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JP2006261501A - Wafer id reader and wafer id reading method - Google Patents

Wafer id reader and wafer id reading method Download PDF

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JP2006261501A
JP2006261501A JP2005078915A JP2005078915A JP2006261501A JP 2006261501 A JP2006261501 A JP 2006261501A JP 2005078915 A JP2005078915 A JP 2005078915A JP 2005078915 A JP2005078915 A JP 2005078915A JP 2006261501 A JP2006261501 A JP 2006261501A
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wafer
semiconductor wafer
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unit
semiconductor
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JP2005078915A
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Yoshiaki Suga
義明 菅
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Olympus Corp
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a wafer ID reader for reading identification information written on an edge of a semiconductor wafer, wherein the identification information of a plurality of semiconductor wafers can be read in a short time. <P>SOLUTION: The wafer ID reader comprises a wafer holder 33 for holding and rotating the semiconductor wafer fetched from a housing body which can house the plurality of semiconductor wafers; an image obtaining means 57 for taking an image of the edge of the semiconductor wafer held to the wafer holder 33; a position detection sensor 61 for detecting a positioning notch formed at the edge of the semiconductor wafer; and a control means which calculates a distance from a center position of the positioning notch detected by the position detection sensor 61 to a written position of the identification information imaged by the image obtaining means 57, and controls to rotate the wafer holding part 33 so that the identification information is positioned at an image position of the image obtaining means 57 based on this distance. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

この発明は、半導体ウエハを識別するウエハID読取装置及びウエハID読取方法に関する。   The present invention relates to a wafer ID reading device and a wafer ID reading method for identifying a semiconductor wafer.

半導体製造工程においては、半導体ウエハの表面または裏面に半導体ウエハを特定するための識別情報(以下、ウエハIDとも呼ぶ。)の書き込みが行われる。このウエハIDは、半導体の製造工程や検査工程の各種処理において、半導体ウエハ毎に各種処理の内容や要否の識別に使用するものである。ところで、このウエハIDは、半導体ウエハの品種によってその表記位置や、ウエハIDを読み取るための光学条件、及び文字、記号、模様等のウエハIDの表記種類に応じた読み取り方法によって、ウエハID読取装置においてウエハIDを読み取るための読み取り条件が異なる。
このため、従来のウエハID読取装置では、半導体ウエハ表面の外周縁の領域に形成されたウエハIDを読み取るために、半導体ウエハを360°回転させて、撮像装置により半導体ウエハのエッジ全周を撮像した画像により、ウエハIDの位置を求める。そして、このウエハID位置に撮像装置を移動させて、ウエハIDを含む画像を取得するように構成されている(例えば、特許文献1参照。)。
国際公開第03/28089号明細書
In the semiconductor manufacturing process, identification information (hereinafter also referred to as a wafer ID) for specifying a semiconductor wafer is written on the front or back surface of the semiconductor wafer. This wafer ID is used to identify the contents and necessity of various processes for each semiconductor wafer in various processes of the semiconductor manufacturing process and inspection process. By the way, the wafer ID is read by a wafer ID reading apparatus according to the notation position according to the type of semiconductor wafer, the optical conditions for reading the wafer ID, and the reading method according to the notation type of the wafer ID such as characters, symbols and patterns. The reading conditions for reading the wafer ID are different.
For this reason, in the conventional wafer ID reader, in order to read the wafer ID formed in the outer peripheral area of the surface of the semiconductor wafer, the semiconductor wafer is rotated 360 ° and the entire edge of the semiconductor wafer is imaged by the imaging device. The position of the wafer ID is obtained from the obtained image. Then, the imaging apparatus is moved to the wafer ID position to acquire an image including the wafer ID (see, for example, Patent Document 1).
International Publication No. 03/28089

しかしながら、従来のウエハID読取装置では、ウエハIDを表記しうる半導体ウエハの表面領域全てを撮像する必要があるため、各半導体ウエハを回転ステージにより1回転させてウエハIDの表記位置を検出する必要がある。また、ウエハIDの読み取り条件を半導体ウエハ毎に調整する必要もあり、ウエハIDを読み取るための時間が長くなるという問題がある。
この発明は上述した事情に鑑みてなされたものであって、複数の半導体ウエハの識別情報を短時間で読み取ることができるウエハID読取装置及びウエハID読取方法を提供することを目的としている。
However, in the conventional wafer ID reader, since it is necessary to image the entire surface area of the semiconductor wafer on which the wafer ID can be written, it is necessary to detect the written position of the wafer ID by rotating each semiconductor wafer once by a rotary stage. There is. In addition, it is necessary to adjust the wafer ID reading condition for each semiconductor wafer, and there is a problem that the time for reading the wafer ID becomes long.
The present invention has been made in view of the above-described circumstances, and an object thereof is to provide a wafer ID reading apparatus and a wafer ID reading method capable of reading identification information of a plurality of semiconductor wafers in a short time.

上記目的を達成するために、この発明は、以下の手段を提供する。
本発明は、半導体ウエハを複数収納した収納体から取り出された前記半導体ウエハのエッジ部分に表記された識別情報を読み取るウエハID読取装置であって、前記収納体から取り出された前記半導体ウエハを保持して回転させるウエハ保持部と、前記ウエハ保持部に保持された前記半導体ウエハのエッジ部分を撮像する画像取得手段と、前記半導体ウエハのエッジ部分に形成された位置決め用切欠部を検出する位置検出センサと、前記位置検出センサにより検出された前記位置決め用切欠部の中心位置から前記画像取得手段により撮像された前記識別情報の表記位置までの距離を求め、この距離に基づいて前記識別情報が前記画像取得手段の撮像位置に位置決めされるように前記ウエハ保持部を回転制御する制御手段とを備えることを特徴とするウエハID読取装置を提供する。
In order to achieve the above object, the present invention provides the following means.
The present invention is a wafer ID reader for reading identification information written on an edge portion of the semiconductor wafer taken out from a storage body containing a plurality of semiconductor wafers, and holding the semiconductor wafer taken out from the storage body And rotating the wafer holding unit, image acquisition means for imaging the edge portion of the semiconductor wafer held by the wafer holding unit, and position detection for detecting the positioning notch formed on the edge portion of the semiconductor wafer A distance from a sensor and a center position of the positioning cutout detected by the position detection sensor to a notation position of the identification information imaged by the image acquisition unit is obtained, and the identification information is calculated based on the distance. Control means for controlling the rotation of the wafer holder so as to be positioned at the imaging position of the image acquisition means. Providing a wafer ID reader for.

また、本発明は、半導体ウエハを複数収納した収納体から取り出してウエハ保持部に搬送する工程と、前記ウエハ保持部に保持された前記半導体ウエハを回転させ、画像取得手段により前記半導体ウエハのエッジ部分に表記された識別情報を撮像する工程と、前記ウエハ保持部に保持された前記半導体ウエハを回転させ、位置決めセンサにより前記半導体ウエハのエッジ部分に形成された位置決め用切欠部を検出する工程と、前記位置検出センサにより検出された前記位置決め用切欠部の中心位置から、前記画像取得手段により撮像された前記識別情報の表記位置までの距離を求め、この距離データを記憶手段に記憶させる工程と、前記収納体から取り出された各半導体ウエハが前記基準位置に配置される毎に、前記記憶手段から前記距離データを読み出し、この距離データに基づいて前記ウエハ保持部を回転制御して前記識別情報を前記画像取得手段の撮像位置に位置決めする工程とを備えることを特徴とするウエハID読取方法を提供する。   According to another aspect of the present invention, there is provided a process of taking out a plurality of semiconductor wafers from a storage body and transporting the semiconductor wafers to a wafer holder, rotating the semiconductor wafer held by the wafer holders, and rotating the semiconductor wafers by the image acquisition means Imaging the identification information written on the part, rotating the semiconductor wafer held on the wafer holding part, and detecting a positioning notch formed on the edge part of the semiconductor wafer by a positioning sensor; Obtaining a distance from a center position of the positioning notch detected by the position detection sensor to a notation position of the identification information imaged by the image acquisition means, and storing the distance data in a storage means; Each time each semiconductor wafer taken out from the storage body is placed at the reference position, the distance data is stored from the storage means. It reads the data, to provide a wafer ID reading method characterized by comprising the step of positioning the identification information rotation control to the wafer holding portion on the imaging position of the image acquisition means based on the distance data.

