JP2006221960A

JP2006221960A - Light emitting device and method for manufacturing light emitting device

Info

Publication number: JP2006221960A
Application number: JP2005034212A
Authority: JP
Inventors: Takahiro Iwashita; 貴弘岩下
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2005-02-10
Filing date: 2005-02-10
Publication date: 2006-08-24

Abstract

【課題】隔壁で囲まれた領域内に液状物を充填して機能層を形成する場合でも、生産性を低下させることなく、下部電極層と上部電極層との短絡を確実に防止できる発光装置、およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】有機ＥＬ装置の製造工程において、画素電極１１および隔壁５を形成する際、画素電極１１の外周縁１１５を隔壁５の底部の内周縁５０５より所定の寸法ｄだけ内側に位置させて画素電極１１と隔壁５の底部との間には、画素電極１１の周りを囲むように、底面に第２層間絶縁膜２３が位置する溝１３０を形成しておく。このため、隔壁５により囲まれた凹部５１内に正孔注入層形成材料４０ａおよび発光層形成材料４０ｂの充填、固化により、正孔注入層１３ａおよび発光層１３ｂからなる機能層１３を形成しても、画素電極１１と対向電極１２とが短絡することがない。
【選択図】図６PROBLEM TO BE SOLVED: To reliably prevent a short circuit between a lower electrode layer and an upper electrode layer without lowering productivity even when a functional layer is formed by filling a liquid material in a region surrounded by a partition wall. And a method of manufacturing the same.
In the manufacturing process of an organic EL device, when forming a pixel electrode 11 and a partition wall 5, an outer peripheral edge 115 of the pixel electrode 11 is positioned inward by a predetermined dimension d from an inner peripheral edge 505 at the bottom of the partition wall 5. Between the pixel electrode 11 and the bottom of the partition wall 5, a groove 130 in which the second interlayer insulating film 23 is located is formed on the bottom surface so as to surround the pixel electrode 11. Therefore, the functional layer 13 including the hole injection layer 13a and the light emitting layer 13b is formed in the recess 51 surrounded by the partition walls 5 by filling and solidifying the hole injection layer forming material 40a and the light emitting layer forming material 40b. However, the pixel electrode 11 and the counter electrode 12 are not short-circuited.
[Selection] Figure 6

Description

本発明は、発光装置、およびその製造方法に関するものである。さらに詳しくは、発光装置の機能層を液相プロセスにより形成するための構造技術に関するものである。 The present invention relates to a light emitting device and a method for manufacturing the same. More specifically, the present invention relates to a structural technique for forming a functional layer of a light emitting device by a liquid phase process.

携帯電話機、パーソナルコンピュータやＰＤＡ（ＰｅｒｓｏｎａｌＤｉｇｉｔａｌＡｓｓｉｓｔａｎｔｓ）などの電子機器に使用される表示装置や、デジタル複写機やプリンタなどの画像形成装置における露光用ヘッドとして、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ／Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）装置などの発光装置が注目されている。この種の発光装置を製造するにあたっては、図８（Ａ）に示すように、画素電極（陽極）として機能する下部電極層１１′の上側に樹脂によって隔壁５′を形成しておき、図８（Ｂ）に示すように、隔壁５′により囲まれた凹部５１′内に、インクジェットプリンタなどで採用されているインクジェット方式で液状の発光層形成材料４０ａ′を充填した後、図８（Ｃ）に示すように、液状の発光層形成材料４０ａ′を固化させて発光層４０′を形成し、しかる後に、図８（Ｄ）に示すように、発光層４０′の上層側に陰極として機能する上部電極層１２′を形成することが提案されている（例えば、特許文献１、２、３、４、５参照）。 An organic electroluminescence (EL / Electroluminescence) device, etc. as an exposure head in a display device used in an electronic device such as a mobile phone, a personal computer or a PDA (Personal Digital Assistants), or an image forming device such as a digital copying machine or a printer The light emitting device has attracted attention. In manufacturing this type of light emitting device, as shown in FIG. 8A, a partition wall 5 'is formed of resin on the upper side of a lower electrode layer 11' functioning as a pixel electrode (anode). As shown in FIG. 8B, after filling the recess 51 ′ surrounded by the partition wall 5 ′ with the liquid light emitting layer forming material 40a ′ by the ink jet method employed in an ink jet printer or the like, FIG. As shown in FIG. 8, the light emitting layer forming material 40 a ′ is solidified to form the light emitting layer 40 ′, and thereafter, as shown in FIG. 8D, it functions as a cathode on the upper layer side of the light emitting layer 40 ′. It has been proposed to form the upper electrode layer 12 '(see, for example, Patent Documents 1, 2, 3, 4, and 5).

但し、図８に示す方法では、隔壁５と下部電極層１１′とによって構成された隅部分５０′で、液状物４０ａ′が隔壁５によってはじかれてしまい、その結果、発光層４０′が薄くなって下部電極層１１′と上部電極層１２′とが短絡するおそれがある。 However, in the method shown in FIG. 8, the liquid 40a 'is repelled by the partition wall 5 at the corner portion 50' formed by the partition wall 5 and the lower electrode layer 11 '. As a result, the light emitting layer 40' is thin. This may cause a short circuit between the lower electrode layer 11 'and the upper electrode layer 12'.

そこで、特許文献１、２では、図９（Ａ）に示すように、樹脂製の隔壁５′の下層側に別の隔壁６′を形成しておき、この隔壁６′によって下部電極層１１′の外周側を覆っておく構造が提案されている。このような構造によれば、図９（Ｂ）に示すように、隔壁５′により囲まれた凹部５１′内に液状の発光層形成材料４０ａ′を充填した後、図９（Ｃ）に示すように、液状の発光層形成材料４０ａ′を固化させて発光層４０′を形成し、しかる後に、発光層４０′の上層側に上部電極層１２′を形成したとき、隔壁５′と下部電極層１１′とによって構成された隅部分５０′で発光層４０′が薄くなっても、そこには別の隔壁６０′が存在するので、下部電極層１１′と上部電極層１２′とが短絡することがない。 Therefore, in Patent Documents 1 and 2, as shown in FIG. 9A, another partition wall 6 'is formed on the lower layer side of the resin partition wall 5', and the lower electrode layer 11 'is formed by this partition wall 6'. The structure which covers the outer peripheral side of this is proposed. According to such a structure, as shown in FIG. 9B, after filling the light emitting layer forming material 40a ′ in the recess 51 ′ surrounded by the partition wall 5 ′, the structure shown in FIG. 9C is obtained. As described above, when the light emitting layer forming material 40a 'is solidified to form the light emitting layer 40', and then the upper electrode layer 12 'is formed on the upper layer side of the light emitting layer 40', the partition wall 5 'and the lower electrode are formed. Even if the light emitting layer 40 'is thinned at the corner portion 50' formed by the layer 11 ', there is another partition wall 60', so that the lower electrode layer 11 'and the upper electrode layer 12' are short-circuited. There is nothing to do.

また、特許文献３では、レジストを残しておくことにより、２層構造の隔壁を形成することが提案されている。さらに、特許文献４、５では、隔壁の上面のみを撥液性とし、側面について親液性としておくことが提案されている。
特開２００３−２４９３７５号公報特開２００３−２７２８７１号公報 Patent Document 3 proposes that a partition wall having a two-layer structure is formed by leaving a resist. Further, Patent Documents 4 and 5 propose that only the upper surface of the partition wall is made liquid-repellent and the side surface is made lyophilic.
JP 2003-249375 A JP 2003-228771 A

しかしながら、２層構造の隔壁を利用して下部電極層と上部電極層との短絡を防止する構造の場合、その分、フォトリソグラフィプロセスが増えることになり、生産性が低下するという問題点がある。また、隔壁の上面のみを撥液性とし、側面について親液性としておく構造の場合も工程数が増えるという問題点がある。しかも、側面を選択的に親液性とする構造の場合、側面の親液性にばらつきが発生すると、機能膜の膜厚が大きくばらついてしまい、発光むらが発生するおそれがある。 However, in the case of the structure in which the lower electrode layer and the upper electrode layer are prevented from being short-circuited by using the two-layer structure partition wall, there is a problem that the photolithography process is increased correspondingly and the productivity is lowered. . In addition, there is a problem that the number of processes increases in the case of a structure in which only the upper surface of the partition wall is made liquid-repellent and the side surface is made lyophilic. Moreover, in the case of a structure in which the side surface is selectively made lyophilic, if the lyophilicity of the side surface varies, the film thickness of the functional film varies greatly, which may cause uneven light emission.

以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、隔壁で囲まれた領域内に液状物を充填して機能層を形成する場合でも、生産性を低下させることなく、下部電極層と上部電極層との短絡を確実に防止できる発光装置、およびその製造方法を提供することにある。 In view of the above problems, the object of the present invention is to form a lower electrode layer and an upper electrode without reducing productivity even when a liquid layer is filled in a region surrounded by a partition wall to form a functional layer. An object of the present invention is to provide a light emitting device capable of reliably preventing a short circuit with a layer and a method for manufacturing the same.

上記課題を解決するために、本発明では、隔壁で囲まれた領域内に下部電極層および機能層がこの順に積層され、かつ、前記機能層の上層に上部電極層が積層された発光装置において、前記下部電極層の外周縁が前記隔壁の底部の内周縁より所定の寸法だけ内側に位置し、前記下部電極層と前記隔壁の底部との間には、前記下部電極層の周りを囲むように、底面に絶縁層が位置する溝が形成されていることを特徴とする。 In order to solve the above problems, in the present invention, in a light emitting device in which a lower electrode layer and a functional layer are laminated in this order in a region surrounded by a partition wall, and an upper electrode layer is laminated on the functional layer. The outer peripheral edge of the lower electrode layer is positioned inward by a predetermined dimension from the inner peripheral edge of the bottom of the barrier rib, and surrounds the lower electrode layer between the lower electrode layer and the bottom of the barrier rib. In addition, a groove in which the insulating layer is located is formed on the bottom surface.

