためのフォトマスクのパターンは、その角部を一辺が１０μｍ以下の長さで面取りされた形状となっている。このフォトマスクのパターンを用いてマスクパターンを作製し当該マスクパターンを用いて画素電極４８０５をパターニング形成する。こうして、画素電極４８０５のパターンの角部を面取りした形状とすることができる。なお、画素電極４８０５のパターンの角部が更に丸みを帯びるようにしても良い。すなわち、露光条件やエッチング条件を適切に定めることによって、フォトマスクのパターンよりも更に画素電極４８０５のパターン形状をなめらかにしても良い。こうして、角部が丸くなった画素電極４８０５が形成される。

配線や電極において、屈曲部や配線幅が変化する部位の角部をなめらかにして、丸みを付けることにより以下の効果がある。凸部を面取りすることによって、プラズマを用いたドライエッチングを行う際、異常放電による微粉の発生を抑えることができる。また、凹部を面取りすることによって、たとえできた微粉であっても、洗浄のときに当該微粉が角に集まるのを防止し、当該微粉を洗い流すことができる。こうして、製造工程における塵や微粉の問題を解消し、歩留まりを向上させることができる。

なお、本実施の形態に示した画素は上述した実施の形態１〜実施の形態１０の表示装置に適用することができる。

（実施の形態１２）
本発明は様々な電子機器に適用することができる。具体的には電子機器の表示部に適用することができる。そのような電子機器として、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオーディオ、オーディオコンポ等）、コンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機又は電子書籍等）、記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはＤｉｇｉｔａｌＶｅｒｓａｔｉｌｅＤｉｓｃ（ＤＶＤ）等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうる発光装置を備えた装置）などが挙げられる。

図２３（Ａ）は発光装置であり、筐体３５００１、支持台３５００２、表示部３５００３、スピーカー部３５００４、ビデオ入力端子３５００５等を含む。本発明の表示装置を表示部３５００３に用いることができる。なお、発光装置は、パーソナルコンピュータ用、テレビジョン放送受信用、広告表示用などの全ての情報表示用発光装置が含まれる。本発明の表示装置を表示部３５００３に用いた発光装置は、コントラストの高い綺麗な画像で見ることが可能となる。

図２３（Ｂ）はカメラであり、本体３５１０１、表示部３５１０２、受像部３５１０３、操作キー３５１０４、外部接続ポート３５１０５、シャッター３５１０６等を含む。

本発明を表示部３５１０２に用いたデジタルカメラは、コントラストの高い綺麗な画像で見ることが可能となる。

図２３（Ｃ）はコンピュータであり、本体３５２０１、筐体３５２０２、表示部３５２０３、キーボード３５２０４、外部接続ポート３５２０５、ポインティングマウス３５２０６等を含む。本発明を表示部３５２０３に用いたコンピュータは、コントラストの高い綺麗な画像で見ることが可能となる。

図２３（Ｄ）はモバイルコンピュータであり、本体３５３０１、表示部３５３０２、スイッチ３５３０３、操作キー３５３０４、赤外線ポート３５３０５等を含む。本発明を表示部３５３０２に用いたモバイルコンピュータは、コントラストの高い綺麗な画像で見ることが可能となる。

図２３（Ｅ）は記録媒体を備えた携帯型の画像再生装置（具体的にはＤＶＤ再生装置）であり、本体３５４０１、筐体３５４０２、表示部Ａ３５４０３、表示部Ｂ３５４０４、記録媒体（ＤＶＤ等）読み込み部３５４０５、操作キー３５４０６、スピーカー部３５４０７等を含む。表示部Ａ３５４０３は主として画像情報を表示し、表示部Ｂ３５４０４は主として文字情報を表示することができる。本発明を表示部Ａ３５４０３や表示部Ｂ３５４０４に用いた画像再生装置は、コントラストの高い綺麗な画像で見ることが可能となる。

図２３（Ｆ）はゴーグル型ディスプレイであり、本体３５５０１、表示部３５５０２、アーム部３５５０３を含む。本発明を表示部３５５０２に用いたゴーグル型ディスプレイは、コントラストの高い綺麗な画像で見ることが可能となる。

図２３（Ｇ）はビデオカメラであり、本体３５６０１、表示部３５６０２、筐体３５６０３、外部接続ポート３５６０４、リモコン受信部３５６０５、受像部３５６０６、バッテリー３５６０７、音声入力部３５６０８、操作キー３５６０９、接眼部３５６１０等を含む。本発明を表示部３５６０２に用いたビデオカメラは、コントラストの高い綺麗な画像で見ることが可能となる。

