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JP2006192399A - Photoresist coating method, resist pattern forming method, and master information carrier manufacturing method using the same - Google Patents

Photoresist coating method, resist pattern forming method, and master information carrier manufacturing method using the same Download PDF

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JP2006192399A
JP2006192399A JP2005008781A JP2005008781A JP2006192399A JP 2006192399 A JP2006192399 A JP 2006192399A JP 2005008781 A JP2005008781 A JP 2005008781A JP 2005008781 A JP2005008781 A JP 2005008781A JP 2006192399 A JP2006192399 A JP 2006192399A
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JP
Japan
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photoresist
pattern
substrate
formation region
forming
Prior art date
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Application number
JP2005008781A
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Japanese (ja)
Inventor
Nobuyuki Furumura
展之 古村
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for applying a photoresist which is used for forming a resist pattern on the surface of a substrate with high precision and to provide a method for forming the resist pattern by using the method for applying the photoresist and a method for manufacturing a master information carrier by which a pattern consisting of a ferromagnetic thin film and corresponding to an information signal can be formed on the master information carrier with high precision. <P>SOLUTION: This method for applying the photoresist, namely, for forming a thin film pattern of a preset shape on the surface of the substrate 11 comprises a step of forming a non-formation area 122, where the thin film pattern is not formed, continuously from the central part of the substrate 11 toward the outer peripheral part so that the thickness of a photoresist film 12 in a thin film pattern forming area 121 that the thin film pattern is formed is made thicker than that of the photoresist film in the non-formation area 122. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、真空排気して密着露光を行うフォトレジスト塗布方法、レジストパターン形成方法およびディジタル信号を磁気記録媒体に転写記録するために使用するマスター情報担体の製造方法に関する。   The present invention relates to a photoresist coating method in which contact exposure is performed by evacuation, a resist pattern forming method, and a master information carrier manufacturing method used for transferring and recording a digital signal on a magnetic recording medium.

現在、磁気記録再生装置は、小型でかつ大容量を実現するために、高記録密度化の開発が積極的に行われている。代表的な磁気記録再生装置であるハードディスクドライブの分野においては、すでに面記録密度が30Gbit/in(46.5Mbit/mm)を超える装置が商品化されており、数年後には、面記録密度が100Gbit/in(155Mbit/mm)の装置の実用化が予測されるほど急激に技術が進歩している。 Currently, in order to realize a small size and a large capacity of a magnetic recording / reproducing apparatus, development of high recording density is being actively carried out. In the field of hard disk drives, which are typical magnetic recording / reproducing devices, devices whose surface recording density exceeds 30 Gbit / in 2 (46.5 Mbit / mm 2 ) have already been commercialized. The technology has advanced so rapidly that the practical use of a device having a density of 100 Gbit / in 2 (155 Mbit / mm 2 ) is predicted.

このような高記録密度化を実現するための技術として、記録再生ヘッドのトラッキングサーボ技術も重要な役割を果たしている。現在の磁気記録媒体のトラッキングサーボ技術では、磁気記録媒体に一定の角度間隔でトラッキング用サーボ信号やアドレス情報信号、再生クロック信号等が記録(以下、「プリフォーマット記録」という)された領域を設け、磁気ヘッドが、一定間隔でこれらの信号を再生することによって、磁気ヘッドの位置を確認し、位置を修正しながらトラック上を走査している(例えば、非特許文献1参照)。   As a technique for realizing such a high recording density, a tracking servo technique for a recording / reproducing head also plays an important role. The current tracking servo technology for magnetic recording media provides an area in which tracking servo signals, address information signals, reproduction clock signals, etc. are recorded (hereinafter referred to as “preformat recording”) at regular angular intervals on the magnetic recording medium. The magnetic head reproduces these signals at regular intervals, confirms the position of the magnetic head, and scans the track while correcting the position (for example, see Non-Patent Document 1).

トラッキング用サーボ信号やアドレス情報信号、再生クロック信号等は、磁気ヘッドが正確にトラック上を走査するための基準信号となるものであるので、その記録時には正確な位置決め精度が要求される。このため、従来は、磁気記録媒体を専用のサーボ記録装置にセットし、厳密に位置制御された磁気ヘッドによりプリフォーマット記録を行っていた(例えば、非特許文献2参照)。   Since the tracking servo signal, the address information signal, the reproduction clock signal, and the like are reference signals for the magnetic head to accurately scan the track, accurate positioning accuracy is required at the time of recording. For this reason, conventionally, a magnetic recording medium is set in a dedicated servo recording device, and preformat recording is performed by a magnetic head whose position is strictly controlled (see, for example, Non-Patent Document 2).

しかしながら、専用のサーボ記録装置を用いてプリフォーマット記録を行う従来の方法においては、以下のような課題がある。第1に、磁気ヘッドによる記録は、基本的に磁気ヘッドと磁気記録媒体との相対移動に基づく線記録であるため、プリフォーマット記録に多くの時間を要する。このため、高価な専用のサーボ記録装置を多数必要とし、プリフォーマット記録のためのコストアップの要因となっていた。第2に、ヘッドと媒体との間のスペーシングや記録ヘッドのポール形状による記録磁界の広がりのため、プリフォーマット記録されたトラック端部の磁化遷移の急峻性がよくないという問題があった。磁化遷移が急峻性に欠ける場合には、正確なトラッキングサーボを行うことが困難になる。   However, the conventional method of performing preformat recording using a dedicated servo recording device has the following problems. First, recording by the magnetic head is basically linear recording based on relative movement between the magnetic head and the magnetic recording medium, and therefore requires a lot of time for preformat recording. For this reason, a large number of expensive dedicated servo recording devices are required, which has been a factor in increasing costs for preformat recording. Second, due to the spacing between the head and the medium and the expansion of the recording magnetic field due to the pole shape of the recording head, there was a problem that the steepness of the magnetization transition at the track end portion where the preformat recording was performed was not good. When the magnetization transition lacks steepness, it becomes difficult to perform accurate tracking servo.

磁気ヘッドを用いた上記従来のプリフォーマット記録の課題を解決する方法として、基体の表面にプリフォーマット記録の情報信号に対応する強磁性薄膜パターンが形成されているマスター情報担体を用いて一括転写する方法が提案されている(例えば、特許文献1参照)。この方法では、マスター情報担体の表面を磁気記録媒体の表面に接触させた状態で、マスター情報担体に形成された強磁性薄膜を磁化することによって、磁気記録媒体に一括してプリフォーマット記録を行う。この方法によれば、記録媒体のS/N比、インターフェース性能等の他の重要性能を犠牲にすることなく、良好なプリフォーマット記録が効率的に行われる。   As a method for solving the problems of the conventional preformat recording using a magnetic head, batch transfer is performed using a master information carrier in which a ferromagnetic thin film pattern corresponding to an information signal of preformat recording is formed on the surface of a substrate. A method has been proposed (see, for example, Patent Document 1). In this method, preformat recording is performed collectively on a magnetic recording medium by magnetizing a ferromagnetic thin film formed on the master information carrier while the surface of the master information carrier is in contact with the surface of the magnetic recording medium. . According to this method, good preformat recording is efficiently performed without sacrificing other important performances such as the S / N ratio and interface performance of the recording medium.

マスター情報担体を用いる上記方法では、マスター情報担体に形成されたディジタル信号に対応する強磁性薄膜の形状およびパターン配列が磁気記録媒体にプリフォーマット記録される。したがって、良好な磁気信号特性を得るためにはマスター情報担体に形成された強磁性薄膜のパターンが精度よく形成されることが重要である。このパターンを精度よく形成するためには、マスター情報担体上に形成するレジストパターンの精度が非常に重要となる。   In the above method using the master information carrier, the shape and pattern arrangement of the ferromagnetic thin film corresponding to the digital signal formed on the master information carrier are preformat recorded on the magnetic recording medium. Therefore, in order to obtain good magnetic signal characteristics, it is important that the pattern of the ferromagnetic thin film formed on the master information carrier is accurately formed. In order to form this pattern with high accuracy, the accuracy of the resist pattern formed on the master information carrier is very important.

図9は、従来のマスター情報担体において、レジストパターンを形成する工程を示す断面図である。以下、この方法について図面にしたがって説明する。   FIG. 9 is a cross-sectional view showing a step of forming a resist pattern in a conventional master information carrier. Hereinafter, this method will be described with reference to the drawings.

図9(a)に示すように、非磁性基体1100上にポジ型のフォトレジスト膜1200を塗布する。次に、図9(b)に示すように、抜気用凹溝を形成するためのパターンが形成されたフォトマスク1300をフォトレジスト膜1200上に配置し、紫外光1400を照射して露光する。これにより、フォトレジスト膜1200の抜気用凹溝となる領域部が感光する。このときの紫外光1400の照射量は、フォトレジスト膜1200の厚みの一部までが露光される程度としている。   As shown in FIG. 9A, a positive photoresist film 1200 is applied on the nonmagnetic substrate 1100. Next, as shown in FIG. 9B, a photomask 1300 on which a pattern for forming a vent groove is formed on the photoresist film 1200, and exposure is performed by irradiating with ultraviolet light 1400. . As a result, a region portion to be a vent groove for exposing the photoresist film 1200 is exposed. The irradiation amount of the ultraviolet light 1400 at this time is such that a part of the thickness of the photoresist film 1200 is exposed.

次に、図9(c)に示すように、フォトレジスト膜1200を現像処理する。このとき、感光領域はフォトレジスト膜1200の厚みの一部までであるため、非磁性基体1100までは達しない状態に現像することが可能となり、フォトレジスト膜1200に図示するような抜気用凹溝1210が形成される。   Next, as shown in FIG. 9C, the photoresist film 1200 is developed. At this time, since the photosensitive region is up to a part of the thickness of the photoresist film 1200, the development can be performed in a state that does not reach the nonmagnetic substrate 1100. A groove 1210 is formed.

この後、図9(d)に示すように、ディジタル信号パターンが形成されたフォトマスク1500をフォトレジスト膜1200上に配置する。このとき、非磁性基体1100とフォトマスク1500との間は、図示しない真空吸引装置により真空吸引する。この真空吸引をするときに、抜気用凹溝1210を通じて非磁性基体1100とフォトマスク1500との間の空気が吸引される。これにより、非磁性基体1100の表面に形成されたフォトレジスト膜1200のパターン形成領域1220とフォトマスク1500とは、全面で強力に密着する。このように真空密着させた後、紫外光1400を照射して露光を行う。このときに照射する紫外光1400の露光量は、フォトレジスト膜1200の厚みがすべて確実に感光する光量とする。   Thereafter, as shown in FIG. 9D, a photomask 1500 on which a digital signal pattern is formed is disposed on the photoresist film 1200. At this time, vacuum suction is performed between the nonmagnetic substrate 1100 and the photomask 1500 by a vacuum suction device (not shown). When this vacuum suction is performed, air between the nonmagnetic substrate 1100 and the photomask 1500 is sucked through the vent groove 1210. As a result, the pattern formation region 1220 of the photoresist film 1200 formed on the surface of the nonmagnetic substrate 1100 and the photomask 1500 are strongly adhered to each other. After vacuum-contacting in this way, exposure is performed by irradiating with ultraviolet light 1400. The exposure amount of the ultraviolet light 1400 irradiated at this time is set to a light amount that ensures that the photoresist film 1200 is completely exposed.

このような方法で露光した後、フォトレジスト膜1200を現像処理すると、フォトマスク1500に忠実に、かつ非磁性基体1100まで達するディジタル信号に対応した信号用レジストパターン1600が得られる。この状態を図9(e)に示す。   When the photoresist film 1200 is developed after exposure by such a method, a signal resist pattern 1600 corresponding to a digital signal that reaches the nonmagnetic substrate 1100 faithfully to the photomask 1500 is obtained. This state is shown in FIG.

この後、強磁性体薄膜をスパッタリング等により成膜した後、リフトオフプロセスを行い不要な強磁性体薄膜を除去する。これにより、信号用レジストパターン1600と同じ領域に、ディジタル信号に対応した強磁性体薄膜のパターンが形成され、マスター情報担体が得られる。   Thereafter, after forming a ferromagnetic thin film by sputtering or the like, an unnecessary ferromagnetic thin film is removed by performing a lift-off process. Thereby, a pattern of the ferromagnetic thin film corresponding to the digital signal is formed in the same region as the signal resist pattern 1600, and a master information carrier is obtained.