本発明において、前記機能層は、前記隔壁で囲まれた領域内に充填された液状物を固化してなる層である。すなわち、本発明では、下部電極層の上方で隔壁により囲まれた凹部内に液状物を充填する液状物充填工程と、前記液状物を固化させて機能層を形成する固化工程と、前記機能層の上層に上部電極層を積層する上部電極層形成工程とを有する発光装置の製造方法において、前記液状物充填工程を行う前に、前記下部電極層および前記隔壁を形成する際、前記下部電極層の外周縁を前記隔壁の底部の内周縁より所定の寸法だけ内側に位置させることにより、前記下部電極層と前記隔壁の底部との間には、前記下部電極層の周りを囲むように、底面に絶縁層が位置する溝を形成しておくことを特徴とする。 In the present invention, the functional layer is a layer formed by solidifying a liquid material filled in a region surrounded by the partition walls. That is, in the present invention, a liquid material filling step of filling a liquid material into a recess surrounded by a partition above the lower electrode layer, a solidification step of solidifying the liquid material to form a functional layer, and the functional layer In the method of manufacturing a light emitting device having an upper electrode layer forming step of laminating an upper electrode layer on the upper layer, the lower electrode layer is formed when the lower electrode layer and the partition are formed before the liquid filling step. By positioning the outer peripheral edge of the inner wall by a predetermined dimension from the inner peripheral edge of the bottom of the partition wall, the bottom surface surrounds the lower electrode layer between the lower electrode layer and the bottom of the partition wall. A groove in which the insulating layer is located is formed in the substrate.

本発明では、下部電極層の外周縁は、隔壁の底部の内周縁より所定の寸法だけ内側に位置し、下部電極層と隔壁の底部との間には、下部電極層の周りを囲むように溝が形成されている。このため、隔壁により囲まれた凹部内に液状物を充填した際、液状物は、溝内にも充填される。また、隔壁により形成された隅部分で液状物が薄くなった場合でも、あくまで、薄くなった部分は、底面に絶縁層が位置する溝内に位置し、薄くなった部分には下部電極層が存在しない。それ故、液状物を固化させて機能層を形成した後、機能層の上層に上部電極層を形成したときでも、下部電極層と上部電極層とが短絡することがない。しかも、本発明では、下部電極層の外周縁と隔壁の底部の内周縁の相対位置を変更するだけであるため、製造工程数が増えないので、生産性が低下することもない。 In the present invention, the outer peripheral edge of the lower electrode layer is positioned inward by a predetermined dimension from the inner peripheral edge of the bottom of the barrier rib, and surrounds the lower electrode layer between the lower electrode layer and the bottom of the barrier rib. Grooves are formed. For this reason, when the liquid material is filled in the recess surrounded by the partition wall, the liquid material is also filled in the groove. In addition, even when the liquid material is thinned at the corners formed by the partition walls, the thinned part is located in the groove where the insulating layer is located on the bottom surface, and the lower electrode layer is formed in the thinned part. not exist. Therefore, even when the upper layer is formed on the functional layer after the liquid material is solidified to form the functional layer, the lower electrode layer and the upper electrode layer are not short-circuited. In addition, in the present invention, since only the relative positions of the outer peripheral edge of the lower electrode layer and the inner peripheral edge of the bottom of the partition wall are changed, the number of manufacturing steps does not increase, so that productivity does not decrease.

本発明において、前記溝は、前記下部電極層の周りの全体を囲むように形成されていることが好ましい。 In the present invention, the groove is preferably formed so as to surround the entire periphery of the lower electrode layer.

本発明において、前記隔壁は、前記液状物に対して撥液性を備えていることが好ましい。このように構成すると、液状物が隔壁の外にはみ出ることを確実に防止することができる。 In the present invention, the partition preferably has liquid repellency with respect to the liquid material. If comprised in this way, it can prevent reliably that a liquid substance protrudes out of a partition.

本発明において、前記溝の底面は、前記液状物に対して親液性を備えていることが好ましい。このように構成すると、溝内を確実に液状物を充填することができる。 In the present invention, the bottom surface of the groove is preferably lyophilic with respect to the liquid material. If comprised in this way, the inside of a groove | channel can be reliably filled with a liquid material.

本発明において、前記下部電極層の厚さは、前記機能層の厚さの２倍以下であることが好ましい。このように構成すると、下部電極層の角部分で機能層が極端に薄くなることを防止することができる。 In the present invention, the thickness of the lower electrode layer is preferably not more than twice the thickness of the functional layer. If comprised in this way, it can prevent that a functional layer becomes extremely thin in the corner | angular part of a lower electrode layer.

本発明は、機能層で発生した光が下部電極層側から出射されるボトムエミッション型の発光装置、および機能層で発生した光を上部電極層側から出射されるトップエミッション型の発光装置の双方に適用することができる。前者の場合には、前記下部電極層は光透過性を備える一方、前記対向電極は光反射性を備えている構成を採用すればよい。これに対して、後者の場合には、前記下部電極層および前記対向電極はいずれも、光透過性を備える一方、前記下部電極層の下層側には、金属製の光反射層が形成されている構成を採用すればよい。この後者の場合も、前記光反射層の外周縁が前記隔壁の底部の内周縁より所定の寸法だけ内側に位置することにより、前記下部電極層および前記光反射層と前記隔壁の底部との間には、底面に前記絶縁層が位置する前記溝が前記光反射層および前記下部電極層の周りを囲むように形成されている構成を採用すれば、光反射層および下部電極層と、上部電極層との短絡を防止することができる。 The present invention relates to both a bottom emission type light emitting device in which light generated in the functional layer is emitted from the lower electrode layer side and a top emission type light emitting device in which light generated in the functional layer is emitted from the upper electrode layer side. Can be applied to. In the former case, the lower electrode layer may have a light transmitting property while the counter electrode may have a light reflecting property. On the other hand, in the latter case, the lower electrode layer and the counter electrode are both light transmissive, while a metal light reflecting layer is formed on the lower layer side of the lower electrode layer. What is necessary is just to employ | adopt the structure which is. Also in this latter case, the outer peripheral edge of the light reflecting layer is located inward by a predetermined dimension from the inner peripheral edge of the bottom part of the partition wall, so that the space between the lower electrode layer and the light reflecting layer and the bottom part of the partition wall is reduced. If the configuration in which the groove in which the insulating layer is located on the bottom surface is formed so as to surround the light reflecting layer and the lower electrode layer is adopted, the light reflecting layer, the lower electrode layer, and the upper electrode A short circuit with the layer can be prevented.

本発明において、前記下部電極層、前記機能層および前記上部電極層は、例えば、エレクトロルミネッセンス素子を構成している。 In the present invention, the lower electrode layer, the functional layer, and the upper electrode layer constitute, for example, an electroluminescence element.

本発明を適用した発光装置は、携帯電話機、パーソナルコンピュータやＰＤＡなどの電子機器において表示装置として用いられる。また、本発明を適用した発光装置は、デジタル複写機やプリンタなどの画像形成装置における露光用ヘッドとして用いられる。 A light-emitting device to which the present invention is applied is used as a display device in an electronic apparatus such as a mobile phone, a personal computer, or a PDA. A light emitting device to which the present invention is applied is used as an exposure head in an image forming apparatus such as a digital copying machine or a printer.

以下に、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明に用いた各図では、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を相違させてある。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In the drawings used for the following description, the scales are different for each layer and each member in order to make each layer and each member large enough to be recognized on the drawing.

（有機ＥＬ表示装置の全体構成）
図１は、自発光素子として有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ表示装置の電気的構成を示すブロック図である。図２（Ａ）、（Ｂ）は、有機ＥＬ表示装置の１画素分の平面図および断面図である。 (Overall configuration of organic EL display device)
FIG. 1 is a block diagram showing an electrical configuration of an organic EL display device including an organic EL element as a self-luminous element. 2A and 2B are a plan view and a cross-sectional view of one pixel of the organic EL display device.

