JP2006278554A

JP2006278554A - ＡｌＧａＮ系深紫外発光素子およびその製造方法

Info

Publication number: JP2006278554A
Application number: JP2005093028A
Authority: JP
Inventors: Koji Kawasaki; 宏治川崎; Katsunobu Aoyanagi; 克信青柳; Hideo Hosono; 秀雄細野
Original assignee: Tokyo Institute of Technology NUC
Current assignee: Tokyo Institute of Technology NUC
Priority date: 2005-03-28
Filing date: 2005-03-28
Publication date: 2006-10-12

Abstract

【課題】直列抵抗を大幅に下げた縦型電極構造を有する発光効率の高いＡｌＧａＮ系深紫外発光素子を提供すること。
【解決手段】本発明によるＡｌＧａＮ系深紫外発光素子は、順にｎ型ＡｌＧａＮ層、ＡｌＧａＮ系量子井戸活性層、ｐ型ＡｌＧａＮ層を、ならびに必要によりｐ型ＧａＮ層を含み、さらに該ｎ型ＡｌＧａＮ層の表面の少なくとも一部にｎ層電極を、そして該ｐ型ＡｌＧａＮ層または該ｐ型ＧａＮ層の表面の少なくとも一部にｐ層電極を、当該駆動電流が各層内を各境界面に対して実質的に法線方向に流れるように形成させたＡｌＧａＮ系深紫外発光素子であって、該ｎ層電極として、錫含有量１０〜２０質量％のインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）透明電極を使用したことを特徴とする。
【選択図】図１

Description

本発明は、発光効率の高いＡｌＧａＮ系深紫外発光素子に関する。

紫外光源は、照明、ディスプレイ、蛍光分析、光触媒化学、高分解能光学機器等の多様な応用分野を有している。紫外光源用発光素子として窒化物半導体が知られており、とりわけ直接遷移型のワイドギャップ窒化物半導体で、波長２００〜３５０ｎｍの深紫外発光が可能な窒化アルミニウム・ガリウム（ＡｌＧａＮ）に注目が集まっている。

ＡｌＧａＮ系半導体層は、バルク基板の作製が非常に困難であるため、通常はサファイア基板上へのヘテロエピタキシャル成長により形成される。また、ＡｌＧａＮ系発光素子の場合、ｐ型ＧａＮ層を設けたときにはこれが紫外光を吸収するためｐ層電極側から光を取り出すことができず、基板側から光を取り出さなければならない点でもサファイア基板が有用である。ところがサファイア基板には導電性がないため、従来のＡｌＧａＮ系発光素子は、ｎ層電極がｐ層電極の側方に位置する横型電極構造を採用している（特許文献１）。

特開平１１−３０７８１１号公報

しかしながら、ｎ層電極がｐ層電極の側方に位置する横型電極構造には、電流がｎ型ＡｌＧａＮ層中を横方向に流れなければならないため、直列抵抗が高くなるという問題がある。直列抵抗が高くなると動作時の自己発熱量が増大し、キャリアの注入効率への悪影響も懸念される。また、この問題は高出力動作時には一層顕著となる。さらに、電極を通して光を取り出す場合には、発光効率の観点から当該放出光の波長に対する透過性の高い材料が求められる。

そこで、本発明は、直列抵抗を大幅に下げることで駆動効率を高め、また発熱を抑えて高出力動作を可能とする素子構造を有し、さらに深紫外光域での透過性が高い電極材料を採用することにより発光効率を高めたＡｌＧａＮ系深紫外発光素子を提供することを目的とする。

本発明によると、順にｎ型ＡｌＧａＮ層、ＡｌＧａＮ系量子井戸活性層、ｐ型ＡｌＧａＮ層を、ならびに必要によりｐ型ＧａＮ層を含み、さらに該ｎ型ＡｌＧａＮ層の表面の少なくとも一部にｎ層電極を、そして該ｐ型ＡｌＧａＮ層または該ｐ型ＧａＮ層の表面の少なくとも一部にｐ層電極を、当該駆動電流が各層内を各境界面に対して実質的に法線方向に流れるように形成させたＡｌＧａＮ系深紫外発光素子であって、該ｎ層電極として、錫含有量１０〜２０質量％のインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）透明電極を使用したことを特徴とするＡｌＧａＮ系深紫外発光素子が提供される。