この場合のフォトレジスト膜1200の材料として、ミクロンメータオーダを加工することが可能な特性のレジスト材料の場合には、このような方法でパターン形成が可能である。しかし、高記録密度を実現するためには、サブミクロンメータオーダのパターンを精度よく形成することが要求されている。このような要求を満たすフォトレジスト材料として、化学増幅型のフォトレジストやi線フォトレジストがある。   In this case, in the case of a resist material having a characteristic capable of processing a micrometer order as a material of the photoresist film 1200, a pattern can be formed by such a method. However, in order to achieve a high recording density, it is required to form a pattern on the order of submicrometers with high accuracy. Photoresist materials that satisfy these requirements include chemically amplified photoresists and i-line photoresists.

化学増幅型のフォトレジスト材料を用いる場合、上記の方法では以下のような課題がある。すなわち、上記の抜気用凹溝1210を形成して密着させた後に露光する方法では、抜気用凹溝1210の形成と信号用レジストパターン1600の形成のために露光および現像処理工程を2度行う必要がある。   When using a chemically amplified photoresist material, the above method has the following problems. That is, in the above-described exposure method after forming the exhaust groove 1210 and bringing it into close contact, the exposure and development processing steps are performed twice for forming the exhaust groove 1210 and forming the signal resist pattern 1600. There is a need to do.

図10は、この化学増幅型のフォトレジストを用いて、露光、現像を2回行う場合の課題を説明するための工程断面図である。図10(a)は、非磁性基体1100上に化学増幅型レジスト膜2200を形成した状態を示す図である。次に、図10(b)に示すように、抜気用凹溝を形成するためのパターンが形成されたフォトマスク1300を化学増幅型レジスト膜2200上に配置し、紫外光1400を照射して化学増幅型レジスト膜2200の所定の個所を露光する。このときの紫外光1400の照射量は、化学増幅型レジスト膜2200の厚みの一部までが露光される程度とする。   FIG. 10 is a process cross-sectional view for explaining a problem when exposure and development are performed twice using this chemically amplified photoresist. FIG. 10A is a view showing a state in which a chemically amplified resist film 2200 is formed on the nonmagnetic substrate 1100. Next, as shown in FIG. 10B, a photomask 1300 on which a pattern for forming a vent groove is formed on the chemically amplified resist film 2200, and ultraviolet light 1400 is irradiated. A predetermined portion of the chemically amplified resist film 2200 is exposed. At this time, the irradiation amount of the ultraviolet light 1400 is set such that a part of the thickness of the chemically amplified resist film 2200 is exposed.

この後、図10(c)に示すように、化学増幅型レジスト膜2200を現像処理すると、感光領域は化学増幅型レジスト膜2200の厚みの一部までであるため、非磁性基体1100までは達しない状態に現像することが可能となり、図示するような抜気用凹溝2210が形成され、その他の領域はパターン形成領域2220となる。   Thereafter, as shown in FIG. 10C, when the chemically amplified resist film 2200 is developed, the photosensitive region reaches a part of the thickness of the chemically amplified resist film 2200, so that the nonmagnetic substrate 1100 is reached. It is possible to perform development in such a state that a vent groove 2210 as illustrated is formed, and the other region is a pattern formation region 2220.

次に、図10(d)に示すように、ディジタル信号パターンが形成されたフォトマスク1500を化学増幅型レジスト膜2200上に配置し、上記と同じような方法で真空密着させた後、紫外光1400を照射して露光を行う。このときに照射する紫外光1400の露光量は、化学増幅型レジスト膜2200の厚みがすべて確実に感光する光量とする。   Next, as shown in FIG. 10 (d), a photomask 1500 on which a digital signal pattern is formed is placed on the chemically amplified resist film 2200, vacuum-adhered by the same method as described above, and then ultraviolet light. Exposure is performed by irradiating 1400. The exposure amount of the ultraviolet light 1400 irradiated at this time is set to a light amount that ensures that the thickness of the chemically amplified resist film 2200 is completely exposed.

このような方法で露光した後、化学増幅型レジスト膜2200を現像処理すると、パターン形成領域2220にはフォトマスク1500に忠実に、かつ非磁性基体1100まで達するディジタル信号に対応した信号用レジストパターン2260が得られる。しかし、抜気用凹溝2210の下部に存在する残留レジスト膜2240も、この現像処理時に酸触媒の作用により溶解してしまう。この結果、図10(e)に示すように、非磁性基体1100まで達する凹溝2215となってしまう。   When the chemically amplified resist film 2200 is developed after exposure by such a method, the signal resist pattern 2260 corresponding to the digital signal that reaches the nonmagnetic substrate 1100 faithfully to the photomask 1500 in the pattern formation region 2220. Is obtained. However, the residual resist film 2240 that exists under the vent groove 2210 is also dissolved by the action of the acid catalyst during the development process. As a result, as shown in FIG. 10E, a concave groove 2215 that reaches the nonmagnetic substrate 1100 is formed.

このように抜気用凹溝2210が非磁性基体1100まで達すると、強磁性薄膜を形成した後、リフトオフプロセスを行うことができなくなる。すなわち、リフトオフを行っても抜気用凹溝2210に強磁性体薄膜が残るため、ディジタル信号に対応した強磁性体薄膜パターンを有するマスター情報担体を作製することができなくなる。   When the vent groove 2210 reaches the nonmagnetic substrate 1100 as described above, the lift-off process cannot be performed after the ferromagnetic thin film is formed. That is, since the ferromagnetic thin film remains in the vent groove 2210 even after lift-off, it becomes impossible to produce a master information carrier having a ferromagnetic thin film pattern corresponding to a digital signal.

さらに、i線フォトレジストを用いた場合、抜気用凹溝の下部に存在する残留レジスト膜の両端部でパターンの異常が生じる。これを図11および図12を用いて説明する。   Further, when an i-line photoresist is used, a pattern abnormality occurs at both ends of the residual resist film existing under the evacuation groove. This will be described with reference to FIG. 11 and FIG.

図11は、抜気用凹溝を形成するためのパターンが形成されたフォトマスク1300を用いて、i線フォトレジストからなるフォトレジスト膜3200に紫外光1400を照射するときに、遮蔽部のエッジで回折と干渉が生じて光強度分布が変化することを説明するための模式図である。また、図12は、図11に示すような露光を受けたときに抜気用凹溝の両端部に角状の溝が形成されることを説明するための断面模式図である。   FIG. 11 shows the edge of the shielding portion when a photoresist film 3200 made of i-line photoresist is irradiated with ultraviolet light 1400 using a photomask 1300 on which a pattern for forming a vent groove is formed. It is a schematic diagram for demonstrating that light intensity distribution changes by diffraction and interference arising. FIG. 12 is a schematic cross-sectional view for explaining that square grooves are formed at both ends of the bleed groove when exposed as shown in FIG.

図11(a)および図11(b)に示すように、紫外光1400は、フォトマスク1300の遮蔽部(図面中、A〜Bの領域およびC〜Dの領域)と光透過部(図面中、B〜Cの領域)とのエッジ部B、Cでは、光透過部よりも大きな光強度を有する領域が局所的に生じる。   As shown in FIG. 11A and FIG. 11B, the ultraviolet light 1400 is emitted from the shielding portion (A to B and C to D in the drawing) of the photomask 1300 and the light transmitting portion (in the drawing). In the edge portions B and C with the regions B to C), a region having a light intensity higher than that of the light transmitting portion is locally generated.

このため、エッジ部B、Cを除く光透過部が、フォトレジスト膜3200の厚みの一部のみが露光される条件とした場合であっても、このエッジ部B、Cでは露光量が大きくなる。この結果、現像処理すると、抜気用凹溝3210の下部のフォトレジスト膜3200の両端部のみに図12に示すような角状の溝3240が形成される。   For this reason, even if the light transmitting portion excluding the edge portions B and C has a condition in which only a part of the thickness of the photoresist film 3200 is exposed, the exposure amount is increased in the edge portions B and C. . As a result, when the development process is performed, a square groove 3240 as shown in FIG. 12 is formed only at both ends of the photoresist film 3200 below the vent groove 3210.

図12(a)、(b)は、非磁性基体1100の表面に形成されたi線フォトレジストからなるフォトレジスト膜3200に対して抜気用凹溝3210とパターン形成領域3220を形成したときに生じる角状の溝3240の発生状態を示す図である。図12に示すように、抜気用凹溝3210のフォトレジスト膜3200の両端部に鋭く深い角状の溝3240が生じる。したがって、より微細なディジタル信号パターンを形成するために、フォトレジスト膜3200の膜厚を薄くすることができなくなる。膜厚を薄くすると、残留レジスト膜3260の両端のエッジ部の角状の溝3240が非磁性基体1100の表面にまで達する。この角状の溝3240が非磁性基体1100の表面まで達すると、強磁性体薄膜を形成した後のリフトオフプロセスができなくなる。すなわち、リフトオフプロセスを行っても、この角状の溝3240の部分の強磁性体薄膜が残存してしまい、マスター情報担体を作製できなくなる。   FIGS. 12A and 12B show the case where the vent groove 3210 and the pattern formation region 3220 are formed on the photoresist film 3200 made of i-line photoresist formed on the surface of the nonmagnetic substrate 1100. It is a figure which shows the generating state of the square-shaped groove | channel 3240 which arises. As shown in FIG. 12, sharp and deep angular grooves 3240 are formed at both ends of the photoresist film 3200 of the vent groove 3210. Accordingly, the photoresist film 3200 cannot be thinned in order to form a finer digital signal pattern. When the film thickness is reduced, the angular grooves 3240 at the edge portions at both ends of the residual resist film 3260 reach the surface of the nonmagnetic substrate 1100. When the rectangular groove 3240 reaches the surface of the nonmagnetic substrate 1100, the lift-off process after forming the ferromagnetic thin film cannot be performed. That is, even if the lift-off process is performed, the ferromagnetic thin film in the portion of the square groove 3240 remains, and the master information carrier cannot be manufactured.

このような理由から、i線フォトレジストを用いた場合にフォトレジスト膜3200を薄くすることができない。また、通常の厚みで微細なディジタル信号パターンのレジストパターンを形成しようとすると、フォトレジスト膜が厚いために倒れる等のパターン不良が生じやすい。また、このエッジ部の角状の溝3240が形成されるために、抜気用凹溝3210の深さを大きくすることもできない。したがって、この抜気用凹溝3210の排気のコンダクタンスが小さくなり、ディジタル信号パターンが形成されたフォトマスク1300をフォトレジスト膜3200に充分に密着させることが困難となるという課題があった。   For these reasons, the photoresist film 3200 cannot be made thin when an i-line photoresist is used. In addition, when trying to form a fine digital signal pattern resist pattern with a normal thickness, pattern defects such as falling due to the thick photoresist film are likely to occur. Further, since the square groove 3240 at the edge portion is formed, the depth of the vent groove 3210 cannot be increased. Therefore, there is a problem that the conductance of the exhaust gas in the vent groove 3210 is reduced, and it is difficult to sufficiently adhere the photomask 1300 on which the digital signal pattern is formed to the photoresist film 3200.

以上のように、サブミクロンメータオーダのパターンの形成が可能な化学増幅型レジスト等を従来の方法では用いることができず、このために光源の波長とレジスト材料特性との整合がとれず、微細化ができなかった。
特開平10−40544号公報 山口:磁気ディスク装置の高精度サーボ技術、日本応用磁気学会誌、Vol.20,No.3,pp771,1996 植松、他:メカ・サーボ、HDI技術の現状と展望、日本応用磁気学会第93回研究会資料、93−5,pp.35,1996
As described above, a chemically amplified resist or the like capable of forming a pattern on the order of submicrometers cannot be used in the conventional method. For this reason, the wavelength of the light source and the resist material characteristics cannot be matched. It was not possible.
JP 10-40544 A Yamaguchi: High-precision servo technology for magnetic disk drives, Journal of Japan Society of Applied Magnetics, Vol. 20, no. 3, pp 771, 1996 Uematsu, et al .: Mechanics and servos, current status and future prospects of HDI technology, Japan Society of Applied Magnetics, 93rd Research Materials, 93-5, pp. 35, 1996

上記したように、従来の化学増幅型フォトレジストやi線フォトレジストを用いてレジストパターンを形成する場合には、抜気用凹溝が非磁性基体まで到達してしまい、強磁性体薄膜の所定のパターンを形成できなくなる、あるいは抜気用凹溝の両端のエッジ部に角状の溝が形成される等のパターン異常が生じる。このために、微細なレジストパターンを精度よく形成できなかった。   As described above, when a resist pattern is formed using a conventional chemically amplified photoresist or i-line photoresist, the evacuation concave groove reaches the non-magnetic substrate, and the ferromagnetic thin film is predetermined. Pattern abnormalities occur, such as the formation of the above pattern, or the formation of square grooves at the edge portions at both ends of the vent groove. For this reason, a fine resist pattern cannot be formed with high accuracy.