本発明のウエハID読取装置及びウエハID読取方法によれば、位置決め用切欠部からの距離が等しい位置に識別情報を表記した複数の半導体ウエハを収納体から取り出して基準位置に配した際には、制御手段が、距離データに基づいて識別情報が画像取得手段の撮影領域内に入るように、ウエハ保持部を回転制御する。このため、画像取得手段に対する半導体ウエハの移動を最小限に抑えることができ、短時間で複数の半導体ウエハの識別情報を読み取ることができる。   According to the wafer ID reading apparatus and the wafer ID reading method of the present invention, when a plurality of semiconductor wafers having identification information written at positions where the distances from the positioning notches are equal are taken out from the storage body and arranged at the reference position, The control unit controls the rotation of the wafer holding unit based on the distance data so that the identification information falls within the imaging area of the image acquisition unit. For this reason, the movement of the semiconductor wafer with respect to the image acquisition means can be minimized, and the identification information of a plurality of semiconductor wafers can be read in a short time.

図1から図6は本発明に係る一実施形態を示しており、ここで説明する実施の形態は、この発明を半導体ウエハの表面に形成されたデバイスパターンの欠陥検査処理を行う基板検査装置に含めた場合のものである。
図1に示すように、基板検査装置1にはウエハカセット(収納体)3が隣接して配されている。ウエハカセット3内には、半導体ウエハSを1つずつ収納するスロットが上下方向に複数設けられており、各スロットに各半導体ウエハSを収納することにより、複数の半導体ウエハSが上下方向に所定ピッチで収納されることになる。
この基板検査装置1は、半導体ウエハSの検査を行う検査部5と、ウエハカセット3と検査部5との間で半導体ウエハSを搬送するローダ部7とを備えている。
1 to 6 show an embodiment according to the present invention, and the embodiment described here is applied to a substrate inspection apparatus for performing a defect inspection process for a device pattern formed on a surface of a semiconductor wafer. If included.
As shown in FIG. 1, a wafer cassette (housing body) 3 is disposed adjacent to the substrate inspection apparatus 1. In the wafer cassette 3, a plurality of slots are provided in the vertical direction for storing the semiconductor wafers S one by one. By storing the semiconductor wafers S in the slots, the plurality of semiconductor wafers S are predetermined in the vertical direction. It will be stored at the pitch.
The substrate inspection apparatus 1 includes an inspection unit 5 that inspects the semiconductor wafer S, and a loader unit 7 that transports the semiconductor wafer S between the wafer cassette 3 and the inspection unit 5.

ローダ部7は、複数(図示例では2つ)のウエハカセット3を着脱可能に取り付るように構成されており、これらウエハカセット3の間をシフト機構9により往復移動するウエハ搬送ロボット11を備えている。シフト機構9は、各ウエハカセット3との間で半導体ウエハSの受け渡しを行う位置と、検査部5との間で半導体ウエハSの受け渡しを行う位置との間で、ウエハ搬送ロボット11を一方向(C方向)に往復移動させるものである。
ウエハ搬送ロボット11は、所謂多関節型のロボットであり、回転軸13と、半導体ウエハSを載置する板状のハンド15と、これら回転軸13及びハンド15を相互に連結する3つの連結アーム17〜19とを備えている。
The loader unit 7 is configured to detachably attach a plurality (two in the illustrated example) of wafer cassettes 3, and a wafer transfer robot 11 that reciprocates between these wafer cassettes 3 by a shift mechanism 9. I have. The shift mechanism 9 moves the wafer transfer robot 11 in one direction between a position where the semiconductor wafer S is transferred to / from each wafer cassette 3 and a position where the semiconductor wafer S is transferred to / from the inspection unit 5. It is reciprocated in the (C direction).
The wafer transfer robot 11 is a so-called articulated robot, and includes a rotating shaft 13, a plate-like hand 15 on which the semiconductor wafer S is placed, and three connecting arms that connect the rotating shaft 13 and the hand 15 to each other. 17-19.

すなわち、第1の連結アーム17の一端は、回転軸13に対して回転自在に連結されており、第1の連結アーム17の他端は、第2の連結アーム18の一端との間で互いに回転自在に連結されている。第2の連結アーム18の他端は、第3の連結アーム19の一端との間で互いに回転自在に連結されており、第3の連結アーム19の他端に半導体ウエハSを保持するハンド15が固定されている。したがって、これら3つの連結アーム17〜19を適宜回転させることにより、回転軸13からハンド15までの距離が変化することになる、すなわち、ウエハ搬送ロボット11の伸縮動作が行われることになる。   That is, one end of the first connecting arm 17 is rotatably connected to the rotary shaft 13, and the other end of the first connecting arm 17 is mutually connected with one end of the second connecting arm 18. It is connected rotatably. The other end of the second connecting arm 18 is rotatably connected to one end of the third connecting arm 19, and the hand 15 holding the semiconductor wafer S on the other end of the third connecting arm 19. Is fixed. Therefore, by appropriately rotating these three connecting arms 17 to 19, the distance from the rotary shaft 13 to the hand 15 is changed, that is, the wafer transfer robot 11 is expanded and contracted.

ハンド15の表面には、複数の吸着孔21が形成されており、これら吸着孔21は、図示しない吸引ポンプ(図示せず)に連通されている。すなわち、ハンド15の表面に半導体ウエハSを載置した状態において吸引ポンプを動作させることにより、半導体ウエハSが吸引ポンプの吸引力によりハンド15上に吸着保持される。
ローダ部7は、以上のように構成されているため、ハンド15を各ウエハカセット3内と検査部5内のウエハ搬入位置P1との間で移動させることができる。なお、ウエハ搬入位置P1は、ウエハ搬送ロボット11と検査部5との間で半導体ウエハSの受け渡しを行う位置を示している。
A plurality of suction holes 21 are formed on the surface of the hand 15, and these suction holes 21 communicate with a suction pump (not shown). That is, by operating the suction pump while the semiconductor wafer S is placed on the surface of the hand 15, the semiconductor wafer S is sucked and held on the hand 15 by the suction force of the suction pump.
Since the loader unit 7 is configured as described above, the hand 15 can be moved between each wafer cassette 3 and the wafer loading position P <b> 1 in the inspection unit 5. The wafer carry-in position P1 indicates a position where the semiconductor wafer S is delivered between the wafer transfer robot 11 and the inspection unit 5.

検査部5は、周知のマクロ検査部23及びミクロ検査部25と、検査部5のウエハ搬入位置P1、マクロ検査位置P2及びミクロ検査位置P3の間で半導体ウエハSを循環搬送する3本のアームからなる回転搬送部27とを備えている。
ミクロ検査部25は、回転搬送部27とのウエハ受け渡し位置P3に設けられたアライメント用の位置検出センサ29と、半導体ウエハSの像を拡大する顕微鏡31と、半導体ウエハSを吸着保持すると共に回転機構を有するウエハ保持部33と、ウエハ受け渡し位置P3と顕微鏡31の所定の観察位置との間でウエハ保持部33を二次元移動させるXYステージ(移動手段)35とを備えている。
The inspection unit 5 includes three arms that circulate and convey the semiconductor wafer S between the well-known macro inspection unit 23 and micro inspection unit 25 and the wafer carry-in position P1, macro inspection position P2, and micro inspection position P3 of the inspection unit 5. And a rotary conveyance unit 27.
The micro-inspection unit 25 sucks and holds the semiconductor wafer S and rotates the position detection sensor 29 for alignment provided at the wafer transfer position P3 with the rotary conveyance unit 27, the microscope 31 for enlarging the image of the semiconductor wafer S, and the rotation. A wafer holding unit 33 having a mechanism, and an XY stage (moving means) 35 for moving the wafer holding unit 33 two-dimensionally between the wafer delivery position P3 and a predetermined observation position of the microscope 31 are provided.