本発明によると、ｎ層電極とｐ層電極とが上下に位置する縦型電極構造を実現したことにより、ＡｌＧａＮ系深紫外発光素子の直列抵抗が劇的に下がる。このため、発光素子の駆動効率を高めることができ、また高出力動作時の発熱が抑えられる。さらに、深紫外光域での透過率を高めた高錫濃度ＩＴＯ透明電極を採用したことにより、ＡｌＧａＮ系深紫外発光素子の発光効率が一層向上する。

また本発明によると、サファイア基板上にＧａＮバッファ層、ｎ型ＡｌＧａＮ層、ＡｌＧａＮ系量子井戸活性層、ｐ型ＡｌＧａＮ層および必要によりｐ型ＧａＮ層を順次積層させ、次いで該ｐ型ＡｌＧａＮ層または該ｐ型ＧａＮ層の上にｐ層電極を形成させた後、該ｐ層電極の上に導電性支持体を接合させ、次いで該サファイア基板側から所定の波長を有するレーザーを照射することにより該ＧａＮバッファ層を融解させて該サファイア基板と共に除去し、これにより露出された該ｎ型ＡｌＧａＮ層の表面の少なくとも一部に、ｎ層電極として錫含有量１０〜２０質量％のインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）透明電極を温度４００℃以上で蒸着形成させることを特徴とするＡｌＧａＮ系深紫外発光素子の製造方法が提供される。

図１に、本発明によるＡｌＧａＮ系深紫外発光素子の好適例を示す。本発明による深紫外発光素子は、ｎ型ＡｌＧａＮ層、ＡｌＧａＮ系量子井戸活性層およびｐ型ＡｌＧａＮ層を、ならびに必要によりｐ型ＧａＮ層を順次積層させ、さらに該ｎ型ＡｌＧａＮ層の表面の少なくとも一部にｎ層電極としてＩＴＯ透明電極を形成させ、かつ、該ｐ型ＡｌＧａＮ層（または使用した場合にはｐ型ＧａＮ層）の表面の少なくとも一部にｐ層電極を形成させた構造を有する。本発明による深紫外発光素子は、ｎ層電極とｐ層電極とが上下に位置する縦型電極構造となっているため、両電極間の直列抵抗が、従来の横型電極構造をとる深紫外発光構造体と比較して劇的に、例えば１００分の１程度にまで、低下する。

ｎ型ＡｌＧａＮ層の材料としては、後述するＡｌＧａＮ系量子井戸活性層の材料よりもバンドギャップが大きくなるように設計されたｎ型ＡｌＧａＮ系化合物半導体が使用される。このようなｎ型ＡｌＧａＮ系化合物半導体の設計は、当業者であれば適宜を行うことができる。ｎ型ＡｌＧａＮ層の材料の好適例として、Ａｌ組成が３０原子％（Ｇａ組成は７０原子％）程度のｎ型ＡｌＧａＮ系化合物半導体が挙げられる。このｎ型ＡｌＧａＮ系化合物半導体にドープされるｎ型ドーパントとしては、例えばシラン、テトラエチルシリコン等のＳｉ源が挙げられる。ｎ型ドーパントは、ｎ型ＡｌＧａＮ層のキャリア濃度が２〜３×１０¹⁸ｃｍ^-2程度になるような量でドープすればよい。ｎ型ＡｌＧａＮ層の厚さは、一般に１〜２μｍの範囲内とすればよい。

ＡｌＧａＮ系量子井戸活性層の材料としては、波長２００〜３５０ｎｍの深紫外発光が可能ないずれのＡｌＧａＮ系化合物半導体でも使用することができる。また、量子井戸活性層の材料は、上記ｎ型ＡｌＧａＮ層の材料および後述するｐ型ＡｌＧａＮ層の材料よりもバンドギャップが小さくなるように設計される。量子井戸活性層は単一量子井戸（ＳＱＷ）構造であっても多重量子井戸（ＭＱＷ）構造であってもよい。量子井戸活性層の好適例として、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ／Ａｌ_ｙＧａ_１−ｙＮ系量子井戸活性層（ｘ＝０．１５、ｙ＝０．２０）であって、膜厚がそれぞれ３ｎｍ／８ｎｍであるものを３〜５周期形成させたＭＱＷ構造が挙げられる。