上記課題を解決するために本発明は、基体表面にレジストパターンを精度よく形成するフォトレジスト塗布方法およびそのフォトレジスト塗布方法を用いたレジストパターン形成方法、さらにマスター情報担体において情報信号に対応した強磁性薄膜からなるパターンを精度よく形成することが可能なマスター情報担体の製造方法を提供することを目的とする。   In order to solve the above-described problems, the present invention provides a photoresist coating method for accurately forming a resist pattern on a substrate surface, a resist pattern forming method using the photoresist coating method, and a master information carrier that is compatible with information signals. It is an object of the present invention to provide a method for producing a master information carrier capable of accurately forming a pattern made of a magnetic thin film.

上記課題を解決するために、本発明のフォトレジスト塗布方法は、基体の表面上にあらかじめ設定した形状の薄膜パターンを形成するための方法であって、薄膜パターンを形成するパターン形成領域のフォトレジスト膜の膜厚を、薄膜パターンを形成しない非形成領域に比べて厚く、かつ、この非形成領域を基体の中心部から外周部に向かって連続して形成する方法からなる。   In order to solve the above problems, a photoresist coating method of the present invention is a method for forming a thin film pattern having a preset shape on the surface of a substrate, and is a photoresist in a pattern forming region for forming a thin film pattern. The thickness of the film is thicker than that of the non-formation region where the thin film pattern is not formed, and the non-formation region is continuously formed from the center to the outer periphery of the substrate.

この方法により、基体の表面には薄膜パターンを形成しない非形成領域が基体の中心部から外周部まで連続して形成されるので、フォトマスクと基体とを真空密着させて露光する場合に、この非形成領域が抜気用凹溝として作用し、フォトマスクと基体の表面に形成されたフォトレジスト膜のパターン形成領域とを全面にわたって均一に密着させることができる。この結果、高精度で、かつ微細な形状のレジストパターンを形成できる。   By this method, a non-formation area where a thin film pattern is not formed is continuously formed on the surface of the substrate from the central portion to the outer peripheral portion of the substrate. The non-formation region acts as a bleed groove, and the photomask and the pattern formation region of the photoresist film formed on the surface of the substrate can be uniformly adhered over the entire surface. As a result, a resist pattern having a high precision and a fine shape can be formed.

また、上記方法において、基体の表面に対して一定の距離を保持しながら吐出ノズルからフォトレジストを定量吐出させるとともに、基体および吐出ノズルを相対的に移動させて基体の表面上にフォトレジストを塗布してもよい。   In the above method, the photoresist is quantitatively discharged from the discharge nozzle while maintaining a certain distance from the surface of the substrate, and the photoresist is applied onto the surface of the substrate by relatively moving the substrate and the discharge nozzle. May be.

さらに、この場合に、吐出ノズルにより一定量のフォトレジストを吐出してフォトレジスト膜を形成するときに、パターン形成領域における吐出時間を非形成領域における吐出時間より長くしてもよい。または、パターン形成領域における吐出回数を非形成領域における吐出回数より多くしてもよい。   Further, in this case, when the photoresist film is formed by discharging a certain amount of photoresist by the discharge nozzle, the discharge time in the pattern formation region may be longer than the discharge time in the non-formation region. Alternatively, the number of ejections in the pattern formation region may be greater than the number of ejections in the non-formation region.

さらに、吐出ノズルを用いてフォトレジストを塗布する場合に、それぞれ異なる粘度に調整されたフォトレジストを用いて、パターン形成領域では粘度の大きなフォトレジストを吐出し、非形成領域では粘度の小さなフォトレジストを吐出する方法としてもよい。   Furthermore, when applying a photoresist using a discharge nozzle, using photoresists adjusted to different viscosities, a photoresist having a high viscosity is discharged in a pattern formation region and a photoresist having a low viscosity in a non-formation region. It is good also as a method of discharging.

また、吐出ノズルを用いてフォトレジストを塗布する場合に、それぞれ異なる粘度に調整されたフォトレジストを用いて、基体の表面上に粘度の小さなフォトレジストを吐出して薄いフォトレジスト膜を形成した後、パターン形成領域に粘度の大きなフォトレジストを吐出する方法としてもよい。   In addition, when applying a photoresist using a discharge nozzle, a photoresist having a different viscosity is used to discharge a low-viscosity photoresist onto the surface of the substrate to form a thin photoresist film. Alternatively, a photoresist having a high viscosity may be discharged to the pattern formation region.

あるいは、基体を回転させながらフォトレジストを基体表面全体に均一に塗布する工程と、基体の表面に対して一定の距離を保持しながら吐出ノズルからフォトレジストを吐出させるとともに、基体および吐出ノズルを相対的に移動させて基体のパターン形成領域にさらにフォトレジストを塗布する方法としてもよい。   Alternatively, the photoresist is uniformly applied to the entire surface of the substrate while rotating the substrate, and the photoresist is discharged from the discharge nozzle while maintaining a certain distance with respect to the surface of the substrate. Alternatively, the photoresist may be further applied to the pattern forming region of the substrate.

このような方法とすることにより、基体の任意の位置のパターン形成領域に所定の厚みを有するフォトレジスト膜を容易に形成できる。例えば、粘度の異なるフォトレジストを用いれば、粘度の大きなフォトレジストが吐出された領域では厚く、粘度の小さなフォトレジストが吐出された領域では薄いフォトレジスト膜を形成することができる。また、例えば吐出ノズルとしてインクジェットヘッドを用い、インクジェットヘッドからレジスト液を吐出する場合、インクジェットヘッドからのレジスト吐出時間を長くする、あるいは吐出回数を多くする、あるいはフォトレジストの粘度を大きくしてもよい。このようにすれば、所定のパターン形成領域のみに容易に厚く形成することができる。   By adopting such a method, a photoresist film having a predetermined thickness can be easily formed in a pattern formation region at an arbitrary position on the substrate. For example, if photoresists having different viscosities are used, a thick photoresist film can be formed in a region where a photoresist having a high viscosity is discharged and a thin region in a region where a photoresist having a low viscosity is discharged. For example, when an inkjet head is used as the ejection nozzle and a resist solution is ejected from the inkjet head, the resist ejection time from the inkjet head may be lengthened, the number of ejections may be increased, or the viscosity of the photoresist may be increased. . In this way, it can be easily formed thick only in a predetermined pattern formation region.

また、基体の表面に通常のスピンコート法で薄いフォトレジスト膜を形成後、インクジェットヘッドを用いてパターン形成領域となるべき領域にさらにフォトレジストを塗布すれば、パターン形成領域のみ所定の厚みにすることができる。このように、レジスト塗布時に非形成領域を形成するため、種々のフォトレジスト材料を用いることができる。また、フォトレジスト膜厚を精密に制御することもできるため、パターン形成領域の厚みと非形成領域の厚みの制御も容易にできる。さらに、従来のように2度の露光と現像を行わないので、化学増幅型フォトレジストやi線フォトレジストを用いても、パターン異常が生じることがなくなる。   In addition, if a thin photoresist film is formed on the surface of the substrate by a normal spin coating method and then a photoresist is further applied to a region to be a pattern formation region using an inkjet head, only the pattern formation region has a predetermined thickness. be able to. As described above, various photoresist materials can be used to form the non-formation region at the time of applying the resist. Further, since the thickness of the photoresist film can be precisely controlled, the thickness of the pattern formation region and the thickness of the non-formation region can be easily controlled. Furthermore, since exposure and development are not performed twice as in the prior art, pattern abnormality does not occur even when a chemically amplified photoresist or i-line photoresist is used.

また、本発明のレジストパターン形成方法は、フォトマスクとフォトレジスト膜が形成された基体とを密着させて露光してフォトマスクに対応したレジストパターンを形成する方法であって、上記のフォトレジスト塗布方法によって基体の表面にフォトレジスト膜を形成するためのレジスト塗布工程と、基体を保持する保持台とフォトマスクとで形成される空間を気密状態とした後、非形成領域を排気経路として真空排気することによりパターン形成領域とフォトマスクとを密着させ露光する工程とを有する方法からなる。   The resist pattern forming method of the present invention is a method for forming a resist pattern corresponding to a photomask by bringing a photomask and a substrate on which a photoresist film is formed into close contact with each other and exposing the photomask. After the resist coating process for forming a photoresist film on the surface of the substrate by the method and the space formed by the holding table and the photomask for holding the substrate are hermetically sealed, vacuum exhaust is performed using the non-formed region as an exhaust path. Thus, the pattern forming region and the photomask are brought into close contact with each other and exposed.

この方法により、フォトレジスト膜のパターン形成領域とフォトマスクとの真空密着露光が容易に可能となる。すなわち、基体の表面に形成したフォトレジスト膜において、非形成領域はパターン形成領域に比べて凹状になっているので、この領域を抜気用凹溝として真空排気することにより、パターン形成領域とフォトマスクとの間を高密着状態にできる。このように、高密着状態としてからパターン形成領域に対してフォトマスクを介して露光を行うと、光の回り込みを防ぐことができる。この結果、光の回折により生じるパターン不良を回避でき、レジストパターンを精度よく形成することができる。   By this method, vacuum contact exposure between the pattern formation region of the photoresist film and the photomask can be easily performed. That is, in the photoresist film formed on the surface of the substrate, the non-formation region is concave compared to the pattern formation region. By evacuating this region as a vent groove, the pattern formation region and the photo resist region are exposed. A close contact with the mask can be achieved. As described above, when the pattern formation region is exposed through the photomask after being in a high adhesion state, it is possible to prevent light from wrapping around. As a result, pattern defects caused by light diffraction can be avoided, and a resist pattern can be formed with high accuracy.

また、本発明の磁気記録媒体に接触させた状態で磁気記録媒体にディジタル信号を記録するマスター情報担体の製造方法は、上記のフォトレジスト塗布方法によって非磁性基体の表面にフォトレジスト膜を形成するためのレジスト塗布工程と、ディジタル信号に対応するパターンが形成されたフォトマスクを非磁性基体の表面に配置するとともに、非磁性基体を保持する保持台とフォトマスクとで形成される空間を気密状態とした後、非形成領域を排気経路として真空排気することによりパターン形成領域とフォトマスクとを密着させ露光する工程と、フォトレジスト膜を現像することによりディジタル信号に対応するレジストパターンをパターン形成領域に形成する工程と、レジストパターンが形成されたフォトレジスト膜を含む非磁性基体の表面上に強磁性薄膜を堆積する工程と、フォトレジスト膜とともにフォトレジスト膜の表面に堆積した強磁性薄膜を除去し、非磁性基体表面にディジタル信号に対応した強磁性薄膜パターンを形成する工程とを有する方法からなる。   Also, in the method of manufacturing a master information carrier for recording a digital signal on a magnetic recording medium in contact with the magnetic recording medium of the present invention, a photoresist film is formed on the surface of a nonmagnetic substrate by the above-described photoresist coating method. And a photomask having a pattern corresponding to a digital signal disposed on the surface of the nonmagnetic substrate, and the space formed by the holding table for holding the nonmagnetic substrate and the photomask is airtight. Then, the pattern formation region and the photomask are in close contact with each other and exposed by evacuating the non-formation region as an exhaust path, and the resist pattern corresponding to the digital signal is developed by developing the photoresist film. And a non-magnetic group including a photoresist film on which a resist pattern is formed Depositing a ferromagnetic thin film on the surface of the substrate and removing the ferromagnetic thin film deposited on the surface of the photoresist film together with the photoresist film to form a ferromagnetic thin film pattern corresponding to a digital signal on the surface of the nonmagnetic substrate The method which has these.