位置検出センサ29は、例えば、CCDカメラから構成されており、回転搬送部27とのウエハ受け渡し位置P3において、半導体ウエハSが回転搬送部27からウエハ保持部33に受け渡された後に、このウエハ受け渡し位置P3にて半導体ウエハSをウエハ保持部33により回転させて半導体ウエハSの2点以上のエッジ位置(座標データ)を検出するものである。この検出結果は、半導体ウエハSのオリエンテーションフラットに掛からない2点若しくは3点のエッジ位置情報であり、ウエハ保持部33における半導体ウエハSの正規位置に対する半導体ウエハSの中心ずれ量を求め、半導体ウエハSの中心ずれを補正するために使用するものである。このウエハ受け渡し位置P3におけるアライメントは、後述するウエハ搬入位置P1におけるプリアライメントと比較して高い精度となっている。
このミクロ検査部25においては、顕微鏡31で拡大された半導体ウエハSの像をCCDカメラ等の撮像装置37により撮像したり、接眼レンズ39を通して観察できるようになっている。
The position detection sensor 29 is constituted by, for example, a CCD camera. After the semiconductor wafer S is transferred from the rotary transfer unit 27 to the wafer holding unit 33 at the wafer transfer position P3 with the rotary transfer unit 27, the wafer is detected. The semiconductor wafer S is rotated by the wafer holder 33 at the delivery position P3, and two or more edge positions (coordinate data) of the semiconductor wafer S are detected. This detection result is edge position information of two or three points that does not lie on the orientation flat of the semiconductor wafer S, and the center deviation amount of the semiconductor wafer S with respect to the normal position of the semiconductor wafer S in the wafer holder 33 is obtained. This is used to correct the center deviation of S. The alignment at the wafer delivery position P3 has a higher accuracy than the pre-alignment at the wafer carry-in position P1 described later.
In the micro inspection unit 25, an image of the semiconductor wafer S magnified by the microscope 31 can be imaged by an imaging device 37 such as a CCD camera or can be observed through an eyepiece lens 39.

回転搬送部27は、回転軸41を中心(図示例では、左回り)に回転するものであり、回転軸41からその直交方向に延出する3つの回転アーム43a〜43cを備えている。これら3つの回転アーム43a〜43cは、回転軸41回りに等角度(例えば、120度毎)に配されている。また、これら3つの回転アーム43a〜43cは、ウエハ搬送ロボット11との受け渡しを行うウエハ搬入位置P1、マクロ検査部23によりマクロ検査を行うマクロ検査位置P2、及び、ミクロ検査部25へ半導体ウエハSを受け渡すウエハ受け渡し位置P3の間を回転循環する。   The rotary conveyance unit 27 rotates about the rotation shaft 41 (counterclockwise in the illustrated example), and includes three rotation arms 43 a to 43 c extending from the rotation shaft 41 in the orthogonal direction. These three rotary arms 43a to 43c are arranged at equal angles (for example, every 120 degrees) around the rotary shaft 41. The three rotary arms 43 a to 43 c are connected to the wafer carry-in position P <b> 1 for delivery with the wafer transfer robot 11, the macro inspection position P <b> 2 for performing macro inspection by the macro inspection unit 23, and the semiconductor wafer S to the micro inspection unit 25. Rotate and circulate between the wafer transfer positions P3.

各回転アーム43a〜43cの先端には、半導体ウエハSを吸着保持する略L字状のハンド44a〜44cが設けられている。ハンド44a〜44cの表面には、複数の吸着孔21が形成されており、これら吸着孔21は、図示しない吸引ポンプ(図示せず)に連通されている。すなわち、ハンド44a〜44cの表面に半導体ウエハSを載置した状態において吸引ポンプを動作させることにより、半導体ウエハSが吸引ポンプの吸引力によってハンド44a〜44c上に吸着保持される。   At the tips of the rotating arms 43a to 43c, substantially L-shaped hands 44a to 44c that hold the semiconductor wafer S by suction are provided. A plurality of suction holes 21 are formed on the surfaces of the hands 44a to 44c, and these suction holes 21 communicate with a suction pump (not shown). That is, by operating the suction pump in a state where the semiconductor wafer S is placed on the surfaces of the hands 44a to 44c, the semiconductor wafer S is sucked and held on the hands 44a to 44c by the suction force of the suction pump.

ウエハ搬入位置P1には、半導体ウエハSのプリアライメント用の位置検出センサ45〜48が複数(図示例では4つ)設けられている。これら位置検出センサ45〜48は、例えば、ラインセンサ又は二次元CCDカメラから構成されており、各位置検出センサ45〜48の中心が半導体ウエハSと同じ大きさの同心円上に配されている。また、各位置検出センサ45〜48は、半導体ウエハSのオリエンテーションフラットの長さよりも大きい間隔を介して配されている。これら位置検出センサ45〜48は、半導体ウエハSをウエハ搬送ロボット11から回転アーム43a〜43cに受け渡す際に、半導体ウエハSの4点のエッジ位置(座標データ)を画像にて検出するものである。   A plurality (four in the illustrated example) of position detection sensors 45 to 48 for pre-alignment of the semiconductor wafer S are provided at the wafer carry-in position P1. The position detection sensors 45 to 48 are constituted by, for example, line sensors or two-dimensional CCD cameras, and the centers of the position detection sensors 45 to 48 are arranged on concentric circles having the same size as the semiconductor wafer S. Further, the position detection sensors 45 to 48 are arranged at intervals larger than the length of the orientation flat of the semiconductor wafer S. These position detection sensors 45 to 48 detect the four edge positions (coordinate data) of the semiconductor wafer S by an image when the semiconductor wafer S is transferred from the wafer transfer robot 11 to the rotating arms 43a to 43c. is there.

この4点のエッジ位置情報は、回転搬送部27のウエハ搬入位置P1における半導体ウエハSの正規位置に対する半導体ウエハSの中心ずれ量を求め、半導体ウエハSの中心ずれを補正するために使用される。
なお、ウエハ搬入位置P1における中心ずれの補正は、ミクロ検査部25において正確なアライメントが可能な精度であればよい。このため、ウエハ搬入位置P1のプリアライメント装置としては、例えば、半導体ウエハSのエッジを少なくとも3ヶ所でピンによって狭持することにより、半導体ウエハSの中心ずれを補正するメカ構成としても構わない。
The edge position information of the four points is used to obtain the center deviation amount of the semiconductor wafer S with respect to the normal position of the semiconductor wafer S at the wafer carry-in position P1 of the rotary conveyance unit 27 and correct the center deviation of the semiconductor wafer S. .
The center deviation correction at the wafer carry-in position P <b> 1 may be performed as long as accurate alignment is possible in the micro inspection unit 25. For this reason, the pre-alignment apparatus at the wafer carry-in position P1 may have a mechanical configuration that corrects the center deviation of the semiconductor wafer S, for example, by pinching the edge of the semiconductor wafer S with pins at least at three locations.

この検査部5には、ウエハ搬送ロボット11及び回転搬送部27の動作、検査部5におけるマクロ検査やミクロ検査等における各種動作を制御する制御ユニット51が設けられている。
この制御ユニット51には、ローダ部7や検査部5における各種動作や各種設定を検査者Mが操作するための操作部53と、前述した撮像装置37等において撮像された半導体ウエハSの拡大画像等を表示するモニタ55とが設けられている。また、この制御ユニット51は、ウエハ搬入位置P1及びウエハ受け渡し位置P3におけるアライメントを制御するための機能を有している。
The inspection unit 5 is provided with a control unit 51 that controls the operations of the wafer transfer robot 11 and the rotary transfer unit 27 and various operations in the macro inspection and micro inspection in the inspection unit 5.
The control unit 51 includes an operation unit 53 for the inspector M to operate various operations and various settings in the loader unit 7 and the inspection unit 5, and an enlarged image of the semiconductor wafer S captured by the imaging device 37 and the like described above. And a monitor 55 for displaying the above. The control unit 51 also has a function for controlling alignment at the wafer carry-in position P1 and the wafer delivery position P3.