ｐ型ＡｌＧａＮ層の材料としては、上記ＡｌＧａＮ系量子井戸活性層の材料よりもバンドギャップが大きくなるように設計されたｐ型ＡｌＧａＮ系化合物半導体が使用される。このようなｐ型ＡｌＧａＮ系化合物半導体の設計は、当業者であれば適宜行うことができる。ｐ型ＡｌＧａＮ層の材料の好適例として、Ａｌ組成が２４〜３０原子％（Ｇａ組成は７０〜７６原子％）程度のｐ型ＡｌＧａＮ系化合物半導体が挙げられる。このｐ型ＡｌＧａＮ系化合物半導体にドープされるｐ型ドーパントとしては、例えばビスシクロペンタジエニルマグネシウム等のＭｇ源が挙げられる。ｐ型ドーパントは、ｐ型ＡｌＧａＮ層のキャリア濃度が１×１０¹⁷ｃｍ^-2程度になるような量でドープすればよい。ｐ型ＡｌＧａＮ層の厚さは、一般に１０〜１００ｎｍの範囲内とすればよい。

必要に応じて、後述するｐ層電極との接触抵抗を下げるため、ｐ型ＧａＮ層が積層されてもよい。使用する場合、ｐ型ＧａＮ層の材料としては、上記ｐ型ＡｌＧａＮ層よりもバンドギャップが大きくなるように設計されたｐ型ＧａＮ系化合物半導体が使用される。例えば、ｐ型ＧａＮの他、上記ｐ型ＡｌＧａＮ層を構成するｐ型ＡｌＧａＮとは組成が異なるｐ型ＡｌＧａＮを使用してもよい。ｐ型ＧａＮ系化合物半導体にドープされるｐ型ドーパントとしては、例えばビスシクロペンタジエニルマグネシウム等のＭｇ源が挙げられる。ｐ型ドーパントは、ｐ型ＧａＮ層のキャリア濃度が５×１０¹⁷ｃｍ^-2程度になるような量でドープすればよい。ｐ型ＧａＮ層の厚さは、一般に１０〜２００ｎｍの範囲内とすればよい。

本発明による深紫外発光素子は、上記ｎ型ＡｌＧａＮ層の表面の少なくとも一部に形成させたｎ層電極として、錫を高濃度で含むインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）透明電極が用いられる。本発明において「高濃度」とは、一般的に用いられているＩＴＯの錫含有量８〜１０質量％より高い濃度であることを意味する。具体的には、本発明によるｎ層電極としては、錫含有量１０質量％以上、好ましくは１２〜２５質量％、より好ましくは１５〜２０質量％のＩＴＯ透明電極を使用する。錫を高濃度で含むことにより、深紫外光域での透過性が向上し、放出された深紫外光の電極による損失が少なくなる分、発光効率が高くなる。本発明による高錫濃度ＩＴＯ透明電極は深紫外光に対する透過性が高いため、ｎ層電極でｎ型ＡｌＧａＮ層の全面を被覆することができる。もちろん、ｎ型ＡｌＧａＮ層の表面の一部のみにＩＴＯ透明電極を形成させてもよい。例えば、ＩＴＯ透明電極の形状を櫛形やストライプ状にし、その隙間から光を取り出すことができる。ＩＴＯ透明電極の厚さは、導電性と透明性の兼ね合いで決まり、一般に１００〜５００ｎｍ、好ましくは２００〜４００ｎｍの範囲内とすればよい。

本発明による深紫外発光素子は、上記ｐ型ＡｌＧａＮ層（または使用した場合にはｐ型ＧａＮ層）の表面の少なくとも一部に形成させたｐ層電極を含む。本発明による深紫外発光素子は、放出光をＩＴＯ透明電極側から取り出すので、ｐ層電極の透光性は問題とならず、ｐ型ＡｌＧａＮ層またはｐ型ＧａＮ層へ正孔を効率よく注入することができるものであればｐ層電極の材料に特に制限はない。ｐ層電極の材料の好適例として、Ｎｉ／Ａｕ、Ｐｔ／Ｐｄ／Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ／Ｎｉ／Ａｕ、Ｐｄ／Ａｇ／Ａｕ／Ｔｉ／Ａｕ、Ｎｉ／ＩＴＯ、Ｐｄ／Ｒｅ、Ｎｉ／ＺｎＯ，Ｎｉ（Ｍｇ）／Ａｕ、Ｎｉ（Ｌａ）／Ａｕ等が挙げられる。ｐ層電極の厚さは、一般に２０〜３０００ｎｍの範囲内とすればよい。