また、本発明の磁気記録媒体に接触させた状態で磁気記録媒体にディジタル信号を記録するマスター情報担体の製造方法は、上記のフォトレジスト塗布方法によって非磁性基体の表面にフォトレジスト膜を形成するためのレジスト塗布工程と、ディジタル信号に対応するパターンが形成されたフォトマスクを非磁性基体の表面に配置するとともに、非磁性基体を保持する保持台とフォトマスクとで形成される空間を気密状態とした後、非形成領域を排気経路として真空排気することによりパターン形成領域とフォトマスクとを密着させ露光する工程と、フォトレジスト膜を現像することによりディジタル信号に対応するレジストパターンをパターン形成領域に形成する工程と、レジストパターンが形成されたフォトレジスト膜をマスクにして非磁性基体をエッチングし、パターン形成領域の非磁性基体にディジタル信号に対応するパターン形状の埋め込み溝を形成する工程と、埋め込み溝を形成後、フォトレジスト膜を含む非磁性基体の表面に強磁性薄膜を堆積する工程と、フォトレジスト膜とともにフォトレジスト膜の表面に堆積した強磁性薄膜を除去し、非磁性基体の埋め込み溝にディジタル信号に対応した強磁性薄膜パターンを形成する工程とを有する方法からなる。   Also, in the method of manufacturing a master information carrier for recording a digital signal on a magnetic recording medium in contact with the magnetic recording medium of the present invention, a photoresist film is formed on the surface of a nonmagnetic substrate by the above-described photoresist coating method. And a photomask having a pattern corresponding to a digital signal disposed on the surface of the nonmagnetic substrate, and the space formed by the holding table for holding the nonmagnetic substrate and the photomask is airtight. Then, the pattern formation region and the photomask are in close contact with each other and exposed by evacuating the non-formation region as an exhaust path, and the resist pattern corresponding to the digital signal is developed by developing the photoresist film. And a photoresist film on which a resist pattern is formed as a mask Etching the magnetic substrate to form a buried groove of a pattern shape corresponding to a digital signal in the non-magnetic substrate in the pattern formation region; and forming the buried groove and then forming a ferromagnetic thin film on the surface of the non-magnetic substrate including the photoresist film And a step of removing the ferromagnetic thin film deposited on the surface of the photoresist film together with the photoresist film and forming a ferromagnetic thin film pattern corresponding to the digital signal in the buried groove of the nonmagnetic substrate. Become.

さらに、本発明の磁気記録媒体に接触させた状態で磁気記録媒体にディジタル信号を記録するマスター情報担体の製造方法は、非磁性基体表面上に強磁性薄膜を堆積する工程と、上記のフォトレジスト塗布方法によって非磁性基体の強磁性薄膜表面にフォトレジスト膜を形成する工程と、ディジタル信号に対応するパターンが形成されたフォトマスクを非磁性基体の表面に配置するとともに、非磁性基体を保持する保持台とフォトマスクとで形成される空間を気密状態とした後、非形成領域を排気経路として真空排気することによりパターン形成領域とフォトマスクとを密着させ露光する工程と、フォトレジスト膜を現像することによりディジタル信号に対応するレジストパターンをパターン形成領域に形成する工程と、フォトレジスト膜をマスクにして強磁性薄膜をエッチングしてディジタル信号に対応した薄膜パターンを形成する工程と、フォトレジスト膜を除去する工程とを有する方法からなる。   Furthermore, a method for manufacturing a master information carrier for recording a digital signal on a magnetic recording medium in contact with the magnetic recording medium of the present invention includes a step of depositing a ferromagnetic thin film on the surface of a nonmagnetic substrate, and the photoresist described above. A step of forming a photoresist film on the surface of the ferromagnetic thin film of the nonmagnetic substrate by a coating method, and a photomask on which a pattern corresponding to a digital signal is formed are disposed on the surface of the nonmagnetic substrate and the nonmagnetic substrate is held. After the space formed by the holding table and the photomask is hermetically sealed, the pattern formation region and the photomask are closely contacted and exposed by evacuating the non-formation region as an exhaust path, and the photoresist film is developed. Forming a resist pattern corresponding to the digital signal in the pattern formation region, and a photoresist film Forming a thin film pattern corresponding to a digital signal by etching the ferromagnetic thin film in the disk, it comprises a method and a step of removing the photoresist film.

このような方法により、強磁性薄膜からなる薄膜パターンをリフトオフプロセスやエッチングプロセスにより高精度で形成することができる。さらに、非磁性基体に薄膜パターンを埋め込むこともできる。   By such a method, a thin film pattern made of a ferromagnetic thin film can be formed with high accuracy by a lift-off process or an etching process. Further, a thin film pattern can be embedded in the nonmagnetic substrate.

なお、非磁性基体の面上に強磁性薄膜を堆積させる方法としては、例えばスパッタリング法や蒸着法等を用いることができる。また、強磁性薄膜のエッチングとしては、リアクティブイオンエッチング法やイオンミリング法を用いることが好適である。   As a method for depositing the ferromagnetic thin film on the surface of the nonmagnetic substrate, for example, a sputtering method or a vapor deposition method can be used. In addition, as the etching of the ferromagnetic thin film, it is preferable to use a reactive ion etching method or an ion milling method.

また、本発明のフォトレジスト塗布方法によれば、種々のレジスト材料を用いることができ、かつフォトレジスト膜厚を精密に制御することができる。このため、パターン形成領域と非形成領域との厚みの高精度の制御も可能となり、したがってレジストパターンを精度よく形成することができる。さらに、高密着状態でのパターン露光が可能となり、光の回り込みを防ぐことができ、パターン不良を回避でき、レジストパターンを精度よく形成することができる。   Moreover, according to the photoresist coating method of the present invention, various resist materials can be used, and the photoresist film thickness can be precisely controlled. For this reason, it is possible to control the thickness of the pattern formation region and the non-formation region with high accuracy, and thus it is possible to form the resist pattern with high accuracy. Furthermore, pattern exposure in a high adhesion state is possible, light wraparound can be prevented, pattern defects can be avoided, and a resist pattern can be formed with high accuracy.

本発明のフォトレジスト塗布方法およびレジストパターン形成方法を用いれば、フォトマスクとフォトレジスト膜のパターン形成領域との密着を非常に高めることができるので、例えばサブミクロンの形状の情報信号を表すレジストパターンであっても高精度に形成することができる。したがって、高記録密度が要求されるマスター情報担体も容易に製造することができる。このように、サブミクロンが要求されるレジストパターンを高精度で、かつ容易に形成できるという大きな効果を奏する。   By using the photoresist coating method and the resist pattern forming method of the present invention, the adhesion between the photomask and the pattern formation region of the photoresist film can be greatly enhanced. For example, a resist pattern representing an information signal having a submicron shape. Even so, it can be formed with high accuracy. Therefore, a master information carrier requiring a high recording density can be easily manufactured. In this way, a great effect is achieved that a resist pattern requiring submicron can be easily formed with high accuracy.

以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

(第1の実施の形態)
図1は、本発明の第1の実施の形態にかかるフォトレジスト塗布方法において用いる塗布装置の構成例を模式的に示す図である。フォトレジスト塗布装置は、基体11を保持する保持台2、基体移動機構(図示せず)、吐出ノズル3、吐出ノズル3にフォトレジスト5を供給するレジスト供給部4、基体11や吐出ノズル3およびレジスト供給部4等の動作を制御する制御部(図示せず)により構成されている。
(First embodiment)
FIG. 1 is a diagram schematically illustrating a configuration example of a coating apparatus used in the photoresist coating method according to the first embodiment of the present invention. The photoresist coating apparatus includes a holding table 2 for holding a substrate 11, a substrate moving mechanism (not shown), a discharge nozzle 3, a resist supply unit 4 for supplying a photoresist 5 to the discharge nozzle 3, a substrate 11 and a discharge nozzle 3, It is comprised by the control part (not shown) which controls operation | movement of the resist supply part 4 grade | etc.,.

基体11および吐出ノズル3を移動させる駆動手段としては、種々のものを用いることが可能であり、例えば、ステッピングモータ等を用いた駆動機構でもよい。また、吐出ノズル3としては、インクジェットヘッドや描画用のノズル等、フォトレジストのような液体を定量吐出できる構成を有するものであれば、特に制約なく使用することができる。なお、インクジェットヘッドを用いる場合には、例えばPZTからなる圧電体素子が振動板を振動させ、その振動によりレジストを吐出させる圧電体方式を用いてもよい。この方法では、基体11としては、図1に示すような円盤状には限定されず四角形状等であってもよい。   Various driving means for moving the base 11 and the discharge nozzle 3 can be used. For example, a driving mechanism using a stepping motor or the like may be used. The discharge nozzle 3 can be used without any limitation as long as it has a configuration capable of quantitatively discharging a liquid such as a photoresist, such as an inkjet head or a drawing nozzle. In the case of using an ink jet head, for example, a piezoelectric body type in which a piezoelectric element made of PZT vibrates a diaphragm and a resist is ejected by the vibration may be used. In this method, the substrate 11 is not limited to the disc shape as shown in FIG.

図2は、図1に示すフォトレジスト塗布装置を用いて円盤状の基体11の表面にフォトレジスト膜12を形成した状態を模式的に示す部分斜視図である。図1、図2に示すように、図示しない基体移動機構により保持台2に固定された円盤状の基体11を矢印90に示すように移動させるとともに吐出ノズル3を矢印92に示すように移動させる。この移動中にレジスト供給部4からフォトレジスト5を供給し、吐出ノズル3からフォトレジスト5を吐出させると、基体11の表面のあらかじめ設定したパターン形成領域121が厚く、それらではさまれた非形成領域122が薄いフォトレジスト膜12が得られる。   FIG. 2 is a partial perspective view schematically showing a state in which the photoresist film 12 is formed on the surface of the disk-shaped substrate 11 using the photoresist coating apparatus shown in FIG. As shown in FIGS. 1 and 2, the disc-shaped base 11 fixed to the holding table 2 is moved as shown by an arrow 90 and the discharge nozzle 3 is moved as shown by an arrow 92 by a base movement mechanism (not shown). . When the photoresist 5 is supplied from the resist supply unit 4 and the photoresist 5 is discharged from the discharge nozzle 3 during this movement, the preset pattern formation region 121 on the surface of the substrate 11 is thick, and is not formed between them. A photoresist film 12 having a thin region 122 is obtained.

この場合、フォトレジスト5を吐出するタイミングや吐出量は、図示しない制御部で制御される。例えば、図2に示すパターン形成領域121を形成するときのフォトレジスト吐出回数を非形成領域122での吐出回数より多くする、あるいは、吐出時間を長くすれば、この領域のフォトレジストを厚くすることができる。   In this case, the timing and amount of discharging the photoresist 5 are controlled by a control unit (not shown). For example, if the number of times of discharging the photoresist when forming the pattern formation region 121 shown in FIG. 2 is made larger than the number of discharging times in the non-formation region 122, or if the discharge time is made longer, the photoresist in this region is made thicker. Can do.

なお、吐出ノズルを用いてフォトレジストを定量吐出する場合に、それぞれ異なる粘度に調整されたフォトレジストを用いて、パターン形成領域では粘度の大きなフォトレジストを吐出し、非形成領域では粘度の小さなフォトレジストを吐出するようにしてもよい。この場合には、高粘度のフォトレジストと低粘度のフォトレジストとで、それぞれ異なる吐出ノズルを用いることが望ましい。   When quantitatively discharging a photoresist using a discharge nozzle, a photoresist having a different viscosity is used to discharge a photoresist having a high viscosity in the pattern formation region, and a photoresist having a low viscosity in a non-formation region. A resist may be discharged. In this case, it is desirable to use different discharge nozzles for the high viscosity photoresist and the low viscosity photoresist.

また、吐出ノズルを用いてフォトレジストを塗布する場合に、それぞれ異なる粘度に調整されたフォトレジストを用いて、基体の表面上に粘度の小さなフォトレジストを吐出して薄いフォトレジスト膜を形成した後、パターン形成領域に粘度の大きなフォトレジストを吐出するようにしてもよい。   In addition, when applying a photoresist using a discharge nozzle, a photoresist having a different viscosity is used to discharge a low-viscosity photoresist onto the surface of the substrate to form a thin photoresist film. Alternatively, a photoresist having a high viscosity may be discharged to the pattern formation region.

