JP2006261250A - Resistor paste, resistor and electronic component - Google Patents
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 44
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims abstract description 37
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 34
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims abstract description 31
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 29
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract description 17
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 8
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims 1
- 241000985905 Candidatus Phytoplasma solani Species 0.000 abstract 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 19
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 8
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 5
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- 229910016062 BaRuO Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910004121 SrRuO Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- SOGAXMICEFXMKE-UHFFFAOYSA-N Butylmethacrylate Chemical compound CCCCOC(=O)C(C)=C SOGAXMICEFXMKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 2
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241001175904 Labeo bata Species 0.000 description 2
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 2
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- HTUMBQDCCIXGCV-UHFFFAOYSA-N lead oxide Chemical compound [O-2].[Pb+2] HTUMBQDCCIXGCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 description 2
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOCCOC(C)=O VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- -1 B 2 O 3 Chemical class 0.000 description 1
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 229910000287 alkaline earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 239000002482 conductive additive Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000113 methacrylic resin Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N oxolead Chemical compound [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
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- Non-Adjustable Resistors (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Abstract
Description
本発明は、導電性材料、ガラス組成物及び添加物を含有する抵抗体ペーストに関するものであり、さらには、かかる抵抗体ペーストを用いて形成される抵抗体、電子部品に関する。 The present invention relates to a resistor paste containing a conductive material, a glass composition and an additive, and further relates to a resistor and an electronic component formed using the resistor paste.
例えば抵抗体ペーストは、一般に、抵抗値の調節及び結合性を与えるためのガラス組成物と、導電性材料と、有機ビヒクルとを主たる成分として構成されており、これを基板上に印刷した後、焼成することによって、厚さ5〜20μm程度の抵抗体が形成される。そして、この種の抵抗体ペースト(抵抗体)においては、通常、導電性材料として鉛ルテニウム酸化物等が用いられ、ガラス組成物として酸化鉛(PbO)系ガラス等が用いられている。 For example, a resistor paste is generally composed of a glass composition for adjusting a resistance value and imparting bonding properties, a conductive material, and an organic vehicle as main components, and after printing this on a substrate, By baking, a resistor having a thickness of about 5 to 20 μm is formed. In this type of resistor paste (resistor), lead ruthenium oxide or the like is usually used as the conductive material, and lead oxide (PbO) glass or the like is used as the glass composition.
近年、環境問題が盛んに議論されてきており、例えば半田材料等においては、鉛を除外することが求められている。抵抗体ペーストや抵抗体においても例外ではなく、したがって、環境に配慮した場合、前記のように導電性材料として鉛ルテニウム酸化物を使用することや、ガラス組成物としてPbO系ガラスを使用することは避けなければならない。 In recent years, environmental problems have been actively discussed. For example, in solder materials, it is required to exclude lead. Resistor paste and resistor are no exception. Therefore, in consideration of the environment, it is possible to use lead ruthenium oxide as a conductive material as described above, or to use PbO-based glass as a glass composition. Must be avoided.
このような状況から、鉛フリーの抵抗体ペースト、厚膜抵抗体についての研究が各方面でなされている。例えば特許文献1には、抵抗体ペーストに例えばCaTiO3を0vol%超、13vol%以下、若しくはNiOを0vol%超、12vol%以下含有させることが好ましく、さらにはCuO、ZnO、MgO等の添加物を同時に添加させることが好ましい旨の記述があり、それにより、高い抵抗値を有しながらも、抵抗値の温度特性(TCR)及び耐電圧特性(STOL)が小さい抵抗体を得ることに適した鉛フリーの抵抗体ペーストを提供することが可能である旨、記載されている。
ところで、鉛フリーの抵抗体において改善すべき課題として、前述のTCR及びSTOLに加えてノイズ特性の悪化が挙げられる。しかしながら、前記特許文献1においては、抵抗体のノイズ特性の問題を認識しておらず、当然ながらノイズ値を改善するための対策は全く講じられていない。 By the way, as a problem to be improved in the lead-free resistor, there is a deterioration in noise characteristics in addition to the above TCR and STOL. However, Patent Document 1 does not recognize the problem of the noise characteristics of the resistor, and naturally, no measures are taken to improve the noise value.
そこで本発明は、このような従来の実情に鑑みて提案されたものであり、抵抗値の温度特性(TCR)及び耐電圧特性(STOL)を確実に小さい値とするとともに、ノイズ特性の改善を図ることが可能な抵抗体ペーストを提供することを目的とする。また、本発明は、前記抵抗体ペーストを用いて作製された抵抗体、さらにはこの抵抗体を有する電子部品を提供することを目的とする。 Therefore, the present invention has been proposed in view of such a conventional situation, and the temperature characteristic (TCR) and the withstand voltage characteristic (STOL) of the resistance value are surely made small values, and the noise characteristic is improved. An object of the present invention is to provide a resistor paste that can be achieved. It is another object of the present invention to provide a resistor manufactured using the resistor paste, and further an electronic component having the resistor.