すなわち、制御ユニット51は、検査部5のウエハ搬入位置P1に配された位置検出センサ45〜48や、ウエハ保持部33とのウエハ受け渡し位置P3に配された位置検出センサ29の検出結果に基づき、正規位置に対する半導体ウエハSの中心ずれや角度ずれのずれ量を算出する。
また、制御ユニット51は、算出されたずれ量に応じて、半導体ウエハSを載置したウエハ搬送ロボット11をXY方向に移動制御して、半導体ウエハSをウエハ搬入位置P1の中心位置に補正すると共に、算出されたずれ量に応じて、XYステージ35によりウエハ保持部33をXY方向に移動制御して、半導体ウエハSの中心位置にウエハ保持部33の中心位置を高精度で位置補正する。
さらに、制御ユニット51は、算出された角度ずれ量に応じて、ウエハ保持部33を回転制御して、半導体ウエハSを顕微鏡31に対して角度補正する。すなわち、顕微鏡31における半導体ウエハSの回転方向の基準位置に対するノッチNの角度ずれ量を求め、この角度ずれ量に基づき、ウエハ保持部33を回転させてノッチNを基準位置に合わせる。
That is, the control unit 51 is based on the detection results of the position detection sensors 45 to 48 arranged at the wafer carry-in position P1 of the inspection unit 5 and the position detection sensor 29 arranged at the wafer delivery position P3 with the wafer holding unit 33. Then, the deviation amount of the center deviation and the angular deviation of the semiconductor wafer S with respect to the normal position is calculated.
Further, the control unit 51 controls the movement of the wafer transfer robot 11 on which the semiconductor wafer S is placed in the X and Y directions according to the calculated deviation amount so as to correct the semiconductor wafer S to the center position of the wafer loading position P1. At the same time, the wafer holding unit 33 is controlled to move in the X and Y directions by the XY stage 35 in accordance with the calculated deviation amount, and the center position of the wafer holding unit 33 is accurately corrected to the center position of the semiconductor wafer S.
Further, the control unit 51 controls the rotation of the wafer holding unit 33 according to the calculated amount of angular deviation, and corrects the angle of the semiconductor wafer S with respect to the microscope 31. That is, the amount of angular deviation of the notch N with respect to the reference position in the rotation direction of the semiconductor wafer S in the microscope 31 is obtained, and the wafer holder 33 is rotated based on the amount of angular deviation to align the notch N with the reference position.

ミクロ検査部25のウエハ受け渡し位置P3には、半導体ウエハSの表面のエッジ部分に表記されたウエハIDを読み取るためのウエハID撮像モジュール(画像取得手段)57が設けられている。このウエハID撮像モジュール57は、図2,3に示すように、半導体ウエハSの表面Saのエッジ部分に位置する撮影領域に向けて照明光を照射する照射部59と、撮影領域からの反射光を受光して撮影領域の拡大画像を取得する撮像部61とを備えている。照射部59は、半導体ウエハSの表面Saと照射光の光軸との角度(照射角度)θ1を任意に設定できるように構成されている。   At the wafer delivery position P3 of the micro inspection unit 25, a wafer ID imaging module (image acquisition means) 57 for reading the wafer ID written on the edge portion of the surface of the semiconductor wafer S is provided. As shown in FIGS. 2 and 3, the wafer ID imaging module 57 includes an irradiation unit 59 that irradiates illumination light toward an imaging region located at an edge portion of the surface Sa of the semiconductor wafer S, and reflected light from the imaging region. And an imaging unit 61 that receives the light and acquires an enlarged image of the imaging region. The irradiation unit 59 is configured so that an angle (irradiation angle) θ1 between the surface Sa of the semiconductor wafer S and the optical axis of the irradiation light can be arbitrarily set.

撮像部61は、一次元CCD(ラインセンサカメラ)からなり、ウエハ保持部33の回転速度に同期させて、ウエハ保持部33により一定の回転速度で回転する半導体ウエハSのエッジ部分を撮像することにより、エッジ部分の画像を取得するように構成されている。したがって、ウエハ保持部33により半導体ウエハSを回転させて、半導体ウエハSのエッジ部分に形成された位置決め用切欠部であるノッチNと識別情報(ウエハID)Wとを撮像部61の撮影領域に通過させることにより、ノッチN識別情報Wを撮像することができる。
また、この撮像部61は、半導体ウエハSのエッジ部分の欠陥、ノッチN及び識別情報Wを検出する機能を有しており、エッジ部の欠陥及び識別情報Wに対する検出条件に応じて、半導体ウエハSの表面Saと撮像部61の光軸との角度(撮像角度)θ2を任意に設定できるように構成されている。
この撮像部61は、ウエハ保持部33により半導体ウエハSを回転させて、位置決め用切欠部(ノッチN)を検出する位置検出センサを兼ねている。
The imaging unit 61 includes a one-dimensional CCD (line sensor camera), and images the edge portion of the semiconductor wafer S rotated at a constant rotational speed by the wafer holding unit 33 in synchronization with the rotational speed of the wafer holding unit 33. Thus, an image of the edge portion is acquired. Therefore, the semiconductor wafer S is rotated by the wafer holding unit 33, and the notch N that is a positioning notch formed at the edge portion of the semiconductor wafer S and the identification information (wafer ID) W are set in the imaging region of the imaging unit 61. By passing it, the notch N identification information W can be imaged.
In addition, the imaging unit 61 has a function of detecting a defect at the edge portion of the semiconductor wafer S, a notch N, and identification information W, and the semiconductor wafer according to a detection condition for the defect at the edge portion and the identification information W. An angle (imaging angle) θ2 between the surface Sa of S and the optical axis of the imaging unit 61 is configured to be arbitrarily set.
The imaging unit 61 also serves as a position detection sensor that detects the positioning notch (notch N) by rotating the semiconductor wafer S by the wafer holding unit 33.

これら照明部59、撮像部61及びミクロ検査部25のウエハ保持部33は、制御ユニット51の制御部(制御手段)63に接続されている。この制御部63には、操作部53及びモニタ55と、識別情報等の各種データを記憶するメモリ部(記憶手段)65が接続されている。
制御部63は、予め撮像部61におけるノッチN及び識別情報Wの検出結果に基づいて、半導体ウエハSのノッチNの中心位置から識別情報Wの表記位置までの距離を求め、この距離データと半導体ウエハSの回転方向の基準位置データをメモリ部65に記憶する。
すなわち、制御部63は、ウエハ保持部33を回転制御し、撮像部61がノッチNを検出したときのウエハ保持部33の回転位置から基準位置までの角度ずれ量を求めて、ノッチNを基準位置に合わせる。そして、制御部63は、この基準位置から半導体ウエハSをウエハ保持部33により一方向に回転移動させ、撮像部61が識別情報Wを検出したときのウエハ保持部33の回転角度から基準位置までの距離を求める。
The illumination unit 59, the imaging unit 61, and the wafer holding unit 33 of the micro inspection unit 25 are connected to a control unit (control unit) 63 of the control unit 51. The control unit 63 is connected to an operation unit 53 and a monitor 55 and a memory unit (storage unit) 65 for storing various data such as identification information.
The control unit 63 obtains a distance from the center position of the notch N of the semiconductor wafer S to the notation position of the identification information W based on the detection result of the notch N and the identification information W in the imaging unit 61 in advance, and the distance data and the semiconductor Reference position data in the rotation direction of the wafer S is stored in the memory unit 65.
That is, the control unit 63 controls the rotation of the wafer holding unit 33, obtains the amount of angular deviation from the rotation position of the wafer holding unit 33 to the reference position when the imaging unit 61 detects the notch N, and uses the notch N as a reference. Adjust to position. Then, the control unit 63 rotationally moves the semiconductor wafer S from this reference position in one direction by the wafer holding unit 33, and from the rotation angle of the wafer holding unit 33 when the imaging unit 61 detects the identification information W to the reference position. Find the distance.