さらに、基体を回転させながらフォトレジストを基体表面全体に均一に塗布する工程と、基体の表面に対して一定の距離を保持しながら吐出ノズルからフォトレジストを吐出させるとともに、基体および吐出ノズルを相対的に移動させて基体のパターン形成領域にさらにフォトレジストを塗布することで、パターン形成領域が厚く、非形成領域が薄いフォトレジスト膜を形成することもできる。   Furthermore, the photoresist is uniformly applied to the entire surface of the substrate while rotating the substrate, and the photoresist is discharged from the discharge nozzle while maintaining a certain distance from the surface of the substrate. It is also possible to form a photoresist film with a thick pattern formation region and a thin non-formation region by applying a photoresist to the pattern formation region of the substrate.

このような塗布方法により、基体11上の局所的な領域に所望のフォトレジスト材料を所望の条件で細密に塗布することが可能となる。また、それぞれの領域にそれぞれに適した膜厚のフォトレジスト膜を形成できる。さらに、この形成に対してフォトレジスト材料の制約がないので、プロセスに最適なレジスト材料を用いることができる。   By such an application method, it becomes possible to finely apply a desired photoresist material to a local region on the substrate 11 under desired conditions. In addition, a photoresist film having a thickness suitable for each region can be formed. Furthermore, since there is no restriction on the photoresist material for this formation, a resist material optimum for the process can be used.

また、本発明のフォトレジスト塗布方法においては、吐出ノズルは1個に限定されることはなく、複数個の吐出ノズルを用いることも可能である。複数個の吐出ノズルを用いることで、同時に複数の領域にフォトレジストを塗布することや、粘度の異なるフォトレジスト材料の使用も可能となる。   In the photoresist coating method of the present invention, the number of discharge nozzles is not limited to one, and a plurality of discharge nozzles can be used. By using a plurality of discharge nozzles, it is possible to apply a photoresist to a plurality of regions at the same time and use photoresist materials having different viscosities.

なお、本実施の形態では、基体を円盤状としたが本発明はこれに限定されない。例えば、四角形の平板でもよく、形状には限定されない。   In the present embodiment, the base is a disk, but the present invention is not limited to this. For example, a rectangular flat plate may be used, and the shape is not limited.

(第2の実施の形態)
図3は、本発明の第2の実施の形態にかかるレジストパターン形成方法の概要を説明する断面図である。本実施の形態では、第1の実施の形態で説明したフォトレジスト塗布方法を用いて図2に示すような円盤状の基体11の表面にパターン形成領域121と非形成領域122とを有するフォトレジスト膜12に対して所定のレジストパターンを形成する場合について説明する。
(Second Embodiment)
FIG. 3 is a cross-sectional view for explaining the outline of the resist pattern forming method according to the second embodiment of the present invention. In the present embodiment, a photoresist having a pattern formation region 121 and a non-formation region 122 on the surface of a disk-shaped substrate 11 as shown in FIG. 2 using the photoresist coating method described in the first embodiment. A case where a predetermined resist pattern is formed on the film 12 will be described.

図3(a)は、第1の実施の形態のフォトレジスト塗布方法を用いて、基体11の表面上に凹凸を有するフォトレジスト膜12を形成した状態の断面図である。すなわち、本実施の形態では、フォトレジスト膜12に微細パターンを形成しない非形成領域が凹溝となるようにしてあり、この領域が抜気用凹溝122となる。なお、抜気用凹溝122の両側は微細なパターンを形成するパターン形成領域121であり、フォトレジストは厚く形成されている。なお、抜気用凹溝122の下部にはフォトレジスト膜があり、有底の形状とされている。このような形状のフォトレジスト膜12の作製においては、従来方式と異なりフォトリソプロセスを全く必要としない。   FIG. 3A is a cross-sectional view of a state in which a photoresist film 12 having irregularities is formed on the surface of the substrate 11 by using the photoresist coating method of the first embodiment. That is, in the present embodiment, a non-formation region where a fine pattern is not formed in the photoresist film 12 is a concave groove, and this region becomes a vent groove 122. Note that both sides of the vent groove 122 are pattern formation regions 121 for forming a fine pattern, and the photoresist is formed thick. Note that a photoresist film is provided below the vent groove 122 and has a bottomed shape. In the production of the photoresist film 12 having such a shape, a photolithography process is not required at all unlike the conventional method.

次に、図3(b)に示すように、基体ホルダー71の上に基体11を配置し、さらに所定の微細なパターン151が形成されているフォトマスク15を基体11の表面のフォトレジスト膜12に接触させる。この場合、フォトマスク15の微細パターン151が形成されている領域が、フォトレジスト膜12のパターン形成領域121上に位置するようにマスク合わせを行う。   Next, as shown in FIG. 3B, the substrate 11 is placed on the substrate holder 71, and a photomask 15 on which a predetermined fine pattern 151 is formed is applied to the photoresist film 12 on the surface of the substrate 11. Contact. In this case, mask alignment is performed so that the region where the fine pattern 151 of the photomask 15 is formed is positioned on the pattern formation region 121 of the photoresist film 12.

次に、図3(c)に示すように、フォトマスク15の外周領域と基体ホルダー71の外周領域との間に、例えばシールゴム72をはさみ、フォトマスク15と基体ホルダー71との間の空間を密閉する。このようにした後、基体ホルダー71に設けた排気孔711を介して図示しない真空ポンプにより真空排気する。この真空排気において、フォトレジスト膜12の抜気用凹溝122が空気の流路となるのでフォトレジスト膜12とフォトマスク15との間は、全体が均一に真空排気される。この結果、フォトマスク15とパターン形成領域121とは、全面にわたって均一に、かつ良好な密着をさせることができる。このような密着状態とした後に、紫外光14を照射して露光する。   Next, as shown in FIG. 3C, for example, a seal rubber 72 is sandwiched between the outer peripheral region of the photomask 15 and the outer peripheral region of the substrate holder 71, so that a space between the photomask 15 and the substrate holder 71 is formed. Seal. After this, the vacuum evacuation is performed by a vacuum pump (not shown) through the exhaust hole 711 provided in the base holder 71. In this evacuation, since the vent groove 122 of the photoresist film 12 serves as an air flow path, the entire area between the photoresist film 12 and the photomask 15 is evacuated uniformly. As a result, the photomask 15 and the pattern formation region 121 can be uniformly and satisfactorily adhered over the entire surface. After making such a close contact state, exposure is performed by irradiating with ultraviolet light 14.

露光後、基体11を取り出し、現像すれば、フォトマスク15に忠実に、かつ微細な形状のレジストパターン16を形成することができる。このようにしてレジストパターン16を形成した状態を図3(d)に示す。   After the exposure, if the substrate 11 is taken out and developed, a resist pattern 16 having a fine shape faithful to the photomask 15 can be formed. The state in which the resist pattern 16 is formed in this way is shown in FIG.

このようなレジストパターン形成方法とすることにより、抜気用凹溝122により空気の流路ができ、全面にわたって均一な真空引きができるので、パターン形成領域121に対するフォトマスク15の密着性を大きく、かつ均一にすることができる。その結果、紫外光14を照射したときに、回折等による光の回り込みを防ぐことができ、微細なパターン形状であっても高精度に形成することが可能となる。   By adopting such a resist pattern forming method, an air flow path can be formed by the evacuation concave groove 122, and uniform vacuuming can be performed over the entire surface, so that the adhesion of the photomask 15 to the pattern forming region 121 is increased, And uniform. As a result, when the ultraviolet light 14 is irradiated, the wraparound of light due to diffraction or the like can be prevented, and even a fine pattern shape can be formed with high accuracy.

(第3の実施の形態)
本実施の形態では、上記のフォトレジスト塗布方法およびレジストパターン形成方法を用いてマスター情報担体を製造する方法について説明する。
(Third embodiment)
In the present embodiment, a method for manufacturing a master information carrier using the above-described photoresist coating method and resist pattern forming method will be described.

初めに、マスター情報担体の概略について説明を行う。図4は、マスター情報担体20を模式的に示した平面図である。このマスター情報担体20は、ハードディスクに信号を記録するために用いられるものの一例である。マスター情報担体20は、非磁性基体22の一主面に、図示するように中心部から放射状に信号領域24が形成されている。信号領域24のパターン形状の模式図を図5に示す。なお、図5は、図4の点線で囲んだ部分Aの拡大図であり、サーボ信号を記録する場合の一例である。図5に示すように、信号領域24には、磁気記録媒体に記録されるディジタル情報信号に対応する位置に、マスター情報パターンとしての強磁性薄膜26が所定の形状に形成されている。このマスター情報パターンとしては、トラッキング用サーボ信号、アドレス情報信号等がある。図5において、ハッチングを施した部分が強磁性薄膜26によって形成された部分である。   First, an outline of the master information carrier will be described. FIG. 4 is a plan view schematically showing the master information carrier 20. The master information carrier 20 is an example of what is used for recording a signal on a hard disk. In the master information carrier 20, signal regions 24 are formed radially on the main surface of the nonmagnetic substrate 22 from the center as shown in the figure. A schematic diagram of the pattern shape of the signal region 24 is shown in FIG. FIG. 5 is an enlarged view of a portion A surrounded by a dotted line in FIG. 4, and is an example in the case of recording a servo signal. As shown in FIG. 5, a ferromagnetic thin film 26 as a master information pattern is formed in a predetermined shape in the signal area 24 at a position corresponding to a digital information signal recorded on a magnetic recording medium. Examples of the master information pattern include a tracking servo signal and an address information signal. In FIG. 5, the hatched portion is a portion formed by the ferromagnetic thin film 26.

図5には、マスター情報担体20の径方向(すなわち、トラック幅方向)に10トラック分のマスター情報パターンを示している。なお、参考のため、マスター情報パターンが磁気記録媒体に転写記録された後、磁気記録媒体上でデータ領域となるトラック部分を一点鎖線によって示している。   FIG. 5 shows a master information pattern for 10 tracks in the radial direction of the master information carrier 20 (that is, in the track width direction). For reference, a track portion that becomes a data area on the magnetic recording medium after the master information pattern is transferred and recorded on the magnetic recording medium is indicated by a one-dot chain line.

磁気記録媒体に記録されるディジタル情報信号に対応して、マスター情報担体20の信号領域24には、周方向において一定角度毎に、かつ径方向には全記録トラック分、図5に示すようなマスター情報パターンが形成されている。   Corresponding to the digital information signal recorded on the magnetic recording medium, the signal area 24 of the master information carrier 20 has a certain angle in the circumferential direction and the entire recording track in the radial direction, as shown in FIG. A master information pattern is formed.

マスター情報パターンがサーボパターンである場合には、例えば図5に示されるように、クロック信号、トラッキング用サーボ信号、アドレス情報信号等の各々の領域をトラック長さ方向に順次配列して構成されている。なお、図4および図5は一例であり、磁気記録媒体に記録されるディジタル情報信号に応じてマスター情報パターンの構成や配置等は適宜変更してもよい。また、マスター情報担体20に用いる非磁性基体22としては、例えばガラス基板、プラスチック基板、Si基板等を用いることができる。   When the master information pattern is a servo pattern, for example, as shown in FIG. 5, each area of a clock signal, a tracking servo signal, an address information signal, etc. is sequentially arranged in the track length direction. Yes. 4 and 5 are examples, and the configuration and arrangement of the master information pattern may be changed as appropriate in accordance with the digital information signal recorded on the magnetic recording medium. Further, as the nonmagnetic substrate 22 used for the master information carrier 20, for example, a glass substrate, a plastic substrate, a Si substrate, or the like can be used.

強磁性薄膜26は強磁性材料からなり、磁気記録媒体に信号を転写記録できるものであればよい。例えば、Fe、Co、Fe−Co合金等を用いることができる。上述したように、強磁性薄膜26は、磁気記録媒体に記録されるディジタル情報信号(例えば、プリフォーマット記録)に対応する位置に形成されている。   The ferromagnetic thin film 26 may be made of a ferromagnetic material and can transfer and record a signal on a magnetic recording medium. For example, Fe, Co, Fe—Co alloy, or the like can be used. As described above, the ferromagnetic thin film 26 is formed at a position corresponding to a digital information signal (for example, preformat recording) recorded on the magnetic recording medium.