図２３（Ｈ）は携帯電話機であり、本体３５７０１、筐体３５７０２、表示部３５７０３、音声入力部３５７０４、音声出力部３５７０５、操作キー３５７０６、外部接続ポート３５７０７、アンテナ３５７０８等を含む。本発明を表示部３５７０３に用いた携帯電話機は、コントラストの高い綺麗な画像で見ることが可能となる。

以上の様に、本発明の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電子機器に用いることが可能である。また本実施の形態の電子機器は、実施の形態１〜１０に示したいずれの構成の表示装置を用いても良い。

本発明の表示装置の構成を説明する図。本発明の表示装置の構成を説明する図。本発明の表示装置の構成を説明する図。本発明の表示装置の駆動方法を説明する図。本発明の表示装置の構成を説明する図。本発明の表示装置の構成を説明する図。本発明の表示装置の構成を説明する図。本発明の表示装置の構成を説明する図。本発明の表示装置の構成を説明する図。本発明の表示装置の構成を説明する図。本発明の表示装置の構成を説明する図。本発明の表示装置の構成を説明する図。本発明の表示装置の構成を説明する図。本発明の表示装置の構成を説明する図。本発明の表示装置の構成を説明する図。本発明の表示装置の構成を説明する図。本発明の表示装置の構成を説明する図。本発明の表示装置の構成を説明する図。本発明が適用される電子機器を説明する図。本発明の表示装置の構成を説明する図。本発明の表示装置の構成を説明する図。本発明の表示装置の構成を説明する図。本発明が適用される電子機器を説明する図。本発明の表示装置の構成を説明する図。本発明の表示装置の構成を説明する図。本発明の表示装置の構成を説明する図。本発明の表示装置の構成を説明する図。本発明の表示装置の構成を説明する図。本発明の表示装置の構成を説明する図。本発明の表示装置の構成を説明する図。本発明の表示装置の構成を説明する図。本発明の表示装置の構成を説明する図。本発明の表示装置の構成を説明する図。本発明の表示装置の構成を説明する図。本発明の表示装置の構成を説明する図。本発明の表示装置の画素を説明する図。