前述の目的を達成するために、本発明に係る抵抗体ペーストは、導電性材料、ガラス組成物及び添加物が有機ビヒクル中に分散されてなる抵抗体ペーストであって、前記添加物として、AXO3(式中Aは、Mg、Ca、Sr、Baから選ばれる少なくとも1種、、Xは、周期表IVb族(ただしPb及びSiを除く)の元素から選ばれる少なくとも1種である。)で示される複合酸化物を含有することを特徴とする。また、本発明に係る抵抗体ペーストは、導電性材料、ガラス組成物及び添加物が有機ビヒクル中に分散されてなる抵抗体ペーストであって、前記添加物として、AZ2O6(式中Aは、Mg、Ca、Sr、Baから選ばれる少なくとも1種、Zは5価の元素から選ばれる少なくとも1種である。)で示される複合酸化物を含有することを特徴とする。さらに、本発明に係る抵抗体は、前記抵抗体ペーストを用いて形成されたことを特徴とする。さらにまた、本発明に係る電子部品は、前記抵抗体を有することを特徴とする。 In order to achieve the above object, a resistor paste according to the present invention is a resistor paste in which a conductive material, a glass composition, and an additive are dispersed in an organic vehicle, and the additive includes AXO. 3 (wherein A is at least one selected from Mg, Ca, Sr and Ba, and X is at least one selected from elements of group IVb of the periodic table (excluding Pb and Si)). It is characterized by containing the complex oxide shown. The resistor paste according to the present invention is a resistor paste in which a conductive material, a glass composition and an additive are dispersed in an organic vehicle, and the additive includes AZ 2 O 6 (A Is at least one selected from Mg, Ca, Sr, and Ba, and Z is at least one selected from pentavalent elements). Furthermore, the resistor according to the present invention is formed using the resistor paste. Furthermore, an electronic component according to the present invention includes the resistor.
本発明では、Mg、Ca、Sr、Baから選ばれる少なくとも1種と周期表IVb族(ただしPb及びSiを除く)の元素Xとを含む複合酸化物AXO3、及び/又はMg、Ca、Sr、Baから選ばれる少なくとも1種と5価の元素とを含む複合酸化物AZ2O6を添加物として抵抗体ペーストに含有させる点に特徴がある。詳細なメカニズムは不明であるが、添加物としてAXO3及び/又はAZ2O6を用いることで、形成される抵抗体のTCR特性及びSTOL特性を確保しつつ、ノイズ特性の改善が実現される。 In the present invention, a composite oxide AXO 3 containing at least one selected from Mg, Ca, Sr, Ba and an element X of group IVb of the periodic table (excluding Pb and Si) and / or Mg, Ca, Sr The resistor paste includes a composite oxide AZ 2 O 6 containing at least one selected from Ba and a pentavalent element as an additive. Although the detailed mechanism is unknown, by using AXO 3 and / or AZ 2 O 6 as an additive, the noise characteristics can be improved while ensuring the TCR characteristics and STOL characteristics of the formed resistor. .
本発明の抵抗体ペーストを用いることで、鉛フリーの組成でありながら、TCR、STOL及びノイズ特性のいずれにおいても優れた抵抗体、並びに電子部品を形成することが可能である。 By using the resistor paste of the present invention, it is possible to form a resistor and an electronic component that are excellent in any of TCR, STOL, and noise characteristics while having a lead-free composition.
以下、本発明を適用した抵抗体ペースト、抵抗体及び電子部品の実施形態について、詳細に説明する。 Hereinafter, embodiments of a resistor paste, a resistor, and an electronic component to which the present invention is applied will be described in detail.
本発明の抵抗体ペーストは、ガラス組成物、導電性材料、及び添加物として、AXO3(式中Aは、Mg、Ca、Sr、Baから選ばれる少なくとも1種、Xは、周期表IVb族(ただしPb及びSiを除く)の元素から選ばれる少なくとも1種である。)で示される複合酸化物を含有し、これら成分からなる抵抗体組成物が有機ビヒクルと混合されてなるものである。 The resistor paste of the present invention includes a glass composition, a conductive material, and an additive as AXO 3 (wherein A is at least one selected from Mg, Ca, Sr, Ba, and X is group IVb of the periodic table). (However, it is at least one selected from the elements of Pb and Si). The resistor composition comprising these components is mixed with an organic vehicle.
また、本発明の抵抗体ペーストは、ガラス組成物、導電性材料、及び添加物として、AZ2O6(式中Aは、Mg、Ca、Sr、Baから選ばれる少なくとも1種、Zは5価の元素から選ばれる少なくとも1種である。)で示される複合酸化物を含有し、これら成分からなる抵抗体組成物が有機ビヒクルと混合されてなるものである。 In addition, the resistor paste of the present invention includes AZ 2 O 6 (wherein A is at least one selected from Mg, Ca, Sr, Ba, and Z is 5) as a glass composition, a conductive material, and an additive. At least one selected from valent elements), and a resistor composition comprising these components is mixed with an organic vehicle.