さらに、制御部63は、撮像部61が受光する反射光の光量、照明部59の照射角度θ1及び撮像部61の撮像角度θ2が、識別情報Wの読み取りに適切な光学条件となるように、照明部59及び撮像部61の動作を制御する。また、識別情報Wの読み取り方法には、識別情報を表現する文字、記号、模様等の表記種類に各々対応したものがあり、制御部63は、この表記種類毎に適切な読み取り方法を設定する。
これら回転角度及び読み取り条件はレシピ情報としてメモリ部65に記憶される。
Further, the control unit 63 adjusts the amount of reflected light received by the imaging unit 61, the irradiation angle θ1 of the illumination unit 59, and the imaging angle θ2 of the imaging unit 61 to be appropriate optical conditions for reading the identification information W. The operations of the illumination unit 59 and the imaging unit 61 are controlled. In addition, there are methods for reading the identification information W that correspond to the respective types of characters, symbols, patterns, and the like that represent the identification information, and the control unit 63 sets an appropriate method for reading each type of the information. .
These rotation angles and reading conditions are stored in the memory unit 65 as recipe information.

また、制御部63は、撮像部61において撮像した拡大画像を画像処理して、識別情報Wを読み取る。すなわち、例えば、半導体ウエハSに表記された識別情報Wが、アルファベット、数字等からなる文字である場合には、制御部63において取得した拡大画像に適宜画像処理を施し、識別情報Wを文字データとして認識する。
読み取った識別情報Wの識別データは、半導体ウエハSを収納するウエハカセット3の各スロットに対応づけてメモリ部65に記憶される。
In addition, the control unit 63 performs image processing on the enlarged image captured by the imaging unit 61 and reads the identification information W. That is, for example, when the identification information W written on the semiconductor wafer S is a character composed of alphabets, numbers, etc., the enlarged image acquired by the control unit 63 is appropriately subjected to image processing, and the identification information W is converted into character data. Recognize as
The identification data of the read identification information W is stored in the memory unit 65 in association with each slot of the wafer cassette 3 that stores the semiconductor wafer S.

また、制御部63は、ウエハカセット3から取り出した各半導体ウエハSのノッチNを検出した際に、レシピ情報をメモリ部65から読み出し、このレシピ情報に基づいてウエハ保持部33、照射部59及び撮像部61の動作を制御すると共に、撮像部61により撮像された識別情報Wを画像処理して半導体ウエハSのエッジ欠陥や識別情報Wの読み取りを行う。ここで、制御部63は、識別情報Wを撮像部61で撮像する際に基準位置に対するウエハ保持部33の回転量が最小となるように、ウエハ保持部33の回転方向と回転量(回転角度)を求めて、ウエハ保持部33の動作を制御する。
なお、上記の動作において、撮像部61により識別情報Wが検出されない場合には、制御部63が光学条件や読み取り条件を再度設定し、別のレシピ情報としてメモリ部65に記憶させる。
Further, when detecting the notch N of each semiconductor wafer S taken out from the wafer cassette 3, the control unit 63 reads recipe information from the memory unit 65, and based on this recipe information, the wafer holding unit 33, the irradiation unit 59, and The operation of the imaging unit 61 is controlled, and the identification information W imaged by the imaging unit 61 is subjected to image processing to read edge defects and identification information W of the semiconductor wafer S. Here, the control unit 63 rotates the rotation direction and rotation amount (rotation angle) of the wafer holding unit 33 so that the rotation amount of the wafer holding unit 33 with respect to the reference position is minimized when the identification information W is imaged by the imaging unit 61. ) And the operation of the wafer holding unit 33 is controlled.
In the above operation, when the identification information W is not detected by the imaging unit 61, the control unit 63 sets the optical conditions and the reading conditions again and stores them in the memory unit 65 as other recipe information.

モニタ55の画面には、図4に示すように、撮像部61により撮像された拡大画像を表示する画像表示領域71及び前述の識別データを表示する識別データ表示欄73が設けられている。この識別データ表示欄73には、撮像部61により読み取られた半導体ウエハSの識別データが表示される。
なお、制御部63が識別情報Wを誤って認識した場合や識別情報Wを認識できなかった場合には、検査者Mが画像表示領域71に表示された識別情報Wを視認し、操作部53において識別情報Wを識別データ表示欄73に入力できる。
As shown in FIG. 4, the screen of the monitor 55 is provided with an image display area 71 for displaying an enlarged image captured by the imaging unit 61 and an identification data display column 73 for displaying the above-described identification data. In the identification data display column 73, the identification data of the semiconductor wafer S read by the imaging unit 61 is displayed.
If the control unit 63 recognizes the identification information W by mistake or fails to recognize the identification information W, the inspector M visually recognizes the identification information W displayed in the image display area 71 and operates the operation unit 53. The identification information W can be input to the identification data display field 73.

また、モニタ55には、ウエハカセット3における各半導体ウエハSの収納位置を示すスロット番号(図示例では、1番から25番)に対応する識別データを表示する識別データ一覧表示領域75が設けられている。なお、識別データを表示する識別データ一覧表示領域75の各欄の色は、識別データの読み取りの前後で変化するようになっており、ウエハカセット3毎に各半導体ウエハの識別データの読み取り状態を識別することができる。
これらウエハID撮像モジュール57と、制御部63と、メモリ部65と、ミクロ検査部25のウエハ保持部33と、制御ユニット51の操作部53及びモニタ55とにより半導体ウエハSの識別情報Wを読み取るウエハID読取ユニット(ウエハID読取装置)が構成されている。
In addition, the monitor 55 is provided with an identification data list display area 75 for displaying identification data corresponding to the slot number (1 to 25 in the illustrated example) indicating the storage position of each semiconductor wafer S in the wafer cassette 3. ing. The color of each column of the identification data list display area 75 for displaying the identification data changes before and after the identification data is read, and the identification data reading state of each semiconductor wafer is changed for each wafer cassette 3. Can be identified.
The identification information W of the semiconductor wafer S is read by the wafer ID imaging module 57, the control unit 63, the memory unit 65, the wafer holding unit 33 of the micro inspection unit 25, the operation unit 53 and the monitor 55 of the control unit 51. A wafer ID reading unit (wafer ID reading device) is configured.

次に、上記のように構成された基板検査装置1の動作について説明する。
ここでは、半導体ウエハSの欠陥検査を行う前に識別情報の読み取りを実施するためのレシピ情報の作成を行う。すなわち、図5に示すように、ウエハカセット3内に収納された半導体ウエハSは、ウエハ搬送ロボット11及び回転搬送部27により、マクロ検査部23を経由してミクロ検査部25のウエハ受け渡し位置P3に搬送される(ステップS1)。
そして、ミクロ検査部25の位置検出センサ29により検出された半導体ウエハSのエッジ位置の検出結果に基づいてアライメント補正を行う(ステップS2)。次いで、ウエハID撮像モジュール57により半導体ウエハSのノッチNの検出を行い、ノッチNを基準位置に合わせる(ステップS3)。これらステップS1〜S3は、半導体ウエハSを複数収納したウエハカセット3から取り出して基準位置に配する工程を示している。
Next, the operation of the substrate inspection apparatus 1 configured as described above will be described.
Here, recipe information for reading the identification information is created before the defect inspection of the semiconductor wafer S is performed. That is, as shown in FIG. 5, the semiconductor wafer S accommodated in the wafer cassette 3 is transferred by the wafer transfer robot 11 and the rotary transfer unit 27 via the macro inspection unit 23 to the wafer transfer position P3 of the micro inspection unit 25. (Step S1).
Then, alignment correction is performed based on the detection result of the edge position of the semiconductor wafer S detected by the position detection sensor 29 of the micro inspection unit 25 (step S2). Next, the notch N of the semiconductor wafer S is detected by the wafer ID imaging module 57, and the notch N is adjusted to the reference position (step S3). These steps S1 to S3 show a process of taking out a plurality of semiconductor wafers S from a wafer cassette 3 and storing them at a reference position.