符号の説明

１０１画素配列
１０２ソースドライバ
１０３ゲートドライバ
１０６表示モード別ビデオ信号生成回路
１０７コントローラ
１１３光センサ
１１４アンプ
１１６光センサ
２０１サンプリングスイッチ
２０７半導体層
２１１画素
２２０画素
２２１ビデオ信号線
２３１シフトレジスタ
３０１表示モード制御回路
３０２値化用回路
３０３スイッチ
３０４スイッチ
３０５スイッチ
４０２多値化用回路
４０３スイッチ
４０４ゲート線
４１２多値化回路
５０１表示モード制御回路
６０１コンパレータ（比較）回路
６０２スイッチ
６０４〜６０７スイッチ
６１１スイッチ
６２１コンパレータ回路
６２３スイッチ
７００基板
７０１下地層
７０２半導体層
７０３絶縁層
７０４ゲート電極
７０５絶縁層
７０６絶縁層
７０７配線
７０８電極
７１０絶縁層
７１２絶縁層
７４９絶縁層
７５０ＴＦＴ
７５１容量部
７５２半導体層
７５４導電層
８０１スイッチ
８１１判定回路
８２１スイッチ
８８１スイッチ
８８２スイッチ
９０１オペアンプ
９０３ＡＮＤ回路
１５０１入力
１５０２制御線
１５０３出力
１５１１入力
１５１３出力
１５２１入力
１５２３出力
１６１１スイッチ
１６１２スイッチ
１７０１ゲート信号線
１７０２ソース信号線
１７０３電極
１７０４選択用トランジスタ
１７０５保持容量
１７０７液晶素子
１７０７Ａ電極
１７０８対向電極
１８０１基板
１８０２周辺回路基板
１８０３信号
１８０４画素配列
１８０５ゲートドライバ
１８０６ソースドライバ
１８０７接続基板
１８０８コントローラ
１８０９メモリ
１８１０メモリ
２３０６表示モード別ビデオ信号生成回路
２３０７コントローラ
２３１３光センサ
２３１４アンプ
２４０１ゲート線
２５０１表示モード制御回路
２５０２ＤＡ変換回路
２５０３ＤＡ変換回路
２５０４レベル変換回路
２５１１スイッチ
２５１３スイッチ
２７０２下位ビットデータ除去回路
２８０１基板
２８０２下地膜
２８０３画素電極
２８０４電極
２８０５配線
２８０６配線
２８０７Ｎ型半導体層
２８０８Ｎ型半導体層
２８０９半導体層
２８１０ゲート絶縁膜
２８１１絶縁膜
２８１２ゲート電極
２８１３電極
２８１４層間絶縁膜
２８１５液晶層
２８１６対向電極
２８１８駆動トランジスタ
２８１９容量素子
２８２０電極
２９０１基板
２９０２下地膜
２９０３ゲート電極
２９０４電極
２９０５ゲート絶縁膜
２９０６半導体層
２９０７半導体層
２９０８Ｎ型半導体層
２９１０Ｎ型半導体層
２９１１配線
２９１３導電層
２９１４画素電極
２９１５絶縁物
２９１６液晶層
２９１７対向電極
２９１９駆動トランジスタ
２９２０容量素子
３００１絶縁物
３００２スイッチ
３０１１スイッチ
３０１６スイッチ
３０２１デコーダ回路
３６０１光電変換素子
３６０２抵抗素子
３７０２抵抗素子
３７０３カレントミラー回路
３８０２電流電圧変換回路
３８０３カレントミラー回路
３９０２電流電圧変換回路
４１２Ａ正極用多値化回路
４１２Ｂ負極用多値化回路
４８０１ソース信号線
４８０２ゲート信号線
４８０３トランジスタ
４８０４容量素子
４８０５画素電極
４８０６半導体層
４８０７コンタクトホール
４８０８コンタクトホール
４８０９接続配線
４８１０コンタクトホール
４８１１容量配線
５４００ハウジング
５４０１プリント基板
５４０２スピーカ
５４０３マイクロフォン
５４０４送受信回路
５４０５信号処理回路
５４０６入力手段
５４０７バッテリ
５４０９筐体
５４１０表示パネル
５４１１ＦＰＣ
５７０１表示パネル
５７０２回路基板
５７０３画素部
５７０４走査線駆動回路
５７０５信号線駆動回路
５７０６コントロール回路
５７０７信号分割回路
５７０８接続配線
５８０１チューナ
５８０２映像信号増幅回路
５８０３映像信号処理回路
５８０４音声信号増幅回路
５８０５音声信号処理回路
５８０６スピーカー
５８０７制御回路
５８０８入力部
８８００基板
８８０１スイッチングＴＦＴ
８８０２電極（画素電極）
８８０３液晶
８８０４電極（対向電極）
８８０５対向基板
８８０６配線
８８１２絶縁膜
８８３０電極
８８３１ｐ型層
８８３２ｉ型層
８８３３ｎ型層
８８３４電極
８８３８光電変換素子
８８５１絶縁膜
８８５２絶縁膜
３５００１筐体
３５００２支持台
３５００３表示部
３５００４スピーカー部
３５００５ビデオ入力端子
３５１０１本体
３５１０２表示部
３５１０３受像部
３５１０４操作キー
３５１０５外部接続ポート
３５１０６シャッター
３５２０１本体
３５２０２筐体
３５２０３表示部
３５２０４キーボード
３５２０５外部接続ポート
３５２０６ポインティングマウス
３５３０１本体
３５３０２表示部
３５３０３スイッチ
３５３０４操作キー
３５３０５赤外線ポート
３５４０１本体
３５４０２筐体
３５４０３表示部Ａ
３５４０４表示部Ｂ
３５４０５部
３５４０６操作キー
３５４０７スピーカー部
３５５０１本体
３５５０２表示部
３５５０３アーム部
３５６０１本体
３５６０２表示部
３５６０３筐体
３５６０４外部接続ポート
３５６０５リモコン受信部
３５６０６受像部
３５６０７バッテリー
３５６０８音声入力部
３５６０９操作キー
３５６１０接眼部
３５７０１本体
３５７０２筐体
３５７０３表示部
３５７０４音声入力部
３５７０５音声出力部
３５７０６操作キー
３５７０７外部接続ポート
３５７０８アンテナ

Claims

複数の画素がマトリクス状に配置された液晶表示装置であって、
前記液晶表示装置は、ソースドライバとゲートドライバとを有し、表示モードとして、少なくとも第１及び第２の表示モードを有し、
前記第１の表示モードにおいて、ソースドライバにアナログ信号が供給され、
前記第２の表示モードにおいて、前記ソースドライバにデジタル信号が供給され、
外光強度に応じて表示モードが切り替わることを特徴とする液晶表示装置。
複数の画素がマトリクス状に配置された液晶表示装置であって、
前記液晶表示装置は、ソースドライバとゲートドライバとを有し、表示モードとして、少なくとも第１及び第２の表示モードを有し、
前記第１の表示モードにおいて、前記ソースドライバにアナログ信号が供給され、前記ソースドライバから前記画素にアナログ信号が供給され、
前記第２の表示モードにおいて、前記ソースドライバにデジタル信号が供給され、前記ソースドライバから前記画素にデジタル信号が供給され、
外光強度に応じて表示モードが切り替わることを特徴とする液晶表示装置。
請求項１乃至２のいずれか一項の液晶表示装置を搭載した電子機器。