ここで、導電性材料は、絶縁体であるガラス組成物中に分散されることで、構造物である抵抗体に導電性を付与する役割を持つ。導電性材料としては、鉛を実質的に含まない鉛フリーの導電性材料を用いる。具体的にはRuを含む導電性材料、例えば、RuO2、またはRu複合酸化物を用いる。Ru複合酸化物としては、CaRuO3、SrRuO3、BaRuO3、Bi2Ru2O7から選ばれる1種若しくは2種以上が好ましい。 Here, the conductive material has a role of imparting conductivity to the resistor, which is a structure, by being dispersed in the glass composition that is an insulator. As the conductive material, a lead-free conductive material substantially free of lead is used. Specifically, a conductive material containing Ru, for example, RuO 2 or a Ru composite oxide is used. As the Ru composite oxide, one or more selected from CaRuO 3 , SrRuO 3 , BaRuO 3 , and Bi 2 Ru 2 O 7 are preferable.
ガラス組成物は、その組成は特に限定されないが、本発明では環境保全上、鉛を実質的に含まない鉛フリーのガラス組成物を用いることが好ましい。なお、本発明において、「鉛を実質的に含まない」とは、不純物レベルを越える鉛を含まないことを意味し、不純物レベルの量(例えば、ガラス組成物又は導電性材料中の含有量が0.05質量%以下程度)であれば含有されていてもよい趣旨である。鉛は、不可避不純物として極微量程度に含有されることがある。 The composition of the glass composition is not particularly limited, but in the present invention, it is preferable to use a lead-free glass composition that does not substantially contain lead for environmental protection. In the present invention, “substantially free of lead” means not containing lead exceeding the impurity level, and the amount of the impurity level (for example, the content in the glass composition or the conductive material is If it is about 0.05% by mass or less), it may be contained. Lead may be contained in a trace amount as an inevitable impurity.
ガラス組成物は、抵抗体とされたとき、抵抗体中で導電性材料及び添加物を基板と結着させる役割を持つ。ガラス組成物としては、原料である修飾酸化物成分、網目形成酸化物成分等を混合し、ガラス化したものを用いることができ、特に、主たる修飾酸化物成分として、アルカリ土類金属の酸化物、具体的にはCaO、SrO、BaOから選ばれる1種若しくは2種以上を用いた、いわゆるCaO系ガラスが好適である。 When the glass composition is a resistor, it has a role of binding the conductive material and the additive to the substrate in the resistor. As the glass composition, it is possible to use a material obtained by mixing a raw material modified oxide component, a network-forming oxide component, etc., and vitrifying it. In particular, as a main modified oxide component, an alkaline earth metal oxide is used. Specifically, so-called CaO-based glass using one or more selected from CaO, SrO, and BaO is preferable.
前記ガラス組成物におけるその他の成分であるが、網目形成酸化物成分としては、B2O3及びSiO2を挙げることができる。 But with the other ingredients in the glass composition, as a network-forming oxide component may include B 2 O 3 and SiO 2.
また、前記主たる修飾酸化物成分の他、その他の修飾酸化物成分として、任意の金属酸化物を用いることができる。具体的な金属酸化物としては、例えばZrO2、Al2O3、ZnO、CuO、NiO、CoO、MnO、Cr2O3、V2O5、MgO、Li2O、Na2O、K2O、TiO2、SnO2、Y2O3、Fe2O3、MnO2、Mn3O4、Ta2O5、Nb2O5、Sc2O3、In2O3等を挙げることができ、これらから選ばれる1種若しくは2種以上を用いればよい。 In addition to the main modified oxide component, any other metal oxide can be used as another modified oxide component. Specific examples of the metal oxide include ZrO 2 , Al 2 O 3 , ZnO, CuO, NiO, CoO, MnO, Cr 2 O 3 , V 2 O 5 , MgO, Li 2 O, Na 2 O, and K 2. O, can be mentioned TiO 2, SnO 2, Y 2 O 3, Fe 2 O 3, MnO 2, Mn 3 O 4, ta2O 5, Nb 2 O 5, Sc 2 O 3, In 2 O 3 or the like, One or more selected from these may be used.
ガラス組成物の各成分は、抵抗体の抵抗値に応じて選択することができる。 Each component of the glass composition can be selected according to the resistance value of the resistor.
本発明では、添加物として、AXO3(式中Aは、Mg、Ca、Sr、Baから選ばれる少なくとも1種、Xは、周期表IVb族(ただしPb及びSiを除く)の元素から選ばれる少なくとも1種である。)で示される複合酸化物(以下、単にAXO3と称する。)、又はAZ2O6(式中Aは、Mg、Ca、Sr、Baから選ばれる少なくとも1種、Zは5価の元素から選ばれる少なくとも1種である。)で示される複合酸化物(以下、単にAZ2O6と称する。)を用いることが大きな特徴点である。 In the present invention, as an additive, AXO 3 (wherein A is at least one selected from Mg, Ca, Sr, Ba, and X is selected from elements of group IVb of the periodic table (excluding Pb and Si)). At least one compound oxide (hereinafter simply referred to as AXO 3 ), or AZ 2 O 6 (wherein A is at least one selected from Mg, Ca, Sr and Ba, Z Is a composite oxide (hereinafter simply referred to as AZ 2 O 6 ), which is a great feature point.