図１において、有機ＥＬ表示装置１００は、有機半導体膜からなる機能膜に駆動電流が流れることによって発光するＥＬ素子を薄膜トランジスタで駆動制御する発光装置であり、このタイプの発光装置を表示装置として用いた場合、発光素子が自己発光するため、バックライトを必要とせず、また、視野角依存性が少ないなどの利点がある。ここに示す有機ＥＬ表示装置１００では、複数の走査線６３と、この走査線６３の延設方向に対して交差する方向に延設された複数のデータ線６４と、これらのデータ線６４に並列する複数の共通給電線６５と、データ線６４と走査線６３との交差点に対応する画素１５とが構成され、画素１５は、画像表示領域にマトリクス状に配置されている。データ線６４に対しては、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン、アナログスイッチを備えるデータ線駆動回路５１が構成されている。走査線６３に対しては、シフトレジスタおよびレベルシフタを備える走査線駆動回路５４が構成されている。また、画素１５の各々には、走査線６３を介して走査信号がゲート電極に供給される画素スイチング用の薄膜トランジスタ６と、この薄膜トランジスタ６を介してデータ線６４から供給される画像信号を保持する保持容量３３と、この保持容量３３によって保持された画像信号がゲート電極４３に供給される電流制御用の薄膜トランジスタ７と、薄膜トランジスタ７を介して共通給電線６５に電気的に接続したときに共通給電線６５から駆動電流が流れ込む発光素子１３とが構成されている。有機ＥＬ表示装置１００でカラー表示を行う場合には、各画素１５を赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）に対応させることになる。 In FIG. 1, an organic EL display device 100 is a light emitting device that drives and controls an EL element that emits light when a drive current flows through a functional film made of an organic semiconductor film, using this type of light emitting device as a display device. In this case, since the light emitting element emits light, there is an advantage that a backlight is not required and the viewing angle dependency is small. In the organic EL display device 100 shown here, a plurality of scanning lines 63, a plurality of data lines 64 extending in a direction intersecting with the extending direction of the scanning lines 63, and the data lines 64 are arranged in parallel. A plurality of common power supply lines 65 and pixels 15 corresponding to the intersections of the data lines 64 and the scanning lines 63 are configured, and the pixels 15 are arranged in a matrix in the image display area. A data line driving circuit 51 including a shift register, a level shifter, a video line, and an analog switch is configured for the data line 64. A scanning line driving circuit 54 including a shift register and a level shifter is configured for the scanning line 63. Each pixel 15 holds a pixel switching thin film transistor 6 to which a scanning signal is supplied to the gate electrode via the scanning line 63 and an image signal supplied from the data line 64 via the thin film transistor 6. The storage capacitor 33, the current control thin film transistor 7 to which the image signal held by the storage capacitor 33 is supplied to the gate electrode 43, and the common supply line 65 when electrically connected to the common power supply line 65 through the thin film transistor 7 The light emitting element 13 into which a drive current flows from the electric wire 65 is configured. When performing color display on the organic EL display device 100, each pixel 15 is made to correspond to red (R), green (G), and blue (B).

このような有機ＥＬ表示装置１００を構成するにあたって、より具体的には、図２（Ａ）、（Ｂ）に示すように、素子基板を構成するガラス基板などからなる基板２０上にシリコン酸化膜からなる下地保護膜（図示せず）が形成され、この下地保護膜上に、薄膜トランジスタ７などを構成するための低温ポリシリコン膜からなる半導体膜９ａが島状に形成されている。半導体膜９ａには不純物の導入によってソース・ドレイン領域９ｂ、９ｃが形成され、不純物が導入されなかった部分がチャネル領域９ｄとなっている。下地保護膜および半導体膜９ａの上層側にはゲート絶縁膜２１が形成され、ゲート絶縁膜２１上にはＡｌ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ等からなる走査線６３およびゲート電極４３が形成されている。走査線６３、ゲート電極４３およびゲート絶縁膜２１の上層側には、第１層間絶縁膜２２と第２層間絶縁膜２３とがこの順に積層されている。ここで、第１層間絶縁膜２２および第２層間絶縁膜２３は、ＳｉＯ₂、ＴｉＯ₂などの無機絶縁膜から構成されている。 In constructing such an organic EL display device 100, more specifically, as shown in FIGS. 2A and 2B, a silicon oxide film is formed on a substrate 20 made of a glass substrate constituting an element substrate. A base protective film (not shown) is formed, and a semiconductor film 9a made of a low-temperature polysilicon film for forming the thin film transistor 7 and the like is formed in an island shape on the base protective film. Source / drain regions 9b and 9c are formed in the semiconductor film 9a by introducing impurities, and a portion where no impurities are introduced becomes a channel region 9d. A gate insulating film 21 is formed on the upper side of the base protective film and the semiconductor film 9a, and a scanning line 63 and a gate electrode 43 made of Al, Mo, Ta, Ti, W, or the like are formed on the gate insulating film 21. Yes. A first interlayer insulating film 22 and a second interlayer insulating film 23 are stacked in this order on the upper side of the scanning line 63, the gate electrode 43 and the gate insulating film 21. Here, the first interlayer insulating film 22 and the second interlayer insulating film 23 are composed of an inorganic insulating film such as SiO ₂ or TiO ₂ .

第１層間絶縁膜２２の上層には、第１層間絶縁膜２２およびゲート絶縁膜２１のコンタクトホール２２１、２２２を介してソース・ドレイン領域１０ｂ、１０ｃにそれぞれ接続するソース・ドレイン電極２６および共通給電線６５が形成されている。また、第１層間絶縁膜２２の上層にはデータ線６４も形成されている。 A source / drain electrode 26 connected to the source / drain regions 10b and 10c via the contact holes 221 and 222 of the first interlayer insulating film 22 and the gate insulating film 21 and a common supply are formed on the upper layer of the first interlayer insulating film 22, respectively. An electric wire 65 is formed. A data line 64 is also formed in the upper layer of the first interlayer insulating film 22.

第２層間絶縁膜２２上には、ＩＴＯ層からなる光透過性の画素電極１１（上部電極層）が形成され、この画素電極１１は、第２層間絶縁膜２２のコンタクトホール２２１を介してソース・ドレイン電極２６に電気的に接続している。従って、画素電極１１は、薄膜トランジスタ７を介して共通給電線６５に電気的に接続したとき、共通給電線６５から駆動電流が流れ込む。 A light-transmissive pixel electrode 11 (upper electrode layer) made of an ITO layer is formed on the second interlayer insulating film 22, and the pixel electrode 11 is connected to the source via the contact hole 221 of the second interlayer insulating film 22. -It is electrically connected to the drain electrode 26. Accordingly, when the pixel electrode 11 is electrically connected to the common power supply line 65 via the thin film transistor 7, a drive current flows from the common power supply line 65.

各画素１５には、陽極としてのＩＴＯ膜からなる画素電極１１と、機能層１３（有機機能層）と、陰極としての対向電極１２（上部電極層）がこの順に積層された有機ＥＬ素子１０（自発光素子）が形成されている。機能層１３は、例えば、画素電極１１上に積層された正孔注入層１３ａと、正孔注入層１３ａ上に形成された発光層１３ｂとから構成されている。発光層１３ｂと対向電極１２との間に電子注入層や電子輸送層が形成される場合もある。また、発光層１３ｂと正孔注入層１３ａとの間に正孔輸送層が形成される場合もある。正孔注入層１３ａは、正孔を発光層１３ｂに注入する機能を有しており、発光層１３ｂでは、正孔注入層１３ａから注入された正孔と、対向電極１２の側から注入された電子が再結合し、発光が得られる。ここで、多数の画素１５は、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の各色に対応しており、このような色の対応は、機能層１３を構成する材料の種類によって規定されている。 Each pixel 15 has an organic EL element 10 (a pixel electrode 11 made of an ITO film as an anode, a functional layer 13 (organic functional layer), and a counter electrode 12 (upper electrode layer) as a cathode laminated in this order. Self-luminous element) is formed. The functional layer 13 includes, for example, a hole injection layer 13a stacked on the pixel electrode 11 and a light emitting layer 13b formed on the hole injection layer 13a. An electron injection layer or an electron transport layer may be formed between the light emitting layer 13b and the counter electrode 12 in some cases. In addition, a hole transport layer may be formed between the light emitting layer 13b and the hole injection layer 13a. The hole injection layer 13a has a function of injecting holes into the light emitting layer 13b. In the light emitting layer 13b, holes injected from the hole injection layer 13a and the counter electrode 12 are injected. The electrons recombine and light emission is obtained. Here, the large number of pixels 15 correspond to each color of red (R), green (G), and blue (B), and the correspondence of such colors is defined by the type of material constituting the functional layer 13. Has been.

本形態の有機ＥＬ表示装置１００は、基板側に向けて表示光を出射するボトムエミッション型であり、対向電極１２は、薄いカルシウム層やアルミニウム膜などからなり、光反射性を備えている。なお、有機ＥＬ表示装置１００が、基板とは反対側に向けて表示光を出射するトップエミッション型である場合、図６を参照して後述するように、対向電極１２は、薄いカルシウム層と、ＩＴＯ層などからなる光透過性陰極層とから構成され、画素電極１１の下層側には、画素電極１１の略全体と重なるようにアルミニウム膜などからなる光反射層が形成される。 The organic EL display device 100 of this embodiment is a bottom emission type that emits display light toward the substrate side, and the counter electrode 12 is made of a thin calcium layer, an aluminum film, or the like and has light reflectivity. When the organic EL display device 100 is a top emission type that emits display light toward the side opposite to the substrate, the counter electrode 12 includes a thin calcium layer, as will be described later with reference to FIG. A light-transmissive cathode layer made of an ITO layer or the like is formed, and a light reflecting layer made of an aluminum film or the like is formed on the lower layer side of the pixel electrode 11 so as to overlap substantially the entire pixel electrode 11.

本形態では、隣接する画素１５の境界領域には、画素電極１１の周縁部を取り囲むように、感光性樹脂からなる隔壁５がバンクとして形成されている。隔壁５は、機能層１３を形成する際にインクジェット法（液体吐出法）やスピンコート法などの液相プロセスを用いるとき、塗布される液状物の塗布領域を規定するものであり、その表面張力によって、液状物が均一な厚さで形成される。インクジェット式の液滴吐出装置としては、圧電体素子の体積変化により流動体を吐出させるピエゾジェットの液滴吐出装置や、エネルギー発生素子として電気熱変換体を用いた液滴吐出装置などが採用される。なお、液滴吐出装置としてはディスペンサー装置でもよい。ここで、液状物は、水性であると油性であるとを問わない。また、液状物については、流動性を備えていれば十分で、固体物質が混入していても全体として流動体であればよい。また、液体材料に含まれる固体物質は融点以上に加熱されて溶解されたものでも、溶媒中に微粒子として分散させたものでもよく、溶媒の他に染料や顔料その他の機能性材料を添加したものであってもよい。 In this embodiment, a partition wall 5 made of a photosensitive resin is formed as a bank in a boundary region between adjacent pixels 15 so as to surround a peripheral portion of the pixel electrode 11. The partition wall 5 defines an application area of a liquid material to be applied when a liquid phase process such as an ink jet method (liquid ejection method) or a spin coating method is used when forming the functional layer 13, and its surface tension. Thus, a liquid material is formed with a uniform thickness. As an ink jet type droplet discharge device, a piezoelectric jet droplet discharge device that discharges a fluid by changing the volume of a piezoelectric element, a droplet discharge device that uses an electrothermal transducer as an energy generating element, and the like are adopted. The The droplet discharge device may be a dispenser device. Here, it does not matter whether the liquid material is aqueous or oily. Moreover, about a liquid substance, it is enough if it has fluidity | liquidity, and even if a solid substance is mixed, it should just be a fluid as a whole. In addition, the solid material contained in the liquid material may be dissolved by being heated to a temperature higher than the melting point, or may be dispersed as fine particles in a solvent, and a dye, pigment or other functional material added in addition to the solvent It may be.