その後、この基準位置からウエハ保持部33を一方向に回転させ、撮像部61により識別情報W(ウエハID)を検出したときのウエハ保持部33の回転角度に基づいて、識別情報Wの位置から基準位置までの距離を求める(ステップS4)。
そして、照明部59や撮像部61を動作させて識別情報Wの読み取りに適切な光学条件を調整し(ステップS5)、基準位置から識別情報Wまでの距離(回転角度)、及び、光学条件等の読み取り条件をレシピ情報としてメモリ部65に記憶し(ステップS6)、識別情報の読み取りを実施するレシピ情報の作成が終了する。
Thereafter, the wafer holding unit 33 is rotated in one direction from the reference position, and based on the rotation angle of the wafer holding unit 33 when the identification information W (wafer ID) is detected by the imaging unit 61, the position of the identification information W is determined. The distance to the reference position is obtained (step S4).
Then, the optical unit appropriate for reading the identification information W is adjusted by operating the illumination unit 59 and the imaging unit 61 (step S5), the distance (rotation angle) from the reference position to the identification information W, the optical condition, and the like. Are stored in the memory unit 65 as recipe information (step S6), and the creation of recipe information for reading the identification information is completed.

そして、このレシピ情報の作成終了後に、半導体ウエハSの欠陥検査を行う。すなわち、ウエハ搬送ロボット11により未検査の半導体ウエハSをウエハカセット3内から取り出して、回転搬送部27のハンド44a〜44cとの間で半導体ウエハSの受け渡しを行うウエハ搬入位置P1に搬送する。ウエハ搬入位置P1に半導体ウエハSが配された際には、位置検出センサ45〜48により検出された半導体ウエハSのエッジ位置の検出結果に基づいて、ハンド44a〜44cに対する半導体ウエハSの中心ずれのずれ量を算出する。そして、このずれ量に基づいてウエハ搬送ロボット11を移動させて、ハンド44a〜44cに対する半導体ウエハSの中心ずれを概略補正する。   Then, after completion of the recipe information creation, the semiconductor wafer S is inspected for defects. That is, an uninspected semiconductor wafer S is taken out of the wafer cassette 3 by the wafer transfer robot 11 and transferred to the wafer carry-in position P1 where the semiconductor wafer S is transferred to and from the hands 44a to 44c of the rotary transfer unit 27. When the semiconductor wafer S is arranged at the wafer carry-in position P1, the center deviation of the semiconductor wafer S with respect to the hands 44a to 44c is based on the detection result of the edge position of the semiconductor wafer S detected by the position detection sensors 45 to 48. The amount of deviation is calculated. Then, the wafer transfer robot 11 is moved based on the amount of deviation, and the center deviation of the semiconductor wafer S with respect to the hands 44a to 44c is roughly corrected.

この補正終了後には、半導体ウエハSはウエハ搬送ロボット11から回転搬送部27のハンド44a〜44cに受け渡され、回転搬送部27の回転によりウエハ搬入位置P1からマクロ検査位置P2まで移動する。そして、半導体ウエハSはハンド44a〜44cからマクロ検査部23に受け渡され、マクロ検査部23において半導体ウエハSのマクロ検査が行われる。このマクロ検査終了後、半導体ウエハSはマクロ検査部23からハンド44a〜44cに受け渡され、図6に示すように、回転搬送部27の回転によりマクロ検査位置P2からミクロ検査部25とのウエハ受け渡し位置P3まで移動する(ステップS11)。   After completion of the correction, the semiconductor wafer S is transferred from the wafer transfer robot 11 to the hands 44a to 44c of the rotary transfer unit 27, and moves from the wafer carry-in position P1 to the macro inspection position P2 by the rotation of the rotary transfer unit 27. Then, the semiconductor wafer S is transferred from the hands 44 a to 44 c to the macro inspection unit 23, and the macro inspection of the semiconductor wafer S is performed in the macro inspection unit 23. After completion of the macro inspection, the semiconductor wafer S is transferred from the macro inspection section 23 to the hands 44a to 44c, and the wafer between the macro inspection position P2 and the micro inspection section 25 is rotated by the rotation of the rotary conveyance section 27 as shown in FIG. It moves to the delivery position P3 (step S11).

そして、前述のステップS2と同様に、ミクロ検査部25の位置検出センサ29により検出された半導体ウエハSのエッジ位置の検出結果に基づいて高精度のアライメント補正を行い、半導体ウエハSをウエハ保持部33の正規位置に配する(ステップS12)。また、ステップS3と同様に、ウエハID撮像モジュールにより半導体ウエハSのノッチNの検出を行い、基準位置に合わせる(ステップS13)。
その後、メモリ部65に記憶されたレシピ情報に基づいてウエハ保持部33を回転させたり、照明部59及び撮像部61を動作させて、撮像部61により識別情報Wを含む半導体ウエハSの拡大画像を撮像すると共に、この拡大画像に基づいて識別情報Wを識別データとして読み取る(ステップS14)。そして、取得した拡大画像及び識別データをモニタ55に表示する(ステップS15)と共に、識別データに基づいて制御部63がミクロ検査の検査対象となる半導体ウエハSであるかどうかを判別する(ステップS16)。
Then, similarly to step S2 described above, high-precision alignment correction is performed based on the detection result of the edge position of the semiconductor wafer S detected by the position detection sensor 29 of the micro inspection unit 25, and the semiconductor wafer S is moved to the wafer holding unit. It arrange | positions to the regular position of 33 (step S12). Further, similarly to step S3, the notch N of the semiconductor wafer S is detected by the wafer ID imaging module and is adjusted to the reference position (step S13).
Thereafter, the wafer holding unit 33 is rotated based on the recipe information stored in the memory unit 65 or the illumination unit 59 and the imaging unit 61 are operated, and the imaging unit 61 enlarges the image of the semiconductor wafer S including the identification information W. And the identification information W is read as identification data based on the enlarged image (step S14). The obtained enlarged image and identification data are displayed on the monitor 55 (step S15), and based on the identification data, it is determined whether or not the control unit 63 is a semiconductor wafer S to be inspected for micro inspection (step S16). ).

ここで、制御部63が、検査対象の半導体ウエハSであると判断した場合には、XYステージ35を半導体ウエハSの表面に沿う方向に走査させて顕微鏡31により半導体ウエハSの拡大し、その拡大画像をモニタ55に表示したり、接眼レンズ39を通して観察するミクロ検査を行う(ステップS17)。そして、この検査後に、ウエハ搬送ロボット11及び回転搬送部27により半導体ウエハSをミクロ検査部25とのウエハ受け渡し位置P3からウエハカセット3に搬送して(ステップS18)半導体ウエハSの欠陥検査が終了する。
また、ステップS16において、制御部63が検査対象の半導体ウエハSではないと判断した場合には、ステップS17を実施せずにステップS18を行い、半導体ウエハSの欠陥検査を終了する。
なお、ステップS11〜ステップS18の動作は、ウエハカセット3に収納された同品種の半導体ウエハSに対して順次同様に行われる。
Here, when the control unit 63 determines that the semiconductor wafer S is an inspection target, the XY stage 35 is scanned in a direction along the surface of the semiconductor wafer S, and the microscope 31 expands the semiconductor wafer S. A micro inspection for displaying an enlarged image on the monitor 55 or observing through the eyepiece lens 39 is performed (step S17). After this inspection, the semiconductor wafer S is transferred from the wafer transfer position P3 with the micro inspection unit 25 to the wafer cassette 3 by the wafer transfer robot 11 and the rotary transfer unit 27 (step S18), and the defect inspection of the semiconductor wafer S is completed. To do.
If the controller 63 determines in step S16 that the semiconductor wafer S is not the inspection target, step S18 is performed without performing step S17, and the defect inspection of the semiconductor wafer S is completed.
Note that the operations in steps S11 to S18 are sequentially performed in the same manner on the same types of semiconductor wafers S stored in the wafer cassette 3.