先ず、AXO3について説明する。本発明では、式中Xとして、周期表IVb族であるSn、Ge、Cから選ばれる少なくとも1種を用いる必要がある。なお、周期表IVb族に属するが、Siはガラス中に網目形成酸化物として多量に含まれており抵抗体の特性に支障を来すおそれがあるためである。また、式中XとしてSiを用いる場合ノイズ特性改善効果を得ることができない。Pbの使用は、実質的に鉛を含まない鉛フリーの抵抗体を得る観点で不適当である。したがって本発明では、元素Xとして、Sn、Ge、Cからなる群から選択して用いる必要がある。なお、前記AXO3は、Mg、Ca、Sr、Baから選ばれる少なくとも1種の元素Aの酸化物AOと、周期表IVb族の元素Xの酸化物XO2(ただしPbO2、SiO2を除く)との複合酸化物と表すことができる。 First, AXO 3 will be described. In the present invention, as X in the formula, it is necessary to use at least one selected from Sn, Ge, and C, which are group IVb of the periodic table. Although belonging to group IVb of the periodic table, Si is contained in a large amount as a network-forming oxide in the glass, which may impair the characteristics of the resistor. In addition, when Si is used as X in the formula, the effect of improving noise characteristics cannot be obtained. The use of Pb is inappropriate from the viewpoint of obtaining a lead-free resistor substantially free of lead. Therefore, in the present invention, the element X needs to be selected from the group consisting of Sn, Ge, and C. Note that the AXO 3 is an oxide AO of at least one element A selected from Mg, Ca, Sr, and Ba, and an oxide XO 2 of an element X of group IVb of the periodic table (excluding PbO 2 and SiO 2 ). ) And a composite oxide.
また、前記AZ2O6中、5価の元素Zとしては、具体的には、Ta、Nb、Vが例示される。なお、前記AZ2O6は、Mg、Ca、Sr、Baから選ばれる少なくとも1種の元素Aの酸化物AOと、5価の元素Zの酸化物Z2O5との複合酸化物と表すことができる。 Specific examples of the pentavalent element Z in AZ 2 O 6 include Ta, Nb, and V. The AZ 2 O 6 is a composite oxide of an oxide AO of at least one element A selected from Mg, Ca, Sr, and Ba and an oxide Z 2 O 5 of a pentavalent element Z. be able to.
抵抗体ペーストは、前記AXO3及び/又は前記AZ2O6に加えて、添加物としての金属材料を含むことが好ましい。金属材料としては、Ag、Pd、Ag−Pd合金等、任意の導電性金属の微粒子等が使用可能であるが、特に、前記複合酸化物との組み合わせという観点からは、Agが最も好適である。複合酸化物と金属材料との組合せで抵抗体ペーストに添加することで、形成される抵抗体のヒートサイクルや熱安定性等を向上できる。 The resistor paste preferably includes a metal material as an additive in addition to the AXO 3 and / or the AZ 2 O 6 . As the metal material, fine particles of any conductive metal such as Ag, Pd, Ag—Pd alloy, etc. can be used. In particular, Ag is most suitable from the viewpoint of combination with the composite oxide. . By adding the composite oxide and the metal material to the resistor paste, the heat cycle, thermal stability, and the like of the formed resistor can be improved.
前記AXO3及び/又は前記AZ2O6と前記金属材料との併用により、他の添加物を用いなくてもTCRやSTOLを十分に改善することができるが、必要に応じて、他の添加物が含まれていてもよい。添加物としては、任意の金属酸化物を挙げることができるが、特に、CuOを併用することで、TCR、STOL、信頼性等をより一層改善することが可能である。 The combined use of the AXO 3 and / or the AZ 2 O 6 and the metal material can sufficiently improve TCR and STOL without using other additives. Things may be included. As the additive, any metal oxide can be mentioned, but in particular, by using CuO in combination, TCR, STOL, reliability and the like can be further improved.
また、添加物として、前記AXO3及び/又は前記AZ2O6とともに、Mg、Ca,Sr、Baから選ばれる少なくとも1種とTiとを含む複合酸化物を併用してもよい。Mg、Ca、Sr、Baから選ばれる少なくとも1種とTiとを含む複合酸化物とは、具体的にはBaTiO3、SrTiO3、CaTiO3、MgTiO3等である。 Further, as an additive, with the AXO 3 and / or the AZ 2 O 6, Mg, Ca , Sr, may be used in combination with complex oxide containing at least one of Ti selected from Ba. The composite oxide containing Ti and at least one selected from Mg, Ca, Sr, and Ba is specifically BaTiO 3 , SrTiO 3 , CaTiO 3 , MgTiO 3, and the like.