次に、上記のマスター情報担体の製造方法の一例について説明する。図6は、上記構成のマスター情報担体の製造方法の一例を説明するための主要工程の断面図である。   Next, an example of a method for manufacturing the master information carrier will be described. FIG. 6 is a cross-sectional view of main steps for explaining an example of a method for producing a master information carrier having the above-described configuration.

図6(a)に示すように、円盤状の非磁性基体22の表面上に第1の実施の形態で説明したフォトレジスト塗布方法により、フォトレジスト膜28を塗布する。この場合、信号領域24となるパターン形成領域281のフォトレジスト膜28の厚みは抜気用凹溝282より厚く形成する。この抜気用凹溝282は、図4からわかるように非磁性基体22の中心部から外周部にかけて連続的に形成されており、真空密着するときの空気の流路となる。なお、この抜気用凹溝282は非形成領域である。   As shown in FIG. 6A, a photoresist film 28 is applied on the surface of the disk-shaped nonmagnetic substrate 22 by the photoresist coating method described in the first embodiment. In this case, the thickness of the photoresist film 28 in the pattern formation region 281 to be the signal region 24 is formed to be thicker than the vent groove 282. As can be seen from FIG. 4, the vent groove 282 is continuously formed from the center to the outer periphery of the non-magnetic substrate 22 and serves as an air flow path when vacuum-adhering. This vent groove 282 is a non-forming region.

次に、図6(b)に示すように、ディジタル信号に対応するパターン302が形成されたフォトマスク30を非磁性基体22のフォトレジスト膜28上に配置し、ディジタル信号に対応するパターン302をフォトレジスト膜28のパターン形成領域281に位置合わせする。なお、このパターン302は、ディスク状磁気記録媒体(ハードディスク)に磁気転写すべきトラッキングサーボ等のための情報信号等のディジタル信号に対応したパターンからなる。   Next, as shown in FIG. 6B, the photomask 30 on which the pattern 302 corresponding to the digital signal is formed is disposed on the photoresist film 28 of the nonmagnetic substrate 22, and the pattern 302 corresponding to the digital signal is formed. Alignment with the pattern formation region 281 of the photoresist film 28 is performed. The pattern 302 is a pattern corresponding to a digital signal such as an information signal for tracking servo to be magnetically transferred to a disk-shaped magnetic recording medium (hard disk).

このように配置した後、第2の実施の形態で説明したレジストパターン形成方法に基づき、フォトマスク30の外周部と図示しない基体ホルダーの外周部とを、例えばシールゴムではさみ、フォトマスク30と基体ホルダーとの間の空間を密閉する。このようにした後、基体ホルダーに設けた排気孔を介して図示しない真空ポンプにより真空排気する。この真空排気において、フォトレジスト膜28の抜気用凹溝282が空気の流路となるのでフォトレジスト膜28とフォトマスク30との間は、全体が均一に真空排気される。この結果、フォトマスク30とパターン形成領域281とは、全面にわたって均一に、かつ良好な密着をさせることができる。このような密着状態とした後に、紫外光32を照射して露光する。   After such arrangement, based on the resist pattern forming method described in the second embodiment, the outer periphery of the photomask 30 and the outer periphery of the substrate holder (not shown) are sandwiched with, for example, seal rubber, and the photomask 30 and the substrate Seal the space between the holder. After this, evacuation is performed by a vacuum pump (not shown) through an exhaust hole provided in the base holder. In this evacuation, since the vent groove 282 of the photoresist film 28 serves as an air flow path, the entire area between the photoresist film 28 and the photomask 30 is evacuated uniformly. As a result, the photomask 30 and the pattern formation region 281 can be uniformly and satisfactorily adhered over the entire surface. After making such a close contact state, exposure is performed by irradiating with ultraviolet light 32.

露光後、非磁性基体22を取り出し、現像すれば、フォトマスク30に忠実に、かつ微細な形状のレジストパターン284を形成することができる。このようにしてレジストパターン284を形成した状態を図6(c)に示す。   After the exposure, the nonmagnetic substrate 22 is taken out and developed to form a resist pattern 284 having a fine shape faithfully to the photomask 30. FIG. 6C shows a state in which the resist pattern 284 is formed in this way.

このようなレジストパターン形成方法とすることにより、抜気用凹溝282により空気の流路ができ、全面にわたって均一な真空引きができるので、パターン形成領域281に対するフォトマスク30の密着性を大きく、かつ均一にすることができる。その結果、紫外光32を照射したときに、回折等による光の回り込みを防ぐことができ、微細なパターン形状であっても高精度に形成することが可能となる。なお、レジストパターン284は、図5に示す強磁性薄膜26のパターンが形成される領域においては、非磁性基体22の表面が露出している。   By adopting such a resist pattern forming method, an air flow path can be formed by the vent groove 282, and uniform vacuuming can be performed over the entire surface, so that the adhesion of the photomask 30 to the pattern formation region 281 is increased, And uniform. As a result, when the ultraviolet light 32 is irradiated, the wraparound of light due to diffraction or the like can be prevented, and even a fine pattern shape can be formed with high accuracy. The resist pattern 284 exposes the surface of the nonmagnetic substrate 22 in the region where the pattern of the ferromagnetic thin film 26 shown in FIG. 5 is formed.

次に、図6(d)に示すように、フォトレジスト膜28を含め非磁性基体22の表面に強磁性薄膜26を堆積する。   Next, as shown in FIG. 6D, a ferromagnetic thin film 26 is deposited on the surface of the nonmagnetic substrate 22 including the photoresist film 28.

この後、図6(e)に示すように、フォトレジスト膜28を有機溶剤等の現像液あるいは溶解液を用いて溶解することで、フォトレジスト膜28の表面に付着した強磁性薄膜26が除去される。この方法は一般的にリフトオフとよばれる方法である。   Thereafter, as shown in FIG. 6E, the ferromagnetic thin film 26 adhering to the surface of the photoresist film 28 is removed by dissolving the photoresist film 28 using a developer or solution such as an organic solvent. Is done. This method is generally called lift-off.

以上により、非磁性基体22の信号領域24に強磁性薄膜26からなる情報信号に対応したパターン形状を有するマスター情報担体20が得られる。   As described above, the master information carrier 20 having the pattern shape corresponding to the information signal made of the ferromagnetic thin film 26 in the signal region 24 of the nonmagnetic substrate 22 is obtained.

本実施の形態によれば、抜気用凹溝282を介しての真空引きにより、パターン形成領域281とフォトマスク30との密着を強力なものとした状態で、フォトレジスト膜28を紫外光32で露光するので、露光における光の回り込みを確実に防止することができる。この結果、レジストパターン284は、側壁テーパー等が発生せず、フォトマスク30のディジタル信号に対応するパターン302に忠実な形状を得ることができる。したがって、微細で、かつ高精度な強磁性薄膜26のパターンが得られ、従来に比べて高密度記録に対応可能なマスター情報担体を製造することができる。   According to the present embodiment, the photoresist film 28 is exposed to the ultraviolet light 32 in a state where the close contact between the pattern formation region 281 and the photomask 30 is strengthened by evacuation through the evacuation concave groove 282. Therefore, it is possible to reliably prevent the wraparound of light during exposure. As a result, the resist pattern 284 is free from side wall taper and the like, and a shape faithful to the pattern 302 corresponding to the digital signal of the photomask 30 can be obtained. Therefore, a fine and highly accurate pattern of the ferromagnetic thin film 26 can be obtained, and a master information carrier that can cope with high-density recording as compared with the prior art can be manufactured.

図7は、本実施の形態にかかるマスター情報担体の製造方法の第1の変形例の方法を説明する主要工程の断面図である。   FIG. 7 is a cross-sectional view of the main steps for explaining the method of the first modification of the method for manufacturing a master information carrier according to the present embodiment.

図7(a)に示すように、円盤状の非磁性基体22の表面上に強磁性薄膜26を堆積する。   As shown in FIG. 7A, a ferromagnetic thin film 26 is deposited on the surface of a disk-like nonmagnetic substrate 22.

次に、図7(b)に示すように、この強磁性薄膜26の表面上に第1の実施の形態のフォトレジスト塗布方法により、パターン形成領域341が厚く、抜気用凹溝342が薄いフォトレジスト膜34を形成する。この抜気用凹溝342は非形成領域である。   Next, as shown in FIG. 7B, the pattern forming region 341 is thick and the vent groove 342 is thin on the surface of the ferromagnetic thin film 26 by the photoresist coating method of the first embodiment. A photoresist film 34 is formed. The vent groove 342 is a non-formed region.

次に、図7(c)に示すように、ディジタル信号に対応するパターン361が形成されたフォトマスク36を非磁性基体22のフォトレジスト膜34上に配置し、ディジタル信号に対応するパターン361をフォトレジスト膜34のパターン形成領域341に位置合わせする。なお、この第1の変形例の場合には、フォトマスク36のディジタル信号に対応するパターン361は、図6で説明したフォトマスク30とは逆パターンの関係となる。   Next, as shown in FIG. 7C, a photomask 36 on which a pattern 361 corresponding to a digital signal is formed is disposed on the photoresist film 34 of the nonmagnetic substrate 22, and a pattern 361 corresponding to the digital signal is formed. The photoresist film 34 is aligned with the pattern formation region 341. In the case of the first modification, the pattern 361 corresponding to the digital signal of the photomask 36 has a reverse pattern relationship with the photomask 30 described in FIG.

このように配置してから、本実施の形態と同様にフォトレジスト膜34の外周部から抜気用凹溝342を介して真空引きを行う。これにより、フォトマスク36とフォトレジスト膜34のパターン形成領域341との密着性を充分に大きくする。この強力な密着状態で、露光する。   After this arrangement, evacuation is performed from the outer periphery of the photoresist film 34 through the vent groove 342 as in the present embodiment. This sufficiently increases the adhesion between the photomask 36 and the pattern formation region 341 of the photoresist film 34. Exposure is performed in this strong contact state.

露光後、非磁性基体22を取り出し、現像すれば、フォトマスク36に忠実に、かつ微細な形状のレジストパターン344を形成することができる。このようにしてレジストパターン344を形成した状態を図7(d)に示す。フォトマスク36のパターン361に対応した位置にレジストパターン344が形成されている。   After the exposure, the nonmagnetic substrate 22 is taken out and developed to form a resist pattern 344 having a fine shape faithfully to the photomask 36. The state in which the resist pattern 344 is formed in this way is shown in FIG. A resist pattern 344 is formed at a position corresponding to the pattern 361 of the photomask 36.

次に、図7(e)に示すように、レジストパターン344をマスクとして強磁性薄膜26をエッチングする。エッチング方法としては、例えば、イオンミリング法やリアクティブイオンエッチング法等を用いることができる。   Next, as shown in FIG. 7E, the ferromagnetic thin film 26 is etched using the resist pattern 344 as a mask. As an etching method, for example, an ion milling method or a reactive ion etching method can be used.

次いで、図7(f)に示すように、レジストパターン344を、有機溶剤等の現像液や溶解液を用いて溶解し除去する。これにより、非磁性基体22の信号領域24に強磁性薄膜26からなる情報信号に対応したパターン形状を有するマスター情報担体が得られる。   Next, as shown in FIG. 7F, the resist pattern 344 is dissolved and removed using a developing solution such as an organic solvent or a dissolving solution. As a result, a master information carrier having a pattern shape corresponding to the information signal made of the ferromagnetic thin film 26 in the signal region 24 of the nonmagnetic substrate 22 is obtained.

この第1の変形例によれば、抜気用凹溝342を介しての真空引きにより、パターン形成領域341とフォトマスク36との密着を強力なものとした状態で露光するので、露光における光の回り込みを確実に防止することができる。この結果、レジストパターン344には、側壁テーパー等が発生せず、フォトマスク36のディジタル信号に対応するパターン361に忠実な形状を得ることができる。したがって、微細で、かつ高精度な強磁性薄膜26のパターンが得られ、従来に比べて高密度記録に対応可能なマスター情報担体を製造することができる。   According to the first modification, exposure is performed in a state where the close contact between the pattern formation region 341 and the photomask 36 is strengthened by evacuation through the concave groove 342 for extraction. Can be reliably prevented. As a result, the resist pattern 344 is free from side wall taper and the like, and a shape faithful to the pattern 361 corresponding to the digital signal of the photomask 36 can be obtained. Therefore, a fine and highly accurate pattern of the ferromagnetic thin film 26 can be obtained, and a master information carrier that can cope with high-density recording as compared with the prior art can be manufactured.