以下、上述した本発明による深紫外発光素子の製造方法を説明する。図２に、本発明による製造方法の好適例を示す。図２（Ａ）に示したように、サファイア基板上にＧａＮバッファ層、ｎ型ＡｌＧａＮ層、ＡｌＧａＮ系量子井戸活性層、ｐ型ＡｌＧａＮ層および必要によりｐ型ＧａＮ層を順次積層させる。ここで、ＧａＮバッファ層は、サファイア基板とＧａＮバッファ層の上に成長させるｎ型ＡｌＧａＮ層、及びそれに引き続いて成長させる各層との間の格子不整合を緩和してミスフィット転位を防止することの他、後述のレーザー照射により融解除去されることを目的として設けられる。このＧａＮバッファ層の厚さは１ｎｍ〜数百μｍといった広い範囲で設定することができる。このＧａＮバッファ層は、後に除去されて深紫外発光素子の一部を構成しないため、結晶質であっても非晶質であってもよく、さらには厚さが数μｍ〜数百μｍといった場合は、サファイア基板上に形成された厚膜ＧａＮテンプレートウェハとして市販されているような形態でもよい。各層の積層には、当該技術分野で公知のエピタキシャル成長法、例えば有機金属気相体積法（ＭＯＣＶＤ法）を採用することができる。また、当業者であれば、上述した各層の組成および特性を実現するために必要な原料ガス、ドーパントガス、キャリアガス、層成長温度その他の製造条件を適宜選定することができる。

次いで、図２（Ｂ）に示したように、ｐ型ＧａＮ層（ｐ型ＧａＮ層を使用しない場合にはｐ型ＡｌＧａＮ層）の上にｐ層電極を形成させた後、必要により導電性接着剤を介してｐ層電極の上に導電性支持体を接合させる。ｐ層電極の形成は、当該技術分野で公知の蒸着法を採用することができる。導電性支持体は、サファイア基板除去後に発光素子を支持する役割を担うと共に、ｐ層電極への電流注入機能をも有する。導電性支持体の材料としては、ＧａＡｓ、ＳｉＣ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｃ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｗ、Ｔａ、Ａｕ／Ｎｉ等が挙げられる。導電性支持体の厚さは、一般に５０〜５０００μｍの範囲内とすればよい。導電性接着剤を使用する場合、例えばＡｕ／Ｇｅ系半田を厚さ０．５〜１００μｍ程度で使用することができる。導電性接着剤を使用しない場合、ｐ層電極の上に直接導電性支持体を配置して加熱処理することによりｐ層電極に導電性支持体を接合させることができる。特に、半田を使用しないことは、後述するＩＴＯ透明電極の蒸着時の基板温度を高くすることができ、よって得られるＩＴＯ透明電極の深紫外光透過率が一層高くなる点で、好ましい。

次いで、図２（Ｃ）に示したように、該サファイア基板側から所定の波長を有するレーザーを照射することにより該ＧａＮバッファ層を融解させる。レーザーとしては、例えばＮｄ−ＹＡＧレーザーの第３高調波（３５５ｎｍ）または第４高調波（２６６ｎｍ）を使用すればよい。このようなレーザーをサファイア基板側から照射することによりＧａＮバッファ層が融解し、これと共に該サファイア基板が容易に除去される。