前述の抵抗体組成物は、有機ビヒクル中に分散することで抵抗体ペーストとされるが、抵抗体ペースト用の有機ビヒクルとしては、この種の抵抗体ペーストに用いられるものがいずれも使用可能であり、例えば、エチルセルロース、ポリビニルブチラール、メタクリル樹脂、ブチルメタクリレート等のバインダ樹脂と、ターピネオール、ブチルカルビトール、ブチルカルビトールアセテート、アセテート、トルエン、各種アルコール、キシレン等の溶剤とを混合して用いることができる。このとき、各種の分散剤や活性剤、可塑剤等を用途等に応じて適宜併用することも可能である。 The resistor composition described above is made into a resistor paste by being dispersed in an organic vehicle. However, any organic vehicle for resistor paste can be used for this type of resistor paste. Yes, for example, a binder resin such as ethyl cellulose, polyvinyl butyral, methacrylic resin, butyl methacrylate, and a solvent such as terpineol, butyl carbitol, butyl carbitol acetate, acetate, toluene, various alcohols, xylene may be used. it can. At this time, various dispersants, activators, plasticizers, and the like can be appropriately used in accordance with the application.
前記有機ビヒクルの配合比率であるが、抵抗体組成物の質量(W1)と、有機ビヒクルの質量(W2)の比率(W2/W1)が、0.25〜4(W2:W1=1:0.25〜1:4)であることが好ましい。より好ましくは、前記比率(W2/W1)が0.5〜2である。前記比率を外れると、抵抗体を例えば基板上に形成するのに適した粘度の抵抗体ペーストを得ることができなくなるおそれがある。 Although it is the compounding ratio of the said organic vehicle, the ratio (W2 / W1) of the mass (W1) of a resistor composition and the mass (W2) of an organic vehicle is 0.25-4 (W2: W1 = 1: 0). .25 to 1: 4). More preferably, the ratio (W2 / W1) is 0.5-2. If the ratio is outside the above range, a resistor paste having a viscosity suitable for forming a resistor on, for example, a substrate may not be obtained.
抵抗体を形成するには、前述の成分を含む抵抗体ペーストを例えば基板上にスクリーン印刷等の手法で印刷(塗布)し、850℃程度の温度で焼成すればよい。基板としては、Al2O3基板やBaTiO3基板の誘電体基板や、低温焼成セラミック基板、AlN基板等を用いることができる。基板形態としては、単層基板、複合基板、多層基板のいずれであってもよい。多層基板の場合、抵抗体は、表面に形成してもよいし、内部に形成してもよい。形成された抵抗体においては、前記抵抗体ペーストに含まれる抵抗体組成物の組成が、ほぼそのまま維持される。 In order to form the resistor, the resistor paste containing the above-described components may be printed (applied) on the substrate by a method such as screen printing and fired at a temperature of about 850 ° C. As the substrate, a dielectric substrate such as an Al 2 O 3 substrate or a BaTiO 3 substrate, a low-temperature fired ceramic substrate, an AlN substrate, or the like can be used. The substrate form may be any of a single layer substrate, a composite substrate, and a multilayer substrate. In the case of a multilayer substrate, the resistor may be formed on the surface or inside. In the formed resistor, the composition of the resistor composition contained in the resistor paste is maintained almost as it is.
抵抗体の形成に際しては、通常、基板に電極となる導電パターンを形成するが、この導電パターンは、例えば、AgやPt、Pd等を含むAg系の良導電材料を含む導電ペーストを印刷することにより形成することができる。また、形成した抵抗体の表面に、ガラス膜等の保護膜(オーバーグレーズ)を形成してもよい。 In forming the resistor, a conductive pattern to be an electrode is usually formed on the substrate, and this conductive pattern is printed with a conductive paste containing an Ag-based highly conductive material containing Ag, Pt, Pd, or the like, for example. Can be formed. Further, a protective film (overglaze) such as a glass film may be formed on the surface of the formed resistor.
本発明の抵抗体を適用可能な電子部品としては特に限定されないが、例えば単層または多層の回路基板、チップ抵抗器等の抵抗器、アイソレータ素子、C−R複合素子、モジュール素子の他、積層チップコンデンサ等のコンデンサやインダクタ等が挙げられ、コンデンサやインダクタ等の電極部分にも適用することができる。 The electronic component to which the resistor of the present invention can be applied is not particularly limited. For example, a single-layer or multi-layer circuit board, a resistor such as a chip resistor, an isolator element, a CR composite element, a module element, and a laminated layer Capacitors such as chip capacitors, inductors and the like can be mentioned, and the present invention can also be applied to electrode portions such as capacitors and inductors.
以下、本発明の具体的な実施例について、実験結果を基に説明する。 Hereinafter, specific examples of the present invention will be described based on experimental results.
<ガラス組成物の作製>
B2O3、SiO2、CaCO3、SrCO3、BaCO3、ZrO2、Ta2O5等の化合物を表1の組成となるように所定量秤量し、ボールミルにて混合した後、乾燥した。得られた粉末を5℃/分の速度で1300℃まで昇温し、その温度に1時間保持した後、水中に投入することによって急冷し、ガラス化した。得られたガラス化物をボールミルで粉砕し、ガラス組成物粉末を得た。得られたガラス粉末の組成を下記表1に示す。
<Preparation of glass composition>
A predetermined amount of a compound such as B 2 O 3 , SiO 2 , CaCO 3 , SrCO 3 , BaCO 3 , ZrO 2 , Ta 2 O 5 was weighed so as to have the composition shown in Table 1, mixed in a ball mill, and then dried. . The obtained powder was heated to 1300 ° C. at a rate of 5 ° C./min, held at that temperature for 1 hour, and then rapidly cooled by being put into water to be vitrified. The obtained vitrified product was pulverized with a ball mill to obtain a glass composition powder. The composition of the obtained glass powder is shown in Table 1 below.