上記のように、この基板検査装置1に設けられたウエハID読取ユニット、及びウエハID読取方法によれば、基準位置からの移動量が等しい位置に識別情報Wを表記した同品種の半導体ウエハSをウエハカセット3から取り出してウエハ保持部33の基準位置に配した際に、メモリ部65に記憶されたレシピ情報に基づいて識別情報Wを含む半導体ウエハSの表面SaがウエハID撮像モジュール57の撮影領域内に入るように、ウエハ保持部33により画像取得手段に対して半導体ウエハを移動させる。このため、ウエハID撮像モジュール57に対する半導体ウエハSの移動を最小限に抑えることができる、
また、このレシピ情報に基づいて識別情報Wを読み取る適切な読み取り条件となるように、照明部59や撮像部61の動作を制御するため、各半導体ウエハSの識別情報Wを読み取る毎に読み取り条件を調整する必要も無くなる。したがって、短時間で複数の半導体ウエハSの識別情報Wを読み取ることができる。
As described above, according to the wafer ID reading unit and the wafer ID reading method provided in the substrate inspection apparatus 1, the same type of semiconductor wafer S in which the identification information W is written at the position where the movement amount from the reference position is equal. Is taken out from the wafer cassette 3 and placed at the reference position of the wafer holding unit 33, the surface Sa of the semiconductor wafer S including the identification information W based on the recipe information stored in the memory unit 65 becomes the surface of the wafer ID imaging module 57. The wafer holding unit 33 moves the semiconductor wafer relative to the image acquisition means so as to enter the imaging region. For this reason, the movement of the semiconductor wafer S with respect to the wafer ID imaging module 57 can be minimized.
Also, every time the identification information W of each semiconductor wafer S is read, the operation of the illumination unit 59 and the imaging unit 61 is controlled so that the appropriate reading conditions for reading the identification information W based on the recipe information are obtained. There is no need to adjust. Therefore, the identification information W of the plurality of semiconductor wafers S can be read in a short time.

さらに、識別情報Wを含む半導体ウエハSの拡大画像及び識別データをモニタ57に表示させることにより、抽出した識別データと識別情報Wを含む拡大画像を同時に視認できるため、表記された識別情報Wを誤って読み取ることを確実に防止できる。
特に、基板検査装置1においては、表記された識別情報Wを正しく認識することができるため、検査対象外の半導体ウエハSの検査実施を確実に防いで半導体ウエハSの検査効率を向上させることができる。
また、モニタ55には、識別データ一覧表示領域75が設けられているため、ウエハカセット3毎に各半導体ウエハの識別情報の読み取り状態を識別でき、検査者Mがウエハカセット3毎に識別情報Wの読み取りの進行状況を容易に把握することができる。
Furthermore, since the enlarged image of the semiconductor wafer S including the identification information W and the identification data are displayed on the monitor 57, the extracted identification data and the enlarged image including the identification information W can be viewed at the same time. It is possible to reliably prevent erroneous reading.
In particular, the substrate inspection apparatus 1 can correctly recognize the written identification information W, so that the inspection of the semiconductor wafer S not subject to inspection can be reliably prevented and the inspection efficiency of the semiconductor wafer S can be improved. it can.
Further, since the monitor 55 is provided with the identification data list display area 75, the reading state of the identification information of each semiconductor wafer can be identified for each wafer cassette 3, and the inspector M can identify the identification information W for each wafer cassette 3. The progress of reading can be easily grasped.

なお、上記の実施の形態においては、撮像部61が、一次元CCD(ラインセンサカメラ)からなるとしたが、少なくとも半導体ウエハSの表面Saを拡大して撮像すると共に、ノッチNや識別情報Wを検出できるものであればよく、例えば、二次元CCDセンサやタイムディレーカメラ(TDIカメラ)からなるとしてもよい。
また、半導体ウエハSのエッジ部分に形成された位置決め用切欠部の検出は、撮像部61において行われるとしたが、これに限ることはなく、例えば、ウエハ受け渡し位置P3に配された位置検出センサ29において行うとしても構わない。この構成においては、位置検出センサ29においてノッチNを検出した際に、この検出結果を制御部63に出力すればよい。なお、上記の構成では、位置検出センサ29もウエハID撮像モジュール57の一部としてウエハID読取ユニットの構成に含まれる。
In the above embodiment, the imaging unit 61 is composed of a one-dimensional CCD (line sensor camera). However, at least the surface Sa of the semiconductor wafer S is enlarged and imaged, and the notch N and the identification information W are displayed. Any device can be used as long as it can be detected, for example, a two-dimensional CCD sensor or a time delay camera (TDI camera).
In addition, the detection of the positioning notch formed in the edge portion of the semiconductor wafer S is performed in the imaging unit 61, but the present invention is not limited to this. For example, a position detection sensor disposed at the wafer delivery position P3 29 may be performed. In this configuration, when the position detection sensor 29 detects the notch N, the detection result may be output to the control unit 63. In the above configuration, the position detection sensor 29 is also included in the configuration of the wafer ID reading unit as a part of the wafer ID imaging module 57.

さらに、半導体ウエハSのノッチNの位置を識別情報Wの表記位置を検出するための基準位置とするとしたが、これに限ることはなく、例えば、半導体ウエハSのエッジ部分に形成される位置決め用切欠部としてオリエンテーションフラットの中心位置を前記基準位置としても構わない。
また、ウエハID撮像モジュール57は、半導体ウエハSの表面Saに表記された識別情報Wを撮像するように構成されているとしたが、これに限ることはなく、半導体ウエハSの裏面に形成された識別情報Wを撮像するように構成されるとしてもよい。
Further, the position of the notch N of the semiconductor wafer S is set as a reference position for detecting the notation position of the identification information W. However, the present invention is not limited to this. For example, for positioning formed at the edge portion of the semiconductor wafer S The center position of the orientation flat may be used as the reference position as the notch.
Further, the wafer ID imaging module 57 is configured to image the identification information W written on the front surface Sa of the semiconductor wafer S. However, the present invention is not limited to this, and is formed on the back surface of the semiconductor wafer S. The identification information W may be configured to be imaged.

さらに、ウエハID撮像モジュール57は、ウエハ受け渡し位置P3に配されるとしたが、これに限ることはなく、少なくとも半導体ウエハSを水平に載置して回転する回転機構を備えたウエハ保持部であればよい。例えば、基板検査装置1や露光装置等の半導体ウエハ処理装置に別途アライメントを行うアライナーを新たに設け、このアライナーにウエハID撮像モジュール57を設けるとしてもよい。   Further, the wafer ID imaging module 57 is arranged at the wafer delivery position P3. However, the present invention is not limited to this, and at least a wafer holding unit provided with a rotating mechanism for horizontally placing and rotating the semiconductor wafer S. I just need it. For example, an aligner for performing separate alignment may be newly provided in the semiconductor wafer processing apparatus such as the substrate inspection apparatus 1 or the exposure apparatus, and the wafer ID imaging module 57 may be provided on the aligner.

また、拡大画像から抽出した識別データは、モニタ55への表示やミクロ検査の要否判定に使用することに限ることはない。すなわち、例えば、ウエハカセット3の各スロットに収納された各半導体ウエハSの識別データが予め分かっている場合には、拡大画像から抽出した識別データを、所定のスロット番号に対応する識別データと制御部63において対比させても構わない。この場合には、制御部63による識別データの誤認識を確実に防止することができる。   Further, the identification data extracted from the enlarged image is not limited to being used for display on the monitor 55 and determination of necessity of micro inspection. That is, for example, when the identification data of each semiconductor wafer S accommodated in each slot of the wafer cassette 3 is known in advance, the identification data extracted from the enlarged image is controlled with the identification data corresponding to the predetermined slot number. You may make it contrast in the part 63. FIG. In this case, erroneous recognition of identification data by the control unit 63 can be reliably prevented.