なお、基板２０の素子形成面側には、水や酸素の侵入を防ぐことによって、陰極層あるいは機能層の酸化を防止する封止樹脂（図示せず）が形成され、さらに封止基板（図示せず）が貼られることがある。 A sealing resin (not shown) is formed on the element forming surface side of the substrate 20 to prevent the cathode layer or the functional layer from being oxidized by preventing intrusion of water or oxygen. (Not shown) may be affixed.

（動作）
このように構成した有機ＥＬ表示装置１００において、走査線６３が駆動されて薄膜トランジスタ６がオン状態になると、そのときの信号線６４の電位が保持容量３３に保持され、この保持容量３３の状態に応じて薄膜トランジスタ７の導通状態が制御される。また、薄膜トランジスタ７がオン状態になったとき、薄膜トランジスタ７を介して共通給電線６５から画素電極１１に電流が流れ、有機ＥＬ素子１０では、機能層１３を通じて対向電極１２に電流が流れる。そして、このときの電流量に応じて発光層１３ｂが発光する。そして、ボトムエミンション型の場合、発光層１３ｂから発した光は、画素電極１１および基板２０を透過して出射される。これに対して、トップエミッション型の場合、対向電極１２を透過して、観測者側に出射される一方、発光層１３ｂから基板２０に向けて出射された光は、画素電極１１の下層に形成された光反射層によって反射され、対向電極１２を透過して観測者側に出射される。 (Operation)
In the organic EL display device 100 configured as described above, when the scanning line 63 is driven and the thin film transistor 6 is turned on, the potential of the signal line 64 at that time is held in the holding capacitor 33, and the state of the holding capacitor 33 is reached. Accordingly, the conduction state of the thin film transistor 7 is controlled. Further, when the thin film transistor 7 is turned on, a current flows from the common power supply line 65 to the pixel electrode 11 through the thin film transistor 7, and in the organic EL element 10, a current flows to the counter electrode 12 through the functional layer 13. The light emitting layer 13b emits light according to the amount of current at this time. In the case of the bottom emission type, the light emitted from the light emitting layer 13 b is emitted through the pixel electrode 11 and the substrate 20. On the other hand, in the case of the top emission type, the light emitted from the light emitting layer 13b toward the substrate 20 is formed in the lower layer of the pixel electrode 11 while being transmitted through the counter electrode 12 and emitted to the observer side. The light is reflected by the light reflecting layer, passes through the counter electrode 12, and is emitted to the observer side.

（有機ＥＬ表示装置の製造方法）
図３（Ａ）〜（Ｋ）は、本発明を適用した有機ＥＬ表示装置の製造方法を示す工程断面図である。図４（Ａ）、（Ｂ）は、本発明を適用した有機ＥＬ表示装置の製造工程のうち、画素電極形成工程および隔壁形成工程を拡大して示す説明図である。図５（Ａ）〜（Ｅ）は、本発明を適用した有機ＥＬ表示装置の製造工程のうち、液状物充填工程から上部電極層形成工程までを拡大して示す説明図である。 (Method for manufacturing organic EL display device)
3A to 3K are process cross-sectional views illustrating a method for manufacturing an organic EL display device to which the present invention is applied. 4A and 4B are explanatory views showing, in an enlarged manner, the pixel electrode forming step and the partition wall forming step in the manufacturing process of the organic EL display device to which the present invention is applied. FIGS. 5A to 5E are explanatory views showing, in an enlarged manner, from the liquid filling process to the upper electrode layer forming process in the manufacturing process of the organic EL display device to which the present invention is applied.

本形態の有機ＥＬ表示装置１００を製造するには、まず、図３（Ａ）に示すように、基板２０を用意する。ここで、有機ＥＬ表示装置１００がボトムエミッション型である場合、基板２０としてはガラスや石英、樹脂等の透明ないし半透明なものが用いられるが、特にガラスが好適に用いられる。また、基板２０に色フィルター膜や蛍光性物質を含む色変換膜、あるいは誘電体反射膜を配置して、発光色を制御するようにしてもよい。これに対して、有機ＥＬ表示装置１００がトップエミッション型である場合、基板２０は不透明であってもよく、その場合、アルミナ等のセラミックス、ステンレス等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したもの、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などを用いることができる。 In order to manufacture the organic EL display device 100 of this embodiment, first, as shown in FIG. 3A, a substrate 20 is prepared. Here, when the organic EL display device 100 is a bottom emission type, a transparent or translucent material such as glass, quartz, or resin is used as the substrate 20, and glass is particularly preferably used. Further, a color filter film, a color conversion film containing a fluorescent material, or a dielectric reflection film may be disposed on the substrate 20 to control the emission color. On the other hand, when the organic EL display device 100 is a top emission type, the substrate 20 may be opaque. In this case, an insulating process such as surface oxidation is performed on a ceramic sheet such as alumina or a metal sheet such as stainless steel. A thermosetting resin, a thermoplastic resin, or the like can be used.

次に、基板２０に対して、必要に応じてＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）や酸素ガスなどを原料としてプラズマＣＶＤ法により厚さ約２００〜５００ｎｍのシリコン酸化膜からなる下地保護膜（図示せず）を形成する。 Next, a base protective film (not shown) made of a silicon oxide film having a thickness of about 200 to 500 nm is formed on the substrate 20 by a plasma CVD method using TEOS (tetraethoxysilane) or oxygen gas as a raw material if necessary. Form.

次に、基板２０の温度を約３５０℃に設定して、下地保護膜の表面にプラズマＣＶＤ法により厚さ約３０〜７０ｎｍのアモルファスシリコン膜からなる半導体膜９を形成する。次に、半導体膜９に対してレーザアニールまたは固相成長法などの結晶化工程を行い、半導体膜９をポリシリコン膜に結晶化する。レーザアニール法では、例えばエキシマレーザでビームの長寸が４００ｍｍのラインビームを用い、その出力強度は、例えば２００ｍＪ／ｃｍ²とする。ラインビームについては、その短寸方向におけるレーザ強度のピーク値の９０％に相当する部分が各領域毎に重なるようにラインビームを走査する。 Next, the temperature of the substrate 20 is set to about 350 ° C., and the semiconductor film 9 made of an amorphous silicon film having a thickness of about 30 to 70 nm is formed on the surface of the base protective film by plasma CVD. Next, a crystallization process such as laser annealing or solid phase growth is performed on the semiconductor film 9 to crystallize the semiconductor film 9 into a polysilicon film. In the laser annealing method, for example, a line beam having a long beam length of 400 mm is used with an excimer laser, and the output intensity is set to 200 mJ / cm ² , for example. With respect to the line beam, the line beam is scanned so that a portion corresponding to 90% of the peak value of the laser intensity in the short dimension direction overlaps each region.

次に、図３（Ｂ）に示すように、半導体膜（ポリシリコン膜）９をパターニングして島状の半導体膜９ａとし、その表面に対して、ＴＥＯＳや酸素ガスなどを原料としてプラズマＣＶＤ法により厚さ約６０〜１５０ｎｍのシリコン酸化膜または窒化膜からなるゲート絶縁膜２１を形成する。なお、半導体膜９ａは、図１に示す薄膜トランジスタ７のチャネル領域およびソース・ドレイン領域となるものであるが、異なる断面位置においては薄膜トランジスタ６のチャネル領域およびソース・ドレイン領域となる半導体膜も形成されている。すなわち、有機ＥＬ表示装置１００では、二種類のトランジスタ６、７が同一の層間、あるいは異なる層間に形成されるが、概ね同一の手順で形成されるため、以下の説明では、薄膜トランジスタ７についてのみ説明し、薄膜トランジスタ６についてはその説明を省略する。 Next, as shown in FIG. 3B, the semiconductor film (polysilicon film) 9 is patterned to form an island-shaped semiconductor film 9a, and plasma CVD is performed on the surface using TEOS, oxygen gas, or the like as a raw material. Thus, a gate insulating film 21 made of a silicon oxide film or nitride film having a thickness of about 60 to 150 nm is formed. The semiconductor film 9a serves as a channel region and a source / drain region of the thin film transistor 7 shown in FIG. 1, but semiconductor films serving as a channel region and a source / drain region of the thin film transistor 6 are also formed at different cross-sectional positions. ing. That is, in the organic EL display device 100, the two types of transistors 6 and 7 are formed in the same layer or in different layers, but are formed in substantially the same procedure. Therefore, in the following description, only the thin film transistor 7 will be described. The description of the thin film transistor 6 is omitted.