<導電性材料、添加物>
導電性材料として、RuO2、CaRuO3、SrRuO3、BaRuO3を用いた。また、添加物として、BaNb2O6、SrNb2O6、CaNb2O6、MgNb2O6、BaSnO3、SrSnO3、CaSnO3、MgSnO3、BaTa2O6、BaV2O6、BaGeO3、BaCO3、BaTiO3、SrTiO3、CaTiO3、MgTiO3、CuO等を適宜選択して用いた。さらに、添加物として、Ag、Pd、Ag−Pd合金を適宜選択して用いた。
<Conductive materials and additives>
As the conductive material, RuO 2 , CaRuO 3 , SrRuO 3 , and BaRuO 3 were used. Further, as an additive, BaNb 2 O 6, SrNb 2 O 6, CaNb 2 O 6, MgNb 2 O 6, BaSnO 3, SrSnO 3, CaSnO 3, MgSnO 3, BaTa 2 O 6, BaV 2 O 6, BaGeO 3 BaCO 3 , BaTiO 3 , SrTiO 3 , CaTiO 3 , MgTiO 3 , CuO and the like were appropriately selected and used. Further, Ag, Pd, and Ag—Pd alloy were appropriately selected and used as additives.
<有機ビヒクルの作製>
バインダとしてエチルセルロース、有機溶剤としてテルピネオールを用い、有機溶剤を加熱撹拌しながらバインダを溶かして、有機ビヒクルを作製した。
<Preparation of organic vehicle>
Using ethyl cellulose as the binder and terpineol as the organic solvent, the binder was dissolved while heating and stirring the organic solvent to prepare an organic vehicle.
<抵抗体ペーストの作製>
導電性材料、ガラス組成物粉末、添加物及び有機ビヒクルを各組成となるように秤量し、3本ロールミルで混練し、抵抗体ペーストを得た。なお、導電性材料、ガラス組成物粉末、及び添加物の合計質量と有機ビヒクルの質量の比は、得られた抵抗体ペーストがスクリーン印刷に適した粘度となるように、質量比で1:0.25〜1:4の範囲で調合し、抵抗体ペーストを作製した。
<Preparation of resistor paste>
The conductive material, the glass composition powder, the additive and the organic vehicle were weighed so as to have each composition and kneaded with a three roll mill to obtain a resistor paste. The ratio of the total mass of the conductive material, the glass composition powder, and the additive to the mass of the organic vehicle is 1: 0 in mass ratio so that the obtained resistor paste has a viscosity suitable for screen printing. In the range of 25 to 1: 4, a resistor paste was prepared.
<抵抗体の作製>
96%のアルミナ基板上に、Ag−Pt導体ペーストを所定形状にスクリーン印刷して乾燥させた。Ag−Pt導体ペーストにおけるAgの割合は95質量%、Ptの割合は5質量%とした。このアルミナ基板をベルト炉に入れ、投入から排出まで1時間のパターンで焼き付けを行った。この時の焼き付け温度は850℃、その温度での保持時間は10分間とした。
<Fabrication of resistor>
On a 96% alumina substrate, the Ag—Pt conductor paste was screen-printed in a predetermined shape and dried. The Ag ratio in the Ag-Pt conductor paste was 95% by mass, and the Pt ratio was 5% by mass. This alumina substrate was placed in a belt furnace and baked in a pattern of 1 hour from charging to discharging. The baking temperature at this time was 850 ° C., and the holding time at that temperature was 10 minutes.
このようにして導体が形成されたアルミナ基板上に、先に作製した抵抗体ペーストをスクリーン印刷法にて所定の形状(1mm×1mmの方形状)のパターンで塗布し、乾燥した。その後、導体焼き付けと同じ条件で抵抗体ペーストを焼き付け、抵抗体を得た。 On the alumina substrate on which the conductor was formed in this manner, the resistor paste prepared previously was applied in a pattern of a predetermined shape (1 mm × 1 mm square shape) by screen printing and dried. Thereafter, the resistor paste was baked under the same conditions as the conductor baking to obtain a resistor.
<抵抗体の特性評価>
(1)抵抗値
Agilent Technologies 社製の製品番号 34401Aにより測定した。試料数24個の平均値を求めた。
<Evaluation of resistor characteristics>
(1) Resistance value
Measurement was performed with Agilent Technologies product number 34401A. The average value of 24 samples was determined.