さらに、半導体ウエハSのレシピ情報をメモリ部65に記憶させるステップS6を実行した後に、半導体ウエハSをウエハカセット3に搬送するとしたが、これに限ることはなく、例えば、ステップS14〜S17の各工程を適宜実行してから、半導体ウエハSをウエハカセット3に搬送するとしてもよい。
また、マクロ検査終了後に識別情報Wの読み取りを行うとしたが、これに限ることはなく、マクロ検査を行う前に識別情報Wの読み取りを行うとしても構わない。この場合には、基板検査装置1における半導体ウエハSの検査効率をさらに向上させることができる。
さらに、ウエハID読取ユニットは、基板検査装置1に含まれるとしたが、これに限ることはなく、例えば、半導体を製造する露光装置等の半導体ウエハ処理装置に含まれるとしてもよいし、単独でウエハID読取装置を構成するとしても構わない。
Furthermore, the semiconductor wafer S is transferred to the wafer cassette 3 after executing step S6 for storing the recipe information of the semiconductor wafer S in the memory unit 65. However, the present invention is not limited to this. For example, each of steps S14 to S17 is performed. The semiconductor wafer S may be transferred to the wafer cassette 3 after appropriately performing the process.
Although the identification information W is read after the macro inspection is completed, the present invention is not limited to this, and the identification information W may be read before the macro inspection. In this case, the inspection efficiency of the semiconductor wafer S in the substrate inspection apparatus 1 can be further improved.
Furthermore, although the wafer ID reading unit is included in the substrate inspection apparatus 1, the present invention is not limited to this. For example, the wafer ID reading unit may be included in a semiconductor wafer processing apparatus such as an exposure apparatus for manufacturing a semiconductor, or alone. A wafer ID reader may be configured.

以上、本発明の実施形態について図面を参照して詳述したが、具体的な構成はこの実施形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更等も含まれる。   As mentioned above, although embodiment of this invention was explained in full detail with reference to drawings, the concrete structure is not restricted to this embodiment, The design change etc. of the range which does not deviate from the summary of this invention are included.

この発明の一実施形態に係る基板検査装置を示す概略平面図である。It is a schematic plan view which shows the board | substrate inspection apparatus which concerns on one Embodiment of this invention. 図1の基板検査装置に含まれるウエハID読取ユニットの構成を示す概略斜視図である。It is a schematic perspective view which shows the structure of the wafer ID reading unit contained in the board | substrate inspection apparatus of FIG. 図1の基板検査装置の回路構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the circuit structure of the board | substrate inspection apparatus of FIG. 図2のウエハID読取装置において、半導体ウエハの拡大画像及び識別データを表示したモニタの画面を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a monitor screen on which an enlarged image and identification data of a semiconductor wafer are displayed in the wafer ID reading apparatus of FIG. 2. 図1の基板検査装置において、識別情報を読み取るためのレシピ情報を作成する手順を示すフローチャートである。2 is a flowchart showing a procedure for creating recipe information for reading identification information in the substrate inspection apparatus of FIG. 1. 図1の基板検査装置において、半導体ウエハの検査手順を示すフローチャートである。2 is a flowchart illustrating a semiconductor wafer inspection procedure in the substrate inspection apparatus of FIG. 1.

符号の説明Explanation of symbols

3 ウエハカセット(収納体)
29 位置検出センサ
33 ウエハ保持部
57 ウエハID撮像モジュール(画像取得手段)
61 撮像部(位置検出センサ)
63 制御部(制御手段)
65 メモリ部(記憶手段)
S 半導体ウエハ
N ノッチ(位置決め用切欠部)
W 識別情報

3 Wafer cassette (container)
29 Position Detection Sensor 33 Wafer Holding Unit 57 Wafer ID Imaging Module (Image Acquisition Unit)
61 Imaging unit (position detection sensor)
63 Control unit (control means)
65 Memory part (storage means)
S Semiconductor wafer N Notch (notch for positioning)
W Identification information

Claims (5)

半導体ウエハを複数収納した収納体から取り出された前記半導体ウエハのエッジ部分に表記された識別情報を読み取るウエハID読取装置であって、
前記収納体から取り出された前記半導体ウエハを保持して回転させるウエハ保持部と、
前記ウエハ保持部に保持された前記半導体ウエハのエッジ部分を撮像する画像取得手段と、
前記半導体ウエハのエッジ部分に形成された位置決め用切欠部を検出する位置検出センサと、
前記位置検出センサにより検出された前記位置決め用切欠部の中心位置から前記画像取得手段により撮像された前記識別情報の表記位置までの距離を求め、この距離に基づいて前記識別情報が前記画像取得手段の撮像位置に位置決めされるように前記ウエハ保持部を回転制御する制御手段とを備えることを特徴とするウエハID読取装置。
A wafer ID reader for reading identification information written on an edge portion of the semiconductor wafer taken out from a storage body containing a plurality of semiconductor wafers,
A wafer holding unit for holding and rotating the semiconductor wafer taken out from the storage body;
Image acquisition means for imaging an edge portion of the semiconductor wafer held by the wafer holding unit;
A position detection sensor for detecting a positioning notch formed in an edge portion of the semiconductor wafer;
A distance from the center position of the positioning notch detected by the position detection sensor to the notation position of the identification information imaged by the image acquisition means is obtained, and the identification information is obtained based on this distance. And a control means for controlling the rotation of the wafer holder so as to be positioned at the imaging position.
前記制御手段は、前記位置検出センサにより検出された前記位置決め用切欠部の中心位置から前記画像取得手段により撮像された前記識別情報の表記位置までの距離を求め、前記距離データと、前記半導体ウエハの回転方向の基準位置とを予め記憶手段に記憶させることを特徴とする請求項1に記載のウエハID読取装置。   The control means obtains a distance from a center position of the positioning notch detected by the position detection sensor to a notation position of the identification information imaged by the image acquisition means, and the distance data and the semiconductor wafer 2. The wafer ID reading apparatus according to claim 1, wherein a reference position in the rotation direction is stored in advance in a storage means. 前記制御手段は、前記収納体から取り出した前記半導体ウエハを前記基準位置に配置する毎に前記記憶手段から前記距離データを読み出し、この距離データに基づいて前記識別情報が前記画像取得手段の撮像位置に位置決めされるように前記ウエハ保持部を回転制御することを特徴とする請求項2に記載のウエハID読取装置。   The control unit reads the distance data from the storage unit every time the semiconductor wafer taken out from the storage body is arranged at the reference position, and the identification information is based on the distance data based on the distance data. The wafer ID reading apparatus according to claim 2, wherein the wafer holding unit is rotationally controlled so as to be positioned on the wafer ID. 前記画像取得手段は、前記位置検出センサを兼用することを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載のウエハID読取装置。   4. The wafer ID reading apparatus according to claim 1, wherein the image acquisition unit also serves as the position detection sensor. 5. 半導体ウエハを複数収納した収納体から取り出してウエハ保持部に搬送する工程と、
前記ウエハ保持部に保持された前記半導体ウエハを回転させ、画像取得手段により前記半導体ウエハのエッジ部分に表記された識別情報を撮像する工程と、
前記ウエハ保持部に保持された前記半導体ウエハを回転させ、位置決めセンサにより前記半導体ウエハのエッジ部分に形成された位置決め用切欠部を検出する工程と、
前記位置検出センサにより検出された前記位置決め用切欠部の中心位置から、前記画像取得手段により撮像された前記識別情報の表記位置までの距離を求め、この距離データを記憶手段に記憶させる工程と、
前記収納体から取り出された各半導体ウエハが前記基準位置に配置される毎に、前記記憶手段から前記距離データを読み出し、この距離データに基づいて前記ウエハ保持部を回転制御して前記識別情報を前記画像取得手段の撮像位置に位置決めする工程とを備えることを特徴とするウエハID読取方法。

A step of taking out a plurality of semiconductor wafers from a storage body and transporting them to a wafer holder;
Rotating the semiconductor wafer held by the wafer holding unit, and imaging the identification information written on the edge portion of the semiconductor wafer by an image acquisition unit;
Rotating the semiconductor wafer held by the wafer holding unit and detecting a positioning notch formed in an edge portion of the semiconductor wafer by a positioning sensor;
Obtaining a distance from a center position of the positioning notch detected by the position detection sensor to a notation position of the identification information imaged by the image acquisition means, and storing the distance data in a storage means;
Each time each semiconductor wafer taken out from the storage body is placed at the reference position, the distance data is read from the storage means, and the wafer holding unit is rotationally controlled based on the distance data to obtain the identification information. A wafer ID reading method comprising: positioning at an imaging position of the image acquisition means.

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