その後、図２（Ｄ）に示したように、サファイア基板およびＧａＮバッファ層が除去されたことにより露出されたｎ型ＡｌＧａＮ層の表面の少なくとも一部に、錫濃度の高いＩＴＯ透明電極を形成させる。このようなＩＴＯ透明電極の形成は、当該技術分野で公知の蒸着法を採用することができる。例えば、酸化錫（ＳｎＯ_２）と酸化インジウム（Ｉｎ_２Ｏ_３）をＳｎ含有量が１０質量％以上、好ましくは１２〜２５質量％、より好ましくは１５〜２０質量％となるように混合した混合物を原料として、レーザーを用いた真空蒸着法を採用することができる。ＩＴＯ透明電極は、一般に２００℃程度の基板温度で蒸着される。しかし、本発明による深紫外発光素子の製造方法によると、高錫濃度ＩＴＯ透明電極の蒸着時の基板温度を、各層に悪影響を及ぼさない範囲内で可能な限り高い温度にすることが、深紫外光域（波長２００〜３５０ｎｍ）での透過率を高める上で好ましい。このことを示すため、ＩＴＯ蒸着時の基板温度が深紫外光透過率に与える影響を示すグラフを図３に示す。グラフから、波長３３０ｎｍを中心とする深紫外光透過率が、ＩＴＯ（錫濃度１０質量％）蒸着時の基板温度を４００℃、６００℃、８００℃と高くするにつれて高くなることがわかる。したがって、高錫濃度ＩＴＯ電極の蒸着時の基板温度は、好ましくは４００℃以上、より好ましくは６００℃以上、さらに好ましくは８００℃以上である。このように、本発明の製造方法によると、ＡｌＧａＮ系深紫外発光素子において初めてｎ層電極とｐ層電極とが上下に位置する縦型電極構造が実現され、その際、深紫外光透過率を高めた高錫濃度ＩＴＯ透明電極をｎ層電極に採用したことにより、ＡｌＧａＮ系深紫外発光素子の発光効率が一層向上する。

例１
図２に示した製造手順に従い、以下のように本発明によるＡｌＧａＮ系深紫外発光素子を製造した。各層の結晶成長に際しては、有機金属気相堆積法（ＭＯＣＶＤ）を使用した。また、キャリアガスには水素（Ｈ_２）を使用した。但し、ｐ層電極と導電性支持体との接合は、後のＩＴＯ電極の蒸着時の基板温度を高めるため、半田を用いずに行った。

所定の結晶成長装置にＣ面サファイア基板を装填した。Ｇａ源としてトリメチルガリウム（ＴＭＧ）を、そして窒素源としてアンモニア（ＮＨ_３）を供給し、温度５５０℃において、サファイア基板上に厚さ２０ｎｍのＧａＮ層をバッファ層として成長させた。

続いて、温度を１１２０℃に上昇させ、Ｇａ源としてＴＭＧを、Ａｌ源としてトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）を、窒素源としてＮＨ_３を、そしてｎ型ドーパント源としてテトラエチルシリコン（ＴＥＳｉ）を供給し、ＧａＮバッファ層の上に厚さ１μｍのｎ型Ａｌ_0.3Ｇａ_0.7Ｎ層を成長させた。

続いて、温度を１１２０℃に維持したまま、Ｇａ源としてＴＭＧを、Ａｌ源としてＴＭＡを、そして窒素源としてＮＨ_３を供給するに際し、ＴＭＧとＴＭＡの流量を変更することにより、ｎ型Ａｌ_0.3Ｇａ_0.7Ｎ層の上に８ｎｍ厚のＡｌ_0.2Ｇａ_0.8Ｎ障壁層と３ｎｍ厚のＡｌ_0.15Ｇａ_0.85Ｎ井戸層が５周期からなるＡｌＧａＮ系多重量子井戸活性層を成長させた。

続いて、温度を１１２０℃に維持したまま、Ｇａ源としてＴＭＧを、Ａｌ源としてＴＭＡを、窒素源としてＮＨ_３を、そしてｐ型ドーパント源としてビスシクロペンタジエニルマグネシウム（ＣＰ_２Ｍｇ）を供給し、ＡｌＧａＮ系多重量子井戸活性層の上に厚さ４０ｎｍのｐ型Ａｌ_0.3Ｇａ_0.7Ｎ層を成長させた。

続いて、温度を１０８０℃とし、Ｇａ源としてＴＭＧを、窒素源としてＮＨ_３を、そしてｐ型ドーパント源としてＣＰ_２Ｍｇを供給し、ｐ型Ａｌ_0.3Ｇａ_0.7Ｎ層の上に厚さ４０ｎｍのｐ型ＧａＮ層を成長させた。