次に、図３（Ｃ）に示すように、アルミニウム、タンタル、モリブデン、チタン、タングステンなどの金属膜からなる導電膜をスパッタ法により形成した後、これをパターニングし、ゲート電極４３などを形成する。次に、この状態でリンなどの不純物を打ち込み、半導体膜９ａに、ゲート電極４３に対して自己整合的にソース・ドレイン領域９ｂ、９ｃを形成する。なお、不純物が導入されなかった部分がチャネル領域９ｄとなる。 Next, as shown in FIG. 3C, a conductive film made of a metal film such as aluminum, tantalum, molybdenum, titanium, or tungsten is formed by sputtering, and then patterned to form a gate electrode 43 or the like. . Next, impurities such as phosphorus are implanted in this state, and source / drain regions 9b and 9c are formed in the semiconductor film 9a in a self-aligned manner with respect to the gate electrode 43. Note that a portion where no impurity is introduced becomes the channel region 9d.

次に、図３（Ｄ）に示すように、第１層間絶縁膜２２を形成した後、コンタクトホール２２１、２２２を形成し、これらのコンタクトホール２２１、２２２を介してソース・ドレイン領域９ｂ、９ｃに電気的に接続するソース・ドレイン電極２６および共通給電線６５を形成する。その際、データ線６４なども形成する。 Next, as shown in FIG. 3D, after the first interlayer insulating film 22 is formed, contact holes 221 and 222 are formed, and source / drain regions 9b and 9c are formed through these contact holes 221 and 222. The source / drain electrode 26 and the common power supply line 65 that are electrically connected to each other are formed. At this time, the data line 64 and the like are also formed.

次に、図３（Ｅ）に示すように、各配線の上面を覆うように、ＳｉＯ₂、ＴｉＯ₂などの無機絶縁膜からなる第２層間絶縁膜２３を形成した後、第２層間絶縁膜２３に対してソース・ドレイン電極２６に対応する位置にコンタクトホール２３１を形成する。 Next, as shown in FIG. 3E, a second interlayer insulating film 23 made of an inorganic insulating film such as SiO ₂ or TiO ₂ is formed so as to cover the upper surface of each wiring, and then the second interlayer insulating film 23, contact holes 231 are formed at positions corresponding to the source / drain electrodes 26.

次に、図３（Ｅ）および図４（Ａ）に示す画素電極形成工程（下部電極形成工程）において、第２層間絶縁膜２３の上層にＩＴＯ膜を形成した後、ＩＴＯ膜をパターニングして、データ線６４、走査線６３および共通給電線６５に囲まれた所定位置に画素電極１１を形成する。 Next, in the pixel electrode formation step (lower electrode formation step) shown in FIGS. 3E and 4A, an ITO film is formed on the second interlayer insulating film 23, and then the ITO film is patterned. The pixel electrode 11 is formed at a predetermined position surrounded by the data line 64, the scanning line 63, and the common power supply line 65.

次に、大気雰囲気中で酸素を処理ガスとするプラズマ処理（Ｏ₂プラズマ処理）を行い、画素電極１１、および第２層間絶縁膜２３のうち、画素電極１１から露出している部分２３５に、正孔注入層１３ａおよび発光層１３ｂを形成するための液状物に対する親液性を付与する。ここで、第２層間絶縁膜２３は、ＳｉＯ₂、ＴｉＯ₂などの無機絶縁膜からなるため、正孔注入層１３ａおよび発光層１３ｂを形成するための液状物の組成によっては、プラズマ処理を行わなくても、親液性を備えている場合があり、この場合、プラズマ処理は省略できる。 Next, plasma processing (O ₂ plasma processing) using oxygen as a processing gas in an air atmosphere is performed, and the portion 235 exposed from the pixel electrode 11 in the pixel electrode 11 and the second interlayer insulating film 23 is A lyophilic property is imparted to a liquid material for forming the hole injection layer 13a and the light emitting layer 13b. Here, since the second interlayer insulating film 23 is made of an inorganic insulating film such as SiO ₂ or TiO ₂ , plasma treatment is performed depending on the composition of the liquid material for forming the hole injection layer 13a and the light emitting layer 13b. Even if not, it may be lyophilic, and in this case, the plasma treatment can be omitted.

次に、図３（Ｆ）および図４（Ｂ）に示す隔壁形成工程において、正孔注入層１３ａおよび発光層１３ｂの形成場所を囲むように隔壁５を形成する。その結果、隔壁５の内側には凹部５１が形成される。隔壁５は、仕切り部材として機能するものであり、例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の絶縁性有機材料、あるいはポリシラザン等の絶縁性無機材料で形成する。隔壁５の膜厚については、例えば１〜２μｍの高さとなるように形成する。 Next, in the partition formation step shown in FIGS. 3F and 4B, the partition 5 is formed so as to surround the formation site of the hole injection layer 13a and the light emitting layer 13b. As a result, a recess 51 is formed inside the partition wall 5. The partition 5 functions as a partition member, and is formed of, for example, an insulating organic material such as acrylic resin or polyimide resin, or an insulating inorganic material such as polysilazane. About the film thickness of the partition 5, it forms so that it may become the height of 1-2 micrometers, for example.

本形態では、画素電極１１の外周縁１１５が隔壁５の底部の内周縁５０５より所定の寸法ｄだけ内側に位置させて、画素電極１１と隔壁５の底部との間には、画素電極１１の周りを囲むように、底面に第２層間絶縁膜２３が位置する溝１３０を形成しておく。このような溝１３０は、画素電極１１の周りの全体を囲むように形成される。 In this embodiment, the outer peripheral edge 115 of the pixel electrode 11 is positioned inward by a predetermined dimension d from the inner peripheral edge 505 at the bottom of the partition wall 5, and the pixel electrode 11 is interposed between the pixel electrode 11 and the bottom of the partition wall 5. A trench 130 in which the second interlayer insulating film 23 is located is formed on the bottom surface so as to surround the periphery. Such a groove 130 is formed so as to surround the entire periphery of the pixel electrode 11.

次に、隔壁５に対してフッ素化処理を行い、隔壁５に対して、正孔注入層１３ａおよび発光層１３ｂを形成するための液状物に対する撥液性を付与する。このような撥液性を付与するためには、例えば、隔壁５の表面をフッ素系化合物などで表面処理するといった方法が採用される。フッ素化合物としては、例えばＣＦ₄、ＳＦ₅、ＣＨＦ₃などがあり、表面処理としては、例えばプラズマ処理、ＵＶ照射処理などが挙げられる。 Next, the partition wall 5 is subjected to fluorination treatment to impart liquid repellency to the liquid material for forming the hole injection layer 13a and the light emitting layer 13b. In order to impart such liquid repellency, for example, a method of surface-treating the surface of the partition wall 5 with a fluorine compound or the like is employed. Examples of the fluorine compound include CF ₄ , SF ₅ , and CHF _3. Examples of the surface treatment include plasma treatment and UV irradiation treatment.

次に、図３（Ｇ）および図５（Ａ）に示す第１の液滴吐出工程（液状物充填工程）においては、基板２０の上面を上に向けた状態で、液状の正孔注入層形成材料４０ａ（液状物）を、液滴吐出装置の液滴吐出ヘッドより、隔壁５に囲まれた凹部５１内に選択的に充填する。その際、正孔注入層形成材料４０ａは、流動性が高いため水平方向に広がろうとするが、塗布された位置を囲んで隔壁５が形成されているので、正孔注入層形成材料４０ａは隔壁５を越えてその外側に広がることがない。ここで、正孔注入層形成材料４０ａとしては、例えば、ポリオレフィン誘導体である３，４−ポリエチレンジオシチオフェン／ポリスチレンスルフォン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）を正孔注入材料として用い、これを有機溶剤を主溶媒として分散させてなる分散液が好適に用いられる。但し、正孔注入材料としては、前記のものに限定されることなく、ポリマー前駆体がポリテトラヒドロチオフェニルフェニレンであるポリフェニレンビニレン、１，１−ビス−（４−Ｎ、Ｎ−ジトリルアミノフェニル）シクロヘキサン、トリス（８−ヒドロキシキノリノール）アルミニウム等を用いることもできる。 Next, in the first droplet discharging step (liquid filling step) shown in FIGS. 3G and 5A, the liquid hole injection layer is placed with the upper surface of the substrate 20 facing upward. The forming material 40a (liquid material) is selectively filled into the recess 51 surrounded by the partition wall 5 from the droplet discharge head of the droplet discharge device. At that time, the hole injection layer forming material 40a tends to spread in the horizontal direction because of its high fluidity. However, since the partition walls 5 are formed surrounding the applied position, the hole injection layer forming material 40a It does not extend beyond the partition wall 5. Here, as the hole injection layer forming material 40a, for example, 3,4-polyethylenediosithiophene / polystyrene sulfonic acid (PEDOT / PSS), which is a polyolefin derivative, is used as the hole injection material, and this is mainly composed of an organic solvent. A dispersion liquid dispersed as a solvent is preferably used. However, the hole injecting material is not limited to those described above, but polyphenylene vinylene whose polymer precursor is polytetrahydrothiophenylphenylene, 1,1-bis- (4-N, N-ditolylaminophenyl) ) Cyclohexane, tris (8-hydroxyquinolinol) aluminum and the like can also be used.

このようにして正孔注入層形成材料４０ａを液滴吐出ヘッドから吐出して所定位置に配置した後、液状の正孔注入層形成材料４０ａに対して乾燥処理を行い、正孔注入層形成材料４０ａ中の分散媒を蒸発させ、正孔注入層形成材料４０ａを固化させる（固化工程）。その結果、図３（Ｈ）および図５（Ｂ）に示すように、画素電極１１上に正孔注入層１３ａが形成される。 In this way, after the hole injection layer forming material 40a is discharged from the droplet discharge head and disposed at a predetermined position, the liquid hole injection layer forming material 40a is subjected to a drying process, and the hole injection layer forming material is thus obtained. The dispersion medium in 40a is evaporated, and the hole injection layer forming material 40a is solidified (solidification step). As a result, as shown in FIGS. 3H and 5B, a hole injection layer 13a is formed on the pixel electrode 11.