図8は、本実施の形態にかかるマスター情報担体の製造方法の第2の変形例の方法を説明する主要工程の断面図である。   FIG. 8 is a cross-sectional view of the main steps for explaining the method of the second modification of the method for manufacturing a master information carrier according to the present embodiment.

図8(a)から図8(c)までは、図6(a)から図6(c)までと同じであるので説明を省略する。   Since FIG. 8A to FIG. 8C are the same as FIG. 6A to FIG. 6C, description thereof will be omitted.

図8(c)に示すように、ディジタル信号に対応したレジストパターン284を形成後、非磁性基体22をエッチング装置に配置し、図8(d)に示すようにレジストパターン284をマスクにして、非磁性基体22を所定量エッチングする。このエッチングにより、非磁性基体22には情報信号に対応したパターンを有する埋め込み用凹部221が形成される。   As shown in FIG. 8C, after forming the resist pattern 284 corresponding to the digital signal, the nonmagnetic substrate 22 is placed in an etching apparatus, and the resist pattern 284 is used as a mask as shown in FIG. A predetermined amount of the nonmagnetic substrate 22 is etched. By this etching, an embedding recess 221 having a pattern corresponding to the information signal is formed in the nonmagnetic substrate 22.

次に、図8(e)に示すように、フォトレジスト膜28を含む非磁性基体22の表面に強磁性薄膜26を堆積する。   Next, as shown in FIG. 8E, a ferromagnetic thin film 26 is deposited on the surface of the nonmagnetic substrate 22 including the photoresist film 28.

次に、図8(f)に示すように、リフトオフプロセスにより不要な強磁性薄膜を除去する。すなわち、フォトレジスト膜28を有機溶剤等の現像液あるいは溶解液を用いて溶解することで、フォトレジスト膜28の表面に付着した強磁性薄膜26を同時に除去する。   Next, as shown in FIG. 8F, an unnecessary ferromagnetic thin film is removed by a lift-off process. That is, the photoresist film 28 is dissolved using a developing solution or a solution such as an organic solvent, thereby simultaneously removing the ferromagnetic thin film 26 attached to the surface of the photoresist film 28.

以上により、非磁性基体22の信号領域24に強磁性薄膜26からなる情報信号に対応したパターン形状が埋め込まれたマスター情報担体が得られる。   As described above, a master information carrier in which the pattern shape corresponding to the information signal composed of the ferromagnetic thin film 26 is embedded in the signal region 24 of the nonmagnetic substrate 22 is obtained.

この第2の変形例の製造方法によれば、抜気用凹溝282を介しての真空引きにより、パターン形成領域281とフォトマスク30との密着を強力なものとした状態で露光するので、露光における光の回り込みを確実に防止することができる。この結果、レジストパターン284には、側壁テーパー等が発生せず、フォトマスク30のディジタル信号に対応するパターン302に忠実な形状を得ることができる。したがって、微細で、かつ高精度な強磁性薄膜26のパターンが得られ、従来に比べて高密度記録に対応可能なマスター情報担体を製造することができる。しかも、この方法においては、情報信号に対応したパターン形状の強磁性薄膜26は、非磁性基体22に埋め込んだ状態で形成できるので、長寿命のマスター情報担体を実現することもできる。   According to the manufacturing method of the second modification, exposure is performed in a state where the close contact between the pattern formation region 281 and the photomask 30 is strengthened by evacuation through the vent groove 282. It is possible to reliably prevent light from wrapping around during exposure. As a result, the resist pattern 284 is free from side wall taper and the like, and a shape faithful to the pattern 302 corresponding to the digital signal of the photomask 30 can be obtained. Therefore, a fine and highly accurate pattern of the ferromagnetic thin film 26 can be obtained, and a master information carrier that can cope with high-density recording as compared with the prior art can be manufactured. In addition, in this method, the ferromagnetic thin film 26 having a pattern shape corresponding to the information signal can be formed in a state of being embedded in the nonmagnetic substrate 22, so that a long-life master information carrier can be realized.

上記の製造方法で作製したマスター情報担体を用いて磁気記録媒体にプリフォーマット記録した後、磁気記録媒体に記録された信号をヘッドにより読み取り、信号の評価を行った。その結果、強磁性薄膜のパターンの線幅が0.3μmまで設計通りの信号が記録されていることを確認した。一方、従来方法で作製したマスター情報担体の場合には、パターンの線幅を0.5μmとすると設計通りの再生信号が得られなかった。   After preformat recording on a magnetic recording medium using the master information carrier produced by the above manufacturing method, the signal recorded on the magnetic recording medium was read by a head and the signal was evaluated. As a result, it was confirmed that the signal as designed was recorded until the line width of the pattern of the ferromagnetic thin film was 0.3 μm. On the other hand, in the case of a master information carrier manufactured by a conventional method, a reproduction signal as designed cannot be obtained if the line width of the pattern is 0.5 μm.

以上、本発明の実施の形態の製造方法について変形例を含めて説明したが、本発明はこれらの実施の形態に限定されず、本発明の技術的思想に基づいた他の実施の形態に適用することができる。   As mentioned above, although the manufacturing method of embodiment of this invention was demonstrated including the modification, this invention is not limited to these embodiment, It applies to other embodiment based on the technical idea of this invention. can do.

例えば、上記実施の形態では、主にハードディスクドライブ等に搭載される磁気記録媒体にディジタル情報信号を転写記録するためのマスター情報担体について説明したが、本発明のマスター情報担体はフレキシブル磁気ディスク、磁気カードおよび磁気テープ等の磁気記録媒体に対して応用することもできる。   For example, in the above embodiment, a master information carrier for transferring and recording a digital information signal on a magnetic recording medium mainly mounted on a hard disk drive or the like has been described. However, the master information carrier of the present invention is a flexible magnetic disk, magnetic It can also be applied to magnetic recording media such as cards and magnetic tapes.

また、上記実施の形態では、磁気記録媒体に記録される情報信号が、トラッキング用サーボ信号やアドレス情報信号、再生クロック信号等からなるプリフォーマット信号である場合について説明したが、他の情報信号の記録にも本発明のマスター情報担体を用いることができる。例えば、本発明のマスター情報担体を用いて様々なデータ信号やオーディオ、ビデオ信号の記録を行うことも可能である。この場合には、本発明のマスター情報担体と、これを用いた磁気記録媒体への記録技術によって、ソフトディスク媒体の大量複写生産を行うことができ、ソフトディスク媒体を安価に提供することが可能である。   In the above embodiment, the case where the information signal recorded on the magnetic recording medium is a preformat signal including a tracking servo signal, an address information signal, a reproduction clock signal, etc. has been described. The master information carrier of the present invention can also be used for recording. For example, various data signals, audio and video signals can be recorded using the master information carrier of the present invention. In this case, the master information carrier of the present invention and the recording technology to the magnetic recording medium using the same can be used for mass production of soft disk media, and the soft disk media can be provided at low cost. It is.

また、半導体や光ディスク等のパターン形成方法のプロセスとしても適用が可能である。   Further, it can be applied as a process of a pattern forming method for a semiconductor or an optical disk.

本発明のフォトレジスト塗布方法、レジストパターン形成方法およびそれを用いたマスター情報担体の製造方法は、基体表面にレジストパターンを精度よく形成することが可能で、かつこのフォトレジスト塗布方法を用いたレジストパターン形成方法により情報信号に対応した強磁性薄膜のパターンを精度よく形成することが可能であり、磁気記録分野に有用である。   The photoresist coating method, the resist pattern forming method and the master information carrier manufacturing method using the photoresist coating method of the present invention can form a resist pattern on the substrate surface with high accuracy, and a resist using the photoresist coating method. A pattern of a ferromagnetic thin film corresponding to an information signal can be accurately formed by a pattern forming method, and is useful in the field of magnetic recording.

本発明の第1の実施の形態にかかるフォトレジスト塗布方法において用いる塗布装置の構成例を模式的に示す図The figure which shows typically the structural example of the coating device used in the photoresist coating method concerning the 1st Embodiment of this invention. 同実施の形態において、円盤状の基体の表面にフォトレジスト膜を形成した状態を模式的に示す部分斜視図In the same embodiment, a partial perspective view schematically showing a state in which a photoresist film is formed on the surface of a disk-shaped substrate 本発明の第2の実施の形態にかかるレジストパターン形成方法の概要を説明する断面図Sectional drawing explaining the outline | summary of the resist pattern formation method concerning the 2nd Embodiment of this invention 本発明の第3の実施の形態にかかるマスター情報担体の製造方法におけるマスター情報担体を模式的に示した平面図The top view which showed typically the master information carrier in the manufacturing method of the master information carrier concerning the 3rd Embodiment of this invention 同実施の形態において、信号領域のパターン形状の模式図Schematic diagram of pattern shape of signal area in the same embodiment 同実施の形態におけるマスター情報担体の製造方法の一例を説明するための主要工程の断面図Sectional drawing of the main process for demonstrating an example of the manufacturing method of the master information carrier in the embodiment 同実施の形態にかかるマスター情報担体の製造方法の第1の変形例の方法を説明する主要工程の断面図Sectional drawing of the main process explaining the method of the 1st modification of the manufacturing method of the master information carrier concerning the embodiment 同実施の形態にかかるマスター情報担体の製造方法の第2の変形例の方法を説明する主要工程の断面図Sectional drawing of the main process explaining the method of the 2nd modification of the manufacturing method of the master information carrier concerning the embodiment 従来のマスター情報担体において、レジストパターンを形成する工程を示す断面図Sectional drawing which shows the process of forming a resist pattern in the conventional master information carrier 化学増幅型のフォトレジストを用いて、露光、現像を2回行う場合の課題を説明するため工程断面図Process cross-sectional view for explaining the problem of exposure and development twice using a chemically amplified photoresist 抜気用凹溝を形成するためのパターンが形成されたフォトマスクを用いて、i線フォトレジストからなるフォトレジスト膜に紫外光を照射するときに、遮蔽部のエッジで回折と干渉が生じて光強度分布が変化することを説明するための模式図When irradiating ultraviolet light onto a photoresist film made of i-line photoresist using a photomask on which a pattern for forming a vent groove is formed, diffraction and interference occur at the edge of the shielding part. Schematic diagram for explaining that the light intensity distribution changes 図11に示すような露光を受けたときに抜気用凹溝の両端部に角状の溝が形成されることを説明するための断面模式図FIG. 11 is a schematic cross-sectional view for explaining that square grooves are formed at both ends of the vent groove when exposed as shown in FIG.