続いて、結晶成長装置から上記結晶成長法で形成した半導体積層体を取り出し、電気炉（真空理工株式会社製：ＨＰＣ−５０００）で、窒素雰囲気中３０分、８５０℃でｐ型化の活性化アニールを行った。次いで、活性化アニールを行った後、７０℃の王水で１０分間表面処理を行った積層体を蒸着装置（アネルバ株式会社製：型式ＶＩ−４３Ｎ）に装着し、ｐ型ＧａＮ層の上に厚さ２０ｎｍのＮｉと厚さ７００ｎｍの金を連続して蒸着した。蒸着後、積層体を蒸着装置から取り出し、電気炉（真空理工株式会社製：ＨＰＣ−５０００）で、４５０℃５分間、窒素含有量８０％および酸素含有量２０％の混合ガス雰囲気中でアニールを行いｐ型電極を形成した。ｐ型電極を形成後、張り合わせ工程のために、積層体を適当なサイズに切断した。積層体をサポートする厚さ３５０μｍのＧａＡｓからなる導電性支持体を適当なサイズに切断した後、アセトン、メタノール、超純水で洗浄し、乾燥させた。乾燥後、支持体の上に厚さ４０μｍの金ゲルマニウム合金（金：１２％）を配置し、その後積層体のｐ型電極面を下にして配置し、電気炉（真空理工株式会社製：ＨＰＣ−５０００）で、窒素雰囲気中、４５０℃で５分間加熱を行い積層体と支持体を接合させた。

次いで、サファイア基板側から、ＱスイッチＬＤ励起Ｎｄ：ＹＶＯレーザー（スペクトラフィジックス株式会社製：型式ＢＬ６Ｓ−２６６Ｑ）（波長２６６ｎｍ）を照射してＧａＮバッファ層を融解させた。その後、半導体積層体を約５０℃に加熱してサファイア基板を除去した。

サファイア基板の除去により露出されたｎ型ＡｌＧａＮ層の表面をＣＭＰ法で研磨した。次いで、レーザー堆積装置（日本真空株式会社製）を用い、ＳｎＯ_２とＩｎ_２Ｏ_３をＳｎ含有量が１５質量％となるように混合した混合物から、温度８００℃において、ｎ型Ａｌ_0.3Ｇａ_0.7Ｎ層の上に厚さ３００ｎｍの高錫濃度ＩＴＯ電極からなるｎ層電極を蒸着した。

ＩＴＯ電極を堆積させて得られた発光素子に電流１０ｍＡを注入して発光スペクトルを測定したところ、例１で得られた発光素子は深紫外光域の波長３３０ｎｍ付近にピークを有することがわかった。また、この発光素子の直列抵抗を測定したところ約１Ωであった。この値は、従来の横型電極構造を有するＡｌＧａＮ系深紫外発光素子における直列抵抗約１００Ωの１００分の１である。さらに、ＩＴＯ電極を８００℃で蒸着したため深紫外光波長における透過率が高くなり、発光素子の発光効率が向上した。

本発明による縦型電極構造を有するＡｌＧａＮ系深紫外発光素子の層構造を示す略横断面図である。本発明によるＡｌＧａＮ系深紫外発光素子の製造手順の一態様を示す略横断面図である。ＩＴＯ蒸着時の基板温度が深紫外光域での透過率に与える影響を示すグラフである。

Claims

順にｎ型ＡｌＧａＮ層、ＡｌＧａＮ系量子井戸活性層、ｐ型ＡｌＧａＮ層を、ならびに必要によりｐ型ＧａＮ層を含み、さらに該ｎ型ＡｌＧａＮ層の表面の少なくとも一部にｎ層電極を、そして該ｐ型ＡｌＧａＮ層または該ｐ型ＧａＮ層の表面の少なくとも一部にｐ層電極を、当該駆動電流が各層内を各境界面に対して実質的に法線方向に流れるように形成させたＡｌＧａＮ系深紫外発光素子であって、該ｎ層電極として、錫含有量１０〜２０質量％のインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）透明電極を使用したことを特徴とするＡｌＧａＮ系深紫外発光素子。
サファイア基板上にＧａＮバッファ層、ｎ型ＡｌＧａＮ層、ＡｌＧａＮ系量子井戸活性層、ｐ型ＡｌＧａＮ層および必要によりｐ型ＧａＮ層を順次積層させ、次いで該ｐ型ＡｌＧａＮ層または該ｐ型ＧａＮ層の上にｐ層電極を形成させた後、該ｐ層電極の上に導電性支持体を接合させ、次いで該サファイア基板側から所定の波長を有するレーザーを照射することにより該ＧａＮバッファ層を融解させて該サファイア基板と共に除去し、これにより露出された該ｎ型ＡｌＧａＮ層の表面の少なくとも一部に、ｎ層電極として錫含有量１０〜２０質量％のインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）透明電極を温度４００℃以上で蒸着形成させることを特徴とするＡｌＧａＮ系深紫外発光素子の製造方法。