次に、図３（Ｉ）および図５（Ｃ）に示す第２の液滴吐出工程（液状物充填工程）においては、基板２０の上面を上に向けた状態で、上述した液滴吐出装置の液滴吐出ヘッドより液状物として発光層形成材料４０ｂ（液状物）を、隔壁５に囲まれた凹部５１内に選択的に充填する。発光材料としては、例えば分子量が１０００以上の高分子材料が用いられる。具体的には、ポリフルオレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリチオフェン誘導体、またはこれらの高分子材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素、例えばルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等をドープしたものが用いられる。なお、このような高分子材料としては、二重結合のπ電子がポリマー鎖上で非極在化しているπ共役系高分子材料が、導電性高分子でもあることから発光性能に優れるため、好適に用いられる。特に、その分子内にフルオレン骨格を有する化合物、すなわちポリフルオレン系化合物がより好適に用いられる。また、このような材料以外にも、例えば特開平１１−４０３５８号公報に示される有機ＥＬ素子用組成物、すなわち共役系高分子有機化合物の前駆体と、発光特性を変化させるための少なくとも１種の蛍光色素とを含んでなる有機ＥＬ素子用組成物も、発光層形成材料として使用可能である。このような発光材料を溶解あるいは分散する有機溶媒としては、非極性溶媒が好適とされ、特に発光層が正孔注入層１３ａの上に形成されることから、この正孔注入層１３ａに対して不溶なものが用いられる。具体的には、キシレン、シクロへキシルベンゼン、ジハイドロベンゾフラン、トリメチルベンゼン、テトラメチルベンゼン等が好適に用いられる。なお、発光層形成材料４０ｂの吐出による発光層の形成は、赤色の発色光を発光する発光層の形成材料、緑色の発色光を発光する発光層の形成材料、青色の発色光を発光する発光層の形成材料を、それぞれ対応する画素に吐出し塗布することによって行う。また、各色に対応する画素は、これらが規則的な配置となるように予め決められている。 Next, in the second droplet discharge step (liquid filling step) shown in FIGS. 3I and 5C, the above-described droplet discharge device is described with the upper surface of the substrate 20 facing upward. The light emitting layer forming material 40b (liquid material) is selectively filled into the concave portion 51 surrounded by the partition walls 5 as a liquid material from the droplet discharge head. As the light emitting material, for example, a polymer material having a molecular weight of 1000 or more is used. Specifically, a polyfluorene derivative, a polyphenylene derivative, a polyvinyl carbazole, a polythiophene derivative, or a polymer material thereof, a perylene dye, a coumarin dye, a rhodamine dye such as rubrene, perylene, 9,10-diphenylanthracene, What doped tetraphenyl butadiene, Nile red, coumarin 6, quinacridone, etc. is used. As such a polymer material, a π-conjugated polymer material in which π electrons of a double bond are non-polarized on a polymer chain is also a conductive polymer, and thus has excellent light emitting performance. Preferably used. In particular, a compound having a fluorene skeleton in the molecule, that is, a polyfluorene compound is more preferably used. In addition to such materials, for example, a composition for an organic EL device disclosed in JP-A-11-40358, that is, a precursor of a conjugated polymer organic compound, and at least one kind for changing light emission characteristics A composition for an organic EL device comprising the above fluorescent dye can also be used as a light emitting layer forming material. As an organic solvent that dissolves or disperses such a light emitting material, a nonpolar solvent is suitable. In particular, since the light emitting layer is formed on the hole injection layer 13a, Insoluble materials are used. Specifically, xylene, cyclohexylbenzene, dihydrobenzofuran, trimethylbenzene, tetramethylbenzene and the like are preferably used. The formation of the light emitting layer by discharging the light emitting layer forming material 40b includes the light emitting layer forming material that emits red colored light, the light emitting layer forming material that emits green colored light, and the light emitting that emits blue colored light. The layer forming material is discharged and applied to the corresponding pixels. Further, the pixels corresponding to the respective colors are determined in advance so that they are regularly arranged.

このようにして各色の発光層形成材料４０ｂを吐出した後、液状の発光層形成材料４０ｂに対して乾燥処理を行い、発光層形成材料４０ｂ中の分散媒を蒸発させ、発光層形成材料４０ｂを固化させる（固化工程）。その結果、図３（Ｊ）および図５（Ｄ）に示すように、正孔注入層１３ａ上に固形の発光層１３ｂが形成される。これにより、正孔注入層１３ａおよび発光層１３ｂからなる機能層１３が形成される。 After discharging the light emitting layer forming material 40b of each color in this manner, the liquid light emitting layer forming material 40b is dried to evaporate the dispersion medium in the light emitting layer forming material 40b. Solidify (solidification step). As a result, as shown in FIGS. 3J and 5D, a solid light emitting layer 13b is formed on the hole injection layer 13a. Thereby, the functional layer 13 including the hole injection layer 13a and the light emitting layer 13b is formed.

ここで、機能層１３の厚さは、画素電極１１の厚さの１／２倍以上であることが好ましい。言い換えれば、画素電極１１の厚さは、機能層１３の厚さの２倍以下であることが好ましい。 Here, the thickness of the functional layer 13 is preferably not less than ½ times the thickness of the pixel electrode 11. In other words, the thickness of the pixel electrode 11 is preferably not more than twice the thickness of the functional layer 13.

なお、発光層形成材料４０ｂの乾燥処理については、発光層形成材料４０ｂのガラス転移点未満の温度、例えば１００°未満の温度で加熱することにより、乾燥するのが好ましい。このような温度で乾燥することにより、発光層形成材料４０ｂ中の溶剤の蒸発速度を比較的低く抑えることができるとともに、発光層形成材料４０ｂの液状化による流動も抑えることができ、その結果、得られる発光層１３ｂについても十分に平坦化することができる。また、発光層形成の際の乾燥処理によって生じる熱的ダメージが、発光層発光層１３ｂだけでなく正孔注入層１３ａに対しても小さくなり、初期輝度の低下などによる表示性能の低下が抑制される。ここで、正孔注入層１３ａと発光層１３ｂの他、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層を形成する場合には、同様な方法で形成することができるので、それらの説明を省略する。 In addition, about the drying process of the light emitting layer forming material 40b, it is preferable to dry by heating at the temperature below the glass transition point of the light emitting layer forming material 40b, for example, the temperature of less than 100 degrees. By drying at such a temperature, the evaporation rate of the solvent in the light emitting layer forming material 40b can be kept relatively low, and the flow due to liquefaction of the light emitting layer forming material 40b can also be suppressed. The resulting light emitting layer 13b can also be sufficiently planarized. Further, the thermal damage caused by the drying process in forming the light emitting layer is reduced not only for the light emitting layer light emitting layer 13b but also for the hole injection layer 13a, and the display performance is prevented from being deteriorated due to a decrease in initial luminance. The Here, in the case of forming a hole transport layer, an electron injection layer, and an electron transport layer in addition to the hole injection layer 13a and the light-emitting layer 13b, they can be formed by the same method, and thus description thereof is omitted. To do.

次に、図３（Ｋ）および図５（Ｅ）に示すように、基板２０の表面全体に、あるいはストライプ状に、ＬｉＦ／Ａｌ（ＬｉＦとＡｌとの積層膜）やＭｇＡｇ、あるいはＬｉＦ／Ｃａ／Ａｌ（ＬｉＦとＣａとＡｌとの積層膜）を蒸着法等によって成膜し、対向電極１２を形成する。その後、封止を行った後、さらに配線等の各種要素を形成することにより、有機ＥＬ素子１０を各画素１５に備えた有機ＥＬ表示装置１００を製造する。 Next, as shown in FIGS. 3K and 5E, LiF / Al (a laminated film of LiF and Al), MgAg, or LiF / Ca is formed on the entire surface of the substrate 20 or in a stripe shape. / Al (a laminated film of LiF, Ca, and Al) is formed by vapor deposition or the like to form the counter electrode 12. Then, after sealing, the organic EL display device 100 including the organic EL element 10 in each pixel 15 is manufactured by further forming various elements such as wiring.