(2)TCR
室温25℃を基準として、−55℃及び125℃へ温度を変えた時の抵抗値変化率を求めた。試料数10個の平均値である。−55℃、25℃、125℃の抵抗値をR-55、R25、R125(Ω/□)とおくと、CTCR及びHTCRは以下のように表される。
CTCR(ppm/℃)=[(R-55−R25)/R25/80]×1000000
HTCR(ppm/℃)=[(R125−R25)/R25/100]×1000000
CTCR及びHTCRのうち絶対値の大きい方をTCR値とした。TCR≦±100ppm/℃が特性の基準となる。
(2) TCR
The resistance value change rate when the temperature was changed to −55 ° C. and 125 ° C. was obtained based on the room temperature of 25 ° C. The average value of 10 samples. When resistance values of −55 ° C., 25 ° C., and 125 ° C. are R-55, R25, and R125 (Ω / □), CTCR and HTCR are expressed as follows.
CTCR (ppm / ° C) = [(R-55-R25) / R25 / 80] x 1000000
HTCR (ppm / ° C) = [(R125-R25) / R25 / 100] x 1000000
Of CTCR and HTCR, the larger absolute value was taken as the TCR value. TCR ≦ ± 100 ppm / ° C. is a standard for characteristics.
(3)STOL(短時間過負荷)
抵抗体に試験電圧を5秒間印加し、その前後における抵抗値の変化率を求めた。試料数10個の平均値である。試験電圧=2.5×定格電圧であり、定格電圧=√(R/4)、Rは抵抗値(Ω/□)である。計算した試験電圧が400Vを越える抵抗値を持つ抵抗体については、試験電圧を400Vにて行った。STOL≦±0.1%が特性の基準となる。
(3) STOL (short-time overload)
A test voltage was applied to the resistor for 5 seconds, and the change rate of the resistance value before and after that was determined. The average value of 10 samples. Test voltage = 2.5 × rated voltage, rated voltage = √ (R / 4), and R is a resistance value (Ω / □). For a resistor having a resistance value with a calculated test voltage exceeding 400V, the test voltage was 400V. STOL ≦ ± 0.1% is a reference for characteristics.
(4)ノイズ特性
Quan-Tech社製のmodel315cにより測定した。試料数10個の平均値を求めた。500kΩ〜1MΩレベルにおいて、15dB以下が特性の基準となる。なお、一般に、抵抗値が高くなるほどノイズ値が大となる傾向を示す。
(4) Noise characteristics
Measured with model315c manufactured by Quan-Tech. The average value of 10 samples was determined. At a level of 500 kΩ to 1 MΩ, 15 dB or less is a characteristic reference. In general, the noise value tends to increase as the resistance value increases.
<複合酸化物の検討>
前記抵抗体ペーストの作製に際して、ガラス組成物粉末1、CaRuO3を用いるとともに、添加物としてBaTiO3、BaNb2O6、BaTa2O6、BaV2O6、BaSnO3、BaGeO3、BaCO3、(Ba、Sr、Ca)(Nb、Ta)2O6、(Ba、Sr、Ca)(Sn、Si)O3、SrTiO3、SrNb2O6、SrSnO3、CaTiO3、CaNb2O6、CaSnO3、MgTiO3、MgNb2O6、MgSnO3、Ag、CuOから選択して用い、前記抵抗体の作製の項の記述にしたがって試料1〜試料18の抵抗体を作製した。各試料における抵抗体組成物の組成、及び特性評価結果を表2に示す。なお、以下の表においても同様であるが、本発明で規定する範囲から外れる試料等(比較例に相当する)には*印を付した。
<Examination of complex oxide>
In preparing the resistor paste, glass composition powder 1, CaRuO 3 is used, and BaTiO 3 , BaNb 2 O 6 , BaTa 2 O 6 , BaV 2 O 6 , BaSnO 3 , BaGeO 3 , BaCO 3 , (Ba, Sr, Ca) (Nb, Ta) 2 O 6 , (Ba, Sr, Ca) (Sn, Si) O 3 , SrTiO 3 , SrNb 2 O 6 , SrSnO 3 , CaTiO 3 , CaNb 2 O 6 , CaSnO 3, MgTiO 3, MgNb 2 O 6, MgSnO 3, Ag, using selected from CuO, to produce a resistor samples 1 18 as described in Preparation section of the resistor. Table 2 shows the composition of the resistor composition in each sample and the results of the characteristic evaluation. In the following table, the same applies, but samples and the like (corresponding to comparative examples) deviating from the range defined in the present invention are marked with *.