符号の説明Explanation of symbols

2 保持台
3 吐出ノズル
4 レジスト供給部
5 フォトレジスト
11 基体
12,28,34,1200,3200 フォトレジスト膜
14,32,1400 紫外光
15,30,36,1300,1500 フォトマスク
16,284,344 レジストパターン
20 マスター情報担体
22,1100 非磁性基体
24 信号領域
26 強磁性薄膜
71 基体ホルダー
72 シールゴム
121,281,341,1220,2220,3220 パターン形成領域
122,282,342,1210,2210,3210 抜気用凹溝(非形成領域)
151,302,361 パターン
221 埋め込み用凹部
711 排気孔
1600,2260 信号用レジストパターン
2200 化学増幅型レジスト膜
2215 凹溝
2240,3260 残留レジスト膜
3240 角状の溝
2 Holding stand 3 Discharge nozzle 4 Resist supply unit 5 Photoresist 11 Base 12, 28, 34, 1200, 3200 Photoresist film 14, 32, 1400 Ultraviolet light 15, 30, 36, 1300, 1500 Photomask 16, 284, 344 Resist pattern 20 Master information carrier 22, 1100 Non-magnetic substrate 24 Signal region 26 Ferromagnetic thin film 71 Base holder 72 Seal rubber 121,281,341,1220,2220,3220 Pattern formation region 122,282,342,1210,2210,3210 Careful ditch (non-forming area)
151, 302, 361 Pattern 221 Embedding recess 711 Exhaust hole 1600, 2260 Signal resist pattern 2200 Chemically amplified resist film 2215 Concave groove 2240, 3260 Residual resist film 3240 Square groove

Claims (11)

基体の表面上にあらかじめ設定した形状の薄膜パターンを形成するためのフォトレジスト塗布方法であって、
前記薄膜パターンを形成するパターン形成領域のフォトレジスト膜の膜厚を、前記薄膜パターンを形成しない非形成領域に比べて厚く、かつ前記非形成領域を前記基体の中心部から外周部に向かって連続して形成することを特徴とするフォトレジスト塗布方法。
A photoresist coating method for forming a thin film pattern having a preset shape on the surface of a substrate,
The film thickness of the photoresist film in the pattern formation region for forming the thin film pattern is thicker than that in the non-formation region where the thin film pattern is not formed, and the non-formation region is continuous from the center to the outer periphery of the substrate. And forming a photoresist.
前記基体の表面に対して一定の距離を保持しながら吐出ノズルからフォトレジストを定量吐出させるとともに、前記基体および前記吐出ノズルを相対的に移動させて前記基体の表面上に前記フォトレジストを塗布することを特徴とする請求項1記載のフォトレジスト塗布方法。 While keeping a certain distance from the surface of the substrate, the photoresist is quantitatively discharged from the discharge nozzle, and the substrate and the discharge nozzle are relatively moved to apply the photoresist onto the surface of the substrate. The photoresist coating method according to claim 1. 前記吐出ノズルにより一定量の前記フォトレジストを吐出して前記フォトレジスト膜を形成するときに、前記パターン形成領域における吐出時間を前記非形成領域における吐出時間より長くすることを特徴とする請求項2記載のフォトレジスト塗布方法。 3. The discharge time in the pattern formation region is made longer than the discharge time in the non-formation region when the photoresist film is formed by discharging a predetermined amount of the photoresist by the discharge nozzle. The photoresist coating method as described. 前記吐出ノズルにより一定量の前記フォトレジストを吐出して前記フォトレジスト膜を形成するときに、前記パターン形成領域における吐出回数を前記非形成領域における吐出回数より多くすることを特徴とする請求項2記載のフォトレジスト塗布方法。 3. The number of ejections in the pattern formation region is made larger than the number of ejections in the non-formation region when the photoresist film is formed by ejecting a predetermined amount of the photoresist by the ejection nozzle. The photoresist coating method as described. 前記吐出ノズルを用いて前記フォトレジストを塗布する場合に、それぞれ異なる粘度に調整されたフォトレジストを用いて、前記パターン形成領域では粘度の大きな前記フォトレジストを吐出し、前記非形成領域では粘度の小さな前記フォトレジストを吐出することを特徴とする請求項2記載のフォトレジスト塗布方法。 When the photoresist is applied using the discharge nozzle, the photoresist having a different viscosity is used to discharge the photoresist having a high viscosity in the pattern formation region, and the viscosity in the non-formation region. 3. The photoresist coating method according to claim 2, wherein the small photoresist is discharged. 前記吐出ノズルを用いて前記フォトレジストを塗布する場合に、それぞれ異なる粘度に調整されたフォトレジストを用いて、前記基体の表面上に粘度の小さな前記フォトレジストを吐出して薄いフォトレジスト膜を形成した後、前記パターン形成領域に粘度の大きな前記フォトレジストを吐出することを特徴とする請求項2記載のフォトレジスト塗布方法。 When applying the photoresist using the discharge nozzle, a thin photoresist film is formed by discharging the photoresist having a low viscosity onto the surface of the substrate using photoresists adjusted to different viscosities. 3. The photoresist coating method according to claim 2, wherein the photoresist having a high viscosity is discharged to the pattern formation region. 前記基体を回転させながら前記フォトレジストを前記基体表面全体に均一に塗布する工程と、
前記基体の表面に対して一定の距離を保持しながら吐出ノズルから前記フォトレジストを吐出させるとともに、前記基体および前記吐出ノズルを相対的に移動させて前記基体の前記パターン形成領域にさらに前記フォトレジストを塗布することを特徴とする請求項1記載のフォトレジスト塗布方法。
Applying the photoresist uniformly over the entire surface of the substrate while rotating the substrate;
The photoresist is discharged from the discharge nozzle while maintaining a certain distance with respect to the surface of the substrate, and the photoresist and the discharge nozzle are relatively moved to further move the photoresist to the pattern forming region of the substrate. The photoresist coating method according to claim 1, wherein the photoresist is coated.
フォトマスクとフォトレジスト膜が形成された基体とを密着させて露光して前記フォトマスクに対応したレジストパターンを形成する方法であって、
請求項1から請求項7までのいずれかに記載のフォトレジスト塗布方法によって前記基体の表面に前記フォトレジスト膜を形成するためのレジスト塗布工程と、
前記基体を保持する保持台と前記フォトマスクとで形成される空間を気密状態とした後、前記非形成領域を排気経路として真空排気することにより前記パターン形成領域と前記フォトマスクとを密着させ露光する工程とを有することを特徴とするレジストパターン形成方法。
A method of forming a resist pattern corresponding to the photomask by exposing a photomask and a substrate on which a photoresist film is formed to be exposed,
A resist coating step for forming the photoresist film on the surface of the substrate by the photoresist coating method according to any one of claims 1 to 7,
After the space formed by the holding table for holding the substrate and the photomask is airtight, the pattern formation region and the photomask are brought into close contact with each other by evacuating the non-formation region as an exhaust path. And a resist pattern forming method.
磁気記録媒体に接触させた状態で前記磁気記録媒体にディジタル信号を記録するマスター情報担体の製造方法であって、
請求項1から請求項7までのいずれかに記載のフォトレジスト塗布方法によって非磁性基体の表面に前記フォトレジスト膜を形成するためのレジスト塗布工程と、
前記ディジタル信号に対応するパターンが形成されたフォトマスクを前記非磁性基体の表面に配置するとともに、前記非磁性基体を保持する保持台と前記フォトマスクとで形成される空間を気密状態とした後、前記非形成領域を排気経路として真空排気することにより前記パターン形成領域と前記フォトマスクとを密着させ露光する工程と、
前記フォトレジスト膜を現像することにより前記ディジタル信号に対応するレジストパターンを前記パターン形成領域に形成する工程と、
前記レジストパターンが形成された前記フォトレジスト膜を含む前記非磁性基体の表面上に強磁性薄膜を堆積する工程と、
前記フォトレジスト膜とともに前記フォトレジスト膜の表面に堆積した前記強磁性薄膜を除去し、前記非磁性基体表面に前記ディジタル信号に対応した強磁性薄膜パターンを形成する工程とを有することを特徴とするマスター情報担体の製造方法。
A method of manufacturing a master information carrier for recording a digital signal on the magnetic recording medium in contact with the magnetic recording medium,
A resist coating process for forming the photoresist film on the surface of the nonmagnetic substrate by the photoresist coating method according to claim 1,
A photomask on which a pattern corresponding to the digital signal is formed is disposed on the surface of the nonmagnetic substrate, and a space formed by the holding table for holding the nonmagnetic substrate and the photomask is airtight. And exposing the pattern formation region and the photomask in close contact by evacuating the non-formation region as an exhaust path; and
Forming a resist pattern corresponding to the digital signal in the pattern forming region by developing the photoresist film;
Depositing a ferromagnetic thin film on the surface of the non-magnetic substrate including the photoresist film on which the resist pattern is formed;
Removing the ferromagnetic thin film deposited on the surface of the photoresist film together with the photoresist film, and forming a ferromagnetic thin film pattern corresponding to the digital signal on the surface of the nonmagnetic substrate. A method for producing a master information carrier.
磁気記録媒体に接触させた状態で前記磁気記録媒体にディジタル信号を記録するマスター情報担体の製造方法であって、
請求項1から請求項7までのいずれかに記載のフォトレジスト塗布方法によって非磁性基体の表面に前記フォトレジスト膜を形成するためのレジスト塗布工程と、
前記ディジタル信号に対応するパターンが形成されたフォトマスクを前記非磁性基体の表面に配置するとともに、前記非磁性基体を保持する保持台と前記フォトマスクとで形成される空間を気密状態とした後、前記非形成領域を排気経路として真空排気することにより前記パターン形成領域と前記フォトマスクとを密着させ露光する工程と、
前記フォトレジスト膜を現像することにより前記ディジタル信号に対応するレジストパターンを前記パターン形成領域に形成する工程と、
前記レジストパターンが形成された前記フォトレジスト膜をマスクにして前記非磁性基体をエッチングし、前記パターン形成領域の前記非磁性基体に前記ディジタル信号に対応するパターン形状の埋め込み溝を形成する工程と、
前記埋め込み溝を形成後、前記フォトレジスト膜を含む前記非磁性基体の表面に強磁性薄膜を堆積する工程と、
前記フォトレジスト膜とともに前記フォトレジスト膜の表面に堆積した前記強磁性薄膜を除去し、前記非磁性基体の前記埋め込み溝に前記ディジタル信号に対応した強磁性薄膜パターンを形成する工程とを有することを特徴とするマスター情報担体の製造方法。
A method of manufacturing a master information carrier for recording a digital signal on the magnetic recording medium in contact with the magnetic recording medium,
A resist coating process for forming the photoresist film on the surface of the nonmagnetic substrate by the photoresist coating method according to claim 1,
A photomask on which a pattern corresponding to the digital signal is formed is disposed on the surface of the nonmagnetic substrate, and a space formed by the holding table for holding the nonmagnetic substrate and the photomask is airtight. And exposing the pattern formation region and the photomask in close contact by evacuating the non-formation region as an exhaust path; and
Forming a resist pattern corresponding to the digital signal in the pattern forming region by developing the photoresist film;
Etching the non-magnetic substrate using the photoresist film on which the resist pattern is formed as a mask to form a buried groove having a pattern shape corresponding to the digital signal in the non-magnetic substrate in the pattern formation region;
Depositing a ferromagnetic thin film on the surface of the nonmagnetic substrate including the photoresist film after forming the buried trench;
Removing the ferromagnetic thin film deposited on the surface of the photoresist film together with the photoresist film, and forming a ferromagnetic thin film pattern corresponding to the digital signal in the buried groove of the nonmagnetic substrate. A method for producing a master information carrier.
磁気記録媒体に接触させた状態で前記磁気記録媒体にディジタル信号を記録するマスター情報担体の製造方法であって、
非磁性基体表面上に強磁性薄膜を堆積する工程と、
請求項1から請求項7までのいずれかに記載のフォトレジスト塗布方法によって前記非磁性基体の前記強磁性薄膜表面に前記フォトレジスト膜を形成する工程と、
前記ディジタル信号に対応するパターンが形成されたフォトマスクを前記非磁性基体の表面に配置するとともに、前記非磁性基体を保持する保持台と前記フォトマスクとで形成される空間を気密状態とした後、前記非形成領域を排気経路として真空排気することにより前記パターン形成領域と前記フォトマスクとを密着させ露光する工程と、
前記フォトレジスト膜を現像することにより前記ディジタル信号に対応するレジストパターンを前記パターン形成領域に形成する工程と、
前記フォトレジスト膜をマスクにして前記強磁性薄膜をエッチングして前記ディジタル信号に対応した薄膜パターンを形成する工程と、
前記フォトレジスト膜を除去する工程とを有することを特徴とするマスター情報担体の製造方法。
A method of manufacturing a master information carrier for recording a digital signal on the magnetic recording medium in contact with the magnetic recording medium,
Depositing a ferromagnetic thin film on the surface of the non-magnetic substrate;
Forming the photoresist film on the ferromagnetic thin film surface of the nonmagnetic substrate by the photoresist coating method according to claim 1;
A photomask on which a pattern corresponding to the digital signal is formed is disposed on the surface of the nonmagnetic substrate, and a space formed by the holding table for holding the nonmagnetic substrate and the photomask is airtight. And exposing the pattern formation region and the photomask in close contact by evacuating the non-formation region as an exhaust path; and
Forming a resist pattern corresponding to the digital signal in the pattern forming region by developing the photoresist film;
Etching the ferromagnetic thin film using the photoresist film as a mask to form a thin film pattern corresponding to the digital signal;
And a step of removing the photoresist film. A method for producing a master information carrier.
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