（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態では、液状物（正孔注入層形成材料４０ａおよび発光層形成材料４０ｂ）の充填工程を行う前に、画素電極１１および隔壁５を形成する際、画素電極１１の外周縁１１５を隔壁５の底部の内周縁５０５より所定の寸法ｄだけ内側に位置させて画素電極１１と隔壁５の底部との間には、画素電極１１の周りを囲むように、底面に第２層間絶縁膜２３が位置する溝１３０を形成しておく。このため、隔壁５により囲まれた凹部５１内に正孔注入層形成材料４０ａおよび発光層形成材料４０ｂを充填した際、正孔注入層形成材料４０ａおよび発光層形成材料４０ｂが隔壁５ではじかれても、正孔注入層形成材料４０ａおよび発光層形成材料４０ｂは、溝１３０内にも充填され、画素電極１１を確実に覆う従って、隔壁５により形成された隅部分で正孔注入層形成材料４０ａおよび発光層形成材料４０ｂが薄くなった場合でも、薄くなった部分では、底面に第２層間絶縁膜２３が位置し、画素電極１１が存在しない。それ故、正孔注入層形成材料４０ａおよび発光層形成材料４０ｂを固化させて機能層１３を形成した後、機能層１３の上層に対向電極１２を形成したときでも、画素電極１１と対向電極１２とが短絡することがない。 (Main effects of this form)
As described above, in this embodiment, when the pixel electrode 11 and the partition wall 5 are formed before the filling process of the liquid material (the hole injection layer forming material 40a and the light emitting layer forming material 40b) is performed, The outer peripheral edge 115 is positioned inward by a predetermined dimension d from the inner peripheral edge 505 at the bottom of the partition wall 5, and the bottom surface of the pixel electrode 11 and the bottom of the partition wall 5 is surrounded by the bottom surface so as to surround the pixel electrode 11. A trench 130 in which the two interlayer insulating film 23 is located is formed. For this reason, when the hole injection layer forming material 40a and the light emitting layer forming material 40b are filled in the recess 51 surrounded by the partition wall 5, the hole injection layer forming material 40a and the light emitting layer forming material 40b are repelled by the partition wall 5. However, the hole injection layer forming material 40a and the light emitting layer forming material 40b are also filled in the groove 130 and surely cover the pixel electrode 11. Therefore, the hole injection layer forming material is formed at the corners formed by the partition walls 5. Even when 40a and the light emitting layer forming material 40b are thinned, in the thinned portion, the second interlayer insulating film 23 is located on the bottom surface, and the pixel electrode 11 does not exist. Therefore, even when the counter electrode 12 is formed in the upper layer of the functional layer 13 after the hole injection layer forming material 40 a and the light emitting layer forming material 40 b are solidified to form the functional layer 13, the pixel electrode 11 and the counter electrode 12 are formed. And are not short-circuited.

また、画素電極１１の上層では、機能層１３が隔壁５の撥液性から受ける影響を緩和できるため、機能層１３の厚さが画素電極１１上の位置によってばらつかない。それ故、輝度むらの発生を防止することができるという利点もある。 In addition, since the influence of the functional layer 13 on the liquid repellency of the partition wall 5 can be reduced in the upper layer of the pixel electrode 11, the thickness of the functional layer 13 does not vary depending on the position on the pixel electrode 11. Therefore, there is an advantage that the occurrence of uneven brightness can be prevented.

しかも、本形態では、画素電極１１の外周縁１１５と隔壁５の底部の内周縁５０５の相対位置を変更するだけであるため、製造工程数が増えないので、生産性が低下することもない。 In addition, in this embodiment, since only the relative positions of the outer peripheral edge 115 of the pixel electrode 11 and the inner peripheral edge 505 at the bottom of the partition wall 5 are changed, the number of manufacturing steps does not increase, so that productivity does not decrease.

また、本形態において、隔壁５は、正孔注入層形成材料４０ａおよび発光層形成材料４０ｂに対して撥液性を備えているため、正孔注入層形成材料４０ａおよび発光層形成材料４０ｂが隔壁５の外にはみ出ることを確実に防止することができる。この場合、正孔注入層形成材料４０ａおよび発光層形成材料４０ｂは、隔壁５の側面によって、より強力にはじかれることになるが、このような場合でも、画素電極１１と対向電極１２とが短絡することがない。 In this embodiment, since the partition wall 5 has liquid repellency with respect to the hole injection layer forming material 40a and the light emitting layer forming material 40b, the hole injection layer forming material 40a and the light emitting layer forming material 40b are separated from each other. 5 can be reliably prevented from protruding outside. In this case, the hole injection layer forming material 40a and the light emitting layer forming material 40b are more strongly repelled by the side surfaces of the partition walls 5, but even in such a case, the pixel electrode 11 and the counter electrode 12 are short-circuited. There is nothing to do.

さらに、本形態において、溝１３０の底面に位置する第２層間絶縁膜２４には、正孔注入層形成材料４０ａおよび発光層形成材料４０ｂに対する親液性が付与されているため、溝１３０内を確実に液状物を充填することができる。 Further, in this embodiment, the second interlayer insulating film 24 located on the bottom surface of the groove 130 is given lyophilicity with respect to the hole injection layer forming material 40a and the light emitting layer forming material 40b. The liquid can be reliably filled.

さらにまた、本形態において、機能層１３の厚さは、画素電極１１の厚さの１／２倍以上である。言い換えれば、画素電極１１の厚さは、機能層１３の厚さの２倍以下である。従って、画素電極１１の角部分１１４で機能層１３が極端に薄くなることを防止することができる。それ故、機能層１３の厚さが画素電極１１上の位置によってばらつかないので、輝度むらの発生を防止することができる。なお、溝１３０の幅については、画素電極１１と対向電極１２との短絡を防止できる寸法であればよい。 Furthermore, in this embodiment, the thickness of the functional layer 13 is ½ times or more the thickness of the pixel electrode 11. In other words, the thickness of the pixel electrode 11 is not more than twice the thickness of the functional layer 13. Accordingly, it is possible to prevent the functional layer 13 from becoming extremely thin at the corner portion 114 of the pixel electrode 11. Therefore, since the thickness of the functional layer 13 does not vary depending on the position on the pixel electrode 11, the occurrence of uneven brightness can be prevented. The width of the groove 130 may be any dimension that can prevent a short circuit between the pixel electrode 11 and the counter electrode 12.

［その他の実施の形態］
上記有機ＥＬ表示装置１００は、ボトムエミッション型であるため、画素電極１１を透過して基板２０の側から光が出射される。このような場合には、出射光がソース・ドレイン電極２６や薄膜トランジスタ７などで遮られて出射光量が低下する。このような出射光量の低下が問題点となる場合には、画素電極１１の一部を隔壁５と平面的に重なる領域まで延ばし、隔壁５と平面的に重なる領域にコンタクトホール２２１を形成してもよい。この場合には、画素電極１１の一部と隔壁とが重なるため、部分的に溝１３０を形成できない箇所が発生するが、かかる箇所は極めて狭いので、画素電極１１と対向電極１２とが短絡が発生する可能性は極めて低いといえる。 [Other embodiments]
Since the organic EL display device 100 is a bottom emission type, light is emitted from the substrate 20 through the pixel electrode 11. In such a case, the emitted light is blocked by the source / drain electrode 26, the thin film transistor 7, etc., and the amount of emitted light decreases. When such a decrease in the amount of emitted light becomes a problem, a part of the pixel electrode 11 is extended to a region overlapping the partition wall 5 in a plane, and a contact hole 221 is formed in the region overlapping the partition wall 5 in a plane. Also good. In this case, since a part of the pixel electrode 11 and the partition wall overlap each other, a portion where the groove 130 cannot be formed is generated. However, since this portion is extremely narrow, the pixel electrode 11 and the counter electrode 12 are short-circuited. The possibility of occurrence is extremely low.

これに対して、有機ＥＬ表示装置１００がトップエミッション型である場合、対向電極１２の側から光が出射されるので、上記形態で説明したような形態、すなわち、機能層１３と平面的に重なる領域にコンタクトホール２２１を形成しても出射光量の低下は発生しない。 On the other hand, when the organic EL display device 100 is a top emission type, light is emitted from the counter electrode 12 side, so that it overlaps with the form as described in the above form, that is, the functional layer 13 in plan view. Even if the contact hole 221 is formed in the region, the amount of emitted light does not decrease.

但し、トップエミッション型の場合、図６に示すように、画素電極１１の下層側には、画素電極１１の略全体と重なるようにアルミニウム膜などからなる光反射層１６が形成される。この場合も、光反射層１６の外周縁１６５については、画素電極１１の外周縁１１５と同様、隔壁５の底部の内周縁５０５より所定の寸法だけ内側に位置させて、画素電極１１および光反射層と隔壁５の底部との間には、画素電極１１および光反射層の周りを囲むように、底面に第２層間絶縁膜２３が位置する溝１３０を形成しておけば、画素電極１１および光反射層１６と、対向電極１２との短絡を防止することができる。 However, in the case of the top emission type, as shown in FIG. 6, a light reflecting layer 16 made of an aluminum film or the like is formed on the lower layer side of the pixel electrode 11 so as to overlap substantially the entire pixel electrode 11. Also in this case, the outer peripheral edge 165 of the light reflecting layer 16 is positioned inward by a predetermined dimension from the inner peripheral edge 505 at the bottom of the partition wall 5, similarly to the outer peripheral edge 115 of the pixel electrode 11. If a groove 130 in which the second interlayer insulating film 23 is located on the bottom surface is formed between the layer and the bottom of the partition wall 5 so as to surround the periphery of the pixel electrode 11 and the light reflecting layer, the pixel electrode 11 and A short circuit between the light reflection layer 16 and the counter electrode 12 can be prevented.

上記形態では、機能層１３の形成領域の平面形状、および隔壁５によって形成された凹部５１の平面形状が矩形であったが、液状物が隔壁５によって形成された凹部５１の隅々まで行き渡るように、図７（Ａ）に示すように、隔壁５によって形成された凹部５１の平面形状については角が丸まった矩形形状、あるいは、図７（Ｂ）に示すように、隔壁５によって形成された凹部５１の平面形状が楕円形状や長円形状とすることがある。これらのいずれの形態を採用した場合にも、画素電極１１および隔壁５を形成する際、画素電極１１の外周縁１１５を隔壁５の底部の内周縁５０５より所定の寸法ｄだけ内側に位置させて画素電極１１と隔壁５の底部との間には、画素電極１１の周りを囲むように、底面に第２層間絶縁膜２３が位置する溝１３０を形成しておけば、画素電極１１と対向電極１２との短絡を防止することができる。 In the above embodiment, the planar shape of the formation region of the functional layer 13 and the planar shape of the recess 51 formed by the partition walls 5 are rectangular. However, the liquid material can reach every corner of the recess 51 formed by the partition walls 5. In addition, as shown in FIG. 7A, the planar shape of the recess 51 formed by the partition walls 5 is a rectangular shape with rounded corners, or as shown in FIG. The planar shape of the recess 51 may be an ellipse or an ellipse. In any case, when forming the pixel electrode 11 and the partition wall 5, the outer peripheral edge 115 of the pixel electrode 11 is positioned inward by a predetermined dimension d from the inner peripheral edge 505 at the bottom of the partition wall 5. If a groove 130 in which the second interlayer insulating film 23 is located on the bottom surface is formed between the pixel electrode 11 and the bottom of the partition wall 5 so as to surround the pixel electrode 11, the pixel electrode 11 and the counter electrode The short circuit with 12 can be prevented.