表2から、添加物としてBaと5価の元素とを含む複合酸化物AZ2O6を含有する試料2〜試料4、及びBaと周期表IVb族(ただしPb及びSiを除く)の元素とを含む複合酸化物AXO3を含有する試料5〜7は、TCR及びSTOLが良好な値を示すとともに、添加物としてBaTiO3を含有する試料1に比べて、ノイズ特性が良好な結果となっている。特にBaと5価の元素とを含む複合酸化物AZ2O6を含有する試料2〜試料4において、ノイズ特性の大幅な改善が図られている。また、試料8及び試料9に示すようにAZ2O6、AXO3で示す式中、A、X、Zとして複数種類の元素を用いる場合も、試料2〜試料7と同様にノイズ特性の改善効果を得ることができた。 From Table 2, Sample 2 to Sample 4 containing a complex oxide AZ 2 O 6 containing Ba and a pentavalent element as additives, and Ba and Group IVb group elements (except Pb and Si) and Samples 5 to 7 containing the composite oxide AXO 3 containing TCR and STOL have good values, and the noise characteristics are better than those of the sample 1 containing BaTiO 3 as an additive. Yes. In particular, in the samples 2 to 4 containing the complex oxide AZ 2 O 6 containing Ba and a pentavalent element, the noise characteristics are greatly improved. Also, as shown in Sample 8 and Sample 9, when multiple types of elements are used as A, X, and Z in the formulas represented by AZ 2 O 6 and AXO 3 , the noise characteristics are improved as in Samples 2 to 7. The effect was able to be acquired.
<導電性材料、ガラス組成物、添加物の検討>
前記抵抗体ペーストの作製に際して、下記表3に示す成分を選択して用い、前記抵抗体の作製の項の記述にしたがって試料19〜試料36の抵抗体を作製した。これら各試料における抵抗体組成物の組成、及び特性評価結果を表3に示す。
<Examination of conductive materials, glass compositions and additives>
In preparing the resistor paste, the components shown in Table 3 below were selected and used, and the resistors of Sample 19 to Sample 36 were manufactured according to the description in the section of manufacturing the resistor. Table 3 shows the composition of the resistor composition in each of these samples and the results of characteristic evaluation.
表3中、試料19〜試料24から、導電性材料としてRuO2、SrRuO3、BaRuO3を用いた場合も、CaRuO3を用いた場合と同様に、添加物としてAZ2O6等を含有することで、TCR及びSTOLを両立するとともに、ノイズ値の改善が図られている。 From Table 19 to Sample 24 in Table 3, when RuO 2 , SrRuO 3 , and BaRuO 3 are used as the conductive material, AZ 2 O 6 and the like are contained as an additive in the same manner as when CaRuO 3 is used. Thus, both TCR and STOL are achieved, and the noise value is improved.
また、試料25〜試料30から、組成中の修飾酸化物成分等を変化させた場合(ガラス組成物粉末2〜ガラス組成物粉末4)も、添加物としてAZ2O6等を含有することで、TCR及びSTOLを両立するとともに、ノイズ特性改善効果が得られている。 Further, from the sample 25 to sample 30, when changing the modified oxide component such as in the composition (glass composition powder 2 glass composition powder 4), as an additive that contain AZ 2 O 6, etc. , TCR and STOL are compatible, and an effect of improving noise characteristics is obtained.
さらに、抵抗体ペースト中に金属材料やその他の添加物としてCuOを含まない場合(試料31及び試料34)、添加物としてAgの代わりにPd及びAg−Pd合金を用いた場合(試料32及び試料33)、添加物としてAZ2O6とBaTiO3とを併用した場合(試料35)のいずれにおいても、本発明は有効であることが確認された。また、試料36に示すように、添加物としてAXO3とAZ2O6とを併用することも有効であった。 Furthermore, when the resistor paste does not contain CuO as a metal material or other additive (sample 31 and sample 34), when Pd and an Ag—Pd alloy are used as an additive instead of Ag (sample 32 and sample 34) 33) In any case where AZ 2 O 6 and BaTiO 3 are used in combination as an additive (sample 35), it was confirmed that the present invention is effective. As shown in Sample 36, it was also effective to use AXO 3 and AZ 2 O 6 in combination as additives.
Claims (6)
前記添加物として、AXO3(式中Aは、Mg、Ca、Sr、Baから選ばれる少なくとも1種、Xは、周期表IVb族(ただしPb及びSiを除く)の元素から選ばれる少なくとも1種である。)で示される複合酸化物を含有することを特徴とする抵抗体ペースト。 A resistor paste in which a conductive material, a glass composition and an additive are dispersed in an organic vehicle,
As the additive, AXO 3 (wherein A is at least one selected from Mg, Ca, Sr, Ba, and X is at least one selected from elements of group IVb of the periodic table (excluding Pb and Si)). A resistor paste comprising a composite oxide represented by
前記添加物として、AZ2O6(式中Aは、Mg、Ca、Sr、Baから選ばれる少なくとも1種、Zは5価の元素から選ばれる少なくとも1種である。)で示される複合酸化物を含有することを特徴とする抵抗体ペースト。 A resistor paste in which a conductive material, a glass composition and an additive are dispersed in an organic vehicle,
As the additive, composite oxidation represented by AZ 2 O 6 (wherein A is at least one selected from Mg, Ca, Sr, and Ba, and Z is at least one selected from pentavalent elements). A resistor paste characterized by containing an object.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2005073976A JP2006261250A (en) | 2005-03-15 | 2005-03-15 | Resistor paste, resistor and electronic component |
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Family
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP2005073976A Withdrawn JP2006261250A (en) | 2005-03-15 | 2005-03-15 | Resistor paste, resistor and electronic component |
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