上記形態では、機能層１３を形成する際の液相プロセスとして、インクジェット法により、隔壁５によって形成された凹部５１内に液滴を吐出して充填する構成であったが、液状物をスピンコート法により塗布して、隔壁５によって形成された凹部５１内に液状物を充填する場合に本発明を適用してもよい。 In the above embodiment, the liquid phase process for forming the functional layer 13 is a configuration in which droplets are discharged and filled into the recesses 51 formed by the partition walls 5 by an inkjet method. The present invention may be applied to the case where the liquid material is filled in the recess 51 formed by the partition wall 5 by application.

また、本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能であり、実施形態で挙げた具体的な材料や構成などは一例に過ぎず、適宜変更が可能である。従って、ＥＬ表示装置の他、プラズマディスプレイ装置、電子放出素子を用いた装置（ＦｉｅｌｄＥｍｉｓｓｉｏｎＤｉｓｐｌａｙ及びＳｕｒｆａｃｅ‐ＣｏｎｄｕｃｔｉｏｎＥｌｅｃｔｒｏｎ‐ＥｍｉｔｔｅｒＤｉｓｐｌａｙ等）などの各種電気光学装置に本発明を適用してもよい。また、本発明を適用した電気光学装置については、携帯電話機、パーソナルコンピュータやＰＤＡなど、様々な電子機器において表示装置として用いることができる。また、本発明を適用した発光装置は、デジタル複写機やプリンタなどの画像形成装置における露光用ヘッドとして用いることもできる。 The technical scope of the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention, and the specific materials and configurations described in the embodiment are included. These are merely examples, and can be changed as appropriate. Therefore, in addition to an EL display device, the present invention may be applied to various electro-optical devices such as a plasma display device and a device using an electron-emitting device (Field Emission Display, Surface-Conduction Electron-Emitter Display, etc.). In addition, the electro-optical device to which the present invention is applied can be used as a display device in various electronic devices such as a mobile phone, a personal computer, and a PDA. The light emitting device to which the present invention is applied can also be used as an exposure head in an image forming apparatus such as a digital copying machine or a printer.

自発光素子として有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ表示装置の電気的構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the electric constitution of the organic electroluminescence display provided with the organic electroluminescent element as a self-light-emitting element. 図２（Ａ）、（Ｂ）は、ボトムエミッション型の有機ＥＬ表示装置の１画素分の平面図および断面図である。2A and 2B are a plan view and a cross-sectional view of one pixel of a bottom emission type organic EL display device. （Ａ）〜（Ｋ）は、本発明を適用したボトムエミッション型の有機ＥＬ表示装置の製造方法を示す工程断面図である。(A)-(K) is process sectional drawing which shows the manufacturing method of the bottom emission type organic electroluminescence display to which this invention is applied. （Ａ）、（Ｂ）は、本発明を適用したボトムエミッション型の有機ＥＬ表示装置の製造工程のうち、画素電極形成工程および隔壁形成工程を拡大して示す説明図である。(A), (B) is explanatory drawing which expands and shows a pixel electrode formation process and a partition formation process among the manufacturing processes of the bottom emission type organic EL display device to which this invention is applied. 本発明を適用したボトムエミッション型の有機ＥＬ表示装置の製造工程のうち、液状物充填工程から上部電極層形成工程までを拡大して示す説明図である。It is explanatory drawing which expands and shows from a liquid substance filling process to an upper electrode layer formation process among the manufacturing processes of the bottom emission type organic electroluminescence display to which this invention is applied. 本発明をトップエミッション型の有機ＥＬ表示装置に適用した場合の説明図である。It is explanatory drawing at the time of applying this invention to a top emission type organic electroluminescence display. （Ａ）、（Ｂ）は、本発明を適用した有機ＥＬ表示装置の機能層の形成領域の平面形状、および隔壁によって形成された凹部の平面形状の変形例を示す説明図である。(A), (B) is explanatory drawing which shows the modification of the planar shape of the formation area of the functional layer of the organic electroluminescence display to which this invention is applied, and the planar shape of the recessed part formed of the partition. 従来の有機ＥＬ表示装置の製造工程のうち、液状物充填工程から上部電極層形成工程までを拡大して示す説明図である。It is explanatory drawing which expands and shows from a liquid filling process to an upper electrode layer formation process among the manufacturing processes of the conventional organic electroluminescence display. 従来の別の有機ＥＬ表示装置の製造工程のうち、液状物充填工程から上部電極層形成工程までを拡大して示す説明図である。It is explanatory drawing which expands and shows from a liquid filling process to an upper electrode layer formation process among the manufacturing processes of another conventional organic electroluminescence display.

Explanation of symbols

５隔壁、６、７薄膜トランジスタ、１１画素電極（上部電極層）、１３機能層（有機機能層）、１２対向電極（上部電極層）、１０有機ＥＬ素子（自発光素子）、１３ａ正孔注入層、１３ｂ発光層、１６光反射層、２０基板、２１、２２層間絶縁膜、４０ａ正孔注入層形成材料（液状物）、４０ｂ発光層形成材料（液状物）、５１隔壁によって構成された凹部、６３走査線、６４データ線、６５共通給電線、１００有機ＥＬ表示装置（発光装置）、１１５画素電極の外周縁、１３０溝、１６５光反射層の外周縁、５０５隔壁底部の内周縁 5 partition walls, 6 and 7 thin film transistors, 11 pixel electrodes (upper electrode layers), 13 functional layers (organic functional layers), 12 counter electrodes (upper electrode layers), 10 organic EL elements (self-emitting elements), 13a hole injection layers , 13b light emitting layer, 16 light reflecting layer, 20 substrate, 21, 22 interlayer insulation film, 40a hole injection layer forming material (liquid material), 40b light emitting layer forming material (liquid material), 51 recess formed by partition walls, 63 scanning lines, 64 data lines, 65 common power supply lines, 100 organic EL display devices (light emitting devices), 115 outer peripheral edges of pixel electrodes, 130 grooves, 165 outer peripheral edges of light reflecting layers, 505 inner peripheral edges of partition walls

Claims

In the light emitting device in which the lower electrode layer and the functional layer are laminated in this order in the region surrounded by the partition wall, and the upper electrode layer is laminated on the upper layer of the functional layer,
An outer peripheral edge of the lower electrode layer is positioned inward by a predetermined dimension from an inner peripheral edge of the bottom of the barrier rib, and surrounds the lower electrode layer between the lower electrode layer and the bottom of the barrier rib. A light emitting device, wherein a groove in which an insulating layer is located is formed on a bottom surface.

2. The light emitting device according to claim 1, wherein the functional layer is formed by solidifying a liquid material filled in a region surrounded by the partition walls.

3. The light emitting device according to claim 1, wherein the groove is formed so as to surround the entire periphery of the lower electrode layer.

4. The light emitting device according to claim 1, wherein the partition wall has liquid repellency with respect to the liquid material.

5. The light emitting device according to claim 1, wherein a bottom surface of the groove is lyophilic with respect to the liquid material.

6. The light emitting device according to claim 1, wherein the thickness of the lower electrode layer is not more than twice the thickness of the functional layer.

7. The light-emitting device according to claim 1, wherein the lower electrode layer has a light transmitting property, and the counter electrode has a light reflecting property.

7. The method according to claim 1, wherein the lower electrode layer and the counter electrode are both light transmissive, and a metal light reflecting layer is formed on a lower layer side of the lower electrode layer. ,
The outer peripheral edge of the light reflecting layer is located inward by a predetermined dimension from the inner peripheral edge of the bottom of the partition wall, so that the bottom electrode layer and the light reflecting layer and the bottom of the partition wall have the bottom surface on the bottom surface. The light emitting device, wherein the groove in which the insulating layer is located is formed so as to surround the light reflecting layer and the lower electrode layer.

9. The light emitting device according to claim 1, wherein the lower electrode layer, the functional layer, and the upper electrode layer constitute an electroluminescence element.

A liquid filling step of filling a liquid in a recess surrounded by a partition above the lower electrode layer; a solidification step of solidifying the liquid to form a functional layer; and an upper electrode layer above the functional layer In a method for manufacturing a light emitting device having an upper electrode layer forming step of laminating
Before forming the liquid material filling step, when forming the lower electrode layer and the partition, the outer peripheral edge of the lower electrode layer is positioned inward by a predetermined dimension from the inner peripheral edge of the bottom of the partition, A method for manufacturing a light-emitting device, characterized in that a groove in which an insulating layer is located on a bottom surface is formed between a lower electrode layer and a bottom portion of the partition so as to surround the lower electrode layer.

11. The method for manufacturing a light emitting device according to claim 10, wherein the groove is formed so as to surround the entire periphery of the lower electrode layer.

12. The method of manufacturing a light emitting device according to claim 10, wherein the lower electrode layer, the functional layer, and the upper electrode layer constitute an electroluminescence element.